JP3421635B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。
【０００４】ここで、図２５ないし図２８を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２５ないし図２８において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２５ないし図２８において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００５】この製造方法では、まず、図２５に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。
【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
【０００９】次に、図２６に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。
【００１０】次に、図２７に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図２７（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図２７（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。
【００１３】次に、図２８に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄
膜磁気ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄
膜磁気ヘッドが完成する。
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄
膜磁気ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄
膜磁気ヘッドが完成する。
【００１４】図２９は、図２８に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。
【００１５】図２８において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図２８に
おいて、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録トラック幅を表
している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２８にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex An
gle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレ
ジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がった
コイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における
磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面と
のなす角度をいう。
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図２８に
おいて、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録トラック幅を表
している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２８にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex An
gle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレ
ジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がった
コイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における
磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面と
のなす角度をいう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２８に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。
を向上させるには、図２８に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。
【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。
【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。
【００２４】このようなことから、上述の従来例の図２
６ないし図２８の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。
６ないし図２８の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。
【００２５】しかしながら、図２８に示したような構造
の薄膜磁気ヘッドでも、以下のような（１）ないし
（３）の問題点があった。
の薄膜磁気ヘッドでも、以下のような（１）ないし
（３）の問題点があった。
【００２６】（１）図２８に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅とス
ロートハイトとを規定している。従って、この薄膜磁気
ヘッドでは、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ
以下になってくると、上部磁極チップ１１０の大きさが
極めて小さくなるため、パターン端が丸みを帯びたりし
て、上部磁極チップ１１０を精度よく形成するのが困難
になる。そのため、図２８に示したような構造の薄膜磁
気ヘッドでは、記録トラック幅が極微細になってくる
と、記録トラック幅とスロートハイトとを精度よく規定
することが困難になるという問題点があった。
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅とス
ロートハイトとを規定している。従って、この薄膜磁気
ヘッドでは、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ
以下になってくると、上部磁極チップ１１０の大きさが
極めて小さくなるため、パターン端が丸みを帯びたりし
て、上部磁極チップ１１０を精度よく形成するのが困難
になる。そのため、図２８に示したような構造の薄膜磁
気ヘッドでは、記録トラック幅が極微細になってくる
と、記録トラック幅とスロートハイトとを精度よく規定
することが困難になるという問題点があった。
【００２７】（２）図２８に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅が規
定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１
１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それ
でも、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下に
なってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロ
ン幅の加工精度が要求される。しかしながら、図２８に
示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペ
ックス部の上に形成されることから、前述の理由によ
り、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であ
った。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チ
ップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることか
ら、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要
があった。これらの理由から、図２８に示した薄膜磁気
ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０
よりも広い幅に形成されていた。また、上部磁極層１１
６の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、図２８に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１
１６側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本
来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまう、いわゆるサイドライトが発生するという問題点
があった。このような問題点は、記録ヘッドの性能を向
上させるためにコイルを２層や３層に形成した場合に、
コイルを１層に形成する場合に比べてエイペックス部の
高さが高くなり、より顕著になる。
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅が規
定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１
１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それ
でも、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下に
なってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロ
ン幅の加工精度が要求される。しかしながら、図２８に
示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペ
ックス部の上に形成されることから、前述の理由によ
り、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であ
った。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チ
ップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることか
ら、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要
があった。これらの理由から、図２８に示した薄膜磁気
ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０
よりも広い幅に形成されていた。また、上部磁極層１１
６の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、図２８に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１
１６側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本
来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまう、いわゆるサイドライトが発生するという問題点
があった。このような問題点は、記録ヘッドの性能を向
上させるためにコイルを２層や３層に形成した場合に、
コイルを１層に形成する場合に比べてエイペックス部の
高さが高くなり、より顕著になる。
【００２８】（３）また、図２８に示した薄膜磁気ヘッ
ドでは、上部磁極層１１６と上部磁極チップ１１０との
接触部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部
分で磁束の飽和が生じ、薄膜コイル１１２，１１４で発
生した起磁力を効率よく記録に利用することができなく
なるという問題点があった。
ドでは、上部磁極層１１６と上部磁極チップ１１０との
接触部分で磁路の断面積が急激に減少するため、この部
分で磁束の飽和が生じ、薄膜コイル１１２，１１４で発
生した起磁力を効率よく記録に利用することができなく
なるという問題点があった。
【００２９】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置（スロートハイトを決定する絶縁層のエ
アベアリング面側の端部の位置）からコイルの外周端ま
での距離が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因
となっていた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコ
イルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録
ヘッドでは２層コイルを採用している。しかしながら、
従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、
コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜
を約２μｍの厚みで形成している。そのため、１層目の
コイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部
が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成す
るが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイル
のシード層のエッチングができず、コイルがショートす
るため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要があ
る。
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置（スロートハイトを決定する絶縁層のエ
アベアリング面側の端部の位置）からコイルの外周端ま
での距離が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因
となっていた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコ
イルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録
ヘッドでは２層コイルを採用している。しかしながら、
従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、
コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜
を約２μｍの厚みで形成している。そのため、１層目の
コイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部
が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成す
るが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイル
のシード層のエッチングができず、コイルがショートす
るため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要があ
る。
【００３０】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ
必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ
必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。
【００３１】ここで、例えば、コイルの線幅が１．２μ
ｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図２８に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、
もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は
２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁
路長を、図２８において符号Ｌ0で示したように、磁極
層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分
の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困
難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。
ｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図２８に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、
もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は
２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁
路長を、図２８において符号Ｌ0で示したように、磁極
層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分
の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困
難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。
【００３２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、誘導型磁気変換素子のトラッ
ク幅を小さくした場合でもトラック幅とスロートハイト
を精度よく規定することができると共に、磁路の途中で
の磁束の飽和を防止することができるようにした薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
ので、その第１の目的は、誘導型磁気変換素子のトラッ
ク幅を小さくした場合でもトラック幅とスロートハイト
を精度よく規定することができると共に、磁路の途中で
の磁束の飽和を防止することができるようにした薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００３３】本発明の第２の目的は、上記第１の目的に
加え、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込み
を防止することができるようにした薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
加え、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込み
を防止することができるようにした薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
【００３４】本発明の第３の目的は、上記第１の目的に
加え、磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。
加え、磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。
【００３５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、一方の磁
性層が、一方の面が記録ギャップ層に隣接し、幅が記録
トラック幅に等しく、長さがスロートハイトに等しく、
磁極部分の一部となる第１の磁極部分層と、一方の面が
第１の磁極部分層の他方の面に接触し、第１の磁極部分
層に接触する部分の幅が第１の磁極部分層の幅と等し
く、且つ全体の長さが第１の磁極部分層の長さよりも大
きく、磁極部分の他の一部となる第２の磁極部分層と、
第２の磁極部分層の他方の面に直接または間接的に接続
され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有するもので
ある。
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、一方の磁
性層が、一方の面が記録ギャップ層に隣接し、幅が記録
トラック幅に等しく、長さがスロートハイトに等しく、
磁極部分の一部となる第１の磁極部分層と、一方の面が
第１の磁極部分層の他方の面に接触し、第１の磁極部分
層に接触する部分の幅が第１の磁極部分層の幅と等し
く、且つ全体の長さが第１の磁極部分層の長さよりも大
きく、磁極部分の他の一部となる第２の磁極部分層と、
第２の磁極部分層の他方の面に直接または間接的に接続
され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有するもので
ある。
【００３６】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、一方の磁性
層の第１の磁極部分層は、スロートハイトに等しい長さ
を有する。従って、第１の磁極部分層によってスロート
ハイトが規定される。また、この薄膜磁気ヘッドでは、
一方の磁性層の第１の磁極部分層と第２の磁極部分層
は、記録トラック幅に等しい幅を有する。従って、第１
の磁極部分層および第２の磁極部分層によって記録トラ
ック幅が規定される。第２の磁極部分層には、ヨーク部
分層が直接または間接的に接続される。
層の第１の磁極部分層は、スロートハイトに等しい長さ
を有する。従って、第１の磁極部分層によってスロート
ハイトが規定される。また、この薄膜磁気ヘッドでは、
一方の磁性層の第１の磁極部分層と第２の磁極部分層
は、記録トラック幅に等しい幅を有する。従って、第１
の磁極部分層および第２の磁極部分層によって記録トラ
ック幅が規定される。第２の磁極部分層には、ヨーク部
分層が直接または間接的に接続される。
【００３７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２
