JP2947172B2 - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、誘導型・磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド、誘導型・磁気抵抗効果型複合磁気ヘッド、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2947172B2 JP8151767A JP15176796A JP2947172B2 JP 2947172 B2 JP2947172 B2 JP 2947172B2 JP 8151767 A JP8151767 A JP 8151767A JP 15176796 A JP15176796 A JP 15176796A JP 2947172 B2 JP2947172 B2 JP 2947172B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
装置等に用いられる磁気ヘッドおよびその製造方法に関
し、シールド型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以
下、「ＭＲ型磁気ヘッド」という。また、ＧＭＲ（巨大
磁気抵抗効果）型薄膜磁気ヘッド等を含む。）におい
て、リードの電気抵抗を下げてその発熱を防止すると同
時に、リードと上シールドとの絶縁不良を防止して歩留
りを向上させたものである。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲ型磁気ヘッドは、ＭＲ素子（磁気抵
抗効果素子）を用いて磁気記録媒体の磁極から発生する
磁界を検出して記録情報を再生する再生専用の磁気ヘッ
ドで、誘導型磁気ヘッドで再生する場合に比べてトラッ
ク密度、線記録密度を高くできる利点があり、一般に記
録用の誘導型磁気ヘッドと組合わせて誘導型・磁気抵抗
効果型複合磁気ヘッド（以下「誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッド」という。）として構成される。
【０００３】従来のハードディスク装置用誘導型・ＭＲ
型複合磁気ヘッドのＭＲ型磁気ヘッド部分（ただし、上
側の再生ギャップ層および上シールドを除く。）の構造
を図２に示す。ＭＲ型磁気ヘッド１０は、ＡｌＴｉＣ等
のスライダ基板１２の上にアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の
非磁性絶縁材で構成された保護層１４、パーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ合金）等の軟磁性材で構成された下シールド１
６、アルミナ等の非磁性絶縁材で構成された再生ギャッ
プ層（下側）１８を順次積層している。再生ギャップ層
１８の上には左右のリード（電極）２０，２０が形成さ
れ、両リード２０，２０間にＭＲ素子２２がその先端面
を記録媒体対向面（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface ）
２４に臨ませて接続されている。ＭＲ素子２２は、ＭＲ
膜、スペーサ、ＳＡＬ（Soft Adjacent Layer ：近接軟
磁性層）バイアス膜等を積層して構成されている。リー
ド２０，２０は、ＭＲ膜の一軸異方性を増強してバルク
ハウゼンノイズを抑制するための磁性材料（磁石膜）２
６とリード２０，２０全体の電気抵抗を下げるための電
気導電膜２８を積層して構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記図２の構造によれ
ば、リード２０，２０の先端部は記録媒体対向面２４の
研磨時に露出するため、機械的強度と耐食性が要求され
る。このため、通常磁石膜２６にはＣｏ系合金等が用い
られ、電気導電膜２８にはＴａ等が用いられている。と
ころが、これらのリード材料は比抵抗が比較的高く、Ｍ
Ｒ素子にセンス電流を流したときの発熱量が大きい。そ
してこれらの発熱はＭＲ素子のエレクトロマイグレーシ
ョン（高温下でセンス電流を流した時に金属の遊離によ
って抵抗が増大する現象）の促進要因となり、ヘッドの
信頼性、寿命を著しく縮める原因となっていた。
【０００５】そこで、リードの抵抗を下げるために、図
３に示すように、記録媒体対向面２４の近傍のみに図２
のリード２０，２０と同様の材料でコンタクトリード３
０，３０を構成し、その奥側につなげて比抵抗の小さな
材料で比較的厚く主電極３２，３２を構成して、これら
