JP2005149604A

JP2005149604A - 磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2005149604A
Application number: JP2003384427A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Sato; 清佐藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2003-11-14
Filing date: 2003-11-14
Publication date: 2005-06-09
Also published as: US20050105212A1; US7554763B2

Abstract

【課題】コイル層の膜厚を大きくでき、コイル層の抵抗値を低減できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部コア層２９、磁極端層３０、バックギャップ層３４で囲まれた空間内４７に複数本の第１コイル片３６が形成され、コイル絶縁層３７で埋められている。磁極端層３０の上面３０ａ、コイル絶縁層３７の上面３７ａ、第１コイル片３６の上面３６ａ、バックギャップ層３４の上面３４ａが同じ平坦化面Ａ１で形成され、下部コア層２９に形成された凹部２９ｂの上に第１コイル片３６が形成される。第１コイル片３６の下面を前記下部コア層２９の上面２９ａとほぼ同一の高さ位置とできる。また、第１コイル片３６の上面３６ａは平坦化面Ａ１まで延出されている。そのため、前記第１コイル片３６の膜厚を大きく、コイル抵抗を小さくできる。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に、コイル層の膜厚を大きくでき、コイル層の抵抗値を低減できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。

以下に示す特許文献１および２には、磁性材料から形成される下部コア層の上にコイル層が形成された構成のインダクティブヘッド（記録用ヘッド）が開示されている。

しかし、近年の高記録密度化に伴って小型化が進み、磁極部の寸法も非常に小さく構成することが要求されている。

このような高記録密度化に対応するため、前記下部コア層の上に形成される上部コア層を平面的に構成する、いわゆるプラナー型のインダクティブヘッドが存在する。このようなプラナー型のインダクティブヘッドは以下に示す特許文献３に開示されている。
特開２００１−０７６３２０号公報特開２００２−０２５００９号公報ＵＳ６３５３５１１Ｂ１

しかし、前記特許文献１および２に開示された磁気ヘッドに対し高記録密度化に対応できるとして着想された前記特許文献３に記載された磁気ヘッドでは、磁気ヘッド全体の小型化に伴って、非常に狭いスペースにコイル層を形成しなければならない。そのため、形成されるコイル層も小さなものとならざるを得ず、コイル層の断面積も小さくなり、コイル層の抵抗値が非常に大きくなってしまう。

コイル層の抵抗値が大きくなると、前記コイル層を流れる記録電流によって大きなジュール熱が発生し、前記インダクティブヘッド内部の温度が非常に高くなる。

前記インダクティブヘッド内部での温度が高くなると、金属材料で形成されているコイル層やコア層と、その周囲を覆う絶縁材料との間での熱膨張係数の違いによって、前記インダクティブヘッドが形成されている部分が、他の部分に比べて記録媒体との対向面から突出しやくなるという、いわゆるＰＴＰ（ＰｏｌｅＴｉｐＰｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）と呼ばれる現象が発生する。

このように前記インダクティブヘッドが記録媒体との対向面から突出するＰＴＰ現象が発生すると、前記インダクティブヘッドが記録媒体に衝突する頻度が高まり、記録媒体を傷つけたり、インダクティブヘッドが損傷しやくなる。

本発明は前記従来の課題を解決するものであり、コイル層の膜厚を大きくでき、コイル層の抵抗値を低減できる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の磁気ヘッドは、記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層上に、前記対向面からハイト方向に所定長さで形成され、前記対向面でのトラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが決定される磁極端層と、前記磁極端層からハイト方向に離れて形成されたバックギャップ層とが形成され、前記バックギャップ層を介して、前記下部コア層とハイト側で直接的あるいは間接的に接続される磁性層を有し、
前記下部コア層、前記磁極端層及びバックギャップ層で囲まれた空間内に複数本のコイル片が形成され、前記コイル片はコイル絶縁層によって覆われており、
前記磁極端層の上面、前記コイル絶縁層の上面、前記コイル片の上面、前記バックギャップ層の上面が共に同じ平坦化面で形成され、前記コイル片の上面には第２の絶縁材料層が形成され、前記磁性層は前記平坦化面の上に形成されており、
前記下部コア層には前記磁極端層と前記バックギャップ層との間に凹部が形成され、前記凹部内に第１の絶縁材料層が形成されており、
前記空間内で前記コイル片が前記第１の絶縁材料層の上に形成されていることを特徴とするものである。

この場合、前記第１の絶縁材料層は、前記磁極端層のハイト方向側の側面から前記凹部、および前記バックギャップ層のハイト方向と反対側の側面にかけて連続して形成されているものとして構成できる。

また、前記磁性層の上に、第３の絶縁材料層を介して他のコイル片が形成されており、前記コイル片と前記他のコイル片との端部どうしが電気的に接続されて、前記磁性層の周囲をトロイダル状に巻き回されたトロイダルコイル層が形成されているものとして構成することもできる。

この場合、前記第３の絶縁材料層は、無機絶縁材料層の上に有機絶縁材料層が積層されたものであるものとして構成することが好ましい。

また前記コイル片は、前記空間内から前記バックギャップ層の周囲を螺旋状に周回するように形成されているものとして構成することもできる。

また本発明の磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層上に、前記対向面からハイト方向に所定長さで形成される磁極端層と、前記磁極端層からハイト方向に離れて形成されたバックギャップ層とが形成され、前記下部コア層と前記磁極端層と前記バックギャップ層とで形成された空間を有する磁気ヘッドの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）前記空間内の前記下部コア層に凹部を形成し、前記凹部に第１の絶縁材料層を形成する工程と、
（ｂ）前記第１の絶縁材料層上に複数本のコイル片を形成する工程と、
（ｃ）前記コイル片上をコイル絶縁層で埋めた後、前記磁極端層の上面、前記コイル絶縁層の上面、および前記バックギャップ層の上面を削って平坦化面を形成する工程と、
（ｄ）前記平坦化面の上に、前記コイル片を覆う第２の絶縁材料層を形成した後、前記磁性層を形成する工程。

この場合、前記（ａ）工程の前に、前記下部コア層の上に前記磁極端層、および前記バックギャップ層を形成し、前記（ａ）工程で、前記第１の絶縁材料層を、前記磁極端層のハイト方向側の側面から前記凹部、および前記バックギャップ層のハイト方向と反対側の側面にかけて連続して形成するものとして構成することができる。

