JP2000149219A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁極幅を小さくした場合においても、磁極幅
の正確な制御と、十分なオーバーライト特性を得ること
を可能にすると共に、スロートハイトの正確な制御を可
能にする。 【解決手段】 下部磁極層のヨーク部分８の上に、下部
磁極層の磁極部分１８ａと絶縁層１１とが形成されてい
る。磁極部分１８ａと絶縁層１１の境界によってスロー
トハイト決定される。また、磁極部分１８ａと絶縁層１
１は、記録ギャップ層９側に平坦な面を形成する。上部
磁極層１６は、記録トラック幅を決定する幅を有する磁
極部分１６ａと、この磁極部分１６ａに磁気的に連結さ
れ、磁極部分１６ａよりも大きい幅を有するヨーク部分
１６ｂとを含む。磁極部分１６ａとヨーク部分１６ｂと
の境界は、平坦な記録ギャップ層９の上に配置されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料あるいは構造に変える方法や、ＭＲ膜のＭＲ
ハイトを最適化する方法等がある。このＭＲハイトと
は、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の
端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング面の加
工の際の研磨量によって制御されるものである。なお、
ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドの、磁
気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも呼ばれ
る。
【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：TH）がある。スロートハイトは、２つの磁極層
が記録ギャップ層を介して対向する部分の、エアベアリ
ング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）を
いう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイ
トの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エ
アベアリング面の加工の際の研磨量によって制御され
る。
【０００５】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリ
ング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーま
で狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要
があり、これを達成するために半導体加工技術が利用さ
れている。
【０００６】ここで、図１３ないし図１８を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１３ないし図１８において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００７】この製造方法では、まず、図１３に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１０２を、約５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料より
なる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を、２〜３μ
ｍの厚みに形成する。
【０００８】次に、図１４に示したように、下部シール
ド層１０３の上に、例えばアルミナを７０〜１００ｎｍ
の厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールド
ギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャ
ップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成す
るためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、
このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子１０５を形成すべき位置に
選択的にフォトレジストパターンを形成する。このと
き、リフトオフを容易に行うことができるような形状、
例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを形成
する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、
例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングし
て、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５
は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次
に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、同じフォト
レジストパターンをマスクとして、ＭＲ素子１０５に電
気的に接続される一対の電極層１０６を、数十ｎｍの厚
みに形成する。
【０００９】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を、７０〜１００ｎｍの厚みに形成
し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０
７内に埋設する。
【００１０】次に、図１５に示したように、上部シール
ドギャップ膜１０７の上に、磁性材料からなり、再生ヘ
ッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼
下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０８を、約
３〜３．５μｍの厚みに形成する。次に、下部磁極層１
０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギ
ャップ層１０９を、０．２〜０．３μｍの厚みに形成す
る。
【００１１】次に、図１６に示したように、磁路形成の
ために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングし
て、コンタクトホール１１９を形成する。次に、記録ギ
ャップ層１０９の上に、スロートハイトを決定するフォ
トレジスト層１１０を、約２μｍの厚みで、所定のパタ
ーンに形成する。次に、フォトレジスト層１１０の上
に、誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１
２を、約２μｍの厚みに形成する。
【００１２】次に、図１７に示したように、フォトレジ
スト層１１０およびコイル１１２の上に、フォトレジス
ト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォ
トレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１
４を、約２μｍの厚みに形成する。次に、フォトレジス
ト層１１３およびコイル１１４の上に、フォトレジスト
層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォト
レジスト層１１５上を平坦化するために、約２５０°Ｃ
