JP2001076316A

JP2001076316A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2001076316A
Application number: JP20951599A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Sasaki; 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-07-08
Filing date: 1999-07-23
Publication date: 2001-03-23
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Abstract

(57)【要約】【課題】記録ヘッドのトラック幅を小さくした場合に
おいてもトラック幅を正確に制御すると共に磁路の途中
における磁束の飽和を防止し、更に、磁路長の縮小を可
能にする。【解決手段】記録ヘッドは、下部磁極層８（８ａ〜８
ｃ）と、上部磁極層１３と、これらの磁極層の各磁極部
分の間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層
８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁さ
れた状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。
下部磁極層８は、薄膜コイル１０と絶縁層を介して対向
する位置に配置された第１の部分８ａと、第１の部分８
ａにおける薄膜コイル１０側の面に接続され、磁極部分
を構成し、スロートハイトを規定する第２の部分８ｂと
を有し、薄膜コイル１０は第２の部分８ｂの側方に配置
されている。スロートハイトＴＨはＭＲハイトＭＲ−Ｈ
よりも大きくなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再生ヘッドと記録
ヘッドとを備えた複合型の薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅、すなわちトラック幅を数ミク
ロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造
の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するた
めに半導体加工技術が利用されている。

【０００４】ここで、図２３ないし図２６を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２３ないし図２６において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０００５】この製造方法では、まず、図２３に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。

【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。

【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。

【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。

【０００９】次に、図２４に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。

【００１０】次に、図２５に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図２５（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。

【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。

【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。

【００１３】次に、図２６に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの研
磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【００１４】図２７は、図２６に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。

【００１５】図２６において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリン
グ面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。また、ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング
面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。また、図２６において、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち
記録ヘッドのトラック幅（以下、記録トラック幅とい
う。）を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する
要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図
２６においてθで示したようなエイペックスアングル
（Apex Angle）がある。このエイペックスアングルは、
フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り
上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）
における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１
の上面とのなす角度をいう。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２６に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。

【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。

【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。

【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。

【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。

【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。

【００２３】特に、エイペックス部の斜面上の領域で
は、露光用の光が下地電極膜で反射して戻ってくる反射
光には、垂直方向の反射光のみならず、エイペックス部
の斜面からの斜め方向または横方向の反射光も含まれる
ため、これらの反射光によってフォトレジストが感光し
て、フォトレジストパターンのくずれが大きくなる。

【００２４】一方、トラック幅には、スライダの研磨加
工時の研磨量によって変化がないことが要求される。

【００２５】そのため、エイペックス部の上に上部磁極
層を形成する場合には、フォトリソグラフィの露光時に
おける下地電極膜での反射光によってトラック幅が影響
を受けにくくなるような工夫が必要であった。

【００２６】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層
の形状は、例えば、スロートハイトゼロ位置（磁極部分
のエアベアリング面とは反対側の端部の位置）からエイ
ペックス部側に例えば３〜５μｍだけ進んだ位置よりエ
アベアリング面までの部分がトラック幅と等しい幅を有
し、この部分からコイル側にかけて幅が３０°や４５°
のようななだらかな角度で広がるような形状になってい
た。

【００２７】しかしながら、上部磁極層が上記のような
形状であると、スロートハイトゼロ位置の近傍で磁束の
飽和が生じ、薄膜コイルで発生した起磁力を効率よく記
録に利用することができなくなるという問題点があっ
た。その結果、オーバーライト特性、すなわち、記録媒
体上の既にデータを書き込んである領域にデータを重ね
書きする場合の特性を示す値が、例えば１０〜２０ｄＢ
程度と低い値になり、十分なオーバーライト特性を確保
することができないという問題が生じる。

【００２８】また、上部磁極層が上記のような形状であ
ると、エイペックス部の斜面上に、上部磁極層の幅が広
がり始める部分が配置される。しかし、このような上部
磁極層の形状と配置の場合には、フォトレジストパター
ンが下地電極膜での反射光の影響を特に受けやすくな
り、トラック幅を正確に制御することが困難になる。

【００２９】このように、従来は、トラック幅がサブミ
クロン寸法になると、トラック幅を正確に制御すること
が困難になるという問題点と、スロートハイトゼロ位置
の近傍において磁束の飽和を生じやすいという問題点が
あった。

【００３０】今後、例えば１０〜４０ギガビット／（イ
ンチ）²の面記録密度に対応可能な薄膜磁気ヘッドや、
例えば３００〜６００ＭＨｚの高周波数帯において良好
な記録動作が可能な薄膜磁気ヘッドを実現しようする場
合には、特に、微細なトラック幅を均一に形成すること
や、薄膜コイルで発生した起磁力を効率よく記録に利用
できるようにすることが重要になり、上述の問題点の解
決が強く求められる。

【００３１】このようなことから、上述の従来例の図２
４ないし図２６の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。

【００３２】しかしながら、図２６に示したような構造
の薄膜磁気ヘッドでも、以下のような問題点があった。

【００３３】まず、図２６に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅が規
定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１
１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それ
でも、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下に
なってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロ
ン幅の加工精度が要求される。しかしながら、図２６に
示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペ
ックス部の上に形成されることから、前述の理由によ
り、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であ
った。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チ
ップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることか
ら、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要
があった。これらの理由から、図２６に示した薄膜磁気
ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０
よりも広い幅に形成されていた。また、上部磁極層１１
６の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、図２６に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１
１６側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本
来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまう、いわゆるサイドライトや、記録すべき領域以外
の領域におけるデータを消去してしまう、いわゆるサイ
ドイレーズが発生するという問題点があった。このよう
な問題点は、記録ヘッドの性能を向上させるためにコイ
ルを２層や３層に形成した場合に、コイルを１層に形成
する場合に比べてエイペックス部の高さが高くなり、よ
り顕著になる。

【００３４】また、図２６に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅とス
ロートハイトとを規定している。従って、この薄膜磁気
ヘッドでは、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ
以下になってくると、上部磁極チップ１１０の大きさが
極めて小さくなるため、パターン端が丸みを帯びたりし
て、上部磁極チップ１１０を精度よく形成するのが困難
になる。そのため、図２６に示したような構造の薄膜磁
気ヘッドでは、記録トラック幅が極微細になってくる
と、記録トラック幅を正確に制御することが困難になる
という問題点があった。

【００３５】更に、図２６に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極層１１６と上部磁極チップ１１０との接触
部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部分で
磁束の飽和が生じ、薄膜コイル１１２，１１４で発生し
た起磁力を効率よく記録に利用することができなくなる
という問題点があった。

【００３６】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置からコイルの外周端までの距離が、磁路
長を短くすることを妨げる大きな要因となっていた。磁
路長は、１層のコイルよりは２層のコイルの方が短くで
きることから、多くの高周波用の記録ヘッドでは２層コ
イルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッド
では、１層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁膜
を形成するために、フォトレジスト膜を約２μｍの厚み
で形成している。そのため、１層目のコイルの外周端に
は丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。次
に、その上に２層目のコイルを形成するが、その際に、
エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層のエッ
チングができず、コイルがショートするため、２層目の
コイルは平坦部に形成する必要がある。

【００３７】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ
必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。

【００３８】ここで、例えば、コイルの線幅が１．５μ
ｍ、スペースが０．５μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図２６に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．５
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．５〜１９．５μｍとなる。なお、
本出願では、磁路長を、図２６において符号Ｌ₀で示し
たように、磁極層のうちの磁極部分およびコンタクト部
分を除いた部分の長さで表す。このように、従来は、磁
路長の縮小が困難であり、これが高周波特性の改善を妨
げていた。

【００３９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、記録ヘッドのトラック幅を小
さくした場合においてもトラック幅を正確に制御できる
と共に磁路の途中における磁束の飽和を防止できるよう
にし、更に、磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法を提供することにある。

【００４０】本発明の第２の目的は、記録ヘッドのトラ
ック幅を小さくした場合においてもトラック幅を正確に
制御できると共に磁路の途中における磁束の飽和を防止
できるようにし、更に、記録すべき領域以外の領域への
データの書き込みや記録すべき領域以外の領域における
データの消去を防止することができるようにした薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

【００４１】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の薄膜磁気
ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒体対
向面側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配
置された、磁気抵抗素子をシールドするための第１およ
び第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、互いに磁
気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向する
磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる
第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と
第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、
第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で設け
られた薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、第１
の磁性層は、薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位
置に配置された第１の部分と、第１の部分における薄膜
コイル側の面に接続され、磁極部分を形成すると共にス
ロートハイトを規定する第２の部分とを有し、第１の磁
性層の第２の部分のうちスロートハイトを規定する部分
の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さは、
磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部ま
での長さよりも大きく、薄膜コイルの少なくとも一部
は、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され、第２
の磁性層はトラック幅を規定するものである。

【００４２】本発明の第１および第２の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒
体対向面側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
に配置された、磁気抵抗素子をシールドするための第１
および第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、互い
に磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに対向
する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層から
なる第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部
分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャッ
プ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間
に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
設けられた薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、
第２の磁性層がトラック幅を規定する薄膜磁気ヘッドを
製造する方法である。

【００４３】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、再生ヘッドを形成する工程と、第１の磁性層を形成
する工程と、第１の磁性層の上にギャップ層を形成する
工程と、ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程
と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、薄膜コイルを形成する工程とを含
み、第１の磁性層を形成する工程は、薄膜コイルの少な
くとも一部に対向する位置に配置された第１の部分と、
第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極
部分を形成すると共にスロートハイトを規定する第２の
部分とを形成し、且つ、第１の磁性層の第２の部分のう
ちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さを、磁気抵抗素子の媒体対
向面側の端部から反対側の端部までの長さよりも大きく
し、薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイルの少なく
とも一部を、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置す
るものである。