また、前記（ｄ）工程の後、前記磁性層の上に、第３の絶縁材料層を介して他のコイル片を形成し、前記コイル片と前記他のコイル片との端部どうしを電気的に接続し、前記磁性層の周囲にトロイダル状に巻き回されたトロイダルコイル層を形成することもできる。

この場合、前記第３の絶縁材料層を、無機絶縁材料層の上に有機絶縁材料層を積層して形成することが好ましい。

また、前記（ｂ）工程で、前記第１の絶縁材料層上に複数のコイル片を形成するとともに、前記コイル片を前記空間外の前記バックギャップ層の周囲にも形成し、前記コイル片を前記バックギャップ層の周囲に螺旋状に周回するように形成するものとして構成することもできる。

本発明の前記磁気ヘッドでは、下部コア層に凹部が形成され、この凹部の上に、第１の絶縁材料であるコイル絶縁下地層を介して、コイル片が形成される。したがって、前記コイル片の下面を前記下部コア層の上面とほぼ同一の高さ位置とすることができる。また、前記コイル片の上面は前記平坦化面Ａ１まで延出されている。したがって、前記コイル片の膜厚を大きくすることが可能となる。

従って、近年の高記録密度化に伴ってインダクティブヘッドの小型化が進んで前記コイル片を形成するためのスペースが小さくなっても、前記コイル片の断面積を大きくできるのでコイル片の直流抵抗値を低減できる。この結果、本発明の磁気ヘッドは、前記コイル片を流れる記録電流によって発生するジュール熱を低減し、磁気ヘッド内部の温度上昇を抑制できる。

前記磁気ヘッド内部での温度が高くなると、金属材料で形成されているコイル片、下部コア層および上部コア層と、その周囲を覆う絶縁材料との間での熱膨張係数の違いによって、前記磁気ヘッドが形成されている部分が、他の部分に比べて記録媒体との対向面から突出しやくなるという、いわゆるＰＴＰ（ＰｏｌｅＴｉｐＰｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）と呼ばれる現象が発生する。

このように前記インダクティブヘッドが記録媒体との対向面から突出するＰＴＰ現象が発生すると、前記インダクティブヘッドが記録媒体に衝突する頻度が高まり、記録媒体を傷つけたり、インダクティブヘッドが損傷しやすくなる。

しかし本願発明の磁気ヘッドでは、前記コイル片の断面積を大きくできるのでコイル片の直流抵抗値を低減でき、前記コイル片を流れる記録電流によって発生するジュール熱を低減できるため、前記ＰＴＰ現象を効果的に抑制できる。したがって、前記磁気ヘッドが記録媒体に衝突する頻度を低減し、記録媒体及び磁気ヘッドの損傷を抑制できる。

図１は、本発明の磁気ヘッドがスライダに搭載された磁気ヘッド装置を示す全体斜視図、図２は本発明における第１実施形態の磁気ヘッドＨ１の構造を示す部分縦面図である。

なお以下では図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。
また図示Ｚ方向は記録媒体（磁気ディスク）の進行方向である。また磁気ヘッドの前端面（図２に示す最左面）を「記録媒体との対向面」と呼ぶ。さらに各層において「前端面（前端部）」とは図２における左側の面を指し「後端面（後端部）」とは図２における右側の面を指す。

また図面を用いて説明する磁気ヘッドは、記録用ヘッド（インダクティブヘッドとも言う）と再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）とが複合された磁気ヘッドであるが、記録用ヘッドのみで構成された磁気ヘッドであってもよい。

符号２０はアルミナチタンカーバイト（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）などで形成されたスライダであり、その対向面２０ａが記録媒体に対向する。図１に示すようにスライダ２０のトレーリング側の端部２０ｂ上に、磁気ヘッドＨ１と端子部Ｐ１，Ｐ１及び端子部Ｐ２，Ｐ２が形成されている。磁気ヘッドＨ１を構成するインダクティブヘッドのトロイダルコイル層４２は、リード層を介して端子部Ｐ１，Ｐ１に接続されている。またＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子が設けられている場合には、端子部Ｐ２，Ｐ２から磁気抵抗効果素子に検出電流が与えられ、且つ端子部Ｐ２，Ｐ２から再生磁気信号が得られる。

図２に示すように、スライダ２０上にＡｌ₂Ｏ₃層２１が形成されている。

Ａｌ₂Ｏ₃層２１上には、ＮｉＦｅ系合金やセンダストなどで形成された下部シールド層２２が形成され、下部シールド層２２の上にＡｌ₂Ｏ₃などで形成された下部ギャップ層や上部ギャップ層からなるギャップ層２３が形成されている。

ギャップ層２３内にはスピンバルブ型薄膜素子などのＧＭＲ素子に代表される磁気抵抗効果素子２４が形成されており、磁気抵抗効果素子２４の前端面は記録媒体との対向面から露出している。

ギャップ層２３上にはＮｉＦｅ系合金などで形成された上部シールド層２５が形成されている。

下部シールド層２２から上部シールド層２５までを再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）と呼ぶ。

図２に示すように上部シールド層２５上には、Ａｌ₂Ｏ₃などで形成された分離層２８が形成されている。なお上部シールド層２５及び分離層２８が設けられておらず、上部ギャップ層２６上に次の下部コア層２９が設けられていてもよい。かかる場合、下部コア層２９が上部シールド層をも兼ね備える。

図２では、分離層２８の上に下部コア層２９が形成されている。下部コア層２９はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。下部コア層２９は記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成される。

下部コア層２９上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法で形成された磁極端層３０が形成されている。
磁極端層３０はトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。トラック幅Ｔｗは、例えば０．５μｍ以下で形成される。

図２に示す前記磁気ヘッドＨ１では、磁極端層３０は、下部磁極層３１、ギャップ層３２、および上部磁極層３３の３層膜の積層構造で構成されている。

下部コア層２９上には磁極端層３０の最下層となる下部磁極層３１がメッキ形成されている。下部磁極層３１は磁性材料を用いて形成され、下部コア層２９と磁気的に接続されており、下部磁極層３１は、下部コア層２９と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。

下部磁極層３１上には、非磁性のギャップ層３２が積層されている。
ギャップ層３２は非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層３１上にメッキ形成されることが好ましい。非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、ＮｉＲｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、ギャップ層３２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。

