JP3530084B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。

【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。

【０００４】ここで、図４０ないし図４３を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図４０ないし図４３において、（ａ）は薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は
薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。

【０００５】この製造方法では、まず、図４０に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。

【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。

【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。

【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。

【０００９】次に、図４１に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。

【００１０】次に、図４２に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図４２（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。

【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。

【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。

【００１３】次に、図４３に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【００１４】図４４は、図４３に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。

【００１５】図４３において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図４３に
おいて、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録トラック幅を表
している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図４３にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Ang
le）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジ
スト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコ
イル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁
極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面との
なす角度をいう。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図４３に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。

【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。

【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。

【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。

【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。

【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。

【００２３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。

【００２４】このようなことから、上述の従来例の図４
１ないし図４３の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。

【００２５】しかしながら、図４３に示したような構造
の薄膜磁気ヘッドでも、以下のような（１）ないし
（３）の問題点があった。

【００２６】（１）図４３に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅とス
ロートハイトとを規定している。従って、この薄膜磁気
ヘッドでは、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ
以下になってくると、上部磁極チップ１１０の大きさが
極めて小さくなるため、パターン端が丸みを帯びたりし
て、上部磁極チップ１１０を精度よく形成するのが困難
になる。そのため、図４３に示したような構造の薄膜磁
気ヘッドでは、記録トラック幅が極微細になってくる
と、記録トラック幅とスロートハイトとを精度よく規定
することが困難になるという問題点があった。

【００２７】（２）図４３に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅が規
定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１
１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それ
でも、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下に
なってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロ
ン幅の加工精度が要求される。しかしながら、図４３に
示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペ
ックス部の上に形成されることから、前述の理由によ
り、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であ
った。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チ
ップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることか
ら、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要
があった。これらの理由から、図４３に示した薄膜磁気
ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０
よりも広い幅に形成されていた。また、上部磁極層１１
６の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、図４３に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１
１６側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本
来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまう、いわゆるサイドライトや、記録すべき領域以外
の領域におけるデータを消去してしまう、いわゆるサイ
ドイレーズが発生するという問題点があった。このよう
な問題点は、記録ヘッドの性能を向上させるためにコイ
ルを２層や３層に形成した場合に、コイルを１層に形成
する場合に比べてエイペックス部の高さが高くなり、よ
り顕著になる。

【００２８】（３）また、図４３に示した薄膜磁気ヘッ
ドでは、上部磁極層１１６と上部磁極チップ１１０との
接触部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部
分で磁束の飽和が生じ、薄膜コイル１１２，１１４で発
生した起磁力を効率よく記録に利用することができなく
なるという問題点があった。

【００２９】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置（磁極部分のエアベアリング面とは反対
側の端部の位置）からコイルの外周端までの距離が大き
くなり、これが磁路長を短くすることを妨げる大きな要
因となっていた。このことを詳しく説明する。磁路長
は、１層のコイルよりは２層のコイルの方が短くできる
ことから、多くの高周波用の記録ヘッドでは２層コイル
を採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッドで
は、１層目のコイルを形成した後、コイルの巻線間を絶
縁するために、１層目のコイルを覆うようにフォトレジ
スト層を約２μｍの厚みで形成している。この１層目の
コイルを覆うフォトレジスト層の外周端近傍には、丸み
を帯びた部分が形成される。次に、１層目のコイルを覆
うフォトレジスト層の上に２層目のコイルを形成する
が、その際に、フォトレジスト層の外周端近傍の丸みを
帯びた部分では、コイルのシード層のエッチングができ
ず、コイルがショートするため、２層目のコイルは平坦
部に形成する必要がある。

【００３０】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイルの巻線間を絶縁するフォトレジスト層の
厚みを２μｍとし、エイペックスアングルを４５°〜５
５°とすると、磁路長としては、コイルに対応する部分
の長さに加え、コイルの外周端からスロートハイトゼロ
位置の近傍までの距離である３〜４μｍの距離の２倍
（上部磁極層と下部磁極層とのコンタクト部からコイル
内周端までの距離も３〜４μｍ必要。）の６〜８μｍが
必要である。このコイルに対応する部分以外の長さが、
磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。

【００３１】ここで、例えば、コイルの線幅が１．２μ
ｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図４３に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、
もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は
２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁
路長を、図４３において符号Ｌ₀で示したように、磁極
層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分
の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困
難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。

【００３２】ところで、図４３に示した薄膜磁気ヘッド
では、コイルは、渦巻き状に巻回されている。これに対
し、例えば米国特許第５，７０３，７４０号、特開昭４
８−５５７１８号公報、特開昭６０−１１３３１０号公
報、特開昭６３−２０１９０８号公報には、コイルを、
磁極層を中心にして螺旋状に巻回した薄膜磁気ヘッドが
示されている。このようにコイルを螺旋状に巻回した構
造によれば、コイルで発生した起磁力を効率よく磁極層
に伝えることができるため、コイルを渦巻き状に巻回し
た構造に比べて、コイルの巻き数を少なくすることがで
き、その結果、磁路長の縮小が可能となる。

【００３３】しかしながら、このようにコイルを螺旋状
に巻回した構造の従来の薄膜磁気ヘッドにおいても、エ
イペックス部ができるため、依然として、上述のように
エイペックス部に起因する問題点が残っている。

【００３４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、誘導型磁気変換素子のトラック幅を
小さくした場合でもトラック幅とスロートハイトを精度
よく規定することができ、また、磁路長の縮小を可能に
し、更に、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き
込みおよび磁路の途中における磁束の飽和を防止するこ
とができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法を提供することにある。

【００３５】

【課題を解決するための手段】本発明の第１ないし第３
の薄膜磁気ヘッドは、互いに磁気的に連結され、記録媒
体に対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極
部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１
および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２
の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で、一
部が第１および第２の磁性層の間を通過し、且つ少なく
とも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された薄膜
コイルとを備えている。

【００３６】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドでは、一方
の磁性層は、一方の面がギャップ層に隣接し、磁極部分
を形成する磁極部分層と、磁極部分層の他方の面に接続
され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを有し、薄
膜コイルの一部は、磁極部分層の側方に配置され、ヨー
ク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面から離れ
た位置に配置され、磁極部分層は、トラック幅を規定す
るトラック部と、ヨーク部分層と直接または間接的に接
触する接触部と、トラック部と接触部とを連結する連結
部とを有し、接触部は、連結部より分岐された複数の枝
部を含み、複数の枝部の間の位置における連結部の媒体
対向面とは反対側の端部によってスロートハイトが規定
される。

【００３７】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜
コイルは、一部が第１および第２の磁性層の間を通過
し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状
（つるまき状）に巻回され、薄膜コイルの一部は、一方
の磁性層の磁極部分層の側方に配置される。これによ
り、磁路長の縮小が可能になる。また、磁極部分層を平
坦な面の上に形成することが可能になり、トラック幅と
スロートハイトを精度よく規定することが可能になる。
また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性
層のヨーク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面
から離れた位置に配置され、磁極部分層の接触部は、連
結部より分岐された複数の枝部を含み、複数の枝部の間
の位置における連結部の媒体対向面とは反対側の端部に
よってスロートハイトが規定されるので、記録すべき領
域以外の領域へのデータの書き込みおよび磁路の途中に
おける磁束の飽和を防止することが可能になる。

【００３８】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、更に、
磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの一部を覆
い、ヨーク部分層側の面が平坦化された絶縁層を備えて
いてもよい。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、
更に、磁極部分層の接触部と他方の磁性層との間に配置
され、磁束の通過を阻止する磁束阻止層を備えていても
よい。

【００３９】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドでは、一方
の磁性層は、一方の面がギャップ層に隣接し、磁極部分
を形成する磁極部分層と、ヨーク部分を形成するヨーク
部分層と、一方の面が磁極部分層の他方の面に接続さ
れ、他方の面がヨーク部分層に接続された中間層とを有
し、薄膜コイルは、一部が磁極部分層の側方に配置され
た第１の部分と、一部が中間層の側方に配置された第２
の部分とを有し、中間層およびヨーク部分層の媒体対向
面側の端面は、媒体対向面から離れた位置に配置され、
磁極部分層は、トラック幅を規定するトラック部と、中
間層と接触する接触部と、トラック部と接触部とを連結
する連結部とを有し、接触部は、連結部より分岐された
複数の枝部を含み、複数の枝部の間の位置における連結
部の媒体対向面とは反対側の端部によってスロートハイ
トが規定される。

【００４０】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜
コイルは、一部が一方の磁性層の磁極部分層の側方に配
置された第１の部分と、一部が中間層の側方に配置され
た第２の部分とを有し、且つ少なくとも一方の磁性層を
中心にして螺旋状に巻回される。これにより、磁路長の
縮小が可能になる。また、磁極部分層を平坦な面の上に
形成することが可能になり、トラック幅とスロートハイ
トを精度よく規定することが可能になる。また、本発明
の第２の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性層の中間層お
よびヨーク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面
から離れた位置に配置され、磁極部分層の接触部は、連
結部より分岐された複数の枝部を含み、複数の枝部の間
の位置における連結部の媒体対向面とは反対側の端部に
よってスロートハイトが規定されるので、記録すべき領
域以外の領域へのデータの書き込みおよび磁路の途中に
おける磁束の飽和を防止することが可能になる。

【００４１】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、更に、
磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの第１の部分
の一部を覆い、中間層側の面が平坦化された第１の絶縁
層と、中間層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部
分の一部を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化された第
２の絶縁層とを備えていてもよい。

【００４２】本発明の第３の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の磁性層および第２の磁性層は、それぞれ、一方の面が
ギャップ層に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層
と、磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分を形
成するヨーク部分層とを有し、薄膜コイルは、一部が第
１の磁性層における磁極部分層の側方に配置された第１
の部分と、一部が第２の磁性層における磁極部分層の側
方に配置された第２の部分とを有し、一方の磁性層にお
けるヨーク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面
から離れた位置に配置され、一方の磁性層における磁極
部分層は、トラック幅を規定するトラック部と、ヨーク
部分層と接触する接触部と、トラック部と接触部とを連
結する連結部とを有し、接触部は、連結部より分岐され
た複数の枝部を含み、複数の枝部の間の位置における連
結部の媒体対向面とは反対側の端部によってスロートハ
イトが規定される。

【００４３】本発明の第３の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜
コイルは、一部が第１の磁性層における磁極部分層の側
方に配置された第１の部分と、一部が第２の磁性層にお
ける磁極部分層の側方に配置された第２の部分とを有
し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に
巻回される。これにより、磁路長の縮小が可能になる。
また、一方の磁性層における磁極部分層を平坦な面の上
に形成することが可能になり、トラック幅とスロートハ
イトを精度よく規定することが可能になる。また、本発
明の第３の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性層における
ヨーク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面から
離れた位置に配置され、一方の磁性層における磁極部分
層の接触部は、連結部より分岐された複数の枝部を含
み、複数の枝部の間の位置における連結部の媒体対向面
とは反対側の端部によってスロートハイトが規定される
ので、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込み
および磁路の途中における磁束の飽和を防止することが
可能になる。

【００４４】本発明の第３の薄膜磁気ヘッドは、更に、
第１の磁性層における磁極部分層の側方に配置された薄
膜コイルの第１の部分の一部を覆い、ギャップ層側の面
が平坦化された第１の絶縁層と、第２の磁性層における
磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部分
の一部を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化された第２
の絶縁層とを備えていてもよい。