【００４４】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層の第２の部分によってスロ
ートハイトが規定され、第２の磁性層によってトラック
幅が規定される。また、本発明では、薄膜コイルの少な
くとも一部が、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置
される。これにより、第２の磁性層を平坦な面の上に精
度よく形成することが可能になり、その結果、第２の磁
性層における磁束の飽和を防止しながら、トラック幅を
正確に制御することが可能になる。また、本発明では、
薄膜コイルの少なくとも一部の端部を、第１の磁性層の
第２の部分の端部の近くに配置することが可能になり、
これにより、磁路長の縮小が可能になる。また、本発明
では、第１の磁性層の第２の部分のうちスロートハイト
を規定する部分の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さが、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から
反対側の端部までの長さよりも大きい。これにより、第
１の磁性層における磁束の飽和を防止することが可能に
なる。

【００４５】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第１の磁性層の第２の部分のうちス
ロートハイトを規定する部分の媒体対向面とは反対側の
端部に対応する位置における第２の磁性層の幅は、媒体
対向面における第２の磁性層の幅よりも大きくなってい
てもよい。

【００４６】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第２の磁性層は、媒体対向面
側に配置された幅がトラック幅と等しい部分と、幅がト
ラック幅よりも大きい他の部分とを有し、他の部分の幅
は、媒体対向面に近づくに従って小さくなっていてもよ
い。

【００４７】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第１の磁性層の第２の部分の
うちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面側の端
部から反対側の端部までの長さは、磁気抵抗素子の媒体
対向面側の端部から反対側の端部までの長さの１５０〜
６００％であることが好ましく、特に、３００〜５００
％であることが好ましい。

【００４８】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法では、更に、第１の磁性層の第２の部分
の側方に配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆
い、その第２の磁性層側の面が第２の部分における第２
の磁性層側の面と共に平坦化された絶縁層を設けてもよ
い。

【００４９】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第２の磁性層は、１つの層か
らなっていてもよい。

【００５０】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第２の磁性層は、トラック幅
を規定する磁極部分を含む磁極部分層と、磁極部分層に
接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有してい
てもよい。

【００５１】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、ヨーク部分層の媒体対向面側
の端面は、媒体対向面から離れた位置に配置されていて
もよい。この場合、磁極部分層の媒体対向面側の端部か
ら反対側の端部までの長さは、磁気抵抗素子の媒体対向
面側の端部から反対側の端部までの長さよりも大きく、
媒体対向面からヨーク部分層の媒体対向面側の端面まで
の距離は、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対
側の端部までの長さ以上であってもよい。また、薄膜コ
イルは、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置された
第１層部分と、第２の磁性層の磁極部分層の側方に配置
された第２層部分とを有していてもよい。この場合に
は、更に、薄膜コイルの第１層部分を覆い、その第２の
磁性層側の面が第１の磁性層の第２の部分における第２
の磁性層側の面と共に平坦化された第１の絶縁層と、薄
膜コイルの第２層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面
が第２の磁性層の磁極部分層におけるヨーク部分層側の
面と共に平坦化された第２の絶縁層とを設けてもよい。

【００５２】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第１の磁性層の第２の部分の
うちスロートハイトを規定する部分における媒体対向面
とは反対側の端部は、媒体対向面と平行な直線状に形成
されていてもよい。

【００５３】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第１の磁性層の第２の部分
は、薄膜コイルの少なくとも一部の周囲を囲うように形
成されていてもよい。

【００５４】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第１の磁性層の第２の部分に
おける媒体対向面側の一部分の幅は他の部分の幅よりも
小さくなっていてもよい。

【００５５】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、第１の磁性層の第２の部分
は、第２の磁性層と対向し、スロートハイトを規定する
中央部分と、中央部分の幅方向の両側に形成された側方
部分とを有し、側方部分の少なくとも一部における媒体
対向面側の端部から反対側の端部までの長さはスロート
ハイトよりも大きくなっていてもよい。

【００５６】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、磁気抵
抗素子と、記録媒体に対向する媒体対向面側の一部が磁
気抵抗素子を挟んで対向するように配置された、磁気抵
抗素子をシールドするための第１および第２のシールド
層とを有する再生ヘッドと、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の
磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁
極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一
部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の
磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル
とを有する記録ヘッドとを備え、第２の磁性層は、トラ
ック幅を規定する磁極部分を含む磁極部分層と、磁極部
分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有
し、磁極部分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さは、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から
反対側の端部までの長さよりも大きく、ヨーク部分層の
媒体対向面側の端面は、媒体対向面から離れた位置に配
置され、媒体対向面からヨーク部分層の媒体対向面側の
端面までの距離は、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さ以上である。

【００５７】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、再生ヘッドを形成する工程と、第１の磁性層を形成
する工程と、第１の磁性層の上にギャップ層を形成する
工程と、ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程
と、少なくとも一部が第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、薄膜コイルを形成する工程とを含
み、第２の磁性層を形成する工程は、トラック幅を規定
する磁極部分を含む磁極部分層と、磁極部分層に接続さ
れ、ヨーク部分となるヨーク部分層とを形成し、磁極部
分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さ
を、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端
部までの長さよりも大きくし、ヨーク部分層の媒体対向
面側の端面を、媒体対向面から離れた位置に配置し、媒
体対向面からヨーク部分層の媒体対向面側の端面までの
距離を、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側
の端部までの長さ以上とするものである。

【００５８】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層は磁極部分層とヨーク部分
層とに分割されるので、トラック幅を正確に制御するこ
とが可能となる。また、本発明では、磁極部分層の媒体
対向面側の端部から反対側の端部までの長さが、磁気抵
抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長
さよりも大きくされ、ヨーク部分層の媒体対向面側の端
面が、媒体対向面から離れた位置に配置され、媒体対向
面からヨーク部分層の媒体対向面側の端面までの距離
が、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端
部までの長さ以上とされるので、記録すべき領域以外の
領域へのデータの書き込みや記録すべき領域以外の領域
におけるデータの消去を防止しながら、磁路の途中にお
ける磁束の飽和を防止することが可能になる。

【００５９】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第１の磁性層は、薄膜コイルの少な
くとも一部に対向する位置に配置された第１の部分と、
第１の部分における薄膜コイル側の面に接続され、磁極
部分を形成すると共にスロートハイトを規定する第２の
部分とを有し、薄膜コイルの少なくとも一部は、第１の
磁性層の第２の部分の側方に配置されていてもよい。

【００６０】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドまた
はその製造方法において、薄膜コイルは、第１の磁性層
の第２の部分の側方に配置された第１層部分と、第２の
磁性層の磁極部分層の側方に配置された第２層部分とを
有していてもよい。この場合には、更に、薄膜コイルの
第１層部分を覆い、その第２の磁性層側の面が第１の磁
性層の第２の部分における第２の磁性層側の面と共に平
坦化された第１の絶縁層と、薄膜コイルの第２層部分を
覆い、そのヨーク部分層側の面が第２の磁性層の磁極部
分層におけるヨーク部分層側の面と共に平坦化された第
２の絶縁層とを設けてもよい。

【００６１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。［第１の実施の形態］まず、図１ないし図９を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。

【００６２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。

【００６３】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、例えばトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）とＨ₂Ｏ等を用いた化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ＣＶＤ法を用
いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールド
ギャップ膜４，７を形成することが可能となる。

【００６４】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８の第１の部分８ａを、約１．０〜１．５
μｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層８
は、この第１の部分８ａと、後述する第２の部分８ｂ、
第３の部分８ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の
部分８ａは、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対
向する位置に配置される。

【００６５】次に、下部磁極層８の第１の部分８ａの上
に、下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８
ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の
部分８ｂは、下部磁極層８の磁極部分を形成し、第１の
部分８ａの薄膜コイルが形成される側（図において上
側）の面に接続される。第３の部分８ｃは、第１の部分
８ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分であ
る。第２の部分８ｂのうち上部磁極層と対向する部分に
おけるエアベアリング面３０とは反対側の端部の位置
は、スロートハイトを規定する。すなわち、第２の部分
８ｂのうち上部磁極層と対向する部分が、スロートハイ
トを規定する部分となる。また、第２の部分８ｂのうち
上部磁極層と対向する部分におけるエアベアリング面３
０とは反対側の端部の位置がスロートハイトゼロ位置と
なる。

【００６６】下部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３
の部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２
０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき
法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であ
るＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによっ
て形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料で
あるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよ
い。

【００６７】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍ
の厚みに形成する。

【００６８】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するためのフレーム１９を形成す
る。次に、このフレーム１９を用いて、フレームめっき
法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１０
を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜
２．０のコイルピッチで形成する。次に、フレーム１９
を除去する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル１
０を、後述する導電層（リード）と接続するための接続
部を示している。

【００６９】次に、図４に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層
８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出するま
で、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図４では、薄膜コイル１０は露出していないが、
薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。

【００７０】次に、露出した下部磁極層８の第２の部分
８ｂおよび第３の部分８ｃと絶縁層１１の上に、絶縁材
料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．
３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用す
る絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材
料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。

【００７１】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
第３の部分８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部
分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。ま
た、薄膜コイル１０の接続部１０ａの上の部分におい
て、記録ギャップ層１２および絶縁層１１を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。

【００７２】次に、図５に示したように、記録ギャップ
層１２の上において、エアベアリング面３０から下部磁
極層８の第３の部分８ｃの上の部分にかけて上部磁極層
１３を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、
薄膜コイル１０の接続部１０ａに接続されるように導電
層２１を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。上部
磁極層１３は、下部磁極層８の第３の部分８ｃの上の部
分に形成されたコンタクトホールを介して、下部磁極層
８の第３の部分８ｃに接続されている。