ギャップ層３２上には、上部磁極層３３がメッキ形成されている。本実施の形態では、上部磁極層３３は１層で形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば前記上部磁極層３３を積層構造としても良い。

上記したようにギャップ層３２が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層３１、ギャップ層３２および上部磁極層３３を連続してメッキ形成することが可能になる。

前記下部磁極層３１及び上部磁極層３３は、上部コア層３９や下部コア層２９及びバックギャップ層３４よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを有していることが好ましい。ギャップ層３２に対向する下部磁極層３１および上部磁極層３３が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。

さらに前記磁極端層３０のハイト方向後端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置にバックギャップ層３４が下部コア層２９上に形成されている。

前記バックギャップ層３４は磁性材料で形成され、前記下部コア層２９と同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。また前記バックギャップ層３４は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。前記バックギャップ層３４は前記下部コア層２９と磁気的に接続されている。

前記磁極端層３０と前記バックギャップ層３４と前記下部コア層２９とで形成された空間４７には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂などからなる本願発明の第１の絶縁材料層である、コイル絶縁下地層３５が形成されている。コイル絶縁下地層３５上には、上部コア層３９と重なる部分が、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に平行に延び、且つ互いに平行に形成された複数本の第１コイル片３６がハイト方向（図示Ｙ方向）に並んで形成されている。前記第１コイル片３６は、例えばＣｕやＡｕなどの電気抵抗の低い導電性材料で形成されている。

各第１コイル片３６間は、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機絶縁材料、またはレジストなどによる有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層３７で埋められている。図２に示すように磁極端層３０の上面、第１コイル片３６の上面、コイル絶縁層３７の上面、及びバックギャップ層３４の上面は連続した平坦化面Ａ１となっている。

前記下部コア層２９上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３８が形成されている。前記Ｇｄ決め層３８の後端部領域は、前記コイル絶縁下地層３５の上面に載せられている。また、前記上部磁極層３３の後端部は前記Ｇｄ決め層３８上に載せられている。

ギャップデプス（Ｇｄ）は、前記ギャップ層３２の記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３８に突き当たるまでのハイト方向（図示Ｙ方向）への長さで決められる。

前記平坦化面Ａ１の上には、前記第１コイル片３６の上面３６ａを覆うように、レジストなどの有機材料からなる絶縁層４５が形成されている。この絶縁層４５は本願発明の第２の絶縁材料層であり、前記第１コイル片３６と後記する上部コア層３９との絶縁を図るものである。

前記上部磁極層３３から、前記絶縁層４５および前記バックギャップ層３４上にかけて上部コア層（磁性層）３９がメッキ形成されている。この上部コア層３９は、前記バックギャップ層３４を介して、前記下部コア層２９のハイト側と前記磁極端層３０とを接続しており、前記上部コア層３９が本発明の磁性層に相当する。

なお前記上部磁極層３３と前記上部コア層３９とが同じ材質で形成されていてもよいが、異なる材質で形成されるほうが好ましい。特に、上部コア層３９が上部磁極層３３よりも飽和磁束密度Ｂｓが低いことがより好ましい。上部コア層３９の飽和磁束密度は例えば１．４Ｔ〜１．９Ｔ、上部磁極層３３の飽和磁束密度は例えば１．９Ｔ〜２．４Ｔである。

前記上部コア層３９の飽和磁束密度が前記上部磁極層３３の飽和磁束密度よりも低いと、上部コア層３９からの洩れ磁界で磁気記録することを防ぐことが容易になる。

図２に示すように上部コア層３９の上には、例えばレジストなどの有機絶縁材料や、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機絶縁材料で形成された絶縁層４０が形成されている。この絶縁層４０は本願発明の第３の絶縁材料層であり、有機絶縁材料や無機絶縁材料のどちらか一方で形成されても良いが、無機絶縁材料の上に有機絶縁材料を積層して形成することが好ましい。このように、前記絶縁層４０を無機絶縁材料の上に有機絶縁材料を積層して形成すると、後記する第２コイル片４１を形成するためにメッキ下地膜を形成した後、余分なメッキ下地膜を除去する際に、前記無機絶縁材料が保護層として機能し、製造途中でのダメージを防止することが可能となる。

図２に示すように絶縁層４０上には、本願発明の他のコイル片である複数本の第２コイル片４１が形成されている。前記第２コイル片４１は、例えばＣｕやＡｕなどの電気抵抗の低い導電性材料で形成されている。

前記第１コイル片３６と前記第２コイル片４１とは、それぞれのトラック幅方向における端部同士が電気的に接続され、第１コイル片３６と第２コイル片４１とで、前記上部コア層３９を軸にして巻回形成されたトロイダルコイル層４２が形成されている。

前記トロイダルコイル層４２上にはＡｌ₂Ｏ₃やＡｌＳｉＯなどの絶縁材料で形成された保護層４３が形成されている。なお、下部コア層２９及びバックギャップ層３４のハイト方向後方は、絶縁層４４が形成されている。

前記トロイダルコイル層４２に記録電流が与えられると、前記下部コア層２９及び前記上部コア層３９に記録磁界が誘導され、前記ギャップ層３２を介して対向する前記下部磁極層３１及び前記上部磁極層３３間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。

本願発明の磁気ヘッドＨ１では、図２に示すように、前記下部コア層２９に凹部２９ｂが形成されている。そして、この凹部２９ｂを埋めるように前記コイル絶縁下地層３５が形成されている。そして、このコイル絶縁下地層３５の上に、前記第１コイル片３６が形成されているのである。前記下部コア層２９の上面２９ａと前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａとは同一の高さ位置に形成されることが好ましい。前記下部コア層２９の上面２９ａと前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａとが同一の高さ位置に形成されることにより、前記上面２９ａと３５ａとを同一の平坦化面とすることができるため、第１コイル片３６を形成する時に設けられるレジストを露光する際、この露光時の焦点をレジスト全体に均一にすることができるため、精度良く前記第１コイル片３６を形成することができる。したがって、前記第１コイル片３６の間隔を小さく形成でき、磁気ヘッド全体の小型化や磁路長を短くすることが可能となる。また、正確な形状および均一な膜厚で前記第１コイル片３６をパターン形成できる。

