JP2002092821A

JP2002092821A - 単磁極型磁気ヘッド及びそれを搭載した磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2002092821A
Application number: JP2000286842A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Okada; 智弘岡田; Yoshiaki Kawato; 良昭川戸; Yasutaka Nishida; 靖孝西田; Yasuo Wakagi; 靖雄若木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-09-18
Filing date: 2000-09-18
Publication date: 2002-03-29

Abstract

(57)【要約】【課題】主磁極側面からの書き込みがなく、且つ隣接ト
ラックの消去が無い垂直記録用磁気ヘッドを作製し、こ
れを用いた磁気ディスク装置を得る。【解決手段】垂直記録用磁気ヘッドの主磁極の側面を逆
テーパ形状とする。この逆テーパ形状は、予め無機絶縁
膜にトラック部分となる溝を形成し、次に磁性膜を形成
を後、上面を平坦化することにより得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等の記録・再生に用いられる薄膜磁気ヘッド及びそれを
搭載した磁気ディスク装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置では、記録媒体上のデ
−タは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気ディス
クの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面
記録密度を高密度化する必要がある。しかしながら、現
状の面内記録方式では、記録されるビット長が小さくな
ると、媒体の磁化の熱揺らぎのために面記録密度があげ
られない問題がある。この問題の解決のために媒体に垂
直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式がある。垂
直記録方式においても、再生には磁気抵抗効果型ヘッド
（ＭＲヘッド）及び、さらに再生出力が大きい巨大磁気
抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）を用いることができ
る。一方、記録には、単磁極ヘッドを用いる必要があ
る。垂直記録においても、記録密度の向上のためには、
トラック密度と線記録密度を向上する必要がある。この
うちトラック密度向上のためには、磁気ヘッドのトラッ
ク幅を微細、高精度化する必要がある。さらに、垂直記
録では、単磁極ヘッドの主磁極の形状が媒体の磁化パタ
ーンに大きな影響を与える。具体的には、主磁極のMRヘ
ッドと反対側の端面である主磁極の上部端面、即ちトレ
ーリング側の形状が媒体の磁化パターン形状を大きく左
右する。例えは、特開平10-320720号公報では、主磁極
の上部端面が平坦で、MRヘッド側が広い台形形状である
単磁極ヘッドの構造が開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平10-320
720号公報記載の発明では、台形形状の両側面の斜面部
からのサイド記録トラックを生じると記載されている。
前記サイド記録トラックは隣接記録トラックのクロスト
ークを低減すると記載されている。しかし、トラック密
度を高める上で障害になり、面記録密度を高めることが
できないという問題がある。磁気ディスク装置では、磁
気ヘッドをディスクの内周から外周まで走査するとき、
ヨー角が生じるが、その際に台形形状の磁極形状では、
隣接するトラックの信号を消去してしまう問題がある。

【０００４】さらに特開平10-320720号公報では、具体
的な磁極形成法への記述が無い。

【０００５】発明者らは、主磁極（第二磁極）の上面の
平坦化は、研磨法を用いることで達成可能であると考え
る。しかし、例えばケミカルメカニカルポリッシング(C
MP)のような研磨法を用いる場合、膜厚の制御が難し
く、膜厚精度が±0.5um程度もばらついてしまう問題が
ある。このため、主磁極の膜厚がばらつくことになり、
主磁極からの磁界の強度がばらつく原因になる。従っ
て、膜厚の制御性のよい主磁極上面の平坦化方法を用い
る必要がある。

【０００６】そこで、本発明では、サイド記録の無く、
ヨー角による隣接トラックの消去のない主磁極形状を持
つ垂直記録用磁気ヘッドとその作製方法及びその垂直記
録用磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を提供する
ものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一磁極（補
助磁極）、第二磁極（主磁極）と第一及び第二磁極の間
に形成されたギャップ膜とを有し、ギャップ膜と対向す
る第一磁極の幅がギャップ膜と対向する第二磁極の幅よ
り大きい単磁極型の垂直記録用磁気ヘッドであって、第
二磁極のギャップ膜と対向する面を下面、ギャップ膜と
対向する面と反対側すなわちトレーリング側を上面とす
ると、第二磁極の上面は平坦で、第二磁極の下面の幅
（b）は、上面の幅（a）より小さく、第二磁極の上面と
当該上面に対する両側面とのなす角が鋭角である磁気ヘ
ッドとするものである。また、この磁気ヘッドを搭載し
て磁気ディスク装置を構成するものである。

