JP3039482B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体から
情報信号を読み取る磁気記録再生装置に用いる磁気抵抗
効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置に関
する。
情報信号を読み取る磁気記録再生装置に用いる磁気抵抗
効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁気抵抗効果型ヘッド
は、磁気抵抗効果を示す材料で作られた磁気抵抗効果素
子（以下、ＭＲ素子という）内の磁化の回転によってＭ
Ｒ素子の電気抵抗が変化することを利用し、磁気記録媒
体面から放出される微少な磁界（データ信号）を検出す
るものであって、種々の磁気抵抗効果型ヘッドが開発さ
れており、再生（リード）専用ヘッドとして用いられて
いる。そして、磁気ディスク装置など、いわゆる磁気記
録再生装置には、書き込み（ライト）ヘッドとして誘導
型のインダクティブ素子を用い、これとＭＲ素子を一体
化して形成した複合型磁気ヘッドが搭載されている。
は、磁気抵抗効果を示す材料で作られた磁気抵抗効果素
子（以下、ＭＲ素子という）内の磁化の回転によってＭ
Ｒ素子の電気抵抗が変化することを利用し、磁気記録媒
体面から放出される微少な磁界（データ信号）を検出す
るものであって、種々の磁気抵抗効果型ヘッドが開発さ
れており、再生（リード）専用ヘッドとして用いられて
いる。そして、磁気ディスク装置など、いわゆる磁気記
録再生装置には、書き込み（ライト）ヘッドとして誘導
型のインダクティブ素子を用い、これとＭＲ素子を一体
化して形成した複合型磁気ヘッドが搭載されている。
【０００３】なお、以下に述べる磁気抵抗効果型ヘッド
とは前記複合型磁気ヘッドを指すものとする。
とは前記複合型磁気ヘッドを指すものとする。
【０００４】さて、現在の記録再生装置に対する需要と
しては、さらに高い記録密度を有する装置が求められて
おり、再生トラックの幅がますます狭くなるとともに、
再生トラックと直角方向をなす線記録密度も高くなる傾
向にある。このような、高トラック密度化および高記録
密度化の要求に対し、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの作
製技術では、もはや狭い再生トラック幅や高い線記録密
度に適合した磁気抵抗効果型ヘッドを得ることは困難に
なりつつある。
しては、さらに高い記録密度を有する装置が求められて
おり、再生トラックの幅がますます狭くなるとともに、
再生トラックと直角方向をなす線記録密度も高くなる傾
向にある。このような、高トラック密度化および高記録
密度化の要求に対し、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの作
製技術では、もはや狭い再生トラック幅や高い線記録密
度に適合した磁気抵抗効果型ヘッドを得ることは困難に
なりつつある。
【０００５】従来、磁気抵抗効果型ヘッドには、ＭＲ素
子が最適に動作するために２つのバイアス磁界が与えら
れなければならない。その１つは、磁界に対する応答が
線形になるように、ＭＲ素子をバイアスするための横方
向のバイアス磁界である。このバイアス磁界方向は磁気
記録媒体面に対して垂直である。そして、他の１つは、
バイアス磁界が磁気記録媒体面に対して平行に延びる縦
バイアス磁界である。この縦バイアス磁界は磁気抵抗効
果素子における多磁区構造によって生ずるバルクハウゼ
ンノイズを抑制するためのものである。
子が最適に動作するために２つのバイアス磁界が与えら
れなければならない。その１つは、磁界に対する応答が
線形になるように、ＭＲ素子をバイアスするための横方
向のバイアス磁界である。このバイアス磁界方向は磁気
記録媒体面に対して垂直である。そして、他の１つは、
バイアス磁界が磁気記録媒体面に対して平行に延びる縦
バイアス磁界である。この縦バイアス磁界は磁気抵抗効
果素子における多磁区構造によって生ずるバルクハウゼ
ンノイズを抑制するためのものである。
【０００６】図４は、従来の縦バイアス膜および電極膜
を形成したＳＡＬバイアスによる磁気抵抗効果型ヘッド
の構成を示す図である。
を形成したＳＡＬバイアスによる磁気抵抗効果型ヘッド
の構成を示す図である。
【０００７】この磁気抵抗効果型ヘッドは、図４に示す
ように、リード部として、Ｎｉ−Ｆｅ合金であるパーマ
ロイを用いた下シールド膜３、この上にＡｌ2 Ｏ3 を用
