JP2000090417A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2000090417A JP2000090417A JP10262065A JP26206598A JP2000090417A JP 2000090417 A JP2000090417 A JP 2000090417A JP 10262065 A JP10262065 A JP 10262065A JP 26206598 A JP26206598 A JP 26206598A JP 2000090417 A JP2000090417 A JP 2000090417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gap
- magnetic head
- thin
- shield layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果素子の放熱性を向上して、同素
子の出力特性を良好とすること。 【解決手段】 基板１０上に絶縁膜である下地膜１１、
軟磁性膜である下シールド層１２、絶縁膜である再生下
ギャップ１３、磁気抵抗効果素子１７ａ、絶縁膜である
再生上ギャップ１８、及び軟磁性膜である上シールド層
１９を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、下地膜１
１、再生下ギャップ１３、及び再生上ギャップ１８を熱
伝導性の良好な窒化アルミニウム膜により形成した。こ
れにより、素子１７ａの発生する熱を効率よく放熱でき
るので、出力特性の優れた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
を得ることが可能となった。
子の出力特性を良好とすること。 【解決手段】 基板１０上に絶縁膜である下地膜１１、
軟磁性膜である下シールド層１２、絶縁膜である再生下
ギャップ１３、磁気抵抗効果素子１７ａ、絶縁膜である
再生上ギャップ１８、及び軟磁性膜である上シールド層
１９を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、下地膜１
１、再生下ギャップ１３、及び再生上ギャップ１８を熱
伝導性の良好な窒化アルミニウム膜により形成した。こ
れにより、素子１７ａの発生する熱を効率よく放熱でき
るので、出力特性の優れた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
を得ることが可能となった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱による出力特
性の変化が小さい薄膜磁気ヘッドに関する。
性の変化が小さい薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、高密度情報の記録及び再生に
図１に斜視図が示された磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドが
用いられている。この磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドは、
基板１０、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる絶縁膜である
下地膜１１、軟磁性膜である下シールド層１２、アルミ
ナからなる絶縁膜である再生下ギャップ１３、バイアス
磁石膜１４ａ，１４ｂと電気導電膜１５ａ，１５ｂとか
らなる一対のリード１６ａ，１６ｂ、及びＭＲ素子１７
ａを積層している。また、ＭＲ素子１７ａ、リード１６
ａ，１６ｂ、及びその周囲に露出している再生下ギャッ
プ１３の上には、同じくアルミナからなる絶縁性の再生
上ギャップ１８が成膜され、再生上ギャップ１８の上に
は軟磁性膜の上シールド層１９が設けられている。以上
の下シールド層１２から上シールド層１９までが再生ヘ
ッドを構成するものである。
図１に斜視図が示された磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドが
用いられている。この磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドは、
基板１０、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる絶縁膜である
下地膜１１、軟磁性膜である下シールド層１２、アルミ
ナからなる絶縁膜である再生下ギャップ１３、バイアス
磁石膜１４ａ，１４ｂと電気導電膜１５ａ，１５ｂとか
らなる一対のリード１６ａ，１６ｂ、及びＭＲ素子１７
ａを積層している。また、ＭＲ素子１７ａ、リード１６
ａ，１６ｂ、及びその周囲に露出している再生下ギャッ
プ１３の上には、同じくアルミナからなる絶縁性の再生
上ギャップ１８が成膜され、再生上ギャップ１８の上に
は軟磁性膜の上シールド層１９が設けられている。以上
の下シールド層１２から上シールド層１９までが再生ヘ
ッドを構成するものである。
【０００３】上記の再生ヘッドにおいては、記録密度を
向上するためにＭＲ素子１７ａが微細化されるととも
に、出力を増大するためにＭＲ素子１７ａに流すセンス
電流が増大される傾向にある。このため、ＭＲ素子１７
ａ中の電流密度が増大してＭＲ素子１７ａの発熱量が大
きくなり、発熱により感度が低下する（同一磁化変化に
