JP3526787B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと、読み出し用の磁気
抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】記録ヘッドの性能を決定する要因として
は、スロートハイト（Throat Height：TH）がある。ス
ロートハイトは、エアベアリング面から、磁束発生用の
薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁
極部分の長さ（高さ）をいう。ここにいうエアベアリン
グ面は、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体と対向する面
であり、トラック面とも呼ばれる。記録ヘッドの性能向
上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれてい
る。このスロートハイトは、エアベアリング面の加工の
際の研磨量によって制御される。

【０００４】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。

【０００５】ここで、図４３ないし図４８を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。

【０００６】この製造方法では、まず、図４３に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下
部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層
１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上
に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５
をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドと記録
ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）からなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部
磁極と記す。）１０７を形成する。

【０００７】次に、図４４に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、フォトレジスト層１０９を、高精度のフォトリソグ
ラフィで所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１０９上に、例えばめっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄
膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト層１
０９およびコイル１１０を覆うようにして、フォトレジ
スト層１１１を、高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。次に、コイル１１０の平坦化およ
びコイル１１０間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃ
の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１１上
に、例えばめっき法により、例えば銅よりなる第２層目
の薄膜コイル１１２を形成する。次に、フォトレジスト
層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層
１１３を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパター
ンに形成し、コイル１１２の平坦化およびコイル１１２
間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理
する。

【０００８】次に、図４５に示したように、コイル１１
０，１１２よりも後方（図４５における右側）の位置に
おいて、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部
分的にエッチングして開口部１０８ａを形成する。次
に、記録ギャップ層１０８およびフォトレジスト層１０
９，１１１，１１３上に、記録ヘッド用の磁気材料、例
えばパーマロイからなる上部ヨーク兼上部磁極（以下、
上部磁極と記す。）１１４を選択的に形成する。この上
部磁極１１４は、上記した開口部１０８ａにおいて下部
磁極１０７と接触し、磁気的に連結している。次に、上
部磁極１１４をマスクとして、イオンミリングによっ
て、記録ギャップ層１０８と下部磁極１０７を、約０．
５μｍ程度エッチングした後、上部磁極１１４上に、例
えばアルミナよりなるオーバーコート層１１５を形成す
る。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッド
および再生ヘッドのトラック面（エアベアリング面）１
２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０００９】図４６ないし図４８は、完成した状態の薄
膜磁気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図４６
はエアベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断
面を示し、図４７は磁極部分のエアベアリング面１２０
に平行な断面を拡大して示し、図４８は平面図を示す。
なお、図４３ないし図４６は、図４８におけるＡ−Ａ′
線に沿った矢視断面に対応する。また、図４６ないし図
４８では、オーバーコート層１１５の図示を省略してい
る。

【００１０】薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、
図４６および図４７に示したスロートハイトＴＨ、エイ
ペックスアングル（Apex Angle）θ、磁極幅Ｐ２Ｗおよ
び磁極長Ｐ２Ｌを正確に形成することが重要である。こ
こで、エイペックスアングルθは、フォトレジスト層１
０９，１１１，１１３のトラック面側の側面の角部を結
ぶ直線と上部磁極１１４の上面とのなす角度である。磁
極幅Ｐ２Ｗは、記録媒体上の記録トラック幅を規定する
ものである。磁極長Ｐ２Ｌは磁極の厚さを表している。
また、図４６および図４８において、‘ＴＨ０位置’と
あるのは、薄膜コイル１１０，１１２を電気的に分離す
る絶縁層であるフォトレジスト層１０９のトラック面側
のエッジであり、スロートハイトＴＨの基準位置０を示
している。

【００１１】図４７に示したように、上部磁極１１４、
記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭
トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実
効トラック幅の増加を防止することができる。なお、図
４７に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭ
Ｒ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としての
リード層１２１が設けられている。但し、図４３〜図４
６ではリード層１２１の図示を省略している。

【００１２】図４９は、上部磁極１１４の平面構造を表
すものである。この図に示したように、上部磁極１１４
は、その大部分を占めるヨーク部１１４ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅Ｗ１を有するポールチップ部１
１４ｂとを有している。ヨーク部１１４ａとポールチッ
プ部１１４ｂとの連結部分において、ヨーク部１１４ａ
の外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角
度αをなし、また、上記連結部分において、ポールチッ
プ部１１４ｂの外縁はエアベアリング面１２０と平行な
面に対して角度βをなしている。ここで、αは、例えば
４５度程度であり、βは９０度である。ポールチップ部
１１４ｂの幅は、記録媒体上の記録トラック幅を規定す
るものである。ポールチップ部１１４ｂは、ＴＨ０位置
よりも前方側（エアベアリング面１２０側）の部分Ｆ
と、ＴＨ０位置よりも後方側（ヨーク部１１４ａ側）の
部分Ｒとを含んでいる。図４６から判るように、部分Ｆ
は、平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、部分Ｒ
およびヨーク部１１４ａは、フォトレジスト層１０９，
１１１，１１３で覆われて山状に盛り上がったコイル部
分（以下、エイペックス部と言う。）の上に延在してい
る。

【００１３】なお、上部磁極の形状に関しては、例え
ば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】磁極幅Ｐ２Ｗは、記録
ヘッドのトラック幅を決定するため、正確な形成が要求
される。特に、近年は、高面密度記録を可能とするた
め、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、上部磁極の磁極幅Ｐ２Ｗを１．０μｍ以下の寸
法にするという微細加工が要求される。

【００１５】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１４を形成する場合は、まず、エイペッ
クス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い
電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次
に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレ
ーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜
をシード層として、めっき法によって上部磁極１１４を
形成する。

【００１６】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００１７】前述のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフ
レームパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜
１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形
成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚
のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成するこ
とは製造工程上極めて困難であった。

【００１８】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。特に、図５０に
示したように、磁極幅Ｐ２Ｗをさらに微小化してＷ１′
としたときには、この所望の幅Ｗ１′を得ることがさら
に困難となる。これは、ポールチップ部１１４ｂのう
ち、エイペックス部上に延在している部分Ｒでは、下地
電極膜で反射して戻ってくる反射光には、垂直方向の反
射光のみならず、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光も含まれており、これらの反
射光がフォトレジスト層の感光に影響を与える結果、磁
極幅Ｐ２Ｗを規定するフォトレジストパターン幅が所期
の値よりも大きくなり、その形状が図５０における破線
で示したような形になってしまうからである。ポールチ
ップ部１１４ｂの中でも、ＴＨ０位置より前方の部分Ｆ
の幅は、記録媒体上のトラック幅を規定する上で極めて
重要なファクタである。このため、部分Ｆの幅が上記し
た値Ｗ１′よりも大きくなると、目標とする微小なトラ
ック幅を得ることができない。

【００１９】このような問題は、上記の特開平８−２４
９６１４号公報に記載された磁気ヘッドにおいても同様
に存在する。この公報に記載された磁気ヘッドでは、Ｔ
Ｈ０位置からヨーク部に向かって磁極幅がなだらかに変
化しているので、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光がフォトレジスト層の感光に
与える影響により、ＴＨ０位置より前方の部分の幅を正
確に制御できないからである。

【００２０】また、図５０に示したように、ポールチッ
プ部１１４ｂのうち、ＴＨ０位置からヨーク部１１４ａ
との連結部までの部分Ｒは、ＴＨ０位置の前方の部分Ｆ
とほぼ同じ幅となっていてその断面積が小さいため、ヨ
ーク部１１４ａからの磁束が部分Ｒで飽和してしまい、
トラック幅を規定する部分Ｆにまで十分到達することが
できない。このため、オーバーライト特性、すなわち、
記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデータを
重ね書きする場合の特性が、例えば１０〜２０ｄＢ程度
と低い値となり、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができないという問題があった。

【００２１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を縮小化した場合において
も、磁極幅の正確な制御を可能にすると共に、十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、これらの少なくとも２つの磁性
層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有
する薄膜磁気ヘッドであって、２つの磁性層のうちの少
なくとも一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒体
対向面から絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部またはそ
の近傍にかけて延在し、記録媒体の記録トラックの幅を
規定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、絶縁層の
端縁部またはその近傍において第１の磁性層部分と磁気
的に連結する第２の磁性層部分と、第１の連結部の反対
側の第２の連結部において第２の磁性層部分と磁気的に
連結する第３の磁性層部分と、第１の磁性層部分、第２
の磁性層部分および第３の磁性層部分とオーバーラップ
して磁気的に連結され、この第３の磁性層部分よりも大
きな幅および面積を有する第４の磁性層部分とを含み、
第１の連結部における第１の磁性層部分の幅が、この連
結部における第２の磁性層部分の幅よりも小さくなるよ
うに、第１の連結部に幅方向の段差が形成され、かつ第
２の連結部における第２の磁性層部分の幅が、この連結
部における第３の磁性層部分の幅よりも小さくなるよう
に、第２の連結部に幅方向の段差が形成されており、第
１の磁性層部分、第２の磁性層部分および第３の磁性層
部分が、同一工程により一体に形成され、第４の磁性層
部分が、第１の磁性層部分、第２の磁性層部分および第
３の磁性層部分の形成工程と異なる工程により、これら
の部分とは別体として形成されたものであり、第４の磁
性層部分が、第１の連結部を越えて第１の磁性層部分の
一部ともオーバーラップするように延在し、第４の磁性
層部分の記録媒体媒体対向面側の端縁面が、第１の磁性
層部分の延在方向と直交しているものである。

【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一部がギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少なくとも
２つの磁性層を形成する工程と、少なくとも２つの磁性
層の間に絶縁層を介して配設されるように薄膜コイル部
を形成する工程とを含み、上記の少なくとも２つの磁性
層のうちの一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒
体対向面から絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部または
その近傍にかけて延在して記録媒体の記録トラックの幅
を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、絶縁層
の端縁部またはその近傍において第１の磁性層部分と磁
気的に連結する第２の磁性層部分と、第１の連結部の反
対側の第２の連結部において第２の磁性層部分と磁気的
に連結する第３の磁性層部分と、第１の磁性層部分、第
２の磁性層部分および第３の磁性層部分とオーバーラッ
プして磁気的に連結され、この第３の磁性層部分よりも
大きな幅および面積を有する第４の磁性層部分とを含む
ように形成すると共に、第１の連結部における第１の磁
性層部分の幅が、この連結部における第２の磁性層部分
の幅よりも小さくなるように、第１の連結部に幅方向の
段差を形成し、かつ第２の連結部における第２の磁性層
部分の幅が、この連結部における第３の磁性層部分の幅
よりも小さくなるように、第２の連結部に幅方向の段差
を形成し、第１の磁性層部分、第２の磁性層部分および
第３の磁性層部分を同一工程により一体に形成すると共
に、第４の磁性層部分を第１の磁性層部分、第２の磁性
層部分および第３の磁性層部分の形成工程と異なる工程
により、これらの部分とは別体として形成し、第４の磁
性層部分が第１の連結部を越えて第１の磁性層部分の一
部ともオーバーラップして延在するようにすると共に、
第４の磁性層部分の記録媒体媒体対向面側の端縁面が、
第１の磁性層部分の延在方向と直交するようにしたもの
である。

