JPH0817022A

JPH0817022A - 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH0817022A
Application number: JP6149892A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Haga; 秀一芳賀; Hideo Suyama; 英夫陶山; Mamoru Sasaki; 守佐々木; Akio Takada; 昭夫高田; Mikiya Kurosu; 実喜也黒須
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-06-30
Filing date: 1994-06-30
Publication date: 1996-01-19

Abstract

(57)【要約】【目的】誘導型薄膜磁気ヘッドと、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）から成る複
合型薄膜磁気ヘッドの製造方法において、誘導型薄膜磁
気ヘッド形成時の熱処理によるＭＲヘッドの再生感度の
減少を防止する。【構成】誘導型薄膜磁気ヘッド１０を形成した後にＭ
Ｒヘッド２０を形成して複合型薄膜磁気ヘッドを製造す
る。なお、ＭＲヘッド２０の感磁素子に、人工格子膜構
造の磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子２５を用
いると、特に高い再生出力が得られるようになり好適で
ある。また、誘導型薄膜磁気ヘッド１０形成後の上面が
平坦な面となり、ＭＲヘッド２０が平面上に形成される
ようにするために、誘導型薄膜磁気ヘッド１０を形成す
る際は、下部シールド用磁性体１２に溝１３を形成し、
前記溝１３内に薄膜コイル１４を形成するとよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘導型薄膜磁気ヘッド
と磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを一体化した、ハード
ディスク装置等の高密度記録装置に用いられる複合型薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に製造時の熱劣化へ
の対処に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの高性能化等によ
り、ハードディスク装置等の磁気記録装置の小型化、高
容量化が要求されている。ところが、ハードディスク装
置の媒体速度がディスク径に依存するように、通常の磁
気記録装置は小型化するほど媒体速度が遅くなってしま
う。そのため、従来広く使用されている誘導型磁気ヘッ
ドでは、再生出力が媒体速度に依存するため、磁気記録
装置が小型化されて媒体速度が遅くなると、再生出力が
低下してしまうという問題があった。

【０００３】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子（以下、
ＭＲ素子という。）の抵抗変化を再生出力電圧として検
出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッ
ドという。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、
媒体速度が遅くても高い再生出力が得られるという特徴
を有しており、磁気記録装置の小型大容量化、特にハー
ドディスク装置の小型大容量化を実現する磁気ヘッドと
して注目されている。

【０００４】ただし、ＭＲヘッドは再生しか行えないた
め、記録再生用ヘッドとしては、ＭＲヘッド上に誘導型
薄膜磁気ヘッドを積層して、再生をＭＲヘッドによって
行い、記録は誘導型薄膜磁気ヘッドによって行うタイプ
の磁気ヘッド（以下、このタイプの磁気ヘッドを複合型
薄膜磁気ヘッドという。）が用いられる。

【０００５】この複合型薄膜磁気ヘッドは、記録部分と
再生部分が分離されるので設計の自由度が高い、及びＭ
Ｒ素子により高い再生出力が得られるので高密度記録に
適しているという特徴がある。

【０００６】ところで、ＭＲ素子には、主にＦｅ−Ｎｉ
合金膜（いわゆるパーマロイ膜）が使用されてきたが、
パーマロイ膜の磁気抵抗変化率は小さく、今後さらに発
展すると思われる高密度磁気記録への対応を考慮する
と、感度等の点で十分なものとは言えない。

【０００７】一方、近年、異種の金属を数原子層ずつ交
互に積層した人工格子膜において高い磁気抵抗変化率が
得られることが報告され、ＭＲヘッドへの適用が検討さ
れている。（以下、人工格子膜を用いた高い磁気抵抗変
化率が得られるＭＲ素子を「ＧＭＲ素子」という。）こ
のＧＭＲ素子を用いたＭＲヘッドでは、高い再生感度が
得られるため、より高密度な磁気記録を実現できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような複合型薄膜
磁気ヘッドでは、基板上に薄膜工程によりＭＲヘッドを
形成した上に、薄膜工程により誘導型薄膜磁気ヘッドを
積層して形成するが、誘導型薄膜磁気ヘッドを形成する
際に熱処理工程が必要なため、ＭＲヘッドにも高い熱が
かかってしまう。例えば、誘導型薄膜磁気ヘッドの記録
用薄膜コイルの形成にあたって、絶縁用のレジストを平
坦化したりエッチングによるぬけを改善してコイルの形
状を良くするために、レジストを約２８０℃で数回焼成
する必要がある。すると当然、この下に既に形成されて
いるＭＲヘッドにも高い熱がかかることとなる。

