JP2001110010A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録ヘッドの記録動作に起因する再生ヘッド
におけるノイズおよび出力変動を低減できるようにす
る。 【解決手段】 再生ヘッドは下部シールド層３とＭＲ素
子５と上部シールド層（下部磁極層）８を有している。
記録ヘッドは、下部磁極層（上部シールド層８）と、上
部磁極層１３と、２つの磁極層の磁極部分の間に設けら
れた記録ギャップ層１２と、２つの磁極層の間に設けら
れた薄膜コイル１０を有している。上部シールド層８
は、薄膜コイル１０に対向する位置に配置された第１の
層８ａと、磁極部分を形成する第２の層８ｂを有してい
る。第１の層８ａの中には、ＭＲ素子５と上部シールド
層８の磁極部分との間の位置に、そのエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さが、ＭＲ素子
５のエアベアリング面３０側の端部から反対側の端部ま
での長さよりも大きい非磁性層２０が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、再生ヘッドと記録
ヘッドとを備えた複合型の薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。
【０００３】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を
挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極の
エアベアリング面での幅、すなわちトラック幅を数ミク
ロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造
の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するた
めに半導体加工技術が利用されている。
【０００４】ここで、図１６ないし図１９を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図１６ないし図１９において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【０００５】この製造方法では、まず、図１６に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ 2Ｏ3・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よ
りなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆
積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる
再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【０００６】次に、下部シールド層１０３の上に、例え
ばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積
し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形
成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、
再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成す
る。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ
素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を
形成する。
【０００７】次に、下部シールドギャップ膜１０４およ
びＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールド
ギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【０００８】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方
に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部
磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成す
る。
【０００９】次に、図１７に示したように、下部磁極層
１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録
ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的
にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成す
る。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上
に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１
１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このと
き同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａ
の上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１
９を形成する。
【００１０】次に、図１８に示したように、上部磁極チ
ップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、
記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチング
する。図１８（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上
部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下
部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形
成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１１】次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、こ
の絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層
１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１２】次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、
例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１
層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１
１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３
を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト
層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理
する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目
の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト
層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１
１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱
処理する。
【００１３】次に、図１９に示したように、上部磁極チ
ップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁
性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、
上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオー
バーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの研
磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベ
アリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。
【００１４】図２０は、図１９に示した薄膜磁気ヘッド
の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層
１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略してい
る。
【００１５】図１９において、ＴＨは、スロートハイト
を表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、
スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を
介して対向する部分すなわち磁極部分の、エアベアリン
グ面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。また、ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング
面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をい
う。また、図１９において、Ｐ２Ｗは、磁極幅すなわち
記録ヘッドのトラック幅（以下、記録トラック幅とい
う。）を表している。薄膜磁気ヘッドの性能を決定する
要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図
１９においてθで示したようなエイペックスアングル
（Apex Angle）がある。このエイペックスアングルは、
フォトレジスト層１１３，１１５で覆われて山状に盛り
上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）
における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１１
の上面とのなす角度をいう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１９に示
したように記録ヘッドの下部磁極層が再生ヘッドの上部
シールド層を兼ねた構造を有し、例えば２０ギガビット
／（インチ）2や３０ギガビット／（インチ）2のような
高い面記録密度に対応可能な複合型薄膜磁気ヘッドで
