JP3180785B2 - ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドおよび磁気記憶装置 - Google Patents

ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドおよび磁気記憶装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、記録再生動作を
行なうことのできるヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、なら
びに、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドおよび同ヘ
ッドを用いた磁気記憶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの演算処理能力の飛
躍的な発展に伴って、ハードディスク装置等の磁気記憶
装置では、記憶容量，データ転送速度の大幅な増大が求
められてきた。これを実現する技術として大きな役割を
果たしてきたのが、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの出現で
あった。
【０００３】本来、磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッド
（ＭＲヘッド）は、再生（情報読み取り）専用である。
磁気記憶装置では、再生だけでなく記録（書き込み）能
力も合せて備えたヘッドが必要である。このようなヘッ
ドとしてシールド型ＭＲヘッドとヨーク型ＭＲヘッドと
が開発・検討されてきた。
【０００４】シールド型ＭＲヘッドは、例えば特開昭６
３−２０５５８４号公報の第６図に示されているよう
に、感磁素子であるＭＲパタン（磁気抵抗効果素子）を
軟磁性のシールドで挟持し、シールドに接して電磁誘導
型の記録ヘッドを配置する構造である。
【０００５】図１７は従来のシールド型ＭＲヘッドの構
造を示す断面図である。従来のシールド型ＭＲヘッド１
０１は、軟磁性材料からなる下シールド層１０２と軟磁
性材料からなる共通ポール１０３との間に、酸化物等の
非磁性材料からなるＭＲ絶縁層１０４を介してＭＲパタ
ン（磁気抵抗効果素子）１０５を配設して再生ヘッドを
構成するとともに、共通ポール１０３と上ポール１０６
とコイルパタン１０７とからなる電磁誘導型の記録ヘッ
ドを備えている。ＭＲパタン１０５の一端はヘッド浮上
面（ＡＢＳ面）に露出されている。共通ポール１０３と
上ポール１０６とは、後端側（ヘッド浮上面とは反対
側）で磁気的に結合されている。なお、符号１０８は酸
化物等からなる非磁性層であり、この非磁性層１０８に
よって記録ギャップが形成されるとともに、コイルパタ
ーン１０７と共通ポール１０３との間の電気的な絶縁を
図っている。符号１０９は非磁性材料からなる段差解消
層である。この段差解消層１０９によってコイルパター
ン１０７による段差をなくすとともに、コイルパターン
１０７と上ポール１０６との間の電気的な絶縁を図って
いる。
【０００６】ヨーク型ＭＲヘッドは、磁気ヘッドを構成
するヨークの一部に空隙を設け、この空隙の近傍に感磁
素子であるＭＲパタン（磁気抵抗効果素子）を設ける構
造である。
【０００７】図１８は従来のヨーク型ＭＲヘッドの構造
を示す断面図である。従来のヨーク型ＭＲヘッド２０１
は、下ポール２０２と、上ポール前部２０３と、上ポー
ル後部２０４と、ＭＲパタン（磁気抵抗効果素子）２０
５と、コイルパタン２０６とからなる。符号２０７は酸
化物等からなる非磁性層であり、この非磁性層２０７に
よって下ポール２０１と上ポール前部２０３との間にギ
ャップが形成されている。上ポール後部２０４と下ポー
ル２０２とは、後端側（ヘッド浮上面とは反対側）で磁
気的に結合されている。符号２０８は、上ポール前部２
０３と上ポール後部２０４との間に設けられた間隙部で
ある。この間隙部２０８の近傍にＭＲパタン２０５が配
設されている。下ポール２０２と上ポール後部２０４と
は、後端側（ヘッド浮上面とは反対側）で磁気的に結合
されている。符号２０９は非磁性材料からなる段差解消
層である。
【０００８】図１８に示したように、従来のヨーク型Ｍ
Ｒヘッド２０１は、下ポール２０２と上ポール前部２０
３と上ポール後部２０４とで構成されるヨークパタンの
一部に間隙部２０８があるために、記録時に磁束が有効
に通らないという欠点がある。この欠点を改善するため
に、間隙部２０８の近傍にセンターポール（図示しな
い）を間隙部２０８を橋渡しするように形成すること
で、記録効率を向上させるようにした複合型薄膜磁気ヘ
ッドが、特開平３−６６０１５号公報で提案されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のシールド型ＭＲ
ヘッドは、図１７に示したように、ＭＲパタンの一端が
磁気ヘッドが記録媒体に対向するＡＢＳ面（ヘッド浮上
面）に露出しているために、記録媒体とＭＲパタンとが
接触すると、ＭＲパタンはノイズを発生するという欠点
があった。このノイズ発生現象をサーマルアスペリティ
と称している。特に、最近の磁気記録装置では、記録密
度を高くするために記録媒体に対するヘッドの浮上量を
小さくしている。ヘッドの浮上量を小さくすると媒体と
ヘッドの接触頻度が高くなり、再生出力のサーマルアス
ペリティの発生が激しくなる傾向がある。すなわち、高
密度記録ではサーマルアスペリティノイズが激しくなる
傾向がある。このため、従来のシールド型ＭＲヘッドを
用いた磁気記憶装置は信頼性が低下することがある。
【００１０】従来のシールド型ＭＲヘッドの再生信号に
サーマルアスペリティが発生する原因は、以下のように
説明される。磁気記録においてはＭＲヘッドと媒体は毎
秒１０ｍ以上の高速相対運動を行っている。このとき、
磁気ヘッドの浮上量が低く、ヘッドのＭＲパタンと媒体
の突起が接触すると、その両者の衝突による摩擦発熱が
生じて、ＭＲパタンの温度が瞬間的に上昇する。ＭＲパ
タンの温度が高くなると、その構成部材である強磁性金
属薄膜の抵抗値が上昇し、本来ＭＲパタンの信号磁界で
生じる抵抗変化を電圧に変換することにより情報を読み
取っている検出回路で、発熱による抵抗変化を信号とし
て誤読み取りを生じる。また、発熱したＭＲパタンの冷
却時定数は、一般に信号波形に比べてかなり大きく、そ
の冷却に至るまでの間は、信号に大きな直流的バイアス
電圧が印加され、検出レベルが大きくずれて、信号のバ
ーストエラーが発生することがある。
【００１１】さらに、別のサーマルアスペリティも存在
する。ＭＲヘッドはそのＭＲパタンにセンス電流を常時
印加している。このため、ＭＲパタンは常時若干の発熱
をしている。いま、媒体と磁気ヘッドのＭＲパタンとが
接触し、その衝突エネルギーがあまり大きくないとき
は、その接触のために、ＭＲヘッドの熱が媒体側へ移動
して、ＭＲパタンの温度が一瞬低下する。この、温度低
下によりＭＲパタンの抵抗減少が生じて、信号磁界検出
エラーを生ずることがある。いずれにしても、従来のシ
ールド型ＭＲヘッドは、サーマルアスペリティが極めて
発生しやすい構造であるという第１の問題点を有する。
【００１２】シールド型ＭＲヘッドの第２の問題点は、
磁気記録部と再生部とがＡＢＳ面で位置的に異なってい
ることである。このために、記録トラック位置と再生ト
