JP4183606B2

JP4183606B2 - 磁気ヘッドの製造方法

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Description

本発明は、コイル層とコイル層の上下に磁性部が形成された磁気ヘッドの製造方法に関する。

図２３〜図２５は従来の磁気ヘッドの製造方法の各工程にある製造過程の磁気ヘッドの断面図である。

図２３は、下部コア層１０の上にＧｄ決め層１１が形成され、磁極部１２の形状の溝部が形成されたレジスト層Ｒをフレームとして、下部磁極層１３、ギャップ層１４、上部磁極層１５からなる磁極部１２が連続メッキ成膜される工程を示している。

下部コア層１０、下部磁極層１３及び上部磁極層１５には、ＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などの磁性材料を使用する。Ｇｄ決め層１１はレジストなどの有機材料で形成され、ギャップ層１４はＮｉＰなどの非磁性金属材料によって形成されている。

次に、図２４に示される工程では、Ｇｄ決め層１１のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に、ＮｉＦｅなどの磁性材料を用いて持上げ層１６を形成する。さらに、下部コア層１０の上に、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機材料によって絶縁層１７を形成した後、コイル層１８の下層部１８ａを螺旋状にメッキ形成し、無機材料からなる絶縁層１９を成膜する。

次に、図２５に示される工程では、研削研磨加工（ＣＭＰ）技術を用いて磁極部１２の上面、絶縁層１９の上面、持上げ層１６の上面とを同一平面に平坦化する。

その後、絶縁層１９の上にコイル層１８の上層部１８ｂを螺旋状にメッキ形成した後、コイル層１８の上にコイル絶縁層２０を形成する。そして磁極部１２上からコイル絶縁層２０上にかけて上部コア層２１をフレームメッキ法により形成する。

形成された磁気ヘッド（記録用のインダクティブヘッド）の断面図を図２６に示す。このような磁気ヘッドは特許文献１に記載されている。

また、特許文献２にはＣＭＰ技術を用いて磁極部の上面を平坦化したのち、磁極部の上面をイオンミリングによって削って凹部を設ける磁気ヘッドの製造方法が示されている。
特開２００１−５２３０９号公報特開平１１−３５３６１６号公報（第１０頁、第１３図）

しかし、特許文献１及び２に示された製造方法を用いてコイル層を有するインダクティブ型の磁気ヘッドを形成すると以下に説明する問題が生じた。

それは、磁極部１２のハイト方向後方部に形成されるコイル層１８の下層部１８ａの膜厚ｔ２が磁極部１２のメッキ形成時の成膜膜厚ｔ１によって規制され、コイル層１８の膜厚ｔ２を任意に大きくすることができないという問題である。

磁気ヘッドの発熱を低減し、近年問題になっている磁気ヘッドの磁極部周辺の突出を低減するためには、コイル層の膜厚を大きくしてコイル層の直流抵抗値を小さくすることが有効である。なお、コイル層のハイト方向幅寸法を大きくしても、コイル層の直流抵抗値を低減することはできる。しかし、コイル層の幅寸法を大きくすると磁気ヘッドが大型化してインダクタンスが大きくなるという不具合が発生する。

図２４に示される工程において、コイル層１８の下層部１８ａの膜厚ｔ２を磁極部１２の成膜膜厚ｔ１より大きくしても意味がない。なぜなら、図２５に示される平坦化工程で磁極部１２の上面１２ａが露出するまで研磨するため、コイル層１８の下層部１８ａの膜厚ｔ２を磁極部１２の成膜膜厚ｔ１より大きくしても、コイル層１８の膜厚ｔ２は最大でも磁極部１２の研磨後膜厚ｔ３と同じにしかならないからである。

