JP2000306214A - 薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜書き込み磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Abstract
の磁界漏れを極力低減することができる薄膜書き込み磁
気ヘッドおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ヘッドの媒体対向面すなわち浮上面
では、薄膜書き込みヘッド素子の上部磁極層28と上部
副磁極34との間に非磁性層39が形成される。上部磁
極層28と上部副磁極34とが引き離される結果、エッ
ジ磁界43は極力低減される。狭小な上部副磁極34と
下部副磁極36との間に生じるギャップ磁界37によっ
て狭小なトラック幅の磁気記録が可能となる。上部磁極
層28は、浮上面から後退した位置で上部副磁極34に
接続される。
Description
装置や磁気テープ駆動装置に用いられる薄膜書き込み磁
気ヘッドに関し、特に、ギャップ層に隣接して媒体対向
面に臨む磁極小片と、この磁極小片に接続される上部磁
極層や下部磁極層とを備える薄膜書き込み磁気ヘッドお
よびその製造方法に関する。
分的に膨らむ下部副磁極や、反対に上部磁極層から下部
磁極層に向かって部分的に膨らむ磁極小片すなわち上部
副磁極を備える薄膜書き込み磁気ヘッドは例えば特開平
6−28626号公報に開示されるように一般に知られ
る。こうした薄膜書き込み磁気ヘッドでは、いわゆる媒
体対向面すなわち浮上面に臨む上部磁極層や下部磁極層
の先端に比べて狭小な上部副磁極や下部副磁極を用いて
書き込みギャップが形成されることから、磁気ディスク
や磁気テープといった記録媒体上のトラック幅をさらに
狭小化する際に役立つことが期待されている。
磁気ヘッドでは、媒体対向面で例えば上部副磁極のトラ
ック幅方向から張り出す上部磁極層から磁界が漏れ、期
待されるほどトラック幅の狭小化に貢献することができ
ないことが明らかとされた。
で、トラック幅の狭小化に妨げとなる磁極層からの磁界
漏れを極力低減することができる薄膜書き込み磁気ヘッ
ドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
に、本発明によれば、ギャップ層に隣接して媒体対向面
に臨む磁極小片と、先端で媒体対向面に臨み、媒体対向
面から後退した位置で磁極小片に接続される磁極層と、
媒体対向面で磁極層の先端および磁極小片の間に挟み込
まれる非磁性層とを備えることを特徴とする薄膜書き込
み磁気ヘッドが提供される。
非磁性層の働きによって、媒体対向面では磁極層の先端
と磁極小片とが相互に引き離される。その結果、ギャッ
プ層および磁極小片を挟んで互いに対向する1対の磁極
層同士の距離は遠ざかる。トラック幅方向に磁極小片か
ら張り出す磁極層の先端と磁極小片との間に生じる磁界
や、磁極層のエッジから反対側の磁極層に向かって生じ
る磁界の強度は弱められる。したがって、そういった磁
界によって記録媒体の磁化反転が引き起こされることは
回避されることができる。
磁極が形成されると同時に、前記磁極層によって上部磁
極層が形成されてもよい。この場合には、上部磁極層の
先端と、ギャップ層を挟んで上部副磁極や上部磁極層に
対向する下部磁極層との間隔が広がり、その結果、トラ
ック幅方向に磁極小片から張り出す上部磁極層のエッジ
から記録媒体に向かう磁界は弱められる。したがって、
そういった磁界による記録媒体の磁化反転は回避される
ことができる。上部磁極層から磁極小片を伝わって下部
磁極層に向かう磁界の幅は狭小な磁極小片で規定される
こととなり、確実にトラック幅の狭小化に寄与すること
ができる。
の境界面から媒体対向面に沿って前記磁極小片に向かっ
て膨らむ下部副磁極が設けられてもよい。こうした下部
副磁極と磁極小片との間に磁界が形成されれば、狭小な
トラック幅を一層確実に実現することが可能となる。
るにあたって、本発明に係る製造方法は、例えば、ウェ
ハーの表面に下部磁極層を形成する工程と、下部磁極層
の表面で基準線から後方に延びる上部副磁極層を形成す
る工程と、この上部副磁極層を覆う保護膜を形成する工
程と、保護膜に平坦化処理を施し、上部副磁極層を露出