【００４５】本発明の第１ないし第３の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性
層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、第１お
よび第２の磁性層に対して絶縁された状態で、一部が第
１および第２の磁性層の間を通過する薄膜コイルとを備
えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、第１の磁
性層を形成する工程と、第１の磁性層の上にギャップ層
を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁性層を形
成する工程と、第１および第２の磁性層に対して絶縁さ
れた状態で、一部が第１および第２の磁性層の間を通過
し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に
巻回されるように薄膜コイルを形成する工程とを含んで
いる。

【００４６】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、一方の磁性層を形成する工程は、一方の面がギャ
ップ層に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層を形成
する工程と、磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク
部分を形成するヨーク部分層を形成する工程とを含み、
薄膜コイルを形成する工程は、薄膜コイルの一部を磁極
部分層の側方に配置し、ヨーク部分層を形成する工程
は、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、媒体対向面
から離れた位置に配置し、磁極部分層を形成する工程
は、磁極部分層が、トラック幅を規定するトラック部
と、ヨーク部分層と直接または間接的に接触する接触部
と、トラック部と接触部とを連結する連結部とを有し、
接触部が、連結部より分岐された複数の枝部を含み、複
数の枝部の間の位置における連結部の媒体対向面とは反
対側の端部によってスロートハイトが規定されるように
磁極部分層を形成する。

【００４７】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、一方の磁性層は第２の磁性層であり、薄膜磁
気ヘッドの製造方法は、更に、磁極部分層の側方に配置
された薄膜コイルの一部を覆い、ヨーク部分層側の面が
平坦化された絶縁層を形成する工程を含んでいてもよ
い。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、磁極部分層の接触部と他方の磁性層との間に
配置され、磁束の通過を阻止する磁束阻止層を形成する
工程を含んでいてもよい。

【００４８】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、一方の磁性層を形成する工程は、一方の面がギャ
ップ層に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層を形成
する工程と、ヨーク部分を形成するヨーク部分層を形成
する工程と、一方の面が磁極部分層の他方の面に接続さ
れ、他方の面がヨーク部分層に接続される中間層を形成
する工程とを含み、薄膜コイルを形成する工程は、一部
が磁極部分層の側方に配置された第１の部分と、一部が
中間層の側方に配置された第２の部分とを形成し、中間
層を形成する工程およびヨーク部分層を形成する工程
は、中間層およびヨーク部分層の媒体対向面側の端面
を、媒体対向面から離れた位置に配置し、磁極部分層を
形成する工程は、磁極部分層が、トラック幅を規定する
トラック部と、中間層と接触する接触部と、トラック部
と接触部とを連結する連結部とを有し、接触部が、連結
部より分岐された複数の枝部を含み、複数の枝部の間の
位置における連結部の媒体対向面とは反対側の端部によ
ってスロートハイトが規定されるように磁極部分層を形
成する。

【００４９】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、一方の磁性層は第２の磁性層であり、薄膜磁
気ヘッドの製造方法は、更に、磁極部分層の側方に配置
された薄膜コイルの第１の部分の一部を覆い、中間層側
の面が平坦化された第１の絶縁層を形成する工程と、中
間層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部分の一部
を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化された第２の絶縁
層を形成する工程とを含んでいてもよい。

【００５０】本発明の第３の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１の磁性層を形成する工程および第２の磁性層
を形成する工程は、それぞれ、一方の面がギャップ層に
隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層を形成する工程
と、磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分を形
成するヨーク部分層を形成する工程とを含み、薄膜コイ
ルを形成する工程は、一部が第１の磁性層における磁極
部分層の側方に配置された第１の部分と、一部が第２の
磁性層における磁極部分層の側方に配置された第２の部
分とを形成し、一方の磁性層におけるヨーク部分層を形
成する工程は、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、
媒体対向面から離れた位置に配置し、一方の磁性層にお
ける磁極部分層を形成する工程は、磁極部分層が、トラ
ック幅を規定するトラック部と、ヨーク部分層と接触す
る接触部と、トラック部と接触部とを連結する連結部と
を有し、接触部が、連結部より分岐された複数の枝部を
含み、複数の枝部の間の位置における連結部の媒体対向
面とは反対側の端部によってスロートハイトが規定され
るように磁極部分層を形成する。

【００５１】本発明の第３の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、第１の磁性層における磁極部分層の側方に配
置された薄膜コイルの第１の部分の一部を覆い、ギャッ
プ層側の面が平坦化された第１の絶縁層を形成する工程
と、第２の磁性層における磁極部分層の側方に配置され
た薄膜コイルの第２の部分の一部を覆い、ヨーク部分層
側の面が平坦化された第２の絶縁層を形成する工程とを
含んでいてもよい。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図９を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。

【００５３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。

【００５４】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法
によって形成してもよい。アルミナ膜よりなるシールド
ギャップ膜４，７をＣＶＤ法によって形成する場合に
は、材料としては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ
（ＣＨ₃）₃）およびＨ₂Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いる
と、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャ
ップ膜４，７を形成することが可能となる。

【００５５】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８の第１の層８ａを、約２〜３μｍの厚み
で、選択的に形成する。なお、下部磁極層８は、この第
１の層８ａと、後述する第２の層８ｂおよび第３の層８
ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の層８ａは、後
述する薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配
置される。

【００５６】次に、図３に示したように、下部磁極層８
の第１の層８ａの上に、下部磁極層８の第２の層８ｂお
よび第３の層８ｃを、約１〜２μｍの厚みに形成する。
第２の層８ｂは、下部磁極層８の磁極部分を形成し、第
１の層８ａの薄膜コイルが形成される側（図において上
側）の面に接続される。第３の層８ｃは、第１の層８ａ
と後述する上部磁極層とを接続するための部分である。

【００５７】次に、全体に、アルミナ、シリコン酸化物
等の無機絶縁材料よりなる絶縁層９を、約２〜３μｍの
厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁
極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃが露出し、下
部磁極層８全体の厚みが２．５〜３．５μｍの厚みにな
るように、絶縁層９を研磨して、表面を平坦化処理す
る。

【００５８】下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の
層８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法に
よって所定のパターンに形成してもよいし、高飽和磁束
密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、ス
パッタ後、イオンミリング等によって選択的にエッチン
グして所定のパターンに形成してもよい。この他にも、
高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファ
ス材等を用いてもよい。

【００５９】次に、下部磁極層８の第２の層８ｂと第３
の層８ｃ、および絶縁層９の上に、絶縁材料よりなる記
録ギャップ層１０を、例えば０．１５〜０．３μｍの厚
みに形成する。記録ギャップ層１０に使用する絶縁材料
としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シ
リコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモ
ンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギ
ャップ層１０は、スパッタ法によって形成してもよい
し、ＣＶＤ法によって形成してもよい。アルミナ膜より
なる記録ギャップ層１０をＣＶＤ法によって形成する場
合には、材料としては例えばトリメチルアルミニウム
（Ａｌ（ＣＨ₃）₃）およびＨ₂Ｏを用いる。ＣＶＤ法を
用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ない記録ギ
ャップ層１０を形成することが可能となる。

【００６０】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
第３の層８ｃの上において、記録ギャップ層１０を部分
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。

【００６１】次に、記録ギャップ層１０の上に、上部磁
極層１１の磁極部分を形成する磁極部分層１１ａを例え
ば２〜４μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層８の
第３の層８ｃの上に形成されたコンタクトホールの位置
に、磁性層１１ｂを２〜４μｍの厚みに形成する。な
お、本実施の形態における上部磁極層１１は、磁極部分
層１１ａおよび磁性層１１ｂと、後述するヨーク部分層
１１ｃとで構成される。磁性層１１ｂは、ヨーク部分層
１１ｃと下部磁極層８の第３の層８ｃとを接続するため
の部分である。

【００６２】上部磁極層１１の磁極部分層１１ａおよび
磁性層１１ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタに
よって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材
料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いても
よい。

【００６３】次に、図４に示したように、上部磁極層１
１の磁極部分層１１ａをマスクとして、ドライエッチン
グにより、記録ギャップ層１０を選択的にエッチングす
る。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ
₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、ＣＦ₄，ＳＦ₆等のフッ素系
ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリン
グによって、下部磁極層８の第２の層８ｂを選択的に例
えば０．２〜０．５μｍの深さだけエッチングして、図
４（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム
構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束
の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止するこ
とができる。

【００６４】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜１２を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。

【００６５】次に、上部磁極層１１の磁極部分層１１ａ
と磁性層１１ｂとの間の位置における絶縁膜１２の上
に、フォトレジストをフォトリソグラフィ工程によりパ
ターニングして、薄膜コイルの第１層部分をフレームめ
っき法によって形成するための図示しないフレームを形
成する。次に、このフレームを用いて、フレームめっき
法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１３
の第１層部分１３ａを、例えば１〜２μｍの厚みに形成
する。なお、本実施の形態における薄膜コイル１３は、
第１層部分１３ａと、後述する第２層部分１３ｂおよび
連結部１３ｃとで構成される。次に、フレームを除去す
る。薄膜コイル１３の第１層部分１３ａは、上部磁極層
１１の磁極部分層１１ａの側方（図４（ａ）における右
側）に配置される。また、薄膜コイル１３の第１層部分
１３ａは、図４（ａ）における紙面に交差する方向に延
びる複数の四角柱状の部分からなる。

【００６６】次に、図５に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１４を、約３〜４μｍの厚み
に形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極層
１１の磁極部分層１１ａと磁性層１１ｂが露出するま
で、絶縁層１４を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図５（ａ）では、薄膜コイル１３の第１層部分１
３ａは露出していないが、第１層部分１３ａが露出する
ようにしてもよい。

【００６７】次に、図６に示したように、平坦化された
上部磁極層１１の磁極部分層１１ａおよび磁性層１１ｂ
と、絶縁層１４の上に、記録ヘッド用の磁性材料からな
る上部磁極層１１のヨーク部分を形成するヨーク部分層
１１ｃを、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。このヨ
ーク部分層１１ｃは、磁性層１１ｂを介して、下部磁極
層８の第３の層８ｃと接触し、磁気的に連結している。
上部磁極層１１のヨーク部分層１１ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密
度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５
重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよい
し、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の
材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他
にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモ
ルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善
のため、上部磁極層１１のヨーク部分層１１ｃを、無機
系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合
わせた構造としてもよい。

【００６８】本実施の形態では、上部磁極層１１のヨー
ク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側の端面は、エ
アベアリング面３０から離れた位置（図６（ａ）におい
て右側の位置）に配置されている。

【００６９】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１６を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層１１のヨーク部分層１
１ｃが露出するまで、絶縁層１６を研磨して、表面を平
坦化処理する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる
絶縁膜１７を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成す
る。

【００７０】次に、図示しないが、薄膜コイル１３の第
１層部分１３ａの各四角柱部分における両端部の上側の
部分において、例えば反応性イオンエッチングやイオン
ミリングによって、絶縁膜１７および絶縁層１４を貫通
して薄膜コイル１３の第１層部分１３ａに達するような
コンタクトホールを形成する。