【０００８】ここで、第二磁極は、上面から下面へわた
り第二磁極の幅の寸法変化が連続的であり、第二磁極の
両側面が斜面を形成することが望まれる。さらに、第二
磁極の上面と当該上面に対する両側面とのなす角度を６
０度以上９０度以下の範囲であることが好ましい。ま
た、第二磁極の上面において、その平坦度は、上面にお
ける端部と中央部の差が30 nm 以下であることが望まし
い。

【０００９】また、本発明は、無機絶縁膜上にレジスト
パターンを形成する工程と、該レジストパターンをマス
クに前記無機絶縁膜をエッチングし、溝を形成する工程
と、該レジストパターンを除去する工程と、前記溝を含
む前記無機絶縁膜上に磁性膜を形成する工程と、該磁性
膜を平坦化する工程とを順次行い第二磁極（主磁極）を
形成するものである。前記レジストパターンを除去する
工程の後、該無機絶縁膜上にケミカルメカニカルポリッ
シング（CMP）用のストッパ膜を形成する工程と、該ス
トッパ膜上にメッキ下地膜を形成する工程と、該メッキ
下地膜上に磁性膜をメッキする工程と、該磁性膜をケミ
カルメカニカルポリッシング（CMP）により研磨する工
程とを順次行って第二磁極（主磁極）を形成してもよ
い。あるいは、前記レジストパターンを除去する工程の
後、該無機絶縁膜上にエッチングストッパ膜を形成する
工程と、該ストッパ膜上にメッキ下地膜を形成する工程
と、該メッキ下地膜上に磁性膜をメッキする工程と、該
磁性膜をプラズマを用いたエッチングにより平坦化する
工程とを順次行って第二磁極（主磁極）を形成してもよ
い。

【００１０】前記無機絶縁膜は、Al₂O₃、AlN、 SiC、 T
_a2O₅、 TiC、 TiO₂、 SiO₂の単層膜またはこれらの２種
以上の積層膜または混合膜である。前記第二磁極を構成
する磁性膜の飽和磁束密度(Bs)が、1.5 テスラ（T）以
上の材料を用いることが好ましい。前記ケミカルメカニ
カルポリッシング（CMP）のストッパ膜は、C、Ta、 Mo、
Nb、 W、 Crの単層膜または積層膜または合金膜からな
る。前記エッチングストッパ膜は、Cr、 Ni、 Au、 P
t、 Pd、 Ru、 Rh、 Cu、 Ag、 Tc、 Re、 Os、Irの単
層膜または積層膜または合金膜からなる。

