JP2000276709A - 薄膜磁気ヘッド、および薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド、および薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2000276709A
JP2000276709A JP11081270A JP8127099A JP2000276709A JP 2000276709 A JP2000276709 A JP 2000276709A JP 11081270 A JP11081270 A JP 11081270A JP 8127099 A JP8127099 A JP 8127099A JP 2000276709 A JP2000276709 A JP 2000276709A
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coil
insulating layer
film
lead portion
slider
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JP11081270A
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Kenji Honda
賢治 本田
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/4806—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed specially adapted for disk drive assemblies, e.g. assembly prior to operation, hard or flexible disk drives
    • G11B5/4853—Constructional details of the electrical connection between head and arm

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  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイルの一端部
１３ａから供給端子形成領域まで引き出される第一の引
き出し部１８ａを上部コア１６と同一な磁性材料により
構成していたので、引き出し部１８ａ、１８ｂの配線抵
抗が高く消費電力が大きかった。 【解決手段】 本発明の薄膜磁気ヘッドは、良導電体か
らなるコイル１３と、磁性材料からなる上部コア１６
と、前記コイル１３の一端部１３ａに接続されて供給端
子形成領域Ａ３まで引き出された第一の引き出し部１８
ａと、磁性材料からなり前記第一の引き出し部１８ａを
覆う保護膜２１ａとを有し、前記第一の引き出し部１８
ａの材料を良導電体としたので、従来の引き出し部が磁
性材料で構成されているものに比べると配線抵抗が小さ
く、低消費電力の薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスク装
置、ハード磁気ディスク装置等に使用される薄膜磁気ヘ
ッド、及び、その薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドを図１５から図１
８で説明する。図１５は、薄膜磁気ヘッドのヘッド素子
１が形成されたスライダ２の側端面２ａの平面図であ
り、スライダ２はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等セラミックからな
り、側端面２ａにはＡｌ2Ｏ3等の下地層２ｂが形成され
ている。そして、スライダ２の側壁面２ａは、ヘッド形
成領域Ａ１と、ヘッド素子１に電力を供給するための供
給端子部形成領域Ａ３と、ヘッド素子と供給端子１９と
を接続して引き出すための引き出し部形成領域Ａ２とを
有している。ヘッド素子１はヘッド素子形成領域Ａ１に
形成されており、ハード磁気ディスクの情報を再生する
再生部ｈ１と、情報の記録を行う記録部ｈ２とから構成
されている。
【０００３】図１６はヘッド素子の斜視図であり、図１
７は図１５の１７−１７線での断面の一部である。図１
６及び図１７で示すように、再生部ｈ１はスライダ２の
側端面面２ａ表面に形成さたパーマロイなど磁性材料か
らなる下部シールド３と、下部シールド３表面に形成さ
れたＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる下部ギャップ層４
と、下部ギャップ層４のメディア対向端に形成された磁
気抵抗素子層５と、磁気抵抗素子層５の両側に接続して
形成されたハードバイアス層６と、両側のハードバイア
ス層６に接続して下部ギャップ層４の表面に引き出され
た良導電体からなる電極層７と、下部シールド３の上面
に形成され、磁気抵抗素子層５、ハードバイアス層６、
