JP2000311311A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘導型磁気変換素子のトラック幅の縮小およ
び磁路長の縮小を可能にする。 【解決手段】 薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘ
ッドとを備えている。記録ヘッドは、記録ギャップ層１
４を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層８
ａ〜８ｃおよび上部磁極層１５と、一部がこれらの間を
通過し、上部磁極層１５を中心にして螺旋状に巻回され
た薄膜コイル１２ａ，１２ｂとを有している。下部磁極
層は、薄膜コイルの第１層部分１２ａに対向する領域を
含む領域に配置された第１の部分８ａと、第１の部分８
ａにおける上部磁極層１５側の面に接続され、磁極部分
を形成する第２の部分８ｂとを有し、薄膜コイルの第１
層部分１２ａは第２の部分８ｂの側方に配置されてい
る。薄膜コイルの第１層部分１２ｂは、上部磁極層１５
の上に絶縁膜１６を介して形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン
寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現す
る必要があり、これを達成するために半導体加工技術が
利用されている。
【０００４】ここで、図１４ないし図１７を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１４ないし図１７において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００５】この製造方法では、まず、図１４に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。
【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
【０００９】次に、図１５に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き、同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９
ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１
１９を形成する。
【００１０】次に、図１６に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図１６（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。
【００１３】次に、図１７に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機
械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
【００１４】図１７において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分の、エアベアリング面側の端部から
反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、ＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、図１７に
おいて、Ｐ２Ｗは、磁極幅、すなわち記録トラック幅を
表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図１７にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Ang
le）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジ
スト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコ
イル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁
極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１の上面との
なす角度をいう。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図１７に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
および記録トラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重
要である。
【００１６】特に、近年は、高面密度記録を可能とする
ため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成す
るために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブ
ミクロン寸法が要求されている。そのために半導体加工
技術を利用して上部磁極をサブミクロン寸法に加工する
技術が必要となる。
【００１７】ここで、問題となるのは、エイペックス部
の上に形成される上部磁極層を微細に形成することが困
難なことである。
【００１８】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、エ
イペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりな
る薄い電極膜を、例えばスパッタリングによって形成す
る。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィ工程によりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極層
を形成する。
【００１９】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２０】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。
【００２１】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２２】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。
【００２３】このようなことから、上述の従来例の図１
５ないし図１７の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１１０によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１１０と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１１０とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、トラック幅を決定する上部磁極
チップ１１０を、記録ギャップ層１０９の上の平坦な面
の上に、サブミクロン幅で微細に形成することが可能に
なる。
【００２４】しかしながら、このような薄膜磁気ヘッド
においても、依然として、以下のような問題点があっ
た。
【００２５】（１）まず、図１７に示した従来の薄膜磁
気ヘッドでは、上部磁極チップ１１０によって記録ヘッ
ドのトラック幅が規定されるため、上部磁極層１１６
は、上部磁極チップ１１０ほどには微細に加工する必要
はないと言える。それでも、記録ヘッドのトラック幅が
極微細、特に０．５μｍ以下になってくると、上部磁極
層１１６においてもサブミクロン幅の加工精度が要求さ
れる。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上部
磁極層１１６はエイペックス部の上に形成されることか
ら、前述の理由により、上部磁極層１１６を微細に形成
することが困難であった。また、上部磁極層１１６は、
幅の狭い上部磁極チップ１１０に対して磁気的に接続す
る必要があることから、上部磁極チップ１１０よりも広
い幅に形成する必要があった。これらの理由から、従来
の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６は上部磁極チ
ップ１１０よりも広い幅に形成される。そのため、従来
の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層１１６側で書き込み
が行われ、記録媒体に対して、本来、記録すべき領域以
外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわゆるサイ
ドライトが発生するという不具合があった。このような
不具合は、記録ヘッドの性能を向上させるためにコイル
を２層や３層に形成した場合に、コイルを１層に形成す
る場合に比べてエイペックス部の高さが高くなり、より
顕著になる。
【００２６】（２）また、従来の磁気ヘッドでは、上部
磁極チップ１１０のエアベアリング面１１８から遠い側
の端部においてスロートハイトを決定している。しか
し、この上部磁極チップ１１０の幅が狭くなると、フォ
トリソグラフィーにおいて、パターンエッジが丸みを帯
びて形成される。そのため、高精度な寸法を要求される
スロートハイトが不均一となり、エアベアリング面１１
８の加工、研磨工程において、ＭＲ素子のトラック幅と
の間のバランスに欠ける事態が発生していた。例えば、
トラック幅として、０．５〜０．６μｍ必要なときに、
上部磁極チップ１１０のエアベアリング面１１８から遠
い側の端部がスロートハイトゼロ位置（スロートハイト
を決定する絶縁層のエアベアリング面側の端部の位置）
からエアベアリング面１１８側にずれ、大きく記録ギャ
ップが開き、記録データの書き込みができなくなるとい
う問題がしばしば発生していた。
【００２７】上記（１）、（２）の問題点から、従来
