JP3530068B2 - 薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク駆動
装置や磁気テープ駆動装置に用いられる薄膜書き込み磁
気ヘッドに関し、特に、ギャップ層に隣接して媒体対向
面に臨む磁極小片と、この磁極小片に接続される上部磁
極層や下部磁極層とを備える薄膜書き込み磁気ヘッドお
よびその製造方法に関する。
装置や磁気テープ駆動装置に用いられる薄膜書き込み磁
気ヘッドに関し、特に、ギャップ層に隣接して媒体対向
面に臨む磁極小片と、この磁極小片に接続される上部磁
極層や下部磁極層とを備える薄膜書き込み磁気ヘッドお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】下部磁極層から上部磁極層に向かって部
分的に膨らむ下部副磁極や、反対に上部磁極層から下部
磁極層に向かって部分的に膨らむ磁極小片すなわち上部
副磁極を備える薄膜書き込み磁気ヘッドは例えば特開平
６−２８６２６号公報に開示されるように一般に知られ
る。こうした薄膜書き込み磁気ヘッドでは、いわゆる媒
体対向面すなわち浮上面に臨む上部磁極層や下部磁極層
の先端に比べて狭小な上部副磁極や下部副磁極を用いて
書き込みギャップが形成されることから、磁気ディスク
や磁気テープといった記録媒体上のトラック幅をさらに
狭小化する際に役立つことが期待されている。
分的に膨らむ下部副磁極や、反対に上部磁極層から下部
磁極層に向かって部分的に膨らむ磁極小片すなわち上部
副磁極を備える薄膜書き込み磁気ヘッドは例えば特開平
６−２８６２６号公報に開示されるように一般に知られ
る。こうした薄膜書き込み磁気ヘッドでは、いわゆる媒
体対向面すなわち浮上面に臨む上部磁極層や下部磁極層
の先端に比べて狭小な上部副磁極や下部副磁極を用いて
書き込みギャップが形成されることから、磁気ディスク
や磁気テープといった記録媒体上のトラック幅をさらに
狭小化する際に役立つことが期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした薄膜書き込み
磁気ヘッドでは、媒体対向面で例えば上部副磁極のトラ
ック幅方向から張り出す上部磁極層から磁界が漏れ、期
待されるほどトラック幅の狭小化に貢献することができ
ないことが明らかとされた。
磁気ヘッドでは、媒体対向面で例えば上部副磁極のトラ
ック幅方向から張り出す上部磁極層から磁界が漏れ、期
待されるほどトラック幅の狭小化に貢献することができ
ないことが明らかとされた。
【０００４】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、トラック幅の狭小化に妨げとなる磁極層からの磁界
漏れを極力低減することができる薄膜書き込み磁気ヘッ
ドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
で、トラック幅の狭小化に妨げとなる磁極層からの磁界
漏れを極力低減することができる薄膜書き込み磁気ヘッ
ドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、ギャップ層に隣接して媒体対向面
に臨む磁極小片と、先端で媒体対向面に臨み、媒体対向
面から後退した位置で磁極小片に接続される磁極層と、
媒体対向面で磁極層の先端および磁極小片の間に挟み込
まれる非磁性層とを備えることを特徴とする薄膜書き込
み磁気ヘッドが提供される。
に、本発明によれば、ギャップ層に隣接して媒体対向面
に臨む磁極小片と、先端で媒体対向面に臨み、媒体対向
面から後退した位置で磁極小片に接続される磁極層と、
媒体対向面で磁極層の先端および磁極小片の間に挟み込
まれる非磁性層とを備えることを特徴とする薄膜書き込
み磁気ヘッドが提供される。
【０００６】かかる薄膜書き込み磁気ヘッドによれば、
非磁性層の働きによって、媒体対向面では磁極層の先端
と磁極小片とが相互に引き離される。その結果、ギャッ
プ層および磁極小片を挟んで互いに対向する１対の磁極
層同士の距離は遠ざかる。トラック幅方向に磁極小片か
ら張り出す磁極層の先端と磁極小片との間に生じる磁界
や、磁極層のエッジから反対側の磁極層に向かって生じ
る磁界の強度は弱められる。したがって、そういった磁
界によって記録媒体の磁化反転が引き起こされることは
回避されることができる。
非磁性層の働きによって、媒体対向面では磁極層の先端
と磁極小片とが相互に引き離される。その結果、ギャッ
プ層および磁極小片を挟んで互いに対向する１対の磁極
層同士の距離は遠ざかる。トラック幅方向に磁極小片か
ら張り出す磁極層の先端と磁極小片との間に生じる磁界
や、磁極層のエッジから反対側の磁極層に向かって生じ
る磁界の強度は弱められる。したがって、そういった磁
界によって記録媒体の磁化反転が引き起こされることは
回避されることができる。
【０００７】本発明では、前記磁極小片によって上部副
磁極が形成されると同時に、前記磁極層によって上部磁
極層が形成されてもよい。この場合には、上部磁極層の
先端と、ギャップ層を挟んで上部副磁極や上部磁極層に
対向する下部磁極層との間隔が広がり、その結果、トラ
ック幅方向に磁極小片から張り出す上部磁極層のエッジ
から記録媒体に向かう磁界は弱められる。したがって、
そういった磁界による記録媒体の磁化反転は回避される
ことができる。上部磁極層から磁極小片を伝わって下部
磁極層に向かう磁界の幅は狭小な磁極小片で規定される
こととなり、確実にトラック幅の狭小化に寄与すること
ができる。
磁極が形成されると同時に、前記磁極層によって上部磁
極層が形成されてもよい。この場合には、上部磁極層の
先端と、ギャップ層を挟んで上部副磁極や上部磁極層に
対向する下部磁極層との間隔が広がり、その結果、トラ
ック幅方向に磁極小片から張り出す上部磁極層のエッジ
から記録媒体に向かう磁界は弱められる。したがって、
そういった磁界による記録媒体の磁化反転は回避される
ことができる。上部磁極層から磁極小片を伝わって下部
磁極層に向かう磁界の幅は狭小な磁極小片で規定される
こととなり、確実にトラック幅の狭小化に寄与すること
ができる。
【０００８】このとき、下部磁極層には、ギャップ層と
の境界面から媒体対向面に沿って前記磁極小片に向かっ
て膨らむ下部副磁極が設けられてもよい。こうした下部
副磁極と磁極小片との間に磁界が形成されれば、狭小な
トラック幅を一層確実に実現することが可能となる。
の境界面から媒体対向面に沿って前記磁極小片に向かっ
て膨らむ下部副磁極が設けられてもよい。こうした下部
副磁極と磁極小片との間に磁界が形成されれば、狭小な
トラック幅を一層確実に実現することが可能となる。
【０００９】こうした薄膜書き込み磁気ヘッドを製造す
るにあたって、本発明に係る製造方法は、例えば、ウェ
ハーの表面に下部磁極層を形成する工程と、下部磁極層
の表面で基準線から後方に延びる上部副磁極層を形成す
る工程と、この上部副磁極層を覆う保護膜を形成する工
程と、保護膜に平坦化処理を施し、上部副磁極層を露出
させる工程と、上部副磁極層の後端を覆うとともに、基
準線に沿って上部副磁極層を跨ぐ露出パターンを規定す
るレジスト膜を形成する工程と、めっき液中で露出パタ
ーンに従って非磁性層を成長させる工程と、基準線に沿
