JPH0154768B2 - - Google Patents
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- JPH0154768B2 JPH0154768B2 JP56119450A JP11945081A JPH0154768B2 JP H0154768 B2 JPH0154768 B2 JP H0154768B2 JP 56119450 A JP56119450 A JP 56119450A JP 11945081 A JP11945081 A JP 11945081A JP H0154768 B2 JPH0154768 B2 JP H0154768B2
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- magnetic head
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- ferrite
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフエライト磁極片及び薄膜導線を有す
る改良された磁気ヘツドに関するものである。
る改良された磁気ヘツドに関するものである。
通常の磁気ヘツドはフエライトで造られた磁気
ヨーク若しくは磁極片を有する。薄膜技術の進歩
により、基板としてのフエライト・ヨークの１つ
の表面に平担な（プレーナー型）導線を付着させ
ることが行われる様になつてきている。平担な構
造を採用することにより、導線のクロスオーバー
や付加的な絶縁手段の必要性がなくなつている。
この型の磁気ヘツドに関する問題点は、導線の近
くのフエライト・ヨーク間に形成されている変換
ギヤツプにおいてジユール熱（I2R）が発生する
ことである。ジユール熱により磁気ヘツド及び酸
化物テープ等の記録媒体の変形が起こる可能性が
ある。１つの対策として導線の巻数を増し且つ導
線の断面積を大きくして抵抗を減ずることが行わ
れている。しかしながら、変換ギヤツプの長さに
より導線の厚さが制限されることにより、導線の
断面積を大きくすることも制限される。又、書込
み磁束を生じる際、アンペア回数を最も有利に利
用するためには変換ギヤツプに近づけて導線を設
けなければならないということに関する制限もあ
る。
ヨーク若しくは磁極片を有する。薄膜技術の進歩
により、基板としてのフエライト・ヨークの１つ
の表面に平担な（プレーナー型）導線を付着させ
ることが行われる様になつてきている。平担な構
造を採用することにより、導線のクロスオーバー
や付加的な絶縁手段の必要性がなくなつている。
この型の磁気ヘツドに関する問題点は、導線の近
くのフエライト・ヨーク間に形成されている変換
ギヤツプにおいてジユール熱（I2R）が発生する
ことである。ジユール熱により磁気ヘツド及び酸
化物テープ等の記録媒体の変形が起こる可能性が
ある。１つの対策として導線の巻数を増し且つ導
線の断面積を大きくして抵抗を減ずることが行わ
れている。しかしながら、変換ギヤツプの長さに
より導線の厚さが制限されることにより、導線の
断面積を大きくすることも制限される。又、書込
み磁束を生じる際、アンペア回数を最も有利に利
用するためには変換ギヤツプに近づけて導線を設
けなければならないということに関する制限もあ
る。
フエライト基体に溝を形成し、そこにバイアス
導線を配置した磁気ヘツドも開発されている。そ
の溝にはガラスが充填されており、そのラツプ仕
上げを受けた平坦な表面に書込み導線が設けられ
ている。しかしながら、この構造のヘツドはバイ
アス書込み動作を必要とするので、パルス状の書
込み電流を用いるものよりも複雑であり且つ高価
である。
導線を配置した磁気ヘツドも開発されている。そ
の溝にはガラスが充填されており、そのラツプ仕
上げを受けた平坦な表面に書込み導線が設けられ
ている。しかしながら、この構造のヘツドはバイ
アス書込み動作を必要とするので、パルス状の書
込み電流を用いるものよりも複雑であり且つ高価
である。
本発明の目的は単純でコンパクトな構造を有す
る磁気ヘツドを提供することである。
る磁気ヘツドを提供することである。
本発明の他の目的は書込み効率の良い磁気ヘツ
ドを提供することである。
ドを提供することである。
本発明の更に他の目的はパルス状の書込み電流
を使用することのできる磁気ヘツドを提供するこ
とである。
を使用することのできる磁気ヘツドを提供するこ
とである。
本発明の更に他の目的はジユール熱の発生を軽
減した磁気ヘツドを提供することである。
減した磁気ヘツドを提供することである。
本発明の更に他の目的は高い飽和磁束密度を得
る様に抵抗の低い基体を用いる磁気ヘツドを提供
することである。
る様に抵抗の低い基体を用いる磁気ヘツドを提供
することである。