の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の
磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１
の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に記録ギ
ャップ層を形成する工程と、記録ギャップ層の上に第２
の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１およ
び第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に
対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイル
を形成する工程とを含み、第２の磁性層を形成する工程
が、一方の面が記録ギャップ層に隣接し、磁極部分にお
ける長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一部と
なる第１の磁極部分層を形成する工程と、一方の面が第
１の磁極部分層の他方の面に接触し、第１の磁極部分層
に接触する部分の幅が記録トラック幅と等しく、且つ全
体の長さが磁極部分における第１の磁極部分層の長さよ
りも大きく、磁極部分の他の一部となる第２の磁極部分
層を形成する工程と、第１の磁極部分層と第２の磁極部
分層と接触する部分において、第１の磁極部分層の幅が
第２の磁極部分層の幅と等しくなるように、第２の磁極
部分層をマスクとして第１の磁極部分層をエッチングす
る工程と、第２の磁極部分層の他方の面に直接または間
接的に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形成
する工程とを含むものである。
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２
の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の
磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１
の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に記録ギ
ャップ層を形成する工程と、記録ギャップ層の上に第２
の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１およ
び第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に
対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイル
を形成する工程とを含み、第２の磁性層を形成する工程
が、一方の面が記録ギャップ層に隣接し、磁極部分にお
ける長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一部と
なる第１の磁極部分層を形成する工程と、一方の面が第
１の磁極部分層の他方の面に接触し、第１の磁極部分層
に接触する部分の幅が記録トラック幅と等しく、且つ全
体の長さが磁極部分における第１の磁極部分層の長さよ
りも大きく、磁極部分の他の一部となる第２の磁極部分
層を形成する工程と、第１の磁極部分層と第２の磁極部
分層と接触する部分において、第１の磁極部分層の幅が
第２の磁極部分層の幅と等しくなるように、第２の磁極
部分層をマスクとして第１の磁極部分層をエッチングす
る工程と、第２の磁極部分層の他方の面に直接または間
接的に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形成
する工程とを含むものである。
【００３８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第２の磁性層の第１の磁極部分層によってスロートハイ
トが規定される。また、この製造方法では、第２の磁性
層の第２の磁極部分層をマスクとして第１の磁極部分層
をエッチングすることにより、第１の磁極部分層の幅が
第２の磁極部分層の幅、すなわち記録トラック幅に等し
い幅とされる。従って、第１の磁極部分層および第２の
磁極部分層によって記録トラック幅が規定される。第２
の磁極部分層には、ヨーク部分層が直接または間接的に
接続される。
第２の磁性層の第１の磁極部分層によってスロートハイ
トが規定される。また、この製造方法では、第２の磁性
層の第２の磁極部分層をマスクとして第１の磁極部分層
をエッチングすることにより、第１の磁極部分層の幅が
第２の磁極部分層の幅、すなわち記録トラック幅に等し
い幅とされる。従って、第１の磁極部分層および第２の
磁極部分層によって記録トラック幅が規定される。第２
の磁極部分層には、ヨーク部分層が直接または間接的に
接続される。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、
媒体対向面から離れた位置に配置してもよい。
製造方法では、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、
媒体対向面から離れた位置に配置してもよい。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第１の磁極部分層の側方に配置さ
れ、第２の磁極部分層側の面が第１の磁極部分層の他方
の面と共に平坦化された絶縁層を設けてもよい。
製造方法では、更に、第１の磁極部分層の側方に配置さ
れ、第２の磁極部分層側の面が第１の磁極部分層の他方
の面と共に平坦化された絶縁層を設けてもよい。
【００４１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、薄膜コイルの少なくとも一部を、第１の
磁極部分層の側方に配置してもよい。この場合、更に、
第１の磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの少な
くとも一部を覆い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極部
分層の他方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を設け
てもよい。
製造方法では、薄膜コイルの少なくとも一部を、第１の
磁極部分層の側方に配置してもよい。この場合、更に、
第１の磁極部分層の側方に配置された薄膜コイルの少な
くとも一部を覆い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極部
分層の他方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を設け
てもよい。
【００４２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、薄膜コイルが、第１の磁極部分層の側方
に配置される第１の部分と、この第１の部分とヨーク部
分層との間に配置される第２の部分とを有するようにし
てもよい。この場合、更に、第１の磁極部分層の側方に
配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分
層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化さ
れたコイル絶縁層を設け、薄膜コイルの第２の部分を、
コイル絶縁層とヨーク部分層との間に配置してもよい。
製造方法では、薄膜コイルが、第１の磁極部分層の側方
に配置される第１の部分と、この第１の部分とヨーク部
分層との間に配置される第２の部分とを有するようにし
てもよい。この場合、更に、第１の磁極部分層の側方に
配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分
層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化さ
れたコイル絶縁層を設け、薄膜コイルの第２の部分を、
コイル絶縁層とヨーク部分層との間に配置してもよい。
【００４３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、一方の磁性層が、更に、第２の磁極部分
層とヨーク部分層とを接続するための接続層を有するよ
うにしてもよい。この場合、薄膜コイルが、第１の磁極
部分層の側方に配置される第１の部分と、接続層の側方
に配置される第２の部分とを有するようにしてもよい。
このように、薄膜コイルが第１の部分と第２の部分とを
有する場合には、更に、第１の磁極部分層の側方に配置
された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分層側
の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化された
第１のコイル絶縁層と、接続層の側方に配置された薄膜
コイルの第２の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が接続
層におけるヨーク部分層側の面と共に平坦化された第２
のコイル絶縁層とを設けてもよい。
製造方法では、一方の磁性層が、更に、第２の磁極部分
層とヨーク部分層とを接続するための接続層を有するよ
うにしてもよい。この場合、薄膜コイルが、第１の磁極
部分層の側方に配置される第１の部分と、接続層の側方
に配置される第２の部分とを有するようにしてもよい。
このように、薄膜コイルが第１の部分と第２の部分とを
有する場合には、更に、第１の磁極部分層の側方に配置
された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分層側
の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化された
第１のコイル絶縁層と、接続層の側方に配置された薄膜
コイルの第２の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が接続
層におけるヨーク部分層側の面と共に平坦化された第２
のコイル絶縁層とを設けてもよい。
【００４４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、
第１の磁極部分層は高飽和磁束密度材料よりなり、第１
の磁極部分層の厚さを幅で除算した値は０．５以上であ
ってもよい。なお、本発明において、高飽和磁束密度材
料とは、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の磁性材料を言
う。
第１の磁極部分層は高飽和磁束密度材料よりなり、第１
の磁極部分層の厚さを幅で除算した値は０．５以上であ
ってもよい。なお、本発明において、高飽和磁束密度材
料とは、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の磁性材料を言
う。
【００４５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、
磁気抵抗素子と、媒体対向面側の一部が磁気抵抗素子を
挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシール
ドするための第１および第２のシールド層とを備えてい
てもよい。
磁気抵抗素子と、媒体対向面側の一部が磁気抵抗素子を
挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシール
ドするための第１および第２のシールド層とを備えてい
てもよい。
【００４６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第１の磁極部分層をエッチングする工程で
は、反応性イオンエッチングを用いて第１の磁極部分層
をエッチングしてもよい。この場合、第１の磁極部分層
をエッチングする工程では、第２の磁極部分層の上にマ
スクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクと
して反応性イオンエッチングを用いて第２の磁極部分層
をエッチングし、更に、マスクパターンおよび第２の磁
極部分層をマスクとして反応性イオンエッチングを用い
て第１の磁極部分層をエッチングしてもよい。また、本
発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、マスクパタ
ーンおよび第２の磁極部分層をマスクとして反応性イオ
ンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチングし
た後に、マスクパターンおよび第２の磁極部分層をマス
クとして反応性イオンエッチングを用いて第１の磁性層
の一部をエッチングしてもよい。
において、第１の磁極部分層をエッチングする工程で
は、反応性イオンエッチングを用いて第１の磁極部分層
をエッチングしてもよい。この場合、第１の磁極部分層
をエッチングする工程では、第２の磁極部分層の上にマ
スクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクと
して反応性イオンエッチングを用いて第２の磁極部分層
をエッチングし、更に、マスクパターンおよび第２の磁
極部分層をマスクとして反応性イオンエッチングを用い
て第１の磁極部分層をエッチングしてもよい。また、本
発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、マスクパタ
ーンおよび第２の磁極部分層をマスクとして反応性イオ
ンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチングし
た後に、マスクパターンおよび第２の磁極部分層をマス
クとして反応性イオンエッチングを用いて第１の磁性層
の一部をエッチングしてもよい。
【００４７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、第２の磁極部分層はめっき法によって形成さ
れてもよい。この場合、第１の磁極部分層をエッチング
する工程では、第２の磁極部分層をマスクとして反応性
イオンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチン
グしてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、第２の磁極部分層をマスクとして反応性イ
オンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチング
した後に、第２の磁極部分層をマスクとして反応性イオ
ンエッチングを用いて第１の磁性層の一部をエッチング
してもよい。
において、第２の磁極部分層はめっき法によって形成さ
れてもよい。この場合、第１の磁極部分層をエッチング
する工程では、第２の磁極部分層をマスクとして反応性
イオンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチン
グしてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、第２の磁極部分層をマスクとして反応性イ
オンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチング
した後に、第２の磁極部分層をマスクとして反応性イオ
ンエッチングを用いて第１の磁性層の一部をエッチング
してもよい。
【００４８】上記のように反応性イオンエッチングを用
いて第１の磁極部分層をエッチングする場合には、第１
の磁極部分層が高飽和磁束密度材料よりなり、第１の磁
極部分層の厚さを幅で除算した値が０．５以上であるよ
うにしてもよい。また、第１の磁極部分層をエッチング
する工程における反応性イオンエッチングでは、ガスと
してＣｌ2またはＢＣｌ3を用いてもよい。また、第１の
磁極部分層をエッチングする工程における反応性イオン
エッチングは、５０〜３００℃の範囲内の温度で行われ
るようにしてもよい。
いて第１の磁極部分層をエッチングする場合には、第１
の磁極部分層が高飽和磁束密度材料よりなり、第１の磁
極部分層の厚さを幅で除算した値が０．５以上であるよ
うにしてもよい。また、第１の磁極部分層をエッチング
する工程における反応性イオンエッチングでは、ガスと
してＣｌ2またはＢＣｌ3を用いてもよい。また、第１の
磁極部分層をエッチングする工程における反応性イオン
エッチングは、５０〜３００℃の範囲内の温度で行われ
るようにしてもよい。
【００４９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更
に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側の一部が磁気抵抗素
子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシ
ールドするための第１および第２のシールド層と、磁気
抵抗素子と第１および第２のシールド層との間に設けら
れた第１および第２の絶縁膜とを形成する工程を含んで
いてもよい。この場合、第１および第２の絶縁膜の少な
くとも一方を化学的気相成長法によって形成してもよ
い。
に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側の一部が磁気抵抗素
子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシ
ールドするための第１および第２のシールド層と、磁気
抵抗素子と第１および第２のシールド層との間に設けら
れた第１および第２の絶縁膜とを形成する工程を含んで
いてもよい。この場合、第１および第２の絶縁膜の少な
くとも一方を化学的気相成長法によって形成してもよ
い。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図１０を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図８において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図１０を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図８において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。
【００５１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００５２】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、例えばトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ（ＣＨ3）3）とＨ2Ｏ等を用いた化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ＣＶＤ法を用
いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールド
ギャップ膜４，７を形成することが可能となる。
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、例えばトリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ（ＣＨ3）3）とＨ2Ｏ等を用いた化学的気相成
長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ＣＶＤ法を用
いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールド
ギャップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００５３】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、約２．５〜３．５μｍの厚みで、選
択的に形成する。
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、約２．５〜３．５μｍの厚みで、選
択的に形成する。
【００５４】次に、図３に示したように、下部磁極層８
および上部シールドギャップ膜７の上に、絶縁材料より
なる記録ギャップ層９を、例えば０．２〜０．３μｍの
厚みに形成する。記録ギャップ層９に使用する絶縁材料
としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シ
リコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモ
ンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
および上部シールドギャップ膜７の上に、絶縁材料より
なる記録ギャップ層９を、例えば０．２〜０．３μｍの
厚みに形成する。記録ギャップ層９に使用する絶縁材料
としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シ
リコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモ
ンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
【００５５】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
エアベアリング面３０とは反対側（図３（ａ）において
右側）の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９を
部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成す
る。
エアベアリング面３０とは反対側（図３（ａ）において
右側）の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９を
部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成す
る。
【００５６】次に、記録ギャップ層９のエアベアリング
面３０側の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９
の上に、磁性材料よりなり、上部磁極層の磁極部分の一
部となる第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．５〜
