JP3469473B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：TH）がある。スロートハイトは、エアベアリン
グ面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離する
絶縁層の端部までの磁極部分の長さ（高さ）をいう。記
録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小
化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリ
ング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００５】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリ
ング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーま
で狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要
があり、これを達成するために半導体加工技術が利用さ
れている。
【０００６】ここで、図３１ないし図３７を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図３１ないし図３７において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００７】この製造方法では、まず、図３１に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１０２を、約５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料より
なる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、２〜３μ
ｍの厚みに形成する。
【０００８】次に、図３２に示したように、下部シール
ド層１０３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミ
ニウムを５０〜１５０ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶
縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生
用のＭＲ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎ
ｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素
子１０５を形成すべき位置に選択的にフォトレジストパ
ターンを形成する。このとき、リフトオフを容易に行う
ことができるような形状、例えば断面形状がＴ型のフォ
トレジストパターンを形成する。次に、フォトレジスト
パターンをマスクとして、例えばイオンミリングによっ
てＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５を形成す
る。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でもよいし、
ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シールドギャップ膜１
０４の上に、同じフォトレジストパターンをマスクとし
て、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の第１の
電極層１０６を、数十ｎｍの厚みに形成する。第１の電
極層１０６は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，Ｔ
ａを積層して形成される。次に、フォトレジストパター
ンをリフトオフする。
【０００９】次に、図３３に示したように、第１の電極
層１０６に電気的に接続される一対の第２の電極層１０
７を、例えば１５０ｎｍの厚みで、所定のパターンに形
成する。第２の電極層１０７は、例えば、銅（Ｃｕ）に
よって形成される。第１の電極層１０６および第２の電
極層１０７は、ＭＲ素子１０５に電気的に接続されるリ
ードを構成する。
【００１０】次に、図３４に示したように、下部シール
ドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁
層としての上部シールドギャップ膜１０８を、５０〜１
５０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギ
ャップ膜１０４，１０８内に埋設する。次に、上部シー
ルドギャップ膜１０８の上に、磁性材料からなり、再生
ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層
兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０９を、
約３μｍの厚みに形成する。
【００１１】次に、図３５に示したように、下部磁極層
１０９の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１１０を、０．２〜０．３μｍの厚みに形成
し、この記録ギャップ層１１０の上に、スロートハイト
を決定するフォトレジスト層１１１を、約１．０〜２．
０μｍの厚みで、所定のパターンに形成する。次に、フ
ォトレジスト層１１１の上に、誘導型の記録ヘッド用の
第１層目の薄膜コイル１１２を、３μｍの厚みに形成す
る。次に、フォトレジスト層１１１およびコイル１１２
の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに
形成する。次に、フォトレジスト層１１３上を平坦化す
るために、例えば２００〜２５０°Ｃの温度で熱処理す
る。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の
薄膜コイル１１４を、３μｍの厚みに形成する。次に、
フォトレジスト層１１３およびコイル１１４の上に、フ
ォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。
次に、フォトレジスト層１１５上を平坦化するために、
例えば２００〜２５０°Ｃの温度で熱処理する。
【００１２】次に、図３６に示したように、コイル１１
２，１１４よりも後方（図３６（ａ）における右側）の
位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層１１
０を部分的にエッチングする。次に、記録ギャップ層１
１０、フォトレジスト層１１１，１１３，１１５の上
に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材
のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁
極層１１６を、約３μｍの厚みに形成する。この上部磁
極層１１６は、コイル１１２，１１４よりも後方の位置
において、下部磁極層１０９と接触し、磁気的に連結し
ている。
【００１３】次に、図３７に示したように、上部磁極層
１１６をマスクとして、イオンミリングによって、記録
ギャップ層１１０と下部磁極層１０９をエッチングす
る。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層１１７を、２０〜３０μｍの厚
みに形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成
して、薄膜磁気ヘッドが完成する。図３７に示したよう
に、上部磁極層１１６、記録ギャップ層１１０および下
部磁極層１０９の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。この
トリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生す
る磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止する
ことができる。
【００１４】図３８は、上述のようにして製造された薄
膜磁気ヘッドの平面図である。なお、図３８では、オー
バーコート層１１７を省略している。なお、図３１ない
し図３７における（ａ）は、図３８におけるＡ−Ａ′線
断面を表し、（ｂ）は、図３８におけるＢ−Ｂ′線断面
を表している。
【００１５】図３９は、上部磁極層１１６の形状の一例
を示したものである。この上部磁極層１１６は、エアベ
アリング面１２０側に配置される磁極部分１１６ａと、
コイル１１２，１１４に対向する位置に配置されるヨー
ク部分１１６ｂとを有している。この例では、磁極部分
１１６ａの幅が１．７〜２．０μｍ、ヨーク部分１１６
ｂの最大の幅が４０〜５０μｍになっている。ヨーク部
分１１６ｂにおける磁極部分１１６ａ側の一部は、磁極
部分１１６ａ側ほど細くなるテーパ状に形成されてい
る。このテーパ状の部分の外縁は、エアベアリング面１
２０と平行な面に対して例えば４５°をなしている。
【００１６】なお、以下の説明では、薄膜コイルを電気
的に分離する絶縁層のエアベアリング面側の端部の位置
をスロートハイトゼロ位置と呼び、符号ＴＨ０で表す。
図３９に示した例では、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０
から、磁極部分１１６ａとヨーク部分１１６ｂの境界ま
での距離は、３．０〜５．０μｍになっている。
【００１７】近年、高面密度記録を可能とするために、
記録トラック幅、すなわち磁極部分の幅（以下、磁極幅
と言う。）を小さくすることが要求されている。図４０
は、図３９に示したものに比べて、磁極幅を小さくした
場合の上部磁極層１１６の形状の一例を示したものであ
る。この例では、磁極部分１１６ａの幅が０．８〜１．
２μｍになっている。今後は、磁極部分１１６ａの幅
を、サブミクロンオーダの０．４μｍ程度とすることも
考えられる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】図３９に示したような
従来の上部磁極層１１６の形状の場合には、コイル１１
２，１１４から発生した磁束は、途中で飽和することな
く、磁極部分の先端まで到達していた。