は、再生ヘッドの再生出力が大きくなるにつれて、バル
クハウゼンノイズ等のノイズが大きくなると共に、出力
変動が大きくなるという問題点があった。なお、出力変
動は、例えば、出力測定を１００回繰り返して得られる
出力の標準偏差を出力の平均値で割って１００を掛けた
値ＣＯＶ（％）で表される。この場合、ＣＯＶが大きい
ほど出力変動が大きいと言える。
【００１７】上述ような再生ヘッドにおけるノイズおよ
び出力変動の増加の原因の一つは、高い面記録密度に対
応した記録ヘッドの記録動作に伴って記録ヘッド側で発
生する残留磁気およびその変動であると考えられる。
【００１８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、記録ヘッドの記録動作に起因する再
生ヘッドにおけるノイズおよび出力変動を低減できるよ
うにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する
ことにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒体対向面側
の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され
た、磁気抵抗素子をシールドするための第１および第２
のシールド層とを有する再生ヘッドと、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、第２のシール
ド層は第１の磁性層を兼ねている薄膜磁気ヘッドであっ
て、第２のシールド層の中であって磁気抵抗素子と第２
のシールド層の磁極部分との間の位置において、磁気抵
抗素子よりも広い領域に配置された非磁性層を備えたも
のである。
【００２０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒体対向面側の一部
が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置された、磁
気抵抗素子をシールドするための第１および第２のシー
ルド層とを有する再生ヘッドと、互いに磁気的に連結さ
れ、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２
の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の
磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも
一部が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２
の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイ
ルとを有する記録ヘッドとを備え、第２のシールド層は
第１の磁性層を兼ねている薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、再生ヘッドを形成する工程と、記録ヘッドを形
成する工程と第２のシールド層の中であって磁気抵抗素
子と第２のシールド層の磁極部分との間の位置におい
て、磁気抵抗素子よりも広い領域に配置された非磁性層
を形成する工程とを含むものである。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第２のシールド層の中において磁気抵抗素子と
第２のシールド層の磁極部分との間に非磁性層が設けら
れる。この非磁性層により、記録ヘッド側で発生する残
留磁気の磁気抵抗素子に対する影響が低減される。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法において、第２のシールド層は、薄膜コイルの少なく
とも一部に対向する位置に配置された第１の層と、第１
の層におけるギャップ層側の面に接続され、磁極部分を
含む第２の層とを有していてもよい。
【００２３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、非磁性層は第１の層と第２の層との
間に配置されていてもよい。
【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第２の層はスロートハイトを規定す
る部分を有していてもよい。この場合、スロートハイト
を規定する部分の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さは、非磁性層の媒体対向面側の端部から反対
側の端部までの長さよりも大きくてもよい。
【００２５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、薄膜コイルは、第２の層の側方に配
置された部分を含んでいてもよい。この場合には、更
に、薄膜コイルの第２の層の側方に配置された部分を覆
い、そのギャップ層側の面が第２の層におけるギャップ
層側の面と共に平坦化された絶縁層を設けてもよい。
【００２６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第２の磁性層は１つの層からなって
いてもよい。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、第２の磁性層は、トラック幅を規定
する磁極部分を含む磁極部分層と、磁極部分層に接続さ
れ、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有していてもよ
い。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、ヨーク部分層の媒体対向面側の端面
は、媒体対向面から離れた位置に配置されていてもよ
い。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、磁極部分層の媒体対向面側の端部か
ら反対側の端部までの長さは、磁気抵抗素子の媒体対向
面側の端部から反対側の端部までの長さよりも大きくて
もよい。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、薄膜コイルは、磁極部分層の側方に
配置された部分を含んでいてもよい。この場合には、更
に、薄膜コイルの磁極部分層の側方に配置された部分を
覆い、そのヨーク部分層側の面が磁極部分層におけるヨ
ーク部分層側の面と共に平坦化された絶縁層を設けても
よい。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］まず、図１ないし図８を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。なお、図１ないし
図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面
を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な
断面を示している。
【００３２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、
例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド
層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３
は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき
法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、
図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層
を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ
（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出す
るまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００３３】次に、図２に示したように、下部シールド
層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４
を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、
下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５
を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、一端部
が、記録媒体に対向する媒体対向面であるエアベアリン
グ面３０に配置される。ＭＲ素子５は、例えば、スパッ
タによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングするこ
とによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素
子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効
果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を
用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４
の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層
６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールド
ギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての
上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍ
の厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，
７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する
絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイ
ヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シ
ールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成し
てもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成
してもよい。アルミナ膜よりなるシールドギャップ膜
４，７をＣＶＤ法によって形成する場合には、材料とし
ては例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）
およびＨ2Ｏを用いる。ＣＶＤ法を用いると、薄く、且
つ緻密でピンホールの少ないシールドギャップ膜４，７
を形成することが可能となる。
