JP3782228B2 - 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基体上に、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドについてもその性能向上が求められている。
薄膜磁気ヘッドは、書き込みを目的とする記録ヘッドと読み出しを目的とする再生ヘッドを積層した構造になっているが、再生ヘッドの性能向上に関しては、磁気抵抗素子が広く用いられている。このような磁気抵抗素子としては、通常の異方性磁気抵抗(AMR:Anisotropic Magneto Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてきたが、これよりも抵抗変化率が数倍も大きな巨大磁気抵抗(GMR:Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも開発されている。
本明細書では、これらAMR素子およびGMR素子を総称して磁気抵抗再生素子またはMR再生素子と称することにする。
【0003】
AMR素子を使用することにより、数ギガビット/インチ2 の面記録密度を実現することができ、またGMR素子を使用することにより、さらに面記録密度を上げることができる。このように面記録密度を高くすることによって、10Gバイト以上の大容量のハードディスク装置の実現が可能となってきている。
このような磁気抵抗再生素子よりなる再生ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、磁気抵抗再生素子の高さ( MR Height :MRハイト) がある。このMRハイトは、端面がエアベアリング面に露出する磁気抵抗再生素子の、エアベアリング面から測った距離であり、薄膜磁気ヘッドの製造過程においては、エアベアリング面を研磨して形成する際の研磨量を制御することによって所望のMRハイトを得るようにしている。
【0004】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を上げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。このためには、エアベアリング面におけるライトギャップ(write gap)の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。
【0005】
書込用薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因の一つとして、スロートハイト(Throat Height : TH) がある。このスロートハイトは、エアベアリング面から薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの磁極部分の距離であり、この距離をできるだけ短くすることが望まれている。このスロートハイトの縮小化もまた、エアベアリング面からの研磨量で決定される。
したがって、薄膜磁気記録・再生複合ヘッドの性能を向上させるためには、記録ヘッドの特性のみを改善したり、再生ヘッドの特性のみを改善するよりも、これら記録ヘッドおよび再生ヘッドの特性をバランスさせることがきわめて重要である。
【0006】
図1〜12は従来の標準的な薄膜磁気ヘッドの製造方法における順次の工程および完成した従来の薄膜磁気ヘッドを示すものであり、この薄膜磁気ヘッドは誘導型の書込用薄膜磁気ヘッドおよび読取用のMR再生素子とを積層した複合型のものである。
先ず、図1に示すように、例えばアルティック(AlTiC) より成る基板11上にアルミナ絶縁層12を約5〜10μm の厚さに堆積する。次に、図2に示すように、読取用ヘッドのMR素子を外部磁界の影響から保護する磁気シールドを構成する下部シールド磁性層13を3μm の膜厚で形成した後、図3に示すようにアルミナを100〜150nmの膜厚にスパッタ堆積させて絶縁層14を形成する。
【0007】
図3に示すように、この絶縁層14の上にMR再生素子を構成するための磁気抵抗効果を有する材料より成る磁気抵抗層15を数十nmの膜厚に形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とする。次に、図4に示すように、アルミナ絶縁膜14と同様のアルミナ絶縁層16を100〜150nmの膜厚で形成し、さらにその上にパーマロイより成る磁性層17を3〜4μm の膜厚に形成した様子を図5に示す。この磁性層17は上述した下部シールド磁性層13とともにMR再生素子を磁気遮蔽する上部シールド磁性層の機能を有するとともに書込用薄膜磁気ヘッドの下部磁性層としての機能をも有するものである。ここでは説明の便宜上この磁性層17を書込用磁気ヘッドを構成する一方の磁性層であることに注目して第1の磁性層と称することにする。
次に、図6に示すように、第1の磁性層17の上に非磁性材料、例えばアルミナより成るギャップ層18を150〜300nmの膜厚に形成し、さらにこのギャップ層の上に電気絶縁性のフォトレジスト層19を高精度のマスクアライメントで所定のパターンに形成し、さらにこのフォトレジスト層の上に、例えば銅より成る第1層目の薄膜コイル20を形成する。
【0008】
次に、図7に示すように、第1層目の薄膜コイル20の上に、高精度のマスクアライメントを行って絶縁性のフォトレジスト層21を形成した後、その上面を平坦とするために、例えば250°Cでベークする。さらに、このフォトレジスト層21の平坦とした表面の上に第2層目の薄膜コイル22を形成し、この第2層目の薄膜コイルの上に高精度マスクアライメントでフォトレジスト層23を形成した後、再度薄膜コイル22の上の表面を平坦とするために、例えば250°Cでベークした状態を図8に示す。上述したように、フォトレジスト層19,21および23を高精度のマスクアライメントで形成する理由は、後述するようにフォトレジスト層のエッジを位置の基準としてスロートハイトTHやMRハイトを規定しているためである。