１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形
成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成のた
めの磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．５〜
１．０μｍの厚みに形成する。この時点において、第１
の磁極部分層１０ａは、その幅（図３（ｂ）における左
右方向の寸法）が記録トラック幅よりも大きくなるよう
に形成されている。また、磁極部分における第１の磁極
部分層１０ａの長さ（図３（ａ）における左右方向の寸
法）はスロートハイトに等しくなっている。
面３０側の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９
の上に、磁性材料よりなり、上部磁極層の磁極部分の一
部となる第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．５〜
１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形
成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成のた
めの磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．５〜
１．０μｍの厚みに形成する。この時点において、第１
の磁極部分層１０ａは、その幅（図３（ｂ）における左
右方向の寸法）が記録トラック幅よりも大きくなるよう
に形成されている。また、磁極部分における第１の磁極
部分層１０ａの長さ（図３（ａ）における左右方向の寸
法）はスロートハイトに等しくなっている。
【００５７】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１２を、例えば４〜５μｍの厚みに形成する。次
に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０ａと
磁性層１１が露出するまで、絶縁層１２を研磨して、表
面を平坦化処理する。この研磨により、下部磁極層８の
上の部分における絶縁層１２の厚みが０．５〜０．８μ
ｍとなる。図３（ａ）において、第１の磁極部分層１０
ａと絶縁層１２との境界位置がスロートハイトゼロ位置
となる。
縁層１２を、例えば４〜５μｍの厚みに形成する。次
に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０ａと
磁性層１１が露出するまで、絶縁層１２を研磨して、表
面を平坦化処理する。この研磨により、下部磁極層８の
上の部分における絶縁層１２の厚みが０．５〜０．８μ
ｍとなる。図３（ａ）において、第１の磁極部分層１０
ａと絶縁層１２との境界位置がスロートハイトゼロ位置
となる。
【００５８】次に、図４に示したように、第１の磁極部
分層１０ａの上に、磁性材料よりなり、上部磁極層の磁
極部分の他の一部となる第２の磁極部分層１０ｂを、例
えば約２．５〜３．５μｍの厚みに形成する。このとき
同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例えば約２．５
〜３．５μｍの厚みに形成する。第２の磁極部分層１０
ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する部分の幅が記
録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが、磁極部分に
おける第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きくなっ
ている。
分層１０ａの上に、磁性材料よりなり、上部磁極層の磁
極部分の他の一部となる第２の磁極部分層１０ｂを、例
えば約２．５〜３．５μｍの厚みに形成する。このとき
同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例えば約２．５
〜３．５μｍの厚みに形成する。第２の磁極部分層１０
ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する部分の幅が記
録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが、磁極部分に
おける第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きくなっ
ている。
【００５９】第１の磁極部分層１０ａおよび第２の磁極
部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって所定のパターンに形成してもよいし、高
飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を
用い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的に
エッチングして所定のパターンに形成してもよい。この
他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系ア
モルファス材等を用いてもよい。
部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって所定のパターンに形成してもよいし、高
飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を
用い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的に
エッチングして所定のパターンに形成してもよい。この
他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系ア
モルファス材等を用いてもよい。
【００６０】図９は、図４に対応する平面図である。な
お、この図では、記録ギャップ層９および絶縁層１２を
省略している。この図では、第１の磁極部分層１０ａは
幅方向に広く配置されているが、第１の磁極部分層１０
ａの幅は記録トラック幅よりも大きければよい。
お、この図では、記録ギャップ層９および絶縁層１２を
省略している。この図では、第１の磁極部分層１０ａは
幅方向に広く配置されているが、第１の磁極部分層１０
ａの幅は記録トラック幅よりも大きければよい。
【００６１】次に、図５に示したように、第２の磁極部
分層１０ｂをマスクとして、第１の磁極部分層１０ａお
よび絶縁層１２を、例えばアルゴン系ガスを用いたイオ
ンミリングによってエッチングする。これにより、第２
の磁極部分層１０ｂと接触する部分において、第１の磁
極部分層１０ａの幅は、第２の磁極部分層の幅、すなわ
ち記録トラック幅と等しくなる。
分層１０ｂをマスクとして、第１の磁極部分層１０ａお
よび絶縁層１２を、例えばアルゴン系ガスを用いたイオ
ンミリングによってエッチングする。これにより、第２
の磁極部分層１０ｂと接触する部分において、第１の磁
極部分層１０ａの幅は、第２の磁極部分層の幅、すなわ
ち記録トラック幅と等しくなる。
【００６２】次に、第１の磁極部分層１０ａおよび第２
の磁極部分層１０ｂをマスクとして、ドライエッチング
により、記録ギャップ層９を選択的にエッチングする。
このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，
Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ 4，ＳＦ6等のフッ素系ガ
ス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（以下、Ｒ
ＩＥと記す。）が用いられる。次に、例えばアルゴン系
ガスを用いたイオンミリングによって、下部磁極層８を
選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図
５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム
構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束
の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することが
できる。なお、記録ギャップ層９および下部磁極層８の
エッチングの際には、エッチングすべき領域以外の部分
の上に図示しないトリム用フォトマスクを形成してから
エッチングを行うようにしてもよい。
の磁極部分層１０ｂをマスクとして、ドライエッチング
により、記録ギャップ層９を選択的にエッチングする。
このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，
Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ 4，ＳＦ6等のフッ素系ガ
ス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（以下、Ｒ
ＩＥと記す。）が用いられる。次に、例えばアルゴン系
ガスを用いたイオンミリングによって、下部磁極層８を
選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図
５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム
構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束
の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することが
できる。なお、記録ギャップ層９および下部磁極層８の
エッチングの際には、エッチングすべき領域以外の部分
の上に図示しないトリム用フォトマスクを形成してから
エッチングを行うようにしてもよい。
【００６３】なお、本実施の形態において、以下で説明
する第１の方法または第２の方法によって、第１の磁極
部分層１０ａをＲＩＥを用いてエッチングするようにし
てもよい。
する第１の方法または第２の方法によって、第１の磁極
部分層１０ａをＲＩＥを用いてエッチングするようにし
てもよい。
【００６４】第１の方法は、第２の磁極部分層１０ｂの
上にアルミナ等を用いてマスクパターンを形成し、この
マスクパターンをマスクとして、第２の磁極部分層１０
ｂおよび第１の磁極部分層１０ａをＲＩＥを用いてエッ
チングする方法である。第１の方法では、まず、マスク
パターンをマスクとして、ＲＩＥによって第２の磁極部
分層１０ｂがパターニングされ、更に、マスクパターン
およびパターニングされた第２の磁極部分層１０ｂをマ
スクとして、ＲＩＥによって第１の磁極部分層１０ａが
パターニングされる。従って、この第１の方法も、本発
明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に含まれる。第１の方法
において、上記マスクパターンをマスクとして、更に、
記録ギャップ層９と、下部磁極層８の一部を、ＲＩＥを
用いてエッチングして、トリム構造を形成してもよい。
第１の方法において、第１の磁極部分層１０ａと第２の
磁極部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ等を用いてめっき法によ
って形成してもよいし、ＦｅＮ、ＣｏＦｅ等の高飽和磁
束密度材料をスパッタリングすることによって形成して
もよい。
上にアルミナ等を用いてマスクパターンを形成し、この
マスクパターンをマスクとして、第２の磁極部分層１０
ｂおよび第１の磁極部分層１０ａをＲＩＥを用いてエッ
チングする方法である。第１の方法では、まず、マスク
パターンをマスクとして、ＲＩＥによって第２の磁極部
分層１０ｂがパターニングされ、更に、マスクパターン
およびパターニングされた第２の磁極部分層１０ｂをマ
スクとして、ＲＩＥによって第１の磁極部分層１０ａが
パターニングされる。従って、この第１の方法も、本発
明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に含まれる。第１の方法
において、上記マスクパターンをマスクとして、更に、
記録ギャップ層９と、下部磁極層８の一部を、ＲＩＥを
用いてエッチングして、トリム構造を形成してもよい。
第１の方法において、第１の磁極部分層１０ａと第２の
磁極部分層１０ｂは、ＮｉＦｅ等を用いてめっき法によ
って形成してもよいし、ＦｅＮ、ＣｏＦｅ等の高飽和磁
束密度材料をスパッタリングすることによって形成して
もよい。
【００６５】第２の方法は、第２の磁極部分層１０ｂ
を、ＮｉＦｅ等を用いてめっき法によって所定のパター
ンに形成し、この第２の磁極部分層１０ｂをマスクとし
て、第１の磁極部分層１０ａをＲＩＥを用いてエッチン
グする方法である。第２の方法において、第２の磁極部
分層１０ｂをマスクとして、更に、記録ギャップ層９
と、下部磁極層８の一部を、ＲＩＥを用いてエッチング
して、トリム構造を形成してもよい。第２の方法におい
て、第１の磁極部分層１０ａは、ＮｉＦｅ等を用いてめ
っき法によって形成してもよいし、ＦｅＮ、ＣｏＦｅ等
の高飽和磁束密度材料をスパッタリングすることによっ
て形成してもよい。
を、ＮｉＦｅ等を用いてめっき法によって所定のパター
ンに形成し、この第２の磁極部分層１０ｂをマスクとし
て、第１の磁極部分層１０ａをＲＩＥを用いてエッチン
グする方法である。第２の方法において、第２の磁極部
分層１０ｂをマスクとして、更に、記録ギャップ層９
と、下部磁極層８の一部を、ＲＩＥを用いてエッチング
して、トリム構造を形成してもよい。第２の方法におい
て、第１の磁極部分層１０ａは、ＮｉＦｅ等を用いてめ
っき法によって形成してもよいし、ＦｅＮ、ＣｏＦｅ等
の高飽和磁束密度材料をスパッタリングすることによっ
て形成してもよい。
【００６６】第２の方法におけるＲＩＥでは、ガスとし
てＣｌ2またはＢＣｌ3を用いるのが好ましい。また、第
２の方法におけるＲＩＥは、５０〜３００℃の範囲内の
温度で行うのが好ましい。このような高い温度でＲＩＥ
を行うことにより、第２の磁極部分層１０ｂをＮｉＦｅ
を用いて形成した場合に、ＲＩＥの際にＮｉ分子が再付
着することを防止することができる。
てＣｌ2またはＢＣｌ3を用いるのが好ましい。また、第
２の方法におけるＲＩＥは、５０〜３００℃の範囲内の
温度で行うのが好ましい。このような高い温度でＲＩＥ
を行うことにより、第２の磁極部分層１０ｂをＮｉＦｅ
を用いて形成した場合に、ＲＩＥの際にＮｉ分子が再付
着することを防止することができる。
【００６７】第２の方法によれば、第２の磁極部分層１
０ｂをめっき法によって形成することにより、トラック
幅が０．３μｍ以下となるように第２の磁極部分層１０
ｂを形成でき、この第２の磁極部分層１０ｂをマスクと
して第１の磁極部分層１０ａをエッチングすることによ
り、第１の磁極部分層１０ａの幅も０．３μｍ以下に形
成することができる。
０ｂをめっき法によって形成することにより、トラック
幅が０．３μｍ以下となるように第２の磁極部分層１０
ｂを形成でき、この第２の磁極部分層１０ｂをマスクと
して第１の磁極部分層１０ａをエッチングすることによ
り、第１の磁極部分層１０ａの幅も０．３μｍ以下に形
成することができる。
【００６８】また、第２の方法によれば、第２の磁極部
分層１０ｂをマスクとしてＲＩＥによって第１の磁極部
分層１０ａをエッチングすることにより、第２の磁極部
分層１０ｂのパターンが崩れることがなく、例えば０．
３μｍ以下の幅の第１の磁極部分層１０ａを正確に形成
することができる。
分層１０ｂをマスクとしてＲＩＥによって第１の磁極部
分層１０ａをエッチングすることにより、第２の磁極部
分層１０ｂのパターンが崩れることがなく、例えば０．
３μｍ以下の幅の第１の磁極部分層１０ａを正確に形成
することができる。
【００６９】以下、高飽和磁束密度材料をスパッタリン
グすることによって第１の磁極部分層１０ａを形成し、
めっき法によって形成された第２の磁極部分層１０ｂを
マスクとして、第１の磁極部分層１０ａをＲＩＥを用い
てエッチングして、第１の磁極部分層１０ａを所定のパ
ターンに形成する場合について述べる。図１１は、この
場合における、第１の磁極部分層１０ａの厚みＴをパタ
ーニング後の第１の磁極部分層１０ａの幅すなわち記録
トラック幅Ｐ２Ｗで除算した値Ｔ／Ｐ２Ｗと、重ね書き
する場合の特性であるオーバーライト特性との関係を求
めた実験結果の一例を示したものである。この図から、
Ｔ／Ｐ２Ｗを０．５以上とすると、オーバーライト特性
が３０ｄＢ以上となり、好ましいことが分かる。
グすることによって第１の磁極部分層１０ａを形成し、
めっき法によって形成された第２の磁極部分層１０ｂを
マスクとして、第１の磁極部分層１０ａをＲＩＥを用い
てエッチングして、第１の磁極部分層１０ａを所定のパ
ターンに形成する場合について述べる。図１１は、この
場合における、第１の磁極部分層１０ａの厚みＴをパタ
ーニング後の第１の磁極部分層１０ａの幅すなわち記録
トラック幅Ｐ２Ｗで除算した値Ｔ／Ｐ２Ｗと、重ね書き
する場合の特性であるオーバーライト特性との関係を求
めた実験結果の一例を示したものである。この図から、
Ｔ／Ｐ２Ｗを０．５以上とすると、オーバーライト特性
が３０ｄＢ以上となり、好ましいことが分かる。
【００７０】次に、図６に示したように、全体に、後述
する薄膜コイルと下部磁極層８とを絶縁するための、例
えばアルミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．５
μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜１５の上に、例え
ばフレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりな
る薄膜コイル１６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。薄膜コイル１６は、磁性層１１，１３を中心にして
巻回されるように形成され、その一部が第１の磁極部分
層１０ａの側方に配置される。なお、図６（ａ）におい
て、符号１６ａは、薄膜コイル１６を後述する導電層
（リード）と接続するための接続部を示している。
する薄膜コイルと下部磁極層８とを絶縁するための、例
えばアルミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．５
μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜１５の上に、例え
ばフレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりな
る薄膜コイル１６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。薄膜コイル１６は、磁性層１１，１３を中心にして
巻回されるように形成され、その一部が第１の磁極部分
層１０ａの側方に配置される。なお、図６（ａ）におい
て、符号１６ａは、薄膜コイル１６を後述する導電層
（リード）と接続するための接続部を示している。
【００７１】次に、図７に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるコイル絶縁層１７を、約３〜４μｍ
の厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２
の磁極部分層１０ｂおよび磁性層１３が露出するまで、
コイル絶縁層１７を研磨して、表面を平坦化処理する。
ここで、図７（ａ）では、薄膜コイル１６は露出してい
ないが、薄膜コイル１６が露出するようにしてもよい。
薄膜コイル１６が露出するようにした場合には、薄膜コ
イル１６を覆う絶縁膜を形成する。
ばアルミナよりなるコイル絶縁層１７を、約３〜４μｍ
の厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２
の磁極部分層１０ｂおよび磁性層１３が露出するまで、
コイル絶縁層１７を研磨して、表面を平坦化処理する。
ここで、図７（ａ）では、薄膜コイル１６は露出してい
ないが、薄膜コイル１６が露出するようにしてもよい。
薄膜コイル１６が露出するようにした場合には、薄膜コ
イル１６を覆う絶縁膜を形成する。
【００７２】次に、図８に示したように、接続部１６ａ
の上において、コイル絶縁層１７を部分的にエッチング
してコンタクトホールを形成する。次に、第２の磁極部
分層１０ｂ、コイル絶縁層１７および磁性層１３の上
に、上部磁極層のヨーク部分となるヨーク部分層１８
を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。こ
のとき同時に、接続部１６ａに接続される導電層１９
を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨ
ーク部分層１８は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆ
ｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、
めっき法によって所定のパターンに形成してもよいし、
高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料
を用い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的
にエッチングして所定のパターンに形成してもよい。こ
の他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系
アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の
改善のため、ヨーク部分層１８を、無機系の絶縁膜とパ
ーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造とし
てもよい。
の上において、コイル絶縁層１７を部分的にエッチング
してコンタクトホールを形成する。次に、第２の磁極部
分層１０ｂ、コイル絶縁層１７および磁性層１３の上
に、上部磁極層のヨーク部分となるヨーク部分層１８
を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。こ
のとき同時に、接続部１６ａに接続される導電層１９
を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨ
ーク部分層１８は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆ
ｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦ
ｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、
めっき法によって所定のパターンに形成してもよいし、
高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料
を用い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的
にエッチングして所定のパターンに形成してもよい。こ
の他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系
アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の
改善のため、ヨーク部分層１８を、無機系の絶縁膜とパ
ーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造とし
てもよい。
【００７３】また、ヨーク部分層１８のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。
【００７４】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２０を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
ーバーコート層２０を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７５】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、第１の磁極部分層１０
ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，１３および
ヨーク部分層１８よりなる上部磁極層が、本発明におけ
る第２の磁性層に対応する。また、下部シールド層３
は、本発明における第１のシールド層に対応する。ま
た、下部磁極層８は、上部シールド層を兼ねているの
で、本発明における第２のシールド層にも対応する。
における第１の磁性層に対応し、第１の磁極部分層１０
ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，１３および
ヨーク部分層１８よりなる上部磁極層が、本発明におけ
る第２の磁性層に対応する。また、下部シールド層３
は、本発明における第１のシールド層に対応する。ま
た、下部磁極層８は、上部シールド層を兼ねているの
で、本発明における第２のシールド層にも対応する。
【００７６】図１０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコー
ト層２０や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。図１０において、符号ＴＨ０は、スロートハイトゼ
ロ位置を示している。
ッドの平面図である。なお、この図では、オーバーコー
ト層２０や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。図１０において、符号ＴＨ０は、スロートハイトゼ
ロ位置を示している。
【００７７】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型磁
気変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子
５と、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング
面３０）側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように
配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シール
ド層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有し
ている。
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型磁
気変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子
５と、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング
面３０）側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように
配置され、ＭＲ素子５をシールドするための下部シール
ド層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有し
ている。
【００７８】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層８および
上部磁極層（第１の磁極部分層１０ａ、第２の磁極部分
層１０ｂ、磁性層１１，１３およびヨーク部分層１８）
と、これら２つの磁極層の各磁極部分の間に設けられた
記録ギャップ層９と、少なくとも一部がこれら２つの磁
極層の間に、２つの磁極層に対して絶縁された状態で配
設された薄膜コイル１６とを有している。
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層８および
上部磁極層（第１の磁極部分層１０ａ、第２の磁極部分
層１０ｂ、磁性層１１，１３およびヨーク部分層１８）
と、これら２つの磁極層の各磁極部分の間に設けられた
記録ギャップ層９と、少なくとも一部がこれら２つの磁
極層の間に、２つの磁極層に対して絶縁された状態で配
設された薄膜コイル１６とを有している。
【００７９】本実施の形態では、上部磁極層は、一方の
面が記録ギャップ層９に隣接し、幅が記録トラック幅に
等しく、長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一
部となる第１の磁極部分層１０ａと、一方の面が第１の
磁極部分層１０ａの他方の面に接触し、第１の磁極部分
層１０ａに接触する部分の幅が第１の磁極部分層１０ａ
の幅すなわち記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きく、磁極部
分の他の一部となる第２の磁極部分層１０ｂと、第２の
磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分となるヨ
ーク部分層１８とを有している。従って、本実施の形態
では、上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａによってス
ロートハイトが規定され、上部磁極層の第１の磁極部分
層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂによって記録ト
ラック幅が規定される。
面が記録ギャップ層９に隣接し、幅が記録トラック幅に
等しく、長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一
部となる第１の磁極部分層１０ａと、一方の面が第１の
磁極部分層１０ａの他方の面に接触し、第１の磁極部分
層１０ａに接触する部分の幅が第１の磁極部分層１０ａ
の幅すなわち記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きく、磁極部
分の他の一部となる第２の磁極部分層１０ｂと、第２の
磁極部分層の他方の面に接続され、ヨーク部分となるヨ
ーク部分層１８とを有している。従って、本実施の形態
では、上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａによってス
ロートハイトが規定され、上部磁極層の第１の磁極部分
層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂによって記録ト
ラック幅が規定される。
【００８０】本実施の形態では、第１の磁極部分層１０
ａは、最終的にはスロートハイトに等しい長さと記録ト
ラック幅に等しい幅とを有するが、始めは記録トラック
幅よりも大きい幅を有するように形成される。そして、
記録トラック幅に等しい幅を有する第２の磁極部分層１
０ｂを形成した後、この第２の磁極部分層１０ｂをマス
クとして第１の磁極部分層１０ａをエッチングすること
により、第１の磁極部分層１０ａの幅を記録トラック幅
に等しい幅とする。このように、本実施の形態によれ
ば、始めに第１の磁極部分層１０ａを記録トラック幅よ
りも大きい幅を有するように形成することができるの
で、始めから記録トラック幅に等しい幅とスロートハイ
トに等しい長さを有する磁極部分を形成する場合に比べ
て、パターン端が丸みを帯びることなく第１の磁極部分
層１０ａを精度よく形成することができる。しかも、本
実施の形態によれば、第１の磁極部分層１０ａを平坦な
面の上に形成することができるので、この点からも第１
の磁極部分層１０ａを精度よく形成することができる。
従って、本実施の形態によれば、トラック幅を小さくし
た場合でも、スロートハイトを精度よく規定することが
できる。
ａは、最終的にはスロートハイトに等しい長さと記録ト
ラック幅に等しい幅とを有するが、始めは記録トラック
幅よりも大きい幅を有するように形成される。そして、
記録トラック幅に等しい幅を有する第２の磁極部分層１
０ｂを形成した後、この第２の磁極部分層１０ｂをマス
クとして第１の磁極部分層１０ａをエッチングすること
により、第１の磁極部分層１０ａの幅を記録トラック幅
に等しい幅とする。このように、本実施の形態によれ
ば、始めに第１の磁極部分層１０ａを記録トラック幅よ
りも大きい幅を有するように形成することができるの
で、始めから記録トラック幅に等しい幅とスロートハイ
トに等しい長さを有する磁極部分を形成する場合に比べ
て、パターン端が丸みを帯びることなく第１の磁極部分
層１０ａを精度よく形成することができる。しかも、本
実施の形態によれば、第１の磁極部分層１０ａを平坦な
面の上に形成することができるので、この点からも第１
の磁極部分層１０ａを精度よく形成することができる。
従って、本実施の形態によれば、トラック幅を小さくし
た場合でも、スロートハイトを精度よく規定することが
できる。
【００８１】また、本実施の形態では、第２の磁極部分
層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する部分の
幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが第１の
磁極部分層１０ａの長さよりも大きくなるように形成さ
れる。従って、本実施の形態によれば、記録トラック幅
に等しい幅とスロートハイトに等しい長さを有する磁極
部分を形成する場合に比べて、第２の磁極部分層１０ｂ
を精度よく形成することができる。また、本実施の形態
では、上面が平坦化された第１の磁極部分層１０ａおよ
び絶縁層１２の上に第２の磁極部分層１０ｂを形成する
ことができるので、この点からも第２の磁極部分層１０
ｂを精度よく形成することができる。従って、本実施の
形態によれば、トラック幅を小さくした場合でも、トラ
ック幅を精度よく規定することができる。
層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する部分の
幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さが第１の
磁極部分層１０ａの長さよりも大きくなるように形成さ
れる。従って、本実施の形態によれば、記録トラック幅
に等しい幅とスロートハイトに等しい長さを有する磁極
部分を形成する場合に比べて、第２の磁極部分層１０ｂ
を精度よく形成することができる。また、本実施の形態
では、上面が平坦化された第１の磁極部分層１０ａおよ
び絶縁層１２の上に第２の磁極部分層１０ｂを形成する
ことができるので、この点からも第２の磁極部分層１０
ｂを精度よく形成することができる。従って、本実施の
形態によれば、トラック幅を小さくした場合でも、トラ
ック幅を精度よく規定することができる。
【００８２】ところで、記録トラック幅に等しい幅とス
ロートハイトに等しい長さとを有する磁極部分にヨーク
部分層を接続する場合には、両者の接続部分で磁路の断
面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生
じる。これに対し、本実施の形態では、第１の磁極部分
層１０ａとヨーク部分層１８とが第２の磁極部分層１０
ｂを介して接続される。また、第２の磁極部分層１０ｂ
の長さが第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きいこ
とから、第２の磁極部分層１０ｂとヨーク部分層１８と
が比較的広い領域で接触する。従って、本実施の形態に
よれば、ヨーク部分層１８から第１の磁極部分層１０ａ
にかけて磁路の断面積が急激に減少することがなく、磁
路の途中での磁束の飽和を防止することができる。その
結果、本実施の形態によれば、薄膜コイル１６で発生し
た起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。
ロートハイトに等しい長さとを有する磁極部分にヨーク
部分層を接続する場合には、両者の接続部分で磁路の断
面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生
じる。これに対し、本実施の形態では、第１の磁極部分
層１０ａとヨーク部分層１８とが第２の磁極部分層１０
ｂを介して接続される。また、第２の磁極部分層１０ｂ
の長さが第１の磁極部分層１０ａの長さよりも大きいこ
とから、第２の磁極部分層１０ｂとヨーク部分層１８と
が比較的広い領域で接触する。従って、本実施の形態に
よれば、ヨーク部分層１８から第１の磁極部分層１０ａ
にかけて磁路の断面積が急激に減少することがなく、磁
路の途中での磁束の飽和を防止することができる。その
結果、本実施の形態によれば、薄膜コイル１６で発生し
た起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。
【００８３】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
８のエアベアリング面３０側の端面をエアベアリング面
３０から離れた位置に配置している。従って、本実施の
形態によれば、記録すべき領域以外の領域へのデータの
書き込み、すなわちサイドライトを防止することができ
る。また、本実施の形態では、全体の長さがスロートハ
イトよりも大きな第２の磁極部分層１０ｂを介して、第
１の磁極部分層１０ａとヨーク部分層１８とが接続され
るので、上述のようにヨーク部分層１８のエアベアリン
グ面３０側の端面をエアベアリング面３０から離れた位
置に配置しても、磁路の断面積が急激に減少することが
ない。
８のエアベアリング面３０側の端面をエアベアリング面
３０から離れた位置に配置している。従って、本実施の
形態によれば、記録すべき領域以外の領域へのデータの
書き込み、すなわちサイドライトを防止することができ
る。また、本実施の形態では、全体の長さがスロートハ
イトよりも大きな第２の磁極部分層１０ｂを介して、第
１の磁極部分層１０ａとヨーク部分層１８とが接続され
るので、上述のようにヨーク部分層１８のエアベアリン
グ面３０側の端面をエアベアリング面３０から離れた位
置に配置しても、磁路の断面積が急激に減少することが
ない。
【００８４】また、本実施の形態では、薄膜コイル１６
を、第１の磁極部分層１０ａの側方に配置し、平坦な絶
縁膜１５の上に形成している。そのため、本実施の形態
によれば、薄膜コイル１６を微細に精度よく形成するこ
とが可能になる。更に、本実施の形態によれば、エイペ
ックス部が存在しないので、スロートハイトゼロ位置Ｔ
Ｈ０、すなわち第１の磁極部分層１０ａの近くに、薄膜
コイル１６の端部を配置することができる。
を、第１の磁極部分層１０ａの側方に配置し、平坦な絶
縁膜１５の上に形成している。そのため、本実施の形態
によれば、薄膜コイル１６を微細に精度よく形成するこ
とが可能になる。更に、本実施の形態によれば、エイペ
ックス部が存在しないので、スロートハイトゼロ位置Ｔ
Ｈ０、すなわち第１の磁極部分層１０ａの近くに、薄膜
コイル１６の端部を配置することができる。
【００８５】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、例えば従来に比べて３０〜４０％程度、磁路長の縮
小が可能となる。更に、薄膜コイル１６で発生した起磁
力が途中で飽和することを防止でき、薄膜コイル１６で
発生した起磁力を効率よく記録に利用することができ
る。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周
波特性や、非線形トランジションシフト（Non-linear
Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）や、オ
ーバーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とが可能となる。
ば、例えば従来に比べて３０〜４０％程度、磁路長の縮
小が可能となる。更に、薄膜コイル１６で発生した起磁
力が途中で飽和することを防止でき、薄膜コイル１６で
発生した起磁力を効率よく記録に利用することができ
る。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周
波特性や、非線形トランジションシフト（Non-linear
Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）や、オ
ーバーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とが可能となる。
【００８６】また、本実施の形態によれば、磁路長の縮
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル１６の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル１６の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル１６の厚みを小さくするこ
とが可能となる。
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル１６の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル１６の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル１６の厚みを小さくするこ
とが可能となる。
【００８７】また、本実施の形態では、上部磁極層の第
１の磁極部分層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂの
側方に配置された薄膜コイル１６を覆うコイル絶縁層１
７を設け、このコイル絶縁層１７の上面を平坦化したの
で、その後に形成されるヨーク部分層１８を精度よく形
成することが可能となる。
１の磁極部分層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂの
側方に配置された薄膜コイル１６を覆うコイル絶縁層１
７を設け、このコイル絶縁層１７の上面を平坦化したの
で、その後に形成されるヨーク部分層１８を精度よく形
成することが可能となる。
【００８８】また、本実施の形態では、下部磁極層８と
薄膜コイル１６の間に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得ら
れる無機材料よりなる絶縁膜である記録ギャップ層９が
設けられるので、下部磁極層８と薄膜コイル１６との間
に大きな絶縁耐圧を得ることができる。
薄膜コイル１６の間に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得ら
れる無機材料よりなる絶縁膜である記録ギャップ層９が
設けられるので、下部磁極層８と薄膜コイル１６との間
に大きな絶縁耐圧を得ることができる。
【００８９】また、本実施の形態では、薄膜コイル１６
を無機絶縁材料よりなるコイル絶縁層１７で覆ったの
で、薄膜磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１６の周辺
で発生する熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側
に突出することを防止することができる。
を無機絶縁材料よりなるコイル絶縁層１７で覆ったの
で、薄膜磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１６の周辺
で発生する熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側
に突出することを防止することができる。
【００９０】［第２の実施の形態］次に、図１２を参照
して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。なお、図１２に
おいて、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。
して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法について説明する。なお、図１２に
おいて、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。
【００９１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２
層の薄膜コイルを設けたものである。本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層８を選択
的にエッチングしてトリム構造とする工程までは、第１
の実施の形態と同様である。ただし、本実施の形態で
は、下部磁極層８を第１の実施の形態に比べて広い領域
に設けている。また、本実施の形態では、第２の磁極部
分層１０ｂの厚みを、例えば約２．０〜３．０μｍとす
る。また、本実施の形態では、トリム構造とするために
記録ギャップ層９をエッチングする際に、薄膜コイルの
下側となる領域に図示しないトリム用フォトマスクを形
成してからエッチングを行って、薄膜コイルの下側とな
る領域において記録ギャップ層９を除去せずに残してい
る。
層の薄膜コイルを設けたものである。本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層８を選択
的にエッチングしてトリム構造とする工程までは、第１
の実施の形態と同様である。ただし、本実施の形態で
は、下部磁極層８を第１の実施の形態に比べて広い領域
に設けている。また、本実施の形態では、第２の磁極部
分層１０ｂの厚みを、例えば約２．０〜３．０μｍとす
る。また、本実施の形態では、トリム構造とするために
記録ギャップ層９をエッチングする際に、薄膜コイルの
下側となる領域に図示しないトリム用フォトマスクを形
成してからエッチングを行って、薄膜コイルの下側とな
る領域において記録ギャップ層９を除去せずに残してい
る。
【００９２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、トリム構造とした後、全体に、後述する薄膜
コイルと下部磁極層８とを絶縁するための、例えばアル
ミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．５μｍの厚
みに形成する。次に、絶縁膜１５の上に、例えばフレー
ムめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第
１層部分２１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みお
よび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。薄
膜コイルの第１層部分２１は、磁性層１１，１３を中心
にして巻回されるように形成され、その一部が第１の磁
極部分層１０ａの側方に配置される。なお、図１２
（ａ）において、符号２１ａは、薄膜コイルの第１層部
分２１を後述する第２層部分に接続するための接続部を
示している。
方法では、トリム構造とした後、全体に、後述する薄膜
コイルと下部磁極層８とを絶縁するための、例えばアル
ミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．５μｍの厚
みに形成する。次に、絶縁膜１５の上に、例えばフレー
ムめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第
１層部分２１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みお
よび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。薄
膜コイルの第１層部分２１は、磁性層１１，１３を中心
にして巻回されるように形成され、その一部が第１の磁
極部分層１０ａの側方に配置される。なお、図１２
（ａ）において、符号２１ａは、薄膜コイルの第１層部
分２１を後述する第２層部分に接続するための接続部を
示している。
【００９３】次に、全体に、例えばアルミナよりなるコ
イル絶縁層２２を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次
に、例えばＣＭＰによって、第２の磁極部分層１０ｂお
よび磁性層１３が露出するまで、コイル絶縁層２２を研
磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図１２（ａ）
では、薄膜コイルの第１層部分２１は露出していない
が、この第１層部分２１が露出するようにしてもよい。
第１層部分２１が露出するようにした場合には、第１層
部分２１を覆う絶縁膜を形成する。
イル絶縁層２２を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次
に、例えばＣＭＰによって、第２の磁極部分層１０ｂお
よび磁性層１３が露出するまで、コイル絶縁層２２を研
磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図１２（ａ）
では、薄膜コイルの第１層部分２１は露出していない
が、この第１層部分２１が露出するようにしてもよい。
第１層部分２１が露出するようにした場合には、第１層
部分２１を覆う絶縁膜を形成する。
【００９４】次に、接続部２１ａの上において、コイル
絶縁層２２を部分的にエッチングしてコンタクトホール
を形成する。次に、コイル絶縁層２２の上に、例えばフ
レームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイル
の第２層部分２３を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。なお、図１２（ａ）において、符号２３ａは、薄膜
コイルの第２層部分２３をコンタクトホールを介して第
１層部分２１の接続部２１ａに接続するための接続部を
示している。
絶縁層２２を部分的にエッチングしてコンタクトホール
を形成する。次に、コイル絶縁層２２の上に、例えばフ
レームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイル
の第２層部分２３を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。なお、図１２（ａ）において、符号２３ａは、薄膜
コイルの第２層部分２３をコンタクトホールを介して第
１層部分２１の接続部２１ａに接続するための接続部を
示している。
【００９５】次に、コイル絶縁層２２および薄膜コイル
の第２層部分２３の上に、フォトレジスト層２４を、所
定のパターンに形成する。次に、第２の磁極部分層１０
ｂ、フォトレジスト層２４および磁性層１３の上に、上
部磁極層のヨーク部分となるヨーク部分層２５を、例え
ば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分
層２５は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法に
よって所定のパターンに形成してもよいし、高飽和磁束
密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、ス
パッタ後、イオンミリング等によって選択的にエッチン
グして所定のパターンに形成してもよい。この他にも、
高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファ
ス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のた
め、ヨーク部分層２５を、無機系の絶縁膜とパーマロイ
等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよ
い。
の第２層部分２３の上に、フォトレジスト層２４を、所
定のパターンに形成する。次に、第２の磁極部分層１０
ｂ、フォトレジスト層２４および磁性層１３の上に、上
部磁極層のヨーク部分となるヨーク部分層２５を、例え
ば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分
層２５は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法に
よって所定のパターンに形成してもよいし、高飽和磁束
密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、ス
パッタ後、イオンミリング等によって選択的にエッチン
グして所定のパターンに形成してもよい。この他にも、
高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファ
ス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のた
め、ヨーク部分層２５を、無機系の絶縁膜とパーマロイ
等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよ
い。
【００９６】また、ヨーク部分層２５のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から例えば
０．５〜１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では
特に、スロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置され
ている。
【００９７】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２６を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
ーバーコート層２６を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９８】本実施の形態では、第１の磁極部分層１０
ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，１３および
ヨーク部分層２５よりなる上部磁極層が、本発明におけ
る第２の磁性層に対応する。
ａ、第２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１１，１３および
ヨーク部分層２５よりなる上部磁極層が、本発明におけ
る第２の磁性層に対応する。
【００９９】本発明では、薄膜コイルの第２層部分２３
を、平坦化されたコイル絶縁層２２の上に形成したの
で、第２層部分２３を微細に精度よく形成することが可
能になる。
を、平坦化されたコイル絶縁層２２の上に形成したの
で、第２層部分２３を微細に精度よく形成することが可
能になる。
【０１００】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０１】［第３の実施の形態］次に、図１３ないし
図１８を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１３ないし図１８において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
図１８を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１３ないし図１８において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０１０２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２
層の薄膜コイルを設けたものである。本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１３に示したよう
に、下部磁極層８を形成する工程までは、第１の実施の
形態と同様である。ただし、本実施の形態では、下部磁
極層８を第１の実施の形態に比べて広い領域に設けてい
る。
層の薄膜コイルを設けたものである。本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図１３に示したよう
に、下部磁極層８を形成する工程までは、第１の実施の
形態と同様である。ただし、本実施の形態では、下部磁
極層８を第１の実施の形態に比べて広い領域に設けてい
る。
【０１０３】本実施の形態では、次に、図１４に示した
ように、下部磁極層８の上に、絶縁材料よりなる記録ギ
ャップ層９を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成
する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部
分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成す
る。次に、記録ギャップ層９のエアベアリング面３０側
の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９の上に、
上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁
路形成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成
のための磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。この時点における第
１の磁極部分層１０ａの形状は、第１の実施の形態と同
様である。
ように、下部磁極層８の上に、絶縁材料よりなる記録ギ
ャップ層９を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成
する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部
分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成す
る。次に、記録ギャップ層９のエアベアリング面３０側
の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９の上に、
上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁
路形成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成
のための磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。この時点における第
１の磁極部分層１０ａの形状は、第１の実施の形態と同
様である。
【０１０４】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１２を、約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
次に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０ａ
と磁性層１１が露出するまで、絶縁層１２を研磨して、
表面を平坦化処理する。図１４（ａ）において、第１の
磁極部分層１０ａと絶縁層１２との境界位置がスロート
ハイトゼロ位置となる。
縁層１２を、約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
次に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０ａ
と磁性層１１が露出するまで、絶縁層１２を研磨して、
表面を平坦化処理する。図１４（ａ）において、第１の
磁極部分層１０ａと絶縁層１２との境界位置がスロート
ハイトゼロ位置となる。
【０１０５】次に、図１５に示したように、第１の磁極
部分層１０ａの上に、上部磁極層の第２の磁極部分層１
０ｂを、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。このとき同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例
えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。第２の磁
極部分層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する
部分の幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が、磁極部分における第１の磁極部分層１０ａの長さよ
りも大きくなっている。
部分層１０ａの上に、上部磁極層の第２の磁極部分層１
０ｂを、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。このとき同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例
えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。第２の磁
極部分層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する
部分の幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が、磁極部分における第１の磁極部分層１０ａの長さよ
りも大きくなっている。
【０１０６】次に、第２の磁極部分層１０ｂをマスクと
して、第１の磁極部分層１０ａおよび絶縁層１２を、例
えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによってエ
ッチングする。これにより、第２の磁極部分層１０ｂと
接触する部分において、第１の磁極部分層１０ａの幅
は、第２の磁極部分層の幅すなわち記録トラック幅と等
しくなる。
して、第１の磁極部分層１０ａおよび絶縁層１２を、例
えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによってエ
ッチングする。これにより、第２の磁極部分層１０ｂと
接触する部分において、第１の磁極部分層１０ａの幅
は、第２の磁極部分層の幅すなわち記録トラック幅と等
しくなる。
【０１０７】次に、トリム構造とするためにエッチング
すべき領域以外の部分の上に、トリム用フォトマスク１
４を形成する。次に、第１の磁極部分層１０ａおよび第
２の磁極部分層１０ｂとトリム用フォトマスク１４とを
マスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ
層９を選択的にエッチングする。このとき、本実施の形
態では、後述する薄膜コイルの下側となる領域において
記録ギャップ層９を除去せずに残している。また、この
ときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ 2，Ｃｌ2
等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等の
ガスを用いたＲＩＥが用いられる。次に、例えばアルゴ
ン系ガスを用いたイオンミリングによって、下部磁極層
８を選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングし
て、図１５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。次
に、トリム用フォトマスク１４を除去する。
すべき領域以外の部分の上に、トリム用フォトマスク１
４を形成する。次に、第１の磁極部分層１０ａおよび第
２の磁極部分層１０ｂとトリム用フォトマスク１４とを
マスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ
層９を選択的にエッチングする。このとき、本実施の形
態では、後述する薄膜コイルの下側となる領域において
記録ギャップ層９を除去せずに残している。また、この
ときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ 2，Ｃｌ2
等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等の
ガスを用いたＲＩＥが用いられる。次に、例えばアルゴ
ン系ガスを用いたイオンミリングによって、下部磁極層
８を選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングし
て、図１５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。次
に、トリム用フォトマスク１４を除去する。
【０１０８】次に、図１６に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．５
μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜１５の上に、例え
ばフレームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コ
イルの第１層部分３１を、例えば約１．０〜２．０μｍ
の厚みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成
する。薄膜コイルの第１層部分３１は、磁性層１１，１
３を中心にして巻回されるように形成され、その一部が
第１の磁極部分層１０ａの側方に配置される。なお、図
１６（ａ）において、符号３１ａは、薄膜コイルの第１
層部分３１を後述する第２層部分に接続するための接続
部を示している。
えばアルミナよりなる絶縁膜１５を、約０．３〜０．５
μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜１５の上に、例え
ばフレームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コ
イルの第１層部分３１を、例えば約１．０〜２．０μｍ
の厚みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成
する。薄膜コイルの第１層部分３１は、磁性層１１，１
３を中心にして巻回されるように形成され、その一部が
第１の磁極部分層１０ａの側方に配置される。なお、図
１６（ａ）において、符号３１ａは、薄膜コイルの第１
層部分３１を後述する第２層部分に接続するための接続
部を示している。
【０１０９】次に、図１７に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３２を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第
２の磁極部分層１０ｂおよび磁性層１３が露出するま
で、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理す
る。ここで、図１７（ａ）では、薄膜コイルの第１層部
分３１は露出していないが、この第１層部分３１が露出
するようにしてもよい。第１層部分３１が露出するよう
にした場合には、第１層部分３１を覆う絶縁膜を形成す
る。
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３２を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第
２の磁極部分層１０ｂおよび磁性層１３が露出するま
で、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理す
る。ここで、図１７（ａ）では、薄膜コイルの第１層部
分３１は露出していないが、この第１層部分３１が露出
