JP2004095006A - 磁気記録ヘッド、その製造方法、及び、磁気記録装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドの書込ヘッドを構成する主磁極6の先端部の断面形状を、頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録ヘッド、その製造方法、及び、磁気記録装置に関するものであり、特に、垂直記録方式のハードディスクドライブ(HDD)等の磁気記録装置に用いる磁気記録ヘッドを構成する主磁極の先端部の断面形状に特徴のある磁気記録ヘッド、その製造方法、及び、磁気記録装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、情報記録装置である磁気記録装置(所謂ハードディスクドライブ)はコンピュータや各種携帯情報端末、例えば、モバイルパソコン、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、車載ナビゲーション等の外部記憶装置として一般に広く使用されている。
【0003】
近年、この様なハードディスク装置用の記録媒体として、従来の長手記録媒体と比べても倍以上の高保磁力化が可能な垂直記録媒体が盛んに研究されており、特に、Co/Pd多層膜或いはCo/Pt多層膜を垂直磁化膜に用いる方法が研究されつつある。
【0004】
この様な、垂直磁気記録方式に用いる書込ヘッドにおいては、従来の面内記録用リングヘッドと異なり、主磁極が媒体上を移動する最後部の磁化情報が媒体に記録されることになり、主磁極パターンの上辺が書き込み面となることを意味している。
【0005】
ここで、図8を参照して従来の垂直記録方式の磁気ヘッドを説明する。
図8参照
図8は、従来の垂直記録方式の磁気ヘッドの概略的斜視図であり、まず、Al2 O3 −TiC基板51上にAl2 O3 膜52を介してNiFe等からなる下部磁気シールド層53、Al2 O3 からなる下部リードギャップ層54、磁気抵抗効果素子55、Al2 O3 からなる上部リードギャップ層56、上部磁気シールド層を兼ねるNiFe等からなる下部磁極57を順次堆積させる。
なお、この場合の磁気抵抗効果素子55としては、PdPtMnピン層/CoFeピンド層/Cu中間層/CoFeフリー層/NiFeフリー層を順次成膜したスピンバルブ素子とする。
【0006】
次いで、Al2 O3 膜58を設けたのち、Cuメッキによって水平スパイラルコイルを形成し、レジスト保護膜(いずれも図示を省略)で被覆し、全体をAl2 O3 膜59で被覆したのち平坦化し、水平スパイラルコイルの中心部にビアホールを形成してNiFeで埋め込んで磁極接続部(図示を省略)を形成する。
【0007】
次いで、選択メッキ法によってNiFeからなる上部補助磁極60を設けたのち、再び、全体をAl2 O3 膜61で被覆したのち平坦化し、再び選択メッキ法によって先端部が幅細のライトポール62となった上部主磁極63を形成したものである。
【0008】
この場合、磁気記録媒体は図に示した矢印の方向に移動するので、ライトポール62の底辺でまず書き込まれ、順次ライトポール62で書き換えられ、最後に、ライトポール62の上辺で最終的な書き換えが行われるので、ライトポールの上辺が実効的な書込面となる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
現在、ライトポールを含めた主磁極パターンの形成にはメッキ法が使用されているが、メッキ法では微細な幅のパターンを精度良く形成することができないため、パターン幅が0.2μm以下となるような高密度磁気記録ヘッドでは用いることができないという問題がある。
【0010】
この様な問題を解決する手段としては、スパッタ法により全面に主磁極膜を形成し、フォトリソ法でレジストパターンを形成した後、イオンミリング法で主磁極パターンを形成する方法があるが、500nmの主磁極膜をエッチングするためには1μm程度のレジスト膜厚が必要であり、この膜厚では0.2μm以下の微細なパターンを形成することが不可能であるという問題がある。
【0011】
また、レジストを用いたイオンミリング法ではレジストのイオンミリングレートが主磁極に用いられる磁性材料とほぼ同じか逆にレジストのエッチングレートの方が大きくなってしまうために、主磁極パターンの断面形状が正台形になってしまい、最終書込面であるライトポールの上辺が初期書込面であるライトポールの底辺より幅細になり、初期書込情報が最終的に完全に消去されずノイズの原因となるという問題が発生する。
【0012】
したがって、本発明は、ノイズが発生しないライトポールを有する高密度書込が可能な磁気記録ヘッドを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
図1は本発明の原理的構成図であり、この図1を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明するが、図1(a)は、ライトポールの軸に垂直な断面図であり、図1(b)は図1(a)におけるA−A′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図である。
なお、図における符号1,2,3,4,5は、夫々下部磁極、ライトコイル、保護膜、絶縁膜、及び、上部補助磁極である。
【0014】
図1(a)及び(b)参照
上記目的を達成するため、本発明は、垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドにおいて、書込ヘッドを構成する主磁極6の先端部の断面形状を、頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状としたことを特徴とする。