【0009】
次に、図9に示すように、ギャップ層18およびフォトレジスト層19, 21および23の上に、例えばパーマロイより成る第2の磁性層24を3〜4μm の膜厚で所望のパターンにしたがって選択的に形成する。この第2の磁性層24は磁気抵抗層15を形成した側から離れた位置において第1の磁性層17と接触し、第1および第2の磁性層によって構成される閉磁路を薄膜コイル20, 22が通り抜けるようにしている。この第2の磁性層24はトラック幅を規定する所望の形状およびサイズの磁極部分を有している。さらに、第2の磁性層24およびギャップ層18の露出表面の上にアルミナより成るオーバーコート層25を堆積する。
【0010】
最後に、磁気抵抗層15を形成した側面26を研磨して磁気記録媒体と対向するエアベアリング面(Air Bearing Surface:ABS) 27を形成した様子を図10に示す。このエアベアリング面27の形成過程において磁気抵抗層15も研磨され、MR再生素子28が得られる。このようにして上述したスロートハイトTHおよびMRハイトが決定される。
【0011】
図10、11および12は、上述したようにして製造された従来の複合型薄膜磁気ヘッドを、オーバーコート層25を省いて示すそれぞれ断面図、正面図および平面図である。なお、図11においては、MR再生素子28に対する電気的な接続を行なうための導電層29,30がアルミナ絶縁層14および16の間に介挿されている。また、図12に示す平面図においては、図面を簡単とするために薄膜コイル22を同心状に示した。図10に明瞭に示すように、薄膜コイル20, 22を絶縁分離するフォトレジスト層19, 21, 23の側面の角部を結ぶ線分Sと第2の磁性層24の上面との成す角度(Apex Angle:アペックスアングル) θも上述したスロートハイトTHおよびMRハイトとともに薄膜磁気ヘッドの性能を決定する重要なファクタとなっている。また、図12の平面図に示すように、第2の磁性層24の磁極部分24aの幅Wは狭くなっており、この幅によって磁気記録媒体に記録されるトラックの幅が規定されるので、高い面記録密度を実現するためには、この幅Wをできるだけ狭くする必要がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上述した複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、きわめて高い面記録密度を実現するために上述したMR膜15としてスピンバルブGMR膜、超格子GMR膜或いはグラニュラGMR膜を用いることが提案されている。また、その再生感度を向上するために、MRハイトを小さくするようにしている。
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、再生時の自己発熱による再生特性の劣化であるサーマルアスピリティが問題となってくる。このサーマルアスピリティの問題を解決する方法として、従来は冷却効率の高い材料で下部シールド磁性層13やシールドギャップ層14,16を形成することが提案されている。このために、下部シールド磁性層13としてパーマロイやセンダストなどの磁性材料が用いられ、シールドギャップ層14,16としてはアルミナ絶縁層が用いられている。このシールドギャップ層14,16は、一般にアルミナを100〜150nmの膜厚でスパッタリングして形成している。
【0013】
しかしながら、上述したようにサーマルアスピリティの問題を克服するためには、シールドギャップ層14,16の膜厚を、例えば50〜100nm程度ときわめて薄くする必要がある。このようにシールドギャップ層14,16を薄くすると、ピンホールやパーティクルなどの微小な欠陥によってMR素子28と下部シールド層13および上部シールド層17との間の電気的絶縁特性や磁気的遮蔽特性が劣化するとともに、導電層29,30と下部シールド層13および上部シールド層17との間に電気的な絶縁不良が発生するので、シールドギャップ層14,16の膜厚を余り薄くすることはできない。
【0014】
一方、特開平6−334237号公報には、MR素子に接続された導電層と、シールド層との間の絶縁不良を解消するために、下部シールド層上に形成されたシールドギャップ層のMR素子を形成した部分以外の部分の膜厚を薄くし、この膜厚を薄くした部分にバックフィル絶縁層を埋設し、このバックフィル絶縁層の上にMR素子に接続された導電層を形成したものが開示されている。このような構造によれば、導電層と下部シールド層との間の絶縁不良を解消することができる。しかしながら、このような構造では、MR素子直下のシールドギャップ層の膜厚は非常に厚くなり、上述したサーマルアスピリティの問題が生じ、再生特性の劣化が生じる欠点がある。
【0015】
また、特開平9−91632号公報には、複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドから読み取り用のMRヘッドの下部シールド層への磁束の漏れを防止するために、MR素子直下にのみ下部シールド層を形成し、それ以外の部分を絶縁層で埋めた構造が開示されている。このような構造によれば、MR素子に接続された導電層と下部シールド層との間には絶縁層が介在するので、下部シールドギャップ層の膜厚を薄くしても導電層と下部シールド層との間に絶縁不良が発生する恐れはない。しかしながら、下部シールド層がMR素子の直下にしか存在していないので、磁気的遮蔽効果が悪く、外部磁界によってMR素子が大きく影響され、再生特性の劣化が生じる欠点がある。
【0016】
