JP2002197616A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 トラック幅方向におけるギャップ層の幅を小
さく形成することができ、狭トラック化を実現すること
の可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 下部コア層２と、下部コア層２上に形成
された下部磁極層５上のギャップ層６と、ギャップ層６
上に形成された上部磁極層７と、上部磁極層７上に形成
された上部コア層１２と、記録媒体との対向面よりもハ
イト方向奥側の下部コア層２上に、ギャップ層６と上部
磁極層７との接合担面のハイト方向深さを決めるＧｄ決
め層４とを有し、媒体対向面からみて、ギャップ層６の
トラック幅方向の幅に前記上部磁極層７のトラック幅方
向の幅以下の部分を有する薄膜磁気ヘッドを採用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッド、接触式磁気ヘッド等に使用される薄膜磁気ヘッ
ドに係り、特に狭トラック幅を実現する上で好適な薄膜
磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における薄膜磁気ヘッドの概略の構
成を図２４及び図２５を参照して説明する。
【０００３】図２４は従来の薄膜磁気ヘッド２１の媒体
対向面（エアーベアリングサーフェス：ＡＢＳ）よりみ
た部分正面図であり、図２５は図２４に示す薄膜磁気ヘ
ッド２１の２５−２５線から切断し矢印方向からみた部
分である。
【０００４】図２４及び図２５に示す符号２２は、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金（パーマロイ）等の軟磁性合金で形成され
た下部コア層であり、この下部コア層２２のトラック幅
方向（図示Ｘ軸方向）の両側には図示しない絶縁層が形
成されている。
【０００５】また、図２４に示すように、薄膜磁気ヘッ
ド２１の下部コア層２２の上に積層形成されている符号
２５、符号２６、符号２７は、下部磁極層２５と、ギャ
ップ層２６と、上部磁極層２７とであり、これら下部磁
極層２５と、ギャップ層２６と、上部磁極層２７とは磁
極部２８を構成している。磁極部２８は磁気ギャップＧ
からトラック幅ＴＷ１の漏れ磁界により媒体に対し情報
の書き込みを行う。磁極部２８は図２５に示すように、
媒体対向面よりハイト方向（図示矢印Ｙ方向）の奥側
（薄膜磁気ヘッドの深さ方向ともいう。）で後述するギ
ャップ深さ（Ｇｄ）決め層２３まで延ばされている。
尚、下部磁極層２５と上部磁極層２７とは例えば、Ｆｅ
−Ｎｉ系合金（パーマロイ）等の軟磁性合金で形成さ
れ、ギャップ層２６は、アルミナやＮｉＰ合金等の非磁
性材料により形成される。
【０００６】また、図２５に示すように、下部コア層２
２上であって媒体対向面３３よりハイト方向（矢印Ｙ方
向）奥側に形成された符号２３はレジスト等の非磁性材
料からなるギャップ深さ（Ｇｄ）決め層（以下「Ｇｄ決
め層」という。）である。上述のように、磁極部２８が
媒体対向面よりＧｄ決め層２３までハイト方向の奥側に
延ばされるので、媒体対向面より上部磁極層２７とギャ
ップ層２６の接合担面がＧｄ決め層２３に接するまでの
距離をギャップ深さＧｄとして決めることができる。Ｇ
ｄ決め層２３は、図２５に示すようにその表面形状は曲
面で構成されている。尚、図２４では、破線で磁極部２
８のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）両側に延設された
ギャップ決め層２３の形状を示す。
【０００７】また、図２５に示すように、下部コア層２
２上であってＧｄ決め層２３よりさらにハイト方向（矢
印Ｙ方向）奥側に形成された符号２９は、Ｆｅ−Ｎｉ系
合金（パーマロイ）等の軟磁性合金で形成された持ち上
げ層である。図２４及び図２５に示すように、磁極部２
８のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）両側、Ｇｄ決め層
２３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）両側及びハイト
方向（矢印Ｙ方向）奥側及び持ち上げ層２９の周りはア
ルミナ等の絶縁材料等で絶縁層２４が形成されている。
そして、絶縁層２４の上には符号３０で示すコイル層が
螺旋状に形成されており、コイル層３０を覆うように例
えば有機絶縁材料等の絶縁材料で形成された絶縁層３１
が形成されている。
【０００８】また、図２４及び２３に示す符号３２は、
例えば、フレームメッキ法で形成されたＦｅ−Ｎｉ系合
金（パーマロイ）等の軟磁性合金からなる上部コア層で
ある。上部コア層３２の先端部３２ａは、上部磁極層２
７と磁気的に結合されており、記録媒体との対向面に露
出形成される。また、上部コア層３２の基端部３２ｂは
下部コア層２２と持ち上げ層２９を介して磁気的に接続
されている。尚、上部コア層３２は、図示しない絶縁層
で覆われている。
【０００９】上述の薄膜磁気ヘッド２１は、例えば浮上
式磁気ヘッドに使用されて磁気ディスク装置に組み込ま
れ、そのコイル層３０に記録電流が与えられると、上部
・下部両コア層３２，２２及びこれら両層と磁気的に接
続する上部・下部両磁極層２７，２５に記録磁界が誘導
され、媒体対向面３３における磁気ギャップＧからの漏
れ磁界により矢印Ｚ方向に回転走行する磁気記録媒体た
る磁気ディスクに対し情報の書き込みが行われるように
なっている。
【００１０】また、薄膜磁気ヘッド２１の製造は、先
ず、下部コア層２２上の媒体対向面３３から矢印Ｙ方向
に後退した位置にＧｄ決め層２３を形成し、次いで、図
２６に示すように、下部コア層２２上にレジスト層３４
ａを塗布形成してＧｄ決め層２３を覆い、このレジスト
層３４にフォトリソグラフィー技術を用いてＧｄ決め層
２３に至る溝部３４ａと上述した持ち上げ層２９に対応
する孔（不図示）とを形成する。尚、Ｇｄ決め層２３の
表面の断面形状は、曲面であり、磁極部２８よりも両側
領域に延設されたＧｄ決め層２３の両延設部２３ａ，２
３ｂの長さは、例えば各々９μｍ程度である。
【００１１】次に、図２７に示すように、溝部３４ａ内
に電解メッキ法を用いて下部磁極層２５とギャップ層２
６と上部磁極層２７との３層を連続形成することによっ
て積層構造体２８を形成するとともに、前記孔内に図２
５で示した持ち上げ層２９を同じく電解メッキ法を用い
て形成する。
【００１２】次に、図３０に示すように、下部コア層２
２上に絶縁層２４を形成して磁極部２８と持ち上げ層２
９とを覆い、絶縁層２４をＣＭＰ法（ケミカル・メカニ
カル・ポリッシング法）によりＣ−Ｃ線まで研磨して平
坦化し、次いで、図３０に示すように、スパッタリング
法、電解めっき法及びフォトリソグラフィー技術を組み
合わせることにより、平坦化された絶縁層２４上にコイ
ル層３０を形成する。
【００１３】そして、絶縁層２４上に絶縁層３１を形成
してコイル層３０を覆い、この絶縁層３１上に上部コア
層３２をフレームめっき法等の方法でパターン形成す
る。以上のように、図２４，図２５に示す従来の薄膜磁
気ヘッド２１の要部の製造は完了する。
【００１４】上述の薄膜磁気ヘッド２１は、上部磁極層
２７を上部コア層３２と別体として形成することができ
るので、上部磁極層を有しない薄膜磁気ヘッドに比べ狭
トラック幅を実現することができる。また、ギャップ決
め絶縁層を有しているので、ギャップ深さを正確かつ任
意に決めることが可能となる利点を有している。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気ディスク装置の高密度化・大容量化に伴っ
てさらなる狭トラック化が要求されている。上述のトラ
ック幅ＴＷ１はギャップ層２６のトラック幅方向（図示
Ｘ軸方向）の幅で決まる。そこで、さらなる狭ギャップ
化に対応するためには、磁極部２８の全体の幅を小さく
すれば良い。磁極部２８の全体の幅を小さくするために
は、磁極部２８を形成するための溝部３４の幅Ｔを小さ
くする必要がある。
【００１６】しかしながら、磁極部２８を形成するため
の溝部３４の幅Ｔは、あまり小さくし過ぎるとフォトリ
ソグラフィーによる解像度が極端に悪くなり精度よく形
成することができない。例えば、フォトリソグラフィー
技術で精度よく形成できるには、磁極部２８を形成する
ための溝部３４の幅Ｔが０．５μｍ程度とされる。
【００１７】そこで、磁極部２８のトラック幅ＴＷ１を
フォトリソグラフィー技術で精度よく形成できる幅より
も小さくする方法として、磁極部２８を形成後、物理的
（又は化学的）に側面部を削りＴＷ１を細くする方法が
考えられている。すなわち、図２７に示すように、磁極
部２８を形成後レジスト層３４を除去し、図２８に示す
ように、磁極部２８の側面２８ａ面と２８ｂ面を斜め方
向（矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向）よりイオンミリング等
の手法により、さらに削り込みトラック幅ＴＷ１を小さ
くする方法である。
【００１８】ところが、磁極部２８の両側面２８ａ，２
８ｂをイオンミリング法によりさらに削り込みトラック
幅Ｔｗ１を０．４μｍよりもさらに小さくしようとする
と、ギャップ層２６のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）
のトラック幅ＴＷ１が最も小さくならず、ギャップ層２
６より上に形成された上部磁極層のトラック幅方向（図
示Ｘ軸方向）の幅が最も小さくなってしまう。こうした
現象は、図２９に示すように、磁極部２８よりも両側領
域に延設されたＧｄ決め層２３の両延設部２３ａ，２３
ｂが磁極部２８の下方にシャドウを作り、イオン照射が
磁極部のギャップ層２６及び下部磁極層２５に充分に行
き渡らないことによると推測される。上部磁極層のトラ
ック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅にギャップ層のトラッ
ク幅方向の幅よりも小さい磁極部２８で最もトラック幅
方向の幅が小さい部分があると薄膜磁気ヘッドは、上部
コア層３２より上部磁極層に導入される記録磁界を磁気
ギャップＧに集中させることができず、オーバーライト
特性の点で問題があった。また磁極部２８で最もトラッ
ク幅方向の幅が小さい部分すなわち、上部磁極層の最狭
幅部で磁気漏れが発生しライトフリンジングも懸念され
る。
【００１９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的はトラック幅方向におけるギャップ層の幅
を小さく形成することができ、狭トラック化を可能とす
る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部コア層と、前記下
部コア層上又は前記下部コア層上に形成された下部磁極
層上のギャップ層と、前記ギャップ層上に形成された上
部磁極層と、前記上部磁極層上に形成された上部コア層
と、記録媒体との対向面よりもハイト方向奥側の前記下
部コア層上に、前記ギャップ層と前記上部磁極層との接
合担面のハイト方向深さを決めるＧｄ決め層とを有し、
媒体対向面からみて、前記ギャップ層のトラック幅方向
の幅に前記上部磁極層のトラック幅方向の幅以下の部分
を有することを特徴とする。
【００２１】本発明では、上部磁極層と上部コア層を別
体として形成しているので、下部コア層上のギャップ層
と、ギャップ層上に形成された上部磁極層とからなる磁
極部、又は下部コア層上に形成された下部磁極層上と、
下部磁極上に形成されたギャップ層と、ギャップ層上に
形成された上部磁極層とからなる磁極部を幅狭でも精度
よく形成することができる。また、Ｇｄ決め層を設けた
ことにより、ギャップ深さを正確かつ任意に決めること
が可能となる
【００２２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、媒体