【００７３】上部磁極層１３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層１３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【００７４】次に、上部磁極層１３をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、ＣＦ₄，ＳＦ₆
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層８の第２の部分８ｂ
を選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、
図５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリ
ム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁
束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止する
ことができる。

【００７５】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【００７６】本実施の形態では、第１の部分８ａ、第２
の部分８ｂおよび第３の部分８ｃよりなる下部磁極層８
が、本発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層
１３が、本発明における第２の磁性層に対応する。ま
た、第２の部分８ｂのうち上部磁極層１３と対向する部
分が、本発明における第１の磁性層の第２の部分のうち
のスロートハイトを規定する部分に対応する。また、下
部磁極層８は、上部シールド層を兼ねているので、本発
明における第２のシールド層にも対応する。

【００７７】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図（図７において上側に配
置された図）と断面図（図７において下側に配置された
図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図７で
は、オーバーコート層１７や、その他の絶縁層および絶
縁膜を省略している。図７において、符号ＴＨはスロー
トハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置を表
し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。

【００７８】図８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける下部シールド層３から下部磁極層８の第２の
部分８ｂ、絶縁膜９および薄膜コイル１０までの部分
を、一部切り欠いて示す斜視図である。図８において、
符号８Ｂは、トリム構造とするために下部磁極層８の第
２の部分８ｂがエッチングされている部分を表してい
る。

【００７９】図９は、図８に示した部分に更に記録ギャ
ップ層１２および上部磁極層１３を加えた部分を、一部
切り欠いて示す斜視図である。

【００８０】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向す
る側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れた、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層
３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有してい
る。

【００８１】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
記録媒体に対向する側において互いに対向する磁極部分
を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁極
層８（第１の部分８ａ、第２の部分８ｂおよび第３の部
分８ｃ）および上部磁極層１３と、この下部磁極層８の
磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられ
た記録ギャップ層１２と、少なくとも一部が下部磁極層
８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁さ
れた状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。

【００８２】本実施の形態では、下部磁極層８は、薄膜
コイル１０の少なくとも一部に対向する位置に配置され
た第１の部分８ａと、この第１の部分８ａにおける薄膜
コイル１０側（図において上側）の面に接続され、磁極
部分を形成し、スロートハイトを規定する第２の部分８
ｂとを有し、薄膜コイル１０は、下部磁極層８の第２の
部分８ｂの側方（図において右側）に配置されている。

【００８３】また、本実施の形態では、下部磁極層８の
第２の部分８ｂのうちスロートハイトを規定する部分の
エアベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの
長さ（以下、単に第２の部分８ｂの長さともいう。）す
なわちスロートハイトＴＨは、ＭＲ素子５のエアベアリ
ング面３０側の端部から反対側の端部までの長さすなわ
ちＭＲハイトＭＲ−Ｈよりも大きくなっている。第２の
部分８ｂの長さは、ＭＲハイトＭＲ−Ｈの１５０〜６０
０％が好ましく、特に３００〜５００％が好ましい。言
い換えると、ＭＲハイトＭＲ−Ｈが例えば０．５μｍの
場合には、第２の部分８ｂの長さは、０．７５〜３．０
μｍが好ましく、特に１．５〜２．５μｍが好ましい。

【００８４】また、本実施の形態では、下部磁極層８の
第２の部分８ｂのうち上部磁極層１３に対向する部分で
は、エアベアリング面３０とは反対側の端部がエアベア
リング面３０と平行な直線状に形成されている。下部磁
極層８の第２の部分８ｂの他の部分におけるエアベアリ
ング面３０とは反対側の端部は、薄膜コイル１０の外周
の形状に近似した円弧状に形成されている。本実施の形
態では、上述のように、下部磁極層８の第２の部分８ｂ
のうち上部磁極層１３に対向する部分のエアベアリング
面３０とは反対側の端部をエアベアリング面３０と平行
な直線状に形成したので、スロートハイトおよびスロー
トハイトゼロ位置を正確に制御することができる。

【００８５】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
によってトラック幅を規定する。図７に示したように、
上部磁極層１３は、エアベアリング面３０側から順に配
置された第１の部分１３Ａ、第２の部分１３Ｂおよび第
３の部分１３Ｃを有している。第１の部分１３Ａの幅は
記録トラック幅に等しく、第２の部分１３Ｂの幅は第１
の部分１３Ａの幅よりも大きく、第３の部分１３Ｃの幅
は第２の部分１３Ｂの幅よりも大きくなっている。

【００８６】第３の部分１３Ｃの幅は、エアベアリング
面３０に近づく従って徐々に小さくなっている。第３の
部分１３Ｃの幅が変化する部分における幅方向の端縁
は、エアベアリング面３０に直交する方向に対して３０
°〜６０°をなすのが好ましい。また、第２の部分１３
Ｂの幅も、エアベアリング面３０に近づくに従って徐々
に小さくなっている。

【００８７】また、上部磁極層１３において、第１の部
分１３Ａの幅方向の端縁と第２の部分１３Ｂの幅方向の
端縁とを結ぶ端縁は、エアベアリング面３０に平行にな
っている。同様に、上部磁極層１３において、第２の部
分１３Ｂの幅方向の端縁と第３の部分１３Ｃの幅方向の
端縁とを結ぶ端縁も、エアベアリング面３０に平行にな
っている。

【００８８】上部磁極層１３において、第１の部分１３
Ａと第２の部分１３Ｂとの境界の位置は、ＭＲハイトゼ
ロ位置（ＭＲ素子５のエアベアリング面３０とは反対側
の端部の位置）の近傍に配置されている。

【００８９】また、上部磁極層１３において、第２の部
分１３Ｂと第３の部分１３Ｃとの境界の位置（図７にお
ける第２の部分１３Ｂと第３の部分１３Ｃとの段差部分
の近傍位置）は、下部磁極層８の第２の部分８ｂのうち
上部磁極層１３と対向する部分におけるエアベアリング
面３０とは反対側（図７において右側）の端部の位置、
すなわちスロートハイトゼロ位置ＴＨ０よりもエアベア
リング面３０側（図７において左側）に配置されてい
る。従って、本実施の形態では、上部磁極層１３のスロ
ートハイトゼロ位置ＴＨ０における幅Ｗ１は、上部磁極
層１３の第１の部分１３Ａの幅である記録トラック幅Ｗ
２よりも大きくなっている。

【００９０】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、下部磁極層８の第２の部分８ｂによってスロートハ
イトを規定するようにし、薄膜コイル１０を下部磁極層
８の第１の部分８ａの上であって第２の部分８ｂの側方
に配置し、薄膜コイル１０を覆う絶縁層１１の上面を下
部磁極層８の第２の部分８ｂの上面と共に平坦化したの
で、記録トラック幅を規定する上部磁極層１３を平坦な
面の上に形成することができる。そのため、本実施の形
態によれば、記録トラック幅を例えばハーフミクロン寸
法やクォータミクロン寸法にも小さくしても、上部磁極
層１３を精度よく形成することができ、記録トラック幅
を正確に制御することが可能になる。

【００９１】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１３のスロートハイトゼロ位置における幅を記録トラッ
ク幅よりも大きくしたので、上部磁極層１３のスロート
ハイトゼロ位置の近傍における磁束の飽和を防止するこ
とができる。また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１３の幅を、エアベアリング面３０に近づくに従って徐
々に小さくしているので、磁路の断面積が急激に減少す
ることがなく、磁路の途中における磁束の飽和を防止す
ることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜
コイル１０で発生した起磁力を効率よく記録に利用する
ことができ、オーバーライト特性を向上させることがで
きる。

【００９２】また、本実施の形態によれば、記録トラッ
ク幅を規定する上部磁極層１３を平坦な面の上に形成し
たので、上述のように上部磁極層１３のスロートハイト
ゼロ位置における幅を記録トラック幅よりも大きくした
場合に、記録トラック幅を規定する第１の部分１３Ａの
幅が大きくなることを防止できる。なお、エイペックス
部の上に上部磁極層を形成する場合には、上部磁極層の
スロートハイトゼロ位置における幅を記録トラック幅よ
りも大きくすると、上部磁極層のうち記録トラック幅を
規定する部分の幅まで大きくなりやすい。

【００９３】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
の第２の部分１３Ｂのエアベアリング面３０側の端部が
エアベアリング面３０に平行になっており、この端部に
上部磁極層１３の第１の部分１３Ａが連結されている。
従って、フォトリソグラフィによって上部磁極層１３を
形成するために使用されるフォトマスクは、第２の部分
１３Ｂのエアベアリング面３０側の端部に対応する辺
に、第１の部分１３Ａに対応する凹部または凸部を付加
した形状のものとなる。なお、第１の部分１３Ａに対応
する部分が凹部になるか凸部になるかは、ネガ型フォト
マスクを使用するかポジ型フォトマスクを使用するかに
よって決まる。このような形状のフォトマスクを使用し
て、平坦な面の上に上部磁極層１３を形成することによ
り、第１の部分１３Ａの幅、すなわち記録トラック幅を
正確に制御することが可能になる。

【００９４】また、本実施の形態では、下部磁極層８の
第２の部分８ｂによってスロートハイトを規定するが、
第２の部分８ｂの長さを、ＭＲ素子５のエアベアリング
面３０側の端部から反対側の端部までの長さすなわちＭ
ＲハイトＭＲ−Ｈよりも大きくしている。従って、本実
施の形態によれば、下部磁極層８の第１の部分８ａと第
２の部分８ｂとの接触面積を大きくすることができ、こ
の部分における磁束の飽和を防止することができる。