【００１９】しかしながら、例えば図４０に示したよう
に、磁極幅を小さくした場合には、スロートハイトゼロ
位置ＴＨ０の近傍で磁束が飽和してしまい、磁束が磁極
部分の先端まで十分に到達することができなくなる現象
が発生する。その結果、オーバーライト特性、すなわ
ち、記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデー
タを重ね書きする場合の特性を示す値が、例えば１０〜
２０ｄＢ程度と低い値となり、十分なオーバーライト特
性を確保することができないという問題が生じる。
【００２０】なお、特開平８−２４９６１４号公報に
は、上部磁極層の形状を、スロートハイトゼロ位置から
上部磁極層の幅が大きく広がり始める位置までの間で幅
が徐々に広がるような形状とした技術が示されている。
しかしながら、この技術は、スロートハイトゼロ位置か
ら上部磁極層の幅が大きく広がり始める位置までの間
で、磁束が略同時に飽和するようにしたものであり、ス
ロートハイトゼロ位置の近傍における磁束の飽和を防止
することはできない。
【００２１】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、山
状に盛り上がったコイル部分であるエイペックス部の上
に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を、
例えばスパッタリングによって形成する。次に、その上
にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程に
よりパターニングして、めっきのためのフレーム（外
枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード
層として、めっき法によって上部磁極層を形成する。
【００２２】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２３】幅の小さい磁極部分を形成するためには、
フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフレー
ムパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜１０
μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、１．
０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形成し
なければならない。ところが、このような厚い膜厚のフ
ォトレジストパターンを狭パターン幅で形成することは
製造工程上極めて困難であった。
【００２４】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。その結
果、上部磁極層の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上
部磁極層を所望の形状に形成できなくなる。特に、上部
磁極層１１６を図４０に示したような形状に形成する場
合には、磁極部分１１６ａとヨーク部分１１６ｂの境界
近傍の領域には、下地電極膜で反射して戻ってくる反射
光には、垂直方向の反射光のみならず、エイペックス部
の斜面からの斜め方向または横方向からの反射光も含ま
れており、これらの反射光がフォトレジスト層の感光に
影響を与え、磁極幅を規定するフォトレジストパターン
幅が所望の値よりも大きくなりやすい。
【００２５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、磁極幅を小さくした場合にお
いても、十分なオーバーライト特性を得ることができる
ようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供す
ることにある。
【００２６】本発明の第２の目的は、上記第１の目的に
加え、磁極幅を小さくした場合においても、磁極幅の正
確な制御が可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層
と、この２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された
薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子
を備えた薄膜磁気ヘッドであって、２つの磁性層のうち
の少なくとも一方の磁性層が、一端部が記録媒体に対向
する媒体対向面側に配置される磁極部分と、この磁極部
分の他端部側に磁気的に連結されるヨーク部分とを含む
主要部層と、この主要部層に磁気的に連結され、磁極部
分とヨーク部分との連結部近傍における磁性層の厚みを
他の部分における磁性層の厚みに比べて厚くするための
補助層とを有するものである。
【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも１つの層からなる２つの磁性層と、この
２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイ
ルとを有する書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えた
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、２つの磁性層と薄
膜コイルを形成する各工程を含むと共に、２つの磁性層
のうちの少なくとも一方の磁性層を形成する工程が、一
端部が記録媒体に対向する媒体対向面側に配置される磁
極部分と、この磁極部分の他端部側に磁気的に連結され
るヨーク部分とを含む主要部層を形成する工程と、この
主要部層に磁気的に連結され、磁極部分とヨーク部分と
の連結部近傍における磁性層の厚みを他の部分における
磁性層の厚みに比べて厚くするための補助層を形成する
工程とを含むものである。
【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、補助層によって、磁極部分とヨーク部分との連
結部近傍における磁性層の厚みが他の部分における磁性
層の厚みに比べて厚くなる。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、ヨーク部分の幅を、磁極部分の
幅よりも大きくする。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、補助層の媒体対向面側の端部
を、絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置に配置す
る。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、主要部層の端縁を、媒体対向面側の端部
から絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置までの第
１の領域では、媒体対向面に対して垂直となり、第１の
領域に続く第２の領域では、第１の領域における端縁に
対して所定の角度をなして、幅方向外側へ広がるように
してもよい。所定の角度は、９０°〜１２０°の範囲内
が好ましい。
【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、主要部層の磁極部分とヨーク部分を、一
つの層によって形成してもよい。また、主要部層の磁極
部分とヨーク部分を、別個の層によって形成してもよ
い。この場合、磁極部分を形成する層、ヨーク部分を形
成する層および補助層を、それぞれの少なくとも一部が
重なるように配置するようにしてもよい。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、補助層を、２つの磁性層の間に配置して
もよい。この場合、補助層を、絶縁層と一方の磁性層と
の間に配置してもよい。
【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、主要部層が、更に、磁極部分とヨーク部
分の中間の幅を有し、磁極部分とヨーク部分との中間に
配置され、且つこれらに磁気的に連結された中間部分を
含むようにしてもよい。
【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、中間部分の媒体対向面側の端部
を、絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置に配置す
る。
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、磁極部分の端縁を、媒体対向面に対して
垂直となるようにし、中間部分において磁極部分に続く
部分の端縁を、磁極部分の端縁に対して所定の角度をな
して、幅方向外側へ広がるようにしてもよい。所定の角
度は、９０°〜１２０°の範囲内が好ましい。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、中間部分が、幅が一定の部分を有するよ
うにしてもよいし、媒体対向面側ほど幅が小さくなる部
分を有するようにしてもよい。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、中間部分と補助層を、それぞれの少なく
とも一部が重なるように配置してもよい。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、主要部層が、磁極部分と中間部分の一部
とを形成する第１の層と、ヨーク部分と中間部分の他の
部分とを形成する第２の層とを含むようにしてもよい。
この場合、第１の層、第２の層および補助層を、それぞ
れの少なくとも一部が重なるように配置してもよい。
【００４１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、補助層を、中間部分の少なくとも一部と
近似した形状をなすようにしてもよい。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［本発明の第１の実施の形態］まず、図１ないし図８を
参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。なお、図１ないし図７において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【００４３】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積