の温度で熱処理する。
【００１３】ここで、コイル１１２，１１４とフォトレ
ジスト層１１０，１１３，１１５で形成される山状に盛
り上がった部分をエイペックス部という。また、このエ
イペックス部のエアベアリング面側の傾きをエイペック
スアングルという。エイペックスアングルは、一般的
に、４５°〜５５°程度である。エイペックス部の上
に、上部磁極層を形成することにより、記録トラックの
形成が可能となる。
【００１４】次に、図１８に示したように、記録ギャッ
プ層１０９、フォトレジスト層１１３，１１５の上に、
記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材のパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなる上部磁極層
１１６を、約０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。こ
の上部磁極層１１６は、コンタクトホール１１９を介し
て、下部磁極層１０８と接触し、磁気的に連結してい
る。
【００１５】次に、上部磁極層１１６をマスクとして、
例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層１０９
と下部磁極層１０８の一部をエッチングする。次に、上
部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバ
ーコート層１１７を形成し、その表面を平坦化して、そ
の上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、
スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘ
ッドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが
完成する。図１８（ｂ）に示したように、上部磁極層１
１６、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の
一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、
トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれ
ば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりに
よる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００１６】図１９は、上述のようにして製造された薄
膜磁気ヘッドの平面図である。なお、図１９では、オー
バーコート層１１７を省略している。図１９に示したよ
うに、上部磁極層１１６は、エアベアリング面１２０側
に配置される磁極部分１１６ａと、コイル１１２，１１
４に対向する位置に配置されるヨーク部分１１６ｂとを
有している。磁極部分１１６ａの幅は、記録トラック幅
を決定する。ヨーク部分１１６ｂにおける磁極部分１１
６ａ側の一部は、磁極部分１１６ａ側ほど細くなるテー
パ状に形成されている。このテーパ状の部分の外縁は、
エアベアリング面１２０と平行な面に対して例えば４５
°をなしている。図中、符号１０８ａは、トリム構造と
するために下部磁極層１０８がエッチングされている部
分を表している。
【００１７】なお、以下の説明では、スロートハイトを
決定する絶縁層のエアベアリング面側の端部の位置をス
ロートハイトゼロ位置と呼び、符号ＴＨ０で表す。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】近年、高い面密度記録
を可能とするために、記録トラック幅、すなわち磁極部
分の幅（以下、磁極幅と言う。）を小さくすることが要
求されており、例えば０．５μｍのようなサブミクロン
オーダあるいはそれ以下の幅が望まれている。このよう
な狭い磁極幅を実現するための技術として、従来より、
上部磁極層を、磁極部分とヨーク部分に分割して形成す
るという技術がある。
【００１９】ところで、上部磁極層を形成する方法とし
ては、例えば、特開平７−２６２５１９号公報に示され
るように、フレームめっき法が用いられる。フレームめ
っき法を用いて上部磁極層を形成する場合は、まず、山
状に盛り上がったコイル部分であるエイペックス部の上
に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を、
例えばスパッタリングによって形成する。次に、その上
にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程に
よりパターニングして、めっきのためのフレーム（外
枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード
層として、めっき法によって上部磁極層を形成する。
【００２０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００２１】上述のようにサブミクロンオーダの記録ト
ラック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサ
ブミクロンオーダの幅のフレームパターンを形成する必
要がある。上部磁極層を、磁極部分とヨーク部分に分割
して形成する場合でも、記録トラック幅がサブミクロン
オーダになると、磁極部分だけでなくヨーク部分もサブ
ミクロンオーダで形成することが必要になる。従って、
エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上の厚みのあるフ
ォトレジスト膜によって、サブミクロンオーダの微細な
パターンを形成しなければならない。ところが、このよ
うな厚い膜厚のフォトレジストパターンを狭パターン幅
で形成することは製造工程上極めて困難であった。
【００２２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。
【００２３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ンオーダになると、上部磁性層を精度よく形成すること
が困難になるという問題点があった。また、上部磁極層
を、磁極部分とヨーク部分に分割して形成する場合で
も、磁極部分に対応する位置に、精度よくヨーク部分を
形成することが困難になるという問題点があった。
【００２４】例えば、５〜１０ＧＢ／（インチ）2 の高
い面記録密度を有するような薄膜磁気ヘッドに対して
は、スロートハイトが０．６〜０．９μｍで、記録トラ
ック幅が０．７〜１．０μｍ（実効磁気トラック幅が
０．８〜１．２μｍ）というような仕様が要求される。
しかし、従来技術では、上述の理由により、磁極幅を、
０．７〜１．０μｍ（実効磁気トラック幅が０．８〜
１．２μｍ）になるように制御することが困難であっ
た。
【００２５】また、従来は、図１９に示したように、上
部磁極層１１６の磁極部分１１６ａとヨーク部分１１６
ｂとの境界領域、すなわち上部磁極層１１６の幅が変化
する部分を、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０よりもエイ
ペックス部側に配置していた。これは、エイペックス部
の斜面上には、幅の広いヨーク部分１１６ｂを形成する
のが困難だからである。以下、その理由について説明す
る。もし、エイペックス部の斜面上に、記録トラック幅
よりも大きい幅のヨーク部分１１６ｂを形成すると、上
部磁極層１１６の幅を、エイペックス部の根元の位置
で、急に、ヨーク部分１１６ｂにおける広い幅から、サ