【００１１】さらに、記録ヘッドの狭トラック化に対応
するために、第二磁極（主磁極）の上面の幅（a）が0.3
μm以下であることが好ましい。

【００１２】本発明では、垂直記録用磁気ヘッドの第二
磁極（主磁極）の形状として、第二磁極の側面からの書
き込み及び消去、ヨー角による隣接トラックへの書き込
み及び消去を防ぐことのできる構造となっている。ま
ず、第二磁極の側面により隣接トラックへ書き込むこと
を防ぐためには、第二磁極の磁気記録媒体対向面から見
た形状を逆テーパ形状とすればよい。また、第二磁極の
磁気記録媒体対向面から見た形状を逆テーパ形状とする
ことにより、ヨー角が付くことより第二磁極の一部が隣
接トラックへはみ出してしまい、このはみ出した第二磁
極の一部により隣接トラックの情報を消去してしまうこ
とを防止することもできる。この逆テーパ形状のテーパ
角度は、ヨー角に依存し、第二磁極の上面に対する法線
方向とのなす角度θを0度＜θ≦30度とする、つまり、
第二磁極の上面と当該上面に対する両側面とのなす角度
を６０度以上９０度未満の範囲に設定することが好まし
い。また、そのテーパ部分は、直線的すなわち上面の幅
（a）から下面の幅（b）に連続的に寸法が変化すること
が好ましい。このとき、テーパ角度をつけることによっ
て、主磁極からの磁界強度が低下する問題が生じるた
め、主磁極の飽和磁束密度(Bs)を高める必要があり、Bs
=1.5 T（テスラ）以上が必要である。このような材料と
しては、例えばFeNi、 CoNiFe等がある。以上のよう
に、主磁極の媒体対向面からみた側面形状を逆テーパ化
すれば、サイドへの書き込みと隣接トラックの消去の問
題の両方を解決できることを見い出した。また、主磁極
の上面の平坦化を行いながら、かつ膜厚制御性を持たせ
るためには、あらかじめ無機絶縁膜に溝を掘り込み、そ
の溝の中に磁性膜を形成後、研摩法あるいはエッチング
により、不要部を除去すればよいことも見い出した。無
機絶縁膜は、従来から用いているAl₂O₃またはSiC、 T₂O
₅、 TiC、 TiO₂、 SiO₂等の単層膜または、混合膜、積
層膜が使用可能である。主磁極の上面の平坦度は、主磁
極の端部と中央部の差が30nm以下が望ましい。研摩法と
しては、例えばケミカルメカニカルポリッシング(CMP)
等が使用可能で、このCMP用のストッパ膜を予め形成す
れば、膜厚制御性を大幅に向上できる。このストッパ膜
としては、例えば、C、Ta、 Mo、 Nb、 W、Crの単層膜
または積層膜または合金膜が使用可能である。エッチン
グを用いて、平坦化を行う場合、CMPの場合と同様にエ
ッチングストッパ膜を予め形成することで、膜厚制御性
を向上できる。エッチングストッパ膜としては、Cr、 N
i、 Au、 Pt、 Pd、 Ru、 Rh、 Cu、 Ag、 Tc、 Re、 O
s、 Irの単層膜または積層膜または合金膜が適用可能で
ある。また、この製造法は、最初に形成するレジストパ
ターンの寸法でトラック幅が決定できるため、トラック
幅加工の高精度化が容易に可能であり、トラック幅0.3
μm以下の磁気ヘッドを形成する時に特に有効である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて説明
する。図1は本発明の一実施例における磁気ディスク装
置の概略図であり、磁気ディスクと磁気ヘッドとの関係
を示したものである。（但し、図の拡大倍率は均一では
無い。）磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスク１
と支持体２の先端に固定された磁気ヘッド３とを備え、
磁気ヘッド３によって磁気ディスク１上に磁化信号４を
記録または再生を行なう。図2に、支持体2を振ることに
よって、磁気ヘッド３を回転する磁気ディスク１上で動
かしたときの概略図（但し、図の拡大倍率は均一では無
い）を示す。このとき、磁気ヘッド３を支持する支持体
２は図２に示すようにヨー角αが発生する。ヨー角αの
範囲は、±30°程度である。図10は、本発明の一実施例
である垂直記録用磁気ヘッドと磁気ディスクとの関係を
表す概略図である。（但し、図の拡大倍率は均一では無
い）。さらに、図11は、図１０に示した垂直記録用磁気
ヘッドと磁気ディスクとを用いて垂直記録を行う時の概
略図である。主磁極（第二磁極）１２から出た磁界100
は磁気ディスク1を構成する記録層20、軟磁性層である
裏打ち層21を通り、補助磁極（第一磁極）１１に入る磁
気回路を形成し、記録層20に磁化パターン４を記録す
る。なお、補助磁極１１は再生ヘッドの上部シールドを
兼ねている。このとき、ディスク回転方向との関係か
ら、主磁極12が磁気ディスク１から最後に離れる部分即
ち主磁極12の上面及び側面の形状が磁化パターンの形状
に大きな影響を及ぼす。図3に、特開平10-320720号公報
に開示されているような主磁極形状の磁気ヘッドの概念
図を示す。さらに、図３に示す磁気ヘッドにヨー角が付
いた場合の、隣接トラックと主磁極１３との関係を図5
に示す。主磁極１３は上面131の幅より下面132の幅の方
が大きく、上面131と側面133とのなす角度が鈍角である
ような磁気ヘッドの場合にヨー角が付くと、主磁極１３
の側面133が隣接トラックの磁化信号上に書き込みをし
てしまうという問題が生じる。これは、書き込みに影響
する主磁極１３の上面131の幅よりも側面133の幅が大き
いため、主磁極１３の側面133が隣接トラック上にはみ
出して書き込みをしてしまうというものである。