ラック位置が微妙にずれている。したがって、磁気ディ
スク装置側ではこの微妙なずれを補正するサーボ回路が
必要となる。
【００１３】これらの第１および第２の問題点を改善す
るのが、図１８に示したヨーク型ＭＲヘッドである。ヨ
ーク型ＭＲヘッドは、サーマルアスペリティの問題を解
消するために、ＡＢＳ面から遠く離れた位置にＭＲパタ
ンを配置する構造としている。間隙部を有するヨークを
記録ヘッドとして兼用する構造であるため、記録磁界の
発生効率がきわめて低い。一方、磁気記録記録密度の向
上に伴って記録媒体の保磁力（抗磁力とも言う）Ｈｃを
高くする傾向があり、磁気ヘッドから発生する記録に要
する磁界強度も強いものが要求されている。しかしなが
ら、従来のヨーク型ＭＲヘッドは発生磁界強度が十分出
せなく、高密度記録に適さないという第３の問題点があ
る。
【００１４】その理由を簡単に説明する。ヨーク型ＭＲ
ヘッドは図１８に示すように、ＭＲパタン２０５が上ポ
ール前部２０３と上ポール後部２０４との間隙部２０８
に設けられている。上ポールの前部および後部がＭＲパ
タンに対するヨークとなっている。このヨークの熱容量
は大きく、記録ポール先端（ＡＢＳ面）で記録媒体との
衝突があってもその発熱は、ＭＲパタンに伝わらないた
めサーマルアスペリティは発生しない。しかしながら、
ヨークの途中に間隙部２０８が存在するためにヨークの
磁気抵抗が高くなる。このために、記録のための磁束量
を大きくできない。したがって、ＡＢＳ面に発生するギ
ャップ部発生磁界も大きくできない。即ち、従来のヨー
ク型ＭＲヘッドは記録能力が低いという欠点を有してい
る。
【００１５】さらに、従来のヨーク型ＭＲヘッドは再生
効率においても問題点を有していた。通常、上下ヨーク
の磁気抵抗（リラクタンス）とＭＲパタンのリラクタン
スはほぼ等しくなるよう形成されている。したがって、
図１８に示したように、ＭＲパタンとヨークとしての上
下ポールが直列に接続されていると、その合計のリラク
タンスは上下ポールのみの場合の２倍になる。リラクタ
ンスが２倍になると、磁気記録媒体の情報パタンから上
下ポールに流入する信号磁束は半分に減少する。即ち、
再生時にも効率低下の不利がある。
【００１６】
【発明の目的】この発明はこのような課題を解決するた
めなされたもので、記録再生用のギャップ以外の間隙部
をなくすことで、記録特性ならびに再生特性を向上させ
たヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、ヨーク型磁気抵抗効果
複合薄膜ヘッドおよびヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘ
ッドを用いた磁気記憶装置を提供することを目的とす
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
請求項１に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、上ポー
ルの前端と下ポールの前端との間に磁気ギャップを形成
するとともに、上ポールの後端と下ポールの後端とを磁
気的に結合して磁束経路を形成し、磁気ギャップの位置
よりも奥側に磁気抵抗効果素子を設け、この磁気抵抗効
果素子を介して上ポールと下ポールとを磁気的に橋絡す
る構造としたことを特徴とする。
【００１８】請求項１に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ドは、磁気抵抗効果素子を介して上ポールと下ポールと
を磁気的に橋絡することで、磁気抵抗効果素子を介する
分流磁束経路を形成し、この分流磁束経路によって磁気
記録情報の再生を行なうことができる。上ポール，下ポ
ールのいずれにも間隙部を有する構造ではないため、請
求項１に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを記録用ヘッ
ドとして用いる場合に、記録のための磁束量を大きくで
きる。よって、記録能力を向上できる。
【００１９】請求項２に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ドは、上ポールの前端と下ポールの前端との間に磁気ギ
ャップを形成するとともに、上ポールの後端と下ポール
の後端とを磁気的に結合して磁束経路を形成し、磁気ギ
ャップの位置よりも奥側に磁気抵抗効果素子を上ポール
と下ポールとを磁気的に橋絡するように設け、上ポール
と下ポールとの間に書き込み用のコイルを設けたことを
特徴とする。
【００２０】請求項２に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ドは、磁気抵抗効果素子を介して上ポールと下ポールと
を磁気的に橋絡することで、磁気抵抗効果素子を介する
分流磁束経路を形成し、この分流磁束経路によって磁気
記録情報の再生を行なうことができる。上ポール，下ポ
ールのいずれにも間隙部を有する構造ではないため、請
求項１に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを記録用ヘッ
ドとして用いる場合に、記録のための磁束量を大きくで
きる。よって、記録能力を向上できる。
【００２１】請求項３に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、下ポールと上ポール間に絶縁材料からな
り斜面を有するメサ型パタンを設け、このメサ型パタン
の一斜面を記録ギャップのスロートハイトよりも奥に配
置し、前記一斜面に磁気抵抗効果型感磁素子を設け、且
つ上ポールおよび下ポールに磁気的間隙を有しないこと
を特徴とする。
【００２２】請求項３に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、メサ型パタンの一斜面の設けた磁気抵抗
効果型感磁素子を介して上ポールと下ポールとを磁気的
に橋絡することで、磁気抵抗効果素子を介する分流磁束
経路を形成し、この分流磁束経路によって磁気記録情報
の再生を行なうことができる。上ポール，下ポールのい
ずれにも間隙部を有する構造ではないため、記録のため
の磁束量を大きくできる。よって、記録能力を向上でき
る。
【００２３】メサ型パタンの一斜面に設けた磁気抵抗効
果型感磁素子に接するリードパタンは、一斜面とほぼ直
交する他の斜面にまで延長され、その斜面を介して電極
に接続する構造としてもよい。
【００２４】このような構造とすることで、リードパタ
ンを確実に引き出すことができる。
【００２５】コイルパタンはメサ型パタン上に形成して
もよい。
【００２６】コイルパタンをメサ型パタン上に形成する
ことで、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの前後方
向の寸法を小さくできる。
【００２７】また、コイルパタンとメサ型パタンとを並
設する構造としてもよい。
【００２８】コイルパタンをメサ型パタン上に形成せず
にコイルパタンとメサ型パタンとをそれぞれ設ける構造
とすることで、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの
高さ方向の寸法を小さくできる。さらに、コイルパタン
４とメサ型パタンとほぼ同一平面状に並設することで段
差小さくでき、上ポールのめっきフレーム形成レジスト