ブミクロンオーダの記録トラック幅と同じ幅へ変化させ
なければならない。しかし、フォトリソグラフィを用い
て上部磁極層１１６を形成する場合、このように幅を変
えることは不可能であった。それは、フォトリソグラフ
ィの露光時に、エイペックス部の斜面からの反射光によ
って、エイペックス部の根元の位置で、正確なフォトレ
ジストパターンを得ることができないからである。従来
は、エイペックス部の根元の位置がスロートハイトゼロ
位置ＴＨ０であるため、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０
で、上部磁極層１１６の幅を急に変化させることができ
ないということになる。磁極部分１１６ａの幅を正確に
制御できるのは、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０より
も、エアベアリング面１２０側へ１〜２μｍ以上先の位
置からである。
【００２６】そのため、従来は、スロートハイトが長く
なり、記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデ
ータを重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特
性や、非線形トランジションシフト（ＮＬＴＳ）や、磁
界の立ち上がりの時間を表すフラックスライズタイムと
言われる書き込み特性を改善できないという問題点があ
った。
【００２７】また、従来は、上部磁極層１１６の磁極部
分１１６ａとヨーク部分１１６ｂとの境界領域を、スロ
ートハイトゼロ位置ＴＨ０よりもエイペックス部側に配
置するので、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍で、
上部磁極層１１６として十分な体積が得られず、スロー
トハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍で磁束が飽和してしま
い、磁束が磁極部分の先端まで十分に到達することがで
きなくなる現象が発生していた。その結果、例えば０．
８μｍの記録トラック幅（実効トラック幅が１．０μ
ｍ）では、オーバーライト特性を示す値が１５〜２０ｄ
Ｂ程度と低い値となり、十分なオーバーライト特性を確
保することができないという問題点があった。なお、オ
ーバーライト特性としては、２５〜３５ｄＢ程度が必要
である。
【００２８】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、スロー
トハイトを決定しているのは、コイルを囲うフォトレジ
スト層であるが、このフォトレジスト層は、同一のウェ
ハ内に形成される複数のヘッド素子において、正確に且
つ均一にパターン配列がなされていない。その最大の理
由は、このフォトレジスト層が熱処理の際に膨張した
り、コイルのシード層をイオンミリングによってエッチ
ングする際、スロートハイトを決めているフォトレジス
ト層まで一緒にエッチングされてしまうため、一列に配
列された複数のヘッド素子について、スロートハイトを
決めるフォトレジスト層の端部の位置を揃えることが困
難だったためである。一列に配列された複数のヘッド素
子間におけるパターンの整列誤差は、多いときには０．
２〜０．５μｍも発生する。
【００２９】そのため、従来は、サブミクロンオーダの
スロートハイトが要求された場合には、ウェハより切り
出され複数のヘッド素子が一列に配列されたバーに対し
てエアベアリング面の研磨加工を行う際に、ヘッド素子
間でのスロートハイトの不均一性により多くの歩留り損
が発生するという問題点があった。
【００３０】なお、特開平８−８７７１７４号公報に
は、記録トラックの高密度化の手段として、コイルが形
成される絶縁層の先端を、スロートハイトゼロ位置から
後方ギャップ（上下の磁極層が接触する部分）に向けて
少なくとも３μｍ離れた位置に配置したり、コイルの開
始位置をスロートハイトゼロ位置から１０μｍ以上離し
て配置した薄膜磁気ヘッドが提案されている。しかしな
がら、このような構造では、磁路長が長くなり、記録情
報の周波数が高い場合に、十分な記録磁界の強度や立ち
上がりの時間勾配を得ることができず、薄膜磁気ヘッド
の特性が劣化するという問題点がある。
【００３１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を小さくした場合において
も、磁極幅の正確な制御と、十分なオーバーライト特性
を得ることを可能にすると共に、スロートハイトの正確
な制御を可能にした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第
２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に絶縁
された状態で配設された薄膜コイルとを有する書き込み
用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドであっ
て、第１の磁性層は、第１の磁極部分と、この第１の磁
極部分に磁気的に連結される第１のヨーク部分とを含
み、第２の磁性層は、記録トラック幅を決定する幅を有
する第２の磁極部分と、この第２の磁極部分に磁気的に
連結され、第２の磁極部分よりも大きい幅を有する第２
のヨーク部分とを含み、更に、第１の磁極部分に接して
スロートハイトを決定すると共に、ギャップ層側に平坦
な面を形成する絶縁層を備え、第２の磁極部分と第２の
ヨーク部分との境界領域は、第１の磁極部分と絶縁層に
よって形成される平坦な面に対向する位置に配置されて
いるものである。なお、本出願において、境界領域と
は、２つの部分の境を示す領域を言い、２つの部分の境
を示す線または断面のみならず、例えば一方の部分から
他方の部分へ徐々に変化する場合において、その変化す
る領域を示す場合のように、ある程度の広がりを持つ領
域も含む。
【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギ
ャップ層を介して対向する２つの磁極部分を含み、それ
ぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性
層と、この第１および第２の磁性層の間に絶縁された状
態で配設された薄膜コイルとを有する書き込み用の誘導
型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であ
って、第１の磁極部分と、この第１の磁極部分に磁気的
に連結される第１のヨーク部分とを含む第１の磁性層を
形成すると共に、第１の磁極部分に接してスロートハイ
トを決定すると共に、ギャップ層側に平坦な面を形成す
る絶縁層を形成する第１の工程と、第１の磁極部分およ
び絶縁層の上に、ギャップ層を形成する第２の工程と、
少なくとも一部がギャップ層の上に配置されるように薄
膜コイルを形成する第３の工程と、ギャップ層および薄
膜コイルの上に、第２の磁性層を形成する第４の工程と
を含み、第２の磁性層は、記録トラック幅を決定する幅
を有する第２の磁極部分と、この第２の磁極部分に磁気
的に連結され、第２の磁極部分よりも大きい幅を有する
第２のヨーク部分とを含み、第４の工程では、第２の磁
極部分と第２のヨーク部分との境界領域を、第１の磁極
部分と絶縁層によって形成される平坦な面に対向する位
置に配置するものである。
【００３４】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１の磁性層の第１の磁極部分と絶縁層とによ
って、スロートハイトが決定されると共に、ギャップ層
側に平坦な面が形成される。そして、記録トラック幅を
決定する幅を有する第２の磁極部分と、第２の磁極部分