【００７１】次に、上部磁極層１１のヨーク部分層１１
ｃの上に位置する絶縁膜１７の上に、フレームめっき法
によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１３の
第２層部分１３ｂを、例えば１〜２μｍの厚みに形成す
る。薄膜コイル１３の第２層部分１３ｂは、図６（ａ）
における紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の
部分からなる。この薄膜コイル１３の第２層部分１３ｂ
の各四角柱部分における両端部は、上記のコンタクトホ
ールに薄膜コイルの材料が充填されて形成される連結部
を介して、薄膜コイル１３の第１層部分１３ａの各四角
柱部分における両端部に接続される。

【００７２】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【００７３】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図（図７において上側に配置された図）と主要
部分についての平面図（図７において下側に配置された
図）とを対応付けて示す説明図である。図７において、
符号ＴＨはスロートハイトを表し、ＴＨ０はスロートハ
イトゼロ位置を表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表してい
る。

【００７４】図８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分を示す斜視図である。なお、この図では、
便宜上、上部磁極層１１のヨーク部分層１１ｃを破線で
示している。

【００７５】図９は、上部磁極層１１の磁極部分層１１
ａを示す平面図である。この図に示したように、磁極部
分層１１ａは、記録トラック幅Ｗ１を規定するトラック
部１１ａ₁と、ヨーク部分層１１ｃと接触する接触部１
１ａ₃と、トラック部１１ａ₁と接触部１１ａ₃とを連結
する連結部１１ａ₂とを有している。接触部１１ａ₃は、
連結部１１ａ₂より分岐された２つの枝部１１ａ₃₁，１
１ａ₃₂を含んでいる。２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の
間の位置における連結部１１ａ₂のエアベアリング面３
０とは反対側の端部１１ａ₄は、エアベアリング面３０
と平行な直線状に形成されている。本実施の形態では、
図７に示したように、端部１１ａ₄がスロートハイトＴ
Ｈを規定する。すなわち、端部１１ａ₄の位置がスロー
トハイトゼロ位置ＴＨ０となる。以下、端部１１ａ₄を
スロートハイト規定端部とも言う。また、接触部１１ａ
₃の全体の幅Ｗ２は、トラック部１１ａ₁の幅である記録
トラック幅Ｗ１よりも大きくなっている。

【００７６】枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の幅方向外側の端
縁はエアベアリング面３０に対して直交するように延び
ている。枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の幅方向内側の端縁
は、エアベアリング面３０側から見ると、途中まではエ
アベアリング面３０に対して直交するように延び、途中
からは幅方向外側に広がるように延びている。

【００７７】図７に示したように、トラック部１１ａ₁
と連結部１１ａ₂との境界の位置は、ＭＲハイトゼロ位
置（ＭＲ素子５のエアベアリング面３０とは反対側の端
部の位置）の近傍に配置されている。連結部１１ａ₂の
エアベアリング面３０側の端部はエアベアリング面３０
と平行な直線状に形成されている。

【００７８】また、図７に示したように、上部磁極層１
１のヨーク部分層１１ｃは、エアベアリング面３０側か
ら順に配置された第１の部分１１ｃ₁、第２の部分１１
ｃ₂および第３の部分１１ｃ₃を有している。第１の部分
１１ｃ₁の幅は、磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃の全
体の幅とほぼ等しい一定の幅になっている。第３の部分
１１ｃ₃の幅は第１の部分１１ｃ₁の幅よりも大きい一定
の幅になっている。第２の部分１１ｃ₂の幅は、エアベ
アリング面３０に近づくに従って、第３の部分１１ｃ₃
の幅から第１の部分１１ｃ₁の幅へ徐々に小さくなって
いる。第２の部分１１ｃ₂の幅が変化する部分における
幅方向の端縁は、エアベアリング面３０に直交する方向
に対して３０°〜６０°をなすのが好ましい。

【００７９】また、図７に示したように、上部磁極層１
１のヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側の端
面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜２．０
μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、スロート
ハイトゼロ位置ＴＨ０またはＭＲハイトゼロ位置の近傍
に配置されている。

【００８０】また、図７に示したように、薄膜コイル１
３の第１層部分１３ａと第２層部分１３ｂは、連結部１
３ｃを介してジグザク形に連結されている。これによ
り、薄膜コイル１３は、上部磁極層１１のヨーク部分層
１１ｃを中心にして螺旋状に巻回される。

【００８１】本実施の形態では、第１の層８ａ、第２の
層８ｂおよび第３の層８ｃよりなる下部磁極層８は、本
発明における第１の磁性層に対応し、磁極部分層１１
ａ、磁性層１１ｂおよびヨーク部分層１１ｃよりなる上
部磁極層１１は、本発明における第２の磁性層に対応す
る。

【００８２】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型磁
気変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子
５と、記録媒体に対向する媒体対向面すなわちエアベア
リング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するよ
うに配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シ
ールド層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを
有している。

【００８３】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁
極層８および上部磁極層１１と、この下部磁極層８の磁
極部分と上部磁極層１１の磁極部分との間に設けられた
記録ギャップ層１０と、これら下部磁極層８および上部
磁極層１１に対して絶縁された状態で、一部が下部磁極
層８および上部磁極層１１の間を通過し、且つ上部磁極
層１１を中心にして螺旋状に巻回された薄膜コイル１３
とを有している。

【００８４】上部磁極層１１は、一方の面が記録ギャッ
プ層１０に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層１１
ａと、磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分を
形成するヨーク部分層１１ｃとを有している。薄膜コイ
ル１３の一部は、磁極部分層１１ａの側方に配置されて
いる。また、ヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３
０側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位置に
配置されている。

【００８５】磁極部分層１１ａは、トラック幅を規定す
るトラック部１１ａ₁と、ヨーク部分層１１ｃと接触す
る接触部１１ａ₃と、トラック部１１ａ₁と接触部１１ａ
₃とを連結する連結部１１ａ₂とを有している。接触部１
１ａ₃は、連結部１１ａ₂より分岐された２つの枝部１１
ａ₃₁，１１ａ₃₂を含み、これらの枝部１１ａ₃₁，１１ａ
₃₂の間の位置における連結部１１ａ₂のエアベアリング
面３０とは反対側の端部１１ａ₄によってスロートハイ
トが規定される。

【００８６】また、絶縁層９は、上部磁極層１１の磁極
部分層１１ａの接触部１１ａ₃と下部磁極層８の第１の
層８ａとの間に配置され、両者の間における、磁極層
８，１１を経由しない磁束の通過を阻止する。絶縁層９
は、本発明における磁束阻止層に対応する。なお、磁束
阻止層として、絶縁層９の代りに、非磁性材料よりなる
層を設けてもよい。

【００８７】本実施の形態によれば、薄膜コイル１３
を、上部磁極層１１を中心にして螺旋状に巻回したの
で、薄膜コイル１３で発生した起磁力を効率よく上部磁
極層１１に伝えることができる。そのため、薄膜コイル
を渦巻き状に巻回した構造に比べて、薄膜コイル１３の
巻き数を少なくすることができる。

【００８８】更に、本実施の形態では、薄膜コイル１３
の第１層部分１３ａを、上部磁極層１１の磁極部分層１
１ａの側方において、平坦な絶縁膜１２上に配置し、こ
の第１層部分１３ａを覆う絶縁層１４の上面を平坦化
し、その絶縁層１４の上に上部磁極層１１のヨーク部分
層１１ｃを形成し、更に、平坦なヨーク部分層１１ｃの
上に絶縁膜１７を介して薄膜コイル１３の第２層部分１
３ｂを形成している。そのため、薄膜コイル１３の第１
層部分１３ａと第２層部分１３ｂの双方を、平坦な面の
上に形成することができる。これにより、薄膜コイル１
３を微細に形成することが可能になる。

【００８９】更に、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１３の巻線間を絶縁する絶縁層の外周端近傍に丸みを帯
びた部分が形成されないので、丸みを帯びた部分によっ
て磁路長が長くなることがない。

【００９０】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、例えば従来に比べて３０〜５０％以下程度に、磁路
長の縮小が可能となる。

【００９１】また、本実施の形態によれば、記録トラッ
ク幅とスロートハイトを規定する上部磁極層１１の磁極
部分層１１ａを平坦な面の上に形成することができるの
で、この磁極部分層１１ａを微細に精度よく形成するこ
とが可能になる。従って、本実施の形態によれば、記録
トラック幅をハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸
法にも微細に形成可能となり、このように記録トラック
幅を小さくした場合でも、記録トラック幅とスロートハ
イトを精度よく規定することが可能になる。

【００９２】また、本実施の形態では、上部磁極層１１
のヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側の端面
を、エアベアリング面３０から離れた位置に配置してい
る。そのため、本実施の形態によれば、上部磁極層１１
のヨーク部分層１１ｃがエアベアリング面３０に露出す
ることがなく、その結果、いわゆるサイドライトやサイ
ドイレーズの発生を防止することができる。

【００９３】ところで、記録トラック幅に等しい幅とス
ロートハイトに等しい長さとを有する磁極部分層にヨー
ク部分層を接続する場合には、両者の接続部分で磁路の
断面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が
生じる。また、記録トラック幅に等しい幅とスロートハ
イトに等しい長さとを有する磁極部分層にヨーク部分層
を接続する場合に、ヨーク部分層のエアベアリング面側
の端面をエアベアリング面から離れた位置に配置する
と、磁極部分層とヨーク部分層との接触面積が減少する
ため、両者の接続部分での磁束の飽和がより生じやすく
なる。また、このような磁束の飽和を防止するために磁
極部分層の長さを長くすると、スロートハイトが大きく
なってしまう。

【００９４】これに対し、本実施の形態では、磁極部分
層１１ａは、トラック幅を規定するトラック部１１ａ₁
と、ヨーク部分層１１ｃと接触する接触部１１ａ₃と、
トラック部１１ａ₁と接触部１１ａ₃とを連結する連結部
１１ａ₂とを有し、接触部１１ａ₃は、連結部１１ａ₂よ
り分岐された２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂を含み、こ
れらの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の間の位置における連結
部１１ａ₂のエアベアリング面３０とは反対側の端部１
１ａ₄によってスロートハイトが規定されるようにして
いる。

【００９５】そのため本実施の形態によれば、スロート
ハイトゼロ位置よりもエアベアリング面３０から離れた
位置においても、接触部１１ａ₃によって、磁極部分層
１１ａとヨーク部分層１１ｃとを、十分な接触面積を確
保しながら接触させることができる。従って、本実施の
形態によれば、ヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面
３０側の端面をエアベアリング面３０から離れた位置に
配置してサイドライトやサイドイレーズの発生を防止し
ながら、上部磁極層１１において磁路の断面積が急激に
減少することを防止して、磁路の途中での磁束の飽和を
防止することができる。しかも、本実施の形態では、枝
部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の間の位置における連結部１１ａ
₂のエアベアリング面３０とは反対側の端部１１ａ₄によ
ってスロートハイトが規定されるので、接触部１１ａ₃
の存在によってスロートハイトが大きくなることがな
い。

【００９６】また、本実施の形態によれば、磁極部分層
１１ａの接触部１１ａ₃の形状や大きさを制御すること
により、上部磁極層１１を通過する磁束の流れを制御す
ることが可能になる。

【００９７】以上のことから、本実施の形態によれば、
薄膜コイル１３で発生した起磁力を効率よく記録に利用
することができる。従って、本実施の形態によれば、記
録ヘッドの高周波特性や、非線形トランジションシフト
（Non-linear Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと記
す。）や、重ね書きする場合の特性であるオーバーライ
ト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能と
なる。