対する抵抗変化量が低下する）という問題が生じてい
る。そこで、従来は、再生下ギャップ１３及び再生上ギ
ャップ１８を熱伝導度の高い材料にて形成し、ＭＲ素子
１７ａの発生する熱を上下のシールド層に伝達して放熱
性を向上することにより、上記問題に対処してきた。
向上するためにＭＲ素子１７ａが微細化されるととも
に、出力を増大するためにＭＲ素子１７ａに流すセンス
電流が増大される傾向にある。このため、ＭＲ素子１７
ａ中の電流密度が増大してＭＲ素子１７ａの発熱量が大
きくなり、発熱により感度が低下する（同一磁化変化に
対する抵抗変化量が低下する）という問題が生じてい
る。そこで、従来は、再生下ギャップ１３及び再生上ギ
ャップ１８を熱伝導度の高い材料にて形成し、ＭＲ素子
１７ａの発生する熱を上下のシールド層に伝達して放熱
性を向上することにより、上記問題に対処してきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気ヘ
ッド全体の小型化に伴ってシールド層が小型化・薄膜化
すると同シールド層の熱容量が減少し、同シールド層自
体が数度から数十度まで上昇することが判明した。これ
は、従来の対策ではＭＲ素子１７ａの温度上昇を十分に
抑制できないことを意味する。
ッド全体の小型化に伴ってシールド層が小型化・薄膜化
すると同シールド層の熱容量が減少し、同シールド層自
体が数度から数十度まで上昇することが判明した。これ
は、従来の対策ではＭＲ素子１７ａの温度上昇を十分に
抑制できないことを意味する。
【０００５】また、下シールド層１２が移動中の磁気情
報記録媒体（メディア）と接触すると、摩擦熱が発生し
て下シールド層１２全体が高温となるが、下シールド層
１２の熱は下地膜１１の存在により基板１０には十分伝
達されない。このため、ＭＲ素子１７ａが高温となり、
同ＭＲ素子１７ａが熱的安定状態（一定のセンス電流に
より所定の温度にて安定している状態）に戻るまでに長
時間を要するため、この間において磁気情報の検出が遅
くなる等の問題も生じている。
報記録媒体（メディア）と接触すると、摩擦熱が発生し
て下シールド層１２全体が高温となるが、下シールド層
１２の熱は下地膜１１の存在により基板１０には十分伝
達されない。このため、ＭＲ素子１７ａが高温となり、
同ＭＲ素子１７ａが熱的安定状態（一定のセンス電流に
より所定の温度にて安定している状態）に戻るまでに長
時間を要するため、この間において磁気情報の検出が遅
くなる等の問題も生じている。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、上記問題に対処するためにな
したものであって、その第１の特徴は、基板上に絶縁膜
である下地膜、軟磁性膜である下シールド層、絶縁膜で
ある再生下ギャップ、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子、Ｇ
ＭＲ素子等の磁気抵抗効果を有する素子）、絶縁膜であ
る再生上ギャップ、及び軟磁性膜である上シールド層を
積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜を窒
化アルミニウムにより形成したことにある。
したものであって、その第１の特徴は、基板上に絶縁膜
である下地膜、軟磁性膜である下シールド層、絶縁膜で
ある再生下ギャップ、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子、Ｇ
ＭＲ素子等の磁気抵抗効果を有する素子）、絶縁膜であ
る再生上ギャップ、及び軟磁性膜である上シールド層を
積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下地膜を窒
化アルミニウムにより形成したことにある。
【０００７】この特徴によれば、下地膜をアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）に比して熱伝導度の高い絶縁体である窒化アル
ミニウムにより形成しため、下シールド層の熱が基板に
効率良く伝達されて下シールド層の温度上昇が抑制さ
れ、結果として出力特性の優れた薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
ｌ2Ｏ3）に比して熱伝導度の高い絶縁体である窒化アル
ミニウムにより形成しため、下シールド層の熱が基板に
効率良く伝達されて下シールド層の温度上昇が抑制さ
れ、結果として出力特性の優れた薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
【０００８】本発明の第２の特徴は、上記第１の特徴を
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記再生下ギャップ及
び前記再生上ギャップの少なくとも一方を窒化アルミニ
ウムにより形成したことにある。
有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記再生下ギャップ及
び前記再生上ギャップの少なくとも一方を窒化アルミニ
ウムにより形成したことにある。
【０００９】この特徴によれば、磁気抵抗効果素子に接
する再生下ギャップ又は前記再生上ギャップを、従来の
アルミナに比べて熱伝導度の高い窒化アルミニウムによ
り形成したので、磁気抵抗効果素子の発生する熱をより