【０００９】このようにＭＲヘッドに高い熱がかかる
と、ＭＲ素子の磁気抵抗効果が劣化してしまう。特に、
ＧＭＲ素子は、数ｎｍ程度の膜厚の金属積層膜からなる
ため、各層間の界面で拡散が生じて膜特性が劣化してし
まい、磁気抵抗変化率が大幅に減少してしまう。

【００１０】したがって、ＭＲヘッドを用いても、複合
型薄膜磁気ヘッドとした場合は、誘導型薄膜磁気ヘッド
の形成に伴う熱処理によって、高い再生感度が得られな
いという問題がある。そして、この問題は特にＧＭＲ素
子を用いたＭＲヘッドにおいて大きな問題となってい
る。

【００１１】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、誘導型薄膜磁気ヘッドを
作製する際の熱処理によって、ＭＲヘッドの再生感度が
減少することのない複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録
用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、再生用のＭＲヘッドから
なる複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、誘導型
薄膜磁気ヘッドを形成した後、ＭＲヘッドを形成するも
のである。

【００１３】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いて、ＭＲヘッドの感磁素子は、導体層と磁性体層とが
交互に積層されてなる人工格子膜構造の磁気抵抗効果膜
を用いたＧＭＲ素子であってもよい。そして、ＧＭＲ素
子は熱劣化の影響が顕著であるため、ＭＲヘッドの感磁
素子にＧＭＲ素子を用いた場合に、特に本発明の効果が
大きい。

【００１４】また、上記誘導型薄膜磁気ヘッドを形成す
る際は、下層側の磁気コアとなる下部シールド用磁性体
に溝を形成し、前記溝に薄膜コイルを形成することが好
ましい。

【００１５】また、上記ＭＲヘッドを形成する際は、Ｍ
Ｒ素子の上層又は下層の少なくとも一方に、ＭＲ素子に
バイアス磁界を印加するバイアス導体を形成することが
好ましく、さらには、ＭＲ素子の先端部又は後端部の少
なくとも一方に、軟磁性材料からなるフラックスガイド
を配することが好ましい。そして、バイアス導体及びフ
ラックスガイドを配する場合には、フラックスガイドの
少なくとも一部がバイアス導体の上層又は下層に位置す
るように、フラックスガイドを配することが好ましい。

【００１６】

【作用】誘導型薄膜磁気ヘッドを形成した後、ＭＲヘッ
ドを形成することにより、誘導型薄膜磁気ヘッドを形成
する際の熱処理の影響が、ＭＲヘッドに及ばなくなる。
したがって、ＭＲヘッドの感磁素子であるＭＲ素子が熱
により劣化することがなく、高い磁気抵抗効果が維持さ
れる。

【００１７】また、ＭＲ素子の熱劣化は、ＧＭＲ素子に
おいて特に顕著であるが、本発明によれば熱劣化を回避
できるため、ＧＭＲ素子の高い磁気抵抗効果を維持でき
る。したがって、ＭＲヘッドの感磁素子に、ＧＭＲ素子
を用いることにより、特に高い磁気抵抗効果が得られ、
ＭＲヘッドから高い再生出力が得られる。

【００１８】また、誘導型薄膜磁気ヘッドを形成する際
に、下層側の磁気コアとなる下部シールド用磁性体に溝
を形成し、前記溝に薄膜コイルを形成することにより、
薄膜コイルに起因する段差が無くなり、誘導型薄膜磁気
ヘッドを形成した後の上面が平面となる。したがって、
後工程で形成するＭＲヘッドを平面上に形成できる。そ
して、ＭＲヘッドが平面上に形成されるため、ＭＲ素子
も平面状に形成することができ、ＭＲヘッドの再生出力
を高めることができる。