【００９８】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１１の磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃と下部磁極層
８の第１の層８ａとの間に、磁束の通過を阻止する磁束
阻止層としての絶縁層９を設けたので、接触部１１ａ₃
と第１の層８ａとの間における、磁極層８，１１を経由
しない磁束の通過を防止することができる。

【００９９】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１３の第１層部分１３ａを、上部磁極層１１の磁極部分
層１１ａの側方に配置し、この第１層部分１３ａを覆う
絶縁層１４の上面を平坦化し、その絶縁層１４の上に上
部磁極層１１のヨーク部分層１１ｃを形成するようにし
たので、ヨーク部分層１１ｃを平坦な面の上に平坦な層
として形成することができる。そのため、本実施の形態
によれば、ヨーク部分層１１ｃの組成を正確に制御する
ことが可能となり、薄膜磁気ヘッドの量産時に、安定し
た記録ヘッドの特性を確保することが可能となる。

【０１００】また、本実施の形態では、下部磁極層８
と、薄膜コイル１３の第１層部分１３ａの間に、記録ギ
ャップ層１０の他に、この記録ギャップ層１０よりも厚
く十分な絶縁耐圧が得られる無機材料よりなる絶縁層９
および絶縁膜１２が設けられるので、下部磁極層８と薄
膜コイル１３の第１層部分１３ａとの間に大きな絶縁耐
圧を得ることができる。

【０１０１】［第２の実施の形態］次に、図１０を参照
して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１０は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（図１０におい
て上側に配置された図）と主要部分についての平面図
（図１０において下側に配置された図）とを対応付けて
示す説明図である。

【０１０２】本実施の形態では、上部磁極層１１の磁極
部分層１１ａにおける２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ
₃₂は、エアベアリング面３０から離れるに従って互いの
間隔が広がるような形状になっている。また、連結部１
１ａ₂と２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂を合わせた部分
はＶ字形状をなしている。

【０１０３】また、上部磁極層１１のヨーク部分層１１
ｃは、エアベアリング面３０側から順に配置された第１
の部分１１ｃ₄および第２の部分１１ｃ₅を有している。
第２の部分１１ｃ₅の幅は、第１の実施の形態における
ヨーク部分層１１ｃの第３の部分１１ｃ₃と同程度の一
定の幅になっている。第１の部分１１ｃ₄の幅は、エア
ベアリング面３０に近づくに従って第２の部分１１ｃ₅
の幅から徐々に小さくなっている。第１の部分１１ｃ₄
の幅が変化する部分における幅方向の端縁は、エアベア
リング面３０に直交する方向に対して３０°〜６０°を
なすのが好ましい。

【０１０４】磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃とヨー
ク部分層１１ｃの第１の部分１１ｃ₄とが重なる部分で
は、両者の幅はほぼ等しくなっている。また、上部磁極
層１１のヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側
の端面は、スロートハイトゼロ位置またはＭＲハイトゼ
ロ位置の近傍に配置されている。

【０１０５】本実施の形態では、ヨーク部分層１１ｃの
第１の部分１１ｃ₄の幅を、エアベアリング面３０に近
づくに従って徐々に小さくなるようにすると共に、磁極
部分層１１ａの接触部１１ａ₃の形状を、エアベアリン
グ面３０に近づくに従って２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ
₃₂の間隔が徐々に小さくなるようにしたので、上部磁極
層１１において磁路の断面積が急激に減少することがな
く、磁路の途中での磁束の飽和を防止することができ
る。

【０１０６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１０７】［第３の実施の形態］次に、図１１を参照
して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１１は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（図１１におい
て上側に配置された図）と主要部分についての平面図
（図１１において下側に配置された図）とを対応付けて
示す説明図である。

【０１０８】本実施の形態では、上部磁極層１１の磁極
部分層１１ａにおける２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の
平面形状は四角形をなしている。また、連結部１１ａ₂
の平面形状は、幅方向に長い四角形をなしている。

【０１０９】また、上部磁極層１１のヨーク部分層１１
ｃは、第１の実施の形態と同様の第１の部分１１ｃ₁、
第２の部分１１ｃ₂および第３の部分１１ｃ₃を有してい
る。

【０１１０】磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃とヨー
ク部分層１１ｃの第１の部分１１ｃ₁とが重なる部分で
は、両者の幅はほぼ等しくなっている。また、上部磁極
層１１のヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側
の端面は、スロートハイトゼロ位置またはＭＲハイトゼ
ロ位置の近傍に配置されている。

【０１１１】本実施の形態では、上部磁極層１１の磁極
部分層１１ａにおける２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の
平面形状を四角形としたので、第１または第２の実施の
形態に比べて、磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃とヨ
ーク部分層１１ｃの第１の部分１１ｃ₁との接触面積を
大きくすることができ、その結果、両者の接触部分にお
ける磁束の飽和をより確実に防止することが可能にな
る。

【０１１２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１１３】［第４の実施の形態］次に、図１２および
図１３を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図
１２において、（ａ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図１３は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（図１３におい
て上側に配置された図）と主要部分についての平面図
（図１３において下側に配置された図）とを対応付けて
示す説明図である。

【０１１４】本実施の形態では、上部磁極層１１のヨー
ク部分層１１ｃは、第２の実施の形態と同様の第１の部
分１１ｃ₄および第２の部分１１ｃ₅を有している。

【０１１５】上部磁極層１１の磁極部分層１１ａにおけ
る２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の幅方向外側の端縁
は、エアベアリング面３０側から見ると、幅方向外側に
広がるように延びている。枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の幅
方向内側の端縁は、エアベアリング面３０に対して直交
するように延びている。

【０１１６】磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃とヨー
ク部分層１１ｃの第１の部分１１ｃ₄とが重なる部分で
は、両者の幅はほぼ等しくなっている。また、上部磁極
層１１のヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側
の端面は、スロートハイトゼロ位置またはＭＲハイトゼ
ロ位置の近傍に配置されている。

【０１１７】また、本実施の形態では、図１３に示した
ように、絶縁層９を、磁極部分層１１ａの２つの枝部１
１ａ₃₁，１１ａ₃₂とヨーク部分層１１ｃの第１の部分１
１ｃ ₄とが重なる２つの領域に分けて配置している。本
実施の形態では、下部磁極層８は一つの層で形成され、
下部磁極層８の上面の所定の領域に凹部が形成され、こ
の凹部に絶縁層９が埋め込まれている。なお、図１２
（ａ）および図１３における断面図は、切断線が絶縁層
９を通過するようにして表した図となっている。

【０１１８】なお、上述のような絶縁層９を形成する代
りに、例えば、磁極部分層１１ａの２つの枝部１１
ａ₃₁，１１ａ₃₂とヨーク部分層１１ｃの第１の部分１１
ｃ₄とが重なる２つの領域において、記録ギャップ層１
０の上に、フォトレジストのような有機絶縁材料よりな
る絶縁層を形成し、その上に磁極部分層１１ａを形成す
るようにしてもよい。

【０１１９】本実施の形態では、第１ないし第３の実施
の形態に比べて、磁極部分層１１ａのスロートハイト規
定端部１１ａ₄の長さを大きくしている。そのため、フ
ォトリソグラフィによって、スロートハイト規定端部１
１ａ₄を正確に形成することが可能になると共に、連結
部１１ａ₂の形状も正確に制御することが可能になる。
従って、本実施の形態によれば、スロートハイトをより
正確に規定することができる。また、本実施の形態によ
れば、連結部１１ａ₂の長さや幅の設計により、連結部
１１ａ₂における磁束の流れを制御することが可能にな
る。そして、このように磁束の流れを制御することによ
り、エアベアリング面３０において過度の磁束が発生す
ることによって生じる、いわゆる書きにじみ（記録媒体
におけるデータ記録領域が大きくなること）やサイドラ
イトやサイドイレーズを防止することが可能になると共
に、高周波帯域で生じる書きにじみを防止することが可
能になる。

【０１２０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１２１】［第５の実施の形態］次に、図１４および
図１５を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図
１４において、（ａ）は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。図１５は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（図１５におい
て上側に配置された図）と主要部分についての平面図
（図１５において下側に配置された図）とを対応付けて
示す説明図である。

【０１２２】本実施の形態では、上部磁極層１１のヨー
ク部分層１１ｃは、第２の実施の形態と同様の第１の部
分１１ｃ₄および第２の部分１１ｃ₅を有している。

【０１２３】上部磁極層１１の磁極部分層１１ａにおけ
る２つの枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂は、エアベアリング面
３０から離れるに従って互いの間隔が広がるような形状
になっている。また、連結部１１ａ₂と２つの枝部１１
ａ₃₁，１１ａ₃₂を合わせた部分はＶ字形状をなしてい
る。また、本実施の形態では、各枝部１１ａ₃₁，１１ａ
₃₂の幅は、それぞれ、エアベアリング面３０に近づくに
従って徐々に小さくなっている。

【０１２４】磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃とヨー
ク部分層１１ｃの第１の部分１１ｃ₄とが重なる部分で
は、両者の幅はほぼ等しくなっている。また、上部磁極
層１１のヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０側
の端面は、スロートハイトゼロ位置またはＭＲハイトゼ
ロ位置の近傍に配置されている。

【０１２５】また、本実施の形態では、図１５に示した
ように、絶縁層９を、磁極部分層１１ａの連結部１１ａ
₂および接触部１１ａ₃に対応する領域に配置している。
本実施の形態では、第４の実施の形態と同様に、下部磁
極層８の上面の所定の領域に凹部が形成され、この凹部
に絶縁層９が埋め込まれている。

【０１２６】また、本実施の形態では、絶縁膜１２が設
けられておらず、記録ギャップ層１０の上に薄膜コイル
１３の第１層部分１３ａが形成されている。

【０１２７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１２８】［第６の実施の形態］次に、図１６を参照
して、本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。図１６は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分についての平
面図である。

【０１２９】本実施の形態では、上部磁極層１１のヨー
ク部分層１１ｃは、第１の実施の形態と同様に、エアベ
アリング面３０側から順に配置された第１の部分１１ｃ
₁、第２の部分１１ｃ₂および第３の部分１１ｃ₃を有し
ている。本実施の形態では、第１の部分１１ｃ₁は、磁
極部分層１１ａにおける枝部１１ａ₃₁に対応する位置に
配置された枝部１１ｃ₁₁と、磁極部分層１１ａにおける
枝部１１ａ₃₂に対応する位置に配置された枝部１１ｃ₁₂
とに分割されている。

【０１３０】本実施の形態によれば、ヨーク部分層１１
ｃの第１の部分１１ｃ₁（枝部１１ｃ₁₁，１１ｃ₁₂）
が、磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃（枝部１１
ａ₃₁，１１ａ₃₂）と対応する形状になっているので、両
者の接触部分における磁束の飽和をより確実に防止する
ことが可能になる。

【０１３１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１３２】［第７の実施の形態］次に、図１７ないし
図１９を参照して、本発明の第７の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。本
実施の形態は、上部磁極層１１の磁極部分層１１ａの形
成方法を工夫した例である。図１７ないし図１９は、本
実施の形態における磁極部分層の形成手順を示す平面図
である。

【０１３３】本実施の形態における磁極部分層１１ａの
形成方法では、まず、図示しない記録ギャップ層の上
に、図１７に示したように、磁極部分層１１ａのトラッ
ク部１１ａ₁と連結部１１ａ₂となる磁性層２１を形成す
る。この磁性層２１は、Ｔ字形状をなしている。なお、
磁極部分層１１ａの接触部１１ａ₃を形成する領域で
は、記録ギャップ層の下または上に絶縁層９が形成され
ている。