【００９５】なお、下部磁極層８の第２の部分８ｂの長
さがＭＲハイトＭＲ−Ｈよりも大きいほど、下部磁極層
８の第１の部分８ａと第２の部分８ｂとの接触面積が大
きくなる。従って、下部磁極層８の第２の部分８ｂの長
さとＭＲハイトＭＲ−Ｈとの差が小さいと、磁束の飽和
を防止できるという効果が小さくなり、オーバーライト
特性の向上の程度が小さくなる。一方、下部磁極層８の
第２の部分８ｂの長さが大きくなりすぎると、磁路長が
大きくなることによって逆にオーバーライト特性が低下
してしまう。そのため、下部磁極層８の第２の部分８ｂ
の長さに関しては好ましい範囲が存在し、具体的には、
前述のように、下部磁極層８の第２の部分８ｂの長さ
は、ＭＲハイトＭＲ−Ｈの１５０〜６００％が好まし
く、特に３００〜５００％が好ましい。

【００９６】このように、本実施の形態によれば、記録
トラック幅を小さくした場合においても記録トラック幅
を正確に制御することができると共に磁路の途中におけ
る磁束の飽和を防止することができる。

【００９７】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
を下部磁極層８の第２の部分８ｂの側方に配置し、平坦
な絶縁膜９の上に形成している。そのため、本実施の形
態によれば、薄膜コイル１０を微細に精度よく形成する
ことが可能になる。更に、本実施の形態によれば、エイ
ペックス部が存在しないので、下部磁極層８の第２の部
分８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部、すな
わちスロートハイトゼロ位置の近くに薄膜コイル１０の
端部を配置することができる。

【００９８】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、例えば従来に比べて３０〜４０％程度、磁路長の縮
小が可能となり、その結果、薄膜コイル１０で発生した
起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。従
って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周波特性
や、非線形トランジションシフト（Non-linear Transit
ion Shift；ＮＬＴＳ）や、オーバーライト特性の優れ
た薄膜磁気ヘッドを提供することが可能となる。

【００９９】また、本実施の形態によれば、磁路長の縮
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル１０の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル１０の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル１０の厚みを小さくするこ
とが可能となる。

【０１００】また、本実施の形態では、下部磁極層８の
第２の部分８ｂと薄膜コイル１０の間に、薄く且つ十分
な絶縁耐圧が得られる無機材料よりなる絶縁膜９が設け
られるので、下部磁極層８の第２の部分８ｂと薄膜コイ
ル１０との間に大きな絶縁耐圧を得ることができる。

【０１０１】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
を無機絶縁材料よりなる絶縁層１１で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１０の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。

【０１０２】［第２の実施の形態］次に、図１０を参照
して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１０は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分を示す平面図
である。なお、図１０では、オーバーコート層や、その
他の絶縁層および絶縁膜を省略している。

【０１０３】本実施の形態では、下部磁極層８の第１の
部分８ａを第１の実施の形態に比べて広い領域、具体的
には、薄膜コイル１０の全体が配置される領域よりも広
い領域に形成している。また、本実施の形態では、下部
磁極層８の第２の部分８ｂを、薄膜コイル１０の周囲を
囲うように形成している。なお、下部磁極層８の第２の
部分８ｂのうちスロートハイトを規定する部分のエアベ
アリング面３０側の端部から反対側の端部までの長さ、
すなわちスロートハイトＴＨは、第１の実施の形態と同
様に、ＭＲ素子５のエアベアリング面３０側の端部から
反対側の端部までの長さすなわちＭＲハイトＭＲ−Ｈよ
りも大きくなっている。

【０１０４】本実施の形態によれば、下部磁極層８の第
２の部分８ｂを上述のような形状とすることにより、絶
縁層１１の平坦化の精度を向上させることができる。

【０１０５】また、本実施の形態における上部磁極層１
３は、エアベアリング面３０側から順に配置された第１
の部分１３Ａ、第２の部分１３Ｂおよび第３の部分１３
Ｃを有している。第１の部分１３Ａおよび第２の部分１
３Ｂの形状は、第１の実施の形態と同様である。第３の
部分１３Ｃの幅は、以下のように変化している。すなわ
ち、第３の部分１３Ｃの幅は、エアベアリング面３０側
の端部から、まずエアベアリング面３０に直交する方向
に対して例えば３０°〜６０°をなすように広がり、次
に、より大きく角度で広がり、次に一定の幅となる。

【０１０６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１０７】［第３の実施の形態］次に、図１１を参照
して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１１は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分を示す平面図
である。なお、図１１では、オーバーコート層や、その
他の絶縁層および絶縁膜を省略している。

【０１０８】本実施の形態における下部磁極層８の第２
の部分８ｂは、エアベアリング３０側の一部分の幅が他
の部分の幅よりも小さいＴ形をなしている。また、下部
磁極層８の第２の部分８ｂのエアベアリング面３０とは
反対側の端部は、エアベアリング面３０と平行な直線状
に形成されて、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０に配置さ
れている。

【０１０９】本実施の形態によれば、下部磁極層８の第
２の部分８ｂを上述のような形状としたことにより、下
部磁極層８の第２の部分８ｂのエアベアリング面３０に
おける幅を小さくして、実効的なトラック幅の増加を防
止することができる。また、本実施の形態によれば、下
部磁極層８の第２の部分８ｂの幅を、エアベアリング面
３０に向けて段階的に小さくしているので、下部磁極層
８における磁束の飽和を防止することができる。また、
本実施の形態によれば、下部磁極層８の第２の部分８ｂ
のエアベアリング面３０とは反対側の端部をエアベアリ
ング面３０と平行な直線状に形成したので、スロートハ
イトおよびスロートハイトゼロ位置を正確に制御するこ
とができる。

【０１１０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１１１】［第４の実施の形態］次に、図１２を参照
して、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１２は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分を示す平面図
である。なお、図１２では、オーバーコート層や、その
他の絶縁層および絶縁膜を省略している。

【０１１２】本実施の形態における下部磁極層８の第２
の部分８ｂは、上部磁極層１３と対向し、スロートハイ
トを規定する中央部分８ｂ₁と、この中央部分８ｂ₁の幅
方向の両側に形成された側方部分８ｂ₂，８ｂ₃とを有し
ている。中央部分８ｂ₁におけるエアベアリング面３０
とは反対側の端部は、エアベアリング面３０と平行な直
線状に形成されて、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０に配
置されている。側方部分８ｂ₂，８ｂ₃におけるエアベア
リング面３０側の端部から反対側の端部までの長さは、
中央部分８ｂ₁との境界部分ではスロートハイトに等し
く、境界部分から外側に向かうほど大きくなるように変
化した後、一定の大きさになっている。

【０１１３】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
は、エアベアリング面３０側から順に配置された第１の
部分１３Ａと第２の部分１３Ｄを有している。第１の部
分１３Ａの幅は記録トラック幅に等しく、第２の部分１
３Ｄの幅は、第１の部分１３Ａとの境界部分では記録ト
ラック幅に等しく、エアベアリング面３０から離れるに
従って徐々に大きくなっている。第２の部分１３Ｄの幅
が変化する部分における幅方向の端縁は、エアベアリン
グ面３０に直交する方向に対して３０°〜６０°をなす
のが好ましい。第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｄと
の境界部分の位置は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０よ
りもエアベアリング面３０側に配置されている。従っ
て、上部磁極層１３のスロートハイトゼロ位置ＴＨ０に
おける幅Ｗ１は、上部磁極層１３の第１の部分１３Ａの
幅である記録トラック幅Ｗ２よりも大きくなっている。
なお、第１の部分１３Ａと第２の部分１３Ｄとの境界部
分の位置は、ＭＲハイトゼロ位置よりエアベアリング面
３０から離れる方向に０〜１．０μｍの距離の位置にあ
るのが好ましい。

【０１１４】本実施の形態によれば、下部磁極層８の第
２の部分８ｂにおける中央部分８ｂ ₁のエアベアリング
面３０とは反対側の端部をエアベアリング面３０と平行
な直線状に形成したので、スロートハイトおよびスロー
トハイトゼロ位置を正確に制御することができる。ま
た、本実施の形態によれば、下部磁極層８の第２の部分
８ｂにおける側方部分８ｂ₂，８ｂ₃のエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さを、中央部分
８ｂ₁との境界部分を除き、中央部分８ｂ₁よりも大きく
したので、第２の部分８ｂの全体が一定の長さを有する
場合に比べて、第２の部分８ｂの体積および第１の部分
８ａと第２の部分８ｂとの接触面積を大きくすることが
でき、スロートハイトが小さい場合においても、第１の
部分８ａと第２の部分８ｂとの接続部分における磁束の
飽和を防止することができる。

【０１１５】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１３の第２の部分１３Ｄの幅を、エアベアリング面３０
側に近づくに従って徐々に小さくしているので、上部磁
極層１３における磁束の飽和を防止することができる。

【０１１６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１１７】［第５の実施の形態］次に、図１３を参照
して、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１３は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分を示す平面図
である。なお、図１３では、オーバーコート層や、その
他の絶縁層および絶縁膜を省略している。

【０１１８】本実施の形態における下部磁極層８の第２
の部分８ｂは、上部磁極層１３と対向し、スロートハイ
トを規定する中央部分８ｂ₁と、この中央部分８ｂ₁の幅
方向の両側に形成された側方部分８ｂ₂，８ｂ₃とを有し
ている。中央部分８ｂ₁におけるエアベアリング面３０
とは反対側の端部は、エアベアリング面３０と平行な直
線状に形成されて、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０に配
置されている。側方部分８ｂ₂，８ｂ₃におけるエアベア
リング面３０側の端部から反対側の端部までの長さは、
中央部分８ｂ₁との境界部分ではスロートハイトに等し
く、境界部分から外側に向かうほど大きくなるように変
化した後、一定の大きさになっている。側方部分８
ｂ₂，８ｂ₃のうち、エアベアリング面３０側の端部から
反対側の端部までの長さが変化する部分におけるエアベ
アリング面３０と反対側の端部は、上部磁極層１３の第
３の部分１３Ｃの幅方向の端部の位置に沿うように配置
されている。