また、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａは平坦化面として形成されることが好ましい。前記上面３５ａが平坦化面として形成されることにより、前記下部コア層２９の上面２９ａと前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａとが同一の高さ位置に形成される場合と同様に、第１コイル片３６を形成する時に設けられるレジスト露光時の焦点をレジスト全体に均一にすることができるため、前記第１コイル片３６の間隔を小さく形成でき、磁気ヘッド全体の小型化や磁路長を短くすることが可能となる。また、正確な形状および均一な膜厚で前記第１コイル片３６をパターン形成できる。

一方、前記第１コイル片３６の上面３６ａは、前記磁極端層３０の上面３０ａ、前記コイル絶縁層３７の上面３７ａおよび前記バックギャップ層３４の上面３４ａと同一の高さ位置まで延出して形成され、これらの上面３０ａ，３７ａ，３４ａとともに同一の平坦化面Ａ１が形成されている。

前記磁気ヘッドＨ１では、前記下部コア層２９に凹部２９ｂが形成され、この凹部２９ｂの上に、前記コイル絶縁下地層３５を介して、前記第１コイル片３６が形成される。したがって、前記第１コイル片３６の下面３６ｂを前記下部コア層２９の上面２９ａとほぼ同一の高さ位置とすることができる。また、前記第１コイル片３６の上面３６ａは前記平坦化面Ａ１まで延出されている。したがって、前記第１コイル片３６の膜厚を大きくすることが可能となる。

従って、近年の高記録密度化に伴ってインダクティブヘッドの小型化が進んで前記第１コイル片３６を形成するためのスペースが小さくなっても、前記第１コイル片３６の断面積を大きくできるので第１コイル片３６の直流抵抗値を低減できる。この結果、本実施の形態の磁気ヘッドは、前記トロイダルコイル層４２を流れる記録電流によって発生するジュール熱を低減し、磁気ヘッドＨ１内部の温度上昇を抑制できる。

前記磁気ヘッドＨ１内部での温度が高くなると、金属材料で形成されているトロイダルコイル層４２、前記下部コア層２９および前記上部コア層３９と、その周囲を覆う前記コイル絶縁層３７や前記保護層４３などの絶縁材料との間での熱膨張係数の違いによって、前記磁気ヘッドＨ１が形成されている部分が、他の部分に比べて記録媒体との対向面から突出しやくなるという、いわゆるＰＴＰ（ＰｏｌｅＴｉｐＰｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）と呼ばれる現象が発生する。

しかし本願発明の磁気ヘッドＨ１では、前記第１コイル片３６の断面積を大きくできるので第１コイル片３６の直流抵抗値を低減でき、前記トロイダルコイル層４２を流れる記録電流によって発生するジュール熱を低減できるため、前記ＰＴＰ現象を効果的に抑制できる。したがって、前記磁気ヘッドＨ１が記録媒体に衝突する頻度を低減し、記録媒体及び磁気ヘッドの損傷を抑制できる。

一般的に、トロイダルコイル層４２を構成する第１コイル片３６と第２コイル片４１のうち、磁極である下部コア層２９と上部コア層３９との間に位置する第１コイル片３６の直流抵抗値を下げることが、ジュール熱を低減するために効果的である。本願発明の前記磁気ヘッドＨ１では、下部コア層２９と上部コア層３９との間に位置する第１コイル片３６の断面積を小さくできるため、効果的にジュール熱を低減することが可能となる。

図３は、本発明の第２実施形態の磁気ヘッドＨ２を示す部分縦断面図であり、図２に相当する図である。

図３に示す磁気ヘッドＨ２は図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分を有して構成されている。したがって、図３に示す磁気ヘッドＨ２のうち、図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分には、図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ符号を付して詳しい説明を省略する。

図３に示す磁気ヘッドＨ２は図２に示す磁気ヘッドＨ１と同様、第１コイル片３６は下部コア層２９に形成された凹部２９ｂに埋め込まれて形成されたコイル絶縁下地層３５の上に第１コイル片３６が形成されている点では図２に示した前記磁気ヘッド１と同じであるが、図３に示す磁気ヘッドＨ２では、上部磁極層３３のハイト方向側の側面３３ａから、前記Ｇｄ決め層３８の上面３８ａおよび側面３８ｂにかけても前記コイル絶縁下地層３５が連続して形成されているとともに、バックギャップ層３４の記録媒体との対向面側（ハイト方向と反対側）の側面３４ｂにもコイル絶縁下地層３５が連続して形成されている点で、図２に示す磁気ヘッドＨ１とは異なっている。

このような図３に示す構造の磁気ヘッドＨ２でも、図２に示した前記磁気ヘッドＨ１と同様に、前記第１コイル片３６の下面３６ｂを前記下部コア層２９の上面２９ａとほぼ同一の高さ位置とすることができ、また前記第１コイル片３６の上面３６ａは前記平坦化面Ａ１まで延出されている。したがって、前記第１コイル片３６の膜厚を大きくすることが可能となり、前記第１コイル片３６の断面積を大きくできるので第１コイル片３６の直流抵抗値を低減できる。したがって、磁気ヘッドＨ２内部の温度上昇を抑制でき、前記ＰＴＰ現象を効果的に抑制できる。

図４は、本発明の第３実施形態の磁気ヘッドのＨ３を示す部分縦断面図であり、図２に相当する図である。

図４に示す磁気ヘッドＨ３は図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分を有して構成されている。したがって、図４に示す磁気ヘッドＨ３のうち、図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ構成部分には、図２に示す磁気ヘッドＨ１と同じ符号を付して詳しい説明を省略する。

図４に示す磁気ヘッドＨ３は、下部コア層２９がバックギャップ層３４のハイト方向側に延出した延出部２９ｃが形成されている。そして、前記磁極端層３０と前記バックギャップ層３４と前記下部コア層２９とで形成された空間４７には、凹部２９ｂを埋めるように形成されたコイル絶縁下地層３５の上にコイル片５６が形成されるとともに、前記空間４７外である前記バックギャップ層３４のハイト方向側に形成された前記延出部２９ｃにも、コイル絶縁層５０を介してコイル片５６が形成され、このコイル片５６の間もコイル絶縁層３７で埋められている。前記コイル片５６は前記バックギャップ層３４の周囲を螺旋状に周回するように形成されて、スパイラルコイル層５２が構成される。

