JP2871055B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JP2871055B2 JP2871055B2 JP26565090A JP26565090A JP2871055B2 JP 2871055 B2 JP2871055 B2 JP 2871055B2 JP 26565090 A JP26565090 A JP 26565090A JP 26565090 A JP26565090 A JP 26565090A JP 2871055 B2 JP2871055 B2 JP 2871055B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録再生用の薄膜磁気ヘッド及び
薄膜磁気ヘッドの製造方法に関わるものである。
薄膜磁気ヘッドの製造方法に関わるものである。
従来の技術 高密度磁気記録用に用いられている磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッドは例えば第１図の様に基板１の上に磁気
コアを形成する下部磁性層２、磁気ギャップとなる層３
をそれぞれ順次形成させ絶縁層４を上下に挟んでコイル
層を形成する導体層５、さらに上部磁性層７、保護膜層
８をこれらの上に積層させた構成において、上部磁性層
７に同図の様に切り離し部10を設け、この切り離し部分
を薄い絶縁層６を介してパーマロイ薄膜９（磁気抵抗
膜）で橋わたしさせて結合し、記録動作においては導体
コイル層５によるインダクティブヘッドとして、また再
生動作においてはパーマロイ膜９の磁気抵抗効果を利用
した磁気抵抗型のいわゆるヨーク型MRヘッドとして用い
る。
薄膜磁気ヘッドは例えば第１図の様に基板１の上に磁気
コアを形成する下部磁性層２、磁気ギャップとなる層３
をそれぞれ順次形成させ絶縁層４を上下に挟んでコイル
層を形成する導体層５、さらに上部磁性層７、保護膜層
８をこれらの上に積層させた構成において、上部磁性層
７に同図の様に切り離し部10を設け、この切り離し部分
を薄い絶縁層６を介してパーマロイ薄膜９（磁気抵抗
膜）で橋わたしさせて結合し、記録動作においては導体
コイル層５によるインダクティブヘッドとして、また再
生動作においてはパーマロイ膜９の磁気抵抗効果を利用
した磁気抵抗型のいわゆるヨーク型MRヘッドとして用い
る。
第１図のパーマロイ磁気抵抗膜９と上部磁性層の切り
離し部10の間にある薄い絶縁層６の材料としては、コイ
ルを形成する導体層５の電流やパーマロイ磁気抵抗薄膜
９に流れるセンス電流等の絶縁をとることを主目的とし
て、従来各種の非磁性の絶縁層が用いられてきた。
離し部10の間にある薄い絶縁層６の材料としては、コイ
ルを形成する導体層５の電流やパーマロイ磁気抵抗薄膜
９に流れるセンス電流等の絶縁をとることを主目的とし
て、従来各種の非磁性の絶縁層が用いられてきた。
同時にまた、この部分に適用させるNi−Zn−フェライ
トのような軟磁気特性のよい強磁性体の絶縁層として一
般的に用いられる薄膜の形成方法がこれまでなかった。
トのような軟磁気特性のよい強磁性体の絶縁層として一
般的に用いられる薄膜の形成方法がこれまでなかった。
しかも、Ni−Zn−フェライトのような薄膜を得るには
十分な基板加熱が必要とされ、素子の耐熱性の観点から
も応用が困難とされていた。
十分な基板加熱が必要とされ、素子の耐熱性の観点から
も応用が困難とされていた。
発明が解決しようとする課題 ところで、薄い絶縁層６の材料として従来のように非
磁性のものを用いるのは、これまで軟質磁性薄膜で且つ
電気絶縁性をもった材料が得られなかったためで、第１
図のMRヘッドの絶縁層６ではSiO2等の薄膜が用いられて
きた。
磁性のものを用いるのは、これまで軟質磁性薄膜で且つ
電気絶縁性をもった材料が得られなかったためで、第１
図のMRヘッドの絶縁層６ではSiO2等の薄膜が用いられて
きた。
第１図のMRヘッドにおける絶縁層６を非磁性材料で構
成するとヨークコア部とMR膜の間で磁気回路が切断され
るため記録再生の効率が低下するという問題があった。
成するとヨークコア部とMR膜の間で磁気回路が切断され
るため記録再生の効率が低下するという問題があった。
また、軟磁性絶縁層であるスピネル構造のNi−Zn−フ
ェライトを得るには少なくとも高温の基板加熱が必要と
思われ、ヘッド素子の耐熱性が大きな問題で、低温で形
成する事が出来、さらに良好な軟磁気特性をもった、Ni
−Zn−フェライトの製法が、課題でもあった。
ェライトを得るには少なくとも高温の基板加熱が必要と
思われ、ヘッド素子の耐熱性が大きな問題で、低温で形
成する事が出来、さらに良好な軟磁気特性をもった、Ni
−Zn−フェライトの製法が、課題でもあった。
課題を解決するための手段 本発明による磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法は、下部磁性層と下部磁性層上に磁気ギャッ
プとなる非磁性絶縁層、絶縁層に上下を挟まれて設けら
れ最終的にはコイルを形成する導体層、上部磁性層、保