効率良く下シールド層又は上シールド層に伝達すること
ができ、結果として出力特性の優れた薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
する再生下ギャップ又は前記再生上ギャップを、従来の
アルミナに比べて熱伝導度の高い窒化アルミニウムによ
り形成したので、磁気抵抗効果素子の発生する熱をより
効率良く下シールド層又は上シールド層に伝達すること
ができ、結果として出力特性の優れた薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
【００１０】尚、上記第１又は第２の特徴を有する薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記下地膜の膜厚は１μｍから３
０μｍまでの範囲内とすることが望ましい。下地膜の膜
厚をこの範囲とすることにより、絶縁膜としての電気絶
縁性が不足することなく、且つ、その後の加工工程など
で割れが生じ難い下地膜を得ることができる。
磁気ヘッドにおいて、前記下地膜の膜厚は１μｍから３
０μｍまでの範囲内とすることが望ましい。下地膜の膜
厚をこの範囲とすることにより、絶縁膜としての電気絶
縁性が不足することなく、且つ、その後の加工工程など
で割れが生じ難い下地膜を得ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッドの一実施形態は、外観上は従来の磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドと変るところはなく、その斜視図が図１に示
されている。この磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて
は、アルチック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等のセラミック材
料で構成されたウエハであって後にカットされてスライ
ダを構成するスライダ基板１０上に、従来のアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）に代え、非磁性の絶縁膜である窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）膜を下地膜１１として形成した。
ッドの一実施形態は、外観上は従来の磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドと変るところはなく、その斜視図が図１に示
されている。この磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて
は、アルチック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等のセラミック材
料で構成されたウエハであって後にカットされてスライ
ダを構成するスライダ基板１０上に、従来のアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）に代え、非磁性の絶縁膜である窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）膜を下地膜１１として形成した。
【００１２】下地膜１１の上には、パーマロイ等の軟磁
性膜である下シールド層１２を積層し、下シールド層１
２の上には、従来のアルミナに代え、非磁性の絶縁膜で
ある窒化アルミニウム膜からなる再生下ギャップ１３を
形成した。
性膜である下シールド層１２を積層し、下シールド層１
２の上には、従来のアルミナに代え、非磁性の絶縁膜で
ある窒化アルミニウム膜からなる再生下ギャップ１３を
形成した。
【００１３】再生下ギャップ１３の上には、ＣｏＣｒＰ
ｔ等からなる左右一対のバイアス磁石膜１４ａ，１４ｂ
及びＷ，Ｔａ，Ｎｂ等からなる電気導電膜１５ａ，１５
ｂを形成した。このバイアス磁石膜１４ａ，１４ｂ及び
電気導電膜１５ａ，１５ｂは、一対のリード１６ａ，１
６ｂを構成している。
ｔ等からなる左右一対のバイアス磁石膜１４ａ，１４ｂ
及びＷ，Ｔａ，Ｎｂ等からなる電気導電膜１５ａ，１５
ｂを形成した。このバイアス磁石膜１４ａ，１４ｂ及び
電気導電膜１５ａ，１５ｂは、一対のリード１６ａ，１
６ｂを構成している。
【００１４】ＭＲ素子１７ａは、ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍ
ｏ等）の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペー
サ、及びＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜からなる積層体であ
り、一対のリード１６ａ，１６ｂが作る台形状の溝の傾
斜面および同台形状の溝の底面部分に露出している再生
下ギャップ１３の上面に成膜されている。
ｏ等）の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペー
サ、及びＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜からなる積層体であ
り、一対のリード１６ａ，１６ｂが作る台形状の溝の傾
斜面および同台形状の溝の底面部分に露出している再生
下ギャップ１３の上面に成膜されている。
【００１５】ＭＲ素子１７ａ、リード１６ａ，１６ｂ、