する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘ
ッド用の下部シールド層３を、２〜３μｍの厚みに形成
する。
【００４４】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウム
を５０〜１５０ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層と
しての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下
部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を
形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。
次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子５を形成すべき位置
に選択的にフォトレジストパターンを形成する。このと
き、リフトオフを容易に行うことができるような形状、
例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを形成
する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、
例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングし
て、ＭＲ素子５を形成する。なお、ＭＲ素子５は、ＧＭ
Ｒ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シ
ールドギャップ膜４の上に、同じフォトレジストパター
ンをマスクとして、ＭＲ素子５に電気的に接続される一
対の第１の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。第
１の電極層６は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，
Ｔａを積層して形成される。次に、フォトレジストパタ
ーンをリフトオフする。
【００４５】次に、図３に示したように、第１の電極層
６に電気的に接続される一対の第２の電極層７を、例え
ば１５０ｎｍの厚みで、所定のパターンに形成する。第
２の電極層７は、例えば、銅（Ｃｕ）によって形成され
る。第１の電極層６および第２の電極層７は、ＭＲ素子
５に電気的に接続されるリードを構成する。
【００４６】次に、図４に示したように、下部シールド
ギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁層としての
上部シールドギャップ膜８を、５０〜１５０ｎｍの厚み
に形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，８内に
埋設する。次に、上部シールドギャップ膜８の上に、磁
性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用い
られる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層
と記す。）９を、約３μｍの厚みに形成する。
【００４７】次に、図５に示したように、下部磁極層９
の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャッ
プ層１０を、０．２〜０．３μｍの厚みに形成し、この
記録ギャップ層１０の上に、絶縁層１１を、例えば１．
０〜２．０μｍの厚みに形成する。この絶縁層１１は、
フォトレジスト層でもよいし、アルミナ膜、シリコン酸
化膜、シリコン窒化膜等でもよい。次に、絶縁層１１の
上に、めっき法またはスパッタによって、磁性材料より
なる補助層２０を、例えば１．０〜２．０μｍの厚みに
形成する。この補助層２０は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重
量％，Ｆｅ：２０重量％）を用いて形成してもよいし、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）やチ
ッ化鉄（ＦｅＮ）を用いて形成してもよい。
【００４８】次に、図６に示したように、フォトレジス
ト膜をマスクとして、補助層２０を、イオンビームエッ
チング等によってエッチングして、絶縁層１１を所望の
形状とするためのパターンとする。次に、補助層２０を
マスクにして絶縁層１１をエッチングして、絶縁層１１
を所望の形状とする。次に、補助層２０を、フォトレジ
スト膜をマスクとしてエッチングして、所望の形状とす
る。次に、絶縁層１１よりも後方（図６（ａ）における
右側）の位置において、磁路形成のために、記録ギャッ
プ層１０を部分的にエッチングしてコンタクトホールを
形成する。
【００４９】次に、図７に示したように、絶縁層１１の
上に、誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１
２を、例えば３μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層１
１およびコイル１２の上に、フォトレジスト層１３を、
所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１
３の上を平坦化するために、例えば２００〜２５０°Ｃ
の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１３の上
に、第２層目の薄膜コイル１４を、例えば３μｍの厚み
に形成する。次に、フォトレジスト層１３およびコイル
１４の上に、フォトレジスト層１５を、所定のパターン
に形成する。次に、フォトレジスト層１５の上を平坦化
するために、例えば２００〜２５０°Ｃの温度で熱処理
する。
【００５０】次に、記録ギャップ層１０、補助層２０、
絶縁層１１、フォトレジスト層１３，１５の上に、記録
ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層１６を、例えば
約２〜３μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１６
は、コイル１２，１４よりも後方の位置において、コン
タクトホールを介して下部磁極層９と接触し、磁気的に
連結している。
【００５１】次に、上部磁極層１６をマスクとして、イ
オンミリングによって、記録ギャップ層１０と下部磁極
層９を、例えば０．３〜０．５μｍだけエッチングし
て、トリム構造とする。このトリム構造によれば、狭ト
ラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効
トラック幅の増加を防止することができる。次に、上部
磁極層１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコ
ート層１７を、３０〜４０μｍの厚みに形成する。最後
に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５２】図８は、上述のようにして製造された本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、
図８では、オーバーコート層１７を省略している。な
お、図１ないし図７における（ａ）は、図８におけるＣ
−Ｃ′線断面を表し、（ｂ）は、図８におけるＤ−Ｄ′
線断面を表している。
【００５３】なお、下部磁極層９や、上部磁極層１６
は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）
を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量
％，Ｆｅ：５０重量％）、センダスト、チッ化鉄（Ｆｅ
Ｎ）やその化合物、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等
の高飽和磁束密度材を用いて形成してもよいし、これら
の材料を２種類以上重ねて形成してもよい。
【００５４】本実施の形態では、スロートハイトは、絶
縁層１１のエアベアリング面側の端部によって決定され
る。
【００５５】また、本実施の形態では、上部磁極層１６
および補助層２０が本発明における一方の磁性層に対応
し、このうち、上部磁極層１６が本発明における主要部
層に対応し、補助層２０が本発明における補助層に対応
する。
【００５６】図１７は、本実施の形態における上部磁極
層１６と補助層２０の形状および位置関係の一例を示し
たものである。本実施の形態において、上部磁極層１６
は、一端部がエアベアリング面（媒体対向面）側に配置
される磁極部分１６Ａと、この磁極部分１６Ａの他端部
側に磁気的に連結されるヨーク部分１６Ｃと、磁極部分
１６Ａとヨーク部分１６Ｃの中間の幅を有し、磁極部分
１６Ａとヨーク部分１６Ｃとの中間に配置され、且つこ
れらに磁気的に連結された中間部分１６Ｂとを含んでい
る。ヨーク部分１６Ｃの幅は、磁極部分１６Ａの幅より
も大きくなっている。
【００５７】中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端
部は、スロートハイトを決定する絶縁層１１のエアベア
リング面側の端部の位置であるスロートハイトゼロ位置
ＴＨ０の近傍の位置に配置されている。なお、ここで言
うスロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍とは、スロート
ハイトゼロ位置ＴＨ０プラスマイナス０．５μｍの範囲
を言うものとする。
【００５８】また、補助層２０のエアベアリング面側の
端部も、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍の位置に
配置されている。なお、ここで言うスロートハイトゼロ
位置ＴＨ０の近傍とは、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０
プラスマイナス０．５μｍの範囲を言うものとする。
【００５９】中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端