ってウェハーに平坦化処理を施す工程とを備えればよ
い。
るにあたって、本発明に係る製造方法は、例えば、ウェ
ハーの表面に下部磁極層を形成する工程と、下部磁極層
の表面で基準線から後方に延びる上部副磁極層を形成す
る工程と、この上部副磁極層を覆う保護膜を形成する工
程と、保護膜に平坦化処理を施し、上部副磁極層を露出
させる工程と、上部副磁極層の後端を覆うとともに、基
準線に沿って上部副磁極層を跨ぐ露出パターンを規定す
るレジスト膜を形成する工程と、めっき液中で露出パタ
ーンに従って非磁性層を成長させる工程と、基準線に沿
ってウェハーに平坦化処理を施す工程とを備えればよ
い。
【００１０】一般に、先端を媒体対向面から後退させて
上部磁極層を形成することは難しい。例えばフォトレジ
ストを用いる場合、上部磁極層の先端を規定する形状パ
ターンの末端では、露光したフォトレジストを洗い落と
す現像液が隅々にまで行き渡りにくく、余分なフォトレ
ジストが完全に除去されることはできないからである。
こうしたフォトレジストを用いてめっき成膜が実施され
ると、上部磁極層の先端で形状精度は著しく低下してし
まう。
上部磁極層を形成することは難しい。例えばフォトレジ
ストを用いる場合、上部磁極層の先端を規定する形状パ
ターンの末端では、露光したフォトレジストを洗い落と
す現像液が隅々にまで行き渡りにくく、余分なフォトレ
ジストが完全に除去されることはできないからである。
こうしたフォトレジストを用いてめっき成膜が実施され
ると、上部磁極層の先端で形状精度は著しく低下してし
まう。
【００１１】その一方で、上部磁極層を形成するにあた
って、形状パターンの末端を媒体対向面から前方に延長
させ、媒体対向面の前後で現像液の流れを促進すること
ができれば、媒体対向面付近に形成される上部磁極層の
形状精度は高められることができる。媒体対向面から前
方に形成される余分な上部磁極層が削り落とされれば、
規定とおりの上部磁極層が形成されることができる。
って、形状パターンの末端を媒体対向面から前方に延長
させ、媒体対向面の前後で現像液の流れを促進すること
ができれば、媒体対向面付近に形成される上部磁極層の
形状精度は高められることができる。媒体対向面から前
方に形成される余分な上部磁極層が削り落とされれば、
規定とおりの上部磁極層が形成されることができる。
【００１２】前述の本発明に係る製造方法によれば、非
磁性層が成長した後にレジスト膜が除去されると、上部
副磁極層の後端が再び露出する。この露出した後端上を
通過すると同時に前端を基準線から前方に延長させて上
部磁極層を形成すれば、基準線付近では高い形状精度で
上部磁極層は形成されることが可能となる。しかも、平
坦化処理によって最終的に露出する媒体対向面では、前
述したとおり、非磁性層の存在によって磁極小片と上部
磁極層の先端とが直接に接触し合うことはない。したが
って、前述した本発明に係る薄膜書き込み磁気ヘッドは
確実に製造されることができる。加えて、基準線に沿っ
て施される平坦化処理の研磨量を正確に制御すれば、媒
体対向面に対する非磁性層の深さを簡単に調整すること
が可能となる。
磁性層が成長した後にレジスト膜が除去されると、上部
副磁極層の後端が再び露出する。この露出した後端上を
通過すると同時に前端を基準線から前方に延長させて上
部磁極層を形成すれば、基準線付近では高い形状精度で
上部磁極層は形成されることが可能となる。しかも、平
坦化処理によって最終的に露出する媒体対向面では、前
述したとおり、非磁性層の存在によって磁極小片と上部
磁極層の先端とが直接に接触し合うことはない。したが
って、前述した本発明に係る薄膜書き込み磁気ヘッドは
確実に製造されることができる。加えて、基準線に沿っ
て施される平坦化処理の研磨量を正確に制御すれば、媒
体対向面に対する非磁性層の深さを簡単に調整すること
が可能となる。
【００１３】また、本発明に係る製造方法によれば、保
護膜に平坦化処理が施される結果、上部副磁極層すなわ
ち磁極小片と上部磁極層との間に１平坦面が規定され
る。この平坦面に沿って例えば導体コイルパターンが形
成されれば、微細な導体コイルパターンを正確に描き出
すことが可能となる。しかも、こうした平坦面に非磁性
層が形成されれば、高い形状精度で非磁性層を成膜する
ことが可能となる。
護膜に平坦化処理が施される結果、上部副磁極層すなわ
ち磁極小片と上部磁極層との間に１平坦面が規定され
る。この平坦面に沿って例えば導体コイルパターンが形
成されれば、微細な導体コイルパターンを正確に描き出
すことが可能となる。しかも、こうした平坦面に非磁性
層が形成されれば、高い形状精度で非磁性層を成膜する
ことが可能となる。
【００１４】こうして高い形状精度で非磁性層を形成す
るにあたって、前記露出パターンには、基準線に沿って
延びる少なくとも１筋のめっき液通路と、このめっき液
通路の両端で膨らむめっき液溜まりとが設けられること
が望ましい。こうした露出パターンによれば、レジスト
膜が現像液（例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液）に浸された際に、めっき液溜まりでレジスト膜を
洗い流した現像液がめっき液通路に流通しやすくなる。
その結果、幅狭なめっき液通路でレジスト膜を確実に洗
い落とすことが可能となる。したがって、形状精度の高
い露出パターンが実現されることが可能となる。
るにあたって、前記露出パターンには、基準線に沿って
延びる少なくとも１筋のめっき液通路と、このめっき液
通路の両端で膨らむめっき液溜まりとが設けられること
が望ましい。こうした露出パターンによれば、レジスト
膜が現像液（例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液）に浸された際に、めっき液溜まりでレジスト膜を
洗い流した現像液がめっき液通路に流通しやすくなる。
その結果、幅狭なめっき液通路でレジスト膜を確実に洗
い落とすことが可能となる。したがって、形状精度の高
い露出パターンが実現されることが可能となる。
【００１５】このような露出パターンに従って非磁性層
が形成された後、基準線に沿って媒体対向面が削り出さ
れると、非磁性層には、前記１平坦面に沿って前記媒体
対向面から規定の深さで広がるとともに前記磁極小片の
トラック幅方向に張り出す本体領域と、この本体領域の
両端に接続されて、前記規定の深さよりも大きな深さで
前記１平坦面に沿って広がる成膜補助領域とが形成され
ることとなる。
が形成された後、基準線に沿って媒体対向面が削り出さ
れると、非磁性層には、前記１平坦面に沿って前記媒体
対向面から規定の深さで広がるとともに前記磁極小片の
トラック幅方向に張り出す本体領域と、この本体領域の
両端に接続されて、前記規定の深さよりも大きな深さで
前記１平坦面に沿って広がる成膜補助領域とが形成され
ることとなる。
【００１６】なお、本発明に係る薄膜書き込み磁気ヘッ
ドは、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子や巨大磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）素子といった読み取り磁気ヘッドと組み合わ
されて使用されてもよい。また、本発明に係る磁気ヘッ