護膜層を順次構成させた薄膜磁気ヘッドで、磁気ヘッド
の磁路の一部を切り離し、切り離した部分にパーマロイ
薄膜を橋わたしして磁気的に結合し、再生動作としてパ
ーマロイ薄膜の磁気抵抗効果を利用するいわゆるヨーク
型の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記パーマロイ薄膜
と、切り離した部分における上部または下部磁性層との
接合をNi−Znフェライト薄膜層を介して構成することを
特徴とするものである。
の製造方法は、下部磁性層と下部磁性層上に磁気ギャッ
プとなる非磁性絶縁層、絶縁層に上下を挟まれて設けら
れ最終的にはコイルを形成する導体層、上部磁性層、保
護膜層を順次構成させた薄膜磁気ヘッドで、磁気ヘッド
の磁路の一部を切り離し、切り離した部分にパーマロイ
薄膜を橋わたしして磁気的に結合し、再生動作としてパ
ーマロイ薄膜の磁気抵抗効果を利用するいわゆるヨーク
型の磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記パーマロイ薄膜
と、切り離した部分における上部または下部磁性層との
接合をNi−Znフェライト薄膜層を介して構成することを
特徴とするものである。
さらにまた、これらの薄膜磁気ヘッドの製造方法とし
て、Ni−Znフェライト薄膜層の製法がレーザースパッタ
デポジションによって形成されることを特徴とするもの
である。
て、Ni−Znフェライト薄膜層の製法がレーザースパッタ
デポジションによって形成されることを特徴とするもの
である。
作用 絶縁層に磁性体であるNi−Zn−フェライトを用いた場
合、比抵抗が104Ωcm以上の大きさであるため導体コイ
ル層に対する電気絶縁層として使用でき、且つまた軟磁
気特性にも優れるため、上部コア磁性層の切り離し部の
パーマロイMR膜と上部磁性層との間のMRセンス電流のリ
ークを防ぎ、しかも非磁性絶縁層を使った場合のような
コア全体の磁気回路としての磁気抵抗も低下でき、ヘッ
ドの効率の向上に利点がある。
合、比抵抗が104Ωcm以上の大きさであるため導体コイ
ル層に対する電気絶縁層として使用でき、且つまた軟磁
気特性にも優れるため、上部コア磁性層の切り離し部の
パーマロイMR膜と上部磁性層との間のMRセンス電流のリ
ークを防ぎ、しかも非磁性絶縁層を使った場合のような
コア全体の磁気回路としての磁気抵抗も低下でき、ヘッ
ドの効率の向上に利点がある。
また、レーザースパッタデポジションによる製法では
デポジション用のターゲット材と得られる薄膜の間の組
成ずれがほとんどなく、ターゲットと同じスピネル構造
の軟磁性フェライト薄膜が比較的低温のプロセスで容易
にできることがわかりヘッド素子に対する加熱による悪
影響もなくすことができる。
デポジション用のターゲット材と得られる薄膜の間の組
成ずれがほとんどなく、ターゲットと同じスピネル構造
の軟磁性フェライト薄膜が比較的低温のプロセスで容易
にできることがわかりヘッド素子に対する加熱による悪
影響もなくすことができる。
実施例 以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
本発明の実施例として作製した第１図の構成のヨーク
型のMRヘッドの絶縁層６について従来の非磁性絶縁層の
代わりにNi−Znフェライト薄膜を用いたヘッドの入出力
特性を第２図に示す。図中の（ａ），（ｂ）は、（ａ）
レーザースパッタデポジション法によるNi−Znフェライ
ト薄膜を用いた本発明によるヘッドと、（ｂ）従来の非
磁性絶縁層のSiO2を用いた薄膜磁気ヘッドのそれぞれに
ついて調べ、比較した結果である。
型のMRヘッドの絶縁層６について従来の非磁性絶縁層の
代わりにNi−Znフェライト薄膜を用いたヘッドの入出力
特性を第２図に示す。図中の（ａ），（ｂ）は、（ａ）
レーザースパッタデポジション法によるNi−Znフェライ
ト薄膜を用いた本発明によるヘッドと、（ｂ）従来の非
磁性絶縁層のSiO2を用いた薄膜磁気ヘッドのそれぞれに
ついて調べ、比較した結果である。
絶縁層のレーザースパッタデポジションの条件として
はエキシマレーザーを用い、300mJのPowerで１×10-3To
rrの真空中でN2Oガス雰囲気で作製させ、ターゲットに
は焼結材の軟磁性Ni−Zn−フェライトを用いた。基板加
熱温度は200℃とした。
はエキシマレーザーを用い、300mJのPowerで１×10-3To
rrの真空中でN2Oガス雰囲気で作製させ、ターゲットに
は焼結材の軟磁性Ni−Zn−フェライトを用いた。基板加
熱温度は200℃とした。
磁気ヘッドの出力の測定条件としては第２図と同様に
保磁力800 Oeのハードディスク媒体、浮上量0.20μｍに
おいて、評価した。
保磁力800 Oeのハードディスク媒体、浮上量0.20μｍに
おいて、評価した。
コイルの巻線数は10ターンとしインダクティブコイル
を用いた自己記録再生で測定を行った結果である。（周
波数:1MHz）。再生には10mAの磁気抵抗センス電流をMR
膜に流して、測定した。
を用いた自己記録再生で測定を行った結果である。（周