厚さを比較的薄くできる。したがって、記録トラック幅
を規定する上ポールのポール先端幅を狭くするのに有利
となる。
【００２９】なお、上ポール若しくは下ポールの少なく
とも何れか一方において、磁気抵抗効果型感磁素子を設
けたメサ型パタン斜面よりも磁気ギャップから離れた一
部分の膜厚をそれ以外の部分よりも薄くしてもよい。
【００３０】上ポール若しくは下ポールの膜厚を薄くす
ることで、上下の各ポールの直列リラクタンスを増加さ
せることできる。直列リラクタンスが増加すると、ＭＲ
パタンに分流する磁束量が増大する。これにより、ＭＲ
パタンの再生出力が増加する。
【００３１】また、上ポール若しくは下ポールの少なく
とも何れか一方において、磁気抵抗効果型感磁素子を設
けたメサ型パタン斜面よりも磁気ギャップから離れた一
部分の磁気特性としての透磁率をそれ以外の部分よりも
小さくしてもよい。
【００３２】透磁率を小さくすることで上下の各ポール
直列のリラクタンスが大きくなる。この結果、ＭＲパタ
ンへ分流する磁束量が増大する。これにより、ＭＲパタ
ンの再生出力が増加する。
【００３３】さらに、上ポール若しくは下ポールの少な
くとも何れか一方において、磁気抵抗効果型感磁素子を
設けたメサ型パタン斜面よりも磁気ギャップから離れた
一部分の磁気特性としての透磁率をそれ以外の部分より
も小さくし、且つ飽和磁束密度を高くしてもよい。
【００３４】透磁率を小さくすることでＭＲパタンの再
生出力を増加させるとともに、飽和磁束密度を高くする
ことで記録能力を確保できる。
【００３５】なお、下ポールの一部にスロートハイト決
定のための堀込部または凹部を形成し、堀込部または凹
部にメサ型パタンを設けてもよい。
【００３６】このような構造にすることで、ＭＲパタン
をスロートハイトの比較的近傍に配置することができ、
ＭＲパタンへの信号磁束の分流効率が高まる。また、ヨ
ーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの高さ方向の寸法を
小さくすることができ、狭トラック化への対応が容易に
なる。
【００３７】また、下ポールの一部にスロートハイト決
定のための堀込部または凹部を形成し、堀込部または凹
部にメサ型パタンを設け、しかる後にメサ型パタンの斜
面に磁気抵抗効果型感磁素子を設け、堀込部または凹部
を非磁性絶縁体にて被覆平坦化処理後、ギャップ絶縁層
を形成し、その後に上ポールの先端部分となる上ポール
先付け部を形成した後に、コイルパタンおよび上ポール
を形成するようにしてもよい。
【００３８】このような構造にすることで、狭トラック
幅のめっきフレームの形成が容易になる。
【００３９】請求項１２に係る磁気記憶装置は、下ポー
ルと上ポール間に絶縁材料からなり斜面を有するメサ型
パタンを設け、このメサ型パタンの一斜面は記録ギャッ
プのスロートハイトよりも奥に配置し、一斜面に磁気抵
抗効果型感磁素子を設け、且つ上ポールおよび下ポール
に磁気的間隙を有しないヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドをスライダー基体に設け、このスライダーを円盤
状磁気記録媒体上に保持し、円盤状磁気記録媒体を回転
させることにより磁気記録再生を行うことを特徴とす
る。
【００４０】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドを用いることで、サーマルアスペリティの発
生がなく、信頼性の高い磁気記憶装置を実現できる。
【００４１】請求項１３に係る磁気記憶装置は、下ポー
ルと上ポール間に絶縁材料からなり斜面を有する絶縁メ
サ型パタンを設け、このメサ型パタンの一斜面は記録ギ
ャップのスロートハイトよりも奥に配置し、一斜面に磁
気抵抗効果型感磁素子を設け、且つ上ポールおよび下ポ
ールに磁気的間隙を有しないヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドをヘッド組立て体に設け、このヘッド組立て
体を磁気テープに接触させ、磁気テープを走行させるこ
とにより磁気記録再生を行うことを特徴とする。
【００４２】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドを用いることで、サーマルアスペリティの発
生がなく、信頼性の高い磁気記憶装置を実現できる。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて説明する。
【００４４】図１はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの第１の実施形態の模式構造を示す斜
視図、図２はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドの第１の実施の形態を示す断面図、図３はこ
の発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの第
１の実施の形態を示す平面図である。なお、図３に示す
平面図では、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの平
面形状が図３において上下対象であるため、その下半分
側のみを示している。
【００４５】図１に示すように、この発明に係るヨーク
型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＡは、下ポール１と上ポ
ール６との間に絶縁材料からなるメサ型パタン２を設
け、このメサ型パタン２の前方側の斜面２ａにＭＲパタ
ン（磁気抵抗効果素子）３を設けてなる。このＭＲパタ
ン３の端部と図示しない電極とを接続するためのＭＲリ
ードパタン３ａは、前方側の斜面２ａからこの斜面２ａ
に直交する側方側の斜面２ｂへまで延長され、側方側の
斜面２ｂを介して図示しない電極に接続される。
【００４６】下ポール１と上ポール６とは後端側でそれ
ぞれ磁気的に結合されている。下ポール１と上ポール６
とそれぞれ先端側には記録・再生用の記録ギャップ７０
が形成されている。なお、図１においては、記録ギャッ
プ７０を形成するためのギャップ絶縁層７１ならびにメ
サ型パタン２上に形成されるコイルパタン４の図示を省
略して、基本構造のみを示している。さらに、ＭＲパタ
ン３ならびにＭＲリードパタン３ａは断面形状を示すも
のではないが、ＭＲパタン３ならびにＭＲリードパタン
３ａの領域を明確にするためにハッチングを施してい
る。
【００４７】図２に示すように、下ポール１の上にギャ
ップ絶縁層７１を形成し、このギャップ絶縁層７１の上
にメサ型パタン２を形成している。メサ型パタン２は、
その前方の斜面２ａが記録ギャップのスロートハイト８
よりも奥側になるよう配置している。メサ型パタン２の
前方側の斜面にＭＲパタン３を形成している。そして、
ＭＲパタン３を形成したメタ型パタン２の上にＭＲ絶縁
層７２を形成し、このＭＲ絶縁層７２の上にコイルパタ
ン４を形成している。次に、第１の段差解消層７３およ
び第２の段差解消層７４を形成し、それらの上に上ポー
ル６を形成している。
【００４８】ＭＲパタン３の上端部と上ポール６との間
隔、ならびに、ＭＲパタン３の下端部と下ポール１との
間隔は、ＭＲパタン３の高さ（センサ電流方向に垂直な
方向な方向のパタン幅）よりも充分に小さくしている。