いた絶縁層４、これを介してＳＡＬ膜（Soft Adjacent
Layer:近接軟磁性膜）５、分離膜６、パーマロイを用い
た磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜という）７を積層して
ある。
ように、リード部として、Ｎｉ−Ｆｅ合金であるパーマ
ロイを用いた下シールド膜３、この上にＡｌ2 Ｏ3 を用
いた絶縁層４、これを介してＳＡＬ膜（Soft Adjacent
Layer:近接軟磁性膜）５、分離膜６、パーマロイを用い
た磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜という）７を積層して
ある。
【０００８】また、縦バイアス膜１として反強磁性膜で
あるＮｉＭｎ膜と、かつ金（Ａｕ）を用いた電極膜２と
がそれぞれ一対ずつ形成され、図中、ＭＲ膜７の左右に
対称的に配置されている。そしてこの３層膜上には、Ａ
ｌ2 Ｏ3 の絶縁層８を介してパーマロイを用いて上シー
ルド膜９が形成されている。さらに、ライト部は、Ａｌ
2 Ｏ3 の絶縁層１０を介してパーマロイを用いた上ポー
ル１１を形成してある。
あるＮｉＭｎ膜と、かつ金（Ａｕ）を用いた電極膜２と
がそれぞれ一対ずつ形成され、図中、ＭＲ膜７の左右に
対称的に配置されている。そしてこの３層膜上には、Ａ
ｌ2 Ｏ3 の絶縁層８を介してパーマロイを用いて上シー
ルド膜９が形成されている。さらに、ライト部は、Ａｌ
2 Ｏ3 の絶縁層１０を介してパーマロイを用いた上ポー
ル１１を形成してある。
【０００９】続いて、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの動
作について説明する。
作について説明する。
【００１０】通常、磁気抵抗効果型ヘッドは、ライト部
である上シールド膜９と上ポール１１から発生する磁束
で磁気記録媒体に信号データ（磁気情報）を書き込み、
この磁気記録媒体に書き込まれた信号データをリード部
で読み出す。通常、縦バイアス膜１の磁化方向は、トラ
ック幅方向に磁化されている。
である上シールド膜９と上ポール１１から発生する磁束
で磁気記録媒体に信号データ（磁気情報）を書き込み、
この磁気記録媒体に書き込まれた信号データをリード部
で読み出す。通常、縦バイアス膜１の磁化方向は、トラ
ック幅方向に磁化されている。
【００１１】この縦バイアス膜１と交換結合しているＭ
Ｒ膜７の磁化方向も縦バイアス膜１と同方向を向く。こ
の状態において電極膜２から電流を流すと、ＭＲ膜７，
分離膜６とＳＡＬ膜５に分流された電流が流れ、この電
流によって発生した磁界により、ＳＡＬ膜５の磁化方向
は磁気媒体媒体の対向面に対してほぼ垂直方向を向く。
そして、このＳＡＬ膜５からの磁界により、ＭＲ膜７に
対してＳＡＬ膜５とは反対方向の磁化を回転させること
になる。これをＳＡＬバイアス法という。
Ｒ膜７の磁化方向も縦バイアス膜１と同方向を向く。こ
の状態において電極膜２から電流を流すと、ＭＲ膜７，
分離膜６とＳＡＬ膜５に分流された電流が流れ、この電
流によって発生した磁界により、ＳＡＬ膜５の磁化方向
は磁気媒体媒体の対向面に対してほぼ垂直方向を向く。
そして、このＳＡＬ膜５からの磁界により、ＭＲ膜７に
対してＳＡＬ膜５とは反対方向の磁化を回転させること
になる。これをＳＡＬバイアス法という。
【００１２】このとき、ＭＲ膜７内の磁化方向は、この
縦バイアス膜１による磁化方向とＳＡＬ膜５からの磁界
による磁化方向とのベクトル和であり、約４５度となる
ように制御している。この状態で、磁気記録媒体からの
信号磁界がＭＲ膜７に入ることにより、このＭＲ膜７内
の磁化方向が変化し、ＭＲ膜７の電気抵抗が変化する。
そして、この電気抵抗の変化を電圧変化として検出する
ことにより再生信号とする。
縦バイアス膜１による磁化方向とＳＡＬ膜５からの磁界
による磁化方向とのベクトル和であり、約４５度となる
ように制御している。この状態で、磁気記録媒体からの
信号磁界がＭＲ膜７に入ることにより、このＭＲ膜７内
の磁化方向が変化し、ＭＲ膜７の電気抵抗が変化する。
そして、この電気抵抗の変化を電圧変化として検出する
ことにより再生信号とする。
【００１３】次に、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの再生
トラック部の構成について説明する。
トラック部の構成について説明する。
【００１４】図３は、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの再