【００１９】また、ＭＲヘッドを形成するに際して、バ
イアス導体を配することにより、さらにはフラックスガ
イドを配することにより、高い再生出力を得ることがで
きる。さらに、バイアス導体及びフラックスガイドを配
する場合には、フラックスガイドの少なくとも一部が、
バイアス導体の上層又は下層に位置するように、フラッ
クスガイドを配することにより、バイアス磁界を効率よ
くＭＲ素子に導くことができる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２１】実施例１本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、図１に
示すように、基板１１上に薄膜工程により誘導型薄膜磁
気ヘッド１０を形成し、その上に薄膜工程によりＧＭＲ
素子を用いたＭＲヘッド２０を形成するものである。

【００２２】上記誘導型薄膜磁気ヘッド１０は、以下の
ように形成する。

【００２３】まず、基板１１上にパーマロイ等の軟磁性
体からなる下部シールド磁性体１２を形成する。この下
部シールド磁性体１２は、誘導型薄膜磁気ヘッド１０の
下層側磁気コアとなるものである。

【００２４】次に、この下部シールド磁性体１２上の磁
気記録媒体摺動面側の端部から所定の距離だけ内側にイ
オンミリング等により溝１３を形成する。そして、この
溝１３内に銅等の導体からなる記録用の薄膜コイル１４
を、所定の巻数となるようにパターニングして形成す
る。なお、薄膜コイル１４を形成する際は、下部シール
ド磁性体１２と薄膜コイル１４の間、薄膜コイル１４の
コイル間、及び薄膜コイル１４の上面に、絶縁体である
レジスト１５を形成して、これらの電気的絶縁を行う。
このとき、薄膜コイル１４形成面の平坦化のため、及び
薄膜コイル１４を形状良くパターニングするために、レ
ジスト１５を約２８０℃で焼成する。

【００２５】次に、下部シールド磁性体１２、及び薄膜
コイル１４上に形成されたレジスト１４を覆うように、
厚さが所定の磁気ギャップ長となるように、アルミナ等
の非磁性体からなるギャップ層１６を形成する。このギ
ャップ層１６は磁気ギャップとなるものであり、このギ
ャップ層１６の厚さが磁気ギャップ長となる。

【００２６】そして、ギャップ層１６上に、パーマロイ
等の軟磁性体からなる中間シールド磁性体１７を形成す
る。この中間シールド磁性体１７は、誘導型薄膜磁気ヘ
ッド１０の上層側磁気コアとなるものである。また、こ
の中間シールド磁性体１７は、後工程で形成されるＭＲ
ヘッド２０において、再生時に媒体の再生対象磁界以外
の磁界が、ＧＭＲ素子に引き込まれないようにするため
の磁気シールドとしても機能する。

【００２７】以上の工程により、誘導型薄膜磁気ヘッド
１０が完成する。そして、この上にＭＲヘッド２０を以
下のように形成する。

【００２８】まず、上記中間シールド磁性体１７にイオ
ンミリング等により溝２１を形成する。なお、この溝２
１は、後工程でＧＭＲ素子が形成される場所に対応した
位置に形成する。そして、この溝２１内にバイアス導体
２２を形成する。このバイアス導体２２は、後工程で形
成するＧＭＲ素子にバイアス磁界を印加するものであ
る。このバイアス導体２２形成の際は、バイアス導体２
２と中間シールド磁性体１７の間、及びバイアス導体２
２上に、絶縁層２３を形成して、これらの電気的絶縁を
行う。そして、バイアス導体２２上に絶縁層２３を形成
した後、バイアス導体２２上に形成された絶縁層２３の
上面、及び中間シールド磁性体１７の上面を平坦化す
る。

【００２９】次に、上述のように平坦化された面の上
に、所定のギャップ厚みとなるように、アルミナ等の非
磁性体からなる再生ギャップ層２４を形成する。この再
生ギャップ層は、中間シールド磁性体１７と後工程で形
成するＧＭＲ素子との磁気的な絶縁膜として機能する。