【００３４】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、上部シー
ルド層と記す。）８の第１の層８ａを、選択的に形成す
る。なお、上部シールド層８は、この第１の層８ａと、
後述する第２の層８ｂ、第３の層８ｃとで構成される。
上部シールド層８の第１の層８ａは、後述する薄膜コイ
ルの少なくとも一部に対向する位置に配置される。
【００３５】本実施の形態では、上部シールド層８の第
１の層８ａの中において、ＭＲ素子５と上部シールド層
８の磁極部分との間に、非磁性材料よりなる非磁性層２
０を配置する。そのため、上部シールド層８の第１の層
８ａと非磁性層２０を以下のようにして形成する。ま
ず、上部シールドギャップ膜７の上に、第１の層８ａの
うちの下層部分８ａ1を、例えば約１．０〜１．５μｍ
の厚みに形成する。次に、下層部分８ａ1の上において
ＭＲ素子５の上方の位置に、非磁性材料よりなる非磁性
層２０を、例えば約０．３〜０．６μｍの厚みに形成す
る。非磁性層２０は、ＭＲ素子５よりも広い領域に配置
される。すなわち、非磁性層２０は、一端部がエアベア
リング面３０に配置され、そのエアベアリング面３０側
の端部から反対側の端部までの長さが、ＭＲ素子５のエ
アベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの長
さよりも大きく、また、その幅はＭＲ素子５の幅よりも
大きい。非磁性層２０に用いられる非磁性材料として
は、例えばアルミナ等の無機絶縁材料があるが、タング
ステン、モリブデンのような導電性の非磁性材料を用い
てもよい。次に、下層部分８ａ1および非磁性層２０の
上に、第１の層８ａのうちの上層部分８ａ2を、例えば
約１．０〜１．５μｍの厚みに形成する。
【００３６】次に、上部シールド層８の第１の層８ａの
上に、上部シールド層８の第２の層８ｂおよび第３の層
８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２
の層８ｂは、上部シールド層８の磁極部分を形成し、第
１の層８ａの後述する記録ギャップ層側（図において上
側）の面に接続される。第３の層８ｃは、第１の層８ａ
と後述する上部磁極層とを接続するための部分であり、
後述する薄膜コイルの中心の近傍の位置に配置される。
第２の層８ｂのうち上部磁極層と対向する部分における
エアベアリング面３０とは反対側の端部の位置は、スロ
ートハイトを規定する。すなわち、第２の層８ｂのうち
上部磁極層と対向する部分が、スロートハイトを規定す
る部分となる。また、第２の層８ｂのうち上部磁極層と
対向する部分におけるエアベアリング面３０とは反対側
の端部の位置が、スロートハイトゼロ位置（磁極部分の
エアベアリング面とは反対側の端部の位置）となる。
【００３７】上部シールド層８の第２の層８ｂおよび第
３の層８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２
０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎ
ｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき
法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であ
るＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによっ
て形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料で
あるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよ
い。
【００３８】次に、図３に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍ
の厚みに形成する。
【００３９】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するための図示しないフレームを
形成する。次に、このフレームを用いて、フレームめっ
き法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１
０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２
〜２．０のコイルピッチで形成する。次に、フレームを
除去する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル１０
を、後述する導電層（リード）と接続するための接続部
を示している。
【００４０】次に、図４に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚み
で形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シール
ド層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃが露出するま
で、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。こ
こで、図４（ａ）では、薄膜コイル１０は露出していな
いが、薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。
【００４１】次に、露出した上部シールド層８の第２の
層８ｂおよび第３の層８ｃと絶縁層１１の上に、絶縁材
料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．
３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用す
る絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミ
ニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材
料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。
また、記録ギャップ層１２は、スパッタ法によって形成
してもよいし、ＣＶＤ法によって形成してもよい。アル
ミナ膜よりなる記録ギャップ層１２をＣＶＤ法によって
形成する場合には、材料としては例えばトリメチルアル
ミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）およびＨ2Ｏを用いる。Ｃ
ＶＤ法を用いると、薄く、且つ緻密でピンホールの少な
い記録ギャップ層１２を形成することが可能となる。
【００４２】次に、磁路形成のために、上部シールド層
８の第３の層８ｃの上において、記録ギャップ層１２を
部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
また、薄膜コイル１０の接続部１０ａの上の部分におい
て、記録ギャップ層１２および絶縁層１１を部分的にエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００４３】次に、図５に示したように、記録ギャップ
層１２の上において、エアベアリング面３０から上部シ
ールド層８の第３の層８ｃの上の部分にかけて上部磁極
層１３を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共
に、薄膜コイル１０の接続部１０ａに接続されるように
導電層１６を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。
上部磁極層１３は、上部シールド層８の第３の層８ｃの
上の部分に形成されたコンタクトホールを介して、上部
シールド層８の第３の層８ｃに接触し、磁気的に連結さ
れている。
【００４４】上部磁極層１３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和
磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用
い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高
飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス
材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、
上部磁極層１３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁
性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００４５】次に、上部磁極層１３をマスクとして、ド
ライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的に
エッチングする。このときのドライエッチングには、例
えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6
等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイ
オンミリングによって、上部シールド層８の第２の層８
ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングし
て、図５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。この
トリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生す
る磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止
することができる。
【００４６】次に、図６に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４
０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上
に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記
各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドお
よび再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、本
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４７】本実施の形態では、下部シールド層３は、
本発明における第１のシールド層に対応し、第１の層８
ａ、第２の層８ｂおよび第３の層８ｃよりなる上部シー
ルド層８は、本発明における第２のシールド層に対応す
る。また、上部磁極層１３は、本発明における第２の磁
性層に対応する。また、上部シールド層８は、下部磁極
層を兼ねているので、本発明における第１の磁性層にも
対応する。
