JP3490643B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。
【０００４】ここで、図２１ないし図２４を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図２１ないし図２４において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００５】この製造方法では、まず、図２１に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。
【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
【０００９】次に、図２２に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。
【００１０】次に、図２３に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図２３（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。
【００１３】次に、図２４に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
【００１４】図２５は、図２４に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。
【００１５】図２４において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図２４に
おいて、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち記録トラック幅を表
している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２４にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Ang
le）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジ
スト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコ
イル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁
極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面との
なす角度をいう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２４に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。
【００１７】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミ
クロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技
術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する技
術が必要となる。
【００１８】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。
【００２４】このようなことから、上述の従来例の図２
２ないし図２４の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、記録トラック幅を決定する上部
磁極チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦
な面の上に、ある程度微細に形成することが可能にな
る。
【００２５】しかしながら、図２４に示したような構造
の薄膜磁気ヘッドでも、以下のような問題点があった。
【００２６】まず、図２４に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅とス
ロートハイトとを規定している。従って、この薄膜磁気
ヘッドでは、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ
以下になってくると、上部磁極チップ１１０の大きさが
極めて小さくなるため、パターン端が丸みを帯びたりし
て、上部磁極チップ１１０を精度よく形成するのが困難
になる。そのため、図２４に示したような構造の薄膜磁
気ヘッドでは、記録トラック幅が極微細になってくる
と、記録トラック幅を正確に制御することが困難になる
という問題点があった。
【００２７】また、図２４に示した薄膜磁気ヘッドで
は、上部磁極チップ１１０によって記録トラック幅が規
定されるため、上部磁極層１１６は、上部磁極チップ１
１０ほどには微細に加工する必要はないと言える。それ
でも、記録トラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下に
なってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロ
ン幅の加工精度が要求される。しかしながら、図２４に
示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６はエイペ
ックス部の上に形成されることから、前述の理由によ
り、上部磁極層１１６を微細に形成することが困難であ
った。また、上部磁極層１１６は、幅の狭い上部磁極チ
ップ１１０に対して磁気的に接続する必要があることか
ら、上部磁極チップ１１０よりも広い幅に形成する必要
があった。これらの理由から、図２４に示した薄膜磁気
ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チップ１１０
よりも広い幅に形成されていた。また、上部磁極層１１
６の先端面はエアベアリング面に露出している。そのた
め、図２４に示した薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１
１６側でも書き込みが行われ、記録媒体に対して、本
来、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまう、いわゆるサイドライトが発生するという問題点
があった。このような問題点は、記録ヘッドの性能を向
上させるためにコイルを２層や３層に形成した場合に、
コイルを１層に形成する場合に比べてエイペックス部の
高さが高くなり、より顕著になる。
【００２８】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁路長
（Yoke Length）を短くすることが困難であるという問
題点があった。すなわち、コイルピッチが小さいほど、
磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波
特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コ
イルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロート
ハイトゼロ位置（磁極部分のエアベアリング面とは反対
側の端部の位置）からコイルの外周端までの距離が、磁
路長を短くすることを妨げる大きな要因となっていた。
磁路長は、１層のコイルよりは２層のコイルの方が短く
できることから、多くの高周波用の記録ヘッドでは２層
コイルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッ
ドでは、１層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁
膜を形成するために、フォトレジスト膜を約２μｍの厚
みで形成している。そのため、１層目のコイルの外周端
には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。
次に、その上に２層目のコイルを形成するが、その際
に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層の
エッチングができず、コイルがショートするため、２層
目のコイルは平坦部に形成する必要がある。
【００２９】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
３〜４μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も３〜４μｍ
必要。）の６〜８μｍが必要である。このコイルに対応
する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因とな
っていた。
【００３０】ここで、例えば、コイルの線幅が１．２μ
ｍ、スペースが０．８μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図２４に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１．２
μｍである。磁路長には、これに加え、１層目のコイル
１１２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１
２を絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部まで
の距離として、合計６〜８μｍの長さが必要になる。従
って、磁路長は１７．２〜１９．２μｍとなる。また、