させる工程と、上部副磁極層の後端を覆うとともに、基
準線に沿って上部副磁極層を跨ぐ露出パターンを規定す
るレジスト膜を形成する工程と、めっき液中で露出パタ
ーンに従って非磁性層を成長させる工程と、基準線に沿
ってウェハーに平坦化処理を施す工程とを備えればよ
い。
上部磁極層を形成することは難しい。例えばフォトレジ
ストを用いる場合、上部磁極層の先端を規定する形状パ
ターンの末端では、露光したフォトレジストを洗い落と
す現像液が隅々にまで行き渡りにくく、余分なフォトレ
ジストが完全に除去されることはできないからである。
こうしたフォトレジストを用いてめっき成膜が実施され
ると、上部磁極層の先端で形状精度は著しく低下してし
まう。
って、形状パターンの末端を媒体対向面から前方に延長
させ、媒体対向面の前後で現像液の流れを促進すること
ができれば、媒体対向面付近に形成される上部磁極層の
形状精度は高められることができる。媒体対向面から前
方に形成される余分な上部磁極層が削り落とされれば、
規定とおりの上部磁極層が形成されることができる。
磁性層が成長した後にレジスト膜が除去されると、上部
副磁極層の後端が再び露出する。この露出した後端上を
通過すると同時に前端を基準線から前方に延長させて上
部磁極層を形成すれば、基準線付近では高い形状精度で
上部磁極層は形成されることが可能となる。しかも、平
坦化処理によって最終的に露出する媒体対向面では、前
述したとおり、非磁性層の存在によって磁極小片と上部
磁極層の先端とが直接に接触し合うことはない。したが
って、前述した本発明に係る薄膜書き込み磁気ヘッドは
確実に製造されることができる。加えて、基準線に沿っ
て施される平坦化処理の研磨量を正確に制御すれば、媒
体対向面に対する非磁性層の深さを簡単に調整すること
が可能となる。
護膜に平坦化処理が施される結果、上部副磁極層すなわ
ち磁極小片と上部磁極層との間に1平坦面が規定され
る。この平坦面に沿って例えば導体コイルパターンが形
成されれば、微細な導体コイルパターンを正確に描き出
すことが可能となる。しかも、こうした平坦面に非磁性
層が形成されれば、高い形状精度で非磁性層を成膜する
ことが可能となる。
るにあたって、前記露出パターンには、基準線に沿って
延びる少なくとも1筋のめっき液通路と、このめっき液
通路の両端で膨らむめっき液溜まりとが設けられること
が望ましい。こうした露出パターンによれば、レジスト
膜が現像液(例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水
溶液)に浸された際に、めっき液溜まりでレジスト膜を
洗い流した現像液がめっき液通路に流通しやすくなる。
その結果、幅狭なめっき液通路でレジスト膜を確実に洗
い落とすことが可能となる。したがって、形状精度の高
い露出パターンが実現されることが可能となる。
が形成された後、基準線に沿って媒体対向面が削り出さ
れると、非磁性層には、前記1平坦面に沿って前記媒体
対向面から規定の深さで広がるとともに前記磁極小片の
トラック幅方向に張り出す本体領域と、この本体領域の
両端に接続されて、前記規定の深さよりも大きな深さで
前記1平坦面に沿って広がる成膜補助領域とが形成され
ることとなる。
ドは、磁気抵抗効果(MR)素子や巨大磁気抵抗効果
(GMR)素子といった読み取り磁気ヘッドと組み合わ
されて使用されてもよい。また、本発明に係る磁気ヘッ
ドは、例えばハードディスク駆動装置(HDD)といっ
た磁気ディスク駆動装置のほか、いわゆる磁気テープ駆
動装置に用いられてもよい。さらに、本発明に係る磁気
ヘッドは、記録媒体から浮上する媒体対向面すなわち浮
上面を備える浮上ヘッドスライダに用いられることがで
きるだけでなく、記録媒体に接触し続ける媒体対向面を
備えるコンタクトヘッドスライダに用いられてもよい。
明の一実施形態を説明する。
してのハードディスク駆動装置(HDD)10の内部構
造を示す。このHDD10のハウジング11には、スピ
ンドルモータ12に装着される磁気ディスク13と、磁
気ディスク13のディスク面に対向する浮上ヘッドスラ
イダ14とが収容される。浮上ヘッドスライダ14は、
支軸15回りで揺動するキャリッジアーム16の先端に
固定される。磁気ディスク13に対する情報の書き込み
