JP3499458B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜コイルの形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに薄膜コイルの形成方法Info
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法、ならびに薄膜コイルの形成方法に関す
る。
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法、ならびに薄膜コイルの形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：TH）がある。スロートハイトは、エアベアリン
グ面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離する
絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をいう。
記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮
小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベア
リング面の加工の際の研磨量によって制御される。
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：TH）がある。スロートハイトは、エアベアリン
グ面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離する
絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をいう。
記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮
小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベア
リング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００５】さらに、記録ヘッドの性能を高めるため
に、記録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成
された下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トッ
プポール）の、薄膜コイルを挟む部分の長さ（以下、磁
路長という。）を短くすることが提案されている。
に、記録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成
された下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トッ
プポール）の、薄膜コイルを挟む部分の長さ（以下、磁
路長という。）を短くすることが提案されている。
【０００６】ここで、図１６ないし図２１を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１６（ａ）〜図２０（ａ）は、主要な製造工程に
おけるエアベアリング面に垂直な断面を表し、図１６
（ｂ）〜図２０（ｂ）は、主要な製造工程におけるエア
ベアリング面に平行な断面を表す。また、図２１は、完
成した複合型薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１６（ａ）〜図２０（ａ）は、主要な製造工程に
おけるエアベアリング面に垂直な断面を表し、図１６
（ｂ）〜図２０（ｂ）は、主要な製造工程におけるエア
ベアリング面に平行な断面を表す。また、図２１は、完
成した複合型薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す。
【０００７】まず、図１６に示したように、例えばアル
ティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上
に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えばパーマロイ
（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シールド層１
０３を形成する。次に、下部シールド層１０３上に、例
えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みで堆積し、シ
ールドギャップ膜１０４を形成する。次に、シールドギ
ャップ膜１０４上に、再生用のＭＲ素子を構成するため
のＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフ
ォトリソグラフィで所望の形状とする。続いて、このＭ
Ｒ膜１０５に対するリード端子層１０６をリフトオフ法
により形成する。次いで、シールドギャップ膜１０４、
ＭＲ膜１０５およびリード端子層１０６上に、シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ膜１０５およびリード
端子層１０６をシールドギャップ膜１０４，１０７内に
埋設する。続いて、シールドギャップ膜１０７上に、再
生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えば
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる膜厚３μｍの上部シー
ルド兼下部磁極（以下，下部磁極と記す。）１０８を形
成する。
ティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上
に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えばパーマロイ
（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シールド層１
０３を形成する。次に、下部シールド層１０３上に、例
えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みで堆積し、シ
ールドギャップ膜１０４を形成する。次に、シールドギ
ャップ膜１０４上に、再生用のＭＲ素子を構成するため
のＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフ
ォトリソグラフィで所望の形状とする。続いて、このＭ
Ｒ膜１０５に対するリード端子層１０６をリフトオフ法
により形成する。次いで、シールドギャップ膜１０４、
ＭＲ膜１０５およびリード端子層１０６上に、シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ膜１０５およびリード
端子層１０６をシールドギャップ膜１０４，１０７内に
埋設する。続いて、シールドギャップ膜１０７上に、再
生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えば
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる膜厚３μｍの上部シー
ルド兼下部磁極（以下，下部磁極と記す。）１０８を形
成する。
【０００８】次に、下部磁極１０８上に、絶縁層例えば
アルミナ膜よりなる膜厚２００ｎｍの記録ギャップ層１
０９を形成する。更に、この記録ギャップ層１０９をフ
ォトリソグラフィによりパターニングし、上部磁極と下
部磁極との接続用の開口１０９ａを形成する。続いて、
めっき法によりパーマロイ（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（Ｆｅ
Ｎ）からなる磁気材料により磁極先端部（ポールチッ
プ）１１０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極とを
接続するための接続部パターン１１０ａを形成する。こ
の接続部パターン１１０ａにより下部磁極１０８と後述
の上部磁極層１１６とが接続され、後述のＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing : 化学的機械研磨）工程後
の開口（スルーホール）の形成が容易になる。
アルミナ膜よりなる膜厚２００ｎｍの記録ギャップ層１
０９を形成する。更に、この記録ギャップ層１０９をフ
ォトリソグラフィによりパターニングし、上部磁極と下
部磁極との接続用の開口１０９ａを形成する。続いて、
めっき法によりパーマロイ（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（Ｆｅ
Ｎ）からなる磁気材料により磁極先端部（ポールチッ
プ）１１０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極とを
接続するための接続部パターン１１０ａを形成する。こ
の接続部パターン１１０ａにより下部磁極１０８と後述
の上部磁極層１１６とが接続され、後述のＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing : 化学的機械研磨）工程後
の開口（スルーホール）の形成が容易になる。
【０００９】次に、図１７に示したように、磁極先端部
１１０をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャ
ップ層１０９と下部磁極１０８とを約０．３〜０．５μ
ｍ程度エッチングする。下部磁極１０８までエッチング
してトリム構造とすることにより、実効書き込みトラッ
ク幅の広がりが防止される（すなわち、データの書き込
み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制さ
れる）。続いて、全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミ
ナからなる絶縁層１１１を形成した後、全面をＣＭＰに
より平坦化する。
１１０をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャ
ップ層１０９と下部磁極１０８とを約０．３〜０．５μ
ｍ程度エッチングする。下部磁極１０８までエッチング
してトリム構造とすることにより、実効書き込みトラッ
ク幅の広がりが防止される（すなわち、データの書き込
み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制さ
れる）。続いて、全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミ
ナからなる絶縁層１１１を形成した後、全面をＣＭＰに
より平坦化する。
【００１０】次に、図１８に示したように、絶縁層１１
１上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１
２を選択的に形成する。このとき、同時に、接続部パタ
ーン１１０ａの後方の絶縁層１１１上に、薄膜コイル１
１２と一体に、コイル接続用パターン１１２ａを形成す
る。次に、絶縁層１１１，薄膜コイル１１２およびコイ
ル接続用パターン１１２ａを覆うようにして、フォトレ
ジスト膜１１３を高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。このフォトレジスト膜１１３のパ
ターニングは、接続部パターン１１０ａおよびコイル接
続用パターン１１２ａの各上面をそれぞれ露出させるた
めの開口１１３ａ，１１３ｂが形成されるように行う。
続いて、フォトレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コ
イル１１２間の絶縁化のために所定の温度で熱処理す
る。
１上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１
２を選択的に形成する。このとき、同時に、接続部パタ
ーン１１０ａの後方の絶縁層１１１上に、薄膜コイル１