もし１１巻コイルを１層で形成するとなると、磁路長は
２７．２〜２９．２μｍとなる。なお、本出願では、磁
路長を、図２４において符号Ｌ0で示したように、磁極
層のうちの磁極部分およびコンタクト部分を除いた部分
の長さで表す。このように、従来は、磁路長の縮小が困
難であり、これが高周波特性の改善を妨げていた。
【００３１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、誘導型磁気変換素子のトラッ
ク幅を小さくした場合においてもトラック幅を正確に制
御することができるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供することにある。
【００３２】本発明の第２の目的は、上記第１の目的に
加え、記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込み
を防止することができるようにした薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することにある。
【００３３】本発明の第３の目的は、上記第１の目的に
加え、磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１または第２
の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、互いに磁気的に連結さ
れ、記録媒体に対向する側において互いに対向する磁極
部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１
および第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２
の磁性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
第１および第２の磁性層の間に設けられ、スロートハイ
トを規定するスロートハイト規定用絶縁層と、少なくと
も一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第
２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コ
イルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法である。
【００３５】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上
にスロートハイト規定用絶縁層を形成する工程と、第１
の磁性層の磁極部分の上にギャップ層を形成する工程
と、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ層の上
に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第
１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜
コイルを形成する工程とを含み、第２の磁性層を形成す
る工程は、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ
層の上に磁性膜を形成する工程と、磁性膜の上面を平坦
化する工程と、磁性膜によって第２の磁性層のうちの少
なくとも磁極部分を形成するために、平坦化された磁性
膜をフォトリソグラフィによってパターニングする工程
とを含むものである。
【００３６】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ層の
上に磁性膜が形成され、この磁性膜の上面が平坦化さ
れ、この平坦化された磁性膜をフォトリソグラフィによ
ってパターニングすることによって、磁性膜によって第
２の磁性層のうちの少なくとも磁極部分が形成される。
【００３７】なお、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、第１の磁性層の上にスロートハイト規
定用絶縁層を形成する工程は、第１の磁性層の上に他の
層を介してスロートハイト規定用絶縁層を形成する場合
を含む。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、スロートハイト規定用絶縁層およびギャッ
プ層の上に第２の磁性層を形成する工程は、スロートハ
イト規定用絶縁層の上にギャップ層等の他の層を介して
第２の磁性層を形成する場合を含む。
【００３８】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上
にスロートハイト規定用絶縁層を形成する工程と、第１
の磁性層の磁極部分の上にギャップ層を形成する工程
と、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ層の上
に第２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第
１および第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜
コイルを形成する工程とを含み、第２の磁性層を形成す
る工程は、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ
層の上に磁性膜を形成する工程と、磁性膜の上にエッチ
ングマスクを形成するための材料よりなるマスク用膜を
形成する工程と、マスク用膜の上面を平坦化する工程
と、平坦化されたマスク用膜をフォトリソグラフィによ
ってパターニングして、磁性膜によって第２の磁性層の
うちの少なくとも磁極部分を形成するためのエッチング
マスクを形成する工程と、磁性膜によって第２の磁性層
のうちの少なくとも磁極部分を形成するために、エッチ
ングマスクを用いて磁性膜をパターニングする工程とを
含むものである。
【００３９】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ層の
上に磁性膜が形成され、この磁性膜の上にエッチングマ
スクを形成するための材料よりなるマスク用膜が形成さ
れ、このマスク用膜の上面が平坦化される。更に、平坦
化されたマスク用膜をフォトリソグラフィによってパタ
ーニングすることによって、磁性膜によって第２の磁性
層のうちの少なくとも磁極部分を形成するためのエッチ
ングマスクが形成され、このエッチングマスクを用いて
磁性膜をパターニングすることによって、磁性膜によっ
て第２の磁性層のうちの少なくとも磁極部分が形成され
る。
【００４０】なお、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、第１の磁性層の上にスロートハイト規
定用絶縁層を形成する工程は、第１の磁性層の上に他の
層を介してスロートハイト規定用絶縁層を形成する場合
を含む。また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、スロートハイト規定用絶縁層およびギャッ
プ層の上に第２の磁性層を形成する工程は、スロートハ
イト規定用絶縁層の上にギャップ層等の他の層を介して
第２の磁性層を形成する場合を含む。
【００４１】本発明の第１または第２の薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、例えば、第２の磁性層の磁極部分
はトラック幅に等しい幅を有する。
【００４２】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、磁性膜の上面を平坦化する工程は、例
えば、スロートハイト規定用絶縁層に起因して磁性膜の
上面に生ずる凹凸を除去する。
【００４３】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、マスク用膜の上面を平坦化する工程
は、例えば、スロートハイト規定用絶縁層に起因してマ
スク用膜の上面に生ずる凹凸を除去する。
【００４４】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、第２の磁性層を形成する工程は、磁極
部分を含む磁極部分層を形成する工程と、磁極部分層に
接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形成する工
程とを含み、磁極部分層を形成する工程は、磁性膜を形
成する工程、磁性膜の上面を平坦化する工程および磁性
膜をパターニングする工程を含んでいてもよい。
【００４５】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、第２の磁性層を形成する工程は、磁極
部分を含む磁極部分層を形成する工程と、磁極部分層に
接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形成する工
程とを含み、磁極部分層を形成する工程は、磁性膜を形
成する工程、マスク用膜を形成する工程、マスク用膜の
上面を平坦化する工程、エッチングマスクを形成する工
程および磁性膜をパターニングする工程を含んでいても
よい。
【００４６】また、本発明の第１または第２の薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、ヨーク部分層を形成する工
程は、ヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、
薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置
