JP3842475B2 - Mrヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は誘導型記録ヘッドと磁気抵抗型再生ヘッドを具備するMRヘッドの製造方法に関し、特に狭トラック幅のMRヘッドの製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスク装置の記録密度は年々高くなっており、使われる磁気ヘッドは誘導型ヘッドから記録再生分離型ヘッドに急速に置き換わっている。記録再生分離型ヘッドは再生に磁気抵抗効果(MR効果)を用いていることからMRヘッドと呼ばれている。図7に従来のMRヘッドの一例を断面図で示す。また、図8に従来のMRヘッドの一例を斜視図で説明する。図8では、アルミナ・チタンカーバイドなどで作られた非磁性基板106の上に、アルミナの絶縁膜、下部シールド105、絶縁膜、磁気抵抗素子104、絶縁膜、下部磁極としての機能を有する中間シールド102、記録ギャップ、上部磁極101を持つ。下部シールド105、磁気抵抗素子104、中間シールド102の各々の間を絶縁する絶縁膜110は図示を省略しているが、実際には各々の膜の間に充填されるものである。中間シールド102と上部磁極101の間には、絶縁膜からなる記録ギャップ108を有しており、誘導型記録ヘッドの磁気的なギャップとして機能する。さらに、中間シールドと上部磁極の間には絶縁膜を介してコイル107が巻回配置されている。また、中間シールドと下部シールドの間には、磁気抵抗素子104を包む絶縁膜からなる再生ギャップ109が設けられ、磁気抵抗型再生ヘッドの磁気的なギャップとして機能する。図7は、図8のような従来のMRヘッドを媒体対向面からみたときの一部断面図に相当する。媒体対向面は図中の矢印Aに垂直な面に相当する。
【0003】
高密度記録化を進めるためにトラック密度が高くなるが、対応して記録トラック幅を狭くする必要がある。媒体の記録トラック幅は上部磁極先端の幅でほぼ規定されるため、以降は上部磁極先端の幅を記録トラック幅Twと呼ぶことにする。以下に、上部磁極をフレームメッキ法で形成する従来技術について、中間シールドを形成した後から上部磁極を形成するまでの工程を図9を用いて説明する。中間シールド102上に記録ギャップ108を形成する。コイル、絶縁膜を形成後、記録ギャップ108の膜上にメッキ下地膜101aを成膜する(図9(1))。本図は上部磁極先端部に相当する部分のみを図示した。レジストを塗布、露光、現像し、メッキ用フレームパターン111を形成(図9(2))。上部磁極として磁性金属膜101をメッキ法で成膜(図9(3))。フレームレジスト111を除去し、メッキ下地膜101aをイオンミリングで除去(図9(4))。さらにポールトリミングを加える(図9(5))。
【0004】
従来法では上部磁極を上記のようにフレームメッキ法で形成するため、磁性膜を厚くメッキするためにはフレームレジストを厚くする必要がある。一方レジストが厚くなると(2)の工程で狭いフレームパターンを形成することが難しくなる。例えば、フレームの側面に傾斜がついて、垂直な側面でなくなったり、上部磁極101の先端を正確にTwに形成できなくなる。即ち、従来法では寸法精度を保持しつつ記録トラック幅を狭くすると上部磁極高さが低くなってしまう。記録トラック幅が狭くなると同時に上部磁極高さが低くなると上部磁極断面が小さくなり、上部磁極先端に達する総磁束量が低下し、記録性能が劣化する。このように従来技術では記録トラック幅が狭くなると、記録性能が劣化する問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来のMRヘッドのプロセスでは、記録トラック幅が狭くなると、記録性能が劣化する問題があった。そこで本発明は、狭トラック形成と記録性能を両立させることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁気抵抗型再生ヘッドと誘導型記録ヘッドを具備するMRヘッドを製造する方法であって、
金属膜を成膜した後にフレームレジストを形成し、その後、前記金属膜にイオンミリングを加えることで前記フレームレジスト側面に前記金属膜を再付着させて上部磁極メッキ用下地膜を形成し、