ドは、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といっ
た磁気ディスク駆動装置のほか、いわゆる磁気テープ駆
動装置に用いられてもよい。さらに、本発明に係る磁気
ヘッドは、記録媒体から浮上する媒体対向面すなわち浮
上面を備える浮上ヘッドスライダに用いられることがで
きるだけでなく、記録媒体に接触し続ける媒体対向面を
備えるコンタクトヘッドスライダに用いられてもよい。
ドは、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子や巨大磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）素子といった読み取り磁気ヘッドと組み合わ
されて使用されてもよい。また、本発明に係る磁気ヘッ
ドは、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といっ
た磁気ディスク駆動装置のほか、いわゆる磁気テープ駆
動装置に用いられてもよい。さらに、本発明に係る磁気
ヘッドは、記録媒体から浮上する媒体対向面すなわち浮
上面を備える浮上ヘッドスライダに用いられることがで
きるだけでなく、記録媒体に接触し続ける媒体対向面を
備えるコンタクトヘッドスライダに用いられてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ本発
明の一実施形態を説明する。
明の一実施形態を説明する。
【００１８】図１は磁気ディスク駆動装置の一具体例と
してのハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１０の内部構
造を示す。このＨＤＤ１０のハウジング１１には、スピ
ンドルモータ１２に装着される磁気ディスク１３と、磁
気ディスク１３のディスク面に対向する浮上ヘッドスラ
イダ１４とが収容される。浮上ヘッドスライダ１４は、
支軸１５回りで揺動するキャリッジアーム１６の先端に
固定される。磁気ディスク１３に対する情報の書き込み
や読み出しにあたっては、磁気回路から構成されるアク
チュエータ１７によってキャリッジアーム１６が揺動駆
動され、その結果、浮上ヘッドスライダ１４は磁気ディ
スク１３の半径方向に移動する。この移動によって浮上
ヘッドスライダ１４は磁気ディスク１３上の所望の記録
トラックに位置決めされる。ハウジング１１の内部空間
は、図示しないカバーによって閉鎖される。
してのハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１０の内部構
造を示す。このＨＤＤ１０のハウジング１１には、スピ
ンドルモータ１２に装着される磁気ディスク１３と、磁
気ディスク１３のディスク面に対向する浮上ヘッドスラ
イダ１４とが収容される。浮上ヘッドスライダ１４は、
支軸１５回りで揺動するキャリッジアーム１６の先端に
固定される。磁気ディスク１３に対する情報の書き込み
や読み出しにあたっては、磁気回路から構成されるアク
チュエータ１７によってキャリッジアーム１６が揺動駆
動され、その結果、浮上ヘッドスライダ１４は磁気ディ
スク１３の半径方向に移動する。この移動によって浮上
ヘッドスライダ１４は磁気ディスク１３上の所望の記録
トラックに位置決めされる。ハウジング１１の内部空間
は、図示しないカバーによって閉鎖される。
【００１９】図２は浮上ヘッドスライダ１４の一具体例
を示す。この浮上ヘッドスライダ１４は、磁気ディスク
１３に対向する媒体対向面すなわち浮上面１９を備え
る。浮上面１９には、ＡＢＳ（空気軸受け面）を形成す
る２筋のレール２０が形成される。浮上ヘッドスライダ
１４は、磁気ディスク１３の回転中に浮上面１９（特に
ＡＢＳ）に受ける気流２１を利用して磁気ディスク１３
のディスク面から浮上することができる。浮上ヘッドス
ライダ１４の浮上中、浮上面１９で露出する電磁変換素
子２２の働きによって磁気ディスク１３に情報が書き込
まれたり磁気ディスク１３から情報が読み出されたりす
る。電磁変換素子２２は、後述するように、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣ（アルチック）製本体の空気流出側端面に形成
されるＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製の素子内蔵膜２３に内
蔵される。ただし、浮上ヘッドスライダ１４の形態はこ
うした形態に限られるものではない。
を示す。この浮上ヘッドスライダ１４は、磁気ディスク
１３に対向する媒体対向面すなわち浮上面１９を備え
る。浮上面１９には、ＡＢＳ（空気軸受け面）を形成す
る２筋のレール２０が形成される。浮上ヘッドスライダ
１４は、磁気ディスク１３の回転中に浮上面１９（特に
ＡＢＳ）に受ける気流２１を利用して磁気ディスク１３
のディスク面から浮上することができる。浮上ヘッドス
ライダ１４の浮上中、浮上面１９で露出する電磁変換素
子２２の働きによって磁気ディスク１３に情報が書き込
まれたり磁気ディスク１３から情報が読み出されたりす
る。電磁変換素子２２は、後述するように、Ａｌ2 Ｏ3
−ＴｉＣ（アルチック）製本体の空気流出側端面に形成
されるＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）製の素子内蔵膜２３に内
蔵される。ただし、浮上ヘッドスライダ１４の形態はこ
うした形態に限られるものではない。
【００２０】図３を参照しつつ電磁変換素子２２の構造
を詳述する。この電磁変換素子２２は、渦巻き状の導体
コイルパターン２５で生成される磁界を利用して磁気デ
ィスク１３に情報を記録する薄膜書き込みヘッド素子２
６を備える。導体コイルパターン２５で磁界が生成され
ると、導体コイルパターン２５の中心を貫通する磁性コ
ア２７内で磁力線が伝わる。
を詳述する。この電磁変換素子２２は、渦巻き状の導体
コイルパターン２５で生成される磁界を利用して磁気デ
ィスク１３に情報を記録する薄膜書き込みヘッド素子２
６を備える。導体コイルパターン２５で磁界が生成され
ると、導体コイルパターン２５の中心を貫通する磁性コ
ア２７内で磁力線が伝わる。
【００２１】図４を併せて参照すると明らかなように、
磁性コア２７は、先端を浮上面１９に臨ませる上部磁極
層２８と、同じく先端を浮上面１９に臨ませ、上部磁極
層２８との間に導体コイルパターン２５を挟み込む下部
磁極層２９とを備える。上部磁極層２８と下部磁極層２
９とは導体コイルパターン２５の中心で相互に接続され
る。上部磁極層２８や下部磁極層２９は例えばＮｉＦｅ
から構成されればよい。
磁性コア２７は、先端を浮上面１９に臨ませる上部磁極
層２８と、同じく先端を浮上面１９に臨ませ、上部磁極
層２８との間に導体コイルパターン２５を挟み込む下部
磁極層２９とを備える。上部磁極層２８と下部磁極層２
９とは導体コイルパターン２５の中心で相互に接続され
る。上部磁極層２８や下部磁極層２９は例えばＮｉＦｅ
から構成されればよい。
【００２２】この電磁変換素子２２では、情報の読み取
りに磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３０が用いられる。ＭＲ
素子３０は、Ａｌ2 Ｏ3 層３１に埋め込まれてＦｅＮや