は、記録ヘッドのトラック幅の縮小が難しかった。
【００２８】（３）更に、従来の薄膜磁気ヘッドでは、
磁路長（Yoke Length）を短くすることが困難であると
いう問題点があった。すなわち、コイルピッチが小さい
ほど、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に
高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができる
が、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、ス
ロートハイトゼロ位置からコイルの外周端までの距離
が、磁路長を短くすることを妨げる大きな要因となって
いた。磁路長は、１層のコイルよりは２層のコイルの方
が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドで
は２層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁
気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、コイル間
の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約２μ
ｍの厚みで形成している。そのため、１層目のコイルの
外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成さ
れる。次に、その上に２層目のコイルを形成するが、そ
の際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード
層のエッチングができず、コイルがショートするため、
２層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。
【００２９】従って、例えば、コイルの厚みを２〜３μ
ｍとし、コイル間絶縁膜の厚みを２μｍとし、エイペッ
クスアングルを４５°〜５５°とすると、磁路長として
は、コイルに対応する部分の長さに加え、コイルの外周
端からスロートハイトゼロ位置の近傍までの距離である
４〜５μｍの距離の２倍（上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部からコイル内周端までの距離も４〜５μｍ
必要。）の８〜１０μｍが必要である。このコイルに対
応する部分以外の長さが、磁路長の縮小を妨げる要因と
なっていた。
【００３０】ここで、例えば、コイルの線幅が１．０μ
ｍ、スペースが１．０μｍの１１巻コイルを２層で形成
する場合を考える。この場合、図１７に示したように、
１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のうち、
１層目のコイル１１２に対応する部分の長さは１１μｍ
である。磁路長には、これに加え、１層目のコイル１１
２の外周端および内周端より、１層目のコイル１１２を
絶縁するためのフォトレジスト層１１３の端部までの距
離として、合計８〜１０μｍの長さが必要になる。な
お、本出願では、磁路長を、図１７において符号Ｌ0で
示したように、磁極層のうちの磁極部分およびコンタク
ト部分を除いた部分の長さで表す。このように、従来
は、磁路長の縮小が困難であり、これが高周波特性の改
善を妨げていた。
【００３１】ところで、図１７に示した薄膜磁気ヘッド
では、コイルは、渦巻き状に巻回されている。これに対
し、例えば米国特許第５，７０３，７４０号、特開昭４
８−５５７１８号公報、特開昭６０−１１３３１０号公
報、特開昭６３−２０１９０８号公報には、コイルを、
磁極層を中心にして螺旋状（つる巻き状）に巻回した薄
膜磁気ヘッドが示されている。このようにコイルを螺旋
状に巻回した構造によれば、コイルで発生した起磁力を
効率よく磁極層に伝えることができるため、コイルを渦
巻き状に巻回した構造に比べて、コイルの巻き数を少な
くすることができ、その結果、磁路長の縮小が可能とな
る。
【００３２】しかしながら、このようにコイルを螺旋状
に巻回した構造の従来の薄膜磁気ヘッドにおいても、エ
イペックス部ができるため、依然として、上述のように
エイペックス部に起因する問題点が残っている。
【００３３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、誘導型磁気変換素子のトラック幅の
縮小および磁路長の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部が記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および
第２の磁性層と、第１および第２の磁性層に対して絶縁
された状態で、一部が第１および第２の磁性層の間を通
過し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状
に巻回された薄膜コイルとを備え、第１の磁性層は、薄
膜コイルの一部に対向する第１の部分と、第１の部分に
おける第２の磁性層側の面に接続され、磁極部分を形成
する第２の部分とを有し、薄膜コイルの一部は、第１の
磁性層の第２の部分の側方に配置されているものであ
る。
【００３５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記
録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の
磁性層と、第１および第２の磁性層に対して絶縁された
状態で、一部が第１および第２の磁性層の間を通過する
薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
て、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上
に、記録ギャップ層を形成する工程と、記録ギャップ層
の上に、第２の磁性層を形成する工程と、第１および第
２の磁性層に対して絶縁された状態で、一部が第１およ
び第２の磁性層の間を通過し、且つ少なくとも一方の磁
性層を中心にして螺旋状に巻回されるように、薄膜コイ
ルを形成する工程とを含み、第１の磁性層を形成する工
程は、薄膜コイルの一部に対向する第１の部分と、第１
の部分における第２の磁性層側の面に接続され、磁極部
分を形成する第２の部分とを形成し、薄膜コイルを形成
する工程は、薄膜コイルの一部が第１の磁性層の第２の
部分の側方に配置されるように薄膜コイルを形成するも
のである。
【００３６】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、薄膜コイルは、一部が第１および第２の磁性層
の間を通過し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心にし
て螺旋状（つる巻き状）に巻回されるように設けられ
る。これにより、磁路長の縮小が可能になる。また、本
発明では、第１の磁性層は、薄膜コイルの一部に対向す
る第１の部分と、第１の部分における第２の磁性層側の
面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを有
し、薄膜コイルの一部は、第１の磁性層の第２の部分の
側方に配置される。これにより、第２の磁性層を平坦な
面の上に形成することが可能となり、その結果、記録ヘ
ッドのトラック幅の縮小が可能になる。
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、薄膜コイルは、例えば、第２の磁性層を
中心にして螺旋状に巻回された部分を有する。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層は、例えば、磁極部分を形
成する磁極部分層と、この磁極部分層に接続され、ヨー
ク部分を形成するヨーク部分層とを有していてもよい。
この場合、薄膜コイルは、第１の磁性層の第２の部分の
側方を通過し、第２の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
された第１の部分と、第２の磁性層の磁極部分層の側方
を通過し、第２の磁性層を中心にして螺旋状に巻回され
た第２の部分とを有していてもよい。あるいは、薄膜コ
イルは、第１の磁性層の第２の部分の側方を通過し、第
１の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された第１の部分
と、第２の磁性層の磁極部分層の側方を通過し、第２の
磁性層を中心にして螺旋状に巻回された第２の部分とを
有していてもよい。また、第２の磁性層のヨーク部分層
の記録媒体に対向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記
録媒体に対向する面から離れた位置に配置してもよい。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層の第２の部分がスロートハ
イトを規定し、第２の磁性層が記録トラック幅を規定す
るようにしてもよい。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第１の磁性層の第２の部分の側方
に配置された薄膜コイルの一部を覆い、記録ギャップ層
側の面が平坦化された絶縁層を設けてもよい。
【００４１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向
する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配
置され、磁気抵抗素子をシールドするための第１および
第２のシールド層とを設けてもよい。この場合、第１の
磁性層は、第２のシールド層を兼ねていてもよい。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図７を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。