【００４９】図３に示すように、各コイルパタン４はそ
の端部をメサ型パタン２の側方の斜面２ｂに延出させて
形成している。これにより、メサ型パタン２の側方の斜
面２ｂからコイルパタン４を引き出せるようにしてい
る。なお、図３においては、内部構造を示すために上ポ
ール６を取り除いた状態を示している。このため、上ポ
ール６の形状を仮想線で示している。なお、仮想線の位
置は図示の都合上、実際の位置から少しずらして示して
いる。また、ギャップ絶縁層７１、各段差解消層７３，
７４は図示を省略している。さらに、ＭＲパタン３なら
びにＭＲリードパタン３ａは断面形状を示すものではな
いが、ＭＲパタン３ならびにＭＲリードパタン３ａの領
域を明確にするためにハッチングを施している。
【００５０】図４はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの動作原理を示す説明図である。発明
に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＡの特徴
は、通常の薄膜型磁気ヘッドにおける上ポール６と下ポ
ール１との間に、感磁素子であるＭＲパタン（磁気抵抗
効果素子）３を設け、このＭＲパタン３を介して上ポー
ル６と下ポール１とを磁気的に橋絡していることにあ
る。
【００５１】このため、ポール先端から流入する信号磁
束８１の一部はＭＲパタン３を通過する信号磁束８３と
なり、他の一部は下ポールを通過する並列信号磁束８１
ｂ、上ポールを通過する並列信号磁束８６ｂとなる。そ
して、ＭＲパタン３を通過した信号磁束８３と上下のポ
ール１，６を経由した並列信号磁束８１ｂ，８６ｂと
は、上ポール６の先端で合流し信号磁束８６となって還
流する。
【００５２】ここで、ＭＲパタン３は、パタン高さはが
およそ２．５μｍ（ミクロンメートル）、その膜厚は
０．０３μｍのＮｉＦｅ合金膜とし、上下の各ポール
１，６は、ＮｉＦｅ合金で、その厚さは３μｍ、上下の
各ポール１，６の直列長は２５０μｍであるとすると、
ＭＲパタン３と上下各ポール１，６の磁気抵抗（リラク
タンス）はほぼ等しくなり、上下ポール１，６を通過す
る並列信号磁束８１ｂ，８６ｂとＭＲパタン３を通過す
る信号磁束８３の量はほぼ等しくなる。ＭＲヘッド３は
感度が高いので、十分に信号を検出することができる。
【００５３】上下ポール１，６のリラクタンスは、その
膜厚を薄くするか、その磁性材料の透磁率を小さくする
ことにより大きくすることができる。上下ポール１，６
のリラクタンスを大きくすると、ＭＲパタン３に分流す
る信号磁束量が増大し、磁界検出感度をさらに高くする
ことができる。
【００５４】上下ポール１，６の形状は、図２からも明
らかなように、従来の薄膜型磁気ヘッドと同様に、ポー
ルの何れの場所にも磁気的な間隙部は有していない。し
たがって、コイルパタン４に信号電流を印加して磁気記
録を行う際に、上下ポール１，６のいずれの場所におい
ても磁束の漏洩が発生することはない。即ち、ＭＲパタ
ン３を磁気ヘッドに挿入することによるヘッド記録磁界
発生効率の低下は見られない。
【００５５】一方、本実施例のＭＲパタン３は、図２か
らも明らかなように、記録ポール先端から奥まったとこ
ろに位置している。このため、記録ポール先端が高速で
磁気記録媒体に触れても、ポール自体が熱シールドの役
目を果たすので、ＭＲパタン３に温度変化は生ぜず、Ｍ
Ｒパタン３にサーマルアスペリティノイズが発生するこ
とはない。したがって、ヨーク型ＭＲヘッドの特徴が損
なわれないことは言うまでもない。
【００５６】次に、この発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの製造方法を図５〜図６を参照して説
明する。図５（ａ）〜図５（ｄ）ならびに図６（ｅ），
（ｆ）はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの製造方法を示す説明図（製造工程図）である。
【００５７】まず、図５（ａ）に示すように、図示しな
い非磁性基板上に下ポール１をＮｉＦｅ合金めっき法に
より３μｍの厚さ設ける。次に、この下ポール１をアル
ミナにより埋め込み、平坦化ラップを行う。次いで、記
録ギャップ絶縁層７１としてアルミナ膜（厚さ０．０５
μｍ）をスパッタ成膜する。
【００５８】次に、図５（ｂ）に示すように、アルミナ
膜を１．８μｍの厚さでスパッタ成膜し、レジスト塗
布、露光、現像、４５度斜めビーム入射イオンミリング
法にてメサ型パタン２を形成する。メサ型パタン２の周
辺は、斜めビーム入射イオンミリングにより約４５度の
傾斜を持つ斜面となっている。この斜面上にＭＲパタン
形成用のＣｏＺｒＭｏ／Ｔａ／ＮｉＦｅ三層ＭＲ膜３０
をスパッタ成膜法によりトータル膜厚０．０７μｍに成
膜する。この三層ＭＲ膜３０のうち感磁素子を形成する
ＮｉＦｅ膜の厚さは０．０３μｍである。
【００５９】次に、図５（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト塗布、露光、イオンミリングによりメサパタン２
の記録ギャップ側の斜面部とその両側の斜面部の一部に
ＭＲパタン３を残す。残ったＭＲパタン３の高さは、斜
面の角度４５度を反映して、およそ２．５μｍとなる。
この両側の斜面部に残ったＭＲパタンに電極取出し用に
Ｔａ／Ａｕ膜を通常のスパッタ成膜とフォトリソグラフ
技術で形成して、図１に示したＭＲリードパタン３ａを
形成する（図５は断面表示のために図示されていな
い）。その後、ＭＲ絶縁層７１として膜厚が０．１μｍ
のアルミナを成膜し、ギャップ絶縁層７１とともに後端
部のアルミナを上下ポール接続部６１として除去する。
【００６０】次に、図５（ｄ）に示すように、記録・再
生のヘッド効率を大きく支配するスロートハイト８を決
定すための第１の段差解消層７３を有機樹脂（たとえば
フォトレジスト熱硬化パタン）で形成する。メサ型パタ
ン２上には、励磁用のコイルパタン４を、フォトレジス
ト塗布・露光・現像およびＣｕめっき法にて形成する。
【００６１】次に、図６（ｅ）に示すように、コイルパ
タン４の段差を解消するためと電気絶縁のために第２の
段差解消層７４を前記有機樹脂にて形成する。その際、
メサ型パタン２の記録ギャップ側端部（ＭＲパタン３の
上端部の上方側）は、有機樹脂被覆を行わないようにし
ておく。
【００６２】最後に、図６（ｆ）に示すように、上ポー
ル６をフォトレジスト塗布・露光現像・ＮｉＦｅめっき
のフレームめっき法で作製する。このときのＮｉＦｅ膜
厚は３μｍである。以上の各工程によってこの発明に係
るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＡが製造され
る。
【００６３】次に、この発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドＡの動作について説明する。ＭＲパタ
ン３の幅をｗ、高さをｌ、厚さをｔ、材料飽和磁束密度
をＢｓ、材料透磁率をμとする。一方、上下の各ポール
１，６の幅をｗｐ、高さをｌｐ、厚さをｔｐ、材料飽和
磁束密度Ｂｓｐ、材料透磁率をμｐとする。ＭＲパタン
３のリラクタンスＲは、式１で表わされる。 Ｒ〜 ｌ／（μ・ｗ・ｔ) ……（式１） 上下のポール１，６を直列に接続したときのリラクタン
スＲｐは、式２で表わされる。 Ｒｐ〜２・ｌｐ／（μｐ・ｗｐ・ｔｐ） ……（式２）
