JP2000132815A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】センス電流の増加により、再生出力が増加する
反面、磁気抵抗効果膜に発生するジュール熱も増加し、
素子温度も大幅に上昇し、熱による雑音が多くなりＳ／
Ｎ比が低下してしまう。さらに、通電寿命に関しても、
素子温度が高くなるに従い、大幅に低下してしまう。 【解決手段】上部ギャップ絶縁膜と下部ギャップ絶縁膜
の間に、媒体対向面と逆側、磁気抵抗効果膜に接するよ
うに保護絶縁膜を形成する。上部，下部ギャップ絶縁膜
には、絶縁耐圧の高いＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物
などを用い、保護絶縁膜にはこれらのギャップ絶縁膜よ
りも熱伝導性の高い材料、例えばＡｌＮ，ＢｅＯ，Ｃ
Ｎ，ＳｉＣ，ＢＮなどの絶縁膜を用いる。
反面、磁気抵抗効果膜に発生するジュール熱も増加し、
素子温度も大幅に上昇し、熱による雑音が多くなりＳ／
Ｎ比が低下してしまう。さらに、通電寿命に関しても、
素子温度が高くなるに従い、大幅に低下してしまう。 【解決手段】上部ギャップ絶縁膜と下部ギャップ絶縁膜
の間に、媒体対向面と逆側、磁気抵抗効果膜に接するよ
うに保護絶縁膜を形成する。上部，下部ギャップ絶縁膜
には、絶縁耐圧の高いＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物
などを用い、保護絶縁膜にはこれらのギャップ絶縁膜よ
りも熱伝導性の高い材料、例えばＡｌＮ，ＢｅＯ，Ｃ
Ｎ，ＳｉＣ，ＢＮなどの絶縁膜を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い磁気記録密度
に対応した磁気ヘッド，磁気記録再生装置に関する。
に対応した磁気ヘッド，磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の磁気ディスク装置には、記録を誘
導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで
行う記録再生分離型ヘッドが用いられる。磁気抵抗効果
型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化する磁
気抵抗効果を用いており、図５に示すように、磁気抵抗
効果膜，磁区制御膜，電極からなる磁気抵抗効果素子
と、不要な磁界を遮断するための上下のシールド層およ
び素子とシールド間を遮断するギャップ絶縁層から成
る。上記ギャップ絶縁膜として、主にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ
2 膜等の酸化膜が使われている。このような酸化膜は絶
縁耐圧が高いため、薄い膜厚においても使用可能であ
る。しかし、熱伝導率が低いため、磁気抵抗効果ヘッド
の動作時に発生するジュール熱の放熱効率が悪い。
導型薄膜ヘッドで行い、再生を磁気抵抗効果型ヘッドで
行う記録再生分離型ヘッドが用いられる。磁気抵抗効果
型ヘッドは、外部磁界に依存して電気抵抗が変化する磁
気抵抗効果を用いており、図５に示すように、磁気抵抗
効果膜，磁区制御膜，電極からなる磁気抵抗効果素子
と、不要な磁界を遮断するための上下のシールド層およ
び素子とシールド間を遮断するギャップ絶縁層から成
る。上記ギャップ絶縁膜として、主にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ
2 膜等の酸化膜が使われている。このような酸化膜は絶
縁耐圧が高いため、薄い膜厚においても使用可能であ
る。しかし、熱伝導率が低いため、磁気抵抗効果ヘッド
の動作時に発生するジュール熱の放熱効率が悪い。
【０００３】これに対し、特開平7−296337 号公報で
は、磁気抵抗効果型ヘッドの動作時に発生する熱を抑え
るために、熱伝導率が高いとされるＢｅＯ，ＡｌＮ絶縁
膜をギャップ膜に用いた磁気抵抗効果型ヘッドが、特開
平7−320236 号公報にはカーボン膜をギャップ膜に用い
た磁気抵抗効果型ヘッドが開示されている。
は、磁気抵抗効果型ヘッドの動作時に発生する熱を抑え
るために、熱伝導率が高いとされるＢｅＯ，ＡｌＮ絶縁
膜をギャップ膜に用いた磁気抵抗効果型ヘッドが、特開
平7−320236 号公報にはカーボン膜をギャップ膜に用い
た磁気抵抗効果型ヘッドが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録の高記録密度
化に伴い、記録波長，記録トラック幅は減少し、再生ヘ
ッドの出力も低下する傾向にある。再生ヘッド出力の低
下分を補うためには、再生ヘッドに流すセンス電流を増
加させる方法が最も確実な方法である。しかし、センス
電流の増加により、再生出力が増加する反面、磁気抵抗
効果膜に発生するジュール熱も増加し、素子温度も大幅
に上昇することになる。このため、熱による雑音が多く
なりＳ／Ｎ比が低下してしまう。さらに、通電寿命に関
しても、素子温度が高くなるに従い、大幅に低下してし
まう。
化に伴い、記録波長，記録トラック幅は減少し、再生ヘ