【０１１９】本実施の形態によれば、下部磁極層８の第
２の部分８ｂにおける中央部分８ｂ ₁のエアベアリング
面３０とは反対側の端部をエアベアリング面３０と平行
な直線状に形成したので、スロートハイトおよびスロー
トハイトゼロ位置を正確に制御することができる。ま
た、本実施の形態によれば、下部磁極層８の第２の部分
８ｂにおける側方部分８ｂ₂，８ｂ₃のエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さを、中央部分
８ｂ₁との境界部分を除き、中央部分８ｂ₁よりも大きく
したので、第２の部分８ｂの全体が一定の長さを有する
場合に比べて、第２の部分８ｂの体積および第１の部分
８ａと第２の部分８ｂとの接触面積を大きくすることが
でき、スロートハイトが小さい場合においても、第１の
部分８ａと第２の部分８ｂとの接続部分における磁束の
飽和を防止することができる。

【０１２０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１２１】［第６の実施の形態］次に、図１４ないし
図２０を参照して、本発明の第６の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１４ないし図１９において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０１２２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１４に示したように、例えばアルテ
ィック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例
えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μ
ｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材
料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シー
ルド層３を、約３μｍの厚みで選択的に形成する。次
に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭ
Ｐによって、下部シールド層３が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化処理する。

【０１２３】次に、図１５に示したように、下部シール
ド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜
４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次
に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素
子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シール
ドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続され
る一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次
に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上
に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例え
ば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシー
ルドギャップ膜４，７内に埋設する。

【０１２４】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなる下部磁極層８の第１の部分８ａを、約
１．０〜２．０μｍの厚みで、選択的に形成する。下部
磁極層８の第１の部分８ａは、後述する薄膜コイルの少
なくとも一部に対向する位置に配置される。

【０１２５】次に、図１６に示したように、下部磁極層
８の第１の部分８ａの上に、下部磁極層８の第２の部分
８ｂおよび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの
厚みに形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層８の磁
極部分を形成し、第１の部分８ａの薄膜コイル側の面に
接続される。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと後述
する上部磁極層とを接続するための部分である。第２の
部分８ｂのうち上部磁極層と対向する部分におけるエア
ベアリング面３０とは反対側の端部の位置は、スロート
ハイトを規定する。すなわち、第２の部分８ｂのうち上
部磁極層と対向する部分におけるエアベアリング面３０
とは反対側の端部の位置がスロートハイトゼロ位置とな
る。

【０１２６】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。

【０１２７】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するためのフレーム１９を形成す
る。次に、このフレーム１９を用いて、フレームめっき
法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第１層部分
３１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．
２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。次に、フレ
ーム１９を除去する。なお、図中、符号３１ａは、薄膜
コイルの第１層部分３１を後述する第２層部分に接続す
るための接続部を示している。

【０１２８】次に、図１７に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３２を、約３〜４μｍの厚
みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極
層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃが露出する
まで、絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理する。
ここで、図１７では、薄膜コイルの第１層部分３１は露
出していないが、薄膜コイルの第１層部分３１が露出す
るようにしてもよい。

【０１２９】次に、図１８に示したように、露出した下
部磁極層８の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃと絶
縁層３２の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２
を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、下部磁極層８の第３の部分８ｃ
の上において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチン
グしてコンタクトホールを形成する。

【０１３０】次に、記録ギャップ層１２の上に、記録ト
ラック幅を規定する上部磁極層の磁極部分を含む磁極部
分層４１を例えば２〜３μｍの厚みに形成すると共に、
下部磁極層８の第３の部分８ｃの上に位置する部分の上
に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性層４２を
２〜３μｍの厚みに形成する。磁性層４２は、後述する
上部磁極層のヨーク部分層と下部磁極層８とを接続する
ための部分である。本実施の形態では、上部磁極層の磁
極部分層４１のエアベアリング面３０側の端部から反対
側の端部までの長さは、ＭＲ素子５のエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さよりも大き
く、更に、下部磁極層８の第２の部分８ｂのうちスロー
トハイトを規定する部分のエアベアリング面３０側の端
部から反対側の端部までの長さ以上に形成される。

【０１３１】上部磁極層の磁極部分層４１および磁性層
４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４
５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によ
って形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅ
Ｎ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成
してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣ
ｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。

【０１３２】次に、上部磁極層の磁極部分層４１をマス
クとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１
２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチ
ングには、例えば、ＢＣｌ₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、
ＣＦ₄，ＳＦ₆等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例え
ばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層８の第
２の部分８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッ
チングして、図１８（ｂ）に示したようなトリム構造と
する。

【０１３３】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜３３を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
次に、薄膜コイルの第１層部分３１の接続部３１ａの上
の部分において、絶縁膜３３、記録ギャップ層１２およ
び絶縁層３２を部分的にエッチングしてコンタクトホー
ルを形成する。次に、フレームめっき法によって、例え
ば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分３４を、例えば約
１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍの
コイルピッチで形成する。なお、図中、符号３４ａは、
上記コンタクトホールを介して、薄膜コイルの第２層部
分３４を第１層部分３１に接続するための接続部を示し
ている。

【０１３４】次に、図１９に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚
みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極
層の磁極部分層４１および磁性層４２が露出するまで、
絶縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理する。ここ
で、図１９では、薄膜コイルの第２層部分３４は露出し
ていないが、薄膜コイルの第２層部分３４が露出するよ
うにしてもよい。第２層部分３４が露出するようにした
場合には、第２層部分３４および絶縁層３５の上に他の
絶縁層を形成する。

【０１３５】次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分
層４１および磁性層４２、絶縁層３５の上に、記録ヘッ
ド用の磁性材料からなる上部磁極層のヨーク部分を形成
するヨーク部分層４３を、例えば約２〜３μｍの厚みに
形成する。このヨーク部分層４３は、磁性層４２を介し
て、下部磁極層８の第３の部分８ｃと接触し、磁気的に
連結している。上部磁極層のヨーク部分層４３は、Ｎｉ
Ｆｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽
和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆ
ｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。
この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ
系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性
の改善のため、上部磁極層のヨーク部分層４３を、無機
系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合
わせた構造としてもよい。

【０１３６】本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部
分層４３のエアベアリング面３０側の端面は、エアベア
リング面３０から離れた位置（図において右側）に配置
されている。本実施の形態では、特に、エアベアリング
面３０からヨーク部分層４３のエアベアリング面３０側
の端部までの距離は、ＭＲ素子５のエアベアリング面３
０側の端部から反対側の端部までの長さ以上とする。

【０１３７】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工を行
って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面
３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【０１３８】本実施の形態では、磁極部分層４１、磁性
層４２およびヨーク部分層４３よりなる上部磁極層が、
本発明の第２の磁性層に対応する。

【０１３９】図２０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分を示す平面図である。なお、図２０で
は、オーバーコート層や、その他の絶縁層および絶縁膜
を省略している。図２０において、符号ＴＨはスロート
ハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置を表
し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。

【０１４０】本実施の形態では、下部磁極層８は、薄膜
コイルの第１層部分３１に対向する位置に配置された第
１の部分８ａと、この第１の部分８ａにおける薄膜コイ
ルの第１層部分３１側の面に接続され、磁極部分を形成
し、スロートハイトを規定する第２の部分８ｂとを有
し、薄膜コイルの第１層部分３１は、下部磁極層８の第
２の部分８ｂの側方に配置されている。第１の実施の形
態と同様に、下部磁極層８の第２の部分８ｂのうちスロ
ートハイトを規定する部分のエアベアリング面３０側の
端部から反対側の端部までの長さ（以下、単に第２の部
分８ｂの長さともいう。）すなわちスロートハイトＴＨ
は、ＭＲ素子５のエアベアリング面３０側の端部から反
対側の端部までの長さすなわちＭＲハイトＭＲ−Ｈより
も大きくなっている。第２の部分８ｂの長さは、ＭＲハ
イトＭＲ−Ｈの１５０〜６００％が好ましく、特に３０
０〜５００％が好ましい。言い換えると、ＭＲハイトＭ
Ｒ−Ｈが例えば０．５μｍの場合には、第２の部分８ｂ
の長さは、０．７５〜３．０μｍが好ましく、特に１．
５〜２．５μｍが好ましい。

【０１４１】また、本実施の形態では、上部磁極層の磁
極部分層４１によってトラック幅を規定する。図２０に
示したように、上部磁極層の磁極部分層４１は、エアベ
アリング面３０側から順に配置された第１の部分４１
Ａ、第２の部分４１Ｂおよび第３の部分４１Ｃを有して
いる。第１の部分４１Ａの幅は記録トラック幅に等し
く、第２の部分４１Ｂの幅は第１の部分４１Ａの幅より
も大きくなっている。第３の部分４１Ｃの幅は、第２の
部分４２Ｂとの境界部分では第２の部分４２Ｂの幅と等
しく、境界部分からエアベアリング面３０とは反対側に
向かうほど大きくなるように変化した後、一定の大きさ
になっている。

【０１４２】また、上部磁極層の磁極部分層４１におい
て、第１の部分４１Ａの幅方向の端縁と第２の部分４１
Ｂの幅方向の端縁とを結ぶ端縁は、エアベアリング面３
０に平行になっている。