さらに誘導型薄膜磁気ヘッドにおいては、上述したように第2の磁性層24の磁極部分24aの幅Wがヘッドの特性を決定するファクタとなっている。特に、面記録密度を向上するには、この磁極部分24aの巾Wを1μm 程度以下とすることが望まれている。
ここで、上述した従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、第2の磁性層24を形成するに際しては、高さが8〜10μm に達する薄膜コイルの絶縁層19,21,23の上に選択的なメッキを行なうためのフォトレジスト層を3〜4μm の膜厚で塗布している。ここで、このフォトレジスト層の膜厚は薄膜コイルの上部において3〜4μm 程度必要であるとすると、下部、すなわちライトギャップ層18の部分では8〜10μm 程度の膜厚で塗布されることになる。
一方、第2の磁性層24の磁性膜部分24aの巾Wをおよそ1μm とすると、膜厚が8〜10μm 程度のフォトレジスト層に1μm 程度のパターンを形成する必要があるが、このような微細加工は非常に難しいく、磁極部分24aの巾Wを1μm 程度以下とすることは難しいという問題がある。
【0017】
さらに、第2の磁性層24を電気メッキ法によって形成するには、絶縁層19,21,23全体に薄いパーマロイ電極膜をスパッタにより形成しているので、フォトリソグラフィの露光時にこの電極膜による反射が生じ、第2の磁性層24の磁極24aを正確なパターンに形成ができない問題もある。
【0018】
本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、サーマルアスピリティの問題を解決するために、磁気シールド層の膜厚を薄くすることができるにも拘らず、MR素子に対する磁気的遮蔽特性を良好とすることができ、しかも誘導型薄膜磁気ヘッドの第2の磁性層の磁極部分の巾を狭くすることができる複合型薄膜磁気ヘッドを提供しようとするものである。
【0019】
本発明の他の目的は、上述したように、シールドギャップ層の膜厚を薄くするにも拘らず、MR素子に対する磁気的遮蔽特性を良好とすることができ、しかも誘導型薄膜磁気ヘッドの第2の磁性層の磁極部分を微細化した複合型薄膜磁気ヘッドを容易かつ正確に形成することができる方法を提供しようとするものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基体と、この基体によって支持されるように積層して形成された書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを具えた複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが、
第1の膜厚を有する第1の磁性層と、
この第1の磁性層の表面の一部分に、第1の磁性層をシード層とする電気メッキにより、前記第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚を有するように形成され、第1の磁性層の表面に対して段差をするように設けられた第2の磁性層と、
前記第1の磁性層の表面および前記段差を構成する第2の磁性層の側面に設けられた第1の絶縁層と、
前記第2の磁性層の、前記第1の絶縁層によって覆われていない表面から前記段差を越えて前記第1の絶縁層の表面に亘って延在するように配設されたシールドギャップ層と、
このシールドギャップ層の、前記第2の磁性層と重なる部分に埋設して配設された磁気抵抗素子と、
前記シールドギャップ層の、前記基体とは反対側の表面に、前記段差と対応する段差を構成するように配設された第3の磁性層と、
を具え、前記誘導型薄膜磁気ヘッドが、
前記第3の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設され、絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルと、
前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分から前記薄膜コイルを支持する第2の絶縁層の表面に亘って配設されたライトギャップ層と、
このライトギャップ層を覆うように配設された第4の磁性層と、
を具えることを特徴とするものである。
【0021】
このような本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、薄膜コイルの少なくとも一部分は、第3の磁性層の、段差を境として基体に近い方の部分に配設されるので、第3の磁性層の、第2の磁性層と重なる部分の表面に対する薄膜コイルの高さは低くなり、したがって、第4の磁性層の磁極部分を形成する際のフォトレジスト層の膜厚の、前記第3の磁性層の表面上の部分と、薄膜コイルを絶縁分離した状態で支持する第2の絶縁層の上部の部分との差は小さくなり、したがって正確なパターンができ、その結果として第4の磁性層の磁極部分の巾を小さくすることができ、面記録密度の高い複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【0022】
さらに、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、前記第1の磁性層の膜厚を70〜150nmとし、前記第2の磁性層の膜厚を2〜3μm とするのが好適であるが、このように第1の磁性層の膜厚を薄くすることにより放熱特性が向上し、サーマルアスピリティの問題を有効に解決することができる。さらに、第2の磁気シールド層の膜厚を上述したように厚くすることと、第1の磁気シールド層を全面に設けることによってMR素子に対する十分な磁気遮蔽効果が得られる。
【0023】