【００３０】次に、再生ギャップ層２４上に、ＧＭＲ素
子２５をＤＣマグネトロンスパッタ装置で形成する。な
お、このＧＭＲ素子２５の磁気記録媒体摺動面側の端部
を先端部といい、他方の端部を後端部という。そして本
実施例では、ＧＭＲ素子２５には、厚さ１ｎｍのＦｅ−
Ｃｏと厚さ２ｎｍのＣｕを交互に１５層積層した人工格
子膜を用いた。

【００３１】次に、ＧＭＲ素子２５の後端部上に、磁気
記録媒体からの磁束がＧＭＲ素子に効率よく引き込まれ
るようにするために、パーマロイ等の軟磁性体からなる
フラックスガイド２６を形成する。

【００３２】次に、ＧＭＲ素子２５の先端部に配される
先端部電極２７と、ＧＭＲ素子２５の後端部にフラック
スガイド２６を介して配される後端部電極２８を形成す
る。なお、先端部電極２７は、後工程で形成する上部シ
ールド磁性体とＧＭＲ素子２５との磁気的な絶縁層とし
ても機能する。また、これらの電極を形成する際は、先
端部電極２７と後端部電極２８の間の電気的な絶縁を図
るために、先端部電極２７と後端部電極２８の間に絶縁
層２９を形成するとともに、後端部電極２８と後工程で
形成する上部シールド磁性体との絶縁を図るために、後
端部電極２８上に絶縁層２９を形成する。

【００３３】次に、上記絶縁層２９及び先端部電極２７
を覆うように、上部シールド磁性体３０を形成する。こ
の上部シールド磁性体３０は、再生時に媒体の再生対象
磁界以外の磁界が、ＧＭＲ素子に引き込まれないように
するための磁気シールドとして機能する。

【００３４】そして、必要に応じて、上部シールド磁性
体上に絶縁体等からなる保護層３１を形成してＭＲヘッ
ド２０が完成する。なお、本実施例のＭＲヘッド２０に
おいては、フラックスガイド２６をＧＭＲ素子２５の後
端部だけに配したが、ＧＭＲ素子２５の先端部にもフラ
ックスガイド２６を配してもよい。また、バイアス導体
２２をＧＭＲ素子２５の下部にだけ配したが、ＧＭＲ素
子２５の上部にもバイアス導体を配してもよい。

【００３５】以上の工程により、誘導型薄膜磁気ヘッド
１０とＭＲヘッド２０よりなる複合型薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【００３６】実施例２本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、図２に
示すように、基板４１上に薄膜工程により誘導型薄膜磁
気ヘッド４０を形成し、その上に薄膜工程によりＧＭＲ
素子を用いたＭＲヘッド５０を形成するものである。

【００３７】上記誘導型薄膜磁気ヘッド４０は、以下の
ように形成する。

【００３８】まず、基板４１上にパーマロイ等の軟磁性
体からなる下部シールド磁性体４２を形成する。この下
部シールド磁性体４２は、誘導型薄膜磁気ヘッド４０の
下層側磁気コアとなるものである。

【００３９】次に、下部シールド磁性体４２上に、厚さ
が所定の磁気ギャップ長となるように、アルミナ等の非
磁性体からなるギャップ層４３を形成する。このギャッ
プ層４３は磁気ギャップとなるものであり、このギャッ
プ層４３の厚さが磁気ギャップ長となる。

【００４０】次に、上記ギャップ層４３上の磁気記録媒
体摺動面側の端部から所定の距離だけ内側に、銅等の導
体からなる記録用の薄膜コイル４４を、所定の巻数とな
るようにパターニングして形成する。なお、薄膜コイル
４４を形成する際は、ギャップ層４３と薄膜コイル４４
の間、薄膜コイル４４のコイル間、及び薄膜コイル４４
の上面に、絶縁体であるレジスト４５を形成して、これ
らの電気的絶縁を行う。このとき、薄膜コイル形成面の
平坦化のため、及び薄膜コイル４４を形状良くパターニ
ングするために、レジスト４５を約２８０℃で焼成す
る。