【０１３４】次に、図１８に示したように、接触部１１
ａ₃を形成する領域に、接触部１１ａ₃となる磁性層２２
を形成する。この磁性層２２は、磁性層２１に接するか
一部重なるように形成される。次に、トラック部１１ａ
₁をマスクとして、記録ギャップ層と下部磁極層をエッ
チングしてトリム構造とする。次に、薄膜コイルの第１
層部分１３ａを形成する領域に絶縁膜を形成し、この絶
縁膜の上に薄膜コイルの第１層部分１３ａを形成する。

【０１３５】次に、図１９に示したように、全体に例え
ばアルミナよりなる絶縁層を形成し、例えばＣＭＰによ
って、トラック部１１ａ₁と連結部１１ａ₂が露出するま
で研磨して、表面を平坦化処理する。これにより、磁極
部分層１１ａが完成する。

【０１３６】このような磁極部分層１１ａの形成方法に
よれば、トラック部１１ａ₁と連結部１１ａ₂となる磁性
層２１を正確に形成することができる。従って、スロー
トハイト規定端部１１ａ₄を正確に形成することがで
き、スロートハイトを正確に規定することができる。

【０１３７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１３８】［第８の実施の形態］次に、図２０ないし
図２２を参照して、本発明の第８の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。本
実施の形態は、第７の実施の形態と同様に、上部磁極層
１１の磁極部分層１１ａの形成方法を工夫した例であ
る。図２０ないし図２２は、本実施の形態における磁極
部分層の形成手順を示す平面図である。

【０１３９】本実施の形態における磁極部分層１１ａの
形成方法では、まず、図示しない記録ギャップ層の上
に、図２０に示したように、磁極部分層１１ａのトラッ
ク部１１ａ₁と連結部１１ａ₂となる磁性層２１を形成す
る。本実施の形態では、磁性層２１は、接触部１１ａ₃
の枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂の一部となる部分も有し、全
体としてＹ字に近い形状をなしている。また、磁極部分
層１１ａの接触部１１ａ ₃を形成する領域では、記録ギ
ャップ層の下または上に絶縁層９が形成されている。

【０１４０】次に、図２１に示したように、接触部１１
ａ₃の枝部１１ａ₃₁，１１ａ₃₂を形成する領域に、枝部
１１ａ₃₁，１１ａ₃₂となる磁性層２２，２２を形成す
る。この磁性層２２は、磁性層２１に一部重なるように
形成される。次に、トラック部１１ａ₁をマスクとし
て、記録ギャップ層と下部磁極層をエッチングしてトリ
ム構造とする。次に、薄膜コイルの第１層部分１３ａを
形成する領域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上に薄膜
コイルの第１層部分１３ａを形成する。

【０１４１】次に、図２２に示したように、全体に例え
ばアルミナよりなる絶縁層を形成し、例えばＣＭＰによ
って、トラック部１１ａ₁と連結部１１ａ₂が露出するま
で研磨して、表面を平坦化処理する。これにより、磁極
部分層１１ａが完成する。

【０１４２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第７の実施の形態と同様である。

【０１４３】［第９の実施の形態］次に、図２３ないし
図２９を参照して、本発明の第９の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図２３ないし図２８において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０１４４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、薄
膜コイルが、上部磁極層を中心にして螺旋状に２重に巻
回されたものである。本実施の形態では、この薄膜コイ
ルのうち、外側の部分を第１の部分といい、内側の部分
を第２の部分という。なお、薄膜コイルの第１の部分と
第２の部分は、いずれも、例えば銅によって形成され
る。

【０１４５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上部シールドギャップ膜７を形成する工程ま
では、第１の実施の形態と同様である。

【０１４６】次に、図２３に示したように、上部シール
ドギャップ膜７の上に下部磁極層８を約３μｍの厚みで
選択的に形成する。

【０１４７】下部磁極層８は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であ
るＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等
を用い、めっき法によって所定のパターンに形成しても
よいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ
等の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等によっ
て選択的にエッチングして所定のパターンに形成しても
よい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦ
ｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。

【０１４８】次に、図示しないが、全体に、例えばアル
ミナよりなる絶縁層を、例えば４〜５μｍの厚みに形成
し、例えばＣＭＰによって、下部磁極層８が露出するま
で研磨して、表面を平坦化処理する。

【０１４９】次に、図２４に示したように、下部磁極層
８の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１０を、例
えば０．１５〜０．３μｍの厚みに形成する。次に、磁
路形成のために、記録ギャップ層１０を部分的にエッチ
ングしてコンタクトホールを形成する。

【０１５０】次に、記録ギャップ層１０の上に、上部磁
極層３１の磁極部分を形成する磁極部分層３１ａを例え
ば２〜４μｍの厚みに形成すると共に、上記のコンタク
トホールの位置に、磁性層３１ｂを２〜４μｍの厚みに
形成する。なお、本実施の形態における上部磁極層３１
は、磁極部分層３１ａ、磁性層３１ｂと、後述する中間
層３１ｃ、磁性層３１ｄおよびヨーク部分層３１ｅとで
構成される。磁性層３１ｂ，３１ｄは、ヨーク部分層３
１ｅと下部磁極層８とを接続するための部分である。

【０１５１】次に、図２５に示したように、上部磁極層
３１の磁極部分層３１ａをマスクとして、ドライエッチ
ングにより、記録ギャップ層１０を選択的にエッチング
する。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、
下部磁極層８を選択的に例えば０．２〜０．５μｍの深
さだけエッチングして、図２５（ｂ）に示したようなト
リム構造とする。

【０１５２】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜３２を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。

【０１５３】次に、上部磁極層３１の磁極部分層３１ａ
と磁性層３１ｂとの間の位置における絶縁膜３２の上
に、フレームめっき法によって、薄膜コイルの第１の部
分の第１層部分４１ａを、例えば１〜２μｍの厚みに形
成する。なお、薄膜コイルの第１の部分は、第１層部分
４１ａと、後述する第２層部分４１ｂおよび図示しない
連結部とで構成される。第１層部分４１ａは、上部磁極
層３１の磁極部分層３１ａの側方（図２５（ａ）におけ
る右側）に配置される。また、第１層部分３１ａは、図
２５（ａ）における紙面に交差する方向に延びる複数の
四角柱状の部分からなる。

【０１５４】次に、図２６に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３３を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極
層３１の磁極部分層３１ａと磁性層３１ｂが露出するま
で、絶縁層３３を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図２６（ａ）では、薄膜コイルの第１の部分の第
１層部分４１ａは露出していないが、第１層部分４１ａ
が露出するようにしてもよい。

【０１５５】次に、図２７に示したように、上部磁極層
３１の磁極部分層３１ａの上から絶縁層３３の上にかけ
て、上部磁極層３１の中間層３１ｃを例えば３〜４μｍ
の厚みに形成すると共に、磁性層３１ｂの上に磁性層３
１ｄを３〜４μｍの厚みに形成する。中間層３１ｃのエ
アベアリング面３０側の端面は、エアベアリング面３０
から離れた位置（図２７（ａ）において右側の位置）に
配置されている。

【０１５６】上部磁極層３１の磁極部分層３１ａ、磁性
層３１ｂ、中間層３１ｃおよび磁性層３１ｄは、ＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和
磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆ
ｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。
この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ
系アモルファス材等を用いてもよい。

【０１５７】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜３４を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。

【０１５８】次に、上部磁極層３１の中間層３１ｃと磁
性層３１ｄとの間の位置における絶縁膜３４の上に、フ
レームめっき法によって、薄膜コイルの第２の部分の第
１層部分４２ａを、例えば１〜２μｍの厚みに形成す
る。なお、薄膜コイルの第２の部分は、第１層部分４２
ａと、後述する第２層部分４２ｂおよび図示しない連結
部とで構成される。第１層部分４２ａは、上部磁極層３
１の中間層３１ｃの側方（図２７（ａ）における右側）
に配置される。また、第１層部分４２ａは、図２７
（ａ）における紙面に交差する方向に延びる複数の四角
柱状の部分からなる。

【０１５９】次に、図２８に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極
層３１の中間層３１ｃと磁性層３１ｄが露出するまで、
絶縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理する。

【０１６０】次に、平坦化された上部磁極層３１の中間
層３１ｃと磁性層３１ｄと、絶縁層３５の上に、上部磁
極層３１のヨーク部分を形成するヨーク部分層３１ｅ
を、例えば３〜４μｍの厚みに形成する。このヨーク部
分層３１ｅは、磁性層３１ｄ，３１ｂを介して、下部磁
極層８と接触し、磁気的に連結している。ヨーク部分層
３１ｅは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法に
よって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形
成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料である
ＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。ま
た、高周波特性の改善のため、ヨーク部分層３１ｅを、
無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重
ね合わせた構造としてもよい。

【０１６１】上部磁極層３１のヨーク部分層３１ｅのエ
アベアリング面３０側の端面は、エアベアリング面３０
から離れた位置（図２８（ａ）において右側の位置）に
配置されている。

【０１６２】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層３６を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層３１のヨーク部分層３
１ｅが露出するまで、絶縁層３６を研磨して、表面を平
坦化処理する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる
絶縁膜３７を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成す
る。

【０１６３】次に、図示しないが、薄膜コイルの第２の
部分の第１層部分４２ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって、絶縁膜３７および絶縁層３
５を貫通して薄膜コイルの第２の部分の第１層部分４２
ａに達するようなコンタクトホールを形成する。

【０１６４】次に、上部磁極層３１のヨーク部分層３１
ｅの上に位置する絶縁膜３７の上に、フレームめっき法
によって、薄膜コイルの第２の部分の第２層部分４２ｂ
を、例えば１〜２μｍの厚みに形成する。薄膜コイルの
第２の部分の第２層部分４２ｂは、図２８（ａ）におけ
る紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の部分か
らなる。この薄膜コイルの第２の部分の第２層部分４２
ｂの各四角柱部分における両端部は、上記のコンタクト
ホールに薄膜コイルの材料が充填されて形成される連結
部を介して、薄膜コイルの第２の部分の第１層部分４２
ａの各四角柱部分における両端部に接続される。

【０１６５】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層３８を、約３〜４μｍの厚みに形成し、その表面を
平坦化する。

【０１６６】次に、図示しないが、薄膜コイルの第１の
部分の第１層部分４１ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって絶縁層３８、絶縁膜３７およ
び絶縁層３３を貫通して薄膜コイルの第１の部分の第１
層部分４１ａに達するようなコンタクトホールを形成す
る。

【０１６７】次に、絶縁層３８の上に、フレームめっき
法によって、薄膜コイルの第１の部分の第２層部分４２
ｂを、例えば１〜２μｍの厚みに形成する。薄膜コイル
の第１の部分の第２層部分４２ｂは、図２８（ａ）にお
ける紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の部分
からなる。この薄膜コイルの第１の部分の第２層部分４
２ｂの各四角柱部分における両端部は、上記のコンタク
トホールに薄膜コイルの材料が充填されて形成される連
結部を介して、薄膜コイルの第１の部分の第１層部分４
１ａの各四角柱部分における両端部に接続される。

【０１６８】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１６９】本実施の形態では、磁極部分層３１ａ、磁
性層３１ｂ、中間層３１ｃ、磁性層３１ｄおよびヨーク
部分層３１ｅよりなる上部磁極層が、本発明における第
２の磁性層に対応する。