図４に示すように、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間では、前記下部コア層２９に凹部２９ｂが形成され、この凹部２９ｂの上に、コイル絶縁下地層３５を介して、前記コイル片５６が形成される。したがって、前記コイル片５６の下面５６ｂを前記下部コア層２９の上面２９ａとほぼ同一の高さ位置とすることができる。また、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間、および前記延出部２９ｃの双方の領域において、前記コイル片５６の上面５６ａは平坦化面Ａ１まで延出されている。したがって、前記コイル片５６の膜厚を大きくすることが可能となり、前記コイル片５６の断面積を大きくできるので、コイル片５６の直流抵抗値を低減できる。したがって、磁気ヘッドＨ３内部の温度上昇を抑制でき、前記ＰＴＰ現象を効果的に抑制できる。

一般的に、スパイラルコイル層５２を構成するコイル片５のうち、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間に形成される部分の直流抵抗値を下げることが、ジュール熱を低減するために効果的である。この部分が、磁極である下部コア層２９と上部コア層３９との間に位置することとなるからである。本願発明の前記磁気ヘッドＨ３では、下部コア層２９と上部コア層３９との間に位置する部分のコイル片５６の断面積を小さくできるため、効果的にジュール熱を低減することが可能となる。

図５は、本発明の第４実施形態の磁気ヘッドＨ４を示す部分縦断面図であり、図３に相当する図である。

図５に示す磁気ヘッドＨ４は図４に示す磁気ヘッドＨ３と同じ構成部分を有して構成されている。したがって、図５に示す磁気ヘッドＨ４のうち、図４に示す磁気ヘッドＨ３と同じ構成部分には、図４に示す磁気ヘッドＨ３と同じ符号を付して詳しい説明を省略する。

図５に示す磁気ヘッドＨ４は図４に示す磁気ヘッドＨ３と同様、下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間では、凹部２９ｂに埋め込まれて形成されたコイル絶縁下地層３５の上にコイル片５６が形成されている点では図２に示した前記磁気ヘッド１と同じであるが、図５に示す磁気ヘッドＨ４では、上部磁極層３３のハイト方向側の側面３３ａから、前記Ｇｄ決め層３８の上面３８ａおよび側面３８ｂにかけても前記コイル絶縁下地層３５が連続して形成されているとともに、バックギャップ層３４の上面３４ａと記録媒体との対向面側（ハイト方向と反対側）の側面３４ｂにもコイル絶縁下地層３５が連続して形成されている点で、図４に示す磁気ヘッドＨ３とは異なっている。

また、前記延出部２９ｃの領域では、前記延出部２９ｃの上にコイル絶縁層５０を介してコイル片５６が形成されている点で、図４に示す磁気ヘッドＨ３と同様であるが、図５に示す磁気ヘッドＨ４では、前記バックギャップ層３４のハイト方向側の側面３４ｃにも、コイル絶縁層５０が連続して形成されている点で、図４に示す磁気ヘッドＨ３とは異なっている。

このような図５に示す構造の磁気ヘッドＨ５でも、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間では、前記コイル片５６の下面５６ｂを前記下部コア層２９の上面２９ａとほぼ同一の高さ位置とすることができる。また、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間、および前記延出部２９ｃの双方の領域において、前記コイル片５６の上面５６ａは平坦化面Ａ１まで延出されるため、前記コイル片５６の膜厚を大きくすることが可能となり、前記コイル片５６の断面積を大きくできるので、コイル片５６の直流抵抗値を低減できる。したがって、磁気ヘッドＨ３内部の温度上昇を抑制でき、前記ＰＴＰ現象を効果的に抑制できる。

なお、図４に示す磁気ヘッドＨ３、および図５に示す磁気ヘッドＨ４では、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間には凹部２９ｂが形成されているが、前記延出部２９ｃには凹部が形成されていないため、前記延出部２９ｃ上に形成された部分のコイル片５６の下面５６ｃが、前記下部コア層２９の上面２９ａよりも高い位置に形成されている。しかし、前記延出部２９ｃにも、前記下部コア層２９の前記バックギャップ層３４と前記磁極端層３０との間に形成されたような凹部２９ｂを形成し、この凹部をコイル絶縁下地層３５で埋め、このコイル絶縁下地層３５の上にコイル片５６を形成することとしても良い。このように構成すると、前記延出部２９ｃに形成された部分のコイル片５６の下面５６ｃも、前記下部コア層２９の上面２９ａとほぼ同じ高さ位置に形成することができるため、コイル片５６の断面積をより大きくすることが可能となる。

次に、図１および図２に示す磁気ヘッドＨ１の製造方法を、図６ないし図１３に示す製造工程図を用いて以下に説明する。なお図２に示す下部コア層２９から第２コイル片４１までの各層の形成方法について説明する。また図６ないし図１４に示す製造工程図は製造途中の薄膜磁気ヘッドの縦断面図（すなわち図示Ｙ−Ｚ平面と平行な平面から切断した断面図）である。なお、図３ないし図５に示す磁気ヘッドの製造方法を示す各工程図についても同様とする。

図６に示す工程では、ＮｉＦｅ系合金等からなる下部コア層２９をメッキ形成した後、ＣＭＰ技術等を用いて前記下部コア層２９の上面２９ａを研磨加工し、平らな面とする。次に、前記下部コア層２９上に、ハイト方向に間隔を空けてレジスト層６０、６１を形成し、図示破線で示す領域を、イオンミリングなどの方法によって削って凹部２９ｂを形成し、図７に示す状態とする。

次に、図８に示すように、前記レジスト層６０，６１を残したまま、前記凹部２９ｂ内を埋めるようにコイル絶縁下地層３５スパッタ法などの公知の方法で成膜する。このとき、前記レジスト層６０，６１上にも、前記コイル絶縁下地層３５と同じ材料層７０が付着する。前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａと前記下部コア層２９の上面２９ａとは、同じ高さ位置となるように形成することが好ましい。したがって、前記コイル絶縁下地層３５を形成する際、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａが前記下部コア層２９の上面２９ａと同じ高さ位置になった時に、前記コイル絶縁下地層３５の成膜を終了させることが好ましいが、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａが前記下部コア層２９の上面２９ａより盛り上げて成膜した後、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａを、例えばＣＭＰなどの公知の方法で削って前記下部コア層２９の上面２９ａと同じ高さ位置に調整しても良い。