よりも大きい幅を有する第２のヨーク部分との境界領域
が、第１の磁極部分と絶縁層によって形成される平坦な
面に対向する位置に配置される。
【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、第２のヨーク部分の第２の磁極
部分側の端縁が、第２の磁極部分の端縁に対して、所定
の角度をなして、幅方向外側へ広がるようにする。所定
の角度は、実質的に９０°でであることが好ましい。
【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、第２の磁極部分と第２のヨーク
部分との境界領域を、第１の磁極部分と絶縁層との境界
領域に対応する位置に配置する。
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、第１の磁極部分と第１のヨーク
部分を、別個の層によって形成する。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、第２の磁極部分と第２のヨーク
部分を、一つの層によって形成する。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、薄膜コイルを、ギャップ層と第
２のヨーク部分との間に配置してもよいし、ギャップ層
と第１のヨーク部分との間とギャップ層と第２のヨーク
部分との間に分割して配置してもよい。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、例えば、第１の工程では、第１の磁性層を形成し
た後に、絶縁層を形成し、その後、第１の磁性層および
絶縁層の上面を平坦化処理する。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［本発明の第１の実施の形態］まず、図１ないし図８を
参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。なお、図１ないし図６において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【００４２】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積
する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマ
ロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３
μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、
フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、
絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しない
が、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば
４〜６μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研
磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨し
て、表面を平坦化する。
【００４３】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、例えばアルミナまたはチッ化アルミニウム
を７０〜１００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層と
しての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下
部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を
形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。
次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子５を形成すべき位置
に選択的にフォトレジストパターンを形成する。このと
き、リフトオフを容易に行うことができるような形状、
例えば断面形状がＴ型のフォトレジストパターンを形成
する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、
例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングし
て、ＭＲ素子５を形成する。なお、ＭＲ素子５は、ＧＭ
Ｒ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シ
ールドギャップ膜４の上に、同じフォトレジストパター
ンをマスクとして、ＭＲ素子５に電気的に接続される一
対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下
部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁
層としての上部シールドギャップ膜７を、７０〜１００
ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜
４，７内に埋設する。次に、上部シールドギャップ膜７
の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの
双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、
下部磁極層と記す。）のヨーク部分８を、約１．０〜
１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。
【００４４】次に、図３に示したように、ヨーク部分８
の上に、磁性材料により、下部磁極層の磁極部分１８ａ
と、磁路形成のための磁性層１８ｂを、２．０〜２．５
μｍの厚みで、選択的に形成する。磁極部分１８は、エ
アベアリング面とは反対側の端部の位置が、ＭＲ素子５
のエアベアリング面とは反対側の端部の位置の近傍にく
るように形成する。磁極部分１８ａと磁性層１８ｂは、
ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、
高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量
％，Ｆｅ：５５重量％）の材料を用い、めっき法によっ
て形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅ
Ｎ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成
してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣ
ｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００４５】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層１１を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例
えばＣＭＰによって、磁極部分１８ａと磁性層１８ｂが
露出するまで、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化す
る。本実施の形態では、磁極部分１８ａと絶縁層１１と