【００６４】今、本実施の形態においては、μ＝μｐ、
ｗ＝ｗｐであり、ｔ=０．０３μｍ＝０．０１ｔｐ、ｌ
＝２．５μｍ＝０．０１×２・ｌｐである。これらの関
係を式１、式２に代入すると、Ｒ＝Ｒｐが得られる。こ
の関係は、それぞれのパタンが飽和しない間は、ＭＲパ
タン３を通過する信号磁束量と上下ポール１，６を通過
する並列信号磁束量が等しくなることを表わしている。
即ち、ＭＲパタン３は十分に信号磁束を感知することを
意味するものである。
【００６５】図１８に示した従来のヨーク型ＭＲヘッド
では、上下の各ポール２０２，２０３，２０４とＭＲパ
タン２０５の合計直列リラクタンスＲｔｓは、ほぼＲ＋
Ｒｐ＝２Ｒとなる。本実施の形態では、ＭＲパタン３と
上下ポール１，６は並列接続されているため、その合計
並列リラクタンスＲｔｐは、ほぼ（１／２）Ｒとなる。
したがって、記録媒体からＭＲパタン３を通過する信号
磁束量は、簡単な計算から本実施の形態では、従来例に
比べて２倍になることがわかる。すなわち、この発明に
係るヨーク型ＭＲヘッドの再生の効率は従来の２倍に改
善されている。
【００６６】一方、記録時には、上下ポールを飽和させ
て用いる。上下ポールの飽和磁束量Φｐは、式３で表わ
される。 Φｐ＝Ｂｓｐ・ｗｐ・ｔｐ ……（式３） ＭＲパタン３の飽和磁束量Φは、式４で表わされる。 Φ＝Ｂｓ・ｗ・ｔ ……（式４） ここで両者の飽和磁束密度はほぼ等しいこと、両者のパ
タン幅が等しいことを考慮すると、式３および式４から
Φｐ＝１００Φを得る。これは、磁気記録時にコイル電
流を印加して、上下ポールを磁気的に飽和させた場合、
ＭＲパタン３で橋絡させる磁束は総磁束量の１／１００
程度で無視できることを意味している。即ち、本発明の
如きＭＲパタン配置を行っても、このヘッドの記録能力
にはほとんど影響しないことは明白である。
【００６７】以下、この発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの他の実施の形態について説明する。
【００６８】図７はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの第２の実施形態を示す断面図であ
る。図７に示すヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＢ
は、下ポール１後部を透磁率μｐの低い材料からなる下
ポール低透磁率部１ａとするとともに、上ポール６後部
を透磁率μｐの低い材料からなる上ポール低透磁率部６
１ａとしたものである。具体的には、下ポール１は、Ｍ
Ｒパタン３の下端部に臨む下ポールＭＲ合流位置１３よ
りも後方側の磁性材料の透磁率μｐを約１／２に低下さ
せている。上ポール６では、ＭＲパタン３の上端部に臨
む上ポールＭＲ合流位置６３よりも後方側の磁性材料の
透磁率μｐを約１／２に低下させている。透磁率の低下
は、ＮｉＦｅ合金の組成を若干変更することにより行っ
ている。
【００６９】透磁率μｐを１／２に低下させることで、
上下の各ポール直列のリラクタンスＲｐは倍増し、ＭＲ
パタン３へ分流する信号磁束は第１の実施の形態に比べ
て３０％以上増大する。即ち、第２の実施の形態を用い
ることによって、再生出力を３０％以上増大することが
できる。
【００７０】図８はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの第３の実施形態を示す断面図であ
る。図８に示すヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＣ
は、下ポール１に下ポール座繰り埋め込む部１ｂを設け
て、下ポールの厚さを減少させたものである。下ポール
ＭＲ合流位置１３よりも後部で、下ポール厚さを１／２
に減少させている。
【００７１】これにより、上下の各ポール１，６の直列
リラクタンスは１．５倍になり、その結果、ＭＲパタン
に分流する磁束量は第１の実施形態に比べて２０％増大
する。下ポールの膜厚を薄くした下ポール座繰り埋め込
み部１ｂは、アルミナで埋め込み、図５（ａ）に示した
工程で平坦化処理を行なう。
【００７２】下ポールの膜厚を１／２にすると、そのま
まであれば飽和磁束量Φpは１／２に減少するが、本実
施形態は下ポール材料として従来のＮｉＦｅ合金に代わ
り、飽和磁束密度Ｂｓｐが倍のＣｏＮｉＦｅ合金材料を
用いている。このため、飽和磁束量は従来と変わらず、
記録能力の低下は見られない。よって、充分な記録能力
を確保できる。
【００７３】図９はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッドの第４の実施形態を示す断面図であ
る。図９に示すヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＤ
は、下ポール１に下ポール薄膜部１ｃを設けるととも
に、上ポール６に上ポール薄膜部１ｃを設けたものであ
る。下ポールＭＲ合流位置１３よりも後方側の下ポール
１の膜厚を通常の１／２に薄膜化するとともに、上ポー
ルＭＲ合流位置６３よりも後方側の上ポール１の膜厚を
通常の１／２に薄膜化している。また、上下の各ポール
１，６の磁性材料は飽和磁束密度が従来の２倍であるＣ
ｏＮｉＦｅめっき材料を用いている。
【００７４】上下ポールの直列リラクタンスは、第１の
実施形態の１／２になる。そのため、ＭＲパタン３に分
流する信号磁束は３０％以上増大し、ＭＲパタン３の再
生出力は３０％以上増加する。膜厚は１／２に減少して
いるが、飽和磁束密度が倍になっているため、飽和磁束
量は従来と同等で、このヘッドＣの記録能力は従来と同
等である。
【００７５】さらに、上下ポールの透磁率は、材料組成
を若干変更することにより１／２に低減することができ
る。この場合の直列リラクタンスは第１の実施形態の４
倍となり、ＭＲパタン３への信号磁束の分流量は６０％
増大する。即ち、ＭＲパタン３の再生出力も６０％の増
大が見られる。
【００７６】図１０はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗
効果複合薄膜ヘッドの第５の実施形態を示す要部断面図
である。図１０に示すヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘ
ッドＥは、ＭＲパタン３をメサ型パタン２の上部まで延
出させてＭＲメサ上接合部３１を形成するとともに、Ｍ
Ｒパタン３をメサ型パタン２の下部（ギャップ絶縁層７
１の上）まで延出させてＭＲメサ下接合部３２を形成し
たものである。ＭＲパタン３の上部はＭＲメサ上接合部
３１を介して上ポール６と磁気的に結合する。ＭＲパタ
ン３の下部はＭＲメサ下接合部３２を介して下ポール１
と磁気的に結合する。このように各接合部３１，３２を
設けているので、ＭＲパタン３の端部断面で磁気的に結
合する場合よりも、磁気的に結合する部分の面積を大幅
に増加させることができる。この磁気的結合部の面積増
加によって、ＭＲパタン３と上下の各ポール１，６と間
に磁気抵抗（リラクタンス）が低下して、ＭＲパタン３
を通過する信号磁束量が増加する。したがって、このよ
うな構造を採ることによって、ヨーク型ＭＲヘッドの信
号検出感度を上昇させることができる。
【００７７】図１１はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗
効果複合薄膜ヘッドの第６の実施形態を示す断面図、図
１２は同平面図である。図１１に示すように、この発明
に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドＦは、メサ
型パタン２を記録ギャップ７０に近い側に設けるととも
に、このメサ型パタン２で記録ギャップのスロートハイ
ト８を決定するようにしたものである。ＭＲパタン３
は、メサ型パタン２の後方側（記録ギャップから遠い
側）の斜面に形成している。メサ型パタン２上にコイル
パタン４を設けずに、ギャップ絶縁層７１上に形成され
たＭＲ絶縁層７２の上にコイルパタン４を設けている。
コイルパタン４を第２の段差解消層７４で覆ってコイル
パタン４の段差を解消し、最後に、上ポール６をフレー
ムめっき法にて形成する。
【００７８】このヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド
Ｆは、コイルパタン４とメサ型パタン２とがほぼ同一平
面状にあるため、第２の段差解消層７４の高さを低くす
ることが可能となり、最後に形成する上ポール６のめっ
きフレーム形成レジスト厚さを比較的薄く形成すること
ができる。したがって、記録トラック幅を規定する上ポ
ール６のポール先端幅を狭くするのに有利となる。
【００７９】図１２に示すように、メサ型パタン２の後
方側斜面に形成されたＭＲパタン３の端部と図示しない
電極とを接続するためのＭＲリードパターン３ａは、Ｍ
Ｒパタン３が設けられた斜面からその斜面に直交する側
方側の斜面２ｂへ延長され、側方側の斜面２ｂを介して
図示しない電極に接続される。
【００８０】なお、図１２に示した平面図では、ヨーク
型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの平面形状が図３におい
て上下対象であるため、その下半分側のみを示してい
る。また、図１２においては、内部構造を示すために上
ポール６を取り除いた状態を示している。このため、上
ポール６の形状を仮想線で示している。なお、仮想線の
位置は図示の都合上、実際の位置から少しずらして示し
ている。また、ギャップ絶縁層７１、各段差解消層７
３，７４は図示を省略している。さらに、ＭＲパタン３
ならびにＭＲリードパタン３ａは断面形状を示すもので
はないが、ＭＲパタン３ならびにＭＲリードパタン３ａ
の領域を明確にするためにハッチングを施している。
【００８１】図１３はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗
効果複合薄膜ヘッドの第７の実施形態を示す断面図であ
る。図１３に示すヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド
Ｇは、下ポール２を座繰った中にメサ型パタン２を形成
し、そのメサ型パタン２の記録ギャップ側の斜面２ａに
ＭＲパタン３を形成したものである。この記録ヘッドＧ
のスロートハイト８は、下ポールの座繰り部分で規定さ
れている。そのため、ＭＲパタン３は比較的スロートハ
イト８のすぐ近傍に置くことができ、ＭＲパタン３への
信号磁束の分流効率が高まる利点がある。さらに、第２
の段差解消層７４の高さを低くでき、記録ポールとして
の狭トラックパタンの形成が容易になる。下ポール１の
座繰り部のＭＲ絶縁層７２を形成し、このＭＲ絶縁層７
２の上にメサ型パタン２を形成している。このＭＲ絶縁
層７２によってＭＲパタン３の下端部と下ポール１との
間を電気的に絶縁している。メサ型パタン２の斜面にＭ
Ｒパタン３を形成した後に、座繰り部に非磁性材料を埋
め込み平坦化処理した後に、ギャップ絶縁層７１を形成
する。なお、ＭＲパタン３よりも前方側（記録ギャップ
７０側）の座繰り部に非磁性材料を埋め込み、メサ型パ
タン３よりも後方側の座繰り部に磁性材料を埋め込むよ
うにしてもよい。
【００８２】図１４はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗
効果複合薄膜ヘッドの第８の実施形態を示す断面図であ
る。図１４に示すヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド
Ｈは、図１３に示した第７の実施形態と同様に、下ポー
ル１に座繰り部を設け、その中にＭＲパタン３を設置す
るメサ型パタン２が形成されている。さらに、メサ型パ
タン２およびＭＲパタン３を形成後、座繰り部をアルミ
ナで埋め込み、たとえばラップ加工により平坦化処理を
行う。その平坦化処理された下ポール１の上に、記録ト
ラック幅を直接に規定する上ポール先付け部６４を形成
する。この形成時には平坦面上にめっきフレームをフォ
トレジストの露光現像法により形成するため、ほぼ理想
的な露光条件を選択できる。したがって、狭トラック幅
のめっきフレームを形成することが容易となる。上ポー
ル先付け部６４を形成した後、コイルパタン４を形成
し、次いで第２の段差解消層７４を形成し、最後に比較
的パタン寸法精度の制限の少ない上ポール６をフレーム
めっき法にて作製する。
【００８３】図１５はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗
効果複合薄膜ヘッドを用いて磁気ディスク装置の要部構
成を示す説明図である。磁気ディスク装置９０は、図１
等に示した構造の複合磁気ヘッド９１がスライダ基体９
２に取り付けられており、このスライダ基体９２を磁気
ディスク媒体９３上に保持し、磁気記録媒体９２を回転
させることにより磁気記録再生を行う。複合磁気ヘッド
９１は、ＭＲパタン３が磁気浮上面に露出していないの
で、複合磁気ヘッド９１が磁気ディスク媒体９３に接触
した場合でもサーマルアスペリティノイズの発生がな
い。したがって、信頼性の高い磁気ディスク装置９０が
実現できる。
【００８４】図１６はこの発明に係るヨーク型磁気抵抗
効果複合薄膜ヘッドを用いて磁気テープ装置の要部構成
を示す説明図である。磁気テープ装置９５は、図１等に
示した構造の複合磁気ヘッド９６がヘッド組立て体９７
に設けられており、このヘッド組立て体９７を磁気テー
プ９８に接触させ、磁気テープ９８を走行させることに
より磁気記録再生を行う。複合磁気ヘッド９６は磁気テ
ープ９８と常に接触しながら相対走行をしているが、ヨ
ーク型であるためにサーマルアスペリティノイズの無い
良好な再生信号波形が得られる。
【００８５】なお、本実施の形態では、磁気記憶装置と
して、磁気ディスク装置、磁気テープ装置について説明
したが、ロータリーヘッドを用いた磁気記憶装置につい
ても本発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド
を適用することができる。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように請求項１および請求
項２に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気抵抗効
果素子（ＭＲパタン）を介して上ポールと下ポールとを
磁気的に橋絡することで、磁気抵抗効果素子を介する分
流磁束経路を形成するようにしたので、この分流磁束経
路によって磁気記録情報の再生を行なうことができる。
上ポール，下ポールのいずれにも間隙部を有する構造で