第１図及び第２図は本発明による磁気ヘツドを
示している。磁気ヘツドはフエライト基体１０及
びフエライト閉鎖体１２を有する。フエライト基
体１０には溝１４が形成されている。溝１４には
銅製薄膜導電コイル１６が設けられている。コイ
ル１６は２つの幅の狭い部分１８ａ，１８ｂと１
つの幅の広い部分１８を有する。コイル１６は例
えばスパツタリング法、メツキ法、あるいは真空
蒸着法によつて形成される。基体１０とコイル１
６との間には、例えば酸化アルミニウムからなる
薄膜絶縁層２０が設けられている。絶縁層２０は
磁気ヘツドの実効変換面に隣接する記録媒体２６
に関して信号変換動作を行う変換ギヤツプ２１を
定めている。絶縁層２０の厚さがギヤツプ２１の
長さを定める。例えば磁気テープである記録媒体
２６に情報を記録するための書込み電流を伝える
ために、引き出し線２２及び２４がスタツド２３
を介してコイル１６に接続されている。
示している。磁気ヘツドはフエライト基体１０及
びフエライト閉鎖体１２を有する。フエライト基
体１０には溝１４が形成されている。溝１４には
銅製薄膜導電コイル１６が設けられている。コイ
ル１６は２つの幅の狭い部分１８ａ，１８ｂと１
つの幅の広い部分１８を有する。コイル１６は例
えばスパツタリング法、メツキ法、あるいは真空
蒸着法によつて形成される。基体１０とコイル１
６との間には、例えば酸化アルミニウムからなる
薄膜絶縁層２０が設けられている。絶縁層２０は
磁気ヘツドの実効変換面に隣接する記録媒体２６
に関して信号変換動作を行う変換ギヤツプ２１を
定めている。絶縁層２０の厚さがギヤツプ２１の
長さを定める。例えば磁気テープである記録媒体
２６に情報を記録するための書込み電流を伝える
ために、引き出し線２２及び２４がスタツド２３
を介してコイル１６に接続されている。
磁束のための閉じた通路を提供するバツクギヤ
ツプ部分２８は溝１４及びコイル１６によつて囲
まれている台形領域として形成されている。バツ
ク・ギヤツプ部２８は閉鎖体１２に適合する主要
な面を提供し、閉鎖体１２が基体１０に結合され
るとき、それが湾曲するのを防ぐ。閉鎖体１２は
例えば非常に薄いエポキシ樹脂の層によつてバツ
ク・ギヤツプ部分２８及び基体１０に結合されて
磁気ヘツドの閉鎖構造を形成する。
ツプ部分２８は溝１４及びコイル１６によつて囲
まれている台形領域として形成されている。バツ
ク・ギヤツプ部２８は閉鎖体１２に適合する主要
な面を提供し、閉鎖体１２が基体１０に結合され
るとき、それが湾曲するのを防ぐ。閉鎖体１２は
例えば非常に薄いエポキシ樹脂の層によつてバツ
ク・ギヤツプ部分２８及び基体１０に結合されて
磁気ヘツドの閉鎖構造を形成する。
磁束をコイル１６の付近だけに制限するため
に、ガラス層３０及び３２が設けられている。磁
気ヘツドは最近の磁気テープ装置において用いら
れている様に複数のデータ・トラツクに対応する
複数の同等のヘツド素子を一体として含むことも
できる。その場合、ガラス層３０は隣接するヘツ
ド素子を離隔して漏話を防ぐと共にデータ・トラ
ツクの幅を定める。
に、ガラス層３０及び３２が設けられている。磁
気ヘツドは最近の磁気テープ装置において用いら
れている様に複数のデータ・トラツクに対応する
複数の同等のヘツド素子を一体として含むことも
できる。その場合、ガラス層３０は隣接するヘツ
ド素子を離隔して漏話を防ぐと共にデータ・トラ
ツクの幅を定める。
本発明による磁気ヘツドを造る方法を例示す
る。先ずマンガン及び亜鉛を含むフエライトのブ
ロツクを形成し、所望の寸法になるまでラツプ仕
上げを行う。フオトリソグラフイ及び反応性イオ
ン・エツチング法を用いて、基体１０としてのフ
エライト・ブロツクに溝１４を形成する。溝１４
の深さは約1.3乃至5.1μｍである。次に基体１０
のへこんでいる溝１４、へこんでいない部分及び
バツク・ギヤツプ部分を含む平坦でない面に酸化
アルミニウム絶縁層２０を付着させる。その後、
溝１４内の絶縁層の上にコイル１６としての銅薄
膜を蒸着させる。最後に閉鎖体１２としての第２
のフエライト・ブロツクを基体１０に結合する。
る。先ずマンガン及び亜鉛を含むフエライトのブ
ロツクを形成し、所望の寸法になるまでラツプ仕
上げを行う。フオトリソグラフイ及び反応性イオ
ン・エツチング法を用いて、基体１０としてのフ
エライト・ブロツクに溝１４を形成する。溝１４
の深さは約1.3乃至5.1μｍである。次に基体１０
のへこんでいる溝１４、へこんでいない部分及び
バツク・ギヤツプ部分を含む平坦でない面に酸化
アルミニウム絶縁層２０を付着させる。その後、
溝１４内の絶縁層の上にコイル１６としての銅薄
膜を蒸着させる。最後に閉鎖体１２としての第２
のフエライト・ブロツクを基体１０に結合する。
この様にして造られた磁気ヘツドはパルス状の
書込み電流を用いて記録動作を行うことができ
