JP2001236619A - 薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜磁気ヘッド用スライダの低浮上化を可能
とし、且つ薄膜磁気ヘッド用スライダの媒体対向面を所
望の形状に形成することを可能にする。 【解決手段】 本発明のスライダの製造方法は、薄膜磁
気ヘッド素子２２を含むスライダ用の素材に対してエア
ベアリング面３０を形成する工程と、エアベアリング面
３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分
が、他の部分と同一平面を形成するか、または他の部分
よりも記録媒体に近づく位置に配置されるように、エア
ベアリング面３０を部分的にエッチングする工程とを備
えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体に対向す
る媒体対向面と、媒体対向面の近傍に配置された薄膜磁
気ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッド用スライダの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresis
tive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気
抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive ）と記
す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を
用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッ
ドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘ
ッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガ
ビット／（インチ）²を超える再生ヘッドとして利用さ
れ、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（イ
ンチ）²を超える再生ヘッドとして利用されている。近
年は、ほとんどＧＭＲヘッドが利用されるようになって
きている。

【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、すな
わち、再生トラック幅やＭＲハイトを適切化する方法等
がある。ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面
側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
また、エアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドにおける磁
気記録媒体と対向する面である。

【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち面記録密度を高めるには、記録トラック密度を
上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟
んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエ
アベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸
法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する
必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利
用されている。また、記録ヘッドの性能を決定する他の
要因としては、パターン幅、特に、スロートハイト（Th
roat Height）がある。スロートハイトは、２つの磁極
層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁
極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部
までの長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のた
めには、スロートハイトの縮小化が望まれている。この
スロートハイトは、エアベアリング面の加工の際の研磨
量によって決定される。

【０００５】このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上
のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。

【０００６】高密度記録を可能にする薄膜磁気ヘッドに
要求される条件としては、再生ヘッドについては、再生
トラック幅の縮小、再生出力の増加、ノイズの低減等が
あり、記録ヘッドについては、記録トラックの縮小、記
録媒体上の既にデータを書き込んである領域にデータを
重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性の向
上、非線形トランジションシフト（Non-linear Transit
ion Shift）の向上等がある。

【０００７】ところで、ハードディスク装置等に用いら
れる浮上型薄膜磁気ヘッドは、一般的に、後端部に薄膜
磁気ヘッド素子が形成されたスライダによって構成され
るようになっている。スライダは、記録媒体の回転によ
って生じる空気流によって記録媒体の表面からわずかに
浮上するようになっている。

【０００８】ここで、図１７ないし図２１を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造方法の一例について説
明する。なお、図１７ないし図２０において、（ａ）は
エアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部
分のエアベアリング面に平行な断面を示している。

【０００９】この製造方法では、まず、図１７に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。

【００１０】次に、下部シールド層１０３の上に、アル
ミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０４
を、例えばスパッタリングにより、例えば１００〜２０
０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ
膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍ
の厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０
４の上に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の
電極層１０６を形成する。

【００１１】次に、下部シールドギャップ膜１０４、Ｍ
Ｒ素子１０５および電極層１０６の上に、アルミナ等の
絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０７を、例えば
スパッタリングによって形成し、ＭＲ素子１０５をシー
ルドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。

【００１２】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。

【００１３】次に、図１８に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。

【００１４】次に、図１９に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図１９（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。

【００１５】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。

【００１６】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。

【００１７】次に、図２０に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部磁極層１１６を形成
する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナ
よりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、
上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッ
ドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１１８を形成し
て、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。

【００１８】図２１は、図２０に示した薄膜磁気ヘッド
素子の平面図である。なお、この図では、オーバーコー
ト層１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略して
いる。

【００１９】次に、図２２ないし図２４を参照して、ス
ライダの構成とその製造方法について説明する。図２２
はスライダのエアベアリング面の構成の一例を示す底面
図である。この図に示したように、スライダ１２０にお
けるエアベアリング面は、磁気ディスク等の記録媒体の
回転によって生じる空気流によってスライダ１２０を記
録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状
に形成されている。なお、図２２において、符号１２１
ａは凸部を表し、１２１ｂは凹部を表している。また、
また、スライダ１２０におけるエアベアリング面の空気
流出側（図２２における上側）の端部近傍には薄膜磁気
ヘッド素子１２２が配置されている。この薄膜磁気ヘッ
ド素子１２２の構成は、例えば図２０に示したようにな
っている。図２２におけるＣ部が、図２０（ｂ）に対応
する。

【００２０】スライダ１２０は、以下のようにして製造
される。まず、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子１２２を含
むスライダとなる部分（以下、スライダ部分と言う。）
が複数列に配列されたウェハを一方向に切断して、スラ
イダ部分が一列に配列されたバーと呼ばれるブロックを
形成する。次に、このバーに対して研磨加工を行ってエ
アベアリング面を形成し、更に、凸部１２１ａおよび凹
部１２１ｂを形成する。次に、バーを切断して各スライ
ダ１２０に分離する。

【００２１】図２３は図２２のＤ−Ｄ線断面図である。
図２３では、薄膜磁気ヘッド素子１２２のうちの主要な
部分のみを示している。図２３に示したように、スライ
ダ１２０の大部分は、例えばアルティックよりなる基板
１０１で構成されている。スライダ１２０のうちの残り
の部分は、例えばアルミナよりなる絶縁層１２７と、こ
の絶縁層１２７内に形成された薄膜磁気ヘッド素子１２
２等で構成されている。絶縁層１２７の大部分はオーバ
ーコート層１１７である。

【００２２】スライダ１２０におけるエアベアリング面
には、下部シールド層１０３、下部磁極層１０８、上部
磁極チップ１１０、上部磁極層１１６等の腐食等を防止
するために、例えば特開平９−６３０２７号公報に示さ
れるように、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等
を用いた保護膜を形成してもよい。図２４は、このよう
にエアベアリング面に保護膜１２８を形成したスライダ
１２０が、記録媒体１４０の表面からわずかに浮上して
いる状態を示す断面図である。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ハードディ
スク装置の性能、特に面記録密度を向上させる方法に
は、線記録密度を高める方法とトラック密度を高める方
法とがある。高性能のハードディスク装置を設計する際
には、線記録密度とトラック密度のどちらに重点を置く
かによって、記録ヘッド、再生ヘッド、あるいは薄膜磁
気ヘッド全体における具体的な方策が異なる。すなわ
ち、トラック密度に重点を置いた設計の場合には、例え
ば、記録ヘッドと再生ヘッドの双方においてトラック幅
の縮小が求められる。

【００２４】一方、線記録密度に重点を置いた設計の場
合には、例えば、再生ヘッドにおいて、再生出力の向上
や、再生出力における半値幅の縮小が求められる。線記
録密度に重点を置いた設計の場合には、更に、ハードデ
ィスクとスライダとの間の距離（以下、磁気スペースと
言う。）の縮小が求められる。２０〜３０ギガビット／
（インチ）²の面記録密度を実現する場合には、磁気ス
ペースとしては、例えば１５〜２５ｎｍであることが必
要となる。

【００２５】磁気スペースの縮小は、スライダの浮上量
の縮小によって達成される。磁気スペースの縮小は、再
生ヘッドにおける再生出力の向上や半値幅の縮小に寄与
する他に、記録ヘッドにおけるオーバーライト特性の向
上に寄与する。

【００２６】以下、磁気スペースを縮小する場合におけ
る問題点について説明する。従来、スライダ１２０のエ
アベアリング面の研磨は、例えば、ダイヤモンドスラリ
ーを用い、回転するスズ定盤上で行っていた。

【００２７】ところで、スライダ１２０を構成する複数
の材料には硬度に差がある。例えば、基板１０１に使用
されるセラミックス材であるアルティックと、下部シー
ルド層１０３、下部磁極層１０８、上部磁極チップ１１
０、上部磁極層１１６等に使用される磁性材料、例えば
ＮｉＦｅと、絶縁層１２７に使用されるアルミナとで硬
度を比較すると、アルティックの硬度が最も大きく、Ｎ
ｉＦｅの硬度が最も小さく、アルミナの硬度はアルティ
ックの硬度とＮｉＦｅの硬度の中間である。

【００２８】このように互いに硬度の異なる複数の層を
含むスライダ１２０を、研磨剤としてダイヤモンドスラ
リーを用いてスズ定盤上で研磨すると、硬度の異なる複
数の層の間で段差が生じることがあった。例えば、図２
３に示したように、ＮｉＦｅ等の磁性材料よりなる層、
例えば上部磁極層１１６と絶縁層１２７との間では、絶
縁層１２７に対して上部磁極層１１６が引っ込んだ状態
で１〜２ｎｍ程度の段差が生じ、絶縁層１２７と基板１
０１との間では、基板１０１に対して絶縁層１２７が引
っ込んだ状態で４〜５ｎｍ程度の段差が生じていた。こ
の場合、薄膜磁気ヘッド素子１２２のエアベアリング面
側の面と、保護膜１２８を除いた状態の基板１０１のエ
アベアリング面側の面との間の段差は５〜７ｎｍ程度と
なる。

【００２９】ここで、図２４に示したように、保護層１
２８の厚みを５ｎｍとすると、薄膜磁気ヘッド素子１２
２のエアベアリング面側の面と、基板１０１に対応する
部分における保護層１２８のエアベアリング面側の面と
の間の段差は１０〜１２ｎｍ程度となる。そして、スラ
イダ１２０の浮上時におけるスライダ１２０と記録媒体
１４０との間の距離を１０ｎｍとすると、スライダ１２
０の浮上時における薄膜磁気ヘッド素子１２２のエアベ
アリング面側の面と記録媒体１４０との間の距離、すな
わち磁気スペースは２０〜２２ｎｍ程度となる。この程
度の磁気スペースでは、達成可能な面記録密度は３０ギ
ガビット／（インチ）²程度が限界となる。

【００３０】このように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、
スライダ１２０のエアベアリング面において、薄膜磁気
ヘッド素子１２２に対応する部分が他の部分よりも引っ
込んだ状態で段差が生じることから、磁気スペースを縮
小することが困難であり、その結果、記録密度を向上さ
せることが難しいという問題点があった。

【００３１】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上述の
ように、磁気スペースを縮小することが困難であること
から、特に、再生ヘッドにおける再生出力の向上や半値
幅の縮小といった再生ヘッドの特性の向上を十分に図る
ことができなかった。そのため、従来は、高密度記録用
のハードディスク装置のエラーレートが高くなり、ハー
ドディスク装置の歩留りが低くなるという問題点があっ
た。

【００３２】なお、特開平８−３３９５１１号公報に
は、スライダのエアベアリング面を研磨する工程におい
て、薄膜磁気ヘッド素子を構成する構成部材に比べて、
構成部材の周囲の絶縁体を不均衡に侵食して、構成部材
が絶縁体よりも突き出るようしたスライダの製造方法が
開示されている。

【００３３】しかしながら、この技術では、スライダの
エアベアリング面において、特に絶縁体と構成部材との
間に大きな段差が生じるため、この段差を解消するため
に保護膜を必要以上に厚く形成する必要が生じるという
問題点がある。

【００３４】一方、磁気スペースを縮小してゆくと、ス
ライダと記録媒体との衝突が生じやすくなり、記録媒体
の損傷が生じやすくなる。これを防止するには、記録媒
体の表面の平滑性を高めることが必要になる。しかし、
記録媒体の表面の平滑性を高めると、スライダと記録媒
体との吸着が生じやすくなる。

【００３５】そこで、特開平８−２８７４４０号公報、
特開平８−２９３１１１号公報、特開平１１−１２０５
２８号公報等には、スライダの媒体対向面に吸着防止用
の突起を設ける技術が示されている。

【００３６】ところで、特開平７−２３０６１５号公報
には、スライダの浮上面を平坦化するために、スライダ
の浮上面の加工時にスライダとヘッド素子との間に生じ
る凹み部に、絶縁膜よりなる保護膜を設ける技術が示さ
れている。特開平７−２３０６１５号公報には、凹み部
に保護膜を設ける方法として、次のような第１の方法と
第２の方法とが示されている。第１の方法は、スライダ
の浮上面とヘッド素子部の浮上面とを含む面の全面にス
パッタリングにより保護膜を形成した後、スライダの浮
上面をラッピングすることにより、スライダの浮上面に
おける保護膜を除去する方法である。第２の方法は、ス
ライダの浮上面とヘッド素子部の浮上面とを含む面の全
面に感光性有機膜を形成し、ヘッド素子部の浮上面にお
ける感光性有機膜のみを感光させて取り除き、その後、
全面にスパッタリングにより保護膜を形成し、最後に、
残りの感光性有機膜を取り除く方法である。

【００３７】しかしながら、特開平７−２３０６１５号
公報に示された技術では、スライダの浮上面すなわち媒
体対向面は平坦化されるが、スライダの媒体対向面に前
述の吸着防止用の突起を設ける等、スライダの媒体対向
面を所望の形状に形成することが困難であるという問題
点がある。

【００３８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、薄膜磁気ヘッド用スライダの低浮上
化を可能とし、且つ薄膜磁気ヘッド用スライダの媒体対
向面を所望の形状に形成することを可能にした薄膜磁気
ヘッド用スライダの製造方法を提供することにある。

【００３９】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
用スライダの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向
面と、媒体対向面の近傍に配置された薄膜磁気ヘッド素
子とを有する薄膜磁気ヘッド用スライダを製造する方法
であって、薄膜磁気ヘッド素子を含むスライダ用の素材
に対して媒体対向面を形成する工程と、媒体対向面のう
ち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分が、他の部分の
うちの少なくとも一部と同一平面を形成するか、または
他の部分のうちの少なくとも一部よりも記録媒体に近づ
く位置に配置されるように、媒体対向面を部分的にエッ
チングする工程とを備えたものである。

【００４０】本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造
方法では、媒体対向面を部分的にエッチングすることに
より、スライダの媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素
子に対応する部分が、他の部分のうちの少なくとも一部
と同一平面を形成するようになるか、または他の部分の
うちの少なくとも一部よりも記録媒体に近づく位置に配
置されるようになる。

【００４１】本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造
方法において、エッチングする工程ではイオンミリング
を用いてもよいし、反応性イオンエッチングを用いても
よい。

【００４２】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ
の製造方法において、媒体対向面を形成する工程は、ス
ライダ用の素材における媒体対向面となる面の研磨を含
んでいてもよい。

【００４３】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ
の製造方法は、更に、エッチングする工程の後に、媒体
対向面に保護膜を形成する工程を備えていてもよい。こ
の場合、保護膜はダイヤモンドライクカーボンによって
形成されてもよい。

【００４４】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ
の製造方法は、更に、媒体対向面を形成する工程の後
に、媒体対向面に保護膜を形成する工程を備え、エッチ
ングする工程は保護膜を部分的にエッチングしてもよ
い。この場合、保護膜はダイヤモンドライクカーボンに
よって形成されてもよい。また、保護膜の厚みは、エッ
チングする工程の前の状態における媒体対向面のうち、
薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分と他の部分のうちの
少なくとも一部との間の段差以上であってもよい。

【００４５】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダ
の製造方法では、エッチングする工程において、媒体対
向面のうちの他の部分に凸部を形成するようにしてもよ
い。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］本発明の第１の実施の形態が適用
される薄膜磁気ヘッド用スライダ（以下、単にスライダ
と記す。）は、記録媒体に対向する媒体対向面としての
エアベアリング面と、エアベアリング面の近傍に配置さ
れた薄膜磁気ヘッド素子とを有している。

【００４７】まず、図１ないし図７を参照して、本発明
の第１の実施の形態が適用されるスライダにおける薄膜
磁気ヘッド素子の製造方法の一例について説明する。な
お、図１ないし図６において、（ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。

【００４８】本例における薄膜磁気ヘッド素子の製造方
法では、まず、図１に示したように、例えばアルティッ
ク（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えば
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍの
厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例
えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層
３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。

【００４９】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、一端部
がエアベアリング面３０に配置される。ＭＲ素子５は、
例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエ
ッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５
には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トン
ネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜
を用いた素子を用いることができる。次に、下部シール
ドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続され
る一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次
に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上
に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例え
ば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシー
ルドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ
膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化
アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）
等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッ
タ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）法によって形成してもよい。

【００５０】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８の第１の層８ａを、約１．０〜１．５μ
ｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層８
は、この第１の層８ａと、後述する第２の層８ｂ、第３
の層８ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の層８ａ
は、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位
置に配置される。

【００５１】次に、下部磁極層８の第１の層８ａの上
に、下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃ
を、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の層
８ｂは、下部磁極層８の磁極部分を形成し、第１の層８
ａの後述する記録ギャップ層側（図２において上側）の
面に接続される。第３の層８ｃは、第１の層８ａと後述
する上部磁極層とを接続するための部分であり、後述す
る薄膜コイルの中心の近傍の位置に配置される。第２の
層８ｂのうち上部磁極層と対向する部分におけるエアベ
アリング面３０とは反対側の端部の位置は、スロートハ
イトを規定する。

【００５２】下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の
層８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法に
よって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦ
ｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形
成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料である
ＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。

【００５３】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍ
の厚みに形成する。

【００５４】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するための図示しないフレームを
形成する。次に、このフレームを用いて、フレームめっ
き法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１
０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２
〜２．０のコイルピッチで形成する。次に、フレームを
除去する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル１０
を、後述する導電層（リード）と接続するための接続部
を示している。

【００５５】次に、図４に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層
８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃが露出するまで、
絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。ここ
で、図４（ａ）では、薄膜コイル１０は露出していない
が、薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。

【００５６】次に、露出した下部磁極層８の第２の層８
ｂおよび第３の層８ｃと絶縁層１１の上に、絶縁材料よ
りなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μ
ｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用する絶
縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダ
イヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、
記録ギャップ層１２は、スパッタ法によって形成しても
よいし、ＣＶＤ法によって形成してもよい。

【００５７】次に、磁路形成のために、下部磁極層８の
第３の層８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部分
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。ま
た、薄膜コイル１０の接続部１０ａの上の部分におい
て、記録ギャップ層１２および絶縁層１１を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。

【００５８】次に、図５に示したように、記録ギャップ
層１２の上において、エアベアリング面３０から下部磁
極層８の第３の層８ｃの上の部分にかけて上部磁極層１
３を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、薄
膜コイル１０の接続部１０ａに接続されるように導電層
１６を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。上部磁
極層１３は、下部磁極層８の第３の層８ｃの上の部分に
形成されたコンタクトホールを介して、下部磁極層８の
第３の層８ｃに接触し、磁気的に連結されている。

【００５９】上部磁極層１３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層１３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。

【００６０】次に、上部磁極層１３をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ₂，Ｃｌ₂等の塩素系ガスや、ＣＦ₄，ＳＦ₆
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層８の第２の層８ｂを
選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図
５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム
構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束
の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止するこ
とができる。

【００６１】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４
０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上
に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記
各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドお
よび再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、薄
膜磁気ヘッド素子が完成する。

【００６２】図７は、図６に示した薄膜磁気ヘッド素子
の主要部分を示す平面図である。なお、図７では、オー
バーコート層１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省
略している。

【００６３】本例における薄膜磁気ヘッド素子は、再生
ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向す
る媒体対向面すなわちエアベアリング面３０側の一部が
ＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子
５をシールドする下部シールド層３および上部シールド
層（下部磁極層８）とを有している。

【００６４】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層８および上部磁極層１３と、下部磁極層８の磁極部分
と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギ
ャップ層１２と、少なくとも一部が下部磁極層８および
上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態
で設けられた薄膜コイル１０とを有している。

【００６５】次に、図８を参照して、本実施の形態に係
るスライダの製造方法が適用されるスライダの一例につ
いて説明する。図８はスライダのエアベアリング面の構
成の一例を示す底面図である。この図に示したように、
スライダ２０におけるエアベアリング面は、磁気ディス
ク等の記録媒体の回転によって生じる空気流によってス
ライダ２０を記録媒体の表面からわずかに浮上させるた
めに必要な形状に形成されている。なお、図８におい
て、符号２１ａは凸部を表し、２１ｂは凹部を表してい
る。また、スライダ２０におけるエアベアリング面の空
気流出側（図８における上側）の端部近傍には薄膜磁気
ヘッド素子２２が配置されている。この薄膜磁気ヘッド
素子２２の構成は、例えば図６に示したようになってい
る。図８におけるＡ部が、図６（ｂ）に対応する。