生トラック部の構成例を示す図である。図３を参照する
と、従来の磁気抵抗効果型ヘッドは、ＭＲ膜７の左右に
配置されている縦バイアス膜１２ａ，１２ｂと電極膜１
３ａ，１３ｂとの形状がそれぞれ対称をなすように構成
されている。また、図中の矢印は、ＭＲ膜７および縦バ
イアス膜１２ａ，１２ｂの磁化方向を示す。
生トラック部の構成例を示す図である。図３を参照する
と、従来の磁気抵抗効果型ヘッドは、ＭＲ膜７の左右に
配置されている縦バイアス膜１２ａ，１２ｂと電極膜１
３ａ，１３ｂとの形状がそれぞれ対称をなすように構成
されている。また、図中の矢印は、ＭＲ膜７および縦バ
イアス膜１２ａ，１２ｂの磁化方向を示す。
【００１５】しかし、上述した構成を有する従来の磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、ＭＲ膜７の磁界検出領域で
は、縦バイアス膜１２ａ，１２ｂによって保持され、そ
れにより両端部に電荷を生じ、反磁界が発生する。その
結果、図中の下方に示すように、磁界検出領域の磁化分
布が不均一になり、再生感度分布が一様ではなくなるた
め、ＭＲ素子の磁界検出領域の一部に磁気記録媒体から
の信号磁界に対して磁化されにくい低感度領域１４が生
じる。
抵抗効果型ヘッドにおいて、ＭＲ膜７の磁界検出領域で
は、縦バイアス膜１２ａ，１２ｂによって保持され、そ
れにより両端部に電荷を生じ、反磁界が発生する。その
結果、図中の下方に示すように、磁界検出領域の磁化分
布が不均一になり、再生感度分布が一様ではなくなるた
め、ＭＲ素子の磁界検出領域の一部に磁気記録媒体から
の信号磁界に対して磁化されにくい低感度領域１４が生
じる。
【００１６】このように、従来の磁気抵抗効果型ヘッド
のオフトラック特性は、ＭＲ素子の再生トラック幅中央
に対して再生感度が左右対称にはならず、磁気記録媒体
からの信号磁界を効率よく検出することが困難である。
のオフトラック特性は、ＭＲ素子の再生トラック幅中央
に対して再生感度が左右対称にはならず、磁気記録媒体
からの信号磁界を効率よく検出することが困難である。
【００１７】一方、狭再生トラックの磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、効率よく磁気記録媒体からの信号磁界を
検出する方法として、例えば、特開平６−２１５３３３
号公報に、その技術が開示されている。
ッドにおいて、効率よく磁気記録媒体からの信号磁界を
検出する方法として、例えば、特開平６−２１５３３３
号公報に、その技術が開示されている。
【００１８】また、磁気抵抗効果型ヘッドを作製する際
には、研磨工程において磁気記録媒体に対する長さ方向
である磁気抵抗効果素子の高さを所望の値に調製するた
めにポールハイトの研磨を実施するが、このとき、研磨
工程における加工量のばらつきは±０．３μｍ程度であ
る。
には、研磨工程において磁気記録媒体に対する長さ方向
である磁気抵抗効果素子の高さを所望の値に調製するた
めにポールハイトの研磨を実施するが、このとき、研磨
工程における加工量のばらつきは±０．３μｍ程度であ
る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】この先行技術に開示さ
れている、磁気記録媒体からの信号磁界を効率よく検出
する方法では、次のような問題がある。
れている、磁気記録媒体からの信号磁界を効率よく検出
する方法では、次のような問題がある。
【００２０】それは、磁気抵抗効果型ヘッドの再生感磁
領域における低感度領域を減らすため、縦バイアス膜と
電極の形状を平行のままで磁気記録媒体の対向面に対し
て直角の状態ではないと、磁気抵抗効果型ヘッドの作製
プロセスであるポールハイト研磨工程における加工量の
ばらつきにより、磁気抵抗効果膜の再生感磁領域が左右
に０．３μｍ程度のずれを生じる。すなわち、記録用の
ライトヘッドと再生用の磁気抵抗効果型ヘッド（リード
ヘッド）との相対位置が変動する。
領域における低感度領域を減らすため、縦バイアス膜と
電極の形状を平行のままで磁気記録媒体の対向面に対し
て直角の状態ではないと、磁気抵抗効果型ヘッドの作製
プロセスであるポールハイト研磨工程における加工量の
ばらつきにより、磁気抵抗効果膜の再生感磁領域が左右
に０．３μｍ程度のずれを生じる。すなわち、記録用の
ライトヘッドと再生用の磁気抵抗効果型ヘッド（リード
ヘッド）との相対位置が変動する。
【００２１】また、磁気抵抗効果型ヘッドの再生感磁領