ッドの出力も低下する傾向にある。再生ヘッド出力の低
下分を補うためには、再生ヘッドに流すセンス電流を増
加させる方法が最も確実な方法である。しかし、センス
電流の増加により、再生出力が増加する反面、磁気抵抗
効果膜に発生するジュール熱も増加し、素子温度も大幅
に上昇することになる。このため、熱による雑音が多く
なりＳ／Ｎ比が低下してしまう。さらに、通電寿命に関
しても、素子温度が高くなるに従い、大幅に低下してし
まう。
【０００５】現在磁気ギャップ膜として用いられている
Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物は、高い絶縁耐圧を示
すが、熱伝導率が低いため、センス電流を多く流したと
きに素子温度が非常に高くなってしまう問題がある。ま
た、ＢｅＯやＡｌＮ膜は高い熱伝導率を有し、素子温度
の上昇は抑えられるが、薄膜における絶縁耐圧は十分で
はない。
Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物は、高い絶縁耐圧を示
すが、熱伝導率が低いため、センス電流を多く流したと
きに素子温度が非常に高くなってしまう問題がある。ま
た、ＢｅＯやＡｌＮ膜は高い熱伝導率を有し、素子温度
の上昇は抑えられるが、薄膜における絶縁耐圧は十分で
はない。
【０００６】本発明の目的は、電流の増加による高出力
化が可能な、低ノイズ，長寿命の磁気ヘッド、磁気ディ
スク装置を提供することにある。
化が可能な、低ノイズ，長寿命の磁気ヘッド、磁気ディ
スク装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、放熱効率
の良好な磁気抵抗効果型ヘッド構造に関して、誠意研究
を行った結果、磁気的信号を電気的信号に変換する磁気
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノ
イズを抑止するために縦バイアス磁界を印加する一対の
磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流
すための一対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部
ギャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜を介して上部シ
ールド及び下部シールドの間に設けられた磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、以下のような構造を有する磁気ヘッ
ドを形成することにより、放熱効率の良い磁気抵抗効果
型ヘッドが得られることを見いだした。
の良好な磁気抵抗効果型ヘッド構造に関して、誠意研究
を行った結果、磁気的信号を電気的信号に変換する磁気
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノ
イズを抑止するために縦バイアス磁界を印加する一対の
磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流
すための一対の電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部
ギャップ絶縁膜及び下部ギャップ絶縁膜を介して上部シ
ールド及び下部シールドの間に設けられた磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、以下のような構造を有する磁気ヘッ
ドを形成することにより、放熱効率の良い磁気抵抗効果
型ヘッドが得られることを見いだした。
【０００８】すなわち、上部ギャップ絶縁膜と下部ギャ
ップ絶縁膜の間に、媒体対向面と逆側、磁気抵抗効果膜
に接するように保護絶縁膜を形成する。この保護絶縁膜
は、再生出力に影響しない程度に磁気抵抗効果膜に乗り
上げていても構わない。上部，下部ギャップ絶縁膜に
は、絶縁耐圧の高いＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物な
どを用い、保護絶縁膜に上部，下部ギャップ絶縁膜の少
なくとも一方よりも熱伝導性の高い材料、例えばＡｌ
Ｎ，ＢｅＯ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮなどの絶縁膜を用いる
ことにより放熱効率の良い磁気抵抗効果型ヘッドが得ら
れる。
ップ絶縁膜の間に、媒体対向面と逆側、磁気抵抗効果膜
に接するように保護絶縁膜を形成する。この保護絶縁膜
は、再生出力に影響しない程度に磁気抵抗効果膜に乗り
上げていても構わない。上部，下部ギャップ絶縁膜に
は、絶縁耐圧の高いＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物な
どを用い、保護絶縁膜に上部，下部ギャップ絶縁膜の少
なくとも一方よりも熱伝導性の高い材料、例えばＡｌ
Ｎ，ＢｅＯ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮなどの絶縁膜を用いる
