JPH1196514A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Abstract
では、下部コア層がコア機能とシールド機能とを兼用し
ているが、従来では下部コア層が単層で形成されていた
ため、元々異なる磁気特性の必要なコア機能とシールド
機能とを同時に向上させることは困難であった。また下
部コア層を形成していたパーマロイでは比抵抗が低く、
高周波数帯域では、渦電流損失が増大するなどの問題が
あった。 【解決手段】 下部コア層が2層構造で形成され、しか
も第1下部コア層7および第2下部コア層8がCoを主
成分とし、アモルファス構造を主体とした軟磁性膜で形
成されている。特に、第2下部コア層8のCo濃度が、
第1下部コア層7のCo濃度よりも高くなっている。こ
れにより、第2下部コア層8のコア機能を向上させ、同
時に第1下部コア層7のシールド機能を向上させること
ができる。
Description
スク装置などに搭載されるMR/インダクティブ複合型
の薄膜磁気ヘッドに係り、特に下部コア層のコア機能と
シールド機能の両方を同時に向上させた薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法に関する。
媒体の対向側から示した拡大断面図である。この薄膜磁
気ヘッドは、例えば浮上式ヘッドを構成するスライダの
トレーリング側端面に磁気抵抗効果を利用した読み出し
ヘッドh1と、書き込み用のインダクティブヘッドh2と
が積層された、いわゆるMR/インダクティブ複合型薄
膜磁気ヘッドである。
i−Fe系合金(パーマロイ)などにより形成された下
部シールド層1上に、Al2O3(アルミナ)などの非磁
性材料による下部ギャップ層2が形成され、その上に磁
気抵抗効果素子層3が成膜されている。前記磁気抵抗効
果素子層3は、三層で構成されており、下から軟磁性層
(SAL層)、非磁性層(SHUNT層)、磁気抵抗効
果層(MR層)の順に積層されている。通常、前記磁気
抵抗効果素子層はNi−Fe系合金(パーマロイ)の
層、前記非磁性層はTa(タンタル)の層であり、前記
軟磁性層はNi−Fe−Nb系合金により形成されてい
る。
バイアス層としてハードバイアス層4が形成されてい
る。また、前記ハードバイアス層4の上にCu(銅)、
W(タングステン)などの電気抵抗の小さい非磁性導電
性材料の主電極層5が形成されている。さらにその上
に、アルミナなどの非磁性材料による上部ギャップ層6
が形成される。前記上部ギャップ層6の上には下部コア
層20がパーマロイなどのメッキにより形成されてい
る。インダクティブヘッドh2ではこの下部コア層20
が記録媒体に記録磁界を与えるリーディング側コア部と
して機能し、読み出しヘッドh1では上部シールド層と
して機能している。また読み出しヘッドh1では、下部
シールド層1と下部コア層20との間隔によりギャップ
長Gl1が決定される。
どによるギャップ層(非磁性材料層)9とポリイミドま
たはレジスト材料により形成された絶縁層(図示しな
い)が積層され、前記絶縁層の上には螺旋状となるよう
にパターン形成されたコイル層10が設けられている。
前記コイル層10はCu(銅)などの電気抵抗の小さい
非磁性導電材料で形成されている。そして前記コイル層
10はポリイミドまたはレジスト材料で形成された絶縁
層(図示しない)に囲まれ、前記絶縁層の上にパーマロ
イなどの磁性材料で形成された上部コア層11がメッキ
形成されている。なお、前記上部コア部11は記録媒体
に記録磁界を与えるインダクティブヘッドh2のトレー
リング側コア部として機能している。
録媒体の対向側で下部コア層20の上に前記ギャップ層
9を介して対向し、記録媒体に記録磁界を与える磁気ギ
ャップ長Gl2の磁気ギャップが形成されている。そし
て、前記上部コア層11の上にアルミナなどの保護層1
2が設けられている。インダクティブヘッドh2では、
コイル層10に記録電流が与えられて、コイル層10か
ら上部コア層11及び下部コア層20に記録磁界が与え
られる。そして、磁気ギャップの部分における、下部コ
ア層20と上部コア層11との間での洩れ磁界により、
ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録され
る。
す薄膜磁気ヘッドでは、前述したように、下部コア層2
0がインダクティブヘッドh2のリーディング側コア部
として機能しているだけでなく、読み出しヘッドh1の
上部シールド層としても機能しているため、前記下部コ
ア層20はコアとしての性質及びシールドとしての性質
の双方を兼ね備えたものでなければならない。以下に示
す表1は、下部コア層20のコア機能およびシールド機
能に必要な磁気特性、および下部コア層20として従来
から使用されていたNi−Fe系合金(パーマロイ)の
磁気特性を示している。
◎に次いで必要な磁気特性、△は適度な値を有していれ
ばよい磁気特性を示している。表1に示すように、下部
コア層20のコア機能を向上させるためには、まず高い
飽和磁束密度(Bs)が必要である。高記録密度化に伴
いトラック幅を狭くする必要があるが、このとき前記飽
和磁束密度が低いと、ライトフリンジングなどの問題が
発生し、記録特性が低下してしまう。
る。前記比抵抗が低いと、高周波数帯域にて渦電流損失
が増大し、また渦電流損失による記録磁界の位相遅れ
(NLTS)などの問題が発生してしまう。さらに、異
方性磁界(Hk)をできるだけ高くしておく必要があ
る。これは、磁場中アニールにより、トラック幅方向に
適性に磁化を揃え、記録媒体からの外部磁界方向を磁化
困難軸とするためである。トラック幅方向に適性に磁化
を揃えることで、記録時における磁化反転を良好にする
ことができる。また、密着性を向上させるために、応力
(σ)をある程度低くしておく必要がある。
上させるには、まず、高い透磁率(μ)が必要である。
前記透磁率が高いことで、記録媒体からの余分な信号
(ノイズなど)が下部コア層20に吸収され、MR層を
適性に作動させることができる。また、磁歪定数(λ)
を低くしておくことが必要である。前記磁歪定数を低く
することで、下部コア層20の磁区構造を安定化させ、
また透磁率(μ)を高くすることが可能である。
するために、比抵抗(ρ)を高くすることが好ましく、
さらに応力(σ)および保磁力(Hc)をある程度低く
しておくことが好ましい。また、表1に示すように、下
部コア層20のシールド機能を向上させるには、飽和磁
束密度(Bs)をそれほど高くする必要はない。記録媒
体からの信号は非常に小さいため、飽和磁束密度が比較
的小さくても、記録媒体からの信号により磁化飽和に達
することがないからである。
する必要はないが、少なくとも1(Oe;エルステッ
ド)以上は必要である。異方性磁界(Hk)が1(O
e)以下であると等方性になるため、磁場中アニールを
施しても、磁化をトラック幅方向に揃えることができな
くなる。逆に、異方性磁界(Hk)が高くなりすぎる
と、透磁率(μ)と異方性磁界(Hk)との間には、μ
=飽和磁束密度(Bs)/異方性磁界(Hk)という関
係式が成り立っているので、透磁率(μ)が低下してし
まい、従ってシールド機能は低下してしまう。
金で形成されると、表1に示すようにNiFe系合金の
比抵抗(ρ)は非常に低くなっているため、記録周波数
を高くした場合、前記下部コア層20に渦電流が発生
し、渦電流による熱損失が増大しやすくなる。また、N
iFe系合金の異方性磁界(Hk)は、表1に示すよう
に、3〜4(Oe;エルステッド)となっているが、下
部コア層20のコア機能としては、より高い異方性磁界
(Hk)が必要である。ただし、仮に異方性磁界(H
k)が高いとコア機能は向上するが、前記異方性磁界
(Hk)が高いことで透磁率(μ)は低下してしまい、
逆にシールド機能は低下してしまう。
下部コア層20のコア機能とシールド機能とを同時に向
上させるには、従来の下部コア層20の構造では難し
く、また上述したように、NiFe系合金では、比抵抗
(ρ)が低いなどの問題があり、高周波数帯域では渦電
流による熱損失が増大してしまうなど、高密度記録化に
対応することができないものとなっていた。
ものであり、下部コア層の構造、および前記下部コア層
に使用される軟磁性材料を改良して、前記下部コア層の
コア機能およびシールド機能を同時に向上させた薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とし
ている。
素子層と、この磁気抵抗効果素子層に検出電流を与える
電極層と、前記電極層の上に絶縁層を介して形成された
読み出しヘッドの上部シールド機能を兼ね備えた下部コ
ア層と、記録媒体との対向部で前記下部コア層と磁気ギ
ャップを介して対向する上部コア層と、両コア層に磁界
を与えるコイル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部コア層は、Coを主成分とし、アモルファス構
造を主体とした軟磁性膜が2層積層された構造となって
おり、前記2層のうち、前記上部コア層に対向する上側
の下部コア層は、前記磁気抵抗効果素子層に対向する下
側の下部コア層よりもCoの濃度が高くなっていること
を特徴とするものである。
ァス構造を主体とした軟磁性膜の組成式はCoaZrbN
bcで示され、この軟磁性膜が、前記上側の下部コア層
として使用されるとき、組成比a(at%)は、85≦
a≦91であり、この軟磁性膜が、前記下側の下部コア
層として使用されるとき、組成比a(at%)は、78
≦a≦82であり、組成比b,c(at%)は、上側の
下部コア層および下側の下部コア層共に、 b=(0.5〜0.8)×(100−a)、c=100
−a−b である。
(0.6〜0.7)×(100−a)であることがより
好ましい。
元素Zrに代えて、Hfが添加されてもよいし、あるい
は前記軟磁性膜を構成する元素Nbに代えて、Taまた
はMoが添加されてもよい。つまり本発明では、CoZ
rNb系合金の他に、CoHfTa系合金、CoZrT
a系合金、CoZrMo系合金などが下部コア層として
使用可能である。なお、CoHfTa系合金などの組成
比は、前述したCoZrNb系合金の組成比をそのまま
用いればよい。
磁気特性として、飽和磁束密度(Bs)は、1.0〜
1.4(T;テスラ)の範囲内、比抵抗(ρ)は、90
(μΩ・cm)以上、異方性磁界(Hk)は、10(O
e;エルステッド)以上である。 また、本発明におけ
る下側の下部コア層の磁気特性として、飽和磁束密度
(Bs)は、0.6〜0.8(T)の範囲内、比抵抗
(ρ)は120(μΩ・cm)以上、キュリー温度(T
c)は500℃以下である。
前記下側の下部コア層の異方性磁界(Hk)は1〜5
(Oe)の範囲内であり、より好ましくは、2〜3(O
e)の範囲である。
(μ)は3000以上である。
下部コア層の磁歪定数(λ)は絶対値で5×10-7以下
であり、より好ましくは、絶対値で3×10-7以下であ
る。
膜厚と、前記下側の下部コア層の膜厚とを足した下部コ
ア層全体の膜厚が、1〜4(μm)の範囲内であること
が好ましく、さらに前記上側の下部コア層の膜厚が、前
記下部コア層全体の膜厚に対して50%〜90%を占め
ていることが好ましい。
ア層の膜厚よりも厚くするのは、上側の下部コア層は、
記録コアとして機能する部分であり、そのために膜厚を
厚くして、なるべく磁化が飽和しにくいようにする必要
があるからである。
よび下側の下部コア層の磁化は、トラック幅方向に揃え
られ、記録媒体への記録磁界方向および記録媒体からの
外部磁界方向が磁化困難軸とされている。
の磁気抵抗効果素子層に検出電流を与える電極層と、前
記電極層の上に絶縁層を介して形成された読み出しヘッ
ドの上部シールド機能を兼ね備えた下部コア層と、記録
媒体との対向部で前記下部コア層と磁気ギャップを介し
て対向する上部コア層と、両コア層に磁界を与えるコイ
ル層とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前
記絶縁層の上に、Coを主成分とし、アモルファス構造
を主体とする軟磁性膜を成膜して第1(下側の)下部コ
ア層を形成する工程と、前記第1下部コア層の上に、前
記第1下部コア層のCo濃度よりも高いCo濃度を有
し、アモルファス構造を主体とする軟磁性膜を成膜して
第2(上側の)下部コア層を形成する工程と、前記第1
および第2下部コア層に対して、磁場中で200℃〜4
00℃の範囲内のアニール処理を施す工程と、を有する
ことを特徴とするものである。
℃の範囲内にすることで、第2(上側)下部コア層の異
方性磁界(Hk)を高く保つことができ、逆に第1(下
側の)下部コア層の異方性磁界(Hk)を低くすること
ができる。
2つの機能を兼ね備える下部コア層を2層構造とし、上
部コア層に対向する上側の下部コア層(以下、第2下部
コア層と称す)にコア機能を持たせ、磁気抵抗効果素子
層に対向する下側の下部コア層(以下、第1下部コア層
と称す)にシールド機能を持たせている。
部コア層が、共にCoを主成分とし、アモルファス構造
を主体とした軟磁性膜で形成されるが、第1および第2
下部コア層に必要な磁気特性を引き出すために、第2下
部コア層のCo濃度を、第1下部コア層のCo濃度より
も高くしている。
束密度(Bs)、比抵抗(ρ)および異方性磁界(H
k)などが、従来のNiFe系合金に比べて高くなり、
コア機能を向上させることが可能となる。
の向上に必要な高い透磁率(μ)、低い磁歪定数
(λ)、高い比抵抗(ρ)、適度な異方性磁界(Hk)
などの磁気特性が得られる。
気ヘッドを示すものであり、記録媒体の対向側から示し
た拡大断面図である。また、図2はスライダ13上に形
成された本発明の薄膜磁気ヘッドの全体構造の概略を示
す斜視図である。図1及び図2に示す薄膜磁気ヘッド
は、浮上式ヘッドを構成するスライダ13のトレーリン
グ側端面13aに形成されたものであり、読み出しヘッ
ドh1と、記録用のインダクティブヘッドh2とが積層さ
れたものとなっている。読み出しヘッドh1は、磁気抵
抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの
洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。図
2に示すようにスライダ13のトレーリング側端面13
aには軟磁性材料製の下部シールド層1が形成されてい
る。
上にはAl2O3(アルミナ)などの非磁性材料により形
成された下部ギャップ層2が設けられている。下部ギャ
ップ層2の上には磁気抵抗効果素子層3が積層されてい
る。磁気抵抗効果素子層3は三層構造であり、下から軟
磁性材料(Co−Zr−Mo系合金またはNi−Fe―
Nb系合金)によるSAL層、非磁性材料製のSHUN
T(例えばTa(タンタル))、磁気抵抗効果を有する
MR層(Fe−Ni系合金)により形成されている。磁
気抵抗効果素子層3の両側には、MR層にバイアス磁界
を与えるハードバイアス層4とMR層に検出電流を与え
る電極層5(W(タングステン)またはCu(銅))が
形成されている。さらにその上にアルミナなどによる上
部ギャップ層6が形成されている。読み出しヘッドh1
では、下部シールド層1と後述する下部コア層(上部シ
ールド層)7との間隔によりギャップ長Gl1が決めら
れるため、記録媒体からの洩れ磁界の分解能を高めるた
めに、下部ギャップ層2及び上部ギャップ層6ができる
限り薄く形成されることが好ましい。
に、前記上部ギャップ層6の上に、第1(下側の)下部
コア層7および第2(上側の)下部コア層8が連続して
積層されている。前記第1下部コア層7は、前述した磁
気抵抗効果素子層3と前記上部ギャップ層6を介して対
向しており、読み出しヘッドh1の上部シールド層とし
て機能している。また前記第2下部コア層8は、後述す
る上部コア層11とギャップ層9を介して対向してお
り、インダクティブヘッドh2のリーディング側コアと
して機能している。
と、前記第2下部コア層8の膜厚とを足した下部コア層
全体の膜厚は、1〜4(μm)程度であることが好まし
い。さらに、本発明では、前記第2下部コア層8の膜厚
が、下部コア層全体の膜厚の50%〜90%を占めてい
ることが好ましい。コア機能を有する第2下部コア層8
の膜厚が薄いと、前記第2下部コア層8には大量の磁界
が発生するため、磁化飽和に達しやすくなり、ライトフ
リンジングが発生するなどの問題が発生してしまう。
の上にはアルミナなどによるギャップ層(非磁性材料
層)9が形成され、その上にポリイミドまたはレジスト
材料製の絶縁層(図示しない)を介して平面的に螺旋状
となるようにパターン形成されたコイル層10が設けら
れている。なお、前記コイル層10はCu(銅)などの
電気抵抗の小さい非磁性導電性材料で形成されている。
さらに、前記コイル層10はポリイミドまたはレジスト
材料で形成された絶縁層(図示しない)に囲まれ、前記
絶縁層の上にインダクティブヘッドh2のトレーリング
側コア部となる軟磁性材料製の上部コア層11が形成さ
れている。図2に示すように前記上部コア層11の先端
部11aは第2下部コア層8の上に前記非磁性材料層9
を介して対向し、記録媒体に記録磁界を与える磁気ギャ
ップ長Gl2の磁気ギャップが形成されており、上部コ
ア層11の基端部11bは図2に示すように、第2下部
コア層8と磁気的に接続されている。また、上部コア層
11の上には、アルミナなどの保護層12が設けられて
いる。
10に記録電流が与えられ、コイル層10から第2下部
コア層8及び上部コア層11に記録磁界が誘導される。
そして、磁気ギャップ長Gl2の部分で第2下部コア層
8と上部コア層11の先端部11aとの間の洩れ磁界に
より、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録
される。また、インダクティブヘッドh2においてハー
ドディスクなどの記録媒体に対して高密度に磁気信号を
記録できるようにするために、インダクティブヘッドh
2のギャップ長Gl2はできる限り短く形成される。
して機能しており、また第2下部コア層8はコアとして
機能しているため、前記第1下部コア層7および第2下
部コア層8に必要な磁気特性はそれぞれ異なっている。
前述した表1に示すように、シールド機能として特に必
要な磁気特性は、高い透磁率(μ)と低い磁歪定数
(λ)である。
は、高い飽和磁束密度と高い比抵抗である。またコア機
能としては他に高い異方性磁界(Hk)が必要である。
異方性磁界(Hk)を高くする理由は、磁化をトラック
幅方向に適性に揃え、記録媒体への記録磁界方向(図1
に対して垂直方向)を磁化困難軸とするためである。コ
ア機能を向上させるには、記録時における磁化反転を良
好にすることがことが好ましく、そのためには、前述の
ように異方性磁界(Hk)を高くして、磁化方向を適性
にトラック幅方向に揃えておく必要がある。
ア層7の異方性磁界(Hk)は、透磁率(μ)との関係
もあり、第2下部コア層8の異方性磁界(Hk)に比べ
て低く設定されるが、前記第1下部コア層7の磁化は、
前記第2下部コア層8の高い異方性磁界(Hk)の影響
を受け、適性にトラック幅方向に揃えられる。本発明で
は、前記第1下部コア層7および第2下部コア層8を、
Coを主成分とし、アモルファス構造を主体とした軟磁
性膜で形成し、前記第2下部コア層8のCo濃度を、前
記第1下部コア層7のCo濃度よりも高くすることで、
それぞれの層における必要な磁気特性を得ることが可能
となる。
ァス構造を主体とした軟磁性膜の組成式は、CoaZrb
Nbcで表わされる。Coは主成分であり磁性を担う元
素である。またZr,Nbの濃度を適性に調節すること
により、磁歪定数(λ)を低下させることができる。
れる場合、Coの組成比a(at%)は、85≦a≦9
1である。またこの軟磁性膜が、第1下部コア層7に使
用される場合、Coの組成比a(at%)は、78≦a
≦82である。
bの組成比c(at%)は、第1下部コア層7および第
2下部コア層8共に、b=(0.5〜0.8)×(10
0−a)、c=100−a−bである。なお、前記組成
比b(at%)は、より好ましくは、b=(0.6〜
0.7)×(100−a)である。
Nbの代わりにTa,Moを添加してもよい。つまり、
Co−Zr−Nb系合金の代わりに、Co−Hf−Ta
系合金、Co−Zr−Ta系合金、Co−Zr−Mo系
合金などを使用することができる。なお、Co−Hf−
Ta系合金などの組成比(at%)は、上述したCo−
Zr−Nb系合金と同じ組成比とすれば、適性な磁気特
性を得ることができる。そして、本発明では、第1下部
コア層7および第2下部コア層8が、Co−Zr−Nb
系合金で形成されたときの前記第1下部コア層7および
第2下部コア層8の主な磁気特性を表2にまとめた。な
お、表2には比較例としてNiFe系合金の磁気特性も
記載されている。
の磁気特性について説明する。前述したように、前記第
2下部コア層8におけるCo濃度(at%)は、85≦
a≦92であり、この範囲内であると、表2に示すよう
に、飽和磁束密度を1.0〜1.4(T)、保持力(H
c)を0.5(Oe)以下、比抵抗(ρ)を90〜12
0(μΩ・cm)にすることができる。また表2には記
載されていないが、キュリー温度(Tc)を600℃以
上にすることができる。また異方性磁界(Hk)を10
(Oe)以上にすることができる。なお、透磁率(μ)
は1000程度となる。
和磁束密度(Bs)が低下しすぎて好ましくない。また
Coの濃度が91at%以上になると、耐食性が低下す
ることと、アモルファス構造になりにくく、結晶化し始
めるので好ましくない。膜構造が結晶質相になると、比
抵抗(ρ)が低下してしまい、高周波数帯域での渦電流
の発生などの問題が生じる。また、軟磁気特性が劣化
し、保磁力(Hc)が高くなり、透磁率(μ)が低下し
てしまう。
能する第2下部コア層8の飽和磁束密度(Bs)を高く
することができ、しかも比抵抗(ρ)をNiFe系合金
に比べて十分に高くすることができるので、高周波数帯
域で渦電流による熱損失を低減させ、また渦電流による
位相遅れ(NLTS)を抑制することが可能である。ま
た本発明では、第2下部コア層8の異方性磁界(Hk)
を十分に高くすることができ、従って磁化を適性にトラ
ック幅方向に揃え、記録媒体への記録磁界方向を磁化困
難軸とすることが可能である。磁化が適性にトラック幅
方向に揃えられることで、記録時における磁化反転を良
好にすることができる。
(Hk)を高くすることができる理由は、以下の通りで
ある。第2下部コア層8のCo濃度は85〜91at%
と高いために、成膜時(熱処理前)における異方性磁界
(Hk)は約12Oe以上(図5参照)であり、またキ
ュリー温度(Tc)は600℃以上となっている。(図
6参照)ところで、前記異方性磁界(Hk)は、熱を加
えることにより、徐々に低下していき(図8参照)、キ
ュリー温度(Tc)に達すると、前記異方性磁界(H
k)は零になる。つまり、第2下部コア層8のキュリー
温度は、仮に600℃であるとすると、600℃以上の
熱処理を施すことにより、前記第2下部コア層8の異方
性磁界(Hk)は零となる。
われるアニール処理の温度は200℃〜400℃の範囲
内である。すなわち、第2下部コア層8のキュリー温度
(Tc)は600℃以上と高いために、200℃〜40
0℃の熱処理温度では、異方性磁界(Hk)がほとんど
低下せず、従って第2下部コア層8の異方性磁界(H
k)を10(Oe)以上の高い値のまま維持することが
可能となっている。
層7の磁気特性について説明する。前述したように、前
記第1下部コア層7におけるCo濃度(at%)は、7
8≦a≦82であり、この範囲内であると、表2に示す
ように、飽和磁束密度を0.6〜0.8(T)、保持力
(Hc)を0.5(Oe)以下、比抵抗(ρ)を120
〜130(μΩ・cm)にすることができる。またキュ
リー温度(Tc)を500℃以下にすることができる。
さらに、異方性磁界(Hk)を1〜5(Oe)にするこ
とができる。なお本発明では、前記異方性磁界(Hk)
を2〜3(Oe)にすることがより好ましい。また、1
0MHzの高周波数帯域での透磁率(μ)を3000以
上にすることができる。なお、Coの濃度が78at%
以下になると、Co同士が隣接する割合が減り、強磁性
特性を示しにくくなり好ましくない。またCoの濃度が
82at%以上になると、透磁率(μ)が低下してしま
い好ましくない。
下してしまう原因について、以下に説明する。Coの濃
度が高くなると、成膜時(熱処理前)における異方性磁
界(Hk)は高くなり(図5参照)、またキュリー温度
(Tc)も高くなる。(図6参照)なお、Co濃度が8
2at%以上になると、前記異方性磁界(Hk)は約1
1(Oe)以上、キュリー温度(Tc)は500℃以上
になる。
は熱を加えることによって、徐々に低下していき、キュ
リー温度(Tc)で零に達する。しかし、キュリー温度
が高すぎると、本発明での熱処理温度(200℃〜40
0℃)では、異方性磁界(Hk)がほとんど低下せず、
第1下部コア層7は、高い異方性磁界(Hk)を有する
ことになる。
(μ)は低下する。これは、透磁率(μ)と異方性磁界
(Hk)との間に、透磁率(μ)=飽和磁束密度(B
s)/異方性磁界(Hk)なる関係式が成り立っている
ためであり、異方性磁界(Hk)を高くすればするほ
ど、透磁率(μ)は低下してしまう。第1下部コア層7
はシールドとしての機能を有する部分であり、シールド
機能を向上させるには、高透磁率(μ)の条件は必要不
可欠である。従って、第1下部コア層7の異方性磁界
(Hk)は、できるだけ低いことが好ましい。
e)以下にすることは好ましくない。異方性磁界(H
k)があまり小さすぎると、高周波数帯域での透磁率
(μ)は急激に低下してしまうからである。また異方性
磁界(Hk)が1(Oe)以下であると、ほぼ等方性で
あるために、磁場中アニールを行っても、磁化をトラッ
ク幅方向に揃えることができず、従って磁区構造は不安
定になり、シールド機能は低下する。また信号再生を担
うMR素子部へノイズとなる悪影響を与える。適度に異
方性磁界(Hk)を持たせておくことにより、磁場中ア
ニールを施すと、前記第1下部コア層7の磁化は、第2
下部コア層8の強い異方性磁界(Hk)の影響を受け
て、適性にトラック幅方向に揃えられ、従って磁区構造
は安定化し、シールド機能を向上させることが可能であ
る。
8も同様)のZr濃度(at%)は、b=(0.5〜
0.8)×(100−a)であり、Zr濃度がこの範囲
内であると、表2に示すように、磁歪定数(λ)を絶対
値で、5×10-7以下にすることができる。なお、前述
したように、組成比bのより好ましい組成範囲は、b=
(0.6〜0.7)×(100−a)であり、この範囲
内であると、磁歪定数(λ)を絶対値で、3×10-7以
下にすることができる。本発明における第1の下部コア
層7は、磁気抵抗効果素子層3を余分な信号から保護す
べきシールド層として機能しているが、前述の通り、本
発明では、前記第1の下部コア層7の透磁率(μ)を高
くし、磁歪定数(λ)を低くすることができるので、前
記第1の下部コア層7のシールド機能を向上させること
が可能である。
2下部コア層8は以下の方法にて形成される。まず、図
1に示す上部ギャップ層6が形成された後、スパッタ法
や蒸着法により、Coを主成分とし、アモルファス構造
を主体とした軟磁性膜が成膜され第1下部コア層7が形
成される。前記スパッタ法としては、RFコンベンショ
ナルスパッタ、DCスパッタ、マグネトロンスパッタ、
三極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向ターゲット
式スパッタなどの方法が使用される。
1の下部コア層7のCo濃度よりも高いCo濃度を有す
るアモルファス構造を主体とした軟磁性膜が成膜され、
第2下部コア層8が形成される。なお、第1下部コア層
7および第2下部コア層8の成膜工程は、トラック幅方
向に磁場を与えながら行われてもよく、これにより、高
い異方性磁界(Hk)を有する第2下部コア層8の磁化
がトラック幅方向に向けられ、記録媒体への記録磁界方
向(図1に対して垂直方向)が磁化困難軸とされる。ま
た第1下部コア層7の磁化も、異方性磁界(Hk)が低
いものの、前記第2下部コア層8の高い異方性磁界(H
k)の影響を受けて、トラック幅方向に適性に揃えられ
る。
る。本発明におけるアニール処理の熱処理温度は200
℃〜400℃の範囲内である。熱処理温度が200℃以
下であると、第1の下部コア層7の異方性磁界(Hk)
は高くなり、従って前記第1の下部コア層7における透
磁率(μ)は低下してしまう。また熱処理温度が400
℃以上になると、磁気抵抗効果素子層3の熱拡散等によ
り、再生特性が低下してしまう。また、第1下部コア層
7の異方性磁界(Hk)が1(Oe)以下となり、高周
波数帯域での透磁率(μ)は急激に低下してしまうなど
の問題も発生する。
であると、第1下部コア層7の異方性磁界(Hk)を1
〜5(Oe)、好ましくは2〜3(Oe)にすることが
できる。このように、第1下部コア層7の異方性磁界
(Hk)を適度に低くすることができることで、第1下
部コア層7の透磁率(μ)を高くすることが可能とな
る。また第2下部コア層8の異方性磁界(Hk)を10
(Oe)以上にすることができる。
は、トラック幅方向に平行に磁場を与えながら行われて
おり、これにより、高い異方性磁界(Hk)を有する第
2下部コア層8の磁化がトラック幅方向に適性に揃えら
れる。従って前記第2下部コア層8の磁区構造は安定
し、記録時において、良好な磁化反転が得られ、コア機
能を向上させることができる。また第1下部コア層7は
異方性磁界(Hk)が低いものの、前記第2下部コア層
8の強い異方性磁界(Hk)の影響を受けて、前記第1
下部コア層7の磁化が、トラック幅方向に適性に揃えら
れ、従って、前記第1下部コア層7の磁化構造は安定
し、シールド機能を向上させることが可能である。
成されていた下部コア層を2層構造とし、磁気抵抗効果
素子層3に対向する第1下部コア層7にシールド機能を
持たせ、また上部コア層11に対向する第2下部コア層
8にコア機能を持たせているので、シールド機能および
コア機能を同時に向上させることができる。本発明で
は、従来から下部コア層として使用されてきたNiFe
系合金に代わり、Coを主成分とし、アモルファス構造
を主体とした軟磁性膜を使用し、特に第2下部コア層8
のCo濃度を第1下部コア層7のCo濃度よりも高くし
ている。
を、85〜91at%、第1下部コア層7のCo濃度
を、78〜82at%とし、この組成により、前記第2
下部コア層8の飽和磁束密度、比抵抗を高くすることが
でき、前記第2下部コア層のコア機能を向上させること
が可能である。また第1下部コア層7の透磁率を高く
し、またCo以外の添加元素(Zr,Nb)の組成比を
適性に調節することにより、磁歪定数を低くすることが
でき、前記第1下部コア層のシールド機能を向上させる
ことができる。なお、第2下部コア層8として使用され
るCo濃度の高いアモルファス構造を主体とした軟磁性
膜を、上部コア層11にも使用すれば、前記上部コア層
11のコア機能も向上させることが可能である。
複数のCo−Zr−Nb系合金を成膜し、それぞれの試
料における飽和磁束密度(Bs)、比抵抗(ρ)、保持
力(Hc)、異方性磁界(Hk)およびキュリー温度
(Tc)を測定した。その実験結果を図3〜図6に示
す。なお、上記の成膜では、RFコンベンショナルスパ
ッタ装置を用いて、CoターゲットにZr,Nbのペレ
ットを配置した複合ターゲットを用い、Arガス雰囲気
中で磁場中スパッタを行った。
度(Bs)との関係を示すグラフである。図に示すよう
に、飽和磁束密度(Bs)はCo濃度が大きくなるほ
ど、直線的に高くなっていることがわかる。前述したよ
うに、図1に示す第1下部コア層7のCo濃度は、78
〜82(at%)であるので、図3を見ると、前記第1
下部コア層7の飽和磁束密度(Bs)は、0.6〜0.
8(T)程度であることがわかる。
度は、85〜91(at%)であるので、図3を見る
と、前記第2下部コア層8の飽和磁束密度(Bs)は、
1.0〜1.4(T)程度であることがわかる。このよ
うに、第2下部コア層8のCo濃度を、第1下部コア層
7のCo濃度よりも大きくすることで、第2下部コア層
8の飽和磁束密度(Bs)を第1下部コア層7の飽和磁
束密度(Bs)よりも高くすることができる。
磁束密度(1.0〜1.4(T))を、図10に示すN
iFe系合金製の下部コア層20の飽和磁束密度(1.
0(T);表1、表2参照)よりも高くすることができ
るので、従来に比べて、磁化飽和が起こりにくくなって
いる。
(ρ)との関係を示すグラフである。図4に示すよう
に、比抵抗(ρ)は、Co濃度(at%)が大きくなる
ほど、低下することがわかる。78〜82at%のCo
濃度を有する第1下部コア層7の比抵抗(ρ)は、図4
を見ると、120(μΩ・cm)以上であることがわか
る。また、85〜91at%のCo濃度を有する第2下
部コア層8の比抵抗(ファ9位)は、図4を見ると、9
0〜120(μΩ・cm)程度であることがわかる。
8(μΩ・cm)程度(表1、表2参照)であり、よっ
て本発明では第1下部コア層7および第2下部コア層8
の比抵抗(μΩ・cm)を従来よりも高めることがで
き、高周波数低域での渦電流損失を低減させることがで
きる。特に、コアとして機能する第2下部コア層8の比
抵抗(ρ)を高めることで、渦電流損失を低減させるこ
とができると同時に、渦電流損失による記録信号の位相
遅れ(NLTS)を抑制することが可能である。
(Hc)および異方性磁界(Hk)との関係を示すグラ
フである。なおこの測定では、成膜後に熱処理を施して
いない。図5に示すように、Co濃度(at%)を大き
くすると、保磁力(Hc)および異方性磁界(Hk)は
高くなることがわかる。保磁力(Hc)は、第1下部コ
ア層7(Co濃度が78〜82at%)、第2下部コア
層8(Co濃度が85〜91at%)共に0.5(O
e)以下であることがわかる。異方性磁界(Hk)は、
第1下部コア層7(Co濃度が78〜82at%)で
は、10〜12(Oe)程度、第2下部コア層8(Co
濃度が85〜91at%)では、12.5〜15(O
e)程度であることがわかる。
度(Tc)との関係を示すグラフである。図6に示すよ
うに、Co濃度(at%)を大きくすると、キュリー温
度(Tc)は高くなることがわかる。本発明では、第1
下部コア層7(Co濃度が78〜82at%)のキュリ
ー温度(Tc)を500℃以下、第2下部コア層8(C
o濃度が85〜91at%)のキュリー温度(Tc)を
600℃以上にすることができる。
と、その軟磁性膜が有する異方性磁界(Hk)は零にな
る。つまり前述したように、熱処理を施していない第1
下部コア層7は10(Oe)以上の異方性磁界(Hk)
を有しているが、この第1下部コア層7に500℃以上
のアニール処理を施すと、前記第1下部コア層7の異方
磁界(Hk)は零となってしまう。同じ様に、熱処理を
施していない第2下部コア層8は、12.5(Oe)以
上の異方性磁界(Hk)を有しているが、この第2下部
コア層8に600℃以上のアニール処理を施すと、前記
第2下部コア層8の異方磁界(Hk)は零となってしま
う。
とNb濃度との割合が異なる複数のCo―Zr―Nb系
合金を成膜し、それぞれの試料における磁歪定数(λ)
を測定した。その実験結果を図7に示す。図7に示すよ
うに、磁歪定数(λ)は、Zr/Nbに対して直線的に
変化しており、Zr/Nbが約0.62以下であると、
前記磁歪定数(λ)は負の値となり、Zr/Nbが約
0.62以上であると、前記磁歪定数(λ)は正の値と
なっている。つまり、Zrの添加量を増加させるほど、
磁歪定数(λ)を正の値にすることができ、逆にNbの
添加量を増加させるほど、磁歪定数(λ)を負の値にす
ることができる。このことからZrは磁歪を正の値にす
る作用があり、Nbは磁歪を負の値にする作用があるこ
とがわかる。
小さいことが好ましい。特にシールド機能にとって磁区
構造の安定化から、低磁歪定数(λ)は必要不可欠な条
件(表1参照)である。なお、従来から下部コア層とし
て使用されているNiFe系合金の磁歪定数(λ)は、
0.5×10-7程度(表1、表2参照)と比較的低い
が、本発明では、この磁歪定数(λ)よりも低い値とな
るように、Zr/Nbが決められている。
絶対値で、5×10-7以下にするには、0.5≦Zr/
Nb≦0.8である必要がある。すなわち、Zrの組成
比をb(at%)とすれば、b=(0.5〜0.8)×
(100−a)であると、磁歪定数(λ)を絶対値で5
×10-7以下にすることができる。なお、本発明では、
磁歪定数(λ)を絶対値で3×10-7以下にすることが
より好ましく、そのためには、図7を見てわかるよう
に、Zr/Nbを0.6〜0.7、つまり、Zrの組成
比b(at%)を、b=(0.6〜0.7)×(100
−a)にする必要がある。
Zr−Nb系合金膜とCo濃度が90at%であるCo
−Zr−Nb系合金膜の2種類の試料を用いて、アニー
ル処理を施し、アニール温度と異方性磁界(Hk)との
関係について測定した。その実験結果を図8に示す。C
o濃度が80at%である軟磁性膜およびCo濃度が9
0at%である軟磁性膜共に、アニール処理温度が上昇
すると、異方性磁界(Hk)は低下しているが、特に、
Co濃度が80at%である軟磁性膜の異方性磁界(H
k)は、アニール温度が約250℃以上になると、急激
に低下し始めている。
と密接な関係がある。図6に示すように、Co濃度が8
0at%であると、キュリー温度(Tc)は約400℃
程度である。またCo濃度が90at%であると、キュ
リー温度(Tc)は800℃以上である。そして、アニ
ール温度がキュリー温度(Tc)に達すると、異方性磁
界(Hk)は零となる。
性膜では、成膜時点での異方性磁界(Hk)は図5に示
すように、約11(Oe)と高い値を示しているが、ア
ニール処理が施されることにより、前記異方性磁界(H
k)は図8に示すようなカーブを描き、徐々に低下して
いく。そして図8に示すように、アニール処理が400
℃程度になると、前記異方性磁界(Hk)はほぼ零とな
る。これに対し、Co濃度が90at%である軟磁性膜
では、キュリー温度(Tc)が800℃以上であるため
に、アニール温度(℃)が400℃程度でも、異方性磁
界(Hk)はあまり低下せず、10(Oe)以上の異方
性磁界(Hk)が維持されている。
範囲は200℃〜400℃であるが、その根拠について
以下に説明する。まず、400℃を越えると、図1に示
す磁気抵抗効果素子層3の磁区構造に悪影響を与え、再
生特性が低下してしまい好ましくない。さらに、本発明
では、シールドとして機能する第1下部コア層7のアニ
ール処理後における異方性磁界(Hk)は1〜5(O
e)であることが好ましく、より好ましくは2〜3(O
e)である。
(Hk)を必要としない。異方性磁界(Hk)が高い
と、透磁率(μ)が低下してしまうからである。ただし
異方性磁界(Hk)が1(Oe)以下になると、第1下
部コア層7が等方性となり好ましくない。本発明では、
第1下部コア層7のCo濃度は78〜82at%である
が、Co濃度が上限である82at%添加された場合、
図6に示すように、キュリー温度(Tc)は約500℃
となり、アニール温度が約400℃になっても、少なく
とも1(Oe)以上の異方性磁界(Hk)を得ることが
できる。(図8参照)
加されると、キュリー温度(Tc)は300℃程度まで
低下することが図6よりわかる。そして、アニール処理
を施すと200℃程度で、異方性磁界(Hk)は5(O
e)以下になる。また、アニール温度が200℃以下で
あると、Co濃度を下限である78at%添加しても、
異方性磁界(Hk)は5(Oe)以上となってしまい、
透磁率(μ)の低下などの問題があり好ましくない。
内のアニール温度を適性に調節することにより、78〜
82at%のCo濃度を有する第1下部コア層7の異方
性磁界(Hk)を少なくとも1〜5(Oe)とすること
が可能である。またコアとして機能する第2下部コア層
8では、異方性磁界(Hk)は高いことが好ましい。
at%である。Co濃度が上限の添加量である91at
%添加された場合、図8(Co濃度が90at%のグラ
フ)を参照すれば、アニール温度が200℃〜400℃
の範囲内であると、10(Oe)以上の異方性磁界(H
k)を得られることがわかる。下限の添加量である85
at%のCoが添加されると、図6に示すようにキュリ
ー温度(Tc)は600℃程度となるが、200℃〜4
00℃の範囲内のアニール温度を適性に調節すれば、1
0(Oe)以上の異方性磁界(Hk)を得られる。以上
により、Co濃度が85〜91at%であると、アニー
ル処理温度を200℃〜400℃の範囲内で適性に調節
すれば、常に10(Oe)以上の異方性磁界(Hk)を
得ることが可能である。
0℃のアニール処理を施した後、10MHzでの透磁率
(μ)を測定した。その実験結果を図9に示す。図9に
示すように、Co濃度が78at%から87at%まで
の範囲では、透磁率(μ)は低下していることがわか
る。これは、Co濃度の上昇に伴い、異方性磁界(H
k)が高くなるからである。
には、透磁率(μ)=飽和磁束密度(Bs)/異方性磁
界(Hk)との関係式が成り立っている。つまり異方性
磁界(Hk)が高くなることにより、透磁率(μ)は低
下してしまう。本発明では、シールドとして機能する第
1下部コア層7のCo濃度は78〜82at%であるの
で、図9からわかるように、前記第1下部コア層7の透
磁率(μ)を3000以上にすることが可能である。
以上になると、透磁率(μ)は上昇し始める。これは、
Co濃度が大きくなることにより、異方性磁界(Hk)
は高くなり、同時に飽和磁束密度(Bs)も上昇するが
(図3参照)、特に飽和磁束密度(Bs)の上昇率が、
異方性磁界(Hk)の上昇率よりも優っているからであ
ると推測される。これにより、飽和磁束密度(Bs)/
異方性磁界(Hk)で表わされる透磁率(μ)は上昇し
始める。本発明では、コアとして機能する第2の下部コ
ア層8のCo濃度は85〜91at%であるので、図9
からわかるように、前記第2の下部コア層8の透磁率
(μ)を1000程度にすることが可能である。
とシールド機能とを兼ね備える下部コア層を2層構造と
し、上部コア層と対向する側の下部コア層にコア機能を
持たせ、磁気抵抗効果素子層に対向する側の下部コア層
にシールド機能を持たせれば、前記コア機能とシールド
機能とを同時に向上させることが可能である。
し、アモルファス構造を主体とした軟磁性膜で形成し、
特に、上部コア層に対向する側の下部コア層のCo濃度
を、磁気抵抗効果素子層と対向する側の下部コア層のC
o濃度よりも高くすることで、それぞれの層に必要な磁
気特性を得ることが可能である。
部コア層のCo濃度を、85〜91at%とすること
で、1.0(T)以上の飽和磁束密度、90(μΩ・c
m)以上の比抵抗、10(Oe)以上の異方性磁界を得
ることができ、前記下部コア層のコア機能を向上させる
ことができる。
下部コア層のCo濃度を78〜82at%とすること
で、3000以上の透磁率、120(μΩ・cm)以上
の比抵抗を得ることができ、また添加元素であるZr,
Nbの組成比を適性に調節することにより、磁歪定数を
絶対値で3×10-7以下にすることができ、従って、前
記下部コア層のシールド機能を向上させることが可能で
ある。
の拡大断面図、
を示す部分半断面斜視図、
の関係を示すグラフ、
示すグラフ、
方性磁界(Hk)との関係を示すグラフ、
の関係を示すグラフ、
ラフ、
関係を示すグラフ、
の関係を示すグラフ、
図、
Claims (20)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗効
果素子層に検出電流を与える電極層と、前記電極層の上
に絶縁層を介して形成された読み出しヘッドの上部シー
ルド機能を兼ね備えた下部コア層と、記録媒体との対向
部で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対向する上
部コア層と、両コア層に磁界を与えるコイル層とを有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部コア層は、Coを
主成分とし、アモルファス構造を主体とした軟磁性膜が
2層積層された構造となっており、前記2層のうち、前
記上部コア層に対向する上側の下部コア層は、前記磁気
抵抗効果素子層に対向する下側の下部コア層よりもCo
の濃度が高くなっていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項2】 Coを主成分とし、アモルファス構造を
主体とした軟磁性膜の組成式はCoaZrbNbcで示さ
れ、 この軟磁性膜が、前記上側の下部コア層として使用され
るとき、組成比a(at%)は、85≦a≦91であ
り、 この軟磁性膜が、前記下側の下部コア層として使用され
るとき、組成比a(at%)は、78≦a≦82であ
り、 組成比b,c(at%)は、上側の下部コア層および下
側の下部コア層共に、 b=(0.5〜0.8)×(100−a)、c=100
−a−b である請求項1記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項3】 前記組成比bは、b=(0.6〜0.
7)×(100−a)である請求項2記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項4】 前記軟磁性膜を構成する元素Zrに代え
て、Hfが添加される請求項2または請求項3に記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項5】 前記軟磁性膜を構成する元素Nbに代え
て、TaまたはMoが添加される請求項2ないし請求項
4のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項6】 前記上側の下部コア層の飽和磁束密度
(Bs)は、1.0〜1.4(T;テスラ)の範囲内で
ある請求項2ないし請求項5のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項7】 前記上側の下部コア層の比抵抗(ρ)
は、90(μΩ・cm)以上である請求項2ないし請求
項6のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項8】 前記上側の下部コア層の異方性磁界(H
k)は、10(Oe;エルステッド)以上である請求項
2ないし請求項7のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項9】 前記下側の下部コア層の飽和磁束密度
(Bs)は、0.6〜0.8(T)の範囲内である請求
項2ないし請求項8のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項10】 前記下側の下部コア層の比抵抗(ρ)
は120(μΩ・cm)以上である請求項2ないし請求
項9のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項11】 前記下側の下部コア層のキュリー温度
(Tc)は500℃以下である請求項2ないし請求項1
0のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項12】 前記下側の下部コア層の異方性磁界
(Hk)は1〜5(Oe)の範囲内である請求項2ない
し請求項11のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項13】 前記下側の下部コア層の異方性磁界
(Hk)は2〜3(Oe)の範囲である請求項2ないし
請求項11のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項14】 前記下側の下部コア層の透磁率(μ)
は3000以上である請求項2ないし請求項13のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項15】 前記上側の下部コア層および下側の下
部コア層の磁歪定数(λ)は絶対値で5×10-7以下で
ある請求項2ないし請求項14のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項16】 前記上側の下部コア層および下側の下
部コア層の磁歪定数(λ)は絶対値で3×10-7以下で
ある請求項3ないし請求項14のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項17】 前記上側の下部コア層の膜厚と、前記
下側の下部コア層の膜厚とを足した下部コア層全体の膜
厚が、1〜4(μm)の範囲内である請求項1ないし請
求項16のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項18】 前記上側の下部コア層の膜厚が、前記
下部コア層全体の膜厚に対して50%〜90%を占めて
いる請求項1ないし請求項17のいずれかに記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項19】 前記上側の下部コア層および下側の下
部コア層の磁化は、トラック幅方向に揃えられ、記録媒
体への記録磁界方向および記録媒体からの外部磁界方向
が磁化困難軸とされている請求項1ないし請求項18の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項20】 磁気抵抗効果素子層と、この磁気抵抗
効果素子層に検出電流を与える電極層と、前記電極層の
上に絶縁層を介して形成された読み出しヘッドの上部シ
ールド機能を兼ね備えた下部コア層と、記録媒体との対
向部で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対向する
上部コア層と、両コア層に磁界を与えるコイル層とを有
する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記絶縁層の
上に、Coを主成分とし、アモルファス構造を主体とす
る軟磁性膜を成膜して第1下部コア層を形成する工程
と、前記第1下部コア層の上に、前記第1下部コア層の
Co濃度よりも高いCo濃度を有し、アモルファス構造
を主体とする軟磁性膜を成膜して第2下部コア層を形成
する工程と、前記第1および第2下部コア層に対して、
磁場中で200℃〜400℃の範囲内のアニール処理を
施す工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
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