や読み出しにあたっては、磁気回路から構成されるアク
チュエータ17によってキャリッジアーム16が揺動駆
動され、その結果、浮上ヘッドスライダ14は磁気ディ
スク13の半径方向に移動する。この移動によって浮上
ヘッドスライダ14は磁気ディスク13上の所望の記録
トラックに位置決めされる。ハウジング11の内部空間
は、図示しないカバーによって閉鎖される。
を示す。この浮上ヘッドスライダ14は、磁気ディスク
13に対向する媒体対向面すなわち浮上面19を備え
る。浮上面19には、ABS(空気軸受け面)を形成す
る2筋のレール20が形成される。浮上ヘッドスライダ
14は、磁気ディスク13の回転中に浮上面19(特に
ABS)に受ける気流21を利用して磁気ディスク13
のディスク面から浮上することができる。浮上ヘッドス
ライダ14の浮上中、浮上面19で露出する電磁変換素
子22の働きによって磁気ディスク13に情報が書き込
まれたり磁気ディスク13から情報が読み出されたりす
る。電磁変換素子22は、後述するように、Al2 O3
−TiC(アルチック)製本体の空気流出側端面に形成
されるAl2 O3 (アルミナ)製の素子内蔵膜23に内
蔵される。ただし、浮上ヘッドスライダ14の形態はこ
うした形態に限られるものではない。
を詳述する。この電磁変換素子22は、渦巻き状の導体
コイルパターン25で生成される磁界を利用して磁気デ
ィスク13に情報を記録する薄膜書き込みヘッド素子2
6を備える。導体コイルパターン25で磁界が生成され
ると、導体コイルパターン25の中心を貫通する磁性コ
ア27内で磁力線が伝わる。
磁性コア27は、先端を浮上面19に臨ませる上部磁極
層28と、同じく先端を浮上面19に臨ませ、上部磁極
層28との間に導体コイルパターン25を挟み込む下部
磁極層29とを備える。上部磁極層28と下部磁極層2
9とは導体コイルパターン25の中心で相互に接続され
る。上部磁極層28や下部磁極層29は例えばNiFe
から構成されればよい。
りに磁気抵抗効果(MR)素子30が用いられる。MR
素子30は、Al2 O3 層31に埋め込まれてFeNや
NiFeの下部シールド層32および下部磁極層29の
間に挟み込まれる。ここでは、下部磁極層29はMR素
子30の上部シールド層として機能する。その結果、例
えば図3から明らかなように、浮上面19に臨む薄膜書
き込みヘッド素子26の先端では、上部磁極層28に比
べて下部磁極層29が広範囲に広がっている。ただし、
こうしたMR素子30に代えて巨大磁気抵抗効果(GM
R)素子といったその他の読み取り素子が採用されても
よく、読み取り素子を採用せずに薄膜書き込みヘッド素
子26が単独で使用されてもよい。
つ、薄膜書き込みヘッド素子26先端の構造を詳細に説
明する。薄膜書き込みヘッド素子26は、浮上面19で
ギャップ層33を挟んで下部磁極層29の先端に対向す
る磁極小片34すなわち上部副磁極を備える。この磁極
小片34には、浮上面19から後退した位置で上部磁極
層28が接続される。その一方で、下部磁極層29に
は、図6を併せて参照すると明らかなように、境界面3
5から浮上面19に沿って磁極小片34に向かって膨ら
む下部副磁極36が形成される。
れば、磁性コア27内を伝わる磁力線はギャップ層33
を迂回しながら磁極小片34と下部副磁極36との間を
行き交う。その結果、例えば図6に示されるように、浮
上面19から漏れる磁界37によって、浮上面19に対
向する磁気ディスク13は磁化されることとなる。この
ように狭小な磁極小片34や下部副磁極36を用いて書
き込みギャップが形成されると、上部磁極層28や下部
磁極層29に比べて狭小なトラック幅Wの記録トラック
が実現されることができる。
では、図5から明らかなように、磁極小片34と上部磁
極層28との間に規定される1平坦面38に沿って非磁
性層39が形成される。この非磁性層39は、浮上面1
9に臨む上部磁極層28の先端と磁極小片34との間に
挟み込まれる。しかも、この非磁性層39には、図3か
ら明らかなように、浮上面19から規定の深さDDで広
がるとともに磁極小片34からトラック幅方向に張り出
す本体領域41と、この本体領域41の両端に接続され
て、トラック幅方向外側に向かうにつれて浮上面19か
らの深さを増大させながら平坦面38に沿って広がる成
