JPH11353616A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH11353616A
JPH11353616A JP10163676A JP16367698A JPH11353616A JP H11353616 A JPH11353616 A JP H11353616A JP 10163676 A JP10163676 A JP 10163676A JP 16367698 A JP16367698 A JP 16367698A JP H11353616 A JPH11353616 A JP H11353616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin
layer
film
magnetic
magnetic pole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10163676A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP10163676A priority Critical patent/JPH11353616A/ja
Priority to US09/328,415 priority patent/US6333841B1/en
Publication of JPH11353616A publication Critical patent/JPH11353616A/ja
Priority to US10/003,244 priority patent/US6836956B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3109—Details
    • G11B5/313—Disposition of layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49041—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing with significant slider/housing shaping or treating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
    • Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49073—Electromagnet, transformer or inductor by assembling coil and core

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２分割された上部磁極のうち、磁極先端部だ
けでなく、上部磁極層のサブミクロン寸法の極微細加工
を可能とする。 【解決手段】 上部磁極を、磁極先端部２０と上部磁極
層２５とに２分割し、磁極先端部２０を下部磁極１８上
の平坦面に記録ギャップ層１９を介して形成する。これ
により、記録トラック幅を規制する磁極先端部２０がサ
ブミクロン寸法に加工される。磁極先端部２０に隣接し
た領域に絶縁層２１ａが形成されている。この絶縁層２
１ａが形成された領域内に１層目の薄膜コイル２２が形
成されている。薄膜コイル２２は表面が平坦化された絶
縁層２１ｂにより覆われている。これにより薄膜コイル
２３を含むエイペックス部の段差が、薄膜コイル２２の
分だけ、従来構造に比べて低くなる。従って、上部磁極
層２５をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エ
イペックス部の段差の影響が低減され、その結果、上部
磁極層２５のサブミクロン寸法の微細化も可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
び薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
【０００３】ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭ
Ｒ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭ
Ｒ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上は
ＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭ
Ｒ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよ
りも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができる
と言われている。
【０００４】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜を変える方法がある。一般的に、ＡＭＲ膜
は、ＭＲ効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造
になっている。これに対して、多くのＧＭＲ膜は、複数
の膜を組み合わせた多層構造になっている。ＧＭＲ効果
が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、その
メカニズムによってＧＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ
膜としては、超格子ＧＭＲ膜、グラニュラ膜、スピンバ
ルブ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱
い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするＧ
ＭＲ膜としては、スピンバルブ膜が有力である。このよ
うに、再生ヘッドは、例えば、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧ
ＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変えることで、
容易に、性能を向上するという目的が達せられる。
【０００５】再生ヘッドの性能を決定する要因として
は、上述のような材料の選択の他に、パターン幅、特
に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイトは、ＭＲ素子のエア
ベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高
さ）をいう。このＭＲハイトは、本来、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御される。なお、ここ
にいうエアベアリング面（ＡＢＳ）は、薄膜磁気ヘッド
の磁気記録媒体に対向する面であり、トラック面ともい
う。
【０００６】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけ
るトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記
録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された
下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポー
ル）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミ
クロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッ
ドを実現する必要があり、そのため半導体加工技術が利
用されている。
【０００７】記録ヘッドの性能を決定するその他の要因
としては、スロートハイト（ThroatHeight:TH) があ
る。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイ
ルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分（磁極
部分）の長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上の
ためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。こ
のスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研
磨量によって制御される。
【０００８】薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、
上述のような記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。
【０００９】ここで、図１６（ａ），（ｂ）乃至図２１
（ａ），（ｂ）を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの一
例として複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明
する。
【００１０】まず、図１６に示したように、例えばアル
ティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上
に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えばパーマロイ
（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シールド層１
０３を形成する。
【００１１】次に、図１７に示したように、下部シール
ド層１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍ
の厚みで堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭ
Ｒ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚み
に形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状と
する。続いて、このＭＲ膜１０５に対するリード端子層
１０６をリフトオフ法により形成する。次いで、シール
ドギャップ膜１０４、ＭＲ膜１０５およびリード端子層
１０６上に、シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ
膜１０５およびリード端子層１０６をシールドギャップ
膜１０４，１０７内に埋設する。続いて、シールドギャ
ップ膜１０７上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いる磁気材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる
膜厚３μｍの上部シールド兼下部磁極（以下，下部磁極
と記す。）１０８を形成する。
【００１２】次に、図１８に示したように、下部磁極１
０８上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚２００
ｎｍの記録ギャップ層１０９を形成する。更に、この記
録ギャップ層１０９をフォトリソグラフィによりパター
ニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口１０９
ａを形成する。続いて、めっき法によりパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）や窒化鉄（ＦｅＮ）からなる磁気材料により磁
極先端部（ポールチップ）１１０を形成すると共に、上
部磁極と下部磁極との接続部パターン１１０ａを形成す