域での低感度領域を減らすために、縦バイアス膜と電極
の形状を磁気記録媒体の対向面に近づくに従って狭くす
ると、ポールハイト研磨工程における加工量のばらつき
により、再生トラック幅寸法が最大で０．６μｍ程度変
動する。
域での低感度領域を減らすために、縦バイアス膜と電極
の形状を磁気記録媒体の対向面に近づくに従って狭くす
ると、ポールハイト研磨工程における加工量のばらつき
により、再生トラック幅寸法が最大で０．６μｍ程度変
動する。
【００２２】従って、このような磁気抵抗効果型ヘッド
では、記録再生装置の仕様を満たすことができない。
では、記録再生装置の仕様を満たすことができない。
【００２３】本発明の目的は、ポールハイトの研磨工程
における加工量ばらつきによるライトヘッドとリードヘ
ッドとの相対位置の変動と、再生トラック幅寸法の変動
とを低減することによって、磁気抵抗効果型ヘッドの製
造歩留まりの向上をはかるとともに、狭再生トラック幅
の再生感磁領域における低感度領域を低減した高記録密
度の記録再生装置に最適な磁気抵抗効果型ヘッドを提供
することにある。
における加工量ばらつきによるライトヘッドとリードヘ
ッドとの相対位置の変動と、再生トラック幅寸法の変動
とを低減することによって、磁気抵抗効果型ヘッドの製
造歩留まりの向上をはかるとともに、狭再生トラック幅
の再生感磁領域における低感度領域を低減した高記録密
度の記録再生装置に最適な磁気抵抗効果型ヘッドを提供
することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
膜からなる磁気抵抗効果素子と、その両端部にそれぞれ
左右対称に形成した一対の縦バイアス膜および電極膜と
を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記縦バイア
ス膜および電極膜の再生感磁領域側の端部形状は、一方
が磁気記録媒体面に対して直角をなし、かつ他方が前記
磁気録媒体面に対して所定の傾斜角度をなすように構成
することを特徴とする。そして、前記傾斜角度が３０度
から６０度の範囲内であることを特徴とする。
膜からなる磁気抵抗効果素子と、その両端部にそれぞれ
左右対称に形成した一対の縦バイアス膜および電極膜と
を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記縦バイア
ス膜および電極膜の再生感磁領域側の端部形状は、一方
が磁気記録媒体面に対して直角をなし、かつ他方が前記
磁気録媒体面に対して所定の傾斜角度をなすように構成
することを特徴とする。そして、前記傾斜角度が３０度
から６０度の範囲内であることを特徴とする。
【００２５】また、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効
果素子と、その両端部にそれぞれ左右対称に形成した一
対の縦バイアス膜と電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記縦バイアス膜および電極膜の再生感
磁領域側の端部形状は、一方が磁気記録媒体面に対して
直角をなし、かつ他方が前記磁気記録媒体面側から所定
の寸法でこの磁気記録媒体面に対して直角をなす直角部
と、さらに、前記寸法位置から前記磁気録媒体面に対し
て所定の傾斜角度をなす傾斜部とを有することを特徴と
する。そして、前記直角部の寸法が０．１μｍから０．
５μｍであり、かつ傾斜部の角度が３０度から６０度で
あることを特徴とする。
果素子と、その両端部にそれぞれ左右対称に形成した一
対の縦バイアス膜と電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記縦バイアス膜および電極膜の再生感
磁領域側の端部形状は、一方が磁気記録媒体面に対して
直角をなし、かつ他方が前記磁気記録媒体面側から所定
の寸法でこの磁気記録媒体面に対して直角をなす直角部
と、さらに、前記寸法位置から前記磁気録媒体面に対し
て所定の傾斜角度をなす傾斜部とを有することを特徴と
する。そして、前記直角部の寸法が０．１μｍから０．
５μｍであり、かつ傾斜部の角度が３０度から６０度で
あることを特徴とする。
【００２６】さらに、このような磁気抵抗効果型ヘッド
を磁気記録再生装置に搭載することを特徴とする。
を磁気記録再生装置に搭載することを特徴とする。
【００２７】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、縦方向
