JP3880780B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に狭トラック化と共に、ライトフリンジングの発生の防止と、磁気飽和の低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１２は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図１３は、図１２に示す１３−１３線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【０００３】
図１２及び図１３に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の上に非磁性材料のギャップ層７が形成されている。
【０００４】
図１３に示すように、前記ギャップ層７の上にはポリイミドやレジストなどで形成された有機絶縁層４を介してコイル層５が形成されている。
【０００５】
また前記コイル層５の上には、ポリイミドやレジストなどの有機絶縁層６が形成され、さらに前記有機絶縁層６の上には、パーマロイなどの磁性材料製の上部コア層３が形成されている。
【０００６】
図１２に示すように上部コア層３の先端部３ａは、ギャップ層７を介して下部コア層１と対向し、前記先端部３ａの幅寸法はトラック幅Ｔｗに規制されている。また前記上部コア層３の基端部３ｂは下部コア層１と磁気的に接続された状態になっている。
【０００７】
図１２および図１３に示すインダクティブヘッドでは、コイル層５に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層３に記録磁界が誘導され、前記上部コア層３の先端部３ａと下部コア層１間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、今後の高記録密度化に伴い、狭トラック化を実現する必要がある。
【０００９】
前述したようにトラック幅Ｔｗは、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法により規制され（図１２参照）、前記上部コア層３は、いわゆるフレームメッキ法により形成される。
【００１０】
フレームメッキ法ではまず上部コア層３が形成されるべき面全面にレジスト層を塗布し、前記レジスト層に上部コア層３のパターンを露光現像により形成する。次に形成された前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し前記レジスト層を除去すると図１２及び図１３に示す形状の上部コア層３が完成する。
【００１１】
ところで前記レジスト層の解像度は、露光現像の際に使用される波長に大きく関わり、前記波長を短くすると解像度を高めることができる。
【００１２】
しかしながら当然に前記解像度には限界があり、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法で規制されるべきトラック幅Ｔｗを、前記解像度の限界値以下の寸法でパターン形成することはできない。よって図１２及び図１３に示す構造のインダクティブヘッドでは、今後のさらなる高記録密度化に伴い狭トラック化を実現することは難しい。
【００１３】
またトラック幅Ｔｗを小さくすることで、前記上部コア層３の先端部３ａの体積が小さくなり、高記録周波数化に伴って磁気飽和の問題が顕著に現われ、記録特性の低下を招く。
【００１４】
さらに図１２及び図１３に示すインダクティブヘッドでは、下部コア層１と上部コア層３の先端部３ａ間で発生する漏れ磁界がトラック幅Ｔｗ内に納まらずにトラック幅Ｔｗからはみ出てしまう、いわゆるライトフリンジングの問題が発生し易い。
【００１５】
前記ライトフリンジングが発生すると、書き込まれた記録媒体でのトラック位置検出を高精度に行うことができず、トラッキングサーボエラーを引き起こし、記録特性を悪化させ易い。
【００１６】
前記ライトフリンジングの発生は、図１２に示すように下部コア層１の幅がトラック幅Ｔｗよりも延出して形成され、この延出した部分の下部コア層１と上部コア層３の先端部３ａとの距離が短いことにより起こり易くなっている。
【００１７】
ところで特開平１０−１４３８１７号公報では、上記したライトフリンジングの発生を効果的に防止したインダクティブヘッドの構造が開示されている。
【００１８】
しかしながら上記公報に開示された発明では、図１２に示すトラック幅Ｔｗよりも延出したギャップ層７を削る工程が必要なこと、さらに前記ギャップ層７を削ることにより露出した下部コア層１表面をイオンミリングで削り、下部コア層１と上部コア層３の先端部３ａとの距離を離すことができながらもその際に、磁粉が前記先端部３ａ等の両側端面に付着し、この付着物を取り除く工程が必要になるなど、製造工程を煩雑化させる結果になる。
【００１９】
また上記公報に開示された発明では、依然として狭トラック化とともに磁気飽和防止を実現することはできない。
【００２０】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、狭トラック化とともに、ライトフリンジングの発生の防止と磁気飽和を効果的に低減することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ａ）下部コア層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に、所定の幅寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向に向けて所定の長さ寸法の溝を形成する工程と、
（ｂ）前記溝内に、下部磁極層、非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部を形成し、このとき、前記ギャップ層をＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの中から１種または２種以上選択して、前記下部磁極層及び前記上部磁極層とともにメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記レジスト層を除去する工程と、
（ｄ）イオンミリングにより、前記トラック幅規制部のトラック幅方向の両側面を削って、前記トラック幅規制部の幅寸法をトラック幅に規制する工程と、前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面を形成する工程とを同時に行い、このとき、前記トラック幅を０．４μｍ以下に形成する工程と、
（ｅ）前記トラック幅規制部上に、前記トラック幅よりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００２２】
上記のように本発明では、下部コア層と上部コア層との間に、トラック幅方向の幅寸法がトラック幅で規制されるトラック幅規制部が形成されている。前記トラック幅規制部内には、前記上部コア層と磁気的に接続された上部磁極層が形成されており、しかも本発明では、前記トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面には、前記上部コア層から離れる方向に傾斜する傾斜面が形成されているから、前記上部磁極層と下部コア層との距離は適切に離れ、ライトフリンジングの発生を効果的に防止することが可能になっている。
【００２３】
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層は、その幅寸法がトラック幅よりも大きい幅で形成されており、前記上部コア層の先端部付近における磁気飽和を適切に低減することができる。
【００２４】
さらに本発明では、トラック幅規制部の幅寸法（＝トラック幅）を、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅で形成することが可能であり、今後の高記録密度化に伴う狭トラック化を実現することができる。
【００２５】
また本発明では、前記トラック幅規制部の幅寸法により規制されるトラック幅は０．４μｍ以下である。この寸法は、レジストの露光現像の際にｉ線を使用した場合の解像度以下の数値である。またより好ましくは、前記トラック幅は０．２μｍ以下である。
また本発明では、前記トラック幅規制部の高さ寸法は、２μｍ以上で３μｍ以下である。この範囲内であると、下部コア層と上部磁極層との距離は適切に離れ、ライトフリンジングの発生を抑制でき、また上部磁極層の高さ寸法も高くでき、高記録密度化の下においても磁気飽和に達し難くなる。しかも前記高さ寸法内であると、トラック幅規制部を容易に形成しやすいといった利点もある。
【００２６】
また本発明では、前記下部コア層の上面に形成された傾斜面のトラック幅方向に対する傾斜角度θ１は、２°以上で１０°以下であることが好ましい。この範囲内であると、ライトフリンジングの発生を適切に抑制できる。また下部コア層のシールド機能を十分に保つことができる。
【００３６】
また本発明では、前記下部コア層上には、Ｇｄ決め絶縁層が設けられており、前記トラック幅規制部は、前記下部コア層上から前記Ｇｄ決め絶縁層上にかけて形成されていることが好ましい。
【００５１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【００５２】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００５３】
図１及び図２に示す符号１０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層１０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層１０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層１０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００５４】
図１に示すように、下部コア層１０の上には、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４が形成されている。前記トラック幅Ｔｗは、０．４μｍ以下で形成されることが好ましい。またより好ましくは０．２μｍ以下である。
【００５５】
本発明では、前記トラック幅規制部１４の幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗを、後述する製造方法によって、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の幅寸法で形成することができる。上記０．４μｍという数値は、レジストに露光現像によりパターンを形成する際に、ｉ線を使用した場合の解像度の限界値であり、本発明によれば、ｉ線の解像度以下の寸法にてトラック幅Ｔｗを規制することができる。
【００５６】
図１および図２に示す実施例では、前記トラック幅規制部１４は、下部磁極層１１、ギャップ層１５、および上部磁極層１２の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層１１、１２およびギャップ層１５について説明する。
【００５７】
図１および図２に示すように、前記下部コア層１０上には、トラック幅規制部１４の最下層となる下部磁極層１１がメッキ形成されている。前記下部磁極層１１は、下部コア層１０と磁気的に接続されており、前記下部磁極層１１は、前記下部コア層１０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００５８】
また図１及び図２に示すように、前記下部磁極層１１上には、非磁性のギャップ層１５が積層されている。
【００５９】
本発明では、前記ギャップ層１５は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層１５は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００６０】
次に前記ギャップ層１５上には、後述する上部コア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１２がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層１２は、上部コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００６１】
上記したようにギャップ層１５が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層１１、ギャップ層１５および上部磁極層１２を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００６２】
また上記したように、トラック幅規制部１４を構成する下部磁極層１１および上部磁極層１２は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層１５に対向する下部磁極層１１および上部磁極層１２は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層１１および上部磁極層１２が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００６３】
また図１に示すように、前記トラック幅規制部１４の高さ寸法はＨ１で形成されている。例えば一例として、下部磁極層１１の膜厚は０．４μｍ程度、ギャップ層１５の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層１２の膜厚は２μｍ程度である。