対向面からみて、前記ギャップ層のトラック幅方向の幅
に前記上部磁極層及び前記下部磁極層のトラック幅方向
の幅以下の部分を有することが好ましい。本発明では、
ギャップ層のトラック幅方向の幅が上記磁極部のトラッ
ク幅方向の幅のうち最も小さい部分を含んで形成してい
るので、フォトリソグラフィーによる解像度すなわち、
露光現像するレジストの分解能の限界値以上に狭いトラ
ック幅ＴＷ、０．４μｍ以下、例えば０．１μｍ〜０．
４μｍ程度を実現し、高記録密度の磁気記録を達成する
ことができる。また、ギャップ層のトラック幅方向の幅
が上部磁極層のトラック幅方向の幅以下又は上部磁極層
のトラック幅方向の幅よりも小さいと、上部コアより上
部磁極層に導入される記録磁界を磁気ギャップＧへ集中
させることができる。
【００２３】さらに、媒体対向面側からみて、上部磁極
層は上部磁極層のトラック幅方向の幅が上部磁極層の膜
厚方向にギャップ層から離れるに従い漸次大きくなるよ
うに形成されているとより好ましい。
【００２４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、媒体対
向面からみて、前記ギャップ層のトラック幅方向の幅に
前記上部磁極層及び前記下部磁極層のトラック幅方向の
幅以下の部分を有することが好ましい。
【００２５】さらに、媒体対向面側からみて、下部磁極
層は、下部磁極層のトラック幅方向の幅が下部磁極層の
膜厚方向にギャップ層より離れるに従い漸次大きくなる
ように形成されていて、かつ上部磁極層は上部磁極層の
トラック幅方向の幅が上部磁極層の膜厚方向にギャップ
層から離れるに従い漸次大きくなるように形成されてい
る。そして、ギャップ層は、ギャップ層のトラック幅方
向の幅が磁極部のトラック幅方向の幅のうち最も小さい
部分を含んで形成しているとより好ましい。
【００２６】また、媒体対向面側からみて、下部磁極層
のトラック幅方向の幅が下部磁極層の膜厚方向にギャッ
プ層から離れるに従い漸次小さくなるように形成され、
部磁極層のトラック幅方向の幅が上部磁極層の膜厚方向
にギャップ層から離れるに従い漸次大きくなるように形
成されていても良い。
【００２７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、媒体
対向面からみて、前記ギャップ層のトラック幅方向の幅
に前記上部磁極層のトラック幅方向の幅以下の部分を有
し、前記下部磁極層のトラック幅方向の幅が前記ギャッ
プ層のトラック幅方向の幅とほぼ同じであることが好ま
しい。
【００２８】また、媒体対向面側からみて、下部磁極層
は、下部磁極層のトラック幅方向の幅が下部磁極層の膜
厚方向に略一定で、ギャップ層のトラック幅方向の幅に
ほぼ等しく形成され、上部磁極層はトラック幅方向の幅
が上部磁極層の膜厚方向にギャップ層から離れるに従い
漸次大きくなるように形成されて、ギャップ層が磁極部
トラック幅方向の幅が最も小さく形成された部分に配置
されることが好ましい。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、媒体
対向面からみて、前記ギャップ層のトラック幅方向の最
小の幅が０．４μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】フォトリソグラフィーによる解像度すなわ
ち、露光現像するレジストの分解能の限界値以上に狭い
トラック幅ＴＷ、０．４μｍ以下、例えば０．１μｍ〜
０．４μｍ程度を実現し、高記録密度の磁気記録を達成
することができる。
【００３１】また、前記下部磁極層の膜厚が０．２５μ
ｍ〜０．５μｍの範囲に設定されていることが好まし
い。下部磁極層自身の体積を大きくとることで高記録密
度の下における磁気飽和を抑制できる。また、上部磁極
層より下部コア層へ発生する漏れ磁界によるライトフリ
ンジングが防止される。
【００３２】上記目的を達成するために本発明の薄膜磁
気ヘッドの製造方法は、下部コア層上の媒体対向面とな
る面からギャップ深さ分だけハイト方向の位置にＧｄ決
め層を形成するＧｄ決め層形成工程と、前記下部コア層
上又は前記下部コア層上に形成された下部磁極層上のギ
ャップ層と、前記ギャップ層上の上部磁極層とを形成す
る磁極部形成工程と、前記磁極部工程で形成された磁極
部の媒体対向面からみた両側面にドライエッチングを施
すエッチング工程とを有し、前記Ｇｄ決め層形成工程に
おいて、前記磁極部の両側領域に延設された前記Ｇｄ決
め層の両延設部の幅を所定幅に設定することを特徴とす
る。
【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
両側領域に延設されたＧｄ決め層の両延設部の幅Ｗを所
望の所定長にすることが可能となる。また、エッチング
工程において。フォトリソグラフィーによる解像度すな
わち、両延設部によるシャドウ作用が抑制され、露光現
像するレジストの分解能の限界値以上に狭いトラック幅
ＴＷを実現する。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記磁極部形成工程で形成された前記磁極部の両側
領域に延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅を、各
々０μｍ乃至４μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００３５】さらに好ましくは、前記磁極部形成工程で
形成された磁極部の両側領域に延設された前記Ｇｄ決め
層の両延設部の幅を、各々１μｍ乃至４μｍの範囲に設
定することがより好ましい。
【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記磁極部形成工程の後、前記磁極部の両側領域に
延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅を所望の長さ
に調整する工程を有することが好ましい。
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記磁極部形成工程の後、前記磁極部の両側領域に
延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅をＲＩＥ（リ
アクティブ・イオン・エッチング）又はＯ２アッシング
により所望の長さに調整する工程を有することが好まし
い。Ｇｄ決め層の両延設部の幅が所望の幅よりも長く形
成しておき、後に不必要な延設部を除去し調整すること
で、Ｇｄ決め層の断面の表面形状がどの形状であって
も、所望のＧｄ決め層の両延設部の幅とすることができ
る。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記磁極部形成工程において、磁極部は下部磁極層
と、ギャップ層と、上部磁極層とを順次メッキ積層する
ことが好ましい。
【００３９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記磁極部形成工程において、磁極部はギャップ層
と、上部磁極層とを順次積層することが好ましい。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記エッチング工程において、イオン照射の角度
が、前記下部コア層に垂直な方向に対し、４５°以上７
５°以下の傾きを有していることが好ましい。上記イオ
ン照射角度θ２を有することで、上部磁極層の高さ寸法
を極端に減らすことなく、トラック幅を小さくすること
ができる。また、下部コア層の上面を所定の傾斜面とす
ることができる。
【００４１】さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法は、前エッチング工程において、イオン照射の角度
が、前記下部コア層に垂直な方向に対し、５５°以上７
０°以下の傾きを有していることがより好ましい。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の薄膜磁気ヘッドの
実施形態を図１乃至図２３に基づいて説明する。
【００４３】図１は、本発明における第１の実施の形態
の薄膜磁気ヘッド１（インダクティブヘッド）の構造を
示す部分正面図、図２は図１に示す薄膜磁気ヘッド１を
２−２線から切断し矢印方向からみた部分断面図であ
る。
【００４４】本発明では、このインダクティブヘッドの
下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＡＭＲヘ
ッド、ＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッド等）が積層されてい
ても良い。
【００４５】図１及び図２に示す符号２は、例えばＦｅ
−Ｎｉ系合金（パーマロイ）等の軟磁性合金で形成され
た下部コア層である。尚、前記下部コア層２の下側にに
再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層２とは
別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシール
ド層を設けても良いし、あるいは前記シールド層を設け
ず、前記下部コア層２を前記再生用ヘッドの上部シール
ド層として機能させても良い。尚、図示はしていない
が、下部コア層２ののトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）
の両側には絶縁層が形成されている。
【００４６】また、図１に示すように、薄膜磁気ヘッド
１の下部コア層２の上に積層形成されている符号３，符
号５，符号６，符号７は、メッキ下地層３と、下部磁極
層５と、ギャップ層６と、上部磁極層７とであり、これ
ら下部磁極層５と、ギャップ層６と、上部磁極層７とは
磁極部１３を構成している。また、符号３は、メッキ下
地層であり、磁極部１３がメッキ形成される際メッキ成
長の下地の機能を担う。尚、メッキ下地層３は形成され
なくても良い。磁極部１３は磁気ギャップＧからトラッ
ク幅ＴＷの漏れ磁界により媒体に対し情報の書き込みを
行う。磁極部１３は図２に示すように、媒体対向面１４
よりハイト方向（図示矢印Ｙ方向）の奥側（薄膜磁気ヘ
ッドの深さ方向ともいう。）で後述するギャップ深さ
（Ｇｄ）決め層４まで延ばされている。
【００４７】また、図１に示すように、磁極部１３の基
端から延びる下部コア層２の上面４０ａはトラック幅方
向（図示Ｘ軸方向）と平行な方向に延びて形成されてい
てもよく、あるいは、上部コア層１２から離れる方向に
傾斜する傾斜面４０ｂ，４０ｂが形成されていても良
い。前記下部コア層２の上面に傾斜面４０ｂ，４０ｂが
形成されることで、ライトフリンジング（サイドフリン
ジング）の発生をより適切に低減させることができる。
尚、角度θ１は、トラック幅方向に平行な平行線例えば
４０ａと、傾斜面４０ｂとのなす角である。傾斜面４０
ｂのなす角度θ１は、２°よりも小さいと下部コア層と
上部磁極層７との距離が小さくなり、ライトフリンジン
グの抑制効果をあまり期待できない。また、傾斜面４０
ｂのなす角度θ１は、１０°よりも大きいとライトフリ
ンジングの抑制効果としては優れているが、下部コア層
の体積の減少により、下方に形成した上記磁気抵抗効果
素子にノイズを生じる恐れもある。そこで、上記角度θ
１は、２°から１０°であることが好ましい。
【００４８】また、図２に示すように、下部コア層２上
であって媒体対向面３３よりハイト方向（矢印Ｙ方向）
奥側に形成された符号４はレジスト等の非磁性材料から
なるギャップ深さ（Ｇｄ）決め層（以下「Ｇｄ決め層」
という。）である。上述のように、磁極部１３が媒体対
向面よりＧｄ決め層４までハイト方向の奥側に延ばされ
るので、媒体対向面より上部磁極層７とギャップ層６の
接合担面がＧｄ決め層４に接するまでの距離をギャップ
深さＧｄとして決めることができる。尚、図１に示すよ
