JP2001344709A - 薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜パターンの形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2001344709A
JP2001344709A JP2000168391A JP2000168391A JP2001344709A JP 2001344709 A JP2001344709 A JP 2001344709A JP 2000168391 A JP2000168391 A JP 2000168391A JP 2000168391 A JP2000168391 A JP 2000168391A JP 2001344709 A JP2001344709 A JP 2001344709A
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magnetic
forming
thin film
film
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Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 短時間で微細な薄膜パターンを精度よく形成
し、且つ薄膜パターンにおける腐食の発生を防止する。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドにおいて記録トラック幅
を規定する上部磁極層の磁極部分層１１ａは次のように
して形成される。すなわち、まず、ＦｅＮやＦｅＣｏ等
の高飽和磁束密度材料をスパッタリングして、被パター
ニング膜を形成する。次に、この被パターニング膜の上
に、所定のパターンの磁性層１２ａを形成する。次に、
磁性層１２ａをマスクとして、反応性イオンエッチング
によって、被パターニング膜をエッチングする。これに
より、被パターニング膜がパターニングされて磁極部分
層１１ａが形成される。次に、反応性イオンエッチング
によって得られた磁極部分層１１ａの断面をイオンミリ
ングによってわずかにエッチングして、付着物を除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被パターニング膜
をエッチングして薄膜パターンを形成する方法、および
被パターニング膜をエッチングして磁性層を形成する工
程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極の媒体対向面
（エアベアリング面とも言う。）での幅を数ミクロンか
らサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録
ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半
導体加工技術が利用されている。
【０００４】最近では、４０〜６０ギガビット／（イン
チ）2の面記録密度を有する複合型薄膜磁気ヘッドを実
現するために、記録トラック幅としては０．２〜０．３
μｍの寸法が要求されてきている。
【０００５】従来の薄膜磁気ヘッドでは、記録トラック
幅を規定する磁性層は、材料としてＮｉＦｅを用いてめ
っき法によって形成されることが多かった。ＮｉＦｅ
は、Ｆｅの比率を上げることで飽和磁束密度を大きくす
ることができる。飽和磁束密度の大きなＮｉＦｅとして
は、飽和磁束密度が１．６Ｔ程度となるＮｉ：４５重量
％、Ｆｅ：５５重量％の組成を持つＮｉＦｅがよく知ら
れている。従って、このような飽和磁束密度の大きなＮ
ｉＦｅを用いることにより、飽和磁束密度の大きな磁性
層を形成することができる。
【０００６】しかし、前述のように記録トラック幅が小
さくなってくると、記録トラック幅を規定する磁性層の
材料として飽和磁束密度の大きなＮｉＦｅを用いたとし
ても、エアベアリング面において十分な磁束が得られな
くなり、その結果、重ね書きする場合の特性であるオー
バーライト特性等の記録特性が不十分になる場合があ
る。
【０００７】そこで、記録トラック幅を規定する磁性層
の材料として、ＮｉＦｅよりも大きな飽和磁束密度、例
えば２．０Ｔ程度の飽和磁束密度を有する高飽和磁束密
度材料であるＦｅＮやＦｅＣｏ等を用いることが考えら
れる。このような高飽和磁束密度材料を用いて所望の薄
膜パターンを形成する方法としては、一般的に、スパッ
タリングによって形成された被パターニング膜をエッチ
ングする方法が用いられる。エッチングの方法として
は、例えばイオンミリングが用いられる。
【０００８】ここで、図１０ないし図１４を参照して、
上述のように被パターニング膜をイオンミリングによっ
てエッチングして、記録トラック幅を規定する磁性層を
形成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例に
ついて説明する。なお、図１０ないし図１４において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【０００９】この製造方法では、まず、図１０に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を形成する。次に、絶縁層１０２の
上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層
１０３を形成する。
【００１０】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナをスパッタリングして、絶縁層としての下部
シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シー
ルドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５
を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上
に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層
１０６を形成する。
【００１１】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【００１２】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
【００１３】次に、図１１に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．１５μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９Ａを形成す
る。
【００１４】次に、全体に、ＦｅＮやＦｅＣｏ等の高飽
和磁束密度材料をスパッタリングして、被パターニング
膜を、約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。次に、
この被パターニング膜の上に、パターニングされたフォ
トレジスト層よりなるフォトレジストマスク１１２ａ，
１１２ｂを、例えば５μｍの厚みに形成する。フォトレ
ジストマスク１１２ａは、被パターニング膜のうち磁極
部分となる部分の上に形成され、フォトレジストマスク
１１２ｂは、被パターニング膜のうちコンタクトホール
１０９Ａの上に位置する部分の上に形成される。
【００１５】次に、フォトレジストマスク１１２ａ，１
１２ｂをマスクとして、イオンミリングによって被パタ
ーニング膜をエッチングして、上部磁極層の磁極部分を
構成する磁極部分層１１１ａと、下部磁極層１０８に接
続される磁性層１１１ｂとを形成する。磁極部分層１１
１ａの幅は記録トラック幅に等しい。
【００１６】次に、図１２に示したように、フォトレジ