【０１４３】上部磁極層の磁極部分層４１において、第
１の部分４１Ａと第２の部分４１Ｂとの境界の位置は、
ＭＲハイトゼロ位置の近傍に配置されている。

【０１４４】また、上部磁極層の磁極部分層４１におい
て、第２の部分４１Ｂと第３の部分４１Ｃとの境界の位
置は、下部磁極層８の第２の部分８ｂのうち磁極部分層
４１と対向する部分におけるエアベアリング面３０とは
反対側の端部の位置、すなわちスロートハイトゼロ位置
ＴＨ０よりもエアベアリング面３０側に配置されてい
る。従って、本実施の形態では、磁極部分層４１のスロ
ートハイトゼロ位置ＴＨ０における幅Ｗ１は、磁極部分
層４１の第１の部分４１Ａの幅である記録トラック幅Ｗ
２よりも大きくなっている。

【０１４５】上部磁極層のヨーク部分層４３は、エアベ
アリング面３０側から順に配置された第１の部分４３Ａ
と第２の部分４３Ｂとを有している。ヨーク部分層４３
の第１の部分４３Ａの幅は、磁極部分層４１の第３の部
分４１Ｃにおける最大の幅とほぼ等しくなっている。ヨ
ーク部分層４３の第２の部分４３Ｂの幅は、第１の部分
４３Ａとの境界部分では第１の部分４３Ａの幅と等し
く、境界部分からエアベアリング面３０とは反対側に向
かうほど大きくなるように変化した後、一定の大きさに
なっている。また、ヨーク部分層４３の第１の部分４３
Ａは、磁極部分層４１の第２の部分４１Ｂおよび第３の
部分４１Ｃとほぼ重なる位置に配置されている。

【０１４６】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、下部磁極層８の第２の部分８ｂによってスロートハ
イトを規定するようにし、薄膜コイルの第１層部分３１
を下部磁極層８の第１の部分８ａの上であって第２の部
分８ｂの側方に配置し、薄膜コイルの第１層部分３１を
覆う絶縁層３２の上面を下部磁極層８の第２の部分８ｂ
の上面と共に平坦化すると共に、上部磁極層を磁極部分
層４１とヨーク部分層４３とに分割したので、記録トラ
ック幅を規定する上部磁極層の磁極部分層４１を平坦な
面の上に形成することができる。そのため、本実施の形
態によれば、記録トラック幅を例えばハーフミクロン寸
法やクォータミクロン寸法にも小さくしても、磁極部分
層４１を精度よく形成することができ、記録トラック幅
を正確に制御することが可能になる。

【０１４７】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
の磁極部分層４１のスロートハイトゼロ位置における幅
を記録トラック幅よりも大きくしたので、磁極部分層４
１のスロートハイトゼロ位置の近傍における磁束の飽和
を防止することができる。また、本実施の形態によれ
ば、磁極部分層４１の幅を、エアベアリング面３０に近
づくに従って徐々に小さくしているので、磁路の断面積
が急激に減少することがなく、磁路の途中における磁束
の飽和を防止することができる。更に、本実施の形態に
よれば、上部磁極層の磁極部分層４１のスロートハイト
ゼロ位置における幅を記録トラック幅よりも大きくした
ので、上部磁極層の磁極部分層４１とヨーク部分層４３
との接触面積を大きくすることができ、磁極部分層４１
とヨーク部分層４３との接続部分における磁束の飽和を
防止することができる。従って、本実施の形態によれ
ば、薄膜コイル３１，３４で発生した起磁力を効率よく
記録に利用することができ、オーバーライト特性を向上
させることができる。

【０１４８】また、本実施の形態によれば、記録トラッ
ク幅を規定する上部磁極層の磁極部分層４１を平坦な面
の上に形成したので、上述のように磁極部分層４１のス
ロートハイトゼロ位置における幅を記録トラック幅より
も大きくした場合に、記録トラック幅を規定する第１の
部分４１Ａの幅が大きくなることを防止することができ
る。

【０１４９】また、本実施の形態では、磁極部分層４１
の第２の部分４１Ｂのエアベアリング面３０側の端部が
エアベアリング面３０に平行になっており、この端部に
磁極部分層４１の第１の部分４１Ａが連結されている。
従って、フォトリソグラフィによって磁極部分層４１を
形成するために使用されるフォトマスクは、第２の部分
４１Ｂのエアベアリング面３０側の端部に対応する辺
に、第１の部分４１Ａに対応する凹部または凸部を付加
した形状のものとなる。このような形状のフォトマスク
を使用して、平坦な面の上に磁極部分層４１を形成する
ことにより、第１の部分４１Ａの幅、すなわち記録トラ
ック幅を正確に制御することが可能になる。

【０１５０】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第２層部分３４を上部磁極層の磁極部分層４１の側方
に配置し、薄膜コイルの第２層部分３４を覆う絶縁層３
５の上面を磁極部分層４１の上面と共に平坦化したの
で、記録ヘッドのヨーク部分層４３も、平坦な面の上に
形成することができる。そのため、本実施の形態によれ
ば、ヨーク部分層４３も微細に形成可能となり、その結
果、いわゆるサイドライトやサイドイレーズの発生を防
止することが可能となる。

【０１５１】また、本実施の形態では、上部磁極層のヨ
ーク部分層４３のエアベアリング面３０側の端面をエア
ベアリング面３０から離れた位置に配置している。その
ため、スロートハイトが小さい場合においても、上部磁
極層のヨーク部分層４３がエアベアリング面３０に露出
することがなく、その結果、いわゆるサイドライトやサ
イドイレーズの発生を防止することができる。

【０１５２】また、本実施の形態では、上部磁極層の磁
極部分層４１のエアベアリング面３０側の端部から反対
側の端部までの長さを、ＭＲ素子５のエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さ、すなわちＭ
Ｒハイトよりも大きくすると共に、ヨーク部分層４３の
エアベアリング面３０側の端面をエアベアリング面３０
から離れた位置に配置している。そのため、本実施の形
態では、ＭＲハイトゼロ位置よりもエアベアリング面３
０から離れた位置においても、上部磁極層の磁極部分層
４１とヨーク部分層４３とを接触させることができる。
従って、本実施の形態によれば、ヨーク部分層４３のエ
アベアリング面３０側の端面をエアベアリング面３０か
ら離れた位置に配置してサイドライトやサイドイレーズ
の発生を防止しながら、上部磁極層において磁路の断面
積が急激に減少することを防止して、磁路の途中での磁
束の飽和を防止することができる。

【０１５３】また、本実施の形態では、エアベアリング
面３０からヨーク部分層４３のエアベアリング面３０側
の端部までの距離を、ＭＲ素子５のエアベアリング面３
０側の端部から反対側の端部までの長さ、すなわちＭＲ
ハイト以上としている。

【０１５４】ここで、図２１を参照して、ヨーク部分層
４３のエアベアリング面３０側の端部の位置とサイドイ
レーズ特性との関係を求めた実験結果について説明す
る。この実験は、ヨーク部分層４３のエアベアリング面
３０側の端部の位置を、それぞれエアベアリング面（図
２１ではＡＢＳと記す。）３０の位置、エアベアリング
面３０から０．２μｍ、０．４μｍ、０．６μｍ、０．
８μｍ、１．０μｍ、１．２μｍの各位置とした７種類
の薄膜磁気ヘッドを用いた。なお、ＭＲハイトは０．６
μｍとした。

【０１５５】この実験では、各薄膜磁気ヘッド毎に、薄
膜磁気ヘッドによって記録媒体上のあるトラックにデー
タを書き込んだ後、隣のトラックに薄膜磁気ヘッドを移
動させ、隣のトラックにおいてデータの書き込みを２０
０回行い、次に、最初にデータを書き込んだトラックに
薄膜磁気ヘッドを移動させ、最初にデータを書き込んだ
トラックにおいてデータを読み出し、そのときの再生出
力を求めた。なお、書き込み時に記録ヘッドに供給する
電流は５０ｍＡとした。また、図２１では、再生出力
を、所望の再生出力に対する百分率（％）で表してい
る。再生出力が１００％ということはサイドイレーズが
全くないことを意味し、再生出力が小さいほど、サイド
イレーズの程度が大きいことを意味する。

【０１５６】図２１から、エアベアリング面３０からヨ
ーク部分層４３のエアベアリング面３０側の端部までの
距離が大きくなるほど、再生出力が大きくなり、サイド
イレーズを防止できることが分かる。また、図２１か
ら、エアベアリング面３０からヨーク部分層４３のエア
ベアリング面３０側の端部までの距離が、ＭＲハイトで
ある０．６μｍ以上になると、ほとんどサイドイレーズ
が発生しないことが分かる。なお、サイドイレーズとサ
イドライトは、いずれもヨーク部分層４３からの漏洩磁
束によって発生し、発生の原理は同じであるので、サイ
ドライトについても、サイドイレーズと同様のことが言
える。

【０１５７】このように、エアベアリング面３０からヨ
ーク部分層４３のエアベアリング面３０側の端部までの
距離をＭＲハイト以上とすることにより、サイドライト
やサイドイレーズの発生をより一層防止することが可能
となる。

【０１５８】また、本実施の形態では、薄膜コイルの第
１層部分３１と第２層部分３４との間には、記録ギャッ
プ層１２の他に、無機材料よりなる絶縁膜３３が設けら
れるので、薄膜コイルの第１層部分３１と第２層部分３
４との間に大きな絶縁耐圧を得ることができると共に、
薄膜コイル３１，３４からの磁束の漏れを低減すること
ができる。

【０１５９】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１６０】［第７の実施の形態］次に、図２２を参照
して、本発明の第７の実施の形態に係る薄膜気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。図２２は、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分を示す平面図で
ある。なお、図２２では、オーバーコート層や、その他
の絶縁層および絶縁膜を省略している。

【０１６１】本実施の形態における下部磁極層８の第２
の部分８ｂは、エアベアリング３０側の一部分の幅が、
他の部分の幅よりも小さく且つエアベアリング３０側に
向かうほど小さくなるような形状をなしている。また、
下部磁極層８の第２の部分８ｂのエアベアリング面３０
とは反対側の端部は、エアベアリング面３０と平行な直
線状に形成されて、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０に配
置されている。