うに、ギャップ決め層４は、磁極部１３のトラック幅方
向（図示Ｘ軸方向）両側に延設されており、破線でギャ
ップ決め層４ａ，４ｂの両延部の形状を示す。
【００４９】また、図２に示すように、下部コア層２上
であってＧｄ決め層４よりさらにハイト方向（矢印Ｙ方
向）奥側に形成された符号９は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パ
ーマロイ）等の軟磁性合金で形成された持ち上げ層であ
る。図１及び図２に示すように、磁極部１３のトラック
幅方向（図示Ｘ軸方向）両側、Ｇｄ決め層４のトラック
幅方向（図示Ｘ軸方向）両側及びハイト方向（矢印Ｙ方
向）奥側及び持ち上げ層９の周りはアルミナ等の絶縁材
料等で絶縁層８が形成されている。そして、絶縁層８の
上には符号１０で示すコイル層が螺旋状に形成されてお
り、コイル層１０を覆うように例えば有機絶縁材料等の
絶縁材料で形成された絶縁層３１が形成されている。
【００５０】また、図１及び２に示す符号１２は、例え
ば、フレームメッキ法で形成されたＦｅ−Ｎｉ系合金
（パーマロイ）等の軟磁性合金からなる上部コア層であ
る。上部コア層１２の先端部１２ａは、上部磁極層７と
磁気的に結合されている。また、上部コア層１２の基端
部１２ｂは持ち上げ層９及びメッキ下地層３を介して下
部コア層２と磁気的に接続されている。尚、上部コア層
１２は、図示しない絶縁層で覆われている。
【００５１】次に、上述した薄膜磁気ヘッド１の各層の
詳細について順次説明する。
【００５２】下部コア層２は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パー
マロイ）等の軟磁性材料から形成され、フレームメッキ
法等により形成される。
【００５３】メッキ下地層３は、スパッタ成膜等の手法
により設けられ、下部コア層２と同じ材料でも良いし、
異なる材料でも良い。また、単層の膜でも良いし、多層
膜で形成されていてもどちらでも良い。
【００５４】下部磁極層５は、下部コア層２と磁気的に
接続されており、下部磁極層５は下部コア層２と同じ材
質でも異なる材質で形成されていてもどちらでも良い。
また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでも良
い。尚前記下部磁極層５の高さ寸法は、例えば０．２５
〜０．５μｍ程度で形成される。下部磁極層５自身の体
積を大きくとることで高記録密度の下における磁気飽和
を抑制できる。また、上部磁極層７より下部コア層２へ
発生する漏れ磁界によるライトフリンジングが防止され
る。尚、下部磁極層５は、下部コア層２の飽和磁束密度
よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましく、
このようにすると、磁気ギャップＧ近傍に記録磁界を集
中させ、記録密度を向上させることが可能となる。
【００５５】ギャップ層６はアルミナ等の絶縁材料やＮ
ｉＰ等の非磁性金属材料からなる非磁性材料で形成され
る。また、本発明では図１に示すように、磁極部１３の
トラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が最も小さく形成
された部分に配置された状態となっている。また、ギャ
ップ層６は媒体対向面よりＧｄ決め層４までハイト方向
の奥側に延ばされるので、ギャップ深さ（Ｇｄ）が媒体
対向面より上部磁極層７とギャップ層６の接合担面がＧ
ｄ決め層４に接するまでの距離として決められる。尚、
ギャップ深さ（Ｇｄ）は、薄膜磁気ヘッドの電気特性に
多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定さ
れる。ギャップ層６は非磁性金属材料で形成することが
好ましい。ギャップ層６が非磁性金属材料で形成される
と、下部磁極層５、ギャップ層６及び上部磁極層７を連
続してメッキ形成し、磁極部１３を容易に形成すること
ができる。本発明では、上記非磁性金属として、Ｎｉ
Ｐ，ＮｉＰｄ，ＮｉＷ，ＮｉＭｏ，ＮｉＲｈ，Ａｕ，Ｐ
ｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｃｒのうち１種又は２種以上を
選択することが好ましく、ギャップ層６は単層膜で形成
されていても多層膜で形成されていてもどちらであって
も良い。本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１では、ギャッ
プ層６のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の最大寸法
を、０．４μｍ以下、例えば０．１μｍ〜０．４μｍ程
度とすることが可能となる。尚前記ギャップ層６の高さ
寸法は、例えば０．２μｍ程度で形成される。
【００５６】次にギャップ層６上には、後述する上部コ
ア層１２と磁気的に接続する上部磁極層７がメッキ形成
されている。尚前記上部磁極層７は、上部コア層１２と
同じ材質で形成されていても良いし、異なる材質で形成
されていても良い。また単層膜でも多層膜で形成されて
いてもどちらでも良い。尚前記上部磁極層７の高さ寸法
は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度で形成されてい
る。
【００５７】本発明の実施の形態では、図１及び図２に
示すように、上部磁極層７は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の軟
磁性材料で形成された上層７ａ及び下層７ｂからなる２
層構造とされ、下層７ｂがその後端部をＧｄ決め層４に
接触させ、上層７ａがその後端部をＧｄ決め層４上に延
設させている。そして、下層７ｂの飽和磁束密度が上層
７ａの飽和磁束密度よりも高く設定されている。上部磁
極層７がギャップ層６に近くなるほど飽和磁束密度が大
きくなる多層膜として形成すると、上部コア層１２から
流れてきた磁束を磁気ギャップＧ近傍に集中させること
が容易となり、記録密度を向上させることが可能とな
る。尚、下層７ｂを厚く形成し、下層７ｂの後端部をＧ
ｄ決め層４上に延設させ、下層７ｂに上層７ａ及び上部
コア層１２を順次、積層しても良い。飽和磁束密度の大
きな下層７ｂの体積が大きくなることからオーバーライ
ト特性のさらなる向上を得ることができる。
【００５８】本発明では、磁極部１３は、下部磁極層
５，ギャップ層６及び上部磁極層７の積層構造に限らな
い。すなわち、ギャップ層６と上部磁極層７からなる２
層膜で形成されていても良い。また、媒体対向面からみ
て、磁極部のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅は、
下部コア層のトラック幅方向の幅よりも小さく形成され
ていることが磁極部に磁束を集中させる上で好ましい。
また、媒体対向面からみて、磁極部のトラック幅方向
（図示Ｘ軸方向）の幅は、上部コア層のトラック幅方向
の幅よりも小さく形成されていることがより好ましい。
【００５９】上述のように構成された磁極部１３は、図
１に示すように、媒体対向面１４側からみて、下部磁極
層５は、下部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ軸方
向）の幅が下部磁極層５の膜厚方向（図示Ｚ軸方向）に
ギャップ層６より離れるに従い漸次大きくなるように形
成されている。また、上部磁極層７は、上部磁極層７の
トラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が上部磁極層７の
膜厚方向（図示Ｚ軸方向）にギャップ層６から離れるに
従い漸次大きくなるように形成されている。また、ギャ
ップ層６は、ギャップ層６のトラック幅方向（図示Ｘ軸
方向）の幅が磁極部１３のトラック幅方向（図示Ｘ軸方
向）の幅のうち最も小さい部分を含んで形成している。
【００６０】媒体対向面から見て、磁極部のギャップ層
が台形状となっている場合、ギャップ層の上面のトラッ
ク幅方向の幅と、ギャップ層の上面のトラック幅方向の
幅との差は、０．１μｍ以内であることが好ましい。上
記範囲に設定すれば、ライトフリンジングを抑制し、オ
ーバーライト特性を確保することができる。
【００６１】また上述したように、磁極部１３を構成す
る下部磁極層５及び上部磁極層７は、それぞれの磁極層
が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質
で形成されてもどちらでも良いが、記録密度を向上させ
るためには、ギャップ層６に対向する下部磁極層５及び
上部磁極層７は、それぞれの磁極層が磁気的に接続され
るコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有し
ていることが好ましい。このように下部磁極層５及び上
部磁極層７が高い飽和磁束密度を有していることによ
り、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向
上させることが可能になる。
【００６２】Ｇｄ決め層４は、下部コア層２上（メッキ
下地層を介しても良い）に例えばレジスト等で形成され
ており、媒体対向面側及び持ち上げ層側に斜面部を有し
ている。レジスト等の有機絶縁材料以外にも、アルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）やＳｉＯ２等の無機絶縁材料、Ｃｕ等の
非磁性金属材料など非磁性材料であっても良い。また、
Ｇｄ決め層は、図２に示すように、本実施の形態では台
形断面形状を有しているが、Ｇｄ決め層４の表面を、図
３に示すように例えば曲面形状で形成してもよく、図示
した形状に限定されない。図２に示すように、Ｇｄ決め
層の媒体対向面側の斜面部には、媒体対向面より上部磁
極層７とギャップ層６の接合担面が延ばされ接してい
る。従って、媒体対向面より上部磁極層７とギャップ層
６の接合担面がＧｄ決め層４に接するまでの距離をギャ
ップ深さＧｄとして決めることができる。尚、本発明の
薄膜磁気ヘッドは、Ｇｄを精度良く決めるために、媒体
対向面より延びてくる上部磁極層７とギャップ層６の接
合担面の高さが、Ｇｄ決め層の高さＳよりも低い位置に
あることが好ましい。
【００６３】また、本発明の実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドでは、Ｇｄ決め層４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗは後
述するようにイオンミリング等の手法により削られるの
で例えば、各々２〜４μｍの範囲となっている。Ｇｄ決
め層４のハイト方向（矢印Ｙ方向）の最大の長さＲは、
３〜８μｍ程度が好ましい。またＧｄ決め層４の高さ方
向（矢印Ｚ方向）の最大の長さＳは、０．７〜３μｍ程
度が好ましい。
【００６４】次に、従来の薄膜磁気ヘッド２１のＧｄ決
め層と本発明の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１のＧｄ決
め層を比較する。図２４に示すように、従来の薄膜磁気
ヘッド２１のＧｄ決め層２３の両延設部２３ａ，２３ｂ
の幅は各々４μｍ越えており、例えば９μｍ程度となっ
ていた。すなわち、後述する製造方法により、従来の薄
膜磁気ヘッド２１のＧｄ決め層２３の表面の断面形状は
曲面となっている。Ｇｄ決め層２３の表面の断面形状が
曲面とした理由は、Ｇｄ決め層２３の表面と上部磁極層
７の上面との間の体積をかせぐことにより、磁気飽和を
緩和しいわゆるＮＬＴＳ特性又はＰＷ５０特性を向上さ
せるねらいがあるためである。
【００６５】しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッド２１
のＧｄ決め層２３が表面の断面形状を曲面形状として形
成するために、後述するように磁極部がＧｄ決め層に載
ったトラック幅方向の幅よりも充分に大きなＧｄ決め層
