JPH11149620A - 磁気ヘッド - Google Patents
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- JPH11149620A JPH11149620A JP10253019A JP25301998A JPH11149620A JP H11149620 A JPH11149620 A JP H11149620A JP 10253019 A JP10253019 A JP 10253019A JP 25301998 A JP25301998 A JP 25301998A JP H11149620 A JPH11149620 A JP H11149620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅を狭トラッ
ク化する場合において、磁極の先端部近傍での磁気飽和
を抑制し、これにより磁界強度および磁界傾度の向上を
図る。 【解決手段】 上下一対の磁極のうち、少なくとも一方
は磁気ギャップと接する位置に配置された磁極チップと
これより幅広の補助磁極とを有している。このようなＴ
字型磁極の媒体対向面近傍部分は、磁極チップとその近
傍の補助磁極の一部を構成する高飽和磁束密度の磁性材
料層と、補助磁極の残余の部分を構成する低飽和磁束密
度の磁性材料層との積層膜で構成されている。あるい
は、高飽和磁束密度の磁性材料層と低飽和磁束密度の磁
性材料層との積層膜で、トラック幅が1.8μm 以下の磁
極の先端部を構成する場合において、高飽和磁束密度の
磁性材料層の厚さを 0.5μm 以上とする。
ク化する場合において、磁極の先端部近傍での磁気飽和
を抑制し、これにより磁界強度および磁界傾度の向上を
図る。 【解決手段】 上下一対の磁極のうち、少なくとも一方
は磁気ギャップと接する位置に配置された磁極チップと
これより幅広の補助磁極とを有している。このようなＴ
字型磁極の媒体対向面近傍部分は、磁極チップとその近
傍の補助磁極の一部を構成する高飽和磁束密度の磁性材
料層と、補助磁極の残余の部分を構成する低飽和磁束密
度の磁性材料層との積層膜で構成されている。あるい
は、高飽和磁束密度の磁性材料層と低飽和磁束密度の磁
性材料層との積層膜で、トラック幅が1.8μm 以下の磁
極の先端部を構成する場合において、高飽和磁束密度の
磁性材料層の厚さを 0.5μm 以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、狭トラック化した
際の磁極先端部での磁気飽和を抑制した薄膜磁気ヘッド
に関する。
際の磁極先端部での磁気飽和を抑制した薄膜磁気ヘッド
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録密度の高密度化が進めら
れている。例えば、ＨＤＤでは1Gbpsi/inch2 という高
記録密度のシステムが実用化されており、またさらなる
記録密度の高密度化が要求されている。このような磁気
記録の高密度化を達成するために、薄膜磁気へッドの記
録トラック幅の狭トラック化、狭トラック下での記録磁
界の増大、および線方向の記録磁界分布における磁界傾
度の急峻化が技術課題とされている。
れている。例えば、ＨＤＤでは1Gbpsi/inch2 という高
記録密度のシステムが実用化されており、またさらなる
記録密度の高密度化が要求されている。このような磁気
記録の高密度化を達成するために、薄膜磁気へッドの記
録トラック幅の狭トラック化、狭トラック下での記録磁
界の増大、および線方向の記録磁界分布における磁界傾
度の急峻化が技術課題とされている。
【０００３】図１８は従来の一般的な記録へッドとして
の薄膜磁気ヘッドの概略構造を示す図である。図１８に
おいて、１は下部磁極である。下部磁極１上には記録磁
気ギャップ２を介して上部磁極３が形成されている。上
部磁極３はトラック幅に応じた形状の媒体対向面（ＡＢ
Ｓ面）を有する。上部磁極３は、媒体対向面の近傍部分
からコイル（図示せず）が配置されている後方部分に向
けて、扇状に広がった形状を有している。図１８に示し
たような形状の磁極３は、狭トラック化に対応させた先
端部を、従来のヘッド製造工程では精度よく加工するこ
とが難しい。さらに、磁極３の幅が狭くなっている部分
（ネック部４）で磁気飽和が起こり、大きな記録磁界を
発生させることが困難になってきている。
の薄膜磁気ヘッドの概略構造を示す図である。図１８に
おいて、１は下部磁極である。下部磁極１上には記録磁
気ギャップ２を介して上部磁極３が形成されている。上
部磁極３はトラック幅に応じた形状の媒体対向面（ＡＢ
Ｓ面）を有する。上部磁極３は、媒体対向面の近傍部分
からコイル（図示せず）が配置されている後方部分に向
けて、扇状に広がった形状を有している。図１８に示し
たような形状の磁極３は、狭トラック化に対応させた先
端部を、従来のヘッド製造工程では精度よく加工するこ
とが難しい。さらに、磁極３の幅が狭くなっている部分
（ネック部４）で磁気飽和が起こり、大きな記録磁界を
発生させることが困難になってきている。
【０００４】記録磁界強度を増やすために、バルクヘッ
ドで使用されているＭＩＧ（MetalIn Gap）ヘッドと同
様な構造を、薄膜磁気ヘッドに適用することが試みられ
ている。すなわち、磁気ギャップと対向する部分に厚さ
0.2μm 程度の極薄い高飽和磁束密度を有する磁性材料
層を配置した薄膜磁気ヘッドである。このような薄膜磁
気ヘッドの記録トラック幅を狭トラック化していった場
合、飽和磁束密度が異なる 2つの磁性材料層の積層部分
において、低飽和磁束密度層側で磁気飽和が生じる。従
って、記録磁界強度が低下するだけでなく、磁界傾度も
低下するため、線方向の分解能が低下し、ＮＬＴＳ(Non
Linear Transition Sift)の劣化といった問題が生じて
しまう。
ドで使用されているＭＩＧ（MetalIn Gap）ヘッドと同
様な構造を、薄膜磁気ヘッドに適用することが試みられ
ている。すなわち、磁気ギャップと対向する部分に厚さ
0.2μm 程度の極薄い高飽和磁束密度を有する磁性材料
層を配置した薄膜磁気ヘッドである。このような薄膜磁
気ヘッドの記録トラック幅を狭トラック化していった場
合、飽和磁束密度が異なる 2つの磁性材料層の積層部分
において、低飽和磁束密度層側で磁気飽和が生じる。従
って、記録磁界強度が低下するだけでなく、磁界傾度も
低下するため、線方向の分解能が低下し、ＮＬＴＳ(Non
Linear Transition Sift)の劣化といった問題が生じて
しまう。
【０００５】さらに、磁極先端に向けて幅が狭くなる部
分での磁気飽和を回避するために、図１９に示すような
Ｔ字形の薄膜磁気ヘッドが提案されている。図１９に示
す薄膜磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁極（図１９で
は上部磁極５）の媒体対向面近傍部分を、記録磁気ギャ
ップ２と接する磁極チップ（磁極先端部５ａ）と、それ
よりも幅の広い補助磁極５ｂとにより構成し、磁極５の
媒体対向面の形状をＴ字型としている。
分での磁気飽和を回避するために、図１９に示すような
Ｔ字形の薄膜磁気ヘッドが提案されている。図１９に示
す薄膜磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁極（図１９で
は上部磁極５）の媒体対向面近傍部分を、記録磁気ギャ
ップ２と接する磁極チップ（磁極先端部５ａ）と、それ
よりも幅の広い補助磁極５ｂとにより構成し、磁極５の
媒体対向面の形状をＴ字型としている。
【０００６】Ｔ字型の磁極５は、例えば図２０に示すよ
うに、記録磁気ギャップ２上に設けた絶縁層６に所定の
トラック幅を有するトレンチ７を形成し、このトレンチ
７内に磁性層を埋め込み形成することにより実現するこ
とができる。このようなトレンチ７を利用したＴ字型磁
極５は、磁極チップ５ａの形状や形成位置などをトレン
チの形状により制御することができることから、狭トラ
ック化した磁極チップ５ａを高精度に実現可能とするも
のである。
うに、記録磁気ギャップ２上に設けた絶縁層６に所定の
トラック幅を有するトレンチ７を形成し、このトレンチ
７内に磁性層を埋め込み形成することにより実現するこ
とができる。このようなトレンチ７を利用したＴ字型磁
極５は、磁極チップ５ａの形状や形成位置などをトレン
チの形状により制御することができることから、狭トラ
ック化した磁極チップ５ａを高精度に実現可能とするも
のである。
【０００７】しかしながら、Ｔ字型磁極５でより一層の
狭トラック化を達成するために、磁極チップ５ａのギャ
ップ対向面の幅を狭くしていくと、磁極チップ５ａと補
助磁極５ｂとの積層部分（接続部）８で磁束の集中によ
る磁気飽和が起こる。この場合にも、記録磁界強度や磁
界傾度の低下という問題が生じる。
狭トラック化を達成するために、磁極チップ５ａのギャ
ップ対向面の幅を狭くしていくと、磁極チップ５ａと補
助磁極５ｂとの積層部分（接続部）８で磁束の集中によ
る磁気飽和が起こる。この場合にも、記録磁界強度や磁
界傾度の低下という問題が生じる。
【０００８】Ｔ字型磁極５において、磁極チップ５ａに
補助磁極５ｂより飽和磁束密度が大きい磁性材料を適用
することも検討されている。しかし、このような構造に
おいても、磁極チップ５ａと補助磁極５ｂとの積層部分
での磁気飽和を十分に防ぐことはできない。
補助磁極５ｂより飽和磁束密度が大きい磁性材料を適用
することも検討されている。しかし、このような構造に
おいても、磁極チップ５ａと補助磁極５ｂとの積層部分
での磁気飽和を十分に防ぐことはできない。
【０００９】例えば、記録磁界強度を増大させるため
に、記録磁界を増加していくと磁極チップ５ａと補助磁
極５ｂとの積層部分で磁気飽和が起こる。積層部分で磁
気飽和が起きると、高飽和磁束密度を有する磁性材料を
使用した磁極チップ５ａに十分な磁束を流すことができ
なくなり、記録電流の増加に見合うほど磁界強度を向上
させることができない。さらに、磁気飽和をおこした部
分から漏れ出す磁界により線方向の磁界傾度も低下し
て、ＮＬＴＳの劣化といった問題が生じる。
に、記録磁界を増加していくと磁極チップ５ａと補助磁
極５ｂとの積層部分で磁気飽和が起こる。積層部分で磁
気飽和が起きると、高飽和磁束密度を有する磁性材料を
使用した磁極チップ５ａに十分な磁束を流すことができ
なくなり、記録電流の増加に見合うほど磁界強度を向上
させることができない。さらに、磁気飽和をおこした部
分から漏れ出す磁界により線方向の磁界傾度も低下し
て、ＮＬＴＳの劣化といった問題が生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の薄膜磁気ヘッドは、狭トラック化した場合にヘッドの
いずれかの部分で磁気飽和が起こりやすいという問題を
有している。このような磁気ヘッドにおける磁気飽和
は、記録磁界強度や磁界傾度の低下原因、さらにはＮＬ
ＴＳの劣化原因となるため、磁気記録密度の高密度化を
妨げている。
の薄膜磁気ヘッドは、狭トラック化した場合にヘッドの
いずれかの部分で磁気飽和が起こりやすいという問題を
有している。このような磁気ヘッドにおける磁気飽和
は、記録磁界強度や磁界傾度の低下原因、さらにはＮＬ
ＴＳの劣化原因となるため、磁気記録密度の高密度化を
妨げている。
【００１１】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、記録トラック幅を狭トラック化した場
合において、磁極の先端部近傍での磁気飽和を抑制し、
これにより優れた磁界強度および磁界傾度を得ることを
可能にした磁気ヘッドを提供することを目的としてい
る。
なされたもので、記録トラック幅を狭トラック化した場
合において、磁極の先端部近傍での磁気飽和を抑制し、
これにより優れた磁界強度および磁界傾度を得ることを
可能にした磁気ヘッドを提供することを目的としてい
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明における第１の磁
気ヘッドは、請求項１に記載したように、媒体対向面に
位置するように配置された磁気ギャップと、前記磁気ギ
