JPH10334410A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

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JPH10334410A
JPH10334410A JP9139790A JP13979097A JPH10334410A JP H10334410 A JPH10334410 A JP H10334410A JP 9139790 A JP9139790 A JP 9139790A JP 13979097 A JP13979097 A JP 13979097A JP H10334410 A JPH10334410 A JP H10334410A
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film
magnetic
pole portion
track width
insulating film
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JP9139790A
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Satoshi Uejima
聡史 上島
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 書き込みポールのトラック幅を、高精度の微
小値に設定する。 【解決手段】 下部ポール部２１２は下部ヨーク部２１
１の上に突出して付着されている。上部ポール部２２２
はギャップ膜２３の上に付着され、トラック幅Ｗ２１が
下部ポール部２１２のトラック幅Ｗ１１と等しくなって
いる。下部ポール部２１２、上部ポール部２２２及びギ
ャップ膜２３は、非磁性絶縁膜２６によって埋められて
いる。非磁性絶縁膜２６は、平坦化された上面が上部ポ
ール部２２２の表面と同一平面を形成している。上部ヨ
ーク部２２１は、先端部が上部ポール部２２２のトラッ
ク幅Ｗ２１よりも広いトラック幅Ｗ２２を有して上部ポ
ール部２２２の上に積層され、トラック幅方向の両端が
非磁性絶縁膜２６の上面に付着されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、薄膜
書き込み素子と、ＭＲ読み取り素子とを有する複合型の
ものが主に用いられるようになっている。
【０００３】ＭＲ読み取り素子は、磁気ディスクとの間
の相対速度に依存せず、高い分解能が得られる。ＭＲ読
み取り素子は、第１シールド膜と、第２シールド膜と、
ＭＲ素子とを含んでいる。第１シールド膜及び第２シー
ルド膜は、適当な非磁性絶縁物を介して、互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子は第１シールド膜及び第２シ
ールド膜の間に配置されている。
【０００４】書き込み素子としては、誘導型電磁変換素
子が用いられ、ＭＲ読み取り素子の上に積層される。書
き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子は、ＭＲ読み
取り素子に対する第２シールド膜を兼ねている下部磁性
膜、上部ヨーク部、ギャップ膜及び有機樹脂で構成され
た絶縁膜によって支持されたコイル膜等を有している。
【０００５】下部磁性膜及び上部ヨーク部の先端部は微
小厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部ポール部及び
上部ポール部となっており、下部ポール部及び上部ポー
ル部において書き込みを行なう。
【０００６】下部磁性膜及び上部磁性膜は、そのヨーク
部が下部ポール部及び上部ポール部とは反対側にあるバ
ックギャップ部において、磁気回路を完成するように互
いに結合されている。コイル膜はヨーク部の結合部のま
わりを渦巻状にまわるように形成されている。
【０００７】この種の薄膜磁気ヘッドを用いて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデータ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度は、書き込み素子の能力によって左右され
る。面密度は、書き込み素子において、ポール間のギャ