および電極層７を覆うアルミナなどの絶縁材料からなる
上部ギャップ層８と、上部ギャップ層８の上面に形成さ
れた磁性材料からなり下部コア９を兼用する上部シール
ドから構成される。
【０００４】また、ヘッド素子１の記録部ｈ２は、パー
マロイなど磁性材料からなる下部コア９と、下部コア９
の上面に形成されたアルミナ等の絶縁材料からなるギャ
ップ層１１と、ギャップ層１１の上面に形成された有機
絶縁材料からなる第一の絶縁層１２と、第一の絶縁層１
２から下部コア９表面の一部が露出するように設けられ
た窓部１０と、第一の絶縁層１２の窓部１０を中心とし
た螺旋状をなし、銅などの良導電体からなるコイル１３
と、第一の絶縁層１２表面からスライダ２の側端面２ａ
表面のまで引き出されたコイル１３の一端部１３ａと、
コイル１３及びコイルの一端部１３ａの上面に形成され
た酸化防止のためのニッケル膜１４と、第一の絶縁層１
２上においてニッケル膜１４が施されたコイル１３の表
面を覆う有機絶縁材料からなる第二の絶縁層１５と、第
二の絶縁層１５からコイル１３の他端部（図示せず）が
露出するように設けられた開口部（図示せず）と、第二
の絶縁層１５の表面に形成され、下部コア９の表面に窓
部１０を通して接続した、ＦｅＮｉ合金（パーマロイ）
の磁性材料からなる上部コア１６とから構成されてい
る。
【０００５】上部コア１６は、ヘッド素子１のメディア
対向端において、先端部の幅が狭くなっており、ギャッ
プ層１１を隔てて下部コア９と対向している。
【０００６】図１８は図１５の線１８−１８での断面の
一部である。図１５及び図１８で示すように、引き出し
領域Ａ２にはコイル１３の一端部１３ａから供給端子形
成領域Ａ３に引き出される第一の引き出し部１８ａが形
成されている。第一の引き出し部１８ａは上部コア１６
と同一の磁性材料からなり、ヘッド形成領域Ａ１におい
てコイル１３の一端部１３ａの表面に重なり、端子形成
領域Ａ３まで引き出されて形成されると共に、その端部
は端子形成領域Ａ３に形成された第一の供給端子部１９
ａを構成したものとなっている。
【０００７】また、コイル１３の他端部（図示せず）か
ら供給端子形成領域Ａ３に引き出される第二の引き出し
部１８ｂが引き出し領域Ａ２に形成されている。第二の
引き出し部１８ｂは上部コア１６と同一の磁性材料から
なり、コイル１３の他端部に接続して、端子形成領域Ａ
３まで引き出されて形成されると共に、その端部は端子
形成領域Ａ３に形成された第二の供給端子部１９ａを構
成したものとなっている。
【０００８】スライダ２は、側端面２ａが、ハード磁気
ディスクのメディア面に直交するように可撓性を有する
フレキシャー（図示せず）に取り付けられる。ハード磁
気ディスク装置の動作時において、コイル１３には、供
給端子１９から引き出し部１８を通じて電流が供給され
る。コイル１３に流れる電流により、上部コア１６及び
下部コア９に誘導磁界が発生し、上部コア１６及び下部
コア９の誘導磁界がギャップＧ間に磁路を形成し、メデ
ィアを貫通する磁路の磁界によりメディアに情報の記録
を行うようになっている。
【０００９】次に、従来の薄膜磁気ヘッドにおけるコイ
ル１３、上部コア１６、及び引き出し部１８の製造方法
を図１９から図２７で説明する。スライダ２のＡｌ2Ｏ3
等の下地層２ｂが形成された側端面２ａ表面には、ヘッ
ド素子１の再生部ｈ１が形成されており、再生部ｈ１の
上部シールドを兼用する下部コア９の上面には、下部コ
ア９の一部が窓部１０で露出するようにパターニングさ
れたギャップ層１１と第一の絶縁層１２が積層されてい
る。
【００１０】この状態で、まず、図１９で示すように、
第一の絶縁層１２とスライダ２の側壁面２ａの表面に、
メッキ下準備のための、薄い金属膜からなる下地層２２
をスパッタにより形成する。そして、下地層２２の表面
にコイル１３の外形をレジストフレーム２３によって形
作る。
【００１１】そして、コイル形成工程において、レジス
トフレーム２３が形成された下地層２２表面に銅メッキ
膜２４を形成し、続いて、銅の酸化防止のためのニッケ
ルメッキ膜２５を積層する。
【００１２】レジストフレーム２３をレジスト剥離液に
より除去した後、図２０で示す第一回目のイオンミリン
グ工程により、銅メッキ膜２４を覆うニッケルメッキ膜
２５の表面と、レジスト剥離により露出した除去下地層
２２ａの表面にＡｒイオンを照射して、除去下地層２２
ａを削り取りコイル１３の巻き線間を絶縁する。次に、
コイル１３となる部分のニッケルメッキ膜２５の表面を
レジストで保護して、ウェットエッチングにより余分な
銅、ニッケルメッキ膜を除去した後、レジストを剥離す
る。
【００１３】そして、図２１で示す第二回目のイオンミ
リング工程により、コイル１３を覆うニッケル膜１４の
表面と、ウエットエッチングにより露出した余分下地層
２２ｂの表面にＡｒイオンを照射して、露出した余分下
地層２２ｂを削り取る。
【００１４】コイル１３が完成した時点では、図２２に
示すように、コイル１３の一端部１３ａがヘッド形成領