【００６６】次に、図９ないし図１１を参照して、本実
施の形態に係るスライダの製造方法について説明する。
図９は本実施の形態に係るスライダの製造方法における
一工程を説明するための断面図である。図１０は図９に
続く工程を示す断面図である。図１１は図１０に続く工
程を示すと共に、スライダが記録媒体の表面からわずか
に浮上している状態を示す断面図である。図９ないし図
１１は、図８におけるＢ−Ｂ線で表される断面を表して
いる。また、図９ないし図１１では、薄膜磁気ヘッド素
子２２のうちの主要な部分のみを示している。

【００６７】本実施の形態に係るスライダの製造方法で
は、まず、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子２２を含むスラ
イダ２０となる部分（以下、スライダ部分と言う。）が
複数列に配列されたウェハを一方向に切断して、スライ
ダ部分が一列に配列されたバーと呼ばれるブロックを形
成する。バーは、本発明におけるスライダ用の素材に対
応する。

【００６８】次に、図９に示したように、スライダ２０
となる部分を含むバーに対して研磨加工を行ってエアベ
アリング面３０を形成する。スライダ２０の大部分は、
例えばアルティックよりなる基板１で構成されている。
スライダ２０のうちの残りの部分は、例えばアルミナよ
りなる絶縁層２７と、この絶縁層２７内に形成された薄
膜磁気ヘッド素子２２等で構成されている。絶縁層２７
の大部分はオーバーコート層１７である。

【００６９】上記研磨加工の後、スライダ２０のエアベ
アリング面３０には、硬度の異なる複数の層の間で段差
が生じている。研磨加工は、例えば、研磨剤としてのダ
イヤモンドにアルカリ系潤滑液を加えたアルカリ系スラ
リーを用い、回転するスズ定盤上で行われる。この場合
には、アルカリ系スラリーによってアルミナよりなる絶
縁層２７を化学エッチングしながら、絶縁層２７と、磁
性材料よりなる下部シールド層３、下部磁極層８および
上部磁極層１３を機械的に研磨することができるので、
絶縁層２７と、下部シールド層３、下部磁極層８および
上部磁極層１３と間の段差をほぼゼロにすることができ
る。

【００７０】しかしながら、上記のアルカリ系スラリー
を用いた研磨によっても、絶縁層２７と基板１との間で
生じる段差を解消することはできず、絶縁層２７と基板
１との間では、基板１に対して絶縁層２７が引っ込んだ
状態で４〜５ｎｍ程度の段差が生じる。この場合、薄膜
磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、
基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差は４
〜５ｎｍ程度となる。

【００７１】本実施の形態では、次に、図１０に示した
ように、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、
薄膜磁気ヘッド素子２２および絶縁層２７に対応する部
分の上に、選択的にフォトレジスト膜３１を形成する。
次に、フォトレジスト膜３１をマスクとして、エッチン
グ、好ましくはイオンミリングや反応性イオンエッチン
グのようなドライエッチングにより、エアベアリング面
３０を部分的にエッチングする。このときのエッチング
量は、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０
側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間
の段差以上の量、例えば５ｎｍとする。本実施の形態で
は、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする工
程は基板１をエッチングすることになる。

【００７２】上記のエッチングにより、図１１に示した
ように、保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエ
アベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に
対応する部分が、基板１に対応する部分と同一平面を形
成するか、または基板１に対応する部分よりも記録媒体
４０に近づく位置に配置されるようになる。

【００７３】次に、スライダ２０のエアベアリング面３
０に、例えば図８に示したような凸部２１ａおよび凹部
２１ｂを形成して、エアベアリング面３０を、記録媒体
の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記
録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状
とする。

【００７４】次に、図１１に示したように、スライダ２
０のエアベアリング面３０の全面に、薄膜磁気ヘッド素
子２２を保護するための保護膜２８を形成する。この保
護膜２８の材料には、例えばダイヤモンドライクカーボ
ン（ＤＬＣ）が用いられる。

【００７５】最後に、バーを切断して各スライダ２０に
分離する。なお、本実施の形態では、スライダ２０のエ
アベアリング面３０に凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形
成する工程において、図１１に示したように、スライダ
２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、薄膜磁
気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１１にお
ける左側）のエッジを面取りしている。

【００７６】図１１に示したように、本実施の形態に係
る製造方法によって製造されたスライダ２０では、保護
層２８の厚みを５ｎｍとし、スライダ２０の浮上時にお
けるスライダ２０と記録媒体４０との間の距離を１０ｎ
ｍとすると、スライダ２０の浮上時における薄膜磁気ヘ
ッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と記録媒体
４０との間の距離、すなわち磁気スペースは１５ｎｍと
なる。このスライダ２０における磁気スペースは、図２
４に示した従来のスライダ１２０における磁気スペース
に比べて、５ｎｍ以上縮小されている。