バイアス磁界および横方向バイアス磁界が存在する磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、縦バイアス膜および電極膜
の形状を最適化することにより、効率よく磁気記録媒体
からの信号磁界を検出することができる。
バイアス磁界および横方向バイアス磁界が存在する磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、縦バイアス膜および電極膜
の形状を最適化することにより、効率よく磁気記録媒体
からの信号磁界を検出することができる。
【００２８】また、ポールハイトの研磨工程における加
工量ばらつきに対するライトヘッドと磁気抵抗効果型ヘ
ッドとの相対位置の変動と再生トラック幅寸法の変動と
を低減できる。
工量ばらつきに対するライトヘッドと磁気抵抗効果型ヘ
ッドとの相対位置の変動と再生トラック幅寸法の変動と
を低減できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】次に、本発明ついて図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００３０】本発明による実施例（実施例１とする）の
基本的な構成は、従来例と同様であって、図４に示すよ
うに、まず、リード部としては、膜厚２μｍのＮｉ−Ｆ
ｅ合金のパーマロイを用いた下シールド膜３、この上に
膜厚０．０７μｍのＡｌ2 Ｏ3 を用いた絶縁層４、これ
を介して膜厚２３０オングストロームのＳＡＬ膜５、膜
厚１００オングストロームの分離膜６、膜厚２００オン
グストロームのパーマロイを用いたＭＲ膜７を積層し
た。この３層膜の形状は、トラック幅方向の寸法：９μ
ｍ，高さ：１．０μｍである。
基本的な構成は、従来例と同様であって、図４に示すよ
うに、まず、リード部としては、膜厚２μｍのＮｉ−Ｆ
ｅ合金のパーマロイを用いた下シールド膜３、この上に
膜厚０．０７μｍのＡｌ2 Ｏ3 を用いた絶縁層４、これ
を介して膜厚２３０オングストロームのＳＡＬ膜５、膜
厚１００オングストロームの分離膜６、膜厚２００オン
グストロームのパーマロイを用いたＭＲ膜７を積層し
た。この３層膜の形状は、トラック幅方向の寸法：９μ
ｍ，高さ：１．０μｍである。
【００３１】さらに、縦バイアス膜１として反強磁性膜
であるＮｉＭｎ膜を用い、かつＡｕ（金）を用いて電極
膜２を形成した。電極膜間隔は１．３μｍ、縦バイアス
膜間隔は２．３μｍである。そして、前記３層膜上に
は、膜厚０．０９μｍのＡｌ2Ｏ3 の絶縁層８を介して
膜厚３μｍのＮｉ−Ｆｅ合金のパーマロイを用いて上シ
ールド膜９を形成した。
であるＮｉＭｎ膜を用い、かつＡｕ（金）を用いて電極
膜２を形成した。電極膜間隔は１．３μｍ、縦バイアス
膜間隔は２．３μｍである。そして、前記３層膜上に
は、膜厚０．０９μｍのＡｌ2Ｏ3 の絶縁層８を介して
膜厚３μｍのＮｉ−Ｆｅ合金のパーマロイを用いて上シ
ールド膜９を形成した。
【００３２】次に、ライト部としては、膜厚０．４μｍ
のＡｌ2 Ｏ3 の絶縁層１０を介して膜厚４．５μｍのＮ
ｉ−Ｆｅ合金のパーマロイを用いた上ポール１１を形成
した。
のＡｌ2 Ｏ3 の絶縁層１０を介して膜厚４．５μｍのＮ
ｉ−Ｆｅ合金のパーマロイを用いた上ポール１１を形成
した。
【００３３】続いて、磁気抵抗効果型ヘッドの動作につ
いて、図１を参照して説明する。
いて、図１を参照して説明する。
【００３４】通常、磁気抵抗効果型ヘッドは、ライト部
である上シールド膜９と上ポール１１から発生する磁束
で磁気記録媒体に信号データ（磁気情報）を書き込み、
この磁気記録媒体に書き込まれた信号データをリード部
で読み出す。通常、縦バイアス膜１の磁化方向は、トラ
ック幅方向に磁化されている。
である上シールド膜９と上ポール１１から発生する磁束
で磁気記録媒体に信号データ（磁気情報）を書き込み、
この磁気記録媒体に書き込まれた信号データをリード部
で読み出す。通常、縦バイアス膜１の磁化方向は、トラ
ック幅方向に磁化されている。
【００３５】この縦バイアス膜１と交換結合しているＭ
Ｒ膜７の磁化方向も縦バイアス膜１と同方向を向く。こ
の状態において電極膜２から電流を流すと、ＭＲ膜７，
分離膜６とＳＡＬ膜５に分流された電流が流れ、この電
流によって発生した磁界により、ＳＡＬ膜５の磁化方向
は磁気媒体媒体の対向面に対してほぼ垂直方向を向く。
そして、このＳＡＬ膜５からの磁界により、ＭＲ膜７に
対してＳＡＬ膜５とは反対方向の磁化を回転させる。
Ｒ膜７の磁化方向も縦バイアス膜１と同方向を向く。こ