部の位置と、補助層２０のエアベアリング面側の端部の
位置は、若干ずれていても構わない。この場合、中間部
分１６Ａの端部の位置の方がエアベアリング面に近くて
もよいし、補助層２０の端部の位置の方がエアベアリン
グ面に近くてもよい。また、ずれ量は、０．５μｍ以下
であることが好ましい。
【００６０】上部磁極層１６の端縁は、エアベアリング
面側の端部からスロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍の
位置までの第１の領域５１、すなわち磁極部分１６Ａで
は、エアベアリング面に対して垂直である。また、上部
磁極層１６の端縁は、第１の領域５１に続く第２の領域
５２、すなわち中間部分１６Ｂにおいて磁極部分１６Ａ
に続く部分では、第１の領域５１、すなわち磁極部分１
６Ａの幅方向の端縁に対して所定の角度をなして、幅方
向外側へ広がっている。所定の角度は、９０°〜１２０
°の範囲内であることが好ましく、特に、図１７に示し
たように９０°であることが好ましい。
【００６１】また、中間部分１６Ｂは、エアベアリング
面側ほど幅が小さくなるテーパ部分５３を有している。
このテーパ部分５３の端縁が、エアベアリング面に平行
な面となす角度は、６０°〜８０°が好ましい。また、
中間部分１６Ｂの長さは、例えば３〜５μｍである。
【００６２】中間部分１６Ｂと補助層２０は、それぞれ
の少なくとも一部が重なるように配置されている。特
に、図１７に示した例では、補助層２０の略全体が、中
間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端部よりヨーク部
分１６Ｃ側の所定の位置までの部分と重なるように配置
されている。また、補助層２０は、中間部分１６Ａにお
いて補助層２０と重なる部分と近似した形状、すなわち
台形形状をなしている。なお、補助層２０の幅は、中間
部分１６Ａにおいて補助層２０と重なる部分の幅よりも
大きくなっている。
【００６３】本実施の形態では、補助層２０によって、
磁極部分１６Ａとヨーク部分１６Ｃとの連結部近傍、す
なわち中間部分１６Ｂの近傍における磁性層の厚みが他
の部分における磁性層の厚みに比べて厚くなる。そのた
め、本実施の形態によれば、補助層２０を設けない場合
に比べて、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍におけ
る磁性層の体積を大きくすることができ、スロートハイ
トゼロ位置ＴＨ０の近傍における磁束の飽和を防止する
ことが可能となる。
【００６４】また、本実施の形態では、磁極部分１６Ａ
とヨーク部分１６Ｃとの中間に、磁極部分１６Ａとヨー
ク部分１６Ｃの中間の幅を有する中間部分１６Ｂを設け
ている。そのため、本実施の形態によれば、中間部分１
６Ｂを設けない場合に比べて、スロートハイトゼロ位置
ＴＨ０の近傍における磁性層の体積を大きくすることが
でき、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍における磁
束の飽和を防止することが可能となる。
【００６５】このように、本実施の形態によれば、補助
層２０や中間部分１６Ｂを設けたことにより、例えばハ
ーフミクロンオーダやクォータミクロンオーダまで、磁
極幅を小さくした場合においても、十分なオーバーライ
ト特性を得ることが可能となる。また、特に、少なくと
も磁極部分１６Ａを高飽和磁束密度材を用いて形成する
ことにより、磁束が途中で飽和することなく、有効に磁
極部分１６Ａに到達することになり、効率的な記録ヘッ
ドを実現することができる。
【００６６】また、本実施の形態では、上部磁極層１６
の中間部分１６Ｂにおいて、磁極部分１６Ａに続く部分
が、磁極部分１６Ａの幅方向の端縁に対して所定の角度
をなして、幅方向外側へ広がっている。これにより、本
実施の形態によれば、磁極幅を小さくした場合において
も、磁極幅の正確な制御が可能となる。その理由を、以
下で説明する。
【００６７】上部磁極層１６を形成する際には、フォト
リソグラフィ工程によって、マスクを用いてフォトレジ
ストを選択的に露光してパターニングする。その場合、
従来は、エイペックス部からの斜め方向および横方向の
反射光が問題となっていた。本実施の形態では、スロー
トハイトゼロＴＨ０位置の近傍において、端縁が幅方向
外側に広がるように、上部磁極層１６を形成する。その
ため、エイペックス部からの斜め方向および横方向の反
射光の大部分は、幅方向外側に広がる端縁の位置から、
磁極部分１６Ａを形成するための領域へ到達しなくな
り、エイペックス部からの斜め方向および横方向の反射
光が磁極部分１６Ａを形成するための領域に与える影響
を低減できる。その結果、磁極部分１６Ａを形成するた
めの領域におけるフォトレジストパターンの幅が広がる
のを抑制することができる。なお、磁極部分１６Ａに続
く部分が、磁極部分１６Ａの幅方向の端縁に対してなす
所定の角度は、９０°〜１２０°の範囲内であることが
好ましく、特に、図１７に示したように９０°であるこ
とが好ましい。
【００６８】このようにして、本実施の形態によれば、
磁極幅を小さくした場合においても、一定の幅を有する
磁極部分１６Ａを形成でき、その結果、エアベアリング
面の研磨加工の際の研磨量によって記録トラック幅が変
化することなく、正確に記録トラック幅を制御すること
が可能となる。また、これにより、薄膜磁気ヘッドの歩
留りを向上させることができる。
【００６９】また、本実施の形態によれば、スロートハ
イトゼロ位置ＴＨ０を決める絶縁層１１を、補助層２０
を用いてパターニングするようにしたので、絶縁層１１
と補助層２０のそれぞれのエアベアリング面側の端部の
位置を、自己整合的に合わせることができる。そのた
め、補助層２０のエアベアリング面側の端部の位置を、
正確にスロートハイトゼロ位置ＴＨ０に合わせることが
可能となり、確実に、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の
近傍における磁性層の体積を大きくすることができる。
【００７０】また、本実施の形態によれば、中間部分１
６Ｂと補助層２０を、それぞれ別個の工程で形成すると
共に、それぞれの少なくとも一部が重なるように配置し
たので、上部磁極層１６と補助層２０とを合わせた磁性
層全体の形状を、正確に所望の形状とすることが容易に
なる。以下、その理由を説明する。まず、補助層２０
は、上部磁極層１６に比べて正確に形成することができ
るので、中間部分１６Ｂと補助層２０が重なる部分の形
状は、補助層２０によって正確に形成することができ
る。そのため、上部磁極層１６を形成する際には、中間
部分１６Ｂの形状よりも、磁極部分１６Ａの形状を正確
に形成することに注意を向ければよいので、磁極部分１
６Ａの形状をより正確に形成することが可能となる。こ
れにより、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍におけ
る磁束の飽和を防止してオーバーライト特性を向上でき
る形状の磁性層を正確に形成することが可能となると共
に、正確で再現性よく、記録トラック幅を制御すること
が可能となる。
【００７１】なお、主要部層（上部磁極層１６）と補助
層２０の形状および位置関係には、図１７に示した例の
他にも、種々の態様が可能であるが、これについては後
で説明する。
【００７２】［本発明の第２の実施の形態］次に、図９
ないし図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態に
ついて説明する。なお、図９ないし図１２において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【００７３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、絶縁層１１の形成までの工程は、第１の実施
の形態と同様である。本実施の形態では、その後、図９
に示したように、フォトレジスト膜をマスクとして、例
えばめっき法によって、絶縁層１１の上に選択的に、磁
性材料よりなる補助層２０，２１を、例えば１．０〜
２．０μｍの厚みに形成する。補助層２０は、薄膜コイ
ルが形成される領域のエアベアリング面側の端部の位置
を規定し、補助層２１は、薄膜コイルが形成される領域
のエアベアリング面とは反対側の端部の位置を規定す
る。
【００７４】次に、図１０に示したように、補助層２
０，２１をマスクにして絶縁層１１をエッチングして、
絶縁層１１を所望の形状とする。次に、補助層２１より
も後方（図１０（ａ）における右側）の位置において、
磁路形成のために、記録ギャップ層１０を部分的にエッ
チングしてコンタクトホールを形成する。
【００７５】次に、エアベアリング面から補助層２０の
上にかけて、記録ヘッド用の磁性材料からなるポールチ
ップ２２を、例えば約１〜３μｍの厚みに形成する。こ
のとき同時に、ポールチップ２２と同じ材料を用いて、
補助層２１の上から上記コンタクトホールにかけて、磁
路形成のための磁性層２３を、例えば約１〜３μｍの厚
みに形成する。ポールチップ２２は、上部磁極層の一部
を構成する。
【００７６】次に、図１１に示したように、ポールチッ
プ２２をマスクとして、イオンミリングによって、記録
ギャップ層１０と下部磁極層９の一部をエッチングし
て、トリム構造とする。次に、ポールチップ２２と磁性
層２３との間の、薄膜コイルを形成すべき領域に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層２４を、例えば０．５〜１．
０μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層２４の上に、例
えばめっき法によって、第１層目の薄膜コイル２５を形
成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
２６を、例えば４〜６μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層２６を、ポールチップ２２および磁性層２３の
表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法
としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）
が用いられる。この平坦化により、ポールチップ２２お