ップ長を小さくすることによって高めることができる。
但し、ギャップ長の短縮は、ポール間の磁束強度の減少
を招くので、おのずと限界がある。
【０００８】記録の面密度を高めるもう一つの手段は、
磁気ディスクに記録できるデータトラック数を増やすこ
とである。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通
常、ＴＰＩ（track per inch）として表現される。書き
込み素子のＴＰＩ能力は、データ．トラックの幅を決め
るヘッド寸法を小さくすることによって高めることがで
きる。このヘッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と
称されている。
【０００９】上述した従来の薄膜磁気ヘッドの問題点の
一つは、書き込み素子において、下部磁性膜が、ＭＲ読
み取り素子の第２シールド膜として兼用されているた
め、下部ポール部のトラック幅を狭くすることができ
ず、このため、記録中にかなり大きなサイドフリンジン
グ磁界が生じることである。この磁界は、トラック幅を
小さくした上部ポール部から、トラック幅が縮小されて
いない下部磁性膜への磁束の漏れによって生じる。サイ
ドフリンジング磁界は達成可能な最小トラック幅を制限
し、トラック密度の向上に限界を生じさせる。また、書
き込まれたトラック．データをＭＲ素子で読み取るとき
のオフトラック性能を劣化させる。
【００１０】特開平７ー２６２５１９号公報及び特開平
７ー２２５９１７号公報は、イオン．ビーム．ミリング
により、下部ポール部のトラック幅を、上部ポール部の
トラック幅に合わせる手段を開示している。しかし、イ
オン．ミリング処理中に生じた粒子が上部ポール部また
は下部ポールの側壁に再付着する等の現象を生じる。こ
のようにして再付着によって生成された部分は、書き込
みポールのトラック幅を高精度の微小値に設定するため
の障害となる。また、再付着によって生成された部分は
磁気的特性が劣化しているのが普通であるから、磁気特
性の改善の観点から、再付着は好ましくない。
【００１１】また、この種の複合薄膜磁気ヘッドにおい
て、コイル膜を支持する絶縁膜は高く盛り上がってい
る。このため、上部ヨーク部を形成するためのフォトリ
ソグラフィ工程において、フォトレジストを付着させた
場合、フォトレジストが段差部に厚く付着する。従っ
て、段差部の下側に形成される上部ポール部のパターン
を、膜厚の厚いフォトレジストを通してパターンニング
しなければならず、アスペクト比（レジストの高さと幅
の比）が著しく高くなる。このため、トラック幅の狭小
化に適していない。
【００１２】特開平６ー２８６２６号公報は、第１の磁
気ヨーク層（下部ヨーク部）を形成した後、フォトレジ
スト層を付着させ、フォトレジスト層に、下部ポール
部、ギャップ膜及び上部ポール部でなる磁極端アセンブ
リをパータン形成するための開口部を設ける。次に、開
口部に磁極端アセンブリを形成した後、磁極端アセンブ
リの前部に位置するフォトレジスト層を除去する。次
に、フォトレジスト層をハードベーキングして、平坦化
された絶縁層を形成する。この後、従来方法によりコイ
ル構造や絶縁膜等を構成し、更に第２の磁気ヨーク層
（上部ヨーク部）を形成する。この従来技術の問題点の
一つは、流動性等のために平坦化しにくいフォトレジス
ト層を、平坦化膜として利用していること、及び、第２
の磁気ヨーク層（上部ヨーク部）のトラック方向幅が、
磁極端アセンブリよりも狭い幅になってしまうことであ
る。
【００１３】上記従来技術は、更に、第１の磁気ヨーク
層（下部ヨーク部）を形成した後、フォトレジスト層を
付着させ、フォトレジスト層に、下部ポール部、ギャッ
プ膜及び上部ポール部でなる磁極端アセンブリをパータ
ン形成するための開口部を設け、開口部内に磁極端アセ
ンブリを形成した後、コイル構造や絶縁膜等を構成し、
更に第２の磁気ヨーク層（上部ヨーク部）を形成する。
この場合の問題点は、開口部内において、上部ヨーク部
を磁極端アセンブリに付着させなければならないので、
トラック幅が狭小化された場合に、磁極端アセンブリに
対する上部ヨーク部の付着に問題を生じ易いことであ
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、書き
込みポールのトラック幅を、ドライエッチングプロセス
を経ることなく、高精度の微小値に設定し得る薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
【００１５】本発明のもう一つの課題は、トラック幅の
狭い上部ポール部及び下部ポール部を高精度で容易に位
置合わせできる構造を持つ薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とである。
【００１６】本発明の更にもう一つの課題は、上述した
薄膜磁気ヘッドを得るのに適した製造方法を提供するこ
とである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込み素
子は、下部磁性膜と、上部磁性膜と、ギャップ膜と、絶
縁膜によって支持されたコイル膜とを含んでいる。下部
磁性膜は、下部ヨーク部と、下部ポール部とを含み、下
部ポール部が下部ヨーク部の上に付着されている。
【００１８】上部磁性膜は、上部ポール部と、上部ヨー
ク部とを含んでいる。上部ポール部は、下部ポール部の
上に付着されたギャップ膜の上に付着され、トラック幅
が下部ポール部のトラック幅と実質的に等しくなってい
る。
【００１９】下部ポール部、上部ポール部及びギャップ
膜は、周りが非磁性絶縁膜によって埋められている。非
磁性絶縁膜は、上面が平坦化され、平坦化された上面が
上部ポール部の表面と実質的に同一平面を形成してい
る。
【００２０】上部ヨーク部は、先端部が上部ポール部の
トラック幅よりも広いトラック幅を有して上部ポール部
の上に積層され、トラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜
の上面に付着されている。コイル膜を支持した絶縁膜
は、非磁性絶縁膜の上面上に形成されている。
【００２１】書き込み素子の上部ポール部は、下部ポー
ル部と対向し、かつ、ギャップ膜によって分離され、ト
ラック幅が下部ポール部のトラック幅と実質的に等しく
なっている。このため、サイドフリンジング磁界の発生
を抑え、トラック密度を高め、高密度記録を達成するこ
とができる。
【００２２】上部ヨーク部は、先端部が上部ポール部の
トラック幅よりも広いトラック幅を有して上部ポール部
の上に積層されているから、上部ポール部のトラック幅
を狭小化しても、書き込み能力を損なうことがない。
【００２３】更に、上部ヨーク部を、上部ポール部と同
時に形成するのではなく、上部ポール部の上に積層する
構造であるから、上部ポール部を、下部ポール部及びギ
ャップ膜と同一のトラック幅を有するように形成した
後、上部ヨーク部を形成することができる。この構造
は、製造工程上、多くの利点をもたらす。具体的には、
第２シールド膜の上にフレームを形成した後、フレーム
によって画定された内外のパターンに、磁性膜、非磁性
膜及び磁性膜の積層膜を付着させ、次に、外側パターン
に付着した積層膜を除去し、内側パターンに付着した積
層膜を残して、第２シールド膜を下部ヨーク部とし、そ
の上に付着された磁性膜を下部ポール部とし、その上に
積層された非磁性膜をギャップ膜とし、その上に積層さ
れた磁性膜を上部ポール部とする積層膜を形成する工程
を採用することができる。この製造工程によれば、上記
フレームを、積層過程の低段差の段階で形成できるた
め、下部ポール部及び上部ポール部のトラック幅を、フ
ォトリソグラフィ工程によって定まる高精度の微小値に
設定することができる。
【００２４】下部ポール部、ギャップ膜及び上部ポール
部の位置合わせは、同一のフォトリソグラフィ工程によ
り形成される同一のフレームよって実行されるから、下
部ポール部及び上部ポール部を、高精度で容易に位置合
わせすることができる。
【００２５】下部ポール部、上部ポール部及びギャップ
膜は、周りが非磁性絶縁膜によって埋められている。非
磁性絶縁膜は、上面が平坦化され、平坦化された上面が
上部ポール部の表面と実質的に同一平面を形成してい
る。この構造の利点の一つは、上部ヨーク部を、非磁性
絶縁膜の上面に凹部等を設けることなく、上部ポール部
の表面に、上部ヨーク部を直接に結合できることであ
る。このため、上部ポール部のトラック幅が狭小化され
た場合でも、上部ポール部に対して、上部ヨーク部を確
実、かつ、容易に付着させることができる。しかも、上