前記したように、前記下部コア層２９の上面２９ａと前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａとが同一の高さ位置に形成することが好ましいが、このように形成すると前記上面２９ａと３５ａとを同一の平坦化面とすることができるため、図９に示す工程で、第１コイル片３６を形成する時に設けられるレジストを露光する際、この露光時の焦点をレジスト全体に均一にすることができるため、精度良く前記第１コイル片３６を形成することができる。したがって、前記第１コイル片３６の間隔を小さく形成でき、磁気ヘッド全体の小型化や磁路長を短くすることが可能となる。また、正確な形状および均一な膜厚で前記第１コイル片３６をパターン形成できる。

また、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａは平坦化面として形成することが好ましい。前記上面３５ａが平坦化面として形成することにより、前記下部コア層２９の上面２９ａと前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａとが同一の高さ位置に形成される場合と同様に、第１コイル片３６を形成する時に設けられるレジスト露光時の焦点をレジスト全体に均一にすることができるため、前記第１コイル片３６の間隔を小さく形成でき、磁気ヘッド全体の小型化や磁路長を短くすることが可能となる。また、正確な形状および均一な膜厚で前記第１コイル片３６をパターン形成できる。

次に、図９に示すように、前記材料層７０が付着した状態の前記レジスト層６０，６１を除去し、前記コイル絶縁下地層３５上にレジストを形成して（図示せず）、第１コイル片３６のパターンを露光現像して形成し、前記第１コイル片３６をパターン形成する。前記第１コイル片３６はメッキ法などの公知の方法により形成される。前記第１コイル片３６は複数本設けられ、各第１コイル片３６はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に平行にあるいはトラック幅方向（図示Ｘ方向）からハイト方向（図示Ｙ方向）に傾斜して延び、且つ互いに平行に形成する。

次に、図１０に示すように、前記下部コア層２９の上面２９ａに、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置にＧｄ決め層３８を形成する。次に、メッキに必要な例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＣｏ合金から成るメッキシード膜（図示しない）を形成した後、レジスト層（図示せず）でパターンを形成し、このパターン内に下から下部磁極層３１、ギャップ層３２、上部磁極層３３を連続してメッキ形成して磁極端層３０を形成するとともに、バックギャップ層３４を形成し、前記レジスト（図示せず）を除去する。前記磁極端層３０と前記バックギャップ層３４と前記下部コア層２９とで空間４７が形成される。

次に図１１に示すように、前記磁極端層３０、第１コイル片３６、およびバックギャップ層３４の間と上方部にコイル絶縁層３７を形成する。そして、図示Ｄ−Ｄ線まで前記磁極端層３０、前記コイル絶縁層３７、前記第１コイル片３６、およびバックギャップ層３４をＸ−Ｙ平面と平行な方向からＣＭＰ技術等を用いて削り込み、平坦化面Ａ１を形成する。削り込みを終了した時点を示したのが図１２である。

次に図１３に示すように、前記第１コイル片３６の上面３６ａを覆うように絶縁層４５を形成した後、前記上部磁極層３３から、前記絶縁層４５および前記バックギャップ層３４上にかけて上部コア層（磁性層）３９をメッキ形成する。

次に、図１４に示すように、前記上部コア層３９の上に、絶縁層４０を形成し、この絶縁層４０の上に第２コイル片４１をメッキ法などの公知の方法により形成する。このとき、前記第１コイル片３６と前記第２コイル片４１とを、それぞれのトラック幅方向における端部同士が電気的に接続するように形成し、第１コイル片３６と第２コイル片４１とで、前記上部コア層３９を軸にして巻回形成されたトロイダルコイル層４２を形成する。

前記絶縁層４０は、有機絶縁材料や無機絶縁材料のどちらか一方で形成しても良いが、無機絶縁材料の上に有機絶縁材料を積層して形成することが好ましい。このように、前記絶縁層４０を無機絶縁材料の上に有機絶縁材料を積層して形成すると、第２コイル片４１を形成するためにメッキ下地膜を形成した後、余分なメッキ下地膜を除去する際に、前記無機絶縁材料が保護層として機能し、製造途中でのダメージを防止することが可能となる。

そして、前記トロイダルコイル層４２上にＡｌ₂Ｏ₃やＡｌＳｉＯなどの絶縁材料で形成された保護層４３を形成する（図２を参照）と、図２に示す磁気ヘッドＨ１を製造できる。

次に、図３に示す磁気ヘッドＨ２の製造方法を説明する。
図３に示す磁気ヘッドＨ２を製造するには、前記磁気ヘッドＨ１の製造工程のうち、図６に示す工程で下部コア層２９を形成して、その上面２９ａをＣＭＰ技術等を用いて平らな面とした後、図１５に示すように、前記上面２９ａの上に、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置にＧｄ決め層３８を形成する。次に、メッキに必要な例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＣｏ合金から成るメッキシード膜（図示しない）を形成した後、レジスト層（図示せず）でパターンを形成し、このパターン内に下から下部磁極層３１、ギャップ層３２、上部磁極層３３を連続してメッキ形成して磁極端層３０を形成するとともに、バックギャップ層３４を形成し、前記レジスト（図示せず）を除去する。前記磁極端層３０と前記バックギャップ層３４と前記下部コア層２９とで空間４７が形成される。

次に図１６に示すように、前記磁極端層３０と前記Ｇｄ決め層３８とを覆うレジスト層６２、６３を形成し、図示破線で示す領域を、イオンミリングなどの方法によって削て凹部２９ｂを形成した後、前記レジスト層６２、６３を除去して図１７に示す状態とする。

このイオンミリングの際、磁極端層３０は前記レジスト層６２、６３で保護されるため、イオンミリングによって磁極端層３０がダメージを受けることを防止でき、トラック幅Ｔｗの精度には悪影響を与えることはない。

次に、図１８に示すように、上部磁極層３３のハイト方向側の側面３３ａから、前記Ｇｄ決め層３８の上面３８ａと側面３８ｂ、および前記凹部２９ｂにかけてコイル絶縁下地層３５を連続して形成するとともに、前記バックギャップ層３４の記録媒体との対向面側（ハイト方向と反対側）の側面３４ｂ、および上面３４ａにもコイル絶縁下地層３５を連続して形成する。