ことにより放熱効率の良い磁気抵抗効果型ヘッドが得ら
れる。
【０００９】また、上記磁気抵抗効果ヘッドと誘導型薄
膜ヘッドを組み合わせることにより良好な磁気ヘッドが
作製できる。さらに、この磁気ヘッドを搭載した磁気記
録再生装置は優れた特性を有する。
膜ヘッドを組み合わせることにより良好な磁気ヘッドが
作製できる。さらに、この磁気ヘッドを搭載した磁気記
録再生装置は優れた特性を有する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を挙げ、
図表を参照しながらさらに具体的に説明する。
図表を参照しながらさらに具体的に説明する。
【００１１】（実施例１）図１に、本発明の磁気抵抗効
果型ヘッドの浮上面に直交した方向、磁気抵抗効果素子
の中央の断面の概略図を示す。同図において、１１は基
板、１２は下部シールド膜、１３は下部ギャップ絶縁
膜、１４は磁気抵抗効果膜、１５は保護絶縁膜、１６は
上部ギャップ絶縁膜、１７は上部シールド膜を示す。図
は、磁気抵抗効果素子中央の断面図のため、電極および
磁区制御膜は図中には見えない。図に示すように、保護
絶縁膜は、下部及び上部ギャップ絶縁膜との間、磁気抵
抗効果膜１４に接して形成されている。
果型ヘッドの浮上面に直交した方向、磁気抵抗効果素子
の中央の断面の概略図を示す。同図において、１１は基
板、１２は下部シールド膜、１３は下部ギャップ絶縁
膜、１４は磁気抵抗効果膜、１５は保護絶縁膜、１６は
上部ギャップ絶縁膜、１７は上部シールド膜を示す。図
は、磁気抵抗効果素子中央の断面図のため、電極および
磁区制御膜は図中には見えない。図に示すように、保護
絶縁膜は、下部及び上部ギャップ絶縁膜との間、磁気抵
抗効果膜１４に接して形成されている。
【００１２】図２に本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの作
製方法を示す。図は、基板上方から見た図である。ま
ず、基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金
等の磁性膜からなる下部シールド膜，絶縁耐圧の高いＡ
ｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物からなる下部ギャップ絶
縁膜，磁気抵抗効果膜２１の順に形成する（図ａ）。次
に、レジスト２２を塗布，露光，現像して、マスクを形
成後（図ｂ）、イオンミリング法などの手段を用いて、
パターニングを行う。その上に磁区制御膜，電極２３を
連続して形成し、レジストを除去する（図ｃ）。さら
に、図ｄに示すようにレジスト２４でパターンを形成
後、再度イオンミリング法などの手段を用いて不要部分
を除去する。
製方法を示す。図は、基板上方から見た図である。ま
ず、基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金
等の磁性膜からなる下部シールド膜，絶縁耐圧の高いＡ
ｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物からなる下部ギャップ絶
縁膜，磁気抵抗効果膜２１の順に形成する（図ａ）。次
に、レジスト２２を塗布，露光，現像して、マスクを形
成後（図ｂ）、イオンミリング法などの手段を用いて、
パターニングを行う。その上に磁区制御膜，電極２３を
連続して形成し、レジストを除去する（図ｃ）。さら
に、図ｄに示すようにレジスト２４でパターンを形成
後、再度イオンミリング法などの手段を用いて不要部分
を除去する。
【００１３】次に、ギャップ絶縁膜よりも熱伝導性の高
い材料、例えばＡｌＮ，ＢｅＯ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮな
どの保護絶縁膜２５を形成した後（図ｅ）、レジスト２
４を除去する（図ｆ）。その後、絶縁耐圧の高い上部ギ
ャップ絶縁膜、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金
等の磁性膜からなる上部シールド膜を形成し、媒体対向
面側から研磨すると、図１に示した磁気抵抗効果型素子
が完成する。
い材料、例えばＡｌＮ，ＢｅＯ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮな
どの保護絶縁膜２５を形成した後（図ｅ）、レジスト２
４を除去する（図ｆ）。その後、絶縁耐圧の高い上部ギ
ャップ絶縁膜、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金
等の磁性膜からなる上部シールド膜を形成し、媒体対向
面側から研磨すると、図１に示した磁気抵抗効果型素子
が完成する。
【００１４】図３は、本実施例で作製した磁気ヘッドを
用い、センス電流に対する素子温度の変化を示すグラフ
である。ここで、本実施例のヘッドの構造は、以下の通
りである。基板はＡｌ2Ｏ3などの絶縁層を薄膜形成し、
精密研磨した非磁性基板を用いた。下部シールド層は