するようにしてもよい。第１層部分３１が露出するよう
にした場合には、第１層部分３１を覆う絶縁膜を形成す
る。
【０１１０】次に、第２の磁極部分層１０ｂおよびコイ
ル絶縁層３２の上に、磁性材料よりなり、第２の磁極部
分層１０ｂと後述するヨーク部分層とを接続するための
接続層３３を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形
成する。このとき同時に、磁性層１３の上に磁性層３４
を例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。
ル絶縁層３２の上に、磁性材料よりなり、第２の磁極部
分層１０ｂと後述するヨーク部分層とを接続するための
接続層３３を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形
成する。このとき同時に、磁性層１３の上に磁性層３４
を例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。
【０１１１】接続層３３のエアベアリング面３０側の端
面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜１．０
μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、スロート
ハイトゼロ位置の近傍の位置に配置されている。接続層
３３の長さは、例えば約３．０μｍとする。なお、接続
層３３のエアベアリング面３０とは反対側の端面の位置
がエアベアリング面３０から遠ざかるほど、後述するヨ
ーク部分層のエアベアリング面３０側の端面をエアベア
リング面３０から遠ざけることができるが、磁路長が長
くなってしまう。そのため、接続層３３のエアベアリン
グ面３０とは反対側の端面の位置は、第２の磁極部分層
１０ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端面の位置
から、エアベアリング面３０とは反対側に、接続層３３
の膜厚程度離れた位置とするのが好ましい。
面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜１．０
μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、スロート
ハイトゼロ位置の近傍の位置に配置されている。接続層
３３の長さは、例えば約３．０μｍとする。なお、接続
層３３のエアベアリング面３０とは反対側の端面の位置
がエアベアリング面３０から遠ざかるほど、後述するヨ
ーク部分層のエアベアリング面３０側の端面をエアベア
リング面３０から遠ざけることができるが、磁路長が長
くなってしまう。そのため、接続層３３のエアベアリン
グ面３０とは反対側の端面の位置は、第２の磁極部分層
１０ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端面の位置
から、エアベアリング面３０とは反対側に、接続層３３
の膜厚程度離れた位置とするのが好ましい。
【０１１２】接続層３３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量
％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料である
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を
用い、めっき法によって所定のパターンに形成してもよ
いし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等
の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等によって
選択的にエッチングして所定のパターンに形成してもよ
い。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，
Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料である
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を
用い、めっき法によって所定のパターンに形成してもよ
いし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等
の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等によって
選択的にエッチングして所定のパターンに形成してもよ
い。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，
Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【０１１３】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜３５を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成する。
次に、接続部３１ａの上において、絶縁膜３５およびコ
イル絶縁層３２を部分的にエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する。次に、絶縁膜３５の上に、例えばフレ
ームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの
第２層部分３６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚み
および１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。
薄膜コイルの第２層部分３６は、磁性層３４を中心にし
て巻回されるように形成され、その一部が接続層３３の
側方に配置される。なお、図１７（ａ）において、符号
３６ａは、薄膜コイルの第２層部分３６をコンタクトホ
ールを介して第１層部分３１の接続部３１ａに接続する
ための接続部を示している。
縁膜３５を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成する。
次に、接続部３１ａの上において、絶縁膜３５およびコ
イル絶縁層３２を部分的にエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する。次に、絶縁膜３５の上に、例えばフレ
ームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの
第２層部分３６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚み
および１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。
薄膜コイルの第２層部分３６は、磁性層３４を中心にし
て巻回されるように形成され、その一部が接続層３３の
側方に配置される。なお、図１７（ａ）において、符号
３６ａは、薄膜コイルの第２層部分３６をコンタクトホ
ールを介して第１層部分３１の接続部３１ａに接続する
ための接続部を示している。
【０１１４】次に、図１８に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３７を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、接
続層３３および磁性層３４が露出するまで、コイル絶縁
層３７を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図
１８（ａ）では、薄膜コイルの第２層部分３６は露出し
ていないが、第２層部分３６が露出するようにしてもよ
い。第２層部分３６が露出するようにした場合には、第
２層部分３６を覆う絶縁膜を形成する。
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３７を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、接
続層３３および磁性層３４が露出するまで、コイル絶縁
層３７を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図
１８（ａ）では、薄膜コイルの第２層部分３６は露出し
ていないが、第２層部分３６が露出するようにしてもよ
い。第２層部分３６が露出するようにした場合には、第
２層部分３６を覆う絶縁膜を形成する。
【０１１５】次に、接続層３３、コイル絶縁層３７およ
び磁性層３４の上に、上部磁極層のヨーク部分となるヨ
ーク部分層３８を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚み
に形成する。ヨーク部分層３８を形成するための材料や
形成方法は、第１の実施の形態におけるヨーク部分層１
８と同様である。
び磁性層３４の上に、上部磁極層のヨーク部分となるヨ
ーク部分層３８を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚み
に形成する。ヨーク部分層３８を形成するための材料や
形成方法は、第１の実施の形態におけるヨーク部分層１
８と同様である。
【０１１６】また、ヨーク部分層３８のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位
置、本実施の形態では特に、スロートハイトゼロ位置よ
りもエアベアリング面３０から離れた位置に配置されて
いる。
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位
置、本実施の形態では特に、スロートハイトゼロ位置よ
りもエアベアリング面３０から離れた位置に配置されて
いる。
【０１１７】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
ーバーコート層３９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１１８】本実施の形態では、第２の磁極部分層１０
ｂとヨーク部分層３８とが接続層３３を介して接続され
る。本実施の形態では、第１の磁極部分層１０ａ、第２
の磁極部分層１０ｂ、接続層３３、磁性層１１，１３，
３４およびヨーク部分層３８よりなる上部磁極層が、本
発明における第２の磁性層に対応する。
ｂとヨーク部分層３８とが接続層３３を介して接続され
る。本実施の形態では、第１の磁極部分層１０ａ、第２
の磁極部分層１０ｂ、接続層３３、磁性層１１，１３，
３４およびヨーク部分層３８よりなる上部磁極層が、本
発明における第２の磁性層に対応する。
【０１１９】本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部
分３１を、上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａの側方
に配置し、平坦な絶縁膜１５の上に形成すると共に、薄
膜コイルの第２層部分３６を、接続層３３の側方に配置
し、平坦化な絶縁膜３５の上に形成している。そのた
め、本実施の形態によれば、薄膜コイルの第１層部分３
１および第２層部分３６を共に微細に精度よく形成する
ことが可能になり、磁路長の縮小が可能になる。
分３１を、上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａの側方
に配置し、平坦な絶縁膜１５の上に形成すると共に、薄
膜コイルの第２層部分３６を、接続層３３の側方に配置
し、平坦化な絶縁膜３５の上に形成している。そのた
め、本実施の形態によれば、薄膜コイルの第１層部分３
１および第２層部分３６を共に微細に精度よく形成する
ことが可能になり、磁路長の縮小が可能になる。
【０１２０】また、本実施の形態では、接続層３３の側
方に配置された薄膜コイルの第２層部分３６を覆うコイ
ル絶縁層３７を設け、このコイル絶縁層３７の上面を平
坦化したので、その後に形成されるヨーク部分層３８を
精度よく形成することが可能となる。
方に配置された薄膜コイルの第２層部分３６を覆うコイ
ル絶縁層３７を設け、このコイル絶縁層３７の上面を平
坦化したので、その後に形成されるヨーク部分層３８を
精度よく形成することが可能となる。
【０１２１】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２２】［第４の実施の形態］次に、図１９ないし
図２４を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１９ないし図２４において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
図２４を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１９ないし図２４において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０１２３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、２
層の薄膜コイルを設けたものである。本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録ギャップ層９を
形成する工程までは、第３の実施の形態と同様である。
層の薄膜コイルを設けたものである。本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録ギャップ層９を
形成する工程までは、第３の実施の形態と同様である。
【０１２４】本実施の形態では、次に、図１９に示した
ように、次に、磁路形成のために、記録ギャップ層９を
部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成す
る。次に、記録ギャップ層９のエアベアリング面３０側
の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９の上に、
上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁
路形成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成
のための磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。この時点における第
１の磁極部分層１０ａの形状は、第１の実施の形態と同
様である。
ように、次に、磁路形成のために、記録ギャップ層９を
部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成す
る。次に、記録ギャップ層９のエアベアリング面３０側
の端部近傍の位置において、記録ギャップ層９の上に、
上部磁極層の第１の磁極部分層１０ａを、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁
路形成のためのコンタクトホール９ａの上に、磁路形成
のための磁性材料からなる磁性層１１を、例えば約０．
５〜１．０μｍの厚みに形成する。この時点における第
１の磁極部分層１０ａの形状は、第１の実施の形態と同
様である。
【０１２５】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
９の上であって、後述する薄膜コイルの第１層部分を第
２層部分に接続するための接続部が配置される領域に、
底上げパターン４１を、例えば約０．５〜１．０μｍの
厚みに形成する。この底上げパターン４１の材料は特に
限定されない。しかし、底上げパターン４１の材料を上
部磁極層の第１の磁極部分層１０ａおよび磁性層１１と
同じ磁性材料とし、底上げパターン４１を上部磁極層の
第１の磁極部分層１０ａおよび磁性層１１と同時に形成
するのが好ましい。
９の上であって、後述する薄膜コイルの第１層部分を第
２層部分に接続するための接続部が配置される領域に、
底上げパターン４１を、例えば約０．５〜１．０μｍの
厚みに形成する。この底上げパターン４１の材料は特に
限定されない。しかし、底上げパターン４１の材料を上
部磁極層の第１の磁極部分層１０ａおよび磁性層１１と
同じ磁性材料とし、底上げパターン４１を上部磁極層の
第１の磁極部分層１０ａおよび磁性層１１と同時に形成
するのが好ましい。
【０１２６】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１２を、約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
次に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０
ａ、磁性層１１および底上げパターン４１が露出するま
で、絶縁層１２を研磨して、表面を平坦化処理する。図
１９（ａ）において、第１の磁極部分層１０ａと絶縁層
１２との境界位置がスロートハイトゼロ位置となる。
縁層１２を、約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
次に、例えばＣＭＰによって、第１の磁極部分層１０
ａ、磁性層１１および底上げパターン４１が露出するま
で、絶縁層１２を研磨して、表面を平坦化処理する。図
１９（ａ）において、第１の磁極部分層１０ａと絶縁層
１２との境界位置がスロートハイトゼロ位置となる。
【０１２７】次に、図２０に示したように、第１の磁極
部分層１０ａの上に、上部磁極層の第２の磁極部分層１
０ｂを、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。このとき同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例
えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。第２の磁
極部分層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する
部分の幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が、磁極部分における第１の磁極部分層１０ａの長さよ
りも大きくなっている。
部分層１０ａの上に、上部磁極層の第２の磁極部分層１
０ｂを、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。このとき同時に、磁性層１１の上に磁性層１３を例
えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。第２の磁
極部分層１０ｂは、第１の磁極部分層１０ａに接触する
部分の幅が記録トラック幅と等しく、且つ全体の長さ
が、磁極部分における第１の磁極部分層１０ａの長さよ
りも大きくなっている。
【０１２８】次に、第２の磁極部分層１０ｂをマスクと
して、第１の磁極部分層１０ａおよび絶縁層１２を、例
えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによってエ
ッチングする。これにより、第２の磁極部分層１０ｂと
接触する部分において、第１の磁極部分層１０ａの幅
は、第２の磁極部分層の幅すなわち記録トラック幅と等
しくなる。
して、第１の磁極部分層１０ａおよび絶縁層１２を、例
えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによってエ
ッチングする。これにより、第２の磁極部分層１０ｂと
接触する部分において、第１の磁極部分層１０ａの幅
は、第２の磁極部分層の幅すなわち記録トラック幅と等
しくなる。
【０１２９】次に、図２１に示したように、トリム構造
とするためにエッチングすべき領域以外の部分の上に、
トリム用フォトマスク１４を形成する。次に、第１の磁
極部分層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂとトリム
用フォトマスク１４とをマスクとして、ドライエッチン
グにより、記録ギャップ層９を選択的にエッチングす
る。このとき、本実施の形態では、後述する薄膜コイル
の下側となる領域において記録ギャップ層９を除去せず
に残している。また、このときのドライエッチングに
は、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、Ｃ
Ｆ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いたＲＩＥが
用いられる。次に、例えばアルゴン系ガスを用いたイオ
ンミリングによって、下部磁極層８を選択的に約０．３
〜０．６μｍ程度エッチングして、図２１（ｂ）に示し
たようなトリム構造とする。次に、トリム用フォトマス
ク１４を除去する。
とするためにエッチングすべき領域以外の部分の上に、
トリム用フォトマスク１４を形成する。次に、第１の磁
極部分層１０ａおよび第２の磁極部分層１０ｂとトリム
用フォトマスク１４とをマスクとして、ドライエッチン
グにより、記録ギャップ層９を選択的にエッチングす
る。このとき、本実施の形態では、後述する薄膜コイル
の下側となる領域において記録ギャップ層９を除去せず
に残している。また、このときのドライエッチングに
は、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、Ｃ
Ｆ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いたＲＩＥが
用いられる。次に、例えばアルゴン系ガスを用いたイオ
ンミリングによって、下部磁極層８を選択的に約０．３
〜０．６μｍ程度エッチングして、図２１（ｂ）に示し
たようなトリム構造とする。次に、トリム用フォトマス
ク１４を除去する。
【０１３０】次に、図２２に示したように、記録ギャッ
プ層９の上に、例えばフレームめっき法によって、例え
ば銅よりなる薄膜コイルの第１層部分３１を、例えば約
１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍの
コイルピッチで形成する。薄膜コイルの第１層部分３１
は、磁性層１１，１３を中心にして巻回されるように形
成され、その一部が第１の磁極部分層１０ａの側方に配
置される。本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分
３１を後述する第２層部分に接続するための接続部３１
ａは底上げパターン４１の上に形成される。