２３の両延設部２３ａ，２３ｂを有する必要があった。
【００６６】本発明の薄膜磁気ヘッドは、後述する製造
方法で詳述するように、Ｇｄ決め層４の断面の表面形状
がどの形状であっても、Ｇｄ決め層４の両延設部４ａ，
４ｂを所定の幅Ｗとすることができる。すなわち、本発
明の薄膜磁気ヘッドは、フォトリソグラフィーによる解
像度すなわち、露光現像するレジストの分解能の限界値
以上に狭いトラック幅ＴＷを形成しても、媒体対向面か
らみて、ギャップ層のトラック幅方向の幅に上部磁極層
のトラック幅方向の幅よりも小さい部分を有する、すな
わちトラック幅ＴＷの狭ギャップ化を達成することがで
きる。
【００６７】ここで、ＮＬＴＳ特性とは、磁気ギャップ
で発生する漏れ磁界が記録媒体である磁気ディスクに直
前に記録された磁気記録信号からヘッド側へ向けられて
発せられる漏れ磁界の影響を受け、非線形的な歪みを生
じて起こす位相進みのことである。また、ＰＷ５０特性
とは、再生波長の半値幅を測定したものであり、半値幅
が小さければ小さいほど記録分解能が向上している。
【００６８】上記のように、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、図２に示すＧｄ決め層４の表面の断面形状は曲面で
も良い。すなわち、図３に示すように、Ｇｄ決め層１８
以外が上述の薄膜磁気ヘッド１と同じ薄膜磁気ヘッド４
１は、Ｇｄ決め層１８の表面の断面形状とすることによ
り、トラック幅は狭ギャップであって、かつ上部磁極の
体積がかせげることから、ＮＬＴＳ特性やＰＷ５０特性
の優れた薄膜磁気ヘッドとすることが可能である。
【００６９】次に絶縁層８は、例えば、ＡｌＯ，Ａｌ２
Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ，ＡｌＮ，Ａ１Ｓ
ｉＮ，ＴｉＮ，ＳｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＮｉＯ，ＷＯ，Ｗ
Ｏ３，ＢＮ，ＣｒＮ，ＳｉＯＮのうち少なくとも１種か
らなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。ま
た、絶縁層８の上面は、上部磁極層７と上部コア層１２
との接合面と同一平面とされている。
【００７０】持ち上げ層９は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金等の軟
磁性材料で形成されてなるもので、その上面は、上部磁
極層７の上層７ａと上部コア層１２との接合面と同一平
面とされている。また、持ち上げ層９は多層膜とした
り、Ｃｕ等の導電性の良い材料を用いて形成することも
可能である。
【００７１】コイル層１０は、Ｃｕ等の電気抵抗の低い
導電材料からなる導電材料層１０ａと、この導電材料層
１０ａを酸化から防止するＮｉ等からなる導電性保護層
１０ｂとの２層構造で構成され、絶縁層８の上面上に平
面視渦巻状に形成されている。コイル層１０は、下部コ
ア層２と上部コア層１２との間に絶縁層介した状態で位
置し、コイル層１０に記録電流が与えられると、上部コ
ア層１２，下部コア層２及びこれら両層と磁気的に接続
する上部磁極層７及び下部磁極層５に記録磁界が誘導さ
れ、媒体対向面１４における磁気ギャップＧからの漏れ
磁界を発生させる。
【００７２】絶縁層１１は、ノボラック樹脂等の有機絶
縁材料からなり、コイル層１０と上部コア層１２との絶
縁を確保している。
【００７３】上部コア層１２は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パ
ーマロイ）等の軟磁性材料から形成されてなるもので、
その先端部が１２ａ媒体対向面１４から後方（矢印Ｙ方
向）に引き込んだ位置に配置され、下部コア層２とメッ
キ下地層３と持ち上げ層９及び磁極部１３とで磁気ギャ
ップＧを有する磁気回路を構成している。
【００７４】尚、図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイ
ル層が１層であるが、２層又は２層以上で形成されてい
ても良い。この場合、例えば前記下部コア層２上であっ
て、磁極部１３のハイト方向（矢印Ｙ方向）後方の絶縁
層８の中に絶縁をとった図示しないコイル層が埋めら
れ、絶縁層８上にさらにコイル層１０が形成されること
になる。コイル層を多層化することにより、コイル層よ
り発生する磁界を大きくでき高記録密度化が可能にな
る。また媒体対向面１４から持ち上げ層９までの距離を
短く設定することができるので短磁路となり、高周波に
おける記録により有利になる。
【００７５】本発明の第１の実施の形態では、図１及び
図２に示すように、上部コア層１２の記録媒体との対向
面側の先端面１２ａは、媒体対向面からハイト方向（図
示Ｙ方向）に後退して形成されている。このように上部
コア層１２の先端面１２ａがハイト方向に後退して形成
されることで、さらに効果的にサイドフリンジングの発
生を抑制することができる。
【００７６】上述したように、本発明の第１の実施の形
態の薄膜磁気ヘッド１は、上部磁極層を上部コア層と別
体として形成することができるので、狭トラック幅を実
現することができる。さらに、ギャップ層６のトラック
幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が磁極部１３のトラック幅
方向（図示Ｘ軸方向）の幅のうち最も小さい部分を含ん
で形成しているので、フォトリソグラフィーによる解像
度すなわち、露光現像するレジストの分解能の限界値以
上に狭いトラック幅ＴＷ、０．４μｍ以下、例えば０．
１μｍ〜０．４μｍ程度を実現し、高記録密度の磁気記
録を達成することができる。また、ギャップ層６のトラ
ック幅方向の幅が上部磁極層のトラック幅方向の幅より
も小さいと、上部コア層１２より上部磁極層に導入され
る記録磁界を磁気ギャップＧへ集中させることができ
る。
【００７７】次に、薄膜磁気ヘッド１の製造方法につい
て説明する。尚、図４に示すように、本発明の薄膜磁気
ヘッドは、通常ウエハー上で多数個形成され切断して個
々の薄膜磁気ヘッドとされる。例えば、ウエハーの所定
の面を媒体対向面となる面（仮想面）１４ａと設定し製
造され、最終的に、個々の薄膜磁気ヘッドとなった際に
は、切断・研磨により１４ｂの部分が除去され媒体対向
面１４が形成される。以後、媒体対向面となる面及び除
去される部分の説明は割愛する。
【００７８】先ず、図４に示すように、下部コア層２上
にメッキ下地層３を形成する。尚、メッキ下地層はなく
ても良い。さらにメッキ下地層３上にＧｄ決め層４とな
る無機絶縁層１５を成膜プロセスによって形成した後、
無機絶縁層１５上にさらに媒体対向面となる面からギャ
ップ深さ分だけハイト方向の位置にレジスト層１６を形
成する。
【００７９】次に、図５に示すように、レジスト層１６
をマスクとして無機絶縁層１５をイオンミリングやＲＩ
Ｅ（リアクティブ・イオン・エッチング）等のドライエ
ッチング法を用いて削りＧｄ決め層４を形成し、次い
で、Ｇｄ決め層４上のレジスト層１６を除去する。
【００８０】また、媒体対向面となる面からギャップ深
さ分だけハイト方向の位置に紫外線硬化樹脂等からなる
有機絶縁層、例えばレジストを用いてＧｄ決め層４を図
６に示すように直接矩形状に形成しても良い。
【００８１】また、Ｇｄ決め層４を矩形状に形成した
後、ポストベーク（熱処理）し、レジストにだれを生じ
させ、Ｚ方向に向かうに従って媒体対向面から徐々に傾
斜する曲面を形成しても良い。レジストの形状を決定
後、Ｇｄ決め層４に紫外線を照射して硬化させる。ま
た、レジストにだれを生じさせ、Ｚ方向に向かうに従っ
て媒体対向面から徐々に傾斜する曲面とするには、Ｇｄ
決め層４のハイト方向（矢印Ｙ方向）の最大の長さＲに
対して一定以上の長さが必要となる。このため、磁極部
１３のトラック幅方向の幅に対して約１２〜２０倍もの
大きさのＧｄ決め層４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗが必
要となる。
【００８２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
図７及び図８に示すように両側領域に延設されたＧｄ決
め層４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗを所望の所定長にす
ることが望ましい。本第１の実施の形態では、Ｇｄ決め
層４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗを各々４μｍとした。
例えばレジストを用いてＧｄ決め層４を図６に示すよう
に直接矩形状に形成することにより、任意のＧｄ決め層
４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗとすることが可能であ
る。
【００８３】Ｇｄ決め層４の両延設部の幅が所望の幅よ
りも長い場合には、図７及び図８に示すように、後述す
る製法等で形成された磁極部１３をマスクとして（又所
定長さを新たなマスクで覆い）磁極部１３の両側領域に
延設されたＧｄ決め層４の両延設部４ｃ，４ｄの幅Ｗａ
をイオンミリング等のエッチング手法により削り両延設
部４ａ，４ｂの幅Ｗを調整しても良い。また、磁極部１
３をマスクにして（又は所定長さを新たなマスクで覆
い）その両側領域に延設されたＧｄ決め層４の両延設部
４ｃ，４ｂをＯ２アッシングやＲＩＥ（リアクティブ・
イオン・エッチング）等の手段で除去し、所望の長さに
する方法がある。尚、イオン・カップリング・プラズマ
−リアクティブ・イオン・エッチングによる手法によれ
ば、強い異方性のあるエッチングが可能であるので、よ
り好ましい。上述の方法により、両延設部４ａ，４ｂの
幅Ｗを全て削りとることも可能である。
【００８４】従って、Ｇｄ決め層の両延設部の幅が所望
の幅よりも長く形成しておき、後に不必要な延設部を除
去し調整することで、Ｇｄ決め層の断面の表面形状がど
の形状であっても、所望のＧｄ決め層の両延設部の幅と
することができる。例えば、図３に示す薄膜磁気ヘッド
でも、Ｇｄ決め層の両延設部の幅を４μｍ以下とするこ
とができる。
【００８５】本発明の実施の形態では、以後Ｇｄ決め層
４にレジスト等の有機絶縁層を用いた例を示すこととす
る。尚、Ｇｄ決め層４をＣｕなどの非磁性金属層で形成
しても構わない。
【００８６】次に、図９，図１０に示すように、メッキ
下地層３上にレジスト層１７を塗布形成してＧｄ決め層
４を覆い、このレジスト層１７にフォトリソグラフィー
技術を用いて溝部１７ａをＧｄ決め層４に至るように形
成するとともに、上述した持ち上げ層９に対応する孔１
７ｂを同じくフォトリソグラフィー技術を用いて形成す
る。このとき溝部１７ａの幅Ｔは、あまり小さくし過ぎ
るとフォトリソグラフィーによる解像度が極端に悪くな
り精度よく形成することができない。例えば、露光の光
源の波長をｉ線（波長３６５ｎｍ）を使用した場合のフ
ォトリソグラフィー技術で精度よく形成できる限度が
０．５μｍ程度とされ、例えば０．４μｍ以下とするこ
とは精度上難しい。露光装置の露光の光源を変更しても
精度の良い溝部を作る限界はいづれかにある。従って、
上記溝部１７ａの幅Ｔは、磁極部の所定のトラック幅を
概ね規制する幅規制部でもある。
【００８７】次に、図１１，図１２に示すように、溝部
１７ａ内に電解メッキ法を用いて下部磁極層５とギャッ
プ層６と上部磁極層７とを形成することによって磁極部
１３を形成する。
【００８８】尚、下部磁極層５を形成しないで、下部コ
ア層に、メッキ下地層（なくても良い）、ギャップ層、
上部磁極層を形成して磁極部を形成しても良い。下部磁
極層５を形成しない場合、イオンミリング等の手段で、
上部磁極層７のギャップ層６を介して対向する部分を残
して下部コア層２を削り込み、下部コア層の凸部をギャ
ップ層の下に形成する方が、ライトフリンジング防止の
点で好ましい。
【００８９】また、磁極部１３の形成と同時又は別に、
孔１７ｂ内に図２で示した持ち上げ層９を同じく電解メ
ッキ法を用いて形成し、次いで、図１３，図１４に示す
ように、メッキ下地層３上のレジスト層１７を除去す
る。
【００９０】次に、フォトリソグラフィーによる解像度
すなわち、露光現像するレジストの分解能の限界値以上
に狭いトラック幅ＴＷを実現するためのエッチング工程
について説明する。図１５，図１６に示す状態で、磁極
部１３が所定のトラック幅Ｔｗとなるようにエッチング
法の一種である例えばイオンミリング法等により斜め方
向（矢印Ａ，Ｂ方向）からイオン照射角度θ２でイオン
照射を行い磁極部１３の両側面１３ａ，１３ｂ削り込
む。ここで、イオン照射角度θ２は、下部コア層（又は
ウエハー基準面）に垂直な方向に対してなす角度であ
る。また、イオン照射を行い磁極部１３の両側面１３
ａ，１３ｂ削り込むとともに又は、別に下部コア層２の
上面を上述の傾斜面４０ｂになるようにしても良い。
尚、下部コア層２が削られることにより発生する磁性粉
の再付着を防止するため、また、上述した傾斜面４０ｂ
の角度θ１を所定の範囲とするために、イオン照射の
際、イオン照射角度θ２を適切に設定する必要がある。
【００９１】本発明では、イオン照射の角度θ２を４５
°以上７５°以下の範囲内とすることが好ましい。後述
する実施例の知見によって、イオン照射角度θ２を４５
°以上７５°以下とすることにより、磁極部１３の側面
１３ａ，１３ｂのエッチングレートは正値となり適切に
削ることが可能となる。一方、上部磁極層７の上面は、
イオン照射により削られるが、上部磁極層７の上面エッ
チングレートがイオン照射角度θ２約４０〜４５°の範
囲で最も大きくなり好ましくないので、イオン照射角度
θ２は４５°以上が良い。さらに、イオン照射角度θ２
を４５°以上７５°以下とすることにより、下部コア層
２の上面であって磁極部１３のトラック幅方向両側のエ
ッチングレートは正値となり適切に削れ、かつ再付着の
恐れも少ない。
【００９２】さらに、本発明では、イオン照射角度θ２
を５５°以上７０°以下とすることにより、後述する実
施例の知見に示すように磁極部１３の側面１３ａ，１３
ｂのエッチングレート、及び下部コア層２の上面であっ
て磁極部１３のトラック幅方向両側のエッチングレート
は正値となり特に適切に削ることが可能となる。また、
上述の通り、イオン照射角度θ２は４５°以上であるの
で上部磁極層７の上面の削り量も小さく、上部磁極層を
大きくできるため飽和しにくい構造とすることができ
る。また、イオンミリング等による再付着が少なくな
る。
【００９３】上述の通り、エッチング工程では、磁極部
１３の側面１３ａ，１３ｂのエッチング、及び下部コア
層２の上面であって磁極部１３のトラック幅方向両側の
エッチングを同時に行っても良いが、別に行っても構わ
ない。傾斜面４０ｂを形成するため、下部コア層２の上
面であって磁極部１３のトラック幅方向両側のエッチン
グレートの最適な範囲と、磁極部１３のトラック幅方向
両側のエッチングを行うエッチングレートの最適な範囲
が異なるからである。
【００９４】例えば、最初にイオン照射角度θ２を６０
°から７５°の範囲内として、磁極部１３のトラック幅
方向の両側１３ａ，１３ｂを削り、磁極部１３のトラッ
ク幅方向の幅を小さくした後、イオン照射角度θ２を４
５°から６０°の範囲内にかえて、下部コア層２の上面
を削り、適切な傾斜面の角度θ１を有する傾斜面４０ｂ
を形成しても良い。またその逆の順序でエッチングして
もよい。
【００９５】以上詳述したエッチング工程により、フォ
トリソグラフィーによる解像度すなわち、露光現像する
レジストの分解能の限界値以上に狭いトラック幅ＴＷを
実現する。尚、露光装置の露光の光源を変更しても精度
の良い溝部を作る限界はあり、本エッチング工程は露光
装置の光源に限定されない。
【００９６】特に本発明では、Ｇｄ決め層４の両延設部
４ａ，４ｂの幅Ｗは従来の薄膜磁気ヘッド２１で示した
Ｇｄ決め層４の延設部２３ａ，２３ｂよりも幅狭となっ
ている。従って、上記イオン照射時に、Ｇｄ決め層４の
両延設部４ａ，４ｂによるシャドウ作用が抑制され、イ
オンミリング法等によるイオン照射が磁極部１３のギャ
ップ層６及び下部磁極層５に充分に行き渡る。例えば、
本発明の実施の形態のＧｄ決め層４の両延設部４ａ，４
ｂのトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅Ｗは、各４μ
ｍ程度とされているのに対し、上述の理由により、従来
の薄膜磁気ヘッド２１のＧｄ決め層４の延設部２３ａ，
２３ｂのトラック幅方法の幅Ｗは、４μｍより大きく、
例えば９μｍ程度とされていた。
【００９７】従って、図１５示すように、トラック幅方
向（図示Ｘ軸方向）において、磁極部１３は、磁極部１
３のトラック幅方向の幅の中でギャップ層６の幅を最も
小さく形成することができ、そのトラック幅Ｔｗを従来
よりも小さな、０．４μｍ以下、すなわち０．１μｍ〜
０．４μｍ程度の所定の設定に調整でき、例えば０．２
μｍや０．３μｍとすることができる。
【００９８】次に、図１５に示すように、下部コア層２
上に絶縁層８を形成して磁極部１３と持ち上げ層９とを
覆い、その後、絶縁層８をＣＭＰ法（ケミカル・メカニ
カル・ポリッシング）によりＣ−Ｃ線まで研磨して平坦
化し、図１７に示す状態とし、次いで、図１８に示すよ
うに、スパッタリング法、電解めっき法及びフォトリソ
グラフィー技術を組み合わせることにより、平坦化され
た絶縁層８上にコイル層１０を形成する。
【００９９】そして、絶縁層８上に絶縁層１１を形成し
てコイル層１０を覆い、この絶縁層１１上に上部コア層
１２をフレームめっき法等の既存の方法でパターン形成
する。以上のように、図１，図２に示す本発明の薄膜磁
気ヘッド１の要部の製造が完了する。その後、図示しな
い絶縁層で覆われた上記薄膜磁気ヘッドのコイル層の引
き回しや、外部端子を形成され、上述したように、個々
の磁気ヘッドとして、切断・研磨され、磁気ヘッドが完
成する。
【０１００】尚、上述のエッチング工程で説明したよう
に、イオンミリング等のイオン照射角度θ２の角度によ
り、下部コア層を削ることが可能である。そこで、下部
コア層２上に下部磁極層５を形成しないで、下部コア層
に、メッキ下地層（なくても良い）、ギャップ層、上部
磁極層を形成して磁極部を形成した場合、上述したエッ
チング工程のイオンミリング等の手段で、上部磁極層７
のギャップ層６を介して対向する部分を残して下部コア
層２を削り込み、下部コア層のに隆起部である凸部をギ
ャップ層の下に形成することができる。又は、磁極部１
３の両側面１３ａ，１３ｂ削り込む前に、下部コア層２
に対してイオン照射をほぼ垂直（０°〜１５°）で下部
コア層２のみを集中的に削り、その後上記イオン照射角
度θ２で磁極部１３の両側面を削っても良い。
【０１０１】上述のように構成・製造された第１の実施
の形態の薄膜磁気ヘッド１では、例えば浮上式磁気ヘッ
ドに使用されて磁気ディスク装置に組み込まれ、薄膜磁
気ヘッド１のコイル層１０に記録電流が与えられると、
上部コア層１２，下部コア層２及びこれら両層と磁気的
に接続する上部磁極層７及び下部磁極層５に記録磁界が
誘導され、媒体対向面１４における磁気ギャップＧから
の漏れ磁界により矢印Ｚ方向に回転走行する磁気記録媒
体たる磁気ディスクに対し従来の薄膜磁気ヘッドよりも
狭いトラック幅で情報の書き込みが行われるようになっ
ている。
【０１０２】次に第２の実施の形態を図１９及び図２０
を用いて説明する。図１９は、第２の実施の形態の薄膜
磁気ヘッドの磁極部及びＧｄ決め層の両延設部を示す部
分平面図であり、図２０は第２の実施の形態の薄膜ヘッ
ドの磁極部を示す部分正面図である。尚、第２の実施の
形態の薄膜磁気ヘッドは、第１の実施の形態の薄膜磁気
ヘッド１と、磁極部１３以外は同じである。
【０１０３】第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの磁極
部５１は、第１の薄膜磁気ヘッド１の磁極部１３と同様
にメッキ下地層３の上に下部磁極層５、ギャップ層６及
び上部磁極層７とで構成されている。
【０１０４】また、本発明の実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドでは、イオンミリング等により削られることもあり、
Ｇｄ決め層４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗは各々０．５
〜１μｍの範囲となっている。
【０１０５】磁極部５１は、図２０に示すように、媒体
対向面１４側からみて、下部磁極層５は、そのトラック
幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が下部磁極層５の膜厚方向
に略一定で、ギャップ層６のトラック幅方向（図示Ｘ軸
方向）の幅にほぼ等しく形成され、上部磁極層７は、そ
のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が上部磁極層７
の膜厚方向にギャップ層６から離れるに従い漸次大きく
なるように形成されて、ギャップ層６が磁極部１３トラ
ック幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が最も小さく形成され
た部分に配置された状態となる。このように本実施の形
態の薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層６のトラック幅方
向（図示Ｘ軸方向）の最大寸法を、０．４μｍ以下、例
えば０．１μｍ〜０．４μｍ程度とすることが可能とな
る。従って、第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと同じ
作用効果を奏する。
【０１０６】磁極部５１の製造方法としては、Ｇｄ決め
層４の形成工程において、図１９に示すように、Ｇｄ決
め層４の両延設部４ａ，４ｂの幅Ｗを各々１μｍとして
形成する。磁極部５１に上述したイオンミリングを施す
と、下部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の
幅とギャップ層６の側面をほぼ均一に削ることが可能と
なる。
【０１０７】第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、
第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと同様に、磁極部５
１が従来の薄膜磁気ヘッドよりも狭いトラック幅Ｔｗで
磁気記録媒体たる磁気ディスクに対し情報の書き込みを
行うことができる。
【０１０８】次に第３の実施の形態を図２１及び図２２
を用いて説明する。図１９は、第３の実施の形態の薄膜
磁気ヘッドのＧｄ決め層の磁極部を示す部分平面図であ
り、図２０は第３の実施の形態の薄膜ヘッドの磁極部を
示す部分正面図である。 尚、第３の実施の形態の薄膜
磁気ヘッドは、第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッド１
と、磁極部５２以外は同じである。
【０１０９】第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの磁極
部５２は、第１の薄膜磁気ヘッド１の磁極部１３と同様
にメッキ下地層３の上に下部磁極層５、ギャップ層６及
び上部磁極層７とで構成されている。
【０１１０】磁極部５２は、図２２に示すように、媒体
対向面１４側からみて下部磁極層５のトラック幅方向
（図示Ｘ軸方向）の幅が下部磁極層５の膜厚方向にギャ
ップ層６から離れるに従い漸次小さくなるように形成さ
れている。上部磁極層７のトラック幅方向（図示Ｘ軸方
向）の幅が上部磁極層７の膜厚方向（図示Ｚ軸方向）に
ギャップ層６から離れるに従い漸次大きくなるように形
成される。このように本実施の形態の薄膜磁気ヘッドで