【００６４】
前記トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ１は、２．０μｍ以上で３．０μｍ以下で形成されることが好ましい。また前記高さ寸法Ｈ１は、２．３μｍ以上で２．５μｍ以下で形成されることがより好ましい。
【００６５】
前記高さ寸法内であると、下部コア層１０と上部磁極層１２との距離を適切に離すことができ、ライトフリンジングの発生を抑制できる。また上部磁極層１２の高さ寸法を高くでき、前記上部磁極層１２の体積を大きくできるから、高記録密度化の下において、磁気飽和を抑制できる。
【００６６】
さらに前記トラック幅規制部１４は後述するように、レジスト層に溝を形成し、この溝の中に各磁性層の金属材料をメッキすることによって形成されるが、前記トラック幅規制部１４を上記の高さ寸法とすれば、前記レジスト層に所定形状及び所定寸法の溝を露光現像によって形成し易く、狭トラック化に対応可能な前記トラック幅規制部１４を容易に形成することができる。
【００６７】
前記トラック幅規制部１４は、図２に示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法にて形成されており、また前記下部コア層１０上には、例えばレジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されたＧｄ決め絶縁層１７が形成されている。
【００６８】
前記Ｇｄ決め絶縁層１７は、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えるギャップデプス（Ｇｄ）を規制するために設けられたものであり、前記ギャップデプスは、前記Ｇｄ決め絶縁層１７の前端面からＡＢＳ面までの長さ寸法によって決定される。なお前記Ｇｄ決め絶縁層１７を設けることにより図２に示すように上部磁極層１２のハイト方向（図示Ｙ方向）における長さ寸法を長く形成することでき、前記上部磁極層１２の体積を大きくできるから、磁気飽和の発生を防ぎ、記録特性を向上させることができるという利点もある。
【００６９】
ただし前記Ｇｄ決め絶縁層１７を設けるか否かは任意であり、前記Ｇｄ決め絶縁層１７を設けない場合は、前記トラック幅規制部１４のハイト方向への長さ寸法にてギャップデプスが決定される。
【００７０】
また図２に示すようにトラック幅規制部１４の後端からハイト方向にかけて絶縁層１８が形成されている。前記絶縁層１８は、例えば無機材料で形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、ＳｉＯ2から１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【００７１】
また図２に示すように、上部磁極層１２と、後述する上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記絶縁層１８の上面１８ａが前記基準平面Ａと同一平面上に平坦化されて形成されていることが好ましい。
【００７２】
そして本発明では図２に示すように、前記絶縁層１８上にコイル層１９が螺旋状にパターン形成されている。前記絶縁層１８の上面１８ａは平坦化されているので、コイル層１９を形成する際にパターン精度良く形成することができ、よって前記コイル層１９の各導体部のピッチ間を狭くして形成することができる。
【００７３】
各導体部のピッチ間を狭くできることにより、後述する上部コア層１６のハイト方向における長さ寸法を短くでき、下部コア層１０を経て形成される磁路長の短磁路化により、記録特性の向上を図ることができる。
【００７４】
なお前記コイル層１９は、導電性材料層とその上に積層された保護層とで構成されていることが好ましい。この場合、前記導電性材料層は、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であり、前記保護層は、Ｎｉ、ＮｉＰ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、Ａｕから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であることが好ましい。
【００７５】
上記保護層は、前記コイル層１９がパターン形成された後前記コイル層１９上に有機絶縁層２０を形成する前に、前記コイル層１９が大気中に曝されるときがあり、この際前記コイル層を酸化から防止するために設けられたものである。
【００７６】
図２に示すように前記コイル層１９上には、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成された有機絶縁層２０が形成されており、さらに前記有機絶縁層２０上には、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層１６が、フレームメッキ法などで形成されている。
【００７７】
図２に示すように前記上部コア層１６の先端部１６ａは、上部磁極層１２上に磁気的に接続して形成され、また基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成された磁性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２１上に磁気的に接続されて形成される。なお本発明では前記持ち上げ層２１が形成されていなくてもかまわない。この場合前記上部コア層１６の基端部１６ｂは下部コア層１０上に直接接して形成されることになる。
【００７８】
図１および図２に示すインダクティブヘッドでは、コイル層１９に記録電流が与えられると、下部コア層１０及び上部コア層１６に記録磁界が誘導され、トラック幅規制部１４において、ギャップ層１５を介して対向する下部磁極層１１及び上部磁極層１２間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００７９】
ところで本発明では、今後のさらなる高記録密度化に伴い狭トラック化と共に、ライトフリンジングの発生を適切に防止し、さらに磁気飽和を低減すべく、図１に示す構造のインダクティブヘッドを開発するに至った。
【００８０】
図１に示すインダクティブヘッドでは、下部コア層１０と上部コア層１６との間に、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗに規制されたトラック幅規制部１４を形成している。
【００８１】
上記したようにトラック幅規制部１４の幅寸法は、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅で形成されるので、適切に狭トラック化を実現することができる。具体的には０．４μｍ以下の寸法でトラック幅Ｔｗを規制することが可能である。またより好ましくは０．２μｍ以下でトラック幅Ｔｗを形成する。
【００８２】
また本発明では図１に示すように、上部コア層１６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はＴ１で形成され、前記幅寸法Ｔ１は、トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成される。このため本発明によれば、前記上部コア層１６の先端部１６ａ付近の体積を大きくすることができ、磁気飽和をより適切に低減させることが可能である。
【００８３】
さらに本発明では図１に示すように、トラック幅規制部１４の両側から延びる下部コア層１０の上面には、前記トラック幅規制部１４から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ａが形成されている。
【００８４】
前記傾斜面１０ａの形成により、下部コア層１０とトラック幅規制部１４を構成する上部磁極層１２との距離は適切に離れるので、前記上部磁極層１２から発生する漏れ磁界が下部コア層１０の幅寸法に引きずられて、トラック幅Ｔｗからはみ出ることは少なくなり、いわゆるライトフリンジングの発生を抑制することができる。
【００８５】
なおトラック幅方向（図示Ｘ方向）に平行な平行線と、前記傾斜面１０ａとの成す傾斜角度θ１は、２°から１０°の範囲内が好ましい。
【００８６】
前記傾斜面１０ａの角度θ１が２°よりも小さいと、下部コア層１０と上部磁極層１２との間で漏れ磁界が発生し易くなり、ライトフリンジングの発生の抑制効果をあまり期待できない。
【００８７】
また前記傾斜面１０ａの角度θ１が１０°よりも大きい場合は、ライトフリンジングの抑制効果としては適しているが、前記下部コア層１０が、図示しない磁気抵抗効果素子のシールド層としても機能している場合、前記傾斜面１０ａの角度θ１を１０°よりも大きくすると、下部コア層１０の特に両側部付近における膜厚が薄くなり、あるいは下部コア層１０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法自体が短くなることにより、下部コア層１０の磁気抵抗効果素子に対するシールド層としての機能が低下するといった問題などが発生する。
【００８８】
また図１に示すように、下部コア層１０の上面からは図示Ｚ方向に延びる隆起部１０ｃが形成されていてもよく、この場合、前記隆起部１０ｃの上面とトラック幅規制部１４の基端とが接合された状態となる。そして前記隆起部１０ｃの基端から延びる下部コア層１０の上面には、トラック幅規制部１４から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されていることが好ましい。なお図１に示す隆起部１０ｃは幅寸法がトラック幅Ｔｗの矩形状で形成されているが、その他の形状であっても良い。例えば上面がトラック幅Ｔｗで形成され、下部コア層１０方向（図示Ｚ方向と逆方向）に向かうに従って幅寸法が徐々に大きくなるように両側端面が傾斜している台形状であってもよい。
【００８９】
なお本発明では下部コア層１０に傾斜面１０ａ，１０ｂが形成されていなくても良く、下部コア層１０の上面がトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行に形成されていても良いが、この場合は、傾斜面１０ａ，１０ｂが形成されている場合に比べて、上記したライトフリンジングが発生し易くなるといった問題が発生する。
【００９０】
しかしながら下部コア層１０の上面がトラック幅方向と平行に形成されていても、本発明によれば、適切に狭トラック化を図ることができ、さらに磁気飽和の発生を効果的に抑制することができるという従来のインダクティブヘッドには無い効果を奏することができる。また下部コア層１０に隆起部１０ｃが形成される場合には、下部コア層１０と上部磁極層１２との距離を離すことができるので、傾斜面１０ｂが形成されていなくても、有効にライトフリンジングの発生を抑制できる。
【００９１】
図３は、本発明の第２実施例の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
【００９２】
この実施例では、トラック幅規制部１４の膜構成が、図１と異なるのみで他の構成は同一である。
【００９３】
図３に示すように、トラック幅規制部１４は、ギャップ層１５と上部磁極層１２の２層で構成されている。
【００９４】
図３に示すように、ギャップ層１５の基端から延びる下部コア層１０の上面にはトラック幅規制部１４から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ａ，１０ａが形成されている。これによりライトフリンジングの発生を適正に抑制することができる。
【００９５】
また図３に示すように、前記下部コア層１０の上面には図示Ｚ方向に延びる隆起部１０ｃが形成され、前記隆起部１０ｃの上面とトラック幅規制部１４の基端とが接合されていてもよい。そして前記隆起部１０ｃの基端から延びる下部コア層１０の上面には、トラック幅規制部１４から離れるに従って傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されていることが好ましい。これによりライトフリンジングの発生を適性に抑制することができる。
【００９６】
図４から図１０は、図１及び図２に示す本発明における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の製造方法を示す工程図である。なお図４から図７の工程では、薄膜磁気ヘッドを部分正面図で、図８から図１０の工程では、薄膜磁気ヘッドを部分縦断面図で表している。
【００９７】
まず図８以降に図示されているようにＧｄ決め絶縁層１７を形成する場合は、予め下部コア層１０上に前記Ｇｄ決め絶縁層１７を形成しておく必要がある。
【００９８】
図４では下部コア層１０上に、レジスト層３０を塗布する。なお前記レジスト層３０の膜厚はＨ２で形成される。
【００９９】
次に図４に示すように、前記レジスト層３０にトラック幅規制部１４を形成するための溝３０ａを、露光現像によりパターン形成する。図４に示すように溝３０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する幅をＴ２で形成し、さらにハイト方向（図示Ｙ方向）に対する長さを所定の寸法で形成する。
【０１００】
ここで例えば露光現像の際の波長にｉ線を使用した場合、前記レジスト層３０に形成された溝３０ａの幅Ｔ２を０．４μｍ程度まで小さく形成できる。しかし前記０．４μｍという数値はｉ線を使用した場合の現像度の限界値であり、これ以上小さい寸法で前記溝３０ａの幅Ｔ２を形成することはできない。
【０１０１】
解像度を高めるには、露光現像の際に使用される波長をより短いものにすれば良く、ｉ線を使用した場合よりも解像度を高めるにはエキシマレーザなどを使用すれば良い。エキシマレーザを使用した場合は、前記レジスト層３０に形成された溝３０ａの幅Ｔ２を０．３μｍ程度まで小さくすることが可能である。