の境界領域の位置が、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０と
なる。
【００４６】次に、図４に示したように、絶縁層１１、
磁極部分１８ａおよび磁性層１８ｂの上に、絶縁材料よ
りなる記録ギャップ層９を、０．２〜０．３μｍの厚み
で形成する。記録ギャップ層９に使用する絶縁材料とし
ては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコ
ン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料がある。
【００４７】次に、磁路形成のために、磁性層１８ｂの
上の部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッチ
ングしてコンタクトホール１９を形成する。
【００４８】次に、絶縁層１１の上の部分において、記
録ギャップ層９の上に、誘導型の記録ヘッド用の第１層
目の薄膜コイル１２を、１．５〜２．０μｍの厚みに形
成する。
【００４９】次に、図５に示したように、記録ギャップ
層９およびコイル１２の上に、フォトレジスト層１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１３の上を平坦化するために、例えば２５０°Ｃの温
度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１３の上に、
第２層目の薄膜コイル１４を、例えば１．５〜２．０μ
ｍの厚みに形成する。次に、フォトレジスト層１３およ
びコイル１４の上に、フォトレジスト層１５を、所定の
パターンに形成する。次に、フォトレジスト層１５の上
を平坦化するために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理
する。
【００５０】次に、図６に示したように、記録ギャップ
層９、フォトレジスト層１３，１５の上に、記録ヘッド
用の磁性材料からなる上部磁極層１６を、例えば約２〜
４μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１６は、コン
タクトホール１９を介して磁性層１８ｂと接触し、磁気
的に連結している。上部磁極層１６は、ＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密
度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５
重量％）の材料を用い、めっき法によって形成してもよ
いし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等
の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この
他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系ア
モルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改
善のため、上部磁極層１６を、無機系の絶縁膜とパーマ
ロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としても
よい。
【００５１】次に、上部磁極層１６をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層９を選択的にエ
ッチングする。このときのドライエッチングには、例え
ば、ＢＣｌ2 ，Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ，ＳＨ6 等のガスを用い
た反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次
に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極
層の磁極部分１８ａを選択的に約０．３〜０．６μｍ程
度エッチングして、図６（ｂ）に示したようなトリム構
造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き
込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の
増加を防止することができる。次に、上部磁極層１６の
上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７
を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化
して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。
最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよ
び再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５２】本実施の形態では、下部磁極層（８，１８
ａ）が、本発明における第１の磁性層に対応し、上部磁
極層１６が、本発明における第２の磁性層に対応する。
【００５３】図７は、上述のようにして製造された本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図、図８は、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。いずれ
の図でも、オーバーコート層１７は省略している。な
お、図７において、図中、符号１８Ａは、トリム構造と
するために下部磁極層の磁極部分１８ａがエッチングさ
れている部分を表している。
【００５４】図７および図８に示したように、上部磁極
層１６は、エアベアリング面２０側に配置される磁極部
分１６ａと、コイル１２，１４に対向する位置に配置さ
れるヨーク部分１６ｂとを有している。磁極部分１６ａ
の幅は、記録トラック幅を決定する。ヨーク部分１６ｂ
の幅は、磁極部分１６ａの幅よりも大きくなっている。
ヨーク部分１６ｂにおける磁極部分１６ａ側の一部は、
磁極部分１６ａ側ほど細くなるテーパ状に形成されてい
る。
【００５５】本実施の形態では、下部磁極層の磁極部分
１８ａとこれに接する絶縁層１１は、記録ギャップ層９
側に平坦な面を形成する。また、磁極部分１８ａと絶縁
層１１との境界領域の位置が、スロートハイトゼロ位置
ＴＨ０となる。また、本実施の形態では、コイル１２，
１４を絶縁するためのフォトレジスト層１３，１５によ
って形成されるエイペックス部の根元は、スロートハイ
トゼロ位置ＴＨ０よりも、エアベアリング面２０とは反
対側に、例えば２〜３μｍ離れた位置に配置されてい
る。
【００５６】上部磁極層１６の磁極部分１６ａとヨーク
部分１６ｂとの境界領域は、下部磁極層の磁極部分１８
ａと絶縁層１１によって形成される平坦な面に対向する
位置、すなわち平坦な記録ギャップ層９の上に配置され
ている。本実施の形態では、特に、上部磁極層１６の磁
極部分１６ａとヨーク部分１６ｂとの境界領域は、下部
磁極層の磁極部分１８ａと絶縁層１１との境界領域に対
応する位置、すなわちスロートハイトゼロ位置ＴＨ０に
配置されている。
【００５７】また、本実施の形態では、上部磁極層１６
のヨーク部分１６ｂの磁極部分１６ａ側の端縁は、磁極
部分１６ａの端縁に対して、所定の角度をなして、幅方
向外側へ広がっている。所定の角度は、実質的に９０°
であるのが好ましい。ここで、「実質的に９０°」とい
うのは、上部磁極層１６のパターニングの際の設計値が
９０°という意味であり、フォトレジストパターンのく
ずれ等により９０°から多少ずれた場合も含む。
【００５８】このように、本実施の形態では、上部磁極