また、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、前記薄膜コイルを2層構造とし、第1層目の薄膜コイルを、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面と同一平面とするか、第1層目の薄膜コイルの半分以下が、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面から突出するように構成することができる。さらに、第2層目の薄膜コイルの一部分を、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面と重なるように配設するのが好適である。このように構成すると、薄膜コイルと誘導型薄膜磁気ヘッドの磁極部分との間の距離が短くなり、磁束の利用効率が高くなり、効率が良くなる利点がある。
【0024】
本発明はさらに、基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書込用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体表面に第1の磁性層をスパッタ法によって形成する工程と、
この第1の磁性層をシード層として用いる電気メッキにより、第1の磁性層の表面の、少なくとも後に磁気抵抗層を形成すべき部分を含む一部分の上に、前記第1の磁性層よりも厚い第2の磁性層を選択的に形成する工程と、
前記第1の磁性層の表面および段差を構成する前記第2の磁性層の側面に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の磁性層の表面から前記段差を越えて前記第1の絶縁層の表面に亘って延在し、前記第2の磁性層と重なる部分に磁気抵抗層を埋設したシールドギャップ層を形成する工程と、
このシールドギャップ層の、前記第2の磁性層と重なる部分から前記段差を越えて延在するように第3の磁性層を形成する工程と、
この第3の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設された薄膜コイルを、第2の絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルを形成する工程と、
前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面および前記薄膜コイルを支持する第2の絶縁層の表面上にライトギャップ層を形成する工程と、
このライトギャップ層上に第4の磁性層を形成する工程と、
を具えることを特徴とするものである。
【0025】
【発明の実施の形態】
図13〜23は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの一実施例を製造する順次の工程を示すものであり、これらの図面において断面図を2つ並べて示すものは、左側が縦断面を示し、右側が磁極部分の横断面を示すものである。
先ず、図13に示すように、アルティック(AlTiC) より成る基板31上にアルミナ絶縁層32を約5〜10μm の厚さに堆積する。次に、図14に示すように、読取用ヘッドのMR素子を外部磁界の影響から保護する下部磁気シールドを構成する第1の磁性層33および第2の磁性層34を形成する。すなわち、第1の磁性層33として、パーマロイを約70〜150nm、本例では約100nmの膜厚に全面スパッタ法によって形成する。その後、第2の磁性層34として、第1の磁性層33の、後にMR素子が形成される部分の上にパーマロイを約2〜3μm 、本例では約3μm の膜厚に電気メッキ法により選択的に形成する。
【0026】
本発明においては、このように膜厚の薄い第1の磁性層33を全面に形成し、この第1の磁性層よりも膜厚の厚い第2の磁性層34を、少なくとも後にGMR素子に対する導電層が形成される部分を除いた部分に形成するが、GMR素子が形成される部分にのみ形成したり、それよりも広い面積に亘って形成することができる。本例では、図15の平面図に示すように、後にGMR素子が形成される部分を含むとともに後に第3の磁性層が形成される部分を囲むように第2の磁性層34を形成するが、図16に示すように、後に第3の磁性層が形成される部分の全体を囲むように形成しなくても良い。なお、これらの図15および16では、明瞭とするために、後に形成される第4の磁性層47および薄膜コイル43,45なども仮想線で示した。
【0027】
次に、図17に示すように、第1の磁性層33の露出表面および第2の磁性層34の側面に、アルミナまたは酸化シリコンまたは窒化シリコンより成る第1の絶縁層35を約500nmの膜厚に形成し、さらに、その上にアルミナより成る第1のシールドギャップ層36を100〜150nmの膜厚にスパッタ堆積する。 次に、図18に示すように、GMR素子を構成するための磁気抵抗効果を有する材料より成るGMR層37を数十nmの膜厚に形成し、高精度のマスクアライメントで所望の形状とした後、このGMR層と接続された一対の導電層38および39を所定のパターンにしたがって形成し、さらに、第2のシールドギャップ層40を100〜150nmの膜厚に形成する。このように、第1および第2のシールドギャップ層36および40は、第2の磁性層34と重なる部分から段差を越えて第1の絶縁層35の表面まで延在することになる。
【0028】
次に、図19に示すように、第2のシールドギャップ層40の上に段差を越えて延在するように第3の磁性層41を、3〜4μm の膜厚に形成する。この第3の磁性層41は、GMR素子に対する上部シールドを構成するとともに誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成するものである。