コンタクトリード３０，３０と主電極３２，３２でリー
ド３４，３４を構成することが考えられる。
【０００６】ところが、シールド型のＭＲ型磁気ヘッド
（シールド型ＭＲヘッド）では、ＭＲ素子およびリード
を形成した上にアルミナ等の非磁性絶縁材を上側の再生
ギャップ層として被せた後、導電性のあるシールド材
（下シールドと同じくパーマロイ等の軟磁性材で構成さ
れる。）で上シールドを成膜する。このため、図３の構
造では、リード３４に大きな段差３６が生じているた
め、上側の再生ギャップ層がこの段差３６で所定の厚さ
に形成されず、リード３４と上シールドとの絶縁を完全
に維持することが難しく、歩留りを下げる原因となって
いた。
【０００７】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、リードの電気抵抗を下げるとともに、リ
ードと上シールドとの絶縁不良を防止して歩留りを向上
させることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明のＭＲ型磁気ヘ
ッドは、ＭＲ素子に接続されたリードを上下シールド間
から引き出す方向の下シールドの寸法を上シールドの寸
法よりも短く形成し、リードの厚さを上下シールド間に
挟まれた部分で薄く形成し、下シールドから外れた部分
で下方に突出して厚く形成したものである。これによれ
ば、リードを下シールドから外れた部分で下側に突出し
て厚く形成したので、電気抵抗を低くして発熱を抑える
ことができる。また、下側に突出させたので、リードを
厚く形成してもリードの上面の段差を抑制することがで
き、その上に上側の再生ギャップ層を介して上シールド
を積層したときに、リードと上シールドの絶縁を良好に
保つことができる。
【０００９】また、この発明の誘導型・ＭＲ型複合磁気
ヘッドは、上シールド兼下コアの上面をほぼ平坦面に形
成した上に書込ギャップ層を形成して、その上にコイ
ル、上コア等を配置したものである。これによれば、上
シールド兼下コアの上面がほぼ平坦化されているので、
コイルの断線や上コアの形成不良を防止することができ
る。
【００１０】また、この発明のＭＲ型磁気ヘッドの製造
方法は、基板上の非磁性絶縁材の上のほぼ同じ高さ位置
に下シールドおよびリードの厚肉部分を相互に絶縁状態
に形成し、当該下シールドの上に非磁性絶縁材で構成さ
れた下側の再生ギャップ層を介してＭＲ素子およびリー
ドの薄肉部分を形成しかつリードの薄肉部分を当該リー
ドの厚肉部分と接続し、これらＭＲ素子およびリードの
上に上側の再生ギャップ層を形成し、さらにその上に上
シールドを形成したものである。これによれば、基板上
の非磁性絶縁材の上に下シールドとリードの厚肉部分を
形成し、その後下シールドの上に下側再生ギャップ層を
介してリードの薄肉部分を形成して、これらリードの厚
肉部分と薄肉部分を接続することにより、下シールドを
外れた部分でリードを下方に突出して厚く形成すること
ができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を説明
する。図１は、この発明が適用されたハードディスク装
置用誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの断面構造を示した
ものである。この誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド３８
は、ＭＲ型磁気ヘッド４０の上に誘導型磁気ヘッド４２
を積層して構成されている。両ヘッド４０，４２とも薄
膜形成技術を利用した薄膜磁気ヘッドとして作られてい
る。
【００１２】ＭＲ型磁気ヘッド４０は、ＡｌＴｉＣ等で
構成されたスライダ基板４４の上にアルミナ等の非磁性
絶縁膜（保護膜）４６を積層して、その上にパーマロイ
等の軟磁性材料で下シールド４８を構成している。下シ
ールド４８は上シールド兼下コア７０に比べて小さな面
積に構成され、記録媒体対向面５２からの下シールド４
８の奥行方向の長さＬ１は、上シールド兼下コア７０の
奥行方向の長さよりも短く形成されている。下シールド
４８の先端部は記録媒体対向面５２に露出している。
【００１３】下シールド４８の奥行方向端部４８ａから
その奥行方向に外れた位置には、下シールド４８とほぼ
同じ高さ位置に左右のリード５８の厚肉部分５８ｂ（主
電極）が、下シールド４８と絶縁された状態で、該下シ
ールド４８と同じ高さ（厚さ）に形成されている。リー
ド厚肉部分５８ｂは外部リード線との接続位置まで配線
されて、その端部にボンディングパッドを形成してい