１２と一体に、コイル接続用パターン１１２ａを形成す
る。次に、絶縁層１１１，薄膜コイル１１２およびコイ
ル接続用パターン１１２ａを覆うようにして、フォトレ
ジスト膜１１３を高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。このフォトレジスト膜１１３のパ
ターニングは、接続部パターン１１０ａおよびコイル接
続用パターン１１２ａの各上面をそれぞれ露出させるた
めの開口１１３ａ，１１３ｂが形成されるように行う。
続いて、フォトレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コ
イル１１２間の絶縁化のために所定の温度で熱処理す
る。
【００１１】次に、図１９に示したように、フォトレジ
スト膜１１３上に、第２層目の薄膜コイル１１４を選択
的に形成する。このとき、同時に、フォトレジスト膜１
１３の開口１１３ｂに、コイル接続用パターン１１２ａ
と電気的に接続されるコイル接続用パターン１１４ａ
を、薄膜コイル１１４と一体に形成する。次に、第２層
目の薄膜コイル１１４およびコイル接続用パターン１１
４ａを覆うようにしてフォトレジスト膜１１５を形成
し、さらに、このフォトレジスト膜１１５の平坦化およ
び薄膜コイル１１４間の絶縁化のために所定の温度で熱
処理する。
スト膜１１３上に、第２層目の薄膜コイル１１４を選択
的に形成する。このとき、同時に、フォトレジスト膜１
１３の開口１１３ｂに、コイル接続用パターン１１２ａ
と電気的に接続されるコイル接続用パターン１１４ａ
を、薄膜コイル１１４と一体に形成する。次に、第２層
目の薄膜コイル１１４およびコイル接続用パターン１１
４ａを覆うようにしてフォトレジスト膜１１５を形成
し、さらに、このフォトレジスト膜１１５の平坦化およ
び薄膜コイル１１４間の絶縁化のために所定の温度で熱
処理する。
【００１２】次に、図２０に示したように、磁極先端部
１１０、フォトレジスト膜１１３，１１５上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極層（以下、上部磁極層と記す。）１１６を
選択的に形成する。この上部磁極層１１６は、薄膜コイ
ル１１２，１１４により囲まれた領域（図において右方
の領域）の開口１１３ａにおいて接続部パターン１１０
ａを介して下部磁極１０８と接触し、磁気的に連結され
る。続いて、上部磁極層１１６上に、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、ス
ライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッ
ドのトラック面（エアベアリング面）１１８を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
１１０、フォトレジスト膜１１３，１１５上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極層（以下、上部磁極層と記す。）１１６を
選択的に形成する。この上部磁極層１１６は、薄膜コイ
ル１１２，１１４により囲まれた領域（図において右方
の領域）の開口１１３ａにおいて接続部パターン１１０
ａを介して下部磁極１０８と接触し、磁気的に連結され
る。続いて、上部磁極層１１６上に、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、ス
ライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッ
ドのトラック面（エアベアリング面）１１８を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１３】図２０および図２１において、コイル接続
用パターン１１２ａは第１層目の薄膜コイル１１２の内
周端に接続されており、コイル接続用パターン１１４ａ
は第２層目の薄膜コイル１１４の内周端に接続されてい
る。但し、これらの図では、その接続部の図示を省略し
ている。このような接続形態の場合、コイルの巻回（タ
ーン）方向、すなわち、電流の方向は、例えば次のよう
になる。すなわち、第１層目の薄膜コイル１１２の外周
端を起点とすると、薄膜コイル１１２の外周端，薄膜コ
イル１１２の内周端，コイル接続用パターン１１２ａ，
コイル接続用パターン１１４ａ，薄膜コイル１１４の内
周端，そして薄膜コイル１１４の外周端という順序をた
どる１つの方向（例えば、右まわり方向）となる。
用パターン１１２ａは第１層目の薄膜コイル１１２の内
周端に接続されており、コイル接続用パターン１１４ａ
は第２層目の薄膜コイル１１４の内周端に接続されてい
る。但し、これらの図では、その接続部の図示を省略し
ている。このような接続形態の場合、コイルの巻回（タ
ーン）方向、すなわち、電流の方向は、例えば次のよう
になる。すなわち、第１層目の薄膜コイル１１２の外周
端を起点とすると、薄膜コイル１１２の外周端，薄膜コ
イル１１２の内周端，コイル接続用パターン１１２ａ，
コイル接続用パターン１１４ａ，薄膜コイル１１４の内
周端，そして薄膜コイル１１４の外周端という順序をた
どる１つの方向（例えば、右まわり方向）となる。
【００１４】なお、実際の薄膜磁気ヘッドの製造におい
ては、上述した構造を多数形成したウェファを多数の薄
膜磁気ヘッドが配列されたバーに分割し、このバーの側
面を研磨してエアベアリング面１１８を得るようにして
いる。このエアベアリング面１１８の形成過程において
ＭＲ膜１０５も研磨され、所望のスロートハイトおよび
ＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
さらに、実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル
１１２，１１４およびＭＲ膜１０５に対する電気的接続
を行なうための接点パッドが形成されているが、以上説
明した図では図示を省略してある。
ては、上述した構造を多数形成したウェファを多数の薄
膜磁気ヘッドが配列されたバーに分割し、このバーの側
面を研磨してエアベアリング面１１８を得るようにして
いる。このエアベアリング面１１８の形成過程において
ＭＲ膜１０５も研磨され、所望のスロートハイトおよび
ＭＲハイトを有する複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
さらに、実際の薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイル
１１２，１１４およびＭＲ膜１０５に対する電気的接続
を行なうための接点パッドが形成されているが、以上説
明した図では図示を省略してある。
【００１５】図２０および図２１において、ＴＨはスロ
ートハイトを表す。また、図２０において、ＭＲ−Ｈは
ＭＲハイトを表し、Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅を表
し、角度θは、フォトレジスト膜１１３，１１５のトラ
ック面側の側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層１１６の
上面とのなす角度であるエイペックスアングル（Apex A
ngle）を表し、ＬＭは磁路長を表す。これらのパラメー
タは、いずれも、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因
として重要である。
ートハイトを表す。また、図２０において、ＭＲ−Ｈは
ＭＲハイトを表し、Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅を表
し、角度θは、フォトレジスト膜１１３，１１５のトラ
ック面側の側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層１１６の
上面とのなす角度であるエイペックスアングル（Apex A
ngle）を表し、ＬＭは磁路長を表す。これらのパラメー
タは、いずれも、薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因
として重要である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにして形成
された従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に記
録ヘッドの微細化の点で以下のような問題がある。
された従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、特に記
録ヘッドの微細化の点で以下のような問題がある。
【００１７】磁路長ＬＭは、上記したように、薄膜コイ
ルを囲む部分における下部磁極および上部磁極の長さで
あるが、一般に、この磁路長ＬＭを短くすることによっ
て、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux
Rise Time) や非線形トランジションシフト（Non-line
ar Transition Shift:NLTS) 特性や重ね書き(Over Writ
e)特性等を改善できることが知られている。ここで、磁
束立ち上がり時間は、薄膜コイルに電流を流してから、
下部磁極および上部磁極からなる磁気回路における磁束
密度が所定レベルに達するまでの時間であり、記録時に
おける高周波特性を左右するものである。また、非線形
トランジションシフトは、データ記録時において、直前
に記録した磁区からの磁束が記録ヘッドの磁束と相互作
用を起こし、新たに記録しようとするトランジション
（磁化方向が反転している部分）の位置をシフトさせる
現象をいい、データ記録位置の正確さ、ひいては記録時
における面密度特性を左右するものである。
ルを囲む部分における下部磁極および上部磁極の長さで
あるが、一般に、この磁路長ＬＭを短くすることによっ
て、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux
Rise Time) や非線形トランジションシフト（Non-line
ar Transition Shift:NLTS) 特性や重ね書き(Over Writ
e)特性等を改善できることが知られている。ここで、磁
束立ち上がり時間は、薄膜コイルに電流を流してから、
下部磁極および上部磁極からなる磁気回路における磁束
密度が所定レベルに達するまでの時間であり、記録時に
おける高周波特性を左右するものである。また、非線形
トランジションシフトは、データ記録時において、直前
に記録した磁区からの磁束が記録ヘッドの磁束と相互作
用を起こし、新たに記録しようとするトランジション
（磁化方向が反転している部分）の位置をシフトさせる
現象をいい、データ記録位置の正確さ、ひいては記録時
における面密度特性を左右するものである。
【００１８】磁路長ＬＭを縮小するには、薄膜コイルの
ピッチを小さくすればよいが、それには限界があるの
で、通常は、図２０に示したように、２つの薄膜コイル
を絶縁層を介して積層する方法が採られている。この場
合、上記の例のように絶縁層としてフォトレジスト層を
用いる場合には、第１層目の薄膜コイル１１２と第２層
目の薄膜コイル１１４とを接続するための開口１１３ｂ
は、フォトリソグラフィ工程によるパターニングの際に
同時に行うことができる。
ピッチを小さくすればよいが、それには限界があるの
で、通常は、図２０に示したように、２つの薄膜コイル
を絶縁層を介して積層する方法が採られている。この場
合、上記の例のように絶縁層としてフォトレジスト層を
用いる場合には、第１層目の薄膜コイル１１２と第２層
目の薄膜コイル１１４とを接続するための開口１１３ｂ
は、フォトリソグラフィ工程によるパターニングの際に
同時に行うことができる。
【００１９】ところが、フォトレジスト層は、加熱によ
って流動性を呈することから、その端部位置（スロート
ハイトの基準となるＴＨゼロ位置）が熱処理工程によっ
て変化してしまう不都合がある。このため、薄膜コイル
間の絶縁層（以下、単にコイル間絶縁層という。）を、
有機材料であるフォトレジストではなく、無機絶縁材料