さらに、この第3の磁性層41の、第2の磁性層34とは重ならない部分、ずなわち段差の下の部分に、第2の絶縁層42によって絶縁分離された状態で支持された第1層目の薄膜コイル43を形成する。本例では、この第1層目の薄膜コイル43を支持する第2の絶縁層42を、その表面が第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面と同一表面となるように形成する。これは、第2の絶縁層42を第3の磁性層41のこの部分の表面を覆うように形成した後、化学─機械的研磨によって、第3の磁性層41の表面が露出するまで研磨することにより形成できる。
【0029】
次に、図20に示すように、第1層目の薄膜コイル43を支持する第2の絶縁層42の平坦な表面に、第3の絶縁層44によって絶縁分離された状態で支持された第2層目の薄膜コイル45を形成する。このように、本発明によれば、第1層目の薄膜コイル43およびこれを支持する第2の絶縁層42は、第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面から上方に突出しないなので、この表面から第3の絶縁層44の上面までの距離dを従来の複合型薄膜磁気ヘッドに比べて短くすることができる。この距離dの短縮量は、第1の磁性層34の膜厚にほぼ等しくなり、約2〜3μm である。
【0030】
次に、図21に示すように、第3の磁性層41の露出表面および第3の絶縁層44の表面を覆うように、アルミナより成るライトギャップ層46を、150〜300nmの膜厚に堆積する。その後、図22に示すように、ライトギャップ層46の上に、誘導型薄膜磁気ヘッドのトップポールを構成する第4の磁性層47を3〜4μm の膜厚に形成する。
本発明においては、上述したように第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面と、第3の絶縁層44の上面との間の距離dが小さいので、第4の磁性層47の磁極部分47aをフォトリソグラフィにより形成する場合、フォトレジスト層の、第3の磁性層の表面の部分の膜厚が過度に厚くならないので、正確なパターニングが可能であり、したがって第4の磁性層47の磁極部分47aの巾を1μm 程度或いはそれ以下に微細化することができる。
また、第4の磁性層47の磁極部分47aをマスクとして第3の磁性層41をエッチングしてトリム構造を形成している。このエッチングは、イオンビームエッチングやリアクティブイオンエッチングで行なうことができる。
【0031】
最後に、図23に示すように、第3の磁性層47およびその他の露出表面を覆うように、アルミナより成るオーバーコート層48を形成する。実際の複合型薄膜磁気ヘッドの製造においては、多数の複合型薄膜磁気ヘッドをウエファ上にマトリックス状に形成した後、ウエファを複合型薄膜磁気ヘッドが配列されたバーに切断し、このバーの側面を研磨してエアベアリング面を形成し、さらにバーを切断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを形成するようにしている。
【0032】
図24は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第2の実施例を示すものであり、前例と同様の部分には同じ符号を付けて示し、その説明は省略する。本例においては、第1層目の薄膜コイル43およびそれを支持する第2の絶縁層42の高さを、第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面よりも上方に突出させている。この場合、この突出量は、第2の絶縁層42の全体の膜厚の半分以下とするのが好適である。その理由は、この突出量を余り大きくすると、上述した距離dが大きくなり、第3の磁性層41の表面におけるフォトレジスト層の膜厚が大きくなってしまい、本発明の所期の目的を十分に達成することができないためである。
【0033】
図25は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第3の実施例を示すものである。本例においては、第2層目の薄膜コイル45の一部分が、第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面と重なるようにする。このように構成すると、薄膜コイル45と、誘導型薄膜磁気ヘッドの磁極部分との間の距離を一層小さくすることができ、したがって磁束の利用効率が向上し、効率の良い誘導型薄膜磁気ヘッドが得られることになる。
【0034】
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例えば、上述した実施例では、第2の磁性層34を、MR素子と重なる部分よりも大きく形成したが、ほぼMR素子と重なる部分にのみ設けることもできる。さらに、上述した実施例では、第1および第2のシールドギャップ層36および40をパーマロイとしてNiFe (Ni:80%,Fe:20%)のものを用いたが、NiFe (50%, 50%) のパーマロイ、窒化鉄(FeN) 、Fe-Co-Zrのアモルファスなどの高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成することもできる。また、これらの磁性材料層を複数積層したり、その間にアルミナなどの非磁性層を介在させたものとすることもできる。さらに、上述した実施例では、MR素子をGMR素子としたが、AMR素子とすることもできる。
また、図24に示す第2の実施例において、図25に示す第3の実施例と同様に、第2層目の薄膜コイルの一部分を、第3の磁性層41の、段差の上の部分の表面と重なるように形成することもできる。
【0035】
【発明の効果】
上述した本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、下部磁気シールド層を膜厚の薄い第1の磁性層33と、MR素子と重なる部分に形成された膜厚の厚い第2の磁性層34とで構成したので、放熱特性が良好となり、サーマルアスピリティの問題を解決することができ、しかも第1の磁性層33は膜厚は薄いが全面に形成されているので、MR素子は外部磁界に対して良好に磁気シールドされ、MR素子の再生特性を良好とすることができる。