【００７７】以上説明したように、本実施の形態では、
保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエアベアリ
ング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する
部分が、基板１に対応する部分と同一平面を形成する
か、または基板１に対応する部分よりも記録媒体４０に
近づく位置に配置されるように、エアベアリング面３０
を部分的にエッチングし、その後、エアベアリング面３
０の全面に保護膜２８を形成するようにしている。

【００７８】これにより、本実施の形態によれば、薄膜
磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、
基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差をゼ
ロにしたり、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング
面３０側の面を、基板１のエアベアリング面３０側の面
よりも記録媒体４０に近づく位置に配置することができ
る。その結果、本実施の形態によれば、スライダ２０の
低浮上化、すなわち磁気スペースの縮小が可能になる。
また、本実施の形態によれば、磁気スペースの縮小によ
り、再生ヘッドにおける再生出力の向上や半値幅の縮小
が可能になり、その結果、記録密度を向上させることが
できる。図１２は、本実施の形態に係る製造方法によっ
て製造されたスライダ２０の薄膜磁気ヘッド素子２２に
おける再生出力の波形の一例を示したものである。この
図において、符号ＰＷ５０は再生出力における半値幅を
表している。半値幅ＰＷ５０は、再生出力がピーク時の
５０％以上となる時間である。

【００７９】また、本実施の形態によれば、磁気スペー
スの縮小により、記録ヘッドにおけるオーバーライト特
性を向上させることが可能になる。

【００８０】また、本実施の形態によれば、スライダ２
０のエアベアリング面３０を部分的にエッチングするよ
うにしたので、スライダ２０のエアベアリング面３０を
所望の形状、例えば、図１１に示したように、エアベア
リング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応す
る部分が、基板１に対応する部分よりも記録媒体４０に
近づく位置に配置されるような形状に形成することが可
能になる。

【００８１】また、本実施の形態によれば、スライダ２
０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、薄膜磁気
ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１１におけ
る左側）のエッジを面取りしたので、スライダ２０のよ
り低浮上化が可能になる。

【００８２】［第２の実施の形態］次に、図１３および
図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係るス
ライダの製造方法について説明する。図１３は本実施の
形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明す
るための断面図である。図１４は図１３に続く工程を示
すと共に、スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上
している状態を示す断面図である。図１３および図１４
は、図８におけるＢ−Ｂ線で表される断面を表してい
る。また、図１３および図１４では、薄膜磁気ヘッド素
子２２のうちの主要な部分のみを示している。

【００８３】本実施の形態に係るスライダの製造方法で
は、図９に示したように、スライダ２０となる部分を含
むバーに対して研磨加工を行ってエアベアリング面３０
を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様であ
る。

【００８４】本実施の形態では、次に、図１３に示した
ように、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、
薄膜磁気ヘッド素子２２および絶縁層２７に対応する部
分の上に、選択的にフォトレジスト膜３１を形成する。
このとき、同時に、スライダ２０のエアベアリング面３
０のうち、基板１に対応する部分の一部の上に、後述す
る吸着防止等の機能を有する凸部を形成するために用い
られるフォトレジスト膜３２を形成する。

【００８５】次に、フォトレジスト膜３１，３２をマス
クとして、エッチング、好ましくはイオンミリングや反
応性イオンエッチングのようなドライエッチングによ
り、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする。
このときのエッチング量は、薄膜磁気ヘッド素子２２の
エアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリン
グ面３０側の面との間の段差以上の量、例えば５ｎｍと
する。本実施の形態では、エアベアリング面３０を部分
的にエッチングする工程は基板１をエッチングすること
になる。

【００８６】上記のエッチングにより、図１４に示した
ように、保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエ
アベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一
部に、吸着防止等の機能を有する凸部３３が形成され
る。同時に、エアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘ
ッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分
（凸部３３に対応する部分を除く。）と同一平面を形成
するか、または基板１に対応する部分（凸部３３に対応
する部分を除く。）よりも記録媒体４０に近づく位置に
配置されるようになる。

【００８７】次に、スライダ２０のエアベアリング面３
０に、例えば図８に示したような凸部２１ａおよび凹部
２１ｂを形成して、エアベアリング面３０を、記録媒体
の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記
録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状
とする。

【００８８】次に、図１４に示したように、スライダ２
０のエアベアリング面３０の全面に、薄膜磁気ヘッド素
子２２を保護するための保護膜２８を形成する。この保
護膜２８の材料には、例えばダイヤモンドライクカーボ
ン（ＤＬＣ）が用いられる。

【００８９】最後に、バーを切断して各スライダ２０に
分離する。なお、本実施の形態においても、スライダ２
０のエアベアリング面３０に凸部２１ａおよび凹部２１
ｂを形成する工程において、図１４に示したように、ス
ライダ２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、
薄膜磁気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１
４における左側）のエッジを面取りしている。

【００９０】本実施の形態によれば、保護膜２８の形成
前におけるスライダ２０のエアベアリング面３０を部分
的にエッチングするようにしたので、スライダ２０のエ
アベアリング面３０を所望の形状、例えば、図１４に示
したように、吸着防止用の凸部３３を有するような形状
に形成することが可能になる。