【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１の磁性層部分の一定幅によって記録媒体の
記録トラックの幅が規定される。第１の磁性層部分は、
絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部またはその近傍にお
いて、第１の磁性層部分の幅よりも大きい幅の第２の磁
性層部分に磁気的に連結され、その第１の連結部には幅
方向の段差が形成される。また、第２の磁性層部分は、
第１の連結部の反対側の第２の連結部において、第２の
磁性層部分の幅よりも大きい幅の第３の磁性層部分に磁
気的に連結され、その第２の連結部には幅方向の段差が
形成される。さらに、第１の磁性層部分、第２の磁性層
部分および第３の磁性層部分は、この第３の磁性層部分
よりも大きな幅および面積を有する第４の磁性層部分と
オーバーラップして磁気的に連結される。これらの第１
の磁性層部分、第２の磁性層部分および第３の磁性層部
分は同一工程により一体に形成されたものであり、第４
の磁性層部分は第１の磁性層部分、第２の磁性層部分お
よび第３の磁性層部分の形成工程と異なる工程により、
これらの部分とは別体として形成されたものである。第
４の磁性層部分は第１の連結部を越えて第１の磁性層部
分の一部ともオーバーラップするように延在し、その第
４の磁性層部分の記録媒体媒体対向面側の端縁面は第１
の磁性層部分の延在方向と直交している。この場合に
は、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部
が、第４の磁性層部分の上記端縁面から後退しているの
で、この連結部における幅方向の段差の角部に丸みがあ
ったとしても、記録媒体の記録トラック幅を規定するこ
ととなる第１の磁性層部分の幅は、上記の直交部分から
先端部までの全域にわたって正確に一定となる。

【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１の連結部における第２の磁性層部分の段差
面が第１の磁性層部分の延在方向と垂直をなすようにし
てもよい。

【００２６】

【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が位置によらずに
一定であるようにしてもよい。

【００２８】

【００２９】

【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の連結部における第３の磁性層部分
の段差面が第２の磁性層部分の延在方向と垂直をなすよ
うにしてもよい。

【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第３の磁性層部分の幅が位置によらずに
一定であるようにしてもよい。

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第４の磁性層部分の上記端縁面の位置
が、絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部の位置と一致す
るようにしてもよい。この場合には、いわゆるスロート
ハイトと呼ばれる範囲の全域にわたって、記録媒体の記
録トラック幅を規定することとなる第１の磁性層部分の
幅が正確に一定となる。

【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分または第３の磁性層部
分の少なくとも一部が、絶縁層により形成される斜面上
に配置されるようにしてもよい。この場合には、たと
え、第２の磁性層部分または第３の磁性層部分の少なく
とも一部を上記の斜面上に形成することに起因して、第
１の磁性層部分の形成のためのフォトリソグラフィ工程
での露光状態の悪影響が生じ、これにより上記の第１の
連結部における幅方向の段差の角部に比較的大きな丸み
が生じたとしても、第１の磁性層部分の実質的な幅にば
らつきが生ずるという事態は回避される。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００４２】〔第１の実施の形態〕まず、図１ないし図
８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法について説明する。なお、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明す
る。図１ないし図７において、（Ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。また、図８は、複合
型薄膜磁気ヘッドの平面構成を示している。

【００４３】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３
・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ
２Ｏ３）よりなる絶縁層２を、約３〜５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層２上に、フォトレジスト膜を
マスクとして、めっき法にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。

【００４４】次に、下部シールド層３上に、例えばアル
ミナを１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シ
ールドギャップ膜４を形成する。次に、シールドギャッ
プ膜４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜
５を数１０ｎｍ以下の厚みに形成し、高精度のフォトリ
ソグラフィで所望の形状とする。次に、ＭＲ膜５の両側
に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上に、シー
ルドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャ
ップ膜４，６内に埋設する。

【００４５】次に、図２に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、例えばパーマロイよりなる上部シールド
兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）７を、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。ここで、下部磁極７が
本発明における「少なくとも２つの磁性層」のうちの１
つに対応する。

【００４６】次に、下部磁極７上に、無機系絶縁膜、例
えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を約１〜２μｍの厚み
で形成した後、テーパエッチングを施して、選択的にパ
ターニングして、エイペックスアングルとスロートハイ
トを規定するための絶縁層８を形成する。なお、絶縁層
８としては、シリコン酸化膜に限らず、アルミナ膜や、
シリコンチッ化膜（ＳｉＮ）等の他の無機系絶縁膜を用
いてもよい。また、上記膜はスパッタまたはＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法にて形成してもよい。次
に、下部磁極７および絶縁層８上に、絶縁膜、例えばア
ルミナ膜よりなる記録ギャップ層９を形成する。

【００４７】次に、図３に示したように、記録ギャップ
層９上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃ
ｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コ
イル１０を２〜３μｍの厚みで形成する。

【００４８】次に、図４に示したように、記録ギャップ
層９およびコイル１０上に、フォトレジスト層１１を、
高精度のフォトリソグラフィで所定のパターンに形成す
る。次に、コイル１０の平坦化およびコイル１０間の絶
縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理する。

【００４９】次に、フォトレジスト層１１上に、例えば
電解めっき法により、例えば銅よりなる第２層目の薄膜
コイル１２を２〜３μｍの厚みで形成する。次に、フォ
トレジスト層１１およびコイル１２上に、フォトレジス
ト層１３を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパタ
ーンに形成し、コイル１２の平坦化およびコイル１２間
の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理す
る。

【００５０】次に、図５に示したように、コイル１０，
１２よりも後方（図５（ａ）における右側）の位置にお
いて、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的に
エッチングして開口部９ａを形成する。次に、上部磁極
を形成する前に、高飽和磁束密度材のＮｉＦｅ系合金
を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚みで
形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極膜
（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、フ
ォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパタ
ーニングして、フレームめっき法によって上部磁極を形
成するためのフレーム（外枠）となるフォトレジストパ
ターン（図示せず）を形成する。次に、このフォトレジ
ストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜をシー
ド層として、電解めっき法によって、上部ヨーク兼上部
磁極（以下、上部磁極と記す。）１７を、約３〜５μｍ
の厚みに形成し、その後、フォトレジストパターンを除
去する。この上部磁極１７は、例えば図９に示したよう
な平面形状を有し、上記の開口部９ａにおいて下部磁極
７と接触して磁気的に連結される。上部磁極１７として
は、例えば、高飽和磁性材料であるパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等が用いられる。この上部磁極
１７の形状については後述する。ここで、上部磁極１７
が本発明における「２つの磁性層のうちの少なくとも一
方の磁性層」に対応する。

【００５１】次に、図６に示したように、上部磁極１７
をマスクとして、例えばイオンミリングによって、記録
ギャップ層９と下部磁極７を、約０．５μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。

【００５２】次に、図７に示したように、全面を覆うよ
うにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
８を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面（トラ
ック面）を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００５３】図８は、本実施の形態に係る製造方法によ
って製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、
この図では、オーバーコート層１８を省略している。こ
の図に示したように、スロートハイトＴＨは、絶縁層８
の磁極部分側の端縁（ＴＨ０位置）からエアベアリング
面２０までの長さである。なお、図１ないし図７は、図
８におけるＡ−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。

【００５４】図９は、上部磁極１７の平面構造を表すも
のである。この図に示したように、上部磁極１７は幅Ｗ
４を有し、上部磁極１７の大部分を占めるヨーク部１７
ａと、ほぼ一定の幅Ｗ１を有する中間部１７ｂと、Ｗ１
よりも小さいほぼ一定の幅Ｗ２を有する中間部１７ｃ
と、さらにＷ２よりも小さいほぼ一定の幅Ｗ３を有する
先端部１７ｄとを有している。ヨーク部１７ａ、中間部
１７ｂ、中間部１７ｃおよび先端部１７ｄの各幅方向の
中心は互いに一致している。ヨーク部１７ａと中間部１
７ｂとの連結部分において、ヨーク部１７ａの外縁はエ
アベアリング面２０と平行な面に対して角度αをなし、
また、上記連結部分において、中間部１７ｂの側縁面は
エアベアリング面２０と平行な面に対して角度βをなし
ている。本実施の形態において、αは例えば４５度程度
であり、βはほぼ９０度である。さらに、中間部ｂと中
間部ｃの連結部分において、中間部ｂの外縁はエアベア
リング面２０と平行な面に対して角度γをなし、また、
上記連結部において、中間部１７ｃの側縁面はエアベア
リング面２０と平行な面に対して角度δをなしている。
中間部１７ｃの幅は位置によらずにほぼ一定であり、先
端部１７ｄの幅もまた、位置によらずにほぼ一定であ
る。本実施の形態において、γは例えば４５度程度であ
り、δはほぼ９０度である。

【００５５】上部磁極１７の中間部１７ｃと先端部１７
ｄとの連結部は、ＴＨ０位置またはその近傍に位置して
いる。ここで、「その近傍」とは、ＴＨ０位置に対して
例えばプラス／マイナス０．５μｍの範囲内をいう。上
記連結部における中間部１７ｃの幅はＷ２であり、一
方、上記連結部における先端部１７ｄの幅はＷ２よりも
小さいＷ３である。すなわち、ＴＨ０位置またはその近
傍において、中間部１７ｃと先端部１７ｄとの間には幅
方向の段差が存在している。この段差部における中間部
１７ｃ側の端面（以下、段差面という。）２１a は、中
間部１７ｃの側縁面と角度εをなし、先端部１７ｄの側
縁面の方向（すなわち、先端部１７ｄの延在方向）と角
度ζをなしている。本実施の形態では、角度εおよびζ
は共にほぼ９０度である。すなわち、先端部１７ｄと中
間部１７ｃとの間の段差面２１a は、先端部１７ｄの側
縁面と実質的に垂直をなしている。ここで、 「実質的
に垂直」とは、先端部１７ｄの側縁面の主たる部分と段
差面２１a の主たる部分とのなす角度ζがほぼ９０度で
あることを意味すると共に、先端部１７ｄの側縁面と段
差面２１a とが交差する角部がシャープなエッジになっ
ている場合のみならず丸みを帯びている場合をも含む意
である。なお、上記の角度ζは、例えば７５〜１２０度
の範囲にあるのが好適である。上記角部の丸み形状は、
フォトレジストパターンを形成するためのマスクにおけ
る上記角部に対応する部分がたとえシャープなエッジに
なっていたとしても生じ得るものである。また、フォト
レジストパターンを形成するためのマスクにおける上記
角部に対応する部分の角度を正確に９０度にしたとして
も、フォトリソグラフィ工程における露光量を増加させ
ると、これにより形成される上部磁極１７の角度ζが１
１０〜１２０度まで広がる場合もある。ここで、上部磁
極１７の先端部１７ｄが本発明における「第１の磁性層
部分」に対応し、中間部１７ｃが本発明における「第２
の磁性層部分」に対応し、中間部１７ｂが本発明におけ
る「第３の磁性層部分」に対応し、ヨーク部１７ａが本
発明における「第４の磁性層部分」に対応する。