る。リード薄肉部分５８ａは導電体で構成され、例えば
Ｔａ等で構成することができる。また、リード厚肉部分
５８ｂは記録媒体対向面５２に露出しないので、機械的
強度や耐食性をあまり考慮しなくてすみ、導電率の高い
金属（Ｃｕ等）を使用することもできる。あるいは、製
造工程を簡素化することを第一に考えれば、下シールド
４８と同じパーマロイ等の磁性材料を用いて、下シール
ド４８と同時に形成することもできる。パーマロイ等の
磁性材料は、一般にＴａ等の金属に比べて比抵抗が高い
が、十分厚く形成することにより、前記図２のリード２
０に比べて電気抵抗を低くすることができる。
【００１４】下シールド４８および左右のリード厚肉部
分５８ｂの周囲には、アルミナ等の非磁性絶縁膜４６が
充填されている。これにより、下シールド４８およびリ
ード厚肉部分５８ｂの周囲の段差は解消され、下シール
ド４８およびリード厚肉部分５８ｂの上面と非磁性絶縁
膜４６の上面は同一平面に構成されている。
【００１５】下シールド４８、リード厚肉部分５８ｂお
よびその周囲の非磁性絶縁膜４６の上には、アルミナ等
の非磁性絶縁材料で下側の再生ギャップ層６０が平坦に
積層されている。再生ギャップ層６０の上にはＭＲ膜、
スペーサ、ＳＡＬバイアス膜等を積層したＭＲ素子６２
がその先端部を記録媒体対向面５２に露出させて構成さ
れている。ＭＲ素子６２の左右両側には左右のリード５
８の薄肉部分５８ａ（コンタクトリード）が接続されて
いる。リード薄肉部分５８ａはＭＲ膜の一軸異方性を増
強してバルクハウゼンノイズを抑制するための磁石膜と
導電率を高めるためのＴａ等の導電膜を積層して構成さ
れている。リード薄肉部分５８ａとリード薄肉部分５８
ｂとは、下側の再生ギャップ層６０に形成された穴（コ
ンタクトホール）６４を通して相互に連結されている。
【００１６】ＭＲ素子６２およびリード薄肉部分５８ａ
の上およびＭＲ素子６２やリード薄肉部５８ａが形成さ
れていない下側の再生ギャップ層６０の上には、アルミ
ナ等の非磁性絶縁材料で上側の再生ギャップ層６６が構
成され（上側と下側の再生ギャップ層６０，６６で記録
媒体対向面５２に再生ギャップ６８を構成する。）、さ
らにその上に上シールド７０がパーマロイ等の軟磁性材
料で構成されている。
【００１７】誘導型磁気ヘッド４２は、ＭＲ型磁気ヘッ
ド４０の上シールド７０を下コアとして兼用し、その上
に書込みギャップ層７２、コイル８０および絶縁層７
４、上コア５４を順次積層して構成されている。書込ギ
ャップ層７２は、記録媒体対向面５２に書込ギャップ７
６を構成する。上コア５４の上には保護膜７８が被せら
れている。
【００１８】図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド３８
は、記録時は、誘導型磁気ヘッド４２のコイル８０に記
録信号を流すことにより、上下コア５４，７０間の書込
みギャップ７６に書込磁界が発生して、この磁界で記録
媒体に対する記録が行なわれる。また、再生時は、ＭＲ
型磁気ヘッド４０のリード５８を通じてＭＲ素子６２に
センス電流を流して記録媒体上のトラックをトレースす
ることにより、トラック上の情報に応じてＭＲ素子６２
の両端の電圧が変調され、この電圧を検出することによ
り再生が行なわれる。
【００１９】図１の構造によれば、リード５８は下シー
ルド４８の奥行方向端部４８ａから外れた部分からボン
ディングパッドの位置またはその近傍まで厚肉に（厚肉
部分４８ｂ）形成され、上下シールド７０，４８間の再
生ギャップ層６６，６０間に形成されたリード薄肉部分
５８ａは距離が短いので、リード５８全体の電気抵抗を
減少させることができる。したがって、センス電流によ
る発熱量が減少するので、ＭＲ素子のエレクトロマイグ
レーションを抑制して、ヘッドの信頼性を高め、寿命を
伸ばすことができる。また、リード厚肉部分５８ｂは下
方に突出しているので、リード５８の上面はほぼ平坦で
あり段差は生じていない。したがって、リード５８の上
に上側の再生ギャップ層６６を一定の厚さでほぼ平坦に
形成することができ、上シールド兼下コア７０とリード
５８との絶縁を良好に保つことができ、歩留りが向上す
る。
【００２０】次に、図１の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッ
ド３８の製造工程の一例を図４〜図１４を参照して説明
する。ここでは、リード厚肉部５８ｂを下シールド４８
と同じ材料で同時に形成する場合について説明する。
【００２１】（１） 図４ ＡｌＴｉＣ等の基板４４の上に全面スパッタ、蒸着等の