ＮｉＦｅの下部シールド層３２および下部磁極層２９の
間に挟み込まれる。ここでは、下部磁極層２９はＭＲ素
子３０の上部シールド層として機能する。その結果、例
えば図３から明らかなように、浮上面１９に臨む薄膜書
き込みヘッド素子２６の先端では、上部磁極層２８に比
べて下部磁極層２９が広範囲に広がっている。ただし、
こうしたＭＲ素子３０に代えて巨大磁気抵抗効果（ＧＭ
Ｒ）素子といったその他の読み取り素子が採用されても
よく、読み取り素子を採用せずに薄膜書き込みヘッド素
子２６が単独で使用されてもよい。
りに磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３０が用いられる。ＭＲ
素子３０は、Ａｌ2 Ｏ3 層３１に埋め込まれてＦｅＮや
ＮｉＦｅの下部シールド層３２および下部磁極層２９の
間に挟み込まれる。ここでは、下部磁極層２９はＭＲ素
子３０の上部シールド層として機能する。その結果、例
えば図３から明らかなように、浮上面１９に臨む薄膜書
き込みヘッド素子２６の先端では、上部磁極層２８に比
べて下部磁極層２９が広範囲に広がっている。ただし、
こうしたＭＲ素子３０に代えて巨大磁気抵抗効果（ＧＭ
Ｒ）素子といったその他の読み取り素子が採用されても
よく、読み取り素子を採用せずに薄膜書き込みヘッド素
子２６が単独で使用されてもよい。
【００２３】ここで、図５に示される拡大図を参照しつ
つ、薄膜書き込みヘッド素子２６先端の構造を詳細に説
明する。薄膜書き込みヘッド素子２６は、浮上面１９で
ギャップ層３３を挟んで下部磁極層２９の先端に対向す
る磁極小片３４すなわち上部副磁極を備える。この磁極
小片３４には、浮上面１９から後退した位置で上部磁極
層２８が接続される。その一方で、下部磁極層２９に
は、図６を併せて参照すると明らかなように、境界面３
５から浮上面１９に沿って磁極小片３４に向かって膨ら
む下部副磁極３６が形成される。
つ、薄膜書き込みヘッド素子２６先端の構造を詳細に説
明する。薄膜書き込みヘッド素子２６は、浮上面１９で
ギャップ層３３を挟んで下部磁極層２９の先端に対向す
る磁極小片３４すなわち上部副磁極を備える。この磁極
小片３４には、浮上面１９から後退した位置で上部磁極
層２８が接続される。その一方で、下部磁極層２９に
は、図６を併せて参照すると明らかなように、境界面３
５から浮上面１９に沿って磁極小片３４に向かって膨ら
む下部副磁極３６が形成される。
【００２４】こうした薄膜書き込みヘッド素子２６によ
れば、磁性コア２７内を伝わる磁力線はギャップ層３３
を迂回しながら磁極小片３４と下部副磁極３６との間を
行き交う。その結果、例えば図６に示されるように、浮
上面１９から漏れる磁界３７によって、浮上面１９に対
向する磁気ディスク１３は磁化されることとなる。この
ように狭小な磁極小片３４や下部副磁極３６を用いて書
き込みギャップが形成されると、上部磁極層２８や下部
磁極層２９に比べて狭小なトラック幅Ｗの記録トラック
が実現されることができる。
れば、磁性コア２７内を伝わる磁力線はギャップ層３３
を迂回しながら磁極小片３４と下部副磁極３６との間を
行き交う。その結果、例えば図６に示されるように、浮
上面１９から漏れる磁界３７によって、浮上面１９に対
向する磁気ディスク１３は磁化されることとなる。この
ように狭小な磁極小片３４や下部副磁極３６を用いて書
き込みギャップが形成されると、上部磁極層２８や下部
磁極層２９に比べて狭小なトラック幅Ｗの記録トラック
が実現されることができる。
【００２５】加えて、この薄膜書き込みヘッド素子２６
では、図５から明らかなように、磁極小片３４と上部磁
極層２８との間に規定される１平坦面３８に沿って非磁
性層３９が形成される。この非磁性層３９は、浮上面１
９に臨む上部磁極層２８の先端と磁極小片３４との間に
挟み込まれる。しかも、この非磁性層３９には、図３か
ら明らかなように、浮上面１９から規定の深さＤＤで広
がるとともに磁極小片３４からトラック幅方向に張り出
す本体領域４１と、この本体領域４１の両端に接続され
て、トラック幅方向外側に向かうにつれて浮上面１９か
らの深さを増大させながら平坦面３８に沿って広がる成
膜補助領域４２とが形成される。
では、図５から明らかなように、磁極小片３４と上部磁
極層２８との間に規定される１平坦面３８に沿って非磁
性層３９が形成される。この非磁性層３９は、浮上面１
９に臨む上部磁極層２８の先端と磁極小片３４との間に
挟み込まれる。しかも、この非磁性層３９には、図３か
ら明らかなように、浮上面１９から規定の深さＤＤで広
がるとともに磁極小片３４からトラック幅方向に張り出
す本体領域４１と、この本体領域４１の両端に接続され
て、トラック幅方向外側に向かうにつれて浮上面１９か
らの深さを増大させながら平坦面３８に沿って広がる成
膜補助領域４２とが形成される。
【００２６】こうした非磁性層３９によれば、例えば図
６から明らかなように、浮上面１９で上部磁極層２８の
先端と磁極小片３４とが相互に引き離される。したがっ
て、上部磁極層２８と磁極小片３４との間に生じる磁界
の強度は弱められる。特に、磁極小片３４のトラック幅
方向に張り出す上部磁極層２８のエッジ２８ａから漏れ
る磁界４３が低減されることから、そういった磁界４３
によって磁気ディスク１３の磁化反転が生じることを回
避することができ、その結果、磁極小片３４および下部
副磁極３６で規定される狭小なトラック幅Ｗが確実に確
保されることができる。非磁性層３９に形成される成膜
補助領域４２は、後述されるように、薄膜書き込みヘッ
ド素子２６の製造過程で重要な役割を果たす。
６から明らかなように、浮上面１９で上部磁極層２８の
先端と磁極小片３４とが相互に引き離される。したがっ
て、上部磁極層２８と磁極小片３４との間に生じる磁界
の強度は弱められる。特に、磁極小片３４のトラック幅
方向に張り出す上部磁極層２８のエッジ２８ａから漏れ
る磁界４３が低減されることから、そういった磁界４３
によって磁気ディスク１３の磁化反転が生じることを回
避することができ、その結果、磁極小片３４および下部
副磁極３６で規定される狭小なトラック幅Ｗが確実に確
保されることができる。非磁性層３９に形成される成膜
補助領域４２は、後述されるように、薄膜書き込みヘッ
ド素子２６の製造過程で重要な役割を果たす。
【００２７】次に、以上のような薄膜書き込みヘッド素
子２６の磁界特性を考察する。こうした薄膜書き込みヘ
ッド素子２６では、例えば図６に示されるように、ギャ
ップ層３３を挟んで狭小な磁極小片３４と下部副磁極３
６との間で磁気ディスク１３のディスク面に向けて磁界
３７（主ギャップ磁界）が誘導されると同時に、上部磁
極層２８のエッジ２８ａから磁気ディスク１３のディス
ク面に向けて磁界４３（エッジ磁界）が誘導されてしま
う。しかも、非磁性層３９の介入によって、上部磁極層
２８の先端と磁極小片３４との間でも磁気ディスク１３
のディスク面に向けて磁界４４（副ギャップ磁界）が誘
導されることが明らかとなっている。
子２６の磁界特性を考察する。こうした薄膜書き込みヘ
ッド素子２６では、例えば図６に示されるように、ギャ
ップ層３３を挟んで狭小な磁極小片３４と下部副磁極３
６との間で磁気ディスク１３のディスク面に向けて磁界
３７（主ギャップ磁界）が誘導されると同時に、上部磁