【００４３】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば
４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研
磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化処理する。
【００４４】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウム
をスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャッ
プ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の
上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成した
ＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成す
る。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、
あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気
抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができ
る。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子
５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの
厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およ
びＭＲ素子５の上に、絶縁層としての上部シールドギャ
ップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜
４，７内に埋設する。
【００４５】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）の第１の部分８ａを、約１．０〜２．０μ
ｍの厚みで、選択的に形成する。下部磁極層の第１の部
分８ａは、後述する薄膜コイルの一部に対向する。
【００４６】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層９を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例え
ばＣＭＰによって、下部磁極層の第１の部分８ａが露出
するまで、絶縁層９を研磨して、表面を平坦化処理す
る。
【００４７】次に、図３に示したように、下部磁極層の
第１の部分８ａの上に、下部磁極層の第２の部分８ｂお
よび第３の部分８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに
形成する。第２の部分８ｂは、下部磁極層の磁極部分を
形成し、第１の部分８ａの上部磁極層側の面に接続され
る。第３の部分８ｃは、第１の部分８ａと上部磁極層と
を接続するための部分である。本実施の形態において、
第２の部分８ｂのエアベアリング面３０とは反対側（図
において右側）の端部の位置は、スロートハイトを規定
する。すなわち、この位置が、磁極部分のエアベアリン
グ面３０とは反対側の端部の位置であるスロートハイト
ゼロ位置となる。
【００４８】下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の
部分８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０
重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき
法によって所定のパターンに形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的にエ
ッチングして所定のパターンに形成してもよい。この他
にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモ
ルファス材等を用いてもよい。
【００４９】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜１０を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００５０】次に、図示しないが、絶縁膜１０の上に、
めっき法によって薄膜コイルの第１層部分を形成するた
めのシード層を、例えばスパッタによって形成する。次
に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレ
ーム１１を形成する。
【００５１】次に、フレーム１１を用いて、フレームめ
っき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル
の第１層部分１２ａを、例えば約１．０〜２．０μｍの
厚みに形成する。薄膜コイルの第１層部分１２ａは、下
部磁極層の第２の部分８ｂの側方に配置される。また、
薄膜コイルの第１層部分１２ａは、図３（ａ）における
紙面に交差する方向に延びる複数の四角柱状の部分から
なる。
【００５２】次に、図４に示したように、フレーム１１
とその下のシード層を除去した後、全体に、例えばアル
ミナよりなる絶縁層１３を、約３〜４μｍの厚みに形成
する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層の第２
の部分８ｂと第３の部分８ｃが露出するまで、絶縁層１
３を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図４で
は、薄膜コイルの第１層部分１２ａは露出していない
が、第１層部分１２ａが露出するようにしてもよい。
【００５３】次に、図５に示したように、下部磁極層の
第２の部分８ｂと第３の部分８ｃ、および絶縁層１３の
上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１４を、例えば
０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層
１４に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコ
ン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）等がある。
【００５４】次に、磁路形成のために、下部磁極層の第
３の部分８ｃの上において、記録ギャップ層１４を部分
的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５５】次に、記録ギャップ層１４の上に、上部磁
極層１５を、例えば約２．０〜３．０μｍの厚みに形成
する。上部磁極層１５は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量
％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料である
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を
用い、めっき法によって所定のパターンに形成してもよ
いし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等
の材料を用い、スパッタ後、イオンミリング等によって
選択的にエッチングして所定のパターンに形成してもよ
い。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，
Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波
特性の改善のため、上部磁極層１５を、無機系の絶縁膜
とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造
としてもよい。
【００５６】次に、上部磁極層１５をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１４を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを
選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図
５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム
構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束
の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することが
できる。
【００５７】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜１６を、約０．３〜０．９μｍの厚みに形成する。
【００５８】次に、図示しないが、薄膜コイルの第１層
部分１２ａの各四角柱部分における両端部の上側の部分
において、例えば反応性イオンエッチングやイオンミリ
ングによって、絶縁膜１６、記録ギャップ層１４および
絶縁層１３を貫通して薄膜コイルの第１層部分１２ａに
達するようなコンタクトホールを形成する。
【００５９】次に、上部磁極層１５の上に位置する絶縁
膜１６の上に、フレームめっき法によって、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる薄膜コイルの第２層部分１２ｂを、例
えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。薄膜コイ
ルの第２層部分１２ｂは、図５（ａ）における紙面に直
交する方向に延びる複数の四角柱状の部分からなる。こ