【0036】
さらに、薄膜コイルの一部分を、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成する第3の磁性層41の低くなった部分に形成しているので、第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面と、薄膜コイルの上部との間の距離dを短くすることができ、したがって上部ポールを構成する第4の磁性層47の磁極部分をパターニングする際のフォトレジスト層の膜が、第3の磁性層41の表面で過度に厚くなることはなくなり、したがって正確なパターニングを行なうことができ、第4の磁性層47の磁極部分47aの巾を正確に微細化でき、例えば1μm 以下とすることができ、その結果面記録密度を向上することができる。
【0037】
さらに、上層の薄膜コイル45の一部を、第3の磁性層41の、第2の磁性層34と重なる部分の表面を重なるように形成した実施例では、薄膜コイルと磁極部分との距離を一層接近させることができ、磁束の利用効率が向上し、効率の良い誘導型薄膜磁気ヘッドが得られる利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程を示す断面図である。
【図2】図2は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図3】図3は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図4】図4は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図5】図5は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図6】図6は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図7】図7は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図8】図8は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図9】図9は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図10】図10は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図11】図11は、同じくその正面図である。
【図12】図12は、同じくその平面図である。
【図13】図13は、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の最初の工程を示す断面図である。
【図14】図14は、同じくその次の工程を示す断面図および正面図である。
【図15】図15は、その平面図である。
【図16】図16は、変形例の平面図である。
【図17】図17は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図18】図18は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図19】図19は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図20】図20は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図21】図21は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図22】図22は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図23】図23は、同じくその次の工程を示す断面図である。
【図24】図24は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第2の実施例を示す断面図である。
【図25】図25は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第3の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
31 基板、 32 アルミナ絶縁層、 33 第1の磁性層、 34 第2の磁性層、 35 第1の絶縁層、 36 第1のシールドギャップ層、 37 磁気抵抗層、 38,39 導電層、 40 第2のシールドギャップ層、 41 第3の磁性層、 42 第2の絶縁層、 43 第1層目の薄膜コイル、 44 第3の絶縁層、 45 第2層目の薄膜コイル、 46 ライトギャップ層、 47 第4の磁性層、 48 オーバーコート層
Claims (8)
- 基体と、この基体によって支持されるように積層して形成された書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドおよび読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを具えた複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが、
第1の膜厚を有する第1の磁性層と、
この第1の磁性層の表面の一部分に、第1の磁性層をシード層とする電気メッキにより、前記第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚を有するように形成され、第1の磁性層の表面に対して段差をするように設けられた第2の磁性層と、