ここで、磁極部１２の成膜膜厚ｔ１を任意に大きくすることができれば、コイル層１８の膜厚ｔ２も任意に大きくできる。しかし、これは実際上不可能である。近年の記録媒体の高記録密度化に対応して、磁気ヘッドのトラック幅を規定している磁極部１２のトラック幅方向寸法（図示Ｘ方向寸法）は０．１μｍ〜０．５μｍの極小幅で形成されることが要求される。従って、磁極部１２を形成するためのレジストフレームＲの溝も０．１μｍ〜０．５μｍの極小幅で形成される必要がある。レジストフォトリソグラフィーによって、レジスト層Ｒに溝を形成するときに、フォトリソグラフィーの解像度を上げて極小幅の溝を形成するためには、レジスト層Ｒの膜厚をできる限り小さくすることが要求される。また、磁性材料は応力が大きいので、磁極部１２の成膜膜厚ｔ１を大きくすると磁極部１２に歪みが生じやすくなるという問題も発生する。したがって、従来は、磁極部１２の成膜膜厚ｔ１を任意に大きくすることはできず、コイル層１８の膜厚ｔ２を任意に大きくすることはできなかった。

本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、磁極部の成膜膜厚に規制されずにコイル層の膜厚を任意に大きくすることができ、直流抵抗値、発熱量、及び磁極部周辺の突出量を低減することのできる磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の磁気ヘッドの製造方法は、
第１の磁性部をトラック幅よりも広い幅寸法で形成する工程と、
前記第１の磁性部の上に、前記第１の磁性部よりも狭い０．１〜１．０μｍのトラック幅寸法で形成された磁極部を形成し、このとき、前記磁極部を前記第１の磁性部の上に下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に連続メッキ形成し、前記ギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上の非磁性金属材料を選択して形成する工程と、
前記磁極部からハイト方向に離れた前記第１の磁性部上に磁性材料から成る持上げ層を、前記磁極部の上面よりも高く形成する工程と、
前記ギャップ層のハイト方向後方に、コイル層を形成し、このとき、前記コイル層の下面を前記ギャップ層よりも下方に位置させるとともに、前記コイル層の上面を前記磁極部の上面よりも高く形成する工程と、
前記磁極部、前記コイル層及び前記持上げ層を絶縁層で覆う工程と、
前記絶縁層をＣＭＰ技術により研磨加工し、前記コイル層の上面、及び前記持上げ層の上面を前記絶縁層の上面から露出させて、前記絶縁層の上面、前記コイル層の上面及び前記持上げ層の上面を同一平面で形成し、一方、前記磁極部は前記絶縁層の上面から露出させずに前記絶縁層内に埋設された状態とする工程と、
前記磁極部上の前記絶縁層上を除いて、前記コイル層の上面及び前記持上げ層の上面が露出する平坦面上をマスクで覆う工程と、
前記マスクで覆われていない前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記コイル層の上面を覆うコイル絶縁層を形成する工程と、
前記磁極部の上に第２の磁性部をトラック幅よりも広い幅寸法で形成する工程とを有することを特徴とするものである。

前記第２の磁性部を前記磁極部と接合させるために前記磁極部を覆う絶縁層を除去する必要がある。従来は、前記磁極部の上面を露出させるために研削研磨加工を行っていた。

これに対して、本発明では、前記コイル層の上の前記絶縁層をマスクした状態で、前記磁極部の上の前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させている。このため、前記コイル層は成膜時の膜厚を完成時まで維持できる。すなわち、従来のように、前記磁極部を研削研磨するときに前記コイル層が同時に研削研磨されることがないので、前記コイル層の膜厚を前記磁極部の成膜膜厚以上の任意の膜厚に設定することが可能である。

前記コイル層の膜厚を大きくすることにより、前記コイル層の直流抵抗値及び発熱量を小さくすることができる。従って、磁気ヘッドの磁極部周辺の突出量を低減して、磁気ヘッドと記録媒体の衝突を抑制することができる。

本発明では、前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させる工程では、前記上部磁極層の上面全体を削り、前記上部磁極層の途中で研削工程を終了してもよいし、前記磁極部の上面の一部を削り、前記上部磁極層の途中で研削工程を終了してもよい。

本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、前記磁極部の上面を前記コイル層の上面よりも低くすることができる。

また、本発明では、前記コイル層の上面を前記磁極部の上面よりも高くして、コイル層を任意の膜厚に設定することが可能である。しかも、前記コイル層は成膜時の膜厚を完成時まで維持できる。このため、前記磁極部の成膜膜厚によって前記コイル層の膜厚が規制されることがなくなり、前記コイル層の膜厚を任意に大きくして、直流抵抗値を下げることができる。