方法でアルミナ等による非磁性絶縁膜４６（保護層）を
形成する。
【００２２】（２） 図５ 非磁性絶縁膜４６の上に下シールド４８および左右のリ
ード厚肉部５８ｂを形成する。その方法として、具体的
には、非磁性絶縁膜４６の上面全面に電気めっきするた
めの下地金属層すなわちシード層（ｓｅｅｄ’ｓ ｌａ
ｙｅｒ）をスパッタ法等で５００〜２０００オングスト
ローム（０．０５〜０．２μｍ）の厚さに堆積した後、
リソグラフィにて下シールド４８およびリード厚肉部５
８ｂを形成する部分を除いてレジストでフレーム（マス
ク）を形成する。そして、レジストフレームの開口部に
露出しているシード層上にパーマロイ等の軟磁性材料を
電気めっきで１．５〜４．０μｍ堆積する。この後、レ
ジストフレームを除去し、さらに基板全面をイオンミリ
ング等の手法でシード層の厚さ分を削ることによって、
下シールド４８および左右のリード厚肉部分５８ｂ，５
８ｂが相互に電気的に分離された状態で非磁性絶縁膜４
６上の同一高さ位置に同じ高さ（厚さ）で形成される。
【００２３】（３） 図６ 基板全面にアルミナ等の非磁性絶縁材８２をスパッタ法
等で下シールド４８よりも１〜３μｍ厚く（例えば２．
５〜７．０μｍの厚さに）堆積する。
【００２４】（４） 図７ 基板全面を研磨して、下シールド４８およびリード厚肉
部５８ｂを露出させる（下シールド４８およびリード厚
肉部５８ｂの厚さが１〜３．５μｍになるまで研磨す
る。）。この結果、下シールド４８の上面と、リード厚
肉部分５８ｂの上面とは同一平面上にある。これで下シ
ールド４８およびリード厚肉部５８ｂは非磁性絶縁材８
２中に埋設されて上面を露出させた状態となり、リード
厚肉部５８ｂはその後形成されるＭＲ素子よりも下方に
位置することになる。
【００２５】（５） 図８ 研磨によって平滑にされた基板全体に下側の再生ギャッ
プ層６０をスパッタ法等で数１００〜数１０００オング
ストローム堆積させる。下シールド４８、リード厚肉部
分５８およびこれらの周囲の非磁性絶縁材８２の各上面
は同一平面上に位置するように平坦化されているので、
再生ギャップ層６０も平坦に形成される。
【００２６】（６） 図９ リード厚肉部５８ｂの前端部寄りの位置で下側の再生ギ
ャップ層６０に穴を開けてコンタクトホール６４を形成
し、その中にリード厚肉部５８ｂを露出させる。その方
法として、具体的には、コンタクトホール６４を形成す
る部分を除いて、再生ギャップ層６０の上にリソグラフ
ィでレジストのフレームを形成する。そして、基板全面
をミーリング等の手法で削ることにより、レジストフレ
ーム中に露出している再生ギャップ層６０を削り、リー
ド厚肉部５８ｂの表面を露出させた後、レジストを除去
することにより、コンタクトホール６４を形成する。
【００２７】（７）図１０ 基板全面に磁性膜（例えばＣｏ系合金）８４および耐食
性金属膜（例えばＴａ）８６等を５００〜数１０００オ
ングストローム堆積して、リソグラフィによりリード薄
肉部（コンタクトリード）５８ａを形成する部分にレジ
ストフレームを形成し、イオンミリング等で基板全面を
削ってレジストフレームが形成されている部分以外の磁
性膜８４および耐食性金属膜８６等を削り取った後、レ
ジストフレームを除去してリード薄膜部５８ａを形成す
る。この際、リード薄膜部５８ａの対向する内側の面
は、傾斜面に形成される。
【００２８】（８） 図１１ 基板全面に、蒸着、スパッタ等でＭＲ膜、スペーサ、Ｓ
ＡＬバイアス膜の順で堆積させてＭＲ素子膜を成膜す
る。ＭＲ膜としては例えばパーマロイを１００〜３００
オングストローム、スペーサとしては例えばＴｉを５０
〜１５０オングストローム、ＳＡＬバイアス膜としては
例えばＣｏＺｒＭ（ＭはＮｂ，Ｍｏ等）を５０〜２５０
オングストロームそれぞれ堆積させて合計で２００〜７
００オングストロームのＭＲ素子膜を形成する。そし
て、リソグラフィによりＭＲ素子６２を形成する部分に
レジストフレームを形成し、イオンミリング等で基板全
面を削ってレジストフレームが形成されている部分以外
ＭＲ素子膜を削り取った後レジストフレームを除去して
左右のリード薄肉部５８ａ，５８ａ間をつないだ状態に
ＭＲ素子６２を形成する。尚、ここでは、リード薄肉部
５８ａ，５８ａの対向面８８，８８を傾斜面に形成し、
この傾斜面８８，８８においてＭＲ素子６２の左右端部
とリード薄肉部５８ａ，５８ａとを接続している。
【００２９】（９）図１２ 基板全面にアルミナ等の非磁性絶縁材をスパッタ法等で
数１００〜１０００オングストローム堆積させて上側の
再生ギャップ層６６を形成し、その上に上シールド兼下