【００５６】図７から判るように、先端部１７ｄは、平
坦な記録ギャップ層９の上に延在し、中間部１７ｃ、中
間部１７ｂおよびヨーク部１７ａは、フォトレジスト層
１１，１３等からなる丘陵状に盛り上がったエイペック
ス部の上に延在している。先端部１７ｄの幅Ｗ３は、磁
極幅Ｐ２Ｗに相当し、記録媒体上のトラック幅を規定す
るものである。

【００５７】なお、図９に示した各部の寸法としては、
例えば次のような値が好適である。 ヨーク部１７ａの長さＬ１＝１０．０〜４０．０μｍ 中間部１７ｂの長さＬ２＝２．０〜５．０μｍ 中間部１７ｃの長さＬ３＝１．０〜３．０μｍ 先端部１７ｄの長さＬ４（＝スロートハイトＴＨ）＝
０．５〜１．０μｍ ヨーク部１７ａの幅Ｗ４＝２０．０〜４０．０μｍ 中間部１７ｂの幅Ｗ１＝３．０〜１０．０μｍ 中間部１７ｃの幅Ｗ２＝１．０〜３．０μｍ 先端部１７ｄの幅Ｗ３＝０．４μｍ 特に、先端部１７ｄの幅Ｗ３、中間部１７ｃの幅Ｗ２お
よび中間部１７ｂの幅Ｗ１については、中間部１７ｃの
幅Ｗ２が先端部１７ｄの幅Ｗ３より広くなるようにし、
且つ中間部１７ｂの幅Ｗ１が中間部１７ｃの幅Ｗ２より
広くなるようにして、よって先端部１７ｄの幅Ｗ３を基
準としてＷ３＜Ｗ２＜Ｗ１の関係を成立させ、前記の各
部寸法例に則して各部の形状を決定するのが好適であ
る。

【００５８】このような形状を有する上部磁極１７をも
つ薄膜磁気ヘッドは、オーバーライト特性において高い
性能を発揮する。すなわち、この上部磁極１７は、図９
に示したように、ＴＨ０位置において先端部１７ｄと連
結している中間部１７ｃの幅は、記録媒体上のトラック
幅を規定する先端部１７ｄの幅Ｗ３よりもかなり大きい
幅Ｗ２を有し、中間部１７ｃのボリュームは、従来の場
合（図４９）の部分Ｒのそれに比べて大きい。また、本
発明ではさらに、中間部１７ｃと連結し、中間部１７ｃ
の幅Ｗ２より大きい幅Ｗ１を有する中間部１７ｂを設け
ている。この中間部１７ｂのボリュームは、従来の場合
（図４９）の部分Ｒのそれおよび前記中間部１７ｃのそ
れに比べて大きくなる。このため、薄膜コイル１０，１
２によってヨーク部１７ａに発生した磁束は、中間部１
７ｂおよび１７ｃで飽和せず、段階的に収束して先端部
１７ｄにまで十分に到達する。したがって、先端部１７
ｄが例えばサブミクロンという狭トラック幅に対応した
ものであっても、オーバーライト用の磁束として十分な
大きさが得られる。すなわち、狭トラック化を実現しつ
つ、十分なオーバーライト特性を確保することが可能で
ある。

【００５９】図１２は、従来の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性と本実施の形態の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性とを比較して表すものである。この図の
（Ａ）は、図４９に示したような形状の上部磁極１１４
を有する従来の薄膜磁気ヘッドのオーバーライト特性を
表し、（Ｂ）は図９に示したような形状の上部磁極１７
を有する本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのオーバー
ライト特性を表す。この図に示したように、従来の薄膜
磁気ヘッドでは、２６．０ｄＢという値であったのに対
し、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、３５．５ｄＢ
という高い値が得られており、オーバーライト特性が改
善されている。

【００６０】また、上記のような形状を有する上部磁極
１７をもつ薄膜磁気ヘッドは、製造工程上においても、
次のような利点を有する。すなわち、図１０に示したよ
うに、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極
１７では、ほぼＴＨ０位置における、先端部１７ｄと中
間部１７ｃとの段差面２１a が先端部１７ｄの側縁面と
なす角度ζはほぼ９０度である。このため、フォトリソ
グラフィ工程でマスクを用いてフォトレジストを選択的
に露光してパターニングする場合に生ずる、エイペック
ス部からの斜め方向および横方向の反射光は、ＴＨ０位
置またはその近傍における段差面２１a と先端部１７ｄ
の側縁面とがなすほぼ９０度の角部において大部分が遮
断され、先端部１７ｄを形成するためのフォトレジスト
領域にまで到達しにくくなる。このため、先端部１７ｄ
を形成するためのフォトレジスト領域のパターン幅が広
がるのを抑制することができる。具体的には、図１０に
示したように、先端部１７ｄの長手方向の長さのうち、
先端部１７ｄにおける所期の目標幅Ｗ３よりも広がる部
分（図中の破線）の長さｄ１を極めて小さくすることが
可能である。

【００６１】これに対して、例えば図１１に示したよう
に、ＴＨ０位置における段差面２１a が先端部１７ｄの
側縁面となす角度ζが９０度よりもはるかに大きい場合
（例えば１３０度以上）には、上記した角部における反
射光の遮蔽効果が小さくなり、先端部１７ｄにおける所
期の目標幅Ｗ３よりも広がる部分（図中の破線）の長さ
ｄ２は、より大きくなる。

【００６２】このように、本実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドによれば、上部磁極１７の先端部１７ｄを形成するた
めのフォトレジスト領域のパターン幅の広がりを防止す
ることができるので、記録媒体上の書込トラック幅を規
定する先端部１７ｄの幅をほぼ目標の値Ｗ３とすること
ができ、書込トラック幅の狭小化が可能である。

【００６３】以上のように、本実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドによれば、ＴＨ０位置またはその近傍において上部
磁極１７の先端部１７ｄと中間部１７ｃとの間に、実質
的に直角に変化する幅方向の段差を設けると共に、中間
部１７ｃの幅をトラック幅を規定する先端部１７ｄの幅
よりも十分大きくしたので、先端部１７ｄを形成するた
めのフォトレジストのパターン幅の広がりを防止して書
込トラック幅を微小化することができる。

【００６４】また、ヨーク部１７ａ〜先端部１７ｄの中
間領域である中間部を図９のように２段化（中間部１７
ｂおよび中間部１７ｃ）することにより、ヨーク部１７
ａに発生した磁束が先端部１７ｄに到達する前に飽和す
るのを防止し、段階的に磁束を収束して先端部１７ｄに
伝播させることにより、十分なオーバーライト特性を確
保することができる。

【００６５】また、本実施の形態では、スロートハイト
ＴＨを規定する絶縁層８を、無機系絶縁膜で形成したの
で、コイル１０，１２を形成する際の２５０°Ｃ程度の
温度による熱処理によって、絶縁層８の端縁の位置変動
（パターンシフト）およびプロファイル悪化が生じるこ
とがない。そのため、スロートハイトの正確な制御が可
能になる。更に、ＭＲハイトの正確な制御や、エイペッ
クスアングルθの正確な制御も可能となる。

【００６６】また、本実施の形態では、スロートハイト
ＴＨを規定する絶縁層８を、無機系絶縁膜で形成したの
で、トリム構造を形成するために記録ギャップ層９と下
部磁極７をエッチングする際における絶縁層８の位置変
動がなく、これによっても、スロートハイトの正確な制
御が可能となる。

【００６７】また、本実施の形態によれば、下部磁極
（上部シールド）７と薄膜コイル１０，１２の間に、薄
い記録ギャップ層９の他に、厚い絶縁層８を形成するよ
うにしたので、下部磁極（上部シールド）７と薄膜コイ
ル１０，１２との間に、大きな絶縁耐圧を得ることがで
きると共に、薄膜コイル１０，１２からの磁束の漏れを
低減することができる。

【００６８】なお、本実施の形態において、上部磁極１
７として、例えばＮｉＦｅやチッ化鉄（ＦｅＮ）を用い
るようにしたが、このほか、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒの
アモルファス等の高飽和磁束密度材を用いてもよいし、
これらの材料を２種類以上重ねて使用してもよい。ま
た、下部磁極７としても、ＮｉＦｅと上記の高飽和磁束
密度材を重ねた磁性材料を用いてもよい。

【００６９】また、上部磁極１７は、図９に示した形状
に限定されず、例えば以下の図１３〜図１９に示したよ
うな形状にしてもよい。

【００７０】図１３は、ＴＨ０位置における中間部１７
ｃの段差面２１a の両外側角部をわずかに面取りした場
合の上部磁極１７の平面図である。面取り部以外の部分
の構造は図９の場合と同様である。この場合には、面取
り後の段差面２１a の幅がＷ２となるようにする。

【００７１】図１４は、ＴＨ０位置における段差面２１
ａが先端部１７ｄの側縁面となす角度ζを９０度より大
きくした場合の上部磁極１７の平面図である。角度ζ
は、例えば９０〜１５０度とするが、より好適には９０
〜１２０度の範囲とする。

【００７２】図１５は、中間部１７ｃの側縁面がエアベ
アリング面２０と平行な面となす角度εを９０度より小
さくした場合の上部磁極１７の平面図である。角度ε
は、例えば７０〜８０度の範囲とするのが好適である。

【００７３】図１６は、先端部１７ｄと中間部１７ｃの
連結部形状が図９と同様であり、かつ中間部１７ｂの段
差における両外側角度が９０度（すなわちγが０度）で
ある場合の上部磁極１７の平面図である。

【００７４】図１７は、先端部１７ｄと中間部１７ｃの
連結部形状が図１３と同様であり、かつ中間部１７ｂの
段差における両外側角度が９０度（すなわちγが０度）
である場合の上部磁極１７の平面図である。