【００４８】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図（図７において上側に配
置された図）と断面図（図７において下側に配置された
図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図７で
は、オーバーコート層１７や、その他の絶縁層および絶
縁膜を省略している。図７において、符号ＴＨはスロー
トハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置を表
し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。
【００４９】図８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおける下部シールド層３から上部磁極層１３までの
部分を、一部切り欠いて示す斜視図である。図８におい
て、符号８Ｂは、トリム構造とするために上部シールド
層８の第２の層８ｂがエッチングされている部分を表し
ている。
【００５０】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベアリング面
３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置
された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド
層３および上部シールド層（下部磁極層）８とを有して
いる。
【００５１】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層（上部シールド層８）および上部磁極層１３と、この
下部磁極層（上部シールド層８）の磁極部分と上部磁極
層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１
２と、一部が下部磁極層（上部シールド層８）および上
部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で
配設された薄膜コイル１０とを有している。
【００５２】本実施の形態では、上部シールド層８は、
薄膜コイル１０の少なくとも一部に対向する位置に配置
された第１の層８ａと、この第１の層８ａにおける記録
ギャップ層１２側（図において上側）の面に接続され、
磁極部分を形成し、スロートハイトを規定する第２の層
８ｂとを有し、薄膜コイル１０は、上部シールド層８の
第２の層８ｂの側方（図において右側）に配置されてい
る。
【００５３】本実施の形態では、上部シールド層８の第
１の層８ａの中であって、ＭＲ素子５と上部シールド層
８の磁極部分との間の位置において、ＭＲ素子５よりも
広い領域に配置された非磁性層２０が設けられている。
【００５４】また、本実施の形態では、上部シールド層
８の第２の層８ｂのうちスロートハイトを規定する部分
のエアベアリング面３０側の端部から反対側の端部まで
の長さ（以下、単に第２の層８ｂの長さともいう。）す
なわちスロートハイトＴＨは、ＭＲ素子５のエアベアリ
ング面３０側の端部から反対側の端部までの長さすなわ
ちＭＲハイトＭＲ−Ｈよりも大きくなっている。第２の
層８ｂの長さは、ＭＲハイトＭＲ−Ｈの１５０〜６００
％が好ましく、特に３００〜５００％が好ましい。言い
換えると、ＭＲハイトＭＲ−Ｈが例えば０．５μｍの場
合には、第２の層８ｂの長さは、０．７５〜３．０μｍ
が好ましく、特に１．５〜２．５μｍが好ましい。
【００５５】また、本実施の形態では、上部シールド層
８の第２の層８ｂのうち上部磁極層１３に対向する部分
では、エアベアリング面３０とは反対側の端部がエアベ
アリング面３０と平行な直線状に形成されている。上部
シールド層８の第２の層８ｂの他の部分におけるエアベ
アリング面３０とは反対側の端部は、薄膜コイル１０の
外周の形状に近似した円弧状に形成されている。本実施
の形態では、上述のように、上部シールド層８の第２の
層８ｂのうち上部磁極層１３に対向する部分のエアベア
リング面３０とは反対側の端部をエアベアリング面３０
と平行な直線状に形成したので、スロートハイトおよび
スロートハイトゼロ位置を正確に制御することができ
る。
【００５６】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
によってトラック幅を規定する。図７に示したように、
上部磁極層１３は、エアベアリング面３０側から順に配
置された第１の部分１３Ａ、第２の部分１３Ｂおよび第
３の部分１３Ｃを有している。第１の部分１３Ａの幅は
記録トラック幅に等しく、第２の部分１３Ｂの幅は第１
の部分１３Ａの幅よりも大きく、第３の部分１３Ｃの幅
は第２の部分１３Ｂの幅よりも大きくなっている。
【００５７】第３の部分１３Ｃの幅は、エアベアリング
面３０に近づく従って徐々に小さくなっている。第３の
部分１３Ｃの幅が変化する部分における幅方向の端縁
は、エアベアリング面３０に直交する方向に対して３０
°〜６０°をなすのが好ましい。また、第２の部分１３
Ｂの幅も、エアベアリング面３０に近づくに従って徐々
に小さくなっている。
【００５８】また、上部磁極層１３において、第１の部
分１３Ａの幅方向の端縁と第２の部分１３Ｂの幅方向の
端縁とを結ぶ端縁は、エアベアリング面３０に平行にな
っている。同様に、上部磁極層１３において、第２の部
分１３Ｂの幅方向の端縁と第３の部分１３Ｃの幅方向の
端縁とを結ぶ端縁も、エアベアリング面３０に平行にな
っている。
【００５９】上部磁極層１３において、第１の部分１３
Ａと第２の部分１３Ｂとの境界の位置は、ＭＲハイトゼ
ロ位置（ＭＲ素子５のエアベアリング面３０とは反対側
の端部の位置）の近傍に配置されている。
【００６０】また、上部磁極層１３において、第２の部
分１３Ｂと第３の部分１３Ｃとの境界の位置（図７にお
ける第２の部分１３Ｂと第３の部分１３Ｃとの段差部分
の近傍位置）は、上部シールド層８の第２の層８ｂのう
ち上部磁極層１３と対向する部分におけるエアベアリン
グ面３０とは反対側（図７において右側）の端部の位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置ＴＨ０よりもエア
ベアリング面３０側（図７において左側）に配置されて
いる。従って、本実施の形態では、上部磁極層１３のス
ロートハイトゼロ位置ＴＨ０における幅Ｗ１は、上部磁
極層１３の第１の部分１３Ａの幅である記録トラック幅
Ｗ２よりも大きくなっている。
【００６１】以上説明したように、本実施の形態では、
再生ヘッドの上部シールド層８が記録ヘッドの下部磁極
層を兼ねた構造の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部シール
ド層８の中であって、ＭＲ素子５と上部シールド層８の
磁極部分との間の位置において、ＭＲ素子５よりも広い
領域に配置された非磁性層２０を設けている。そのた
め、非磁性層２０によって、記録ヘッド側で発生する残
留磁気のＭＲ素子５に対する影響が低減される。従っ
て、本実施の形態によれば、記録ヘッドの記録動作に起
因する再生ヘッドにおけるバルクハウゼンノイズ等のノ
イズを低減することができると共に、例えばＣＯＶ
（％）で表される出力変動を低減することができる。
【００６２】また、本実施の形態によれば、上部シール
ド層８の第２の層８ｂによってスロートハイトを規定す
るようにし、薄膜コイル１０を上部シールド層８の第１
の層８ａの上であって第２の層８ｂの側方に配置し、薄
膜コイル１０を覆う絶縁層１１の上面を上部シールド層
８の第２の層８ｂの上面と共に平坦化したので、記録ト
ラック幅を規定する上部磁極層１３を平坦な面の上に形
成することができる。そのため、本実施の形態によれ
ば、記録トラック幅を例えばハーフミクロン寸法やクォ
ータミクロン寸法にも小さくしても、上部磁極層１３を
精度よく形成することができ、記録トラック幅を正確に
制御することが可能になる。
【００６３】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１３のスロートハイトゼロ位置における幅を記録トラッ
ク幅よりも大きくしたので、上部磁極層１３のスロート
ハイトゼロ位置の近傍における磁束の飽和を防止するこ
とができる。また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１３の幅を、エアベアリング面３０に近づくに従って徐
々に小さくしているので、磁路の断面積が急激に減少す
ることがなく、磁路の途中における磁束の飽和を防止す
ることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜
コイル１０で発生した起磁力を効率よく記録に利用する
ことができ、オーバーライト特性を向上させることがで
きる。
【００６４】また、本実施の形態によれば、記録トラッ
ク幅を規定する上部磁極層１３を平坦な面の上に形成し
たので、上述のように上部磁極層１３のスロートハイト
ゼロ位置における幅を記録トラック幅よりも大きくした
場合に、記録トラック幅を規定する第１の部分１３Ａの
幅が大きくなることを防止できる。なお、エイペックス
部の上に上部磁極層を形成する場合には、上部磁極層の
スロートハイトゼロ位置における幅を記録トラック幅よ
りも大きくすると、上部磁極層のうち記録トラック幅を
規定する部分の幅まで大きくなりやすい。
【００６５】また、本実施の形態では、上部磁極層１３
の第２の部分１３Ｂのエアベアリング面３０側の端部が
エアベアリング面３０に平行になっており、この端部に
上部磁極層１３の第１の部分１３Ａが連結されている。
従って、フォトリソグラフィによって上部磁極層１３を
形成するために使用されるフォトマスクは、第２の部分
１３Ｂのエアベアリング面３０側の端部に対応する辺
に、第１の部分１３Ａに対応する凹部または凸部を付加
した形状のものとなる。なお、第１の部分１３Ａに対応
する部分が凹部になるか凸部になるかは、ネガ型フォト
マスクを使用するかポジ型フォトマスクを使用するかに
よって決まる。このような形状のフォトマスクを使用し
て、平坦な面の上に上部磁極層１３を形成することによ
り、第１の部分１３Ａの幅、すなわち記録トラック幅を
正確に制御することが可能になる。
【００６６】また、本実施の形態では、上部シールド層
８の第２の層８ｂによってスロートハイトを規定する
が、第２の層８ｂの長さを、ＭＲ素子５のエアベアリン
グ面３０側の端部から反対側の端部までの長さすなわち
ＭＲハイトＭＲ−Ｈよりも大きくしている。従って、本
実施の形態によれば、上部シールド層８の第１の層８ａ
と第２の層８ｂとの接触面積を大きくすることができ、
この部分における磁束の飽和を防止することができる。
【００６７】なお、上部シールド層８の第２の層８ｂの
長さがＭＲハイトＭＲ−Ｈよりも大きいほど、上部シー
ルド層８の第１の層８ａと第２の層８ｂとの接触面積が
大きくなる。従って、上部シールド層８の第２の層８ｂ
の長さとＭＲハイトＭＲ−Ｈとの差が小さいと、磁束の
飽和を防止できるという効果が小さくなり、オーバーラ
イト特性の向上の程度が小さくなる。一方、上部シール
ド層８の第２の層８ｂの長さが大きくなりすぎると、磁