の薄膜コイルの第２層部分１２ｂの各四角柱部分におけ
る両端部は、上記のコンタクトホールに薄膜コイルの材
料が充填されて形成される連結部を介して、薄膜コイル
の第１層部分１２ａの各四角柱部分における両端部に接
続される。
【００６０】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、例えば２
０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、
その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後
に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６１】本実施の形態では、第１の部分８ａ、第２
の部分８ｂおよび第３の部分８ｃよりなる下部磁極層
が、本発明における第１の磁性層に対応し、上部磁極層
１５が、本発明における第２の磁性層に対応する。ま
た、下部シールド層３は、本発明における第１のシール
ド層に対応する。また、下部磁極層は、上部シールド層
を兼ねているので、本発明における第２のシールド層に
も対応する。
【００６２】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。なお、この図では、オーバーコート
層１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。なお、図７において、図中、符号８Ｂは、トリム構
造とするために下部磁極層の第２の部分８ｂがエッチン
グされている部分を表している。
【００６３】図７に示したように、上部磁極層１５は、
記録ギャップ層１４を介して下部磁極層の第２の部分８
ｂに対向する位置に配置された磁極部分１５Ａと、薄膜
コイルの第１層部分１２ａに対向する領域に配置される
と共に磁極部分１５Ａに連結されたヨーク部分１５Ｂと
を有している。磁極部分１５Ａとヨーク部分１５Ｂとの
連結部の位置は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０または
その近傍の位置になっている。磁極部分１５Ａは狭い一
定の幅を有している。この磁極部分１５Ａの幅が記録ヘ
ッドのトラック幅を規定する。
【００６４】また、図７において、符号１２は、第１層
部分１２ａと、第２層部分１２ｂと、これらを連結する
連結部１２ｃとを含む薄膜コイルを表している。薄膜コ
イル１２の第１層部分１２ａと第２層部分１２ｂは、連
結部１２ｃを介してジグザク形に連結されている。これ
により、薄膜コイル１２は、上部磁極層１５のヨーク部
分１５Ｂを中心にして螺旋状に巻回される。
【００６５】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型磁
気変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子
５と、記録媒体に対向する側の一部がＭＲ素子５を挟ん
で対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドする
ための下部シールド層３および上部シールド層（下部磁
極層）とを有している。
【００６６】記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記
録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層１４を介し
て互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも
１つの層からなる下部磁極層（８ａ〜８ｃ）および上部
磁極層１５と、これらに対して絶縁された状態で、一部
が下部磁極層および上部磁極層１５の間を通過し、且つ
上部磁極層１５を中心にして螺旋状に巻回された薄膜コ
イル１２とを有している。
【００６７】本実施の形態では、下部磁極層は、薄膜コ
イルの第１層部分１２ａに対向する第１の部分８ａと、
この第１の部分８ａにおける上部磁極層１５側の面に接
続され、磁極部分を形成する第２の部分８ｂとを有し、
薄膜コイル１２の第１層部分１２ａは、下部磁極層の第
２の部分８ｂの側方に配置されている。
【００６８】本実施の形態によれば、薄膜コイル１２
を、上部磁極層１５を中心にして螺旋状に巻回したの
で、薄膜コイル１２で発生した起磁力を効率よく上部磁
極層１５に伝えることができる。そのため、薄膜コイル
を渦巻き状に巻回した構造に比べて、薄膜コイル１２の
巻き数を少なくすることができる。
【００６９】更に、本実施の形態では、薄膜コイル１２
の第１層部分１２ａを、下部磁極層の第１の部分８ａの
上であって第２の部分８ｂの側方に配置し、薄膜コイル
１２の第１層部分１２ａを覆う絶縁層１３の上面を平坦
化し、上部磁極層１５を平坦な面の上に形成している。
そのため、薄膜コイル１２の第１層部分１２ａと第２層
部分１２ｂの双方を、平坦な面の上に形成することがで
きる。これにより、薄膜コイル１２を微細に形成するこ
とが可能になる。
【００７０】更に、本実施の形態によれば、エイペック
ス部が存在しないので、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０
の近くに、薄膜コイル１２の端部を配置することができ
る。
【００７１】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、例えば従来に比べて３０〜５０％以下程度に、磁路
長の縮小が可能となる。更に、薄膜コイル１２で発生し
た起磁力が途中で飽和することを防止でき、薄膜コイル
１２で発生した起磁力を効率よく記録に利用することが
できる。従って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの
高周波特性や、非線形トランジションシフト（Non-line
ar Transition Shift；以下、ＮＬＴＳと記す。）
や、重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性
の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【００７２】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
１２の第１層部分１２ａを、下部磁極層の第１の部分８
ａの上であって第２の部分８ｂの側方に配置し、薄膜コ
イル１２の第１層部分１２ａを覆う絶縁層１３の上面を
平坦化したので、記録ヘッドのトラック幅を規定する上
部磁極層１５を平坦な面の上に形成することができる。
そのため、本実施の形態によれば、上部磁極層１５の磁
極部分１５Ａを、例えばハーフミクロン寸法やクォータ
ミクロン寸法にも微細に形成可能となり、記録ヘッドの
トラック幅の縮小が可能となる。これにより、今後要求
される２０〜３０ギガビット／（インチ）2の面記録密
度を有する薄膜磁気ヘッドも実現可能となる。
【００７３】また、本実施の形態では、記録ヘッドのト
ラック幅を規定する上部磁極層１５がスロートハイトを
規定するのではなく、下部磁極層の第２の部分８ｂがス
ロートハイトを規定する。従って、本実施の形態によれ
ば、トラック幅が小さくなっても、スロートハイトを精
度よく、均一に規定することが可能となる。
【００７４】また、本実施の形態では、下部磁極層の第
２の部分８ｂの側方に配置された薄膜コイル１２の第１
層部分１２ａを覆う絶縁層１３を設け、この絶縁層１３
の上面を平坦化したので、その後に形成される記録ギャ
ップ層１４、上部磁極層１５、薄膜コイル１２の第２層
部分１２ｂ等の形成が容易になる。
【００７５】また、本実施の形態では、下部磁極層と、
薄膜コイル１２の第１層部分１２ａの間に、薄く且つ十
分な絶縁耐圧が得られる無機材料よりなる絶縁膜１０が
設けられるので、下部磁極層と薄膜コイル１２の第１層
部分１２ａとの間に大きな絶縁耐圧を得ることができ
る。
【００７６】また、本実施の形態では、図７に示したよ
うに、上部磁極層１５は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ
０またはその近傍の位置よりもエアベアリング面３０と
は反対側の部分では、例えば３μｍ以上の一定の幅を有
し、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位
置よりもエアベアリング面３０側の部分では、ハーフミ
クロン寸法やクォータミクロン寸法の一定の幅を有して
いる。そのため、上部磁極層１５を通過する磁束は、ス
ロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位置より
もエアベアリング面３０とは反対側の部分では飽和せ
ず、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０またはその近傍の位
置よりもエアベアリング面３０側の部分で飽和する。こ
れにより、ＮＬＴＳやオーバーライト特性を向上させる
ことができる。
【００７７】［第２の実施の形態］次に、図８ないし図
１０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図８および図９において、（ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。
【００７８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、薄
膜コイルが、上部磁極層を中心にして螺旋状に２重に巻
回されたものである。本実施の形態では、この薄膜コイ
ルのうち、外側の部分を第１の部分といい、内側の部分
を第２の部分という。なお、薄膜コイルの第１の部分と
第２の部分は、いずれも、例えば銅によって形成され
る。
【００７９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、絶縁膜１０を形成する工程までは、第１の実