及びその周囲に露出している再生下ギャップ１３の上に
は再生下ギャップ１３と同様に窒化アルミニウムの絶縁
膜からなる再生上ギャップ１８を成膜し、再生上ギャッ
プ１８の上にはＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる上シール
ド層（上シールド兼下コア）１９を形成した。以上に説
明した下シールド層１２（又は基板１０）から上シール
ド層１９までが再生ヘッドを構成するものである。
及びその周囲に露出している再生下ギャップ１３の上に
は再生下ギャップ１３と同様に窒化アルミニウムの絶縁
膜からなる再生上ギャップ１８を成膜し、再生上ギャッ
プ１８の上にはＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる上シール
ド層（上シールド兼下コア）１９を形成した。以上に説
明した下シールド層１２（又は基板１０）から上シール
ド層１９までが再生ヘッドを構成するものである。
【００１６】上シールド層１９の上面であってＭＲ素子
１７ａの直上方向には、書込み下ポールと呼ばれる断面
が矩形の突起部２０を設けた。書込み下ポール２０の上
には、アルミナ等の絶縁膜からなる書込みギャップ２１
及びニッケル−鉄合金（パーマロイ）等の高透磁率材料
からなる書込み上ポール２２を形成し、同書込み上ポー
ル２２の上には上コア２３を形成した。また、上コア２
３と上シールド層１９間には絶縁層２４に埋設されたコ
イル２５を貫通させた。以上に説明した上シールド層１
９から上コア２３までが、記録用ヘッドを構成するもの
である。
１７ａの直上方向には、書込み下ポールと呼ばれる断面
が矩形の突起部２０を設けた。書込み下ポール２０の上
には、アルミナ等の絶縁膜からなる書込みギャップ２１
及びニッケル−鉄合金（パーマロイ）等の高透磁率材料
からなる書込み上ポール２２を形成し、同書込み上ポー
ル２２の上には上コア２３を形成した。また、上コア２
３と上シールド層１９間には絶縁層２４に埋設されたコ
イル２５を貫通させた。以上に説明した上シールド層１
９から上コア２３までが、記録用ヘッドを構成するもの
である。
【００１７】次に、上記磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程について図２から図７を用いて説明する。 （１）先ず、図２（Ａ）に示すように、基板（アルチッ
ク（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等）１０上に絶縁性のある窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）により下地膜１１を成膜する。
このとき、下地膜１１の膜厚は１μｍから３０μｍまで
の範囲内とする。この下地膜１１の上に下シールド層
（パーマロイ等の軟磁性膜）１２を堆積した後、再生下
ギャップ１３をなす絶縁膜を窒化アルミニウムにより形
成する。尚、上記の下地膜１１及び再生下ギャップ１３
の窒化アルミニウム膜は窒素ガス及びアルゴンガスを反
応性ガスとし、アルミニウムをターゲットとした反応性
スパッタリングにより形成する。
製造工程について図２から図７を用いて説明する。 （１）先ず、図２（Ａ）に示すように、基板（アルチッ
ク（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等）１０上に絶縁性のある窒化
アルミニウム（ＡｌＮ）により下地膜１１を成膜する。
このとき、下地膜１１の膜厚は１μｍから３０μｍまで
の範囲内とする。この下地膜１１の上に下シールド層
（パーマロイ等の軟磁性膜）１２を堆積した後、再生下
ギャップ１３をなす絶縁膜を窒化アルミニウムにより形
成する。尚、上記の下地膜１１及び再生下ギャップ１３
の窒化アルミニウム膜は窒素ガス及びアルゴンガスを反
応性ガスとし、アルミニウムをターゲットとした反応性
スパッタリングにより形成する。
【００１８】（２）次に、図２（Ｂ）に示すように、再
生下ギャップ１３の上面にＣｏＣｒＰｔ等のバイアス磁
石膜１４とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導電膜１５をスパッ
タ、蒸着あるいは電気メッキにより積層してリード１６
を形成する。 （３）次に、図２（Ｃ）に示すように、電気導電膜１５
の上面にレジストを塗布した後、ＭＲ素子１７ａが形成
される部分の上方に位置する部分を除去（レジストカッ
ト）して、一対のレジストＲａ，Ｒｂを形成する。その
後、一対のレジストＲａ，Ｒｂの対向面の上部角部を溶
融（レジストフロー）によりなだらかな形状とする。こ
れにより、レジストＲａ，Ｒｂの対向面は電気導電膜１
５の上面に対して傾斜する。尚、一対のレジストＲａ，
Ｒｂ間の空間を溝部Ｍと称する。
生下ギャップ１３の上面にＣｏＣｒＰｔ等のバイアス磁
石膜１４とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導電膜１５をスパッ
タ、蒸着あるいは電気メッキにより積層してリード１６
を形成する。 （３）次に、図２（Ｃ）に示すように、電気導電膜１５
の上面にレジストを塗布した後、ＭＲ素子１７ａが形成
される部分の上方に位置する部分を除去（レジストカッ
ト）して、一対のレジストＲａ，Ｒｂを形成する。その
後、一対のレジストＲａ，Ｒｂの対向面の上部角部を溶
融（レジストフロー）によりなだらかな形状とする。こ