前記第1の磁性層の表面および前記段差を構成する第2の磁性層の側面に設けられた第1の絶縁層と、
前記第2の磁性層の、前記第1の絶縁層によって覆われていない表面から前記段差を越えて前記第1の絶縁層の表面に亘って延在するように配設されたシールドギャップ層と、
このシールドギャップ層の、前記第2の磁性層と重なる部分に埋設して配設された磁気抵抗素子と、
前記シールドギャップ層の、前記基体とは反対側の表面に、前記段差と対応する段差を構成するように配設された第3の磁性層と、
を具え、前記誘導型薄膜磁気ヘッドが、
前記第3の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設され、絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルと、
前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分から前記薄膜コイルを支持する第2の絶縁層の表面に亘って配設されたライトギャップ層と、
このライトギャップ層を覆うように配設された第4の磁性層と、
を具えることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 前記薄膜コイルを2層構造とし、第1層目の薄膜コイルを絶縁分離した状態で支持する絶縁層の表面を、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面と同一平坦面とし、第2層目の薄膜コイルをこの平坦面の上に形成したことを特徴とする請求項1に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記薄膜コイルを2層構造とし、第1層目の薄膜コイルを、その高さの半分以下が、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面から突出するように形成し、第2層目の薄膜コイルを第1層目の薄膜コイルの上に形成したことを特徴とする請求項1に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記2層構造の薄膜コイルの第2層目の薄膜コイルを、その一部分が、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面と重なるように形成したことを特徴とする請求項2および3の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 基体の上に読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書込用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを順次に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
基体表面に第1の磁性層をスパッタ法によって形成する工程と、
この第1の磁性層をシード層として用いる電気メッキにより、第1の磁性層の表面の、少なくとも後に磁気抵抗層を形成すべき部分を含む一部分の上に、前記第1の磁性層よりも厚い第2の磁性層を選択的に形成する工程と、
前記第1の磁性層の表面および段差を構成する前記第2の磁性層の側面に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の磁性層の表面から前記段差を越えて前記第1の絶縁層の表面に亘って延在し、前記第2の磁性層と重なる部分に磁気抵抗層を埋設したシールドギャップ層を形成する工程と、
このシールドギャップ層の、前記第2の磁性層と重なる部分から前記段差を越えて延在するように第3の磁性層を形成する工程と、
この第3の磁性層の、前記段差を越えて延在する部分に少なくとも一部分が配設された薄膜コイルを、第2の絶縁層によって絶縁分離された状態で支持された薄膜コイルを形成する工程と、
前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面および前記薄膜コイルを支持する第2の絶縁層の表面上にライトギャップ層を形成する工程と、
このライトギャップ層上に第4の磁性層を形成する工程と、
を具えることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記薄膜コイルを2層構造とし、第1層目の薄膜コイルを、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面と同一平坦面となるように形成した後、その平坦面上に第2層目の薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項5に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記薄膜コイルを2層構造とし、第1層目の薄膜コイルを、その高さの半分以下が、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面から突出するように形成した後、その上に第2層目の薄膜コイルを形成することを特徴とする請求項1に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記2層構造の薄膜コイルの第2層目の薄膜コイルを、その一部分が、前記第3の磁性層の、前記第2の磁性層と重なる部分の表面と重なるように形成することを特徴とする請求項6および7の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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