【０１０２】
次に図５に示すように、レジスト層３０に形成された溝３０ａ内にトラック幅規制部１４を形成する。本発明における実施例では図５に示すように前記トラック幅規制部１４は、下から下部磁極層１１、ギャップ層１５及び上部磁極層１２の積層構造で構成されている。なお前記下部磁極層１１は下部コア層１０と磁気的に接続し、電気メッキ法等によりメッキ形成される。また前記上部磁極層１２は上部コア層１６に磁気的に接続し、電気メッキ法等によりメッキ形成される。
【０１０３】
本発明では前記ギャップ層１５を、磁極層１１，１２と共にメッキ形成することが好ましい。これにより前記磁極層１１，１２及びギャップ層１５を連続してメッキ形成することができる。
【０１０４】
なおギャップ層１５を形成するメッキ形成可能な非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの中から１種または２種以上選択することが好ましい。
【０１０５】
また本発明でトラック幅規制部１４を下部磁極層１１、ギャップ層１５及び上部磁極層１２の３層の積層構造で形成しなくても良く、例えばギャップ層１５と上部磁極層１２との２層の積層構造で構成してもよい。
【０１０６】
ところで図５に示すように本発明ではトラック幅規制部１４を高さ寸法Ｈ３で形成する。この高さ寸法Ｈ３は、レジスト層３０の膜厚Ｈ２と同程度かそれよりも若干小さく形成される。
【０１０７】
しかも前記高さ寸法Ｈ３は、図１に示すトラック幅規制部１４の高さＨ１よりも大きく形成される。すなわち図４の工程で、トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ３を規制すべきレジスト層３０の高さ寸法Ｈ２自体が、予め前記高さ寸法Ｈ１よりも高く形成される。
【０１０８】
また前記高さ寸法Ｈ３は、前記トラック幅規制部１４の高さＨ１とさらには図７工程に示すＣＭＰ技術による研削工程の際の削り量等を考慮して決定される。
【０１０９】
前記研削工程では、前記トラック幅規制部１４の高さが、１μｍ程度小さくなる。また図６に示すイオンミリング工程でも、前記トラック幅規制部１４の高さは、小さくなる。
【０１１０】
既に説明したように本発明では、製造後のトラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ１（図１参照）は、２μｍ以上で３μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは２．３μｍ以上で２．５μｍ以下であったが、前記寸法の高さ寸法Ｈ１を確保するには、上記の研削工程、イオンミリング工程を考慮して、図５に示すトラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ３を、３．５μｍ以上で５．０μｍ以下で形成することが好ましい。より好ましくは、４．０μｍ以上で４．２μｍ以下である。
【０１１１】
以上のようにしてレジスト層３０の溝３０ａ内にトラック幅規制部１４を形成した後、図２に示す持ち上げ層２１を形成する。
【０１１２】
前記持ち上げ層２１を下部コア層１０上に形成する場合には、図５に示す工程後、レジスト層３０を除去した後、再度レジスト層を形成し、持ち上げ層２１のパターンを前記レジスト層に形成して、前記パターン内に、磁性材料をメッキ形成することで、前記持ち上げ層２１を形成することができる。
【０１１３】
そして持ち上げ層２１形成のためのレジスト層を除去した状態が図６に示されている。
【０１１４】
図６に示すように、下部コア層１０上のＡＢＳ面付近には、トラック幅規制部１４のみが立った状態で形成されており、その周囲には何も形成されていない。
【０１１５】
本発明では図６に示す状態で、前記トラック幅規制部１４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面１４ａ，１４ａを削り、前記トラック幅規制部１４の幅寸法をより小さくしている。
【０１１６】
本発明では、前記トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削る方法としてイオンミリング法を挙げることができる。
【０１１７】
前記イオンミリング法では、中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。図６に示すようにイオンミリングは斜め方向（矢印Ｂ、Ｃ方向）から行なわれる。
【０１１８】
矢印Ｂ、Ｃ方向からイオンが照射されると、物理的作用により前記トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａが削られていき、前記トラック幅規制部１４の幅寸法は徐々に小さくなっていく。
【０１１９】
上記したように本発明ではトラック幅規制部１４を構成するギャップ層１５には非磁性金属材料を選択しメッキ形成されることが好ましく、この場合、前記ギャップ層１５及び磁極層１１，１２のミリングレートは３層ともほぼ同じであるから、前記トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａは適切に同一面状で削られていく。
【０１２０】
ところで前記トラック幅規制部１４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規制されるが、本発明の方法によれば、前記トラック幅Ｔｗを、レジストの露光現像の際に使用された波長の現像度の限界値よりも小さい寸法にて形成することができる。
【０１２１】
すなわち上記したように図４に示す工程では、トラック幅規制部１４を形成すべきレジスト層３０の部分に溝３０ａを形成するが、この溝３０ａの幅寸法Ｔ２は、最小でも露光現像の際に使用される波長の現像度の限界値であり、これ以上幅寸法を小さくすることはできない。
【０１２２】
従って前記レジスト層３０の溝３０ａ内に形成されるトラック幅規制部１４の幅寸法はＴ２であるが（図６参照）、本発明では前記トラック幅規制部１４の両側端面をイオンミリング等で削ることにより、前記トラック幅規制部１４の幅寸法をＴ２よりも小さくすることができ、換言すれば、前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗをレジストの露光現像の際に使用される波長の現像度の限界値よりも小さい寸法にて形成することができる（図７参照）。
【０１２３】
例えば前記レジスト層３０の露光現像の際にｉ線を使用した場合では、レジスト層３０に形成されるべき溝３０ａの幅寸法Ｔ２は、最小でも０．４μｍ程度であるが、本発明では図６に示す工程でトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａをイオンミリングで削ることで、前記トラック幅規制部１４の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を０．４μｍ以下で形成することが可能である。またイオンミリング時間やイオン照射角度の調整によって、前記トラック幅Ｔｗを０．２μｍ以下で形成することも可能である。
【０１２４】
図７に示すように、イオンミリングによりトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削り終えると、前記トラック幅規制部１４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして設定されるが、同時に前記イオンミリングにより前記トラック幅規制部１４の両側から延びる下部コア層１０の上面も斜めに削り取られ、前記下部コア層１０の上面には傾斜面１０ａ，１０ａが形成される。
【０１２５】
このように本発明によればイオンミリングにより、トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削って前記トラック幅規制部１４の幅寸法をトラック幅Ｔｗに規制する工程と、前記下部コア層１０の上面に傾斜面１０ａ，１０ａを形成する工程とを同時に行うことが可能であるが、例えば前記下部コア層１０が削られることにより発生する磁粉の再付着を防止し、さらには前記下部コア層１０に形成された傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を所定範囲内（上記したように２°から１０°の範囲内）に設定するために、前記イオンミリングの際におけるイオン照射の傾斜角度θ２（トラック幅規制部１４の高さ方向（図示Ｚ方向）に対する前記イオン照射の傾斜角度）を適切に設定する必要がある。
【０１２６】
本発明では、前記イオン照射の傾斜角度θ２を４５°以上で７５°以下の範囲内とすることが好ましい。
【０１２７】
後述する実験結果によって、前記イオン照射角度θ２を４５°以上で７５°以下にすると、トラック幅規制部１４の両側端面のエッチングレートは正値となり、前記トラック幅規制部１４の両側端面を適切に削ることができ、トラック幅Ｔｗを０．４μｍ以下に小さく形成できる。
【０１２８】
一方、上部磁極層１２の上面（すなわちトラック幅規制部１４の上面）は、前記イオン照射によって削られるが、前記上部磁極層１２の上面に対するエッチングレートは、前記イオン照射角度θ２が約４０°〜４５°の範囲で最も大きくなり、したがって前記イオン照射角度θ２を４５°以上にすれば、前記エッチングレートを小さくでき、前記トラック幅規制部１４の高さの極端な減少を抑えることが可能である。
【０１２９】
また上記のイオン照射角度θ２であると、下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部Ｄ，Ｄでのエッチングレートは正値となるので、この接合部Ｄの部分は適切に削れていき、イオンミリングによる再付着により下部コア層１０上面が盛り上がるといった心配がない。
【０１３０】
また既に説明したように、従来の薄膜磁気ヘッド（図１２参照）では、トラック幅Ｔｗよりも延出したギャップ層７及びその下に形成された下部コア層１０の表面をイオンミリングで削る工程が必要となり、しかも前記イオンミリングによる上部コア層３への再付着物を除去する工程が必要であったが、本発明のトラック幅規制部１４は、ギャップ層１５を含む３層メッキ構造の隆起形状であるので、上記のイオンミリング工程は必要無く、そのため前記イオンミリングによる再付着の問題も発生しない。
【０１３１】
さらに本発明ではイオンミリング工程前のとき（図５のとき）、トラック幅規制部１４のトラック幅方向における幅寸法が所定幅よりも多少大きく形成されても、その後のイオンミリング工程で、トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａの削り量を修正することで、トラック幅Ｔｗを所定の寸法範囲内に容易に収めることができる。
【０１３２】
また本発明では、図４に示す工程のときレジスト層３０を形成する前に、下部コア層１０上面にトラック幅規制部１４の形成のためのメッキ下地層を形成するが、図６の工程では、トラック幅規制部１４の下以外の部分に設けられたメッキ下地層がイオンミリングによって適切に除去され、前記メッキ下地層の除去工程を考慮する必要がない。
【０１３３】
以上のように本発明では、上記のイオン照射角度θ２でイオンミリングを行うと、トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを０．４μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下に形成でき、しかも下部コア層１０の上面に形成される傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を２°以上で１０°以下の範囲内に調整できる。
【０１３４】
特にイオン照射の傾斜角度θ２を５５°から７０°の範囲にすることで、後述する実験結果に示すように、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレート、上部磁極層１２の上面でのエッチングレート、及び下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部Ｄでのエッチングレートを適切な範囲内に調整でき、イオンミリングによる再付着の悪影響も無く、前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗの寸法と下部コア層１０上面の傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を上記所定範囲内に容易に収めることが可能である。
【０１３５】
また本発明では、イオン照射角度θ２を、４５°から７５°の範囲内にて一定の角度に固定してイオンミリングを行うものであるが、トラック幅Ｔｗを所定範囲内に収めるためのエッチングレートの適切な範囲、及び下部コア層１０上面に傾斜面１０ａを形成するためのエッチングレートの適切な範囲は、それぞれ異なるために、例えば、最初にイオン照射角度θ２を６０°から７５°の範囲内としてトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削り、前記トラック幅Ｔｗを小さくした後、イオン照射の角度θ２を４５°から６０°に変えて、下部コア層１０上面に適切な傾斜角度θ１を有する傾斜面１０ａを形成してもよい。
【０１３６】