前記上部磁極メッキ用下地膜上で、前記フレームレジスト側面に垂直な方向に上部磁極の浮上面近傍の部分をメッキ法で作製し、前記上部磁極のフレームレジスト側面に垂直な方向の厚さで記録トラック幅を規定することを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の製造方法によるMRヘッドを示す。図1及び図2は参考例としてMRヘッドの製造工程を説明する断面図である。図2は図1の製造工程の続きである。図3及び図4は本発明のMRヘッドの製造工程を説明する断面図である。図4は図3の製造工程の続きである。図5は、図6のMRヘッドの製造工程を説明する断面図である。図6は本発明のMRヘッドの断面図であり、図3及び図4の製造工程を含む製造工程で作製したMRヘッドに相当する。図2中の(11)あるいは図4中の(11)は、図6のMRヘッドのB−B断面の要部に相当する。図6は、例えば図8の矢印Bの向きからみた横断面図に相当する。
【0012】
参考例1として、図1、図2、図5および図6でMRヘッドを形成する工程を説明する。まず、図5の構成を形成するまでの工程を説明する。アルミナ・チタンカーバイド基板41の上にアルミナの非磁性絶縁膜42を形成した。この非磁性絶縁膜42の上に80Ni20Feの下部シールド43をメッキで形成した。この上に再生ギャップを構成する非磁性絶縁膜として、アルミナの非磁性絶縁膜44を積層した後、磁気抵抗素子45とそれに電流を供給する電極膜を形成した。電極膜には磁気抵抗素子にバイアスを印加する永久磁石膜等を含む。さらに再生ギャップを構成する非磁性絶縁膜46を積層した。
【0013】
次に、この非磁性絶縁膜の上に、メッキ用の下地となる導電膜47として80Ni20Fe膜をスパッタリングで形成する。ここで、80Ni20Fe膜は、その組成がニッケル80%と鉄20%で構成されている磁性膜であることを示す。この導電膜47上にフォトレジスト膜を塗布し、所定の温度でベークを行う。このレジスト膜の上にフォトマスクを位置決めして露光し、続いて現像および水洗処理を施す。この処理により中間シールド2の外形に沿ったレジストパターンが形成される。次に硫化ニッケルや硫化鉄を含むメッキ溶液を用いて80Ni20Fe膜をメッキして4μmの厚みの中間シールド2を形成した。メッキ処理後、洗浄と乾燥処理を行って、メッキ液の成分や水分を除去した。
【0014】
次に絶縁膜を6μm成膜した後、中間シールド2の膜厚が2.5μmとなるように研磨を行い(CMP)、中間シールド2を露出させた(図5には図示せず)。CMP(Chemical Mechanic Polishing)とは、研磨材にエッチング液を添加することにより、精密で平坦な研磨面を得る研磨方法である。レジストを塗布、露光、現像し、メッキ用のフレームを形成し、上部磁極との接続部分(バックコンタクト31)に45Ni55Fe膜を5μmの厚みにメッキした。次に記録ギャップ8の絶縁膜としてアルミナを0.2μm成膜した後、絶縁膜22を形成し、その上にらせん状の薄膜コイル24の第一層5ターンをフレームを用いたメッキで形成した。
【0015】
続けて図5の要部の製造工程の参考例を図1および図2で説明する。この後メッキ下地膜1aとして非磁性導電膜をスパッタリング法で成膜した(図1、(1))。メッキ下地膜1a上にレジストを塗布、露光、現像し、メッキ用フレーム11を形成した(図1、(2))。フレームの厚さは7μm、フレーム間隔は3μmとした。次にCuやNi等の非磁性金属膜1bを6μm厚メッキした(図1、(3))。フレームのレジストを有機溶剤で除去後(図1、(4))、イオンミリングによりメッキ下地膜1aを除去した。図1には図示しないが、基板41の一部をレジストで覆い、一部メッキ下地膜1aを残すことで、後の工程でメッキする際の導通が容易になる。
【0016】
次にレジスト12を塗布、露光、現像し(図1、(6))、(3)の工程でメッキした非磁性金属膜1bの一部を覆った(図1、(6))。この状態で、メッキ磁性金属膜として45Ni55Fe膜を0.6μm厚で非磁性金属膜1bの側面にメッキし(図2、(7))、上部磁極先端1を形成した。イオンミリングにより非磁性金属膜1bの上面の一部にメッキされた45Ni55Fe膜を除去した(図2、(8))。
【0017】
レジスト12を有機溶剤で除去し(図2、(9))、非磁性金属膜1bとそのメッキ下地膜1aを選択エッチングで除去した(図2、(10))。薄膜コイル(図5の24に相当する)をレジストで保護した後、上部磁極先端をマスクにしてイオンミリングによるポールトリミングを行った(図2、(11))。図2の(11)に浮上面からみた記録トラック幅Twと、上部磁極の高さhを示す。ここでポールトリミングとは、上部磁極または中間シールドの少なくとも一部をトラック幅に加工することをいう。
【0018】