は、ギャップ層６のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）の
最大寸法を、０．４μｍ以下、例えば０．１μｍ〜０．
４μｍ程度とすることが可能となる。従って、第１の実
施の形態の薄膜磁気ヘッドと同じ作用効果を奏する。
【０１１１】磁極部５２の製造方法としては、Ｇｄ決め
層４の形成工程において、図２１に示すように、トラッ
ク幅方向（図示Ｘ軸方向）に適当な長さのＧｄ決め層を
形成しておき、磁極部１３をマスクにしてその両側領域
に延設された図示しないＧｄ決め層４の両延設部をＯ２
アッシングやＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチン
グ）等の手段で、Ｇｄ決め層４の両延設部を削り込み、
ほとんどなくしてしまう。その後、磁極部５２に上述し
たイオンミリングを施すと、図２２に示すように、媒体
対向面１４側からみて、下部磁極層５とギャップ層が削
られ、下部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）
の幅が下部磁極層５の膜厚方向（図示Ｚ軸方向）にギャ
ップ層６から離れるに従い漸次小さくなるように形成さ
れる。また、上部磁極層７は、上部磁極層７のトラック
幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が上部磁極層７の膜厚方向
（図示Ｚ軸方向）にギャップ層６から離れるに従い漸次
大きくなるように形成される。
【０１１２】第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、
第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと同様に、磁極部５
２が従来の薄膜磁気ヘッドよりも狭いトラック幅Ｔｗで
磁気記録媒体たる磁気ディスクに対し情報の書き込みを
行うことができる。
【０１１３】ここで、第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドと第２の薄膜磁気ヘッドとを比較すると、第２の薄膜
磁気ヘッドよりも第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
方が下部磁極層５を大きな体積で形成することができる
ので磁気飽和しにくく、オーバーライト特性が良い高記
録密度を達成する薄膜磁気ヘッドを実現する。
【０１１４】また、従来の薄膜磁気ヘッド２１と、第１
の実施の形態の薄膜磁気ヘッドと、第２の薄膜磁気ヘッ
ドとを比較すると、Ｇｄ決め層を形成する工程で、Ｇｄ
決め層の両延設部の大きさを４μｍ以下とすることによ
り、磁極部のトラック幅方向の幅のうち最も幅狭となる
領域がギャップ層に移動することが分かる。従って、Ｇ
ｄ決め層形成工程において、磁極部の両側領域に延設さ
れたＧｄ決め層の両延設部の幅を所定幅に設定すること
により、トラック幅ＴＷを調整することができる。
【０１１５】また、第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッド
と第３の薄膜磁気ヘッドとの比較、及び第２の実施の形
態の薄膜磁気ヘッドと第３の薄膜磁気ヘッドとの比較を
すると、同様に第３の薄膜磁気ヘッドよりも第１及び第
２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの方が下部磁極層５を
大きな体積で形成することができるので磁気飽和しにく
く、ライトフリンジングも防止された高記録密度を達成
する薄膜磁気ヘッドを実現する。
【０１１６】従って、磁気ディスクに対し充分な情報の
書き込みを行う上で、Ｇｄ決め層の両延設部の幅Ｗをイ
オンミリング等のエッチング工程を行う前に各々１μｍ
〜４μｍの範囲に設定することが好ましい。従って、上
述したイオンミリング等のエッチングを行った後では、
Ｇｄ決め層４の両延の幅Ｗも若干削られるが例えば各々
０．５μｍ〜４μｍの範囲となる。
【０１１７】上述の様に、本発明の薄膜磁気ヘッドは、
フォトリソグラフィーによる解像度すなわち、露光現像
するレジストの分解能の限界値以上に狭いトラック幅Ｔ
Ｗを実現し、高記録密度の磁気記録を達成することがで
きる。
【０１１８】
【実施例】本実施例では、上記第１の実施の形態で詳述
した薄膜磁気ヘッドを形成した。尚、本実施例の薄膜磁
気ヘッドの製造方法は、上記第１の実施の形態の薄膜磁
気ヘッドの製造方法と同じである。
【０１１９】本実施例では、図１５に示すエッチング工
程で行われるイオンミリングにおいて、イオン照射と、
任意の場所でのエッチングレートとの関係を調べた。図
９に示すように、磁極部１３のトラック幅方向は、上記
溝部１７ａの幅Ｔにより、磁極部の所定の幅として概ね
規制されている。本実施の形態では、幅Ｔは０．５５〜
０．６μｍの範囲内であった。また、前記溝部１７ａの
高さ寸法は４〜４．２μｍであった。
【０１２０】次に、図１１及び１２に示すように磁極部
１３を形成し、溝部１７ａのレジストを剥離し、イオン
照射角度θ２でイオン照射した。
【０１２１】図２３はイオン照射角度と、磁極部両側面
でのエッチングレートと、上部磁極層の上面でのエッチ
ングレートと、上部磁極部両側方向の下部コア層の上面
のエッチングレートとを各々イオン照射角度θ２を変化
させて測定した結果である。
【０１２２】図２３に示すように、イオン照射角度θ２
が大きくなると、磁極部１３の両側面１３ａ，１３ｂで
のエッチングレートＥが直線的に大きくなる。イオン照
射角度θ２が０°以上４０°以下の範囲内では、磁極部
１３の両側面１３ａ，１３ｂでのエッチングレートＥが
負値となり、イオンミリングによる再付着が発生してし
まっていることが分かる。磁極部１３の両側面を削り込
むには、エッチングレートが正値であることが必要であ
るので、イオン照射角度θ２が４０°以上であることが
必要である。
【０１２３】次に、上部磁極層の上面でのエッチングレ
ートＧは、図２３によると、イオン照射角度θ２が４０
°〜４５°程度で最も大きくなり、イオン照射角度θ２
が４５°以上となると、徐々にエッチングレートＧが小
さくなることが分かる。
【０１２４】エッチングレートＧは、どのイオン照射角
度θ２においても正値であり、上部磁極層７の上面が削
られている。磁気飽和を防ぐためには充分な体積の上部
磁極層が必要であるので、上部磁極層７の上面は削られ
ない方が好ましい。
【０１２５】上部磁極部両側方向の下部コア層の上面の
エッチングレートＦは、イオン照射角度θ2が大きくな
ると、直線的に小さくなり、特にイオン照射角度θ2が
７５°以上となると、エッチングレートＦは、負値とな
る。エッチングレートＦが負値であると、磁極部１３に
より削り出された磁性粉等が付着してしまう。従って、
上部磁極層からのライトフリンジング等が問題となって
くる。
【０１２６】以上の結果より、本実施例では、イオン照
射の角度θ２を４５°以上７５°以下の範囲内とするこ
ととした。イオン照射角度θ２を４５°以上７５°以下
とすることにより、磁極部１３の側面１３ａ，１３ｂの
エッチングレートＥは正値となり適切に削ることが可能
となる。磁極部１３のトラック幅方向の幅は、０．４μ
ｍ以下になった。
【０１２７】一方、上部磁極層７の上面は、イオン照射
により削られるが、上部磁極層７の上面エッチングレー
トＧがイオン照射角度θ２約４０〜４５°の範囲で最も
大きくなり好ましくないので、イオン照射角度θ２は４
５°以上とした。本実施例では、磁極部１３の高さは、
３．３〜３．５μｍとなった。
【０１２８】さらに、イオン照射角度θ２を４５°以上
７５°以下とすることにより、下部コア層２の上面であ
って磁極部１３のトラック幅方向両側のエッチングレー
トは正値となり適切に削れ、かつ再付着もなく、上記下
部コア層２の上面４０ｂの傾斜角度θ１を２°以上１０
°以下にすることができた。
【０１２９】さらに、本実施例では、イオン照射角度θ
２を５５°以上７０°以下とすることにより、磁極部１
３の側面１３ａ，１３ｂのエッチングレートＥ、及び下
部コア層２の上面であって磁極部１３のトラック幅方向
両側のエッチングレートＦは正値となり特に適切に削る
ことが可能となることが分かった。また、上述の通り、
イオン照射角度θ２は４５°以上であり、上部磁極層７
の上面でのエッチングレートＧが小さいので、削り量も
小さく、上部磁極層を大きくできるため上部磁極層を飽
和しにくい構造とすることができることが分かった。
【０１３０】本実施例では、イオン照射角度θ２を７０
°としてエッチング工程を実施した。その結果、媒体対
向面からみた本実施例の薄膜磁気ヘッドの磁極部の形状
は、図１に示した形状となる。トラック幅ＴＷを計測し
たところ、０．２μｍであった。
【０１３１】
【発明の効果】本発明は以上説明したような形態で実施
され、以下のような効果を奏する。本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、下部コア層と、下部コア層上又は前記下部コア
層上に形成された下部磁極層上のギャップ層と、ギャッ
プ層上に形成された上部磁極層と、上部磁極層上に形成
された上部コア層と、記録媒体との対向面よりもハイト
方向奥側の前記下部コア層上に、前記ギャップ層と前記
上部磁極層との接合担面のハイト方向深さを決めるＧｄ
決め層とを有し、媒体対向面からみて、前記ギャップ層
のトラック幅方向の幅に上部磁極層のトラック幅方向の
幅以下の部分を有し、上部磁極層を上部コア層と別体と
して形成することができる。また、狭トラック幅を実現
することができる。さらに、ギャップ層のトラック幅方
向（図示Ｘ軸方向）の幅が磁極部のトラック幅方向（図
示Ｘ軸方向）の幅のうち最も小さい部分を含んで形成し
ているので、フォトリソグラフィーによる解像度すなわ
ち、露光現像するレジストの分解能の限界値以上に狭い
トラック幅ＴＷ、０．４μｍ以下、例えば０．１μｍ〜
０．４μｍ程度を実現し、高記録密度の磁気記録を達成
することができる。また、ギャップ層６のトラック幅方
向の幅が上部磁極層のトラック幅方向の幅よりも小さい
と、上部コア層１２より上部磁極層に導入される記録磁
界を磁気ギャップＧへ集中させることができる。
【０１３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、両側領域に延設されたＧｄ決め層の両延設部の幅
Ｗを所望の所定長にすることが可能となる。また、エッ
チング工程において、フォトリソグラフィーによる解像
度すなわち、両延設部によるシャドウ作用が抑制され、
露光現像するレジストの分解能の限界値以上に狭いトラ
ック幅ＴＷを実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
部分正面図。
【図２】図１の２−２線に沿う部分断面図。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドのＧｄ決め層の他の例
を説明する部分断面図。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
図であって、無機絶縁層を下部コア層上に形成する方法
を説明する断面図。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
図であって、無機絶縁層のＧｄ決め層を形成する方法を
説明する断面図。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
図であって、有機絶縁層のＧｄ決め層を形成する方法を
説明する断面図。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
図であって、Ｇｄ決め層の両延部を所定幅に調整する方
法を説明する部分正面図。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