また本発明では、上記のイオン照射角度θ２であれば、下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部Ｄも適切に削れるので、図１及び図３に示すような隆起部１０ｃを前記下部コア層１０に形成することができる。あるいは図６に示すトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削る工程よりも前の段階で、下部コア層１０に対してイオン照射角度をほぼ垂直方向（０°から１５°程度）にしたイオンミリングを用い、まず下部コア層１０の上面のみを削って隆起部１０ｃを形成し、その後図６、７に示すイオンミリング工程を行っても良い。
【０１３７】
これにより図１及び図３に示すように下部コア層１０に隆起部１０ｃを形成でき、さらに前記隆起部１０ｃの基端から延びる下部コア層１０の上面に、トラック幅規制部１４から離れるに従って、下部コア層１０の膜厚が徐々に薄くなるように傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂを形成することができる。
【０１３８】
次に図８に示すように、下部コア層１０上を絶縁層１８によって覆う。この場合前記トラック幅規制部１４及び持ち上げ層２１上もまた前記絶縁層１８によって覆われる。
【０１３９】
なお本発明では前記絶縁層１８を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、ＳｉＯ2のうちから１種または２種以上を選択することが好ましい。
【０１４０】
そして図８に示すように、前記絶縁層１８の表面をＣＭＰ技術などを利用して、トラック幅規制部１４の表面が露出するように、Ｄ−Ｄ線上まで削っていく。これにより図９に示すように、絶縁層１８の上面１８ａは、トラック幅規制部１４の表面１４ｂと同一平面上で平坦化されて形成される。なお前記ＣＭＰによる研削工程により持ち上げ層２１の表面２１ａも露出する。
【０１４１】
既に説明したように、この研削工程によってトラック幅規制部１４の高さは１μｍ程度削られる。そしてこの工程後の状態では、前記トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ１（図１参照）は、２μｍ以上で３μｍ以下の高さ寸法内に収められる。
【０１４２】
次に図９に示すように前記絶縁層１８上にコイル層１９を螺旋状にパターン形成する。上記したように絶縁層１８の表面１８ａは平坦化されて形成されているので、前記コイル層１９をパターン精度良く形成することができ、よって各導体部のピッチ間を小さくして形成することができる。
【０１４３】
そして図１０に示すように前記コイル層１９を、レジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で形成された有機絶縁層２０によって覆い、さらに前記有機絶縁層２０上に上部コア層１６を、フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。図１０に示すように前記上部コア層１６は、その先端部１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成され、また基端部１６ｂにて下部コア層１０上に形成された持ち上げ層２１上に磁気的に接して形成される。
【０１４４】
前記上部コア層１６の先端部１６ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は、図１及び図３に示すようにトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ１で形成される。このようにトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ１で形成できる理由は、トラック幅Ｔｗが、上部コア層１６と分離して形成された上部磁極層１２の幅寸法によって既に設定されているからである。
【０１４５】
このように前記上部コア層１６の先端部１６ａの幅寸法をトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成できることにより、従来に比べて（すなわち前記先端部１６ａの幅寸法をトラック幅Ｔｗに規制していた場合に比べて）、パターン精度を向上させて上部コア層１６を形成することができ、また前記上部コア層１６の先端部１６ａの幅寸法Ｔ１を大きくできることで、前記上部コア層１６の体積を大きくできて磁気飽和の発生を適切に抑制することができる。
【０１４６】
【実施例】
本発明では、図６工程のときに行なわれるイオンミリングにおいて、イオン照射角度と、任意の場所でのエッチングレートとの関係を調べた。
【０１４７】
実験では、まず図６に示す形状のインダクティブヘッドを形成した。なおこのときのトラック幅規制部１４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｔ２は、０．５５〜０．６μｍの範囲内であった。また前記トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ３は、４〜４．２μｍの範囲内であった。
【０１４８】
そしてエッチングレートの測定では、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレート、上部磁極層１２の上面でのエッチングレート、及び下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部（図６に示す符号Ｄの部分）でのエッチングレートを、イオン照射角度θ２（図６を参照）を変化させながら測定した。その実験結果を図１１に示す。
【０１４９】
図１１に示すように、イオン照射角度θ２が大きくなると、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレートＥは直線的に大きくなる。
【０１５０】
ところで図１１に示すように、イオン照射角度θ２が０°以上で４０°以下程度では、前記エッチングレートＥは負の値であることがわかる。これはイオンミリングによる再付着がされていることを意味し、上記の範囲内のイオン照射角度θ２であると、前記トラック幅規制部１４の両側端面では、下部コア層１０などで削られた磁粉が付着し、前記トラック幅規制部１４のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２は大きくなるといった問題が発生する。
【０１５１】
すなわちトラック幅規制部１４の前記幅寸法Ｔ２を小さくして０．４μｍ以下のトラック幅Ｔｗを確保するには、少なくとも前記エッチングレートＥは正の値である必要がある。
【０１５２】
次に上部磁極層１２の上面でのエッチングレートＧは、イオン照射角度θ２が４０°〜４５°程度で最も大きくなり、前記イオン照射角度θ２がそれ以上に大きくなると徐々に前記エッチングレートＧは小さくなることがわかる。
【０１５３】
図１１に示すように前記エッチングレートＧは、どの範囲のイオン照射角度θ２でも正の値である。つまり前記上部磁極層１２の上面は、イオンミリングによって削られ、前記上部磁極層１２の高さは小さくなる。しかしながら前記上部磁極層１２の高さ寸法は、できる限り低減されない方が好ましい。なぜなら前記上部磁極層１２の高さ寸法が小さくなると、前記上部磁極層１２の体積が小さくなり、高記録密度化の下では磁気飽和に達しやすくなるからである。したがって前記エッチングレートＧは正の値であっても、その値はできる限り小さいことが好ましい。
【０１５４】
次に、下部コア層１０の接合部ＤにおけるエッチングレートＦは、イオン照射角度θ２が大きくなることにより、直線的に小さくなり、特にイオン照射角度θ２が約７５°以上になると、前記エッチングレートＦは負の値になる。負の値になることは、上記したと同様にイオンミリングによる再付着されたことを意味する。
【０１５５】
前記エッチングレートＦは少なくとも負の値でなければ良い。負の値であると、前記下部コア層１０の接合部Ｄでは、トラック幅規制部１４などでエッチング除去された磁粉が付着し、前記接合部Ｄが盛り上がる。そうすると下部コア層１０と上部磁極層１２との距離は小さくなるから、ライトフリンジングの増大に繋がり好ましくない。
【０１５６】
以上、上記した観点から本発明では、イオン照射角度θ２を、４５°以上で７５°以下に設定した。この範囲内であると図１１に示すように、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレートＥは正の値でしかもその値は大きくなるから、前記トラック幅規制部１４のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２を小さくでき、本発明ではトラック幅Ｔｗを０．２μｍ以下に小さくできることが確認されている。
【０１５７】
一方、上記のイオン照射角度θ２であると、上部磁極層１２の上面でのエッチングレートＧは正の値であるものの、その値は小さくなる傾向にあり、イオンミリングを終えた際の前記トラック幅規制部１４の高さ寸法は３．３μｍ〜３．５μｍ程度であった。
【０１５８】
次に、上記のイオン照射角度θ２であると、下部コア層１２の接合部ＤでのエッチングレートＦは正の値であり、イオンミリングによる再付着は起らない。したがって前記下部コア層１０に図１に示す隆起部１０ｃを形成することが可能である。
【０１５９】
また上記のイオン照射角度θ２によって、下部コア層１０の上面に形成される傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を、２°以上で１０°以下の範囲内に収めることが可能である。
【０１６０】
また本発明では、イオン照射角度θ２を、５５°以上で７０°以下にすることがより好ましいとした。この範囲内であると、上部磁極層１２上面でのエッチングレートを適切に低減でき、しかもトラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレートを正値で且つ大きくできる。また下部コア層１０の接合部Ｄでのエッチングレートを確実に正値にできる。
【０１６１】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、下部コア層と上部コア層との間に幅寸法がトラック幅Ｔｗに規制されたトラック幅規制部を有し、特に本発明における製造方法を用いれば、前記トラック幅規制部の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の寸法で形成することができる。これにより狭トラック化を図ることができる。
【０１６２】
また本発明では、トラック幅Ｔｗに規制されたトラック幅規制部上に、前記トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成でき、これにより前記上部コア層の体積を大きくできるから、磁気飽和の発生を効果的に低減することができる。
【０１６３】
さらに本発明では、トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れる方向に向かって傾斜する傾斜面を形成しているので、前記下部コア層と、トラック幅規制部を構成する上部磁極層との距離を適切に離すことができ、ライトフリンジングの発生を適切に防止することができる。
【０１６４】
以上により本発明によれば、今後のさらなる高記録密度化にも対向可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１６５】
また本発明における製造方法では、レジストを用いてトラック幅規制部を形成した後、前記トラック幅規制部の両側端面をイオンミリングにより削ることによって前記トラック幅規制部の幅寸法を、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の寸法で形成できると同時に、前記イオンミリングを用いれば下部コア層の上面への傾斜面の形成工程をも行うことができる。これにより製造工程を、簡素化することが可能である。
【０１６６】
また前記イオンミリングの際のイオン照射角度θ２は４５°以上で７５°以下であることが好ましく、この範囲内であると、イオンミリングによる再付着の問題が起らず、前記ラック幅Ｔｗを、０．４μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下にでき、しかも下部コア層１０の上面に２°以上で１０°以下の傾斜角度θ１を有する傾斜面を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図３】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図４】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１１】図６工程のイオンミリングの際のイオン照射角度θ２と、任意の複数の場所で測定したエッチングレートとの関係を示すグラフ、
【図１２】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図１３】図１２に示す１３−１３線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【符号の説明】
１０ 下部コア層
１０ａ、１０ｂ 傾斜面
１０ｃ 隆起部
１１ 下部磁極層
１２ 上部磁極層
１４ トラック幅規制部
１５ ギャップ層
１６ 上部コア層
１７ Ｇｄ決め絶縁層
１８ 絶縁層
１９ コイル層
２０ 有機絶縁層
２１ 持ち上げ層
３０ レジスト層
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に狭トラック化と共に、ライトフリンジングの発生の防止と、磁気飽和の低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１２は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図１３は、図１２に示す１３−１３線から切断された薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【０００３】