れにより、レジストＲａ，Ｒｂの対向面は電気導電膜１
５の上面に対して傾斜する。尚、一対のレジストＲａ，
Ｒｂ間の空間を溝部Ｍと称する。
【００１９】（４）続いて、図３（Ａ）に示すように、
全面（上面）にイオンミリングを行い、一対のリード１
６ａ，１６ｂを形成する。尚、イオンミリング工程で
は、レジストＲａ，Ｒｂ、電気導電膜１５及びバイアス
磁石膜１４を一括してエッチングするため、溝部Ｍを挟
んで対向するリード１６ａ，１６ｂの対向面は傾斜面と
なり、溝部Ｍが逆台形形状となる。 （５）次いで、図３（Ｂ）に示すように、ＣｏＺｒＭ
（Ｎｂ，Ｍｏ）等の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等から
なるスペーサ、及びニッケル−鉄合金等からなるＭＲ膜
を溝部Ｍを含む全面に対して積層してＭＲ素子層１７を
形成する。
全面（上面）にイオンミリングを行い、一対のリード１
６ａ，１６ｂを形成する。尚、イオンミリング工程で
は、レジストＲａ，Ｒｂ、電気導電膜１５及びバイアス
磁石膜１４を一括してエッチングするため、溝部Ｍを挟
んで対向するリード１６ａ，１６ｂの対向面は傾斜面と
なり、溝部Ｍが逆台形形状となる。 （５）次いで、図３（Ｂ）に示すように、ＣｏＺｒＭ
（Ｎｂ，Ｍｏ）等の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等から
なるスペーサ、及びニッケル−鉄合金等からなるＭＲ膜
を溝部Ｍを含む全面に対して積層してＭＲ素子層１７を
形成する。
【００２０】（６）この後、図３（Ｃ）に示すように、
ＭＲ素子層１７上にレジストＲｃを塗布する。このと
き、レジストＲｃの形状を、形成すべきＭＲ素子１７ａ
のパターンに合致させておく。具体的には、レジストＲ
ｃの左右両端部を傾斜面の途中でカットしておく。 （７）次に、図４（Ａ）に示すように、前記レジストＲ
ｃをマスクとしたイオンミリングによりＭＲ素子層１７
の不要部分を除去して、ＭＲ素子１７ａを形成する。こ
の結果、ＭＲ素子１７ａは略矩形であって、その左右両
端部がリード１６ａ，１６ｂの傾斜面の途中でカットさ
れた状態となる。
ＭＲ素子層１７上にレジストＲｃを塗布する。このと
き、レジストＲｃの形状を、形成すべきＭＲ素子１７ａ
のパターンに合致させておく。具体的には、レジストＲ
ｃの左右両端部を傾斜面の途中でカットしておく。 （７）次に、図４（Ａ）に示すように、前記レジストＲ
ｃをマスクとしたイオンミリングによりＭＲ素子層１７
の不要部分を除去して、ＭＲ素子１７ａを形成する。こ
の結果、ＭＲ素子１７ａは略矩形であって、その左右両
端部がリード１６ａ，１６ｂの傾斜面の途中でカットさ
れた状態となる。
【００２１】（８）続いて、図４（Ｂ）に示すように、
ＭＲ素子１７ａ、左右のリード１６ａ，１６ｂ、及びそ
の周囲に露出している再生下ギャップ１３の上に窒化ア
ルミニウムからなる絶縁膜を再生下ギャップ１３と同様
なスパッタ法にて堆積させることにより、再生上ギャッ
プ１８を形成する。 （９）次に、図４（Ｃ）に示すように、再生上ギャップ
１８の上に軟磁性膜（ニッケル−鉄合金等の８１パーマ
ロイ等）を堆積して下地メッキ層１９ａを形成する。
ＭＲ素子１７ａ、左右のリード１６ａ，１６ｂ、及びそ
の周囲に露出している再生下ギャップ１３の上に窒化ア
ルミニウムからなる絶縁膜を再生下ギャップ１３と同様
なスパッタ法にて堆積させることにより、再生上ギャッ
プ１８を形成する。 （９）次に、図４（Ｃ）に示すように、再生上ギャップ
１８の上に軟磁性膜（ニッケル−鉄合金等の８１パーマ
ロイ等）を堆積して下地メッキ層１９ａを形成する。
【００２２】（１０）この後、図５（Ａ）に示すよう
に、下地メッキ層１９ａと同等のニッケル−鉄合金等の
軟磁性膜を電気メッキ等により所定の厚さに堆積して上
シールド層（上シールド兼下コア）１９を形成する。 （１１）次いで、図５（Ｂ）に示すように、上シールド
層１９の上面を研磨して、上シールド層１９の上面を平
坦化する。 （１２）続いて、図５（Ｃ）に示すように、上シールド
層１９の上にアルミナ等からなる絶縁膜をスパッタ等で
堆積して書込みギャップ２１を形成する。
に、下地メッキ層１９ａと同等のニッケル−鉄合金等の
軟磁性膜を電気メッキ等により所定の厚さに堆積して上
シールド層（上シールド兼下コア）１９を形成する。 （１１）次いで、図５（Ｂ）に示すように、上シールド
層１９の上面を研磨して、上シールド層１９の上面を平
坦化する。 （１２）続いて、図５（Ｃ）に示すように、上シールド
層１９の上にアルミナ等からなる絶縁膜をスパッタ等で
堆積して書込みギャップ２１を形成する。
【００２３】（１３）次いで、図６（Ａ）に示すよう
に、書込みギャップ２１の上面であって、ＭＲ素子１７
ａの直上位置にニッケル−鉄合金（８１パーマロイ）等
の高透磁率材料からなる書込み上ポール２２を形成す
る。 （１４）次に、上方からアルゴンイオンを照射するイオ
ンミリングを行い、図６（Ｂ）に示すように書込み下ポ
ール２０を形成する。即ち、このイオンミリング時には
書込み上ポール２２がマスクとなるため、書込み上ポー
ル２２の直下部の上シールド層１９が残されて書込み下
ポール２０となり、上シールド層１９の他の部分は削ら
れる。
に、書込みギャップ２１の上面であって、ＭＲ素子１７
ａの直上位置にニッケル−鉄合金（８１パーマロイ）等
の高透磁率材料からなる書込み上ポール２２を形成す