域Ａ１に形成されたものとなっている。
【００１５】そして、第二絶縁層形成工程において、コ
イル１３が形成されたスライダ２の側端面２ａ上に有機
膜を塗布して、コイル１３を覆うように第一の絶縁層１
２の上面に第二の絶縁膜１５を形成する。このとき、第
二の絶縁層１５を、コイル１３の一端部１３ａと他端部
が露出するようにパターニングする。
【００１６】次に、図２３で示すように、薄い金属膜で
あるメッキ下地層２７を、第二の絶縁層１２とコイル１
３の一端部１３ａとスライダ２のＡｌ2Ｏ3等の下地層２
ｂが形成された側端面２ａに、スパッタにより形成す
る。そして、メッキ下地層２７の表面にレジストフレー
ム２８により、上部コア１６の外形と、コイル１３の一
端部１３ａと重なる第一の引き出し部１８ａと第一の供
給端子１９ａが一体となった外形と、図２３では図示し
ていないが、コイル１３の他端部に接続する接続部と第
二の引き出し部と第二の供給端子１９ｂとが一体となっ
た外形を形作る。
【００１７】続いて、上部コア・引き出し部一括形成工
程において、レジストフレーム２８が形成されたメッキ
下地層２７の表面に、ＦｅＮｉ合金（パーマロイ）メッ
キ膜２９を形成する。
【００１８】次に、レジストフレーム２８をレジスト剥
離液により除去し、図２４で示す第三回目のイオンミリ
ング工程で、レジストフレーム２８除去により露出した
メッキ下地層２７ａの表面と、パーマロイメッキ膜２９
の表面にＡｒイオンを照射して、露出したメッキ下地層
２７ａを削り取る。そして、図２５に示すように、上部
コア１６、引き出し部１８、及び供給端子部１９、及び
接続部２０となる部分のパーマロイメッキ膜２９の表面
を、保護レジスト３０で保護する。
【００１９】次に、上部コアウェットエッチング工程
で、余分なパーマロイメッキ膜をウエットエッチングに
より除去して、上部コア１６、引き出し部１８、及び供
給端子部１９、及び接続部２０を形成する。そして、保
護レジスト３０を剥離した後、図２６で示す第四回目の
イオンミリング工程で、上部コア１６と引き出し部１
８、及び供給端子部１９の表面と、第二回目のウエット
エッチングにより露出した余分下地層２７ａの表面にＡ
ｒイオンを照射して、余分メッキ下地層２７ｂを削り取
る。そして、コイル１３、上部コア１６、引き出し部１
８、供給端子部１９が完成した時点では、図２７に示す
ような構成となる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
では、コイルの一端部１３ａから供給端子形成領域まで
引き出される第一の引き出し部１８ａを上部コア１６と
同一な磁性材料により構成していたので、引き出し部１
８ａ、１８ｂの配線抵抗が高く消費電力が大きかった。
【００２１】また、コイル１３の他端部から供給端子形
成領域まで引き出される第二の引き出し部１８ｂを、上
部コア１６と同一な磁性材料により構成していたので、
引き出し部１８ｂの配線抵抗が高く消費電力が大きかっ
た。
【００２２】また、第一の引き出し部１８ａ及び第二の
引き出し部１８ｂと同一な材料である上部コアの材料
は、引き出し部１８ａ、１８ｂの導電性を考慮してＦｅ
Ｎｉ合金からなる組成の比抵抗の低いパーマロイを用い
ていたので、上部コア１６にはコイル１３の交流電流に
より誘起される渦電流が流れやすく、渦電流により電流
が消費され、消費電力が大きかった。
【００２３】
【課題を解決するための手段】スライダ上に設けられた
磁性材料からなる下部コアと、該下部コアの表面に形成
された第一の絶縁層と、該第一の絶縁層の表面に形成さ
れた螺旋状の良導電体からなるコイルと、前記スライダ
の表面に形成され、前記コイルの一端部に接続されると
共に、前記スライダの表面に設けられた供給端子形成領
域まで延びた良導電体からなる第一の引き出し部と、前
記コイルを覆うように前記第一の絶縁層上に形成された
第二の絶縁層と、前記コイルの中心部で前記下部コアに
接触した状態で、前記第二の絶縁層表面に形成された磁
性材料からなる上部コアとを備え、前記第一の引き出し
部の表面に磁性材料からなる保護膜を形成した構成とし
た。
【００２４】前記コイルの近傍から前記スライダの表面
に設けられた供給端子形成領域まで延びた良導電材から
なる第二の引き出し部と、前記第二の絶縁層から露出し
た前記コイルの他端部に接続し、前記第二の引き出し部
の表面を覆う磁性材料からなる保護膜を形成した構成と
した。
【００２５】前記上部コア、及び前記引き出し部の表面
に形成した前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちから
選択された一種または二種以上の元素を有する合金を用
いた。
【００２６】スライダ上に設けられた磁性材料からなる
下部コアと、該下部コア部上に形成された第一の絶縁層
と、該第一の絶縁層上に形成された螺旋状のコイルと、
前記スライダの表面に形成され、前記コイルに近接する
と共に、前記スライダの表面に設けられた供給端子形成