プ層９の上に、例えばフレームめっき法によって、例え
ば銅よりなる薄膜コイルの第１層部分３１を、例えば約
１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍの
コイルピッチで形成する。薄膜コイルの第１層部分３１
は、磁性層１１，１３を中心にして巻回されるように形
成され、その一部が第１の磁極部分層１０ａの側方に配
置される。本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部分
３１を後述する第２層部分に接続するための接続部３１
ａは底上げパターン４１の上に形成される。
【０１３１】次に、図２３に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３２を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第
２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１３および接続部３１ａ
が露出するまで、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を
平坦化処理する。ここで、図２３（ａ）では、薄膜コイ
ルの第１層部分３１は露出していないが、この第１層部
分３１が露出するようにしてもよい。第１層部分３１が
露出するようにした場合には、第１層部分３１を覆う絶
縁膜を形成する。
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３２を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第
２の磁極部分層１０ｂ、磁性層１３および接続部３１ａ
が露出するまで、コイル絶縁層３２を研磨して、表面を
平坦化処理する。ここで、図２３（ａ）では、薄膜コイ
ルの第１層部分３１は露出していないが、この第１層部
分３１が露出するようにしてもよい。第１層部分３１が
露出するようにした場合には、第１層部分３１を覆う絶
縁膜を形成する。
【０１３２】次に、第２の磁極部分層１０ｂおよびコイ
ル絶縁層３２の上に、磁性材料よりなり、第２の磁極部
分層１０ｂと後述するヨーク部分層とを接続するための
接続層３３を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形
成する。このとき同時に、磁性層１３の上に磁性層３４
を例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。接続
層３３の材料、大きさおよび配置は、第３の実施の形態
と同様である。
ル絶縁層３２の上に、磁性材料よりなり、第２の磁極部
分層１０ｂと後述するヨーク部分層とを接続するための
接続層３３を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形
成する。このとき同時に、磁性層１３の上に磁性層３４
を例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。接続
層３３の材料、大きさおよび配置は、第３の実施の形態
と同様である。
【０１３３】次に、コイル絶縁層３２の上に、例えばフ
レームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイル
の第２層部分３６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。薄膜コイルの第２層部分３６は、磁性層３４を中心
にして巻回されるように形成され、その一部が接続層３
３の側方に配置される。第２層部分３６の接続部３６ａ
は、第１層部分３１の接続部３１ａの上に形成される。
レームめっき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイル
の第２層部分３６を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。薄膜コイルの第２層部分３６は、磁性層３４を中心
にして巻回されるように形成され、その一部が接続層３
３の側方に配置される。第２層部分３６の接続部３６ａ
は、第１層部分３１の接続部３１ａの上に形成される。
【０１３４】次に、図２４に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３７を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、接
続層３３および磁性層３４が露出するまで、コイル絶縁
層３７を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図
２４（ａ）では、薄膜コイルの第２層部分３６は露出し
ていないが、第２層部分３６が露出するようにしてもよ
い。第２層部分３６が露出するようにした場合には、第
２層部分３６を覆う絶縁膜を形成する。
えばアルミナよりなるコイル絶縁層３７を、約３〜４μ
ｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、接
続層３３および磁性層３４が露出するまで、コイル絶縁
層３７を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図
２４（ａ）では、薄膜コイルの第２層部分３６は露出し
ていないが、第２層部分３６が露出するようにしてもよ
い。第２層部分３６が露出するようにした場合には、第
２層部分３６を覆う絶縁膜を形成する。
【０１３５】次に、接続層３３、コイル絶縁層３７およ
び磁性層３４の上に、上部磁極層のヨーク部分となるヨ
ーク部分層３８を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚み
に形成する。ヨーク部分層３８を形成するための材料や
形成方法は、第１の実施の形態におけるヨーク部分層１
８と同様である。
び磁性層３４の上に、上部磁極層のヨーク部分となるヨ
ーク部分層３８を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚み
に形成する。ヨーク部分層３８を形成するための材料や
形成方法は、第１の実施の形態におけるヨーク部分層１
８と同様である。
【０１３６】また、ヨーク部分層３８のエアベアリング
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位
置、本実施の形態では特に、スロートハイトゼロ位置よ
りもエアベアリング面３０から離れた位置に配置されて
いる。
面３０側の端面は、エアベアリング面３０から離れた位
置、本実施の形態では特に、スロートハイトゼロ位置よ
りもエアベアリング面３０から離れた位置に配置されて
いる。
【０１３７】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
ーバーコート層３９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気
ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１３８】本実施の形態では、記録ギャップ層９の上
であって、薄膜コイルの第１層部分３１を第２層部分３
６に接続するための接続部３１ａが配置される領域に底
上げパターン４１を形成し、この底上げパターン４１の
上に接続部３１ａを形成している。そのため、例えばＣ
ＭＰによってコイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦
化処理する工程で、第２の磁極部分層１０ｂおよび磁性
層１３と共に接続部３１ａも露出する。従って、本実施
の形態によれば、薄膜コイルの第１層部分３１の接続部
３１ａと第２層部分３６の接続部３６ａとを接続するた
めに、接続部３１ａの上の部分において、コイル絶縁層
３２にコンタクトホールを形成する工程が不要になる。
また、底上げパターン４１を上部磁極層の第１の磁極部
分層１０ａおよび磁性層１１と同時に形成すれば、底上
げパターン４１の形成のために工程数が増えることがな
い。
であって、薄膜コイルの第１層部分３１を第２層部分３
６に接続するための接続部３１ａが配置される領域に底
上げパターン４１を形成し、この底上げパターン４１の
上に接続部３１ａを形成している。そのため、例えばＣ
ＭＰによってコイル絶縁層３２を研磨して、表面を平坦
化処理する工程で、第２の磁極部分層１０ｂおよび磁性
層１３と共に接続部３１ａも露出する。従って、本実施
の形態によれば、薄膜コイルの第１層部分３１の接続部
３１ａと第２層部分３６の接続部３６ａとを接続するた
めに、接続部３１ａの上の部分において、コイル絶縁層
３２にコンタクトホールを形成する工程が不要になる。
また、底上げパターン４１を上部磁極層の第１の磁極部
分層１０ａおよび磁性層１１と同時に形成すれば、底上
げパターン４１の形成のために工程数が増えることがな
い。
【０１３９】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。
および効果は、第３の実施の形態と同様である。
【０１４０】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型磁気変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。
【０１４１】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【０１４２】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【０１４３】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドによれば、一方の磁
性層の第１の磁極部分層がスロートハイトに等しい長さ
を有し、一方の磁性層の第１の磁極部分層と第２の磁極
部分層が記録トラック幅に等しい幅を有するようにした
ので、第２の磁極部分層の形成後に第１の磁極部分層の
幅を記録トラック幅に等しい幅にすることが可能にな
る。従って、本発明によれば、始めは記録トラック幅よ
りも大きい幅を有するように第１の磁極部分層を形成す
ることが可能となり、第１の磁極部分層を精度よく形成
することが可能となる。また、本発明によれば、第２の
磁極部分層は、全体の長さが第１の磁極部分層の長さよ
りも大きいので、第２の磁極部分層を精度よく形成する
ことが可能となる。これらのことから、本発明によれ
ば、誘導型磁気変換素子のトラック幅を小さくした場合
でもトラック幅とスロートハイトを精度よく規定するこ
とが可能になるという効果を奏する。更に、本発明によ
れば、第１の磁極部分層とヨーク部分層とが第２の磁極
部分層を介して接続され、且つ第２の磁極部分層の長さ
が第１の磁極部分層の長さよりも大きいことから第２の
磁極部分層とヨーク部分層とが比較的広い領域で接触す
る。従って、本発明によれば、ヨーク部分層から第１の
磁極部分層にかけて磁路の断面積が急激に減少すること
を防止でき、磁路の途中での磁束の飽和を防止すること
が可能になるという効果を奏する。
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドによれば、一方の磁
性層の第１の磁極部分層がスロートハイトに等しい長さ
を有し、一方の磁性層の第１の磁極部分層と第２の磁極
部分層が記録トラック幅に等しい幅を有するようにした
ので、第２の磁極部分層の形成後に第１の磁極部分層の
幅を記録トラック幅に等しい幅にすることが可能にな
る。従って、本発明によれば、始めは記録トラック幅よ
りも大きい幅を有するように第１の磁極部分層を形成す
ることが可能となり、第１の磁極部分層を精度よく形成
することが可能となる。また、本発明によれば、第２の
磁極部分層は、全体の長さが第１の磁極部分層の長さよ
りも大きいので、第２の磁極部分層を精度よく形成する
ことが可能となる。これらのことから、本発明によれ
ば、誘導型磁気変換素子のトラック幅を小さくした場合
でもトラック幅とスロートハイトを精度よく規定するこ
とが可能になるという効果を奏する。更に、本発明によ
れば、第１の磁極部分層とヨーク部分層とが第２の磁極
部分層を介して接続され、且つ第２の磁極部分層の長さ
が第１の磁極部分層の長さよりも大きいことから第２の
磁極部分層とヨーク部分層とが比較的広い領域で接触す
る。従って、本発明によれば、ヨーク部分層から第１の
磁極部分層にかけて磁路の断面積が急激に減少すること
を防止でき、磁路の途中での磁束の飽和を防止すること
が可能になるという効果を奏する。
【０１４４】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面が、媒体対向
面から離れた位置に配置されているので、更に、記録す
べき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止するこ
とができるという効果を奏する。
れば、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面が、媒体対向
面から離れた位置に配置されているので、更に、記録す
べき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止するこ
とができるという効果を奏する。
【０１４５】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、第１の磁極部分層の側方に配置され、第２の磁極
部分層側の面が第１の磁極部分層の他方の面と共に平坦
化された絶縁層を備えたので、更に、第２の磁極部分層
を精度よく形成することが可能になるという効果を奏す
る。
れば、第１の磁極部分層の側方に配置され、第２の磁極
部分層側の面が第１の磁極部分層の他方の面と共に平坦
化された絶縁層を備えたので、更に、第２の磁極部分層
を精度よく形成することが可能になるという効果を奏す
る。
【０１４６】また、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、薄膜コイルの少なくとも一部が、スロートハイト
を規定する第１の磁極部分層の側方に配置されているの
で、更に、薄膜コイルの少なくとも一部の端部を第１の
磁極部分層の端部の近くに配置することができ、その結
果、磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
れば、薄膜コイルの少なくとも一部が、スロートハイト
を規定する第１の磁極部分層の側方に配置されているの
で、更に、薄膜コイルの少なくとも一部の端部を第１の
磁極部分層の端部の近くに配置することができ、その結
果、磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
【０１４７】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、更に、第１の磁極部分層の側方に配置された薄膜
コイルの少なくとも一部を覆い、ヨーク部分層側の面が
第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化されたコイル
絶縁層を備えたので、更に、絶縁層に隣接する層を精度
よく形成することが可能になるという効果を奏する。
れば、更に、第１の磁極部分層の側方に配置された薄膜
コイルの少なくとも一部を覆い、ヨーク部分層側の面が
第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化されたコイル
絶縁層を備えたので、更に、絶縁層に隣接する層を精度
よく形成することが可能になるという効果を奏する。
【０１４８】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドによ
れば、薄膜コイルは、第１の磁極部分層の側方に配置さ
れた第１の部分と、この第１の部分とヨーク部分層との
間に配置された第２の部分とを有し、薄膜磁気ヘッドは
更に、第１の磁極部分層の側方に配置された薄膜コイル
の第１の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極
部分層の他方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を備
え、薄膜コイルの第２の部分はコイル絶縁層とヨーク部
分層との間に配置されているので、更に、薄膜コイルの
第２の部分を精度よく形成することが可能になるという
効果を奏する。
れば、薄膜コイルは、第１の磁極部分層の側方に配置さ
れた第１の部分と、この第１の部分とヨーク部分層との
間に配置された第２の部分とを有し、薄膜磁気ヘッドは
更に、第１の磁極部分層の側方に配置された薄膜コイル
の第１の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極
部分層の他方の面と共に平坦化されたコイル絶縁層を備
え、薄膜コイルの第２の部分はコイル絶縁層とヨーク部
分層との間に配置されているので、更に、薄膜コイルの
第２の部分を精度よく形成することが可能になるという
効果を奏する。
【０１４９】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、一方の磁性層は、更に、第２の磁極部分層とヨ
ーク部分層とを接続するための接続層を有し、薄膜コイ
ルは、第１の磁極部分層の側方に配置された第１の部分
と、接続層の側方に配置された第２の部分とを有し、薄
膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極部分層の側方に配置
された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分層側
の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化された
第１のコイル絶縁層と、接続層の側方に配置された薄膜
コイルの第２の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が接続
層におけるヨーク部分層側の面と共に平坦化された第２
のコイル絶縁層とを備えたので、更に、ヨーク部分層を
精度よく形成することが可能になるという効果を奏す
る。
よれば、一方の磁性層は、更に、第２の磁極部分層とヨ
ーク部分層とを接続するための接続層を有し、薄膜コイ
ルは、第１の磁極部分層の側方に配置された第１の部分
と、接続層の側方に配置された第２の部分とを有し、薄
膜磁気ヘッドは、更に、第１の磁極部分層の側方に配置
された薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分層側
の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化された
第１のコイル絶縁層と、接続層の側方に配置された薄膜
コイルの第２の部分を覆い、ヨーク部分層側の面が接続
層におけるヨーク部分層側の面と共に平坦化された第２
のコイル絶縁層とを備えたので、更に、ヨーク部分層を
精度よく形成することが可能になるという効果を奏す
る。
【０１５０】また、請求項１３ないし３３のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の磁性層を
形成する工程が、磁極部分における長さがスロートハイ
トに等しい第１の磁極部分層を形成する工程と、第１の
磁極部分層に接触する部分の幅が記録トラック幅と等し
く、且つ全体の長さが磁極部分における第１の磁極部分
層の長さよりも大きい第２の磁極部分層を形成する工程
と、第１の磁極部分層と第２の磁極部分層と接触する部
分において、第１の磁極部分層の幅が第２の磁極部分層
の幅と等しくなるように、第２の磁極部分層をマスクと
して第１の磁極部分層をエッチングする工程と、ヨーク
部分層を形成する工程とを含む。従って、本発明によれ
ば、始めは記録トラック幅よりも大きい幅を有するよう
に第１の磁極部分層を形成することが可能となり、第１
の磁極部分層を精度よく形成することが可能となる。ま
た、本発明によれば、第２の磁極部分層は、全体の長さ
が第１の磁極部分層の長さよりも大きいので、第２の磁
極部分層を精度よく形成することが可能となる。これら
のことから、本発明によれば、誘導型磁気変換素子のト
ラック幅を小さくした場合でもトラック幅とスロートハ
イトを精度よく規定することが可能になるという効果を
奏する。更に、本発明によれば、第１の磁極部分層とヨ
ーク部分層とが第２の磁極部分層を介して接続され、且
つ第２の磁極部分層の長さが第１の磁極部分層の長さよ
りも大きいことから第２の磁極部分層とヨーク部分層と
が比較的広い領域で接触する。従って、本発明によれ
ば、ヨーク部分層から第１の磁極部分層にかけて磁路の
断面積が急激に減少することを防止でき、磁路の途中で
の磁束の飽和を防止することが可能になるという効果を
奏する。
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第２の磁性層を
形成する工程が、磁極部分における長さがスロートハイ
トに等しい第１の磁極部分層を形成する工程と、第１の
磁極部分層に接触する部分の幅が記録トラック幅と等し
く、且つ全体の長さが磁極部分における第１の磁極部分
層の長さよりも大きい第２の磁極部分層を形成する工程
と、第１の磁極部分層と第２の磁極部分層と接触する部
分において、第１の磁極部分層の幅が第２の磁極部分層
の幅と等しくなるように、第２の磁極部分層をマスクと
して第１の磁極部分層をエッチングする工程と、ヨーク
部分層を形成する工程とを含む。従って、本発明によれ
ば、始めは記録トラック幅よりも大きい幅を有するよう
に第１の磁極部分層を形成することが可能となり、第１
の磁極部分層を精度よく形成することが可能となる。ま
た、本発明によれば、第２の磁極部分層は、全体の長さ
が第１の磁極部分層の長さよりも大きいので、第２の磁
極部分層を精度よく形成することが可能となる。これら
のことから、本発明によれば、誘導型磁気変換素子のト
ラック幅を小さくした場合でもトラック幅とスロートハ
イトを精度よく規定することが可能になるという効果を
奏する。更に、本発明によれば、第１の磁極部分層とヨ
ーク部分層とが第２の磁極部分層を介して接続され、且
つ第２の磁極部分層の長さが第１の磁極部分層の長さよ
りも大きいことから第２の磁極部分層とヨーク部分層と
が比較的広い領域で接触する。従って、本発明によれ
ば、ヨーク部分層から第１の磁極部分層にかけて磁路の
断面積が急激に減少することを防止でき、磁路の途中で
の磁束の飽和を防止することが可能になるという効果を