に配置してもよい。
【００４７】また、本発明の第１または第２の薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、薄膜コイルを形成する工程
は、薄膜コイルの少なくとも一部を磁極部分層の側方に
配置してもよい。
【００４８】また、本発明の第１または第２の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、更に、磁極部分層の側方に配置さ
れた薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部
分層側の面が磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平
坦化された他の絶縁層を形成する工程を含んでいてもよ
い。
【００４９】また、本発明の第１または第２の薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、磁性膜をパターニングする
工程は、エッチングマスクを用いて、磁性層をエッチン
グして磁極部分層を形成すると共にスロートハイト規定
用絶縁層をエッチングして薄膜コイルの少なくとも一部
を収納するためのコイル収納部を形成してもよい。
【００５０】また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、磁性膜の上面を平坦化する工程は、ア
ルミナを含むスラリーを使用した化学機械研磨を用いて
もよい。
【００５１】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、マスク用膜の上面を平坦化する工程
は、アルミナを含むスラリーを使用した化学機械研磨を
用いてもよい。
【００５２】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、ギャップ層は化学的気相成長法によっ
て形成されるアルミナ膜であってもよい。
【００５３】また、本発明の第１または第２の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体
に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
うに配置された、磁気抵抗素子をシールドするための第
１および第２のシールド層と、磁気抵抗素子と第１およ
び第２のシールド層との間に設けられた第１および第２
の絶縁膜とを形成する工程を含んでいてもよい。この場
合、第１および第２の絶縁膜の少なくとも一方は、化学
的気相成長法によって形成されるアルミナ膜であっても
よい。
【００５４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図８を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明する。なお、図１ないし図７にお
いて、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。
【００５５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えば化学機械
研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド
層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００５６】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例え
ば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチ
ングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５に
は、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネ
ル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を
用いた素子を用いることができる。次に、下部シールド
ギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される
一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶
縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２
０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギ
ャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，
７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等があ
る。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法に
よって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法
によって形成してもよい。アルミナ膜よりなるシールド
ギャップ膜４，７をＣＶＤ法によって形成する場合に
は、材料としては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ
（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いる
と、薄く、且つ緻密でピンホールの少ないシールドギャ
ップ膜４，７を形成することが可能となる。
【００５７】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、例えば約２．５〜３．５μｍの厚み
で、選択的に形成する。
【００５８】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層９を、約１〜２μｍの厚みに
形成する。次に、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩ
Ｅ）を用いて、磁極部分を形成する位置９Ａと、後述す
る薄膜コイルの中心部分に対応する位置９Ｂにおいて、
絶縁層９を部分的にエッチングする。このとき、エッチ
ングによって形成される絶縁層９の端部には、例えば下
部磁極層８の上面に対して３０°〜４５°をなすテーパ
ーが形成されるようにする。エッチング後の絶縁層９は
本発明におけるスロートハイト規定用絶縁層に対応し、
絶縁層９のエアベアリング面３０側（図において左側）
の端部の位置がスロートハイトゼロ位置となる。
【００５９】次に、全体に、絶縁材料よりなる記録ギャ
ップ層１０を、例えば０．１５〜０．２５μｍの厚みに
形成する。記録ギャップ層１０に使用する絶縁材料とし
ては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコ
ン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンド
ライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャッ
プ層１０は、スパッタ法によって形成してもよいし、化
学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。ア
ルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０をＣＶＤ法によっ
て形成する場合には、材料としては例えばトリメチルア
ルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。
ＣＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少
ない記録ギャップ層１０を形成することが可能となる。
【００６０】次に、薄膜コイルの中心部分に対応する位
置９Ｂにおいて、磁路形成のために、記録ギャップ層１
０を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成す
る。
【００６１】次に、全体に、磁性材料によって、上部磁
極層の磁極部分を形成するための磁性膜１１を、例えば
約３．５〜４．５μｍの厚みに形成する。このとき、磁
性膜１１の上面には、絶縁層９に起因する凹凸が生じ
る。なお、磁性膜１１は、この磁性膜１１をエッチング
することによって形成される層のパターンよりも大きな
パターンに形成する。磁性膜１１は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材
料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量
％）等を用い、めっき法によって所定のパターンに形成
してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，Ｆｅ
ＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等
によって選択的にエッチングして所定のパターンに形成
してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣ
ｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００６２】次に、図４に示したように、磁性膜１１の