【0015】
この様に、主磁極6の先端部、即ち、ライトポールの断面形状を逆台形状とすることによって、最終書込面であるライトポールの上辺が初期書込面であるライトポールの底辺より幅広になり、初期書込情報を最終的に完全に消去することができるので、ノイズが発生することがない。
【0016】
この様な逆台形の断面形状を形成するためには、非磁性金属膜7、イオンビーム8に対するエッチングレートが主磁極6を構成する磁性層のエッチングレートより小さな非磁性金属膜7をマスクとして基板面に斜めにイオンビーム8を照射すれば良い。
【0017】
この場合の非磁性金属膜7は、化学的ドライエッチングによって選択エッチングが可能な材料、例えば、Ta、W、或いは、Tiのいずれか、または、TaW、TaTi、TiW、TaTiW等の合金が望ましい。
【0018】
また、この非磁性金属膜7は、残存させても良いが、イオンビーム8の照射工程後に除去することが望ましく、それにより、非磁性金属膜7の残存による予期せぬ障害の発生を未然に防ぐことができる。
【0019】
上述の構成の磁気記録ヘッドを搭載することにより、高密度記録が可能な高性能の磁気記録装置を実現することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
ここで、図2乃至図6を参照して、本発明の実施の形態の垂直記録方式の磁気記録ヘッドを説明する。
なお、図2(a)乃至図4(g)は、ライトポールの軸に沿った断面図であり、図4(h)乃至図5(j)は、ライトポールの軸に垂直な断面図であり、図5(k)は上面図である。
図2(a)参照
まず、Al2 O3 −TiC基板11上にAl2 O3 膜12を介してNiFeからなる下部磁気シールド層13、Al2 O3 からなる下部リードギャップ層14、磁気抵抗効果素子15、Al2 O3 からなる上部リードギャップ層16、上部磁気シールド層を兼ねる厚さが、例えば、2μmのNiFeからなる下部磁極17を順次堆積させる。
なお、この場合の磁気抵抗効果素子15としては、PdPtMnピン層/CoFeピンド層/Cu中間層/CoFeフリー層/NiFeフリー層を順次成膜したスピンバルブ素子とする。
【0021】
図2(b)参照
次いで、厚さが、例えば、0.5μmのAl2 O3 膜18を設けたのち、選択Cuメッキによって水平スパイラルコイル19を形成し、次いで、水平スパイラルコイル19をレジスト保護膜20で被覆する。
【0022】
図2(c)参照
次いで、全体をAl2 O3 膜21で被覆したのちCMP(化学機械研磨)法を用いて表面を平坦化し、平坦部における膜厚が例えば、0.5μmになるようにする。
【0023】
図3(d)参照
次いで、水平スパイラルコイル19の中心部にビアホールを形成してNiFeで埋め込むことによって上下の磁極を接続する磁極接続部22を形成する。
【0024】
図3(e)参照
次いで、選択メッキ法によって厚さが、例えば、2.0μmのNiFeからなる上部補助磁極23を磁極接続部22と接続するように設ける。
なお、この場合の上部補助磁極23の形状は、後述する図5(k)に示した形状とする。
【0025】
図3(f)参照
次いで、再び、全体をAl2 O3 膜で被覆したのち、CMP法を用いて上部補助磁極23が露出するまで研磨することによって、上部補助磁極23の周辺部をAl2 O3 膜24で埋め込む。
この段階でAl2 O3 膜18+Al2 O3 膜21+Al2 O3 膜24の合計膜厚は6μmとなる。
【0026】
次いで、図示は省略するものの、水平スパイラルコイルの両方の端部に達するビアホールを形成したのち、ビアホールをメッキ法を用いてCuで埋め込むことによってコイルの端子となるライト電極を形成する。
【0027】
図4(g)参照
次いで、スパッタ法を用いて、厚さが、例えば、0.5μmのFeCo層25、及び、厚さが、例えば、0.5μmのTa層26を順次堆積させる。
なお、この場合のFeCo層25の組成はFe89Co11であり、上部補助磁極23を構成するNiFeより飽和磁束密度の高い磁性体である。
【0028】
図4(h)参照
次いで、全面に、レジストを厚さが、例えば、0.3μmになるように塗布したのち露光・現像することによって上部主磁極を形成するためのレジストパターン27を設ける。
なお、このレジストパターン27の形状は、後述する図5(k)に示したライトポールを含む上部主磁極の形状となり、ライトポールにおける幅は、例えば、0.10μmとする。
【0029】
図4(i)参照
次いで、レジストパターン27をマスクとして、CF4 をエッチングガスとする反応性イオンエッチング(RIE)によってTa層26の露出部をエッチングしてTaパターン28を形成する。
この場合、Taとレジストのエッチングレートの比は5:1であるので、Taパターン28の形成後にもレジストパターン27は0.2μmの膜厚で残存することになる。
【0030】
図5(j)参照
次いで、レジストパターン27を除去したのち、Taパターン28をマスクとしてArイオンからなるイオンビーム29を基板の法線に対して30〜45°、例えば、30°の斜め方向から照射することによってFeCo層25の露出部をエッチングして断面形状が逆台形状のライトポール30を含む上部主磁極31を形成する。
【0031】
このイオンミーリング工程において、TaとFeCoのエッチングレートの比は、約1:2であるので、FeCo層25とTa層26の厚さを同じにした場合、上部主磁極31となるFeCo層25のエッチング完了時でもマスク層となるTaパターン28は半分の厚さが残っていることになり、十分にマスクの役割を果たすことができる。