【００１４】図4に本発明の磁気ヘッドの媒体対向面か
らみた該略図を示す。本発明における主磁極１２は、主
磁極の上面121においてその幅が最大になっている。主
磁極の上面121を記録ヘッドのトラック幅に合わせるの
で、図6に示すように、主磁極１２の側面123がヨー角に
よって、隣接トラック上にかかることがない。そのた
め、隣接トラックの磁化信号上に書き込みをするという
問題は生じない。図４、図６からわかるように、主磁極
１２の側面123のテーパ角度は、ヨー角に依存して決め
るのがよい。従って、主磁極１２の側面123のテーパ角
度は磁気ディスク装置の構成に依存して設定され、主磁
極１２の上面121に対する法線方向からなす角度θを0〜
30度の範囲に設定すればよい。つまり、主磁極１２の上
面121と側面123とのなす角度が６０〜９０度の範囲に設
定すればよい。

【００１５】図7に記録再生分離型磁気ヘッドの概略を
示す。磁気抵抗効果膜５を用いた再生ヘッドの上に記録
ヘッドが積層された構造となっている。図8に本発明に
おける記録ヘッドと再生ヘッドを一体化した記録再生分
離型の垂直記録用磁気ヘッドの概略図を示す。

【００１６】従来の磁気ヘッドとの大きな違いは、従来
のヘッドの上部磁気コア７と、下部磁気コア１１を兼用
する再生ヘッドの上部シールドとの間には、媒体対向面
において、薄い（例えは、0.2μm）のギャップ膜30があ
ったのに対し、垂直記録用磁気ヘッドでは、主磁極１２
と補助磁極１４のあいだは、大きく（例えは、３〜５μ
m)開いていることである。