図１２及び図１３に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の上に非磁性材料のギャップ層７が形成されている。
【０００４】
図１３に示すように、前記ギャップ層７の上にはポリイミドやレジストなどで形成された有機絶縁層４を介してコイル層５が形成されている。
【０００５】
また前記コイル層５の上には、ポリイミドやレジストなどの有機絶縁層６が形成され、さらに前記有機絶縁層６の上には、パーマロイなどの磁性材料製の上部コア層３が形成されている。
【０００６】
図１２に示すように上部コア層３の先端部３ａは、ギャップ層７を介して下部コア層１と対向し、前記先端部３ａの幅寸法はトラック幅Ｔｗに規制されている。また前記上部コア層３の基端部３ｂは下部コア層１と磁気的に接続された状態になっている。
【０００７】
図１２および図１３に示すインダクティブヘッドでは、コイル層５に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層３に記録磁界が誘導され、前記上部コア層３の先端部３ａと下部コア層１間からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、今後の高記録密度化に伴い、狭トラック化を実現する必要がある。
【０００９】
前述したようにトラック幅Ｔｗは、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法により規制され（図１２参照）、前記上部コア層３は、いわゆるフレームメッキ法により形成される。
【００１０】
フレームメッキ法ではまず上部コア層３が形成されるべき面全面にレジスト層を塗布し、前記レジスト層に上部コア層３のパターンを露光現像により形成する。次に形成された前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し前記レジスト層を除去すると図１２及び図１３に示す形状の上部コア層３が完成する。
【００１１】
ところで前記レジスト層の解像度は、露光現像の際に使用される波長に大きく関わり、前記波長を短くすると解像度を高めることができる。
【００１２】
しかしながら当然に前記解像度には限界があり、上部コア層３の先端部３ａの幅寸法で規制されるべきトラック幅Ｔｗを、前記解像度の限界値以下の寸法でパターン形成することはできない。よって図１２及び図１３に示す構造のインダクティブヘッドでは、今後のさらなる高記録密度化に伴い狭トラック化を実現することは難しい。
【００１３】
またトラック幅Ｔｗを小さくすることで、前記上部コア層３の先端部３ａの体積が小さくなり、高記録周波数化に伴って磁気飽和の問題が顕著に現われ、記録特性の低下を招く。
【００１４】
さらに図１２及び図１３に示すインダクティブヘッドでは、下部コア層１と上部コア層３の先端部３ａ間で発生する漏れ磁界がトラック幅Ｔｗ内に納まらずにトラック幅Ｔｗからはみ出てしまう、いわゆるライトフリンジングの問題が発生し易い。
【００１５】
前記ライトフリンジングが発生すると、書き込まれた記録媒体でのトラック位置検出を高精度に行うことができず、トラッキングサーボエラーを引き起こし、記録特性を悪化させ易い。
【００１６】
前記ライトフリンジングの発生は、図１２に示すように下部コア層１の幅がトラック幅Ｔｗよりも延出して形成され、この延出した部分の下部コア層１と上部コア層３の先端部３ａとの距離が短いことにより起こり易くなっている。
【００１７】
ところで特開平１０−１４３８１７号公報では、上記したライトフリンジングの発生を効果的に防止したインダクティブヘッドの構造が開示されている。
【００１８】
しかしながら上記公報に開示された発明では、図１２に示すトラック幅Ｔｗよりも延出したギャップ層７を削る工程が必要なこと、さらに前記ギャップ層７を削ることにより露出した下部コア層１表面をイオンミリングで削り、下部コア層１と上部コア層３の先端部３ａとの距離を離すことができながらもその際に、磁粉が前記先端部３ａ等の両側端面に付着し、この付着物を取り除く工程が必要になるなど、製造工程を煩雑化させる結果になる。
【００１９】
また上記公報に開示された発明では、依然として狭トラック化とともに磁気飽和防止を実現することはできない。
【００２０】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、狭トラック化とともに、ライトフリンジングの発生の防止と磁気飽和を効果的に低減することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ａ）下部コア層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に、所定の幅寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向に向けて所定の長さ寸法の溝を形成する工程と、
（ｂ）前記溝内に、下部磁極層、非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部を形成し、このとき、前記ギャップ層をＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの中から１種または２種以上選択して、前記下部磁極層及び前記上部磁極層とともにメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記レジスト層を除去する工程と、
（ｄ）イオンミリングにより、前記トラック幅規制部のトラック幅方向の両側面を削って、前記トラック幅規制部の幅寸法をトラック幅に規制する工程と、前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面を形成する工程とを同時に行い、このとき、前記トラック幅を０．４μｍ以下に形成する工程と、
（ｅ）前記トラック幅規制部上に、前記トラック幅よりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００２２】
上記のように本発明では、下部コア層と上部コア層との間に、トラック幅方向の幅寸法がトラック幅で規制されるトラック幅規制部が形成されている。前記トラック幅規制部内には、前記上部コア層と磁気的に接続された上部磁極層が形成されており、しかも本発明では、前記トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面には、前記上部コア層から離れる方向に傾斜する傾斜面が形成されているから、前記上部磁極層と下部コア層との距離は適切に離れ、ライトフリンジングの発生を効果的に防止することが可能になっている。
【００２３】
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層は、その幅寸法がトラック幅よりも大きい幅で形成されており、前記上部コア層の先端部付近における磁気飽和を適切に低減することができる。
【００２４】
さらに本発明では、トラック幅規制部の幅寸法（＝トラック幅）を、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅で形成することが可能であり、今後の高記録密度化に伴う狭トラック化を実現することができる。
【００２５】
また本発明では、前記トラック幅規制部の幅寸法により規制されるトラック幅は０．４μｍ以下である。この寸法は、レジストの露光現像の際にｉ線を使用した場合の解像度以下の数値である。またより好ましくは、前記トラック幅は０．２μｍ以下である。
また本発明では、前記トラック幅規制部の高さ寸法は、２μｍ以上で３μｍ以下である。この範囲内であると、下部コア層と上部磁極層との距離は適切に離れ、ライトフリンジングの発生を抑制でき、また上部磁極層の高さ寸法も高くでき、高記録密度化の下においても磁気飽和に達し難くなる。しかも前記高さ寸法内であると、トラック幅規制部を容易に形成しやすいといった利点もある。
【００２６】
また本発明では、前記下部コア層の上面に形成された傾斜面のトラック幅方向に対する傾斜角度θ１は、２°以上で１０°以下であることが好ましい。この範囲内であると、ライトフリンジングの発生を適切に抑制できる。また下部コア層のシールド機能を十分に保つことができる。
【００３６】
また本発明では、前記下部コア層上には、Ｇｄ決め絶縁層が設けられており、前記トラック幅規制部は、前記下部コア層上から前記Ｇｄ決め絶縁層上にかけて形成されていることが好ましい。
【００５１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【００５２】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００５３】
図１及び図２に示す符号１０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層１０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層１０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層１０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００５４】
図１に示すように、下部コア層１０の上には、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４が形成されている。前記トラック幅Ｔｗは、０．４μｍ以下で形成されることが好ましい。またより好ましくは０．２μｍ以下である。
【００５５】
本発明では、前記トラック幅規制部１４の幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗを、後述する製造方法によって、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の幅寸法で形成することができる。上記０．４μｍという数値は、レジストに露光現像によりパターンを形成する際に、ｉ線を使用した場合の解像度の限界値であり、本発明によれば、ｉ線の解像度以下の寸法にてトラック幅Ｔｗを規制することができる。
【００５６】
図１および図２に示す実施例では、前記トラック幅規制部１４は、下部磁極層１１、ギャップ層１５、および上部磁極層１２の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層１１、１２およびギャップ層１５について説明する。
【００５７】
図１および図２に示すように、前記下部コア層１０上には、トラック幅規制部１４の最下層となる下部磁極層１１がメッキ形成されている。前記下部磁極層１１は、下部コア層１０と磁気的に接続されており、前記下部磁極層１１は、前記下部コア層１０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００５８】
また図１及び図２に示すように、前記下部磁極層１１上には、非磁性のギャップ層１５が積層されている。
【００５９】
本発明では、前記ギャップ層１５は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層１５は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。
【００６０】
次に前記ギャップ層１５上には、後述する上部コア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１２がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層１２は、上部コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００６１】
上記したようにギャップ層１５が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層１１、ギャップ層１５および上部磁極層１２を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００６２】
また上記したように、トラック幅規制部１４を構成する下部磁極層１１および上部磁極層１２は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層１５に対向する下部磁極層１１および上部磁極層１２は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層１１および上部磁極層１２が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００６３】
また図１に示すように、前記トラック幅規制部１４の高さ寸法はＨ１で形成されている。例えば一例として、下部磁極層１１の膜厚は０．４μｍ程度、ギャップ層１５の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層１２の膜厚は２μｍ程度である。
【００６４】
前記トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ１は、２．０μｍ以上で３．０μｍ以下で形成されることが好ましい。また前記高さ寸法Ｈ１は、２．３μｍ以上で２．５μｍ以下で形成されることがより好ましい。
【００６５】
前記高さ寸法内であると、下部コア層１０と上部磁極層１２との距離を適切に離すことができ、ライトフリンジングの発生を抑制できる。また上部磁極層１２の高さ寸法を高くでき、前記上部磁極層１２の体積を大きくできるから、高記録密度化の下において、磁気飽和を抑制できる。
【００６６】
さらに前記トラック幅規制部１４は後述するように、レジスト層に溝を形成し、この溝の中に各磁性層の金属材料をメッキすることによって形成されるが、前記トラック幅規制部１４を上記の高さ寸法とすれば、前記レジスト層に所定形状及び所定寸法の溝を露光現像によって形成し易く、狭トラック化に対応可能な前記トラック幅規制部１４を容易に形成することができる。
【００６７】
前記トラック幅規制部１４は、図２に示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法にて形成されており、また前記下部コア層１０上には、例えばレジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されたＧｄ決め絶縁層１７が形成されている。
【００６８】
前記Ｇｄ決め絶縁層１７は、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えるギャップデプス（Ｇｄ）を規制するために設けられたものであり、前記ギャップデプスは、前記Ｇｄ決め絶縁層１７の前端面からＡＢＳ面までの長さ寸法によって決定される。なお前記Ｇｄ決め絶縁層１７を設けることにより図２に示すように上部磁極層１２のハイト方向（図示Ｙ方向）における長さ寸法を長く形成することでき、前記上部磁極層１２の体積を大きくできるから、磁気飽和の発生を防ぎ、記録特性を向上させることができるという利点もある。
【００６９】
ただし前記Ｇｄ決め絶縁層１７を設けるか否かは任意であり、前記Ｇｄ決め絶縁層１７を設けない場合は、前記トラック幅規制部１４のハイト方向への長さ寸法にてギャップデプスが決定される。
【００７０】
また図２に示すようにトラック幅規制部１４の後端からハイト方向にかけて絶縁層１８が形成されている。前記絶縁層１８は、例えば無機材料で形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、ＳｉＯ2から１種または２種以上が選択されることが好ましい。
【００７１】
また図２に示すように、上部磁極層１２と、後述する上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたときに、前記絶縁層１８の上面１８ａが前記基準平面Ａと同一平面上に平坦化されて形成されていることが好ましい。
【００７２】
そして本発明では図２に示すように、前記絶縁層１８上にコイル層１９が螺旋状にパターン形成されている。前記絶縁層１８の上面１８ａは平坦化されているので、コイル層１９を形成する際にパターン精度良く形成することができ、よって前記コイル層１９の各導体部のピッチ間を狭くして形成することができる。
【００７３】
各導体部のピッチ間を狭くできることにより、後述する上部コア層１６のハイト方向における長さ寸法を短くでき、下部コア層１０を経て形成される磁路長の短磁路化により、記録特性の向上を図ることができる。
【００７４】
なお前記コイル層１９は、導電性材料層とその上に積層された保護層とで構成されていることが好ましい。この場合、前記導電性材料層は、Ｃｕ、Ａｕのうちのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であり、前記保護層は、Ｎｉ、ＮｉＰ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂ、Ａｕから選ばれる１種または２種以上の元素を含む単層構造または多層構造の非磁性導電層であることが好ましい。
【００７５】
上記保護層は、前記コイル層１９がパターン形成された後前記コイル層１９上に有機絶縁層２０を形成する前に、前記コイル層１９が大気中に曝されるときがあり、この際前記コイル層を酸化から防止するために設けられたものである。
【００７６】
図２に示すように前記コイル層１９上には、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成された有機絶縁層２０が形成されており、さらに前記有機絶縁層２０上には、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層１６が、フレームメッキ法などで形成されている。
【００７７】
図２に示すように前記上部コア層１６の先端部１６ａは、上部磁極層１２上に磁気的に接続して形成され、また基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成された磁性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２１上に磁気的に接続されて形成される。なお本発明では前記持ち上げ層２１が形成されていなくてもかまわない。この場合前記上部コア層１６の基端部１６ｂは下部コア層１０上に直接接して形成されることになる。
【００７８】
図１および図２に示すインダクティブヘッドでは、コイル層１９に記録電流が与えられると、下部コア層１０及び上部コア層１６に記録磁界が誘導され、トラック幅規制部１４において、ギャップ層１５を介して対向する下部磁極層１１及び上部磁極層１２間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【００７９】
ところで本発明では、今後のさらなる高記録密度化に伴い狭トラック化と共に、ライトフリンジングの発生を適切に防止し、さらに磁気飽和を低減すべく、図１に示す構造のインダクティブヘッドを開発するに至った。
【００８０】
図１に示すインダクティブヘッドでは、下部コア層１０と上部コア層１６との間に、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗに規制されたトラック幅規制部１４を形成している。
【００８１】
上記したようにトラック幅規制部１４の幅寸法は、レジストの露光現像の際に使用される波長の解像度以下の幅で形成されるので、適切に狭トラック化を実現することができる。具体的には０．４μｍ以下の寸法でトラック幅Ｔｗを規制することが可能である。またより好ましくは０．２μｍ以下でトラック幅Ｔｗを形成する。
【００８２】
また本発明では図１に示すように、上部コア層１６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はＴ１で形成され、前記幅寸法Ｔ１は、トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成される。このため本発明によれば、前記上部コア層１６の先端部１６ａ付近の体積を大きくすることができ、磁気飽和をより適切に低減させることが可能である。
【００８３】
さらに本発明では図１に示すように、トラック幅規制部１４の両側から延びる下部コア層１０の上面には、前記トラック幅規制部１４から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ａが形成されている。
【００８４】
前記傾斜面１０ａの形成により、下部コア層１０とトラック幅規制部１４を構成する上部磁極層１２との距離は適切に離れるので、前記上部磁極層１２から発生する漏れ磁界が下部コア層１０の幅寸法に引きずられて、トラック幅Ｔｗからはみ出ることは少なくなり、いわゆるライトフリンジングの発生を抑制することができる。
【００８５】
なおトラック幅方向（図示Ｘ方向）に平行な平行線と、前記傾斜面１０ａとの成す傾斜角度θ１は、２°から１０°の範囲内が好ましい。
【００８６】
前記傾斜面１０ａの角度θ１が２°よりも小さいと、下部コア層１０と上部磁極層１２との間で漏れ磁界が発生し易くなり、ライトフリンジングの発生の抑制効果をあまり期待できない。
【００８７】
また前記傾斜面１０ａの角度θ１が１０°よりも大きい場合は、ライトフリンジングの抑制効果としては適しているが、前記下部コア層１０が、図示しない磁気抵抗効果素子のシールド層としても機能している場合、前記傾斜面１０ａの角度θ１を１０°よりも大きくすると、下部コア層１０の特に両側部付近における膜厚が薄くなり、あるいは下部コア層１０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法自体が短くなることにより、下部コア層１０の磁気抵抗効果素子に対するシールド層としての機能が低下するといった問題などが発生する。
【００８８】
また図１に示すように、下部コア層１０の上面からは図示Ｚ方向に延びる隆起部１０ｃが形成されていてもよく、この場合、前記隆起部１０ｃの上面とトラック幅規制部１４の基端とが接合された状態となる。そして前記隆起部１０ｃの基端から延びる下部コア層１０の上面には、トラック幅規制部１４から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されていることが好ましい。なお図１に示す隆起部１０ｃは幅寸法がトラック幅Ｔｗの矩形状で形成されているが、その他の形状であっても良い。例えば上面がトラック幅Ｔｗで形成され、下部コア層１０方向（図示Ｚ方向と逆方向）に向かうに従って幅寸法が徐々に大きくなるように両側端面が傾斜している台形状であってもよい。
【００８９】
なお本発明では下部コア層１０に傾斜面１０ａ，１０ｂが形成されていなくても良く、下部コア層１０の上面がトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行に形成されていても良いが、この場合は、傾斜面１０ａ，１０ｂが形成されている場合に比べて、上記したライトフリンジングが発生し易くなるといった問題が発生する。
【００９０】
しかしながら下部コア層１０の上面がトラック幅方向と平行に形成されていても、本発明によれば、適切に狭トラック化を図ることができ、さらに磁気飽和の発生を効果的に抑制することができるという従来のインダクティブヘッドには無い効果を奏することができる。また下部コア層１０に隆起部１０ｃが形成される場合には、下部コア層１０と上部磁極層１２との距離を離すことができるので、傾斜面１０ｂが形成されていなくても、有効にライトフリンジングの発生を抑制できる。
【００９１】
図３は、本発明の第２実施例の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図である。
【００９２】
この実施例では、トラック幅規制部１４の膜構成が、図１と異なるのみで他の構成は同一である。
【００９３】
図３に示すように、トラック幅規制部１４は、ギャップ層１５と上部磁極層１２の２層で構成されている。
【００９４】
図３に示すように、ギャップ層１５の基端から延びる下部コア層１０の上面にはトラック幅規制部１４から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ａ，１０ａが形成されている。これによりライトフリンジングの発生を適正に抑制することができる。
【００９５】
また図３に示すように、前記下部コア層１０の上面には図示Ｚ方向に延びる隆起部１０ｃが形成され、前記隆起部１０ｃの上面とトラック幅規制部１４の基端とが接合されていてもよい。そして前記隆起部１０ｃの基端から延びる下部コア層１０の上面には、トラック幅規制部１４から離れるに従って傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されていることが好ましい。これによりライトフリンジングの発生を適性に抑制することができる。
【００９６】
図４から図１０は、図１及び図２に示す本発明における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の製造方法を示す工程図である。なお図４から図７の工程では、薄膜磁気ヘッドを部分正面図で、図８から図１０の工程では、薄膜磁気ヘッドを部分縦断面図で表している。
【００９７】
まず図８以降に図示されているようにＧｄ決め絶縁層１７を形成する場合は、予め下部コア層１０上に前記Ｇｄ決め絶縁層１７を形成しておく必要がある。
【００９８】
図４では下部コア層１０上に、レジスト層３０を塗布する。なお前記レジスト層３０の膜厚はＨ２で形成される。
【００９９】
次に図４に示すように、前記レジスト層３０にトラック幅規制部１４を形成するための溝３０ａを、露光現像によりパターン形成する。図４に示すように溝３０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する幅をＴ２で形成し、さらにハイト方向（図示Ｙ方向）に対する長さを所定の寸法で形成する。
【０１００】
ここで例えば露光現像の際の波長にｉ線を使用した場合、前記レジスト層３０に形成された溝３０ａの幅Ｔ２を０．４μｍ程度まで小さく形成できる。しかし前記０．４μｍという数値はｉ線を使用した場合の現像度の限界値であり、これ以上小さい寸法で前記溝３０ａの幅Ｔ２を形成することはできない。
【０１０１】
解像度を高めるには、露光現像の際に使用される波長をより短いものにすれば良く、ｉ線を使用した場合よりも解像度を高めるにはエキシマレーザなどを使用すれば良い。エキシマレーザを使用した場合は、前記レジスト層３０に形成された溝３０ａの幅Ｔ２を０．３μｍ程度まで小さくすることが可能である。
【０１０２】
次に図５に示すように、レジスト層３０に形成された溝３０ａ内にトラック幅規制部１４を形成する。本発明における実施例では図５に示すように前記トラック幅規制部１４は、下から下部磁極層１１、ギャップ層１５及び上部磁極層１２の積層構造で構成されている。なお前記下部磁極層１１は下部コア層１０と磁気的に接続し、電気メッキ法等によりメッキ形成される。また前記上部磁極層１２は上部コア層１６に磁気的に接続し、電気メッキ法等によりメッキ形成される。
【０１０３】
本発明では前記ギャップ層１５を、磁極層１１，１２と共にメッキ形成することが好ましい。これにより前記磁極層１１，１２及びギャップ層１５を連続してメッキ形成することができる。
【０１０４】
なおギャップ層１５を形成するメッキ形成可能な非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの中から１種または２種以上選択することが好ましい。
【０１０５】
また本発明でトラック幅規制部１４を下部磁極層１１、ギャップ層１５及び上部磁極層１２の３層の積層構造で形成しなくても良く、例えばギャップ層１５と上部磁極層１２との２層の積層構造で構成してもよい。
【０１０６】
ところで図５に示すように本発明ではトラック幅規制部１４を高さ寸法Ｈ３で形成する。この高さ寸法Ｈ３は、レジスト層３０の膜厚Ｈ２と同程度かそれよりも若干小さく形成される。
【０１０７】
しかも前記高さ寸法Ｈ３は、図１に示すトラック幅規制部１４の高さＨ１よりも大きく形成される。すなわち図４の工程で、トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ３を規制すべきレジスト層３０の高さ寸法Ｈ２自体が、予め前記高さ寸法Ｈ１よりも高く形成される。
【０１０８】
また前記高さ寸法Ｈ３は、前記トラック幅規制部１４の高さＨ１とさらには図７工程に示すＣＭＰ技術による研削工程の際の削り量等を考慮して決定される。
【０１０９】
前記研削工程では、前記トラック幅規制部１４の高さが、１μｍ程度小さくなる。また図６に示すイオンミリング工程でも、前記トラック幅規制部１４の高さは、小さくなる。
【０１１０】
既に説明したように本発明では、製造後のトラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ１（図１参照）は、２μｍ以上で３μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは２．３μｍ以上で２．５μｍ以下であったが、前記寸法の高さ寸法Ｈ１を確保するには、上記の研削工程、イオンミリング工程を考慮して、図５に示すトラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ３を、３．５μｍ以上で５．０μｍ以下で形成することが好ましい。より好ましくは、４．０μｍ以上で４．２μｍ以下である。
【０１１１】
以上のようにしてレジスト層３０の溝３０ａ内にトラック幅規制部１４を形成した後、図２に示す持ち上げ層２１を形成する。
【０１１２】
前記持ち上げ層２１を下部コア層１０上に形成する場合には、図５に示す工程後、レジスト層３０を除去した後、再度レジスト層を形成し、持ち上げ層２１のパターンを前記レジスト層に形成して、前記パターン内に、磁性材料をメッキ形成することで、前記持ち上げ層２１を形成することができる。
【０１１３】
そして持ち上げ層２１形成のためのレジスト層を除去した状態が図６に示されている。
【０１１４】
図６に示すように、下部コア層１０上のＡＢＳ面付近には、トラック幅規制部１４のみが立った状態で形成されており、その周囲には何も形成されていない。
【０１１５】
本発明では図６に示す状態で、前記トラック幅規制部１４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面１４ａ，１４ａを削り、前記トラック幅規制部１４の幅寸法をより小さくしている。
【０１１６】
本発明では、前記トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削る方法としてイオンミリング法を挙げることができる。
【０１１７】
前記イオンミリング法では、中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。図６に示すようにイオンミリングは斜め方向（矢印Ｂ、Ｃ方向）から行なわれる。
【０１１８】
矢印Ｂ、Ｃ方向からイオンが照射されると、物理的作用により前記トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａが削られていき、前記トラック幅規制部１４の幅寸法は徐々に小さくなっていく。
【０１１９】
上記したように本発明ではトラック幅規制部１４を構成するギャップ層１５には非磁性金属材料を選択しメッキ形成されることが好ましく、この場合、前記ギャップ層１５及び磁極層１１，１２のミリングレートは３層ともほぼ同じであるから、前記トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａは適切に同一面状で削られていく。
【０１２０】
ところで前記トラック幅規制部１４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規制されるが、本発明の方法によれば、前記トラック幅Ｔｗを、レジストの露光現像の際に使用された波長の現像度の限界値よりも小さい寸法にて形成することができる。
【０１２１】
すなわち上記したように図４に示す工程では、トラック幅規制部１４を形成すべきレジスト層３０の部分に溝３０ａを形成するが、この溝３０ａの幅寸法Ｔ２は、最小でも露光現像の際に使用される波長の現像度の限界値であり、これ以上幅寸法を小さくすることはできない。
【０１２２】
従って前記レジスト層３０の溝３０ａ内に形成されるトラック幅規制部１４の幅寸法はＴ２であるが（図６参照）、本発明では前記トラック幅規制部１４の両側端面をイオンミリング等で削ることにより、前記トラック幅規制部１４の幅寸法をＴ２よりも小さくすることができ、換言すれば、前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗをレジストの露光現像の際に使用される波長の現像度の限界値よりも小さい寸法にて形成することができる（図７参照）。
【０１２３】
例えば前記レジスト層３０の露光現像の際にｉ線を使用した場合では、レジスト層３０に形成されるべき溝３０ａの幅寸法Ｔ２は、最小でも０．４μｍ程度であるが、本発明では図６に示す工程でトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａをイオンミリングで削ることで、前記トラック幅規制部１４の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を０．４μｍ以下で形成することが可能である。またイオンミリング時間やイオン照射角度の調整によって、前記トラック幅Ｔｗを０．２μｍ以下で形成することも可能である。
【０１２４】
図７に示すように、イオンミリングによりトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削り終えると、前記トラック幅規制部１４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして設定されるが、同時に前記イオンミリングにより前記トラック幅規制部１４の両側から延びる下部コア層１０の上面も斜めに削り取られ、前記下部コア層１０の上面には傾斜面１０ａ，１０ａが形成される。
【０１２５】
このように本発明によればイオンミリングにより、トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削って前記トラック幅規制部１４の幅寸法をトラック幅Ｔｗに規制する工程と、前記下部コア層１０の上面に傾斜面１０ａ，１０ａを形成する工程とを同時に行うことが可能であるが、例えば前記下部コア層１０が削られることにより発生する磁粉の再付着を防止し、さらには前記下部コア層１０に形成された傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を所定範囲内（上記したように２°から１０°の範囲内）に設定するために、前記イオンミリングの際におけるイオン照射の傾斜角度θ２（トラック幅規制部１４の高さ方向（図示Ｚ方向）に対する前記イオン照射の傾斜角度）を適切に設定する必要がある。
【０１２６】
本発明では、前記イオン照射の傾斜角度θ２を４５°以上で７５°以下の範囲内とすることが好ましい。
【０１２７】
後述する実験結果によって、前記イオン照射角度θ２を４５°以上で７５°以下にすると、トラック幅規制部１４の両側端面のエッチングレートは正値となり、前記トラック幅規制部１４の両側端面を適切に削ることができ、トラック幅Ｔｗを０．４μｍ以下に小さく形成できる。
【０１２８】
一方、上部磁極層１２の上面（すなわちトラック幅規制部１４の上面）は、前記イオン照射によって削られるが、前記上部磁極層１２の上面に対するエッチングレートは、前記イオン照射角度θ２が約４０°〜４５°の範囲で最も大きくなり、したがって前記イオン照射角度θ２を４５°以上にすれば、前記エッチングレートを小さくでき、前記トラック幅規制部１４の高さの極端な減少を抑えることが可能である。
【０１２９】
また上記のイオン照射角度θ２であると、下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部Ｄ，Ｄでのエッチングレートは正値となるので、この接合部Ｄの部分は適切に削れていき、イオンミリングによる再付着により下部コア層１０上面が盛り上がるといった心配がない。
【０１３０】
また既に説明したように、従来の薄膜磁気ヘッド（図１２参照）では、トラック幅Ｔｗよりも延出したギャップ層７及びその下に形成された下部コア層１０の表面をイオンミリングで削る工程が必要となり、しかも前記イオンミリングによる上部コア層３への再付着物を除去する工程が必要であったが、本発明のトラック幅規制部１４は、ギャップ層１５を含む３層メッキ構造の隆起形状であるので、上記のイオンミリング工程は必要無く、そのため前記イオンミリングによる再付着の問題も発生しない。
【０１３１】
さらに本発明ではイオンミリング工程前のとき（図５のとき）、トラック幅規制部１４のトラック幅方向における幅寸法が所定幅よりも多少大きく形成されても、その後のイオンミリング工程で、トラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａの削り量を修正することで、トラック幅Ｔｗを所定の寸法範囲内に容易に収めることができる。
【０１３２】
また本発明では、図４に示す工程のときレジスト層３０を形成する前に、下部コア層１０上面にトラック幅規制部１４の形成のためのメッキ下地層を形成するが、図６の工程では、トラック幅規制部１４の下以外の部分に設けられたメッキ下地層がイオンミリングによって適切に除去され、前記メッキ下地層の除去工程を考慮する必要がない。
【０１３３】
以上のように本発明では、上記のイオン照射角度θ２でイオンミリングを行うと、トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを０．４μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以下に形成でき、しかも下部コア層１０の上面に形成される傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を２°以上で１０°以下の範囲内に調整できる。
【０１３４】
特にイオン照射の傾斜角度θ２を５５°から７０°の範囲にすることで、後述する実験結果に示すように、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレート、上部磁極層１２の上面でのエッチングレート、及び下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部Ｄでのエッチングレートを適切な範囲内に調整でき、イオンミリングによる再付着の悪影響も無く、前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗの寸法と下部コア層１０上面の傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を上記所定範囲内に容易に収めることが可能である。
【０１３５】
また本発明では、イオン照射角度θ２を、４５°から７５°の範囲内にて一定の角度に固定してイオンミリングを行うものであるが、トラック幅Ｔｗを所定範囲内に収めるためのエッチングレートの適切な範囲、及び下部コア層１０上面に傾斜面１０ａを形成するためのエッチングレートの適切な範囲は、それぞれ異なるために、例えば、最初にイオン照射角度θ２を６０°から７５°の範囲内としてトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削り、前記トラック幅Ｔｗを小さくした後、イオン照射の角度θ２を４５°から６０°に変えて、下部コア層１０上面に適切な傾斜角度θ１を有する傾斜面１０ａを形成してもよい。
【０１３６】
また本発明では、上記のイオン照射角度θ２であれば、下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部Ｄも適切に削れるので、図１及び図３に示すような隆起部１０ｃを前記下部コア層１０に形成することができる。あるいは図６に示すトラック幅規制部１４の両側端面１４ａ，１４ａを削る工程よりも前の段階で、下部コア層１０に対してイオン照射角度をほぼ垂直方向（０°から１５°程度）にしたイオンミリングを用い、まず下部コア層１０の上面のみを削って隆起部１０ｃを形成し、その後図６、７に示すイオンミリング工程を行っても良い。
【０１３７】
これにより図１及び図３に示すように下部コア層１０に隆起部１０ｃを形成でき、さらに前記隆起部１０ｃの基端から延びる下部コア層１０の上面に、トラック幅規制部１４から離れるに従って、下部コア層１０の膜厚が徐々に薄くなるように傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂを形成することができる。