続けて、図5の説明に戻る。次に、上部磁極先端1や中間シールド2を覆う絶縁膜23を成膜した後、研磨(CMP)により上部磁極先端1とバックコンタクト31を露出させた(図5)。この上に巻数が4ターンの薄膜コイルの第二層25を形成し、さらに薄膜コイルを覆う絶縁層26を形成した後、上部磁極後部40として厚さ3.0μmの45Ni55Fe膜をメッキで形成した。最後に保護膜27としてアルミナ等の絶縁膜をスパッタリングで積層した。このようにして得たMRヘッドの断面形状を図6に示す。
【0019】
参考例1で上部磁極先端の記録トラック幅が0.5μm、上部磁極高さが3.5μmのMRヘッドを得た。上記の構成としたMRヘッドの記録再生特性を以下の条件で評価した。保磁力が3500Oeの媒体(ディスク)を5400rpmで回転させ、MRヘッドで記録と再生を行なった。すなわち、MRヘッドを備えたスライダーを媒体に対して一定の浮上量で浮上させることによりMRヘッドを媒体に対向させ、初期記録周波数で記録と再生を行ない、続けて重ね書き周波数で記録後に再生を行って、オーバーライト特性を評価した。オーバーライトの評価は初めに長波長の信号を磁気ディスクに記録した後にその信号Vhを読み出し、次に短波長の信号を重ね書きしてから先に記録した長波長信号の残存分Vlを読み出す。オーバーライト特性(O/W)とは、重ね書きする前の信号と重ね書き後に残存する信号との比の対数値、すなわち次のような式をdBの単位で表示する。
O/W=20×log(Vl/Vh)
以下、O/Wの値をオーバーライトと呼ぶ。
【0020】
オーバーライトが低いと、先に記録した信号が残留して再生出力信号にノイズが生じ易くなるため、−30dB程度以下にすることが望ましい。本参考例1では、磁気浮上量は35nm、再生素子の電流密度80MA/cm2、記録電流は35mA、初期記録は70kFCI、重ね書きは420kFCIとした。この結果、MRヘッドのオーバーライトは−36dBと高い記録性能が得られた。
【0021】
従来技術(図9)の製造方法で作成したMRヘッドは、上部磁極先端の記録トラック幅は参考例1と同じ0.5μmだが上部磁極高さはフォトリソの限界から2.0μmになった。その他は参考例1と同様の条件で作製した。参考例1と同じ条件で測定したところ、オーバーライトが−23dBであり、従来技術の狭トラックヘッドでは記録特性が得られなかった。
【0022】
本発明の実施の形態として、図3および図4にイオンミリングによりレジスト側面にメッキ下地膜を再付着させ、上部磁極を形成するプロセスを示す。なお、基板上に1層目の薄膜コイルを設けるまでの工程は、参考例1と同様である。まず、基板上に絶縁膜を介して80Ni20Fe膜からなる下部シールドを形成し、この上に再生ギャップのアルミナ等の非磁性絶縁膜を積層した後、磁気抵抗素子を形成し、さらに再生ギャップ用の非磁性絶縁膜を積層した。磁気抵抗素子は参考例1と同じ構成である。これらの上に、中間シールドを成膜した。中間シールドは厚さ4μmの80Ni20Fe膜である。
【0023】
次に絶縁膜を6μm成膜した後、中間シールドの膜厚が2.5μmとなるように研磨を行い(CMP)、中間シールドを露出させた。レジストを塗布、露光、現像し、メッキ用のフレームを形成し、上部磁極との接続部分(バックコンタクト)に45Ni55Fe膜を5μmの厚みにメッキした。次に記録ギャップ8の絶縁膜としてアルミナを0.2μm成膜した後、絶縁膜を形成し、その上にらせん状の、薄膜コイルの第一層5ターンをフレームメッキで形成した。
【0024】
続けて、本発明の要部の工程を図3および図4で説明する。メッキ下地1a用に非磁性導電膜をスパッタリング法で成膜した(図3、(1))。レジストを塗布、露光、現像し、メッキ用のフレーム11a、11bを形成した(図3、(2))。フレームの厚さは7μm、フレーム間隔は3μmとした。アルゴンイオンの入射角度がほぼ垂直の条件でイオンミリングを行い(図3、(3))、フレーム間のメッキ下地膜1aを飛散させて、レジストフレーム11a、11bの側面に再付着させた(図3、(4))。入射角度を小さくして一方向を主体にイオンミリング工程を追加することで(図3、(5))、一方の側面の再付着膜1dを除去した(図3、(6))。次に45Ni55Fe膜をメッキ法で0.6μm成膜し(図4、(7))、上部磁極先端(メッキ磁性金属膜1)を形成した。イオンミリングにより(図4、(8))、レジスト上面の一部にメッキされた45Ni55Fe膜を削って、メッキ磁性金属膜の断面を矩形に整えた(図4、(9))。
【0025】
レジスト11bを有機溶剤で除去し、メッキ下地膜1aとその再付着膜1cを選択エッチングで除去した(図4、(10))。メッキ下地膜にはCrを用い、エッチング液に、硝酸第2セリウムアンモン360gを純水2040gに溶かした液を用いる事で選択エッチングが可能である。薄膜コイルをレジストで保護した後(図4には表示せず)、上部磁極先端1をマスクにしてイオンミリングによるトリミングを行った(図4、(11))。