図であって、Ｇｄ決め層の両延部を所定幅に調整する方
法を説明する部分断面図。
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
図であって、磁極部の形成するための溝部を説明する部
分正面図。
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、磁極部の形成するための溝部を説明する
部分断面図。
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、磁極部の形成を説明する部分正面図。
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、磁極部の形成を説明する部分断面図。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、溝部を除去した後を説明する部分正面
図。
【図１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、溝部を除去した後を説明する部分断面
図。
【図１５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、磁極部側面をエッチングする方法を説明
するための部分正面図。
【図１６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、絶縁層を削り込む前の状態を示す部分断
面図。
【図１７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、絶縁層を削り込み平坦化した状態を示す
部分断面図。
【図１８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、絶縁層上にコイル層を形成した状態を示
す部分断面図。
【図１９】第２の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの磁極部
及びＧｄ決め層の両延設部を示す部分平面図。
【図２０】図１９に示す第２の実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドの磁極部を示す部分正面図。
【図２１】第３の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの磁極部
を示す部分平面図。
【図２２】図２１に示す磁極部の両側面を削り込んだ状
態を示す部分正面図。
【図２３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明す
る図であって、エッチングレートとをイオン照射角度θ
の関係を示す関係図。
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの部分正面図。
【図２５】図２４の２５−２５線に沿う断面図。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であって、下部コア層上に形成したレジスト層
に溝部を形成した状態を示す部分正面図。
【図２７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であって、レジスト層に設けた溝内に磁極部を
形成した状態を示す部分正面図。
【図２８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であって、下部コア層上のレジスト層を除去し
た状態を示す部分正面図。
【図２９】図２８の平面図。
【図３０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であって、磁極部の両側面を削り込んだ状態を
示す部分正面図。
【図３１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であって、下部コア層上に絶縁層を形成した状
態を示す断面図。
【図３２】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する
ための図であって、絶縁層を削り込み平坦化した状態を
示す断面図。
【図３３】従来の薄膜磁気ヘッドの課題を説明するため
の部分正面図。
【符号の説明】
１ 薄膜磁気ヘッド ２ 下部コア層 ３ メッキ下地層 ４ Ｇｄ決め層 ４ａ 延設部 ４ｂ 延設部 ５ 下部磁極層 ６ ギャップ層 ７ 上部磁極層 ８ 絶縁層 ８ａ 溝部 ８ｂ 孔部 ９ 持ち上げ層 １０ コイル層 １０ａ 導電材料層 １０ｂ 導電性保護層 １１ 絶縁層 １２ 上部コア層 １２ａ 先端部 １２ｂ 後端部 １３，５１，５２ 磁極部 １３ａ 側面 １３ｂ 側面 １４ 媒体対向面 １５ 無機絶縁層 １６ レジスト層 １７ レジスト層 １７ａ 溝部 １７ｂ 孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１月１５日（２００２．１．１
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記磁極部形成工程の後、前記磁極部の両側領域に
延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅をＲＩＥ（リ
アクティブ・イオン・エッチング）又はＯ ２ アッシング
により所望の長さに調整する工程を有することが好まし
い。Ｇｄ決め層の両延設部の幅が所望の幅よりも長く形
成しておき、後に不必要な延設部を除去し調整すること
で、Ｇｄ決め層の断面の表面形状がどの形状であって
も、所望のＧｄ決め層の両延設部の幅とすることができ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６０】媒体対向面から見て、磁極部のギャップ層
が台形状となっている場合、ギャップ層の上面のトラッ
ク幅方向の幅と、ギャップ層の下面のトラック幅方向の
幅との差は、０．１μｍ以内であることが好ましい。上
記範囲に設定すれば、ライトフリンジングを抑制し、オ
ーバーライト特性を確保することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６２】Ｇｄ決め層４は、下部コア層２上（メッキ
下地層を介しても良い）に例えばレジスト等で形成され
ており、媒体対向面側及び持ち上げ層側に斜面部を有し
ている。レジスト等の有機絶縁材料以外にも、アルミナ
（Ａｌ ２ Ｏ ３ ）やＳｉＯ ２ 等の無機絶縁材料、Ｃｕ等の
非磁性金属材料など非磁性材料であっても良い。また、
Ｇｄ決め層は、図２に示すように、本実施の形態では台
形断面形状を有しているが、Ｇｄ決め層４の表面を、図
３に示すように例えば曲面形状で形成してもよく、図示
した形状に限定されない。図２に示すように、Ｇｄ決め
層の媒体対向面側の斜面部には、媒体対向面より上部磁
極層７とギャップ層６の接合担面が延ばされ接してい
る。従って、媒体対向面より上部磁極層７とギャップ層
６の接合担面がＧｄ決め層４に接するまでの距離をギャ
ップ深さＧｄとして決めることができる。尚、本発明の
薄膜磁気ヘッドは、Ｇｄを精度良く決めるために、媒体
対向面より延びてくる上部磁極層７とギャップ層６の接
合担面の高さが、Ｇｄ決め層の高さＳよりも低い位置に
あることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６９】次に絶縁層８は、例えば、ＡｌＯ，Ａｌ ２
Ｏ ３ 、ＳｉＯ ２ 、Ｔａ ２ Ｏ ５ ，ＴｉＯ，ＡｌＮ，Ａ１Ｓ
ｉＮ，ＴｉＮ，ＳｉＮ，Ｓｉ ３ Ｎ ４ ，ＮｉＯ，ＷＯ，Ｗ
Ｏ ３ ，ＢＮ，ＣｒＮ，ＳｉＯＮのうち少なくとも１種か
らなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。ま
た、絶縁層８の上面は、上部磁極層７と上部コア層１２
との接合面と同一平面とされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１１】磁極部５２の製造方法としては、Ｇｄ決め
層４の形成工程において、図２１に示すように、トラッ
ク幅方向（図示Ｘ軸方向）に適当な長さのＧｄ決め層を
形成しておき、磁極部１３をマスクにしてその両側領域
に延設された図示しないＧｄ決め層４の両延設部をＯ ２
アッシングやＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチン
グ）等の手段で、Ｇｄ決め層４の両延設部を削り込み、
ほとんどなくしてしまう。その後、磁極部５２に上述し
たイオンミリングを施すと、図２２に示すように、媒体
対向面１４側からみて、下部磁極層５とギャップ層が削
られ、下部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ軸方向）
の幅が下部磁極層５の膜厚方向（図示Ｚ軸方向）にギャ
ップ層６から離れるに従い漸次小さくなるように形成さ
れる。また、上部磁極層７は、上部磁極層７のトラック
幅方向（図示Ｘ軸方向）の幅が上部磁極層７の膜厚方向
（図示Ｚ軸方向）にギャップ層６から離れるに従い漸次
大きくなるように形成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 潔 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 児山 輝 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA08 BA13 BA22 DA04 DA08 DA31

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下部コア層と、前記下部コア層上又は前記
    下部コア層上に形成された下部磁極層上のギャップ層
    と、前記ギャップ層上に形成された上部磁極層と、前記
    上部磁極層上に形成された上部コア層と、記録媒体との
    対向面よりもハイト方向奥側の前記下部コア層上に、前
    記ギャップ層と前記上部磁極層との接合担面のハイト方
    向深さを決めるＧｄ決め層とを有し、 媒体対向面からみて、前記ギャップ層のトラック幅方向
    の幅に前記上部磁極層のトラック幅方向の幅以下の部分
    を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】媒体対向面からみて、前記ギャップ層のト
    ラック幅方向の幅に前記上部磁極層及び前記下部磁極層
    のトラック幅方向の幅以下の部分を有することを特徴と
    する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】媒体対向面からみて、前記ギャップ層のト
    ラック幅方向の幅に前記上部磁極層のトラック幅方向の
    幅以下の部分を有し、前記下部磁極層のトラック幅方向
    の幅が前記ギャップ層のトラック幅方向の幅とほぼ同じ
    であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  4. 【請求項４】媒体対向面からみて、前記ギャップ層のト
    ラック幅方向の最小の幅が０．４μｍ以下である請求項
    １乃至３に記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】前記下部磁極層の膜厚が０．２５μｍ〜
    ０．５μｍの範囲に設定されていることを特徴とする請
    求項１乃至４記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】下部コア層上の媒体対向面となる面からギ
    ャップ深さ分だけハイト方向の位置にＧｄ決め層を形成
    するＧｄ決め層形成工程と、 前記下部コア層上又は前記下部コア層上に形成された下
    部磁極層上のギャップ層と、前記ギャップ層上の上部磁