２.０μｍ 厚のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜を、下部ギャップ絶
縁膜は厚さ６５ｎｍのＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3 混合膜を、磁
気抵抗効果膜は多層スピンバルブ膜を用いた。スピンバ
ルブの膜構成は、［Ｔａ（５ｎｍ）／Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ
（３０ｎｍ）／Ｃｏ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２ｎｍ）／Ｃｏ
（１ｎｍ）／Ｎｉ−Ｆｅ（４ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）］
である。
用い、センス電流に対する素子温度の変化を示すグラフ
である。ここで、本実施例のヘッドの構造は、以下の通
りである。基板はＡｌ2Ｏ3などの絶縁層を薄膜形成し、
精密研磨した非磁性基板を用いた。下部シールド層は
２.０μｍ 厚のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ膜を、下部ギャップ絶
縁膜は厚さ６５ｎｍのＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3 混合膜を、磁
気抵抗効果膜は多層スピンバルブ膜を用いた。スピンバ
ルブの膜構成は、［Ｔａ（５ｎｍ）／Ｃｒ−Ｍｎ−Ｐｔ
（３０ｎｍ）／Ｃｏ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２ｎｍ）／Ｃｏ
（１ｎｍ）／Ｎｉ−Ｆｅ（４ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）］
である。
【００１５】次に、レジストを塗布，露光，現像後、磁
気抵抗効果膜をイオンミリング法により所定の形状にパ
ターニングし、バルクハウゼンノイズを抑制するための
Ｃｏ−ＰｔとＺｒＯ2 との混合膜からなる磁区制御層
（４０ｎｍ）およびＴａＷ／Ｔａ（１００ｎｍ）からな
る電極を形成した。保護絶縁膜は、ＡｌＮ膜（１５０ｎ
ｍ）を、上部ギャップ膜は厚さ３０ｎｍのＳｉＯ2−Ａ
ｌ2Ｏ3 混合膜を、上部シールド膜は厚さ３.０μｍ の
Ｎｉ−Ｆｅを用いた。
気抵抗効果膜をイオンミリング法により所定の形状にパ
ターニングし、バルクハウゼンノイズを抑制するための
Ｃｏ−ＰｔとＺｒＯ2 との混合膜からなる磁区制御層
（４０ｎｍ）およびＴａＷ／Ｔａ（１００ｎｍ）からな
る電極を形成した。保護絶縁膜は、ＡｌＮ膜（１５０ｎ
ｍ）を、上部ギャップ膜は厚さ３０ｎｍのＳｉＯ2−Ａ
ｌ2Ｏ3 混合膜を、上部シールド膜は厚さ３.０μｍ の
Ｎｉ−Ｆｅを用いた。
【００１６】また、従来例は、保護絶縁膜としてのＡｌ
Ｎ膜を用いない点以外は同じ構成である。図３に見るよ
うに、本実施例で作製した磁気ヘッドは従来例と比較し
てセンス電流に対する素子温度の増加が抑えられてい
る。これは、本実施例では、熱伝導性の高いＡｌＮ絶縁
膜を用いたことによるものである。これにより、従来の
素子よりセンス電流を多く流すことが可能で、素子寿命
を低下させることなく再生出力を高くすることが出来
る。
Ｎ膜を用いない点以外は同じ構成である。図３に見るよ
うに、本実施例で作製した磁気ヘッドは従来例と比較し
てセンス電流に対する素子温度の増加が抑えられてい
る。これは、本実施例では、熱伝導性の高いＡｌＮ絶縁
膜を用いたことによるものである。これにより、従来の
素子よりセンス電流を多く流すことが可能で、素子寿命
を低下させることなく再生出力を高くすることが出来
る。
【００１７】また、本実施例では、図１に示した構造の
磁気ヘッドを用いたが、図４に示すように、保護絶縁膜
が磁気抵抗効果素子３４に一部乗り上げた構造にしても
構わない。これにより、接触面積が大きくなるため、さ
らに高い効果が得られる。
磁気ヘッドを用いたが、図４に示すように、保護絶縁膜
が磁気抵抗効果素子３４に一部乗り上げた構造にしても
構わない。これにより、接触面積が大きくなるため、さ
らに高い効果が得られる。
【００１８】（実施例２）図６に本発明の磁気抵抗効果
型ヘッドの別の作製方法を示す。図は、基板上方から見
た図である。まず、基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−
Ｎｂ−Ｚｒ合金等の磁性膜からなる下部シールド膜，絶
縁耐圧の高いＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物からなる
下部ギャップ絶縁膜，磁気抵抗効果膜５１の順に形成す
る(図ａ)。次に、レジスト５２を塗布，露光，現像し
て、マスクを形成後、イオンミリング法などの手段を用
いて、パターニングを行う（図ｂ）。ここまでは実施例
１と同様である。その上に磁区制御膜５３を形成後、レ
ジストを除去する（図ｃ）。
型ヘッドの別の作製方法を示す。図は、基板上方から見
た図である。まず、基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−