よび磁性層２３の表面が露出する。
【００７７】次に、図１２に示したように、ポールチッ
プ２２と磁性層２３との間の、薄膜コイルを形成すべき
領域における絶縁層２６の上に、例えばめっき法によっ
て、第２層目の薄膜コイル２７を形成する。次に、絶縁
層２６およびコイル２７の上に、フォトレジスト層２８
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層２８の上を平坦化するために、例えば２００〜２５０
°Ｃの温度で熱処理する。次に、ポールチップ２２のう
ち、補助層２０の上に位置する部分の上から、フォトレ
ジスト層２８の上を経て、磁性層２３の上まで、磁性材
料からなる上部ヨーク２９を、例えば２〜３μｍの厚み
に形成する。次に、上部ヨーク２９の上に、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層３０を形成する。最後
に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７８】本実施の形態では、ポールチップ２２、磁
性層２３および上部ヨーク２９が、本発明における一方
の磁性層の主要部層を構成する。また、補助層２０が、
本発明における補助層に対応する。補助層２０、ポール
チップ２２および上部ヨーク２９は、それぞれの少なく
とも一部が重なるように配置されている。
【００７９】本実施の形態によれば、ポールチップ２２
を、エイペックス部のない、略平坦な面の上に形成する
ことができるので、ハーフミクロンオーダやクォータミ
クロンオーダまで微細に形成することが可能となる。
【００８０】また、本実施の形態によれば、ポールチッ
プ２２の上面と第１層目の薄膜コイル２５を絶縁するた
めの絶縁層２６の上面とが平坦化されて、同一平面上に
配置されるので、ポールチップ２２の上に、高低差の小
さい上部ヨーク２９を形成でき、上部ヨーク２９も、ハ
ーフミクロンオーダやクォータミクロンオーダまで微細
に形成することが可能となる。
【００８１】また、本実施の形態によれば、コイル２５
と下部磁極層９との間に、薄い記録ギャップ層１０の他
に、厚い絶縁層２４を形成したので、コイル２５と下部
磁極層９との間の絶縁耐圧を高めることができると共
に、コイル２５からの磁束の漏れを低減することができ
る。
【００８２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８３】［本発明の第３の実施の形態］次に、図１
３を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明
する。なお、図１３は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドのエアベアリング面に垂直な断面を示している。
【００８４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける補助層
２１およびその下の絶縁層１１と、絶縁層２４とを設け
ていない。また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドで
は、薄膜コイルを形成すべき領域における下部磁極層９
の上面に、例えば深さ１μｍの凹部が形成され、この凹
部内に例えばアルミナからなる絶縁層３１が形成されて
いる。
【００８５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、下部磁極層９を形成した後、下部磁極層９の
上面に凹部を形成する。その後、凹部内に絶縁層３１を
形成する。この場合、下部磁極層９の上の全面に絶縁層
３１を形成した後、下部磁極層９が露出するまで、上面
を平坦化するようにしてもよい。
【００８６】本実施の形態によれば、磁極部分を除き、
下部磁極層９とポールチップ２２との間に、厚い絶縁層
３１，１１が介在するので、下部磁極層９とポールチッ
プ２２間における不要な磁束の漏れを防止することがで
きる。また、厚い絶縁層３１によって、コイル２５と下
部磁極層９との絶縁耐圧を高めることができる。
【００８７】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００８８】［本発明の第４の実施の形態］次に、図１
４ないし図１６を参照して、本発明の第４の実施の形態
について説明する。なお、図１４ないし図１６におい
て、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、
（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
している。
【００８９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、記録ギャップ層１０の形成までの工程は、第
１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、その
後、図１４に示したように、記録ギャップ層１０の上
に、例えば１．０〜２．０μｍの厚みの所定のパターン
のフォトレジスト層を形成することによって、スロート
ハイトを決定する絶縁層４１を形成する。次に、絶縁層
４１の上におけるエアベアリング面側の端部の近傍の位
置に、フォトリソグラフィによって選択的に、磁性材料
よりなる補助層２０を、例えば１．０〜３．０μｍの厚
みに形成する。次に、絶縁層４１よりも後方（図１４
（ａ）における右側）の位置において、磁路形成のため
に、記録ギャップ層１０を部分的にエッチングしてコン
タクトホールを形成する。
【００９０】次に、図１５に示したように、絶縁層４１
の上に、薄膜コイル４３を形成する。次に、絶縁層４１
および薄膜コイル４３の上に、フォトレジスト層４４
を、所定のパターンに形成する。
【００９１】次に、図１６に示したように、記録ギャッ
プ層１０、補助層２０、フォトレジスト層４４の上に、
記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層１６を、例
えば約２〜３μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１
６は、コイル４３よりも後方の位置において、コンタク
トホールを介して下部磁極層９と接触し、磁気的に連結
している。
【００９２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９３】［各実施の形態における主要部層と補助層
の形状と位置関係］次に、図１７ないし図３０を参照し
て、上記各実施の形態における主要部層と補助層の形状
および位置関係の種々の態様について説明する。
【００９４】図１７ないし図２５は、第１の実施の形態
または第４の実施の形態のように、主要部層が、１つの
層、すなわち上部磁極層１６で形成されている場合の種
々の態様を示している。なお、図１７に関しては、第１
の実施の形態において説明した通りである。
【００９５】図１８に示した態様は、図１７に示した態
様の特殊な例である。すなわち、この態様では、上部磁
極層１６の中間部分１６Ｂの長さが３μｍになってお
り、この中間部分１６Ｂと補助層２０とがほとんど重な
っている。また、補助層２０は、中間部分１６Ｂと近似
した形状をなしている。図１８に示した態様におけるそ
の他の部分は、図１７に示した態様と同様である。
【００９６】図１９に示した態様は、図１８に示した態
様の変形例である。すなわち、この態様では、上部磁極
層１６の中間部分１６Ｂが矩形をなしている。また、中
間部分１６Ｂの長さは３〜５μｍである。補助層２０
は、中間部分１６Ｂと近似した形状の矩形をなし、中間
部分１６Ｂとほとんど重なっている。図１９に示した態
様におけるその他の部分は、図１８に示した態様と同様
である。
【００９７】図２０に示した態様は、図１７に示した態
様の変形例である。すなわち、この態様では、上部磁極
層１６の中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁の
位置が、補助層２０のエアベアリング面側の端縁の位置
よりも、エアベアリング面から遠い方にずれている。ま
た、中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁が、エ
アベアリング面に平行な面となす角度は、３０°〜４５
°になっている。補助層２０は、図１７に示した態様と
同様に台形形状をなしている。補助層２０のエアベアリ
ング面側の端縁における一方の端部と磁極部分１６Ａと
の間の距離は、０．５〜３μｍになっている。なお、補
助層２０の幅は、中間部分１６Ａにおいて補助層２０と
重なる部分の幅よりも小さくなっている。図２０に示し
た態様におけるその他の部分は、図１７に示した態様と
同様である。
【００９８】図２１に示した態様は、図１８に示した態
様の変形例である。すなわち、この態様では、上部磁極
層１６の中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁の
位置が、補助層２０のエアベアリング面側の端縁の位置
よりも、エアベアリング面から遠い方にずれている。ま
た、中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁が、磁
極部分１６Ａの幅方向の端縁となす角度は、８０°〜９
０°になっている。なお、補助層２０の幅は、中間部分
１６Ａにおいて補助層２０と重なる部分の幅よりも小さ
くなっている。図２１に示した態様におけるその他の部
分は、図１８に示した態様と同様である。
【００９９】図２２に示した態様は、図１９に示した態
様の変形例である。すなわち、この態様では、上部磁極
層１６の中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁の
位置が、補助層２０のエアベアリング面側の端縁の位置
よりも、エアベアリング面から遠い方にずれている。ま
た、中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁が、エ
アベアリング面に平行な面となす角度は、１０°〜３０
°になっている。なお、補助層２０の幅は、中間部分１
６Ａにおいて補助層２０と重なる部分の幅よりも小さく
なっている。図２２に示した態様におけるその他の部分
は、図１９に示した態様と同様である。
【０１００】図２３に示した態様では、上部磁極層１６