【００４１】なお、薄膜コイル４４及びレジスト４５
は、磁気記録媒体摺動面側の端部から所定の距離だけ内
側に形成するため、ギャップ層４３の露出した部分と、
薄膜コイル４４及びレジスト４５との間には段差が生じ
る。

【００４２】そして、ギャップ層４３の露出した部分、
及び薄膜コイル４４上に形成されたレジスト４５を覆う
ように、パーマロイ等の軟磁性体からなる中間シールド
磁性体４６を形成する。この中間シールド磁性体４６
は、誘導型薄膜磁気ヘッド４０の上層側磁気コアとなる
ものである。また、この中間シールド磁性体４６は、後
工程で形成されるＭＲヘッド５０において、再生時に媒
体の再生対象磁界以外の磁界が、ＧＭＲ素子に引き込ま
れないようにするための磁気シールドとしても機能す
る。

【００４３】なお、ギャップ層４３が露出していた部分
と、薄膜コイル４４及びレジスト４５との間に段差があ
るために、この段差に対応した段差が中間シールド磁性
体４６にも生じる。

【００４４】以上の工程により、誘導型薄膜磁気ヘッド
４０が完成する。そして、この上にＭＲヘッド５０を以
下のように形成する。

【００４５】まず、上記中間シールド磁性体４６にイオ
ンミリング等により溝５１を形成する。なお、この溝５
１は、上記段差部分、すなわち後工程でＧＭＲ素子が形
成される場所に対応した位置に形成する。そして、この
溝５１内にバイアス導体５２を形成する。このバイアス
導体５２は、後工程で形成するＧＭＲ素子にバイアス磁
界を印加するものである。このバイアス導体５２を形成
する際は、バイアス導体５２と中間シールド磁性体４６
の間、及びバイアス導体５２上に、絶縁層５３を形成し
て、これらの電気的絶縁を行う。

【００４６】次に、中間シールド磁性体４６、及びバイ
アス導体５２上に形成された絶縁層５３を覆うように、
所定のギャップ厚みとなるように、アルミナ等の非磁性
体からなる再生ギャップ層５４を形成する。この再生ギ
ャップ層５４は、中間シールド磁性体４６と後工程で形
成するＧＭＲ素子との磁気的な絶縁膜として機能する。

【００４７】次に、再生ギャップ層５４上に、ＧＭＲ素
子５５をＤＣマグネトロンスパッタ装置で形成する。な
お、このＧＭＲ素子５５の磁気記録媒体摺動面側の端部
を先端部といい、他方の端部を後端部という。そして本
実施例では、ＧＭＲ素子５５には、厚さ１ｎｍのＦｅ−
Ｃｏと厚さ２ｎｍのＣｕを交互に１５層積層した人工格
子膜を用いた。

【００４８】なお、このＧＭＲ素子５５が形成される場
所は、上述のように段差があるため、このＧＭＲ素子５
５も段差に沿って折れ曲がった形状となる。

【００４９】次に、ＧＭＲ素子５５の後端部に、磁気記
録媒体からの磁束がＧＭＲ素子５５に効率よく引き込ま
れるようにするために、パーマロイ等の軟磁性体からな
るフラックスガイド５６を形成する。

【００５０】次に、ＧＭＲ素子５５の先端部に配される
先端部電極５７と、ＧＭＲ素子５５の後端部にフラック
スガイド５６を介して配される後端部電極５８を形成す
る。なお、先端部電極５７は、後工程で形成する上部シ
ールド磁性体とＧＭＲ素子５５との磁気的な絶縁層とし
ても機能する。また、これらの電極を形成する際は、先
端部電極５７と後端部電極５８の間の電気的な絶縁を図
るために、先端部電極５７と後端部電極５８の間に絶縁
層５９を形成するとともに、後端部電極５８と後工程で
形成する上部シールド磁性体との絶縁を図るために、後
端部電極５８上に絶縁層５９を形成する。

【００５１】次に、上記絶縁層５９、及び先端部電極５
７を覆うように、上部シールド磁性体６０を形成する。
この上部シールド磁性体６０は、再生時に媒体の再生対
象磁界以外の磁界が、ＧＭＲ素子に引き込まれないよう
にするための磁気シールドとして機能する。