る。 （１４）次に、上方からアルゴンイオンを照射するイオ
ンミリングを行い、図６（Ｂ）に示すように書込み下ポ
ール２０を形成する。即ち、このイオンミリング時には
書込み上ポール２２がマスクとなるため、書込み上ポー
ル２２の直下部の上シールド層１９が残されて書込み下
ポール２０となり、上シールド層１９の他の部分は削ら
れる。
【００２４】（１５）続いて、図７（Ａ）に示すよう
に、全面にアルミナ等からなる絶縁膜２７をスパッタ等
で堆積させて、書込み上ポール２２を埋設する。 （１６）次に、図７（Ｂ）に示すように、堆積された絶
縁膜２７を書込み上ポール２２の先端部の上面まで研磨
して、絶縁膜２７の上面を平坦化する。これにより、書
込み上ポール２２の周囲は絶縁膜２７で包囲される。 （１７）その後、図１に示すように、絶縁膜２７の上に
絶縁層２４及びコイル２５を順次形成した後、絶縁層２
４及びコイル２５を跨ぐようにして上コア２３をメッキ
により形成する。最後に保護膜（図示省略）を被せて、
シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを作製する。
に、全面にアルミナ等からなる絶縁膜２７をスパッタ等
で堆積させて、書込み上ポール２２を埋設する。 （１６）次に、図７（Ｂ）に示すように、堆積された絶
縁膜２７を書込み上ポール２２の先端部の上面まで研磨
して、絶縁膜２７の上面を平坦化する。これにより、書
込み上ポール２２の周囲は絶縁膜２７で包囲される。 （１７）その後、図１に示すように、絶縁膜２７の上に
絶縁層２４及びコイル２５を順次形成した後、絶縁層２
４及びコイル２５を跨ぐようにして上コア２３をメッキ
により形成する。最後に保護膜（図示省略）を被せて、
シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを作製する。
【００２５】次に、上記下地膜１１の膜厚をどの程度に
すべきかについて図８及び図９を参酌しつつ説明する。
図８は、下地膜１１の膜厚に対する下シールド層１２と
基板（アルチック）１０間の耐圧（耐電圧）をグラフ化
したものである。図８から明らかなように、下地膜１１
の膜厚が１μｍより小さいと耐圧が略５Ｖ以下となり、
下地膜１１が絶縁膜としての機能を十分に達成できな
い。従って、下地膜１１の膜厚は１μｍ以上することが
望ましい。
すべきかについて図８及び図９を参酌しつつ説明する。
図８は、下地膜１１の膜厚に対する下シールド層１２と
基板（アルチック）１０間の耐圧（耐電圧）をグラフ化
したものである。図８から明らかなように、下地膜１１
の膜厚が１μｍより小さいと耐圧が略５Ｖ以下となり、
下地膜１１が絶縁膜としての機能を十分に達成できな
い。従って、下地膜１１の膜厚は１μｍ以上することが
望ましい。
【００２６】図９は、下地膜１１の膜厚に対する同下地
膜１１の膜応力をグラフ化したものである。図９から明
らかなように、下地膜１１が３０μｍより大きくなると
膜応力も３×１０10ｄｙｎ／ｃｍ2より大きくなり、後
の加工工程で割れが生じやすくなる。従って、下地膜１
１の膜厚は３０μｍ以下とすることが望ましい。
膜１１の膜応力をグラフ化したものである。図９から明
らかなように、下地膜１１が３０μｍより大きくなると
膜応力も３×１０10ｄｙｎ／ｃｍ2より大きくなり、後
の加工工程で割れが生じやすくなる。従って、下地膜１
１の膜厚は３０μｍ以下とすることが望ましい。
【００２７】以上説明したように、本実施形態の磁気抵
抗効果薄膜磁気ヘッドにおいては、下地膜１１、再生下
ギャップ１３及び再生上ギャップ１８を従来のアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）よりも熱伝導度の大きい窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）により形成した。従って、下地膜１１により
下シールド層１２の熱が基板１０に効率良く伝達されて
放熱が促進され、下シールド層１２の温度上昇が抑制さ
れる。このため、ＭＲ素子１７ａの温度上昇が抑制さ
れ、結果として出力特性の優れた薄膜磁気ヘッドを得る
ことができた。また、再生下ギャップ１３及び前記再生
上ギャップ１８も窒化アルミニウムから形成されている
ために熱伝導度が大きいので、磁気抵抗効果素子１７ａ
の発生する熱を効率良く下シールド層１２又は上シール
ド層１９に伝達することができ、出力特性の一層優れた
薄膜磁気ヘッドを得ることができた。
抗効果薄膜磁気ヘッドにおいては、下地膜１１、再生下
ギャップ１３及び再生上ギャップ１８を従来のアルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）よりも熱伝導度の大きい窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）により形成した。従って、下地膜１１により
下シールド層１２の熱が基板１０に効率良く伝達されて
放熱が促進され、下シールド層１２の温度上昇が抑制さ
れる。このため、ＭＲ素子１７ａの温度上昇が抑制さ
れ、結果として出力特性の優れた薄膜磁気ヘッドを得る
ことができた。また、再生下ギャップ１３及び前記再生
上ギャップ１８も窒化アルミニウムから形成されている
ために熱伝導度が大きいので、磁気抵抗効果素子１７ａ
の発生する熱を効率良く下シールド層１２又は上シール
ド層１９に伝達することができ、出力特性の一層優れた