極層２８のエッジ２８ａから磁気ディスク１３のディス
ク面に向けて磁界４３（エッジ磁界）が誘導されてしま
う。しかも、非磁性層３９の介入によって、上部磁極層
２８の先端と磁極小片３４との間でも磁気ディスク１３
のディスク面に向けて磁界４４（副ギャップ磁界）が誘
導されることが明らかとなっている。
【００２８】一般に、薄膜書き込みヘッド素子２６で
は、ギャップ磁界に磁界強度６０００Ｏｅ程度のピーク
値が現れるように導体コイルパターン２５に流される電
流の大きさや磁極小片３４および下部副磁極３６の幅が
決定される。情報の磁気記録にあたっては、磁気ディス
ク１３といった記録媒体の保磁力Ｈｃ（＝３０００Ｏ
ｅ）の２倍の磁界強度が必要とされるからである。その
一方で、記録媒体の保磁力Ｈｃの２分の１程度の磁界強
度で磁界が作用すると記録媒体上で磁化の反転が引き起
こされると考えられる。したがって、エッジ磁界や副ギ
ャップ磁界のピーク値は磁界強度１５００Ｏｅ以下に抑
え込まれなければならない。例えばエッジ磁界に１５０
０Ｏｅを超えるピーク値が現れてしまうと、エッジ磁界
によって記録にじみ特性が悪化し、所望のトラック幅を
得ることができなくなる。また、副ギャップ磁界に１５
００Ｏｅを超えるピーク値が現れてしまうと、主ギャッ
プ磁界で記録された磁化が副ギャップ磁界によって反転
されるおそれが生じる。実際の記録時には、ギャップ層
３３が通過した後に非磁性層３７が磁気ディスク１３の
ディスク面を通過していくことになるからである。
は、ギャップ磁界に磁界強度６０００Ｏｅ程度のピーク
値が現れるように導体コイルパターン２５に流される電
流の大きさや磁極小片３４および下部副磁極３６の幅が
決定される。情報の磁気記録にあたっては、磁気ディス
ク１３といった記録媒体の保磁力Ｈｃ（＝３０００Ｏ
ｅ）の２倍の磁界強度が必要とされるからである。その
一方で、記録媒体の保磁力Ｈｃの２分の１程度の磁界強
度で磁界が作用すると記録媒体上で磁化の反転が引き起
こされると考えられる。したがって、エッジ磁界や副ギ
ャップ磁界のピーク値は磁界強度１５００Ｏｅ以下に抑
え込まれなければならない。例えばエッジ磁界に１５０
０Ｏｅを超えるピーク値が現れてしまうと、エッジ磁界
によって記録にじみ特性が悪化し、所望のトラック幅を
得ることができなくなる。また、副ギャップ磁界に１５
００Ｏｅを超えるピーク値が現れてしまうと、主ギャッ
プ磁界で記録された磁化が副ギャップ磁界によって反転
されるおそれが生じる。実際の記録時には、ギャップ層
３３が通過した後に非磁性層３７が磁気ディスク１３の
ディスク面を通過していくことになるからである。
【００２９】ここで、三次元磁界解析ソフトウェアを用
いて前述の薄膜書き込みヘッド素子２６の磁界特性をシ
ミュレーションしてみる。いま、例えば非磁性層３９の
深さｙ（＝ＤＤ）を０．５μｍに設定し、非磁性層３９
の厚みｘを変化させると、例えば図７に示されるシミュ
レーション結果が得られる。このシミュレーション結果
に従えば、非磁性層３９の厚みｘ≧１．０μｍでエッジ
磁界および副ギャップ磁界はともに１５００Ｏｅを下回
ることができる。したがって、非磁性層３９の厚みｘが
１．０μｍ以上であればエッジ磁界や副ギャップ磁界に
よる磁化の反転は回避されることができ、その結果、磁
極小片３４および下部副磁極３６で規定される狭小なト
ラック幅Ｗが確実に実現される。
いて前述の薄膜書き込みヘッド素子２６の磁界特性をシ
ミュレーションしてみる。いま、例えば非磁性層３９の
深さｙ（＝ＤＤ）を０．５μｍに設定し、非磁性層３９
の厚みｘを変化させると、例えば図７に示されるシミュ
レーション結果が得られる。このシミュレーション結果
に従えば、非磁性層３９の厚みｘ≧１．０μｍでエッジ
磁界および副ギャップ磁界はともに１５００Ｏｅを下回
ることができる。したがって、非磁性層３９の厚みｘが
１．０μｍ以上であればエッジ磁界や副ギャップ磁界に
よる磁化の反転は回避されることができ、その結果、磁
極小片３４および下部副磁極３６で規定される狭小なト
ラック幅Ｗが確実に実現される。
【００３０】続いて例えば非磁性層３９の厚みｘを１．
０μｍに設定し、非磁性層３９の深さｙを変化させる
と、例えば図８に示されるシミュレーション結果が得ら
れる。このシミュレーション結果に従えば、０．５μｍ
≦ｙ≦１．３μｍでエッジ磁界および副ギャップ磁界は
ともに１５００Ｏｅを下回ることができる。したがっ
て、非磁性層３９の深さｙが０．５μｍ以上であって
１．３μｍ以下であれば、前述と同様に、エッジ磁界や
副ギャップ磁界による磁化の反転は回避されることがで
きることとなる。ただし、図７や図８に観察される磁化
特性は、磁極小片３４や上部磁極層２８の材料すなわち
透磁率の違いによって変化することがある。
０μｍに設定し、非磁性層３９の深さｙを変化させる
と、例えば図８に示されるシミュレーション結果が得ら
れる。このシミュレーション結果に従えば、０．５μｍ
≦ｙ≦１．３μｍでエッジ磁界および副ギャップ磁界は
ともに１５００Ｏｅを下回ることができる。したがっ
て、非磁性層３９の深さｙが０．５μｍ以上であって
１．３μｍ以下であれば、前述と同様に、エッジ磁界や
副ギャップ磁界による磁化の反転は回避されることがで
きることとなる。ただし、図７や図８に観察される磁化
特性は、磁極小片３４や上部磁極層２８の材料すなわち
透磁率の違いによって変化することがある。
【００３１】次に電磁変換素子２２の製造方法を詳述す
る。まず、既知の手法を用いて、Ａｌ２Ｏ３層が成膜さ
れたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ製ウェハーの表面に、前述の下
部シールド層３２や、ＭＲ素子３０が埋め込まれるＡｌ
２Ｏ３層３１、上部シールド層すなわち下部磁極層２９
が順次形成されていく。続いて、図９（ａ）に示される
ように、下部磁極層２９上にギャップ層３３が積層され
る。このギャップ層３３上には上部副磁極層５１がめっ
き成膜によって形成される。このとき、上部副磁極層５
１には、基準線５２を跨いで同一幅で後方に延びる本体
領域５３と、この本体領域５３の前端に接続されて、本
体領域５３から前方に進むにつれて幅方向に徐々に広が
る成膜補助領域５４とが形成される。レジスト膜（例え
ばフォトレジスト）にこうした成膜補助領域５４が規定
されると、レジスト膜が現像液（例えば水酸化テトラメ
チルアンモニウム水溶液）に浸された際に、成膜補助領
域５４に対応する空間から本体領域５３に対応する空間
に現像液が流入しやすくなり、その結果、本体領域５３
を規定する形状パターンでレジスト膜を確実に洗い落と
すことが可能となる。したがって、形状精度の高い形状
パターンが規定され、高い形状精度で本体領域５３を形
成することが可能となる。
る。まず、既知の手法を用いて、Ａｌ２Ｏ３層が成膜さ
れたＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ製ウェハーの表面に、前述の下
部シールド層３２や、ＭＲ素子３０が埋め込まれるＡｌ
２Ｏ３層３１、上部シールド層すなわち下部磁極層２９
が順次形成されていく。続いて、図９（ａ）に示される
ように、下部磁極層２９上にギャップ層３３が積層され