は、図１８に示した態様と近似した形状をなしている。
中間部分１６Ｂのテーパ部分の端縁が、エアベアリング
面に平行な面となす角度は、６０°〜８０°になってい
る。一方、補助層２０は、矩形をなしている。補助層２
０の長さは、２〜５μｍになっている。上部磁極層１６
の中間部分１６Ｂのエアベアリング面側の端縁の位置
は、補助層２０のエアベアリング面側の端縁の位置より
も、０．５〜２μｍだけ、エアベアリング面から遠い方
にずれている。補助層２０の幅方向の一方の端部と磁極
部分１６Ａとの間の距離は、０．５〜３μｍになってい
る。
【０１０１】図２４に示した態様では、上部磁極層１６
は、中間部分を有せず、磁極部分１６Ａとヨーク部分１
６Ｃのみを有している。ヨーク部分１６Ｃのエアベアリ
ング面側の端縁が、エアベアリング面に平行な面となす
角度は、３０°〜６０°になっている。磁極部分１６Ａ
の幅は、０．２〜０．８μｍになっている。一方、補助
層２０は、矩形をなしている。補助層２０のエアベアリ
ング面側の端縁が、磁極部分１６Ａの幅方向の端縁とな
す角度は、９０°になっている。補助層２０のエアベア
リング面側の端縁は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の
近傍（プラスマイナス０．５μｍの範囲内）の位置に配
置されている。上部磁極層１６の磁極部分１６Ａとヨー
ク部分１６Ｃの境界の位置は、スロートハイトゼロ位置
ＴＨ０の近傍の位置よりも、０．５〜２μｍだけ、エア
ベアリング面から遠い方にずれている。補助層２０の幅
方向の一方の端部と磁極部分１６Ａとの間の距離は、
０．５〜３μｍになっている。
【０１０２】図２５に示した態様は、図１９に示した態
様の変形例である。上部磁極層１６は、図１９に示した
態様と近似した形状をなしている。中間部分１６Ｂの長
さは、２〜５μｍになっている。中間部分１６Ｂのエア
ベアリング面側の端縁が、磁極部分１６Ａの幅方向の端
縁となす角度は、９０°になっている。ヨーク部分１６
Ｃのエアベアリング面側の端縁が、エアベアリング面に
平行な面となす角度は、４５°になっている。一方、補
助層２０は、矩形をなしている。補助層２０は、中間部
分１６Ｂよりも大きく、中間部分１６Ｂの全体が補助層
２０と重なるように配置されている。補助層２０の幅方
向の一方の端部と磁極部分１６Ａとの間の距離は、０．
５〜３μｍになっている。
【０１０３】図２６および図２７は、第２の実施の形態
または第３の実施の形態のように、主要部層が、２つの
層、すなわちポールチップ２２と上部ヨーク２９で形成
されている場合の２つの態様を示している。
【０１０４】図２６に示した態様では、ポールチップ２
２と上部ヨーク２９からなる主要部層は、磁極部分６０
Ａと、中間部分６０Ｂと、ヨーク部分６０Ｃとを有して
いる。主要部層の全体の形状は、図１７に示した上部磁
極層１６と近似した形状になっている。上部ヨーク２９
は、主要部層の全体における中間部分６０Ｂを形成する
中間部分２９Ｂと、主要部層の全体におけるヨーク部分
６０Ｃを形成するヨーク部分２９Ｃとを有している。ポ
ールチップ２２は、主要部層の全体における磁極部分６
０Ａを形成する磁極部分２２Ａと、主要部層の全体にお
ける中間部分６０Ｂの一部を形成する中間部分２２Ｂと
を有している。ポールチップ２２の中間部分２２Ｂは、
上部ヨーク２９の中間部分２９Ｂよりも小さく、全体が
中間部分２９Ｂと重なるように配置されている。
【０１０５】磁極部分２２Ａの幅は、０．４〜０．８μ
ｍになっている。中間部分２２Ｂ，２９Ｂのエアベアリ
ング面側の端縁が、磁極部分２２Ａの幅方向の端縁とな
す角度は、約９０°になっている。中間部分２９Ｂのテ
ーパ部分の端縁が、エアベアリング面に平行な面となす
角度は、４５°〜６５°になっている。ヨーク部分２９
Ｃのエアベアリング面側の端縁が、エアベアリング面に
平行な面となす角度は、２０〜４５°になっている。
【０１０６】補助層２０のエアベアリング面側の端縁の
幅は、２〜５μｍになっている。補助層２０のエアベア
リング面側の端縁は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の
近傍（プラスマイナス０．５μｍの範囲内）の位置に配
置されている。
【０１０７】中間部分２２Ｂのエアベアリング面側とは
反対側の端縁の位置は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０
の近傍の位置よりも、１〜５μｍだけ、エアベアリング
面から遠い方にずれている。中間部分２９Ｂとヨーク部
分２９Ｃの境界の位置は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ
０の近傍の位置よりも、３〜５μｍだけ、エアベアリン
グ面から遠い方にずれている。補助層２０は、中間部分
２２Ｂと近似した形状をなしている。
【０１０８】図２７に示した態様では、ポールチップ２
２と上部ヨーク２９からなる主要部層は、磁極部分６０
Ａと、中間部分６０Ｂと、ヨーク部分６０Ｃとを有して
いる。主要部層の全体の形状は、図１９に示した上部磁
極層１６と近似した形状になっている。上部ヨーク２９
は、主要部層の全体における中間部分６０Ｂを形成する
中間部分２９Ｂと、主要部層の全体におけるヨーク部分
６０Ｃを形成するヨーク部分２９Ｃとを有している。ポ
ールチップ２２は、主要部層の全体における磁極部分６
０Ａを形成する磁極部分２２Ａと、主要部層の全体にお
ける中間部分６０Ｂの一部を形成する中間部分２２Ｂと
を有している。ポールチップ２２の中間部分２２Ｂは、
上部ヨーク２９の中間部分２９Ｂよりも小さく、全体が
中間部分２９Ｂと重なるように配置されている。
【０１０９】磁極部分２２Ａの幅は、０．４〜１．２μ
ｍになっている。中間部分２２Ｂ，２９Ｂのエアベアリ
ング面側の端縁が、磁極部分２２Ａの幅方向の端縁とな
す角度は、約９０°になっている。中間部分２９Ｂの幅
方向の端縁が、エアベアリング面に平行な面となす角度
は、約９０°になっている。ヨーク部分２９Ｃのエアベ
アリング面側の端縁が、エアベアリング面に平行な面と
なす角度は、４５°になっている。
【０１１０】補助層２０のエアベアリング面側の端縁の
幅は、２〜５μｍになっている。補助層２０のエアベア
リング面側の端縁は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の
近傍（プラスマイナス０．５μｍの範囲内）の位置に配
置されている。
【０１１１】中間部分２２Ｂおよび補助層２０のエアベ
アリング面側とは反対側の端縁の位置は、スロートハイ
トゼロ位置ＴＨ０の近傍の位置よりも、１〜５μｍだ
け、エアベアリング面から遠い方にずれている。中間部
分２９Ｂとヨーク部分２９Ｃの境界の位置は、スロート
ハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍の位置よりも、３〜５μｍ
だけ、エアベアリング面から遠い方にずれている。補助
層２０は、中間部分２２Ｂと近似した形状をなしてい
る。
【０１１２】図２８ないし図３０は、第２の実施の形態
または第３の実施の形態のように、主要部層が、２つの
層、すなわちポールチップ２２と上部ヨーク２９で形成
されている場合におけるポールチップ２２と補助層２０
との関係の３つの態様を示している。
【０１１３】図２８に示した態様では、中間部分２２Ｂ
は、矩形をなしている。補助層２０は、中間部分２２Ｂ
と近似した形状をなし、中間部分２２Ｂよりも大きく形
成されている。中間部分２２Ｂは、全体が補助層２０と
重なるように配置されている。補助層２０のエアベアリ
ング面側の端縁が、磁極部分２２Ａの幅方向の端縁とな
す角度は、９０°〜１２０°になっている。補助層２０
の幅方向の端縁が、エアベアリング面に平行な面となす
角度は、９０°になっている。補助層２０のエアベアリ
ング面側の端縁は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近
傍（プラスマイナス０．５μｍの範囲内）の位置に配置
されている。
【０１１４】図２９に示した態様では、中間部分２２Ｂ
は、エアベアリング面側ほど幅が小さくなるテーパ部分
を有している。このテーパ部分の端縁が、エアベアリン
グ面に平行な面となす角度は、３０°〜６０°になって
いる。補助層２０は、中間部分２２Ｂと近似した形状を
なし、中間部分２２Ｂよりも大きく形成されている。中
間部分２２Ｂは、全体が補助層２０と重なるように配置
されている。補助層２０のエアベアリング面側の端縁
は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍（プラスマイ
ナス０．５μｍの範囲内）の位置に配置されている。
【０１１５】図３０に示した態様では、中間部分２２Ｂ
は、エアベアリング面側ほど幅が小さくなるテーパ部分
を有し、且つエアベアリング面側の端縁は、磁極部分２
２Ａの幅方向の端縁に対して約９０°をなしている。中
間部分２２Ｂのテーパ部分の端縁が、エアベアリング面
に平行な面となす角度は、６０°〜８０°になってい
る。補助層２０は、中間部分２２Ｂと近似した形状をな
し、中間部分２２Ｂよりも大きく形成されている。中間
部分２２Ｂは、全体が補助層２０と重なるように配置さ
れている。補助層２０のエアベアリング面側の端縁は、
スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍（プラスマイナス
０．５μｍの範囲内）の位置に配置されている。
【０１１６】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施
の形態では、補助層の上に、主要部層を構成する上部磁
極層またはポールチップを形成するようにしたが、主要
部層の上に補助層を形成するようにしてもよい。
【０１１７】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【０１１８】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【０１１９】なお、このような構造の薄膜磁気ヘッドで
は、凹部を形成した基体を用いることが好ましい。そし
て、基体の凹部に、コイル部を形成することによって、
薄膜磁気ヘッド自体の大きさをさらに縮小化することが
できる。
【０１２０】更に、異なる形態としては、誘導型磁気変