路長が大きくなることによって逆にオーバーライト特性
が低下してしまう。そのため、上部シールド層８の第２
の層８ｂの長さに関しては好ましい範囲が存在し、具体
的には、前述のように、上部シールド層８の第２の層８
ｂの長さは、ＭＲハイトＭＲ−Ｈの１５０〜６００％が
好ましく、特に３００〜５００％が好ましい。
【００６８】このように、本実施の形態によれば、記録
トラック幅を小さくした場合においても記録トラック幅
を正確に制御することができると共に磁路の途中におけ
る磁束の飽和を防止することができる。
【００６９】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
を上部シールド層８の第２の層８ｂの側方に配置し、平
坦な絶縁膜９の上に形成している。そのため、本実施の
形態によれば、薄膜コイル１０を微細に精度よく形成す
ることが可能になる。更に、本実施の形態によれば、エ
イペックス部が存在しないので、上部シールド層８の第
２の層８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部、
すなわちスロートハイトゼロ位置の近くに薄膜コイル１
０の端部を配置することができる。
【００７０】これらのことから、本実施の形態によれ
ば、例えば従来に比べて３０〜４０％程度、磁路長の縮
小が可能となり、その結果、薄膜コイル１０で発生した
起磁力を効率よく記録に利用することが可能となる。従
って、本実施の形態によれば、記録ヘッドの高周波特性
や、非線形トランジションシフト（Non-linear Transit
ion Shift；ＮＬＴＳ）や、オーバーライト特性の優れ
た薄膜磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【００７１】また、本実施の形態によれば、磁路長の縮
小が可能となることから、巻き数を変えることなく薄膜
コイル１０の全長を大幅に短くすることができる。これ
により、薄膜コイル１０の抵抗を小さくすることができ
るので、その分、薄膜コイル１０の厚みを小さくするこ
とが可能となる。
【００７２】また、本実施の形態では、上部シールド層
８の第２の層８ｂと薄膜コイル１０の間に、薄く且つ十
分な絶縁耐圧が得られる無機材料よりなる絶縁膜９が設
けられるので、上部シールド層８の第２の層８ｂと薄膜
コイル１０との間に大きな絶縁耐圧を得ることができ
る。
【００７３】また、本実施の形態では、薄膜コイル１０
を無機絶縁材料よりなる絶縁層１１で覆ったので、薄膜
磁気ヘッドの使用中に、薄膜コイル１０の周辺で発生す
る熱による膨張によって磁極部分が記録媒体側に突出す
ることを防止することができる。
【００７４】［第２の実施の形態］次に、図９を参照し
て、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。図９は、本実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの主要部分についての平面図
（図９において上側に配置された図）と断面図（図９に
おいて下側に配置された図）とを対応付けて示す説明図
である。なお、図９では、オーバーコート層１７や、そ
の他の絶縁層および絶縁膜を省略している。図９におい
て、符号ＴＨはスロートハイトを表し、ＴＨ０はスロー
トハイトゼロ位置を表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表し
ている。
【００７５】本実施の形態では、非磁性層２０を、上部
シールド層８の第１の層８ａの中ではなく、上部シール
ド層８の第１の層８ａと第２の層８ｂとの間に配置して
いる。
【００７６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上部シールド層８の第１の層８ａは、例えば
約１．０〜１．５μｍの厚みの１つの層によって形成さ
れる。非磁性層２０は、この第１の層８ａの上に形成さ
れる。そして、非磁性層２０および第１の層８ａの上
に、上部シールド層８の第２の層８ｂが形成される。
【００７７】本実施の形態によれば、非磁性層２０を上
部シールド層８の第１の層８ａと第２の層８ｂとの間に
設けたので、非磁性層２０を他の位置に設ける場合に比
べて、形成する層の数を一つ減らすことができ、そのた
め製造工程における工数を減らすことができる。
【００７８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００７９】［第３の実施の形態］次に、図１０ないし
図１５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。な
お、図１０ないし図１４において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。
【００８０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、図１０に示したように、上部シールド層８の
第１の層８ａを形成する工程までは、第１の実施の形態
と同様である。
【００８１】本実施の形態では、次に、図１１に示した
ように、第１の実施の形態と同様に、第１の層８ａの上
に、上部シールド層８の第２の層８ｂおよび第３の層８
ｃを形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる
絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００８２】次に、フォトレジストをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレーム
めっき法によって形成するための図示しないフレームを
形成する。次に、このフレームを用いて、フレームめっ
き法によって、例えば銅よりなる薄膜コイルの第１層部
分３１を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび
１．２〜２．０μｍのコイルピッチで形成する。次に、
フレームを除去する。なお、図中、符号３１ａは、薄膜
コイルの第１層部分３１を後述する第２層部分に接続す
るための接続部を示している。
【００８３】次に、図１２に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３２を、約３〜４μｍの厚
みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シー
ルド層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃが露出する
まで、絶縁層３２を研磨して、表面を平坦化処理する。
ここで、図１２（ａ）では、薄膜コイルの第１層部分３
１は露出していないが、薄膜コイルの第１層部分３１が
露出するようにしてもよい。
【００８４】次に、図１３に示したように、露出した上
部シールド層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃと絶
縁層３２の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２
を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。次
に、磁路形成のために、上部シールド層８の第３の層８
ｃの上において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチ
ングしてコンタクトホールを形成する。
【００８５】次に、記録ギャップ層１２の上に、記録ト
ラック幅を規定する上部磁極層４１の磁極部分を含む磁
極部分層４１ａを例えば２〜３μｍの厚みに形成すると
共に、上部シールド層８の第３の層８ｃの上に位置する
部分の上に形成されたコンタクトホールの位置に、磁性
層４１ｂを２〜３μｍの厚みに形成する。本実施の形態
では、上部磁極層４１は、磁極部分層４１ａと磁性層４
１ｂと後述するヨーク部分層とで構成される。磁性層４
１ｂは、後述するヨーク部分層と上部シールド層８とを
接続するための部分である。本実施の形態では、上部磁
極層４１の磁極部分層４１ａのエアベアリング面３０側
の端部から反対側の端部までの長さは、ＭＲ素子５のエ
アベアリング面３０側の端部から反対側の端部までの長
さよりも大きく、更に、上部シールド層８の第２の層８
ｂのうちスロートハイトを規定する部分のエアベアリン
グ面３０側の端部から反対側の端部までの長さ以上に形
成される。
【００８６】上部磁極層４１の磁極部分層４１ａおよび
磁性層４１ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：
２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ
（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、め
っき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料
であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタに
よって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材
料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いても
よい。
【００８７】次に、上部磁極層４１の磁極部分層４１ａ
をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャッ
プ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライ
エッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガ
スや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次
に、例えばアルゴンイオンミリングによって、上部シー
ルド層８の第２の層８ｂを選択的に約０．３〜０．６μ
ｍ程度エッチングして、図１３（ｂ）に示したようなト
リム構造とする。
【００８８】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁膜３３を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
次に、薄膜コイルの第１層部分３１の接続部３１ａの上
の部分において、絶縁膜３３、記録ギャップ層１２およ
び絶縁層３２を部分的にエッチングしてコンタクトホー
ルを形成する。次に、フレームめっき法によって、例え
ば銅よりなる薄膜コイルの第２層部分３４を、例えば約
１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０μｍの
コイルピッチで形成する。なお、図中、符号３４ａは、
上記コンタクトホールを介して、薄膜コイルの第２層部
分３４を第１層部分３１に接続するための接続部を示し
ている。