    極層とを形成する磁極部形成工程と、 前記磁極部工程で形成された磁極部の媒体対向面からみ
    た両側面にドライエッチングを施すエッチング工程とを
    有し、 前記Ｇｄ決め層形成工程において、前記磁極部の両側領
    域に延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅を所定幅
    に設定することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  7. 【請求項７】前記磁極部形成工程で形成された前記磁極
    部の両側領域に延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の
    幅を、各々０μｍ乃至４μｍの範囲に設定したことを特
    徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】前記磁極部形成工程で形成された磁極部の
    両側領域に延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅
    を、各々１μｍ乃至４μｍの範囲に設定したことを特徴
    とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】前記磁極部形成工程の後、前記磁極部の両
    側領域に延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅を所
    望の長さに調整する工程を有する請求項６乃至８記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】前記磁極部形成工程の後、前記磁極部の
    両側領域に延設された前記Ｇｄ決め層の両延設部の幅を
    リアクティブ・イオン・エッチング又はＯ２アッシング
    により所望の長さに調整する工程を有する請求項９記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  11. 【請求項１１】前記磁極部形成工程において、磁極部は
    下部磁極層と、ギャップ層と、上部磁極層とを順次メッ
    キ積層した請求項６乃至１０記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  12. 【請求項１２】前記磁極部形成工程において、磁極部は
    ギャップ層と、上部磁極層とを順次積層した請求項６乃
    至１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】前エッチング工程において、イオン照射
    の角度が、前記下部コア層に垂直な方向に対し、４５°
    以上７５°以下の傾きを有している請求項６乃至１２記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】前エッチング工程において、イオン照射
    の角度が、前記下部コア層に垂直な方向に対し、５５°
    以上７０°以下の傾きを有している請求項６乃至１３記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215512B2 (en) 2003-08-13 2007-05-08 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head, magnetic device including the same, and method for manufacturing the same
US7336450B2 (en) 2004-08-20 2008-02-26 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic head with optimum aspect ratio of upper shield layer
US7382577B2 (en) 2003-03-21 2008-06-03 Headway Technologies, Inc. Magnetic write head having a wider trailing edge pole structure

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000113412A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3735328B2 (ja) * 2002-08-19 2006-01-18 アルプス電気株式会社 垂直磁気記録薄膜ヘッドの主磁極の形成方法
US7151647B2 (en) * 2003-10-10 2006-12-19 Headway Technologies, Inc. Thin film magnetic head and manufacturing method for creating high surface recording density and including a second yoke portion having two layers of which one is etched to form a narrow portion and a sloped flare portion
US7611610B2 (en) * 2003-11-18 2009-11-03 Fei Company Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure
US8625234B2 (en) * 2008-04-29 2014-01-07 Headway Technologies, Inc. Graded bevel tapered write pole design for field enhancement
US9437454B2 (en) * 2010-06-29 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
US9418683B2 (en) 2014-10-29 2016-08-16 International Business Machines Corporation Mass production of multichannel current perpendicular to plane head modules via preferred milling
US9299369B1 (en) 2014-10-29 2016-03-29 International Business Machines Corporation Multichannel data storage apparatus having abrasion resistant barrier
US9449622B2 (en) 2014-10-29 2016-09-20 International Business Machines Corporation Differing magnetic read sensors on a magnetic head

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63109317U (ja) 1987-01-06 1988-07-14
JP2784431B2 (ja) * 1994-04-19 1998-08-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 薄膜磁気書込みヘッド、読取り／書込み磁気ヘッド、ディスク駆動装置及び薄膜磁気書込みヘッドの製造方法
JPH08339508A (ja) 1995-06-14 1996-12-24 Nec Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記憶装 置
US5805391A (en) * 1996-10-28 1998-09-08 International Business Machines Corporation Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height
US6130805A (en) * 1997-11-19 2000-10-10 Tdk Corporation Thin film magnetic head having upper pole chip formed over insulating layer
JP3486338B2 (ja) 1998-04-17 2004-01-13 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000105907A (ja) * 1998-07-30 2000-04-11 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6134080A (en) 1998-08-21 2000-10-17 International Business Machines Corporation Magnetic head with precisely defined zero throat height
JP2000285411A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000353304A (ja) 1999-06-09 2000-12-19 Sony Corp 磁気ヘッドの製造方法
JP3363841B2 (ja) * 1999-06-28 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6594112B1 (en) * 2000-01-05 2003-07-15 Seagate Technology Llc Magnetic recording head with a precision throatheight-defining structure
US6801392B2 (en) * 2001-01-09 2004-10-05 Alps Electric Co., Ltd. Soft magnetic film having high saturation magnetic flux density, thin film magnetic head using the same, and methods of producing the soft magnetic film and the thin film magnetic head
JP2002334409A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7382577B2 (en) 2003-03-21 2008-06-03 Headway Technologies, Inc. Magnetic write head having a wider trailing edge pole structure
US7215512B2 (en) 2003-08-13 2007-05-08 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head, magnetic device including the same, and method for manufacturing the same
US7336450B2 (en) 2004-08-20 2008-02-26 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic head with optimum aspect ratio of upper shield layer

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