換素子のコイル部を構成する各薄膜コイル間に形成され
る絶縁層を、全て無機絶縁層としてもよい。
【０１２１】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備え、この誘導型磁気変換素子によって読み取りと書
き込みを行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。
【０１２２】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１９
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項２０な
いし３８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、磁極部分とヨーク部分とを含む主要部層と、
この主要部層に磁気的に連結され、磁極部分とヨーク部
分との連結部近傍における磁性層の厚みを他の部分にお
ける磁性層の厚みに比べて厚くするための補助層とを設
けたので、磁極幅を小さくした場合においても、十分な
オーバーライト特性を得ることが可能となるという効果
を奏する。
【０１２３】また、請求項３または４記載の薄膜磁気ヘ
ッドもしくは請求項２２または２３記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、主要部層の端縁が、媒体対向面
側の端部から絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置
までの第１の領域では、媒体対向面に対して垂直とな
り、第１の領域に続く第２の領域では、第１の領域にお
ける端縁に対して所定の角度をなして、幅方向外側へ広
がるようにしたので、更に、磁極幅を小さくした場合に
おいても、磁極幅の正確な制御が可能となるという効果
を奏する。
【０１２４】特に、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、所定の角度を９０°〜１２０°の範囲内としたの
で、より磁極幅の正確な制御が可能となるという効果を
奏する。
【０１２５】また、請求項１０ないし１９のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項２９ないし３８のい
ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、主
要部層が、更に、磁極部分とヨーク部分の中間の幅を有
し、磁極部分とヨーク部分との中間に配置され、且つこ
れらに磁気的に連結された中間部分を含むようにしたの
で、更に、よりオーバーライト特性を向上させることが
可能となるという効果を奏する。
【０１２６】また、請求項１２または１３記載の薄膜磁
気ヘッドもしくは請求項３１または３２記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、磁極部分の端縁が、媒体対
向面に対して垂直となり、中間部分において磁極部分に
続く部分の端縁が、磁極部分の端縁に対して所定の角度
をなして、幅方向外側へ広がるようにしたので、更に、
磁極幅を小さくした場合においても、磁極幅の正確な制
御が可能となるという効果を奏する。
【０１２７】特に、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項３２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、所定の角度を、９０°〜１２０°の範囲内としたの
で、より磁極幅の正確な制御が可能となるという効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドを示す断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１７】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図１８】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図１９】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２０】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２１】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２２】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２３】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２４】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２５】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２６】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２７】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２８】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図２９】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図３０】本発明における主要部層と補助層の形状およ
び位置関係の態様を示す説明図である。
【図３１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３６】図３５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３７】図３６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図３８】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図３９】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の
形状の一例を示す平面図である。
【図４０】磁極幅を小さく場合における薄膜磁気ヘッド
の上部磁極層の形状の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、９…下部磁極層、１０…記録ギャップ層、１１…
絶縁層、１２，１４…薄膜コイル、１６…上部磁極層、
１７…オーバーコート層、２０…補助層。

Claims (38)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
    する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極
    部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２つ
    の磁性層と、この２つの磁性層の間に絶縁層を介して配
    設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁気
    変換素子と、 記録媒体に対向する媒体対向面と を備えた薄膜磁気ヘッ
    ドであって、前記絶縁層の媒体対向面側の端部はスロートハイトを決
    定し、 前記２つの磁性層のうちの少なくとも一方の磁性層は、 一端部が媒体対向面側に配置される磁極部分と、この磁
    極部分の他端部側に磁気的に連結されるヨーク部分とを
    含む主要部層と、 この主要部層に磁気的に連結され、前記磁極部分と前記
    ヨーク部分との連結部近傍における磁性層の厚みを他の
    部分における磁性層の厚みに比べて厚くするための補助
    層とを有し、 前記補助層の媒体対向面側の端部は、前記絶縁層の媒体
    対向面側の端部の近傍の位置に配置されている ことを特
    徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記ヨーク部分の幅は、前記磁極部分の
    幅よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記主要部層の端縁は、媒体対向面側の
    端部から前記絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置
    までの第１の領域では、媒体対向面に対して垂直であ
    り、前記第１の領域に続く第２の領域では、前記第１の
    領域における端縁に対して所定の角度をなして、幅方向
    外側へ広がっていることを特徴とする請求項１または２
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記所定の角度は、９０°〜１２０°の
    範囲内であることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記主要部層の磁極部分とヨーク部分
    は、一つの層からなることを特徴とする請求項１ないし
    ４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記主要部層の磁極部分とヨーク部分
    は、別個の層からなることを特徴とする請求項１ないし
    ４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記磁極部分を形成する層、前記ヨーク
    部分を形成する層および前記補助層は、それぞれの少な
    くとも一部が重なるように配置されていることを特徴と
    する請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記補助層は、前記２つの磁性層の間に
    配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のい
    ずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記補助層は、前記絶縁層と前記一方の
    磁性層との間に配置されていることを特徴とする請求項