【０１７０】図２９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図（図２９において上側に配置された図）と
主要部分についての平面図（図２９において下側に配置
された図）とを対応付けて示す説明図である。

【０１７１】本実施の形態では、薄膜コイルの第１の部
分の第１層部分４１ａと第２層部分４１ｂは、図２９に
示した連結部４１ｃを介してジグザク形に連結されてい
る。これにより、薄膜コイルの第１の部分は、上部磁極
層３１のヨーク部分層３１ｅを中心にして螺旋状に巻回
される。同様に、薄膜コイルの第２の部分の第１層部分
４２ａと第２層部分４２ｂは、図示しない連結部を介し
てジグザク形に連結されている。これにより、薄膜コイ
ルの第２の部分も、上部磁極層３１のヨーク部分層３１
ｅを中心にして螺旋状に巻回される。

【０１７２】また、薄膜コイルの第１の部分の第２層部
分４１ｂと第２の部分の第１層部分４２ａは、図２９に
示した連結部４３によって連結される。連結部４３は、
絶縁層３８、絶縁膜３７および絶縁層３５を貫通して薄
膜コイルの第２の部分の第１層部分４２ａに達するよう
なコンタクトホールに、薄膜コイルの材料が充填されて
形成される。

【０１７３】なお、薄膜コイルの第１の部分と第２の部
分は、同じ方向の電流に対して同じ方向の磁界を発生さ
せるように巻回されている。

【０１７４】図２８および図２９に示したように、薄膜
コイルの第１の部分の第１層部分４１ａは、上部磁極層
３１の磁極部分層３１ａの側方に配置される。薄膜コイ
ルの第２の部分の第１層部分４２ａは、上部磁極層３１
の中間層３１ｃの側方に配置される。

【０１７５】図２９に示したように、上部磁極層３１の
磁極部分層３１ａは、記録トラック幅を規定するトラッ
ク部３１ａ₁と、中間層３１ｃと接触する接触部１１ａ₃
と、トラック部３１ａ₁と接触部３１ａ₃とを連結する連
結部３１ａ₂とを有している。接触部３１ａ₃は、連結部
３１ａ₂より分岐された２つの枝部３１ａ₃₁，３１ａ ₃₂
を含んでいる。２つの枝部３１ａ₃₁，３１ａ₃₂の間の位
置における連結部３１ａ₂のエアベアリング面３０とは
反対側の端部が、スロートハイト規定端部３１ａ₄とな
っている。

【０１７６】上部磁極層３１の中間層３１ｃの平面形状
は、接触部３１ａ₃の全体の幅とほぼ等しい一定の幅を
有する四角形をなしている。中間層３１ｃは、接触部３
１ａ ₃の上に配置され、接触部３１ａ₃に接触している。

【０１７７】上部磁極層３１のヨーク部分層３１ｅは、
エアベアリング面３０側から順に配置された第１の部分
３１ｅ₁、第２の部分３１ｅ₂および第３の部分３１ｅ₃
を有している。第１の部分３１ｅ₁の幅は、中間層３１
ｃの幅とほぼ等しい一定の幅になっている。第３の部分
３１ｅ₃の幅は第１の部分３１ｅ₁の幅よりも大きい一定
の幅になっている。第２の部分３１ｅ₂の幅は、エアベ
アリング面３０に近づくに従って、第３の部分３１ｅ₃
の幅から第１の部分３１ｅ₁の幅へ徐々に小さくなって
いる。第２の部分３１ｅ₂の幅が変化する部分における
幅方向の端縁は、エアベアリング面３０に直交する方向
に対して３０°〜６０°をなすのが好ましい。

【０１７８】ヨーク部分層３１ｅの第１の部分３１ｅ₁
は、中間層３１ｃの上に配置され、中間層３１ｃに接触
している。磁極部分層３１ａの接触部３１ａ₃は、中間
層３１ｃを介して、間接的にヨーク部分層３１ｅに接触
している。

【０１７９】本実施の形態によれば、上部磁極層３１を
中心にして２重に巻回された薄膜コイルを設けたので、
第１の実施の形態に比べて、薄膜コイルの起磁力を大き
くすることができ、ＮＬＴＳやオーバーライト特性をよ
り向上させることができる。

【０１８０】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第１の部分の第１層部分４１ａを上部磁極層３１の磁
極部分層３１ａの側方に配置し、この第１層部分４１ａ
を覆う絶縁層３３の上面（中間層３１ｃ側の面）を平坦
化したので、上部磁極層３１の中間層３１ｃおよび薄膜
コイルの第２の部分の第１層部分４２ａを、平坦な面の
上に精度よく形成することができる。

【０１８１】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第２の部分の第１層部分４２ａを上部磁極層３１の中
間層３１ｃの側方に配置し、この第１層部分４２ａを覆
う絶縁層３５の上面（ヨーク部分層３１ｅ側の面）を平
坦化したので、上部磁極層３１のヨーク部分層３１ｅを
平坦な面の上に精度よく形成することができる。

【０１８２】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
３１の中間層３１ｃおよびヨーク部分層３１ｅのエアベ
アリング面３０側の端面をエアベアリング面３０から離
れた位置に配置したので、サイドライトやサイドイレー
ズの発生を防止することができる。

【０１８３】また、本実施の形態では、上部磁極層３１
の磁極部分層３１ａは、トラック部３１ａ₁と連結部３
１ａ₂と接触部３１ａ₃とを有し、接触部３１ａ₃は２つ
の枝部３１ａ₃₁，３１ａ₃₂を含み、これらの枝部３１ａ
₃₁，３１ａ₃₂の間の位置における連結部３１ａ₂のエア
ベアリング面３０とは反対側の端部３１ａ₄によってス
ロートハイトが規定されるようにしている。

【０１８４】そのため本実施の形態によれば、スロート
ハイトゼロ位置よりもエアベアリング面３０から離れた
位置においても、接触部３１ａ₃によって、磁極部分層
３１ａと中間層３１ｃとを、十分な接触面積を確保しな
がら接触させることができる。従って、本実施の形態に
よれば、中間層３１ｃおよびヨーク部分層３１ｅのエア
ベアリング面３０側の端面をエアベアリング面３０から
離れた位置に配置してサイドライトやサイドイレーズの
発生を防止しながら、上部磁極層３１において磁路の断
面積が急激に減少することを防止して、磁路の途中での
磁束の飽和を防止することができる。しかも、本実施の
形態では、枝部３１ａ₃₁，３１ａ₃₂の間の位置における
連結部３１ａ₂のエアベアリング面３０とは反対側の端
部３１ａ₄によってスロートハイトが規定されるので、
接触部３１ａ₃の存在によってスロートハイトが大きく
なることがない。

【０１８５】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１８６】［第１０の実施の形態］次に、図３０を参
照して、本発明の第１０の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドおよびその製造方法について説明する。図３０は、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面
に垂直な断面を示す断面図である。

【０１８７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極
層８を、上部シールド層８Ａと下部磁極層８Ｂとに分
け、両者の間に、例えばアルミナよりなり、例えば０．
１〜０．２μｍの厚みの絶縁層５０を設けたものであ
る。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からな
る上部シールド層８Ａを形成し、その上に絶縁層５０を
形成し、その上に磁性材料からなる下部磁極層８Ｂを形
成する。

【０１８８】本実施の形態によれば、再生ヘッドの上部
シールド層８Ａと記録ヘッドの下部磁極層８Ｂとが、絶
縁層５０によって分離されているので、記録ヘッドにお
ける残留磁気が再生ヘッドのＭＲ素子５に対するノイズ
となって再生ヘッドに悪影響を与えることを防止でき、
再生ヘッドの特性を向上させることができる。この効果
は、特に、ＭＲ素子５として高出力のＧＭＲ素子を用い
る場合に顕著になる。

【０１８９】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第９の実施の形態と同様である。

【０１９０】［第１１の実施の形態］次に、図３１を参
照して、本発明の第１１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドおよびその製造方法について説明する。図３１は、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面図（図３１に
おいて上側に配置された図）と主要部分についての平面
図（図３１において下側に配置された図）とを対応付け
て示す説明図である。

【０１９１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極
層８の上面の所定の領域に凹部が形成され、この凹部に
磁束阻止層としての絶縁層９が埋め込まれたものであ
る。絶縁層９は、上部磁極層３１の磁極部分層３１ａの
接触部３１ａ₃と下部磁極層８の間に配置され、両者の
間における、磁極層８，３１を経由しない磁束の通過を
阻止する。

【０１９２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第９の実施の形態と同様である。

【０１９３】［第１２の実施の形態］次に、図３２ない
し図３９を参照して、本発明の第１２の実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明す
る。なお、図３２ないし図３９において、（ａ）はエア
ベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分の
エアベアリング面に平行な断面を示している。

【０１９４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、薄
膜コイルが、上部磁極層を中心にして螺旋状に２重に巻
回されたものである。本実施の形態では、この薄膜コイ
ルのうち、外側の部分を第１の部分といい、内側の部分
を第２の部分という。なお、薄膜コイルの第１の部分と
第２の部分は、いずれも、例えば銅によって形成され
る。

【０１９５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上部シールドギャップ膜７を形成する工程ま
では、第１の実施の形態と同様である。

【０１９６】次に、図３２に示したように、上部シール
ドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッド
と記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部
磁極層（以下、下部磁極層と記す。）５８のヨーク部分
層５８ａを、約１〜２μｍの厚みで、選択的に形成す
る。なお、下部磁極層５８は、このヨーク部分層５８ａ
と、後述する磁極部分層５８ｂおよび磁性層５８ｃとで
構成される。下部磁極層５８のヨーク部分層５８ａは、
後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に
配置される。

【０１９７】次に、図３３に示したように、下部磁極層
５８のヨーク部分層５８ａの上に、下部磁極層５８の磁
極部分層５８ｂおよび磁性層５８ｃを、約１．５〜２．
５μｍの厚みに形成する。磁極部分層５８ｂは、下部磁
極層５８の磁極部分を形成し、ヨーク部分層５８ａの薄
膜コイルが形成される側（図において上側）の面に接続
される。磁性層５８ｃは、ヨーク部分層５８ａと後述す
る上部磁極層とを接続するための部分である。

【０１９８】下部磁極層５８の磁極部分層５８ｂおよび
磁性層５８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって所定のパターンに形成してもよいし、高
飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を
用い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的に
エッチングして所定のパターンに形成してもよい。この
他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系ア
モルファス材等を用いてもよい。

【０１９９】次に、図３４に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁膜５９を、約０．３〜０．６
μｍの厚みに形成する。

【０２００】次に、下部磁極層５８の磁極部分層５８ｂ
と磁性層５８ｃとの間の位置における絶縁膜５９の上
に、フレームめっき法によって、薄膜コイルの第１の部
分の第１層部分７１ａを、例えば１〜２μｍの厚みに形
成する。なお、薄膜コイルの第１の部分は、第１層部分
７１ａと、後述する第２層部分７１ｂおよび図示しない
連結部とで構成される。第１層部分７１ａは、下部磁極
層５８の磁極部分層５８ｂの側方（図３４（ａ）におけ
る右側）に配置される。また、第１層部分７１ａは、図
３４（ａ）における紙面に交差する方向に延びる複数の
四角柱状の部分からなる。