【００７５】図１８は、先端部１７ｄと中間部１７ｃの
連結部形状が図１４と同様であり、かつ中間部１７ｂの
段差における両外側角度が９０度（すなわちγが０度）
である場合の上部磁極１７の平面図である。

【００７６】図１９は、先端部１７ｄと中間部１７ｃの
連結部形状が図１５と同様であり、かつ中間部１７ｂの
段差における両外側角度が９０度（すなわちγが０度）
である場合の上部磁極１７の平面図である。

【００７７】なお、図１３〜図１９において、先端部１
７ｄと中間部１７ｃとの連結位置はＴＨ０位置と厳密に
一致しなければならないものではなく、ＴＨ０位置に対
して例えばプラス／マイナス０．５μｍ程度の範囲でず
れていてもよい。

【００７８】これらの図１３〜図１９に示した上部磁極
１７を有する薄膜磁気ヘッドにおいても、上記の図９に
示した上部磁極１７を有する薄膜磁気ヘッドの場合と同
様の効果を得ることができる。

【００７９】〔第２の実施の形態〕次に、本発明の第２
の実施の形態を説明する。

【００８０】まず、図２０ないし図２３を参照して、本
発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって
具現化されるので、以下併せて説明する。図２０ないし
図２３において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直な断
面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行
な断面を示している。これらの図で、上記各実施の形態
における要素と同一部分には同一の符号を付すものとす
る。

【００８１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図２０に示した下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図３
の途中までの工程と同様であるので、説明を省略する。

【００８２】本実施の形態では、図２０に示したように
下部磁極７の形成が終了すると、次に、図２１に示した
ように、記録ギャップ層９を形成し、その上に、スロー
トハイトＴＨを規定するための絶縁膜パターン２５を形
成する。次に、後工程で薄膜コイル２９を形成する領域
よりも後方（図２１（Ａ）における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的にエ
ッチングして開口部９ｂを形成する。次に、絶縁膜パタ
ーン２５からトラック対向面（エアベアリング面）とな
る側にかけての領域に、例えば電解めっき法により、上
部磁極の一部を構成することとなる上部ポールチップ２
７ａを選択的に形成する。このとき、同時に、開口部９
ｂにも磁路形成パターン２７ｂを形成する。上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂとしては、
例えば、高飽和磁束密度材であるパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）系の合金や窒化鉄（ＦｅＮ）系の合金等が用いられ
る。

【００８３】上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パ
ターン２７ｂの形成は、例えば、次のようにして行う。
すなわち、まず、高飽和磁束密度材であるＮｉＦｅ系合
金を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚み
で形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極
膜（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパ
ターニングして、フレームめっき法によってフォトレジ
ストパターン（図示せず）を形成する。次に、このフォ
トレジストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜
をシード層として、電解めっき法によって、上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂを、約３〜
５μｍの厚みに形成し、その後、フォトレジストパター
ンを除去する。この上部ポールチップ２７ａは、例えば
図２４および図２５に示したような形状とする。この上
部ポールチップ２７ａの形状については後述する。

【００８４】次に、上部ポールチップ２７ａをマスクと
して、例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層
９と下部磁極７とを、約０．３〜０．５μｍ程度エッチ
ングして、書き込み時における実効トラック幅の広がり
を抑制するためのトリム構造を形成する。

【００８５】次に、全体に、例えばアルミナ膜等の絶縁
膜２８を０．５〜１．５μｍ程度の膜厚に形成したの
ち、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル２９を２〜３μ
ｍの厚みで形成する。次に、全体に、例えばアルミナ膜
等の絶縁層３０を３〜４μｍ程度の膜厚に形成したの
ち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法により全体を研磨
して平坦化し、上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成
パターン２７ｂの表面を露出させる。

【００８６】次に、図２２に示したように、上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂの場合と同
様の工程の電解めっき法によって、上部ヨーク兼上部磁
極（以下、上部磁極という。）２７ｃを、約３〜５μｍ
の厚みに形成する。この上部磁極２７ｃは、例えば図２
４に示したような平面形状を有し、上記の開口部９ｂに
おいて下部磁極７と接触して磁気的に連結されると共
に、上部ポールチップ２７ａとも接触して磁気的に連結
される。上部磁極２７ｃとしては、例えば、高飽和磁性
材料であるパーマロイ（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（ＦｅＮ）
等が用いられる。ここで、上部磁極２７ｃが本発明にお
ける「第４の磁性層部分」に対応する。

【００８７】次に、全体を覆うようにして、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層３８を形成する。最後
に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面（トラック面）を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【００８８】なお、ここでは、１層の薄膜コイル２９の
みを形成するようにしたが、図２３に示したように、薄
膜コイル２９を覆う絶縁層３０の上に第２層の薄膜コイ
ル３５を形成し、これをフォトレジスト層３６で覆った
後、その上に上部磁極３７を選択的に形成するようにし
てもよい。

【００８９】図２４は、上部磁極２７ｃおよび上部ポー
ルチップ２７ａの平面構造を表し、図２５は上部ポール
チップ２７ａの平面構造を表すものである。図２４に示
したように、上部磁極２７ｃは、幅Ｗ４を有し上部磁極
２７ｃの大部分を占めるヨーク部２７ｃ(1) と、上部ポ
ールチップ２７ａと一部オーバーラップして接続される
接続部２７ｃ(2) とを有している。ヨーク部２７ｃ(1)
の形状は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７
のヨーク部１７ａと同様である。接続部２７ｃ(2) の幅
は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７の中間
部１７ｃの幅よりも広くなっている。ヨーク部２７ｃ
(1) および接続部２７ｃ(2) の各幅方向の中心は互いに
一致している。

【００９０】図２５に示したように、上部ポールチップ
２７ａは、記録媒体上の書込トラック幅を規定する先端
部２７ａ(1) と、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) と
接続される中間部２７ａ(2) および中間部２７ａ(3) と
を有している。中間部２７ａ(2) は、上記第１の実施の
形態における上部磁極１７の中間部１７ｃに対応する幅
Ｗ２を有し、長さはＬ４である。また、中間部２７ａ
(3) は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７の
中間部１７ｂに対応する幅Ｗ１を有し、長さはＬ５であ
る。先端部２７ａ(1) は、上記第１の実施の形態におけ
る先端部１７ｄに対応する幅Ｗ３を有する。先端部２７
ａ(1) と中間部２７ａ(2) との連結部は、ＴＨ０位置と
ほぼ一致し、同時に、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ
(2) における前側（エアベアリング面側）の端縁面とも
一致している。

【００９１】この連結部（すなわち、ほぼＴＨ０位置）
において、中間部２７ａ(2) の幅はＷ２であり、先端部
２７ａ(1) の幅は、Ｗ２よりも小さいＷ３である。ま
た、中間部２７ａ(3) の幅は中間部２７ａ(2) の幅Ｗ２
より大きいＷ１である。ここで、上部ポールチップ２７
ａにおける先端部２７ａ(1) の幅Ｗ３、中間部２７ａ
(2) の幅Ｗ２および中間部２７ａ(3) の幅Ｗ１は、Ｗ３
＜Ｗ２＜Ｗ１となる。すなわち、上部ポールチップ２７
a において、中間部２７a(3)と中間部２７a(2)の結合部
には幅方向の段差面２１c が存在し、また中間部２７a
(2)と先端部２７a(1)の結合部にも同様に幅方向の段差
面２１a が存在している。

【００９２】ここで、特に中間部２７ａ(2) と先端部２
７ａ(1) の結合部における幅方向の段差面２１a は、Ｔ
Ｈ０位置またはその近傍に位置している。中間部２７a
(3)と中間部２７a (2) の結合部における中間部２７ａ
(3) 側の段差面２１c は、中間部２７ａ(3) の側面と角
度γ１をなし、中間部２７ａ(2) の側縁面と角度δ１を
なしている。また、中間部２７ａ(2) と先端部２７ａ
(1) の結合部における中間部２７ａ(2) 側の段差面２１
ａは、中間部２７ａ(2) の側面と角度ε１をなし、先端
部２７ａ(1) の側縁面と角度ζ１をなしている。本実施
の形態では、角度γ１、δ１、ε１およびζ１は共にほ
ぼ９０度である。すなわち、中間部２７ａ(3) 、中間部
２７ａ(2) および先端部２７ａ(1) は共に矩形をなして
おり、段差面２１ａおよび２１c は、先端部２７ａ(1)
および中間部２７ａ(2) の側縁面と実質的に垂直をなし
ている。ここで、先端部２７ａ(1) が本発明における
「第１の磁性層部分」に対応し、中間部２７ａ(2) が本
発明における「第２の磁性層部分」に対応し、中間部２
７ａ(3) が本発明における「第３の磁性層部分」に対応
する。

【００９３】図２２および図２４から明らかなように、
先端部２７ａ(1) は、平坦な記録ギャップ層９の上に延
在し、中間部２７ａ(2) および中間部２７ａ(3) は、絶
縁膜パターン２５の上に位置している。

【００９４】なお、図２４に示した各部の寸法として
は、例えば次のような値が好適である。 中間部２７ａ(3) の幅Ｗ１＝２．０〜５．０μｍ 中間部２７ａ(2) の幅Ｗ２＝１．０〜３．０μｍ 先端部２７ａ(1) の幅Ｗ３＝０．４μｍ ヨーク部２７ｃ(1) の幅Ｗ４＝１５．０〜４０．０μｍ 中間部２７ａ(2) の長さＬ４＝１．０〜２．０μｍ 中間部２７ａ(3) の長さＬ５＝１．０〜４．０μｍ 接続部２７ｃ(2) の長さ＝３．０〜５．０μｍ

【００９５】このような形状を有する上部磁極１７をも
つ薄膜磁気ヘッドは、上記第１の実施の形態の場合と同
様の理由から、オーバーライト特性において高い性能を
発揮する。また、このような形状の上部磁極２７c およ
び上部ポールチップ２７a を有する薄膜磁気ヘッドは、
製造工程上においても、上記第１の実施の形態の場合と
同様の利点を有する。

【００９６】すなわち、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド
によれば、上部ポールチップ２７aの先端部２７a(1)を
形成するためのフォトレジストのパターン幅の広がりを
防止して書込トラック幅を微小化することができると共
に、ヨーク部２７c (1) に発生した磁束が上部ポールチ
ップ２７a の先端部２７a(1)に到達する前に飽和するの
を防止して、十分なオーバーライト特性を確保すること
ができる。

【００９７】また、本実施の形態では、上部磁極２７c
をＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できるため、フォトリ
ソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を高精
度に行うことができる。