で形成することが考えられる。ところが、この場合に
は、２つの薄膜コイル間を接続する開口部をコイル間絶
縁層に形成するための工程が別途必要となる。このた
め、製造工程が複雑化するという問題があった。
って流動性を呈することから、その端部位置（スロート
ハイトの基準となるＴＨゼロ位置）が熱処理工程によっ
て変化してしまう不都合がある。このため、薄膜コイル
間の絶縁層（以下、単にコイル間絶縁層という。）を、
有機材料であるフォトレジストではなく、無機絶縁材料
で形成することが考えられる。ところが、この場合に
は、２つの薄膜コイル間を接続する開口部をコイル間絶
縁層に形成するための工程が別途必要となる。このた
め、製造工程が複雑化するという問題があった。
【００２０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、多層コイル構造を用いる場合であっ
ても製造工程を複雑化させることなく高性能のヘッド特
性を実現可能とする薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法、ならびに薄膜コイルの形成方法を提供することにあ
る。
ので、その目的は、多層コイル構造を用いる場合であっ
ても製造工程を複雑化させることなく高性能のヘッド特
性を実現可能とする薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法、ならびに薄膜コイルの形成方法を提供することにあ
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッド
であって、薄膜コイル部が、複数の薄膜コイル層と、複
数の薄膜コイル層の間をそれぞれ分離するように配設さ
れた層間絶縁層と、層間絶縁層の中に選択的に配設され
ると共に、その層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層に
接触するダミーパターンと、ダミーパターンの周壁面に
形成され、層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層の間を
電気的に接続するコイル間接続部とを備えている。
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介
して配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッド
であって、薄膜コイル部が、複数の薄膜コイル層と、複
数の薄膜コイル層の間をそれぞれ分離するように配設さ
れた層間絶縁層と、層間絶縁層の中に選択的に配設され
ると共に、その層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層に
接触するダミーパターンと、ダミーパターンの周壁面に
形成され、層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層の間を
電気的に接続するコイル間接続部とを備えている。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、層間絶縁層
の中に選択的に配設されたダミーパターンの周壁面にコ
イル間接続部が形成され、このコイル間接続部により、
層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層の間が電気的に接
続される。
の中に選択的に配設されたダミーパターンの周壁面にコ
イル間接続部が形成され、このコイル間接続部により、
層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層の間が電気的に接
続される。
【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、ダミ
ーパターンが、２つの磁極のうちの一方と同一の材料を
用いて同一工程で形成されたものであるようにしてもよ
い。また、ダミーパターンは、複数に分割された部分か
らなるようにしてもよい。この場合において、ダミーパ
ターンは、特に、格子状の溝によって複数の部分に分割
されたものであるようにすることが可能である。また、
ダミーパターンおよびコイル間接続部は、複数の薄膜コ
イル層の巻設領域の内側に配設するようにしてもよい
し、あるいは、複数の薄膜コイル層の巻設領域の外側に
配設するようにしてもよい。
ーパターンが、２つの磁極のうちの一方と同一の材料を
用いて同一工程で形成されたものであるようにしてもよ
い。また、ダミーパターンは、複数に分割された部分か
らなるようにしてもよい。この場合において、ダミーパ
ターンは、特に、格子状の溝によって複数の部分に分割
されたものであるようにすることが可能である。また、
ダミーパターンおよびコイル間接続部は、複数の薄膜コ
イル層の巻設領域の内側に配設するようにしてもよい
し、あるいは、複数の薄膜コイル層の巻設領域の外側に
配設するようにしてもよい。
【００２４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介
して複数配設された薄膜コイル層とを有する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、絶縁層の一部である下部絶縁
層の上に、選択的にダミーパターンを形成する工程と、
下部絶縁層の上に一の薄膜コイル層を形成すると共に、
ダミーパターンの少なくとも周壁面に一の薄膜コイル層
と一体をなすコイル間接続部を形成する工程と、一の薄
膜コイル層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、な
らびに下部絶縁層を覆うようにして、層間絶縁層を形成
する工程と、少なくともコイル間接続部が露出するまで
全体を研磨する工程と、層間絶縁層の上に他の薄膜コイ
ル層を形成すると共に、コイル間接続部の露出面に、他
の薄膜コイル層と一体をなす他のコイル間接続部を形成
する工程とを含んでいる。
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介
して複数配設された薄膜コイル層とを有する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、絶縁層の一部である下部絶縁
層の上に、選択的にダミーパターンを形成する工程と、
下部絶縁層の上に一の薄膜コイル層を形成すると共に、
ダミーパターンの少なくとも周壁面に一の薄膜コイル層
と一体をなすコイル間接続部を形成する工程と、一の薄
膜コイル層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、な
らびに下部絶縁層を覆うようにして、層間絶縁層を形成
する工程と、少なくともコイル間接続部が露出するまで
全体を研磨する工程と、層間絶縁層の上に他の薄膜コイ
ル層を形成すると共に、コイル間接続部の露出面に、他
の薄膜コイル層と一体をなす他のコイル間接続部を形成
する工程とを含んでいる。
【００２５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、ダミーパターンの少なくとも周壁面に形成された一
の薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続部は、一の薄
膜コイル層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、な
らびに下部絶縁層と共に、層間絶縁層で覆われる。そし
て、全体を研磨する工程によって露出したコイル間接続
部の露出面に、他の薄膜コイル層と一体をなす他のコイ
ル間接続部が形成される。これにより、一の薄膜コイル
層と他の薄膜コイル層との間が、コイル間接続部および
他のコイル間接続部によって、電気的に接続される。
は、ダミーパターンの少なくとも周壁面に形成された一
の薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続部は、一の薄
膜コイル層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、な
らびに下部絶縁層と共に、層間絶縁層で覆われる。そし
て、全体を研磨する工程によって露出したコイル間接続
部の露出面に、他の薄膜コイル層と一体をなす他のコイ
ル間接続部が形成される。これにより、一の薄膜コイル
層と他の薄膜コイル層との間が、コイル間接続部および
他のコイル間接続部によって、電気的に接続される。
【００２６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に
おいては、ダミーパターンを、２つの磁極のうちの一方
と同一の材料を用いて同一工程で形成するようにしても
よい。また、ダミーパターンが、複数に分割された部分
からなるものであるようにしてもよい。この場合には、
ダミーパターンが、格子状の溝によって複数の部分に分
割されたものであるようにすることが可能である。ま
た、ダミーパターン、コイル間接続部および他のコイル
間接続部は、複数の薄膜コイル層の巻設領域の内側に形
成するようにしてもよいし、あるいは、複数の薄膜コイ
ル層の巻設領域の外側に形成するようにしてもよい。
おいては、ダミーパターンを、２つの磁極のうちの一方
と同一の材料を用いて同一工程で形成するようにしても
よい。また、ダミーパターンが、複数に分割された部分
からなるものであるようにしてもよい。この場合には、
ダミーパターンが、格子状の溝によって複数の部分に分
割されたものであるようにすることが可能である。ま
た、ダミーパターン、コイル間接続部および他のコイル
間接続部は、複数の薄膜コイル層の巻設領域の内側に形
成するようにしてもよいし、あるいは、複数の薄膜コイ
ル層の巻設領域の外側に形成するようにしてもよい。
【００２７】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法においては、一の薄膜コイル層およびコイル間接続
部を形成する工程が、下部絶縁層上の領域のうち一の薄
膜コイル層を形成する領域を除く領域とダミーパターン
上の領域とをマスクする工程を含むものであるようにし
てもよい。この場合に、ダミーパターン上にはコイル間
接続部が形成されずに済むので、その後の研磨工程が円
滑に行われる。
方法においては、一の薄膜コイル層およびコイル間接続
部を形成する工程が、下部絶縁層上の領域のうち一の薄
膜コイル層を形成する領域を除く領域とダミーパターン
上の領域とをマスクする工程を含むものであるようにし
てもよい。この場合に、ダミーパターン上にはコイル間
接続部が形成されずに済むので、その後の研磨工程が円
滑に行われる。
【００２８】本発明に係る薄膜コイルの形成方法は、少
なくとも２つのコイル層が積層されてなる薄膜コイルを
形成する方法であって、絶縁層の上に、選択的にダミー
パターンを形成する工程と、絶縁層の上に第１の薄膜コ
イル層を形成すると共に、ダミーパターンの少なくとも
周壁面に第１の薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続
部を形成する工程と、第１の薄膜コイル層、ダミーパタ
ーンおよびコイル間接続部、ならびに絶縁層を覆うよう
にして、層間絶縁層を形成する工程と、少なくともコイ
ル間接続部が露出するまで全体を研磨する工程と、層間
絶縁層の上に第２の薄膜コイル層を形成すると共に、コ
イル間接続部の露出面に、第２の薄膜コイル層と一体を
なす第２のコイル間接続部を形成する工程とを含んでい
る。
なくとも２つのコイル層が積層されてなる薄膜コイルを
形成する方法であって、絶縁層の上に、選択的にダミー
パターンを形成する工程と、絶縁層の上に第１の薄膜コ
イル層を形成すると共に、ダミーパターンの少なくとも
周壁面に第１の薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続
部を形成する工程と、第１の薄膜コイル層、ダミーパタ
ーンおよびコイル間接続部、ならびに絶縁層を覆うよう
にして、層間絶縁層を形成する工程と、少なくともコイ