層１６の磁極部分１６ａとヨーク部分１６ｂとの境界領
域が平坦な面の上に配置されるので、記録トラック幅を
決める磁極部分１６ａを精度よく形成することができ
る。また、上部磁極層１６の磁極部分１６ａとヨーク部
分１６ｂとの境界領域の位置が、エイペックス部の根元
から２〜３μｍ程度離れているので、磁極部分１６ａを
形成するためのフォトレジストパターンに対する、フォ
トリソグラフィ工程におけるエイペックス部からの斜め
方向および横方向の反射光の影響も少なくなり、この点
からも、磁極部分１６ａを精度よく形成することが可能
となる。従って、本実施の形態によれば、記録トラック
幅がサブミクロンオーダあるいはそれ以下に小さくなっ
ても、磁極幅の正確な制御が可能となる。
【００５９】また、本実施の形態では、上部磁極層１６
のヨーク部分１６ｂの磁極部分１６ａ側の端縁は、磁極
部分１６ａの端縁に対して、所定の角度、好ましくは９
０°をなして、幅方向外側へ広がっている。これによ
り、本実施の形態によれば、磁極幅を小さくした場合に
おいても、磁極幅のより正確な制御が可能となる。その
理由を、以下で説明する。
【００６０】上部磁極層１６を形成する際には、フォト
リソグラフィ工程によって、マスクを用いてフォトレジ
ストを選択的に露光してパターニングする。その場合、
従来は、エイペックス部からの斜め方向および横方向の
反射光が問題となっていた。本実施の形態では、スロー
トハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍において、端縁が幅方向
外側に広がるように、上部磁極層１６を形成する。その
ため、エイペックス部からの斜め方向および横方向の反
射光の大部分は、幅方向外側に広がる端縁の位置から、
磁極部分１６ａを形成するための領域へ到達しなくな
り、エイペックス部からの斜め方向および横方向の反射
光が磁極部分１６ａを形成するための領域に与える影響
を低減できる。その結果、磁極部分１６ａを形成するた
めの領域におけるフォトレジストパターンの幅が広がる
のを抑制することができる。
【００６１】このようにして、本実施の形態によれば、
磁極幅を小さくした場合においても、一定の幅を有する
磁極部分１６ａを精度よく形成することができる。
【００６２】また、本実施の形態では、スロートハイト
は、コイルを囲うフォトレジスト層ではなく、下部磁極
層の磁極部分１８ａとアルミナ等を用いた絶縁層１１と
の境界領域で決まる。磁極部分１８ａは、例えばめっき
法によるパターニングにより正確に形成することができ
る。従って、ウェハ内で一列に配列された複数のヘッド
素子について、スロートハイトを均一にすることができ
る。また、コイルを絶縁するためのフォトレジスト層の
熱処理の際に、磁極部分１８ａは膨張することがない。
更に、磁極部分１８ａは絶縁層１１によって周囲が囲わ
れているので、コイルのシード層をイオンミリングによ
ってエッチングする際に、磁極部分１８ａが変形するこ
ともない。従って、磁極部分１８ａと絶縁層１１との境
界領域の位置が変動することがない。このように本実施
の形態によれば、サブミクロンオーダあるいはそれ以下
のオーダのスロートハイトが要求された場合でも、スロ
ートハイトを均一に精度よく形成することが可能とな
り、製品の歩留りを向上させることができる。
【００６３】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１６の磁極部分１６ａとヨーク部分１６ｂとの境界領域
をスロートハイトゼロ位置ＴＨ０に配置したので、スロ
ートハイトゼロ位置ＴＨ０の近傍における磁性層の体積
を大きくすることができ、スロートハイトゼロ位置ＴＨ
０の近傍における磁束の飽和を防止することが可能とな
る。そのため、本実施の形態によれば、磁極幅を小さく
した場合においても十分なオーバーライト特性を得るこ
とができる。特に、上部磁極層１６の磁極部分１６ａと
下部磁極層の磁極部分１８ａを高飽和磁束密度材を用い
て形成することにより、磁束が途中で飽和することな
く、有効に磁極部分に到達することになり、起磁力の損
失の少ない効率的な記録ヘッドを実現することができ
る。
【００６４】また、本実施の形態によれば、１つの層で
微細な上部磁極層１６を形成することができるので、製
造コストを低減することができる。
【００６５】また、本実施の形態によれば、コイル１
２，１４と下部磁極層のヨーク部分８との間に、薄く且
つ十分な絶縁耐圧が得られる無機系の絶縁層１１が設け
られているので、コイル１２，１４と下部磁極層との間
の絶縁性を向上させることができ、歩留りを向上せるこ
とができると共に、コイル１２，１４からの磁束の漏れ
を低減することができる。
【００６６】ところで、従来は、コイルの下側に配置さ
れてスロートハイトを決定するフォトレジストパターン
の傾斜部の存在によって、コイルの外周端とスロートハ
イトゼロ位置との間の距離が大きくなっていた。これに
対して、本実施の形態によれば、コイル１２が、平坦な
記録ギャップ層９の上に形成されているので、上述のよ
うにコイルの外周端とスロートハイトゼロ位置との間の
距離が大きくなることがない。そのため、本実施の形態
によれば、磁路長を短くすることができ、コイルの下側
に、スロートハイトを決定するフォトレジストパターン
が存在する場合に比べて、例えば２０％程度、磁路長を
短くすることが可能となる。その結果、高周波特性を向
上させることが可能となる。
【００６７】［本発明の第２の実施の形態］次に、図９
ないし図１２を参照して、本発明の第２の実施の形態に
ついて説明する。なお、図９ないし図１２において、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。
【００６８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図９に示したように、下部磁極層のヨーク部
分８の形成までの工程は、第１の実施の形態と同様であ
る。本実施の形態では、その後、図１０に示したよう
に、ヨーク部分８の上に、磁性材料により、下部磁極層
の磁極部分１８ａと、磁路形成のための磁性層１８ｂ
を、２．０〜２．５μｍの厚みで、選択的に形成する。
【００６９】次に、ヨーク部分８の上に、例えばアルミ
ナよりなる絶縁層１１ａを、約０．３〜０．７μｍの厚
みに形成する。次に、絶縁層１１ａの上に、第１層目の
薄膜コイル１２を、１．５〜２．０μｍの厚みに形成す
る。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１１
を、約３〜５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭ
Ｐによって、磁極部分１８ａと磁性層１８ｂが露出する
まで、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化する。本実
施の形態では、磁極部分１８ａと絶縁層１１ａとの境界
領域の位置が、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０となる。
【００７０】次に、図１１に示したように、絶縁層１
１、磁極部分１８ａおよび磁性層１８ｂの上に、絶縁材
料よりなる記録ギャップ層９を、０．２〜０．３μｍの
厚みで形成する。次に、磁路形成のために、磁性層１８
ｂの上の部分において、記録ギャップ層９を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホール１９を形成する。次に、
記録ギャップ層９の上に、第２層目の薄膜コイル１４
を、例えば１．５〜２．０μｍの厚みに形成する。
【００７１】次に、図１２に示したように、記録ギャッ
プ層９およびコイル１４の上に、フォトレジスト層１５