【００５２】そして、必要に応じて、上部シールド磁性
体６０上に絶縁体等からなる保護層６１を形成してＭＲ
ヘッド５０が完成する。なお、本実施例のＭＲヘッド５
０においては、フラックスガイド５６をＧＭＲ素子５５
の後端部だけに配したが、ＧＭＲ素子５５の先端部にも
フラックスガイドを配してもよい。また、バイアス導体
５２をＧＭＲ素子５５の下部にだけ配したが、ＧＭＲ素
子５５の上部にもバイアス導体を配してもよい。

【００５３】以上の工程により、誘導型薄膜磁気ヘッド
４０とＭＲヘッド５０よりなる複合型薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【００５４】実施例３本実施例の複合型磁気ヘッドの製造方法では、ＭＲヘッ
ドの感磁素子を、ＧＭＲ素子ではなく、非磁性体を介し
てパーマロイを２層積層した２層パーマロイ膜を用いた
ＭＲ素子とした。これ以外は、実施例１と同様である。

【００５５】比較例１本比較例の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法は、図３に
示すように、基板６１上に薄膜工程によりＧＭＲ素子を
用いたＭＲヘッド６０を形成し、その上に薄膜工程によ
り誘導型薄膜磁気ヘッド８０を形成するものである。

【００５６】上記ＭＲヘッド６０は、以下のように形成
する。

【００５７】まず、基板６１上にパーマロイ等の軟磁性
体からなる下部シールド磁性体６２を形成する。この下
部シールド磁性体６２は、再生時に媒体の再生対象磁界
以外の磁界が、ＧＭＲ素子に引き込まれないようにする
ための磁気シールドとして機能する。

【００５８】次に、上記下部シールド磁性体６２にイオ
ンミリング等により溝６３を形成する。なお、この溝６
３は、後工程でＧＭＲ素子が形成される場所に対応した
位置に形成する。そして、この溝６３内にバイアス導体
６４を形成する。このバイアス導体６４は、後工程で形
成するＧＭＲ素子にバイアス磁界を印加するものであ
る。このバイアス導体６４形成の際は、バイアス導体６
４と下部シールド磁性体６２の間、及びバイアス導体６
４上に、絶縁層６５を形成して、これらの電気的絶縁を
行う。そして、バイアス導体６４上に絶縁層６５を形成
した後、バイアス導体６４上に形成された絶縁層６５の
上面、及び下部シールド磁性体６２の上面を平坦化す
る。

【００５９】次に、上述のように平坦化された面の上
に、所定のギャップ厚みとなるように、アルミナ等の非
磁性体からなる再生ギャップ層６６を形成する。この再
生ギャップ層６６は、中間シールド磁性体６２と後工程
で形成するＧＭＲ素子との磁気的な絶縁膜として機能す
る。

【００６０】次に、再生ギャップ層６６上に、ＧＭＲ素
子６７をＤＣマグネトロンスパッタ装置で形成する。な
お、このＧＭＲ素子６７の磁気記録媒体摺動面側の端部
を先端部といい、他方の端部を後端部という。そして本
比較例では、ＧＭＲ素子６７には、厚さ１ｎｍのＦｅ−
Ｃｏと厚さ２ｎｍのＣｕを交互に１５層積層した人工格
子膜を用いた。

【００６１】次に、ＧＭＲ素子６７の後端部上に、磁気
記録媒体からの磁束がＧＭＲ素子６７に効率よく引き込
まれるようにするために、パーマロイ等の軟磁性体から
なるフラックスガイド６８を形成する。

【００６２】次に、ＧＭＲ素子６７の先端部に配される
先端部電極６９と、ＧＭＲ素子６７の後端部にフラック
スガイド６８を介して配される後端部電極７０を形成す
る。なお、先端部電極６９は、後工程で形成する中間シ
ールド磁性体とＧＭＲ素子６７との磁気的な絶縁層とし
ても機能する。また、これらの電極を形成する際は、先
端部電極６９と後端部電極７０の間の電気的な絶縁を図
るために、先端部電極６９と後端部電極７０の間に絶縁
層７１を形成するとともに、後端部電極７０と後工程で
形成する中間シールド磁性体との絶縁を図るために、後
端部電極７０上に絶縁層７１を形成する。