ル間接続部が露出するまで全体を研磨する工程と、層間
絶縁層の上に第２の薄膜コイル層を形成すると共に、コ
イル間接続部の露出面に、第２の薄膜コイル層と一体を
なす第２のコイル間接続部を形成する工程とを含んでい
る。
【００２９】本発明に係る薄膜コイルの形成方法では、
ダミーパターンの少なくとも周壁面に形成された第１の
薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続部は、第１の薄
膜コイル層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、な
らびに絶縁層と共に、層間絶縁層で覆われる。そして、
全体を研磨する工程によって露出したコイル間接続部の
露出面に、第２の薄膜コイル層と一体をなす第２のコイ
ル間接続部が形成される。これにより、第１の薄膜コイ
ル層と第２の薄膜コイル層との間が、コイル間接続部お
よび第２のコイル間接続部によって、電気的に接続され
る。
ダミーパターンの少なくとも周壁面に形成された第１の
薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続部は、第１の薄
膜コイル層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、な
らびに絶縁層と共に、層間絶縁層で覆われる。そして、
全体を研磨する工程によって露出したコイル間接続部の
露出面に、第２の薄膜コイル層と一体をなす第２のコイ
ル間接続部が形成される。これにより、第１の薄膜コイ
ル層と第２の薄膜コイル層との間が、コイル間接続部お
よび第２のコイル間接続部によって、電気的に接続され
る。
【００３０】本発明に係る薄膜コイルの形成方法におい
ては、ダミーパターンが、複数に分割された部分からな
るものであるようにしてもよい。この場合には、ダミー
パターンが、格子状の溝によって複数の部分に分割され
たものであるようにすることが可能である。また、ダミ
ーパターン、コイル間接続部および他のコイル間接続部
は、複数の薄膜コイル層の巻設領域の内側に形成するよ
うにしてもよいし、あるいは、複数の薄膜コイル層の巻
設領域の外側に形成するようにしてもよい。
ては、ダミーパターンが、複数に分割された部分からな
るものであるようにしてもよい。この場合には、ダミー
パターンが、格子状の溝によって複数の部分に分割され
たものであるようにすることが可能である。また、ダミ
ーパターン、コイル間接続部および他のコイル間接続部
は、複数の薄膜コイル層の巻設領域の内側に形成するよ
うにしてもよいし、あるいは、複数の薄膜コイル層の巻
設領域の外側に形成するようにしてもよい。
【００３１】また、本発明に係る薄膜コイルの形成方法
においては、第１の薄膜コイル層およびコイル間接続部
を形成する工程が、絶縁層上の領域のうち第１の薄膜コ
イル層を形成する領域を除く領域とダミーパターン上の
領域とをマスクする工程を含むものであるようにしても
よい。
においては、第１の薄膜コイル層およびコイル間接続部
を形成する工程が、絶縁層上の領域のうち第１の薄膜コ
イル層を形成する領域を除く領域とダミーパターン上の
領域とをマスクする工程を含むものであるようにしても
よい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００３３】〔第１の実施の形態〕まず、図１ないし図
１０を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明する。なお、本発明の実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドおよび薄膜コイルの形成方法は、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって
具現化されるので、以下併せて説明する。図１ないし図
８において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を
示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断
面を示している。また、図９および図１０は、複合型薄
膜磁気ヘッドの平面構成を示している。
１０を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明する。なお、本発明の実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドおよび薄膜コイルの形成方法は、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって
具現化されるので、以下併せて説明する。図１ないし図
８において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を
示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断
面を示している。また、図９および図１０は、複合型薄
膜磁気ヘッドの平面構成を示している。
【００３４】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約３〜５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層２上に、フォトレジスト膜を
マスクとして、電気めっき法により、選択的に、例えば
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シ
ールド層３を約３μｍの厚みに形成する。
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約３〜５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層２上に、フォトレジスト膜を
マスクとして、電気めっき法により、選択的に、例えば
パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シ
ールド層３を約３μｍの厚みに形成する。
【００３５】次に、図２に示したように、下部シールド
層３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚み
でスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成する。
次に、シールドギャップ膜４上に、再生用のＭＲ素子を
構成するためのＭＲ膜５を数１０ｎｍ以下の厚みに形成
し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。
次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続
する引き出し電極層としてのリード層１２を形成したの
ち、このリード層１２、シールドギャップ膜４およびＭ
Ｒ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜
５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。
層３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚み
でスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成する。
次に、シールドギャップ膜４上に、再生用のＭＲ素子を
構成するためのＭＲ膜５を数１０ｎｍ以下の厚みに形成
し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。
次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続
する引き出し電極層としてのリード層１２を形成したの
ち、このリード層１２、シールドギャップ膜４およびＭ
Ｒ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜
５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。
【００３６】次に、同図に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、例えばパーマロイよりなる上部シールド
兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）７を、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。
ップ膜６上に、例えばパーマロイよりなる上部シールド
兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）７を、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。
【００３７】次に、図３に示したように、例えば電解め
っき法によって、下部磁極７の上に、下部磁極片８ａお
よび磁路形成用の下部接続片８ｂを選択的に形成する。
このとき、下部磁極片８ａは、のちにエアベアリング面
となる位置よりもやや前方（図において左方）の位置か
らスロートハイトの基準位置であるＴＨゼロ位置にかけ
ての領域に形成する。また、磁路形成用の下部接続片８
ｂは、下部磁極片８ａよりも後方（図において右方）の
所定の領域に形成する。下部磁極片８ａおよび下部接続
片８ｂは、例えば、高飽和磁性材料であるパーマロイ
（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等を用いて形成する。
ここで、下部磁極７が本発明における「２つの磁極」の
うちの一方に対応し、下部磁極７および下部磁極片８ａ
が本発明における「少なくとも２つの磁性層」のうちの
１つに対応する。
っき法によって、下部磁極７の上に、下部磁極片８ａお
よび磁路形成用の下部接続片８ｂを選択的に形成する。
このとき、下部磁極片８ａは、のちにエアベアリング面
となる位置よりもやや前方（図において左方）の位置か
らスロートハイトの基準位置であるＴＨゼロ位置にかけ
ての領域に形成する。また、磁路形成用の下部接続片８
ｂは、下部磁極片８ａよりも後方（図において右方）の
所定の領域に形成する。下部磁極片８ａおよび下部接続
片８ｂは、例えば、高飽和磁性材料であるパーマロイ
（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等を用いて形成する。
ここで、下部磁極７が本発明における「２つの磁極」の
うちの一方に対応し、下部磁極７および下部磁極片８ａ
が本発明における「少なくとも２つの磁性層」のうちの
１つに対応する。
【００３８】次に、同図に示したように、全面を覆うよ
うにして、例えばアルミナ等からなる絶縁層９をスパッ
タ堆積したのち、全面をＣＭＰ法により研磨して、下部
磁極片８ａおよび下部接続片８ｂの上面を露出させる。
うにして、例えばアルミナ等からなる絶縁層９をスパッ
タ堆積したのち、全面をＣＭＰ法により研磨して、下部
磁極片８ａおよび下部接続片８ｂの上面を露出させる。
【００３９】次に、図４に示したように、下部磁極片８
ａ、下部接続片８ｂおよび絶縁層９の上に、例えばアル
ミナ等の絶縁膜からなる記録ギャップ層１０を形成す
る。次に、この記録ギャップ層１０を選択的にエッチン
グして開口１０ａを形成し、下部接続片８ｂの上面を露
出させる。
ａ、下部接続片８ｂおよび絶縁層９の上に、例えばアル
ミナ等の絶縁膜からなる記録ギャップ層１０を形成す
る。次に、この記録ギャップ層１０を選択的にエッチン
グして開口１０ａを形成し、下部接続片８ｂの上面を露
出させる。
【００４０】次に、同図に示したように、例えば電気め
っき法により、選択的に、記録ギャップ層１０の上に上
部磁極片１１ａおよびダミー磁極片１１ｃを形成すると
同時に、開口１０ａにより露出している下部接続片８ｂ
の上に上部接続片１１ｂを形成する。上部磁極片１１
ａ、上部接続片１１ｂおよびダミー磁極片１１ｃの厚さ
は、例えば３〜５μｍとする。ここで、上部磁極片１１