はないため、請求項１に係るヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ドを記録用ヘッドとして用いる場合に、記録のための磁
束量を大きくできる。よって、記録能力を向上できる。
【００８７】請求項３に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、メサ型パタンの一斜面の設けた磁気抵抗
効果型感磁素子を介して上ポールと下ポールとを磁気的
に橋絡することで、磁気抵抗効果素子を介する分流磁束
経路を形成し、この分流磁束経路によって磁気記録情報
の再生を行なうことができる。上ポール，下ポールのい
ずれにも間隙部を有する構造ではないため、記録のため
の磁束量を大きくできる。よって、記録能力を向上でき
る。
【００８８】請求項４に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、メサ型パタンの一斜面に設けた磁気抵抗
効果型感磁素子に接するリードパタンを一斜面とほぼ直
交する他の斜面にまで延長し、その斜面を介して電極に
接続する構造としたので、リードパタンを確実に引き出
すことができる。
【００８９】請求項５に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、コイルパタンをメサ型パタン上に形成し
たので、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの前後方
向の寸法を小さくできる。
【００９０】請求項６に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、コイルパタンをメサ型パタン上に形成せ
ずにコイルパタンとメサ型パタンとをそれぞれ設ける構
造としたので、ヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの
高さ方向の寸法を小さくできる。さらに、コイルパタン
４とメサ型パタンとほぼ同一平面状に並設することで段
差小さくでき、上ポールのめっきフレーム形成レジスト
厚さを比較的薄くできる。したがって、記録トラック幅
を規定する上ポールのポール先端幅を狭くするのに有利
となる。
【００９１】請求項７に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、上ポール若しくは下ポールの膜厚を薄く
したので、上下の各ポールの直列リラクタンスを増加さ
せることでき、これにより磁気抵抗効果素子（ＭＲパタ
ン）に分流する磁束量が増大させることができる。よっ
て、磁気抵抗効果素子（ＭＲパタン）の再生出力を増加
させることができる。
【００９２】請求項８に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、上ポール若しくは下ポールの透磁率を小
さくしたので、上下の各ポール直列のリラクタンスが大
きくなる。この結果、磁気抵抗効果素子（ＭＲパタン）
へ分流する磁束量が増大し、再生出力が増加する。
【００９３】請求項９に係るヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドは、上ポール若しくは下ポールの透磁率を小
さくするとともに、飽和磁束密度を高くしたので、再生
出力を増加させるとともに記録能力を確保することがで
きる。
【００９４】請求項１０に係るヨーク型磁気抵抗効果複
合薄膜ヘッドは、下ポールの一部にスロートハイト決定
のための堀込部または凹部を形成し、堀込部または凹部
にメサ型パタンを設けたので、磁気抵抗効果素子（ＭＲ
パタン）をスロートハイトの比較的近傍に配置すること
ができ、磁気抵抗効果素子（ＭＲパタン）への信号磁束
の分流効率が高まる。また、ヨーク型磁気抵抗効果複合
薄膜ヘッドの高さ方向の寸法を小さくすることができ、
狭トラック化への対応が容易になる。
【００９５】請求項１１に係るヨーク型磁気抵抗効果複
合薄膜ヘッドは、上ポール先付け部を備える構造とした
ので、狭トラック幅のめっきフレームの形成が容易にな
る。
【００９６】請求項１２および請求項１３に係る磁気記
憶装置は、この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドを用いているので、サーマルアスペリティの発
生がない。よって、信頼性の高い磁気記憶装置を実現で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの第１の実施形態の模式構造を示す斜視図であ
る。
【図２】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの第１の実施の形態を示す断面図である。
【図３】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの第１の実施の形態を示す平面図である。
【図４】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの動作原理を示す説明図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は、この発明に係るヨーク
型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの製造方法を示す説明図
（その１）である。
【図６】図６（ｅ），（ｆ）は、この発明に係るヨーク
型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドの製造方法を示す説明図
（その２）である。
【図７】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの第２の実施形態を示す断面図である。
【図８】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの第３の実施形態を示す断面図である。
【図９】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜
ヘッドの第４の実施形態を示す断面図である。
【図１０】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドの第５の実施形態を示す要部断面図である。
【図１１】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドの第６の実施形態を示す断面図である。
【図１２】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドの第６の実施形態を示す平面図である。
【図１３】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドの第７の実施形態を示す断面図である。
【図１４】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドの第８の実施形態を示す断面図である。
【図１５】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドを用いて磁気ディスク装置の要部構成を示す説
明図である。
【図１６】この発明に係るヨーク型磁気抵抗効果複合薄
膜ヘッドを用いて磁気テープ装置の要部構成を示す説明
図である。