【００８９】次に、図１４に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層３５を、約３〜４μｍの厚
みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部磁極
層４１の磁極部分層４１ａおよび磁性層４１ｂが露出す
るまで、絶縁層３５を研磨して、表面を平坦化処理す
る。ここで、図１４（ａ）では、薄膜コイルの第２層部
分３４は露出していないが、薄膜コイルの第２層部分３
４が露出するようにしてもよい。第２層部分３４が露出
するようにした場合には、第２層部分３４および絶縁層
３５の上に他の絶縁層を形成する。
【００９０】次に、平坦化された上部磁極層４１の磁極
部分層４１ａおよび磁性層４１ｂ、絶縁層３５の上に、
記録ヘッド用の磁性材料からなる上部磁極層４１のヨー
ク部分となるヨーク部分層４１ｃを、例えば約２〜３μ
ｍの厚みに形成する。このヨーク部分層４１ｃは、磁性
層４１ｂを介して、上部シールド層８と接触し、磁気的
に連結されている。上部磁極層４１のヨーク部分層４１
ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量
％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４
５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によ
って形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅ
Ｎ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成
してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣ
ｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。ま
た、高周波特性の改善のため、上部磁極層４１のヨーク
部分層４１ｃを、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性
層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００９１】本実施の形態では、上部磁極層４１のヨー
ク部分層４１ｃのエアベアリング面３０側の端面は、エ
アベアリング面３０から離れた位置（図において右側）
に配置されている。本実施の形態では、特に、エアベア
リング面３０からヨーク部分層４１ｃのエアベアリング
面３０側の端部までの距離は、ＭＲ素子５のエアベアリ
ング面３０側の端部から反対側の端部までの長さ以上と
する。
【００９２】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３７を、２０〜４０μｍの厚みに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダ
の研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエ
アベアリング面３０を形成して、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドが完成する。
【００９３】本実施の形態では、磁極部分層４１ａ、磁
性層４１ｂおよびヨーク部分層４１ｃよりなる上部磁極
層４１は、本発明における第２の磁性層に対応する。
【００９４】図１５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分についての平面図（図１５において上側
に配置された図）と断面図（図１５において下側に配置
された図）とを対応付けて示す説明図である。なお、図
１５では、オーバーコート層や、その他の絶縁層および
絶縁膜を省略している。図１５において、符号ＴＨはス
ロートハイトを表し、ＴＨ０はスロートハイトゼロ位置
を表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを表している。
【００９５】本実施の形態では、薄膜コイルの第１層部
分３１は、上部シールド層８の第２の層８ｂの側方に配
置されている。第１の実施の形態と同様に、第２の層８
ｂのうちスロートハイトを規定する部分のエアベアリン
グ面３０側の端部から反対側の端部までの長さ（以下、
単に第２の層８ｂの長さともいう。）すなわちスロート
ハイトＴＨは、ＭＲ素子５のエアベアリング面３０側の
端部から反対側の端部までの長さすなわちＭＲハイトＭ
Ｒ−Ｈよりも大きくなっている。第２の層８ｂの長さ
は、ＭＲハイトＭＲ−Ｈの１５０〜６００％が好まし
く、特に３００〜５００％が好ましい。言い換えると、
ＭＲハイトＭＲ−Ｈが例えば０．５μｍの場合には、第
２の層８ｂの長さは、０．７５〜３．０μｍが好まし
く、特に１．５〜２．５μｍが好ましい。
【００９６】また、本実施の形態では、上部磁極層４１
の磁極部分層４１ａによってトラック幅を規定する。図
１５に示したように、上部磁極層４１の磁極部分層４１
ａは、エアベアリング面３０側から順に配置された第１
の部分４１ａ1、第２の部分４１ａ2および第３の部分４
１ａ3を有している。第１の部分４１ａ1の幅は記録トラ
ック幅に等しく、第２の部分４１ａ2の幅は第１の部分
４１ａ1の幅よりも大きくなっている。第３の部分４１
ａ3の幅は、第２の部分４１ａ2との境界部分では第２の
部分４１ａ2の幅と等しく、境界部分からエアベアリン
グ面３０とは反対側に向かうほど大きくなるように変化
した後、一定の大きさになっている。
【００９７】また、上部磁極層４１の磁極部分層４１ａ
において、第１の部分４１ａ1の幅方向の端縁と第２の
部分４１ａ2の幅方向の端縁とを結ぶ端縁は、エアベア
リング面３０に平行になっている。
【００９８】上部磁極層４１の磁極部分層４１ａにおい
て、第１の部分４１ａ1と第２の部分４１ａ2との境界の
位置は、ＭＲハイトゼロ位置の近傍に配置されている。
【００９９】また、上部磁極層４１の磁極部分層４１ａ
において、第２の部分４１ａ2と第３の部分４１ａ3との
境界の位置は、上部シールド層８の第２の層８ｂのうち
磁極部分層４１ａと対向する部分におけるエアベアリン
グ面３０とは反対側の端部の位置、すなわちスロートハ
イトゼロ位置ＴＨ０よりもエアベアリング面３０側に配
置されている。従って、本実施の形態では、磁極部分層
４１ａのスロートハイトゼロ位置ＴＨ０における幅は、
磁極部分層４１ａの第１の部分４１ａ1の幅である記録
トラック幅よりも大きくなっている。
【０１００】上部磁極層４１のヨーク部分層４１ｃは、
エアベアリング面３０側から順に配置された第１の部分
４１ｃ1と第２の部分４１ｃ2とを有している。ヨーク部
分層４１ｃの第１の部分４１ｃ1の幅は、磁極部分層４
１ａの第３の部分４１ａ3における最大の幅とほぼ等し
くなっている。ヨーク部分層４１ｃの第２の部分４１ｃ
2の幅は、第１の部分４１ｃ1との境界部分では第１の部
分４１ｃ1の幅と等しく、境界部分からエアベアリング
面３０とは反対側に向かうほど大きくなるように変化し
た後、一定の大きさになっている。また、ヨーク部分層
４１ｃの第１の部分４１ｃ1は、磁極部分層４１ａの第
２の部分４１ａ2および第３の部分４１ａ3とほぼ重なる
位置に配置されている。
【０１０１】また、本実施の形態における上部シールド
層８の第２の層８ｂは、エアベアリング３０側の一部分
の幅が、他の部分の幅よりも小さく且つエアベアリング
３０側に向かうほど小さくなるような形状をなしてい
る。また、第２の層８ｂのエアベアリング面３０とは反
対側の端部は、エアベアリング面３０と平行な直線状に
形成されて、スロートハイトゼロ位置ＴＨ０に配置され
ている。
【０１０２】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、上部シールド層８の第２の層８ｂによってスロート
ハイトを規定するようにし、薄膜コイルの第１層部分３
１を上部シールド層８の第１の層８ａの上であって第２
の層８ｂの側方に配置し、薄膜コイルの第１層部分３１
を覆う絶縁層３２の上面を第２の層８ｂの上面と共に平
坦化すると共に、上部磁極層４１を磁極部分層４１ａと
ヨーク部分層４１ｃとに分割したので、記録トラック幅
を規定する上部磁極層４１の磁極部分層４１ａを平坦な
面の上に形成することができる。そのため、本実施の形
態によれば、記録トラック幅を例えばハーフミクロン寸
法やクォータミクロン寸法にも小さくしても、磁極部分
層４１ａを精度よく形成することができ、記録トラック
幅を正確に制御することが可能になる。
【０１０３】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
４１の磁極部分層４１ａのスロートハイトゼロ位置にお
ける幅を記録トラック幅よりも大きくしたので、磁極部
分層４１ａのスロートハイトゼロ位置の近傍における磁
束の飽和を防止することができる。また、本実施の形態
によれば、磁極部分層４１ａの幅を、エアベアリング面
３０に近づくに従って徐々に小さくしているので、磁路
の断面積が急激に減少することがなく、磁路の途中にお
ける磁束の飽和を防止することができる。更に、本実施
の形態によれば、上部磁極層４１の磁極部分層４１ａの
スロートハイトゼロ位置における幅を記録トラック幅よ
りも大きくしたので、上部磁極層４１の磁極部分層４１
ａとヨーク部分層４１ｃとの接触面積を大きくすること
ができ、磁極部分層４１ａとヨーク部分層４１ｃとの接
続部分における磁束の飽和を防止することができる。従
って、本実施の形態によれば、薄膜コイル３１，３４で
発生した起磁力を効率よく記録に利用することができ、
オーバーライト特性を向上させることができる。
【０１０４】また、本実施の形態によれば、記録トラッ
ク幅を規定する上部磁極層４１の磁極部分層４１ａを平
坦な面の上に形成したので、上述のように磁極部分層４
１ａのスロートハイトゼロ位置における幅を記録トラッ
ク幅よりも大きくした場合に、記録トラック幅を規定す
る第１の部分４１ａ1の幅が大きくなることを防止する
ことができる。
【０１０５】また、本実施の形態では、磁極部分層４１
ａの第２の部分４１ａ2のエアベアリング面３０側の端
部がエアベアリング面３０に平行になっており、この端
部に磁極部分層４１ａの第１の部分４１ａ1が連結され
ている。従って、フォトリソグラフィによって磁極部分
層４１ａを形成するために使用されるフォトマスクは、
第２の部分４１ａ2のエアベアリング面３０側の端部に
対応する辺に、第１の部分４１ａ1に対応する凹部また
は凸部を付加した形状のものとなる。このような形状の
フォトマスクを使用して、平坦な面の上に磁極部分層４
１ａを形成することにより、第１の部分４１ａ1の幅、
すなわち記録トラック幅を正確に制御することが可能に
なる。
【０１０６】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
の第２層部分３４を上部磁極層４１の磁極部分層４１ａ
の側方に配置し、薄膜コイルの第２層部分３４を覆う絶
縁層３５の上面を磁極部分層４１ａの上面と共に平坦化
したので、上部磁極層４１のヨーク部分層４１ｃも、平