ャップを挟持するように配置され、少なくとも一方が前
記磁気ギャップと接する磁極チップと前記磁極チップよ
り幅広の補助磁極とを有するＴ字型磁極からなる一対の
磁極と、前記磁極と差交するように、前記一対の磁極間
に配置されたコイルとを具備する磁気ヘッドにおいて、
前記Ｔ字型磁極は、飽和磁束密度が異なる 2種類または
それ以上の磁性材料層の積層膜を有し、前記積層膜中の
磁性材料層のうち前記磁気ギャップ側に配置された高飽
和磁束密度を有する磁性材料層は、前記磁極チップとそ
の近傍の前記補助磁極の一部を構成していることを特徴
としている。
気ヘッドは、請求項１に記載したように、媒体対向面に
位置するように配置された磁気ギャップと、前記磁気ギ
ャップを挟持するように配置され、少なくとも一方が前
記磁気ギャップと接する磁極チップと前記磁極チップよ
り幅広の補助磁極とを有するＴ字型磁極からなる一対の
磁極と、前記磁極と差交するように、前記一対の磁極間
に配置されたコイルとを具備する磁気ヘッドにおいて、
前記Ｔ字型磁極は、飽和磁束密度が異なる 2種類または
それ以上の磁性材料層の積層膜を有し、前記積層膜中の
磁性材料層のうち前記磁気ギャップ側に配置された高飽
和磁束密度を有する磁性材料層は、前記磁極チップとそ
の近傍の前記補助磁極の一部を構成していることを特徴
としている。
【００１３】本発明の第１の磁気ヘッドは、請求項２に
記載したように、特に磁極チップの磁気ギャップと接す
る部分の幅が 1.8μm 以下である場合に効果的である。
記載したように、特に磁極チップの磁気ギャップと接す
る部分の幅が 1.8μm 以下である場合に効果的である。
【００１４】また、Ｔ字型磁極は例えば請求項３に記載
したように、飽和磁束密度Ｂs 1 を有すると共に、磁極
チップとその近傍の補助磁極の一部を構成している第１
の磁性材料層と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小さい飽和磁
束密度Ｂs 2 を有し、補助磁極の残余の部分を構成して
いる第２の磁性材料層とを有している。Ｔ字型磁極は請
求項４に記載したように、さらに飽和磁束密度Ｂs 1 よ
り大きい飽和磁束密度Ｂs 3 を有し、磁気ギャップと接
するように配置された第３の磁性材料層を有していても
よい。
したように、飽和磁束密度Ｂs 1 を有すると共に、磁極
チップとその近傍の補助磁極の一部を構成している第１
の磁性材料層と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小さい飽和磁
束密度Ｂs 2 を有し、補助磁極の残余の部分を構成して
いる第２の磁性材料層とを有している。Ｔ字型磁極は請
求項４に記載したように、さらに飽和磁束密度Ｂs 1 よ
り大きい飽和磁束密度Ｂs 3 を有し、磁気ギャップと接
するように配置された第３の磁性材料層を有していても
よい。
【００１５】本発明の第１の磁気ヘッドにおいては、高
飽和磁化を有する磁性材料層で、磁極先端部を構成する
磁極チップのみならず、磁極チップ近傍の補助磁極の一
部を構成している。従って、トラック幅に対応して幅の
狭い磁極チップと補助磁極との接続部分における磁気飽
和を抑制することができる。このように、磁極チップと
補助磁極との接続部分での磁気飽和を抑制することによ
って、記録トラックの狭トラック化を進めた場合におい
ても、良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能
となる。特に、記録磁界強度を上げるために記録電流を
増加させた際に、それに見合った磁界強度を得ることが
でき、さらには磁界傾度の急峻化を達成することができ
る。
飽和磁化を有する磁性材料層で、磁極先端部を構成する
磁極チップのみならず、磁極チップ近傍の補助磁極の一
部を構成している。従って、トラック幅に対応して幅の
狭い磁極チップと補助磁極との接続部分における磁気飽
和を抑制することができる。このように、磁極チップと
補助磁極との接続部分での磁気飽和を抑制することによ
って、記録トラックの狭トラック化を進めた場合におい
ても、良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能
となる。特に、記録磁界強度を上げるために記録電流を
増加させた際に、それに見合った磁界強度を得ることが
でき、さらには磁界傾度の急峻化を達成することができ
る。
【００１６】本発明の第２の磁気ヘッドは、請求項６に
記載したように、媒体対向面に位置するように配置され
た磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように
配置された一対の磁極と、前記磁極と差交するように、
前記一対の磁極間に配置されたコイルとを具備する磁気
ヘッドにおいて、前記一対の磁極のうち少なくとも一方
の磁極は、前記磁気ギャップと接する部分の幅が 1.8μ
m 以下であり、かつ前記媒体対向面近傍が飽和磁束密度
が異なる 2種類またはそれ以上の磁性材料層の積層膜に
より構成されていると共に、前記積層膜のうち前記磁気
ギャップ側に配置された高飽和磁束密度を有する磁性材
料層の厚さが 0.5μm 以上であることを特徴としてい
る。
記載したように、媒体対向面に位置するように配置され
た磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように
配置された一対の磁極と、前記磁極と差交するように、
前記一対の磁極間に配置されたコイルとを具備する磁気
ヘッドにおいて、前記一対の磁極のうち少なくとも一方
の磁極は、前記磁気ギャップと接する部分の幅が 1.8μ
m 以下であり、かつ前記媒体対向面近傍が飽和磁束密度
が異なる 2種類またはそれ以上の磁性材料層の積層膜に
より構成されていると共に、前記積層膜のうち前記磁気
ギャップ側に配置された高飽和磁束密度を有する磁性材
料層の厚さが 0.5μm 以上であることを特徴としてい
る。
【００１７】本発明の第３の磁気ヘッドは、請求項７に
記載したように、媒体対向面に位置するように配置され
た磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように
配置された一対の磁極と、前記磁極と差交するように、
前記一対の磁極間に配置されたコイルとを具備する磁気
ヘッドにおいて、前記一対の磁極のうち少なくとも一方
の磁極は、前記媒体対向面の幅が 1.8μm 以下および前
記媒体対向面に対して垂直方向の高さが 2μm 以下の形
状を有する凸部を備え、かつ前記媒体対向面近傍が飽和
磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上の磁性材料層の
積層膜により構成されていると共に、前記積層膜のうち
前記磁気ギャップ側に配置された高飽和磁束密度を有す
る磁性材料層の厚さが 0.5μm 以上であることを特徴と
している。 本発明の第２および第３の磁気ヘッドにお
いて、上記した磁極は例えば請求項８に記載したよう
に、磁気ギャップ側に配置され、飽和磁束密度Ｂs 1 を
有する第１の磁性材料層と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小
さい飽和磁束密度Ｂs 2 を有し、第１の磁性材料層と積
層された第２の磁性材料層とを有する。上記した磁極は
請求項９に記載したように、さらに飽和磁束密度Ｂs 1
より大きい飽和磁束密度 Ｂs 3 を有し、磁気ギャップ
と接するように配置された第３の磁性材料層を有してい
てもよい。
記載したように、媒体対向面に位置するように配置され
た磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように
配置された一対の磁極と、前記磁極と差交するように、
前記一対の磁極間に配置されたコイルとを具備する磁気
ヘッドにおいて、前記一対の磁極のうち少なくとも一方
の磁極は、前記媒体対向面の幅が 1.8μm 以下および前
記媒体対向面に対して垂直方向の高さが 2μm 以下の形
状を有する凸部を備え、かつ前記媒体対向面近傍が飽和
磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上の磁性材料層の
積層膜により構成されていると共に、前記積層膜のうち
前記磁気ギャップ側に配置された高飽和磁束密度を有す
る磁性材料層の厚さが 0.5μm 以上であることを特徴と
している。 本発明の第２および第３の磁気ヘッドにお
いて、上記した磁極は例えば請求項８に記載したよう
に、磁気ギャップ側に配置され、飽和磁束密度Ｂs 1 を
有する第１の磁性材料層と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小
さい飽和磁束密度Ｂs 2 を有し、第１の磁性材料層と積
層された第２の磁性材料層とを有する。上記した磁極は
請求項９に記載したように、さらに飽和磁束密度Ｂs 1
より大きい飽和磁束密度 Ｂs 3 を有し、磁気ギャップ
と接するように配置された第３の磁性材料層を有してい
てもよい。
【００１８】本発明の第２および第３の磁気ヘッドで
は、記録トラック幅を 1.8μm 以下と狭トラック化する
場合に、高飽和磁束密度を有する磁性材料層の厚さを
0.5μm以上としている。すなわち、トラック幅が比較的
広い場合には、磁束の集中が少ないために、ギャップ近
傍の極狭い領域のみに高飽和磁束密度を有する磁性材料
を配置することによって、磁界傾度を大きくしていた。
これに対し、記録トラック幅を 1.8μm 以下と狭トラッ
ク化する場合には、磁束の集中が激しく磁気飽和の影響
が大きくなる。このため、高飽和磁束密度を有する磁性
材料層の厚さを0.5μm 以上と厚くすることによって、
良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能とな
る。
は、記録トラック幅を 1.8μm 以下と狭トラック化する
場合に、高飽和磁束密度を有する磁性材料層の厚さを
0.5μm以上としている。すなわち、トラック幅が比較的
広い場合には、磁束の集中が少ないために、ギャップ近
傍の極狭い領域のみに高飽和磁束密度を有する磁性材料
を配置することによって、磁界傾度を大きくしていた。
これに対し、記録トラック幅を 1.8μm 以下と狭トラッ
ク化する場合には、磁束の集中が激しく磁気飽和の影響
が大きくなる。このため、高飽和磁束密度を有する磁性
材料層の厚さを0.5μm 以上と厚くすることによって、
良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能とな
る。
【００１９】特に、第３の磁気ヘッドのように、磁極の
媒体対向面を幅 1.8μm 以下および高さ 2μm 以下の凸
部で構成することによって、幅 1.8μm 以下という狭ト
ラックを精度よく形成することができる。この際、媒体
対向面に対して垂直方向の高さがあまり高いと磁界強度
が大きく低下してしまうため、凸部の媒体対向面に対し
て垂直方向の高さは 2μm 以下とする。
媒体対向面を幅 1.8μm 以下および高さ 2μm 以下の凸
部で構成することによって、幅 1.8μm 以下という狭ト
ラックを精度よく形成することができる。この際、媒体
対向面に対して垂直方向の高さがあまり高いと磁界強度
が大きく低下してしまうため、凸部の媒体対向面に対し
て垂直方向の高さは 2μm 以下とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について、図面を参照して説明する。
態について、図面を参照して説明する。
【００２１】図１は、本発明の磁気ヘッドを用いた録再
分離型磁気ヘッドの一実施形態の要部構成を一部切り欠
いて示す図である。同図において、１１は基板であり、
この基板１１には例えばＡｌ2 Ｏ3 層を有するＡｌ2 Ｏ
3 ・ＴｉＣ基板が用いられる。基板１１上にはＮｉＦｅ
合金やアモルファスＣｏＺｒＮｂ合金などの軟磁性材料
からなる厚さ 1〜 2μm 程度の下側磁気シールド層１２
が形成されている。
分離型磁気ヘッドの一実施形態の要部構成を一部切り欠
いて示す図である。同図において、１１は基板であり、
この基板１１には例えばＡｌ2 Ｏ3 層を有するＡｌ2 Ｏ
3 ・ＴｉＣ基板が用いられる。基板１１上にはＮｉＦｅ
合金やアモルファスＣｏＺｒＮｂ合金などの軟磁性材料
からなる厚さ 1〜 2μm 程度の下側磁気シールド層１２
が形成されている。
【００２２】下側磁気シールド層１２上には、ＡｌＯx
などの非磁性絶縁材料からなる厚さ150nm程度の下側再
生磁気ギャップ１３を介して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ
膜）１４が形成されている。ＭＲ膜１４の両端部には、
それぞれＭＲ膜１４にセンス電流を供給するリード電極
１５が接続されている。これらＭＲ膜１４およびリード
電極１５は再生素子部を構成している。
などの非磁性絶縁材料からなる厚さ150nm程度の下側再
生磁気ギャップ１３を介して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ
膜）１４が形成されている。ＭＲ膜１４の両端部には、
それぞれＭＲ膜１４にセンス電流を供給するリード電極
１５が接続されている。これらＭＲ膜１４およびリード
電極１５は再生素子部を構成している。
【００２３】ＭＲ膜１４およびリード電極１５上には、
下側再生磁気ギャップ１３と同様な非磁性絶縁材料から
なる上側再生磁気ギャップ１６を介して、上側磁気シー
ルド層１７が形成されている。上側磁気シールド層１７
は下側磁気シールド層１２と同様な軟磁性材料からな
る。これら各構成要素によって、再生ヘッドとしてのシ
ールド型ＭＲヘッド１８が構成されている。
下側再生磁気ギャップ１３と同様な非磁性絶縁材料から
なる上側再生磁気ギャップ１６を介して、上側磁気シー
ルド層１７が形成されている。上側磁気シールド層１７
は下側磁気シールド層１２と同様な軟磁性材料からな
る。これら各構成要素によって、再生ヘッドとしてのシ
ールド型ＭＲヘッド１８が構成されている。
【００２４】上述したシールド型ＭＲヘッド１８上に
は、記録ヘッドとして薄膜磁気ヘッド１９が形成されて
いる。薄膜磁気ヘッド１９の下部記録磁極は、上側磁気
シールド層１７と同一の磁性層により構成されている。
すなわち、シールド型ＭＲヘッド１８の上側磁気シール
ド層１７は、薄膜磁気ヘッド１９の下部記録磁極を兼ね
ている。この上側磁気シールド層を兼ねる下部記録磁極
１７上には、ＡｌＯx などの非磁性絶縁材料からなる記
録磁気ギャップ２０が形成されている。
は、記録ヘッドとして薄膜磁気ヘッド１９が形成されて
いる。薄膜磁気ヘッド１９の下部記録磁極は、上側磁気
シールド層１７と同一の磁性層により構成されている。
すなわち、シールド型ＭＲヘッド１８の上側磁気シール
ド層１７は、薄膜磁気ヘッド１９の下部記録磁極を兼ね
ている。この上側磁気シールド層を兼ねる下部記録磁極
１７上には、ＡｌＯx などの非磁性絶縁材料からなる記
録磁気ギャップ２０が形成されている。
【００２５】記録磁気ギャップ２０上には、媒体対向面
の近傍部分が後に詳述する磁極チップ２１ａとそれより
幅広の補助磁極２１ｂとにより構成された上部記録磁極
２１が設けられている。媒体対向面より後方側には、上
部磁極チップ２１ａとの積層部から後方側に伸びる上部
補助磁極２１ｂの下側に、Ｃｕなどからなるコイル２２
が形成されている。言い換えると、上部補助磁極２１ｂ
と下部記録磁極１７との間にコイル２２が配置されてい
る。コイル２２は図示を省略したポリイミドなどの絶縁
層内に埋め込まれている。これら各構成要素によって、
記録ヘッドとしての薄膜磁気ヘッド１９の主要部が構成
されている。
の近傍部分が後に詳述する磁極チップ２１ａとそれより
幅広の補助磁極２１ｂとにより構成された上部記録磁極
２１が設けられている。媒体対向面より後方側には、上
部磁極チップ２１ａとの積層部から後方側に伸びる上部
補助磁極２１ｂの下側に、Ｃｕなどからなるコイル２２
が形成されている。言い換えると、上部補助磁極２１ｂ
と下部記録磁極１７との間にコイル２２が配置されてい
る。コイル２２は図示を省略したポリイミドなどの絶縁
層内に埋め込まれている。これら各構成要素によって、
記録ヘッドとしての薄膜磁気ヘッド１９の主要部が構成
されている。
【００２６】次に、記録磁極１７、２１の媒体対向面近
傍部分について、図２〜図１１を参照して詳述する。
傍部分について、図２〜図１１を参照して詳述する。
【００２７】上部記録磁極２１の媒体対向面近傍部分
は、例えば図２に示すように、記録磁気ギャップ２０側
に配置された磁極チップ２１ａと、この磁極チップ２１
ａの上側に位置する補助磁極２１ｂとを有している。磁
極チップ２１ａは、所定のトラック幅Ｗ0 で記録磁気ギ
ャップ２０と接しており、磁極先端部を構成している。
補助磁極２１ｂは磁極チップ２１ａより広い幅を有して
いる。これら磁極チップ２１ａと補助磁極２１ｂはＴ字
型磁極を構成している。
は、例えば図２に示すように、記録磁気ギャップ２０側
に配置された磁極チップ２１ａと、この磁極チップ２１
ａの上側に位置する補助磁極２１ｂとを有している。磁
極チップ２１ａは、所定のトラック幅Ｗ0 で記録磁気ギ
ャップ２０と接しており、磁極先端部を構成している。
補助磁極２１ｂは磁極チップ２１ａより広い幅を有して
いる。これら磁極チップ２１ａと補助磁極２１ｂはＴ字
型磁極を構成している。
【００２８】このようなＴ字型の上部記録磁極２１は、
少なくとも媒体対向面の近傍部分が飽和磁束密度が異な
る 2種類またはそれ以上の磁性材料層の積層膜により構
成されている。具体的には、上部記録磁極２１は飽和磁
束密度Ｂs 1 を有する第１の磁性材料層２３と、飽和磁
束密度Ｂs 1 より小さい飽和磁束密度Ｂs 2 （Ｂs 2＜
Ｂs 1 ）を有する第２の磁性材料層２４との積層膜を有
している。
少なくとも媒体対向面の近傍部分が飽和磁束密度が異な
る 2種類またはそれ以上の磁性材料層の積層膜により構
成されている。具体的には、上部記録磁極２１は飽和磁
束密度Ｂs 1 を有する第１の磁性材料層２３と、飽和磁
束密度Ｂs 1 より小さい飽和磁束密度Ｂs 2 （Ｂs 2＜
Ｂs 1 ）を有する第２の磁性材料層２４との積層膜を有
している。
【００２９】第１および第２の磁性材料層２３、２４に
は、第２の磁性材料層２４に比べて第１の磁性材料層２
３の方がより大きな飽和磁束密度を有する組合せが適用
される。第１の磁性材料層２３には、例えばＮｉ50Ｆｅ
50合金、ＣｏＦｅ合金、窒化鉄系材料のような飽和磁束
密度が大きい磁性材料（高Ｂs 磁性材料）が用いられ
る。この場合、第２の磁性材料層２４には飽和磁束密度
が比較的小さいパーマロイ（Ｎｉ80Ｆｅ20など）、アモ
ルファスＣｏＦｅＺｒ合金、センダストなどが用いられ
る。Ｂs 1 ＞Ｂs 2 の関係を満足する組合せであれば、
上記した組合せ以外のものを適用することも可能であ
る。
は、第２の磁性材料層２４に比べて第１の磁性材料層２
３の方がより大きな飽和磁束密度を有する組合せが適用
される。第１の磁性材料層２３には、例えばＮｉ50Ｆｅ
50合金、ＣｏＦｅ合金、窒化鉄系材料のような飽和磁束
密度が大きい磁性材料（高Ｂs 磁性材料）が用いられ
る。この場合、第２の磁性材料層２４には飽和磁束密度
が比較的小さいパーマロイ（Ｎｉ80Ｆｅ20など）、アモ
ルファスＣｏＦｅＺｒ合金、センダストなどが用いられ
る。Ｂs 1 ＞Ｂs 2 の関係を満足する組合せであれば、
上記した組合せ以外のものを適用することも可能であ
る。
【００３０】高飽和磁束密度を有する第１の磁性材料層
２３には、例えば図３に示すような第１の磁性膜２５と
第２の磁性膜２６との多層膜２７、あるいは図４に示す
ような磁性膜２５と非磁性膜２８との多層膜２９などを
使用することも可能である。このような多層膜２７、２
９には種々の材料の組合せを適用することができる。特
に、高飽和磁束密度、高透磁率といった磁気的な性質が
得られる組合せ、および渦電流損失を抑えるために電気
抵抗がより大きくなるような組合せを適用することが好
ましい。
２３には、例えば図３に示すような第１の磁性膜２５と
第２の磁性膜２６との多層膜２７、あるいは図４に示す
ような磁性膜２５と非磁性膜２８との多層膜２９などを
使用することも可能である。このような多層膜２７、２
９には種々の材料の組合せを適用することができる。特
に、高飽和磁束密度、高透磁率といった磁気的な性質が
得られる組合せ、および渦電流損失を抑えるために電気
抵抗がより大きくなるような組合せを適用することが好
ましい。
【００３１】多層膜２７には、例えばＦｅ系合金とＣｏ
ＺｒＮｂのようなアモルファス合金や結晶粒径の異なる
ものと組合せを適用することができる。このような多層
膜２７によれば磁性粒子を微粒子化することができ、軟
磁気特性の向上に寄与する。多層膜２９には、例えばＦ
ｅ系合金とＳｉＯx のような絶縁体との組合せを適用す
ることができる。このような多層膜２９によれば電気抵
抗を高くすることができ、うず電流損失の低減に寄与す
る。これら多層膜２７、２９は第２の磁性材料層２４に
使用することもできる。
ＺｒＮｂのようなアモルファス合金や結晶粒径の異なる
ものと組合せを適用することができる。このような多層
膜２７によれば磁性粒子を微粒子化することができ、軟
磁気特性の向上に寄与する。多層膜２９には、例えばＦ
ｅ系合金とＳｉＯx のような絶縁体との組合せを適用す
ることができる。このような多層膜２９によれば電気抵
抗を高くすることができ、うず電流損失の低減に寄与す
る。これら多層膜２７、２９は第２の磁性材料層２４に
使用することもできる。
【００３２】第１の磁性材料層２３と第２の磁性材料層
２４との積層膜において、高飽和磁束密度を有する第１
の磁性材料層２３は、上部磁極チップ２１ａとその近傍
の上部補助磁極２１ｂの一部を構成している。具体的に
は、上部磁極チップ２１ａと上部補助磁極２１ｂの底部
に相当する厚さ 0.3μm 程度の部分とが、第１の磁性材
料層２３により形成されている。厚さ 3μm 程度の上部
補助磁極２１ｂの残余の部分は、第２の磁性材料層２４
により構成されている。
２４との積層膜において、高飽和磁束密度を有する第１
の磁性材料層２３は、上部磁極チップ２１ａとその近傍
の上部補助磁極２１ｂの一部を構成している。具体的に
は、上部磁極チップ２１ａと上部補助磁極２１ｂの底部
に相当する厚さ 0.3μm 程度の部分とが、第１の磁性材
料層２３により形成されている。厚さ 3μm 程度の上部
補助磁極２１ｂの残余の部分は、第２の磁性材料層２４
により構成されている。
【００３３】ここで、上部補助磁極２１ｂの底部に相当
する高Ｂs 材料層（第１の磁性材料層２３の一部）は、
その厚さがあまり厚いと磁界傾度の改善効果が損われ、
逆に薄すぎると磁気飽和を防ぐことができなくなる。従
って、第１の磁性材料層２３による上部補助磁極２１ｂ
の底部に相当する部分は、 0.1〜 0.5μm 程度の厚さと
することが好ましい。
する高Ｂs 材料層（第１の磁性材料層２３の一部）は、
その厚さがあまり厚いと磁界傾度の改善効果が損われ、
逆に薄すぎると磁気飽和を防ぐことができなくなる。従
って、第１の磁性材料層２３による上部補助磁極２１ｂ
の底部に相当する部分は、 0.1〜 0.5μm 程度の厚さと
することが好ましい。
【００３４】図２に示した磁極構造は、まずＳｉＯx な
どからなる絶縁層３０に形成したトレンチ３１の内部
に、スパッタ法などで高Ｂs 材料（第１の磁性材料２
３）を埋め込み形成して上部磁極チップ２１ａを形成す
る。この上部磁極チップ２１ａに相当する部分の上側を
平坦化した後、さらに上部補助磁極２１ｂの底部に相当
する部分に、高Ｂs 材料層（第１の磁性材料層２３）を
積層する。この上に低Ｂs材料層（第２の磁性材料層２
４）を形成する。
どからなる絶縁層３０に形成したトレンチ３１の内部
に、スパッタ法などで高Ｂs 材料（第１の磁性材料２
３）を埋め込み形成して上部磁極チップ２１ａを形成す
る。この上部磁極チップ２１ａに相当する部分の上側を
平坦化した後、さらに上部補助磁極２１ｂの底部に相当
する部分に、高Ｂs 材料層（第１の磁性材料層２３）を
積層する。この上に低Ｂs材料層（第２の磁性材料層２
４）を形成する。
【００３５】上部補助磁極２１ｂは、通常のＰＥＰ（フ
ォトエングレイブメントプロセス）などでパターニング
することにより形成することができる。また、上部磁極
チップ２１ａから上部補助磁極２１ｂの底部に相当する
部分まで、第１の磁性材料層２３を連続成膜し、その上
に第２の磁性材料層２４を形成した後、上部補助磁極２
１ｂの形状に応じてパターニングしてもよい。
ォトエングレイブメントプロセス）などでパターニング
することにより形成することができる。また、上部磁極
チップ２１ａから上部補助磁極２１ｂの底部に相当する
部分まで、第１の磁性材料層２３を連続成膜し、その上
に第２の磁性材料層２４を形成した後、上部補助磁極２
１ｂの形状に応じてパターニングしてもよい。
【００３６】第１の磁性材料層２３により構成される上
部補助磁極２１ｂの一部は、図２に示したように、上部
補助磁極２１ｂの底面部分に一様に形成しなければなら
ないものではない。例えば、図５に示すように、上部磁
極チップ２１ａから上部補助磁極２１ｂに向けて第１の
磁性材料層２３が突出したような形状とすることもでき
る。このような構造は、高Ｂs の第１の磁性材料層２３
で上部磁極チップ２１ａを形成する際に、例えばめっき
プロセスを適用することで実現できる。
部補助磁極２１ｂの一部は、図２に示したように、上部
補助磁極２１ｂの底面部分に一様に形成しなければなら
ないものではない。例えば、図５に示すように、上部磁
極チップ２１ａから上部補助磁極２１ｂに向けて第１の
磁性材料層２３が突出したような形状とすることもでき
る。このような構造は、高Ｂs の第１の磁性材料層２３
で上部磁極チップ２１ａを形成する際に、例えばめっき
プロセスを適用することで実現できる。
【００３７】すなわち、めっきプロセスを適用した第１
の磁性材料層２３で上部磁極チップ２１ａを形成する
と、第１の磁性材料層２３が上部磁極チップ２１ａから
上側に盛り上がった形状となる。この盛り上がり部分は
上部補助磁極２１ｂの一部として使用することができ
る。その上に第２の磁性材料層２４を成膜し、これを上
部補助磁極２１ｂの形状にパターニングすることによっ
て、図５に示した磁極構造が得られる。
の磁性材料層２３で上部磁極チップ２１ａを形成する
と、第１の磁性材料層２３が上部磁極チップ２１ａから
上側に盛り上がった形状となる。この盛り上がり部分は
上部補助磁極２１ｂの一部として使用することができ
る。その上に第２の磁性材料層２４を成膜し、これを上
部補助磁極２１ｂの形状にパターニングすることによっ
て、図５に示した磁極構造が得られる。
【００３８】ここで、図２や図５に示したＴ字型磁極か
らなる上部記録磁極２１において、第１の磁性材料層２
３からなる上部補助磁極２１ｂの一部と、第２の磁性材
料層２４からなる上部補助磁極２１ｂの残余の部分とが
接する部分の幅Ｗ1 は、第１の磁性材料層２３と第２の
磁性材料層２４の飽和磁束密度の比に応じて、トラック
幅（磁極チップ２１ａの記録磁気ギャップ２０と接する
部分の幅）Ｗ0 より広く設定することが好ましい。
らなる上部記録磁極２１において、第１の磁性材料層２
３からなる上部補助磁極２１ｂの一部と、第２の磁性材
料層２４からなる上部補助磁極２１ｂの残余の部分とが
接する部分の幅Ｗ1 は、第１の磁性材料層２３と第２の
磁性材料層２４の飽和磁束密度の比に応じて、トラック
幅（磁極チップ２１ａの記録磁気ギャップ２０と接する
部分の幅）Ｗ0 より広く設定することが好ましい。
【００３９】すなわち、第１の磁性材料層２３の飽和磁
束密度Ｂs 1 および第２の磁性材料層２４の飽和磁束密
度Ｂs 2 に応じて、Ｗ1 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂs 2 の関係
を満足するように、接続部の幅Ｗ1 とトラック幅Ｗ0 の
比を設定することが好ましい。Ｗ1 とＷ0 の比（Ｗ1 ／
Ｗ0 ）を飽和磁束密度の比（Ｂs 1 ／Ｂs 2 ）より大き
く設定することによって、第１の磁性材料層２３と第２
の磁性材料層２４との積層部分で磁気飽和させることな
く、上部磁極チップ２１ａのギャップ対向部分だけが磁
気飽和するような記録電流を流すことができる。
束密度Ｂs 1 および第２の磁性材料層２４の飽和磁束密
度Ｂs 2 に応じて、Ｗ1 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂs 2 の関係
を満足するように、接続部の幅Ｗ1 とトラック幅Ｗ0 の
比を設定することが好ましい。Ｗ1 とＷ0 の比（Ｗ1 ／
Ｗ0 ）を飽和磁束密度の比（Ｂs 1 ／Ｂs 2 ）より大き
く設定することによって、第１の磁性材料層２３と第２
の磁性材料層２４との積層部分で磁気飽和させることな
く、上部磁極チップ２１ａのギャップ対向部分だけが磁
気飽和するような記録電流を流すことができる。
【００４０】上述したように、高Ｂs の第１の磁性材料
層２３を上部磁極チップ２１ａのみならず、上部補助磁
極２１ｂの底部側の一部にまで適用し、その上に低Ｂs
の第２の磁性材料層２４で上部補助磁極２１ｂの残余の
部分を形成することによって、トラック幅Ｗ0 に対応す
る幅の狭い上部磁極チップ２１ａと上部補助磁極２１ｂ
との接続部分での磁気飽和を抑制することができる。従
って、狭トラック化を進めた場合においても、良好な記
録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能となる。このよ
うな効果は記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭トラ
ック化した場合に特に有効である。
層２３を上部磁極チップ２１ａのみならず、上部補助磁
極２１ｂの底部側の一部にまで適用し、その上に低Ｂs
の第２の磁性材料層２４で上部補助磁極２１ｂの残余の
部分を形成することによって、トラック幅Ｗ0 に対応す
る幅の狭い上部磁極チップ２１ａと上部補助磁極２１ｂ
との接続部分での磁気飽和を抑制することができる。従
って、狭トラック化を進めた場合においても、良好な記
録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能となる。このよ
うな効果は記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭トラ
ック化した場合に特に有効である。
【００４１】さらに、記録トラック幅Ｗ0 が 1.8μm 以
下というような薄膜磁気ヘッドにおいて、記録磁界強度
を上げるために記録電流を増加させた際に、それに見合
って磁界強度を高めることができ、さらに良好な磁界傾
度を得ることが可能となる。すなわち、優れた磁界強度
と磁界傾度を有する記録ヘッドとしての薄膜磁気ヘッド
１９が実現可能となる。
下というような薄膜磁気ヘッドにおいて、記録磁界強度
を上げるために記録電流を増加させた際に、それに見合
って磁界強度を高めることができ、さらに良好な磁界傾
度を得ることが可能となる。すなわち、優れた磁界強度
と磁界傾度を有する記録ヘッドとしての薄膜磁気ヘッド
１９が実現可能となる。
【００４２】加えて、上部補助磁極２１ｂの一部を高Ｂ
s の第１の磁性材料層２３で構成し、上部磁極チップ２
１ａにより多くの磁束を流すことによって、上部補助磁
極２１ｂのコーナー部に流れる磁束量を減らすことがで
きる。従って、コーナー部から下部磁極１７に向けて漏
れだす磁界が小さくなり、不要な記録を抑制することが
可能なる。従来のＴ字型磁極のように、上部補助磁極の
全てを低Ｂs の軟磁性層で形成した場合、磁極チップと
補助磁極との接続部で磁気飽和が起こり、そのために他
の部分に磁束が流れやすくなる。特に、磁束が集中する
上部補助磁極のコーナー部からの漏れ磁界によって、余
計な部分に記録されるという不都合があった。従来の磁
極構造では、接続部が磁気飽和に至らない状態であって
も、上部補助磁極のコーナー部からの漏れ磁界が問題と
なっていた。本発明によればこのような点を解消するこ
とができる。
s の第１の磁性材料層２３で構成し、上部磁極チップ２
１ａにより多くの磁束を流すことによって、上部補助磁
極２１ｂのコーナー部に流れる磁束量を減らすことがで
きる。従って、コーナー部から下部磁極１７に向けて漏
れだす磁界が小さくなり、不要な記録を抑制することが
可能なる。従来のＴ字型磁極のように、上部補助磁極の
全てを低Ｂs の軟磁性層で形成した場合、磁極チップと
補助磁極との接続部で磁気飽和が起こり、そのために他
の部分に磁束が流れやすくなる。特に、磁束が集中する
上部補助磁極のコーナー部からの漏れ磁界によって、余
計な部分に記録されるという不都合があった。従来の磁
極構造では、接続部が磁気飽和に至らない状態であって
も、上部補助磁極のコーナー部からの漏れ磁界が問題と
なっていた。本発明によればこのような点を解消するこ
とができる。
【００４３】さらに、従来の記録ヘッドは、狭トラック
化した場合に、記録磁気ギャップの媒体対向面の奥行き
方向の長さ（スロートハイト）を短くする必要があっ
た。これに対して、上部補助磁極２１ｂの幅を広くした
上で接続部分での磁気飽和を防ぐことによって、十分な
磁束が補助磁極２１ｂ部分を通って磁極チップ２１ａに
供給される。従って、スロートハイトを長くすることが
できる。
化した場合に、記録磁気ギャップの媒体対向面の奥行き
方向の長さ（スロートハイト）を短くする必要があっ
た。これに対して、上部補助磁極２１ｂの幅を広くした
上で接続部分での磁気飽和を防ぐことによって、十分な
磁束が補助磁極２１ｂ部分を通って磁極チップ２１ａに
供給される。従って、スロートハイトを長くすることが
できる。
【００４４】例えば、図２や図５に示した上部記録磁極
２１を適用し、スロートハイトを5μm とした記録ヘッ
ドを用いて、保磁力が〜2100Ｏe の磁気記録媒体に記録
を行ったところ、オーバーライト特性でおよそ38dBとな
り、十分な記録磁界が発生していた。従来の記録ヘッド
では、オーバーライト特性のスロートハイト依存性が大
きく、同じく再生出力のストライプハイト依存性が大き
なＭＲ再生素子やＧＭＲ再生素子と一体化した場合に、
スロートハイトエンドとストライプハイトエンドのアラ
イメントずれによりＡＢＳ面の追い込み加工マージンが
非常に小さくなってしまう。本発明の薄膜磁気へッドは
スロートハイトマージンが数μm オーダーで存在し、こ
れにより製造歩留りを大きく向上させることができる。
２１を適用し、スロートハイトを5μm とした記録ヘッ
ドを用いて、保磁力が〜2100Ｏe の磁気記録媒体に記録
を行ったところ、オーバーライト特性でおよそ38dBとな
り、十分な記録磁界が発生していた。従来の記録ヘッド
では、オーバーライト特性のスロートハイト依存性が大
きく、同じく再生出力のストライプハイト依存性が大き
なＭＲ再生素子やＧＭＲ再生素子と一体化した場合に、
スロートハイトエンドとストライプハイトエンドのアラ
イメントずれによりＡＢＳ面の追い込み加工マージンが
非常に小さくなってしまう。本発明の薄膜磁気へッドは
スロートハイトマージンが数μm オーダーで存在し、こ
れにより製造歩留りを大きく向上させることができる。
【００４５】図２および図５に示した磁極構造は、上部
記録磁極２１の媒体対向面近傍部分を、高Ｂs の第１の
磁性材料層２３と低Ｂs の第２の磁性材料層２４との 2
層積層膜で構成した例である。上部記録磁極２１の媒体
対向面近傍部分は、例えば図６および図７に示すよう
に、 3層以上の磁性材料層の積層膜で構成することも可
能である。
記録磁極２１の媒体対向面近傍部分を、高Ｂs の第１の
磁性材料層２３と低Ｂs の第２の磁性材料層２４との 2
層積層膜で構成した例である。上部記録磁極２１の媒体
対向面近傍部分は、例えば図６および図７に示すよう
に、 3層以上の磁性材料層の積層膜で構成することも可
能である。
【００４６】図６および図７に示す磁極は、上部磁極チ
ップ２１ａのさらに先端に、すなわち上部磁極チップ２
１ａの記録磁気ギャップ２０と接する部分のみに、第１
の磁性材料層２３よりさらに大きな飽和磁束密度Ｂs 3
（Ｂs 3 ＞Ｂs 1 ）を有する第３の磁性材料層３２を配
置している。第３の磁性材料層３２には、例えば厚さ0.