領域まで延びた良導電体からなる引き出し部と、前記コ
イルを覆うように前記第一の絶縁層上に形成された第二
の絶縁層と、前記コイルの中心部で前記下部コアに接触
した状態で、前記第二の絶縁層表面に形成された磁性材
料からなる上部コアとを備え、前記コイルに接続して前
記引き出し部の表面を覆う磁性材料からなる保護膜を形
成した構成とした。
【００２７】前記上部コア、及び前記引き出し部の表面
に形成された前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちか
ら選択された一種または二種以上の元素を有する合金を
用いた。
【００２８】磁性材料からなる下部コア上に、第一の絶
縁層を形成する第一の絶縁層形成工程と、コイルと、該
コイルに接続されてスライダの表面に設けられた供給端
子形成領域まで延びた引き出し部、あるいは／及び前記
コイルの近傍からスライダの表面に設けられた供給端子
形成領域まで延びた引き出し部とを、同一材料からなる
良導電体により同時に形成するコイル・引き出し部一括
形成工程と前記コイルを覆うように、前記スライダに第
二の絶縁層を形成する第二の絶縁層形成工程と、前記引
き出し部の表面に形成される磁性材料からなる保護膜
と、前記第二の絶縁層上に形成される上部コアを同一の
磁性材料により同時に形成する上部コア・保護膜一括形
成工程とを有する製造方法とした。
【００２９】前記上部コアと、前記引き出し部の表面に
形成される磁性膜とを、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちから選
択された一種または二種以上の元素を有する合金を用い
た製造方法とした。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドを図１か
ら図４で説明する。図１は、ヘッド素子１が形成された
スライダ２の側端面２ａの平面図である。スライダ２は
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等セラミックからなり、側端面２ａに
はＡｌ2Ｏ3等の下地層２ｂが形成されている。そして、
スライダ２の側端面２ａは、ヘッド形成領域Ａ１と、ヘ
ッド素子１に電力を供給するための供給端子形成領域Ａ
３と、ヘッド素子と供給端子１９とを接続して引き出す
ための引き出し部形成領域Ａ２とを有している。ヘッド
素子はヘッド形成領域Ａ１に形成されており、ハード磁
気ディスクの情報を再生する再生部ｈ１と、情報の記録
を行う記録部ｈ２とから構成されている。
【００３１】図２はヘッド素子の斜視図であり、図３は
図１の３−３線での断面の一部である。再生部ｈ１は、
スライダ２の側端面２ａ表面に形成さたパーマロイなど
磁性材料からなる下部シールド３と、下部シールド３表
面に形成されたアルミナ等の絶縁材料からなる下部ギャ
ップ層４と、下部ギャップ層４のメディア対向端に形成
された磁気抵抗素子層５と、磁気抵抗素子層５の両側に
接続して形成されたハードバイアス層６と、両側のハー
ドバイアス層６に接続して下部ギャップ層４の表面に引
き出された良導電体からなる電極層７と、下部シールド
３の上面に形成され、磁気抵抗素子層５、ハードバイア
ス層６、および電極層７を覆うアルミナなどの絶縁材料
からなる上部ギャップ層８と、上部ギャップ層８の上面
に形成された磁性材料からなり下部コア９を兼用する上
部シールドから構成される。
【００３２】そして、ヘッド素子１の記録部ｈ２は、パ
ーマロイなど磁性材料からなる下部コア９と、下部コア
９の上面に形成されたアルミナ等の絶縁材料からなるギ
ャップ層１１と、ギャップ層１１の上面に形成された有
機絶縁材料からなる第一の絶縁層１２と、第一の絶縁層
１２から下部コア９表面の一部が露出するように設けら
れた窓部１０と、第一の絶縁層１２の窓部１０を中心と
した螺旋状をなし、銅などの良導電体からなるコイル１
３と、第一の絶縁層１２表面からスライダ２の側端面２
ａ表面に引き出されたコイル１３の一端部１３ａと、コ
イル１３及びコイルの一端部１３ａの上面に形成された
酸化防止のためのニッケル膜１４と、第一の絶縁層１２
上においてニッケル膜１４が施されたコイル１３の表面
を覆う有機絶縁材料からなる第二の絶縁層１５と、第二
の絶縁層１５からコイル１３の他端部（図示せず）が露
出するように設けられた開口部（図示せず）と、第二の
絶縁層１５の表面に形成され、窓部１０で下部コア９の
表面に接続した、ＦｅＮｉ合金パーマロイの磁性材料か
らなる上部コア１６とから構成されている。
【００３３】上部コア１６の磁性材料は、高飽和磁束密
度を有する磁性材料が好ましく、例えばＦｅＮｉ合金、
ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金等が例
示される。また、これらの合金に無機添加物や有機系添
加物を含有させて比抵抗を増大させた高比抵抗磁性合金
を使用しても良い。この場合、渦電流損失が小さく、高