部ヨーク部は、先端部が上部ポール部のトラック幅より
も広いトラック幅を有しているから、上部ポール部のト
ラック幅を狭小化しても、書き込み能力を損なうことが
ない。また、上部ヨーク部はトラック幅方向の両端が非
磁性絶縁膜の上面に付着されているから、上部ポール部
のトラック幅を狭小化しても、充分な付着面積及び付着
強度を確保できる。
【００２６】もう一つの利点は、非磁性絶縁膜の平坦化
により、コイル膜を形成するための平坦なベースが得ら
れることである。即ち、平坦化された非磁性絶縁膜の上
にコイル膜及びその支持絶縁膜を形成することができ
る。従って、コイル膜形成工程を、平坦化された非磁性
絶縁膜の上で実行できるから、段差のある領域にコイル
膜を形成する場合に発生し易いコイル膜の断線、短絡等
を回避することができる。
【００２７】非磁性絶縁膜の形成及び平坦化は、ポール
部を形成した後、フレームを除去し、第２シールド膜及
び積層膜を覆う非磁性絶縁膜を成膜し、成膜された非磁
性絶縁膜の表面を平坦化して、上部ポール部の表面を露
出させることによって実行できる。
【００２８】次の工程では、平坦化された非磁性絶縁膜
の上にコイル膜及びその支持絶縁膜を形成する。コイル
膜形成工程は、平坦化された非磁性絶縁膜の上で実行さ
れるから、段差のある領域にコイル膜を形成する場合に
発生し易いコイル膜の断線、短絡等を回避することがで
きる。
【００２９】コイル膜を支持する絶縁膜を形成した後、
上部ヨーク部を形成する。上部ヨーク部を形成する段階
では、書き込み特性を決定する下部ポール部及び上部ポ
ール部は、既に形成されているから、上部ヨーク部の形
成工程により、トラック幅が変動することがない。
【００３０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、通常は、
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シールド膜と、第２シールド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シールド膜及び第２シールド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シールド膜及び第２シ
ールド膜の間に配置されている。
【００３１】書き込み素子は、ＭＲ読み取り素子の上に
積層される。この場合、第２シールド膜は、書き込み素
子の下部ヨーク部として兼用される。下部ポール部は下
部ヨーク部の上に突出して設けられているから、第２シ
ールド膜の幅を、ＭＲ読み取り素子を保護するのに必要
な寸法に保ったままで、下部ポール部のトラック幅を狭
小化することができる。
【００３２】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図、図２は図１の２−２線に沿った断面図、図
３は図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドのポール部の
拡大斜視図である。図において、寸法は誇張されてい
る。この実施例は、書き込み素子２と、ＭＲ読み取り素
子３とを合わせ持つ複合型の薄膜磁気ヘッドを示してい
る。書き込み素子２及びＭＲ読み取り素子３は、スライ
ダとして用いられる基体１の上に付着されて、読み書き
部分が基体１の空気ベアリング面１０に位置している。
矢印ａは回転する磁気記録媒体と組み合わせた場合の空
気の流れ方向を示している。
【００３４】書き込み素子２は、誘導型薄膜磁気変換素
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２は、下部磁性膜２１と、上部磁性膜２２
と、ギャップ膜２３と、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜２５によって支持されたコイル膜２４
とを含んでいる。下部磁性膜２１は、下部ヨーク部２１
１と、下部ポール部２１２とを含み、下部ポール部２１
２が下部ヨーク部２１１の上に突出して付着されてい
る。ギャップ膜２３はＡｕ、ＣｕまたはＮｉＰ等の導電
性非磁性材料によって構成できる。
【００３５】上部磁性膜２２は、上部ポール部２２２
と、上部ヨーク部２２１とを含んでいる。上部ポール部
２２２は、下部ポール部２１２の上に付着されたギャッ
プ膜２３の上に付着され、トラック幅Ｗ２１が下部ポー
ル部２１２のトラック幅Ｗ１１と実質的に等しくなって
いる。
【００３６】下部ポール部２１２、上部ポール部２２２
及びギャップ膜２３は、周りが非磁性絶縁膜２６によっ
て埋められている。非磁性絶縁膜２６は、上面が平坦化
され、平坦化された上面が上部ポール部２２２の表面と
実質的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜２６と
しては、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号２７は
全体を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成されて
いる。
【００３７】上部ヨーク部２２１は、先端部が上部ポー
ル部２２２のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック幅Ｗ
２２を有して上部ポール部２２２の上に積層され、トラ
ック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２６の上面に付着され
ている。コイル膜２４を支持した絶縁膜２５は、非磁性
絶縁膜２６の上面上に形成されている。
【００３８】下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、そ
のヨーク部２１１、２２１が下部ポール部２１２及び上
部ポール部２２２とは反対側にある後方の結合部２２３
において、磁気回路を完成するように互いに結合されて
いる。絶縁膜２５の上に、結合部２２３のまわりを渦巻
状にまわるように、コイル膜２４を形成してある。コイ
ル膜２４の巻数および層数は任意である。
【００３９】ＭＲ読み取り素子３は、第１シールド膜３
１と、第２シールド膜３２と、ＭＲ素子３３と、リード
導体膜３５とを含む。第１シールド膜３１及び第２シー
ルド膜３２は互いに間隔を隔てて配置されており、ＭＲ
素子３３及びリード導体膜３５は第１シールド膜３１及
び第２シールド膜３２の間に配置されている。第２シー
ルド膜３２は書き込み素子２の下部ヨーク部２１１を構
成している。第１シールド膜３１及び第２シールド膜３
２の間には無機絶縁膜３４があり、ＭＲ素子３３及びリ
ード導体膜３５は無機絶縁膜３４の内部に配置されてい
る。
【００４０】上述したように、書き込み素子２の上部ポ
ール部２２２は、下部ポール部２１２と対向し、かつ、
ギャップ膜２３によって分離され、トラック幅Ｗ２１が
下部ポール部２１２のトラック幅Ｗ１１と実質的に等し
くなっている。このため、サイドフリンジング磁界の発
生を抑え、トラック密度を高め、高密度記録を達成する
ことができる。
【００４１】上部ヨーク部２２１は、先端部が上部ポー
ル部２２２のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック幅Ｗ
２２を有して上部ポール部２２２の上に積層されている
から、上部ポール部２２２のトラック幅Ｗ２１を狭小化
しても、書き込み能力を損なうことがない。
【００４２】更に、上部ヨーク部２２１を、上部ポール
部２２２と同時に形成するのではなく、上部ポール部２
２２の上に積層する構造であるから、上部ポール部２２
２を、下部ポール部２１２及びギャップ膜２３と同一の
トラック幅（Ｗ２１＝Ｗ１１）を有するように形成した
後、上部ヨーク部２２１を形成することができる。この
構造は、後で説明するように、製造工程上、多くの利点
をもたらす。
【００４３】下部ポール部２１２、上部ポール部２２２
及びギャップ膜２３は、周りが非磁性絶縁膜２６によっ
て埋められている。非磁性絶縁膜２６は、上面が平坦化
され、平坦化された上面が上部ポール部２２２の表面と
実質的に同一平面を形成している。この構造の利点の一
つは、上部ヨーク部２２１を、非磁性絶縁膜２６の上面
に凹部等を設けることなく、上部ポール部２２２の表面
に、上部ヨーク部２２１を直接に結合できることであ
る。このため、上部ポール部２２２のトラック幅が狭小
化された場合でも、上部ポール部に対して、上部ヨーク
部２２１を確実、かつ、容易に付着させることができ
る。しかも、上部ヨーク部２２１は、先端部が上部ポー
ル部２２２のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック幅Ｗ
２２を有しているから、上部ポール部２２２のトラック
幅Ｗ２１を狭小化しても、書き込み能力を損なうことが
ない。また、上部ヨーク部２２１はトラック幅方向の両
端が非磁性絶縁膜２６の上面に付着されているから、上
部ポール部２２２のトラック幅Ｗ２１を狭小化しても、
充分な付着面積及び付着強度を確保できる。
【００４４】もう一つの利点は、非磁性絶縁膜２６の平
坦化により、コイル膜２４を形成するための平坦なベー
スが得られることである。即ち、平坦化された非磁性絶
縁膜２６の上にコイル膜２４及びその支持絶縁膜２５を
形成することができる。従って、コイル膜形成工程を、
平坦化された非磁性絶縁膜２６の上で実行できるから、
段差のある領域にコイル膜２４を形成する場合に発生し
易いコイル膜２４の断線、短絡等を回避することができ
る。
【００４５】書き込み素子２は、ＭＲ読み取り素子３の
上に積層される。この場合、第２シールド膜３２は、書
き込み素子２の下部ヨーク部２１１として兼用される。
下部ポール部２１２は下部ヨーク部２１１の上に突出し
て設けられているから、第２シールド膜３２の幅を、Ｍ
Ｒ読み取り素子３を保護するのに必要な寸法に保ったま
まで、下部ポール部２１２のトラック幅Ｗ１１を狭小化
することができる。
【００４６】本発明において、書き込み素子２を構成す
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ
ーマロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子２及びＭＲ読み取
り素子３は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレールを有するタイプの他、レールを持たない
ものであっても用いることができる。
【００４７】次に図４〜図１９を参照して、本発明に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。製造工
程はウエハ上で実行されるが、図示では、ウエハ上に形
成された多数の磁気ヘッド要素の一つのみを取り出して
示してある。
【００４８】図４は本発明に係る製造方法の一つのステ
ップを示す断面図、図５は図４の５−５線に沿った拡大
断面図である。図４及び図５に示す工程では、基体１の
上に、既に、ＭＲ読み取り素子３が形成されている。Ｍ
Ｒ読み取り素子３の第２シールド膜３２は無機絶縁膜３
４の表面に形成されている。
【００４９】次に、図６及び図７に示すように、第２シ
ールド膜３２の上に、フレーム４を形成する。フレーム
４はフォトリソグラフィ工程によって形成されたもの
で、ポール部のパターンを画定する内側パターン４１を
有する。内側パターン４１の幅Ｗ３１はポール部のトラ
ック幅Ｗ１１、Ｗ２１（図２、図３参照）を画定する。
【００５０】次に、図８及び図９に示すように、フレー
ム４によって画定された内側パターン４１及び外側パタ
ーンに、第１の磁性膜５１、非磁性膜５２及び第２の磁
性膜５３の積層膜６１、６２を付着させる。これらは、
フレームメッキ法によって形成できる。
【００５１】次に、図１０及び図１１に示すように、内
側パターン４１に付着した積層膜６１を残して、外側パ
ターンに付着した積層膜６２を除去する。内側パターン
４１に付着した積層膜６１のうち、第２シールド膜３２
の上に付着された第１の磁性膜５１が下部ポール部２１
２となり、その上に積層された非磁性膜５２がギャップ
膜２３となり、その上に積層された第２の磁性膜５３が
上部ポール部２２２となる。この製造工程によれば、フ
レーム４を、積層過程の低段差の段階で形成できるた
め、下部ポール部２１２及び上部ポール部２２２のトラ
ック幅Ｗ１１、Ｗ２１を、フォトリソグラフィ工程によ
って定まる高精度の微小値に設定することができる。
【００５２】しかも、下部ポール部２１２、ギャップ膜
２３及び上部ポール部２２２は、形成されたフレーム４
により、同時に画定されるため、高精度で容易に位置合
わせすることができる。
【００５３】次に、図１２及び図１３に示すように、フ
レーム４を除去する。フレーム４は有機溶剤またはレジ
ストリムーバー液によって除去できる。
【００５４】次に、図１４及び図１５に示すように、下
部ヨーク部２１１及び積層膜６１を覆う非磁性絶縁膜２
６を成膜する。非磁性絶縁膜２６は、スパッタリング等
によって形成できる。
【００５５】次に、図１６及び図１７に示すように、非
磁性絶縁膜２６の表面を平坦化して、上部ポール部２２
２の表面を露出させる。この平坦化工程は、研磨法また
はイオンビームミリング等によって実行できる。
【００５６】次に、図１８及び図１９に示すように、平
坦化された非磁性絶縁膜２６の上にコイル膜２４及びそ
の支持絶縁膜２５を形成した後、上部ヨーク部２２１を
形成する。このとき、非磁性絶縁膜２６は、上面が平坦
化され、平坦化された上面が上部ポール部２２２の表面
と実質的に同一平面を形成しているから、非磁性絶縁膜
２６の上面に凹部等を設けることなく、上部ポール部２
２２の表面に、上部ヨーク部２２１を直接に結合でき
る。このため、上部ポール部２２２のトラック幅が狭小
化された場合でも、上部ポール部２２２に対して、上部
ヨーク部２２１を確実、かつ、容易に付着させることが
できる。
【００５７】上部ヨーク部２２１は、先端部が上部ポー
ル部２２２のトラック幅Ｗ２１よりも広いトラック幅Ｗ
２２を有するように付着される。この構造によれば、上
部ポール部２２２のトラック幅を狭小化しても、書き込
み能力を損なうことがない。また、上部ヨーク部２２１
はトラック幅方向の両端が非磁性絶縁膜２６の上面に付
着されているから、上部ポール部２２２のトラック幅Ｗ
２１を狭小化しても、充分な付着面積及び付着強度を確
保できる。しかも、上部ヨーク部２２１を形成する段階
では、書き込み特性を決定するポール部（２１２、２
３、２２２）は、既に形成されているから、上部ヨーク
部２２１の形成工程により、トラック幅が変動すること
がない。
【００５８】更に、非磁性絶縁膜２６の平坦化により、
コイル膜２４を形成するための平坦なベースが得られ
る。即ち、平坦化された非磁性絶縁膜２６の上にコイル
膜２４及びその支持絶縁膜２５を形成することができ
る。従って、コイル膜形成工程を、平坦化された非磁性
絶縁膜２６の上で実行できるから、段差のある領域にコ
イル膜２４を形成する場合に発生し易いコイル膜２４の
断線、短絡等を回避することができる。
【００５９】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００６０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）書き込みポールのトラック幅を、ドライ．エッチ
ング．プロセスを経ることなく、高精度の微小値に設定
し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｂ）上部ポール部及び下部ポール部を高精度で容易に
位置合わせできる構造を持つ薄膜磁気ヘッドを提供する
ことができる。 （ｃ）上述した薄膜磁気ヘッドを得るのに適した製造方
法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１の２ー２線に沿った断面図である。
【図３】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドのポール
部の拡大斜視図である。
【図４】本発明に係る製造方法の一つの工程を示す断面
図である。
【図５】図４の５ー５線に沿った拡大断面図である。
【図６】図４及び図５に示したステップの後のステップ
を示す断面図である。
【図７】図６の７ー７線に沿った拡大断面図である。
【図８】図６及び図７に示したステップの後のステップ
を示す断面図である。
【図９】図８の９ー９線に沿った拡大断面図である。
【図１０】図８及び図９に示したステップの後のステッ
プを示す断面図である。
【図１１】図１０の１１ー１１線に沿った拡大断面図で
ある。
【図１２】図１０及び図１１に示したステップの後のス
テップを示す断面図である。
【図１３】図１２の１３ー１３線に沿った拡大断面図で
ある。
【図１４】図１２及び図１３に示したステップの後のス
テップを示す断面図である。
【図１５】図１４の１５ー１５線に沿った拡大断面図で
ある。
【図１６】図１４及び図１５に示したステップの後のス
テップを示す断面図である。
【図１７】図１６の１７ー１７線に沿った拡大断面図で
ある。
【図１８】図１６及び図１７に示したステップの後のス
