JP2003272113A - 磁気ヘッド - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定して良好な再生特性を示す磁気抵抗効果
型の磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 ＭＲ素子１１が非磁性層１４を介して、
下部シールド層１５と上部シールド層１６とによって挟
持された構造を有するＭＲヘッド１において、下部シー
ルド層１５及び上部シールド層１６として、特に、透磁
率が３００以上の値、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以
上の値を有するグラニュラ合金のような高透磁率及び高
比抵抗の材料を用いる。 【効果】 磁気シールド層が高透磁率及び高比抵抗の材
料からなるため、万一、対向面の摩擦による引き擦れが
生じた場合でも磁気シールド層と感磁素子とが実質的に
短絡しない。
型の磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 ＭＲ素子１１が非磁性層１４を介して、
下部シールド層１５と上部シールド層１６とによって挟
持された構造を有するＭＲヘッド１において、下部シー
ルド層１５及び上部シールド層１６として、特に、透磁
率が３００以上の値、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以
上の値を有するグラニュラ合金のような高透磁率及び高
比抵抗の材料を用いる。 【効果】 磁気シールド層が高透磁率及び高比抵抗の材
料からなるため、万一、対向面の摩擦による引き擦れが
生じた場合でも磁気シールド層と感磁素子とが実質的に
短絡しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドに関
し、特に、磁気抵抗効果素子を感磁素子として備える磁
気抵抗効果型の磁気ヘッドに関する。
し、特に、磁気抵抗効果素子を感磁素子として備える磁
気抵抗効果型の磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、例えば、磁気テープや磁気デ
ィスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を検出す
る再生専用の磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子（Ｍ
Ｒ素子）を感磁素子として備えた磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが使用されている。ＭＲ素子は、外部磁界に応じて
電気抵抗が変化する磁気抵抗効果膜の両端にバイアス層
や電極層等が配設されてなる素子である。
ィスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を検出す
る再生専用の磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果素子（Ｍ
Ｒ素子）を感磁素子として備えた磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが使用されている。ＭＲ素子は、外部磁界に応じて
電気抵抗が変化する磁気抵抗効果膜の両端にバイアス層
や電極層等が配設されてなる素子である。
【０００３】磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘ
ッドと記す。）では、ＭＲ素子を磁気記録媒体からの信
号磁界が印加される位置に設けるとともに、このＭＲ素
子にセンス電流を流しておき、ＭＲ素子における電圧変
化を検出するように構成されている。これにより、磁気
記録媒体に記録された磁気信号を検出することができる
ようになっている。
ッドと記す。）では、ＭＲ素子を磁気記録媒体からの信
号磁界が印加される位置に設けるとともに、このＭＲ素
子にセンス電流を流しておき、ＭＲ素子における電圧変
化を検出するように構成されている。これにより、磁気
記録媒体に記録された磁気信号を検出することができる
ようになっている。
【０００４】従来のＭＲヘッドを図４に示す。ＭＲヘッ
ド５０は、中央部にＭＲ素子５１と、ＭＲ素子５１の両
側に縦バイアス層５２及び電極層５３が非磁性層５４を
介して、下部シールド層５５と上部シールド層５６とに
よって挟持された構造とされている。ただし、図４は、
ＭＲヘッド５０を磁気記録媒体に対向する面（対向面）
側からみた要部拡大図である。
ド５０は、中央部にＭＲ素子５１と、ＭＲ素子５１の両