周波記録対応が可能である。上部コア１６は、ヘッド素
子１のメディア対向端において、先端部の幅が狭くなっ
ており、ギャップ層７ａを隔てて下部コア９と対向して
いる。
【００３４】図３は図１の３−３線での断面の一部であ
り、図１及び図３で示すように、引き出し領域Ａ２に
は、コイル１３の一端部１３ａから供給端子形成領域Ａ
３に引き出される第一の引き出し部１８ａと、コイル１
３の他端部（図示せず）から供給端子形成領域Ａ３に引
き出される第二の引き出し部１８ｂとが形成されてい
る。
【００３５】コイル１３に導通するする第一の引き出し
部１８ａは、銅など良導電体からなるコイル１３と一体
であり、コイル１３の一端部１３ａから端子形成領域Ａ
３まで引き出されている。また、第一の引き出し部１８
ａの表面は第一の保護膜２１ａに覆われており、第一の
保護膜２１ａの一端は第一の供給端子部１９ａを構成し
たものとなっている。第一の保護膜２１ａ及び第一の供
給端子部１９ａは上部コア１６と同一の磁性材料で形成
されている。
【００３６】また、コイル１３に導通する第二の引き出
し部１８ｂはコイル１３と同一材料の銅等の良導電体か
らなり、コイル１３の近傍から端子形成領域Ａ３まで引
き出されている。第二の引き出し部１８ｂの表面は保護
膜２１ｂで覆われており、第二の保護膜２１ｂの一端２
０はコイル１３の他端部と接続しており、コイル１３の
他端部と第二の引き出し部１８ｂは第二の保護膜２１ｂ
を介して接続したものとなっている。また、第二の保護
膜２１ｂの他端は、第二の供給端子部１９ｂを構成した
ものとなっている。第二の保護膜２１ｂと第二の供給端
子部１９ｂは上部コアと同一の磁性材料から形成されて
いる。
【００３７】スライダ２は、側端面２ａが、ハード磁気
ディスクのメディア面に直交するように可撓性を有する
フレキシャー（図示せず）に取り付けられる。ハード磁
気ディスク装置の動作時において、コイル１３には、供
給端子１９ａ、１９ｂから引き出し部１８ａ、１８ｂ及
び第二の引き出し部１８ｂとコイル１３の他端部を接続
する第二の保護膜２１ｂを通じて電流が供給される。こ
のとき、コイル１３までの電流の経路の大半は、銅など
良導電体からなる引き出し部１８ａ、１８ｂであるので
電流が流れやすい。コイル１３に流れる電流により、上
部コア１６及び下部コア９に誘導磁界が発生し、上部コ
ア１６及び下部コア９の誘導磁界がギャップＧ間に磁路
を形成し、メディアを貫通する磁路の磁界によりメディ
アに情報の記録を行うようになっている。また、コイル
１３を流れる電流は交流であるため、上部コア１６には
交流磁界が誘導され、この交流磁界により上部コア１６
に渦電流が発生するが、上部コア１６はＮｉ成分よりも
Ｆｅ成分が多く比抵抗の高いＦｅＮｉ合金パーマロイか
らなるので渦電流は発生しにくい。
【００３８】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドにおけるコ
イル１３、上部コア１６、及び引き出し部１８ａ、１８
ｂと保護膜２１ａ、２１ｂの製造方法を図５から図１４
で説明する。図５に示すように、スライダ２のＡｌ2Ｏ3
等の下地層２ｂが形成された側端面２ａの表面には、ヘ
ッド素子１の再生部ｈ１が形成されており、再生部ｈ１
の上部シールドを兼用する下部コア９の上面には、ギャ
ップ層１１と第一の絶縁層１２が積層されている。
【００３９】まず、図６のように、第一の絶縁層１２と
スライダ２の側端面２ａの表面に、メッキ下準備のため
の、薄い金属膜からなる下地層２２をスパッタにより形
成する。次に、下地層２２の表面にコイル１３と、コイ
ル１３と一体に形成された第一の引き出し部１８ａの外
形と、第二の引き出し部１８ｂの外形をレジストフレー
ム２３によって形作る。そして、コイル・引き出し部一
括形成工程において、レジストフレーム２３が形成され
た下地層２２表面に銅メッキ膜２４を形成し、続いて、
銅の酸化防止のためのニッケルメッキ膜２５を積層す
る。
【００４０】そして、レジストフレーム２３をレジスト
剥離液により除去した後、図７に示す第一回目のイオン
ミリング工程では、銅メッキ膜２４の上面を覆うニッケ
ルメッキ膜２５表面と、レジストフレーム２３を除去す
ることにより露出した下地層２２ａの表面にＡｒイオン
を照射して、露出した下地層２２ａ削り取る。これで、
コイル１３の巻き線間、第一の引き出し部１８ａと第二
の引き出し部１８ｂの間が絶縁される。
【００４１】次のコイル・引き出しウェットエッチング
工程では、コイル１３と引き出し部１８となる部分のニ
ッケルメッキ膜２５表面をレジストで保護して、余分な
銅メッキ膜と余分なニッケルメッキ膜をウエットエッチ
ングにより除去した後、コイル１３と引き出し部となる
部分を覆っていたレジストを剥離する。そして、図８で
示す第二回目のイオンミリング工程で、コイル１３を覆
うニッケル膜１４の表面と、図８では図示していない
が、ウエットエッチングにより露出した下地層の表面に