Ｎｂ−Ｚｒ合金等の磁性膜からなる下部シールド膜，絶
縁耐圧の高いＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2 膜等の酸化物からなる
下部ギャップ絶縁膜，磁気抵抗効果膜５１の順に形成す
る(図ａ)。次に、レジスト５２を塗布，露光，現像し
て、マスクを形成後、イオンミリング法などの手段を用
いて、パターニングを行う（図ｂ）。ここまでは実施例
１と同様である。その上に磁区制御膜５３を形成後、レ
ジストを除去する（図ｃ）。
【００１９】さらに、レジスト５４でパターン形成後
（図ｄ）、再度イオンミリング法などの手段を用いて不
要部分を除去し、ギャップ絶縁膜よりも熱伝導性の高い
材料、例えばＡｌＮ，ＢｅＯ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮなど
の保護絶縁膜５５を形成した（図ｅ）、レジスト５４を
除去する（図ｆ）。次に、再度レジスト５６を用いてパ
ターンを形成し（図ｇ）、電極膜５７を形成後、レジス
トを剥離した(図ｈ)。このとき、電極間隔は、磁気抵抗
効果膜の幅より狭くなるようにレジストパターンを形成
した。その後、絶縁耐圧の高い上部ギャップ絶縁膜，Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金等の磁性膜からな
る上部シールド膜を形成した。
（図ｄ）、再度イオンミリング法などの手段を用いて不
要部分を除去し、ギャップ絶縁膜よりも熱伝導性の高い
材料、例えばＡｌＮ，ＢｅＯ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮなど
の保護絶縁膜５５を形成した（図ｅ）、レジスト５４を
除去する（図ｆ）。次に、再度レジスト５６を用いてパ
ターンを形成し（図ｇ）、電極膜５７を形成後、レジス
トを剥離した(図ｈ)。このとき、電極間隔は、磁気抵抗
効果膜の幅より狭くなるようにレジストパターンを形成
した。その後、絶縁耐圧の高い上部ギャップ絶縁膜，Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金等の磁性膜からな
る上部シールド膜を形成した。
【００２０】図７には、本実施例で形成した磁気ヘッド
の媒体対向面から見たヘッド構造を示す。図のように、
電極間隔が磁気抵抗効果膜の幅より狭くなっており、こ
の電極間隔が、再生トラック幅となる。本発明の構造の
磁気ヘッドは、実施例１で示した磁気ヘッドよりもさら
に高い記録密度に対応が可能な磁気ヘッドである。
の媒体対向面から見たヘッド構造を示す。図のように、
電極間隔が磁気抵抗効果膜の幅より狭くなっており、こ
の電極間隔が、再生トラック幅となる。本発明の構造の
磁気ヘッドは、実施例１で示した磁気ヘッドよりもさら
に高い記録密度に対応が可能な磁気ヘッドである。
【００２１】（実施例３）実施例１で作製した磁気抵抗
効果型ヘッドと記録ヘッドを組み合わせた磁気ヘッドを
作製した。図８は、記録再生分離型ヘッドの一部分を切
断した場合の斜視図である。再生ヘッドの構成は実施例
１と同じ構成とした。記録ヘッドの下部磁極７３は、再
生ヘッドの上部シールドと兼用とし、記録ヘッドのコイ
ル７４、および上部磁極７５は、それぞれ電気めっき法
により作製したＣｕおよび４６wt％Ｎｉ−Ｆｅ膜を用い
た。記録ヘッドの磁気ギャップ膜及び保護膜はＡｌ2Ｏ3
膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は０.９μｍ、再
生ヘッドのトラック幅は０.７μｍとした。
効果型ヘッドと記録ヘッドを組み合わせた磁気ヘッドを
作製した。図８は、記録再生分離型ヘッドの一部分を切
断した場合の斜視図である。再生ヘッドの構成は実施例
１と同じ構成とした。記録ヘッドの下部磁極７３は、再
生ヘッドの上部シールドと兼用とし、記録ヘッドのコイ
ル７４、および上部磁極７５は、それぞれ電気めっき法
により作製したＣｕおよび４６wt％Ｎｉ−Ｆｅ膜を用い
た。記録ヘッドの磁気ギャップ膜及び保護膜はＡｌ2Ｏ3
膜を用いた。記録ヘッドのトラック幅は０.９μｍ、再
生ヘッドのトラック幅は０.７μｍとした。
【００２２】本発明の磁気ヘッドは、熱伝導性の高いＡ
ｌＮの保護絶縁膜を用いており、熱放射効率が高いた
め、従来素子よりも多くのセンス電流が流せる。本構造
の磁気ヘッドを用いて、記録再生を行ったところ、従来
素子と比較して２.３ 倍の再生出力を得た。
ｌＮの保護絶縁膜を用いており、熱放射効率が高いた
め、従来素子よりも多くのセンス電流が流せる。本構造
の磁気ヘッドを用いて、記録再生を行ったところ、従来
素子と比較して２.３ 倍の再生出力を得た。
【００２３】（実施例４）本発明の記録再生分離型ヘッ
ドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に磁気デ
ィスク装置の構造の概略図を示す。磁気記録媒体８１に
は残留磁束密度２５００ＯｅのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金