施の形態と同様である。図８に示したように、本実施の
形態では、その後、絶縁膜１０の上に、フレームめっき
法によって、薄膜コイルの第１の部分の第１層部分２１
ａを、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
薄膜コイルの第１の部分の第１層部分２１ａは、下部磁
極層の第２の部分８ｂの側方に配置される。また、薄膜
コイルの第１の部分の第１層部分２１ａは、図８（ａ）
における紙面に交差する方向に延びる複数の四角柱状の
部分からなる。
【００８０】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１３を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、下部磁極層の第２の部分８ｂと第
３の部分８ｃが露出するまで、絶縁層１３を研磨して、
表面を平坦化処理する。ここで、図８では、薄膜コイル
の第１の部分の第１層部分２１ａは露出していないが、
第１層部分２１ａが露出するようにしてもよい。
【００８１】次に、下部磁極層の第２の部分８ｂと第３
の部分８ｃ、および絶縁層１３の上に、記録ギャップ層
１４を例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次
に、下部磁極層の第３の部分８ｃの上において、記録ギ
ャップ層１４を部分的にエッチングしてコンタクトホー
ルを形成する。
【００８２】次に、記録ギャップ層１４の上に、上部磁
極層の磁極部分を形成する磁極部分層１５ａを１．０〜
３．０μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層の第３
の部分８ｃの上に形成されたコンタクトホールの位置
に、磁性層１５ｂを１．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。磁性層１５ｂは、後述する上部磁極層のヨーク部分
層と下部磁極層とを接続するための部分である。本実施
の形態では、上部磁極層の磁極部分層１５ａの長さは、
下部磁極層の第２の部分８ｂの長さ以上に形成される。
【００８３】上部磁極層の磁極部分層１５ａおよび磁性
層１５ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０
重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき
法によって所定のパターンに形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタ後、イオンミリング等によって選択的にエ
ッチングして所定のパターンに形成してもよい。この他
にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモ
ルファス材等を用いてもよい。
【００８４】次に、上部磁極層の磁極部分層１５ａをマ
スクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層
１４を選択的にエッチングし、次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを
選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図
８（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【００８５】次に、記録ギャップ層１４の上のコイル形
成領域に、例えばアルミナよりなる絶縁膜２２を、約
０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００８６】次に、フレームめっき法によって、薄膜コ
イルの第２の部分の第１層部分２３ａを、例えば約１．
０〜２．０μｍの厚みに形成する。薄膜コイルの第２の
部分の第１層部分２３ａは、上部磁極層の磁極部分層１
５ａの側方に配置される。また、薄膜コイルの第２の部
分の第１層部分２３ａは、図８（ａ）における紙面に交
差する方向に延びる複数の四角柱状の部分からなる。
【００８７】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層２４を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層１５ａお
よび磁性層１５ｂが露出するまで、絶縁層２４を研磨し
て、表面を平坦化処理する。
【００８８】次に、図９に示したように、平坦化された
上部磁極層の磁極部分層１５ａおよび磁性層１５ｂと絶
縁層２４の上に、上部磁極層のヨーク部分を形成するヨ
ーク部分層１５ｃを、例えば約２〜４μｍの厚みに形成
する。このヨーク部分層１５ｃは、磁性層１５ｂを介し
て、下部磁極層の第３の部分８ｃと接触し、磁気的に連
結している。上部磁極層のヨーク部分層１５ｃは、Ｎｉ
Ｆｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽
和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆ
ｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって所定のパ
ターンに形成してもよいし、高飽和磁束密度材料である
ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタ後、イオ
ンミリング等によって選択的にエッチングして所定のパ
ターンに形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度
材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いて
もよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層１
５を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層
にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００８９】本実施の形態では、上部磁極層のヨーク部
分層１５ｃの記録媒体に対向する側（エアベアリング面
３０側）の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向す
る面から離れた位置（図において右側）に配置されてい
る。
【００９０】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜２５を、約０．３〜０．９μｍの厚みに形成する。
【００９１】次に、図示しないが、薄膜コイルの第２の
部分の第１層部分２３ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって、絶縁膜２５および絶縁層２
４を貫通して薄膜コイルの第２の部分の第１層部分２３
ａに達するようなコンタクトホールを形成する。
【００９２】次に、上部磁極層のヨーク部分層１５ｃの
上に位置する絶縁膜２５の上に、フレームめっき法によ
って、薄膜コイルの第２の部分の第２層部分２３ｂを、
例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。薄膜コ
イルの第２の部分の第２層部分２３ｂは、図９（ａ）に
おける紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の部
分からなる。この薄膜コイルの第２の部分の第２層部分
２３ｂの各四角柱部分における両端部は、上記のコンタ
クトホールに薄膜コイルの材料が充填されて形成される
連結部を介して、薄膜コイルの第２の部分の第１層部分
２３ａの各四角柱部分における両端部に接続される。
【００９３】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層２６を、例えば約６〜８μｍの厚みに形成し、その
表面を平坦化する。
【００９４】次に、図示しないが、薄膜コイルの第１の
部分の第１層部分２１ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって、絶縁膜２６、絶縁膜２５、
記録ギャップ層１４および絶縁層１３を貫通して薄膜コ
イルの第１の部分の第１層部分２１ａに達するようなコ
ンタクトホールを形成する。
【００９５】次に、絶縁層２６の上に、フレームめっき
法によって、薄膜コイルの第１の部分の第２層部分２１
ｂを、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
薄膜コイルの第１の部分の第２層部分２１ｂは、図９
（ａ）における紙面に直交する方向に延びる複数の四角
柱状の部分からなる。この薄膜コイルの第１の部分の第
２層部分２１ｂの各四角柱部分における両端部は、上記
のコンタクトホールに薄膜コイルの材料が充填されて形
成される連結部を介して、薄膜コイルの第１の部分の第
１層部分２１ａの各四角柱部分における両端部に接続さ
れる。
【００９６】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１７を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面３０を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。
【００９７】本実施の形態では、磁極部分層１５ａ、磁
性層１５ｂおよびヨーク部分層１５ｃよりなる上部磁極
層が、本発明における第２の磁性層に対応する。
【００９８】図１０は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。この図では、オーバーコート層
や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。この