ストマスク１１２ａ，１１２ｂを除去する。次に、磁極
部分層１１１ａの周辺において、磁極部分層１１１ａを
マスクとして、記録ギャップ層１０９をエッチングし、
更に下部磁極層１０８を例えば０．３μｍだけエッチン
グする。これにより、図１２（ｂ）に示したように、磁
極部分層１１１ａ、記録ギャップ層１０９および下部磁
極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成さ
れた構造が得られる。この構造はトリム（Trim）構造と
呼ばれる。
【００１７】次に、全体に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１３を、２〜３μｍの厚みに形成する。次に、
この絶縁層１１３を、磁極部分層１１１ａおよび磁性層
１１１ｂの表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１８】次に、平坦化された絶縁層１１３の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の薄膜
コイルの第１層部分１１４を、１〜２μｍの厚みに形成
する。図１２（ａ）において、符号１１４ａは、第１層
部分１１４のうち、後述する薄膜コイルの第２層部分１
１６に接続される接続部を示している。次に、絶縁層１
１３および薄膜コイルの第１層部分１１４の上に、フォ
トレジスト層１１５を所定のパターンに形成する。次
に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために
所定の温度で熱処理する。
【００１９】次に、図１３に示したように、フォトレジ
スト層１１５の上に、薄膜コイルの第２層部分１１６を
１〜２μｍの厚みに形成する。次に、フォトレジスト層
１１５および薄膜コイルの第２層部分１１６の上に、フ
ォトレジスト層１１７を、所定のパターンに形成する。
次に、フォトレジスト層１１７の表面を平坦にするため
に所定の温度で熱処理する。
【００２０】次に、磁極部分層１１１ａ、フォトレジス
ト層１１５，１１７および磁性層１１１ｂの上に、磁性
材料によって、上部磁極層のヨーク部分を構成するヨー
ク部分層１１８を、約２〜３μｍの厚みに形成する。
【００２１】次に、図１４に示したように、ヨーク部分
層１１８の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコー
ト層１１９を、２０〜４０μｍの厚みに形成する。最後
に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録
ヘッドおよび再生ヘッドとを含む薄膜磁気ヘッドのエア
ベアリング面１３０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成
する。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】記録トラック幅を規定
する上部磁極層を、１層で構成するのではなく、図１４
に示したように磁極部分層１１１ａとヨーク部分層１１
８とによって構成する方が、小さなトラック幅を容易に
実現することができる。また、前述のように、記録トラ
ック幅が小さくなってくると、記録トラック幅を規定す
る磁極部分層１１１ａの材料として、ＦｅＮやＦｅＣｏ
等の高飽和磁束密度材料を用いることが必要になってく
る。このような高飽和磁束密度材料を用いて磁極部分層
１１１ａを形成する方法としては、一般的には、図１１
に示したように、スパッタリングによって形成された被
パターニング膜を、フォトレジストマスク１１２ａをマ
スクとしてイオンミリングによってエッチングする方法
が用いられる。
【００２３】しかしながら、ＦｅＮやＦｅＣｏ等の高飽
和磁束密度材料よりなる被パターニング膜をイオンミリ
ングによってエッチングする際のエッチング速度は、３
０〜４０ｎｍ／分程度であり、大変小さい。そのため、
被パターニング膜をイオンミリングによってエッチング
して磁極部分層１１１ａを形成する場合には、多くの時
間がかかるという問題点がある。また、イオンミリング
によるエッチングでは、得られるパターンのプロファイ
ルが極めて悪くなり、パターンの断面が底面に対して５
０°〜７０°の傾斜を持つようになる。そのため、０．
３μｍ以下の小さなトラック幅を実現することが困難に
なるという問題点がある。また、イオンミリングによる
エッチングでは、被パターニング膜の厚みが大きくなる
ほど、得られるパターンにおいて断面が底面に対してな
す傾斜角度が緩やかになり、小さなトラック幅を実現す
ることがより困難になる。
【００２４】特開平６−４４５２８号公報には、塩素系
ガス中での反応性イオンエッチングによって磁性体層を
加工する技術が開示されている。この技術によれば、イ
オンミリングによって磁性体層を加工する場合に比べ
て、短時間で、磁性体層を微細に加工することが可能に
なる。
【００２５】ところで、ＦｅＮやＦｅＣｏ等の高飽和磁
束密度材料よりなる被パターニング膜をエッチングして
形成された磁極部分層１１１ａは水分に反応しやすく、
図１１に示したようなエッチングの工程中や、その後の
工程において、磁極部分層１１１ａに腐食が発生しやす
い。図１１において、符号１２０は腐食部分を示してい
る。
【００２６】一方、反応性イオンエッチングによって被
パターニング膜をエッチングして磁極部分層１１１ａを
形成する場合には、反応性ガスの成分の分子が磁極部分
層１１１ａの断面に付着し、磁極部分層１１１ａに腐食
が発生するという問題点がある。例えば、塩素系ガス中
での反応性イオンエッチングによって被パターニング膜
をエッチングして磁極部分層１１１ａを形成すると、磁
極部分層１１１ａの断面に塩素分子が付着する。この塩
素分子は水と反応して塩酸となって、磁極部分層１１１
ａを腐食する。
【００２７】従って、特に、ＦｅＮやＦｅＣｏ等の高飽
和磁束密度材料よりなる被パターニング膜を反応性イオ
ンエッチングによってエッチングする場合には、磁極部
分層１１１ａにおける腐食の発生が顕著になるという問
題点がある。磁極部分層１１１ａにおける腐食の発生
は、記録トラック幅の制御を困難にすると共に、オーバ
ーライト特性や非線形トランジションシフト（Non-line
ar Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）等
の記録特性を劣化させる。
【００２８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、短時間で微細な薄膜パターン
を精度よく形成することができ、且つ薄膜パターンにお
ける腐食の発生を防止できるようにした薄膜パターンの
形成方法を提供することにある。
【００２９】本発明の第２の目的は、短時間で微細な形
状の磁性層を精度よく形成することができ、且つ磁性層
における腐食の発生を防止できるようにした薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜パターンの
形成方法は、被パターニング膜を形成する工程と、被パ
ターニング膜の一部を反応性イオンエッチングによって
エッチングして薄膜パターンを形成する工程と、薄膜パ
ターンを形成する工程によって得られた薄膜パターンの
断面より付着物を除去する工程とを備えたものである。
【００３１】本発明の薄膜パターンの形成方法では、被
パターニング膜の一部を反応性イオンエッチングによっ
てエッチングすることによって薄膜パターンが形成さ
れ、その後、この薄膜パターンの断面より付着物が除去
される。
【００３２】本発明の薄膜パターンの形成方法におい
て、付着物を除去する工程では、イオンミリングが用い
られてもよいし、逆スパッタリングが用いられてもよ
い。
【００３３】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、薄膜パターンを形成する工程では、めっき法に
よって形成されたマスク層をマスクとして用いて被パタ
ーニング膜のエッチングを行ってもよい。この場合、マ
スク層は、めっき可能な磁性材料によって形成されても
よい。
【００３４】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、薄膜パターンを形成する工程では、絶縁材料に
よって形成されたマスク層をマスクとして用いて被パタ
ーニング膜のエッチングを行ってもよい。
【００３５】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、薄膜パターンを形成する工程における反応性イ
オンエッチングでは、反応性ガスとして塩素系ガスまた
はフッ素系ガスを用いてもよい。
【００３６】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、薄膜パターンを形成する工程における反応性イ
オンエッチングは、５０〜３００℃の範囲内の温度で行
われてもよい。
【００３７】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、被パターニング膜はスパッタリングによって形
成されてもよい。
【００３８】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、被パターニング膜は高飽和磁束密度材料によっ
て形成されてもよい。なお、本発明において、高飽和磁
束密度材料とは、飽和磁束密度が１．６Ｔ以上の磁性材
料を言う。
【００３９】また、本発明の薄膜パターンの形成方法に
おいて、薄膜パターンは、薄膜磁気ヘッドにおいて用い
られる磁性層であってもよい。
【００４０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記
録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２
の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の
磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ルとを備え、第２の磁性層はトラック幅を規定するトラ
ック幅規定層を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の磁
極部分の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層
の上に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部
が第１および第２の磁性層の間に、この第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で配置されるように、
薄膜コイルを形成する工程とを備え、第２の磁性層を形
成する工程は、被パターニング膜を形成する工程と、被
パターニング膜の一部を反応性イオンエッチングによっ
てエッチングしてトラック幅規定層を形成する工程と、
トラック幅規定層を形成する工程によって得られたトラ
ック幅規定層の断面より付着物を除去する工程とを含む
ものである。
【００４１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
被パターニング膜の一部を反応性イオンエッチングによ
ってエッチングすることによってトラック幅規定層が形
成され、その後、このトラック幅規定層の断面より付着
物が除去される。
【００４２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、付着物を除去する工程では、イオンミリングが用い
られてもよいし、逆スパッタリングが用いられてもよ
い。
【００４３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トラック幅規定層を形成する工程では、めっ
き法によって形成されたマスク層をマスクとして用いて
被パターニング膜のエッチングを行ってもよい。この場
合、マスク層は、めっき可能な磁性材料によって形成さ
れてもよい。
【００４４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トラック幅規定層を形成する工程では、絶縁
材料によって形成されたマスク層をマスクとして用いて
被パターニング膜のエッチングを行ってもよい。
【００４５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トラック幅規定層を形成する工程における反
応性イオンエッチングでは、反応性ガスとして塩素系ガ
スまたはフッ素系ガスを用いてもよい。
【００４６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、トラック幅規定層を形成する工程における反
応性イオンエッチングは、５０〜３００℃の範囲内の温
度で行われてもよい。
【００４７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、被パターニング膜はスパッタリングによって
形成されてもよい。
【００４８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、被パターニング膜は高飽和磁束密度材料によ
って形成されてもよい。
【００４９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、更に、トラック幅規定層の形成後に、反応性イオン
エッチングによって、トラック幅規定層の周辺における
第１の磁性層の一部をエッチングする工程を備えていて
もよい。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図５を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜パターンの形
成方法を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明
する。なお、図１ないし図５において、（ａ）はエアベ
アリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエ
アベアリング面に平行な断面を示している。
【００５１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えば化学機械
研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド
層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００５２】次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜と
しての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４
０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ
膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに
形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形
成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形