ａは、記録媒体上の記録トラックの幅を規定することと
なるパターン幅を有するもので、のちにエアベアリング
面となる位置よりもやや前方（図において左方）の位置
からスロートハイトの基準位置であるＴＨゼロ位置より
もやや後方（図において右方）の位置にかけての領域に
形成される。上部接続片１１ｂは、下部接続片８ｂと共
に、下部磁極と上部磁極とを磁気的に連結するために利
用されるものである。また、ダミー磁極片１１ｃは、の
ちに上下２つの薄膜コイルの間を接続するためのコイル
間接続部１３Ａの形成に利用されるもので、上部接続片
１１ｂよりもやや後方（図において右方）の領域に形成
される。上部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂおよびダ
ミー磁極片１１ｃは、例えば、パーマロイや窒化鉄等を
用いて形成される。ここで、ダミー磁極片１１ｃが本発
明における「ダミーパターン」に対応する。
っき法により、選択的に、記録ギャップ層１０の上に上
部磁極片１１ａおよびダミー磁極片１１ｃを形成すると
同時に、開口１０ａにより露出している下部接続片８ｂ
の上に上部接続片１１ｂを形成する。上部磁極片１１
ａ、上部接続片１１ｂおよびダミー磁極片１１ｃの厚さ
は、例えば３〜５μｍとする。ここで、上部磁極片１１
ａは、記録媒体上の記録トラックの幅を規定することと
なるパターン幅を有するもので、のちにエアベアリング
面となる位置よりもやや前方（図において左方）の位置
からスロートハイトの基準位置であるＴＨゼロ位置より
もやや後方（図において右方）の位置にかけての領域に
形成される。上部接続片１１ｂは、下部接続片８ｂと共
に、下部磁極と上部磁極とを磁気的に連結するために利
用されるものである。また、ダミー磁極片１１ｃは、の
ちに上下２つの薄膜コイルの間を接続するためのコイル
間接続部１３Ａの形成に利用されるもので、上部接続片
１１ｂよりもやや後方（図において右方）の領域に形成
される。上部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂおよびダ
ミー磁極片１１ｃは、例えば、パーマロイや窒化鉄等を
用いて形成される。ここで、ダミー磁極片１１ｃが本発
明における「ダミーパターン」に対応する。
【００４１】次に、同図に示したように、上部磁極片１
１ａをマスクとして、例えばイオンミリングによって、
記録ギャップ層１０および下部磁極片８ａの一部を、約
０．５μｍ程度エッチングして、トリム構造を形成す
る。
１ａをマスクとして、例えばイオンミリングによって、
記録ギャップ層１０および下部磁極片８ａの一部を、約
０．５μｍ程度エッチングして、トリム構造を形成す
る。
【００４２】次に、同図に示したように、記録ギャップ
層１０の上に、例えば電解めっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄
膜コイル１３を形成する。薄膜コイル１３の厚さは、上
部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂおよびダミー磁極片
１１ｃの厚さよりも薄く、例えば２〜３μｍとする。こ
のとき、同時に、ダミー磁極片１１ｃの周壁面および上
面に、薄膜コイル１３と一体をなすコイル間接続部１３
Ａを形成する。より具体的には、例えば銅からなる薄い
シード層（図示せず）を全面に形成したのち、薄膜コイ
ル１３およびコイル間接続部１３Ａを形成する領域以外
の領域を覆うようにフォトレジスト層（図示せず）を形
成する。次に、めっき液中において、露出している領域
のシード層の上に、銅からなる薄膜コイル１３およびコ
イル間接続部１３Ａを成長させ、次に、フォトレジスト
層を除去したのち、イオンミリングによって、不要なシ
ード層を除去し、コイルの巻回体の間を分離する。これ
により、図４に示したような構造が得られる。ここで薄
膜コイル１３が本発明における「一の薄膜コイル層」お
よび「第１の薄膜コイル層」に対応する。
層１０の上に、例えば電解めっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄
膜コイル１３を形成する。薄膜コイル１３の厚さは、上
部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂおよびダミー磁極片
１１ｃの厚さよりも薄く、例えば２〜３μｍとする。こ
のとき、同時に、ダミー磁極片１１ｃの周壁面および上
面に、薄膜コイル１３と一体をなすコイル間接続部１３
Ａを形成する。より具体的には、例えば銅からなる薄い
シード層（図示せず）を全面に形成したのち、薄膜コイ
ル１３およびコイル間接続部１３Ａを形成する領域以外
の領域を覆うようにフォトレジスト層（図示せず）を形
成する。次に、めっき液中において、露出している領域
のシード層の上に、銅からなる薄膜コイル１３およびコ
イル間接続部１３Ａを成長させ、次に、フォトレジスト
層を除去したのち、イオンミリングによって、不要なシ
ード層を除去し、コイルの巻回体の間を分離する。これ
により、図４に示したような構造が得られる。ここで薄
膜コイル１３が本発明における「一の薄膜コイル層」お
よび「第１の薄膜コイル層」に対応する。
【００４３】次に、図５に示したように、全面に、例え
ばアルミナ等の絶縁層１４を形成して、上部磁極片１１
ａ、上部接続片１１ｂ、薄膜コイル１３およびコイル間
接続部１３Ａによって形成された凹凸形状を埋設する。
ここで、絶縁層１４が本発明における「層間絶縁層」に
対応する。
ばアルミナ等の絶縁層１４を形成して、上部磁極片１１
ａ、上部接続片１１ｂ、薄膜コイル１３およびコイル間
接続部１３Ａによって形成された凹凸形状を埋設する。
ここで、絶縁層１４が本発明における「層間絶縁層」に
対応する。
【００４４】次に、図６に示したように、平坦化された
全面をＣＭＰ法によって研磨し、平坦化する。このとき
の研磨量は、上部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂ、お
よびダミー磁極片１１ｃの上面が露出する程度とする。
これにより、ダミー磁極片１１ｃの上部のコイル間接続
部１３Ａは完全に除去され、ダミー磁極片１１ｃの周壁
面にのみコイル間接続部１３Ａが残存する。
全面をＣＭＰ法によって研磨し、平坦化する。このとき
の研磨量は、上部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂ、お
よびダミー磁極片１１ｃの上面が露出する程度とする。
これにより、ダミー磁極片１１ｃの上部のコイル間接続
部１３Ａは完全に除去され、ダミー磁極片１１ｃの周壁
面にのみコイル間接続部１３Ａが残存する。
【００４５】次に、図７に示したように、絶縁層１４の
上に第２層目の薄膜コイル１５を形成する。このとき、
同時に、露出したダミー磁極片１１ｃおよびコイル間接
続部１３Ａの上に、薄膜コイル１５と一体をなすコイル
間接続部１５Ａを形成する。これにより、コイル間接続
部１３Ａおよびダミー磁極片１１ｃとコイル間接続部１
５Ａとが電気的に接続される。すなわち、第１層目の薄
膜コイル１３と第２層目の薄膜コイル１５との間が、コ
イル間接続部１３Ａ、ダミー磁極片１１ｃおよびコイル
間接続部１５Ａによって電気的に接続される。ここで、
薄膜コイル１５が本発明における「他の薄膜コイル層」
および「第２の薄膜コイル層」に対応し、コイル間接続
部１５Ａが本発明における「他のコイル間接続部」およ
び「第２のコイル間接続部」に対応する。
上に第２層目の薄膜コイル１５を形成する。このとき、
同時に、露出したダミー磁極片１１ｃおよびコイル間接
続部１３Ａの上に、薄膜コイル１５と一体をなすコイル
間接続部１５Ａを形成する。これにより、コイル間接続
部１３Ａおよびダミー磁極片１１ｃとコイル間接続部１
５Ａとが電気的に接続される。すなわち、第１層目の薄
膜コイル１３と第２層目の薄膜コイル１５との間が、コ
イル間接続部１３Ａ、ダミー磁極片１１ｃおよびコイル
間接続部１５Ａによって電気的に接続される。ここで、
薄膜コイル１５が本発明における「他の薄膜コイル層」
および「第２の薄膜コイル層」に対応し、コイル間接続
部１５Ａが本発明における「他のコイル間接続部」およ
び「第２のコイル間接続部」に対応する。
【００４６】次に、同図に示したように、絶縁層１４上
の薄膜コイル１５およびコイル間接続部１５Ａを覆うよ
うにして、有機絶縁層としてのフォトレジスト層１６を
選択的に形成する。このとき、フォトレジスト層１６に
は、上部接続片１１ｂの上面を露出状態に保つための開
口１６ａを形成する。次に、薄膜コイル１５の平坦化お
よび薄膜コイル１５の巻回体間の絶縁化のために、例え
ば２５０°Ｃの温度で熱処理を行う。
の薄膜コイル１５およびコイル間接続部１５Ａを覆うよ
うにして、有機絶縁層としてのフォトレジスト層１６を
選択的に形成する。このとき、フォトレジスト層１６に
は、上部接続片１１ｂの上面を露出状態に保つための開
口１６ａを形成する。次に、薄膜コイル１５の平坦化お
よび薄膜コイル１５の巻回体間の絶縁化のために、例え
ば２５０°Ｃの温度で熱処理を行う。
【００４７】次に、図８に示したように、上部ヨーク兼
上部磁極（以下、上部磁極と記す。）１７を、約３〜５
μｍの厚みに選択的に形成する。このとき、上部磁極１
７の前端側の一部が上部接続片１１ｂに接触して磁気的
に連結されるようにすると共に、後端側の一部が開口部
１６ａを介して下部接続片８ｂと接触して磁気的に連結
されるようにする。これにより、上部磁極片１１ａか
ら、上部磁極１７、上部接続片１１ｂ、下部接続片８ｂ
および下部磁極７を経て下部磁極片８ａに至る磁路が形
成される。ここで、上部磁極片１１ａが本発明における
「２つの磁極」のうちの他方に対応し、上部磁極１７お
よび上部磁極片１１ａが本発明における「少なくとも２
つの磁性層」のうちの他の１つに対応する。
上部磁極（以下、上部磁極と記す。）１７を、約３〜５
μｍの厚みに選択的に形成する。このとき、上部磁極１
７の前端側の一部が上部接続片１１ｂに接触して磁気的
に連結されるようにすると共に、後端側の一部が開口部
１６ａを介して下部接続片８ｂと接触して磁気的に連結
されるようにする。これにより、上部磁極片１１ａか
ら、上部磁極１７、上部接続片１１ｂ、下部接続片８ｂ
および下部磁極７を経て下部磁極片８ａに至る磁路が形
成される。ここで、上部磁極片１１ａが本発明における
「２つの磁極」のうちの他方に対応し、上部磁極１７お
よび上部磁極片１１ａが本発明における「少なくとも２
つの磁性層」のうちの他の１つに対応する。
【００４８】次に、同図に示したように、全面を覆うよ
うにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
８を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面（トラ
ック面）を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
うにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
８を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面（トラ
ック面）を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４９】図９は、図６に示した工程における薄膜磁
気ヘッドの平面構造を表すものである。但し、この図で
は、記録ギャップ層１０や絶縁層１４等の図示を省略
し、また、便宜上、薄膜コイル１３の巻回数を図４より
も少なく図示している。なお、図６は、図９におけるＡ
−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。この図に示した
ように、第１層目の薄膜コイル１３は螺旋（渦巻）形状
をなしており、その内周端１３ａは、ダミー磁極片１１
ｃの周壁面に形成されたコイル間接続部１３Ａに接続さ
れ、外周端１３ｂは、接続部１３Ｂに接続されている。
この接続部１３Ｂは、後工程（説明を省略）において、
図示しないスルーホールによって、より上層に形成され