テップを示す断面図である。
【図１９】図１８の１９ー１９線に沿った拡大断面図で
ある。
【符号の説明】
１ 基体 １０ 空気ベアリング面 ２ 書き込み素子 ２１ 下部磁性膜 ２１１ 下部ヨーク部 ２１２ 下部ポール部 ２２ 上部磁性膜 ２２１ 上部ヨーク部 ２２２ 上部ポール部 ２３ ギャップ膜 ２４ コイル膜 ２５ 絶縁膜 ２６ 非磁性絶縁膜 ３ ＭＲ読み取り素子

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 書き込み素子を有する薄膜磁気ヘッドで
    あって、 前記書き込み素子は、下部磁性膜と、上部磁性膜と、ギ
    ャップ膜と、絶縁膜によって支持されたコイル膜とを含
    んでおり、 前記下部磁性膜は、下部ヨーク部と、下部ポール部とを
    含み、前記下部ポール部が前記下部ヨーク部の上に突出
    して付着されており、 前記上部磁性膜は、上部ポール部と、上部ヨーク部とを
    含んでおり、 前記上部ポール部は、前記下部ポール部の上に付着され
    た前記ギャップ膜の上に付着され、トラック幅が前記下
    部ポール部のトラック幅と実質的に等しくなっており、 前記下部ポール部、前記上部ポール部及び前記ギャップ
    膜は、周りが非磁性絶縁膜によって埋められており、 前記非磁性絶縁膜は、上面が平坦化され、平坦化された
    前記上面が前記上部ポール部の表面と実質的に同一平面
    を形成しており、 前記上部ヨーク部は、先端部が前記上部ポール部のトラ
    ック幅よりも広いトラック幅を有して前記上部ポール部
    の上に積層され、トラック幅方向の両端が前記非磁性絶
    縁膜の前記上面に付着されており、 前記コイル膜を支持した前記絶縁膜は、前記非磁性絶縁
    膜の前記上面上に形成されている薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
    あって、 更に、ＭＲ読み取り素子を含んでおり、 前記ＭＲ読み取り素子は、第１シールド膜と、第２シー
    ルド膜と、ＭＲ素子とを含み、前記ＭＲ素子が前記第１
    シールド膜及び前記第２シールド膜の間に配置され、前
    記第２シールド膜が前記書き込み素子の前記下部ヨーク
    部を構成する薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 書き込み素子を形成する薄膜磁気ヘッド
    製造方法であって、 予め設けられた下部ヨーク部の上にフレームを形成した
    後、前記フレームによって画定された内外のパターン
    に、磁性膜、非磁性膜及び磁性膜を順次積層して付着さ
    せ、 前記フレームによって画定されている外側パターンに付
    着した積層膜を除去し、内側パターンに付着した積層膜
    を残して、前記下部ヨーク部の上に付着された磁性膜を
    下部ポール部とし、その上に積層された前記非磁性膜を
    ギャップ膜とし、その上に積層された前記磁性膜を上部
    ポール部とする積層膜を形成し、 前記フレームを除去した後、前記下部ヨーク部及び前記
    積層膜を覆う非磁性絶縁膜を成膜し、成膜された前記非
    磁性絶縁膜の表面を平坦化して、前記上部ポール部の表
    面を露出させ、 平坦化された前記非磁性絶縁膜の上にコイル膜及びその
    支持絶縁膜を形成した後、上部ヨーク部を形成する薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載された薄膜磁気ヘッド製
    造方法であって、 前記書き込み素子の形成前に、ＭＲ読み取り素子が形成
    されており、 前記ＭＲ読み取り素子は、第１シールド膜と、第２シー
    ルド膜と、ＭＲ素子とを含み、前記第１シールド膜及び
    前記第２シールド膜が互いに間隔を隔てて配置され、前
    記ＭＲ素子が前記第１シールド膜及び前記第２シールド
    膜の間に配置されており、 前記第２シールド膜は、前記下部ヨーク部を構成する薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
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