成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素
子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の
磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることが
できる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ
素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎ
ｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４
およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールド
ギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成
し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設す
る。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料とし
ては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライ
クカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャッ
プ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、
化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。
アルミナ膜よりなるシールドギャップ膜４，７をＣＶＤ
法によって形成する場合には、材料としては例えばトリ
メチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを
用いる。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホ
ールの少ないシールドギャップ膜４，７を形成すること
が可能となる。
【００５３】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、例えば約２．５〜３．５μｍの厚み
で、選択的に形成する。下部磁極層８は、ＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密
度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５
重量％）等を用い、めっき法によって所定のパターンに
形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，
ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ後、選択的にエッ
チングして所定のパターンに形成してもよい。この他に
も、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ、Ｃｏ系アモル
ファス材等を用いてもよい。
【００５４】次に、図２に示したように、全体に、下部
磁極層８の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層９
を、例えば例えば０．１〜０．１５μｍの厚みに形成す
る。記録ギャップ層９に使用する絶縁材料としては、一
般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物
系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカ
ーボン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャップ層９
は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相
成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。アルミナ膜
よりなる記録ギャップ層９をＣＶＤ法によって形成する
場合には、材料としては例えばトリメチルアルミニウム
（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を
用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少ない記録ギ
ャップ層９を形成することが可能となる。
【００５５】次に、磁路形成のために、後述する薄膜コ
イル１４の中心の近傍の位置において、記録ギャップ層
９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９Ａを形
成する。
【００５６】次に、記録ギャップ層９の上において、エ
アベアリング面３０から所定の距離だけ離れた位置から
コンタクトホール９Ａの近傍の位置にかけて、スロート
ハイトを規定するための、例えばアルミナよりなる絶縁
層１０を、例えば０．８μｍの厚みに形成する。
【００５７】次に、全体に、ＦｅＮやＦｅＣｏ等の高飽
和磁束密度材料をスパッタリングして、被パターニング
膜１１を、約０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。次
に、この被パターニング膜１１の上に、めっき法によっ
て、所定のパターンの磁性層１２ａ，１２ｂを、例えば
２．５μｍの厚みに形成する。磁性層１２ａは、被パタ
ーニング膜１１のうち磁極部分となる部分の上に形成さ
れ、磁性層１２ｂは、被パターニング膜１１のうちコン
タクトホール９Ａの上に位置する部分の上に形成され
る。磁性層１２ａ，１２ｂは、後述するように被パター
ニング膜１１を反応性イオンエッチングによってエッチ
ングする際のマスクとされる。従って、磁性層１２ａ，
１２ｂは、本発明におけるマスク層に対応する。
【００５８】磁性層１２ａ，１２ｂの材料は、めっき可
能な磁性材料であればよく、例えばＮｉ：８０重量％、
Ｆｅ：２０重量％の組成を持つＮｉＦｅでもよいし、Ｎ
ｉ：４５重量％以下、Ｆｅ：５５重量％以上の組成を持
つ高飽和磁束密度のＮｉＦｅでもよい。
【００５９】次に、図３に示したように、磁性層１２
ａ，１２ｂをマスクとして、反応性イオンエッチング
（以下、ＲＩＥと記す。）によって、被パターニング膜
１１および絶縁層１０をエッチングする。これにより、
被パターニング膜１１がパターニングされて、上部磁極
層の磁極部分の一部を含む磁極部分層１１ａと、下部磁
極層８に接続される磁性層１１ｂとが形成され、絶縁層
１０がパターニングされて、スロートハイトを規定する
スロートハイト規定層１０ａが形成される。また、この
エッチングによって、後述する薄膜コイル１４を形成す
る領域に、コイル収納部１３が形成される。コイル収納
部１３の底部は記録ギャップ層９の上面となっている。
【００６０】次に、磁極部分層１１ａの周辺において、
磁性層１２ａをマスクとして、ＲＩＥによって、記録ギ
ャップ層９と、下部磁極層８の一部をエッチングして、
図３（ｂ）に示したようなトリム構造を形成する。この
トリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生す
る磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止する
ことができる。
【００６１】磁極部分層１１ａは、記録トラック幅と等
しい幅を有する。従って、磁極部分層１１ａは、本発明
におけるトラック幅規定層に対応する。本実施の形態で
は、磁性層１２ａは、上部磁極層の磁極部分の他の一部