Ａｒイオンを照射して、露出したメッキ下地層を削り取
る。
【００４２】コイル１３と引き出し部１８ａ、１８ｂが
完成した時点では、図９に示すように、スライダ２の側
端面２ａは、ヘッド形成領域Ａ１に形成されたコイル１
３と、コイルと一体に形成され、コイル１３の一端部１
３ａから端子形成領域Ａ３まで引き出された第一の引き
出し部１８ａと、コイルの近傍から端子形成領域Ａ３ま
で引き出された第二の引き出し部１８ｂを有している。
【００４３】そして、第二の絶縁膜形成工程で、コイル
１３が形成されたスライダ２の側端面２ａ上に有機膜を
塗布して、コイル１３を覆うように第一の絶縁層１２の
上面に第二の絶縁膜１５を形成する。このとき、第二の
絶縁層１５を、コイル１３の他端部が露出するようにパ
ターニングする。
【００４４】次に、図１０で示すように、第二の絶縁層
１２と、ニッケル膜１４に覆われたコイル１３の一端部
１３ａと、コイル１３の一端部１３ａに一体である第一
の引き出し部１８ａの表面と、図１０には示していない
が第二の引き出し部１８ｂ及びスライダ２の側端面２ａ
の表面に、薄い金属膜であるメッキ下地層２７をスパッ
タにより形成する。
【００４５】次に、下地層２７の表面にレジストフレー
ム２８により、上部コア１６の外形と、第一の引き出し
部１８ａの表面を覆う第一の保護膜２１ａと第一の供給
端子１９ａが一体となった外形と、図１０では図示して
いないが、コイル１３の他端部に接続する接続部２０と
第二の引き出し部１８ｂの表面を覆う保護膜２１ｂと第
二の供給端子１９ｂとが一体となった外形を形作る。
【００４６】そして、上部コア・保護膜一括形成工程に
おいて、レジストフレーム２８が形成されたメッキ下地
層２７の表面に、Ｎｉ成分よりもＦｅ成分の多い組成の
ＦｅＮｉ合金パーマロイメッキ膜２９を形成した後、レ
ジストフレーム２８をレジスト剥離液により除去する。
【００４７】そして、図１１に示す第三回目のイオンミ
リング工程で、レジストフレーム２８を除去することに
より露出したメッキ下地層２７ａの表面と、パーマロイ
メッキ膜２９の表面にＡｒイオンを照射し、露出したメ
ッキ下地層２７ａを削り取って、第一の引き出し部１８
ａと第二の引き出し部１８ｂの間を絶縁する。パーマロ
イメッキ膜２９の形成後に行われる第三回目のイオンミ
リング工程では、引き出し部１８ａ及び１８ｂはパーマ
ロイメッキ膜２９により覆われているので引き出し部１
８ａ及び１８ｂは削り取られることがない。
【００４８】そして、図１２に示す上部コアウェットエ
ッチング工程で、パーマロイメッキ膜２９のうち、上部
コア１６、引き出し部１８ａ、１８ｂを覆った保護膜２
１ａ、２１ｂ、及び供給端子部１９ａ、１９ｂとなる部
分をレジスト膜３０で覆い、それ以外の余分なパーマロ
イメッキ膜を除去して、上部コア１６、保護膜２１ａ、
２１ｂ、及び供給端子部１９ａ、１９ｂを形成する。こ
のとき、引き出し部１８ａ、１８ｂの表面を覆うパーマ
ロイメッキ膜２９（保護膜２１ａ、２１ｂ）の表面のレ
ジスト３０により、引き出し部１８ａ、１８ｂは保護さ
れており、引き出し部１８ａ、１８ｂはウエットエッチ
ング液に接触することがないので浸食されない。
【００４９】次に、図１３に示す第四回目のイオンミリ
ングで、レジスト３０を剥離した後、スライダ２の側端
面２ａ表面と、第二の絶縁膜１５の表面と、保護膜２１
ａ、２１ｂ及び供給端子部１９ａ、１９ｂの表面と、第
二回目のウエットエッチングにより露出した余分下地層
２７ｂの表面にＡｒイオンを照射して、露出した余分下
地層２７ｂを削り取る。このとき、引き出し部１８ａ及
び１８ｂは保護膜２１ａ、２１ｂにより覆われているの
で、引き出し部１８ａ及び１８ｂはイオンミリングによ
り削り取られることがない。そして、コイル１３、上部
コア１６、引き出し部１８ａ、１８ｂ、保護膜２１ａ、
２１ｂ、供給端子部１９ａ、１９ｂが完成した時点で
は、図１４に示すような構成となる。
【００５０】なお、本実施例では、第一の引き出し部１
８ａをコイル１３と一体としたが、第一の引き出し部１
８ａを、コイル１３の近傍から供給端子形成領域Ａ３ま
で引き出して、第一の引き出し部１８ａを覆う第一の保
護膜２１ａをコイルの一端部１３ａに接続させて、コイ
ル１３と第一の引き出し部１８ａを導通させても良い。
【００５１】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドは、良導電体か
らなるコイルと、磁性材料からなる上部コアと、前記コ
イルの一端部に接続されて供給端子形成領域まで引き出
された第一の引き出し部と、磁性材料からなり前記第一
の引き出し部を覆う保護膜とを有し、前記第一の引き出
し部の材料を良導電体としたので、従来の引き出し部が
磁性材料で構成されているものに比べると配線抵抗が小
さく、低消費電力の薄膜磁気ヘッドを提供することがで
きる。
【００５２】また、前記コイルの近傍から供給端子形成
領域まで引き出された第二の引き出し部と、前記第二の
引き出し部の表面を覆い、前記コイルの他端部と接続し
てコイルと第二の引き出し部を接続する保護膜とを有
し、前記第二の引き出し部の材料を良導電体としたの
で、従来の引き出し部が磁性材料で構成されているもの
に比べると配線抵抗が小さく、低消費電力の薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。
【００５３】前記引き出し部を良導電体で形成し、引き
出し部の表面を前記保護膜で覆ったので、従来のように
引き出し部の材料が上部コアの材料と同一であるために
上部コアをＦｅ成分よりもＮｉ成分が多い合金などの比
抵抗の小さいパーマロイを用いる必要がない。従って、
上部コアは引き出し部の導電性を考慮することなくＦｅ
成分がＮｉ成分よりも多い合金等比抵抗の高いパーマロ
イとすることができるので、前記上部コアでの渦電流損
失が少ない高周波駆動の磁気ヘッド装置においても低消
費電力の薄膜磁気ヘッドを提供することができる。ま
た、Ｆｅ成分がＮｉ成分よりも多い合金はＦｅ成分より
もＮｉ成分が多い合金よりも飽和磁束密度が高いので、
高記録密度の薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００５４】本発明の薄膜磁気ヘッドは、良導電体から
なるコイルと、磁性材料からなる上部コアと、前記コイ
ルの近傍から供給端子形成領域まで引き出された引き出
し部と、前記引き出し部の表面を覆い、前記コイルと接
続してコイルと引き出し部を接続する保護膜とを有し、
前記引き出し部の材料を良導電体としたので、従来の引
き出し部が磁性材料で構成されているものに比べると配
線抵抗が小さく、低消費電力の薄膜磁気ヘッドを提供す
ることができる。
【００５５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、コイル・引き出し部一括形成工程で良導電体により
形成することにより、従来から工数を増すことなく低消
費電力磁気ヘッドを提供することができる。また、上部
コア・保護膜一括形成工程で、引き出し部を覆う保護膜
を磁性材料により形成するので、上部コア製造のイオン
ミリング工程やウエットエッチング工程において引き出
し部は損傷を受けず、低消費電力であり且つ引き出し部
の損傷による導通不良のない信頼性の高い磁気ヘッドを
従来から工数を増すことなく提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの形成されたスライダ
の側壁面の平面図。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドのヘッド素子の断面斜
視図。
【図３】図１の３−３線での断面の一部。
【図４】図１の４−４線での断面の一部。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明
図。
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明
図。
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明
図。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明
図。
【図１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明
図。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの形成されたスライダ
の側壁面の平面図。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドのヘッド素子の断面斜
視図。
【図１７】図１５の１７−１７線での断面の一部。
【図１８】図１５の１８−１８線での断面の一部。
【図１９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２２】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【図２７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図。
【符号の説明】
１ ヘッド素子 ２ スライダ ２ａ 側端面 ２ｂ 下地層 ３ 下部シールド ４ 下部ギャップ層 ５ 磁気抵抗素子層 ６ ハードバイアス層 ７ 電極層 ８ 上部ギャップ層 ９ 下部コア １０ 窓部 １１ ギャップ層 １２ 第一の絶縁層 １３ コイル １３ａ 一端部 １４ ニッケル膜 １５ 第二の絶縁層 １６ 上部コア １８ａ 第一の引き出し部 １８ｂ 第二の引き出し部 １９ａ 第一の供給端子 １９ｂ 第二の供給端子 ２１ａ 第一の保護膜 ２１ｂ 第二の保護膜 ２１ｃ 第二の保護膜の一端 ２２ 下地層 ２２ａ 露出した下地層 ２２ｂ 余分下地層 ２３ レジストフレーム ２４ 銅メッキ膜 ２５ ニッケルメッキ膜 ２７ メッキ下地層 ２７ａ 露出した下地層 ２７ｂ 余分下地層 ２８ レジストフレーム ２９ パーマロイメッキ膜 ３０ 保護レジスト ｈ１ 再生部 ｈ２ 記録部 Ｇ ギャップ Ａ１ ヘッド形成領域 Ａ２ 引き出し部形成領域 Ａ３ 供給端子形成領域

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スライダ上に設けられた磁性材料からな
    る下部コアと、該下部コアの表面に形成された第一の絶
    縁層と、該第一の絶縁層の表面に形成された螺旋状の良
    導電体からなるコイルと、前記スライダの表面に形成さ
    れ、前記コイルの一端部に接続されると共に前記スライ
    ダの表面に設けられた第一の供給端子形成領域まで延び
    た良導電体からなる第一の引き出し部と、前記コイルを
    覆うように前記第一の絶縁層上に形成された第二の絶縁
    層と、前記コイルの中心部で前記下部コアに接触した状
    態で前記第二の絶縁層表面に形成された磁性材料からな
    る上部コアとを備え、前記第一の引き出し部の表面に磁
    性材料からなる保護膜を形成したことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記コイルの近傍から前記スライダの表
    面に設けられた第二の供給端子形成領域まで延びた良導
    電材からなる第二の引き出し部と、前記第二の絶縁層か
    ら露出した前記コイルの他端部に接続し、前記第二の引
    き出し部の表面を覆う磁性材料からなる保護膜を形成し
    たことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記上部コア、及び前記引き出し部の表
    面に形成した前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちか
    ら選択された一種または二種以上の元素を有する合金か
    らなることを特徴とする請求項１、または２記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 スライダ上に設けられた磁性材料からな
    る下部コアと、該下部コア部上に形成された第一の絶縁
    層と、該第一の絶縁層上に形成された螺旋状のコイル
    と、前記スライダの表面に形成され、前記コイルに近接
    すると共に、前記スライダの表面に設けられた供給端子
    形成領域まで延びた良導電体からなる引き出し部と、前
    記コイルを覆うように前記第一の絶縁層上に形成された
    第二の絶縁層と、前記コイルの中心部で前記下部コアに
    接触した状態で、前記第二の絶縁層表面に形成された磁
    性材料からなる上部コアとを備え、前記コイルに接続
    し、前記引き出し部の表面を覆う磁性材料からなる保護
    膜を形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記上部コア、及び前記引き出し部の表
    面に形成された前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち
    から選択された一種または二種以上の元素を有する合金
    からなることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  6. 【請求項６】 磁性材料からなる下部コア上に、第一の
    絶縁層を形成する第一の絶縁層形成工程と、コイルと、
    該コイルに接続されてスライダの表面に設けられた供給
    端子形成領域まで延びた引き出し部、あるいは／及び前
    記コイルの近傍からスライダの表面に設けられた供給端
    子形成領域まで延びた引き出し部とを、同一材料からな
    る良導電体により同時に形成するコイル・引き出し部一
    括形成工程と前記コイルを覆うように、前記スライダに
    第二の絶縁層を形成する第二の絶縁層形成工程と、前記
    引き出し部の表面に形成される磁性材料からなる保護膜
    と、前記第二の絶縁層上に形成される上部コアを同一の
    磁性材料により同時に形成する上部コア・保護膜一括形
    成工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  7. 【請求項７】 前記上部コアと、前記引き出し部の表面
    に形成される磁性膜とを、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちから
    選択された一種または二種以上の元素を有する合金を用
    いたことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
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