の状態において電極膜２から電流を流すと、ＭＲ膜７，
分離膜６とＳＡＬ膜５に分流された電流が流れ、この電
流によって発生した磁界により、ＳＡＬ膜５の磁化方向
は磁気媒体媒体の対向面に対してほぼ垂直方向を向く。
そして、このＳＡＬ膜５からの磁界により、ＭＲ膜７に
対してＳＡＬ膜５とは反対方向の磁化を回転させる。
【００３６】このとき、ＭＲ膜７内の磁化方向は、この
縦バイアス膜１による磁化方向とＳＡＬ膜５からの磁界
による磁化方向とのベクトル和であり、約４５度の角度
になるように制御している。この状態で、磁気記録媒体
からの信号磁界がＭＲ膜７に入ることにより、このＭＲ
膜７内の磁化方向が変化し、ＭＲ膜７の電気抵抗が変化
する。そして、この電気抵抗の変化を電圧変化として検
出することにより再生信号とする。
縦バイアス膜１による磁化方向とＳＡＬ膜５からの磁界
による磁化方向とのベクトル和であり、約４５度の角度
になるように制御している。この状態で、磁気記録媒体
からの信号磁界がＭＲ膜７に入ることにより、このＭＲ
膜７内の磁化方向が変化し、ＭＲ膜７の電気抵抗が変化
する。そして、この電気抵抗の変化を電圧変化として検
出することにより再生信号とする。
【００３７】次に、本実施例の再生トラック部の構成に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【００３８】図１は、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの
再生トラック部の構成を示す図である。図１を参照する
と、この再生トラック部は、ＭＲ膜７と一対の縦バイア
ス膜１および電極膜２とから構成される。この縦バイア
ス膜１と電極膜２の形状は、一方の側（図中、右側）は
磁気記録媒体の対向面に対して直角をなし、他方の側
（図中、左側）の形状は、ＭＲ膜７の磁気記録媒体の対
向面に直角ではなく、４５度傾斜している。
再生トラック部の構成を示す図である。図１を参照する
と、この再生トラック部は、ＭＲ膜７と一対の縦バイア
ス膜１および電極膜２とから構成される。この縦バイア
ス膜１と電極膜２の形状は、一方の側（図中、右側）は
磁気記録媒体の対向面に対して直角をなし、他方の側
（図中、左側）の形状は、ＭＲ膜７の磁気記録媒体の対
向面に直角ではなく、４５度傾斜している。
【００３９】このような構造において、磁気抵抗効果素
子の再生感度分布をシミュレーションによって予測した
結果、縦バイアス膜１と電極膜２の片側の形状を、図中
の下方に示すように、図３に示す従来例と比較して、再
生トラック方向に対して均一になる傾向を示した。
子の再生感度分布をシミュレーションによって予測した
結果、縦バイアス膜１と電極膜２の片側の形状を、図中
の下方に示すように、図３に示す従来例と比較して、再
生トラック方向に対して均一になる傾向を示した。
【００４０】そして、この実施例１の磁気抵抗効果型ヘ
ッドを用いて磁気記録媒体からの信号磁界を再生した結
果、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力よりも３０
％から４０％高い出力を得ることができた。これは、縦
バイアス膜１および電極膜２の形状を最適化することに
より、効率よく磁気記録媒体からの信号磁界を検出する
ことができたことが推察される。
ッドを用いて磁気記録媒体からの信号磁界を再生した結
果、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの再生出力よりも３０
％から４０％高い出力を得ることができた。これは、縦
バイアス膜１および電極膜２の形状を最適化することに
より、効率よく磁気記録媒体からの信号磁界を検出する
ことができたことが推察される。
【００４１】次に、別の実施の形態（実施例２とする）
として、上述した実施例１と同様の構造の磁気抵抗効果
型ヘッドを作製し、その再生特性を評価した。
として、上述した実施例１と同様の構造の磁気抵抗効果
型ヘッドを作製し、その再生特性を評価した。
【００４２】図２は、本発明の別の実施の形態（実施例
２）による再生トラック部の構成を示す図である。図２
を参照すると、この再生トラック部は、ＭＲ膜７と縦バ
イアス膜１ａ，縦バイアス膜１ｃと電極膜２ａ，電極膜
２ｃとで構成される。そして、一方の縦バイアス膜１ａ
と電極膜２ａの端部形状は、磁気記録媒体面に対して直
角とし、また、他方の縦バイアス膜１ｃと電極膜２ｃの
端部形状は、磁気記録媒体面側から所定の寸法でこの磁