図において、符号２１は、第１層部分２１ａと、第２層
部分２１ｂと、これらを連結する連結部２１ｃとを含む
薄膜コイルの第１の部分を表している。また、符号２３
は、第１層部分２３ａと、第２層部分２３ｂと、これら
を連結する連結部２３ｃとを含む薄膜コイルの第２の部
分を表している。薄膜コイルの第１の部分２１の第１層
部分２１ａと第２層部分２１ｂは、連結部２１ｃを介し
てジグザク形に連結されている。これにより、薄膜コイ
ルの第１の部分２１は、上部磁極層のヨーク部分層１５
ｃを中心にして螺旋状に巻回される。同様に、薄膜コイ
ルの第２の部分２３の第１層部分２３ａと第２層部分２
３ｂは、連結部２３ｃを介してジグザク形に連結されて
いる。これにより、薄膜コイルの第２の部分２３は、上
部磁極層のヨーク部分層１５ｃを中心にして螺旋状に巻
回される。
【００９９】また、薄膜コイルの第１の部分２１と第２
の部分２３は、連結部２９によって連結される。連結部
２９は、絶縁膜２５、記録ギャップ層１４および絶縁層
１３を貫通して薄膜コイルの第１の部分２１の第１層部
分２１ａに達するようなコンタクトホールに、薄膜コイ
ルの材料が充填されて形成される。
【０１００】図９に示したように、薄膜コイルの第１の
部分２１の第１層部分２１ａは、下部磁極層の第２の部
分８ｂの側方を通過する。また、薄膜コイルの第２の部
分２３の第１層部分２３ａは、上部磁極層の磁極部分層
１５ａの側方を通過する。
【０１０１】本実施の形態によれば、上部磁極層を中心
にして２重に巻回された薄膜コイル２１，２３を設けた
ので、第１の実施の形態に比べて、薄膜コイルの起磁力
を大きくすることができ、ＮＬＴＳやオーバーライト特
性をより向上させることができる。
【０１０２】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第１の部分２１の第１層部分２１ａを下部磁極層の第
２の部分８ｂの側方に配置し、この第１層部分２１ａを
覆う絶縁層１３の上面を平坦化したので、上部磁極層の
磁極部分層１５ａを平坦な面の上に形成することができ
る。従って、本実施の形態によれば、磁極部分層１５ａ
を、例えばハーフミクロン寸法やクォータミクロン寸法
にも微細に形成可能となり、記録ヘッドのトラック幅の
縮小が可能となる。
【０１０３】また、本実施の形態では、２重に巻回され
た薄膜コイル２１，２３を設けているが、薄膜コイルの
第１の部分２１の第１層部分２１ａを下部磁極層の第２
の部分８ｂの側方に配置すると共に、薄膜コイルの第２
の部分２３の第１層部分２３ａを上部磁極層の磁極部分
層１５ａの側方に配置したので、上部磁極層のヨーク部
分層１５ｃを、平坦な面の上に形成することができる。
そのため、本実施の形態によれば、ヨーク部分層１５ｃ
も微細に形成可能となり、いわゆるサイドライトの発生
を防止することが可能となる。
【０１０４】また、本実施の形態では、上部磁極層のヨ
ーク部分層１５ｃのエアベアリング面３０側の端面を、
薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面３０から離れた位置
に配置している。そのため、スロートハイトが小さい場
合でも、上部磁極層のヨーク部分層１５ｃがエアベアリ
ング面３０に露出することがなく、その結果、サイドラ
イトの発生を防止することができる。
【０１０５】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０６】［第３の実施の形態］次に、図１１ないし
図１３を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１１および図１２において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０１０７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、薄
膜コイルが、下部磁極層を中心にして螺旋状に巻回され
た第１の部分と上部磁極層を中心にして螺旋状に巻回さ
れた第２の部分とを有するものである。なお、薄膜コイ
ルの第１の部分と第２の部分は、いずれも、例えば銅に
よって形成される。
【０１０８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、下部シールドギャップ膜４、ＭＲ素子５およ
び上部シールドギャップ膜７を形成する工程までは、第
１の実施の形態と同様である。図１１に示したように、
本実施の形態では、その後、ＭＲ素子５の上に位置する
上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなる磁
性層８ｄを、例えば約１〜２μｍの厚みに形成する。こ
の磁性層８ｄは、下部シールド層の一部をなす。次に、
例えば反応性イオンエッチングやイオンミリングによっ
て、薄膜コイルを形成する領域において、シールドギャ
ップ膜４，７をエッチングすると共に、下部シールド層
３を例えば約１〜２μｍエッチングして、凹部を形成す
る。
【０１０９】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜３１を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
次に、絶縁膜３１の上に、フレームめっき法によって、
薄膜コイルの第１の部分の第１層部分３２ａを、例えば
約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。薄膜コイルの
第１の部分の第１層部分３２ａは、図１１（ａ）におけ
る紙面に交差する方向に延びる複数の四角柱状の部分か
らなる。
【０１１０】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層３３を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、磁性層８ｄが露出するまで、絶縁
層３３を研磨して、表面を平坦化処理する。
【０１１１】次に、図１２に示したように、磁性層８ｄ
および絶縁層３３の上に、下部磁極層の第１の部分８ａ
を、約１．０〜２．０μｍの厚みで、選択的に形成す
る。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層９
を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭ
Ｐによって、下部磁極層の第１の部分８ａが露出するま
で、絶縁層９を研磨して、表面を平坦化処理する。
【０１１２】次に、下部磁極層の第１の部分８ａの上
に、下部磁極層の第２の部分８ｂおよび第３の部分８ｃ
を、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。次に、全
体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１０を、約０．３
〜０．６μｍの厚みに形成する。
【０１１３】次に、図示しないが、薄膜コイルの第１の
部分の第１層部分３２ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって、絶縁膜１０および絶縁層３
３を貫通して薄膜コイルの第１の部分の第１層部分３２
ａに達するようなコンタクトホールを形成する。
【０１１４】次に、絶縁膜１０の上に、フレームめっき
法によって、薄膜コイルの第１の部分の第２層部分３２
ｂを、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。
薄膜コイルの第１の部分の第２層部分３２ｂは、下部磁
極層の第２の部分８ｂの側方に配置される。また、薄膜
コイルの第１の部分の第２層部分３２ｂは、図１２
（ａ）における紙面に直交する方向に延びる複数の四角
柱状の部分からなる。この薄膜コイルの第１の部分の第
２層部分３２ｂの各四角柱部分における両端部は、上記
のコンタクトホールに薄膜コイルの材料が充填されて形
成される連結部を介して、薄膜コイルの第１の部分の第
１層部分３２ａの各四角柱部分における両端部に接続さ
れる。
【０１１５】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１３を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、下部磁極層の第２の部分８ｂと第
３の部分８ｃが露出するまで、絶縁層１３を研磨して、
表面を平坦化処理する。ここで、図１２では、薄膜コイ
ルの第１の部分の第２層部分３２ｂは露出していない
が、第２層部分３２ｂが露出するようにしてもよい。
【０１１６】次に、下部磁極層の第２の部分８ｂと第３
の部分８ｃ、および絶縁層１３の上に、記録ギャップ層
１４を例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次
に、下部磁極層の第３の部分８ｃの上において、記録ギ
ャップ層１４を部分的にエッチングしてコンタクトホー
ルを形成する。
【０１１７】次に、記録ギャップ層１４の上に、上部磁
極層の磁極部分を形成する磁極部分層１５ａを１．０〜
３．０μｍの厚みに形成すると共に、下部磁極層の第３
の部分８ｃの上に形成されたコンタクトホールの位置
に、磁性層１５ｂを１．０〜３．０μｍの厚みに形成す
る。
【０１１８】次に、上部磁極層の磁極部分層１５ａをマ
スクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層
１４を選択的にエッチングし、次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、下部磁極層の第２の部分８ｂを
選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図
１２（ｂ）に示したようなトリム構造とする。
【０１１９】次に、記録ギャップ層１４の上のコイル形
成領域に、例えばアルミナよりなる絶縁膜２２を、約