上面を平坦化して、絶縁層９に起因して磁性膜１１の上
面に生じた凹凸を除去する。このときの平坦化には、例
えば、アルミナを含むスラリーを使用したＣＭＰが用い
られる。
【００６３】次に、以下の手順によって、磁性膜１１に
よって上部磁極層の磁極部分を形成するために、平坦化
された磁性膜１１をフォトリソグラフィによってパター
ニングする。すなわち、まず、平坦化された磁性膜１１
の上において、上部磁極層の磁極部分を形成する位置
と、上部磁極層と下部磁極層８とを接続する位置に、そ
れぞれ、エッチングマスク１２ａ，１２ｂを形成する。
このエッチングマスク１２ａ，１２ｂは、フォトレジス
トマスクでもよいし、フォトレジストマスクを用いてパ
ターンニングされたアルミナ膜やフォトレジストマスク
を用いてめっき法によって形成された金属膜等でもよ
い。次に、エッチングマスク１２ａ，１２ｂを用いて、
磁性膜１１を例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリ
ングによってエッチングして、図５に示したように、上
部磁極層の磁極部分を構成する磁極部分層１１ａと、下
部磁極層８に接続される磁性層１１ｂとを形成する。
【００６４】本実施の形態では、磁性膜１１のエッチン
グの際に、後述する薄膜コイルを形成する領域におい
て、記録ギャップ層１０と絶縁層９もエッチングして、
薄膜コイルを収納するためのコイル収納部１３を形成す
る。本実施の形態におけるコイル収納部１３の底部は下
部磁極層８の上面となる。
【００６５】次に、エッチングマスク１２ａ，１２ｂを
除去する。次に、磁極部分層１１ａをマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１０を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。
【００６６】次に、磁極部分層１１ａをマスクとして、
例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによっ
て、下部磁極層８を選択的に約０．３〜０．４μｍ程度
エッチングして、図５（ｂ）に示したようなトリム構造
とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込
み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増
加を防止することができる。
【００６７】次に、全体に、後述する薄膜コイルと下部
磁極層８とを絶縁するための、例えばアルミナよりなる
絶縁膜１４を、約０．５μｍの厚みに形成する。次に、
コイル収納部１３内において、絶縁膜１４の上に、例え
ばフレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりな
る薄膜コイル１５を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚
みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成す
る。薄膜コイル１５は、磁性層１１ｂを中心にして巻回
されるように形成される。なお、図５（ａ）において、
符号１５ａは、薄膜コイル１５を後述する導電層（リー
ド）と接続するための接続部を示している。
【００６８】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１６を、約３〜４μｍの厚み
に形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極部分層
１１ａおよび磁性層１１ｂが露出するまで、絶縁層１６
を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図６
（ａ）では、薄膜コイル１５は露出していないが、薄膜
コイル１５が露出するようにしてもよい。薄膜コイル１
５が露出するようにした場合には、薄膜コイル１５を覆
う絶縁膜を形成する。
【００６９】次に、図７に示したように、接続部１５ａ
の上において、絶縁層１６を部分的にエッチングしてコ
ンタクトホールを形成する。次に、磁極部分層１１ａ、
絶縁層１６および磁性層１１ｂの上に、上部磁極層のヨ
ーク部分となるヨーク部分層１７を、例えば約２〜３μ
ｍの厚みに形成する。このとき同時に、接続部１５ａに
接続される導電層１８を、例えば約２〜３μｍの厚みに
形成する。ヨーク部分層１７は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって所定のパターンに形成して
もよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒ
Ｎ等の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等によ
って選択的にエッチングして所定のパターンに形成して
もよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦ
ｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高
周波特性の改善のため、ヨーク部分層１７を、無機系の
絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせ
た構造としてもよい。
【００７０】ヨーク部分層１７のエアベアリング面３０
側の端面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜
１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、ス
ロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置されている。
【００７１】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７２】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、磁極部分層１１ａ、磁
性層１１ｂおよびヨーク部分層１７よりなる上部磁極層
が、本発明における第２の磁性層に対応する。また、下
部シールド層３は、本発明における第１のシールド層に
対応する。また、下部磁極層８は、上部シールド層を兼
ねているので、本発明における第２のシールド層にも対
応する。
【００７３】図８は、本実施の形態に係る製造方法によ
って製造された薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、
この図では、オーバーコート層１９を省略していると共
に、その他の絶縁層や絶縁膜も適宜省略している。図８
において、符号ＴＨ０は、スロートハイトゼロ位置を示
している。また、符号８Ａは、トリム構造とするために
下部磁極層８がエッチングされている部分を表してい
る。図８に示したように、上部磁極層の磁極部分層１１
ａのうち、ヨーク部分層１７のエアベアリング面３０側
の端部に対応する位置からエアベアリング面３０までの
部分は、記録トラック幅に等しい一定の幅を有してお
り、この部分が上部磁極層の磁極部分となる。このよう
に、本実施の形態では、磁極部分層１１ａが記録トラッ
ク幅を規定する。
【００７４】以上説明したように、本実施の形態に係る
製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、再生ヘ
ッドと記録ヘッド（誘導型磁気変換素子）とを備えてい
る。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する
側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置さ
れ、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３
および上部シールド層（下部磁極層８）とを有してい
る。
【００７５】記録ヘッドは、磁気的に連結され、互いに
磁気的に連結され、記録媒体に対向する側において互い
に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
層からなる下部磁極層８および上部磁極層（磁極部分層
１１ａ、磁性層１１ｂおよびヨーク部分層１７）と、こ
れら２つの磁極層の間に設けられ、スロートハイトを規
定する絶縁層９と、２つの磁極層の各磁極部分の間に設
けられた記録ギャップ層１０と、少なくとも一部が２つ
の磁極層の間に、２つの磁極層に対して絶縁された状態
で配設された薄膜コイル１５とを有している。
【００７６】本実施の形態では、下部磁極層８の上に、
スロートハイトを規定する絶縁層９が設けられ、上部磁
極層の磁極部分層１１ａは、この絶縁層９によって段差
が生じている面の上に形成されている。このように段差
が生じている面の上に例えばフレームめっき法によって
磁極部分層１１ａを形成する場合には、磁極部分層１１
ａを精度よく形成することが難しい。
【００７７】これに対し、本実施の形態では、絶縁層９
によって段差が生じている面の上に磁性膜１１を形成
し、この磁性膜１１の上面を平坦化し、この平坦化され
た磁性膜１１をフォトリソグラフィによってパターニン
グすることによって、磁極部分層１１ａを形成してい
る。上面が平坦化された膜をフォトリソグラフィによっ
てパターニングする場合には、精度よくパターニングす
ることができる。従って、本実施の形態によれば、記録
トラック幅を規定する磁極部分層１１ａを精度よく形成
でき、その結果、記録トラック幅を小さくした場合にお
いても記録トラック幅を正確に制御することが可能にな
る。
【００７８】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１５を磁極部分層１１ａの側方に配置するようにしたの
で、薄膜コイル１５のエアベアリング面３０側の端部を
磁極部分層１１ａの端部の近くに配置することが可能で
ある。また、本実施の形態によれば、薄膜コイル１５が
平坦な絶縁膜１４の上に形成されるので、薄膜コイル１
５を微細に精度よく形成することが可能となる。また、
本実施の形態によれば、絶縁層９をエッチングしてコイ
ル収納部１３を形成するようにしたので、更に、薄膜コ
イル１５の厚みを大きくし線幅を小さくすることが可能
になる。これらのことから、本実施の形態によれば、例
えば従来に比べて３０〜４０％程度、磁路長の縮小が可
能になる。
【００７９】ところで、記録トラック幅に等しい幅とス
ロートハイトに等しい長さとを有する磁極部分にヨーク
部分層を接続する場合には、両者の接続部分で磁路の断
面積が急激に減少するため、この部分で磁束の飽和が生
じる可能がある。これは、特にスロートハイトが小さく
なったときに顕著になる。
【００８０】これに対し、本実施の形態では、磁極部分
層１１ａのエアベアリング面３０とは反対側（図７
（ａ）において右側）の端部を、スロートハイトゼロ位
置よりもエアベアリング面３０から離れた位置に配置し
ている。従って、本実施の形態によれば、磁極部分層１
１ａとヨーク部分層１７とを、比較的広い接触面積で接
触させて接続することができる。従って、本実施の形態
によれば、ヨーク部分層１７から磁極部分層１１ａにか
けて磁路の断面積が急激に減少することがなく、磁路の
途中での磁束の飽和を防止することができる。その結
果、本実施の形態によれば、薄膜コイル１５で発生した
起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。
【００８１】以上のことから、本実施の形態によれば、
記録ヘッドの高周波特性や、非線形トランジションシフ
ト（Non-linear Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと
記す。）や、重ね書きする場合の特性であるオーバーラ
イト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能
となる。
【００８２】また、本実施の形態では、ヨーク部分層１
７のエアベアリング面３０側の端面をエアベアリング面
３０から離れた位置（図において右側）に配置してい
る。従って、本実施の形態によれば、記録すべき領域以
外の領域へのデータの書き込み、すなわちサイドライト
を防止することができる。また、本実施の形態では、磁
極部分層１１ａのエアベアリング面３０とは反対側の端
部を、スロートハイトゼロ位置よりもエアベアリング面
３０から離れた位置に配置しているので、上述のように
ヨーク部分層１７のエアベアリング面３０側の端面をエ
アベアリング面３０から離れた位置に配置しても、磁路
の断面積が急激に減少することがない。
【００８３】また、本実施の形態では、コイル収納部１
３に収納された薄膜コイル１５を覆う絶縁層１６を設
け、この絶縁層１６の上面を平坦化したので、その後に
形成されるヨーク部分層１７を精度よく形成することが
可能となる。
【００８４】また、本実施の形態では、下部磁極層８と
薄膜コイル１５の間に、薄く且つ十分な絶縁耐圧が得ら
れる無機材料よりなる絶縁膜である絶縁膜１４が設けら
れるので、下部磁極層８と薄膜コイル１５との間に大き
な絶縁耐圧を得ることができる。
【００８５】また、本実施の形態では、薄膜コイル１５
を無機絶縁材料よりなる絶縁層１６で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１５の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。
【００８６】［第２の実施の形態］次に、図９ないし図
１５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図９な
いし図１４において、（ａ）はエアベアリング面に垂直
な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に
平行な断面を示している。
【００８７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上部シールドギャップ膜７を形成する工程ま
では、第１の実施の形態と同様である。
【００８８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、次に、図９に示したように、上部シールドギ
ャップ膜７の上に、下部磁極層８を、例えば約２．５〜
３．５μｍの厚みで、選択的に形成する。
【００８９】次に、図１０に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば４〜５μｍ
の厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、下部磁極層８
が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００９０】以下、エッチングマスク１２ａ，１２ｂを
形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
すなわち、まず、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁
層９を、約１〜２μｍの厚みに形成する。次に、例えば
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて、磁極部分
を形成する位置と薄膜コイルの中心部分に対応する位置
において、絶縁層９を部分的にエッチングする。このと
き、エッチングによって形成される絶縁層９の端部に
は、例えば下部磁極層８の上面に対して３０°〜４５°
をなすテーパーが形成されるようにする。
【００９１】次に、全体に、絶縁材料よりなる記録ギャ
ップ層１０を、例えば０．１５〜０．２５μｍの厚みに
形成する。次に、薄膜コイルの中心部分に対応する位置
において、磁路形成のために、記録ギャップ層１０を部
分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００９２】次に、全体に、磁性材料によって、上部磁
極層の磁極部分を形成するための磁性膜１１を、例えば
約３．５〜４．５μｍの厚みに形成する。
【００９３】次に、図１１に示したように、磁性膜１１
の上面を平坦化する。このときの平坦化には、例えば、
アルミナを含むスラリーを使用したＣＭＰが用いられ
る。
【００９４】次に、磁性膜１１の上において、上部磁極
層の磁極部分を形成する位置と、上部磁極層と下部磁極
層８とを接続する位置に、それぞれ、エッチングマスク
１２ａ，１２ｂを形成する。
【００９５】次に、エッチングマスク１２ａ，１２ｂを
用いて、磁性膜１１を例えばアルゴン系ガスを用いたイ
オンミリングによってエッチングして、図１２に示した
ように、上部磁極層の磁極部分を構成する磁極部分層１
１ａと、下部磁極層８に接続される磁性層１１ｂとを形
成する。本実施の形態では、第１の実施の形態とは異な
り、磁性膜１１のエッチングの際に、薄膜コイルを形成
する領域において、記録ギャップ層１０のみをエッチン
グし、絶縁層９はエッチングしない。
【００９６】次に、エッチングマスク１２ａ，１２ｂを
除去する。次に、磁極部分層１１ａをマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１０を選択的に
エッチングする。次に、磁極部分層１１ａをマスクとし
て、例えばアルゴン系ガスを用いたイオンミリングによ
って、下部磁極層８を選択的に約０．３〜０．４μｍ程
度エッチングして、図１２（ｂ）に示したようなトリム
構造とする。
【００９７】次に、絶縁層９の上に、例えばフレームめ
っき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第１層
部分２１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび
１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。薄膜コ
イルの第１層部分２１は、磁性層１１ｂを中心にして巻
回されるように形成される。なお、図１２（ａ）におい
て、符号２１ａは、薄膜コイルの第１層部分２１を後述
する第２層部分と接続するための接続部を示している。
【００９８】次に、図１３に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層２２を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極部分
層１１ａおよび磁性層１１ｂが露出するまで、絶縁層２
２を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図１３
（ａ）では、薄膜コイルの第１層部分２１は露出してい
ないが、薄膜コイルの第１層部分２１が露出するように
してもよい。薄膜コイルの第１層部分２１が露出するよ
うにした場合には、第１層部分２１を覆う絶縁膜を形成
する。
【００９９】次に、図１４に示したように、接続部２１
ａの上において、絶縁層２２を部分的にエッチングして