を含み、記録トラック幅と等しい幅を有する。
【００６２】ＲＩＥにおける反応性ガスとしては、Ｃｌ
2、ＢＣｌ3等の塩素系ガスや、ＣＦ 4、ＳＦ6等のフッ素
系ガス等が用いられるが、特に、Ｃｌ2またはＢＣｌ3を
用いるのが好ましい。また、ＲＩＥは、５０〜３００℃
の範囲内の温度で行うのが好ましい。このような高い温
度でＲＩＥを行うことにより、磁性層１２ａ，１２ｂを
ＮｉＦｅを用いて形成した場合に、ＲＩＥの際にＮｉ分
子が再付着することを防止することができる。
【００６３】次に、ＲＩＥによって得られたパターンの
断面を、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリング
によってわずかにエッチングする。イオンミリングの際
のイオンビームの投射角度（パターンの底面に対する角
度）は例えば４５°〜７０°とし、エッチングの時間は
例えば１〜５分とする。このイオンミリングによって、
ＲＩＥの際に上記断面に付着した反応性ガスの成分の分
子、例えば塩素分子を、上記断面より除去することがで
きる。これにより、上記断面における腐食の発生を防止
することができる。
【００６４】また、ＲＩＥによって得られたパターンの
断面をイオンミリングによってわずかにエッチングする
ことにより、記録トラック幅を規定する磁極部分層１１
ａの幅を、ＲＩＥによって得られる幅よりも小さくする
ことができる。例えば、ＲＩＥによって、磁極部分層１
１ａおよび磁性層１２ａの幅を０．３μｍとし、イオン
ミリングによって、磁極部分層１１ａおよび磁性層１２
ａの両側面を０．０５μｍずつエッチングすることによ
り、磁極部分層１１ａおよび磁性層１２ａの幅、すなわ
ち記録トラック幅を０．２μｍとすることができる。
【００６５】なお、上記イオンミリングの代りに、逆ス
パッタリング（スパッタエッチング）を用いてもよい。
【００６６】上述のように、被パターニング膜１１をＲ
ＩＥによってエッチングしてパターニングした後、得ら
れたパターンの断面をイオンミリングによってわずかに
エッチングする方法が、本実施の形態に係る薄膜パター
ンの形成方法である。
【００６７】次に、図４に示したように、コイル収納部
１３に、例えばフレームめっき法によって、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１４を、例えば１．０〜
２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピ
ッチで形成する。薄膜コイル１４は、磁性層１１ｂを中
心にして巻回されるように形成される。なお、図４
（ａ）において、符号１４ａは、薄膜コイル１４を後述
するリード層１８と接続するための接続部を示してい
る。
【００６８】次に、薄膜コイル１４を覆うようにフォト
レジスト層１５を形成する。次に、全体に、例えばアル
ミナよりなる絶縁層１６を、約３〜４μｍの厚みに形成
する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層１２ａ、１
２ｂが露出するまで、絶縁層１６を研磨して、表面を平
坦化処理する。
【００６９】次に、図５に示したように、接続部１４ａ
の上において、絶縁層１６を部分的にエッチングしてコ
ンタクトホールを形成する。次に、磁性層１２ａ、絶縁
層１６および磁性層１２ｂの上に、上部磁極層のヨーク
部分となるヨーク部分層１７を、例えば約２〜３μｍの
厚みに形成する。このとき同時に、接続部１４ａに接続
されるリード層１８を、例えば約２〜３μｍの厚みに形
成する。ヨーク部分層１７は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であ
るＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等
を用い、めっき法によって所定のパターンに形成しても
よいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ
等の材料を用い、選択的にエッチングして所定のパター
ンに形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料
であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよ
い。また、高周波特性の改善のため、ヨーク部分層１７
を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層に
も重ね合わせた構造としてもよい。
【００７０】ヨーク部分層１７のエアベアリング面３０
側の端面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜
１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、ス
ロートハイトゼロ位置（本実施の形態では、スロートハ
イト規定層１０ａのエアベアリング面３０側の端部の位
置）の近傍の位置に配置されている。
【００７１】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスラ
イダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッド
を含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７２】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、磁極部分層１１ａ、磁
性層１１ｂ，１２ａ，１２ｂおよびヨーク部分層１７よ
りなる上部磁極層が、本発明における第２の磁性層に対
応する。また、下部シールド層３は、本発明における第
１のシールド層に対応する。また、下部磁極層８は、上
部シールド層を兼ねているので、本発明における第２の
シールド層にも対応する。
【００７３】以上説明したように、本実施の形態に係る
製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒
体に対向する媒体対向面（エアベアリング面３０）と、
再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを
備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に
対向する媒体対向面（エアベアリング面３０）側の一部
がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素
子５をシールドするための下部シールド層３および上部
シールド層（下部磁極層８）とを有している。
【００７４】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層８および
上部磁極層（磁極部分層１１ａ、磁性層１１ｂ，１２
ａ，１２ｂおよびヨーク部分層１７）と、これら２つの
磁極層の各磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層９
と、少なくとも一部がこれら２つの磁極層の間に、２つ
の磁極層に対して絶縁された状態で配設された薄膜コイ
ル１４とを有している。
【００７５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、ＦｅＮやＦｅＣｏ等の高飽和磁束密度材料よ
りなる被パターニング膜１１をＲＩＥによってエッチン
グしてパターニングした後、パターンの断面をイオンミ
リングによってわずかにエッチングすることによって、
記録トラック幅を規定する磁極部分層１１ａを形成して
いる。被パターニング膜１１をＲＩＥによってエッチン
グする際のエッチング速度は、２００ｎｍ／分程度であ