薄膜磁気ヘッドを得ることができた。
【００２８】尚、再生下ギャップ１３又は再生上ギャッ
プ１８の何れか一方のみを窒化アルミニウムにて形成
し、他方を従来のアルミナにより形成してもよい。即
ち、例えば、下シールド層１２への熱伝達を考慮して再
生下ギャップ１３を窒化アルミニウムにて形成し、絶縁
性を重視して再生上ギャップ１８をアルミナにて形成し
てもよい。また、本発明は再生ヘッド及び記録ヘッドを
有する薄膜磁気ヘッドだけでなく、再生ヘッドのみを有
する薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
プ１８の何れか一方のみを窒化アルミニウムにて形成
し、他方を従来のアルミナにより形成してもよい。即
ち、例えば、下シールド層１２への熱伝達を考慮して再
生下ギャップ１３を窒化アルミニウムにて形成し、絶縁
性を重視して再生上ギャップ１８をアルミナにて形成し
てもよい。また、本発明は再生ヘッド及び記録ヘッドを
有する薄膜磁気ヘッドだけでなく、再生ヘッドのみを有
する薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【図１】 本発明に係る磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
実施形態の斜視図である。
実施形態の斜視図である。
【図２】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド製
造工程を示す図である。
造工程を示す図である。
【図３】 図２に続く磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図４】 図３に続く磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図５】 図４に続く磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図６】 図５に続く磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図７】 図６に続く磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図８】 下地膜の膜厚に対する下シールド層と基板間
の耐圧をグラフ化したものである。
の耐圧をグラフ化したものである。
【図９】 下地膜の膜厚に対する下地膜の膜応力をグラ
フ化したものである。
フ化したものである。
１０…基板、１１…下地膜（ＡｌＮ膜）、１２…下シー
ルド層、１３…再生下ギャップ（ＡｌＮ膜）、１７ａ…
ＭＲ素子、１８…再生上ギャップ（ＡｌＮ膜）、１９…
上シールド兼下コア（上シールド層）、２０…書込み下
ポール、２１…書込みギャップ、２２…書込み上ポー
ル、２３…上コア、２５…コイル。
ルド層、１３…再生下ギャップ（ＡｌＮ膜）、１７ａ…
ＭＲ素子、１８…再生上ギャップ（ＡｌＮ膜）、１９…
上シールド兼下コア（上シールド層）、２０…書込み下
ポール、２１…書込みギャップ、２２…書込み上ポー
ル、２３…上コア、２５…コイル。
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に絶縁膜である下地膜、軟磁性膜で
ある下シールド層、絶縁膜である再生下ギャップ、磁気
抵抗効果素子、絶縁膜である再生上ギャップ、及び軟磁
性膜である上シールド層を積層してなる薄膜磁気ヘッド
において、 前記下地膜を窒化アルミニウムにより形成したことを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記再生下ギャップ及び前記再生上ギャップの少なくと
も一方を窒化アルミニウムにより形成したことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 前記下地膜の膜厚を１μｍから３０μｍまでの範囲内と
した薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262065A JP2000090417A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262065A JP2000090417A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000090417A true JP2000090417A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17370551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10262065A Withdrawn JP2000090417A (ja) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000090417A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