膜補助領域42とが形成される。
6から明らかなように、浮上面19で上部磁極層28の
先端と磁極小片34とが相互に引き離される。したがっ
て、上部磁極層28と磁極小片34との間に生じる磁界
の強度は弱められる。特に、磁極小片34のトラック幅
方向に張り出す上部磁極層28のエッジ28aから漏れ
る磁界43が低減されることから、そういった磁界43
によって磁気ディスク13の磁化反転が生じることを回
避することができ、その結果、磁極小片34および下部
副磁極36で規定される狭小なトラック幅Wが確実に確
保されることができる。非磁性層39に形成される成膜
補助領域42は、後述されるように、薄膜書き込みヘッ
ド素子26の製造過程で重要な役割を果たす。
子26の磁界特性を考察する。こうした薄膜書き込みヘ
ッド素子26では、例えば図6に示されるように、ギャ
ップ層33を挟んで狭小な磁極小片34と下部副磁極3
6との間で磁気ディスク13のディスク面に向けて磁界
37(主ギャップ磁界)が誘導されると同時に、上部磁
極層28のエッジ28aから磁気ディスク13のディス
ク面に向けて磁界43(エッジ磁界)が誘導されてしま
う。しかも、非磁性層39の介入によって、上部磁極層
28の先端と磁極小片34との間でも磁気ディスク13
のディスク面に向けて磁界44(副ギャップ磁界)が誘
導されることが明らかとなっている。
は、ギャップ磁界に磁界強度6000Oe程度のピーク
値が現れるように導体コイルパターン25に流される電
流の大きさや磁極小片34および下部副磁極36の幅が
決定される。情報の磁気記録にあたっては、磁気ディス
ク13といった記録媒体の保磁力Hc(=3000O
e)の2倍の磁界強度が必要とされるからである。その
一方で、記録媒体の保磁力Hcの2分の1程度の磁界強
度で磁界が作用すると記録媒体上で磁化の反転が引き起
こされると考えられる。したがって、エッジ磁界や副ギ
ャップ磁界のピーク値は磁界強度1500Oe以下に抑
え込まれなければならない。例えばエッジ磁界に150
0Oeを超えるピーク値が現れてしまうと、エッジ磁界
によって記録にじみ特性が悪化し、所望のトラック幅を
得ることができなくなる。また、副ギャップ磁界に15
00Oeを超えるピーク値が現れてしまうと、主ギャッ
プ磁界で記録された磁化が副ギャップ磁界によって反転
されるおそれが生じる。実際の記録時には、ギャップ層
33が通過した後に非磁性層37が磁気ディスク13の
ディスク面を通過していくことになるからである。
いて前述の薄膜書き込みヘッド素子26の磁界特性をシ
ミュレーションしてみる。いま、例えば非磁性層39の
深さy(=DD)を0.5μmに設定し、非磁性層39
の厚みxを変化させると、例えば図7に示されるシミュ
レーション結果が得られる。このシミュレーション結果
に従えば、非磁性層39の厚みx≧1.0μmでエッジ
磁界および副ギャップ磁界はともに1500Oeを下回
ることができる。したがって、非磁性層39の厚みxが
1.0μm以下であればエッジ磁界や副ギャップ磁界に
よる磁化の反転は回避されることができ、その結果、磁
極小片34および下部副磁極36で規定される狭小なト
ラック幅Wが確実に実現される。
0μmに設定し、非磁性層39の深さyを変化させる
と、例えば図8に示されるシミュレーション結果が得ら
れる。このシミュレーション結果に従えば、0.5μm
≦y≦1.3μmでエッジ磁界および副ギャップ磁界は
ともに1500Oeを下回ることができる。したがっ
て、非磁性層39の深さyが0.5μm以上であって
1.3μm以下であれば、前述と同様に、エッジ磁界や
副ギャップ磁界による磁化の反転は回避されることがで
きることとなる。ただし、図7や図8に観察される磁化
特性は、磁極小片34や上部磁極層28の材料すなわち
透磁率の違いによって変化することがある。
る。まず、既知の手法を用いて、Al2 O3 層が成膜さ
れたAl2 O3 −TiC製ウェハーの表面に、前述の下
部シールド層32や、MR素子31が埋め込まれるAl
2 O3 層31、上部シールド層すなわち下部磁極層29
が順次形成されていく。続いて、図9(a)に示される
ように、下部磁極層29上にギャップ層33が積層され
る。このギャップ層33上には上部副磁極層51がめっ