０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。次に、フレーム
めっき法によって、薄膜コイルの第２の部分の第１層部
分３４ａを、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成
する。薄膜コイルの第２の部分の第１層部分３４ａは、
上部磁極層の磁極部分層１５ａの側方に配置される。ま
た、薄膜コイルの第２の部分の第１層部分３４ａは、図
１２（ａ）における紙面に交差する方向に延びる複数の
四角柱状の部分からなる。
【０１２０】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層２４を、約３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、上部磁極層の磁極部分層１５ａお
よび磁性層１５ｂが露出するまで、絶縁層２４を研磨し
て、表面を平坦化処理する。
【０１２１】次に、平坦化された上部磁極層の磁極部分
層１５ａおよび磁性層１５ｂと絶縁層２４の上に、上部
磁極層のヨーク部分を形成するヨーク部分層１５ｃを、
例えば約２〜４μｍの厚みに形成する。
【０１２２】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜２５を、約０．３〜０．９μｍの厚みに形成する。
【０１２３】次に、図示しないが、薄膜コイルの第２の
部分の第１層部分３４ａの各四角柱部分における両端部
の上側の部分において、例えば反応性イオンエッチング
やイオンミリングによって、絶縁膜２５および絶縁層２
４を貫通して薄膜コイルの第２の部分の第１層部分３４
ａに達するようなコンタクトホールを形成する。
【０１２４】次に、上部磁極層のヨーク部分層１５ｃの
上に位置する絶縁膜２５の上に、フレームめっき法によ
って、薄膜コイルの第２の部分の第２層部分３４ｂを、
例えば約１．０〜２．０μｍの厚みに形成する。薄膜コ
イルの第２の部分の第２層部分３４ｂは、図１２（ａ）
における紙面に直交する方向に延びる複数の四角柱状の
部分からなる。この薄膜コイルの第２の部分の第２層部
分３４ｂの各四角柱部分における両端部は、上記のコン
タクトホールに薄膜コイルの材料が充填されて形成され
る連結部を介して、薄膜コイルの第２の部分の第１層部
分３４ａの各四角柱部分における両端部に接続される。
【０１２５】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層２７を、例えば２０〜４０μｍの厚みに
形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない
電極用パッドを形成する。最後に、スライダの研磨加工
を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリン
グ面を形成して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【０１２６】図１３は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。この図では、オーバーコート層
や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。この
図において、符号３２は、第１層部分３２ａと、第２層
部分３２ｂと、これらを連結する連結部３２ｃとを含む
薄膜コイルの第１の部分を表している。なお、図１３で
は、薄膜コイルの第１の部分３２の一部を省略してい
る。また、符号３４は、第１層部分３４ａと、第２層部
分３４ｂと、これらを連結する連結部３４ｃとを含む薄
膜コイルの第２の部分を表している。薄膜コイルの第１
の部分３２の第１層部分３２ａと第２層部分３２ｂは、
連結部３２ｃを介してジグザク形に連結されている。こ
れにより、薄膜コイルの第１の部分３２は、下部磁極層
の第１の部分８ａを中心にして螺旋状に巻回される。同
様に、薄膜コイルの第２の部分３４の第１層部分３４ａ
と第２層部分３４ｂは、連結部３４ｃを介してジグザク
形に連結されている。これにより、薄膜コイルの第２の
部分３４は、上部磁極層のヨーク部分層１５ｃを中心に
して螺旋状に巻回される。
【０１２７】また、薄膜コイルの第１の部分３２と第２
の部分３４は、連結部３９によって連結される。連結部
３９は、絶縁膜２５、記録ギャップ層１４および絶縁層
１３を貫通して薄膜コイルの第１の部分３２の第２層部
分３２ｂに達するようなコンタクトホールに、薄膜コイ
ルの材料が充填されて形成される。
【０１２８】図１２に示したように、薄膜コイルの第１
の部分３２の第２層部分３２ｂは、下部磁極層の第２の
部分８ｂの側方を通過する。また、薄膜コイルの第２の
部分３４の第１層部分３４ａは、上部磁極層の磁極部分
層１５ａの側方を通過する。
【０１２９】本実施の形態によれば、薄膜コイルが、下
部磁極層を中心にして螺旋状に巻回された第１の部分３
２と上部磁極層を中心にして螺旋状に巻回された第２の
部分３４とを有するので、第１の実施の形態に比べて、
薄膜コイルの起磁力を大きくすることができ、ＮＬＴＳ
やオーバーライト特性をより向上させることができる。
【０１３０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１または第２の実施の形態と同様であ
る。
【０１３１】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施の形
態では、下部磁極層によってスロートハイトを規定する
ようにしたが、上部磁極層によってスロートハイトを規
定するようにしてもよい。
【０１３２】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【０１３３】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【０１３４】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。
【０１３５】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１０
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１１な
いし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、薄膜コイルは、一部が第１および第２の磁性
層の間を通過し、且つ少なくとも一方の磁性層を中心に
して螺旋状に巻回されるので、誘導型磁気変換素子の磁
路長の縮小が可能になるという効果を奏する。また、本
発明によれば、第１の磁性層は、薄膜コイルの一部に対
向する第１の部分と、第１の部分における第２の磁性層
側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分とを
有し、薄膜コイルの一部は、第１の磁性層の第２の部分
の側方に配置されるので、第２の磁性層を平坦な面の上
に形成することが可能となり、その結果、誘導型磁気変
換素子のトラック幅の縮小が可能になるという効果を奏
する。
【０１３６】また、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルが、第２の磁性層を中心にして螺旋状に
２重に巻回されるので、更に、薄膜コイルの起磁力を大
きくすることが可能になるという効果を奏する。
【０１３７】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルが、第１の磁性層を中心にして螺旋状に
巻回された第１の部分と第２の磁性層を中心にして螺旋
状に巻回された第２の部分とを有するので、更に、薄膜
コイルの起磁力を大きくすることが可能になるという効
果を奏する。
【０１３８】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁性層が、磁極部分を形成する磁極部分層
と、この磁極部分層に接続され、ヨーク部分を形成する
ヨーク部分層とを有し、第２の磁性層のヨーク部分層の
記録媒体に対向する側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録
媒体に対向する面から離れた位置に配置したので、更
に、記録すべき領域以外の領域にもデータを書き込んで
しまうことを防止することができるという効果を奏す
る。
【０１３９】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第１の磁性層の第２の部分がスロートハイトを規定
し、第２の磁性層が記録トラック幅を規定するようにし
たので、更に、トラック幅が小さくなっても、スロート
ハイトを精度よく、均一に規定することが可能になると
いう効果を奏する。
【０１４０】また、請求項８記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドによれば、第１の磁
性層の第２の部分の側方に配置された薄膜コイルの一部
を覆い、記録ギャップ層側の面が平坦化された絶縁層を
設けたので、更に、記録ギャップ層や第２の磁性層等の
形成が容易になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。
【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８ａ…下部磁極層の第１の部分、８ｂ…下部磁極
層の第２の部分、１０…絶縁膜、１２ａ…薄膜コイルの
第１層部分、１２ｂ…薄膜コイルの第２層部分、１３…
絶縁層、１４…記録ギャップ層、１５…上部磁極層、１
６…絶縁膜、１７…オーバーコート層。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
    する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する
    磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる
    第１および第２の磁性層と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
    で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
    且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
    された薄膜コイルとを備え、 前記第１の磁性層は、前記薄膜コイルの一部に対向する
    第１の部分と、前記第１の部分における前記第２の磁性
    層側の面に接続され、磁極部分を形成する第２の部分と
    を有し、 前記薄膜コイルの一部は、前記第１の磁性層の第２の部
    分の側方に配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘ
    ッド。
  2. 【請求項２】 前記薄膜コイルは、前記第２の磁性層を
    中心にして螺旋状に巻回された部分を有することを特徴
    とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記第２の磁性層は、磁極部分を形成す
    る磁極部分層と、この磁極部分層に接続され、ヨーク部
    分を形成するヨーク部分層とを有することを特徴とする
    請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層の
    第２の部分の側方を通過し、前記第２の磁性層を中心に
    して螺旋状に巻回された第１の部分と、前記第２の磁性
    層の磁極部分層の側方を通過し、前記第２の磁性層を中
    心にして螺旋状に巻回された第２の部分とを有すること
    を特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層の
    第２の部分の側方を通過し、前記第１の磁性層を中心に
    して螺旋状に巻回された第１の部分と、前記第２の磁性
    層の磁極部分層の側方を通過し、前記第２の磁性層を中
    心にして螺旋状に巻回された第２の部分とを有すること
    を特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第２の磁性層のヨーク部分層の記録
    媒体に対向する側の端面は、薄膜磁気ヘッドの記録媒体
    に対向する面から離れた位置に配置されていることを特
    徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第１の磁性層の第２の部分がスロー
    トハイトを規定し、前記第２の磁性層が記録トラック幅
    を規定することを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 更に、前記第１の磁性層の第２の部分の
    側方に配置された薄膜コイルの一部を覆い、前記記録ギ
    ャップ層側の面が平坦化された絶縁層を備えたことを特
    徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  9. 【請求項９】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向
    する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよう
    に配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第
    １および第２のシールド層とを備えたことを特徴とする
    請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記第１の磁性層は、前記第２のシー
    ルド層を兼ねていることを特徴とする請求項１ないし９
    のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対
    向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向す
    る磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からな
    る第１および第２の磁性層と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
    で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過する
    薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
    て、 前記第１の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に、前記記録ギャップ層を形成す
    る工程と、 前記記録ギャップ層の上に、前記第２の磁性層を形成す
    る工程と、 前記第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態
    で、一部が前記第１および第２の磁性層の間を通過し、
    且つ少なくとも一方の磁性層を中心にして螺旋状に巻回
    されるように、前記薄膜コイルを形成する工程とを含
    み、 前記第１の磁性層を形成する工程は、前記薄膜コイルの
    一部に対向する第１の部分と、前記第１の部分における
    前記第２の磁性層側の面に接続され、磁極部分を形成す
    る第２の部分とを形成し、 前記薄膜コイルを形成する工程は、前記薄膜コイルの一
    部が前記第１の磁性層の第２の部分の側方に配置される
    ように薄膜コイルを形成することを特徴とする薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記第２の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された部分を
    有する薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項１
    １記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２の磁性層を形成する工程は、
    磁極部分を形成する磁極部分層と、この磁極部分層に接
    続され、ヨーク部分を形成するヨーク部分層とを形成す
    ることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記第１の磁性層の第２の部分の側方を通過し、前記第２
    の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された第１の部分
    と、前記第２の磁性層の磁極部分層の側方を通過し、前
    記第２の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された第２の
    部分とを形成することを特徴とする請求項１３記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記薄膜コイルを形成する工程は、前
    記第１の磁性層の第２の部分の側方を通過し、前記第１
    の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された第１の部分
    と、前記第２の磁性層の磁極部分層の側方を通過し、前
    記第２の磁性層を中心にして螺旋状に巻回された第２の
    部分とを形成することを特徴とする請求項１３記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第２の磁性層を形成する工程は、
    前記第２の磁性層のヨーク部分層の記録媒体に対向する
    側の端面を、薄膜磁気ヘッドの記録媒体に対向する面か
    ら離れた位置に配置することを特徴とする請求項１３な
    いし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の磁性層を形成する工程は、
    前記第２の部分がスロートハイトを規定するように、第
    １の磁性層を形成し、 前記第２の磁性層を形成する工程は、前記第２の磁性層
    が記録トラック幅を規定するように、第２の磁性層を形
    成することを特徴とする請求項１１ないし１６のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 更に、前記第１の磁性層の第２の部分
    の側方に配置された薄膜コイルの一部を覆い、前記記録
    ギャップ層側の面が平坦化された絶縁層を形成する工程
    を含むことを特徴とする請求項１１ないし１７のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 更に、磁気抵抗素子と、記録媒体に対
    向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するよ
    うに配置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための
    第１および第２のシールド層とを形成する工程を含むこ
    とを特徴とする請求項１１ないし１８のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記第１の磁性層は、前記第２のシー
    ルド層を兼ねていることを特徴とする請求項１１ないし
    １９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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