【００９１】また、本実施の形態によれば、スライダ２
０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部
分の一部に凸部３３を設けたので、記録媒体４０の回転
開始時におけるスライダ２０と記録媒体４０との吸着を
防止することができると共に、記録媒体４０が回転して
いる状態から回転を停止した状態に移行し、スライダ２
０が記録媒体４０に接触する際における衝撃を軽減する
ことができる。

【００９２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００９３】［第３の実施の形態］次に、図１５および
図１６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係るス
ライダの製造方法について説明する。図１５は本実施の
形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明す
るための断面図である。図１６は図１５に続く工程を示
すと共に、スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上
している状態を示す断面図である。図１５および図１６
は、図８におけるＢ−Ｂ線で表される断面を表してい
る。また、図１５および図１６では、薄膜磁気ヘッド素
子２２のうちの主要な部分のみを示している。

【００９４】本実施の形態に係るスライダの製造方法で
は、図９に示したように、スライダ２０となる部分を含
むバーに対して研磨加工を行ってエアベアリング面３０
を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様であ
る。

【００９５】本実施の形態では、次に、図１５に示した
ように、スライダ２０のエアベアリング面３０の全面
に、薄膜磁気ヘッド素子２２を保護するための保護膜２
８を形成する。この保護膜２８の材料には、例えばダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が用いられる。この
保護膜２８の厚みは、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベ
アリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３
０側の面との間の段差以上の量、例えば５ｎｍとする。

【００９６】次に、スライダ２０のエアベアリング面３
０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２および絶縁層２７に
対応する部分の上に、選択的にフォトレジスト膜３１を
形成する。このとき、同時に、スライダ２０のエアベア
リング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部の上
に、後述する吸着防止等の機能を有する凸部を形成する
ために用いられるフォトレジスト膜３２を形成する。

【００９７】次に、フォトレジスト膜３１，３２をマス
クとして、エッチング、好ましくはイオンミリングや反
応性イオンエッチングのようなドライエッチングによ
り、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする。
このときのエッチング量は、薄膜磁気ヘッド素子２２の
エアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリン
グ面３０側の面との間の段差以上の量、例えば５〜１０
ｎｍとする。本実施の形態では、エアベアリング面３０
を部分的にエッチングする工程は、保護膜２８をエッチ
ングし、場合によっては更に基板１をエッチングするこ
とになる。

【００９８】上記のエッチングにより、図１６に示した
ように、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、
基板１に対応する部分の一部に、吸着防止等の機能を有
する凸部３４が形成される。同時に、エアベアリング面
３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分
が、基板１に対応する部分（凸部３４に対応する部分を
除く。）と同一平面を形成するか、または基板１に対応
する部分（凸部３４に対応する部分を除く。）よりも記
録媒体４０に近づく位置に配置されるようになる。

【００９９】次に、スライダ２０のエアベアリング面３
０に、例えば図８に示したような凸部２１ａおよび凹部
２１ｂを形成して、エアベアリング面３０を、記録媒体
の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記
録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状
とする。

【０１００】最後に、バーを切断して各スライダ２０に
分離する。なお、本実施の形態においても、スライダ２
０のエアベアリング面３０に凸部２１ａおよび凹部２１
ｂを形成する工程において、図１６に示したように、ス
ライダ２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、
薄膜磁気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１
６における左側）のエッジを面取りしている。

【０１０１】図１６に示したように、本実施の形態に係
る製造方法によって製造されたスライダ２０では、保護
層２８の厚みを５ｎｍとし、スライダ２０の浮上時にお
けるスライダ２０と記録媒体４０との間の距離を１０ｎ
ｍとすると、スライダ２０の浮上時における薄膜磁気ヘ
ッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と記録媒体
４０との間の距離、すなわち磁気スペースは１５ｎｍと
なる。このスライダ２０における磁気スペースは、図２
４に示した従来のスライダ１２０における磁気スペース
に比べて、５ｎｍ以上縮小されている。

【０１０２】以上説明したように、本実施の形態では、
段差を有するエアベアリング面３０に保護膜２８を形成
した後に、スライダ２０のエアベアリング面３０のう
ち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１
に対応する部分と同一平面を形成するか、または基板１
に対応する部分よりも記録媒体４０に近づく位置に配置
されるように、保護膜２８を部分的にエッチングするよ
うにしている。

【０１０３】これにより、本実施の形態によれば、保護
膜２８を含めた薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリン
グ面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の
面との間の段差をゼロにしたり、保護膜２８を含めた薄
膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面
を、基板１のエアベアリング面３０側の面よりも記録媒
体４０に近づく位置に配置することができる。その結
果、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様
に、スライダ２０の低浮上化、すなわち磁気スペースの
縮小が可能になる。また、本実施の形態によれば、磁気
スペースの縮小により、再生ヘッドにおける再生出力の
向上や半値幅の縮小が可能になり、その結果、記録密度
を向上させることができる。

【０１０４】また、本実施の形態によれば、スライダ２
０のエアベアリング面３０を部分的にエッチングするよ
うにしたので、スライダ２０のエアベアリング面３０を
所望の形状、例えば、図１６に示したように、吸着防止
用の凸部３４を有するような形状に形成することが可能
になる。