コンタクトホールを形成する。次に、絶縁層２２の上
に、例えばフレームめっき法によって、例えば銅よりな
る薄膜コイルの第２層部分２３を、例えば約１．０〜
２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍのコイルピ
ッチで形成する。なお、図１４（ａ）において、符号２
３ａは、薄膜コイルの第２層部分２３をコンタクトホー
ルを介して第１層部分２１の接続部２１ａに接続するた
めの接続部を示している。
【０１００】次に、絶縁層２２および薄膜コイルの第２
層部分２３の上に、フォトレジスト層２４を、所定のパ
ターンに形成する。次に、磁極部分層１１ａ、フォトレ
ジスト層２４および磁性層１１ｂの上に、上部磁極層の
ヨーク部分となるヨーク部分層２７を、例えば約２．０
〜３．０μｍの厚みに形成する。ヨーク部分層２７は、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、
高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量
％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって所
定のパターンに形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ
後、イオンミリング等によって選択的にエッチングして
所定のパターンに形成してもよい。この他にも、高飽和
磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等
を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、ヨー
ク部分層２７を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性
層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【０１０１】ヨーク部分層２７のエアベアリング面３０
側の端面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜
１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、ス
ロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置されている。
【０１０２】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１０３】図１５は、本実施の形態に係る製造方法に
よって製造された薄膜磁気ヘッドの平面図である。な
お、この図では、オーバーコート層２９を省略している
と共に、その他の絶縁層や絶縁膜も適宜省略している。
【０１０４】本実施の形態では、磁極部分層１１ａ、磁
性層１１ｂおよびヨーク部分層２７よりなる上部磁極層
が、本発明における第２の磁性層に対応する。
【０１０５】本実施の形態では、薄膜コイルの第２層部
分２３を、平坦化された絶縁層２２の上に形成したの
で、第２層部分２３を微細に精度よく形成することが可
能になる。
【０１０６】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０７】［第３の実施の形態］次に、図１６ないし
図２０を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１６
ないし図２０において、（ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。
【０１０８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、磁性膜１１を形成する工程までは、第１の実
施の形態と同様である。
【０１０９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、次に、図１６に示したように、磁性膜１１の
上面を平坦化することなく、その上に、エッチングマス
クを形成するための材料、例えばアルミナよりなるマス
ク用膜３２を、例えば２〜３μｍの厚みに形成する。こ
のとき、マスク用膜３２の上面には、絶縁層９に起因す
る凹凸が生じる。
【０１１０】次に、図１７に示したように、マスク用膜
３２の上面を平坦化して、絶縁層９に起因してマスク用
膜３２の上面に生じた凹凸を除去する。このときの平坦
化には、例えば、アルミナを含むスラリーを使用したＣ
ＭＰが用いられる。
【０１１１】次に、図１８に示したように、平坦化され
たマスク用膜３２をフォトリソグラフィによってパター
ニングして、磁性膜１１によって上部磁極層の磁極部分
層１１ａと磁性層１１ｂとを形成するためのエッチング
マスク３２ａ，３２ｂを形成する。次に、エッチングマ
スク３２ａ，３２ｂを用いて、磁性膜１１を例えばアル
ゴン系ガスを用いたイオンミリングによってエッチング
して、上部磁極層の磁極部分層１１ａと磁性層１１ｂと
を形成する。
【０１１２】本実施の形態では、磁性膜１１のエッチン
グの際に、後述する薄膜コイルを形成する領域におい
て、記録ギャップ層１０と絶縁層９の一部もエッチング
して、薄膜コイルを収納するためのコイル収納部１３を
形成する。
【０１１３】次に、図１９に示したように、エッチング
マスク３２ａ，３２ｂを除去する。次に、磁極部分層１
１ａをマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギ
ャップ層１０を選択的にエッチングする。次に、磁極部
分層１１ａをマスクとして、例えばアルゴン系ガスを用
いたイオンミリングによって、下部磁極層８を選択的に
約０．３〜０．４μｍ程度エッチングして、図１９
（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【０１１４】次に、絶縁層９の上に、例えばフレームめ
っき法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第１層
部分２１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび
１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。薄膜コ
イルの第１層部分２１は、磁性層１１ｂを中心にして巻
回されるように形成される。なお、図１９（ａ）におい
て、符号２１ａは、薄膜コイルの第１層部分２１を後述
する第２層部分と接続するための接続部を示している。
【０１１５】次に、図２０に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層２２を、約３〜４μｍの厚
みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極部分
層１１ａおよび磁性層１１ｂが露出するまで、絶縁層２
２を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図２０
（ａ）では、薄膜コイルの第１層部分２１は露出してい
ないが、薄膜コイルの第１層部分２１が露出するように
してもよい。薄膜コイルの第１層部分２１が露出するよ
うにした場合には、第１層部分２１を覆う絶縁膜を形成
する。
【０１１６】次に、接続部２１ａの上において、絶縁層
２２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成
する。次に、絶縁層２２の上に、例えばフレームめっき
法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分
２３を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．
２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。なお、図２
０（ａ）において、符号２３ａは、薄膜コイルの第２層
部分２３をコンタクトホールを介して第１層部分２１の
接続部２１ａに接続するための接続部を示している。
【０１１７】次に、絶縁層２２および薄膜コイルの第２
層部分２３の上に、フォトレジスト層２４を、所定のパ
ターンに形成する。次に、磁極部分層１１ａ、フォトレ
ジスト層２４および磁性層１１ｂの上に、上部磁極層の
ヨーク部分となるヨーク部分層２７を、例えば約２．０
〜３．０μｍの厚みに形成する。
【０１１８】ヨーク部分層２７のエアベアリング面３０
側の端面は、エアベアリング面３０から例えば０．５〜
１．０μｍだけ離れた位置、本実施の形態では特に、ス
ロートハイトゼロ位置の近傍の位置に配置されている。
【０１１９】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２９を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１２０】本実施の形態に係る製造方法によって製造
された薄膜磁気ヘッドの平面図は、第２の実施の形態と
同様に、図１５に示したようになる。
【０１２１】本実施の形態では、絶縁層９によって段差
が生じている面の上に磁性膜１１を形成し、更に磁性膜
１１の上にマスク用膜３２を形成し、マスク用膜３２の
上面を平坦化し、この平坦化されたマスク用膜３２をフ
ォトリソグラフィによってパターニングして、エッチン
グマスク３２ａ，３２ｂを形成している。そして、本実
施の形態では、このエッチングマスク３２ａ，３２ｂを
用いて磁性膜１１をパターニングすることによって、磁