【００１７】図９に、本発明の製造行程の該略図を示す
（但し、図の拡大倍率は均一では無い）。無機絶縁膜上
にレジストパターンを形成したところを（a)に示す。無
機絶縁膜は、従来用いられているAl₂O₃を用いたが、他
にSiC、 AlN、 T_a2O₅、 TiC、 TiO₂、 SiO₂等が使用可
能である。レジストパターンは、KrFエキシマレーザー
ステッパを用いて露光を行い、レジストとしては、東京
応化工業（株）製ポジレジストTDUR-P201を用いた。レ
ジスト膜厚0.7μmを用いた場合、0.2μmが解像可能でき
た。このレジストパターンをマスクとして用いて、無機
絶縁膜のエッチングを行ったところを(b)に示す。 Al₂O
₃を用いた場合は、エッチングガスとしてBCl₃または BC
l₃ とCl₂用の混合ガスを用いれば良い。他にAlNを用い
た場合は、上記の塩素系ガスが良いが、エッチングし
やすいT_a2O₅、 TiC、 TiO₂、 SiO₂ SiC、等を用いた場
合は、フッ素系のCHF₃ 、 CF₄ 、 SF₆ C₄F₈等を用いる
ことができる。エッチング深さは、0.4μmとした。この
とき、無機絶縁膜のテーパ角度は、10度であった。エッ
チング後、レジストを除去したところを(c)に示す。(d)
には、ストッパ膜を形成したところを示す。後工程にお
いて、平坦化のためにCMPを用いる場合はCMP用のストッ
パ膜を設け、エッチングを行う場合はエッチングストッ
パを設ける。平坦化工程において、膜厚の制御性が十分
である場合は、このストッパ膜の形成工程を省略するこ
とも可能である。CMP用のストッパ膜としては、 C、T
a、 Mo、 Nb、 W、 Cr等の単層膜や合金膜積層膜が使用
可能である。今回は、 Cをスパッタしたものを用いた。
Cは、化学的に安定なため、化学的には研摩されず、機
械的に研摩された場合は、研摩廃液の色が黒色になるた
め、研摩の終点が検知しやすく、主磁極の膜厚制御性が
向上する。エッチングストッパ膜としては、貴金属類が
反応性エッチングされないため使用可能で、 Au、 Pt、
Pd、 Ru、 Rh、 Cu、 Ag、 Tc、 Re、 Os、 Ir、の単
層膜または積層膜または合金膜がよい。他にCr、 Ni等
も反応性エッチングされないため、使用可能である。こ
れらは、全てスパッタ法で形成可能である。次に磁性膜
を形成したところを（e)に示す。形成方法は、メッキで
もスパッタ法でもどちらでも良い。電解メッキの場合
は、メッキの下地膜を形成後、メッキする必要が有る。
スパッタ法の場合は、(b)及び(c)の工程で形成した溝の
アスペクト比が大きいため、指向性のよい方法、例えば
ロングスロースパッタ、コリメーションスパッタ法等を
用いて、磁性膜の中に空隙が形成しないようにする必要
がある。電解メッキ法を用いる場合、飽和磁束密度が1.
6 TのFe₅₅Ni₄₅または、飽和磁束密度が1.9TのCoNiFeを
用いることができる。メッキ下地膜は、メッキ膜と同じ
組成の磁性膜を用いたても、非磁性膜を用いても良い。
(f)に磁性膜上面の平坦化を行い、主磁極を形成したと
ころを示す。平坦化は、CMP等の研摩法を用いれば、ス
トッパ膜で研摩をストップすることにより、膜厚を制御
できると同時に上面の完全な平坦化が可能で、トラック
幅となる溝の中全体で１nm以下の平坦化が可能であっ
た。このときトラック幅は、(a)の工程のレジストパタ
ーンと同じ0.2μmが得られ、主磁極側面のテーパ角度
は、(b)の工程で形成したままの10度であった。また、
エッチングを用いた場合は、一旦、レジストを塗布し、
塩素系ガス、例えばBCl₃またはBCl₃ とCl₂用の混合ガス
を用いて、エッチングを行い、（即ちいわゆるエッチバ
ックにより）、平坦化を行うことが可能である。このと
きは、上記の貴金属類からなるストッパ膜やNi、 Cr等
のストッパ膜が有効である。

【００１８】この垂直記録用磁気ヘッドを搭載すること
により、面記録密度70 Gbit/in²の磁気ディスク装置を
作製できた。

【００１９】

【発明の効果】主磁極の側面が逆テーパ形状であるた
め、主磁極の側面からの書き込みとヨー角による隣接ト
ラックの消去がなくなる。また、該主磁極形状は、予め
無機絶縁膜をエッチングし、磁性膜を形成後、上面を平
坦化することにより形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置
の概念の概略図である。