る。この接続部パターン１１０ａにより下部磁極１０８
と後述の上部磁極層１１６とが接続され、後述のＣＭＰ
（Chemical and Mechanical Polishing: 化学的機械研
磨）工程後の開口（スルーホール）の形成が容易にな
る。
【００１３】次に、図１９に示したように、磁極先端部
１１０をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャ
ップ層１０９と下部磁極１０８とを約０．３〜０．５μ
ｍ程度エッチングする。下部磁極１０８までエッチング
してトリム構造とすることにより、実効書き込みトラッ
ク幅の広がりが防止される（すなわち、データの書き込
み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制さ
れる）。続いて、全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミ
ナからなる絶縁層１１１を形成した後、全面をＣＭＰに
より平坦化する。
【００１４】次に、図２０に示したように、絶縁層１１
１上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１
２を選択的に形成し、更に、絶縁層１１１および薄膜コ
イル１１２上に、フォトレジスト膜１１３を高精度のフ
ォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。続い
て、フォトレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コイル
１１２間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。更
に、同様に、フォトレジスト膜１１３上に、第２層目の
薄膜コイル１１４およびフォトレジスト膜１１５を形成
し、フォトレジスト膜１１５の平坦化および薄膜コイル
１１４間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。
【００１５】次に、図２１に示したように、磁極先端部
１１０、フォトレジスト膜１１３，１１５上に、記録ヘ
ッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨー
ク兼上部磁極層（以下、上部磁極層と記す。）１１６を
形成する。この上部磁極層１１６は、薄膜コイル１１
２，１１４よりも後方の位置において、下部磁極１０８
と接触し、磁気的に連結される。続いて、上部磁極層１
１６上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行っ
て、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（エアベ
アリング面）１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成
する。
【００１６】図２１において、ＴＨはスロートハイトを
表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトをそれぞれ表している。ま
た、Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅を表している。
【００１７】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲ−Ｈ等の他
に、図２１においてθで示したようなエイペックスアン
グル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングル
は、フォトレジスト膜１１３，１１５のトラック面側の
側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層１１６の上面とのな
す角度をいう。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの性能
を向上させるには、図２１に示したようなスロートハイ
トＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθ
およびトラック幅（磁極幅）Ｐ２Ｗを正確に形成するこ
とが重要である。
【００１９】本出願では、特に、トラック幅Ｐ２Ｗの正
確な制御に関する問題点を取り上げる。すなわち、トラ
ック幅Ｐ２Ｗは、記録ヘッドのトラック幅を決定するた
め、正確に形成することが要求される。特に、近年は、
高面密度記録を可能とするため、すなわち、狭トラック
構造の記録ヘッドを形成するために、１．０μｍ以下の
サブミクロン寸法が要求される。そのために半導体加工
技術を利用して上部磁極をサブミクロンに加工する技術
や、より高い飽和磁束密度を持った磁性材料の使用が望
まれている。
【００２０】ここで、問題となるのは、フォトレジスト
膜（例えば、図２１のフォトレジスト膜１１３，１１
５）で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（エイペ
ックス部）の上に形成される上部磁極層（トップポー
ル）１１６を微細に形成することが困難であることであ
る。
【００２１】上部磁極を形成する方法としては、例えば
特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレ
ームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて
上部磁極を形成する場合は、まず、エイペックス部の上
に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形
成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィによりパターニングして、めっきのため
のフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した
電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極を
形成する。
【００２２】ところで、上述のエイペックス部では、例
えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペック
ス部上に形成されるフォトレジストの膜厚が最低３μｍ
以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジスト
は低い方に集まることから、エイペックス部の下方で
は、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜
が形成されることとなる。前述のように狭トラックを形
成するためには、フォトレジスト膜によってサブミクロ
ン幅のパターンを形成する必要がある。従って、８〜１
０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サ
ブミクロン幅の微細なパターンを形成する必要が生じる
が、これは極めて困難であった。
【００２３】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射
し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、
フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従
来は、トラックＰ２Ｗを正確に制御して、狭トラック構
造とするための上部磁極を精度よく形成することが極め
て困難であった。
【００２４】このようなことから、上述の従来例の図１
８〜図２１の工程でも示したように、記録ヘッドの狭ト
ラックの形成に有効な磁極先端部１１０で１．０μｍ以
下のトラック幅を形成した後、この磁極先端部１１０と
ヨーク部を兼ねる上部磁極層１１６とを接続させる方
法、すなわち、通常の上部磁極を、トラック幅を決定す
る磁極先端部１１０と、磁束を誘導するためのヨーク部
となる上部磁極層１１６との２つに分割する方法が採用
されている（特開昭６２−２４５５０９，特開昭６０−
１０４０９号公報参照）。このように上部磁極を２分割
することにより、一方の磁極先端部１１０を記録ギャッ
プ層１０９の平坦面上においてサブミクロン幅に微細に
加工することが可能になる。この磁極先端部１１０によ
り記録ヘッドのトラック幅が規定されるため、他方の上
部磁極層１１６は磁極先端部１１０程には微細に加工す
る必要はないといえる。
【００２５】しかしながら、記録ヘッドのトラック幅が
極微細、特に０．５μｍ以下になってくると、上部磁極
層１１６においてもサブミクロン幅の加工精度が要求さ
れる。すなわち、トラック面１１８（図２１）側から見
た場合、磁極先端部１１０と上部磁極層１１６との横方
向の寸法差が大き過ぎると、上部磁極層１１６側で書き
込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのため実
効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおいて、本
来のデータ記録領域以外の領域においても書き込みが行
われる、という不具合が発生する。
【００２６】このようなことから、磁極先端部１１０だ
けでなく、上部磁極層１１６もサブミクロン幅に加工す
る必要があるが、上部磁極層１１６の下のエイペックス
部には、依然、前述のような大きな高低差があるため、
上部磁極層１１６の微細加工が困難であった。
【００２７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極先端部だけでなく、上部磁極層
のサブミクロン幅の極微細加工が可能であり、特に記録
ヘッドの特性が改善された薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法を提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側
の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極お
よび第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束
を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイル
とを有する薄膜磁気ヘッドであって、第１の磁極を含む
第１の磁性層と、第２の磁極を構成する磁極先端部と、
少なくとも、磁極先端部および記録ギャップ層の記録媒
体に対向する側の反対面から第１の磁性層の一方の面に
連続的に形成された第１の絶縁層と、少なくともその膜
厚方向の一部が、第１の絶縁層が形成されている領域内
に形成された少なくとも一層の薄膜コイルと、少なくと
も、薄膜コイルの巻線間に形成された第２の絶縁層と、
磁極先端部の記録ギャップ層との隣接面の反対面の少な
くとも一部に接続されると共に、薄膜コイルの少なくと
も一部を覆うように形成された第２の磁性層とを備えた
構成を有している。
【００２９】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側
の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の磁極お
よび第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層と、磁束
を発生させるための１層あるいは２層以上の薄膜コイル
とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第１の
磁極を含む第１の磁性層を形成した後、第１の磁性層の
少なくとも第１の磁極の上に記録ギャップ層を介して第
２の磁極を構成する磁極先端部を選択的に形成する工程
と、少なくとも、磁極先端部および記録ギャップ層の記