【図１７】従来のシールド型ＭＲヘッドの構造を示す断
面図である。
【図１８】従来のヨーク型ＭＲヘッドの構造を示す断面
図である。
【符号の説明】
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ ヨーク型磁気抵抗効
果複合薄膜ヘッド １ 下ポール １ａ 下ポール低透磁率部 １ｂ 下ポール座繰り埋め込み部 １ｃ 下ポール薄膜部 ２ メサ型パタン ３ ＭＲパタン（磁気抵抗効果素子） ４ コイルパタン ６ 上ポール ６ａ 上ポール低透磁率部 ６ｃ 上ポール薄膜部 ８ スロートハイト ６４ 上ポール先付け部 ７０ 記録ギャップ ７１ ギャップ絶縁層 ７２ ＭＲ絶縁層 ７３，７４ 段差解消層 ９０ 磁気ディスク装置 ９１，９６ 複合磁気ヘッド ９２ スライダ基体 ９５ 磁気テープ装置 ９７ ヘッド組立体 ９８ 磁気テープ

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上ポールの前端と下ポールの前端との間
    に磁気ギャップを形成するとともに、上ポールの後端と
    下ポールの後端とを磁気的に結合して磁束経路を形成
    し、前記磁気ギャップの位置よりも奥側に磁気抵抗効果
    素子を設け、この磁気抵抗効果素子を介して前記上ポー
    ルと前記下ポールとを磁気的に橋絡することで分流磁束
    経路を形成したことを特徴とするヨーク型磁気抵抗効果
    ヘッド。
  2. 【請求項２】 上ポールの前端と下ポールの前端との間
    に磁気ギャップを形成するとともに、上ポールの後端と
    下ポールの後端とを磁気的に結合して磁束経路を形成
    し、前記磁気ギャップの位置よりも奥側に磁気抵抗効果
    素子を前記上ポールと前記下ポールとを磁気的に橋絡す
    るように設け、前記上ポールと前記下ポールとの間に書
    き込み用のコイルを設けたことを特徴とするヨーク型磁
    気抵抗効果ヘッド。
  3. 【請求項３】 下ポール、記録ギャップ絶縁層、コイル
    パタン、上ポールよりなるヨーク型磁気抵抗効果複合薄
    膜ヘッドにおいて、下ポールと上ポール間に絶縁材料か
    らなり斜面を有するメサ型パタンを設け、このメサ型パ
    タンの一斜面を記録ギャップのスロートハイトよりも奥
    に配置し、前記一斜面に磁気抵抗効果型感磁素子を設
    け、且つ上ポールおよび下ポールに磁気的間隙を有しな
    いことを特徴とするヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】 前記メサ型パタンの一斜面に設けた前記
    磁気抵抗効果型感磁素子に接するリードパタンは、前記
    一斜面とほぼ直交する他の斜面にまで延長され、その斜
    面を介して電極に接続されていることを特徴とする請求
    項３記載のヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記コイルパタンは前記メサ型パタン上
    に形成されていることを特徴とする請求項３記載のヨー
    ク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記コイルパタンは前記メサ型パタンに
    並接して形成されていることを特徴とする請求項３記載
    のヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記上ポール若しくは前記下ポールの少
    なくとも何れか一方において、前記磁気抵抗効果型感磁
    素子を設けたメサ型パタン斜面よりも磁気ギャップから
    離れた一部分の膜厚をそれ以外の部分よりも薄くしたこ
    とを特徴とする請求項３記載のヨーク型磁気抵抗効果複
    合薄膜ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記上ポール若しくは前記下ポールの少
    なくとも何れか一方において、前記磁気抵抗効果型感磁
    素子を設けたメサ型パタン斜面よりも磁気ギャップから
    離れた一部分の磁気特性としての透磁率をそれ以外の部
    分よりも小さくしたことを特徴する請求項３記載のヨー
    ク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記上ポール若しくは前記下ポールの少
    なくとも何れか一方において、前記磁気抵抗効果型感磁
    素子を設けたメサ型パタン斜面よりも磁気ギャップから
    離れた一部分の磁気特性としての透磁率をそれ以外の部
    分よりも小さくし、且つ飽和磁束密度を高くしたことを
    特徴とする請求項３記載のヨーク型磁気抵抗効果複合薄
    膜ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記下ポールの一部にスロートハイト
    決定のための堀込部または凹部を形成し、前記堀込部ま
    たは凹部に前記メサ型パタンを設けたことを特徴とする
    請求項３記載のヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記下ポールの一部にスロートハイト
    決定のための堀込部または凹部を形成し、前記堀込部ま
    たは凹部に前記メサ型パタンを設け、しかる後に前記メ
    サ型パタンの斜面に前記磁気抵抗効果型感磁素子を設
    け、前記堀込部または凹部を非磁性絶縁体にて被覆平坦
    化処理後、ギャップ絶縁層を形成し、その後前記上ポー
    ルの先端部分となる上ポール先付け部を形成した後に、
    コイルパタンおよび上ポールを形成したしたことを特徴
    とする請求項３記載のヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘ
    ッド。
  12. 【請求項１２】 下ポールと上ポール間に絶縁材料から
    なり斜面を有するメサ型パタンを設け、このメサ型パタ
    ンの一斜面は記録ギャップのスロートハイトよりも奥に
    配置し、前記一斜面に磁気抵抗効果型感磁素子を設け、
    且つ前記上ポールおよび前記下ポールに磁気的間隙を有
    しないヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドをスライダ
    ー基体に設け、このスライダーを円盤状磁気記録媒体上
    に保持し、前記円盤状磁気記録媒体を回転させることに
    より磁気記録再生を行うことを特徴とする磁気記憶装
    置。
  13. 【請求項１３】 下ポールと上ポール間に絶縁材料から
    なり斜面を有する絶縁メサ型パタンを設け、このメサ型
    パタンの一斜面は記録ギャップのスロートハイトよりも
    奥に配置し、前記一斜面に磁気抵抗効果型感磁素子を設
    け、且つ前記上ポールおよび前記下ポールに磁気的間隙
    を有しないヨーク型磁気抵抗効果複合薄膜ヘッドをヘッ
    ド組立て体に設け、このヘッド組立て体を磁気テープに
    接触させ、磁気テープを走行させることにより磁気記録
    再生を行うことを特徴とする磁気記憶装置。
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