【０１３８】
次に図８に示すように、下部コア層１０上を絶縁層１８によって覆う。この場合前記トラック幅規制部１４及び持ち上げ層２１上もまた前記絶縁層１８によって覆われる。
【０１３９】
なお本発明では前記絶縁層１８を無機材料によってスパッタ形成する。前記無機材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮ、ＳｉＯ2のうちから１種または２種以上を選択することが好ましい。
【０１４０】
そして図８に示すように、前記絶縁層１８の表面をＣＭＰ技術などを利用して、トラック幅規制部１４の表面が露出するように、Ｄ−Ｄ線上まで削っていく。これにより図９に示すように、絶縁層１８の上面１８ａは、トラック幅規制部１４の表面１４ｂと同一平面上で平坦化されて形成される。なお前記ＣＭＰによる研削工程により持ち上げ層２１の表面２１ａも露出する。
【０１４１】
既に説明したように、この研削工程によってトラック幅規制部１４の高さは１μｍ程度削られる。そしてこの工程後の状態では、前記トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ１（図１参照）は、２μｍ以上で３μｍ以下の高さ寸法内に収められる。
【０１４２】
次に図９に示すように前記絶縁層１８上にコイル層１９を螺旋状にパターン形成する。上記したように絶縁層１８の表面１８ａは平坦化されて形成されているので、前記コイル層１９をパターン精度良く形成することができ、よって各導体部のピッチ間を小さくして形成することができる。
【０１４３】
そして図１０に示すように前記コイル層１９を、レジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で形成された有機絶縁層２０によって覆い、さらに前記有機絶縁層２０上に上部コア層１６を、フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。図１０に示すように前記上部コア層１６は、その先端部１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成され、また基端部１６ｂにて下部コア層１０上に形成された持ち上げ層２１上に磁気的に接して形成される。
【０１４４】
前記上部コア層１６の先端部１６ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は、図１及び図３に示すようにトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ１で形成される。このようにトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ１で形成できる理由は、トラック幅Ｔｗが、上部コア層１６と分離して形成された上部磁極層１２の幅寸法によって既に設定されているからである。
【０１４５】
このように前記上部コア層１６の先端部１６ａの幅寸法をトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成できることにより、従来に比べて（すなわち前記先端部１６ａの幅寸法をトラック幅Ｔｗに規制していた場合に比べて）、パターン精度を向上させて上部コア層１６を形成することができ、また前記上部コア層１６の先端部１６ａの幅寸法Ｔ１を大きくできることで、前記上部コア層１６の体積を大きくできて磁気飽和の発生を適切に抑制することができる。
【０１４６】
【実施例】
本発明では、図６工程のときに行なわれるイオンミリングにおいて、イオン照射角度と、任意の場所でのエッチングレートとの関係を調べた。
【０１４７】
実験では、まず図６に示す形状のインダクティブヘッドを形成した。なおこのときのトラック幅規制部１４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｔ２は、０．５５〜０．６μｍの範囲内であった。また前記トラック幅規制部１４の高さ寸法Ｈ３は、４〜４．２μｍの範囲内であった。
【０１４８】
そしてエッチングレートの測定では、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレート、上部磁極層１２の上面でのエッチングレート、及び下部コア層１０のトラック幅規制部１４との接合部（図６に示す符号Ｄの部分）でのエッチングレートを、イオン照射角度θ２（図６を参照）を変化させながら測定した。その実験結果を図１１に示す。
【０１４９】
図１１に示すように、イオン照射角度θ２が大きくなると、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレートＥは直線的に大きくなる。
【０１５０】
ところで図１１に示すように、イオン照射角度θ２が０°以上で４０°以下程度では、前記エッチングレートＥは負の値であることがわかる。これはイオンミリングによる再付着がされていることを意味し、上記の範囲内のイオン照射角度θ２であると、前記トラック幅規制部１４の両側端面では、下部コア層１０などで削られた磁粉が付着し、前記トラック幅規制部１４のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２は大きくなるといった問題が発生する。
【０１５１】
すなわちトラック幅規制部１４の前記幅寸法Ｔ２を小さくして０．４μｍ以下のトラック幅Ｔｗを確保するには、少なくとも前記エッチングレートＥは正の値である必要がある。
【０１５２】
次に上部磁極層１２の上面でのエッチングレートＧは、イオン照射角度θ２が４０°〜４５°程度で最も大きくなり、前記イオン照射角度θ２がそれ以上に大きくなると徐々に前記エッチングレートＧは小さくなることがわかる。
【０１５３】
図１１に示すように前記エッチングレートＧは、どの範囲のイオン照射角度θ２でも正の値である。つまり前記上部磁極層１２の上面は、イオンミリングによって削られ、前記上部磁極層１２の高さは小さくなる。しかしながら前記上部磁極層１２の高さ寸法は、できる限り低減されない方が好ましい。なぜなら前記上部磁極層１２の高さ寸法が小さくなると、前記上部磁極層１２の体積が小さくなり、高記録密度化の下では磁気飽和に達しやすくなるからである。したがって前記エッチングレートＧは正の値であっても、その値はできる限り小さいことが好ましい。
【０１５４】
次に、下部コア層１０の接合部ＤにおけるエッチングレートＦは、イオン照射角度θ２が大きくなることにより、直線的に小さくなり、特にイオン照射角度θ２が約７５°以上になると、前記エッチングレートＦは負の値になる。負の値になることは、上記したと同様にイオンミリングによる再付着されたことを意味する。
【０１５５】
前記エッチングレートＦは少なくとも負の値でなければ良い。負の値であると、前記下部コア層１０の接合部Ｄでは、トラック幅規制部１４などでエッチング除去された磁粉が付着し、前記接合部Ｄが盛り上がる。そうすると下部コア層１０と上部磁極層１２との距離は小さくなるから、ライトフリンジングの増大に繋がり好ましくない。
【０１５６】
以上、上記した観点から本発明では、イオン照射角度θ２を、４５°以上で７５°以下に設定した。この範囲内であると図１１に示すように、トラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレートＥは正の値でしかもその値は大きくなるから、前記トラック幅規制部１４のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２を小さくでき、本発明ではトラック幅Ｔｗを０．２μｍ以下に小さくできることが確認されている。
【０１５７】
一方、上記のイオン照射角度θ２であると、上部磁極層１２の上面でのエッチングレートＧは正の値であるものの、その値は小さくなる傾向にあり、イオンミリングを終えた際の前記トラック幅規制部１４の高さ寸法は３．３μｍ〜３．５μｍ程度であった。
【０１５８】
次に、上記のイオン照射角度θ２であると、下部コア層１２の接合部ＤでのエッチングレートＦは正の値であり、イオンミリングによる再付着は起らない。したがって前記下部コア層１０に図１に示す隆起部１０ｃを形成することが可能である。
【０１５９】
また上記のイオン照射角度θ２によって、下部コア層１０の上面に形成される傾斜面１０ａの傾斜角度θ１を、２°以上で１０°以下の範囲内に収めることが可能である。
【０１６０】
また本発明では、イオン照射角度θ２を、５５°以上で７０°以下にすることがより好ましいとした。この範囲内であると、上部磁極層１２上面でのエッチングレートを適切に低減でき、しかもトラック幅規制部１４の両側端面でのエッチングレートを正値で且つ大きくできる。また下部コア層１０の接合部Ｄでのエッチングレートを確実に正値にできる。
【０１６１】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、下部コア層と上部コア層との間に幅寸法がトラック幅Ｔｗに規制されたトラック幅規制部を有し、特に本発明における製造方法を用いれば、前記トラック幅規制部の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の寸法で形成することができる。これにより狭トラック化を図ることができる。
【０１６２】
また本発明では、トラック幅Ｔｗに規制されたトラック幅規制部上に、前記トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成でき、これにより前記上部コア層の体積を大きくできるから、磁気飽和の発生を効果的に低減することができる。
【０１６３】
さらに本発明では、トラック幅規制部の両側から延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れる方向に向かって傾斜する傾斜面を形成しているので、前記下部コア層と、トラック幅規制部を構成する上部磁極層との距離を適切に離すことができ、ライトフリンジングの発生を適切に防止することができる。
【０１６４】
以上により本発明によれば、今後のさらなる高記録密度化にも対向可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１６５】
また本発明における製造方法では、レジストを用いてトラック幅規制部を形成した後、前記トラック幅規制部の両側端面をイオンミリングにより削ることによって前記トラック幅規制部の幅寸法を、レジストを露光現像する際に使用される波長の解像度以下の寸法で形成できると同時に、前記イオンミリングを用いれば下部コア層の上面への傾斜面の形成工程をも行うことができる。これにより製造工程を、簡素化することが可能である。
【０１６６】
また前記イオンミリングの際のイオン照射角度θ２は４５°以上で７５°以下であることが好ましく、この範囲内であると、イオンミリングによる再付着の問題が起らず、前記ラック幅Ｔｗを、０．４μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下にでき、しかも下部コア層１０の上面に２°以上で１０°以下の傾斜角度θ１を有する傾斜面を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図３】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図４】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１１】図６工程のイオンミリングの際のイオン照射角度θ２と、任意の複数の場所で測定したエッチングレートとの関係を示すグラフ、
【図１２】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図１３】図１２に示す１３−１３線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【符号の説明】
１０ 下部コア層
１０ａ、１０ｂ 傾斜面
１０ｃ 隆起部
１１ 下部磁極層
１２ 上部磁極層
１４ トラック幅規制部
１５ ギャップ層
１６ 上部コア層
１７ Ｇｄ決め絶縁層
１８ 絶縁層
１９ コイル層
２０ 有機絶縁層
２１ 持ち上げ層
３０ レジスト層
Claims (1)
- （ａ）下部コア層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に、所定の幅寸法で且つ記録媒体との対向面からハイト方向に向けて所定の長さ寸法の溝を形成する工程と、
（ｂ）前記溝内に、下部磁極層、非磁性のギャップ層ならびに上部磁極層を順に積層したトラック幅規制部を形成し、このとき、前記ギャップ層をＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの中から１種または２種以上選択して、前記下部磁極層及び前記上部磁極層とともにメッキ形成する工程と、
（ｃ）前記レジスト層を除去する工程と、
（ｄ）イオンミリングにより、前記トラック幅規制部のトラック幅方向の両側面を削って、前記トラック幅規制部の幅寸法をトラック幅に規制する工程と、前記トラック幅規制部の両側に延びる下部コア層の上面に、前記トラック幅規制部から離れるにしたがって前記上部コア層との間隔が徐々に広がる傾斜面を形成する工程とを同時に行い、このとき、前記トラック幅を０．４μｍ以下に形成する工程と、
（ｅ）前記トラック幅規制部上に、前記トラック幅よりも大きい幅寸法を有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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