録媒体に対向する側の反対面から第１の磁性層の一方の
面にかけて、第１の絶縁層を連続的に形成する工程と、
少なくともその膜厚方向の一部が、第１の絶縁層が形成
されている領域内となるように、少なくとも一層の薄膜
コイルを形成する工程と、第２の絶縁層を、少なくと
も、薄膜コイルの巻線間に形成する工程と、磁極先端部
の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面の少なくとも
一部に接続し、且つ、薄膜コイルの少なくとも一部を覆
うように第２の磁性層を形成する工程とを含むものであ
る。
【００３０】本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法では、磁極先端部および記録ギャップ層の記録媒
体に対向する側の反対面から第１の磁性層の一方の面に
第１の絶縁層が連続的に形成されると共に、この第１の
絶縁層が形成されている領域内に薄膜コイルが形成さ
れ、且つ、少なくとも、この薄膜コイルの巻線間が第２
の絶縁層により埋め込まれるので、その分、コイルを含
むエイペックス部の段差が従来構造に比べて低くなる。
すなわち、第２の磁極としての磁極先端部に接触する第
２の磁性層（上部磁極層）をフォトリソグラフィー技術
により形成する際に、エイペックス部の上部と下部とに
おいてフォトレジスト膜の厚さの差が低減される。よっ
て、第１の磁性層（下部磁極）上に平坦な記録ギャップ
層を介して形成することができる磁極先端部と共に、第
２の磁性層もサブミクロン寸法に微細化される。
【００３１】本発明による薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法では、上記構成に加えて、以下の態様とすること
が好ましい。
【００３２】すなわち、本発明による薄膜磁気ヘッドで
は、第１の絶縁層が、更に、磁極先端部の記録媒体に対
向する側の端面を除く両側面に沿って形成されている構
成とし、更には、第１の絶縁層が、磁極先端部の記録媒
体に対向する側の反対面から第２の磁性層の記録媒体に
対向する側の反対面まで連続的に形成されている構成と
することが好ましい。
【００３３】また、本発明による薄膜磁気ヘッドでは、
薄膜コイルの膜厚方向の全部を、第１の絶縁層が形成さ
れている領域内に形成する構成とし、更に、薄膜コイル
の第１の絶縁層との隣接面の反対面が、磁極先端部の記
録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面とな
るように構成することが好ましい。
【００３４】ここで、本発明において、「実質的に同一
面」とは、薄膜コイルの第１の絶縁層との隣接面の反対
面が、磁極先端部の記録ギャップ層との隣接面の反対面
と完全に同一面を構成する場合のみならず、両者の間に
若干の大きさの段差（薄膜コイルを構成する層の厚さの
１０〜２０％程度の段差）が形成される場合をも含む意
である。
【００３５】また、本発明による薄膜磁気ヘッドでは、
第１の絶縁層を、無機系の絶縁材料により形成する態様
とすることが好ましい。
【００３６】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドでは、
第１の磁性層と第１の絶縁層との間の一部領域に、記録
ギャップ層を介在させる構成とし、また、第１の磁性層
の磁極先端部側の面の少なくとも一部に凹部を形成し、
更に、第１の磁性層の凹部の記録媒体に対向する側の反
対面にも第１の絶縁層を形成する構成とすることが望ま
しい。
【００３７】また、本発明による薄膜磁気ヘッドでは、
第２の絶縁層が、磁極先端部の記録ギャップ層との隣接
面の反対面と実質的に同一面となるように構成すること
が好ましく、更に、第２の絶縁層が、第１の絶縁層と薄
膜コイルとの間にも形成されている構成とすることが好
ましい。
【００３８】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドでは、
第２の絶縁層と第２の磁性層との間に、第１および第２
の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆われて形成された少
なくとも１層の薄膜コイルを備える構成とすることが好
ましく、また、薄膜コイルのうち、第２の磁性層の最も
近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数が、これ以
外の薄膜コイルの巻数よりも少なく、最外部の薄膜コイ
ルを覆いエイペックスアングルを規定する絶縁層の傾斜
面がなだらかになるように構成することが好ましい。
【００３９】また、本発明による薄膜磁気ヘッドでは、
第１の絶縁層および第２の絶縁層に覆われた薄膜コイル
と他の絶縁層に覆われた薄膜コイルが、第２の絶縁層と
他の絶縁層との境界面において電気的に接続される構成
とし、更に、磁極先端部の記録媒体に対向する側の反対
面側の幅が、記録媒体に対向する側の幅よりも広くなる
ように構成することが望ましい。なお、本発明による薄
膜磁気ヘッドでは、更に、読み出し用の磁気抵抗素子を
備える構成とすることもできる。
【００４０】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、磁極先端部および前記薄膜コイルを含む全面
を前記第２の絶縁層により覆った後、薄膜コイルの第１
の絶縁層との隣接面の反対面が、磁極先端部の記録ギャ
ップ層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるよう
に平坦化する工程を含むことが望ましく、更に、第１の
磁性層の上の全面に記録ギャップ層を形成し、この記録
ギャップ層上に磁極先端部を選択的に形成した後、磁極
先端部をマスクとして記録ギャップ層および第１の磁性
層の表面を選択的にエッチングすることにより第１の磁
性層に凹部を形成する工程を含むことが好ましい。
【００４１】また、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、磁極先端部をマスクとして記録ギャップ層を
エッチングする際に、記録ギャップ層を一部残存させる
工程を含み、更に、平坦化された第２の絶縁層の上に、
第１および第２の絶縁層とは異なる他の絶縁層で覆われ
た少なくとも１層の薄膜コイルを形成する工程を含むよ
うにしてもよい。
【００４２】更に、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、薄膜コイルのうち、第２の磁性層の最も近く
に形成された最外部の薄膜コイルの巻数を、これ以外の
薄膜コイルの巻数よりも少なくし、最外部の薄膜コイル
を覆いエイペックスアングルを規定する絶縁層の傾斜面
をなだらかにする工程を含み、あるいは、磁極先端部の
表面を選択的にエッチングし、磁極先端部の側面に形成
された第１の絶縁層の端面よりも低くした後、磁極先端
部および第２の絶縁層の上に第２の磁性層を形成する工
程を含むようにしてもよい。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００４４】〔第１の実施の形態〕図１（ａ），（ｂ）
ないし図９（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明の第１
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜
磁気ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図１な
いし図９において、（ａ）はトラック面（ＡＢＳ）に垂
直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のトラック面に平行
な断面をそれぞれ示している。
【００４５】まず、図９（ａ），（ｂ）を参照して本実
施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成について説
明する。この磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果読み
出しヘッド部（以下，読み出しヘッド部という）１Ａ
と、記録用のインダクティブ記録ヘッド部（以下，記録
ヘッド部という）１Ｂとを有している。
【００４６】読み出しヘッド部１Ａは、例えばアルティ
ック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板１１上に、例
えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）により
形成された絶縁層１２、例えば珪化鉄アルミニウム（Ｆ
ｅＡｌＳｉ）により形成された下部シールド層１３、例
えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ，以下、アルミナと
いう）により形成されたシールドギャップ層１４を順次
介して磁気抵抗効果層（以下，ＭＲ膜という）１５のパ
ターンを形成したものである。また、シールドギャップ
層１４上には例えばタンタル（Ｔａ）やタングステン
（Ｗ）等のＭＲ膜に拡散しない材料により形成されたリ
ード端子層１６も形成されており、このリード端子層１
６がＭＲ膜１５に電気的に接続されている。ＭＲ膜１５
は、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）やニッケル（Ｎ
ｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金など磁気抵抗効果を有する
各種材料により形成されている。ＭＲ膜１５およびリー
ド端子層１６の上には例えばアルミナよりなるシールド
ギャップ層１７が積層されている。つまり、ＭＲ膜１５
とリード端子層１６とはシールドギャップ層１４，１７
間に埋設されている。なお、ＭＲ膜１５はＡＭＲ膜やＧ
ＭＲ膜などでもよい。
【００４７】記録ヘッド部１Ｂは、この読み出しヘッド
部１Ａ上に、ＭＲ膜１５に対する上部シールド層を兼ね
る下部磁極（下部ポール）１８および記録ギャップ層１
９を介して上部磁極を形成したものである。本実施の形
態では、上部磁極は２分割されており、トラック面側に
おいて記録ギャップ層１９上に形成された磁極先端部
（ポールチップ）２０と、この磁極先端部２０に接触す
ると共にエイペックス部の上面に沿って形成され、ヨー
ク部を兼ねた上部磁極層（上部ポール）２５とにより構
成されている。これら下部磁極１８、磁極先端部２０お
よび上部磁極層２５はそれぞれ例えばパーマロイ（Ｎｉ
Ｆｅ）により形成されている。この記録ヘッド部１Ｂで
は、磁極先端部２０に対向する下部磁極１８は、その表
面部分を一部突状に加工したトリム（Trim）構造となっ
ている。これにより、実効書き込みトラック幅の広が
り、すなわち、データの書き込み時において、下部磁極
１８における磁束の広がりが抑制される。
【００４８】本実施の形態においては、下部磁極１８が
本発明の第１の磁極および第１の磁性層に対応し、ま
た、磁極先端部２０が本発明の第２の磁極、上部磁極層
２５が本発明の第２の磁性層にそれぞれ対応している。
【００４９】本実施の形態では、磁極先端部２０、記録
ギャップ層１９および下部磁極１８の突状加工部に隣接
した領域をコイル形成領域２６と称する。すなわち、こ
のコイル形成領域２６は、磁極先端部２０をマスクにし
て記録ギャップ層１９および下部磁極１８の表面をエッ
チングして形成された凹部１８ａを含む領域に対応して
いる。このコイル形成領域２６の内壁面（底面および側
壁面）には絶縁層２１ａが形成されている。この絶縁層
２１ａ上に１層目の薄膜コイル２２が形成されている。
薄膜コイル２２のコイル間、および薄膜コイル２２と絶
縁層２１ａとの間は絶縁層２１ｂにより埋め込まれてお
り、この絶縁層２１ｂの表面と磁極先端部２０の表面と
が同一面を構成するように平坦化されている。よって、
この薄膜コイル２２の分だけ、後述の薄膜コイル２３を