る。バイアス電流は必要ないので、バイアス導線
は設けられていない。パルス状の書込み電流が用
いられるので、熱の発生は非常に少ない。又、溝
１４の中でコイル１６の厚さ若しくは断面積を増
して抵抗Ｒを減ずることにより、I2Rを減ずるこ
とができる。この様にして磁気ヘツドにおける熱
の発生を抑制できるので、熱による磁気ヘツド自
体及び磁気テープのゆがみを回避することができ
る。
書込み電流を用いて記録動作を行うことができ
る。バイアス電流は必要ないので、バイアス導線
は設けられていない。パルス状の書込み電流が用
いられるので、熱の発生は非常に少ない。又、溝
１４の中でコイル１６の厚さ若しくは断面積を増
して抵抗Ｒを減ずることにより、I2Rを減ずるこ
とができる。この様にして磁気ヘツドにおける熱
の発生を抑制できるので、熱による磁気ヘツド自
体及び磁気テープのゆがみを回避することができ
る。
ここに開示した構造によれば、コイル１６はフ
エライト基体１０及びフエライト閉鎖体１２のい
ずれにも直接接触していない。従つて、マンガン
及び亜鉛を含むフエライトの様な抵抗率の低い導
電性フエライトを用いることができる。この様な
フエライトは通常の比較的抵抗率の高いフエライ
トよりも高い飽和磁化を有するので、変換ギヤツ
プの所に良好な書込み磁界を生じることができ
る。又、コイルを変換ギヤツプに十分近い位置に
配置することにより、書込み電流が効率良く利用
できる。プレーナー型コイルは通常の巻線型コイ
ルに比べて信号損失の少ない小さな磁束路をもた
らす。導線のクロスオーバーの問題も軽減されて
いる。
エライト基体１０及びフエライト閉鎖体１２のい
ずれにも直接接触していない。従つて、マンガン
及び亜鉛を含むフエライトの様な抵抗率の低い導
電性フエライトを用いることができる。この様な
フエライトは通常の比較的抵抗率の高いフエライ
トよりも高い飽和磁化を有するので、変換ギヤツ
プの所に良好な書込み磁界を生じることができ
る。又、コイルを変換ギヤツプに十分近い位置に
配置することにより、書込み電流が効率良く利用
できる。プレーナー型コイルは通常の巻線型コイ
ルに比べて信号損失の少ない小さな磁束路をもた
らす。導線のクロスオーバーの問題も軽減されて
いる。
コイルを付着させるための溝を形成するのに反
応性イオン・エツチング又はイオンミリングと共
にフオトリソグラフイの技法を用いることによ
り、変換ギヤツプ及び磁気ヘツド全体に対する溝
やコイルの配置を正確に定めることができる。こ
の技法は、通常の研削や薄切り等の技法を用いる
ときの様に単純な面の加工だけに限定されること
なく、図示した磁気ヘツドの溝等の種々の形状の
パターンを形成するために適用される。又、付着
させた酸化アルミニウム層は、従来のヘツドの場
合の様にエツチング処理を必要としない。
応性イオン・エツチング又はイオンミリングと共
にフオトリソグラフイの技法を用いることによ
り、変換ギヤツプ及び磁気ヘツド全体に対する溝
やコイルの配置を正確に定めることができる。こ
の技法は、通常の研削や薄切り等の技法を用いる
ときの様に単純な面の加工だけに限定されること
なく、図示した磁気ヘツドの溝等の種々の形状の
パターンを形成するために適用される。又、付着
させた酸化アルミニウム層は、従来のヘツドの場
合の様にエツチング処理を必要としない。
別の実施例として、セラミツク絶縁体によつて
離隔され且つそれに形成される孔を通して接続さ
れる渦巻状導線をギヤツプ内に設けることも考え
られる。導線及び絶縁体の全体的な厚さは溝１４
よりも小さい。
離隔され且つそれに形成される孔を通して接続さ
れる渦巻状導線をギヤツプ内に設けることも考え
られる。導線及び絶縁体の全体的な厚さは溝１４
よりも小さい。
又、ガラス層３０及び３２をフエライト基体か
ら除去したり、フエライト閉鎖体に同様なガラス
層を設ける様にすることも可能である。
ら除去したり、フエライト閉鎖体に同様なガラス
層を設ける様にすることも可能である。
第１図は本発明による磁気ヘツドの断面図、第
２図は第１図の磁気ヘツドのフエライト基体を示
す図である。 １０…フエライト基体、１２…フエライト閉鎖
体、１４…みぞ、１６…コイル、２０…絶縁層、
２１…変換ギヤツプ。
２図は第１図の磁気ヘツドのフエライト基体を示
す図である。 １０…フエライト基体、１２…フエライト閉鎖
体、１４…みぞ、１６…コイル、２０…絶縁層、
２１…変換ギヤツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の平坦面に平坦な底面を有する溝が形成
されているフエライト基体と、上記所定の平坦面
上及び上記溝の底面上を一体的に覆うとともに変
換ギヤツプを定める絶縁層と、上記溝の中の上記
絶縁層上に収納された導電コイルと、上記絶縁層
を挟んで上記所定の平坦面と接合して上記溝を覆
う面を有するフエライト閉鎖体と、 を有し、 上記導電コイルの上記変換ギヤツプ側の断面積
に比して上記導電コイルの上記変換ギヤツプとは
離れた側の断面積が大きくなるように形成されて
いる、磁気ヘツド。 ２ 上記溝内の上記導電コイルと上記フエライト
閉鎖体とが絶縁されている、特許請求の範囲第１
項記載の磁気ヘツド。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/203,282 US4375657A (en) | 1980-11-03 | 1980-11-03 | Magnetic head assembly |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5778615A JPS5778615A (en) | 1982-05-17 |
| JPH0154768B2 true JPH0154768B2 (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=22753298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56119450A Granted JPS5778615A (en) | 1980-11-03 | 1981-07-31 | Magnetic head |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4375657A (ja) |
| EP (1) | EP0051123B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5778615A (ja) |
| DE (1) | DE3173442D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3204183A1 (de) * | 1982-02-06 | 1983-08-11 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Duennschicht-magnetkopf |
| US4599668A (en) * | 1983-06-15 | 1986-07-08 | Eastman Kodak Company | Inductively-coupled, thin-film M-R head |
| US4648087A (en) * | 1984-06-28 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Capacitive sensing employing thin film inductors |
| JPS6271010A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
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| US4899434A (en) * | 1987-07-28 | 1990-02-13 | Applied Magnetics Corporation | Method of making a thin film magnetic head with a leveler layer and superstrate |
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| US6452742B1 (en) | 1999-09-02 | 2002-09-17 | Read-Rite Corporation | Thin film write having reduced resistance conductor coil partially recessed within middle coat insulation |
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| US4072993A (en) * | 1974-11-12 | 1978-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-element magnetic head |
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| JPS52119213A (en) * | 1976-03-30 | 1977-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head and its production |
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