る一対のコイル接続用パッド（図示せず）の一方に接続
されるものである。
気ヘッドの平面構造を表すものである。但し、この図で
は、記録ギャップ層１０や絶縁層１４等の図示を省略
し、また、便宜上、薄膜コイル１３の巻回数を図４より
も少なく図示している。なお、図６は、図９におけるＡ
−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。この図に示した
ように、第１層目の薄膜コイル１３は螺旋（渦巻）形状
をなしており、その内周端１３ａは、ダミー磁極片１１
ｃの周壁面に形成されたコイル間接続部１３Ａに接続さ
れ、外周端１３ｂは、接続部１３Ｂに接続されている。
この接続部１３Ｂは、後工程（説明を省略）において、
図示しないスルーホールによって、より上層に形成され
る一対のコイル接続用パッド（図示せず）の一方に接続
されるものである。
【００５０】図１０は、図８に示した工程における薄膜
磁気ヘッドの平面構造を表すものである。但し、この図
では、フォトレジスト層１６やオーバーコート層１８等
の図示を省略し、また、便宜上、薄膜コイル１５の巻回
数を図８よりも少なく図示している。なお、図８は、図
１０におけるＡ−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。
この図に示したように、第２層目の薄膜コイル１５の内
周端１５ａはコイル間接続部１５Ａに接続され、外周端
１５ｂは、接続部１５Ｂに接続されている。この接続部
１５Ｂは、後工程（説明を省略）において、図示しない
スルーホールによって、より上層に形成される上記一対
のコイル接続用パッド（図示せず）の他方に接続される
ものである。なお、図１０において、スロートハイトＴ
Ｈは、下部磁極片８ａのＡ−Ａ′線に沿った後端部（フ
ォトレジスト層１６の前端部）からエアベアリング面２
０までの長さである。
磁気ヘッドの平面構造を表すものである。但し、この図
では、フォトレジスト層１６やオーバーコート層１８等
の図示を省略し、また、便宜上、薄膜コイル１５の巻回
数を図８よりも少なく図示している。なお、図８は、図
１０におけるＡ−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。
この図に示したように、第２層目の薄膜コイル１５の内
周端１５ａはコイル間接続部１５Ａに接続され、外周端
１５ｂは、接続部１５Ｂに接続されている。この接続部
１５Ｂは、後工程（説明を省略）において、図示しない
スルーホールによって、より上層に形成される上記一対
のコイル接続用パッド（図示せず）の他方に接続される
ものである。なお、図１０において、スロートハイトＴ
Ｈは、下部磁極片８ａのＡ−Ａ′線に沿った後端部（フ
ォトレジスト層１６の前端部）からエアベアリング面２
０までの長さである。
【００５１】図９および図１０に示したように、２つの
薄膜コイル１３，１５は、コイル間接続部１３Ａ，１５
Ａを介して電気的に接続される。この場合のコイルの巻
回（ターン）方向、すなわち、電流の方向は、例えば次
のようになる。すなわち、第１層目の薄膜コイル１３の
外周端側を起点とすると、薄膜コイル１３の外周端側の
接続部１３Ｂ，薄膜コイル１３の内周端側のコイル間接
続部１３Ａ，薄膜コイル１５の内周端側のコイル間接続
部１５Ａ、そして、薄膜コイル１５の外周端側の接続部
１５Ｂという順序をたどる１つの方向（ここでは、右ま
わり方向）となる。
薄膜コイル１３，１５は、コイル間接続部１３Ａ，１５
Ａを介して電気的に接続される。この場合のコイルの巻
回（ターン）方向、すなわち、電流の方向は、例えば次
のようになる。すなわち、第１層目の薄膜コイル１３の
外周端側を起点とすると、薄膜コイル１３の外周端側の
接続部１３Ｂ，薄膜コイル１３の内周端側のコイル間接
続部１３Ａ，薄膜コイル１５の内周端側のコイル間接続
部１５Ａ、そして、薄膜コイル１５の外周端側の接続部
１５Ｂという順序をたどる１つの方向（ここでは、右ま
わり方向）となる。
【００５２】以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、第１層目の薄膜コイル１
３の形成前に、予め、薄膜コイル１３の厚さよりも厚い
ダミー磁極片１１ｃをダミーパターンとして形成してお
き、このダミー磁極片１１ｃの周壁面を利用してコイル
間接続部１３Ａを形成するようにしたので、その後、層
間絶縁層としての絶縁層１４を全面に形成してからＣＭ
Ｐ研磨を行ったときに、薄膜コイル１３を絶縁層１４中
に埋設させたまま、コイル間接続部１３Ａの上面のみを
露出させることができる。したがって、第２層目の薄膜
コイル１５との接続のために絶縁層１４に開口を形成す
るという工程が不要となる。しかも、本実施の形態で
は、ダミー磁極片１１ｃは、下部磁極片８ａおよび下部
磁極片８ａの形成工程において同時に形成されるので、
新たな工程を必要としない。
気ヘッドの製造方法によれば、第１層目の薄膜コイル１
３の形成前に、予め、薄膜コイル１３の厚さよりも厚い
ダミー磁極片１１ｃをダミーパターンとして形成してお
き、このダミー磁極片１１ｃの周壁面を利用してコイル
間接続部１３Ａを形成するようにしたので、その後、層
間絶縁層としての絶縁層１４を全面に形成してからＣＭ
Ｐ研磨を行ったときに、薄膜コイル１３を絶縁層１４中
に埋設させたまま、コイル間接続部１３Ａの上面のみを
露出させることができる。したがって、第２層目の薄膜
コイル１５との接続のために絶縁層１４に開口を形成す
るという工程が不要となる。しかも、本実施の形態で
は、ダミー磁極片１１ｃは、下部磁極片８ａおよび下部
磁極片８ａの形成工程において同時に形成されるので、
新たな工程を必要としない。
【００５３】なお、本実施の形態では、ダミー磁極片１
１ｃが一体のダミーパターンとして形成されているもの
として説明したが、このほか、例えば図１１（ａ）〜
（ｄ）に示したように、ダミー磁極片１１ｃが複数の部
分に分割されているものであってもよい。図１１におい
て、（ａ）は、格子状の溝によってダミー磁極片１１ｃ
を複数の部分に分割した例を示し、（ｂ）は、横方向
（図において左右方向）に平行に延びる複数の溝によっ
てダミー磁極片１１ｃを複数の部分に分割した例を示
し、（ｃ）は、縦方向（図において上下方向）に平行に
延びる複数の溝によってダミー磁極片１１ｃを複数の部
分に分割した例を示し、（ｄ）は、ダミー磁極片１１ｃ
を複数の円形状の部分に分割した例を示す。これらの変
形例においては、ダミー磁極片１１ｃの分割された各部
分がそれぞれ周壁面を有し、全体としての周壁面の面積
が大きくなるので、そこに形成されるコイル間接続部１
３Ａの水平断面積の総和が大きくなる。このため、コイ
ル間接続部１３Ａとコイル間接続部１５Ａとの接触面積
も大きくなり、薄膜コイル１３と薄膜コイル１５との接
触抵抗を低減することができる。なお、ダミー磁極片１
１ｃの分割方法は、上記した格子状の溝による方法に限
定されず、他のパターンの溝によって分割されるように
してもよい。
１ｃが一体のダミーパターンとして形成されているもの
として説明したが、このほか、例えば図１１（ａ）〜
（ｄ）に示したように、ダミー磁極片１１ｃが複数の部
分に分割されているものであってもよい。図１１におい
て、（ａ）は、格子状の溝によってダミー磁極片１１ｃ
を複数の部分に分割した例を示し、（ｂ）は、横方向
（図において左右方向）に平行に延びる複数の溝によっ
てダミー磁極片１１ｃを複数の部分に分割した例を示
し、（ｃ）は、縦方向（図において上下方向）に平行に
延びる複数の溝によってダミー磁極片１１ｃを複数の部
分に分割した例を示し、（ｄ）は、ダミー磁極片１１ｃ
を複数の円形状の部分に分割した例を示す。これらの変
形例においては、ダミー磁極片１１ｃの分割された各部
分がそれぞれ周壁面を有し、全体としての周壁面の面積
が大きくなるので、そこに形成されるコイル間接続部１
３Ａの水平断面積の総和が大きくなる。このため、コイ
ル間接続部１３Ａとコイル間接続部１５Ａとの接触面積
も大きくなり、薄膜コイル１３と薄膜コイル１５との接
触抵抗を低減することができる。なお、ダミー磁極片１
１ｃの分割方法は、上記した格子状の溝による方法に限
定されず、他のパターンの溝によって分割されるように
してもよい。
【００５４】また、下部磁極片８ａは、図１０に示した
ように薄膜コイル１３，１５の形成領域の前方側のみに
形成するのではなく、例えば図１２に示したように、薄
膜コイル１３，１５を囲む領域全体に形成するようにし
てもよい。
ように薄膜コイル１３，１５の形成領域の前方側のみに
形成するのではなく、例えば図１２に示したように、薄
膜コイル１３，１５を囲む領域全体に形成するようにし
てもよい。
【００５５】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【００５６】図１３〜図１５は、本発明の第２の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の主要工程を表す
ものである。なお、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドおよび薄膜コイルの形成方法は、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるの
で、以下併せて説明する。図１３ないし図１５におい
て、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。
形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の主要工程を表す
ものである。なお、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドおよび薄膜コイルの形成方法は、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるの
で、以下併せて説明する。図１３ないし図１５におい
て、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。
【００５７】なお、本実施の形態に係る製造方法のう
ち、前半の工程は上記第１の実施の形態における図１〜
図３までの工程と同じであり、後半の工程は上記第１の
実施の形態における図７および図８の工程と同じである
ので、それらの工程については図示および説明を省略す
る。
ち、前半の工程は上記第１の実施の形態における図１〜
図３までの工程と同じであり、後半の工程は上記第１の
実施の形態における図７および図８の工程と同じである
ので、それらの工程については図示および説明を省略す
る。
【００５８】本実施の形態では、図１３に示したよう
に、第１層目の薄膜コイル１３の形成の際に、フォトレ
ジストマスク層１９を、記録ギャップ層１０の上にのみ
選択的に形成するのではなく、ダミー磁極片１１ｃの上
にも形成する。そして、このフォトレジストマスク層１
９をマスクとして、めっき成長により薄膜コイル１３を
形成する。
に、第１層目の薄膜コイル１３の形成の際に、フォトレ
ジストマスク層１９を、記録ギャップ層１０の上にのみ
選択的に形成するのではなく、ダミー磁極片１１ｃの上
にも形成する。そして、このフォトレジストマスク層１
９をマスクとして、めっき成長により薄膜コイル１３を
形成する。
【００５９】次に、図１４に示したように、フォトレジ
ストマスク層１９を除去する。この結果、ダミー磁極片
１１ｃの上にはコイル間接続部１３Ａが形成されず、ダ
ミー磁極片１１ｃの周壁面にのみコイル間接続部１３Ａ
が形成される。
ストマスク層１９を除去する。この結果、ダミー磁極片
１１ｃの上にはコイル間接続部１３Ａが形成されず、ダ
ミー磁極片１１ｃの周壁面にのみコイル間接続部１３Ａ
が形成される。
【００６０】次に、図１５に示したように、全面に、例
えばアルミナ等の絶縁層１４を形成して、上部磁極片１
１ａ、上部接続片１１ｂ、薄膜コイル１３およびコイル
間接続部１３Ａによって形成された凹凸形状を埋設した
のち、全面をＣＭＰ法による研磨により平坦化して、上
部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂ、およびダミー磁極
片１１ｃの上面を露出させる。これにより、ダミー磁極
片１１ｃの上部のコイル間接続部１３Ａは完全に除去さ
れ、ダミー磁極片１１ｃの周壁面にのみコイル間接続部
１３Ａが残存する。
えばアルミナ等の絶縁層１４を形成して、上部磁極片１
１ａ、上部接続片１１ｂ、薄膜コイル１３およびコイル
間接続部１３Ａによって形成された凹凸形状を埋設した
のち、全面をＣＭＰ法による研磨により平坦化して、上
部磁極片１１ａ、上部接続片１１ｂ、およびダミー磁極
片１１ｃの上面を露出させる。これにより、ダミー磁極
片１１ｃの上部のコイル間接続部１３Ａは完全に除去さ
れ、ダミー磁極片１１ｃの周壁面にのみコイル間接続部
１３Ａが残存する。
【００６１】これ以降の工程は、上記第１の実施の形態
における図７および図８に示したものと同じであるの
で、説明を省略する。
における図７および図８に示したものと同じであるの
で、説明を省略する。
【００６２】以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、第１層目の薄膜コイル１
３の形成の際に、ダミー磁極片１１ｃの上面をもフォト
レジストマスク層１９でマスクするようにしたので、ダ
ミー磁極片１１ｃの上にコイル間接続部１３Ａが形成さ
れるのを阻止することができる。このため、その後のＣ
ＭＰ工程において、研磨パッドの目詰まりを防止でき、
研磨レートの低下を防止することができる。コイル間接
続部１３Ａを構成する銅は、柔らかい材質を有するた
め、研磨パッドの目詰まりの原因となるが、本実施の形
態のように、ダミー磁極片１１ｃの上に銅が殆ど形成さ
れないようにすれば、研磨パッドによる銅の研磨量を低
減できるからである。
気ヘッドの製造方法によれば、第１層目の薄膜コイル１
３の形成の際に、ダミー磁極片１１ｃの上面をもフォト
レジストマスク層１９でマスクするようにしたので、ダ
ミー磁極片１１ｃの上にコイル間接続部１３Ａが形成さ
れるのを阻止することができる。このため、その後のＣ
ＭＰ工程において、研磨パッドの目詰まりを防止でき、
研磨レートの低下を防止することができる。コイル間接
続部１３Ａを構成する銅は、柔らかい材質を有するた
め、研磨パッドの目詰まりの原因となるが、本実施の形
態のように、ダミー磁極片１１ｃの上に銅が殆ど形成さ
れないようにすれば、研磨パッドによる銅の研磨量を低
減できるからである。
【００６３】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態では、ダミーパターンは、上部磁極片１１ａと同
じ工程において同一材料の磁性体により形成されるダミ
ー磁極片１１ｃであるとして説明したが、上部磁極片１
１ａとは異なる工程により、異なる材料を用いて形成す
るようにしてもよい。
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態では、ダミーパターンは、上部磁極片１１ａと同
じ工程において同一材料の磁性体により形成されるダミ
ー磁極片１１ｃであるとして説明したが、上部磁極片１
１ａとは異なる工程により、異なる材料を用いて形成す
るようにしてもよい。
【００６４】また、ダミーパターンは、上記各実施の形
態におけるダミー磁極片１１ｃのような導電体である必
要はなく、例えばアルミナ等の絶縁材料によって形成し
てもよい。薄膜コイル１３，１５と同一材質の銅からな
るコイル間接続部１３Ａ，１５Ａの抵抗値は、ダミー磁
極片１１ｃを構成するパーマロイ等の磁性材料と比べて
十分に小さく、したがって、実質的に薄膜コイル１３，
１５間の電気的接続部として機能するのはコイル間接続
部１３Ａ，１５Ａだからである。
態におけるダミー磁極片１１ｃのような導電体である必
要はなく、例えばアルミナ等の絶縁材料によって形成し
てもよい。薄膜コイル１３，１５と同一材質の銅からな
るコイル間接続部１３Ａ，１５Ａの抵抗値は、ダミー磁
極片１１ｃを構成するパーマロイ等の磁性材料と比べて
十分に小さく、したがって、実質的に薄膜コイル１３，
１５間の電気的接続部として機能するのはコイル間接続
部１３Ａ，１５Ａだからである。
【００６５】また、上記各実施の形態では、ダミー磁極
片１１ｃを薄膜コイル１３，１５の内側の領域に形成
し、ここで２つの薄膜コイル間を接続するようにした
が、本発明はこれに限定されず、ダミー磁極片１１ｃを
薄膜コイル１３，１５の外側の領域に形成し、ここで２
つの薄膜コイル間を接続するようにしてもよい。
片１１ｃを薄膜コイル１３，１５の内側の領域に形成
し、ここで２つの薄膜コイル間を接続するようにした
が、本発明はこれに限定されず、ダミー磁極片１１ｃを
薄膜コイル１３，１５の外側の領域に形成し、ここで２
つの薄膜コイル間を接続するようにしてもよい。
【００６６】
【発明の効果】以上の説明したように、請求項１ないし
請求項６のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドによれ
ば、層間絶縁層の中に選択的にダミーパターンを配設す
ると共に、このダミーパターンの周壁面にコイル間接続
部を形成し、このコイル間接続部により、層間絶縁層を
挟む２つの薄膜コイル層の間を電気的に接続するように
したので、層間絶縁層に開口を形成してこれを導電体で
埋設するという従来手法とは異なる手法によって薄膜コ
イル層間を電気的に接続することが可能になるという効
果を奏する。
請求項６のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドによれ
ば、層間絶縁層の中に選択的にダミーパターンを配設す
ると共に、このダミーパターンの周壁面にコイル間接続
部を形成し、このコイル間接続部により、層間絶縁層を
挟む２つの薄膜コイル層の間を電気的に接続するように
したので、層間絶縁層に開口を形成してこれを導電体で
埋設するという従来手法とは異なる手法によって薄膜コ
イル層間を電気的に接続することが可能になるという効
果を奏する。
【００６７】請求項７ないし請求項１３のいずれか１に
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、一の薄膜コ
イル層の形成前にダミーパターンを形成し、このダミー
パターンの少なくとも周壁面に一の薄膜コイル層と一体
をなすコイル間接続部を形成し、一の薄膜コイル層、ダ
ミーパターンおよびコイル間接続部、ならびに下部絶縁
層を層間絶縁層で覆い、全体を研磨してコイル間接続部
を露出させ、この露出面に他の薄膜コイル層と一体をな
す他のコイル間接続部を形成し、これにより、一の薄膜
コイル層と他の薄膜コイル層との間をコイル間接続部お
よび他のコイル間接続部によって電気的に接続するよう
にしたので、コイル間を接続する部分の層間絶縁層に開
口を形成する工程が不要となる。
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、一の薄膜コ
イル層の形成前にダミーパターンを形成し、このダミー
パターンの少なくとも周壁面に一の薄膜コイル層と一体
をなすコイル間接続部を形成し、一の薄膜コイル層、ダ
ミーパターンおよびコイル間接続部、ならびに下部絶縁
層を層間絶縁層で覆い、全体を研磨してコイル間接続部
を露出させ、この露出面に他の薄膜コイル層と一体をな
す他のコイル間接続部を形成し、これにより、一の薄膜
コイル層と他の薄膜コイル層との間をコイル間接続部お
よび他のコイル間接続部によって電気的に接続するよう
にしたので、コイル間を接続する部分の層間絶縁層に開
口を形成する工程が不要となる。
【００６８】特に、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
ダミーパターンを、２つの磁極のうちの一方と同一の材
料を用いて同一工程で形成するようにしたので、ダミー
パターンを形成する工程を新たに追加する必要がなく、
工程数の増加を回避できるという効果を奏する。
は請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
ダミーパターンを、２つの磁極のうちの一方と同一の材
料を用いて同一工程で形成するようにしたので、ダミー
パターンを形成する工程を新たに追加する必要がなく、
工程数の増加を回避できるという効果を奏する。
【００６９】また、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法によれば、一の薄膜コイル層およびコイル間接
続部を形成する工程が、下部絶縁層上の領域のうち一の
薄膜コイル層を形成する領域を除く領域とダミーパター
ン上の領域とをマスクする工程を含むものであるように
したので、ダミーパターン上にはコイル間接続部が形成
されずに済み、その後の研磨工程を円滑化することがで
きるという効果を奏する。
製造方法によれば、一の薄膜コイル層およびコイル間接
続部を形成する工程が、下部絶縁層上の領域のうち一の
薄膜コイル層を形成する領域を除く領域とダミーパター
ン上の領域とをマスクする工程を含むものであるように
したので、ダミーパターン上にはコイル間接続部が形成
されずに済み、その後の研磨工程を円滑化することがで
きるという効果を奏する。
【００７０】請求項１４ないし請求項１９のいずれか１
に記載の薄膜コイルの形成方法によれば、第１の薄膜コ
イル層の形成前にダミーパターンを形成し、このダミー
パターンの少なくとも周壁面に第１の薄膜コイル層と一
体をなすコイル間接続部を形成し、第１の薄膜コイル
層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、ならびに絶
縁層を層間絶縁層で覆い、全体を研磨してコイル間接続
部を露出させ、この露出面に第２の薄膜コイル層と一体
をなす第２のコイル間接続部を形成し、これにより、第
１の薄膜コイル層と第２の薄膜コイル層との間をコイル
間接続部および第２のコイル間接続部によって電気的に
接続するようにしたので、コイル間を接続する部分の層
間絶縁層に開口を形成する工程が不要となるという効果
を奏する。
に記載の薄膜コイルの形成方法によれば、第１の薄膜コ
イル層の形成前にダミーパターンを形成し、このダミー
パターンの少なくとも周壁面に第１の薄膜コイル層と一
体をなすコイル間接続部を形成し、第１の薄膜コイル
層、ダミーパターンおよびコイル間接続部、ならびに絶
縁層を層間絶縁層で覆い、全体を研磨してコイル間接続
部を露出させ、この露出面に第２の薄膜コイル層と一体
をなす第２のコイル間接続部を形成し、これにより、第
１の薄膜コイル層と第２の薄膜コイル層との間をコイル
間接続部および第２のコイル間接続部によって電気的に
接続するようにしたので、コイル間を接続する部分の層
間絶縁層に開口を形成する工程が不要となるという効果
を奏する。
【００７１】特に、請求項１９記載の薄膜コイルの形成
方法によれば、第１の薄膜コイル層およびコイル間接続
部を形成する工程が、絶縁層上の領域のうち第１の薄膜
コイル層を形成する領域を除く領域とダミーパターン上
の領域とをマスクする工程を含むものであるようにした
ので、ダミーパターン上にはコイル間接続部が形成され
ずに済み、その後の研磨工程を円滑化することができる
という効果を奏する。
方法によれば、第１の薄膜コイル層およびコイル間接続
部を形成する工程が、絶縁層上の領域のうち第１の薄膜
コイル層を形成する領域を除く領域とダミーパターン上
の領域とをマスクする工程を含むものであるようにした
ので、ダミーパターン上にはコイル間接続部が形成され
ずに済み、その後の研磨工程を円滑化することができる
という効果を奏する。
【００７２】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッド、請
求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法、または請求項
１５記載の薄膜コイルの形成方法によれば、ダミーパタ
ーンが複数に分割された部分からなるようにしたので、
複数の薄膜コイル間（または、一の薄膜コイルと他の薄
膜コイルとの間、あるいは第１の薄膜コイルと第２の薄
膜コイルとの間）の接触抵抗を低減でき、この結果、薄