含むエイペックス部の段差が低くなっている。なお、絶
縁層２１ａが本発明の第１の絶縁層、絶縁層２１ｂが本
発明の第２の絶縁層にそれぞれ対応している。
【００５０】平坦化された絶縁層２１ｂ上には２層目の
薄膜コイル２３が形成されており、この薄膜コイル２３
は例えばフォトレジストからなる絶縁層２４により覆わ
れている。この絶縁層２４が本発明の他の絶縁層に対応
している。絶縁層２４上にはヨーク部を兼ねる上部磁極
層２５が形成されている。上部磁極層２５は、薄膜コイ
ル２２，２３よりも後方の位置において、磁極先端部２
０と同一工程において形成された後述の接続部パターン
２０ａを介して下部磁極１８と接触している。上部磁極
層２５はオーバーコート層（図示せず）により覆われて
いる。なお、薄膜コイル２２，２３は絶縁層２１ｂと絶
縁層２４との境界面において電気的に接続されている。
【００５１】この磁気ヘッドでは、読み出しヘッド部１
Ａにおいて、ＭＲ膜１５の磁気抵抗効果を利用して図示
しない磁気ディスクから情報の読み出しが行われると共
に、記録ヘッド部１Ｂにおいて、薄膜コイル２２，２３
による、磁極先端部２０と下部磁極１８との間の磁束の
変化を利用して磁気ディスクに対して情報が書き込まれ
る。
【００５２】次に、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。
【００５３】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）からなる基板１１上に、例えばスパッタ法に
より例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１２
を、約３〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶縁層
１２上に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法
にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択
的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層１３を形
成する。続いて、例えばスパッタまたはＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）法により約４〜６μｍの厚さの
アルミナ膜（図示せず）を形成し、ＣＭＰ（Chemical a
nd Mechanical Polishing : 化学的機械研磨）によって
平坦化する。
【００５４】次に、図２に示したように、下部シールド
層１３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ法により堆積し、シールドギャップ層１４
を形成する。続いて、シールドギャップ層１４上に、再
生用のＧＭＲ素子またはＭＲ素子を構成するためのＭＲ
膜１５を、数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフォトリ
ソグラフィで所望の形状とする。続いて、このＭＲ膜１
５に対するリード端子層１６をリフトオフ法により形成
する。次いで、シールドギャップ層１４、ＭＲ膜１５お
よびリード端子層１６上に、シールドギャップ層１７を
形成し、ＭＲ膜１５およびリード端子層１６をシールド
ギャップ層１４，１７内に埋設する。
【００５５】続いて、シールドギャップ膜１７上に、例
えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼
ねた下部磁極１８を、約３〜４μｍの厚みで形成する。
【００５６】次に、図３に示したように、下部磁極１８
上に、例えば、スパッタ法により絶縁材料、例えばアル
ミナよりなる膜厚０．２〜０．３μｍの記録ギャップ層
１９を形成する。記録ギャップ層１９は、アルミナの
他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物系、
シリコン窒化物系の材料などにより形成するようにして
もよい。続いて、この記録ギャップ層１９をフォトリソ
グラフィーによりパターニングし、上部磁極と下部磁極
との接続用の開口１９ａを形成する。続いて、記録ギャ
ップ層１９上に記録ヘッドのトラック幅を決定するため
の磁極先端部（ポールチップ）２０をフォトリソグラフ
ィーにより形成する。すなわち、記録ギャップ層１９上
に、例えばスパッタ法により高飽和磁束密度材料（Ｈｉ
−Ｂｓ材）、例えばＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆ
ｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆ
ｅ：２０重量％），ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮ
などからなる、膜厚２〜４μｍの磁極層を形成する。続
いて、この磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例
えばＡｒ（アルゴン）のイオンミリングによって選択的
に除去し、磁極先端部２０を形成すると共に、上部磁極
と下部磁極の接続用の接続部パターン２０ａを形成す
る。この接続部パターン２０ａにより下部磁極１８と後
述の上部磁極層２５とが接続され、後述のＣＭＰ工程後
の開口（スルーホール）の形成が容易になる。この磁極
先端部２０はフォトレジストマスクの代わりにアルミナ
等の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングする
ようにしてもよく、また、このようなフォトリソグラフ
ィーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などによ
って形成するようにしてもよい。
【００５７】続いて、図４に示したように、磁極先端部
２０をマスクとして、その周辺の記録ギャップ層１９を
自己整合的にエッチングする。すなわち、磁極先端部２
０をマスクとした塩素系ガス（Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ，ＢＣｌ
2 ，ＳＦ6 等）によるＲＩＥ（Reactive Ion Etching)
により、記録ギャップ層１９を選択的に除去した後、露
出した下部磁極１８を、再び、例えばＡｒのイオンミリ
ングによって約０．３〜０．６μｍ程度エッチングし
て、トリム構造の記録トラックを形成すると共に凹部１
８ａを形成する。
【００５８】次に、図５に示したように、下部磁極１８
の凹部１８ａを含む全面に、例えばスパッタ法またはＣ
ＶＤ法により、膜厚約０．５〜１．５μｍの例えばアル
ミナからなる絶縁層２１ａを形成する。続いて、凹部１
８ａ内の絶縁層２１ａ上に、例えば電解めっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
１層目の薄膜コイル２２を２〜３μｍの厚みで形成す
る。
【００５９】次に、図６に示したように、凹部１８ａ内
の薄膜コイル２２を含む全面に、例えばスパッタ法また
はＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナ
からなる絶縁層２１ｂを形成する。なお、この絶縁層２
１ａや絶縁層２１ｂは、アルミナに限らず、二酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料
により形成してもよい。
【００６０】次に、図７に示したように、ＣＭＰ法によ
り、磁極先端部２０の表面が露出するように絶縁層２１
ｂおよび絶縁層２１ａをエッチングして、絶縁層２１ｂ
の表面と磁極先端部２０の表面とが同一面を構成するよ
うに平坦化する。なお、磁極先端部２０の表面と薄膜コ
イル２２の表面が同一面を構成するようにしてもよい。
【００６１】次に、図８に示したように、平坦化された
絶縁層２１ｂ上に、例えば電解めっき法により、例えば
銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の２層目の薄
膜コイル２３を２〜３μｍの厚みで形成する。続いて、
この薄膜コイル２３上に、フォトレジスト膜２４を、高
精度のフォトリソグラフィーで所定のパターンに形成す
る。次に、フォトレジスト膜２４の平坦化および薄膜コ
イル２３間の絶縁化のために、例えば約２００°Ｃの温
度で熱処理（アニール）する。
【００６２】次に、図９に示したように、例えば磁極先
端部２０と同じ材料を用いて、フォトリソグラフィーに
より、上部磁極層２５を約３〜４μｍの厚みに形成す
る。なお、上部磁極層２５も、例えば、電解めっき法や
スパッタ法などの他の方法によって形成するようにして
もよい。この上部磁極層２５は、薄膜コイル２２，２３
よりも後方の位置において、接続パターン２０ａを介し
て、下部磁極１８と接触し、磁気的に連結される。最後
に、図示しないが、上部磁極層２５上に、例えばスパッ
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層を形成する。その後、スライダの機械加工を行
い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（ＡＢ
Ｓ）２７を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成
する。
【００６３】以上のように、本実施の形態では、上部磁
極を磁極先端部２０と上部磁極層２５とに２分割し、磁
極先端部２０を、下部磁極１８上の平坦面に形成するよ
うにしたので、記録トラック幅を規制する磁極先端部２
０をサブミクロン寸法に精度良く形成することができ
る。加えて、本実施の形態では、１層目の薄膜コイル２
２が絶縁層２１ｂによってコイル形成領域２６内に埋め
込まれると共に、絶縁層２１ｂの表面が磁極先端部２０
の表面と同一面を形成する程度に平坦化されている。す
なわち、薄膜コイル２３を含むエイペックス部の段差
が、薄膜コイル２２の分だけ、従来構造に比べて低くな
る。従って、磁極先端部２０に部分的に接触する上部磁
極層２５をフォトリソグラフィーにより形成する際に、
エイペックス部の上部と下部においてフォトレジスト膜
の厚さの差が低減され、その結果、上部磁極層２５のサ
ブミクロン寸法の微細化を図ることが可能になる。よっ
て、本実施の形態により得られる薄膜磁気ヘッドでは、
記録ヘッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを
２層，３層と積層して記録ヘッドの性能を更に向上させ
ることができる。なお、磁極先端部２０および上部磁極
層２５のフォトリソグラフィーの際に、フォトレジスト
の代わりに無機系絶縁層をマスクとすることにより、磁
極先端部２０および上部磁極層２５の微細化を、より高
精度に実現することができる。また、磁極先端部２０お
よび上部磁極層２５をフォトリソグラフィー以外のスパ
ッタ等により形成する場合においても、同様に、エイペ
ックス部の段差の影響が低減されるため、磁極先端部２
０および上部磁極層２５の微細化を図ることができる。
【００６４】また、本実施の形態では、磁極先端部２
０，上部磁極層２５等の磁性層は高飽和磁束密度（Ｈｉ
−Ｂｓ）材により形成されているので、トラック幅が狭
くなっても、薄膜コイル２２，２３に発生した磁気が途
中飽和することなく、有効に磁極先端部２０に到達し、
これによって磁気損失のない記録ヘッドを実現できる。
【００６５】また、本実施の形態では、薄膜コイル２
２，２３と上部シールドを兼ねた下部磁極１８との間に
絶縁層２１ａが形成されているため、その厚さを調整す
ることにより薄膜コイル２２，２３と上部シールドとの
間に大きな絶縁耐圧を得ることができ、絶縁性を保持す
ることができると共に薄膜コイル２２，２３からの磁束
の漏れを低減できる。
【００６６】また、本実施の形態では、磁極先端部２０