【０１６２】本実施の形態によれば、下部磁極層８の第
２の部分８ｂを上述のような形状としたことにより、下
部磁極層８の第２の部分８ｂのエアベアリング面３０に
おける幅を小さくして、実効的なトラック幅の増加を防
止することができる。また、本実施の形態によれば、下
部磁極層８の第２の部分８ｂの幅をエアベアリング面３
０に近づくに従って徐々に小さくしているので、下部磁
極層８における磁束の飽和を防止することができる。ま
た、本実施の形態によれば、下部磁極層８の第２の部分
８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部をエアベ
アリング面３０と平行な直線状に形成したので、スロー
トハイトおよびスロートハイトゼロ位置を正確に制御す
ることができる。

【０１６３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第６の実施の形態と同様である。

【０１６４】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。

【０１６５】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。

【０１６６】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１６
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１７な
いし３２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、第１の磁性層の第２の部分によってスロート
ハイトを規定し、薄膜コイルの少なくとも一部を第１の
磁性層の第２の部分の側方に配置し、第２の磁性層によ
ってトラック幅を規定するようにしたので、第２の磁性
層を平坦な面の上に精度よく形成することが可能にな
り、その結果、第２の磁性層における磁束の飽和を防止
しながら、トラック幅を正確に制御することが可能にな
る。また、本発明では、薄膜コイルの少なくとも一部の
端部を、第１の磁性層の第２の部分の端部の近くに配置
することが可能になり、これにより、磁路長の縮小が可
能になる。また、本発明では、第１の磁性層の第２の部
分のうちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面側
の端部から反対側の端部までの長さを、磁気抵抗素子の
媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さよりも
大きくしたので、第１の磁性層における磁束の飽和を防
止することが可能になる。以上のことから、本発明によ
れば、記録ヘッドのトラック幅を小さくした場合におい
ても、トラック幅を正確に制御することと磁路の途中に
おける磁束の飽和を防止することが可能になると共に、
磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。

【０１６７】また、請求項２または３記載の薄膜磁気ヘ
ッドもしくは請求項１８または１９記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、第１の磁性層の第２の部分のう
ちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面とは反対
側の端部に対応する位置における第２の磁性層の幅を、
媒体対向面における第２の磁性層の幅よりも大きくした
ので、特に、第２の磁性層における磁束の飽和を防止す
ることができるという効果を奏する。

【０１６８】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁性層は、媒体対向面側に配置された幅がト
ラック幅と等しい部分と、幅がトラック幅よりも大きい
他の部分とを有し、他の部分の幅は、媒体対向面に近づ
くに従って小さくなるようにしたので、特に、第２の磁
性層における磁路の断面積が急激に減少することがな
く、磁路の途中における磁束の飽和を防止することがで
きるという効果を奏する。

【０１６９】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、更に、第１の磁性層の第２の部分の側方に配置され
た薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、その第２の磁性
層側の面が第２の部分における第２の磁性層側の面と共
に平坦化された絶縁層を設けたので、特に、第２の磁性
層を平坦な面の上に精度よく形成することができるとい
う効果を奏する。

【０１７０】また、請求項９または１０記載の薄膜磁気
ヘッドもしくは請求項２５または２６記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法によれば、第２の磁性層が、磁極部分層
とヨーク部分となるヨーク部分層とを有するようにし、
ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を媒体対向面から離
れた位置に配置したので、更に、記録すべき領域以外の
領域へのデータの書き込みや記録すべき領域以外の領域
におけるデータの消去を防止することができるという効
果を奏する。

【０１７１】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁極部分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さを、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から
反対側の端部までの長さよりも大きくし、媒体対向面か
らヨーク部分層の媒体対向面側の端面までの距離を、磁
気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部まで
の長さ以上としたので、記録すべき領域以外の領域への
データの書き込みや記録すべき領域以外の領域における
データの消去をより一層防止することができるという効
果を奏する。

【０１７２】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルが、第１の磁性層の第２の部分の側方に
配置された第１層部分と、第２の磁性層の磁極部分層の
側方に配置された第２層部分とを有するようにし、更
に、薄膜コイルの第１層部分を覆い、その第２の磁性層
側の面が第１の磁性層の第２の部分における第２の磁性
層側の面と共に平坦化された第１の絶縁層と、薄膜コイ
ルの第２層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面が第２
の磁性層の磁極部分層におけるヨーク部分層側の面と共
に平坦化された第２の絶縁層とを設けたので、更に、第
２の磁性層のヨーク部分層を精度よく形成することがで
きるという効果を奏する。

【０１７３】また、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層の第２の部分のうちスロートハイトを
規定する部分における媒体対向面とは反対側の端部を、
媒体対向面と平行な直線状に形成したので、更に、スロ
ートハイトを正確に規定することができるという効果を
奏する。

【０１７４】また、請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項３１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層の第２の部分における媒体対向面側の
一部分の幅を他の部分の幅よりも小さくしたので、実効
的なトラック幅の増加を防止することができるという効
果を奏する。

【０１７５】また、請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項３２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層の第２の部分が、第２の磁性層と対向
し、スロートハイトを規定する中央部分と、中央部分の
幅方向の両側に形成された側方部分とを有するように
し、側方部分の少なくとも一部における媒体対向面側の
端部から反対側の端部までの長さをスロートハイトより
も大きくしたので、スロートハイトが小さい場合におい
ても、第１の磁性層の第１の部分と第２の部分との接続
部分における磁束の飽和を防止することが可能になると
いう効果を奏する。

【０１７６】また、請求項３３ないし３６のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項３７ないし４０のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第
２の磁性層を磁極部分層とヨーク部分層とに分割したの
で、記録ヘッドのトラック幅を小さくした場合において
もトラック幅を正確に制御することが可能になるという
効果を奏する。また、本発明によれば、磁極部分層の媒
体対向面側の端部から反対側の端部までの長さを、磁気
抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの
長さよりも大きくし、ヨーク部分層の媒体対向面側の端
面を、媒体対向面から離れた位置に配置し、媒体対向面
からヨーク部分層の媒体対向面側の端面までの距離を、
磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部ま
での長さ以上としたので、記録すべき領域以外の領域へ
のデータの書き込みや記録すべき領域以外の領域におけ
るデータの消去を防止しながら、磁路の途中における磁
束の飽和を防止することが可能になるという効果を奏す
る。

【０１７７】また、請求項３４ないし３６のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項３８ないし４０のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第
１の磁性層は、薄膜コイルの少なくとも一部に対向する
位置に配置された第１の部分と、第１の部分における薄
膜コイル側の面に接続され、磁極部分を形成すると共に
スロートハイトを規定する第２の部分とを有し、薄膜コ
イルの少なくとも一部は、第１の磁性層の第２の部分の
側方に配置されるようにしたので、更に、薄膜コイルの
少なくとも一部の端部を、第１の磁性層の第２の部分の
端部の近くに配置することが可能になり、これにより、
磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。

【０１７８】また、請求項３６記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項４０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルが、第１の磁性層の第２の部分の側方に
配置された第１層部分と、第２の磁性層の磁極部分層の
側方に配置された第２層部分とを有するようにし、更
に、薄膜コイルの第１層部分を覆い、その第２の磁性層
側の面が第１の磁性層の第２の部分における第２の磁性
層側の面と共に平坦化された第１の絶縁層と、薄膜コイ
ルの第２層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面が第２
の磁性層の磁極部分層におけるヨーク部分層側の面と共
に平坦化された第２の絶縁層とを設けたので、更に、第
２の磁性層のヨーク部分層を精度よく形成することがで
きるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図と断面図とを対応付けて
示す説明図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部を一部切り欠いて示す斜視図である。

【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部を一部切り欠いて示す斜視図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１２】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図１４】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１９】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図２０】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図２１】図１９におけるヨーク部分層のエアベアリン
グ面側の端部の位置とサイドイレーズ特性との関係を示
す特性図である。