【００９８】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
９と薄膜コイル１０との間に、アルミナ等からなる厚い
絶縁膜２８が形成されているため、薄膜コイル１０と下
部磁極７との間の絶縁耐圧を高めることができると共
に、薄膜コイル１０からの磁束の洩れを低減することが
できる。

【００９９】次に、本実施の形態に関するいくつかの変
形例を説明する。

【０１００】上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) におけ
る前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位置は、
ＴＨ０位置と一致している上部ポールチップ２７ａの段
差面２１a の位置と正確に一致しなければならないもの
ではない。例えば、図２６に示すように、上部磁極２７
ｃの接続部２７ｃ(2) はその前側（エアベアリング面
側）の端縁面２２の位置が上部ポールチップ２７ａの段
差面２１a の位置を越えて先端部２７ａ(1) の一部とも
オーバーラップすることとなるように延在してもよい。
このオーバーラップした部分における接続部２７ｃ(2)
の端縁面２２は、先端部２７ａ(1) の延在方向、すなわ
ち先端部２７ａ(1) の側縁面２３の方向と直交してい
る。ここで、この場合における上部磁極２７ｃの接続部
２７ｃ(2) における前側（エアベアリング面側）の端縁
面２２から上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1)
と中間部２７ａ(2) の結合部における段差面２１a まで
のずれ長さＬ６は、０．１μｍ以下が好適である。この
場合、ＴＨ０の位置が、上部ポールチップ２７ａの段差
面２１a の位置ではなく、接続部２７ｃ(2) の端縁面２
２の位置と一致するようにするの好適である。その他の
構成および製造方法は、上記第２の実施の形態の場合と
同様であり、例えば、先端部２７ａ(1) を通りエアベア
リング面２０と垂直な面に沿った断面構造は、図２２ま
たは図２３に示したものとほぼ同様である。

【０１０１】ところで、図２２において説明したよう
に、上部ポールチップ２７ａを形成するためのフォトリ
ソグラフィ工程と、上部磁極２７ｃを形成するためのフ
ォトリソグラフィ工程とは、全く別個に行われる。この
ため、たとえ、上部ポールチップ２７ａの形成用のフォ
トリソグラフィ工程における露光状態の悪さによってフ
ォトレジストの角部が丸まってしまい、例えば図２７に
示したように、上部ポールチップ２７ａの段差面２１a
と先端部２７ａ(1) の側縁面２３との交差部２４ａがシ
ャープな直角にならずに丸みが生じたとしても、先端部
２７ａ(1) の側縁面２３と上部磁極２７ｃの接続部２７
ｃ(2) とは、必ず、シャープな直角をなすこととなる。
すなわち、記録媒体のトラック幅を規定する先端部２７
ａ(1) の幅が、ＴＨ０の位置からエアベアリング面２０
までの全域（スロートハイトＴＨの全域）にわたって正
確にＷ３となるようにすることができる。したがって、
トラック幅の縮小に伴って、先端部２７ａ(1) の幅Ｗ３
を１μｍ以下、さらには０．５μｍ以下にする場合にお
いても、ＴＨ０位置の近傍で先端部２７ａ(1) の幅Ｗ３
が広がることがない。特に、より高性能の薄膜磁気ヘッ
ドを得るためにスロートハイトＴＨを従来の１μｍ程度
から０．５〜０．２μｍという値に縮小した場合におい
ても、スロートハイトＴＨの全域にわたって正確な設計
値幅Ｗ１を保証することが可能となる。また、上部磁極
２７ｃの接続部２７ｃ(2) における前側（エアベアリン
グ面側）の端縁面２２から上部ポールチップ２７ａの先
端部２７ａ(1) と中間部２７ａ(2) の結合部における段
差面２１a までのずれ長さＬ６は、０．１μｍ以下が好
適である。これにより、記録媒体上の記録トラック幅を
正確にコントロールすることができ、あるトラックに書
き込まれるべきデータが隣のトラックにも書き込まれて
しまうというサイドライト現象の発生を効果的に防止す
ることができる。

【０１０２】また、本実施の形態では、先端部２７ａ
(1) のＴＨ０位置の直ぐ後方に、直角に広がる接続部２
７ｃ(2) が存在すると共に、段差面２１a の直ぐ後方に
中間部２７ａ(2) が存在しているので、これらによって
十分な磁気ボリュームが確保されている。このため、ヨ
ーク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポールチップ２
７ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽和するのを効
果的に防止することができ、十分なオーバーライト特性
を確保することが可能である。

【０１０３】また、図２８に示したように、接続部２７
ｃ(2) の端縁面２２の位置が、段差面２１ａの位置より
も後方（エアベアリング面と反対の側）にずれるように
してもよい。ただし、この場合、上部磁極２７ｃの接続
部２７ｃ(2) における前側（エアベアリング面側）の端
縁面２２から先端部２７ａ(1) と中間部２７ａ(2)の結
合部における段差面２１ａ位置と一致するＴＨ０の位置
までのずれ長さＬ７は、０．１μｍ以下が好適である。

【０１０４】また、図２９に示したように、上部磁極２
７ｃにおける接続部２７ｃ(2) の形状は、テーパを有し
ていてもよい。図２９において、上部磁極２７ｃの接続
部２７ｃ(2) のテーパ角γは、接続部２７ｃ(2) の端縁
面２２に対して例えば４５〜６０度の範囲するのが好適
である。

【０１０５】この場合においても、接続部２７ｃ(2) の
前側の端縁面２２の位置は、ＴＨ０位置と一致している
上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａの位置と正確に
一致しなければならないものではく、上部磁極２７ｃの
接続部２７ｃ(2) は、その前側（エアベアリング面側）
の端縁面２２の位置が上部ポールチップ２７ａの段差面
２１ａの位置を越えて先端部２７ａ(1) の一部ともオー
バーラップすることとなるように延在してもよい（図示
せず）。オーバーラップした部分における接続部２７ｃ
(2) の端縁面２２は、先端部２７ａ(1) の延在方向、す
なわち先端部２７ａ(1) の側縁面２３の方向と直交して
いる。ここで、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) にお
ける前側（エアベアリング面側）の端縁面２２から上部
ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1) と中間部２７ａ
(2) の結合部における段差面２１a までのずれ長さは、
０．１μｍ以下が好適である。また、ＴＨ０の位置が、
上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａの位置ではな
く、接続部２７ｃ(2) の端縁面２２の位置と一致するよ
うにするのが好適である。

【０１０６】また、接続部２７ｃ(2) の前側の端縁面２
２の位置が上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａの位
置よりも後方（エアベアリング面と反対の側）にずれる
ようにしてもよい（図示せず）。ただし、この場合にお
ける端縁面２２から先端部２７ａ(1) と中間部２７ａ
(2) の結合部における段差面２１ａ位置と一致するＴＨ
０の位置までのずれ長さは、０．１μｍ以下が好適であ
る。

【０１０７】前記第２の実施の形態（図２４）における
上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2)は、必須のものでは
なく、例えば図３０に示したように、上部磁極２７ｃを
ヨーク部２７ｃ(1) のみで構成し、上部ポールチップ２
７ａの中間部２７ａ(2) および中間部２７ａ(3) の上に
ヨーク部２７ｃ(1) の一部をオーバーラップさせるよう
にしてもよい。図３０において、上部磁極２７ｃにおけ
るヨーク部２７ｃ(1)の前側の端縁面２２の位置は、上
部ポールチップ２７ａの段差面２１ａの位置と一致して
いる。

【０１０８】この場合も、ヨーク部２７ｃ(1) の前側の
端縁面２２の位置は、ＴＨ０位置と一致している上部ポ
ールチップ２７ａの段差面２１ａの位置と正確に一致し
なければならないものではく、上部磁極２７ｃのヨーク
部２７ｃ(1) は、その前側（エアベアリング面側）の端
縁面２２の位置が上部ポールチップ２７ａの段差面２１
ａの位置を越えて先端部２７ａ(1) の一部ともオーバー
ラップすることとなるように延在してもよい（図示せ
ず）。オーバーラップした部分におけるヨーク部２７ｃ
(1) の端縁面２２は、先端部２７ａ(1) の延在方向、す
なわち先端部２７ａ(1) の側縁面２３の方向と直交して
いる。ここで、上部磁極２７ｃ（ヨーク部２７ｃ(1) ）
における前側（エアベアリング面側）の端縁面２２から
上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1) と中間部２
７ａ(2) の結合部における段差面２１ａまでのずれ長さ
は、０．１μｍ以下が好適である。また、ＴＨ０の位置
と一致するのは、上部ポールチップ２７ａの段差面２１
ａの位置ではなく、ヨーク部２７ｃ(1) の端縁面２２の
位置である。

【０１０９】また、ヨーク部２７ｃ(1) の前側の端縁面
２２の位置が上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａの
位置よりも後方（エアベアリング面と反対の側）にずれ
るようにしてもよい（図示せず）。ただし、この場合に
おける上部磁極２７ｃ（ヨーク部２７ｃ(1) ）の前側
（エアベアリング面側）の端縁面２２から先端部２７ａ
(1) と中間部２７ａ(2) の結合部における段差面２１ａ
位置と一致するＴＨ０の位置までのずれ長さは、０．１
μｍ以下が好適である。

【０１１０】また、上部ポールチップ２７ａは、図２５
に示した形状に限定されず、例えば以下の図３１〜図３
５に示したような形状にしてもよい。

【０１１１】図３１は、中間部２７ａ(2) における段差
面２１a の両外側角部を面取りした場合の上部ポールチ
ップ２７ａの平面図である。面取り部以外の部分の構造
は図２５の場合と同様である。面取り角ηは、段差面２
１ａに対して例えば３０〜６０度とするのが好適であ
る。図２５で示した上部ポールチップ２７ａを、図３１
に示す形状の上部ポールチップ２７ａに置き換えること
により、ほぼ同等の性能を有する薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。この場合においても、上部磁極２７ｃの
端縁面２２が上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａよ
り後方（エアベアリング面と反対側）にずれる場合（例
えば図２６に相当）、あるいは上部磁極２７ｃの端縁面
２２が上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａを越えて
先端部２７ａ(1) の一部ともオーバーラップする場合
（例えば図２８に相当）の双方の場合において、上部磁
極２７ｃの端縁面２２から上部ポールチップ２７ａの段
差面２１ａまでのずれ長さは０．１μｍ以下が好適であ
る。