【０２０１】次に、図３５に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層６０を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極
層５８の磁極部分層５８ｂと磁性層５８ｃが露出するま
で、絶縁層６０を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図３５（ａ）では、薄膜コイルの第１の部分の第
１層部分７１ａは露出していないが、第１層部分７１ａ
が露出するようにしてもよい。

【０２０２】次に、図３６に示したように、下部磁極層
５８の磁極部分層５８ｂと磁性層５８ｃ、および絶縁層
６０の上に、記録ギャップ層１０を例えば０．１５〜
０．３μｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のため
に、下部磁極層５８の磁性層５８ｃの上において、記録
ギャップ層１０を部分的にエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する。

【０２０３】次に、記録ギャップ層１０の上に、上部磁
極層１１の磁極部分層１１ａを例えば２〜４μｍの厚み
に形成すると共に、下部磁極層５８の磁性層５８ｃの上
に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性層１１ｂ
を２〜４μｍの厚みに形成する。

【０２０４】次に、上部磁極層１１の磁極部分層１１ａ
をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャッ
プ層１０を選択的にエッチングする。次に、例えばアル
ゴンイオンミリングによって、下部磁極層５８の磁極部
分層５８ｂを選択的に例えば０．２〜０．５μｍの深さ
だけエッチングして、図３６（ｂ）に示したようなトリ
ム構造とする。

【０２０５】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜６２を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。

【０２０６】次に、上部磁極層１１の磁極部分層１１ａ
と磁性層１１ｂとの間の位置における絶縁膜６２の上
に、フレームめっき法によって、薄膜コイルの第２の部
分の第１層部分７２ａを、例えば１〜２μｍの厚みに形
成する。なお、薄膜コイルの第２の部分は、第１層部分
７２ａと、後述する第２層部分７２ｂおよび図示しない
連結部とで構成される。第１層部分７２ａは、上部磁極
層１１の磁極部分層１１ａの側方（図３６（ａ）におけ
る右側）に配置される。また、第１層部分７２ａは、図
３６（ａ）における紙面に交差する方向に延びる複数の
四角柱状の部分からなる。

【０２０７】次に、図３７に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層６３を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極
層１１の磁極部分層１１ａと磁性層１１ｂが露出するま
で、絶縁層６３を研磨して、表面を平坦化処理する。

【０２０８】次に、図３８に示したように、平坦化され
た上部磁極層１１の磁極部分層１１ａおよび磁性層１１
ｂと、絶縁層６３の上に、上部磁極層１１のヨーク部分
層１１ｃを、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。この
ヨーク部分層１１ｃは、磁性層１１ｂを介して、下部磁
極層５８の磁性層５８ｃと接触し、磁気的に連結してい
る。また、ヨーク部分層１１ｃのエアベアリング面３０
側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位置（図
３８（ａ）において右側の位置）に配置されている。

【０２０９】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層６４を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層１１のヨーク部分層１
１ｃが露出するまで、絶縁層６４を研磨して、表面を平
坦化処理する。

【０２１０】次に、図３９に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁膜６５を、約０．３〜０．５
μｍの厚みに形成する。

【０２１１】次に、図示しないが、薄膜コイルの第２の
部分の第１層部分７２ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって、絶縁膜６５および絶縁層６
３を貫通して薄膜コイルの第２の部分の第１層部分７２
ａに達するようなコンタクトホールを形成する。

【０２１２】次に、上部磁極層１１のヨーク部分層１１
ｃの上に位置する絶縁膜６５の上に、フレームめっき法
によって、薄膜コイルの第２の部分の第２層部分７２ｂ
を、例えば１〜２μｍの厚みに形成する。薄膜コイルの
第２の部分の第２層部分７２ｂは、図３９（ａ）におけ
る紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の部分か
らなる。この薄膜コイルの第２の部分の第２層部分７２
ｂの各四角柱部分における両端部は、上記のコンタクト
ホールに薄膜コイルの材料が充填されて形成される連結
部を介して、薄膜コイルの第２の部分の第１層部分７２
ａの各四角柱部分における両端部に接続される。

【０２１３】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層６６を、約３〜４μｍの厚みに形成し、その表面を
平坦化する。

【０２１４】次に、図示しないが、薄膜コイルの第１の
部分の第１層部分７１ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって絶縁層６６、絶縁膜６５、記
録ギャップ層１０および絶縁層６０を貫通して薄膜コイ
ルの第１の部分の第１層部分７１ａに達するようなコン
タクトホールを形成する。

【０２１５】次に、絶縁層６６の上に、フレームめっき
法によって、薄膜コイルの第１の部分の第２層部分７２
ｂを、例えば１〜２μｍの厚みに形成する。薄膜コイル
の第１の部分の第２層部分７２ｂは、図３９（ａ）にお
ける紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の部分
からなる。この薄膜コイルの第１の部分の第２層部分７
２ｂの各四角柱部分における両端部は、上記のコンタク
トホールに薄膜コイルの材料が充填されて形成される連
結部を介して、薄膜コイルの第１の部分の第１層部分７
１ａの各四角柱部分における両端部に接続される。

【０２１６】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層６７を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０２１７】本実施の形態では、ヨーク部分層５８ａ、
磁極部分層５８ｂおよび磁性層５８ｃよりなる下部磁極
層が、本発明における第１の磁性層に対応する。

【０２１８】本実施の形態では、第９の実施の形態と同
様に、薄膜コイルの第１の部分の第１層部分７１ａと第
２層部分７１ｂは、図示しない連結部を介してジグザク
形に連結されている。これにより、薄膜コイルの第１の
部分は、上部磁極層１１のヨーク部分層１１ｃを中心に
して螺旋状に巻回される。同様に、薄膜コイルの第２の
部分の第１層部分７２ａと第２層部分７２ｂは、図示し
ない連結部を介してジグザク形に連結されている。これ
により、薄膜コイルの第２の部分も、上部磁極層１１の
ヨーク部分層１１ｃを中心にして螺旋状に巻回される。

【０２１９】また、第９の実施の形態と同様に、薄膜コ
イルの第１の部分の第２層部分７１ｂと第２の部分の第
１層部分７２ａは、図示しない連結部によって連結され
る。この連結部は、絶縁層６６、絶縁膜６５および絶縁
層６３を貫通して薄膜コイルの第２の部分の第１層部分
７２ａに達するようなコンタクトホールに、薄膜コイル
の材料が充填されて形成される。

【０２２０】なお、薄膜コイルの第１の部分と第２の部
分は、同じ方向の電流に対して同じ方向の磁界を発生さ
せるように巻回されている。

【０２２１】本実施の形態によれば、薄膜コイルの第１
の部分の第１層部分７１ａを下部磁極層５８の磁極部分
層５８ｂの側方に配置し、この第１層部分７１ａを覆う
絶縁層６０の上面（記録ギャップ層１０側の面）を平坦
化したので、上部磁極層１１の磁極部分層１１ａを、平
坦な面の上に精度よく形成することができる。

【０２２２】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第２の部分の第１層部分７２ａを上部磁極層１１の磁
極部分層１１ａの側方に配置し、この磁極部分層１１ａ
を覆う絶縁層６３の上面（ヨーク部分層１１ｃ側の面）
を平坦化したので、上部磁極層１１のヨーク部分層１１
ｃを平坦な面の上に精度よく形成することができる。

【０２２３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１または第９の実施の形態と同様であ
る。

【０２２４】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形
態では、磁極部分層の接触部が２つの枝部を含むように
したが、接触部が３つ以上の枝部を含むようにしてもよ
い。

【０２２５】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

【０２２６】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。

【０２２７】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。

【０２２８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項８ないし
１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、薄膜コイルは、一部が第１および第２の磁性層の
間を通過し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして
螺旋状に巻回され、薄膜コイルの一部は、一方の磁性層
の磁極部分層の側方に配置されるので、磁路長の縮小が
可能になるという効果を奏する。また、本発明によれ
ば、磁極部分層を平坦な面の上に形成することが可能に
なり、トラック幅とスロートハイトを精度よく規定する
ことが可能になるという効果を奏する。また、本発明に
よれば、一方の磁性層のヨーク部分層の媒体対向面側の
端面は、媒体対向面から離れた位置に配置され、磁極部
分層の接触部は、連結部より分岐された複数の枝部を含
み、複数の枝部の間の位置における連結部の媒体対向面
とは反対側の端部によってスロートハイトが規定される
ので、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込み
および磁路の途中における磁束の飽和を防止することが
可能になるという効果を奏する。

【０２２９】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの一部を覆
い、ヨーク部分層側の面が平坦化された絶縁層を設けた
ので、更に、ヨーク部分層を平坦な面の上に精度よく形
成することが可能になるという効果を奏する。

【０２３０】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁極部分層の接触部と他方の磁性層との間に配置さ
れ、磁束の通過を阻止する磁束阻止層を設けたので、更
に、磁性層を経由せずに、磁極部分層の接触部と他方の
磁性層との間を磁束が通過することを防止することがで
きるという効果を奏する。

【０２３１】請求項４または５記載の薄膜磁気ヘッドも
しくは請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、薄膜コイルは、一部が一方の磁性層の
磁極部分層の側方に配置された第１の部分と、一部が中
間層の側方に配置された第２の部分とを有し、且つ少な
くとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回されるの
で、磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。ま
た、磁極部分層を平坦な面の上に形成することが可能に
なり、トラック幅とスロートハイトを精度よく規定する
ことが可能になるという効果を奏する。また、本発明に
よれば、一方の磁性層の中間層およびヨーク部分層の媒
体対向面側の端面は、媒体対向面から離れた位置に配置
され、磁極部分層の接触部は、連結部より分岐された複
数の枝部を含み、複数の枝部の間の位置における連結部
の媒体対向面とは反対側の端部によってスロートハイト
が規定されるので、記録すべき領域以外の領域へのデー
タの書き込みおよび磁路の途中における磁束の飽和を防
止することが可能になるという効果を奏する。

【０２３２】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの第１の
部分の一部を覆い、中間層側の面が平坦化された第１の
絶縁層と、中間層の側方に配置された薄膜コイルの第２
の部分の一部を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化され
た第２の絶縁層とを設けたので、更に、中間層およびヨ
ーク部分層をそれぞれ平坦な面の上に精度よく形成する
ことが可能になるという効果を奏する。

【０２３３】請求項６または７記載の薄膜磁気ヘッドも
しくは請求項１３または１４記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、薄膜コイルは、一部が第１の磁性層に
おける磁極部分層の側方に配置された第１の部分と、一
部が第２の磁性層における磁極部分層の側方に配置され
た第２の部分とを有し、且つ少なくとも一方の磁性層を
中心にして螺旋状に巻回されるので、磁路長の縮小が可
能になるという効果を奏する。また、一方の磁性層にお
ける磁極部分層を平坦な面の上に形成することが可能に
なり、トラック幅とスロートハイトを精度よく規定する
ことが可能になるという効果を奏する。また、本発明に
よれば、一方の磁性層におけるヨーク部分層の媒体対向
面側の端面は、媒体対向面から離れた位置に配置され、
一方の磁性層における磁極部分層の接触部は、連結部よ
り分岐された複数の枝部を含み、複数の枝部の間の位置
における連結部の媒体対向面とは反対側の端部によって
スロートハイトが規定されるので、記録すべき領域以外
の領域へのデータの書き込みおよび磁路の途中における
磁束の飽和を防止することが可能になるという効果を奏
する。