【図２２】本発明の第７の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図２３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】従来の磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、８ａ…下部磁極層の第１の部
分、８ｂ…下部磁極層の第２の部分、８ｃ…下部磁極層
の第３の部分、１０…薄膜コイル、１１…絶縁層、１２
…記録ギャップ層、１３…上部磁極層、１７……オーバ
ーコート層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒
体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向する
ように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするた
めの第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッド
と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
からなる第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有する
記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルの少なくとも一部
に対向する位置に配置された第１の部分と、前記第１の
部分における前記薄膜コイル側の面に接続され、磁極部
分を形成すると共にスロートハイトを規定する第２の部
分とを有し、前記第１の磁性層の前記第２の部分のうちスロートハイ
トを規定する部分の媒体対向面側の端部から反対側の端
部までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端
部から反対側の端部までの長さよりも大きく、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層
の前記第２の部分の側方に配置され、前記第２の磁性層はトラック幅を規定することを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記第１の磁性層の前記第２の部分のう
ちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面とは反対
側の端部に対応する位置における前記第２の磁性層の幅
は、前記媒体対向面における前記第２の磁性層の幅より
も大きいことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項３】前記第２の磁性層は、媒体対向面側に配
置された幅がトラック幅と等しい部分と、幅がトラック
幅よりも大きい他の部分とを有し、前記他の部分の幅
は、媒体対向面に近づくに従って小さくなっていること
を特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記第１の磁性層の前記第２の部分のう
ちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒
体対向面側の端部から反対側の端部までの長さの１５０
〜６００％であることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記第１の磁性層の前記第２の部分のう
ちスロートハイトを規定する部分の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒
体対向面側の端部から反対側の端部までの長さの３００
〜５００％であることを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】更に、前記第１の磁性層の前記第２の部
分の側方に配置された前記薄膜コイルの少なくとも一部
を覆い、その第２の磁性層側の面が前記第２の部分にお
ける第２の磁性層側の面と共に平坦化された絶縁層を備
えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記第２の磁性層は、１つの層からなる
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記第２の磁性層は、トラック幅を規定
する磁極部分を含む磁極部分層と、前記磁極部分層に接
続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有すること
を特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項９】前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面
は、媒体対向面から離れた位置に配置されていることを
特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記磁極部分層の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒
体対向面側の端部から反対側の端部までの長さよりも大
きく、媒体対向面から前記ヨーク部分層の媒体対向面側
の端面までの距離は、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側
の端部から反対側の端部までの長さ以上であることを特
徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層
の前記第２の部分の側方に配置された第１層部分と、前
記第２の磁性層の前記磁極部分層の側方に配置された第
２層部分とを有することを特徴とする請求項８ないし１
０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】更に、前記薄膜コイルの前記第１層部
分を覆い、その第２の磁性層側の面が前記第１の磁性層
の前記第２の部分における第２の磁性層側の面と共に平
坦化された第１の絶縁層と、前記薄膜コイルの前記第２
層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面が前記第２の磁
性層の前記磁極部分層におけるヨーク部分層側の面と共
に平坦化された第２の絶縁層とを備えたことを特徴とす
る請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】前記第１の磁性層の前記第２の部分の
うちスロートハイトを規定する部分における媒体対向面
とは反対側の端部は、媒体対向面と平行な直線状に形成
されていることを特徴とする請求項１ないし１２のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】前記第１の磁性層の前記第２の部分
は、前記薄膜コイルの少なくとも一部の周囲を囲うよう
に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】前記第１の磁性層の前記第２の部分に
おける媒体対向面側の一部分の幅は他の部分の幅よりも
小さいことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか
に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】前記第１の磁性層の前記第２の部分
は、前記第２の磁性層と対向し、スロートハイトを規定
する中央部分と、前記中央部分の幅方向の両側に形成さ
れた側方部分とを有し、前記側方部分の少なくとも一部
における媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長
さはスロートハイトよりも大きいことを特徴とする請求
項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
媒体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向す
るように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドする
ための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッ
ドと、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
からなる第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有する
記録ヘッドとを備え、前記第２の磁性層がトラック幅を規定する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、前記再生ヘッドを形成する工程と、前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
と、前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
含み、前記第１の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルの
少なくとも一部に対向する位置に配置された第１の部分
と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接
続され、磁極部分を形成すると共にスロートハイトを規
定する第２の部分とを形成し、且つ、前記第１の磁性層
の前記第２の部分のうちスロートハイトを規定する部分
の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さを、
前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端
部までの長さよりも大きくし、前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
なくとも一部を、前記第１の磁性層の前記第２の部分の
側方に配置することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項１８】前記第２の磁性層を形成する工程は、
前記第１の磁性層の前記第２の部分のうちスロートハイ
トを規定する部分の媒体対向面とは反対側の端部に対応
する位置における前記第２の磁性層の幅を、前記媒体対
向面における前記第２の磁性層の幅よりも大きくするこ
とを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項１９】前記第２の磁性層を形成する工程は、
媒体対向面側に配置された幅がトラック幅と等しい部分
と、幅がトラック幅よりも大きい他の部分とを形成する
と共に、前記他の部分の幅を、媒体対向面に近づくに従
って小さくすることを特徴とする請求項１８記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記第１の磁性層の前記第２の部分のうちスロートハイ
トを規定する部分の媒体対向面側の端部から反対側の端
部までの長さを、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端
部から反対側の端部までの長さの１５０〜６００％とす
ることを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記第１の磁性層の前記第２の部分のうちスロートハイ
トを規定する部分の媒体対向面側の端部から反対側の端
部までの長さを、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端
部から反対側の端部までの長さの３００〜５００％とす
ることを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】更に、前記第１の磁性層の前記第２の
部分の側方に配置された前記薄膜コイルの少なくとも一
部を覆い、その第２の磁性層側の面が前記第２の部分に
おける第２の磁性層側の面と共に平坦化された絶縁層を
形成する工程を含むことを特徴とする請求項１７ないし
２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】前記第２の磁性層は、１つの層からな
ることを特徴とする請求項１７ないし２２のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】前記第２の磁性層を形成する工程は、
トラック幅を規定する磁極部分を含む磁極部分層と、前
記磁極部分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分
層とを形成することを特徴とする請求項１７ないし２２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】前記第２の磁性層を形成する工程は、
前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、媒体対向面
から離れた位置に配置することを特徴とする請求項２４
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】前記第２の磁性層を形成する工程は、
前記磁極部分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さを、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さよりも大きくし、媒体対向
面から前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面までの距
離を、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から反対
側の端部までの長さ以上とすることを特徴とする請求項
２５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】前記薄膜コイルを形成する工程は、前
記第１の磁性層の前記第２の部分の側方に配置された第
１層部分と、前記第２の磁性層の前記磁極部分層の側方
に配置された第２層部分とを形成することを特徴とする
請求項２４ないし２６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２８】更に、前記薄膜コイルの前記第１層部
分を覆い、その第２の磁性層側の面が前記第１の磁性層
の前記第２の部分における第２の磁性層側の面と共に平
坦化された第１の絶縁層を形成する工程と、前記薄膜コ
イルの前記第２層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面
が前記第２の磁性層の前記磁極部分層におけるヨーク部
分層側の面と共に平坦化された第２の絶縁層を形成する
工程とを含むことを特徴とする請求項２７記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記第２の部分のうちスロートハイトを規定する部分に
おける媒体対向面とは反対側の端部を、媒体対向面と平
行な直線状に形成することを特徴とする請求項１７ない
し２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３０】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記第２の部分を、前記薄膜コイルの少なくとも一部の
周囲を囲うように形成することを特徴とする請求項１７
ないし２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項３１】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記第２の部分における媒体対向面側の一部分の幅を他
の部分の幅よりも小さくすることを特徴とする請求項１
７ないし２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項３２】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記第２の部分が、前記第２の磁性層と対向し、スロー
トハイトを規定する中央部分と、前記中央部分の幅方向
の両側に形成された側方部分とを有し、前記側方部分の
少なくとも一部における媒体対向面側の端部から反対側
の端部までの長さがスロートハイトよりも大きくなるよ
うに、前記第２の部分を形成することを特徴とする請求
項１７ないし２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項３３】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
媒体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向す
るように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドする
ための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッ
ドと、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
からなる第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有する
記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、前記第２の磁性層は、トラック幅を規定する磁極部分を
含む磁極部分層と、前記磁極部分層に接続され、ヨーク
部分となるヨーク部分層とを有し、前記磁極部分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さよりも大きく、前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面
から離れた位置に配置され、媒体対向面から前記ヨーク
部分層の媒体対向面側の端面までの距離は、前記磁気抵
抗素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長
さ以上であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３４】前記第１の磁性層は、前記薄膜コイル
の少なくとも一部に対向する位置に配置された第１の部
分と、前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に
接続され、磁極部分を形成すると共にスロートハイトを
規定する第２の部分とを有し、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第１の磁性層
の前記第２の部分の側方に配置されていることを特徴と
する請求項３３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３５】前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層
の前記第２の部分の側方に配置された第１層部分と、前
記第２の磁性層の前記磁極部分層の側方に配置された第
２層部分とを有することを特徴とする請求項３４記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項３６】更に、前記薄膜コイルの前記第１層部
分を覆い、その第２の磁性層側の面が前記第１の磁性層
の前記第２の部分における第２の磁性層側の面と共に平
坦化された第１の絶縁層と、前記薄膜コイルの前記第２
層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面が前記第２の磁
性層の前記磁極部分層におけるヨーク部分層側の面と共
に平坦化された第２の絶縁層とを備えたことを特徴とす
る請求項３５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３７】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
媒体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向す
るように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドする
ための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッ
ドと、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
からなる第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有する
記録ヘッドとを備え、前記第２の磁性層がトラック幅を規定する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法であって、前記再生ヘッドを形成する工程と、前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
と、前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
含み、前記第２の磁性層を形成する工程は、トラック幅を規定する磁極部分を含む磁極部分層と、前
記磁極部分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分
層とを形成し、前記磁極部分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さを、前記磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部
から反対側の端部までの長さよりも大きくし、前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、媒体対向面
から離れた位置に配置し、媒体対向面から前記ヨーク部
分層の媒体対向面側の端面までの距離を、前記磁気抵抗
素子の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さ
以上とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項３８】前記第１の磁性層を形成する工程は、
前記薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置
された第１の部分と、前記第１の部分における前記薄膜
コイル側の面に接続され、磁極部分を形成すると共にス
ロートハイトを規定する第２の部分とを形成し、前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの少
なくとも一部を、前記第１の磁性層の前記第２の部分の
側方に配置することを特徴とする請求項３７記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３９】前記薄膜コイルを形成する工程は、前
記第１の磁性層の前記第２の部分の側方に配置された第
１層部分と、前記第２の磁性層の前記磁極部分層の側方
に配置された第２層部分とを形成することを特徴とする
請求項３８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４０】更に、前記薄膜コイルの前記第１層部
分を覆い、その第２の磁性層側の面が前記第１の磁性層
の前記第２の部分における第２の磁性層側の面と共に平
坦化された第１の絶縁層を形成する工程と、前記薄膜コ
イルの前記第２層部分を覆い、そのヨーク部分層側の面
が前記第２の磁性層の前記磁極部分層におけるヨーク部
分層側の面と共に平坦化された第２の絶縁層を形成する
工程とを含むことを特徴とする請求項３９記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。