【０１１２】図３２は、中間部２７ａ(2) がテーパを有
する場合の上部ポールチップ２７ａの平面図である。図
３２において、上部ポールチップ２７ａの中間部２７ａ
(2)のテーパ角ε１は、段差面２１a に対して例えば６
０〜８０度の範囲とするのが好適である。テーパ部以外
の部分の構造は図２５の場合と同様である。この場合に
おいても、上記図３１について記載したと同様に、図２
４〜図３０で示した上部ポールチップ２７ａを図３２に
示す形状のポールチップ２７ａに置き換えることによ
り、ほぼ同等の性能を有する薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。また、上部磁極２７ｃの端縁面２２から上部
ポールチップ２７ａの段差面２１ａまでのずれ長さは
０．１μｍ以下が好適である。

【０１１３】図３３は、上部ポールチップ２７a の先端
部２７a(1)と中間部２７a(2)の結合部における段差形状
は図３１と同様で、一方、中間部２７a(3)と中間部２７
a(2)の連結部における、中間部２７a(3)と中間部２７a
(2)との段差面２１c と、中間部２７a(2)の側縁面がな
す角度δ１が９０度より大きい場合の上部ポールチップ
２７a の平面図である。δ１は、例えば１３５度程度で
ある。この場合においても、上記図３１について記載し
たと同様に、図２４〜図３０で示したポールチップ２７
ａを図３３に示す形状のポールチップ２７ａに置き換え
ることにより、ほぼ同等の性能を有する薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。また、上部磁極２７ｃの端縁面２
２から上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａまでのず
れ長さは０．１μｍ以下が好適である。

【０１１４】図３４は、上部ポールチップ２７a の先端
部２７a(1)と中間部２７a(2)の結合部における段差形状
は図３１と同様で、一方、中間部２７a(3)と中間部２７
a(2)との連結部における、中間部２７a(3)と中間部２７
a(2)との段差面２１c と、中間部２７a(2)の側縁面がな
す角度δ１が９０度より大きい場合の上部ポールチップ
２７a の平面図である。δ１は、例えば１３５度程度で
ある。この場合においても、上記図３１について記載し
たと同様に、図２４〜図３０で示したポールチップ２７
ａを図３４に示す形状のポールチップ２７ａに置き換え
ることにより、ほぼ同等の性能を有する薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。また、上部磁極２７ｃの端縁面２
２から上部ポールチップ２７ａの段差面２１ａまでのず
れ長さは０．１μｍ以下が好適である。

【０１１５】図３５は、先端部２７ａ(1) ′と中間部２
７ａ(2) ′との連結部分にくさび状凹部２４ｂを有する
上部ポールチップ２７ａ′の平面図である。なお、図３
５の上部ポールチップ２７ａ′において、各磁性層部分
の寸法（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｌ４、Ｌ５）および結合角
度（γ１、δ１、ε１、ζ１）は、図２５の上部ポール
チップ２７ａと同一である。

【０１１６】図３６は、図３５のくさび状凹部２４ｂの
近傍部分を拡大して表すものである。くさび状凹部２４
ｂの形状について、段差面２１ａからの深さＬ１２は、
０．３〜０．８μｍ以下とし、より好ましくは０．６μ
ｍ程度が好適である。また、先端部２７ａ(1) ′の側縁
面２３に対してくさび状凹部２４ｂがなす角度ιを４５
±１５度以下とするのが好適である。

【０１１７】ここで、例えば図２５の上部ポールチップ
２７ａは、所望の上部ポールチップ形状に対応する形状
を有するフォトマスクを介しての露光によりパターニン
グされるフォトレジストを使用し、例えば電解めっき法
により形成される。図３５に示したコーナー部分にくさ
び状凹部２４ｂを有する上部ポールチップ２７ａ′は、
そのくさび状凹部２４ｂに対応する部分に、あらかじめ
ほぼ同形状のくさび状凹部あるいは凸部を有するフォト
マスクを使用することにより得られる。

【０１１８】図３５の上部ポールチップ２７ａ′は、図
２４、図２６、図２８〜図３０に示した上部ポールチッ
プ２７ａと置き換えて使用可能である。また、上部ポー
ルチップ２７ａ′の形状は、くさび状凹部２４ｂを有す
る限りにおいて、図３１〜図３４に示したような形状で
あってもよい。

【０１１９】なお、第２の実施の形態では、薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極部が上部磁極２７ｃおよび上部ポールチ
ップ２７ａの２つの部分に分割されて形成されると共
に、薄膜磁気ヘッド全体が図２３に示したような断面構
造を有するものである場合について説明したが、本発明
はこれに限定されず、以下の第３および第４の実施の形
態に示すような断面を有するものであってもよい。

【０１２０】［第３の実施の形態］次に、図３７〜図３
９を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
３７〜図３９において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。これらの図で、上記各実施
の形態における要素と同一部分には同一の符号を付すも
のとする。

【０１２１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図３７における下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
から図３の途中までの工程と同様であるので、説明を省
略する。

【０１２２】本実施の形態では、図３７に示したように
下部磁極７の形成が終了すると、次に、下部磁極７上
に、下部ポールチップ４１ａおよび下部接続部４１ｂを
約２．０〜２．５μｍの厚みで形成する。ここで、下部
ポールチップ４１ａは、そのエアベアリング面側の先端
部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の位置の近辺になるように
成形し、同時に、エアベアリング面の反対側がスロート
ハイト零の位置となるようにする。なお、この下部ポー
ルチップ４１ａおよび下部接続部４１ｂは、ＮｉＦｅ等
のめっき膜により形成してもよく、ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ
Ｐ，ＣｏＦｅＮなどのスパッタ膜により形成してもよ
い。

【０１２３】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる
膜厚０．３〜０．６μｍの絶縁膜４２を形成する。

【０１２４】次に、下部ポールチップ４１ａと下部接続
部４１ｂとの間に形成された凹部領域に、例えば電解め
っき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録
ヘッド用の１層目の薄膜コイル４３を１．５〜２．５μ
ｍの厚みで形成する。このとき同時に、下部接続部４１
ｂの後方領域（図の右側領域）に、薄膜コイル４３を後
述する第２層の薄膜コイルと接続するためのコイル接続
部４３Ｃを形成する。

【０１２５】次に、全面に、スパッタ法により絶縁材
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層４４を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、下部ポールチップ４１ａおよび下部接続部４
１ｂの表面を露出させる。

【０１２６】次に、図３８に示したように、スパッタ法
により、例えばアルミナ絶縁材料よりなる膜厚０．２〜
０．３μｍの記録ギャップ層９を形成する。記録ギャッ
プ層９は、アルミナの他、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料など
により形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギ
ャップ層９をフォトリソグラフィーによりパターニング
し、上部磁極と下部磁極との接続用の開口９ａを形成す
ると共に、記録ギャップ層９および絶縁層４４をパター
ニングして、コイル接続部４３Ｃに達する開口９ｂを形
成する。

【０１２７】続いて、記録ギャップ層９上に、上部ポー
ルチップ４５ａ、および、上部磁極と下部磁極とを磁気
的に接続させるための上部接続部４５ｂを形成する。こ
のとき、上部接続部４５ｂは、下部接続部４１ｂとオー
バーラップして接触するように形成する。一方、上部ポ
ールチップ４５ａは、エアベアリング面から後方に向か
って下部ポールチップ４１ａよりも長く延在するように
形成する。また、上部ポールチップ４５ａは、上記第２
の実施の形態（図２６等）の場合と同様に、磁気ボリュ
ームの確保のための中間部２７ａ(2) と、トラック幅を
規定するための先端部２７ａ(1) と、これらの連結部に
おける段差面２１a とを有するように形成する。上部ポ
ールチップ４５ａの平面形状は、例えば図２５および図
３１〜図３４のいずれかに示したような形状とする。さ
らに、上部ポールチップ４５ａは、その段差面２１ａ
が、下部ポールチップ４１ａの後側の端縁面の位置（す
なわち、ＴＨ０位置）よりも僅かに後方に位置するよう
にする。

【０１２８】続いて、上部ポールチップ４５ａをマスク
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部ポール
チップ４１ａを自己整合的にエッチングする。すなわ
ち、上部ポールチップ４５ａをマスクとした塩素系ガス
（Ｃｌ ₂ ，ＣＦ ₄ ，ＢＣｌ ₂ ，ＳＦ ₆ 等）によるＲＩＥ
により、記録ギャップ層９を選択的に除去した後、露出
した下部ポールチップ４１ａを、再び、例えばＡｒのイ
オンミリングによって約０．３〜０．６μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。

【０１２９】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばア
ルミナからなる絶縁層４６を形成する。続いて、上部ポ
ールチップ４５ａおよび上部接続部４５ｂにより形成さ
れた凹部内の絶縁膜４６上に、例えば電解めっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
２層目の薄膜コイル４７を１．５〜２．５μｍの厚みで
形成する。このとき、同時に、開口９ｂを介してコイル
接続部４３Ｃと接触するコイル接続部４７Ｃを形成す
る。

【０１３０】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナか
らなる絶縁層４８を形成する。なお、この絶縁層４８や
絶縁膜４６は、アルミナに限らず、二酸化珪素（ＳｉＯ
₂ ）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料により形
成してもよい。

【０１３１】続いて、例えばＣＭＰ法により、上部ポー
ルチップ４５ａおよび上部接続部４５ｂの表面が露出す
るように、絶縁層４８および絶縁膜４６を研磨し、これ
らの絶縁層４８および絶縁膜４６の表面と上部ポールチ
ップ４５ａおよび上部接続部４５ｂの各表面とが同一面
を構成するように平坦化する。

【０１３２】次に、図３９に示したように、例えば上部
ポールチップ４５ａと同じ材料を用いて、例えば電解め
っき法やスパッタ法などの方法により、上部磁極４９を
約３〜４μｍの厚みに選択的に形成する。その際、上部
磁極４９の一部が上部ポールチップ４５ａの一部とオー
バーラップし、かつ、上部磁極４９の前側（エアベアリ
ング面側）の端縁面２２の位置が下部ポールチップ４１
ａの後側の端縁の位置（すなわち、ＴＨ０位置）と一致
することとなるようにする。また、上部磁極４９の後側
の端部が上部接続部４５ｂ上に差し掛かるようにする。
これにより、上部磁極４９は、上部ポールチップ４５ａ
と磁気的に連結されると共に、上部接続部４５ｂおよび
下部接続部４１ｂを介して下部磁極７と磁気的に連結さ
れる。