気記録媒体面に対して直角をなす直角部１ｄ，直角部２
ｄと、この寸法位置から前記磁気録媒体面に対して所定
の傾斜角度をなす傾斜部１ｅ，傾斜部２ｅとを有し、す
なわち、縦バイアス膜１ｃと電極膜２ｃの形状は、磁気
記録媒体の対向面側から０．３μｍまでは直角にし、そ
の位置からは磁気記録媒体の対向面に対して４５度の角
度に傾斜させた。
２）による再生トラック部の構成を示す図である。図２
を参照すると、この再生トラック部は、ＭＲ膜７と縦バ
イアス膜１ａ，縦バイアス膜１ｃと電極膜２ａ，電極膜
２ｃとで構成される。そして、一方の縦バイアス膜１ａ
と電極膜２ａの端部形状は、磁気記録媒体面に対して直
角とし、また、他方の縦バイアス膜１ｃと電極膜２ｃの
端部形状は、磁気記録媒体面側から所定の寸法でこの磁
気記録媒体面に対して直角をなす直角部１ｄ，直角部２
ｄと、この寸法位置から前記磁気録媒体面に対して所定
の傾斜角度をなす傾斜部１ｅ，傾斜部２ｅとを有し、す
なわち、縦バイアス膜１ｃと電極膜２ｃの形状は、磁気
記録媒体の対向面側から０．３μｍまでは直角にし、そ
の位置からは磁気記録媒体の対向面に対して４５度の角
度に傾斜させた。
【００４３】この構造の場合も、シミュレーションによ
って予測した結果、再生感度分布は再生トラック方向に
ほぼ均一となる傾向を示した。そして、磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生した結果、従来の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの再生出力よりも２５％から３５％高い出力を得る
ことができた。これは、縦バイアス膜および電極膜の形
状を最適化することによって、効率よく記録磁気記録媒
体からの信号磁界を検出することができたものと推測さ
れる。
って予測した結果、再生感度分布は再生トラック方向に
ほぼ均一となる傾向を示した。そして、磁気記録媒体か
らの信号磁界を再生した結果、従来の磁気抵抗効果型ヘ
ッドの再生出力よりも２５％から３５％高い出力を得る
ことができた。これは、縦バイアス膜および電極膜の形
状を最適化することによって、効率よく記録磁気記録媒
体からの信号磁界を検出することができたものと推測さ
れる。
【００４４】また、磁気抵抗効果型ヘッドを作製するた
めのポールハイトの媒体対向面の研磨工程における加工
量のばらつきにより、磁気抵抗効果素子の高さに±０．
３μｍのばらつきがあっても、ＭＲ膜の再生感磁領域
が、ライトトラックに対して左右にずれることはなかっ
た。また、磁気抵抗効果型ヘッドの再生トラック幅寸法
が変動することもなかった。
めのポールハイトの媒体対向面の研磨工程における加工
量のばらつきにより、磁気抵抗効果素子の高さに±０．
３μｍのばらつきがあっても、ＭＲ膜の再生感磁領域
が、ライトトラックに対して左右にずれることはなかっ
た。また、磁気抵抗効果型ヘッドの再生トラック幅寸法
が変動することもなかった。
【００４５】なお、縦バイアス膜１ｃおよび電極膜２ｃ
の直角部１ｄ，２ｄにおける寸法のばらつきは、実際の
製造工程を考慮すると、０．１μｍから０．５μｍ（実
施例２の場合は０．３μｍ）となるが、特に実施例２の
場合と異なることなく、同様の結果が得られる。
の直角部１ｄ，２ｄにおける寸法のばらつきは、実際の
製造工程を考慮すると、０．１μｍから０．５μｍ（実
施例２の場合は０．３μｍ）となるが、特に実施例２の
場合と異なることなく、同様の結果が得られる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドは、再生トラック部の縦バイアス膜と電極
膜の形状を最適化しているため、磁気抵抗効果型ヘッド
を作製するためのポールハイトの研磨工程における加工
量にばらつがあっても、再生トラック幅寸法が変動せ
ず、かつ再生感磁領域がライトトラックに対して左右に
ずれることもなく、製造歩留まりが向上するとともに、
狭い再生トラックにおいて高再生出力が得られ、高記録
密度の記録再生装置に適用できるという効果がある。
効果型ヘッドは、再生トラック部の縦バイアス膜と電極
膜の形状を最適化しているため、磁気抵抗効果型ヘッド
を作製するためのポールハイトの研磨工程における加工
量にばらつがあっても、再生トラック幅寸法が変動せ
ず、かつ再生感磁領域がライトトラックに対して左右に
ずれることもなく、製造歩留まりが向上するとともに、
狭い再生トラックにおいて高再生出力が得られ、高記録