【０２３４】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層における磁極部分層の側方に配置され
た薄膜コイルの第１の部分の一部を覆い、ギャップ層側
の面が平坦化された第１の絶縁層と、第２の磁性層にお
ける磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの第２の
部分の一部を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化された
第２の絶縁層とを設けたので、更に、第２の磁性層にお
ける磁極部分層およびヨーク部分層をそれぞれ平坦な面
の上に精度よく形成することが可能になるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付けて
示す説明図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分を示す斜視図である。

【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける上部磁極層の磁極部分層を示す平面図であ
る。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付け
て示す説明図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付け
て示す説明図である。

【図１２】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付け
て示す説明図である。

【図１４】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１５】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付け
て示す説明図である。

【図１６】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分についての平面図である。

【図１７】本発明の第７の実施の形態における磁極部分
層の形成手順を示す平面図である。

【図１８】本発明の第７の実施の形態における磁極部分
層の形成手順を示す平面図である。

【図１９】本発明の第７の実施の形態における磁極部分
層の形成手順を示す平面図である。

【図２０】本発明の第８の実施の形態における磁極部分
層の形成手順を示す平面図である。

【図２１】本発明の第８の実施の形態における磁極部分
層の形成手順を示す平面図である。

【図２２】本発明の第８の実施の形態における磁極部分
層の形成手順を示す平面図である。

【図２３】本発明の第９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２８】本発明の第９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図２９】本発明の第９の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付け
て示す説明図である。

【図３０】本発明の第１０の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの断面図である。

【図３１】本発明の第１１の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの断面図と主要部分についての平面図とを対応付
けて示す説明図である。

【図３２】本発明の第１２の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面
図である。

【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３６】図３５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３７】図３６に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３８】図３７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３９】本発明の第１２の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの断面図である。

【図４０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図４１】図４０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４２】図４１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４３】図４２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４４】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…絶縁層、１０…記録ギャッ
プ層、１１…上部磁極層、１１ａ…磁極部分層、１１ａ
₁…トラック部、１１ａ₂…連結部、１１ａ₃…接触部、
１１ａ₃₁，１１ａ₃₂…枝部、１１ａ₄…スロートハイト
規定端部、１１ｂ…磁性層、１１ｃ…ヨーク部分層、１
３ａ…薄膜コイルの第１層部分、１３ｂ…薄膜コイルの
第２層部分、１４…絶縁層、１７…絶縁膜、１９…オー
バーコート層。

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
   向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
   含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
   第２の磁性層と、 前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極
   部分との間に設けられたギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
   で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
   且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
   された薄膜コイルとを備え、 一方の磁性層は、一方の面が前記ギャップ層に隣接し、
   磁極部分を形成する磁極部分層と、前記磁極部分層の他
   方の面に接続され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層
   とを有し、 前記薄膜コイルの一部は、前記磁極部分層の側方におい
   て平坦な面の上に配置され、 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面は、媒体対向面
   から離れた位置に配置され、 前記磁極部分層は、トラック幅を規定するトラック部
   と、前記ヨーク部分層と直接または間接的に接触する接
   触部と、前記トラック部と前記接触部とを連結する連結
   部とを有し、前記接触部は、前記連結部より分岐された
   複数の枝部を含み、複数の枝部の間の位置における前記
   連結部の媒体対向面とは反対側の端部によってスロート
   ハイトが規定されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 更に、前記磁極部分層の側方に配置され
   た薄膜コイルの一部を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦
   化された絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１記載
   の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 更に、前記磁極部分層の接触部と他方の
   磁性層との間に配置され、磁束の通過を阻止する磁束阻
   止層を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の
   薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
   向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
   含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
   第２の磁性層と、 前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極
   部分との間に設けられたギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
   で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
   且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
   された薄膜コイルとを備え、 一方の磁性層は、一方の面が前記ギャップ層に隣接し、
   磁極部分を形成する磁極部分層と、ヨーク部分を形成す
   るヨーク部分層と、一方の面が前記磁極部分層の他方の
   面に接続され、他方の面が前記ヨーク部分層に接続され
   た中間層とを有し、 前記薄膜コイルは、一部が前記磁極部分層の側方におい
   て平坦な面の上に配置された第１の部分と、一部が前記
   中間層の側方において平坦な面の上に配置された第２の
   部分とを有し、 前記中間層および前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端
   面は、媒体対向面から離れた位置に配置され、 前記磁極部分層は、トラック幅を規定するトラック部
   と、前記中間層と接触する接触部と、前記トラック部と
   前記接触部とを連結する連結部とを有し、前記接触部
   は、前記連結部より分岐された複数の枝部を含み、複数
   の枝部の間の位置における前記連結部の媒体対向面とは
   反対側の端部によってスロートハイトが規定されること
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 更に、前記磁極部分層の側方に配置され
   た薄膜コイルの第１の部分の一部を覆い、中間層側の面
   が平坦化された第１の絶縁層と、前記中間層の側方に配
   置された薄膜コイルの第２の部分の一部を覆い、ヨーク
   部分層側の面が平坦化された第２の絶縁層とを備えたこ
   とを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
   向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
   含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
   第２の磁性層と、 前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極
   部分との間に設けられたギャップ層と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
   で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
   且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
   された薄膜コイルとを備え、 前記第１の磁性層および第２の磁性層は、それぞれ、一
   方の面が前記ギャップ層に隣接し、磁極部分を形成する
   磁極部分層と、前記磁極部分層の他方の面に接続され、
   ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを有し、 前記薄膜コイルは、一部が前記第１の磁性層における磁
   極部分層の側方において平坦な面の上に配置された第１
   の部分と、一部が前記第２の磁性層における磁極部分層
   の側方において平坦な面の上に配置された第２の部分と
   を有し、 一方の磁性層におけるヨーク部分層の媒体対向面側の端
   面は、媒体対向面から離れた位置に配置され、 一方の磁性層における磁極部分層は、トラック幅を規定
   するトラック部と、ヨーク部分層と接触する接触部と、
   前記トラック部と前記接触部とを連結する連結部とを有
   し、前記接触部は、前記連結部より分岐された複数の枝
   部を含み、複数の枝部の間の位置における前記連結部の
   媒体対向面とは反対側の端部によってスロートハイトが
   規定されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 更に、前記第１の磁性層における磁極部
   分層の側方に配置された薄膜コイルの第１の部分の一部
   を覆い、ギャップ層側の面が平坦化された第１の絶縁層
   と、前記第２の磁性層における磁極部分層の側方に配置
   された薄膜コイルの第２の部分の一部を覆い、ヨーク部
   分層側の面が平坦化された第２の絶縁層とを備えたこと
   を特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
   向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を
   含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
   第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第
   ２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
   と、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
   態で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過す
   る薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
   って、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
   と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
   と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
   で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
   且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
   されるように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、 一方の磁性層を形成する工程は、一方の面が前記ギャッ
   プ層に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層を形成す
   る工程と、前記磁極部分層の他方の面に接続され、ヨー
   ク部分を形成するヨーク部分層を形成する工程とを含
   み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの一
   部を前記磁極部分層の側方において平坦な面の上に配置
   し、 前記ヨーク部分層を形成する工程は、前記ヨーク部分層
   の媒体対向面側の端面を、媒体対向面から離れた位置に
   配置し、 前記磁極部分層を形成する工程は、前記磁極部分層が、
   トラック幅を規定するトラック部と、前記ヨーク部分層
   と直接または間接的に接触する接触部と、前記トラック
   部と前記接触部とを連結する連結部とを有し、前記接触
   部が、前記連結部より分岐された複数の枝部を含み、複
   数の枝部の間の位置における前記連結部の媒体対向面と
   は反対側の端部によってスロートハイトが規定されるよ
   うに前記磁極部分層を形成することを特徴とする薄膜磁
   気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 前記一方の磁性層は第２の磁性層であ
   り、 更に、前記磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの
   一部を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化された絶縁層
   を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の
   薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 更に、前記磁極部分層の接触部と他方
    の磁性層との間に配置され、磁束の通過を阻止する磁束
    阻止層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８
    または９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分
    を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１およ
    び第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記
    第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
    と、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
    態で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過す
    る薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
    って、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
    で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
    且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
    されるように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、 一方の磁性層を形成する工程は、一方の面が前記ギャッ
    プ層に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層を形成す
    る工程と、ヨーク部分を形成するヨーク部分層を形成す
    る工程と、一方の面が前記磁極部分層の他方の面に接続
    され、他方の面が前記ヨーク部分層に接続される中間層
    を形成する工程とを含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、一部が前記磁極部分
    層の側方において平坦な面の上に配置された第１の部分
    と、一部が前記中間層の側方において平坦な面の上に配
    置された第２の部分とを形成し、 前記中間層を形成する工程およびヨーク部分層を形成す
    る工程は、前記中間層および前記ヨーク部分層の媒体対
    向面側の端面を、媒体対向面から離れた位置に配置し、 前記磁極部分層を形成する工程は、前記磁極部分層が、
    トラック幅を規定するトラック部と、前記中間層と接触
    する接触部と、前記トラック部と前記接触部とを連結す
    る連結部とを有し、前記接触部が、前記連結部より分岐
    された複数の枝部を含み、複数の枝部の間の位置におけ
    る前記連結部の媒体対向面とは反対側の端部によってス
    ロートハイトが規定されるように前記磁極部分層を形成
    することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記一方の磁性層は第２の磁性層であ
    り、 更に、前記磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの
    第１の部分の一部を覆い、中間層側の面が平坦化された
    第１の絶縁層を形成する工程と、前記中間層の側方に配
    置された薄膜コイルの第２の部分の一部を覆い、ヨーク
    部分層側の面が平坦化された第２の絶縁層を形成する工
    程とを含むことを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する媒体対向面側において互いに対向する磁極部分
    を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１およ
    び第２の磁性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記
    第２の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層
    と、前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状
    態で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過す
    る薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
    って、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
    と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
    で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
    且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
    されるように前記薄膜コイルを形成する工程とを含み、 前記第１の磁性層を形成する工程および第２の磁性層を
    形成する工程は、それぞれ、一方の面が前記ギャップ層
    に隣接し、磁極部分を形成する磁極部分層を形成する工
    程と、前記磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部
    分を形成するヨーク部分層を形成する工程とを含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、一部が前記第１の磁
    性層における磁極部分層の側方において平坦な面の上に
    配置された第１の部分と、一部が前記第２の磁性層にお
    ける磁極部分層の側方において平坦な面の上に配置され
    た第２の部分とを形成し、 一方の磁性層におけるヨーク部分層を形成する工程は、
    ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、媒体対向面から
    離れた位置に配置し、 一方の磁性層における磁極部分層を形成する工程は、磁
    極部分層が、トラック幅を規定するトラック部と、前記
    ヨーク部分層と接触する接触部と、前記トラック部と前
    記接触部とを連結する連結部とを有し、前記接触部が、
    前記連結部より分岐された複数の枝部を含み、複数の枝
    部の間の位置における前記連結部の媒体対向面とは反対
    側の端部によってスロートハイトが規定されるように前
    記磁極部分層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
14. 【請求項１４】 更に、前記第１の磁性層における磁極
    部分層の側方に配置された薄膜コイルの第１の部分の一
    部を覆い、ギャップ層側の面が平坦化された第１の絶縁
    層を形成する工程と、前記第２の磁性層における磁極部
    分層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部分の一部
    を覆い、ヨーク部分層側の面が平坦化された第２の絶縁
    層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１３
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。