り、イオンミリングによるエッチングに比べて大変大き
い。しかも、被パターニング膜１１をＲＩＥによってエ
ッチングした場合には、パターンの断面を底面に対して
９０°に近い角度をなすように形成することができる。
【００７６】また、本実施の形態では、ＲＩＥによって
得られたパターンの断面をイオンミリングによってわず
かにエッチングするようにしたので、ＲＩＥによってパ
ターンの断面に付着した付着物、例えば塩素分子等の反
応性ガスの成分の分子を、パターンの断面より除去する
ことができる。
【００７７】更に、本実施の形態では、ＲＩＥによって
得られたパターンの断面をイオンミリングによってわず
かにエッチングすることにより、記録トラック幅を規定
する磁極部分層１１ａの幅を、ＲＩＥによって得られる
幅よりも小さくすることができる。
【００７８】以上のことから、本実施の形態によれば、
短時間で微細な磁極部分層１１ａを精度よく形成するこ
とができ、且つ磁極部分層１１ａにおける腐食の発生を
防止することができる。従って、本実施の形態によれ
ば、記録トラック幅の小さな薄膜磁気ヘッドを実現する
ことができる。また、本実施の形態によれば、被パター
ニング膜１１をＲＩＥによってエッチングする際のエッ
チング速度が大きいことと、被パターニング膜１１をＲ
ＩＥによってエッチングして得られるパターンの断面が
底面に対してなす角度が９０°に近いことから、磁極部
分層１１ａの幅を小さくしながら、磁極部分層１１ａを
厚くすることが可能になる。これらのことから、本実施
の形態によれば、薄膜磁気ヘッドにおいてオーバーライ
ト特性やＮＬＴＳ等の記録特性を向上させることができ
る。
【００７９】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１４を磁極部分層１１ａの側方に配置するようにしたの
で、薄膜コイル１４のエアベアリング面３０側の端部を
磁極部分層１１ａの端部の近くに配置することが可能で
ある。また、本実施の形態によれば、薄膜コイル１４が
平坦な記録ギャップ層９の上に形成されるので、薄膜コ
イル１４を微細に精度よく形成することが可能となる。
これらのことから、本実施の形態によれば磁路長の縮小
が可能になる。
【００８０】ところで、記録トラック幅に等しい幅とス
ロートハイトに等しい長さとを有する磁極部分にヨーク
部分層を接続する場合には、両者の接続部分で磁路の断
面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生
じる可能がある。これは、特にスロートハイトが小さく
なったときに顕著になる。
【００８１】これに対し、本実施の形態では、磁極部分
層１１ａ、およびその上に配置された磁性層１２ａのエ
アベアリング面３０とは反対側（図５（ａ）において右
側）の端部を、スロートハイトゼロ位置よりもエアベア
リング面３０から離れた位置に配置している。従って、
本実施の形態によれば、磁性層１２ａとヨーク部分層１
７とを、比較的広い接触面積で接触させて接続すること
ができる。従って、本実施の形態によれば、ヨーク部分
層１７から磁極部分層１１ａにかけて磁路の断面積が急
激に減少することがなく、磁路の途中での磁束の飽和を
防止することができる。その結果、本実施の形態によれ
ば、薄膜コイル１４で発生した起磁力を効率よく記録に
利用することが可能となる。このことから、本実施の形
態によれば、記録ヘッドの高周波特性やＮＬＴＳやオー
バーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供すること
が可能となる。
【００８２】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
７のエアベアリング面３０側の端面をエアベアリング面
３０から離れた位置に配置している。従って、本実施の
形態によれば、記録すべき領域以外の領域へのデータの
書き込み、すなわちサイドライトを防止することができ
る。また、本実施の形態では、磁極部分層１１ａおよび
磁性層１２ａのエアベアリング面３０とは反対側の端部
を、スロートハイトゼロ位置よりもエアベアリング面３
０から離れた位置に配置しているので、上述のようにヨ
ーク部分層１７のエアベアリング面３０側の端面をエア
ベアリング面３０から離れた位置に配置しても、磁路の
断面積が急激に減少することがない。
【００８３】また、本実施の形態では、コイル収納部１
３に収納された薄膜コイル１４をフォトレジスト層１５
で覆い、更にその上に絶縁層１６を設け、この絶縁層１
６の上面を、磁性層１２ａ，１２ｂの上面と共に平坦化
したので、その後に形成されるヨーク部分層１７を精度
よく形成することが可能となる。
【００８４】［第２の実施の形態］次に、図６ないし図
９を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜パ
ターンの形成方法を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。なお、図６ないし図９において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【００８５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、絶縁層１０を形成する工程までは、第１の実
施の形態と同様である。
【００８６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、次に、図６に示したように、全体に、ＦｅＮ
やＦｅＣｏ等の高飽和磁束密度材料をスパッタリングし
て、被パターニング膜２１を、約１．０〜２．０μｍの
厚みに形成する。次に、この被パターニング膜２１の上
に、アルミナ等の絶縁材料によって、所定のパターンの
マスク層２２ａ，２２ｂを、例えば１．０μｍの厚みに
形成する。マスク層２２ａは、被パターニング膜２１の
うち磁極部分となる部分の上に形成され、マスク層２２
ｂは、被パターニング膜２１のうちコンタクトホール９
Ａの上に位置する部分の上に形成される。マスク層２２
ａ，２２ｂは、例えば、アルミナ層の上に、パターニン
グされた金属層を形成し、この金属層をマスクとして、
反応性イオンエッチングによってアルミナ層をエッチン
グすることによって形成される。
【００８７】次に、図７に示したように、マスク層２２
ａ，２２ｂをマスクとして、ＲＩＥによって、被パター
ニング膜２１および絶縁層１０をエッチングする。これ
により、被パターニング膜２１がパターニングされて、
上部磁極層の磁極部分を含む磁極部分層２１ａと、下部
磁極層８に接続される磁性層２１ｂとが形成され、絶縁
層１０がパターニングされて、スロートハイトを規定す
るスロートハイト規定層１０ａが形成される。また、こ
のエッチングによって、後述する薄膜コイル２４を形成
する領域に、コイル収納部２３が形成される。コイル収
納部２３の底部は記録ギャップ層９の上面となってい
る。
【００８８】次に、磁極部分層２１ａの周辺において、
マスク層２２ａをマスクとして、ＲＩＥによって、記録
ギャップ層９と、下部磁極層８の一部をエッチングし
て、図７（ｂ）に示したようなトリム構造を形成する。
【００８９】磁極部分層２１ａは、記録トラック幅と等
しい幅を有する。従って、磁極部分層２１ａは、本発明
におけるトラック幅規定層に対応する。
【００９０】次に、ＲＩＥによって得られたパターンの
断面をイオンミリングによってわずかにエッチングす
る。ＲＩＥやイオンミリングの条件は、第１の実施の形
態と同様である。なお、イオンミリングの代りに、逆ス
パッタリング（スパッタエッチング）を用いてもよい。
【００９１】上述のように、被パターニング膜２１をＲ
ＩＥによってエッチングしてパターニングした後、得ら