膜コイル全体としての抵抗の増大を防止することができ
るという効果を奏する。
求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法、または請求項
１５記載の薄膜コイルの形成方法によれば、ダミーパタ
ーンが複数に分割された部分からなるようにしたので、
複数の薄膜コイル間（または、一の薄膜コイルと他の薄
膜コイルとの間、あるいは第１の薄膜コイルと第２の薄
膜コイルとの間）の接触抵抗を低減でき、この結果、薄
膜コイル全体としての抵抗の増大を防止することができ
るという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における１工程を表す断面図である。
ドの製造方法における１工程を表す断面図である。
【図２】図１に続く断面図である。
【図３】図２に続く断面図である。
【図４】図３に続く断面図である。
【図５】図４に続く断面図である。
【図６】図５に続く断面図である。
【図７】図６に続く断面図である。
【図８】図７に続く断面図である。
【図９】図６に示した工程に対応する平面図である。
【図１０】図８に示した工程に対応する平面図である。
【図１１】ダミー磁極片およびコイル間接続部の形状の
変形例を表す平面図である。
変形例を表す平面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を示す平面図である。
ッドの変形例を示す平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における１工程を表す断面図である。
ッドの製造方法における１工程を表す断面図である。
【図１４】図１３に続く断面図である。
【図１５】図１４に続く断面図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における１
工程を表す断面図である。
工程を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く断面図である。
【図１８】図１７に続く断面図である。
【図１９】図１８に続く断面図である。
【図２０】図１９に続く断面図である。
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面
図である。
図である。
１…基板、２，９，１４…絶縁層、３…下部シールド
層、４…シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、６…シール
ドギャップ膜、７…下部磁極、８ａ…下部磁極片、８ｂ
…下部接続片、１０…記録ギャップ層、１０ａ…開口、
１１ａ…上部磁極片、１１ｂ…上部接続片、１１ｃ…ダ
ミー磁極片、１３，１５…薄膜コイル、１３Ａ，１５Ａ
…コイル間接続部、１６…フォトレジスト層、１７…上
部磁極、１８…オーバーコート層、１９…フォトレジス
トマスク層、２０…エアベアリング面
層、４…シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、６…シール
ドギャップ膜、７…下部磁極、８ａ…下部磁極片、８ｂ
…下部接続片、１０…記録ギャップ層、１０ａ…開口、
１１ａ…上部磁極片、１１ｂ…上部接続片、１１ｃ…ダ
ミー磁極片、１３，１５…薄膜コイル、１３Ａ，１５Ａ
…コイル間接続部、１６…フォトレジスト層、１７…上
部磁極、１８…オーバーコート層、１９…フォトレジス
トマスク層、２０…エアベアリング面
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/31
Claims (19)
- 【請求項１】 磁気的に連結され、かつ記録媒体に対
向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁
極を含む少なくとも２つの磁性層と、 前記２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜
コイル部とを有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記薄膜コイル部は、 複数の薄膜コイル層と、 前記複数の薄膜コイル層の間をそれぞれ分離するように
配設された層間絶縁層と、 前記層間絶縁層の中に選択的に配設されると共に、その
層間絶縁層を挟む２つの薄膜コイル層に接触するダミー
パターンと、 前記ダミーパターンの周壁面に形成され、前記層間絶縁
層を挟む２つの薄膜コイル層の間を電気的に接続するコ
イル間接続部とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記ダミーパターンは、前記２つの磁
極のうちの一方と同一の材料を用いて同一工程で形成さ
れたものであることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項３】 前記ダミーパターンは、複数に分割さ
れた部分からなることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記ダミーパターンは、格子状の溝に
よって複数の部分に分割されたものであることを特徴と
する請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記ダミーパターンおよびコイル間接
続部は、前記複数の薄膜コイル層の巻設領域の内側に配
設されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４
のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記ダミーパターンおよびコイル間接
続部は、前記複数の薄膜コイル層の巻設領域の外側に配
設されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４
のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 磁気的に連結され、かつ記録媒体に対
向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁
極を含む少なくとも２つの磁性層と、前記２つの磁性層
の間に絶縁層を介して複数配設された薄膜コイル層とを
有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記絶縁層の一部である下部絶縁層の上に、選択的にダ
ミーパターンを形成する工程と、 前記下部絶縁層の上に一の薄膜コイル層を形成すると共
に、前記ダミーパターンの少なくとも周壁面に前記一の
薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続部を形成する工
程と、 前記一の薄膜コイル層、前記ダミーパターンおよびコイ
ル間接続部、ならびに前記下部絶縁層を覆うようにし
て、層間絶縁層を形成する工程と、 少なくとも前記コイル間接続部が露出するまで全体を研
磨する工程と、 前記層間絶縁層の上に他の薄膜コイル層を形成すると共
に、前記コイル間接続部の露出面に、前記他の薄膜コイ
ル層と一体をなす他のコイル間接続部を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記ダミーパターンを、前記２つの磁
極のうちの一方と同一の材料を用いて同一工程で形成す
るようにしたことを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記ダミーパターンが、複数に分割さ
れた部分からなるようにしたことを特徴とする請求項７
または請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記ダミーパターンが、格子状の溝に
よって複数の部分に分割されたものであるようにしたこ
とを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１１】 前記ダミーパターン、コイル間接続
部および他のコイル間接続部を、前記複数の薄膜コイル
層の巻設領域の内側に形成するようにしたことを特徴と
する請求項７ないし請求項１０のいずれか１に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記ダミーパターン、コイル間接続
部および他のコイル間接続部を、前記複数の薄膜コイル
層の巻設領域の外側に形成するようにしたことを特徴と
する請求項７ないし請求項１０のいずれか１に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記一の薄膜コイル層およびコイル
間接続部を形成する工程は、 前記下部絶縁層上の領域のうち前記一の薄膜コイル層を
形成する領域を除く領域と、前記ダミーパターン上の領
域とをマスクする工程を含むことを特徴とする請求項７
ないし請求項１２のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項１４】 少なくとも２つのコイル層が積層さ
れてなる薄膜コイルを形成する方法であって、 絶縁層の上に、選択的にダミーパターンを形成する工程
と、 前記絶縁層の上に第１の薄膜コイル層を形成すると共
に、前記ダミーパターンの少なくとも周壁面に前記第１
の薄膜コイル層と一体をなすコイル間接続部を形成する
工程と、 前記第１の薄膜コイル層、前記ダミーパターンおよびコ
イル間接続部、ならびに前記絶縁層を覆うようにして、
層間絶縁層を形成する工程と、 少なくとも前記コイル間接続部が露出するまで全体を研
磨する工程と、 前記層間絶縁層の上に第２の薄膜コイル層を形成すると
共に、前記コイル間接続部の露出面に、前記第２の薄膜
コイル層と一体をなす第２のコイル間接続部を形成する
工程とを含むことを特徴とする薄膜コイルの形成方法。 - 【請求項１５】 前記ダミーパターンが、複数に分割
された部分からなるようにしたことを特徴とする請求項
１４記載の薄膜コイルの形成方法。 - 【請求項１６】 前記ダミーパターンが、格子状の溝
によって複数の部分に分割されたものであるようにした
ことを特徴とする請求項１５記載の薄膜コイルの形成方
法。 - 【請求項１７】 前記ダミーパターン、コイル間接続
部および第２のコイル間接続部を、前記複数の薄膜コイ
ル層の巻設領域の内側に形成するようにしたことを特徴
とする請求項１４ないし請求項１６のいずれか１に記載
の薄膜コイルの形成方法。 - 【請求項１８】 前記ダミーパターン、コイル間接続
部および第２のコイル間接続部を、前記複数の薄膜コイ
ル層の巻設領域の外側に形成するようにしたことを特徴
とする請求項１４ないし請求項１６のいずれか１に記載
の薄膜コイルの形成方法。 - 【請求項１９】 前記第１の薄膜コイル層およびコイ
ル間接続部を形成する工程は、前記絶縁層上の領域のう
ち前記第１の薄膜コイル層を形成する領域を除く領域
と、前記ダミーパターン上の領域とをマスクする工程を
含むことを特徴とする請求項１４ないし請求項１８のい
ずれか１に記載の薄膜コイルの形成方法。
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| JP3522595B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2004-04-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3756729B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2006-03-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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1999
- 1999-12-06 US US09/455,448 patent/US6320726B1/en not_active Expired - Fee Related
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