【0032】
図5(k)参照
次いで、再び、CF4 をエッチングガスとする反応性イオンエッチングによってTaパターン28を選択的に除去する。
図5(k)は、Taパターン28を除去した後の上面図であり、ライトポール30と上部主磁極31の後端部が上部補助磁極23から露出した形状となる。
【0033】
図6参照
最後に、ライトポール30を切断し、研磨する等のスライダー加工を施すことによって磁気記録ヘッドの基本構成が完成する。
図6は、上述の工程で形成した磁気ヘッドの概略的斜視図であり、磁気抵抗効果素子15によって読み取りを行い、ライトポール30によって書き込みを行うことになる。
【0034】
この場合、磁気記録媒体は図に示した矢印の方向に移動するので、ライトポール30の幅細の底辺でまず書き込まれ、順次ライトポール30で書き換えられ、最後に、幅広のライトポール30の上辺で最終的な書き換えが行われるので、初期書込情報を最終的に完全に消去することができ、ノイズが発生することがない。
【0035】
また、本発明の実施の形態においては、イオンミーリング工程におけるマスクとしてTaを用いているので、厚膜のFeCoをエッチングする場合にも、十分なマスク作用を果たすことができ、精度の高い微細パターンを形成することが可能になる。
【0036】
また、TaはCF4 ガスを用いることによってFeCoに対して選択エッチングが可能であるので、Taパターン28をイオンミーリング工程の終了後に除去することができ、Taの残存による予期せぬ障害の発生を未然に防ぐことができる。
【0037】
図7参照
図7は、本発明の実施の形態の磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図であり、スピンドルモータ43の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング42によって固定された垂直磁気記録媒体41、先端部にサスペンション45を介して本発明の実施の形態の磁気ヘッドを備えたスライダー46が取り付けられたヘッドアーム44から基本構成が構成される。
【0038】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、イオンミーリングの工程におけるマスクとしてTaを用いているが、マスクはTaに限られるものでなく、主磁極を構成する材料よりエッチングレートの小さなものであれば金属でも絶縁体でも良いが、マスクの除去工程を考慮すると、Taと同様に非磁性金属であるTiまたはW、或いは、TaTi、TaW、TiW、TaTiW等の合金が望ましい。
【0039】
また、上記の実施の形態においては、Taパターンを最終的に除去しているが、マスクが非磁性層である場合には、マスクが主磁極の書き込み動作に影響することはないため、主磁極の上方にシールドを設ける構成でない場合には、必ずしも除去する必要はなく、それによって、工程を短縮することができる。
【0040】
また、上記の実施の形態においては、Ta層の選択エッチング工程及びTaパターンの除去工程においてCF4 ガスを用いているが、CF4 ガスに限られるものではなく、SF6 等の他のF系ガスを用いても良いものである。
【0041】
また、上記の実施の形態においては、主磁極をFe89Co11組成のFeCoで構成しているが、この様な組成に限られるものではなく、補助磁極を構成する材料より飽和磁束密度の高い材料であれ良く、例えば、NiFeに対しては、CoNiFe等を用いても良いものである。
【0042】
また、上記の実施の形態においては、磁気抵抗効果素子を用いたリードヘッドを伴った複合型の薄膜磁気ヘッドとして説明しているが、この様な複合型の磁気ヘッドに限られるものではなく、ライトヘッド単独として用いても良いものである。
【0043】
ここで、再び、図1を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図1(a)及び(b)参照
(付記1) 垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドにおいて、前記書込ヘッドを構成する主磁極6の先端部の断面形状を、頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状としたことを特徴とする磁気記録ヘッド。
(付記2) 垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドにおいて、前記書込ヘッドを構成する主磁極6の先端部の断面形状を、頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状にするとともに、前記主磁極6の表面が非磁性金属膜に覆われていることを特徴とする磁気記録ヘッド。
(付記3) 垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドの製造方法において、非磁性金属膜7をマスクとして基板面に斜めにイオンビーム8を照射して、先端部の頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状の主磁極6を形成することを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
(付記4) 上記非磁性金属膜7は、化学的ドライエッチングによって選択エッチングが可能な材料によって構成されることを特徴とする付記3記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