【０１３３】最後に、全面を覆うように、例えばスパッ
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層５０を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【０１３４】本実施の形態において、上部磁極４９は、
その前側の端縁面２２の位置が、ＴＨ０位置と一致する
と共に、上部ポールチップ４５ａの段差面２１ａの位置
よりも前方にあるように形成されている。このため、上
記第２の実施の形態における図２７の場合と同様に、上
部ポールチップ４５ａの段差面２１a と先端部２７ａ
(1) の側縁面２３との交差部２４ａがシャープな直角に
ならずに丸みが生じたとしても、先端部２７ａ(1) の側
縁面２３と上部磁極４９の接続部２７ｃ(2) の端縁面２
２とは、必ず、シャープな直角をなし、ＴＨ０位置の近
傍で先端部２７ａ(1) の幅Ｗ３が広がることがない。し
たがって、上記第２の実施の形態の場合と同様に、スロ
ートハイトＴＨの全域にわたって正確な設計値幅Ｗ１を
保証することが可能となるので、記録媒体上の記録トラ
ック幅を正確にコントロールすることができ、サイドラ
イト現象の発生を効果的に防止することができる。な
お、ここでの説明では、図２７において上部磁極２７ｃ
を上部磁極４９と読み替え、上部ポールチップ２７ａを
上部ポールチップ４５ａと読み替えている。

【０１３５】また、本実施の形態において、上部ポール
チップ４５ａの先端部２７ａ(1) のＴＨ０位置の直ぐ後
方に、直角に広がる接続部２７ｃ(2) が存在すると共
に、段差面２１a の直ぐ後方に中間部２７ａ(2) が存在
しているので、これらによって十分な磁気ボリュームが
確保されている。このため、上記第２の実施の形態の場
合と同様に、ヨーク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部
ポールチップ４５ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に
飽和するのを効果的に防止することができ、十分なオー
バーライト特性を確保することが可能である。

【０１３６】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ４５ａを平坦部上に形成することができるため、フォ
トリソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を
高精度に行うことができ、上部ポールチップ４５ａの先
端部２７ａ(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微
細化することも可能となる。また、上部磁極４９もま
た、ＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できるため、同様の
理由から高精度のパターニングが可能である。

【０１３７】また、本実施の形態では、下部磁極７と薄
膜コイル４３との間にアルミナ等からなる厚い絶縁膜４
２が形成されると共に、記録ギャップ層９と薄膜コイル
４７との間にアルミナ等からなる厚い絶縁膜４６が形成
されているため、薄膜コイル４３と下部磁極７との間の
絶縁耐圧、および薄膜コイル４３，４７間の絶縁耐圧を
高めることができると共に、薄膜コイル４３，４７から
の磁束の洩れを低減することができる。

【０１３８】［第４の実施の形態］次に、図４０〜図４
２を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
４０〜図４２において、（Ａ）はエアベアリング面に垂
直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面
に平行な断面を示している。これらの図で、上記各実施
の形態における要素と同一部分には同一の符号を付すも
のとする。

【０１３９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図４０における下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
から図３の途中までの工程と同様であるので説明を省略
する。

【０１４０】本実施の形態では、図４０に示したように
下部磁極７の形成が終了すると、次に、下部磁極７上
に、下部ポールチップ６１ａおよび下部接続部６１ｂを
形成する。ここで、下部ポールチップ６１ａは、そのエ
アベアリング面側の先端部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の
位置の近辺になるように成形し、同時に、エアベアリン
グ面の反対側がスロートハイト零の位置となるようにす
る。

【０１４１】次に、全面に、スパッタ法により絶縁材
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層６２を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、下部ポールチップ６１ａおよび下部接続部６
１ｂの表面を露出させる。

【０１４２】次に、図４１に示したように、スパッタ法
により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる膜厚０．
２〜０．３μｍの記録ギャップ層９を形成する。続い
て、この記録ギャップ層９をフォトリソグラフィーによ
りパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開
口９ａを形成する。

【０１４３】次に、記録ギャップ層９上に、上部ポール
チップ６３ａ、および、上部磁極と下部磁極とを磁気的
に接続させるための上部接続部６３ｂを形成する。この
とき、上部接続部６３ｂは、下部接続部６１ｂとオーバ
ーラップして接触するように形成する。一方、上部ポー
ルチップ６３ａは、エアベアリング面から後方に向かっ
て下部ポールチップ６１ａよりも長く延在するように形
成する。また、上部ポールチップ６３ａは、上記第３の
実施の形態（図２６等）の場合と同様に、磁気ボリュー
ムの確保のための中間部２７ａ(2) と、トラック幅を規
定するための先端部２７ａ(1) と、これらの連結部にお
ける段差面２１ａとを有するように形成する。上部ポー
ルチップ６３ａの平面形状は、例えば図２５および図３
１〜図３４のいすれかに示したような形状とする。さら
に、上部ポールチップ６３ａは、その段差面２１a が、
下部ポールチップ６１ａの後側の端縁面の位置（すなわ
ち、ＴＨ０位置）よりも僅かに後方に位置するようにす
る。

【０１４４】続いて、上部ポールチップ６３ａをマスク
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部ポール
チップ６１ａを自己整合的にエッチングして、トリム構
造を形成する。

【０１４５】次に、上部ポールチップ６３ａと上部接続
部６３ｂとの間に形成された凹部領域の記録ギャップ層
９上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）
よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル６
４を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。このとき同
時に、上部接続部６３ｂの後方領域（図の右側領域）
に、薄膜コイル６４を後述する第２層の薄膜コイルと接
続するためのコイル接続部６４Ｃを形成する。

【０１４６】次に、図４２に示したように、全面に、ス
パッタ法により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる
膜厚３．０〜４．０μｍの絶縁層６５を形成した後、例
えばＣＭＰ法により表面を平坦化し、上部ポールチップ
６３ａおよび上部接続部６３ｂの表面を露出させる。

【０１４７】続いて、絶縁層６５を選択的にエッチング
して、コイル接続部６４Ｃに達する開口６５ａを形成す
る。

【０１４８】次に、絶縁層６５上に、例えば電解めっき
法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッ
ド用の２層目の薄膜コイル６６を１．５〜２．５μｍの
厚みで形成する。このとき、同時に、開口６５ａを介し
てコイル接続部６４Ｃと接触するコイル接続部６６Ｃを
形成する。

【０１４９】次に、高精度のフォトリソグラフィによ
り、薄膜コイル６６およびコイル接続部６４Ｃを覆うよ
うにしてフォトレジスト層６７を形成したのち、このフ
ォトレジスト層６７の表面の平坦化および薄膜コイル６
６間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処
理する。

【０１５０】次に、例えば上部ポールチップ４５ａと同
じ材料を用いて、例えば電解めっき法などの方法によ
り、上部磁極６８を約３〜４μｍの厚みに選択的に形成
する。その際、上部磁極６８の一部が上部ポールチップ
６３ａの一部とオーバーラップし、かつ、上部磁極６８
の前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位置が下
部ポールチップ６１ａの後側の端縁の位置（すなわち、
ＴＨ０位置）と一致することとなるようにする。また、
上部磁極６８の後側の端部が上部接続部６３ｂ上に差し
掛かるようにする。これにより、上部磁極６８は、上部
ポールチップ６３ａと磁気的に連結されると共に、上部
接続部６３ｂおよび下部接続部６１ｂを介して下部磁極
７と磁気的に連結される。

【０１５１】最後に、全面を覆うように、例えばスパッ
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層６９を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【０１５２】本実施の形態においても、上記第３の実施
の形態の場合とほぼ同様の作用、効果を奏する。すなわ
ち、記録媒体上の記録トラック幅を正確にコントロール
してサイドライト現象の発生を効果的に防止できると共
に、十分なオーバーライト特性を確保することが可能で
ある。

【０１５３】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ６３ａを平坦部上に形成することができるため、フォ
トリソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を
高精度に行うことができ、上部ポールチップ６３ａの先
端部２７ａ(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微
細化することも可能である。

【０１５４】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッド
や記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁
気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、
書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層順序を逆転
させた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。

【０１５５】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項７のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド、または請
求項８ないし請求項１４のいずれか１に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、２つの磁性層のうちの少な
くとも一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒体対
向面から絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部またはその
近傍にかけて延在し、記録トラックの幅を規定する一定
幅を有する第１の磁性層部分と、絶縁層における上記の
端縁部またはその近傍において第１の磁性層部分と磁気
的に連結する第２の磁性層部分と、第１の連結部の反対
側の第２の連結部において第２の磁性層部分と磁気的に
連結する第３の磁性層部分と、第１の磁性層部分、第２
の磁性層部分および第３の磁性層部分とオーバーラップ
して磁気的に連結され、この第３の磁性層部分よりも大
きな幅および面積を有する第４の磁性層部分とを含み、
第１の連結部における第１の磁性層部分の幅が第２の磁
性層部分の幅よりも小さくなるように第１の連結部に幅
方向の段差が形成され、かつ第２の連結部における第２
の磁性層部分の幅が第３の磁性層部分の幅よりも小さく
なるように第２の連結部に段差が形成されており、第１
の磁性層部分、第２の磁性層部分および第３の磁性層部
分が同一工程により一体に形成され、第４の磁性層部分
が第１の磁性層部分、第２の磁性層部分および第３の磁
性層部分の形成工程と異なる工程によりこれらの部分と
は別体として形成されたものであり、第４の磁性層部分
が第１の連結部を越えて第１の磁性層部分の一部ともオ
ーバーラップするように延在し、第４の磁性層部分の記
録媒体媒体対向面側の端縁面が第１の磁性層部分の延在
方向と直交しているようにしたので、第１の磁性層部分
を形成する際のフォトリソグラフィ工程における下地層
からの無用な反射光の影響を抑制して第１の磁性層部分
の幅を精度よく形成することができると共に、薄膜コイ
ルによって発生した磁束が第１の磁性層部分に流れ込む
前に第２の磁性層部分および第３の磁性層部分で飽和し
てしまうことを抑制することができ、第２の磁性層部分
および第３の磁性層部分を介して段階的に収束した十分
な磁束を第１の磁性層部分に伝播させることができる。
したがって、第１の磁性層部分の幅を例えばサブミクロ
ン領域にまで微細化しつつ、十分なオーバーライト特性
を担保することができるという効果を奏する。また、第
１の連結部における幅方向の段差の角部に丸みがあった
としても、記録媒体の記録トラック幅を規定することと
なる第１の磁性層部分の幅は、その影響を受けず上記の
直交部分から先端部にわたって正確に一定となるため、
記録媒体の記録トラック幅を正確にコントロールするこ
とができるという効果を奏する。

【０１５６】特に、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
第１の連結部における第２の磁性層部分の段差面が第１
の磁性層部分の延在方向と垂直をなすようにしたので、
第１の磁性層部分を形成する際のフォトリソグラフィ工
程における下地層からの無用な反射光の影響を抑制する
作用が十分となり、第１の磁性層部分の幅をさらに精度
よく形成することができるという効果を奏する。