次に、図１９に示すように、前記空間４７内に形成された前記コイル絶縁下地層３５上に第１コイル片３６をパターン形成する。前記第１コイル片３６はメッキ法などの公知の方法により形成される。そして、前記コイル絶縁下地層３５および前記第１コイル片３６の間と上方部にコイル絶縁層３７を形成する。そして、図示Ｄ−Ｄ線まで前記磁極端層３０、前記コイル絶縁層３７、前記第１コイル片３６、前記コイル絶縁下地層３５、およびバックギャップ層３４をＸ−Ｙ平面と平行な方向からＣＭＰ技術等を用いて削り込み、平坦化面Ａ１を形成する。

その後は、前記図２に示す磁気ヘッドＨ１の製造工程を示す図１２ないし図１４に示す工程を施し、保護層４３を形成する（図３を参照）と、図３に示す磁気ヘッドＨ２が製造される。

次に、図４に示す磁気ヘッドの製造方法を説明する。
図２０に示す工程では、ＮｉＦｅ系合金等からなる下部コア層２９をメッキ形成した後、ＣＭＰ技術等を用いて前記下部コア層２９の上面２９ａを研磨加工し、平らな面とする。このとき、前記下部コア層２９を、後記するバックギャップ層３４が形成される位置よりもハイト方向側に延ばした延出部２９ｃが形成されるように形成する。次に、前記下部コア層２９上に、ハイト方向に間隔を空けてレジスト層６４、６５を形成し、図示破線で示す領域を、イオンミリングなどの方法によって削って凹部２９ｂを形成し、図２１に示す状態とする。

次に、図２２に示すように、前記レジスト層６４，６５を残したまま、前記凹部２９ｂ内を埋めるようにコイル絶縁下地層３５スパッタ法などの公知の方法で成膜する。このとき、前記レジスト層６４，６５上にも、前記コイル絶縁下地層３５と同じ材料層７０が付着する。前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａと前記下部コア層２９の上面２９ａとは、同じ高さ位置となるように形成することが好ましい。したがって、前記コイル絶縁下地層３５を形成する際、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａが前記下部コア層２９の上面２９ａと同じ高さ位置になった時に、前記コイル絶縁下地層３５の成膜を終了させることが好ましいが、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａが前記下部コア層２９の上面２９ａより盛り上げて成膜した後、前記コイル絶縁下地層３５の上面３５ａを削って前記下部コア層２９の上面２９ａと同じ高さ位置に調整しても良い。

次に、図２３に示すように、前記材料層７０が付着した状態の前記レジスト層６４，６５を除去し、前記コイル絶縁下地層３５上、および延出部２９ｃ上にコイル片５６をパターン形成する。前記延出部２９ｃの上にコイル片５６を形成する前には、前記延出部２９ｃの上にコイル絶縁層５０を形成し、このコイル絶縁層５０の上にコイル片５６を形成する。前記コイル片５６はメッキ法などの公知の方法により形成される。前記コイル片５６は、後記する工程で形成されるバックギャップ層３４の周囲を螺旋状に周回するように形成する。

次に、図２４に示すように、前記下部コア層２９の上面２９ａに、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置にＧｄ決め層３８を形成する。次に、メッキに必要な例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＣｏ合金から成るメッキシード膜（図示しない）を形成した後、レジスト層（図示せず）でパターンを形成し、このパターン内に下から下部磁極層３１、ギャップ層３２、上部磁極層３３を連続してメッキ形成して磁極端層３０を形成するとともに、バックギャップ層３４を形成し、前記レジスト（図示せず）を除去する。前記磁極端層３０と前記バックギャップ層３４と前記下部コア層２９とで空間４７が形成される。前記下部コア層２９では、このバックギャップ層３４のハイト方向側に位置する領域が延出部２９ｃとして構成される。

次に図２５に示すように、前記磁極端層３０、コイル片５６、およびバックギャップ層３４の間と上方部にコイル絶縁層３７を形成する。そして、図示Ｄ−Ｄ線まで前記磁極端層３０、前記コイル絶縁層３７、前記コイル片５６、およびバックギャップ層３４をＸ−Ｙ平面と平行な方向からＣＭＰ技術等を用いて削り込み、平坦化面Ａ１を形成する。削り込みを終了した時点を示したのが図２６である。

その後は、図２に示す磁気ヘッドＨ１の製造工程を示す図１３および図１４に示す工程と同様の工程を施して、保護層４３を形成する（図４を参照）と、図４に示す磁気ヘッドＨ３が製造される。

次に、図５に示す磁気ヘッドＨ４の製造方法を説明する。
図５に示す磁気ヘッドＨ４を製造するには、前記磁気ヘッドＨ３の製造工程のうち、図２０に示す工程で下部コア層２９を形成して、その上面２９ａをＣＭＰ技術等を用いて平らな面とした後、図２７に示すように、前記上面２９ａの上に、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離だけ離れた位置にＧｄ決め層３８を形成する。次に、メッキに必要な例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＣｏ合金から成るメッキシード膜（図示しない）を形成した後、レジスト層（図示せず）でパターンを形成し、このパターン内に下から下部磁極層３１、ギャップ層３２、上部磁極層３３を連続してメッキ形成して磁極端層３０を形成するとともに、バックギャップ層３４を形成し、前記レジスト（図示せず）を除去する。前記磁極端層３０と前記バックギャップ層３４と前記下部コア層２９とで空間４７が形成される。

次に図２８に示すように、前記磁極端層３０と前記Ｇｄ決め層３８とを覆うレジスト層６６、６７を形成し、図示破線で示す領域を、イオンミリングなどの方法によって削って凹部２９ｂを形成した後、前記レジスト層６６、６７を除去して図２９に示す状態とする。

次に、図３０に示すように、上部磁極層３３のハイト方向側の側面３３ａから、前記Ｇｄ決め層３８の上面３８ａと側面３８ｂ、および前記凹部２９ｂにかけてコイル絶縁下地層３５を連続して形成するとともに、前記バックギャップ層３４のの上面３４ａと記録媒体との対向面側（ハイト方向と反対側）の側面３４ｂ、および前記バックギャップ層３４のハイト方向側の側面３４ｃにもコイル絶縁下地層３５を連続して形成する。