コア７０を下シールド４８と同様の手法で２〜４．５μ
ｍ形成する。リード厚肉部５８ｂは下側の再生ギャップ
層６０で覆われており、該下側の再生ギャップ層６０の
上面は平坦化されているので、上側の再生ギャップ層６
６を段差が小ないほぼ平坦な面上に推積させることがで
きる（リード薄肉部５８ａおよびＭＲ素子６２による段
差は、図３のリード主電極部３２による段差に比べて格
段に低い。）。したがって、上側の再生ギャップ層６６
をほぼ均一な厚さに堆積させることができ、リード５８
と上シールド兼下コア７０を確実に絶縁させることがで
きる。上側の再生ギャップ層６６を形成後、上シールド
兼下コア７０の周囲にアルミナ等の非磁性材９０を充填
し、必要に応じて基板全面を研磨して平滑面にする。
【００３０】（10） 図１３ 基板全面にアルミナ等の非磁性絶縁材をスパッタ法等で
数１０００オングストローム堆積させて書込ギャップ層
７２を形成する。
【００３１】（11） 図１４ 書込ギャップ層７２の上に通常の誘導型薄膜磁気ヘッド
と同様の製造工程でコイル８０および絶縁層７４、上コ
ア５４を形成し、最後に基板全面にアルミナ等の非磁性
絶縁材で保護膜を形成して完成する。
【００３２】以上のようにして構成された誘導型・ＭＲ
型薄膜磁気ヘッド３８のＭＲ型磁気ヘッド４０と図２に
示す従来のＭＲ型磁気ヘッド１０を比較したところ、従
来のＭＲ型磁気ヘッド１０ではＭＲ素子２２を除いたリ
ード２０全体の抵抗は、ヘッドの膜面全体にリード２０
を形成しても７Ω以下にすることは困難であった（リー
ド２０をＴａで３０００オングストロームの厚さに形成
した場合、８〜１０Ωであった。）。
【００３３】これに対し、図１４のＭＲ型磁気ヘッド４
０によれば、リード薄肉部５８ａの長さ（リード厚肉部
５８ｂとの接続部と、ＭＲ素子６２との接続部との間の
距離）を１５μｍ、リード薄肉部５８ａの厚さを２５０
０オングストローム（Ｔａで形成）としたとき、ＭＲ素
子６２を除くリード５８全体の抵抗は２Ω以下であっ
た。同一のセンス電流では発熱量は抵抗値に比例するか
ら、図１４のＭＲ型磁気ヘッド４０は図２のＭＲ型磁気
ヘッド１０に比べてリードによる発熱を１／３から１／
４に低減できた。そして、発熱量の低減により、高温下
（９０℃）で一定電流（２０ｍＡ）のセンス電流を流し
た時のエレクトロマイグレーションによる抵抗の増大を
５％以下（２４時間）に抑えることができ、ＭＲ型磁気
ヘッドの信頼性が向上した。
【００３４】尚、以上の説明した工程（２）では、リー
ド厚肉部５８ｂを下シールド４８と同じ材料で同時に形
成するようにしたが、別材料で構成することもできる。
その場合は、例えば非磁性絶縁膜４６の上に形成しため
っき下地金属層上にリード厚肉部５８ｂを形成する部分
のみ残してレジストフレームを形成して導電率の高い金
属（例えばＣｕ等）を電気めっきしてリード厚肉部５８
ｂを形成し、レジストフレームを除去する。そして、今
度は下シールド４８を形成する部分のみ残してレジスト
フレームを形成して磁性材料（例えばパーマロイ）を電
気めっきして下シールド４８を形成し、レジストフレー
ムを除去する。尚、これとは逆に下シールド４８を先に
形成することもできる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、リードの電気抵抗を下げてその発熱を防止して信頼
性を向上させると同時にリードと上シールドとの絶縁不
良を防止して歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッドの
実施の形態を示す断面図である。
【図２】 従来のＭＲ型磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。
【図３】 リードの電気抵抗の低下を図ったＭＲ型磁気
ヘッドを示す斜視図である。
【図４】 この発明のＭＲ型磁気ヘッドの製造方法の実
施の形態を示す斜視図で、図１の誘導型・ＭＲ型複合磁
気ヘッドの製造工程の一例を示す工程図である。
【図５】 図４の続きを示す工程図である。
【図６】 図５の続きを示す工程図である。
【図７】 図６の続きを示す工程図である。
【図８】 図７の続きを示す工程図である。
【図９】 図８の続きを示す工程図である。
【図１０】 図９の続きを示す工程図である。
【図１１】 図１０の続きを示す工程図である。
【図１２】 図１１の続きを示す工程図である。
【図１３】 図１２の続きを示す工程図である。
【図１４】 図１３の続きを示す工程図である。
【符号の説明】 ３８ 誘導型・ＭＲ型複合磁気ヘッド（誘導型・磁気抵