き成膜によって形成される。このとき、上部副磁極層5
1には、基準線52を跨いで同一幅で後方に延びる本体
領域53と、この本体領域53の前端に接続されて、本
体領域53から前方に進むにつれて幅方向に徐々に広が
る成膜補助領域54とが形成される。レジスト膜(例え
ばフォトレジスト)にこうした成膜補助領域54が規定
されると、レジスト膜が現像液(例えば水酸化テトラメ
チルアンモニウム水溶液)に浸された際に、成膜補助領
域54に対応する空間から本体領域53に対応する空間
に現像液が流入しやすくなり、その結果、本体領域53
を規定する形状パターンでレジスト膜を確実に洗い落と
すことが可能となる。したがって、形状精度の高い形状
パターンが規定され、高い形状精度で本体領域53を形
成することが可能となる。
副磁極層51をマスクに用いてイオンミルが実施され
る。このイオンミルによれば、上部副磁極層51の周囲
でギャップ層33は削り落とされる。同時に、上部副磁
極層51と同一形状の下部副磁極36が下部磁極層29
から削り出される。
層51を完全に覆うAl2 O3 保護膜が蒸着やスパッタ
リングなどによって形成される。形成された保護膜に平
坦化処理が施される結果、例えば図9(c)に示される
ように、保護膜55に埋められた上部副磁極層51は再
び露出する。この平坦化処理によって前述の平坦面38
は形成される。こうした平坦化処理には例えばCMP
(化学的機械研磨)が用いられればよい。平坦面38に
は、図9(d)に示されるように、導体コイルパターン
25およびその隙間を埋める絶縁層56が形成される。
このように導体コイルパターン25の形成に先立ってウ
ェハーの表面に平坦化処理が施される結果、微細な導体
コイルパターン25を確実に描き出すことが可能とな
る。
めっきベース58がスパッタリングなどによって形成さ
れる。めっきベース58上にはレジスト膜(例えばフォ
トレジスト)59が形成される。このレジスト膜59
は、図10(a)から明らかなように、上部副磁極層5
1の後端を覆うとともに、基準線52に沿って上部副磁
極層51を跨ぐ露出パターン60を規定する。この露出
パターン60には、基準線52に沿って延びる少なくと
も1筋のめっき液通路61と、このめっき液通路61の
両端で膨らむめっき液溜まり62とが規定される。こう
したレジスト膜59によれば、レジスト膜59が現像液
(例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)に浸
された際に、めっき液溜まり62でレジスト膜59を洗
い流した現像液がめっき液通路61に流通しやすくな
る。その結果、幅狭なめっき液通路61でレジスト膜5
9を確実に洗い落とすことが可能となる。したがって、
形状精度の高い露出パターン60が実現されることが可
能となる。
わち非磁性層39が成長すると、図10(b)に示され
るように、非磁性層39の周囲でレジスト膜59やめっ
きベース58が取り除かれる。その結果、ウェハーの表
面では、レジスト膜59やめっきベース58に覆われて
いた上部副磁極層51や絶縁層56は再び露出する。
スが形成される。形成されためっきベース上には、例え
ば図10(c)に示されるように、再びレジスト膜(例
えばフォトレジスト)63が形成される。このレジスト
膜63は、上部副磁極層51の本体領域53から幅方向
に張り出しながら基準線52に直交する方向に延びる形
状パターン64を規定する。こうした形状パターン64
に従ってめっき金属が成長すると、上部磁極層28は形
成される。図10(d)に示されるように、上部磁極層
28の周囲では、レジスト膜63やめっきベースは取り
除かれる。その後、ウェハーの表面はAl2 O3 保護膜
などによって覆われる。こうして素子内蔵膜23の形成
は完了する。
形成されたブロックごとに切り離される。切り離された
切断面には、既知の手法に従って浮上面19が形作られ
ていく。この浮上面19の形成に先立って、ウェハーの
切断面には平坦化処理が施される。この平坦化処理によ
って、基準線52から前方に広がる領域は削り落とされ
る。その結果、図10(d)下図に示されるような電磁
変換素子22が浮上面19に露出することとなる。基準
線52の位置すなわち平坦化処理の研磨量が正確に制御
されれば、非磁性層39の深さyは調整されることがで