(付記5) 上記非磁性金属膜7のイオンビーム8に対するエッチングレートが、主磁極6のエッチングレートより小さいことを特徴とする付記3または4に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
(付記6) 上記非磁性金属膜7が、Ta、W、或いは、Tiのいずれか、または、これらの合金からなることを特徴とする付記3乃至5のいずれか1に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
(付記7) 上記非磁性金属膜7を、上記イオンビーム8の照射工程後に除去することを特徴とする付記3乃至6のいずれか1に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
(付記8) 付記1または2に記載の磁気記録ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、傾斜イオンミーリング法を用いることによって、ライトポールの断面形状を選択メッキ法では形成できない逆台形状にしているので、書込特性を良好にすることができ、垂直記録方式の高密度磁気記録装置の実現に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成の説明図である。
【図2】本発明の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図3】本発明の実施の形態の図2以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図4】本発明の実施の形態の図3以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図5】本発明の実施の形態の図4以降の製造工程の説明図である。
【図6】本発明の実施の形態の磁気ヘッドの概略的斜視図である。
【図7】本発明の実施の形態の磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図である。
【図8】従来の垂直記録方式の磁気ヘッドの概略的斜視図である。
【符号の説明】
1 下部磁極
2 ライトコイル
3 保護膜
4 絶縁膜
5 上部補助磁極
6 主磁極
7 非磁性金属膜
8 イオンビーム
11 Al2 O3 −TiC基板
12 Al2 O3 膜
13 下部磁気シールド層
14 下部リードギャップ層
15 磁気抵抗効果素子
16 上部リードギャップ層
17 下部磁極
18 Al2 O3 膜
19 水平スパイラルコイル
20 レジスト保護膜
21 Al2 O3 膜
22 磁極接続部
23 上部補助磁極
24 Al2 O3 膜
25 FeCo層
26 Ta層
27 レジストパターン
28 Taパターン
29 イオンビーム
30 ライトポール
31 上部主磁極
41 垂直磁気記録媒体
42 ディスクスランプリング
43 スピンドルモータ
44 ヘッドアーム
45 サスペンション
46 スライダー
51 Al2 O3 −TiC基板
52 Al2 O3 膜
53 下部磁気シールド層
54 下部リードギャップ層
55 磁気抵抗効果素子
56 上部リードギャップ層
57 下部磁極
58 Al2 O3 膜
59 Al2 O3 膜
60 上部補助磁極
61 Al2 O3 膜
62 ライトポール
63 上部主磁極
Claims (5)
- 垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドにおいて、前記書込ヘッドを構成する主磁極の先端部の断面形状を、頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状としたことを特徴とする磁気記録ヘッド。
- 垂直記録方式の磁気ディスク装置に用いられる少なくとも書込ヘッドを備えた磁気記録ヘッドの製造方法において、非磁性金属膜をマスクとして基板面に斜めにイオンビームを照射して、先端部の頂部の幅が底部の幅より広い逆台形状の主磁極を形成することを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
- 上記非磁性金属膜は、化学的ドライエッチングによって選択エッチングが可能な材料によって構成されることを特徴とする請求項2記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
- 上記非磁性金属膜が、Ta、W、或いは、Tiのいずれか、または、これらの合金からなることを特徴とする請求項2または3に記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
- 請求項1記載の磁気記録ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
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JP2002252167A JP2004095006A (ja) | 2002-08-29 | 2002-08-29 | 磁気記録ヘッド、その製造方法、及び、磁気記録装置 |
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- 2002-08-29 JP JP2002252167A patent/JP2004095006A/ja active Pending
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