抗効果型複合磁気ヘッド） ４０ ＭＲ型磁気ヘッド（磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド） ４２ 誘導型磁気ヘッド ４４ 基板 ４６ 非磁性絶縁膜（基板上の非磁性絶縁材） ４８ 下シールド ４８ａ 下シールドの奥行方向端部 ５２ 記録媒体対向面 ５８ リード ５８ａ リードの厚肉部分 ５８ｂ リードの薄肉部分 ６０ 下側の再生ギャップ層 ６２ ＭＲ素子 ６６ 上側の再生ギャップ層 ６８ 再生ギャップ ７０ 上シールド（兼下コア） ７６ 書込ギャップ ８０ コイル

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下シールドと上シールドとの間の再生ギャ
    ップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置
    し、当該ＭＲ素子にセンス電流を供給するリードを前記
    上下シールドと絶縁状態で当該上下シールド間を通して
    配線して前記ＭＲ素子の左右両端部に接続してなる磁気
    抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記ＭＲ素子に接続されたリードを前記上下シールド間
    から引き出す方向の当該下シールドの寸法を前記上シー
    ルドの寸法よりも短く形成するとともに、前記リードの
    厚さを前記上下シールド間に挟まれた部分で薄く形成
    し、前記下シールドから外れた部分で下方に突出して厚
    く形成してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】下シールドと上シールドとの間の再生ギャ
    ップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置
    し、当該ＭＲ素子にセンス電流を供給するリードを前記
    上下シールドと絶縁状態で当該上下シールド間を通して
    配線して前記ＭＲ素子の左右両端部に接続してなる磁気
    抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記下シールドの奥行寸法を前記上シールドの奥行寸法
    よりも短く形成するとともに、前記リードを前記上下シ
    ールドの間でその奥行方向に延在して配線し、当該リー
    ドの厚さを前記上下シールド間に挟まれた部分で薄く形
    成し、前記下シールドの奥行方向端部から外れた部分で
    下方に突出して厚く形成してなる磁気抵抗効果型薄膜磁
    気ヘッド。
  3. 【請求項３】請求項１または２記載の磁気抵抗効果型薄
    膜磁気ヘッドを製造する方法であって、基板上の非磁性
    絶縁材の上のほぼ同じ高さ位置に前記下シールドおよび
    前記リードの厚肉部分を相互に絶縁状態に形成し、当該
    下シールドの上に非磁性絶縁材で構成された下側の再生
    ギャップ層を介して前記ＭＲ素子および前記リードの薄
    肉部分を形成しかつ当該リードの薄肉部分を前記リード
    の厚肉部分と接続し、これらＭＲ素子およびリードの上
    に上側の再生ギャップ層を形成し、さらにその上に前記
    上シールドを形成してなる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  4. 【請求項４】下シールドと上シールドとの間の再生ギャ
    ップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置し
    た再生用磁気抵抗効果型磁気ヘッドと、前記上シールド
    を下コアとして兼用して当該下コアと上コアとの間にコ
    イルを配置しかつ当該上コアと当該下コアとの間の前記
    記録媒体対向面を臨む位置に書込ギャップを形成した記
    録用誘導型磁気ヘッドとを積層配置した誘導型・磁気抵
    抗効果型複合磁気ヘッドにおいて、 前記下シールドを前記上シールドよりも小面積に形成す
    るとともに、前記リードの厚さを前記上下シールド間に
    挟まれた部分で薄く形成し、前記下シールドから外れた
    部分で下方に突出して厚く形成し、かつ前記上シールド
    の上面をほぼ平坦面に形成した上に前記書込ギャップを
    形成する書込ギャップ層を形成してなる誘導型・磁気抵
    抗効果型複合磁気ヘッド。
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