次に、図３１に示すように、前記空間４７内に形成された前記コイル絶縁下地層３５上に、コイル片５６をパターン形成する。前記コイル片５６は、前記バックギャップ層３４の周囲を螺旋状に周回するように形成し、このコイル片５６によってスパイラルコイル層５２が構成される。前記コイル片５６はメッキ法などの公知の方法により形成される。そして、前記コイル絶縁下地層３５および前記コイル片５６の間と上方部にコイル絶縁層３７を形成する。そして、図示Ｄ−Ｄ線まで前記磁極端層３０、前記コイル絶縁層３７、前記コイル片５６、前記コイル絶縁下地層３５、およびバックギャップ層３４をＸ−Ｙ平面と平行な方向からＣＭＰ技術等を用いて削り込み、平坦化面Ａ１を形成する。

その後は、前記図２に示す磁気ヘッドＨ１の製造工程を示す図１２ないし図１４に示す工程を施し、保護層４３を形成する（図５を参照）と、図５に示す磁気ヘッドＨ４が製造される。

本発明の磁気ヘッドが形成されたスライダの全体斜視図、本発明の第１実施形態の磁気ヘッドを示す部分縦断面図、本発明の第２実施形態の磁気ヘッドを示す部分縦断面図、本発明の第３実施形態の磁気ヘッドを示す部分縦断面図、本発明の第４実施形態の磁気ヘッドを示す部分縦断面図、図２に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１０に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１１に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１２に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、図３に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１７に示す工程の次に行なわれる一工程図、図１８に示す工程の次に行なわれる一工程図、図４に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、図２０に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２１に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２２に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２３に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２４に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２５に示す工程の次に行なわれる一工程図、図５に示す磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、図２７に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２８に示す工程の次に行なわれる一工程図、図２９に示す工程の次に行なわれる一工程図、図３０に示す工程の次に行なわれる一工程図、

符号の説明

２９下部コア層
２９ｂ凹部
３０磁極端層
３１下部磁極層
３２ギャップ層
３３上部磁極層
３３ａ
３４バックギャップ層
３４ｂ側面
３４ｃ側面
３５コイル絶縁下地層
３６第１コイル片
３９上部コア層
４１第２コイル片
４２トロイダルコイル層
４７空間
５６コイル片

Claims

記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層上に、前記対向面からハイト方向に所定長さで形成され、前記対向面でのトラック幅方向における幅寸法でトラック幅Ｔｗが決定される磁極端層と、前記磁極端層からハイト方向に離れて形成されたバックギャップ層とが形成され、前記バックギャップ層を介して、前記下部コア層とハイト側で直接的あるいは間接的に接続される磁性層を有し、
前記下部コア層、前記磁極端層及びバックギャップ層で囲まれた空間内に複数本のコイル片が形成され、前記コイル片はコイル絶縁層によって覆われており、
前記磁極端層の上面、前記コイル絶縁層の上面、前記コイル片の上面、前記バックギャップ層の上面が共に同じ平坦化面で形成され、前記コイル片の上面には第２の絶縁材料層が形成され、前記磁性層は前記平坦化面の上に形成されており、
前記下部コア層には前記磁極端層と前記バックギャップ層との間に凹部が形成され、前記凹部内に第１の絶縁材料層が形成されており、
前記空間内で前記コイル片が前記第１の絶縁材料層の上に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
前記第１の絶縁材料層は、前記磁極端層のハイト方向側の側面から前記凹部、および前記バックギャップ層のハイト方向と反対側の側面にかけて連続して形成されている請求項１記載の磁気ヘッド。
前記磁性層の上に、第３の絶縁材料層を介して他のコイル片が形成されており、前記コイル片と前記他のコイル片との端部どうしが電気的に接続されて、前記磁性層の周囲をトロイダル状に巻き回されたトロイダルコイル層が形成されている請求項１または２記載の磁気ヘッド。
前記第３の絶縁材料層は、無機絶縁材料層の上に有機絶縁材料層が積層されたものである請求項３記載の磁気ヘッド。
前記コイル片は、前記空間内から前記バックギャップ層の周囲を螺旋状に周回するように形成されている請求項１または２記載の磁気ヘッド。
記録媒体との対向面側からハイト方向に延びて形成された下部コア層上に、前記対向面からハイト方向に所定長さで形成される磁極端層と、前記磁極端層からハイト方向に離れて形成されたバックギャップ層とが形成され、前記下部コア層と前記磁極端層と前記バックギャップ層とで形成された空間を有する磁気ヘッドの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
（ａ）前記空間内の前記下部コア層に凹部を形成し、前記凹部に第１の絶縁材料層を形成する工程と、
（ｂ）前記第１の絶縁材料層上に複数本のコイル片を形成する工程と、
（ｃ）前記コイル片上をコイル絶縁層で埋めた後、前記磁極端層の上面、前記コイル絶縁層の上面、および前記バックギャップ層の上面を削って平坦化面を形成する工程と、
（ｄ）前記平坦化面の上に、前記コイル片を覆う第２の絶縁材料層を形成した後、前記磁性層を形成する工程。
前記（ａ）工程の前に、前記下部コア層の上に前記磁極端層、および前記バックギャップ層を形成し、前記（ａ）工程で、前記第１の絶縁材料層を、前記磁極端層のハイト方向側の側面から前記凹部、および前記バックギャップ層のハイト方向と反対側の側面にかけて連続して形成する請求項６記載の磁気ヘッドの製造方法。
前記（ｄ）工程の後、前記磁性層の上に、第３の絶縁材料層を介して他のコイル片を形成し、前記コイル片と前記他のコイル片との端部どうしを電気的に接続し、前記磁性層の周囲にトロイダル状に巻き回されたトロイダルコイル層を形成する請求項６または７記載の磁気ヘッドの製造方法。
前記第３の絶縁材料層を、無機絶縁材料層の上に有機絶縁材料層を積層して形成する請求項８記載の磁気ヘッドの製造方法。
前記（ｂ）工程で、前記第１の絶縁材料層上に複数のコイル片を形成するとともに、前記コイル片を前記空間外の前記バックギャップ層の周囲にも形成し、前記コイル片を前記バックギャップ層の周囲に螺旋状に周回するように形成する請求項６または７記載の磁気ヘッドの製造方法。