る。このギャップ層３３上には上部副磁極層５１がめっ
き成膜によって形成される。このとき、上部副磁極層５
１には、基準線５２を跨いで同一幅で後方に延びる本体
領域５３と、この本体領域５３の前端に接続されて、本
体領域５３から前方に進むにつれて幅方向に徐々に広が
る成膜補助領域５４とが形成される。レジスト膜（例え
ばフォトレジスト）にこうした成膜補助領域５４が規定
されると、レジスト膜が現像液（例えば水酸化テトラメ
チルアンモニウム水溶液）に浸された際に、成膜補助領
域５４に対応する空間から本体領域５３に対応する空間
に現像液が流入しやすくなり、その結果、本体領域５３
を規定する形状パターンでレジスト膜を確実に洗い落と
すことが可能となる。したがって、形状精度の高い形状
パターンが規定され、高い形状精度で本体領域５３を形
成することが可能となる。
【００３２】続いて図９（ｂ）に示されるように、上部
副磁極層５１をマスクに用いてイオンミルが実施され
る。このイオンミルによれば、上部副磁極層５１の周囲
でギャップ層３３は削り落とされる。同時に、上部副磁
極層５１と同一形状の下部副磁極３６が下部磁極層２９
から削り出される。
副磁極層５１をマスクに用いてイオンミルが実施され
る。このイオンミルによれば、上部副磁極層５１の周囲
でギャップ層３３は削り落とされる。同時に、上部副磁
極層５１と同一形状の下部副磁極３６が下部磁極層２９
から削り出される。
【００３３】その後、ウェハーの表面には、上部副磁極
層５１を完全に覆うＡｌ2 Ｏ3 保護膜が蒸着やスパッタ
リングなどによって形成される。形成された保護膜に平
坦化処理が施される結果、例えば図９（ｃ）に示される
ように、保護膜５５に埋められた上部副磁極層５１は再
び露出する。この平坦化処理によって前述の平坦面３８
は形成される。こうした平坦化処理には例えばＣＭＰ
（化学的機械研磨）が用いられればよい。平坦面３８に
は、図９（ｄ）に示されるように、導体コイルパターン
２５およびその隙間を埋める絶縁層５６が形成される。
このように導体コイルパターン２５の形成に先立ってウ
ェハーの表面に平坦化処理が施される結果、微細な導体
コイルパターン２５を確実に描き出すことが可能とな
る。
層５１を完全に覆うＡｌ2 Ｏ3 保護膜が蒸着やスパッタ
リングなどによって形成される。形成された保護膜に平
坦化処理が施される結果、例えば図９（ｃ）に示される
ように、保護膜５５に埋められた上部副磁極層５１は再
び露出する。この平坦化処理によって前述の平坦面３８
は形成される。こうした平坦化処理には例えばＣＭＰ
（化学的機械研磨）が用いられればよい。平坦面３８に
は、図９（ｄ）に示されるように、導体コイルパターン
２５およびその隙間を埋める絶縁層５６が形成される。
このように導体コイルパターン２５の形成に先立ってウ
ェハーの表面に平坦化処理が施される結果、微細な導体
コイルパターン２５を確実に描き出すことが可能とな
る。
【００３４】その後、ウェハーの表面にめっき成膜用の
めっきベース５８がスパッタリングなどによって形成さ
れる。めっきベース５８上にはレジスト膜（例えばフォ
トレジスト）５９が形成される。このレジスト膜５９
は、図１０（ａ）から明らかなように、上部副磁極層５
１の後端を覆うとともに、基準線５２に沿って上部副磁
極層５１を跨ぐ露出パターン６０を規定する。この露出
パターン６０には、基準線５２に沿って延びる少なくと
も１筋のめっき液通路６１と、このめっき液通路６１の
両端で膨らむめっき液溜まり６２とが規定される。こう
したレジスト膜５９によれば、レジスト膜５９が現像液
（例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）に浸
された際に、めっき液溜まり６２でレジスト膜５９を洗
い流した現像液がめっき液通路６１に流通しやすくな
る。その結果、幅狭なめっき液通路６１でレジスト膜５
９を確実に洗い落とすことが可能となる。したがって、
形状精度の高い露出パターン６０が実現されることが可
能となる。
めっきベース５８がスパッタリングなどによって形成さ
れる。めっきベース５８上にはレジスト膜（例えばフォ
トレジスト）５９が形成される。このレジスト膜５９
は、図１０（ａ）から明らかなように、上部副磁極層５
１の後端を覆うとともに、基準線５２に沿って上部副磁
極層５１を跨ぐ露出パターン６０を規定する。この露出
パターン６０には、基準線５２に沿って延びる少なくと
も１筋のめっき液通路６１と、このめっき液通路６１の
両端で膨らむめっき液溜まり６２とが規定される。こう
したレジスト膜５９によれば、レジスト膜５９が現像液
（例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）に浸
された際に、めっき液溜まり６２でレジスト膜５９を洗
い流した現像液がめっき液通路６１に流通しやすくな
る。その結果、幅狭なめっき液通路６１でレジスト膜５
９を確実に洗い落とすことが可能となる。したがって、
形状精度の高い露出パターン６０が実現されることが可
能となる。
【００３５】露出パターン６０に従ってめっき金属すな
わち非磁性層３９が成長すると、図１０（ｂ）に示され
るように、非磁性層３９の周囲でレジスト膜５９やめっ
きベース５８が取り除かれる。その結果、ウェハーの表
面では、レジスト膜５９やめっきベース５８に覆われて
いた上部副磁極層５１や絶縁層５６は再び露出する。
わち非磁性層３９が成長すると、図１０（ｂ）に示され
るように、非磁性層３９の周囲でレジスト膜５９やめっ
きベース５８が取り除かれる。その結果、ウェハーの表
面では、レジスト膜５９やめっきベース５８に覆われて
いた上部副磁極層５１や絶縁層５６は再び露出する。
【００３６】続いてウェハーの表面には再びめっきベー
スが形成される。形成されためっきベース上には、例え
ば図１０（ｃ）に示されるように、再びレジスト膜（例
えばフォトレジスト）６３が形成される。このレジスト
膜６３は、上部副磁極層５１の本体領域５３から幅方向
に張り出しながら基準線５２に直交する方向に延びる形
状パターン６４を規定する。こうした形状パターン６４
に従ってめっき金属が成長すると、上部磁極層２８は形
成される。図１０（ｄ）に示されるように、上部磁極層
２８の周囲では、レジスト膜６３やめっきベースは取り
除かれる。その後、ウェハーの表面はＡｌ2 Ｏ3 保護膜
などによって覆われる。こうして素子内蔵膜２３の形成
は完了する。
スが形成される。形成されためっきベース上には、例え
ば図１０（ｃ）に示されるように、再びレジスト膜（例
えばフォトレジスト）６３が形成される。このレジスト
膜６３は、上部副磁極層５１の本体領域５３から幅方向
に張り出しながら基準線５２に直交する方向に延びる形
状パターン６４を規定する。こうした形状パターン６４
に従ってめっき金属が成長すると、上部磁極層２８は形
成される。図１０（ｄ）に示されるように、上部磁極層
２８の周囲では、レジスト膜６３やめっきベースは取り
除かれる。その後、ウェハーの表面はＡｌ2 Ｏ3 保護膜
などによって覆われる。こうして素子内蔵膜２３の形成
は完了する。
【００３７】その後、ウェハーは、電磁変換素子２２が
形成されたブロックごとに切り離される。切り離された
切断面には、既知の手法に従って浮上面１９が形作られ