なお、前記コイル層を前記ギャップ層のハイト方向後方に形成する。前記コイル層の膜厚を大きくするということは、前記コイル層の上面をなるべく磁気ヘッドの上方に位置させて、かつコイル層の下面を下方向に位置させることである。前記ギャップ層のハイト方向後方に前記コイル層を形成すると、前記コイル層の下面が前記ギャップ層より下方に位置することになる。

本発明では、前記コイル層の上の前記絶縁層をマスクした状態で、前記磁極部の上の前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させている。このため、前記コイル層は成膜時の膜厚を完成時まで維持できる。すなわち、従来のように、前記磁極部を研削研磨するときに前記コイル層が同時に研削研磨されることがないので、前記コイル層の膜厚を前記磁極部の成膜膜厚以上の任意の膜厚に設定することが可能である。

図１は、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された磁気ヘッドの正面図であり、図２は図１に示された磁気ヘッドをＡ−Ａ線で切断して矢印方向からみた部分縦断面図である。

図２に示す記録用の磁気ヘッドＷが本発明の製造方法を用いて形成された磁気ヘッドであり、いわゆるインダクティブヘッドＷである。このインダクティブヘッドＷは、例えば磁気抵抗効果を利用した再生用磁気ヘッドＨｒの上に積層される。

図１及び図２に示される磁気ヘッドは、浮上式ヘッドを構成するセラミック材のスライダＳのトレーリング側端面Ｓａに形成されたものであり、再生用磁気ヘッドＨｒと、書込み用のインダクティブヘッドＷとが積層された、複合型薄膜磁気ヘッドとなっている。

図１及び図２に示すように、スライダＳのトレーリング側端面Ｓａ上にＡｌ₂Ｏ₃膜２２を介して再生用磁気ヘッドＨｒが形成されている。再生用磁気ヘッドＨｒは、磁気抵抗効果を利用してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出し、記録信号を読み取るものである。

再生用磁気ヘッドＨｒは、例えばスピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ素子、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ素子で形成される磁気抵抗効果素子である磁界読み取り部Ｍと、磁界読み取り部Ｍの上下に下部ギャップ層２４及び上部ギャップ層２５を介して形成された下部シールド層２３と上部シールド層２６を有している。

磁界読み取り部Ｍのトラック幅方向（Ｘ方向）の長さが、再生用磁気ヘッドＨｒのトラック幅Ｔｒである。また、上部シールド層２６と下部シールド層２３間の距離はＨ２である。

下部ギャップ層２４及び上部ギャップ層２５は、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁性材料からなり、下部シールド層２３及び上部シールド層２６は、ＮｉＦｅ系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成されている。

上部シールド層２６の上には、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁性材料からなる分離層２７が積層されており。分離層２７の上にインダクティブヘッドＷが積層されている。

分離層２７の上には、本発明の第１の磁性部に相当する下部コア層３０が積層されている。下部コア層３０上には、図２に示されるようにＧｄ決め層３１が形成されている。

Ｇｄ決め層３１の材料には、レジストなどの有機絶縁性材料、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機絶縁性材料、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、Ｃｕなどの非磁性金属材料を用いる。なお、Ｇｄ決め層３１は単層で形成されても、多層膜で形成されてもよい。

記録媒体との対向面ＦからＧｄ決め層３１の前端面３１ａまでの長さ寸法でギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。

また図２に示すように、記録媒体Ｋとの対向面ＦからＧｄ決め層３１上にかけて磁極部３３が形成されている。

磁極部３３は下から下部磁極層３４、非磁性のギャップ層３５、及び上部磁極層３６が積層されて形成されている。

下部磁極層３４は、下部コア層３０上にメッキ形成されている。また下部磁極層３４の上に形成されたギャップ層３５は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３５は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。