【０１５７】

【０１５８】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、さらに、第４の磁性層部分の上記端縁面の位置が、
絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部の位置と一致するよ
うにしたので、いわゆるスロートハイトと呼ばれる範囲
の全域にわたって、第１の磁性層部分の幅が正確に一定
となり、記録媒体の記録トラック幅をより正確にコント
ロールすることができるという効果を奏する。

【０１５９】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、たとえ、第２の磁性層部分および第３の磁性層部分
を上記の斜面上に形成することに起因して、第１の磁性
層部分の形成のためのフォトリソグラフィ工程での露光
状態の悪影響が生じ、これにより上記の第１の連結部に
おける幅方向の段差の角部に比較的大きな丸みが生じた
としても、第１の磁性層部分の実質的な幅にばらつきが
生ずるという事態は回避される。すなわち、従来困難で
あった、斜面に差しかかるように形成される記録用磁極
の幅の安定化が可能であるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】完成した薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面
図である。

【図９】図８に示した薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極
の平面構造を表す平面図である。

【図１０】図８に示した薄膜磁気ヘッドにおける作用を
説明するための上部磁極の拡大平面図である。

【図１１】図８に示した薄膜磁気ヘッドに対する比較例
における作用を説明するための上部磁極の拡大平面図で
ある。

【図１２】図８に示した薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁
気ヘッドのオーバーライト特性を表す図である。

【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極の変形例を表す平面図である。

【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極の他の変形例を表す平面図である。

【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。

【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。

【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。

【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。

【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。

【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を表す断面図である。

【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。

【図２５】図２４に示した上部ポールチップの平面構造
を拡大して表す平面図である。

【図２６】図２４に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの他の変形例を表す平面図である。

【図２７】図２６に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの要部を拡大した平面図である。

【図２８】図２４に示した上部磁極および上部ポールチ
ップのさらに他の変形例を表す平面図である。

【図２９】図２４に示した上部磁極および上部ポールチ
ップのさらに他の変形例を表す平面図である。

【図３０】図２４に示した上部磁極および上部ポールチ
ップのさらに他の変形例を表す平面図である。

【図３１】図２５に示した上部ポールチップの変形例を
表す平面図である。

【図３２】図２５に示した上部ポールチップの他の変形
例を表す平面図である。

【図３３】図２５に示した上部ポールチップのさらに他
の変形例を表す平面図である。

【図３４】図２５に示した上部ポールチップのさらに他
の変形例を表す平面図である。

【図３５】くさび状凹部を有する上部ポールチップの平
面図である。

【図３６】図３５に示した上部ポールチップの要部を拡
大した平面図である。

【図３７】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図３８】図３７に続く断面図である。

【図３９】図３８に続く断面図である。

【図４０】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図４１】図４０に続く断面図である。

【図４２】図４１に続く断面図である。

【図４３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図４４】図４３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４５】図４４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４６】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を表す断面図で
ある。

【図４７】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図である。

【図４８】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。

【図４９】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の構
造を示す平面図である。

【図５０】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極を微
細化する場合の問題点を説明するための上部磁極の平面
図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、８…
絶縁層、９…記録ギャップ層、１０，１２，２９，３
５，４３，４７，６４，６６…薄膜コイル、１１，１
３，３６，６７…フォトレジスト層、１７，２７ｃ，３
７，４９，６８，…上部磁極、１７ａ…ヨーク部、１７
ｂ、１７ｃ…中間部、１７ｄ…先端部、１８，３１，３
８，５０，６９…オーバーコート層、２０…エアベアリ
ング面、２１ａ，２１ｃ…段差面、２２…端縁面、２３
…側縁面、２４ｂ…くさび状凹部、２２５…絶縁膜パタ
ーン、２７ａ，４５ａ，６３ａ…上部ポールチップ、２
７ｂ…磁路形成パターン、２７ａ(1) …先端部、２７ａ
(2) …中間部、２７ｃ(1) …ヨーク部、２７ｃ(2) …接
続部、２８，４２，４６…絶縁膜、３０，４４，４８，
６２，６５…絶縁層、４１ａ，６１ａ…下部ポールチッ
プ、４１ｂ，６１ｂ…下部接続部、４５ｂ，６３ｂ…上
部接続部、ＴＨ…スロートハイト。

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気的に連結され、かつ記録媒体に対
   向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁
   極を含む少なくとも２つの磁性層と、 これらの少なくとも２つの磁性層の間に絶縁層を介して
   配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッドであ
   って、 前記２つの磁性層のうちの少なくとも一方の磁性層は、 記録媒体に対向する記録媒体対向面から前記絶縁層の記
   録媒体対向面側の端縁部またはその近傍にかけて延在
   し、記録媒体の記録トラックの幅を規定する一定幅を有
   する第１の磁性層部分と、 前記絶縁層の前記端縁部またはその近傍の第１の連結部
   において、前記第１の磁性層部分と磁気的に連結する第
   ２の磁性層部分と、 前記第１の連結部の反対側の第２の連結部において、前
   記第２の磁性層部分と磁気的に連結する第３の磁性層部
   分と、 前記第１の磁性層部分、前記第２の磁性層部分および前
   記第３の磁性層部分とオーバーラップして磁気的に連結
   され、この第３の磁性層部分よりも大きな幅および面積
   を有する第４の磁性層部分と を含み、 前記第１の連結部における第１の磁性層部分の幅が、こ
   の連結部における第２の磁性層部分の幅よりも小さくな
   るように、前記第１の連結部に幅方向の段差が形成さ
   れ、 かつ前記第２の連結部における第２の磁性層部分の幅
   が、この連結部における第３の磁性層部分の幅よりも小
   さくなるように、前記第２の連結部に幅方向の段差が形
   成されており、 前記第１の磁性層部分、前記第２の磁性層部分および前
   記第３の磁性層部分は、同一工程により一体に形成さ
   れ、前記第４の磁性層部分は、前記第１の磁性層部分、
   前記第２の磁性層部分および前記第３の磁性層部分の形
   成工程と異なる工程により、これらの部分とは別体とし
   て形成されたものであり、 前記第４の磁性層部分は、前記第１の連結部を越えて前
   記第１の磁性層部分の一部ともオーバーラップするよう
   に延在し、前記第４の磁性層部分の記録媒体媒体対向面
   側の端縁面が、前記第１の磁性層部分の延在方向と直交
   している ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記第１の連結部における第２の磁性
   層部分の段差面は、前記第１の磁性層部分の延在方向と
   垂直をなすことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘ
   ッド。
3. 【請求項３】 前記第２の磁性層部分の幅は、位置に
   よらずに一定であることを特徴とする請求項１または請
   求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記第２の連結部における第３の磁性
   層部分の段差面は、前記第２の磁性層部分の延在方向と
   垂直をなすことを特徴とする請求項１ないし請求項３の
   いずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第３の磁性層部分の幅は、位置に
   よらずに一定であることを特徴とする請求項１ないし請
   求項４のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記第４の磁性層部分の前記端縁面の
   位置は、前記絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部の位置
   と一致していることを特徴とする請求項１ないし請求項
   ５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記第２の磁性層部分または前記第３
   の磁性層部分の少なくとも一部は、前記絶縁層により形
   成される斜面上に配置されていることを特徴とする請求
   項１ないし請求項６のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
8. 【請求項８】 磁気的に連結され、かつ記録媒体に対
   向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁
   極を含む少なくとも２つの磁性層を形成する工程と、 これらの少なくとも２つの磁性層の間に絶縁層を介して
   配設された薄膜コイル部を形成する工程を含み、 前記２つの磁性層のうちの少なくとも一方の磁性層が、 記録媒体に対向する記録媒体対向面から前記絶縁層の記
   録媒体対向面側の端縁部またはその近傍にかけて延在し
   て、記録媒体の記録トラックの幅を規定する一定幅を有
   する第１の磁性層部分と、 前記絶縁層の前記端縁部またはその近傍の第１の連結部
   において、前記第１の磁性層部分と磁気的に連結する第
   ２の磁性層部分と、 前記第１の連結部の反対側の第２の連結部において、前
   記第２の磁性層部分と磁気的に連結する第３の磁性層部
   分と、 前記第１の磁性層部分、前記第２の磁性層部分および前
   記第３の磁性層部分とオーバーラップして磁気的に連結
   され、この第３の磁性層部分よりも大きな幅および面積
   を有する第４の磁性層部分と を含むように形成すると共
   に、 前記第１の連結部における第１の磁性層部分の幅が、こ
   の連結部における第２の磁性層部分の幅よりも小さくな
   るように、前記第１の連結部に幅方向の段差を形成し、 かつ前記第２の連結部における第２の磁性層部分の幅
   が、この連結部における第３の磁性層部分の幅よりも小
   さくなるように、前記第２の連結部に幅方向の段差を形
   成し、 前記第１の磁性層部分、前記第２の磁性層部分および前
   記第３の磁性層部分を同一工程により一体に形成すると
   共に、前記第４の磁性層部分を前記第１の磁性層部分、
   前記第２の磁性層部分および前記第３の磁性層部分の形
   成工程と異なる工程により、これらの部分とは別体とし
   て形成し、 前記第４の磁性層部分が前記第１の連結部を越えて前記
   第１の磁性層部分の一部ともオーバーラップして延在す
   るようにすると共に、前記第４の磁性層部分の記録媒体
   媒体対向面側の端縁面が、前記第１の磁性層部分の延在
   方向と直交するように したことを特徴とする薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１の連結部における前記第２の
   磁性層部分の段差面が、前記第１の磁性層部分の延在方
   向と垂直をなすように、前記第２の磁性層部分を形成す
   ることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製
   造方法。
10. 【請求項１０】 前記第２の磁性層部分の幅が位置に
    よらずに一定となるように、前記第２の磁性層部分を形
    成することを特徴とする請求項８または請求項９に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第２の連結部における前記第３
    の磁性層部分の段差面が前記第２の磁性層部分の延在方
    向と垂直をなすように、前記第３の磁性層部分を形成す
    ることを特徴とする請求項８ないし請求項１０のいずれ
    か１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第３の磁性層部分の幅が位置に
    よらずに一定となるように、前記第３の磁性層部分を形
    成することを特徴とする請求項８ないし請求項１１のい
    ずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第４の磁性層部分の前記端縁面
    の位置が前記絶縁層の記録媒体対向面側の端縁部の位置
    と一致することとなるように、前記第４の磁性層部分を
    形成することを特徴とする請求項８ないし請求項１２の
    いずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
14. 【請求項１４】 前記第２の磁性層部分または前記第
    ３の磁性層部分の少なくとも一部が前記絶縁層により形
    成される斜面上に配置されることとなるように、前記第
    ２の磁性層部分および前記第３の磁性層部分を形成する
    ことを特徴とする請求項８ないし請求項１３のいずれか
    １に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。