| US7379275B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-27 | Sony Corporation | Magneto-resistive head having a thermally conductive layer |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP10262065A patent/JP2000090417A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6995957B2 (en) | 2003-03-18 | 2006-02-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherland B.V. | Magnetoresistive sensor having a high resistance soft magnetic layer between sensor stack and shield |
| US7379275B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-05-27 | Sony Corporation | Magneto-resistive head having a thermally conductive layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6909578B1 (en) | Method and system for reducing thermal pole tip protrusion | |
| JP2003157510A (ja) | 薄膜書込みヘッド、データ記憶システム、及び薄膜書込みヘッドの製造方法 | |
| JP2000113437A (ja) | 磁気ヘッド装置の製造方法、磁気ヘッド装置、並びに、磁気ヘッド装置の中間製造物 | |
| JP2000149233A (ja) | 磁気ヘッド装置、並びに、その製造方法 | |
| JPH10334409A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| KR20050012142A (ko) | 열 보조 기록 요소를 구비하는 수직형 자기 헤드 및 그제조 방법 | |
| JP2003510737A (ja) | 記録ヘッド上のトラック幅を規定するための方法および構造 | |
| JPH11283216A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| US6392852B1 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, and magnetoresistive device | |
| JP2001344716A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
| JP2002197616A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| US6256171B1 (en) | Thin film magnetic head having an improved heat dispersion and magnetic recording apparatus using the same | |
| JP2000113425A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP3553393B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2001331909A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000155915A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000090417A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US6842306B2 (en) | Magnetic head having highly thermally conductive insulator materials containing cobalt-oxide | |
| JP2004005775A (ja) | 記録再生分離型ヘッド | |
| JP2002208114A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH10228610A (ja) | シールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド | |
| JP2000155913A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH07296337A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH03268210A (ja) | 垂直磁気ヘッド | |
| JP2000123321A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050901 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050929 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070320 |