波数:1MHz）。再生には10mAの磁気抵抗センス電流をMR
膜に流して、測定した。
本発明のNi−Znフェライト絶縁層を用いた薄膜磁気ヘ
ッドの場合、従来のヘッドと比べて高い出力が得られる
ことがわかった。
ッドの場合、従来のヘッドと比べて高い出力が得られる
ことがわかった。
発明の効果 本発明によって、Ni−Znフェライトが良好な軟磁気特
性を持ち比較的低温で形成できるレザースパッタデポジ
ション法により、薄膜磁気ヘッド素子用として有効に作
製させることができ、また、このフェライト薄膜を用い
ることによってきわめて記録再生効率の高い高密度磁気
記録用に適した薄膜磁気ヘッドが得られる。
性を持ち比較的低温で形成できるレザースパッタデポジ
ション法により、薄膜磁気ヘッド素子用として有効に作
製させることができ、また、このフェライト薄膜を用い
ることによってきわめて記録再生効率の高い高密度磁気
記録用に適した薄膜磁気ヘッドが得られる。
第１図はインダクティブコイルを用いて記録し、パーマ
ロイ薄膜の磁気抵抗効果を用いて再生するいわゆるヨー
ク型MRヘッドの断面構成図、第２図は第１図のヘッドに
おいて絶縁層６に本発明のNiZnフェライト膜を用いた場
合（ａ）と従来の非磁性絶縁層SiO2を用いた場合（ｂ）
との入出力の比較をしめす特性図である。 １……基板、２……下部絶縁層、３……磁気ギャップを
形成する層、４……コイル絶縁層、５……導体層、６…
…MR膜と上部磁性層との絶縁層、７……上部磁性層、８
……保護膜層、９……MR膜（パーマロイ薄膜）。
ロイ薄膜の磁気抵抗効果を用いて再生するいわゆるヨー
ク型MRヘッドの断面構成図、第２図は第１図のヘッドに
おいて絶縁層６に本発明のNiZnフェライト膜を用いた場
合（ａ）と従来の非磁性絶縁層SiO2を用いた場合（ｂ）
との入出力の比較をしめす特性図である。 １……基板、２……下部絶縁層、３……磁気ギャップを
形成する層、４……コイル絶縁層、５……導体層、６…
…MR膜と上部磁性層との絶縁層、７……上部磁性層、８
……保護膜層、９……MR膜（パーマロイ薄膜）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 幸男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 吉田 善一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−52314（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (1)
- 【請求項１】下部磁性層と前記下部磁性層上に磁気ギャ
ップとなる非磁性絶縁層および絶縁層に上下を挟まれて
設けられコイルを形成する導体層、上部磁性層、保護層
を順次構成させた薄膜磁気ヘッドで、前記上部または下
部磁性層の一部が磁路方向に対して切り離され、前記切
り離された部分がパーマロイ薄膜によって、橋わたしさ
れて結合され、再生動作として前記パーマロイ薄膜の磁
気抵抗効果を利用する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド
において、前記パーマロイ薄膜と切り離された部分にお
ける前記上部または下部磁性層との接合をNi−Znフェラ
イト薄膜層を介して構成された薄膜磁気ヘッドの製造方
法であって、 前記Ni−Znフェライト薄膜層がレーザースパッタデポジ
ションによって形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26565090A JP2871055B2 (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26565090A JP2871055B2 (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04141811A JPH04141811A (ja) | 1992-05-15 |
| JP2871055B2 true JP2871055B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17420085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26565090A Expired - Fee Related JP2871055B2 (ja) | 1990-10-02 | 1990-10-02 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871055B2 (ja) |
-
1990
- 1990-10-02 JP JP26565090A patent/JP2871055B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04141811A (ja) | 1992-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |