JPH11316920A - 磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】漏れ磁束によるノイズを書込みトラックの幅方
向外側に書込むことのない磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
を提供すること。 【解決手段】再生下ギャップ１３と再生上ギャップ１８
の間に配置されたＭＲ素子１７ａを有する再生用ヘッド
の上シールド層１９の上面に断面が矩形の書込み下ポー
ル２０を設け、その上に書込みギャップ２１及び書込み
上ポール２２を設けてなる磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
の記録用ヘッドにおいて、書込み下ポール２０の高さＨ
を０．４μｍ以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク記憶
装置（ハードディスク）等に用いられる磁気ヘッドに係
り、特に再生用ヘッドの上シールド層を記録用ヘッドの
下コアとして用いるシールド型の磁気抵抗効果薄膜磁気
ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、下シールド層と上シールド層
との間の再生ギャップ中に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）を配置した再生用ヘッドと、この再生用ヘッドの直
上に設けられて上シールド層を下コアとして兼用すると
ともに、下コアの上に書込みギャップを介して上コアを
設けた記録用ヘッドとを有する磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
ッドが知られている。この磁気ヘッドにおいては、下コ
アを兼ねる上シールド層の上面が平坦であるため、下コ
アの幅は上コアの幅よりも大きくなる。従って、記録時
において書込みギャップに誘起される書込磁界は下コア
側で広がり、トラック密度が低くなるという問題を有し
ていた。

【０００３】この問題に対処するため、特開平７―２９
６３３１号公報に記載された磁気ヘッドは、図１０に示
すように、下シールド層１００、ＭＲ素子１０２、上シ
ールド層１０４からなる再生用ヘッド１１０の上シール
ド層１０４の上部に断面が矩形であって上コア１１２と
同じ幅Ｗ（書込みトラック幅）を有する突起部１１４
（これを書込み下ポールという）を設けて記録用ヘッド
１２０を形成することにより、書込磁界の広がりを防止
している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た書込み下ポールを設けた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド
であっても、図１１（Ａ）に示すように磁気記録媒体上
に書込んだ磁気情報（信号）の書込みトラック幅Ｗの両
端部外方に余分な情報Ｎを書込んでしまう場合があるこ
とが判明した。これは、高磁束密度を有する漏れ磁束
（フリンジ）によるものである。余分な情報Ｎを書込ん
でしまうヘッドに対しては、隣接するトラック間の距離
（ガードバンド）を大きく取らざるを得ないため、トラ
ック密度をより向上することができない。従って、本発
明の目的は、トラック密度の一層の向上を可能とするた
めに、漏れ磁束による余分な信号を書込むことがない磁
気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

【０００５】

【発明の概要】本発明は、上記した余分な情報Ｎの書込
みは下コアを形成する上シールド層の上面に設けられた
書込み下ポールの高さに依存するという知見に基づいた
ものであり、書込み下ポールを適切な高さとすることに
より上記目的を達成する。

【０００６】即ち、本発明の第１の特徴は、基板上に絶
縁膜を介して設けた下シールド層と上面が略平坦面に形
成されるとともに下コアを形成する上シールド層との間
に配置した磁気抵抗効果素子からなる再生用ヘッドと、
上シールド層の上面であって再生用ヘッドの直上位置に
所定の高さ及び書込みトラック幅と略同一の幅を有する
断面が矩形の突起部を設けて書込み下ポールを形成する
とともに同書込み下ポールの上面に書込みギャップを介
して書込み上ポールを設け、同書込み上ポールの上面に
上コアを配置してなる記録用ヘッドとを有する磁気抵抗
効果薄膜磁気ヘッドにおいて、書込み下ポール（突起
部）の所定の高さを、記録用ヘッドが磁気記録媒体上に
書込みトラック幅の磁気情報を書込んだ際に、同磁気情
報のトラック幅方向両端部外方に漏れ磁束による書込み
信号が生じない高さとしたことにある。

【０００７】また、第２の特徴は、第１の特徴を有する
磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて、書込み下ポール
の所定の高さを０．４μｍ以上としたことにある。

【０００８】図９は、磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドによ
る磁気記録媒体上の磁束密度分布（ヘッド中央から左側
のみ）を、書込み下ポールの高さＨを０．０μｍから
０．８μｍまで０．２μｍ毎に変更した各場合について
示している。この図から明らかなように、書込み下ポー
ルの高さＨが０．０μｍ又は０．２μｍの場合には１５
００Ｇ以上の高磁束密度領域は書込みトラックＬ（＝Ｗ
／２）の幅方向外側にも生じているが、書込み下ポール
の高さＨが０．４μｍ以上になると同高磁束密度領域は
書込みトラックＬ内のみに生じている。また、高さＨが
０．４μｍ以上の領域では同高密度領域に大きな変化は
見られない。以上より、本発明の第１，第２の特徴を有
する磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドは、書込み下ポールの
高さが適切な値に設定されているため、漏れ磁束による
余分な情報をトラック外部に書込んでしまうことがない
ものとなっていることが解る。

【０００９】また、本発明の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッ
ドのように、上シールド層の上に書込み下ポールを形成
する突起部を設けた構造においては形状異方効果が起り
やすくなり、その部分で磁化（図１０に矢印で示す。）
が分極し、磁壁が生じる。この磁壁は上シールド層内を
通過する磁界により移動しやすい性質を有し、書込みが
終了して書込磁界が消滅した後も、安定な磁区に戻ろう
として移動する。磁壁の移動は磁気抵抗効果素子に対す
る磁界の変化を生じさせるので、磁気抵抗効果素子が記
録媒体上の情報を読込もうとする際のノイズの原因にな
る。そこで、本発明の第３の特徴においては、書込み下
ポールを上シールド層よりも飽和磁束密度の高い材料よ
り形成した。

【００１０】即ち、書込み磁束は磁束飽和密度の高い材
料中により多く流れるので、第３の特徴によれば書込み
下ポールに書込み磁束が多く流れて上シールド層へ流れ
る磁束が減少する。従って、上シールド層における磁壁
移動が発生しにくくなるので、磁気抵抗効果素子が記録
媒体上の情報を読込もうとする際のノイズが抑制され
る。

【００１１】更に、書込み下ポール（突起部）の高さが
大きくなりすぎると、上シールド層と突起部分とからな
る磁性層全体の凹凸が大きくなりすぎるために新たな磁
壁が形成され、ノイズ発生の原因となる。そこで、本発
明の第４の特徴においては、書込み下ポールの所定の高
さを上シールド層の厚さの１／４以下に設定して、新た
な磁壁の形成を抑制した。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１に斜視図が、図２（Ａ）に正
面図及び図２（Ｂ）に縦断面図が示された本発明の磁気
抵抗効果薄膜磁気ヘッドに係る実施形態においては、ア
ルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等のセラミック材料で構
成されたウエハであって後にカットされてスライダを構
成する基板１０の上にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の非磁性
絶縁膜の保護層１１が形成されている。保護層１１の上
にはニッケル−鉄合金であるパーマロイ等の軟磁性膜で
ある下シールド層１２、絶縁膜（アルミナ等）からなる
再生下ギャップ１３が順に積層されている。再生下ギャ
ップ１３の上には、ＣｏＣｒＰｔ等からなる左右一対の
バイアス磁石膜１４ａ，１４ｂ及び電気導電膜１５ａ，
１５ｂが台形状の溝Ｍ（図４（Ａ）参照）を挟んで対向
して成膜している。尚、バイアス磁石膜１４ａ，１４ｂ
及び電気導電膜１５ａ，１５ｂは、一対のリード１６
ａ，１６ｂを形成する。

【００１３】一対のリード１６ａ，１６ｂの間には、Ｃ
ｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ等）の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔ
ｉ等からなるスペーサ、及びニッケル−鉄合金等からな
るＭＲ膜の積層体からなる薄膜のＭＲ素子１７ａが配置
されている。ＭＲ素子１７ａは、リード１６ａ，１６ｂ
が作る台形状の溝Ｍの傾斜面および台形状の溝Ｍの底面
部分に露出している再生下ギャップ１３の上面にかけて
成膜される。また、ＭＲ素子１７ａの薄膜の端部が磁気
記録媒体（メディア）の対向面Ａ（図２（Ｂ）参照）に
露出し、かつＭＲ素子１７ａの薄膜面は対向面Ａに対し
て垂直に構成されている。

【００１４】ＭＲ素子１７ａ、左右のリード１６ａ，１
６ｂ、及びその周囲に露出している再生下ギャップ１３
の上にはアルミナ等からなる絶縁膜であって再生下ギャ
ップ１３とともに再生ギャップを構成する再生上ギャッ
プ１８が形成されている。従って、ＭＲ素子１７ａは再
生ギャップ内に配置されていることになる。

【００１５】再生上ギャップ１８の上には、ニッケル−
鉄合金である８１パーマロイ等の高透磁率材料（軟磁性
膜）からなる上シールド兼下コア（上シールド層）１９
が積層している。この上シールド兼下コア１９は再生用
ヘッドのシールド層であるので、下シールド層１２から
上シールド兼下コア１９までが再生ヘッドを構成してい
ることになる。

【００１６】また、上シールド兼下コア１９は、厚さが
略一定であって上面が略平坦面に形成され、その上面
の、ＭＲ素子１７ａ薄膜面垂直上方位置であって後述す
る書込み上ポール２２に対向する位置には、断面が矩形
（高さＨ，幅Ｗ）の突起部（凸部）からなる書込み下ポ
ール２０が形成されている。尚、上シールド兼下コア１
９上面から突出した断面矩形の突起部をメサ（丘）と称
し、こうした構造をメサ構造と呼ぶ。

【００１７】書込み下ポール２０の上部には、アルミナ
等の絶縁膜からなる書込みギャップ２１が成膜されてい
る。書込みギャップ２１の上部であって磁気記録媒体対
向面Ａ側には、ニッケル成分を４０〜５５重量％含有し
たニッケル−鉄合金（４５パーマロイ）等の高透磁率材
料からなる書込み上ポール２２が形成されている。書込
み上ポール２２の幅は書込み下ポール２０の幅Ｗと略同
一であって、この幅Ｗがいわゆる書込みトラック幅（磁
気記録媒体上に磁気情報を書込んだ際の信号幅）となる
（図１１参照）。

【００１８】書込み下ポール２０、書込みギャップ２
１、及び書込み上ポール２２は、アルミナ等からなる絶
縁膜２７により包囲されていて、絶縁膜２７の上には上
コア２３が形成されている。上コア２３は、その先端部
が書込み上ポール２２の直上に設けられるとともに、磁
気記録媒体対向面Ａから後退した位置において先端部と
略同一厚さのまま積層面方向に広がり、縦断面において
弓形形状をなしている。上コア２３は上シールド兼下コ
ア１９とともに磁路を形成し、上コア２３と上シールド
兼下コア１９間には絶縁層２４に埋設されたコイル２５
が貫通している。また、上コア２３及び絶縁層２４は保
護層２６によって被覆されている（図２（Ｂ）参照）。
尚、上シールド兼下コア１９から上コア２３までが、記
録用ヘッドを構成する。

【００１９】以上の構成を有する磁気抵抗効果薄膜磁気
ヘッドは、ＭＲ素子１７ａに生じる磁気記録媒体の作る
外部磁界の変化に対応した磁気抵抗変化分をリード１６
ａ，１６ｂを介して電圧降下として取出すことにより磁
気情報を再生し、書込み上ポール２２と書込み下ポール
２０が書込みギャップ２１を介して形成する書込磁界に
より磁気記録媒体上に磁気情報を書込む（記録する）。

【００２０】次に、上記した書込み下ポール２０の高さ
Ｈ（図２（Ａ）に特に示される突起部２０の上シールド
兼下コア上面１９ｂからの高さＨ）と磁気記録媒体上に
作られる磁束密度の分布の関係を、書込み下ポール２０
の高さＨを０．０μｍから０．８μｍまで０．２μｍ毎
に変化させた各場合について示した図９を参酌して説明
する。尚、図９においては、幅Ｗを有する書込みトラッ
クの左半面側における磁束密度分布が示されている。即
ち、図中の一点鎖線が記録用ヘッド（書込み上ポール２
２，書込み下ポール２０）の左右方向（書込みトラック
幅方向）の中心線を示し、中心線から距離Ｌまでが正規
の書込みトラック幅Ｗの１／２に相当している。

【００２１】図９から明らかなように、書込み下ポール
２０の高さＨが０．０μｍ及び０．２μｍの場合には１
５００Ｇ以上の高磁束密度領域が書込みトラックの幅方
向外側にも生じていが、０．４μｍ以上になると１５０
０Ｇ以上の高磁束密度領域は書込みトラックの幅内のみ
に生じている。また、高さが０．４μｍ以上の領域
（０．４，０．６，０．８μｍ）では高密度領域に大き
な変化は見られない。書込み下ポール２０の高さＨが
０．４μｍ未満の場合に、高磁束密度領域が書込みトラ
ックの幅方向外側近傍に滲み出るのは漏れ磁束によるも
のであって、トラック密度が高い場合（隣接するトラッ
ク間の間隔であるトラックバンドが小さい場合）には、
この漏れ磁束が隣接するトラックに余分な情報を書込ん
でしまう。従って、トラック密度を増大するためには、
書込み下ポール２０の高さＨを０．４μｍ以上に設定す
る必要がある。

【００２２】即ち、書込み下ポール２０の高さＨを、同
書込み下ポールを有する記録用ヘッドが磁気記録媒体上
に所定書込みトラック幅Ｗ（書込み下ポール２０及び書
込み上ポール２２で決定される）の磁気情報を書込んだ
際に、同磁気情報のトラック幅方向両端部外方に漏れ磁
束による書込み信号が生じない高さとすることによっ
て、磁気記録密度を高めることのできる磁気抵抗効果薄
膜磁気ヘッドが得られる。このような磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドによれば、磁気記録媒体上に図１１（Ａ）に
示したように書込みトラックの幅方向両端部外方に余分
な磁気情報（信号）Ｎを書込むことがなく、図１１
（Ｂ）に示したように磁気情報をトラックの幅Ｗ内に正
確に書込むことが可能となる。

【００２３】尚、上記した上シールド兼下コア１９の材
料は、書込み時には書込み磁界を通過させ易く、再生時
には外部磁界を通過させ易いように、透磁率の高い軟磁
気特性を有するもの（ここでは、ニッケル−鉄合金であ
る８１パーマロイを採用）が望ましい。

【００２４】一方、書込み下ポール２０は、上シールド
兼下コア１９よりも飽和磁束密度の高い材料、例えばＮ
ｉ組成を４４〜５５％に設定したニッケル−鉄合金（４
５パーマロイ）、ＣｏＺｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ（センダ
スト）等により形成してもよい。これにより、書込み磁
束は磁束飽和密度の高い材料中により多く流れるため、
書込み下ポール２０に書込み磁束が多く流れて上シール
ド兼下コア１９へ流れる磁束が減少する。従って、上シ
ールド兼下コア１９における磁壁移動が発生しにくくな
り、磁壁の移動による再生ヘッド（ＭＲ素子１７ａ）へ
のノイズの発生が効果的に防止できる。

【００２５】また、磁気記録媒体対向面Ａ位置において
上シールド兼下コア１９自体の厚さ（図２（Ａ）に示し
た書込み下ポール２０を除いた厚さＬ１）はある程度は
必要であるものの、これが厚すぎると（例えば４．０μ
ｍ以上となると）書込みギャップ２１とＭＲ素子１７ａ
との間隔が大きくなる。この間隔が非常に大きいと、磁
気記録媒体の周方向に対する磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッ
ドの角度が大きくならざるを得ない径方向位置におい
て、記録用ヘッドにより書込んだトラック上の磁気情報
の位置とＭＲ素子で再生する磁気情報の位置に大きなず
れが生じるため、正常に再生できなくなったり、読込も
うとするトラックの隣りの信号を読込んでしまったりす
る不具合が発生する。以上を考慮すると、上シールド兼
下コア１９の厚さは１．５μｍ〜４．０μｍの範囲内に
設定するのが望ましい（トラック幅よりも小さく設定す
る）。

【００２６】更に、書込み下ポール２０の高さＨ（厚
さ）をあまり大きくすると、上シールド兼下コア１９及
び書込み下ポール２０からなる磁性層内に有害な磁壁が
新たに発生する。このため、書込み下ポール２０の高さ
Ｈを上シールド兼下コア１９の厚さの１／４以下に設定
することが望ましい。

【００２７】次に、以上に説明した本発明の磁気ヘッド
の実施形態の製造工程について、図３から図８までを参
酌して説明する。 （１）先ず、図３（Ａ）に示すように、後にスライダと
なる基板（アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等）１０上
にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁膜である保護層１１を
成膜し、この保護層１１の上に下シールド層（パーマロ
イ等の軟磁性膜）１２を堆積した後、再生下ギャップ１
３をなす絶縁膜（アルミナ等）をスパッタ等で堆積して
素子の基板を形成する。

【００２８】（２）次に、図３（Ｂ）に示すように、再
生下ギャップ１３の上面にＣｏＣｒＰｔ等のバイアス磁
石膜１４とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導電膜１５をスパッ
タ、蒸着あるいは電気メッキにより積層してリード層１
６を形成する。

【００２９】（３）次に、図３（Ｃ）に示すように、電
気導電膜１５の上面にレジストを塗布した後、ＭＲ素子
１７ａが形成される部分の上方に位置する部分を除去
（レジストカット）して、一対のレジストＲａ，Ｒｂを
形成する。尚、一対のレジストＲａ，Ｒｂ間の空間を溝
部Ｍと称する。 （４）その後、一対のレジストＲａ，Ｒｂの対向面（溝
部Ｍとの境界面）上部の角部を溶融（レジストフロー）
によりなだらかな形状とする。これにより、レジストＲ
ａ，Ｒｂの対向面は電気導電膜１５の上面に対して傾斜
する。即ち、レジストＲａ，Ｒｂは溝部Ｍの中央に向う
につれて次第に薄くなるように形成され、溝部Ｍを逆台
形形状とする（図示省略）。

【００３０】（５）続いて、図４（Ａ）に示すように、
全面（上面）にイオンミリングを行い（プラズマ化した
アルゴンイオンを照射）、一対のリード１６ａ，１６ｂ
を形成する。尚、イオンミリング工程では、レジストＲ
ａ，Ｒｂ、電気導電膜１５及びバイアス磁石膜１４を一
括してエッチングするため、溝部Ｍが逆台形形状とな
る。

【００３１】（６）次いで、図４（Ｂ）に示すように、
ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ）等の軟磁性膜であるＳＡＬ、
Ｔｉ等からなるスペーサ、及びニッケル−鉄合金等から
なるＭＲ膜を全面に対して積層してＭＲ素子層１７を形
成する。

【００３２】（７）この後、図４（Ｃ）に示すように、
ＭＲ素子層１７上にレジストＲｃを塗布する。このと
き、レジストＲｃの形状を、形成すべきＭＲ素子１７ａ
のパターンに合致させておく。即ち、形成すべきＭＲ素
子１７ａの直上位置にのみレジストＲを塗布する。この
結果、レジストＲｃは溝部Ｍ内であって略正方形状をな
し、対向する一組の辺の端部が溝部Ｍの傾斜面途中に位
置するように塗布される。

【００３３】（８）次に、図５（Ａ）に示すように、イ
オンミリングによりＭＲ素子層１７の不要部分を除去し
て、ＭＲ素子１７ａを矩形の平面形状にカットする。こ
れにより、ＭＲ素子１７ａはその左右両端部がリード１
６ａ，１６ｂの傾斜面の途中でカットされた状態に形成
される。

【００３４】（９）続いて、図５（Ｂ）に示すように、
ＭＲ素子１７ａ、左右のリード１６ａ，１６ｂ、及びそ
の周囲に露出している再生下ギャップ１３の上にアルミ
ナ等からなる絶縁膜を堆積させて再生上ギャップ１８を
形成する。 （１０）次に、図５（Ｃ）に示すように、再生上ギャッ
プ１８の上に軟磁性膜（ニッケル−鉄合金等の８１パー
マロイ等）を堆積して下地メッキ層１９ａを形成する。

【００３５】（１１）この後、図６（Ａ）に示すよう
に、下地メッキ層１９ａと同等のニッケル−鉄合金等の
軟磁性膜を電気メッキ等により所定の厚さに堆積して上
シールド兼下コア（上シールド層）１９を形成する。 （１２）次いで、図６（Ｂ）に示すように、上シールド
兼下コア１９の上面を研磨して、上シールド兼下コア１
９の上面を平坦化する。 （１３）続いて、図６（Ｃ）に示すように、上シールド
兼下コア１９の上にアルミナ等からなる絶縁膜をスパッ
タ等で堆積して書込みギャップ２１を形成する。

【００３６】（１４）次いで、図７（Ａ）に示すよう
に、書込みギャップ２１の上の端部（図２における磁気
記録媒体対向面Ａ側、即ち磁気記録媒体を臨む位置）で
あって、ＭＲ素子１７ａの直上位置にニッケル−鉄合金
（４５パーマロイ、又は８１パーマロイ）等の高透磁率
材料からなる書込み上ポール２２を形成する。

【００３７】（１５）次に、図７（Ｂ）に示すように、
イオンミリングを行い（プラズマ化したアルゴンイオン
を上方から照射する）、書込み下ポール２０を形成す
る。即ち、このイオンミリング時には書込み上ポール２
２がマスクとなるため、書込み上ポール２２の直下部の
上シールド兼下コア１９が残されて書込み下ポール２０
となり、上シールド兼下コア１９の他の部分は削られ
る。この結果、書込み上ポール２２の幅と略等しい幅、
即ち書込みトラック幅Ｗを有する断面が矩形の突起部
（書込み下ポール２０）が形成される。ここで、イオン
ミリングの実行時間は、形成される書込み下ポールの高
さＨが、０．４μｍとなるように設定しておく。

【００３８】イオンミリングの結果、上シールド兼下コ
ア１９の上面は、書込み下ポール２０の根元から遠ざか
るにつれて僅かに下方に傾斜した傾斜面１９ｂとなるよ
うに削られる。このとき、ＭＲ素子１７ａ直上であっ
て、上シールド兼下コア１９の書込み下ポール２０根元
部から再生上ギャップ１８上面までの距離Ｌ１（図２
（Ａ）参照）、即ち上シールド兼下コア１９の厚さが
１．５μｍ〜４．０μｍとなるように形成する。このこ
とは、上述した図６（Ａ）に示した工程（１１）及び図
６（Ｂ）に示した工程（１２）において、上シールド兼
下コア１９を工程（１５）におけるイオンミリングによ
り削り取られる分だけ厚く形成しておく必要があること
を意味する。

【００３９】（１６）続いて、図８（Ａ）に示すよう
に、全面にアルミナ等からなる絶縁膜２７をスパッタ等
で堆積させて、書込み上ポール２２を埋設する。 （１７）次に、図８（Ｂ）に示すように、堆積された絶
縁膜２７を書込み上ポール２２の先端部の上面まで研磨
して、絶縁膜２７の上面を平坦化する。これにより、書
込み上ポール２７の周囲は絶縁膜２７で包囲される。 （１８）その後、図１に示すように、絶縁膜２７の上に
絶縁層２４及びコイル２５を形成した後、絶縁層２４及
びコイル２５を跨ぐようにして上コア２３を形成する。
最後に図２に示すように、保護膜２６を被せてシールド
型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを作製する。

【００４０】上述の製造方法においては、書込み下ポー
ル２０は上シールド兼下コア１９と同一材料となるが、
形状異方効果を抑制するために書込み下ポール２０を上
シールド兼下コア１９よりも飽和磁束密度の高い材料に
より形成する場合には、上記の図６（Ｃ）の工程（１
３）から図７（Ｂ）の工程（１５）に代えて別途の工程
を設ける。

【００４１】即ち、 （Ａ―１）平坦化された上シールド兼下コア１９の上面
に、ＣｏＺｒＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ（センダスト）を真空
装置内で幅Ｗの島状に成膜し、又は４５パーマロイを電
気メッキにより幅Ｗの島状に成膜して下書込みポール２
０を形成する。 （Ａ―２）次に、基板全面に対してアルミナ等の絶縁膜
を成膜し、書込み下ポール２０の高さＨを０．４μｍと
するまで研磨する。これにより、書込み下ポール２０の
周囲は残された絶縁膜で包囲される。 （Ａ―３）次いで、アルミナ等の絶縁膜を成膜して書込
みギャップ２１を形成し、書込みギャップ２１の上に書
込み上ポール２２を形成する。以降は上述の図８（Ａ）
の工程（１６）以降を実施する。

【００４２】以上、本発明の実施形態について説明して
きたが、種々の変形が可能である。例えば、本発明の再
生ヘッドに使用する素子はＭＲ素子に限らず、いわゆる
ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）を採用することが
できる。この場合、磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの構造
自体は本実施形態と同一であり、ＭＲ素子１７ａをＧＭ
Ｒ素子に置換すればよい。尚、ＧＭＲ素子についても、
基本的には３つの層からなる。即ち、ＧＭＲ素子は外部
磁界に応じて磁化の向きが変化する自由層と、所定の固
定した向きに磁化されている固着層と、その間に挟まれ
たスペーサ層とが重ね合わされて構成されて、自由層の
磁化の向きに応じてスペーサ層が呈する電気抵抗の大き
さが変化するものである。この抵抗の大きさは、ＧＭＲ
素子にセンス電流（検出電流）ＩＳをリード１６ａ，１
６ｂの電気伝導膜１５ａ，１５ｂから流したときの電圧
降下として検出される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
実施形態の斜視図である。

【図２】 （Ａ）は図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気
ヘッドの正面図、（Ｂ）は同ヘッドの縦断面側面図
（（Ａ）のＩ−Ｉ断面図）である。

【図３】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。

【図４】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。

【図５】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。

【図６】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。

【図７】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。

【図８】 図１に示した磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。

【図９】 磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの書込み下ポー
ル高さに対する（漏洩）磁束密度分布図である。

【図１０】 書込み下ポールを有する磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドの概略断面図である。

【図１１】 本発明および従来の技術によって磁気記録
媒体上に書込まれた情報（信号）の様子を示す図である
（（Ａ）は従来、（Ｂ）は本発明によるものを示す）。

【符号の説明】

１０…基板、１１…保護層（絶縁膜）、１２…下シール
ド層、１３…再生下ギャップ、１７ａ…ＭＲ素子、１８
…再生上ギャップ、１９…上シールド兼下コア（上シー
ルド層）、２０…書込み下ポール（メサ構造）、２１…
書込みギャップ、２２…書込み上ポール、２３…上コ
ア、２５…コイル。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に絶縁膜を介して設けた下シールド
   層と上面が略平坦面に形成されるとともに下コアを形成
   する上シールド層との間に配置した磁気抵抗効果素子か
   らなる再生用ヘッドと、 前記上シールド層の上面であって前記再生用ヘッドの直
   上位置に所定の高さ及び書込みトラック幅と略同一の幅
   を有する断面が矩形の突起部を設けて書込み下ポールを
   形成するとともに同書込み下ポールの上面に書込みギャ
   ップを介して書込み上ポールを設け、同書込み上ポール
   の上面に上コアを配置してなる記録用ヘッドとを有する
   磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記書込み下ポールの所定の高さを、前記記録用ヘッド
   が磁気記録媒体上に前記書込みトラック幅の磁気情報を
   書込んだ際に、同磁気情報の前記トラック幅方向両端部
   外方に漏れ磁束による書込み信号が生じない高さとした
   ことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】請求項１に記載の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘ
   ッドにおいて、前記書込み下ポールの所定の高さを０．
   ４μｍ以上としたことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜磁
   気ヘッド。
3. 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の磁気抵抗効
   果薄膜磁気ヘッドにおいて、前記書込み下ポールを前記
   上シールド層よりも飽和磁束密度の高い材料により形成
   したことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】請求項１から請求項３の何れか一項に記載
   の磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいて、前記書込み下
   ポールの所定の高さを前記上シールド層の厚さの１／４
   以下に設定したことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜磁気
   ヘッド。