極部分層１１ａを形成している。従って、本実施の形態
によれば、エッチングマスク３２ａ，３２ｂを精度よく
パターニングすることができ、その結果、記録トラック
幅を規定する磁極部分層１１ａを精度よく形成すること
ができ、記録トラック幅を小さくした場合においても記
録トラック幅を正確に制御することが可能になる。
【０１２２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１２３】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形
態では、下部磁極層８の上に直接、スロートハイトを規
定する絶縁層９を形成したが、下部磁極層８の上に他の
層、例えば記録ギャップ層１０を形成し、その上に絶縁
層９を形成してもよい。また、上記各実施の形態では、
絶縁層９の上にも記録ギャップ層１０を形成したが、絶
縁層９の上には記録ギャップ層１０を形成せずに、絶縁
層９の上に直接、磁性膜１１を形成してもよい。
【０１２４】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【０１２５】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【０１２６】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【０１２７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、スロートハイト規定用絶縁層およびギャップ層の上
に磁性膜を形成し、この磁性膜の上面を平坦化し、この
平坦化された磁性膜をフォトリソグラフィによってパタ
ーニングすることによって、第２の磁性層のうちの少な
くとも磁極部分を形成するようにしたので、第２の磁性
層の磁極部分を精度よく形成でき、その結果、誘導型磁
気変換素子のトラック幅を小さくした場合においてもト
ラック幅を正確に制御することが可能になるという効果
を奏する。
【０１２８】また、請求項１３ないし２４のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スロートハ
イト規定用絶縁層およびギャップ層の上に磁性膜を形成
し、この磁性膜の上にマスク用膜を形成し、このマスク
用膜の上面を平坦化し、平坦化されたマスク用膜をフォ
トリソグラフィによってパターニングすることによって
エッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用
いて磁性膜をパターニングすることによって、第２の磁
性層のうちの少なくとも磁極部分を形成するようにした
ので、第２の磁性層の磁極部分を精度よく形成でき、そ
の結果、誘導型磁気変換素子のトラック幅を小さくした
場合においてもトラック幅を正確に制御することが可能
になるという効果を奏する。
【０１２９】また、請求項５または１７記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層を磁極部分層
とヨーク部分層とに分け、ヨーク部分層の記録媒体に対
向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向す
る面から離れた位置に配置するようにしたので、更に、
記録すべき領域以外の領域へのデータの書き込みを防止
することができるという効果を奏する。
【０１３０】また、請求項６、７、１８または１９記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第２の磁性層を
磁極部分層とヨーク部分層とに分け、薄膜コイルの少な
くとも一部を磁極部分層の側方に配置するようにしたの
で、更に、薄膜コイルの少なくとも一部の端部を磁極部
分層の端部の近くに配置することができ、その結果、磁
路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
【０１３１】また、請求項７または１９記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、磁極部分層の側方に配置さ
れた薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部
分層側の面が磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に平
坦化された他の絶縁層を形成するようにしたので、更
に、ヨーク部分層を精度よく形成することが可能になる
という効果を奏する。
【０１３２】また、請求項８または２０記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、スロートハイト規定用絶縁
層をエッチングしてコイル収納部を形成するようにした
ので、更に、薄膜コイルの厚みを大きくし線幅を小さく
して磁路長を短縮することが可能になるという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によ
って製造された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によ
って製造された薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る製造方法に
よって製造された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る製造方法に
よって製造された薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る製造方法に
よって製造された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２５】従来の磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…絶縁層、１０…記録ギャッ
プ層、１１…磁性膜、１１ａ…上部磁極層の磁極部分
層、１１ｂ…磁性層、１３…コイル収納部、１４…絶縁
膜、１５…薄膜コイル、１６…絶縁層、１７…ヨーク部
分層、１９…オーバーコート層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に対
    向する側において互いに対向する磁極部分を含み、それ
    ぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性
    層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性層
    の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、前記第１
    および第２の磁性層の間に設けられ、スロートハイトを
    規定するスロートハイト規定用絶縁層と、少なくとも一
    部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１およ
    び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
    膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
    て、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記スロートハイト規定用絶縁
    層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形
    成する工程と、 前記スロートハイト規定用絶縁層および前記ギャップ層
    の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    含み、 前記第２の磁性層を形成する工程は、 前記スロートハイト規定用絶縁層および前記ギャップ層
    の上に磁性膜を形成する工程と、 前記磁性膜の上面を平坦化する工程と、 前記磁性膜によって前記第２の磁性層のうちの少なくと
    も磁極部分を形成するために、平坦化された前記磁性膜
    をフォトリソグラフィによってパターニングする工程と
    を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第２の磁性層の磁極部分は、トラッ
    ク幅に等しい幅を有することを特徴とする請求項１記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記磁性膜の上面を平坦化する工程は、
    前記スロートハイト規定用絶縁層に起因して前記磁性膜
    の上面に生ずる凹凸を除去することを特徴とする請求項
    １または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第２の磁性層を形成する工程は、磁
    極部分を含む磁極部分層を形成する工程と、前記磁極部
    分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形成
    する工程とを含み、 前記磁極部分層を形成する工程は、前記磁性膜を形成す
    る工程、前記磁性膜の上面を平坦化する工程および前記
    磁性膜をパターニングする工程を含むことを特徴とする
    請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  5. 【請求項５】 前記ヨーク部分層を形成する工程は、前