2μm 程度のＦｅＺｒＮやＦｅＮなどの窒化鉄材料が用
いられる。
ップ２１ａのさらに先端に、すなわち上部磁極チップ２
１ａの記録磁気ギャップ２０と接する部分のみに、第１
の磁性材料層２３よりさらに大きな飽和磁束密度Ｂs 3
（Ｂs 3 ＞Ｂs 1 ）を有する第３の磁性材料層３２を配
置している。第３の磁性材料層３２には、例えば厚さ0.
2μm 程度のＦｅＺｒＮやＦｅＮなどの窒化鉄材料が用
いられる。
【００４７】すなわち、上部記録磁極２１の媒体対向面
近傍部分は、最も大きい飽和磁束密度Ｂs 3 を有する第
３の磁性材料層３２と、高Ｂs 材料（Ｂs 1 ）からなる
第１の磁性材料層２３と、低Ｂs 材料（Ｂs 2 ）からな
る第２の磁性材料層２４との積層膜により構成されてい
る。これら磁性材料層３２、２３、２４には、それぞれ
の飽和磁束密度がＢs 3 ＞Ｂs 1 ＞Ｂs 2 の関係を満足
する種々の磁性材料の組合せを適用することができる。
このような磁極によれば、さらに磁界強度を増加させる
ことができると共に、磁界傾度をより急峻にすることが
可能となる。
近傍部分は、最も大きい飽和磁束密度Ｂs 3 を有する第
３の磁性材料層３２と、高Ｂs 材料（Ｂs 1 ）からなる
第１の磁性材料層２３と、低Ｂs 材料（Ｂs 2 ）からな
る第２の磁性材料層２４との積層膜により構成されてい
る。これら磁性材料層３２、２３、２４には、それぞれ
の飽和磁束密度がＢs 3 ＞Ｂs 1 ＞Ｂs 2 の関係を満足
する種々の磁性材料の組合せを適用することができる。
このような磁極によれば、さらに磁界強度を増加させる
ことができると共に、磁界傾度をより急峻にすることが
可能となる。
【００４８】上述した実施形態では、上部記録磁極２１
のみをＴ字型磁極とした例について述べたが、例えば図
８および図９に示すように、上部記録磁極２１と記録磁
気ギャップ２０を挟んで対向する下部記録磁極１７につ
いても、記録磁気ギャップ２０に向けて凸状のＴ字型磁
極とすることができる。例えば、下部記録磁極１７をト
ラック幅相当の幅を残して 0.5μm 程度トリミングする
ことにより、上方に向けて凸状の下部磁極チップ１７ａ
とそれより幅広の下部補助磁極１７ｂを有する下部記録
磁極１７が得られる。
のみをＴ字型磁極とした例について述べたが、例えば図
８および図９に示すように、上部記録磁極２１と記録磁
気ギャップ２０を挟んで対向する下部記録磁極１７につ
いても、記録磁気ギャップ２０に向けて凸状のＴ字型磁
極とすることができる。例えば、下部記録磁極１７をト
ラック幅相当の幅を残して 0.5μm 程度トリミングする
ことにより、上方に向けて凸状の下部磁極チップ１７ａ
とそれより幅広の下部補助磁極１７ｂを有する下部記録
磁極１７が得られる。
【００４９】図８や図９に示した磁極構造を採用するこ
とによって、トラック幅方向の記録磁界の急峻性が増
し、狭トラック記録に対してさらに有利となる。下部記
録磁極１７についても、高Ｂs の第１の磁性材料層２３
により下部磁極チップ１７ａとその近傍の下部補助磁極
１７ｂの一部を構成し、かつ下部補助磁極１７ｂの残余
の部分を低Ｂs の第２の磁性材料層２４で構成すること
が好ましい。さらに、図１０や図１１に示すように、下
部磁極チップ１７ａおよび上部磁極チップ２１ａの記録
磁気ギャップ２０と接するのみに部分に、それぞれ第１
の磁性材料層２３よりさらに飽和磁束密度が大きい第３
の磁性材料層３２を配置してもよい。
とによって、トラック幅方向の記録磁界の急峻性が増
し、狭トラック記録に対してさらに有利となる。下部記
録磁極１７についても、高Ｂs の第１の磁性材料層２３
により下部磁極チップ１７ａとその近傍の下部補助磁極
１７ｂの一部を構成し、かつ下部補助磁極１７ｂの残余
の部分を低Ｂs の第２の磁性材料層２４で構成すること
が好ましい。さらに、図１０や図１１に示すように、下
部磁極チップ１７ａおよび上部磁極チップ２１ａの記録
磁気ギャップ２０と接するのみに部分に、それぞれ第１
の磁性材料層２３よりさらに飽和磁束密度が大きい第３
の磁性材料層３２を配置してもよい。
【００５０】前述した磁極チップ２１ａと補助磁極２１
ｂとが接する部分の幅とトラック幅と比と、第１の磁性
材料層２３と第２の磁性材料層２４の飽和磁束密度の比
との関係は、通常のＴ字型磁極に適用した場合にも有効
である。
ｂとが接する部分の幅とトラック幅と比と、第１の磁性
材料層２３と第２の磁性材料層２４の飽和磁束密度の比
との関係は、通常のＴ字型磁極に適用した場合にも有効
である。
【００５１】すなわち、図１２に示す磁極構造におい
て、上部記録磁極２１の媒体対向面近傍部分は、所定の
トラックＷ0 で記録磁気ギャップ２０と接する磁極チッ
プ２１ａと、この磁極チップ２１ａの上側に位置し、か
つそれより幅広の補助磁極２１ｂとを有している。
て、上部記録磁極２１の媒体対向面近傍部分は、所定の
トラックＷ0 で記録磁気ギャップ２０と接する磁極チッ
プ２１ａと、この磁極チップ２１ａの上側に位置し、か
つそれより幅広の補助磁極２１ｂとを有している。
【００５２】上部磁極チップ２１ａは、例えばＮｉ50Ｆ
ｅ50合金のような飽和磁束密度が大きい磁性材料からな
る第１の磁性材料層２３により形成されている。上部補
助磁極２１ｂは、飽和磁束密度が比較的小さいパーマロ
イ（Ｎｉ80Ｆｅ20など）やアモルファスＣｏＦｅＺｒ合
金などからなる第２の磁性材料層２４により形成されて
いる。上部記録磁極２１の媒体対向面近傍部分は、これ
らの積層膜により構成されている。第１の磁性材料層２
３および第２の磁性材料層２４の構成材料は、前述した
実施形態と同様である。
ｅ50合金のような飽和磁束密度が大きい磁性材料からな
る第１の磁性材料層２３により形成されている。上部補
助磁極２１ｂは、飽和磁束密度が比較的小さいパーマロ
イ（Ｎｉ80Ｆｅ20など）やアモルファスＣｏＦｅＺｒ合
金などからなる第２の磁性材料層２４により形成されて
いる。上部記録磁極２１の媒体対向面近傍部分は、これ
らの積層膜により構成されている。第１の磁性材料層２
３および第２の磁性材料層２４の構成材料は、前述した
実施形態と同様である。
【００５３】上部磁極チップ２１ａは、第１の磁性材料
層２３と第２の磁性材料層２４の飽和磁束密度の比に応
じて、上部補助磁極２１ｂと接する部分の幅Ｗ2 がトラ
ック幅（記録磁気ギャップ２０と接する幅）Ｗ0 より広
く設定されている。すなわち、Ｗ2 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂ
s 2 の関係を満足している。
層２３と第２の磁性材料層２４の飽和磁束密度の比に応
じて、上部補助磁極２１ｂと接する部分の幅Ｗ2 がトラ
ック幅（記録磁気ギャップ２０と接する幅）Ｗ0 より広
く設定されている。すなわち、Ｗ2 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂ
s 2 の関係を満足している。
【００５４】上記したような磁極形状は、以下のように
して得ることができる。すなわち、まずＳｉＯx などか
らなる絶縁層３０にＰＥＰとケミカルドライエッチング
などでトレンチ３１を形成する際に、エッチング条件な
どによりトレンチ３１の側壁角度を調節する。このよう
なトレンチ３１の内部にスパッタ法などで高Ｂs の第１
の磁性材料層２３を埋め込み形成する。
して得ることができる。すなわち、まずＳｉＯx などか
らなる絶縁層３０にＰＥＰとケミカルドライエッチング
などでトレンチ３１を形成する際に、エッチング条件な
どによりトレンチ３１の側壁角度を調節する。このよう
なトレンチ３１の内部にスパッタ法などで高Ｂs の第１
の磁性材料層２３を埋め込み形成する。
【００５５】このように、上部磁極チップ２１ａの各幅
の比（Ｗ2 1 ／Ｗ0 ）を飽和磁束密度の比（Ｂs 1 ／Ｂ
s 2 ）より大きく設定することによって、上部磁極チッ
プ２１ａのギャップ対向部分が磁気飽和するような記録
電流を流した場合においても、上部磁極チップ２１ａと
上部補助磁極２１ｂとの接続部分（積層部分）における
磁気飽和を回避することができる。これによって、磁界
強度の低下や磁界傾度の劣化などを抑制することが可能
となる。
の比（Ｗ2 1 ／Ｗ0 ）を飽和磁束密度の比（Ｂs 1 ／Ｂ
s 2 ）より大きく設定することによって、上部磁極チッ
プ２１ａのギャップ対向部分が磁気飽和するような記録
電流を流した場合においても、上部磁極チップ２１ａと
上部補助磁極２１ｂとの接続部分（積層部分）における
磁気飽和を回避することができる。これによって、磁界
強度の低下や磁界傾度の劣化などを抑制することが可能
となる。
【００５６】例えば、第１の磁性材料層２３に飽和磁束
密度Ｂs 1 が1.5TのＮｉ50Ｆｅ50合金を用い、第２の磁
性材料層２４に飽和磁束密度Ｂs 2 が1.2Tのアモルファ
スＣｏＦｅＺｒ合金を用いた際に、記録磁気ギャップ２
０と対向する上部磁極チップ２１ａの幅（トラック幅）
Ｗ0 を 1.2μm とする。このような場合に、上部磁極チ
ップ２１ａの上部補助磁極２１ｂと接する部分の幅
Ｗ2 、すなわちＴ字型磁極の付け根の部分の幅を 1.2×
(1.5/1.2)= 1.5μm 以上とする。これによって、上部磁
極チップ２１ａのギャップ対向部分が磁気飽和するよう
な記録電流を流した場合においても、上部磁極チップ２
１ａと上部補助磁極２１ｂとの接続部分（積層部分）で
の磁気飽和を回避することができる。これによって、優
れた磁界強度や磁界傾度を有する薄膜磁気ヘッドを実現
することが可能となる。
密度Ｂs 1 が1.5TのＮｉ50Ｆｅ50合金を用い、第２の磁
性材料層２４に飽和磁束密度Ｂs 2 が1.2Tのアモルファ
スＣｏＦｅＺｒ合金を用いた際に、記録磁気ギャップ２
０と対向する上部磁極チップ２１ａの幅（トラック幅）
Ｗ0 を 1.2μm とする。このような場合に、上部磁極チ
ップ２１ａの上部補助磁極２１ｂと接する部分の幅
Ｗ2 、すなわちＴ字型磁極の付け根の部分の幅を 1.2×
(1.5/1.2)= 1.5μm 以上とする。これによって、上部磁
極チップ２１ａのギャップ対向部分が磁気飽和するよう
な記録電流を流した場合においても、上部磁極チップ２
１ａと上部補助磁極２１ｂとの接続部分（積層部分）で
の磁気飽和を回避することができる。これによって、優
れた磁界強度や磁界傾度を有する薄膜磁気ヘッドを実現
することが可能となる。
【００５７】上述したような薄膜磁気ヘッドについて
も、例えば図１３に示すように、下部記録磁極１７を記
録磁気ギャップ２０に向けて凸状のＴ字型磁極とするこ
とができる。さらに、下部記録磁極１７についても、下
部磁極チップ１７ａを高Ｂs の第１の磁性材料層２３で
形成し、下部補助磁極１７ｂを低Ｂs の第２の磁性材料
層２４で形成することが好ましく、この際に飽和磁束密
度の比（Ｂs 1 ／Ｂs 2）に応じて、下部磁極チップ１
７ａの下部補助磁極１７ｂと接する幅Ｗ3 が記録磁気ギ
ャップ２０と接する幅Ｗ0 より広く設定することが好ま
しい。すなわち、Ｗ3 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂs 2 の関係を
満足させることが好ましい。
も、例えば図１３に示すように、下部記録磁極１７を記
録磁気ギャップ２０に向けて凸状のＴ字型磁極とするこ
とができる。さらに、下部記録磁極１７についても、下
部磁極チップ１７ａを高Ｂs の第１の磁性材料層２３で
形成し、下部補助磁極１７ｂを低Ｂs の第２の磁性材料
層２４で形成することが好ましく、この際に飽和磁束密
度の比（Ｂs 1 ／Ｂs 2）に応じて、下部磁極チップ１
７ａの下部補助磁極１７ｂと接する幅Ｗ3 が記録磁気ギ
ャップ２０と接する幅Ｗ0 より広く設定することが好ま
しい。すなわち、Ｗ3 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂs 2 の関係を
満足させることが好ましい。
【００５８】なお、上述した各実施形態においては、本
発明によるＴ字型磁極構造を主としてトレンチ内に磁性
材料をうめ込み形成する構造（トレンチポール構造）に
適用する場合について説明したが、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの構造はこれに限られるものではない。例えば、特
開平7-296328号公報記載のノッチ構造体や、米国特許5,
283,942号公報等に記載されている、先に形成した構造
体に磁極先端部を埋め込み形成した構造等に、本発明の
磁気ヘッドを適用することができる。
発明によるＴ字型磁極構造を主としてトレンチ内に磁性
材料をうめ込み形成する構造（トレンチポール構造）に
適用する場合について説明したが、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの構造はこれに限られるものではない。例えば、特
開平7-296328号公報記載のノッチ構造体や、米国特許5,
283,942号公報等に記載されている、先に形成した構造
体に磁極先端部を埋め込み形成した構造等に、本発明の
磁気ヘッドを適用することができる。
【００５９】次に、本発明の第２の磁気ヘッドの実施形
態について、図１４および図１５を参照して説明する。
図１４は本発明の第２の磁気ヘッドの一実施形態の要部
構成を示す斜視図ある。なお、図１４は記録ヘッドとし
ての薄膜磁気ヘッドの要部のみを示している。この実施
形態の薄膜磁気ヘッドの全体構造、およびそれを録再分
離型磁気ヘッドに適用する場合の全体構造は、図１と同
様である。
態について、図１４および図１５を参照して説明する。
図１４は本発明の第２の磁気ヘッドの一実施形態の要部
構成を示す斜視図ある。なお、図１４は記録ヘッドとし
ての薄膜磁気ヘッドの要部のみを示している。この実施
形態の薄膜磁気ヘッドの全体構造、およびそれを録再分
離型磁気ヘッドに適用する場合の全体構造は、図１と同
様である。
【００６０】図１４に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁極
（下部記録磁極）４１と、その上に順に形成された磁気
ギャップ（記録磁気ギャップ）４２および上部磁極（上
部記録磁極）４３とを有している。下部磁極４１および
磁気ギャップ４２は、前述した実施形態と同様な材料か
らなる。
（下部記録磁極）４１と、その上に順に形成された磁気
ギャップ（記録磁気ギャップ）４２および上部磁極（上
部記録磁極）４３とを有している。下部磁極４１および
磁気ギャップ４２は、前述した実施形態と同様な材料か
らなる。
【００６１】上部磁極４３は、少なくとも媒体対向面の
近傍部分が飽和磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上
の磁性材料層の積層膜により構成されている。具体的に
は、上部磁極４３は飽和磁束密度Ｂs 1 を有する第１の
磁性材料層４５と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小さい飽和
磁束密度Ｂs 2 （Ｂs 2 ＜Ｂs 1 ）を有する第２の磁性
材料層４６との積層膜４４を有している。
近傍部分が飽和磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上
の磁性材料層の積層膜により構成されている。具体的に
は、上部磁極４３は飽和磁束密度Ｂs 1 を有する第１の
磁性材料層４５と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小さい飽和
磁束密度Ｂs 2 （Ｂs 2 ＜Ｂs 1 ）を有する第２の磁性
材料層４６との積層膜４４を有している。
【００６２】これら第１および第２の磁性材料層４５、
４６には、前述した実施形態と同様な磁性材料の組合せ
が適用される。さらに、高Ｂs の第１の磁性材料層４５
には、図３に示した種類の異なる磁性膜の多層膜や、図
４に示した磁性膜と非磁性膜との多層膜などを適用する
ことも可能である。これら多層膜の材料の組合せについ
ても同様である。第２の磁性材料層４６に多層膜を適用
することもできる。
４６には、前述した実施形態と同様な磁性材料の組合せ
が適用される。さらに、高Ｂs の第１の磁性材料層４５
には、図３に示した種類の異なる磁性膜の多層膜や、図
４に示した磁性膜と非磁性膜との多層膜などを適用する
ことも可能である。これら多層膜の材料の組合せについ
ても同様である。第２の磁性材料層４６に多層膜を適用
することもできる。
【００６３】第１の磁性材料層４５と第２の磁性材料層
４６との積層膜４４からなる上部磁極４３の媒体対向面
近傍部分は、例えば積層方向からＦＩＢ(Focused Ion B
eam)加工を施すことによって、記録トラック幅Ｗ0 に応
じた形状とされている。すなわち、積層膜４４の媒体対
向面の幅はトラック幅Ｗ0 に対応しており、磁気ギャッ
プ４２側に位置する高Ｂs の第１の磁性材料層４５はト
ラック幅Ｗ0 で磁気ギャップ４２と接している。
４６との積層膜４４からなる上部磁極４３の媒体対向面
近傍部分は、例えば積層方向からＦＩＢ(Focused Ion B
eam)加工を施すことによって、記録トラック幅Ｗ0 に応
じた形状とされている。すなわち、積層膜４４の媒体対
向面の幅はトラック幅Ｗ0 に対応しており、磁気ギャッ
プ４２側に位置する高Ｂs の第１の磁性材料層４５はト
ラック幅Ｗ0 で磁気ギャップ４２と接している。
【００６４】この実施形態の薄膜磁気ヘッドは、トラッ
ク幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭トラック化したものであ
る。このような薄膜磁気ヘッドの先端部の加工にＦＩＢ
を適用することによって、幅 1.8μm 以下という記録ト
ラック幅Ｗ0 に対応させた上部磁極４３を精度よく得る
ことができる。上部磁極４３の先端部は、通常のＰＥＰ
工程を適用して加工することも可能であるが、その場合
には加工精度を向上させるために、ＰＥＰ時の露光に波
長の短い光を使用することが好ましい。
ク幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭トラック化したものであ
る。このような薄膜磁気ヘッドの先端部の加工にＦＩＢ
を適用することによって、幅 1.8μm 以下という記録ト
ラック幅Ｗ0 に対応させた上部磁極４３を精度よく得る
ことができる。上部磁極４３の先端部は、通常のＰＥＰ
工程を適用して加工することも可能であるが、その場合
には加工精度を向上させるために、ＰＥＰ時の露光に波
長の短い光を使用することが好ましい。
【００６５】このように、記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μ
m 以下と狭トラック化した磁気ヘッドに対応させるため
に、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さｔは 0.5μm
以上とされている。すなわち、従来のトラック幅が比較
的広い場合には、磁束の集中が少ないために、ギャップ
近傍の極狭い領域のみに高Ｂs の磁性材料を配置するこ
とによって、磁界傾度を大きくしていた。
m 以下と狭トラック化した磁気ヘッドに対応させるため
に、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さｔは 0.5μm
以上とされている。すなわち、従来のトラック幅が比較
的広い場合には、磁束の集中が少ないために、ギャップ
近傍の極狭い領域のみに高Ｂs の磁性材料を配置するこ
とによって、磁界傾度を大きくしていた。
【００６６】記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭ト
ラック化した場合には、磁束の集中が激しく磁気飽和の
影響が大きくなる。このため、本発明の第２の磁気ヘッ
ドでは、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さを 0.5μ
m 以上と厚くしている。これによって、良好な記録磁界
強度と磁界傾度を得ることができる。ただし、高Ｂsの
第１の磁性材料層４５の厚さを厚くしすぎると、磁界傾
度の改善効果が損われることから、第１の磁性材料層４
５の厚さは 2.0μm 以下とすることが好ましい。 上述
したように、記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭ト
ラック化する場合に、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の
厚さｔを 0.5μm 以上と厚くすることによって、トラッ
ク幅Ｗ0 に対応させた上部磁極４３の先端部における第
１の磁性材料層４５と第２の磁性材料層４６との積層部
分での磁気飽和を抑制することができる。従って、記録
トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下とした場合においても、
良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能とな
る。
ラック化した場合には、磁束の集中が激しく磁気飽和の
影響が大きくなる。このため、本発明の第２の磁気ヘッ
ドでは、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さを 0.5μ
m 以上と厚くしている。これによって、良好な記録磁界
強度と磁界傾度を得ることができる。ただし、高Ｂsの
第１の磁性材料層４５の厚さを厚くしすぎると、磁界傾
度の改善効果が損われることから、第１の磁性材料層４
５の厚さは 2.0μm 以下とすることが好ましい。 上述
したように、記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭ト
ラック化する場合に、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の
厚さｔを 0.5μm 以上と厚くすることによって、トラッ
ク幅Ｗ0 に対応させた上部磁極４３の先端部における第
１の磁性材料層４５と第２の磁性材料層４６との積層部
分での磁気飽和を抑制することができる。従って、記録
トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下とした場合においても、
良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可能とな
る。
【００６７】表１に、記録トラック幅Ｗ0 と高Ｂs の第
１の磁性材料層４５の厚さｔを変化させた場合の磁界強
度と磁界傾度の関係を示す。ここでは、第１の磁性材料
層４５に飽和磁束密度Ｂs 1 が1.4TのＮｉ50Ｆｅ50を用
い、第２の磁性材料層４６に飽和磁束密度Ｂs 2 が0.9T
のＮｉ80Ｆｅ20を用いた。
１の磁性材料層４５の厚さｔを変化させた場合の磁界強
度と磁界傾度の関係を示す。ここでは、第１の磁性材料
層４５に飽和磁束密度Ｂs 1 が1.4TのＮｉ50Ｆｅ50を用
い、第２の磁性材料層４６に飽和磁束密度Ｂs 2 が0.9T
のＮｉ80Ｆｅ20を用いた。
【００６８】
【表１】 表１に示すように、記録トラックが比較的広い場合に
は、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さｔを薄くする
ことにより、良好な磁界強度と磁界傾度が得られる。こ
れに対して、記録トラックを狭トラック化する場合に
は、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さｔを厚くする
ことによって、良好な磁界強度と磁界傾度を得られるこ
とが分かる。
は、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さｔを薄くする
ことにより、良好な磁界強度と磁界傾度が得られる。こ
れに対して、記録トラックを狭トラック化する場合に
は、高Ｂs の第１の磁性材料層４５の厚さｔを厚くする
ことによって、良好な磁界強度と磁界傾度を得られるこ
とが分かる。
【００６９】上部磁極４３の媒体対向面近傍部分は、図
６や図７に示したように、 3層以上の磁性材料層の積層
膜で構成することも可能である。すなわち、上部磁極４
３の媒体対向面近傍部分は、最も大きい飽和磁束密度Ｂ
s 3 を有する第３の磁性材料層と、高Ｂs 材料（Ｂs
1 ）からなる第１の磁性材料層と、低Ｂs 材料（Ｂs
2）からなる第２の磁性材料層との積層膜により構成す
ることができる。この場合の磁性材料の組合せは前述し
た実施形態と同様とすることが好ましい。このような磁
極によれば、さらに磁界強度を増加させることができる
と共に、磁界傾度をより急峻にすることが可能となる。
６や図７に示したように、 3層以上の磁性材料層の積層
膜で構成することも可能である。すなわち、上部磁極４
３の媒体対向面近傍部分は、最も大きい飽和磁束密度Ｂ
s 3 を有する第３の磁性材料層と、高Ｂs 材料（Ｂs
1 ）からなる第１の磁性材料層と、低Ｂs 材料（Ｂs
2）からなる第２の磁性材料層との積層膜により構成す
ることができる。この場合の磁性材料の組合せは前述し
た実施形態と同様とすることが好ましい。このような磁
極によれば、さらに磁界強度を増加させることができる
と共に、磁界傾度をより急峻にすることが可能となる。
【００７０】上述した実施形態では、上部磁極４３の先
端部のみを記録トラック幅Ｗ0 に対応させた形状に加工
した例について説明したが、例えば図１５に示すよう
に、下部磁極４１の磁気ギャップ４２と接する部分４１
ａを同様な形状に加工してもよい。この場合、下部磁極
４１は上部磁極４３の先端部をマスクとして、その一部
（４１ａ）を上部磁極４３と同時に加工することができ
る。このような磁極構造によれば、トラック幅方向の記
録磁界の急峻性が増し、狭トラック記録に対してさらに
有利となる。
端部のみを記録トラック幅Ｗ0 に対応させた形状に加工
した例について説明したが、例えば図１５に示すよう
に、下部磁極４１の磁気ギャップ４２と接する部分４１
ａを同様な形状に加工してもよい。この場合、下部磁極
４１は上部磁極４３の先端部をマスクとして、その一部
（４１ａ）を上部磁極４３と同時に加工することができ
る。このような磁極構造によれば、トラック幅方向の記
録磁界の急峻性が増し、狭トラック記録に対してさらに
有利となる。
【００７１】なお、下部磁極４１についても、高Ｂs の
第１の磁性材料層と低Ｂs の第２の磁性材料層とで構成
することが好ましい。さらに、下部磁極４１の磁気ギャ
ップ４２と接する部分のみに、第１の磁性材料層よりさ
らに飽和磁束密度が大きい第３の磁性材料層を配置して
もよい。
第１の磁性材料層と低Ｂs の第２の磁性材料層とで構成
することが好ましい。さらに、下部磁極４１の磁気ギャ
ップ４２と接する部分のみに、第１の磁性材料層よりさ
らに飽和磁束密度が大きい第３の磁性材料層を配置して
もよい。
【００７２】次に、本発明の第３の磁気ヘッドの実施形
態について、図１６および図１７を参照して説明する。
図１６は本発明の第３の磁気ヘッドの一実施形態の要部
構成を示す斜視図ある。なお、図１６は記録ヘッドとし
ての薄膜磁気ヘッドの要部のみを示している。この実施
形態の薄膜磁気ヘッドの全体構造、およびそれを録再分
離型磁気ヘッドに適用する場合の全体構造は、図１と同
様である。
態について、図１６および図１７を参照して説明する。
図１６は本発明の第３の磁気ヘッドの一実施形態の要部
構成を示す斜視図ある。なお、図１６は記録ヘッドとし
ての薄膜磁気ヘッドの要部のみを示している。この実施
形態の薄膜磁気ヘッドの全体構造、およびそれを録再分
離型磁気ヘッドに適用する場合の全体構造は、図１と同
様である。
【００７３】図１６に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁極
（下部記録磁極）５１と、その上に順に形成された磁気
ギャップ（記録磁気ギャップ）５２および上部磁極（上
部記録磁極）５３とを有している。下部磁極５１および
磁気ギャップ５２は、前述した実施形態と同様な材料か
らなる。
（下部記録磁極）５１と、その上に順に形成された磁気
ギャップ（記録磁気ギャップ）５２および上部磁極（上
部記録磁極）５３とを有している。下部磁極５１および
磁気ギャップ５２は、前述した実施形態と同様な材料か
らなる。
【００７４】上部磁極５３は、少なくとも媒体対向面の
近傍部分が飽和磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上
の磁性材料層の積層膜により構成されている。具体的に
は、上部磁極５３は飽和磁束密度Ｂs 1 を有する第１の
磁性材料層５５と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小さい飽和
磁束密度Ｂs 2 （Ｂs 2 ＜Ｂs 1 ）を有する第２の磁性
材料層５６との積層膜５４を有している。
近傍部分が飽和磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上
の磁性材料層の積層膜により構成されている。具体的に
は、上部磁極５３は飽和磁束密度Ｂs 1 を有する第１の
磁性材料層５５と、飽和磁束密度Ｂs 1 より小さい飽和
磁束密度Ｂs 2 （Ｂs 2 ＜Ｂs 1 ）を有する第２の磁性
材料層５６との積層膜５４を有している。
【００７５】これら第１および第２の磁性材料層５５、
５６には、前述した実施形態と同様な磁性材料の組合せ
が適用される。さらに、高Ｂs の第１の磁性材料層５５
には、図３に示した種類の異なる磁性膜の多層膜や、図
４に示した磁性膜と非磁性膜との多層膜などを適用する
ことも可能である。これら多層膜の材料の組合せについ
ても同様である。第２の磁性材料層５６に多層膜を適用
することもできる。
５６には、前述した実施形態と同様な磁性材料の組合せ
が適用される。さらに、高Ｂs の第１の磁性材料層５５
には、図３に示した種類の異なる磁性膜の多層膜や、図
４に示した磁性膜と非磁性膜との多層膜などを適用する
ことも可能である。これら多層膜の材料の組合せについ
ても同様である。第２の磁性材料層５６に多層膜を適用
することもできる。
【００７６】第１の磁性材料層５５と第２の磁性材料層
５６との積層膜５４からなる上部磁極５３の媒体対向面
近傍部分には、例えば媒体対向面側からＦＩＢ加工を施
すことによって、媒体対向面の幅Ｗ0 が 1.8μm 以下、
媒体対向面に対して垂直方向の高さｈが 2μm 以下の形
状を有する凸部５３ａが形成されている。このような凸
部５３ａによって、媒体対向面が構成されている。
５６との積層膜５４からなる上部磁極５３の媒体対向面
近傍部分には、例えば媒体対向面側からＦＩＢ加工を施
すことによって、媒体対向面の幅Ｗ0 が 1.8μm 以下、
媒体対向面に対して垂直方向の高さｈが 2μm 以下の形
状を有する凸部５３ａが形成されている。このような凸
部５３ａによって、媒体対向面が構成されている。
【００７７】上部磁極５３の先端部を構成する凸部５３
ａは、媒体対向面に向けて突出した形状を有する。凸部
５３ａを構成している第１の磁性材料層５５は、媒体対
向面においてトラック幅Ｗ0 で磁気ギャップ５２と接し
ている。このような凸部５３ａの媒体対向面方向への高
さｈは 2μm 以下とされている。トラック幅Ｗ0 を1.8
μm 以下とする場合に、凸部５３ａの高さｈが 2μm を
超えると、記録磁界強度が大幅に低下する。
ａは、媒体対向面に向けて突出した形状を有する。凸部
５３ａを構成している第１の磁性材料層５５は、媒体対
向面においてトラック幅Ｗ0 で磁気ギャップ５２と接し
ている。このような凸部５３ａの媒体対向面方向への高
さｈは 2μm 以下とされている。トラック幅Ｗ0 を1.8
μm 以下とする場合に、凸部５３ａの高さｈが 2μm を
超えると、記録磁界強度が大幅に低下する。
【００７８】この実施形態の薄膜磁気ヘッドは、トラッ
ク幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭トラック化したものであ
る。このような薄膜磁気ヘッドの先端部の加工に媒体対
向面からのＦＩＢ加工を適用し、上部磁極５３の先端を
凸部５３ａとすることによって、幅 1.8μm 以下という
記録トラック幅Ｗ0 に対応させた上部磁極５３を精度よ
く得ることができる。上部磁極５３の凸部５３ａは、通
常のＰＥＰ工程を適用して加工することも可能である
が、その場合には加工精度を向上させるために、ＰＥＰ
時の露光に波長の短い光を使用することが好ましい。
ク幅Ｗ0 を 1.8μm 以下と狭トラック化したものであ
る。このような薄膜磁気ヘッドの先端部の加工に媒体対
向面からのＦＩＢ加工を適用し、上部磁極５３の先端を
凸部５３ａとすることによって、幅 1.8μm 以下という
記録トラック幅Ｗ0 に対応させた上部磁極５３を精度よ
く得ることができる。上部磁極５３の凸部５３ａは、通
常のＰＥＰ工程を適用して加工することも可能である
が、その場合には加工精度を向上させるために、ＰＥＰ
時の露光に波長の短い光を使用することが好ましい。
【００７９】このように、記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μ
m 以下と狭トラック化した磁気ヘッドに対応させるため
に、高Ｂs の第１の磁性材料層５５の厚さｔは 0.5μm
以上とされている。記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下
と狭トラック化した場合には、磁束の集中が激しく磁気
飽和の影響が大きくなる。このため、本発明の第３の磁
気ヘッドでは、高Ｂs の第１の磁性材料層５５の厚さを
0.5μm 以上と厚くしている。これによって、良好な記
録磁界強度と磁界傾度を得ることができる。ただし、高
Ｂs の第１の磁性材料層５５の厚さを厚くしすぎると、
磁界傾度の改善効果が損われることから、第１の磁性材
料層５５の厚さは 2.0μm 以下とすることが好ましい。
m 以下と狭トラック化した磁気ヘッドに対応させるため
に、高Ｂs の第１の磁性材料層５５の厚さｔは 0.5μm
以上とされている。記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下
と狭トラック化した場合には、磁束の集中が激しく磁気
飽和の影響が大きくなる。このため、本発明の第３の磁
気ヘッドでは、高Ｂs の第１の磁性材料層５５の厚さを
0.5μm 以上と厚くしている。これによって、良好な記
録磁界強度と磁界傾度を得ることができる。ただし、高
Ｂs の第１の磁性材料層５５の厚さを厚くしすぎると、
磁界傾度の改善効果が損われることから、第１の磁性材
料層５５の厚さは 2.0μm 以下とすることが好ましい。
【００８０】上述したように、記録トラック幅Ｗ0 を
1.8μm 以下と狭トラック化する場合に、高Ｂs の第１
の磁性材料層５５の厚さｔを 0.5μm 以上と厚くするこ
とによって、トラック幅Ｗ0 に対応させた凸部５３ａに
おける第１の磁性材料層５５と第２の磁性材料層５６と
の積層部分での磁気飽和を抑制することができる。従っ
て、記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下とした場合にお
いても、良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可
能となる。
1.8μm 以下と狭トラック化する場合に、高Ｂs の第１
の磁性材料層５５の厚さｔを 0.5μm 以上と厚くするこ
とによって、トラック幅Ｗ0 に対応させた凸部５３ａに
おける第１の磁性材料層５５と第２の磁性材料層５６と
の積層部分での磁気飽和を抑制することができる。従っ
て、記録トラック幅Ｗ0 を 1.8μm 以下とした場合にお
いても、良好な記録磁界強度と磁界傾度を得ることが可
能となる。
【００８１】上部磁極５３の媒体対向面近傍部分は、図
６や図７に示したように、 3層以上の磁性材料層の積層
膜で構成することも可能である。すなわち、上部磁極５
３の媒体対向面近傍部分は、最も大きい飽和磁束密度Ｂ
s 3 を有する第３の磁性材料層と、高Ｂs 材料（Ｂs
1 ）からなる第１の磁性材料層と、低Ｂs 材料（Ｂs
2）からなる第２の磁性材料層との積層膜により構成す
ることができる。この場合の磁性材料の組合せは前述し
た実施形態と同様とすることが好ましい。このような磁
極によれば、さらに磁界強度を増加させることができる
と共に、磁界傾度をより急峻にすることが可能となる。
６や図７に示したように、 3層以上の磁性材料層の積層
膜で構成することも可能である。すなわち、上部磁極５
３の媒体対向面近傍部分は、最も大きい飽和磁束密度Ｂ
s 3 を有する第３の磁性材料層と、高Ｂs 材料（Ｂs
1 ）からなる第１の磁性材料層と、低Ｂs 材料（Ｂs
2）からなる第２の磁性材料層との積層膜により構成す
ることができる。この場合の磁性材料の組合せは前述し
た実施形態と同様とすることが好ましい。このような磁
極によれば、さらに磁界強度を増加させることができる
と共に、磁界傾度をより急峻にすることが可能となる。
【００８２】上述した実施形態では、上部磁極５３の先
端部のみを記録トラック幅Ｗ0 に対応させた凸部５３ａ
に加工した例について説明したが、例えば図１７に示す
ように、下部磁極５１の先端を同様な凸部５１ａに加工
してもよい。この場合、下部磁極５１は上部磁極５３と
同時に加工することができる。このような磁極構造によ
れば、トラック幅方向の記録磁界の急峻性が増し、狭ト
ラック記録に対してさらに有利となる。
端部のみを記録トラック幅Ｗ0 に対応させた凸部５３ａ
に加工した例について説明したが、例えば図１７に示す
ように、下部磁極５１の先端を同様な凸部５１ａに加工
してもよい。この場合、下部磁極５１は上部磁極５３と
同時に加工することができる。このような磁極構造によ
れば、トラック幅方向の記録磁界の急峻性が増し、狭ト
ラック記録に対してさらに有利となる。
【００８３】なお、下部磁極５１についても、高Ｂs の
第１の磁性材料層と低Ｂs の第２の磁性材料層とで構成
することが好ましい。さらに、下部磁極５１の磁気ギャ
ップ５２と接する部分のみに、第１の磁性材料層よりさ
らに飽和磁束密度が大きい第３の磁性材料層を配置して
もよい。
第１の磁性材料層と低Ｂs の第２の磁性材料層とで構成
することが好ましい。さらに、下部磁極５１の磁気ギャ
ップ５２と接する部分のみに、第１の磁性材料層よりさ
らに飽和磁束密度が大きい第３の磁性材料層を配置して
もよい。
【００８４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気ヘッドによれば、狭トラック化する場合に磁極の
先端部での磁気飽和を抑制することができる。これによ
って、記録トラックを狭トラック化する場合において
も、優れた磁界強度および磁界傾度が得られる。従っ
て、磁気記録密度の高密度化に適した磁気へッドを提供
することが可能となる。
の磁気ヘッドによれば、狭トラック化する場合に磁極の
先端部での磁気飽和を抑制することができる。これによ
って、記録トラックを狭トラック化する場合において
も、優れた磁界強度および磁界傾度が得られる。従っ
て、磁気記録密度の高密度化に適した磁気へッドを提供
することが可能となる。
【図１】 本発明の磁気ヘッドを用いた録再分離型磁気
ヘッドの一実施形態の要部構成を一部切り欠いて示す図
である。
ヘッドの一実施形態の要部構成を一部切り欠いて示す図
である。
【図２】 本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの第１の実施
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
【図３】 図２に示す薄膜磁気ヘッドの変形例を示す図
である。
である。
【図４】 図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の変形例を示
す図である。
す図である。
【図５】 本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの第２の実施
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
【図６】 図２に示す薄膜磁気ヘッドの磁極構造の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】 図５に示す薄膜磁気ヘッドの磁極構造の変形
例を示す図である。
例を示す図である。
【図８】 本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの第３の実施
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
【図９】 本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの第４の実施
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
形態による媒体対向面近傍部分の磁極構造を示す図であ
る。
【図１０】 図８に示す薄膜磁気ヘッドの磁極構造の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図１１】 図９に示す薄膜磁気ヘッドの磁極構造の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図１２】 本発明の磁極構造を他のＴ字型磁極に適用
した一例を示す図である。
した一例を示す図である。
【図１３】 本発明の磁極構造を他のＴ字型磁極に適用
した他の例を示す図である。
した他の例を示す図である。
【図１４】 本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの一実施形
態の要部構造を示す斜視図である。
態の要部構造を示す斜視図である。
【図１５】 図１４に示す薄膜磁気ヘッドの変形例を示
す斜視である。
す斜視である。
【図１６】 本発明の第３の薄膜磁気ヘッドの一実施形
態の要部構造を示す斜視図である。
態の要部構造を示す斜視図である。
【図１７】 図１６に示す薄膜磁気ヘッドの変形例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１８】 従来の一般的な薄膜磁気へッドの磁極構造
を示す図である。
を示す図である。
【図１９】 従来の薄膜磁気へッドにおけるＴ字型磁極
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図２０】 従来の薄膜磁気へッドにおけるＴ字型磁極
構造の他の例を示す図である。
構造の他の例を示す図である。
１７、４１、５１……下部記録磁極 １７ａ、２１ａ……磁極チップ １７ｂ、２１ｂ……補助磁極 １９……薄膜磁気ヘッド ２０、４２、５２……記録磁気ギャップ ２１、４３、５３……上部記録磁極 ２３、４５、５５……高Ｂs の第１の磁性材料層 ２４、４６、５６……低Ｂs の第２の磁性材料層
フロントページの続き (72)発明者 坂田 浩実 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 原 通子 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 堀 昭男 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 小泉 隆 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 永田 友彦 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内
Claims (10)
- 【請求項１】 媒体対向面に位置するように配置された
磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように配
置され、少なくとも一方が前記磁気ギャップと接する磁
極チップと前記磁極チップより幅広の補助磁極とを有す
るＴ字型磁極からなる一対の磁極と、前記磁極と差交す
るように、前記一対の磁極間に配置されたコイルとを具
備する磁気ヘッドにおいて、 前記Ｔ字型磁極は、飽和磁束密度が異なる 2種類または
それ以上の磁性材料層の積層膜を有し、前記積層膜中の
磁性材料層のうち前記磁気ギャップ側に配置された高飽
和磁束密度を有する磁性材料層は、前記磁極チップとそ
の近傍の前記補助磁極の一部を構成していることを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、 前記磁極チップの前記磁気ギャップと接する部分の幅は
1.8μm 以下であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の磁気ヘッ
ドにおいて、 前記Ｔ字型磁極は、飽和磁束密度Ｂs 1 を有し、前記磁
極チップとその近傍の前記補助磁極の一部を構成してい
る第１の磁性材料層と、前記飽和磁束密度Ｂs1 より小
さい飽和磁束密度Ｂs 2 を有し、前記補助磁極の残余の
部分を構成している第２の磁性材料層とを有することを
特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項３記載の磁気ヘッドにおいて、 前記Ｔ字型磁極は、さらに前記飽和磁束密度Ｂs 1 より
大きい飽和磁束密度Ｂs 3 を有し、前記磁気ギャップと
接するように配置された第３の磁性材料層を有すること
を特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、 前記磁極チップの前記磁気ギャップと接する部分の幅を
Ｗ0 、前記第１の磁性材料層により構成された前記補助
磁極の一部と前記第２の磁性材料層により構成された前
記補助磁極の残余の部分とが接する部分の幅をＷ1 とし
たとき、前記第１の磁性材料層と前記第２の磁性材料層
は、Ｗ1 ／Ｗ0 ≧Ｂs 1 ／Ｂs 2 の関係を満足すること
を特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項６】 媒体対向面に位置するように配置された
磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように配
置された一対の磁極と、前記磁極と差交するように、前
記一対の磁極間に配置されたコイルとを具備する磁気ヘ
ッドにおいて、 前記一対の磁極のうち少なくとも一方
の磁極は、前記磁気ギャップと接する部分の幅が 1.8μ
m 以下であり、かつ前記媒体対向面近傍が飽和磁束密度
が異なる 2種類またはそれ以上の磁性材料層の積層膜に
より構成されていると共に、前記積層膜のうち前記磁気
ギャップ側に配置された高飽和磁束密度を有する磁性材
料層の厚さが 0.5μm 以上であることを特徴とする磁気
ヘッド。 - 【請求項７】 媒体対向面に位置するように配置された
磁気ギャップと、前記磁気ギャップを挟持するように配
置された一対の磁極と、前記磁極と差交するように、前
記一対の磁極間に配置されたコイルとを具備する磁気ヘ
ッドにおいて、 前記一対の磁極のうち少なくとも一方
の磁極は、前記媒体対向面の幅が 1.8μm 以下および前
記媒体対向面に対して垂直方向の高さが 2μm 以下の形
状を有する凸部を備え、かつ前記媒体対向面近傍が飽和
磁束密度が異なる 2種類またはそれ以上の磁性材料層の
積層膜により構成されていると共に、前記積層膜のうち
前記磁気ギャップ側に配置された高飽和磁束密度を有す
る磁性材料層の厚さが 0.5μm 以上であることを特徴と
する磁気ヘッド。 - 【請求項８】 請求項６または請求項７記載の磁気ヘッ
ドにおいて、 前記磁極は、前記磁気ギャップ側に配置され、飽和磁束
密度Ｂs 1 を有する第１の磁性材料層と、前記飽和磁束
密度Ｂs 1 より小さい飽和磁束密度Ｂs 2 を有し、前記
第１の磁性材料層と積層された第２の磁性材料層とを有
することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項８記載の磁気ヘッドにおいて、 前記磁極は、さらに前記飽和磁束密度Ｂs 1 より大きい
飽和磁束密度Ｂs 3 を有し、前記磁気ギャップと接する
ように配置された第３の磁性材料層を有することを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項１、請求項６または請求項７記
載の磁気ヘッドにおいて、 前記積層膜は、磁性層と非磁性層との多層膜または磁性
層同士の多層膜からなる磁性材料層を有することを特徴
とする磁気ヘッド。
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| JP10253019A JPH11149620A (ja) | 1997-09-10 | 1998-09-07 | 磁気ヘッド |
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| JP24529897 | 1997-09-10 | ||
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