でスロートハイトが決定されるため、従来のフォトレジ
スト膜のように、端縁の位置変動（パターンシフト）お
よびプロファイル悪化が生じることがない。そのため、
スロートハイトの正確な制御が可能になる。更に、ＭＲ
ハイトの正確な制御や、エイペックスアングルの正確な
制御も可能となる。
【００６７】このようにして、本実施の形態によれば、
磁極先端部２０および上部磁極層２５を共にサブミクロ
ン寸法に加工することができると共にスロートハイト、
およびＭＲハイトが正確に制御され、且つ狭トラックの
書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック
幅の増加を防止できる、高性能の狭トラック構造の薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。
【００６８】以下、本発明の他の実施の形態について説
明する。なお、以下の説明では、第１の実施の形態と同
一の構成部分については同一の符号を付してその説明は
省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６９】〔第２の実施の形態〕図１０（ａ），
（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る複合型薄膜
磁気ヘッドの構成を表すものである。上記実施の形態で
は、下部磁極１８をエッチングして凹部１８ａを形成す
る際に、記録ギャップ層１９も同時に全部エッチングす
るようにしたが、本実施の形態では、記録ギャップ層１
９を一部残すように構成したものである。このような構
成とすることにより、本実施の形態では、第１の実施の
形態に比べて、上部磁極層２５と下部磁極１８との間の
磁束の漏れをより低減させることができる。また、第１
の実施の形態に比べて、下部磁極１８のエッチング量が
少ないので、薄くなることがなく、よって磁束の飽和が
ここで発生することがない。その他の効果は第１の実施
の形態と同様である。
【００７０】〔第３の実施の形態〕本実施の形態に係る
複合型薄膜磁気ヘッドは、図１１（ａ），（ｂ）に示し
たように、積層構造のコイル部の上部磁極層２５に最も
近くに形成される最外部（ここでは、２層目）の薄膜コ
イル２３の巻数が下層（１層目）の薄膜コイル２２の巻
数よりも少なくなるように構成したものである。本実施
の形態では、薄膜コイル２２のトラック側のコイルが１
本削除されている。このような構成により、上層の薄膜
コイル２３を覆いエイペックスアングルを規定するフォ
トレジスト膜２４の傾斜面が第１の実施の形態に比べて
なだらかになる。このようにエイペックス部がなだらか
になることにより、上部磁極層２５ａをパターニングす
るためのフォトレジスト膜の微細化が可能になり、よっ
て上部磁極層２５の微細化がより容易になる。
【００７１】〔第４の実施の形態〕本実施の形態に係る
複合型薄膜磁気ヘッドは、図１２（ａ），（ｂ）に示し
たように、コイル部を薄膜コイル２２の１層構造とする
と共に薄膜コイル２２を上記実施の形態よりも狭いピッ
チで形成し、磁極先端部２０および絶縁層２１ｂ上に上
部磁極層２５ｂを形成するものである。このような構成
とすることにより、上部磁極層２５ｂを、磁極先端部２
０および絶縁層２１ｂがなす平坦面上に直接に形成する
ことができ、上記実施の形態よりも、更に記録ヘッドの
トラック幅の微細化を図ることができる。
【００７２】〔第５の実施の形態〕本実施の形態に係る
複合型薄膜磁気ヘッドは、図１３（ａ），（ｂ）に示し
たように、磁極先端部２０の表面に凹部２８を形成した
ものである。すなわち、第１の実施の形態において、図
６および図７の工程において説明したように、凹部１８
ａ内の薄膜コイル２２を含む全面に絶縁層２１ｂを形成
し、ＣＭＰ法によって磁極先端部２０の表面が露出する
ように平坦化した後、図１３（ａ），（ｂ）に示したよ
うに、露出した磁極先端部２０（および絶縁層２１ａ）
の一部分を例えばＡｒのイオンミリングにより約０．３
μｍ以上の深さにエッチングして凹部２８およびテーパ
面２８ａを形成する。その後、この凹部２８から、コイ
ル２２を覆う絶縁層２１ｂおよび接続部パターン２０ａ
の上にかけて上部磁極層２５ｃを形成する。
【００７３】このような構成により本実施の形態では、
磁極先端部２０の両側の絶縁層２１ａにテーパ面２６ａ
が形成され、磁極先端部２０と上部磁極層２５ｃとが垂
直に接触していない。このため、この部分において磁束
が飽和することがなく、よって磁束立ち上がり時間（Fl
ux Rise Time) が短くなると共に、他のメディアに書き
込む不具合（サイドライト）が発生することがなくな
り、書き込み特性が向上する。本実施の形態におけるそ
の他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００７４】なお、図１４は上記実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドの平面図であり、図１５は磁極先端部２０と
上部磁極層２５とを取り出して表す平面図である。図１
５は、スライダの機械加工を行う前の状態を表してい
る。これらの図において、ＴＨはスロートハイトを表し
ており、このスロートハイトＴＨは、前述のようにコイ
ル形成部２６に埋め込まれた絶縁層２１ａおよび絶縁層
２１ｂの磁極部分側の端縁によって規定される。なお、
磁極先端部２０を、図１４に示したように、コイル側の
幅を、トラック面側の幅よりも広くなるように、例えば
ロート状に形成することによっても磁束の飽和を抑制す
ることができる。
【００７５】以上実施の形態を挙げて本発明を説明した
が、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく
種々変形可能である。例えば、上記実施の形態におい
て、磁極先端部２０および上部磁極層２５，２５ａ〜２
５ｃには、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重
量％），ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）の他、ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒ等の高飽和磁束密度材
を用いる例について説明したが、これらの材料を２種類
以上積層した構造としてもよい。
【００７６】また、上記実施の形態では、コイル形成部
２６内に埋め込む薄膜コイルを１層としたが、２層以上
のコイルを埋め込む積層構造としてもよい。
【００７７】なお、第２の磁性層（上部磁極層２５）
は、必ずしも、媒体対向面（空気ベアリング面）側に露
出させる必要はない。つまり、第２の磁性層は、磁極先
端部の全表面で接する必要はなく、媒体対向面から内側
（例えば図９において右側）に後退した位置で接する構
造とするようにしてもよい。この場合、第２の磁性層は
オーバーコート層によって被覆されるため、媒体対向面
に露出することはない。
【００７８】また、上記各実施の形態では、複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明は、
書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄
膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の薄膜磁気ヘッドの製造
にも適用することができる。また、本発明は、書き込み
用の素子と読み出し用の素子の積層の順序を入れ換えた
構造の薄膜磁気ヘッドの製造にも適用することができ
る。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド、または
請求項１７ないし請求項２５のいずれか１項に記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法によれば、磁極先端部および記
録ギャップ層の記録媒体に対向する側の反対面から第１
の磁性層の一方の面に第１の絶縁層を連続的に形成する
と共に、この第１の絶縁層が形成されている領域内に薄
膜コイルを形成し、且つ、少なくとも、この薄膜コイル
の巻線間を第２の絶縁層により埋め込むようにしたの
で、コイルを含むエイペックス部の段差が従来構造に比
べて低くなる。これにより、第２の磁極としての磁極先
端部に対して部分的に接触する第２の磁性層（上部磁極
層）を、フォトリソグラフィー等により形成する際に、
エイペックス部の段差の影響が低減される。よって、磁
極先端部と共に、第２の磁性層もサブミクロン寸法に微
細加工することができ、記録ヘッドの書き込み性能が著
しく向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態によって製造され
る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１５】図１４の薄膜磁気ヘッドの磁極先端部および
上部磁極を取り出して表す平面図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【符号の説明】
１１…基板、１８…上部シールド兼下部磁極（下部磁
極）、１９…記録ギャップ層、２０…磁極先端部（第１
の磁極）、２１ａ…絶縁層（第１の絶縁層）、２１ｂ…
絶縁層（第２の絶縁層）、２２，２３…薄膜コイル、２
４…フォトレジスト膜、２５，２５ａ，２５ｂ，２５ｃ
…上部磁極層

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
    する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１の
    磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層
    と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄
    膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁極を含む第１の磁性層と、 前記第２の磁極を構成する磁極先端部と、 少なくとも、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層
    の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１の磁
    性層の一方の面に連続的に形成された第１の絶縁層と、 少なくともその膜厚方向の一部が、前記第１の絶縁層が
    形成されている領域内に形成された少なくとも一層の薄
    膜コイルと、 少なくとも、前記薄膜コイルの巻線間に形成された第２
    の絶縁層と、 前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対
    面の少なくとも一部に接続されると共に、前記薄膜コイ
    ルの少なくとも一部を覆うように形成された第２の磁性
    層とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第１の絶縁層は、更に、前記磁極先
    端部の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に
    沿って形成されていることを特徴とする請求項１記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記第１の絶縁層は、更に、前記磁極先
    端部の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第２
    の磁性層の前記記録媒体に対向する側の反対面まで連続
    的に形成されていることを特徴とする請求項１または２
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記薄膜コイルの膜厚方向の全部が、前