きる。
するにあたってAu、Ag、Cu、Bi、Cd、Pb、
Pd、Pt、Rh、Sn、Znまたはこれらの合金とい
った様々なめっき材料が用いられることができる。特
に、非磁性層39にCuを用いる場合には、最終的な平
坦化処理で生じる非磁性層39の削りかすは最小限に抑
え込まれることが望ましい。前述した幅狭の露出パター
ン60(特にめっき液通路61)で研磨前の非磁性層3
9が規定されれば、非磁性層39の削りかすは最小限に
抑制されることできる。ただし、非磁性層39の削りか
すを抑制する必要のない材料が採用されれば、幅狭の露
出パターン60を用いずとも現像液の浸入しやすい幅広
の露出パターン60が用いられてもよい。
前述のようなハードディスク駆動装置(HDD)10に
適用されることができるだけでなく、その他の磁気ディ
スク駆動装置や磁気テープ駆動装置に適用されてもよ
い。また、電磁変換素子22は、前述のような浮上ヘッ
ドスライダ14に用いられることができるだけでなく、
磁気ディスクといった記録媒体に接触し続ける媒体対向
面を備えるコンタクトヘッドスライダに適用されてもよ
い。
幅の狭小化に妨げとなる上部磁極層からの磁界漏れを極
力低減することができる。
造を示す平面図である。
視図である。
子の構造を概略的に示す平面図である。
ド素子の正面図である。
を示すグラフである。
を示すグラフである。
基準線に沿った断面の端面図である。
び基準線に沿った断面の端面図である。
磁気ヘッドとしての薄膜書き込みヘッド素子、28 上
部磁極層、29 下部磁極層、33 ギャップ層、34
磁極小片、35 境界面、36 下部副磁極、38
平坦面、39 非磁性層、41 本体領域、42 成膜補助領域、51
上部副磁極層、52 基準線、55 保護膜、59 レジスト膜、60 露出
パターン、61 めっき液通路、62 めっき液溜ま
り、DD(=y) 規定の深さ。
Claims (5)
- 【請求項1】 ギャップ層に隣接して媒体対向面に臨む
磁極小片と、先端で媒体対向面に臨み、媒体対向面から
後退した位置で磁極小片に接続される磁極層と、媒体対
向面で磁極層の先端および磁極小片の間に挟み込まれる
非磁性層とを備えることを特徴とする薄膜書き込み磁気
ヘッド。 - 【請求項2】 請求項1に記載の薄膜書き込み磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁極小片と磁極層との間に1平坦面が
規定されることを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッド。 - 【請求項3】 請求項2に記載の薄膜書き込み磁気ヘッ
ドにおいて、前記非磁性層は、前記1平坦面に沿って前
記媒体対向面から規定の深さで広がるとともに前記磁極
小片のトラック幅方向に張り出す本体領域と、この本体
領域の両端に接続されて、前記規定の深さよりも大きな
深さで前記1平坦面に沿って広がる成膜補助領域とを備
えることを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッド。 - 【請求項4】 ウェハーの表面に下部磁極層を形成する
工程と、下部磁極層の表面で基準線から後方に延びる上
部副磁極層を形成する工程と、この上部副磁極層を覆う
保護膜を形成する工程と、保護膜に平坦化処理を施し、
上部副磁極層を露出させる工程と、上部副磁極層の後端
を覆うとともに、基準線に沿って上部副磁極層を跨ぐ露
出パターンを規定するレジスト膜を形成する工程と、め
っき液中で露出パターンに従って非磁性層を成長させる
工程と、基準線に沿ってウェハーに平坦化処理を施す工
程とを備えることを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項5】 請求項4に記載の薄膜書き込み磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記露出パターンには、基準線
に沿って延びる少なくとも1筋のめっき液通路と、この
めっき液通路の両端で膨らむめっき液溜まりとが設けら
れることを特徴とする薄膜書き込み磁気ヘッドの製造方
法。
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