れたパターンの断面をイオンミリングによってわずかに
エッチングする方法が、本実施の形態に係る薄膜パター
ンの形成方法である。
【００９２】次に、図８に示したように、コイル収納部
２３に、例えばフレームめっき法によって、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル２４を、例えば１．０〜
２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピ
ッチで形成する。薄膜コイル２４は、磁性層２１ｂを中
心にして巻回されるように形成される。なお、図８
（ａ）において、符号２４ａは、薄膜コイル２４を後述
するリード層２８と接続するための接続部を示してい
る。
【００９３】次に、薄膜コイル２４を覆うようにフォト
レジスト層２５を形成する。次に、全体に、例えばアル
ミナよりなる絶縁層２６を、約３〜４μｍの厚みに形成
する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極部分層２１ａ
および磁性層２１ｂが露出するまで、絶縁層２６を研磨
して、表面を平坦化処理する。
【００９４】次に、図９に示したように、接続部２４ａ
の上において、絶縁層２６を部分的にエッチングしてコ
ンタクトホールを形成する。次に、磁極部分層２１ａ、
絶縁層２６および磁性層２１ｂの上に、上部磁極層のヨ
ーク部分となるヨーク部分層２７を、例えば約２〜３μ
ｍの厚みに形成する。このとき同時に、接続部２４ａに
接続されるリード層２８を、例えば約２〜３μｍの厚み
に形成する。ヨーク部分層２７は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８
０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料
であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量
％）等を用い、めっき法によって所定のパターンに形成
してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，Ｆｅ
ＺｒＮ等の材料を用い、選択的にエッチングして所定の
パターンに形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密
度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用い
てもよい。また、高周波特性の改善のため、ヨーク部分
層２７を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを
何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００９５】ヨーク部分層２７のエアベアリング面３０
側の端面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜
１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、ス
ロートハイトゼロ位置（本実施の形態では、スロートハ
イト規定層１０ａのエアベアリング面３０側の端部の位
置）の近傍の位置に配置されている。
【００９６】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスラ
イダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッド
を含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９８】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形
態では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その
上に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造
の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を
逆にしてもよい。
【００９９】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型電磁変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【０１００】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、誘導型電磁変換素子のみを備えた記録専用の薄膜磁
気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を
行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１０１】また、本発明の薄膜パターンの形成方法
は、薄膜磁気ヘッドにおける記録ヘッドの上部磁極層の
パターニングに限らず、再生ヘッドの上下の各シールド
層や、記録ヘッドの下部磁極層のパターニングにも適用
することができる。
【０１０２】また、本発明の薄膜パターンの形成方法
は、薄膜磁気ヘッドにおける磁性層のパターニングに限
らず、ＣｕやＡｌ等を用いた配線パターン等の、種々の
薄膜パターンの形成に適用することができる。
【０１０３】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１１
のいずれかに記載の薄膜パターンの形成方法によれば、
被パターニング膜の一部を反応性イオンエッチングによ
ってエッチングすることによって薄膜パターンを形成し
た後、この薄膜パターンの断面より付着物を除去するよ
うにしたので、短時間で微細な薄膜パターンを精度よく
形成することができ、且つ薄膜パターンにおける腐食の
発生を防止することができるという効果を奏する。
【０１０４】また、請求項１２ないし２２のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、被パターニ
ング膜の一部を反応性イオンエッチングによってエッチ
ングすることによってトラック幅規定層を形成した後、
このトラック幅規定層の断面より付着物を除去するよう
にしたので、短時間で微細な形状の磁性層であるトラッ
ク幅規定層を精度よく形成することができ、且つトラッ
ク幅規定層における腐食の発生を防止することができる
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１０】薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例における一
工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１０ａ…
スロートハイト規定層、１１…被パターニング膜、１１
ａ…磁極部分層、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ…磁性層、１
３…コイル収納部、１４…薄膜コイル、１６…絶縁層、
１７…ヨーク部分層、１９…オーバーコート層。

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被パターニング膜を形成する工程と、 前記被パターニング膜の一部を反応性イオンエッチング
    によってエッチングして薄膜パターンを形成する工程
    と、 前記薄膜パターンを形成する工程によって得られた薄膜
    パターンの断面より付着物を除去する工程とを備えたこ
    とを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