なお本発明における具体的な実施形態としてギャップ層３５にはＮｉＰが使用される。ＮｉＰでギャップ層３５を形成することで前記ギャップ層３５を適切に非磁性状態にできるからである。またギャップ層３５がＮｉＰ合金で形成されると、製造上の連続メッキ容易性に加えて、耐熱性に優れ、下部磁極層３４及び上部磁極層３６との密着性も良い。また下部磁極層３４及び上部磁極層３６との硬さも同等とすることができるので、例えばイオンミリング等により、下部磁極層３４、ギャップ層３５及び上部磁極層３６を加工する際の加工量も同等とすることができ加工性を向上させることができる。

なお、ギャップ層３５はＮｉＰ合金であって元素Ｐの濃度は８質量％以上で１５質量％以下であることが好ましい。これにより例えば発熱等の外的要因に対しても安定して非磁性であることが可能である。また、ＮｉＰ合金等のギャップ層３５の合金組成の測定は、ＳＥＭやＴＥＭ等の組合わされたＸ線分析装置や波形分散形線分析装置等で特定可能である。

なおギャップ層３５は例えばＡｌ₂Ｏ₃などの絶縁物であっても良いが、かかる場合、ギャップ層３５上に上部磁極層３６をメッキ形成するためのメッキ下地を形成する必要があり、磁極部３３の形成が煩雑化するため、ギャップ層３５はメッキ形成されることが好ましい。

さらにギャップ層３５の上に形成された上部磁極層３６は、その上に形成される上部コア層４１と磁気的に接続される。上部コア層４１が本発明の第２の磁性部に相当する。

上記のようにギャップ層３５がメッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されると、下部磁極層３４、ギャップ層３５及び上部磁極層３６を連続メッキ形成することが可能である。

図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層３６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は上部コア層４１のトラック幅方向寸法及び下部コア層３０のトラック幅方向寸法よりも短く形成されており、この上部磁極層３６の幅寸法でトラック幅Ｔｗが規制されている。トラック幅Ｔｗは、例えば０．１μｍ〜１．０μｍである。または０．１μｍ〜０．５μｍである。また、ギャップ層３５及び下部磁極層３４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）寸法も上部コア層４１のトラック幅方向寸法及び下部コア層３０のトラック幅方向寸法よりも短く形成されている。

上部磁極層３６及び下部磁極層３４は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＣｏＮｉ、或いはＣｏＦｅＸ又はＦｅＮｉＸ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｐｔのいずれか１種または２種以上の元素である）の組成式で示される軟磁性材料のうちいずれか１種或いは２種以上を用いて形成される。

本実施の形態では、上部磁極層３６は、磁性層３６ａと磁性層３６ｂの積層構造で形成され、図２に示されるように磁性層３６ａはギャップ層３５上からＧｄ決め層３１上にかけて形成されている。

磁性層３６ｂは、磁性層３６ａを形成する軟磁性材料と同じ組成式で表わされる軟磁性材料で形成されてもよいし、異なる組成式を有する軟磁性材料で形成されてもよい。

ただし、磁性層３６ａは磁性層３６ｂよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。

このようにギャップ層３５に近い磁性層３６ａを飽和磁束密度の大きい磁性材料で形成することで上部コア層４１から流れてきた磁束をギャップ近傍に集約することが容易になり、記録密度を向上させることが可能になる。

なお磁性層３６ｂも磁性層３６ａと同じ材質の磁性材料で形成する場合、例えばＮｉＦｅ合金で形成する場合には、磁性層３６ａ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量を磁性層３６ｂ側のＮｉＦｅ合金のＦｅ量よりも大きくすることで、磁性層３６ａの飽和磁束密度Ｂｓを磁性層３６ｂの飽和磁束密度Ｂｓよりも大きくすることができる。

また上部磁極層３６が３層以上の多層膜として形成される場合も同様に、ギャップ層３５に近い磁性層ほど飽和磁束密度Ｂｓが高くなるように磁性材料を選択することが好ましい。
なお磁極部は、ギャップ層３５及び上部磁極層３６のみで構成されていてもよい。