側に縦バイアス層５２及び電極層５３が非磁性層５４を
介して、下部シールド層５５と上部シールド層５６とに
よって挟持された構造とされている。ただし、図４は、
ＭＲヘッド５０を磁気記録媒体に対向する面（対向面）
側からみた要部拡大図である。
【０００５】また、ＭＲ素子５１は、図４に示すよう
に、磁気記録媒体の対向面で所定の幅（トラック幅）に
規制され、磁気抵抗効果膜５１ａ（以下、ＭＲ膜５１ａ
と称す）とＭＲ膜５１ａに横方向バイアス磁界を印加す
る横バイアス膜５１ｂと、ＭＲ膜５１ａと横バイアス膜
５１ｂとを磁気的に分離する磁気分離膜５１ｃを備えて
いる。尚、ＭＲ素子５１の両端部に配設された一対の縦
バイアス層５２は、ＭＲ素子５１に縦方向のバイアス磁
界を印加する。
に、磁気記録媒体の対向面で所定の幅（トラック幅）に
規制され、磁気抵抗効果膜５１ａ（以下、ＭＲ膜５１ａ
と称す）とＭＲ膜５１ａに横方向バイアス磁界を印加す
る横バイアス膜５１ｂと、ＭＲ膜５１ａと横バイアス膜
５１ｂとを磁気的に分離する磁気分離膜５１ｃを備えて
いる。尚、ＭＲ素子５１の両端部に配設された一対の縦
バイアス層５２は、ＭＲ素子５１に縦方向のバイアス磁
界を印加する。
【０００６】以上のように構成されたＭＲヘッド５０
は、下部シールド層５５と上部シールド層５６との間隔
が再生ギャップ長となる。この再生ギャップ長は、ＭＲ
ヘッド５０において、再生可能な最小の磁気信号を決定
する要因となり、再生特性に大きく影響している。
は、下部シールド層５５と上部シールド層５６との間隔
が再生ギャップ長となる。この再生ギャップ長は、ＭＲ
ヘッド５０において、再生可能な最小の磁気信号を決定
する要因となり、再生特性に大きく影響している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したＭ
Ｒヘッド５０は、従来からハードディスク装置等に搭載
され、記録再生時には磁気記録媒体と接触摺動しない、
いわゆる浮上型ヘッドとして用いられてきた。しかしな
がら、近年では、テープストリーマ装置等のテープ系記
録再生装置に搭載されつつある。
Ｒヘッド５０は、従来からハードディスク装置等に搭載
され、記録再生時には磁気記録媒体と接触摺動しない、
いわゆる浮上型ヘッドとして用いられてきた。しかしな
がら、近年では、テープストリーマ装置等のテープ系記
録再生装置に搭載されつつある。
【０００８】テープストリーマ装置では、磁気記録媒体
としての磁気テープと、該磁気テープとＭＲヘッドの対
向面とが高速で摺動するため、この間で生じる摩擦によ
って不具合が生じるおそれがあった。
としての磁気テープと、該磁気テープとＭＲヘッドの対
向面とが高速で摺動するため、この間で生じる摩擦によ
って不具合が生じるおそれがあった。
【０００９】具体的には、例えば、ＭＲヘッド５０の磁
気テープとの摺動面が磁気テープと摺動することによっ
て、シールド層５５，５６、縦バイアス層５２、電極層
５３を形成する金属膜が、図４中矢印Ｂで示すように引
き擦られ、ＭＲヘッド５０を構成する各部が電気的又は
磁気的に短絡してしまうという現象が生じる。
気テープとの摺動面が磁気テープと摺動することによっ
て、シールド層５５，５６、縦バイアス層５２、電極層
５３を形成する金属膜が、図４中矢印Ｂで示すように引
き擦られ、ＭＲヘッド５０を構成する各部が電気的又は
磁気的に短絡してしまうという現象が生じる。
【００１０】このように、シールド層５５，５６とＭＲ
素子５１とが電気的に短絡すると、電極層５３を介して
ＭＲ膜５１ａに供給されているセンス電流が不安定とな
り、良好な再生出力を得ることが困難になる。また、バ
イアス層５２により適切なバイアス磁界をＭＲ膜５１ａ
に印加することができなくなり、再生特性が劣化する。
素子５１とが電気的に短絡すると、電極層５３を介して
ＭＲ膜５１ａに供給されているセンス電流が不安定とな
り、良好な再生出力を得ることが困難になる。また、バ
イアス層５２により適切なバイアス磁界をＭＲ膜５１ａ
に印加することができなくなり、再生特性が劣化する。
【００１１】そこで本発明は、上述のような課題に鑑み
てなされたものであり、安定して良好な再生特性を示す
磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
てなされたものであり、安定して良好な再生特性を示す
磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る磁気ヘッドは、磁気記録媒体との対
向面で、所定のトラック幅で外方向に臨む磁気抵抗効果
型素子が非磁性層を介して一対の磁気シールド層により
挟持されてなる磁気ヘッドにおいて、磁気シールド層が
高透磁率及び高比抵抗の材料からなることを特徴として
いる。
めに、本発明に係る磁気ヘッドは、磁気記録媒体との対
向面で、所定のトラック幅で外方向に臨む磁気抵抗効果
型素子が非磁性層を介して一対の磁気シールド層により
挟持されてなる磁気ヘッドにおいて、磁気シールド層が
高透磁率及び高比抵抗の材料からなることを特徴として
いる。
【００１３】磁気シールド層は、特に、透磁率が３００
以上の値であり、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の
値であることが好ましく、この磁気シールド層として
は、グラニュラ合金が選択できる。
以上の値であり、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の
値であることが好ましく、この磁気シールド層として
は、グラニュラ合金が選択できる。
【００１４】このような磁気ヘッドによれば、万一、対
向面の摩擦による引き擦れが生じた場合でも、磁気シー
ルド層が高透磁率及び高比抵抗を有する材料からなるた
め、磁気シールド層と感磁素子とが実質的に短絡しな
い。
向面の摩擦による引き擦れが生じた場合でも、磁気シー
ルド層が高透磁率及び高比抵抗を有する材料からなるた
め、磁気シールド層と感磁素子とが実質的に短絡しな
い。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体例について、
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明を適用
した一例として、図１に示すような磁気抵抗効果型磁気
ヘッド１（以下、ＭＲヘッド１と記す。）について説明
する。なお、図１は、ＭＲヘッド１を磁気テープとの対
向面からみた要部拡大図である。また、本発明は、図１
に示す構造とされたＭＲヘッド１への適用に限定される
ものではなく、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を感磁素
子として備える各種のＭＲヘッドに対して適用すること
ができる。例えば、図１に示すＭＲヘッドの上部にイン
タラクティブ型の記録用磁気ヘッドが一体化された複合
型磁気ヘッドに適用してもよい。
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明を適用
した一例として、図１に示すような磁気抵抗効果型磁気
ヘッド１（以下、ＭＲヘッド１と記す。）について説明
する。なお、図１は、ＭＲヘッド１を磁気テープとの対
向面からみた要部拡大図である。また、本発明は、図１
に示す構造とされたＭＲヘッド１への適用に限定される
ものではなく、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を感磁素
子として備える各種のＭＲヘッドに対して適用すること
ができる。例えば、図１に示すＭＲヘッドの上部にイン
タラクティブ型の記録用磁気ヘッドが一体化された複合
型磁気ヘッドに適用してもよい。
【００１６】ＭＲヘッド１は、図１に示すように、中央
部にＭＲ素子１１と、ＭＲ素子１１の両側に縦バイアス
層１２及び電極層１３が非磁性層１４を介して、下部シ
ールド層１５と上部シールド層１６とによって挟持され
た構造とされている。
部にＭＲ素子１１と、ＭＲ素子１１の両側に縦バイアス
層１２及び電極層１３が非磁性層１４を介して、下部シ
ールド層１５と上部シールド層１６とによって挟持され
た構造とされている。
【００１７】ＭＲ素子１１は、磁気記録媒体の対向面で
所定の幅（トラック幅）に規制され、例えばＮｉＦｅの
軟磁性膜から成る磁気抵抗効果膜１１ａ（以下、ＭＲ膜
１１ａと称す）とＭＲ膜１１ａに横方向バイアス磁界を
印加する例えばＣｏＺｒＭｏの軟磁性膜から成る横バイ
アス膜１１ｂと、ＭＲ膜１１ａと横バイアス膜１１ｂと
を磁気的に分離する例えばＴａの非磁性金属膜から成る
磁気分離膜１１ｃを備えている。
所定の幅（トラック幅）に規制され、例えばＮｉＦｅの
軟磁性膜から成る磁気抵抗効果膜１１ａ（以下、ＭＲ膜
１１ａと称す）とＭＲ膜１１ａに横方向バイアス磁界を
印加する例えばＣｏＺｒＭｏの軟磁性膜から成る横バイ
アス膜１１ｂと、ＭＲ膜１１ａと横バイアス膜１１ｂと
を磁気的に分離する例えばＴａの非磁性金属膜から成る
磁気分離膜１１ｃを備えている。
【００１８】ＭＲ膜１１ａは、外部磁界に応じて抵抗値
が変化する磁気抵抗効果を示す膜である。ＭＲヘッド１
では、磁気テープに記録された磁気信号からの磁界が外
部磁界としてＭＲ膜１１ａに印加される。ＭＲヘッド１
は、電極層１３を介してＭＲ膜１１ａに供給したセンス
電流の電圧変化を検出することにより、磁気テープに記
録された磁気信号を検出し再生する。
が変化する磁気抵抗効果を示す膜である。ＭＲヘッド１
では、磁気テープに記録された磁気信号からの磁界が外
部磁界としてＭＲ膜１１ａに印加される。ＭＲヘッド１
は、電極層１３を介してＭＲ膜１１ａに供給したセンス
電流の電圧変化を検出することにより、磁気テープに記
録された磁気信号を検出し再生する。
【００１９】縦バイアス層１２は、例えば、ＣｏＣｒＰ
ｔの高保磁力磁性材により形成されており、ＭＲ膜２０
に対して縦方向にバイアス磁界を印加する機能を有して
いる。ＭＲヘッド１では、この縦バイアス層１２によっ
てＭＲ膜１１ａを単磁区化して磁気特性を制御してお
り、例えば、ＭＲ膜１１ａに磁壁の移動が生じることを
防止して、良好な出力特性を確保できる。また、電極層
１３は、例えば、Ａｕの導電性材料により形成されてい
る。
ｔの高保磁力磁性材により形成されており、ＭＲ膜２０
に対して縦方向にバイアス磁界を印加する機能を有して
いる。ＭＲヘッド１では、この縦バイアス層１２によっ
てＭＲ膜１１ａを単磁区化して磁気特性を制御してお
り、例えば、ＭＲ膜１１ａに磁壁の移動が生じることを
防止して、良好な出力特性を確保できる。また、電極層
１３は、例えば、Ａｕの導電性材料により形成されてい
る。
【００２０】下部シールド層１５及び上部シールド層１
６は、高透磁率及び高比抵抗の材料によって形成されて
いる。これら磁気シールド層は、特に、透磁率が３００
以上の値、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の値を有
するような高透磁率及び高比抵抗材料であることが好ま
しい。本具体例では、この磁気シールド層としてグラニ
ュラ合金を用いている。グラニュラ合金とは、セラミッ
クスのマトリクス中に１０ｎｍ前後の粒径を有する金属
超微粒子が高密度に分布している物質の総称であり、磁
気粒子のサイズ及び粒界物質とその厚みを制御すること
によって、理想的な高電気比抵抗と保磁力を実現でき
る。
６は、高透磁率及び高比抵抗の材料によって形成されて
いる。これら磁気シールド層は、特に、透磁率が３００
以上の値、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の値を有
するような高透磁率及び高比抵抗材料であることが好ま
しい。本具体例では、この磁気シールド層としてグラニ
ュラ合金を用いている。グラニュラ合金とは、セラミッ
クスのマトリクス中に１０ｎｍ前後の粒径を有する金属
超微粒子が高密度に分布している物質の総称であり、磁
気粒子のサイズ及び粒界物質とその厚みを制御すること
によって、理想的な高電気比抵抗と保磁力を実現でき
る。
【００２１】また、磁気シールド層としては、ＦｅＨｆ
Ｏ、ＦｅＡｌＯ、ＣｏＡｌＯ等を用いることもできる。
Ｏ、ＦｅＡｌＯ、ＣｏＡｌＯ等を用いることもできる。
【００２２】これら磁気シールド層は、磁気記録媒体と
しての磁気テープと、ＭＲヘッド１の対向面とが高速で
摺動した場合に生じる摩擦によって、下部シールド層１
５，上部シールド層１６が図１中矢印Ａで示すように引
き擦られたとしてもＭＲ膜１１ａに悪影響を及ぼさない
という利点がある。
しての磁気テープと、ＭＲヘッド１の対向面とが高速で
摺動した場合に生じる摩擦によって、下部シールド層１
５，上部シールド層１６が図１中矢印Ａで示すように引
き擦られたとしてもＭＲ膜１１ａに悪影響を及ぼさない
という利点がある。
【００２３】具体的に、図２及び図３を用いて説明す
る。図２（ａ）は、図４に示す従来のＭＲヘッド５０の
ＭＲ素子５１と引き擦れによる短絡箇所Ｂとを等価回路
（並列回路）として表したものであり、図２（ｂ）は、
本具体例として示すＭＲヘッド１のＭＲ素子１１と引き
擦れによる短絡箇所Ａとを等価回路（並列回路）として
表したものである。また図３は、図２に示す等価回路に
基づき磁気シールド層として、比抵抗ρがそれぞれ１０
００μΩｃｍ、２０００μΩｃｍ、５０００μΩｃｍの
グラニュラ合金を用いた場合のＭＲ素子の所定抵抗値
（６０Ω）との合成抵抗値を従来用いている磁気シール
ド層と比較したグラフを示している。この場合、従来ヘ
ッドの合成抵抗値に対して、比抵抗ρがそれぞれ１００
０μΩｃｍ、２０００μΩｃｍ、５０００μΩの合成抵
抗値は、ＭＲ素子の所定抵抗値（６０Ω）近傍の値を示
していることがわかる。
る。図２（ａ）は、図４に示す従来のＭＲヘッド５０の
ＭＲ素子５１と引き擦れによる短絡箇所Ｂとを等価回路
（並列回路）として表したものであり、図２（ｂ）は、
本具体例として示すＭＲヘッド１のＭＲ素子１１と引き
擦れによる短絡箇所Ａとを等価回路（並列回路）として
表したものである。また図３は、図２に示す等価回路に
基づき磁気シールド層として、比抵抗ρがそれぞれ１０
００μΩｃｍ、２０００μΩｃｍ、５０００μΩｃｍの
グラニュラ合金を用いた場合のＭＲ素子の所定抵抗値
（６０Ω）との合成抵抗値を従来用いている磁気シール
ド層と比較したグラフを示している。この場合、従来ヘ
ッドの合成抵抗値に対して、比抵抗ρがそれぞれ１００
０μΩｃｍ、２０００μΩｃｍ、５０００μΩの合成抵
抗値は、ＭＲ素子の所定抵抗値（６０Ω）近傍の値を示
していることがわかる。
【００２４】本具体例のＭＲヘッドでは、磁気シールド
層にグラニュラ合金のような高透磁率及び高比抵抗材料
を使用しているため、磁気シールド層が図１中矢印Ａで
示すように引き擦られ短絡が起きたとしても、その短絡
箇所における抵抗値が非常に大であるため、実質的には
短絡していないことになる。
層にグラニュラ合金のような高透磁率及び高比抵抗材料
を使用しているため、磁気シールド層が図１中矢印Ａで
示すように引き擦られ短絡が起きたとしても、その短絡
箇所における抵抗値が非常に大であるため、実質的には
短絡していないことになる。
【００２５】これら下部シールド層１５及び上部シール
ド層１６は、磁気テープに記録された磁気信号からの磁
界のうち、再生対象外である磁界を取り込んで再生対象
とする磁界だけをＭＲ素子１１に導く機能を有してい
る。ＭＲヘッド１では、この磁気シールド層間の間隔が
再生ギャップ長となる。
ド層１６は、磁気テープに記録された磁気信号からの磁
界のうち、再生対象外である磁界を取り込んで再生対象
とする磁界だけをＭＲ素子１１に導く機能を有してい
る。ＭＲヘッド１では、この磁気シールド層間の間隔が
再生ギャップ長となる。
【００２６】以上のように構成されたＭＲヘッド１は、
下部シールド層１５及び上部シールド層１６が高透磁率
及び高比抵抗の材料によって形成されているために、磁
気テープとの摺動による対向面で、磁気テープとの摩擦
による引き擦れが生じた場合でも、磁気シールド層が高
透磁率及び高比抵抗を有する材料からなるため、磁気シ
ールド層と感磁素子とが実質的に短絡しない。
下部シールド層１５及び上部シールド層１６が高透磁率
及び高比抵抗の材料によって形成されているために、磁
気テープとの摺動による対向面で、磁気テープとの摩擦
による引き擦れが生じた場合でも、磁気シールド層が高
透磁率及び高比抵抗を有する材料からなるため、磁気シ
ールド層と感磁素子とが実質的に短絡しない。
【００２７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気ヘッドは、磁気シールド層が高透磁率及び高比抵
抗の材料からなるため、万一、対向面の摩擦による引き
擦れが生じた場合でも磁気シールド層と感磁素子とが実
質的に短絡しない。
る磁気ヘッドは、磁気シールド層が高透磁率及び高比抵
抗の材料からなるため、万一、対向面の摩擦による引き
擦れが生じた場合でも磁気シールド層と感磁素子とが実
質的に短絡しない。
【００２８】磁気シールド層は、特に、透磁率が３００
以上の値であり、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の
値であることが好ましく、この磁気シールド層として
は、グラニュラ合金が選択できる。この場合、特に良好
な短絡防止効果を示す。
以上の値であり、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の
値であることが好ましく、この磁気シールド層として
は、グラニュラ合金が選択できる。この場合、特に良好
な短絡防止効果を示す。
【図１】本発明の具体例として示すＭＲヘッドを磁気テ
ープとの対向面側からみた概略図である。
ープとの対向面側からみた概略図である。
【図２】本具体例として示すＭＲヘッドに生じた短絡と
従来のＭＲヘッドに生じた短絡の短絡効果の違いを説明
する等価回路図である。
従来のＭＲヘッドに生じた短絡の短絡効果の違いを説明
する等価回路図である。
【図３】本具体例として示すＭＲヘッドの磁気シールド
層として比抵抗ρがそれぞれ１０００μΩｃｍ、２００
０μΩｃｍ、５０００μΩｃｍのグラニュラ合金を用い
た場合の合成抵抗値を、従来用いている磁気シールド層
と比較したグラフである。
層として比抵抗ρがそれぞれ１０００μΩｃｍ、２００
０μΩｃｍ、５０００μΩｃｍのグラニュラ合金を用い
た場合の合成抵抗値を、従来用いている磁気シールド層
と比較したグラフである。
【図４】従来のＭＲヘッドを磁気テープとの対向面側か
らみた概略図である。
らみた概略図である。