【0026】
これ以降、参考例1と同じ条件でプロセスを進め、MRヘッドを作製した。記録ギャップ長は0.2μm、薄膜コイルは2層9ターンである。最終的に上部磁極先端の記録トラック幅が0.5μm、上部磁極高さが3.5μmを得た。参考例1と同じ条件で評価すると、本発明のMRヘッドのオーバーライトは−35dBと高い記録性能で動作し、狭記録トラック幅と高記録特性を両立させた。
【0027】
参考例1の変形として参考例2を説明する。参考例2のMRヘッドは、参考例1の製造工程中、図1(1)から図2(9)までの工程と、図5から図6に至る工程を用い、図2(10)および(11)の工程を削除して作製した。この構成の利点は、上部磁極先端1の側面に非磁性金属膜1bを設けているため、図5における絶縁膜23を被覆する工程で、アルミナをスパッタ形成する際の応力が大きくなっても、上部磁極先端1が歪まないということにある。
【0028】
上記参考例2は中間シールドをトリミングしていないため、上部磁極先端の側面から中間シールドにわずかに記録磁界が漏洩した。上部磁極先端の幅(記録トラック幅)自体が従来技術に比べて狭いため、従来のMRヘッドに比べれば漏洩する記録磁界の幅が小さく、記録性能は改善されているといえる。しかし、漏洩磁界を十分抑制した本発明または参考例1に比べると、磁気媒体に記録するデータビットの幅がわずかに増加した。この点を改善し、本発明または参考例1に近い構成として参考例3を説明する。
【0029】
参考例3のMRヘッドは、参考例2の製造工程中で図1の(1)や図3(1)に至る前に、中間シールドの上面(記録ギャップ8を積層する側)をトリミングした。即ち、中間シールドを形成した後に、上部磁極先端を突合わせるべき位置に記録トラック幅と同等の幅を有するレジスト部材を形成した。続けて、中間シールドをイオンミリングでエッチングした。レジストで被覆されている部分はエッチングされないために残存し、中間シールドの上面には記録トラック幅に対応する凸形状が形成された。続けて、アルミナ等の非磁性膜をスパッタで積層し、イオンミリングでエッチングされた箇所に充填させた。さらに凸形状の周囲で盛り上がっている非磁性膜をイオンミリングでエッチングして、凸形状の上面に一致する平面を形成した。この平面上にアルミナ膜を成膜して記録ギャップ8とした。この後の工程は参考例2と同様とした。
【0030】
上記の本発明のMRヘッドにおいて、磁気抵抗素子45には、磁気抵抗効果膜とスペーサとSAL膜を備えるSALバイアス型MR素子、反強磁性膜を接合した軟磁性膜と非磁性金属膜と軟磁性膜を備えるスピンバルブ型MR素子、複数の軟磁性膜を積層した構成を備えるGMR素子、2つの軟磁性膜で絶縁膜を挟む構成を備えたトンネル接合型MR素子等を用いることができた。これらの素子の再生トラック幅は、MRヘッドの上部磁極先端の幅(記録トラック幅)以下の大きさにすることが好ましい。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の構成を用いることにより、狭記録トラック幅と高記録特性を両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 参考例としてMRヘッドの製造工程を説明する断面図。
【図2】 参考例としてMRヘッドの製造工程を説明する断面図。
【図3】 本発明のMRヘッドの製造工程を説明する断面図。
【図4】 本発明のMRヘッドの製造工程を説明する断面図。
【図5】 本発明のMRヘッドの製造工程を説明する断面図。
【図6】 本発明のMRヘッドの断面図である。
【図7】 従来のMRヘッドの断面図。
【図8】 従来のMRヘッドの斜視図。
【図9】 従来のMRヘッドの製造工程を説明する断面図。
Claims (1)
- 磁気抵抗型再生ヘッドと誘導型記録ヘッドを具備するMRヘッドを製造する方法であって、
金属膜を成膜した後にフレームレジストを形成し、その後、前記金属膜にイオンミリングを加えることで前記フレームレジスト側面に前記金属膜を再付着させて上部磁極メッキ用下地膜を形成し、
前記上部磁極メッキ用下地膜上で、前記フレームレジスト側面に垂直な方向に上部磁極の浮上面近傍の部分をメッキ法で作製し、前記上部磁極のフレームレジスト側面に垂直な方向の厚さで記録トラック幅を規定することを特徴とするMRヘッドの製造方法。
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