【００６３】次に、上記絶縁層７１及び先端部電極６９
を覆うように、中間シールド磁性体７２を形成する。こ
の中間シールド磁性体７２は、再生時に媒体の再生対象
磁界以外の磁界が、ＧＭＲ素子６７に引き込まれないよ
うにするための磁気シールドとして機能する。また、こ
の中間シールド磁性体７２は、後工程で形成される誘導
型薄膜磁気ヘッド８０において、下層側磁気コアとして
も機能する。

【００６４】以上の工程により、ＭＲヘッド６０が完成
する。そして、この上に誘導型薄膜磁気８０を以下のよ
うに形成する。

【００６５】まず、中間シールド磁性体７２を覆うよう
に、厚さが所定の磁気ギャップ長となるように、アルミ
ナ等の非磁性体からなるギャップ層８１を形成する。こ
のギャップ層８１は磁気ギャップとなるものであり、こ
のギャップ層８１の厚さが磁気ギャップ長となる。

【００６６】次に、上記ギャップ層８１上の磁気記録媒
体摺動面側の端部から所定の距離だけ内側に、銅等の導
体からなる記録用の薄膜コイル８２を、所定の巻数とな
るようにパターニングして形成する。なお、薄膜コイル
８２を形成する際は、ギャップ層８１と薄膜コイル８２
の間、薄膜コイル８２のコイル間、及び薄膜コイル８２
の上面に、絶縁体であるレジスト８３を形成して、これ
らの電気的絶縁を行う。このとき、薄膜コイル８２形成
面の平坦化のため、及び薄膜コイル８２を形状良くパタ
ーニングするために、レジスト８３を約２８０℃で焼成
する。

【００６７】次に、ギャップ層８１の露出した部分、及
び薄膜コイル８２上に形成されたレジスト８３を覆うよ
うに、パーマロイ等の軟磁性体からなる上部シールド磁
性体８４を形成する。この上部シールド磁性体８４は、
誘導型薄膜磁気ヘッド８０の上層側磁気コアとなるもの
である。

【００６８】そして、必要に応じて、上部シールド磁性
体８４上に絶縁体等からなる保護層８５を形成して誘導
型薄膜磁気ヘッド８０が完成する。

【００６９】以上の工程により、ＭＲヘッド６０と誘導
型薄膜磁気ヘッド８０よりなる複合型薄膜磁気ヘッドが
完成する。

【００７０】比較例２本比較例の複合型磁気ヘッドの製造方法では、ＭＲヘッ
ドの感磁素子を、ＧＭＲ素子ではなく、非磁性体を介し
てパーマロイを２層積層した２層パーマロイ膜を用いた
ＭＲ素子とした。これ以外は、比較例１と同様である。

【００７１】以上のような製造方法によって製造した複
合型薄膜磁気ヘッドについて再生出力を測定した。な
お、各複合型薄膜磁気ヘッドは全て、磁気ギャップ長を
０．２μｍ、トラック幅を３μｍとして製造した。そし
て、磁気記録媒体には、飽和磁化が７２０ｋＡ／ｍ、磁
性体層の膜厚が３０ｎｍ、保磁力が１２８ｋＡ／ｍのＣ
ｏ系スパッタ媒体を用いた。そして、磁気記録媒体とヘ
ッド間の距離である浮上量を０．０８μｍ、記録周波数
を１．３３ＭＨｚ、再生時にＭＲ素子に流れるセンス電
流の電流密度を６×１０⁶ Ａ／ｃｍ²として測定した。
結果を表１に示す。

【００７２】

【表１】

【００７３】この結果から、感磁素子にＧＭＲ素子を用
いた例である実施例１，２及び比較例１を比較すると、
実施例１，２の方が比較例１よりも高い再生出力が得ら
れていることが判る。これは、比較例１では、誘導型薄
膜磁気ヘッドを形成する際の熱処理によって、ＧＭＲ素
子の磁気抵抗効果特性が劣化してしまうためである。