からなる材料を用いた。磁気ヘッド８３における再生ヘ
ッドの保護絶縁膜には、熱伝導性の高いＡｌＮ膜を用い
ているため、センス電流を高くすることができ、従来の
Ａｌ2Ｏ3膜を用いた磁気ヘッドと比較して、高い再生出
力を示す。これにより、記録密度の高い磁気ディスク装
置を作成できる。本発明の磁気ヘッドは４Ｇbit／in2以
上の記録密度を有する磁気記録再生装置に有効である。
また、１０Ｇbit／in2以上の記録密度を有する磁気記録
再生装置には、必須と考えられる。
ドを用い、磁気ディスク装置を作製した。図９に磁気デ
ィスク装置の構造の概略図を示す。磁気記録媒体８１に
は残留磁束密度２５００ＯｅのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金
からなる材料を用いた。磁気ヘッド８３における再生ヘ
ッドの保護絶縁膜には、熱伝導性の高いＡｌＮ膜を用い
ているため、センス電流を高くすることができ、従来の
Ａｌ2Ｏ3膜を用いた磁気ヘッドと比較して、高い再生出
力を示す。これにより、記録密度の高い磁気ディスク装
置を作成できる。本発明の磁気ヘッドは４Ｇbit／in2以
上の記録密度を有する磁気記録再生装置に有効である。
また、１０Ｇbit／in2以上の記録密度を有する磁気記録
再生装置には、必須と考えられる。
【００２４】
【発明の効果】本発明のギャップ膜に絶縁耐圧の高い材
料を用い、保護絶縁膜に熱伝導性の高い材料を用いた磁
気抵抗効果ヘッドは、放熱効率が高い。これにより、セ
ンス電流を多く流しても優れたＳ／Ｎ比を有し、かつ通
電寿命も高くすることが出来る。また、上記磁気ヘッド
を用いることにより、高性能な磁気記録再生装置が得ら
れる。
料を用い、保護絶縁膜に熱伝導性の高い材料を用いた磁
気抵抗効果ヘッドは、放熱効率が高い。これにより、セ
ンス電流を多く流しても優れたＳ／Ｎ比を有し、かつ通
電寿命も高くすることが出来る。また、上記磁気ヘッド
を用いることにより、高性能な磁気記録再生装置が得ら
れる。
【図１】実施例１における磁気抵抗効果型ヘッドの浮上
面に直交した方向の断面図。
面に直交した方向の断面図。
【図２】実施例１における磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図３】本発明および従来例の磁気抵抗効果型ヘッドに
おけるセンス電流と素子温度との関係を示す特性図。
おけるセンス電流と素子温度との関係を示す特性図。
【図４】実施例１における別の構造の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの浮上面に直交した方向の断面図。
ッドの浮上面に直交した方向の断面図。
【図５】実施例１における磁気抵抗効果型ヘッドの媒体
対向面から見た断面図。
対向面から見た断面図。
【図６】実施例２における磁気抵抗効果型ヘッドの製造
工程順を示す説明図。
工程順を示す説明図。
【図７】実施例２における磁気抵抗効果型ヘッドの媒体
対向面から見た断面図。
対向面から見た断面図。
【図８】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドと記録ヘッドと
を組み合わせた磁気ヘッドの斜視図。
を組み合わせた磁気ヘッドの斜視図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は本発明の磁気ヘッドを用い
た磁気ディスク装置の概略平面図及び同図（ａ）のＡ−
Ａ線断面図。
た磁気ディスク装置の概略平面図及び同図（ａ）のＡ−
Ａ線断面図。
１１，２１，３１，４１，６１…基板、１２，１７，３
２，３７，４２，４８，６２，６８…シールド膜、１
３，１６，２３，３３，３６，４３，４７，６３，６７
…ギャップ絶縁膜、１４，２１，３４，４４，５１，６
４…磁気抵抗効果膜、１６，２５，３５，５５…保護絶
縁膜、２２，２４，５２，５４，５６…レジスト、２
３，２４，４６，４７，５７，６６…電極、４５，５
３，６５…磁区制御膜、７４…コイル、７５…上部磁
極、７６…基体、８１…磁気記録媒体、８２…磁気記録
媒体駆動部、８３…磁気ヘッド、８４…磁気ヘッド駆動
部、８５…記録再生信号処理系。
２，３７，４２，４８，６２，６８…シールド膜、１
３，１６，２３，３３，３６，４３，４７，６３，６７
…ギャップ絶縁膜、１４，２１，３４，４４，５１，６
４…磁気抵抗効果膜、１６，２５，３５，５５…保護絶
縁膜、２２，２４，５２，５４，５６…レジスト、２
３，２４，４６，４７，５７，６６…電極、４５，５
３，６５…磁区制御膜、７４…コイル、７５…上部磁
極、７６…基体、８１…磁気記録媒体、８２…磁気記録
媒体駆動部、８３…磁気ヘッド、８４…磁気ヘッド駆動
部、８５…記録再生信号処理系。
Claims (4)
- 【請求項１】磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵
抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のバルクハウゼンノイ
ズを抑止する縦バイアス磁界を印加する一対の磁区制御
膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流す一対の
電極とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギャップ絶縁
膜、及び下部ギャップ絶縁膜を介して、上部シールド及
び下部シールドの間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッド
において、下部ギャップ絶縁膜と上部ギャップ絶縁膜と
の間に保護絶縁膜を備えており、上記保護絶縁膜の少な
くとも一部が磁気抵抗効果膜に接しており、かつ、上記
保護絶縁膜の熱伝導率が、上部ギャップ絶縁膜及び下部
ギャップ絶縁膜の少なくとも一方の熱伝導率よりも高い
材料を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、上記保護絶縁膜がＡｌＮ，ＢｅＯ，ＣＮ，Ｓｉ
Ｃ，ＢＮから選ばれる絶縁膜、もしくはＡｌＮ，Ｂｅ
Ｏ，ＣＮ，ＳｉＣ，ＢＮを主成分とする混合絶縁膜から
なることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２記載において、磁気
抵抗効果型ヘッドと誘導型薄膜ヘッドとを組み合わせた
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】請求項３に記載の磁気ヘッドを搭載したこ
とを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306661A JP2000132815A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10306661A JP2000132815A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000132815A true JP2000132815A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17959811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10306661A Pending JP2000132815A (ja) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000132815A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7548400B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-06-16 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction |
| US7580230B2 (en) | 2006-10-24 | 2009-08-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having shape enhanced pinning, a flux guide structure and damage free virtual edges |
| US8472149B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-06-25 | Tdk Corporation | CPP type magneto-resistive effect device and magnetic disk system |
-
1998
- 1998-10-28 JP JP10306661A patent/JP2000132815A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7548400B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-06-16 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction |
| US7580230B2 (en) | 2006-10-24 | 2009-08-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having shape enhanced pinning, a flux guide structure and damage free virtual edges |
| US8472149B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-06-25 | Tdk Corporation | CPP type magneto-resistive effect device and magnetic disk system |
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