坦な面の上に形成することができる。そのため、本実施
の形態によれば、ヨーク部分層４１ｃも微細に形成可能
となり、その結果、記録媒体に対して、本来、記録すべ
き領域以外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわ
ゆるサイドライトや、記録すべき領域以外の領域におけ
るデータを消去してしまう、いわゆるサイドイレーズの
発生を防止することが可能となる。
【０１０７】また、本実施の形態では、上部磁極層４１
のヨーク部分層４１ｃのエアベアリング面３０側の端面
をエアベアリング面３０から離れた位置に配置してい
る。そのため、スロートハイトが小さい場合において
も、上部磁極層４１のヨーク部分層４１ｃがエアベアリ
ング面３０に露出することがなく、その結果、いわゆる
サイドライトやサイドイレーズの発生を防止することが
できる。
【０１０８】また、本実施の形態では、上部磁極層４１
の磁極部分層４１ａのエアベアリング面３０側の端部か
ら反対側の端部までの長さを、ＭＲ素子５のエアベアリ
ング面３０側の端部から反対側の端部までの長さ、すな
わちＭＲハイトよりも大きくすると共に、ヨーク部分層
４１ｃのエアベアリング面３０側の端面をエアベアリン
グ面３０から離れた位置に配置している。そのため、本
実施の形態では、ＭＲハイトゼロ位置よりもエアベアリ
ング面３０から離れた位置においても、上部磁極層４１
の磁極部分層４１ａとヨーク部分層４１ｃとを接触させ
ることができる。従って、本実施の形態によれば、ヨー
ク部分層４１ｃのエアベアリング面３０側の端面をエア
ベアリング面３０から離れた位置に配置してサイドライ
トやサイドイレーズの発生を防止しながら、上部磁極層
４１において磁路の断面積が急激に減少することを防止
して、磁路の途中での磁束の飽和を防止することができ
る。
【０１０９】また、本実施の形態では、エアベアリング
面３０からヨーク部分層４１ｃのエアベアリング面３０
側の端部までの距離を、ＭＲ素子５のエアベアリング面
３０側の端部から反対側の端部までの長さ、すなわちＭ
Ｒハイト以上としている。これにより、サイドライトや
サイドイレーズの発生をより一層防止することが可能と
なる。
【０１１０】また、本実施の形態によれば、上部シール
ド層８の第２の層８ｂを前述のような形状としたことに
より、第２の層８ｂのエアベアリング面３０における幅
を小さくして、実効的なトラック幅の増加を防止するこ
とができる。また、本実施の形態によれば、第２の層８
ｂの幅をエアベアリング面３０に近づくに従って徐々に
小さくしているので、第２の層８ｂにおける磁束の飽和
を防止することができる。また、本実施の形態によれ
ば、第２の層８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の
端部をエアベアリング面３０と平行な直線状に形成した
ので、スロートハイトおよびスロートハイトゼロ位置を
正確に制御することができる。
【０１１１】また、本実施の形態では、薄膜コイルの第
１層部分３１と第２層部分３４との間には、記録ギャッ
プ層１２の他に、無機材料よりなる絶縁膜３３が設けら
れるので、薄膜コイルの第１層部分３１と第２層部分３
４との間に大きな絶縁耐圧を得ることができると共に、
薄膜コイル３１，３４からの磁束の漏れを低減すること
ができる。
【０１１２】なお、本実施の形態において、第２の実施
の形態のように、非磁性層２０を、上部シールド層８の
第１の層８ａの中ではなく、上部シールド層８の第１の
層８ａと第２の層８ｂとの間に配置してもよい。
【０１１３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１４】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、上部
シールド層が、磁極部分を含む第２の層を有しない場合
にも適用することができる。
【０１１５】また、上記各実施の形態では、基体側に読
み取り用のＭＲ素子を形成し、その上に、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を積層した構造の薄膜磁気ヘッドに
ついて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【０１１６】つまり、基体側に書き込み用の誘導型磁気
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。この場合、誘導型磁気変換素
子の上部磁極層とＭＲ素子の下部シールド層を兼用させ
る。
【０１１７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１３
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドまたは請求項１４な
いし２６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、第２のシールド層の中において磁気抵抗素子
と第２のシールド層の磁極部分との間に配置された非磁
性層により、記録ヘッド側で発生する残留磁気の磁気抵
抗素子に対する影響が低減されるので、記録ヘッドの記
録動作に起因する再生ヘッドにおけるノイズおよび出力
変動を低減することができるという効果を奏する。
【０１１８】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２のシールド層が、薄膜コイルの少なくとも一部
に対向する位置に配置された第１の層と、第１の層にお
けるギャップ層側の面に接続され、磁極部分を含む第２
の層とを有する場合において、非磁性層を第１の層と第
２の層との間に配置したので、非磁性層を他の位置に設
ける場合に比べて、製造工程における工数を減らすこと
ができるという効果を奏する。
【０１１９】また、請求項４または５記載の薄膜磁気ヘ
ッドまたは請求項１７または１８記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、第２の層がスロートハイトを規定
する部分を有するようにしたので、スロートハイトが小
さい場合でも、第２の磁性層によってトラック幅を正確
に制御することが可能になるという効果を奏する。
【０１２０】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の層におけるスロートハイトを規定する部分の
媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さを、非
磁性層の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長
さよりも大きくしたので、第２のシールド層の第１の層
と第２の層の接続部分における磁束の飽和を防止するこ
とができるという効果を奏する。
【０１２１】また、請求項６または７記載の薄膜磁気ヘ
ッドまたは請求項１９または２０記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によれば、薄膜コイルが、第２の層の側方に
配置された部分を含むようにしたので、第２の磁性層を
平坦な面の上に精度よく形成することが可能になり、そ
の結果、記録ヘッドにおいてトラック幅を正確に制御す
ることが可能になるという効果を奏する。更に、薄膜コ
イルの第２の層の側方に配置された部分の端部を、第２
の層の端部の近くに配置することが可能になり、これに
より、磁路長の縮小が可能になるという効果を奏する。
【０１２２】また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項２０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルの第２の層の側方に配置された部分を覆
い、そのギャップ層側の面が第２の層におけるギャップ
層側の面と共に平坦化された絶縁層を設けたので、特
に、第２の磁性層を平坦な面の上に精度よく形成するこ
とができるという効果を奏する。
【０１２３】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁性層が、トラック幅を規定する磁極部分を
含む磁極部分層と、磁極部分層に接続され、ヨーク部分
となるヨーク部分層とを有するようにし、ヨーク部分層
の媒体対向面側の端面を媒体対向面から離れた位置に配
置したので、記録すべき領域以外の領域へのデータの書
き込みや記録すべき領域以外の領域におけるデータの消
去を防止することができるという効果を奏する。
【０１２４】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、磁極部分層の媒体対向面側の端部から反対側の端部
までの長さを、磁気抵抗素子の媒体対向面側の端部から
反対側の端部までの長さよりも大きくしたので、磁極部
分層とヨーク部分層の接続部分における磁束の飽和を防
止することができるという効果を奏する。
【０１２５】また、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、薄膜コイルが、磁極部分層の側方に配置された部分
を含むようにし、薄膜コイルの磁極部分層の側方に配置
された部分を覆い、そのヨーク部分層側の面が磁極部分
層におけるヨーク部分層側の面と共に平坦化された絶縁
層を設けたので、第２の磁性層のヨーク部分層を平坦な
面の上に精度よく形成することができるという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図と断面図とを対応付けて
示す説明図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部を一部切り欠いて示す斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの主要部分についての平面図と断面図とを対応付けて
示す説明図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの主要部分についての平面図と断面図とを対応付け
て示す説明図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
【図２０】従来の磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…上部シールド層、８ａ…第１の層、８ｂ…第
２の層、１０…薄膜コイル、１１…絶縁層、１２…記録
ギャップ層、１３…上部磁極層、１７…オーバーコート
層、２０…非磁性層。

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する媒
    体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向する
    ように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドするた
    めの第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッド
    と、 互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
    を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
    磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
    れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
    ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
    て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有する記
    録ヘッドとを備え、 前記第２のシールド層は前記第１の磁性層を兼ねている
    薄膜磁気ヘッドであって、 前記第２のシールド層の中であって前記磁気抵抗素子と
    第２のシールド層の磁極部分との間の位置において、前
    記磁気抵抗素子よりも広い領域に配置された非磁性層を
    備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第２のシールド層は、前記薄膜コイ
    ルの少なくとも一部に対向する位置に配置された第１の
    層と、前記第１の層における前記ギャップ層側の面に接
    続され、磁極部分を含む第２の層とを有することを特徴
    とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記非磁性層は前記第１の層と前記第２
    の層との間に配置されていることを特徴とする請求項２
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記第２の層は、スロートハイトを規定
    する部分を有することを特徴とする請求項２または３記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記スロートハイトを規定する部分の媒
    体対向面側の端部から反対側の端部までの長さは、前記
    非磁性層の媒体対向面側の端部から反対側の端部までの
    長さよりも大きいことを特徴とする請求項４記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記薄膜コイルは、前記第２の層の側方
    に配置された部分を含むことを特徴とする請求項２ない
    し５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 更に、前記薄膜コイルの前記第２の層の
    側方に配置された部分を覆い、そのギャップ層側の面が
    前記第２の層におけるギャップ層側の面と共に平坦化さ
    れた絶縁層を備えたことを特徴とする請求項６記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第２の磁性層は１つの層からなるこ
    とを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の薄
    膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記第２の磁性層は、トラック幅を規定
    する磁極部分を含む磁極部分層と、前記磁極部分層に接
    続され、ヨーク部分となるヨーク部分層とを有すること
    を特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端
    面は、媒体対向面から離れた位置に配置されていること
    を特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記磁極部分層の媒体対向面側の端部
    から反対側の端部までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒
    体対向面側の端部から反対側の端部までの長さよりも大
    きいことを特徴とする請求項９または１０記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記薄膜コイルは、前記磁極部分層の
    側方に配置された部分を含むことを特徴とする請求項９
    ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】 更に、前記薄膜コイルの前記磁極部分
    層の側方に配置された部分を覆い、そのヨーク部分層側
    の面が前記磁極部分層におけるヨーク部分層側の面と共
    に平坦化された絶縁層を備えたことを特徴とする請求項
    １２記載の薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
    媒体対向面側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向す
    るように配置された、前記磁気抵抗素子をシールドする
    ための第１および第２のシールド層とを有する再生ヘッ
    ドと、 互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互いに
    対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
    を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
    磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
    れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
    ２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
    て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有する記
    録ヘッドとを備え、 前記第２のシールド層は前記第１の磁性層を兼ねている
    薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記再生ヘッドを形成する工程と、 前記記録ヘッドを形成する工程と前記第２のシールド層
    の中であって前記磁気抵抗素子と第２のシールド層の磁
    極部分との間の位置において、前記磁気抵抗素子よりも
    広い領域に配置された非磁性層を形成する工程とを含む
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記再生ヘッドを形成する工程は第２
    のシールド層を形成する工程を含み、 前記第２のシールド層を形成する工程は、前記薄膜コイ
    ルの少なくとも一部に対向する位置に配置された第１の
    層を形成する工程と、前記第１の層における前記ギャッ
    プ層側の面に接続され、磁極部分を含む第２の層を形成
    する工程とを含むことを特徴とする請求項１４記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記非磁性層を形成する工程は、前記
    第１の層と前記第２の層との間に前記非磁性層を配置す
    ることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第２の層は、スロートハイトを規
    定する部分を有することを特徴とする請求項１５または
    １６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記スロートハイトを規定する部分の
    媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さは、前
    記非磁性層の媒体対向面側の端部から反対側の端部まで
    の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１７記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記薄膜コイルは、前記第２の層の側
    方に配置された部分を含むことを特徴とする請求項１５
    ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 更に、前記薄膜コイルの前記第２の層
    の側方に配置された部分を覆い、そのギャップ層側の面
    が前記第２の層におけるギャップ層側の面と共に平坦化
    された絶縁層を形成する工程を含むことを特徴とする請
    求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記第２の磁性層は１つの層からなる
    ことを特徴とする請求項１４ないし２０のいずれかに記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記記録ヘッドを形成する工程は前記
    第２の磁性層を形成する工程を含み、 前記第２の磁性層を形成する工程は、トラック幅を規定
    する磁極部分を含む磁極部分層を形成する工程と、前記
    磁極部分層に接続され、ヨーク部分となるヨーク部分層
    を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１４な
    いし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  23. 【請求項２３】 前記ヨーク部分層を形成する工程は、
    前記ヨーク部分層の媒体対向面側の端面を媒体対向面か
    ら離れた位置に配置することを特徴とする請求項２２記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記磁極部分層の媒体対向面側の端部
    から反対側の端部までの長さは、前記磁気抵抗素子の媒
    体対向面側の端部から反対側の端部までの長さよりも大
    きいことを特徴とする請求項２２または２３記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記薄膜コイルは、前記磁極部分層の
    側方に配置された部分を含むことを特徴とする請求項２
    ２ないし２４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造
    方法。
  26. 【請求項２６】 更に、前記薄膜コイルの前記磁極部分
    層の側方に配置された部分を覆い、そのヨーク部分層側
    の面が前記磁極部分層におけるヨーク部分層側の面と共
    に平坦化された絶縁層を形成する工程を含むことを特徴
    とする請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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