【００７４】また、実施例１と実施例２を比較すると、
実施例１の方が実施例２よりも高い再生出力が得られて
いることが判る。これは、実施例２では、ＧＭＲ素子に
段差が生じているため、磁気抵抗効果特性が劣り、再生
出力が減少したものと予想される。

【００７５】また、感磁素子にパーマロイ膜を用いた例
である実施例３と比較例２では、ＧＭＲ素子を用いた場
合よりも再生出力は減少しているが、これらパーマロイ
膜を用いた場合においても、誘導型薄膜磁気ヘッドの後
にＭＲヘッドを形成した実施例３の方が比較例２よりも
高い再生出力が得られていることが判る。これも、比較
例２では誘導型薄膜磁気ヘッドを形成する際の熱処理に
よって、ＭＲ素子の磁気抵抗効果特性が劣化してしまう
ためである。

【００７６】このように、本発明によれば高い再生出力
が得られる複合型薄膜磁気ヘッドを製造できる。特に実
施例１と比較例２を比較すると、再生出力に約４倍もの
差がある。すなわち、ＧＭＲ素子を用いて本発明の製造
方法により製造した複合型薄膜磁気ヘッドでは、パーマ
ロイをＭＲ素子に用いて従来の製造方法により製造した
複合型薄膜磁気ヘッドに比べて、約４倍もの出力の向上
が図られる。

【００７７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、誘導型薄膜磁気ヘッドを形成した後にＭＲヘッ
ドを形成するので、誘導型薄膜磁気ヘッドの形成に伴う
熱処理によって、ＭＲ素子の特性が劣化することがな
い。したがって、高い再生出力が得られる誘導型薄膜磁
気ヘッドを製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用して製造された複合型薄膜磁気
ヘッドの一例を示す断面図である。

【図２】本発明を適用して製造された複合型薄膜磁気
ヘッドの他の例を示す断面図である。

【図３】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの一例を示す断
面図である。

【符号の説明】

１０誘導型薄膜磁気ヘッド１１基板１２下部シールド磁性体１３溝１４薄膜コイル１５レジスト１６ギャップ層１７中間シールド磁性体２０ＭＲヘッド２１溝２２バイアス導体２３絶縁層２４再生ギャップ層２５ＧＭＲ素子２６フラックスガイド２７先端部電極２８後端部電極２９絶縁層３０上部シールド磁性体３１保護層４０誘導型薄膜磁気ヘッド４１基板４２下部シールド磁性体４３ギャップ層４４薄膜コイル４５レジスト４６中間シールド磁性体５０ＭＲヘッド５１溝５２バイアス導体５３絶縁層５４再生ギャップ層５５ＧＭＲ素子５６フラックスガイド５７先端部電極５８後端部電極５９絶縁層６０上部シールド磁性体６１保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高田昭夫東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者黒須実喜也東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録用の誘導型薄膜磁気ヘッドと、再生
用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドからなる複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法において、誘導型薄膜磁気ヘッドを形成した後、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドを形成することを特徴とする複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項２】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの感磁素
子が、導体層と磁性体層とが交互に積層されてなる人工
格子膜構造の磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子
であることを特徴とする請求項１記載の複合型薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項３】誘導型薄膜磁気ヘッドを形成するに際し
て、下層側の磁気コアとなる下部シールド用磁性体に溝
を形成し、前記溝に薄膜コイルを形成することを特徴と
する請求項１又は２記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
【請求項４】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成す
るに際して、磁気抵抗効果素子の上層又は下層の少なく
とも一方に、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体を形成することを特徴とする請求項１乃
至３記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成す
るに際して、磁気抵抗効果素子の先端部又は後端部の少
なくとも一方に、軟磁性材料からなるフラックスガイド
を配することを特徴とする請求項１乃至４記載の複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成す
るに際して、磁気抵抗効果素子の上層又は下層の少なく
とも一方に、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体を形成し、且つ、フラックスガイドの少
なくとも一部が、前記バイアス導体の上層又は下層に位
置するように配することを特徴とする請求項５記載の複
合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。