ていく。この浮上面１９の形成に先立って、ウェハーの
切断面には平坦化処理が施される。この平坦化処理によ
って、基準線５２から前方に広がる領域は削り落とされ
る。その結果、図１０（ｄ）下図に示されるような電磁
変換素子２２が浮上面１９に露出することとなる。基準
線５２の位置すなわち平坦化処理の研磨量が正確に制御
されれば、非磁性層３９の深さｙは調整されることがで
きる。
形成されたブロックごとに切り離される。切り離された
切断面には、既知の手法に従って浮上面１９が形作られ
ていく。この浮上面１９の形成に先立って、ウェハーの
切断面には平坦化処理が施される。この平坦化処理によ
って、基準線５２から前方に広がる領域は削り落とされ
る。その結果、図１０（ｄ）下図に示されるような電磁
変換素子２２が浮上面１９に露出することとなる。基準
線５２の位置すなわち平坦化処理の研磨量が正確に制御
されれば、非磁性層３９の深さｙは調整されることがで
きる。
【００３８】以上の製造方法では、非磁性層３９を形成
するにあたってＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｐｂ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｚｎまたはこれらの合金とい
った様々なめっき材料が用いられることができる。特
に、非磁性層３９にＣｕを用いる場合には、最終的な平
坦化処理で生じる非磁性層３９の削りかすは最小限に抑
え込まれることが望ましい。前述した幅狭の露出パター
ン６０（特にめっき液通路６１）で研磨前の非磁性層３
９が規定されれば、非磁性層３９の削りかすは最小限に
抑制されることできる。ただし、非磁性層３９の削りか
すを抑制する必要のない材料が採用されれば、幅狭の露
出パターン６０を用いずとも現像液の浸入しやすい幅広
の露出パターン６０が用いられてもよい。
するにあたってＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｐｂ、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｚｎまたはこれらの合金とい
った様々なめっき材料が用いられることができる。特
に、非磁性層３９にＣｕを用いる場合には、最終的な平
坦化処理で生じる非磁性層３９の削りかすは最小限に抑
え込まれることが望ましい。前述した幅狭の露出パター
ン６０（特にめっき液通路６１）で研磨前の非磁性層３
９が規定されれば、非磁性層３９の削りかすは最小限に
抑制されることできる。ただし、非磁性層３９の削りか
すを抑制する必要のない材料が採用されれば、幅狭の露
出パターン６０を用いずとも現像液の浸入しやすい幅広
の露出パターン６０が用いられてもよい。
【００３９】なお、以上のような電磁変換素子２２は、
前述のようなハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１０に
適用されることができるだけでなく、その他の磁気ディ
スク駆動装置や磁気テープ駆動装置に適用されてもよ
い。また、電磁変換素子２２は、前述のような浮上ヘッ
ドスライダ１４に用いられることができるだけでなく、
磁気ディスクといった記録媒体に接触し続ける媒体対向
面を備えるコンタクトヘッドスライダに適用されてもよ
い。
前述のようなハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１０に
適用されることができるだけでなく、その他の磁気ディ
スク駆動装置や磁気テープ駆動装置に適用されてもよ
い。また、電磁変換素子２２は、前述のような浮上ヘッ
ドスライダ１４に用いられることができるだけでなく、
磁気ディスクといった記録媒体に接触し続ける媒体対向
面を備えるコンタクトヘッドスライダに適用されてもよ
い。
【００４０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、トラック
幅の狭小化に妨げとなる上部磁極層からの磁界漏れを極
力低減することができる。
幅の狭小化に妨げとなる上部磁極層からの磁界漏れを極
力低減することができる。
【図１】 ハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図２】 浮上ヘッドスライダの一具体例を示す拡大斜
視図である。
視図である。
【図３】 電磁変換素子が備える薄膜書き込みヘッド素
子の構造を概略的に示す平面図である。
子の構造を概略的に示す平面図である。
【図４】 図３の４−４線に沿った一部断面図である。
【図５】 図４の一部拡大断面図である。
【図６】 図５の矢印６方向から見た薄膜書き込みヘッ
ド素子の正面図である。
ド素子の正面図である。
【図７】 非磁性層の厚みと各磁界の磁界強度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図８】 非磁性層の深さと各磁界の磁界強度との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図９】 電磁変換素子の製造工程を示す平面図および
基準線に沿った断面の端面図である。
基準線に沿った断面の端面図である。
【図１０】 電磁変換素子の製造工程を示す平面図およ
び基準線に沿った断面の端面図である。
び基準線に沿った断面の端面図である。
１９ 媒体対向面としての浮上面、２６ 薄膜書き込み
磁気ヘッドとしての薄膜書き込みヘッド素子、２８ 上
部磁極層、２９ 下部磁極層、３３ ギャップ層、３４
磁極小片、３５ 境界面、３６ 下部副磁極、３８
平坦面、３９ 非磁性層、４１ 本体領域、４２ 成膜補助領域、５１
上部副磁極層、５２ 基準線、５５ 保護膜、５９ レジスト膜、６０ 露出
パターン、６１ めっき液通路、６２ めっき液溜ま
り、ＤＤ（＝ｙ） 規定の深さ。
磁気ヘッドとしての薄膜書き込みヘッド素子、２８ 上
部磁極層、２９ 下部磁極層、３３ ギャップ層、３４
磁極小片、３５ 境界面、３６ 下部副磁極、３８
平坦面、３９ 非磁性層、４１ 本体領域、４２ 成膜補助領域、５１
上部副磁極層、５２ 基準線、５５ 保護膜、５９ レジスト膜、６０ 露出
パターン、６１ めっき液通路、６２ めっき液溜ま
り、ＤＤ（＝ｙ） 規定の深さ。
Claims (5)
- 【請求項１】 先端で媒体対向面に臨む１対の磁極層
と、磁極層同士の間に配置されるギャップ層と、ギャッ
プ層および一方の磁極層の間で媒体対向面に臨み、媒体
対向面から後退した位置でその一方の磁極層に接続され
る磁極小片と、媒体対向面で前記一方の磁極層の先端お
よび磁極小片の間に挟み込まれる非磁性層とを備えるこ
とを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜書き込み磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁極小片と前記一方の磁極層との間に
１平坦面が規定されることを特徴とする薄膜書き込み磁
気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項２に記載の薄膜書き込み磁気ヘッ
ドにおいて、前記非磁性層は、前記１平坦面に沿って前
記媒体対向面から規定の深さで広がるとともに前記磁極