【図２】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置
動作時の概略図である。

【図３】従来の垂直記録用磁気ヘッドの概略図である。

【図４】本発明の実施の形態における垂直記録用磁気ヘ
ッドの概略図である。

【図５】従来の垂直記録用磁気ヘッドの主磁極とディス
ク上のトラックとの関係の概略図である。

【図６】本発明の実施の形態における垂直記録用磁気ヘ
ッドの主磁極とディスク上のトラックとの関係の概略図
である。

【図７】従来の磁気ヘッドのの概略図である。

【図８】本発明の実施の形態における垂直記録用磁気ヘ
ッドの概略図である。

【図９】本発明の実施の形態における主磁極形成工程の
概略図である。

【図１０】本発明の実施の形態における磁気ヘッドと磁
気ディスクとの関係を示す概略図である。

【図１１】本発明の実施の形態における垂直記録を説明
する概略図である。

【符号の説明】

１…磁気ディスク、２…支持体、３…磁気ヘッド、４…
磁化信号、５…巨大磁気抵抗効果膜、６…電極、７…磁
気コア、８…絶縁膜、９…導体コイル、１０…下部シ−
ルド、11…上部シ−ルド、12…主磁極、13…主磁極、14
…無機絶縁膜、15…レジスト、16…ストッパ膜、17…磁
性膜、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者西田靖孝東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者若木靖雄神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内Ｆターム(参考） 5D033 AA05 BA01 BA12 CA02 DA01 DA04 DA08 DA31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一磁極と第二磁極と前記第一及び前記第
二磁極の間に形成されたギャップ膜とを有し、前記ギャ
ップ膜と対向する前記第一磁極の幅は、前記ギャップ膜
と対向する前記第二磁極の幅より大きく、前記第二磁極
の前記ギャップ膜と対向する面を下面とすると、前記
第二磁極の下面の幅は上面の幅より小さく、前記第二磁
極の上面と当該上面に対する両側面とのなす角は鋭角で
あることを特徴とする単磁極型磁気ヘッド。
【請求項２】前記第二磁極の上面の幅から下面の幅への
寸法変化が連続的であることを特徴とする請求項１記載
の単磁極型磁気ヘッド。
【請求項３】前記第二磁極の上面と側面とのなす角度が
６０度以上９０度未満であることを特徴とする請求項１
及び2記載の単磁極型磁気ヘッド。
【請求項４】前記第二磁極の上面は平坦であることを特
徴とする請求項１乃至３記載の単磁極型磁気ヘッド。
【請求項５】前記第二磁極の上面は、前記上面の端部と
中央部の差が30 nm 以下であることを特徴とする請求項
１乃至４記載の単磁極型磁気ヘッド。
【請求項６】前記磁性膜の飽和磁束密度(Bs)が、1.5 テ
スラ（T）以上の材料であることを特徴とする請求項１
乃至５記載の単磁極型磁気ヘッド。
【請求項７】基板上に軟磁性層と該軟磁性層上に形成さ
れた磁性層とを有する磁気ディスク媒体と、第一磁極と
第二磁極と前記第一及び前記第二磁極の間に形成された
ギャップ膜とを有し、前記ギャップ膜と対向する前記第
一磁極の幅は、前記ギャップ膜と対向する前記第二磁極
の幅より大きく、前記第二磁極の前記ギャップ膜と対向
する面を下面とすると、前記第二磁極の下面の幅は上
面の幅より小さく、前記第二磁極の上面と当該上面に対
する両側面とのなす角は鋭角である磁気ヘッドとを備
え、該磁気ヘッドにより前記磁気ディスク媒体に対し垂
直記録を行うことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】無機絶縁膜上にレジストパターンを形成す
る工程と、該レジストパターンをマスクに前記無機絶縁
膜をエッチングし、底面より上面が大きく斜面部を有す
る溝を形成する工程と、該レジストパターンを除去する
工程と、前記溝を含む前記無機絶縁膜上に磁性膜を形成
する工程と、該磁性膜を平坦化する工程を順次行い、主
磁極を形成することを特徴とする単磁極型磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項９】無機絶縁膜上にレジストパターンを形成す
る工程と、該レジストパターンをマスクに前記無機絶縁
膜をエッチングし、底面より上面が大きく斜面部を有す
る溝を形成する工程と、該レジストパターンを除去する
工程と、該無機絶縁膜上にケミカルメカニカルポリッシ
ング（CMP）用のストッパ膜を形成する工程と、該スト
ッパ膜上にメッキ下地膜を形成する工程と、該メッキ下
地膜上に磁性膜をメッキする工程と、該磁性膜をケミカ
ルメカニカルポリッシング（CMP）により研磨する工程
を順次行い、主磁極を形成することを特徴とする単磁極
型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】無機絶縁膜上にレジストパターンを形成
する工程と、該レジストパターンをマスクに前記無機絶
縁膜をエッチングし底面より上面が大きく斜面部を有す
る溝を形成する工程と、該レジストパターンを除去する
工程と、該無機絶縁膜上にエッチングストッパ膜を形成
する工程と、該ストッパ膜上にメッキ下地膜を形成する
工程と、該メッキ下地膜上に磁性膜をメッキする工程
と、該磁性膜をプラズマを用いたエッチングにより平坦
化する工程を順次行い、主磁極を形成することを特徴と
する単磁極型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】前記無機絶縁膜がAl₂O₃、AlN、 SiC、 T
_a2O₅、 TiC、 TiO₂、 SiO₂の単層膜またはこれらの２種
以上の積層膜または混合膜であることを特徴とする請求
項８乃至１０記載の単磁極型磁気ヘッドの製造方法。