    記第１の絶縁層が形成されている領域内に形成されてい
    ることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記薄膜コイルの前記第１の絶縁層との
    隣接面の反対面が、前記磁極先端部の前記記録ギャップ
    層との隣接面の反対面と実質的に同一面となるように形
    成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいず
    れか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第１の絶縁層は、無機系の絶縁材料
    により形成されていることを特徴とする請求項１ないし
    ５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記第１の磁性層と前記第１の絶縁層と
    の間の一部領域に、記録ギャップ層が介在していること
    を特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第１の磁性層の前記磁極先端部側の
    面の少なくとも一部に、凹部が形成されていることを特
    徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記第１の磁性層の前記凹部の前記記録
    媒体に対向する側の反対面に第１の絶縁層が形成されて
    いることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記第２の絶縁層が、前記磁極先端部
    の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面と実質的に同
    一面となるように形成されていることを特徴とする請求
    項１ないし９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記第２の絶縁層が、前記第１の絶縁
    層と前記薄膜コイルとの間にも形成されていることを特
    徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記第２の絶縁層と前記第２の磁性層
    との間に、更に、前記第１および第２の絶縁層とは異な
    る他の絶縁層に覆われて形成された少なくとも１層の薄
    膜コイルを備えたことを特徴とする請求項１ないし１１
    のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記薄膜コイルのうち、前記第２の磁
    性層の最も近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数
    が、これ以外の薄膜コイルの巻数よりも少なく、前記最
    外部の薄膜コイルを覆いエイペックスアングルを規定す
    る絶縁層の傾斜面がなだらかであることを特徴とする請
    求項１ないし１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  14. 【請求項１４】 前記第１の絶縁層および前記第２の絶
    縁層に覆われた前記薄膜コイルと前記他の絶縁層に覆わ
    れた前記薄膜コイルが、前記第２の絶縁層と前記他の絶
    縁層との境界面において電気的に接続されていることを
    特徴とする請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】 前記磁極先端部の記録媒体に対向する
    側の反対面側の幅が、記録媒体に対向する側の幅よりも
    広くなるように形成されていることを特徴とする請求項
    １ないし１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 更に、読み出し用の磁気抵抗素子を備
    えたことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１
    項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対
    向する側の一部が記録ギャップ層を介して対向する第１
    の磁極および第２の磁極を含む少なくとも２つの磁性層
    と、磁束を発生させるための１層あるいは２層以上の薄
    膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であっ
    て、 第１の磁極を含む第１の磁性層を形成した後、前記第１
    の磁性層の少なくとも第１の磁極の上に記録ギャップ層
    を介して第２の磁極を構成する磁極先端部を選択的に形
    成する工程と、 少なくとも、前記磁極先端部および前記記録ギャップ層
    の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記第１の磁
    性層の一方の面にかけて、第１の絶縁層を連続的に形成
    する工程と、 少なくともその膜厚方向の一部が、前記第１の絶縁層が
    形成されている領域内となるように、少なくとも一層の
    薄膜コイルを形成する工程と、 第２の絶縁層を、少なくとも、前記薄膜コイルの巻線間
    に形成する工程と、 前記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対
    面の少なくとも一部に接続し、且つ、前記薄膜コイルの
    少なくとも一部を覆うように第２の磁性層を形成する工
    程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 前記磁極先端部および前記薄膜コイル
    を含む全面を前記第２の絶縁層により覆った後、前記薄
    膜コイルの前記第１の絶縁層との隣接面の反対面が、前
    記磁極先端部の前記記録ギャップ層との隣接面の反対面
    と実質的に同一面となるように平坦化することを特徴と
    する請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記第１の絶縁層を無機系の絶縁材料
    により形成することを特徴とする請求項１７または１８
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記第１の磁性層の上の全面に記録ギ
    ャップ層を形成し、この記録ギャップ層上に前記磁極先
    端部を選択的に形成した後、前記磁極先端部をマスクと
    して前記記録ギャップ層および前記第１の磁性層の表面
    を選択的にエッチングすることにより前記第１の磁性層
    に凹部を形成することを特徴とする請求項１７ないし１
    ９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記磁極先端部をマスクとして前記記
    録ギャップ層をエッチングする際に、前記記録ギャップ
    層を一部残存させることを特徴とする請求項２０記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記平坦化された第２の絶縁層の上
    に、更に、第１および第２の絶縁層とは異なる他の絶縁
    層で覆われた少なくとも１層の薄膜コイルを形成するこ
    とを特徴とする請求項１８ないし２１のいずれか１項に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記薄膜コイルのうち、前記第２の磁
    性層の最も近くに形成された最外部の薄膜コイルの巻数
    を、これ以外の薄膜コイルの巻数よりも少なくし、前記
    最外部の薄膜コイルを覆いエイペックスアングルを規定
    する絶縁層の傾斜面をなだらかにすることを請求項１８
    ないし２２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  24. 【請求項２４】 前記磁極先端部の表面を選択的にエッ
    チングし、前記磁極先端部の側面に形成された第１の絶
    縁層の端面よりも低くした後、前記磁極先端部および前
    記第２の絶縁層の上に前記第２の磁性層を形成すること
    を特徴とする請求項１７ないし２３のいずれか１項に記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  25. 【請求項２５】 更に、読み出し用の磁気抵抗素子を形
    成する工程を含むことを特徴とする請求項１７ないし請
    求項２４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
JP10163676A 1998-06-11 1998-06-11 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 Pending JPH11353616A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10163676A JPH11353616A (ja) 1998-06-11 1998-06-11 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US09/328,415 US6333841B1 (en) 1998-06-11 1999-06-09 Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
US10/003,244 US6836956B2 (en) 1998-06-11 2001-12-06 Method of manufacturing a thin film magnetic head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10163676A JPH11353616A (ja) 1998-06-11 1998-06-11 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11353616A true JPH11353616A (ja) 1999-12-24

Family

ID=15778489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10163676A Pending JPH11353616A (ja) 1998-06-11 1998-06-11 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6333841B1 (ja)
JP (1) JPH11353616A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001093268A3 (en) * 2000-06-01 2002-05-02 Seagate Technology Magnetic recording head with dielectric layer
US6648605B2 (en) * 2001-10-10 2003-11-18 Caterpillar Inc Pump utilizing dissimilar materials to compensate for temperature change
US6665142B2 (en) 1999-12-27 2003-12-16 Tdk Corporation Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
US6731457B2 (en) 2000-01-14 2004-05-04 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head suitable for narrow tracks