    ８記載の薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記主要部層は、更に、前記磁極部分
    と前記ヨーク部分の中間の幅を有し、前記磁極部分と前
    記ヨーク部分との中間に配置され、且つこれらに磁気的
    に連結された中間部分を含むことを特徴とする請求項１
    ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記中間部分の媒体対向面側の端部
    は、前記絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置に配
    置されていることを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記磁極部分の端縁は、媒体対向面に
    対して垂直であり、前記中間部分において前記磁極部分
    に続く部分の端縁は、前記磁極部分の端縁に対して所定
    の角度をなして、幅方向外側へ広がっていることを特徴
    とする請求項１０または１１記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記所定の角度は、９０°〜１２０°
    の範囲内であることを特徴とする請求項１２記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 前記中間部分は、幅が一定の部分を有
    することを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】 前記中間部分は、媒体対向面側ほど幅
    が小さくなる部分を有することを特徴とする請求項１０
    ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 前記中間部分と前記補助層は、それぞ
    れの少なくとも一部が重なるように配置されていること
    を特徴とする請求項１０ないし１５のいずれかに記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 前記主要部層は、前記磁極部分と前記
    中間部分の一部とを形成する第１の層と、前記ヨーク部
    分と前記中間部分の他の部分とを形成する第２の層とを
    含むことを特徴とする請求項１０ないし１６のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】 前記第１の層、前記第２の層および前
    記補助層は、それぞれの少なくとも一部が重なるように
    配置されていることを特徴とする請求項１７記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  19. 【請求項１９】 前記補助層は、前記中間部分の少なく
    とも一部と近似した形状をなすことを特徴とする請求項
    １０ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  20. 【請求項２０】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対
    向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁
    極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる２
    つの磁性層と、この２つの磁性層の間に絶縁層を介して
    配設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導型磁
    気変換素子と、 記録媒体に対向する媒体対向面とを備え、 前記絶縁層の媒体対向面側の端部がスロートハイトを決
    定する 薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記２つの磁性層と前記薄膜コイルを形成する各工程を
    含むと共に、 前記２つの磁性層のうちの少なくとも一方の磁性層を形
    成する工程は、 一端部が媒体対向面側に配置される磁極部分と、この磁
    極部分の他端部側に磁気的に連結されるヨーク部分とを
    含む主要部層を形成する工程と、 この主要部層に磁気的に連結され、前記磁極部分と前記
    ヨーク部分との連結部近傍における磁性層の厚みを他の
    部分における磁性層の厚みに比べて厚くするための補助
    層を形成する工程とを含み、 前記補助層の媒体対向面側の端部を、前記絶縁層の媒体
    対向面側の端部の近傍の位置に配置する ことを特徴とす
    る薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記ヨーク部分の幅を、前記磁極部分
    の幅よりも大きくすることを特徴とする請求項２０記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記主要部層の端縁を、媒体対向面側
    の端部から前記絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位
    置までの第１の領域では、媒体対向面に対して垂直とな
    り、前記第１の領域に続く第２の領域では、前記第１の
    領域における端縁に対して所定の角度をなして、幅方向
    外側へ広がるように形成することを特徴とする請求項２
    ０または２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記所定の角度を、９０°〜１２０°
    の範囲内とすることを特徴とする請求項２２記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記主要部層の磁極部分とヨーク部分
    を、一つの層によって形成することを特徴とする請求項
    ２０ないし２３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  25. 【請求項２５】 前記主要部層の磁極部分とヨーク部分
    を、別個の層によって形成することを特徴とする請求項
    ２０ないし２３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  26. 【請求項２６】 前記磁極部分を形成する層、前記ヨー
    ク部分を形成する層および前記補助層を、それぞれの少
    なくとも一部が重なるように配置することを特徴とする
    請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記補助層を、前記２つの磁性層の間
    に配置することを特徴とする請求項２０ないし２６のい
    ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記補助層を、前記絶縁層と前記一方
    の磁性層との間に配置することを特徴とする請求項２７
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記主要部層を、更に、前記磁極部分
    と前記ヨーク部分の中間の幅を有し、前記磁極部分と前
    記ヨーク部分との中間に配置され、且つこれらに磁気的
    に連結された中間部分を含むように形成することを特徴
    とする請求項２０ないし２８のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記中間部分の媒体対向面側の端部
    を、前記絶縁層の媒体対向面側の端部の近傍の位置に配
    置することを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記磁極部分の端縁を、媒体対向面に
    対して垂直となるように形成し、前記中間部分において
    前記磁極部分に続く部分の端縁を、前記磁極部分の端縁
    に対して所定の角度をなして、幅方向外側へ広がるよう
    に形成することを特徴とする請求項２９または３０記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記所定の角度を、９０°〜１２０°
    の範囲内とすることを特徴とする請求項３１記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記中間部分を、幅が一定の部分を有
    するように形成することを特徴とする請求項２９ないし
    ３２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  34. 【請求項３４】 前記中間部分を、媒体対向面側ほど幅
    が小さくなる部分を有するように形成することを特徴と
    する請求項２９ないし３２のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記中間部分と前記補助層を、それぞ
    れの少なくとも一部が重なるように配置することを特徴
    とする請求項２９ないし３４のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッドの製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記主要部層を、前記磁極部分と前記
    中間部分の一部とを形成する第１の層と、前記ヨーク部
    分と前記中間部分の他の部分とを形成する第２の層とを
    含むように形成することを特徴とする請求項２９ないし
    ３５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記第１の層、前記第２の層および前
    記補助層を、それぞれの少なくとも一部が重なるように
    配置することを特徴とする請求項３６記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記補助層を、前記中間部分の少なく
    とも一部と近似した形状をなすように形成することを特
    徴とする請求項２９ないし３７のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
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