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１５の上を平坦化するために、例えば２５０°Ｃの温
度で熱処理する。
【００７２】次に、記録ギャップ層９、フォトレジスト
層１５の上に、記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁
極層１６を、例えば約２〜４μｍの厚みに形成する。こ
の上部磁極層１６は、コンタクトホール１９を介して磁
性層１８ｂと接触し、磁気的に連結している。
【００７３】次に、上部磁極層１６をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層９を選択的にエ
ッチングする。次に、例えばアルゴンイオンミリングに
よって、下部磁極層の磁極部分１８ａを選択的に約０．
３〜０．６μｍ程度エッチングして、図１２（ｂ）に示
したようなトリム構造とする。次に、上部磁極層１６の
上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７
を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化
して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。
最後に、スライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよ
び再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７４】本実施の形態においても、上部磁極層１６
は、エアベアリング面側に配置される磁極部分１６ａ
と、コイル１２，１４に対向する位置に配置されるヨー
ク部分１６ｂとを有している。磁極部分１６ａおよびヨ
ーク部分１６ｂの形状は、第１の実施の形態と同様であ
る。
【００７５】本実施の形態では、下部磁極層の磁極部分
１８ａと絶縁層１１ａ，１１は、記録ギャップ層９側に
平坦な面を形成する。また、磁極部分１８ａと絶縁層１
１ａとの境界領域の位置が、スロートハイトゼロ位置Ｔ
Ｈ０となる。また、本実施の形態では、コイル１４を絶
縁するためのフォトレジスト層１５によって形成される
エイペックス部の根元は、スロートハイトゼロ位置ＴＨ
０よりも、エアベアリング面とは反対側に、例えば２〜
３μｍ離れた位置に配置されている。
【００７６】上部磁極層１６の磁極部分１６ａとヨーク
部分１６ｂとの境界領域は、下部磁極層の磁極部分１８
ａと絶縁層１１ａ，１１によって形成される平坦な面に
対向する位置、すなわち平坦な記録ギャップ層９の上に
配置されている。本実施の形態では、特に、上部磁極層
１６の磁極部分１６ａとヨーク部分１６ｂとの境界領域
は、下部磁極層の磁極部分１８ａと絶縁層１１ａとの境
界領域に対応する位置、すなわちスロートハイトゼロ位
置ＴＨ０に配置されている。
【００７７】本実施の形態によれば、第１の実施の形態
に比べて、エイペックス部の高さが低くなるので、上部
磁極層１６をより精度よく形成することが可能となる。
【００７８】また、本実施の形態によれば、第１層目の
コイル１２と第２層目のコイル１４との間に、記録ギャ
ップ層９と任意の膜厚で形成可能な絶縁層１１とを介挿
することができるので、これらのコイル１２，１４間の
絶縁耐圧を大きくすることができる。
【００７９】また、本実施の形態によれば、ＣＭＰ工程
が少ないと共に、一つの層で微細な上部磁極層１６を形
成することができるので、製造コストを低減することが
できる。
【００８０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８１】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、上記各実施
の形態では、上部磁極層１６を一つの層で形成したが、
磁極部分１６ａとヨーク部分１６ｂとを別個の層で形成
してもよい。
【００８２】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【００８３】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
ることが好ましい。
【００８４】なお、このような構造の薄膜磁気ヘッドで
は、凹部を形成した基体を用いることが好ましい。そし
て、基体の凹部に、コイル部を形成することによって、
薄膜磁気ヘッド自体の大きさをさらに縮小化することが
できる。
【００８５】更に、異なる形態としては、誘導型磁気変
換素子のコイル部を構成する各薄膜コイル間に形成され
る絶縁層を、全て無機絶縁層としてもよい。
【００８６】また、本発明は、誘導型磁気変換素子のみ
を備え、この誘導型磁気変換素子によって読み取りと書
き込みを行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。
【００８７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし８の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項９ないし
１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、第１の磁性層の第１の磁極部分と絶縁層とによっ
てスロートハイトを決定すると共に、ギャップ層側に平
坦な面を形成し、記録トラック幅を決定する幅を有する
第２の磁極部分と、第２の磁極部分よりも大きい幅を有
する第２のヨーク部分との境界領域を、第１の磁極部分
と絶縁層によって形成される平坦な面に対向する位置に
配置したので、磁極幅を小さくした場合においても、磁
極幅の正確な制御と十分なオーバーライト特性を得るこ
とが可能となると共に、平坦な面を形成する第１の磁極
部分と絶縁層によってスロートハイトを決定するので、
スロートハイトの正確な制御が可能になるという効果を
奏する。
【００８８】また、請求項２または３記載の薄膜磁気ヘ
ッドもしくは請求項１０または１１記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、第２のヨーク部分の第２の磁極
部分側の端縁が、第２の磁極部分の端縁に対して、所定
の角度をなして、幅方向外側へ広がるようにしたので、
更に、より磁極幅の正確な制御が可能になるという効果
を奏する。
【００８９】特に、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、所定の角度を実質的に９０°としたので、より一層
磁極幅の正確な制御が可能となるという効果を奏する。
【００９０】また、請求項６記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁極部分と第２のヨーク部分を一つの層で形
成するようにしたので、更に、製造コストを低減できる
という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１９】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…ヨーク部分、９…記録ギャップ層、１１…絶
縁層、１２，１４…薄膜コイル、１６…上部磁極層、１
６ａ…磁極部分、１６ｂ…ヨーク部分、１７…オーバー
コート層、１８ａ…磁極部分。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
    する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極