奏する。
【０１５１】また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面
を、媒体対向面から離れた位置に配置したので、更に、
記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止
することができるという効果を奏する。
製造方法によれば、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面
を、媒体対向面から離れた位置に配置したので、更に、
記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止
することができるという効果を奏する。
【０１５２】また、請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、更に、第１の磁極部分層の側方に配
置され、第２の磁極部分層側の面が第１の磁極部分層の
他方の面と共に平坦化された絶縁層を形成する工程を含
むようにしたので、更に、第２の磁極部分層を精度よく
形成することが可能になるという効果を奏する。
製造方法によれば、更に、第１の磁極部分層の側方に配
置され、第２の磁極部分層側の面が第１の磁極部分層の
他方の面と共に平坦化された絶縁層を形成する工程を含
むようにしたので、更に、第２の磁極部分層を精度よく
形成することが可能になるという効果を奏する。
【０１５３】また、請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、薄膜コイルの少なくとも一部を第１
の磁極部分層の側方に配置するようにしたので、更に、
薄膜コイルの少なくとも一部の端部を第１の磁極部分層
の端部の近くに配置することができ、その結果、磁路長
の縮小が可能になるという効果を奏する。
製造方法によれば、薄膜コイルの少なくとも一部を第１
の磁極部分層の側方に配置するようにしたので、更に、
薄膜コイルの少なくとも一部の端部を第１の磁極部分層
の端部の近くに配置することができ、その結果、磁路長
の縮小が可能になるという効果を奏する。
【０１５４】また、請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、更に、第１の磁極部分層の側方に配
置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、ヨーク部
分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化
されたコイル絶縁層を形成する工程を含むようにしたの
で、更に、絶縁層に隣接する層を精度よく形成すること
が可能になるという効果を奏する。
製造方法によれば、更に、第１の磁極部分層の側方に配
置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、ヨーク部
分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化
されたコイル絶縁層を形成する工程を含むようにしたの
で、更に、絶縁層に隣接する層を精度よく形成すること
が可能になるという効果を奏する。
【０１５５】また、請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第１の磁極部分層の側方に配置され
た薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分層側の面
が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化されたコイ
ル絶縁層を形成し、薄膜コイルの第２の部分をコイル絶
縁層とヨーク部分層との間に配置するようにしたので、
更に、薄膜コイルの第２の部分を精度よく形成すること
が可能になるという効果を奏する。
製造方法によれば、第１の磁極部分層の側方に配置され
た薄膜コイルの第１の部分を覆い、ヨーク部分層側の面
が第２の磁極部分層の他方の面と共に平坦化されたコイ
ル絶縁層を形成し、薄膜コイルの第２の部分をコイル絶
縁層とヨーク部分層との間に配置するようにしたので、
更に、薄膜コイルの第２の部分を精度よく形成すること
が可能になるという効果を奏する。
【０１５６】また、請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、第２の磁極部分層とヨーク部分層と
を接続するための接続層を設け、薄膜コイルの第１の部
分を第１の磁極部分層の側方に配置し、薄膜コイルの第
２の部分を接続層の側方に配置し、更に、第１の磁極部
分層の側方に配置された薄膜コイルの第１の部分を覆
い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面
と共に平坦化された第１のコイル絶縁層を形成する工程
と、接続層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部分
を覆い、ヨーク部分層側の面が接続層におけるヨーク部
分層側の面と共に平坦化された第２のコイル絶縁層を形
成する工程とを含むようにしたので、更に、ヨーク部分
層を精度よく形成することが可能になるという効果を奏
する。
製造方法によれば、第２の磁極部分層とヨーク部分層と
を接続するための接続層を設け、薄膜コイルの第１の部
分を第１の磁極部分層の側方に配置し、薄膜コイルの第
２の部分を接続層の側方に配置し、更に、第１の磁極部
分層の側方に配置された薄膜コイルの第１の部分を覆
い、ヨーク部分層側の面が第２の磁極部分層の他方の面
と共に平坦化された第１のコイル絶縁層を形成する工程
と、接続層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部分
を覆い、ヨーク部分層側の面が接続層におけるヨーク部
分層側の面と共に平坦化された第２のコイル絶縁層を形
成する工程とを含むようにしたので、更に、ヨーク部分
層を精度よく形成することが可能になるという効果を奏
する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
ドの断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造途中の状態を示す平面図である。
ドの製造途中の状態を示す平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。
ッドの平面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態における第１の磁
極部分層１０ａの厚みＴを幅Ｐ２Ｗで除算した値Ｔ／Ｐ
２Ｗとオーバーライト特性との関係の一例を示す特性図
である。
極部分層１０ａの厚みＴを幅Ｐ２Ｗで除算した値Ｔ／Ｐ
２Ｗとオーバーライト特性との関係の一例を示す特性図
である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１８】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２４】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
ッドの断面図である。
【図２５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２７】図２６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２９】従来の磁気ヘッドの平面図である。
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１０ａ…
上部磁極層の第１の磁極部分層、１０ｂ…上部磁極層の
第２の磁極部分層、１５…絶縁膜、１６…薄膜コイル、
１７…コイル絶縁層、１８…ヨーク部分層、２０…オー
バーコート層。
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１０ａ…
上部磁極層の第１の磁極部分層、１０ｂ…上部磁極層の
第２の磁極部分層、１５…絶縁膜、１６…薄膜コイル、
１７…コイル絶縁層、１８…ヨーク部分層、２０…オー
バーコート層。
Claims (33)
- 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
膜磁気ヘッドであって、 一方の磁性層は、 一方の面が前記記録ギャップ層に隣接し、幅が記録トラ
ック幅に等しく、長さがスロートハイトに等しく、磁極
部分の一部となる第１の磁極部分層と、 一方の面が前記第１の磁極部分層の他方の面に接触し、
前記第１の磁極部分層に接触する部分の幅が前記第１の
磁極部分層の幅と等しく、且つ全体の長さが前記第１の
磁極部分層の長さよりも大きく、磁極部分の他の一部と
なる第２の磁極部分層と、 前記第２の磁極部分層の他方の面に直接または間接的に
接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面
は、媒体対向面から離れた位置に配置されていることを
特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に配
置され、前記第２の磁極部分層側の面が前記第１の磁極
部分層の他方の面と共に平坦化された絶縁層を備えたこ
とを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前
記第１の磁極部分層の側方に配置されていることを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項５】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に配
置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ヨー
ク部分層側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共
に平坦化されたコイル絶縁層を備えたことを特徴とする
請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記薄膜コイルは、前記第１の磁極部分
層の側方に配置された第１の部分と、この第１の部分と
前記ヨーク部分層との間に配置された第２の部分とを有
することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に配
置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク部
分層側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に平
坦化されたコイル絶縁層を備え、前記薄膜コイルの第２
の部分は、前記コイル絶縁層と前記ヨーク部分層との間
に配置されていることを特徴とする請求項６記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記一方の磁性層は、更に、前記第２の
磁極部分層と前記ヨーク部分層とを接続するための接続
層を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記薄膜コイルは、前記第１の磁極部分
層の側方に配置された第１の部分と、前記接続層の側方
に配置された第２の部分とを有することを特徴とする請
求項８記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に
配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク
部分層側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に
平坦化された第１のコイル絶縁層と、前記接続層の側方
に配置された薄膜コイルの第２の部分を覆い、前記ヨー
ク部分層側の面が前記接続層におけるヨーク部分層側の
面と共に平坦化された第２のコイル絶縁層とを備えたこ
とを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記第１の磁極部分層は高飽和磁束密
度材料よりなり、前記第１の磁極部分層の厚さを幅で除
算した値は０．５以上であることを特徴とする請求項１
ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 更に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側
の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置
され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１およ
び第２のシールド層とを備えたことを特徴とする請求項
１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互
いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互い
に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記記録ギャップ層を形成する
工程と、 前記記録ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する
工程と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
含み、 前記第２の磁性層を形成する工程は、 一方の面が前記記録ギャップ層に隣接し、磁極部分にお
ける長さがスロートハイトに等しく、磁極部分の一部と
なる第１の磁極部分層を形成する工程と、 一方の面が前記第１の磁極部分層の他方の面に接触し、
前記第１の磁極部分層に接触する部分の幅が記録トラッ
ク幅と等しく、且つ全体の長さが磁極部分における前記
第１の磁極部分層の長さよりも大きく、磁極部分の他の
一部となる第２の磁極部分層を形成する工程と、 前記第１の磁極部分層と第２の磁極部分層と接触する部
分において、前記第１の磁極部分層の幅が前記第２の磁
極部分層の幅と等しくなるように、前記第２の磁極部分
層をマスクとして第１の磁極部分層をエッチングする工
程と、 前記第２の磁極部分層の他方の面に直接または間接的に
接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形成する工
程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１４】 前記ヨーク部分層を形成する工程は、
前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を、媒体対向面
から離れた位置に配置することを特徴とする請求項１３
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に
配置され、前記第２の磁極部分層側の面が前記第１の磁
極部分層の他方の面と共に平坦化された絶縁層を形成す
る工程を含むことを特徴とする請求項１３または１４記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
記薄膜コイルの少なくとも一部を前記第１の磁極部分層
の側方に配置することを特徴とする請求項１３ないし１
５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に
配置された薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、前記ヨ
ーク部分層側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と
共に平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程を含むこ
とを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１８】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
記第１の磁極部分層の側方に配置される第１の部分と、
この第１の部分と前記ヨーク部分層との間に配置される
第２の部分とを形成することを特徴とする請求項１３な
いし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１９】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に
配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク
部分層側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に
平坦化されたコイル絶縁層を形成する工程を含み、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの第
２の部分を前記コイル絶縁層と前記ヨーク部分層との間
に配置することを特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】前記第２の磁性層を形成する工程は、更
に、前記第２の磁極部分層と前記ヨーク部分層とを接続
するための接続層を形成する工程を含むことを特徴とす
る請求項１３ないし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項２１】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
記第１の磁極部分層の側方に配置される第１の部分と、
前記接続層の側方に配置される第２の部分とを形成する
ことを特徴とする請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２２】 更に、前記第１の磁極部分層の側方に
配置された薄膜コイルの第１の部分を覆い、前記ヨーク
部分層側の面が前記第２の磁極部分層の他方の面と共に
平坦化された第１のコイル絶縁層を形成する工程と、前
記接続層の側方に配置された薄膜コイルの第２の部分を
覆い、前記ヨーク部分層側の面が前記接続層におけるヨ
ーク部分層側の面と共に平坦化された第２のコイル絶縁
層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項２１
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２３】 第１の磁極部分層をエッチングする工
程では、反応性イオンエッチングを用いて第１の磁極部
分層をエッチングすることを特徴とする請求項１３ない
し２２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２４】 第１の磁極部分層をエッチングする工
程では、第２の磁極部分層の上にマスクパターンを形成
し、このマスクパターンをマスクとして反応性イオンエ
ッチングを用いて第２の磁極部分層をエッチングし、更
に、前記マスクパターンおよび第２の磁極部分層をマス
クとして反応性イオンエッチングを用いて第１の磁極部
分層をエッチングすることを特徴とする請求項２３記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２５】 更に、前記第１の磁極部分層のエッチ
ング後に、前記マスクパターンおよび第２の磁極部分層
をマスクとして反応性イオンエッチングを用いて第１の
磁性層の一部をエッチングする工程を含むことを特徴と
する請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２６】 前記第２の磁極部分層はめっき法によ
って形成されることを特徴とする請求項１３ないし２２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２７】 前記第１の磁極部分層をエッチングす
る工程では、前記第２の磁極部分層をマスクとして反応
性イオンエッチングを用いて第１の磁極部分層をエッチ
ングすることを特徴とする請求項２６記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項２８】 更に、前記第１の磁極部分層のエッチ
ング後に、前記第２の磁極部分層をマスクとして反応性
イオンエッチングを用いて第１の磁性層の一部をエッチ
ングする工程を含むことを特徴とする請求項２７記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２９】 前記第１の磁極部分層は高飽和磁束密
度材料よりなり、前記第１の磁極部分層の厚さを幅で除
算した値は０．５以上であることを特徴とする請求項２
７または２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３０】 前記第１の磁極部分層をエッチングす
る工程における反応性イオンエッチングでは、ガスとし
てＣｌ2またはＢＣｌ3を用いることを特徴とする請求項
２７ないし２９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３１】 前記第１の磁極部分層をエッチングす
る工程における反応性イオンエッチングは、５０〜３０
０℃の範囲内の温度で行われることを特徴とする請求項
２７ないし３０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項３２】 更に、磁気抵抗素子と、媒体対向面側
の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置
され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１およ
び第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と前記第１お
よび第２のシールド層との間に設けられた第１および第
２の絶縁膜とを形成する工程を含むことを特徴とする請
求項１３ないし３１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項３３】 前記第１および第２の絶縁膜の少なく
とも一方は、化学的気相成長法によって形成されること
を特徴とする請求項３２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
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