小片のトラック幅方向に張り出す本体領域と、この本体
領域の両端に接続されて、前記規定の深さよりも大きな
深さで前記１平坦面に沿って広がる成膜補助領域とを備
えることを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッド。 - 【請求項４】 ウェハーの表面に基準線から前方に延び
る下部磁極層を形成する工程と、下部磁極層の表面で、
基準線から前方に延びるギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の表面に、基準線から後方に延びる上部副磁
極層を形成する工程と、ギャップ層の表面で上部副磁極
層を覆う保護膜を形成する工程と、保護膜に平坦化処理
を施し、上部副磁極層を露出させる工程と、上部副磁極
層の後端を覆うとともに、基準線に沿って上部副磁極層
を跨ぐ露出パターンを規定するレジスト膜を形成する工
程と、めっき液中で露出パターンに従って非磁性層を成
長させる工程と、レジスト膜を除去する工程と、上部副
磁極層の後端および非磁性層に接触しつつ基準線から前
方に延びる上部磁極層を形成する工程と、基準線に沿っ
てウェハーに平坦化処理を施し、基準線から前方に延び
る下部磁極層、ギャップ層、上部副磁極層、非磁性層お
よび上部磁極層を削り落とす工程とを備えることを特徴
とする薄膜書き込み磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の薄膜書き込み磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記露出パターンには、基準線
に沿って延びる少なくとも１筋のめっき液通路と、この
めっき液通路の両端で膨らむめっき液溜まりとが設けら
れることを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11593799A JP3530068B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US09/426,089 US6404588B1 (en) | 1999-04-23 | 1999-10-22 | Thin film magnetic head having magnetic yoke layer connected to magnetic yoke piece of reduced width |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11593799A JP3530068B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2000306214A JP2000306214A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3530068B2 true JP3530068B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=14674884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11593799A Expired - Fee Related JP3530068B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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| JP (1) | JP3530068B2 (ja) |
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| JP2009054272A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Fujifilm Corp | 磁気信号再生システムおよび磁気信号再生方法 |
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| JP2784431B2 (ja) | 1994-04-19 | 1998-08-06 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 薄膜磁気書込みヘッド、読取り／書込み磁気ヘッド、ディスク駆動装置及び薄膜磁気書込みヘッドの製造方法 |
| JP2701796B2 (ja) * | 1995-06-30 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JP3384741B2 (ja) | 1997-03-18 | 2003-03-10 | 三洋電機株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH10283611A (ja) * | 1997-04-03 | 1998-10-23 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH10334410A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPH11149620A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-06-02 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド |
| US6130805A (en) * | 1997-11-19 | 2000-10-10 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having upper pole chip formed over insulating layer |
| US6122144A (en) * | 1997-12-22 | 2000-09-19 | International Business Machines Corporation | Contoured pole tip structures for minimizing side track erasure |
| US6301076B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-10-09 | Seagate Technology Llc | Narrow track inductive write head having a two-piece pole |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11593799A patent/JP3530068B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-22 US US09/426,089 patent/US6404588B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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