    部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１
    および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の
    間に絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する
    書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッ
    ドであって、 前記第１の磁性層は、第１の磁極部分と、この第１の磁
    極部分に磁気的に連結される第１のヨーク部分とを含
    み、 前記第２の磁性層は、記録トラック幅を決定する幅を有
    する第２の磁極部分と、この第２の磁極部分に磁気的に
    連結され、第２の磁極部分よりも大きい幅を有する第２
    のヨーク部分とを含み、 更に、前記第１の磁極部分に接してスロートハイトを決
    定すると共に、ギャップ層側に平坦な面を形成する絶縁
    層を備え、 前記第２の磁極部分と第２のヨーク部分との境界領域
    は、前記第１の磁極部分と前記絶縁層によって形成され
    る平坦な面に対向する位置に配置されていることを特徴
    とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第２のヨーク部分の第２の磁極部分
    側の端縁は、第２の磁極部分の端縁に対して、所定の角
    度をなして、幅方向外側へ広がっていることを特徴とす
    る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記所定の角度は、実質的に９０°であ
    ることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記第２の磁極部分と第２のヨーク部分
    との境界領域は、前記第１の磁極部分と前記絶縁層との
    境界領域に対応する位置に配置されていることを特徴と
    する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  5. 【請求項５】 前記第１の磁極部分と第１のヨーク部分
    は、別個の層からなることを特徴とする請求項１ないし
    ４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第２の磁極部分と第２のヨーク部分
    は、一つの層からなることを特徴とする請求項１ないし
    ５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記薄膜コイルは、前記ギャップ層と前
    記第２のヨーク部分との間に配置されていることを特徴
    とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
  8. 【請求項８】 前記薄膜コイルは、前記ギャップ層と前
    記第１のヨーク部分との間と前記ギャップ層と前記第２
    のヨーク部分との間に分割されて配置されていることを
    特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  9. 【請求項９】 磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
    する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁極
    部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１
    および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の
    間に絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する
    書き込み用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法であって、 第１の磁極部分と、この第１の磁極部分に磁気的に連結
    される第１のヨーク部分とを含む第１の磁性層を形成す
    ると共に、前記第１の磁極部分に接してスロートハイト
    を決定すると共に、ギャップ層側に平坦な面を形成する
    絶縁層を形成する第１の工程と、 前記第１の磁極部分および前記絶縁層の上に、ギャップ
    層を形成する第２の工程と、 少なくとも一部が前記ギャップ層の上に配置されるよう
    に薄膜コイルを形成する第３の工程と、 前記ギャップ層および薄膜コイルの上に、第２の磁性層
    を形成する第４の工程とを含み、 前記第２の磁性層は、記録トラック幅を決定する幅を有
    する第２の磁極部分と、この第２の磁極部分に磁気的に
    連結され、第２の磁極部分よりも大きい幅を有する第２
    のヨーク部分とを含み、 前記第４の工程では、前記第２の磁極部分と第２のヨー
    ク部分との境界領域を、前記第１の磁極部分と前記絶縁
    層によって形成される平坦な面に対向する位置に配置す
    ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第４の工程では、前記第２のヨー
    ク部分の第２の磁極部分側の端縁が、第２の磁極部分の
    端縁に対して、所定の角度をなして、幅方向外側へ広が
    るように、第２の磁性層を形成することを特徴とする請
    求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記所定の角度を、実質的に９０°と
    することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第４の工程では、前記第２の磁極
    部分と第２のヨーク部分との境界領域を、前記第１の磁
    極部分と前記絶縁層との境界領域に対応する位置に配置
    することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第１の工程では、前記第１の磁極
    部分と第１のヨーク部分を、別個の層によって形成する
    ことを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記第４の工程では、前記第２の磁極
    部分と第２のヨーク部分を、一つの層によって形成する
    ことを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記第３の工程では、前記薄膜コイル
    を、前記ギャップ層と前記第２のヨーク部分との間に配
    置することを特徴とする請求項９ないし１４のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記第３の工程では、前記薄膜コイル
    を、前記ギャップ層と前記第１のヨーク部分との間と前
    記ギャップ層と前記第２のヨーク部分との間に分割して
    配置することを特徴とする請求項９ないし１４のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の工程では、第１の磁性層を
    形成した後に、絶縁層を形成し、その後、第１の磁性層
    および絶縁層の上面を平坦化処理することを特徴とする
    請求項９ないし１６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
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