【０１０５】また、本実施の形態によれば、スライダ２
０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部
分の一部に凸部３４を設けたので、記録媒体４０の回転
開始時におけるスライダ２０と記録媒体４０との吸着を
防止することができると共に、記録媒体４０が回転して
いる状態から回転を停止した状態に移行し、スライダ２
０が記録媒体４０に接触する際における衝撃を軽減する
ことができる。

【０１０６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１０７】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、
誘導型電磁変換素子を有しない再生専用の薄膜磁気ヘッ
ドや、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜
磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生
を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。

【０１０８】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１０
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方
法によれば、媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に
対応する部分が、他の部分のうちの少なくとも一部と同
一平面を形成するか、または他の部分のうちの少なくと
も一部よりも記録媒体に近づく位置に配置されるよう
に、媒体対向面を部分的にエッチングするようにしたの
で、薄膜磁気ヘッド用スライダの低浮上化が可能にな
り、且つ薄膜磁気ヘッド用スライダの媒体対向面を所望
の形状に形成することが可能になるという効果を奏す
る。

【０１０９】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド用
スライダの製造方法によれば、エッチングする工程にお
いて、媒体対向面のうちの薄膜磁気ヘッド素子に対応す
る部分以外の部分に凸部を形成するようにしたので、ス
ライダと記録媒体との吸着を防止することができるとい
う効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜磁気ヘッド素子の製造方法の一例における
一工程を示す断面図である。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】薄膜磁気ヘッド素子の一例の構成を示す断面図
である。

【図７】図６に示した薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を
示す平面図である。

【図８】スライダのエアベアリング面の構成の一例を示
す底面図である。

【図９】本発明の第１の実施の形態に係るスライダの製
造方法における一工程を説明するための断面図である。

【図１０】図９に続く工程を示す断面図である。

【図１１】図１０に続く工程を示すと共にスライダが記
録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面
図である。

【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法に
よって製造されたスライダの薄膜磁気ヘッド素子におけ
る再生出力の波形の一例を示す特性図である。

【図１３】本発明の第２の実施の形態に係るスライダの
製造方法における一工程を説明するための断面図であ
る。

【図１４】図１３に続く工程を示すと共にスライダが記
録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面
図である。

【図１５】本発明の第３の実施の形態に係るスライダの
製造方法における一工程を説明するための断面図であ
る。

【図１６】図１５に続く工程を示すと共にスライダが記
録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面
図である。

【図１７】従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造方法におけ
る一工程を説明するための断面図である。

【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２０】従来の薄膜磁気ヘッド素子の断面図である。

【図２１】従来の薄膜磁気ヘッド素子の平面図である。

【図２２】スライダのエアベアリング面の構成の一例を
示す底面図である。

【図２３】図２２のＤ−Ｄ線断面図である。

【図２４】スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上
している状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、１０…薄膜コイル、１２…記録
ギャップ層、１３…上部磁極層、１７…オーバーコート
層、２０…スライダ、２２…薄膜磁気ヘッド素子、２７
…絶縁層、２８…保護膜、３０…エアベアリング面、４
０…記録媒体。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体に対向する媒体対向面と、前記
   媒体対向面の近傍に配置された薄膜磁気ヘッド素子とを
   有する薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法であって、 薄膜磁気ヘッド素子を含むスライダ用の素材に対して媒
   体対向面を形成する工程と、 前記媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する
   部分が、他の部分のうちの少なくとも一部と同一平面を
   形成するか、または他の部分のうちの少なくとも一部よ
   りも記録媒体に近づく位置に配置されるように、前記媒
   体対向面を部分的にエッチングする工程とを備えたこと
   を特徴とする薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
2. 【請求項２】 前記エッチングする工程ではイオンミリ
   ングを用いることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気
   ヘッド用スライダの製造方法。
3. 【請求項３】 前記エッチングする工程では反応性イオ
   ンエッチングを用いることを特徴とする請求項１記載の
   薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
4. 【請求項４】 前記媒体対向面を形成する工程は、前記
   スライダ用の素材における媒体対向面となる面の研磨を
   含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記
   載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
5. 【請求項５】 更に、前記エッチングする工程の後に、
   前記媒体対向面に保護膜を形成する工程を備えたことを
   特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁
   気ヘッド用スライダの製造方法。
6. 【請求項６】 前記保護膜はダイヤモンドライクカーボ
   ンによって形成されることを特徴とする請求項５記載の
   薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
7. 【請求項７】 更に、前記媒体対向面を形成する工程の
   後に、前記媒体対向面に保護膜を形成する工程を備え、 前記エッチングする工程は前記保護膜を部分的にエッチ
   ングすることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか
   に記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
8. 【請求項８】 前記保護膜はダイヤモンドライクカーボ
   ンによって形成されることを特徴とする請求項７記載の
   薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
9. 【請求項９】 前記保護膜の厚みは、前記エッチングす
   る工程の前の状態における前記媒体対向面のうち、薄膜
   磁気ヘッド素子に対応する部分と他の部分のうちの少な
   くとも一部との間の段差以上であることを特徴とする請
   求項７または８記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造
   方法。
10. 【請求項１０】 前記エッチングする工程において、媒
    体対向面のうちの前記他の部分に凸部を形成することを
    特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッド用スライダの製造方法。