    記ヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄膜
    磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に配
    置することを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記
    薄膜コイルの少なくとも一部を前記磁極部分層の側方に
    配置することを特徴とする請求項４または５記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 更に、前記磁極部分層の側方に配置され
    た薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部分
    層側の面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共に
    平坦化された他の絶縁層を形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記磁性膜をパターニングする工程は、
    エッチングマスクを用いて、前記磁性膜をエッチングし
    て前記磁極部分層を形成すると共に前記スロートハイト
    規定用絶縁層をエッチングして前記薄膜コイルの少なく
    とも一部を収納するためのコイル収納部を形成すること
    を特徴とする請求項４ないし７のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記磁性膜の上面を平坦化する工程は、
    アルミナを含むスラリーを使用した化学機械研磨を用い
    ることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記ギャップ層は化学的気相成長法に
    よって形成されるアルミナ膜であることを特徴とする請
    求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  11. 【請求項１１】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と
    前記第１および第２のシールド層との間に設けられた第
    １および第２の絶縁膜とを形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１および第２の絶縁膜の少なく
    とも一方は、化学的気相成長法によって形成されるアル
    ミナ膜であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 互いに磁気的に連結され、記録媒体に
    対向する側において互いに対向する磁極部分を含み、そ
    れぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁
    性層と、前記第１の磁性層の磁極部分と前記第２の磁性
    層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、前記第
    １および第２の磁性層の間に設けられ、スロートハイト
    を規定するスロートハイト規定用絶縁層と、少なくとも
    一部が前記第１および第２の磁性層の間に、前記第１お
    よび第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた
    薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
    て、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に前記スロートハイト規定用絶縁
    層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形
    成する工程と、 前記スロートハイト規定用絶縁層および前記ギャップ層
    の上に前記第２の磁性層を形成する工程と、 少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
    この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
    配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを
    含み、 前記第２の磁性層を形成する工程は、 前記スロートハイト規定用絶縁層および前記ギャップ層
    の上に磁性膜を形成する工程と、 前記磁性膜の上にエッチングマスクを形成するための材
    料よりなるマスク用膜を形成する工程と、 前記マスク用膜の上面を平坦化する工程と、 平坦化された前記マスク用膜をフォトリソグラフィによ
    ってパターニングして、前記磁性膜によって前記第２の
    磁性層のうちの少なくとも磁極部分を形成するためのエ
    ッチングマスクを形成する工程と、 前記磁性膜によって前記第２の磁性層のうちの少なくと
    も磁極部分を形成するために、前記エッチングマスクを
    用いて前記磁性膜をパターニングする工程とを含むこと
    を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の磁性層の磁極部分は、トラ
    ック幅に等しい幅を有することを特徴とする請求項１３
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記マスク用膜の上面を平坦化する工
    程は、前記スロートハイト規定用絶縁層に起因して前記
    マスク用膜の上面に生ずる凹凸を除去することを特徴と
    する請求項１３または１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記第２の磁性層を形成する工程は、
    磁極部分を含む磁極部分層を形成する工程と、前記磁極
    部分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層を形
    成する工程とを含み、 前記磁極部分層を形成する工程は、前記磁性膜を形成す
    る工程、前記マスク用膜を形成する工程、前記マスク用
    膜の上面を平坦化する工程、前記エッチングマスクを形
    成する工程および前記磁性膜をパターニングする工程を
    含むことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記ヨーク部分層を形成する工程は、
    前記ヨーク部分層の記録媒体に対向する側の端面を、薄
    膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面から離れた位置に
    配置することを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記薄膜コイルの少なくとも一部を前記磁極部分層の側方
    に配置することを特徴とする請求項１６または１７記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 更に、前記磁極部分層の側方に配置さ
    れた薄膜コイルの少なくとも一部を覆い、そのヨーク部
    分層側の面が前記磁極部分層のヨーク部分層側の面と共
    に平坦化された他の絶縁層を形成する工程を含むことを
    特徴とする請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 前記磁性膜をパターニングする工程
    は、前記エッチングマスクを用いて、前記磁性膜をエッ
    チングして前記磁極部分層を形成すると共に前記スロー
    トハイト規定用絶縁層をエッチングして前記薄膜コイル
    の少なくとも一部を収納するためのコイル収納部を形成
    することを特徴とする請求項１６ないし１９のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記マスク用膜の上面を平坦化する工
    程は、アルミナを含むスラリーを使用した化学機械研磨
    を用いることを特徴とする請求項１３ないし２０のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記ギャップ層は化学的気相成長法に
    よって形成されるアルミナ膜であることを特徴とする請
    求項１３ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  23. 【請求項２３】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするため
    の第１および第２のシールド層と、前記磁気抵抗素子と
    前記第１および第２のシールド層との間に設けられた第
    １および第２の絶縁膜とを形成する工程を含むことを特
    徴とする請求項１３ないし２２のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記第１および第２の絶縁膜の少なく
    とも一方は、化学的気相成長法によって形成されるアル
    ミナ膜であることを特徴とする請求項２３記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
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