  2. 【請求項２】 前記付着物を除去する工程では、イオン
    ミリングが用いられることを特徴とする請求項１記載の
    薄膜パターンの形成方法。
  3. 【請求項３】 前記付着物を除去する工程では、逆スパ
    ッタリングが用いられることを特徴とする請求項１記載
    の薄膜パターンの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記薄膜パターンを形成する工程では、
    めっき法によって形成されたマスク層をマスクとして用
    いて被パターニング膜のエッチングを行うことを特徴と
    する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜パターン
    の形成方法。
  5. 【請求項５】 前記マスク層は、めっき可能な磁性材料
    によって形成されることを特徴とする請求項４記載の薄
    膜パターンの形成方法。
  6. 【請求項６】 前記薄膜パターンを形成する工程では、
    絶縁材料によって形成されたマスク層をマスクとして用
    いて被パターニング膜のエッチングを行うことを特徴と
    する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜パターン
    の形成方法。
  7. 【請求項７】 前記薄膜パターンを形成する工程におけ
    る反応性イオンエッチングでは、反応性ガスとして塩素
    系ガスまたはフッ素系ガスを用いることを特徴とする請
    求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜パターンの形成
    方法。
  8. 【請求項８】 前記薄膜パターンを形成する工程におけ
    る反応性イオンエッチングは、５０〜３００℃の範囲内
    の温度で行われることを特徴とする請求項１ないし７の
    いずれかに記載の薄膜パターンの形成方法。
  9. 【請求項９】 前記被パターニング膜はスパッタリング
    によって形成されることを特徴とする請求項１ないし８
    のいずれかに記載の薄膜パターンの形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記被パターニング膜は高飽和磁束密
    度材料によって形成されることを特徴とする請求項１な
    いし９のいずれかに記載の薄膜パターンの形成方法。
  11. 【請求項１１】 前記薄膜パターンは、薄膜磁気ヘッド
    において用いられる磁性層であることを特徴とする請求
    項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜パターンの形成
    方法。
  12. 【請求項１２】 記録媒体に対向する媒体対向面と、互
    いに磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互い
    に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
    層を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層
    の磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設け
    られたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および
    第２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対
    して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
    前記第２の磁性層はトラック幅を規定するトラック幅規
    定層を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形
    成する工程と、 前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
    と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    備え、 前記第２の磁性層を形成する工程は、 被パターニング膜を形成する工程と、 前記被パターニング膜の一部を反応性イオンエッチング
    によってエッチングして前記トラック幅規定層を形成す
    る工程と、 前記トラック幅規定層を形成する工程によって得られた
    トラック幅規定層の断面より付着物を除去する工程とを
    含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記付着物を除去する工程では、イオ
    ンミリングが用いられることを特徴とする請求項１２記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記付着物を除去する工程では、逆ス
    パッタリングが用いられることを特徴とする請求項１２
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記トラック幅規定層を形成する工程
    では、めっき法によって形成されたマスク層をマスクと
    して用いて被パターニング膜のエッチングを行うことを
    特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記マスク層は、めっき可能な磁性材
    料によって形成されることを特徴とする請求項１５記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記トラック幅規定層を形成する工程
    では、絶縁材料によって形成されたマスク層をマスクと
    して用いて被パターニング膜のエッチングを行うことを
    特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記トラック幅規定層を形成する工程
    における反応性イオンエッチングでは、反応性ガスとし
    て塩素系ガスまたはフッ素系ガスを用いることを特徴と
    する請求項１２ないし１７のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記トラック幅規定層を形成する工程
    における反応性イオンエッチングは、５０〜３００℃の
    範囲内の温度で行われることを特徴とする請求項１２な
    いし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記被パターニング膜はスパッタリン
    グによって形成されることを特徴とする請求項１２ない
    し１９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記被パターニング膜は高飽和磁束密
    度材料によって形成されることを特徴とする請求項１２
    ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  22. 【請求項２２】 更に、前記トラック幅規定層の形成後
    に、反応性イオンエッチングによって、前記トラック幅
    規定層の周辺における第１の磁性層の一部をエッチング
    する工程を備えたことを特徴とする請求項１２ないし２
    １のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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