US6747851B2 (en) 2000-02-10 2004-06-08 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
US7111387B2 (en) 2000-01-24 2006-09-26 Alps Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film magnetic head comprising an insulating layer provided between a core and coil
US7248435B2 (en) 2003-05-14 2007-07-24 Tdk Corporation Thin-film magnetic head with gap and pole portion layers having cross sections of the same shapes and predetermined parameter ranges
US7321480B2 (en) 2003-09-11 2008-01-22 Tdk Corporation Thin-film magnetic head having magnetic layers of different thicknesses and fabrication method for same

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3366256B2 (ja) * 1998-07-02 2003-01-14 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2001052309A (ja) 1999-08-06 2001-02-23 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3373181B2 (ja) * 1999-09-17 2003-02-04 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3492953B2 (ja) * 1999-10-05 2004-02-03 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6594122B1 (en) * 2000-01-11 2003-07-15 Seagate Technology Llc GMR head with reduced topology for high speed recording with submicron track width
JP3499490B2 (ja) * 2000-02-16 2004-02-23 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6693769B2 (en) * 2001-06-18 2004-02-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High data rate write head
US6977796B2 (en) * 2002-02-08 2005-12-20 Headway Technologies, Inc. Wiring pattern and method of manufacturing the same and thin film magnetic head and method of manufacturing the same
US7006327B2 (en) 2003-02-27 2006-02-28 Western Digital (Fremont), Inc. Thin film recording head with a buried coil providing a shortened yoke and improved dimension control
US6809436B2 (en) * 2003-03-14 2004-10-26 Delphi Technologies, Inc. Microactuator having a ferromagnetic substrate
US7310204B1 (en) 2003-12-19 2007-12-18 Western Digital (Fremont), Llc Inductive writer design for using a soft magnetic pedestal having a high magnetic saturation layer
FR2870037B1 (fr) * 2004-05-04 2006-07-14 Commissariat Energie Atomique Systeme d'enregistrement d'informations et procede d'utilisation d'un tel systeme
US7649711B2 (en) * 2004-10-29 2010-01-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Double notched shield and pole structure for stray field reduction in a magnetic head
US7616403B2 (en) * 2004-10-29 2009-11-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Winged design for reducing corner stray magnetic fields
US7627942B2 (en) * 2005-03-25 2009-12-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for using CVD process to encapsulate coil in a magnetic write head
US7313863B2 (en) 2005-06-07 2008-01-01 Headway Technologies, Inc. Method to form a cavity having inner walls of varying slope
US20070183093A1 (en) * 2006-02-07 2007-08-09 Quang Le Protective layer for CMP assisted lift-off process and method of fabrication
US7562437B2 (en) * 2006-04-25 2009-07-21 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of manufacturing a wrap around shield for a perpendicular write pole using a laminated mask
US8238057B2 (en) * 2009-02-19 2012-08-07 Tdk Corporation Magnetic head, head assembly and magnetic recording/reproducing apparatus and method for manufacturing magnetic head
FR3024574B1 (fr) * 2014-07-31 2017-10-27 Continental Automotive France Dispositif de communication par couplage magnetique

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6010409A (ja) 1983-06-29 1985-01-19 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPS62245509A (ja) 1986-04-18 1987-10-26 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
EP0548511B1 (en) * 1991-12-18 1999-09-01 Hewlett-Packard Company Thin film inductive transducer having improved write capability
JPH06215323A (ja) * 1993-01-13 1994-08-05 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5438747A (en) 1994-03-09 1995-08-08 International Business Machines Corporation Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips
JPH0922512A (ja) * 1995-07-05 1997-01-21 Sony Corp 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US5805391A (en) * 1996-10-28 1998-09-08 International Business Machines Corporation Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height
US5793578A (en) * 1996-11-15 1998-08-11 International Business Machines Corporation Thin film induction recording head having an inset first insulation layer that defines zero throat height and pole tip apex angle
JPH10334409A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
US5966800A (en) * 1997-07-28 1999-10-19 Read-Rite Corporation Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material
JP3369444B2 (ja) * 1997-09-12 2003-01-20 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッド
US6018862A (en) * 1997-10-07 2000-02-01 Seagate Technology, Inc. Thin-film magnetic recording head using a plated metal gap layer
US6122144A (en) * 1997-12-22 2000-09-19 International Business Machines Corporation Contoured pole tip structures for minimizing side track erasure
JP3371081B2 (ja) * 1997-12-26 2003-01-27 ティーディーケイ株式会社 複合型薄膜磁気ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法および製造方法に用いる複合型薄膜磁気ヘッド用共通ユニット
US5996213A (en) * 1998-01-30 1999-12-07 Read-Rite Corporation Thin film MR head and method of making wherein pole trim takes place at the wafer level