密度の記録再生装置に適用できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例による再生トラック部の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の別の実施例による再生トラック部の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの再生トラック部
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図４】ＳＡＬバイアスの磁気抵抗効果型ヘッドの構成
を示す図である。
を示す図である。
１，１ａ 縦バイアス膜 １ｂ，１ｃ 縦バイアス膜 １ｄ，２ｄ 直角部 １ｅ，２ｅ 傾斜部 ２，２ａ 電極膜 ２ｂ，２ｃ 電極膜 ３ 下シールド膜 ４，８ 絶縁層 ５ ＳＡＬ膜 ６ 分離膜 ７ ＭＲ膜 ９ 上シールド膜 １０ 絶縁層 １１ 上ポール １２ａ，１２ｂ 縦バイアス膜 １３ａ，１３ｂ 電極膜 １４ 低感度領域
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素
子と、その両端部にそれぞれ左右対称に形成した一対の
縦バイアス膜および電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記縦バイアス膜および電極膜の再生感
磁領域側の端部形状は、一方が磁気記録媒体面に対して
直角をなし、かつ他方が前記磁気録媒体面に対して所定
の傾斜角度をなすように構成することを特徴とする磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 傾斜角度が３０度から６０度の範囲内で
あることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素
子と、その両端部にそれぞれ左右対称に形成した一対の
縦バイアス膜と電極膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッド
において、前記縦バイアス膜および電極膜の再生感磁領
域側の端部形状は、一方が磁気記録媒体面に対して直角
をなし、かつ他方が前記磁気記録媒体面側から所定の寸
法でこの磁気記録媒体面に対して直角をなす直角部と、
さらに、前記寸法位置から前記磁気録媒体面に対して所
定の傾斜角度をなす傾斜部とを有することを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 直角部の寸法が０．１μｍから０．５μ
ｍであり、かつ傾斜部の角度が３０度から６０度である
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
磁気抵抗効果型ヘッドを搭載することを特徴とする磁気
記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282183A JP3039482B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9282183A JP3039482B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120519A JPH11120519A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3039482B2 true JP3039482B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=17649169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9282183A Expired - Lifetime JP3039482B2 (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびこれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3039482B2 (ja) |
-
1997
- 1997-10-15 JP JP9282183A patent/JP3039482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11120519A (ja) | 1999-04-30 |
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