１ 磁気ヘッド
１１ ＭＲ素子
１１ａ ＭＲ膜
１１ｂ 横バイアス層
１１ｃ 磁気分離膜
１２ 縦バイアス層
１３ 電極層
１４ 非磁性層
１５ 下部シールド層
１６ 上部シールド層
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気記録媒体との対向面で、所定のトラ
ック幅で外方向に臨む磁気抵抗効果型素子が非磁性層を
介して一対の磁気シールド層により挟持されてなる磁気
ヘッドにおいて、 上記磁気シールド層は、高透磁率及び高比抵抗の材料か
らなることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記磁気シールド層は、透磁率が３００
以上の値であり、且つ比抵抗が１０００μΩｃｍ以上の
値であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記磁気シールド層は、グラニュラ合金
であることを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002077506A JP2003272113A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 磁気ヘッド |
| US10/284,081 US6980402B2 (en) | 2002-03-20 | 2002-10-30 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002077506A JP2003272113A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272113A true JP2003272113A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=28035523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002077506A Pending JP2003272113A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6980402B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003272113A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021360A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP4975836B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2012-07-11 | 株式会社東芝 | 磁気記録ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
| JP2017157249A (ja) | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社東芝 | 磁気記録ヘッド、およびこれを備えたディスク装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3155234B2 (ja) * | 1997-09-17 | 2001-04-09 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6785099B2 (en) * | 2002-02-04 | 2004-08-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Read gap improvements through high resistance magnetic shield layers |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002077506A patent/JP2003272113A/ja active Pending
- 2002-10-30 US US10/284,081 patent/US6980402B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6980402B2 (en) | 2005-12-27 |
| US20030179506A1 (en) | 2003-09-25 |
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