JP3782228B2 (ja) * 1998-02-27 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6043959A (en) * 1998-03-23 2000-03-28 Read-Rite Corporation Inductive write head formed with flat yoke and merged with magnetoresistive read transducer
US6172848B1 (en) * 1998-04-10 2001-01-09 International Business Machines Corporation Write head with self aligned pedestal shaped pole tips that are separated by a zero throat height defining layer
US6130809A (en) * 1998-04-10 2000-10-10 International Business Machines Corporation Write head before read head constructed merged magnetic head with track width and zero throat height defined by first pole tip
JPH11339223A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 磁性層のエッチング方法、薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000105907A (ja) * 1998-07-30 2000-04-11 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6317288B1 (en) * 1998-08-28 2001-11-13 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6665142B2 (en) 1999-12-27 2003-12-16 Tdk Corporation Thin film magnetic head and method of manufacturing the same
US6952866B2 (en) 1999-12-27 2005-10-11 Tdk Corporation Method of manufacturing the thin film magnetic head
US6731457B2 (en) 2000-01-14 2004-05-04 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head suitable for narrow tracks
US7111387B2 (en) 2000-01-24 2006-09-26 Alps Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film magnetic head comprising an insulating layer provided between a core and coil
US7275305B2 (en) 2000-02-10 2007-10-02 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin-film magnetic head
US6747851B2 (en) 2000-02-10 2004-06-08 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
US7075757B2 (en) 2000-02-10 2006-07-11 Tdk Corporation Thin-film magnetic head and method of manufacturing same
US7637001B2 (en) 2000-02-10 2009-12-29 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin-film magnetic head
US7975367B2 (en) 2000-02-10 2011-07-12 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin-film magnetic head
US8448330B2 (en) 2000-02-10 2013-05-28 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin-film magnetic head
US6775098B2 (en) 2000-06-01 2004-08-10 Seagate Technology Llc Magnetic recording head with dielectric layer separating magnetic pole tips extensions from the zero throat coil insulator
GB2379324B (en) * 2000-06-01 2004-11-10 Seagate Technology Llc Magnetic recording head with dielectric layer
GB2379324A (en) * 2000-06-01 2003-03-05 Seagate Technology Llc Magnetic recording head with dielectric layer
WO2001093268A3 (en) * 2000-06-01 2002-05-02 Seagate Technology Magnetic recording head with dielectric layer
US6648605B2 (en) * 2001-10-10 2003-11-18 Caterpillar Inc Pump utilizing dissimilar materials to compensate for temperature change
US7248435B2 (en) 2003-05-14 2007-07-24 Tdk Corporation Thin-film magnetic head with gap and pole portion layers having cross sections of the same shapes and predetermined parameter ranges
US7321480B2 (en) 2003-09-11 2008-01-22 Tdk Corporation Thin-film magnetic head having magnetic layers of different thicknesses and fabrication method for same

Also Published As

Publication number Publication date
US6836956B2 (en) 2005-01-04
US6333841B1 (en) 2001-12-25
US20020041465A1 (en) 2002-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11353616A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6353995B1 (en) Thin film mangetic head and method of manufacturing same
JP3859398B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3373167B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3523092B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3522595B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JPH11339223A (ja) 磁性層のエッチング方法、薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法および薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3781399B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2000293815A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3522593B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3560872B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3784182B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2001034911A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3421635B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6940689B2 (en) Thin-film magnetic head comprising a first pole layer having multiple layers including a second layer and a thin-film coil having a portion disposed between the second layer and a coupling portion and method of manufacturing the thin-film magnetic head
JP3527138B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜コイル素子およびその製造方法
JP2001167408A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001084511A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7002776B2 (en) Thin film magnetic head and method of manufacturing same
JP3469473B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2000155914A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2002008207A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JPH11328617A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3830070B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2000137902A (ja) 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021213