下部コア層３０の上であって、Ｇｄ決め層３１のハイト方向（図示Ｙ方向）後方には絶縁層３７が形成されており、絶縁層３７上には、Ｃｕなどの導電性材料によってコイル層３８の下部コイル層３８ａが螺旋状にパターン形成されている。下部コイル層３８ａは無機絶縁材料製の絶縁層３９によって覆われている。コイル層３８は２層構造になっており、絶縁層３９の上に上部コイル層３８ｂが形成されており、下部コイル層３８ａの巻き中心３８ａ１と上部コイル層３８ｂの巻き中心３８ｂ１が導電性の接続層４４によって接続されている。なお、下部コイル層３８ａと上部コイル層３８ｂの巻き方向は互いに逆方向である。上部コイル層３８ｂは有機絶縁材料製のコイル絶縁層４０によって覆われている。

図２に示すように、磁極部３３上からコイル絶縁層４０上にかけて上部コア層４１が例えばフレームメッキ法によりパターン形成されている。また、図１に示すように、上部コア層４１の先端部４１ａは、記録媒体との対向面Ｆでのトラック幅方向における幅寸法がＷ１で形成され、かかる幅寸法Ｗ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。なお、上部コア層４１の前面４１ａ１は記録媒体との対向面Ｆよりもハイト方向後方に位置しており、上部コア層４１は記録媒体との対向面Ｆに露出していない。

また図２に示すように、上部コア層４１の基端部４１ｂは、下部コア層３０上に形成された磁性材料製の持上げ層（バックギャップ層）４２上に接続されている。

また、上部コア層４１は、上部磁極層３６の磁性層３６ｂと結合している。磁性層３６ｂは上部コア層４１よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料によって形成されることが好ましい。

上部コア層４１と下部コア層３０は、ＮｉＦｅなどによってメッキ形成されている。上部コア層４１と上部磁極層３６は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。下部コア層３０と下部磁極層３４は同じ材質でも異なる材質で形成されてもよい。また、下部磁極層３４は、下部コア層３０よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料で形成されることが好ましい。

記録媒体との対向面において、下部コア層３０の上面３０ａは平坦面３０ｂ１で形成されてもよいし、磁極部３３の基端からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって下面方向に傾く傾斜面３０ｂ２で形成されてもよい。下部コア層３０の上面が傾斜面３０ｂ２で形成されると上部コア層４１と下部コア層３０の間隔を広げられるためサイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。

図１に示すように、磁極部３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には絶縁層３９が露出している。

コイル層３８に記録電流が与えられると、下部コア層３０及び上部コア層４１に記録磁界が誘導され、ギャップ層３５を介して対向する下部磁極層３４及び上部磁極層３６間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。

図１及び図２に示された磁気ヘッドの特徴部分についてのべる。
図３に、図１及び図２に示された磁気ヘッドの磁極部３３及び下部コイル層３８ａ周辺の拡大部分断面図を示す。

図３に示されるように、磁極部３３の上面３３ａが下部コイル層３８ａの上面３８ａ２より低くなっている。すなわち、磁極部３３の上面３３ａが下部コイル層３８ａの上面３８ａ２より、図示Ｚ方向と反対方向（スライダＳのトレーリング側端面に近づく方向）に位置している。

これは、下部コイル層３８ａの上の絶縁層３９をマスクし、磁極部３３の上の絶縁層３９を削り、さらに磁極部３３の上面３３ａ全体を削る工程を有する磁気ヘッドの製造方法に由来している。また、磁極部３３の上に絶縁層３９の溝３９ａが形成されこの溝内に上部コア層４１の先端部４１ａが入り込む形になっている。図１ないし図３に示された磁気ヘッドの製造方法については後に詳細に説明する。

図１及び図２に記載された磁気ヘッドが搭載されたスライダＳは記録媒体Ｋが回転するときに発生する空気流によって浮上した状態で、記録媒体Ｋに磁気信号を記録する。このとき、コイル層３８から発生するジュール熱によって、磁気ヘッドの磁極部３３周辺が記録媒体Ｋ方向に熱膨張・突出して記録媒体Ｋと接触することがある。磁気ヘッドと記録媒体Ｋが不用意に接触すると、磁気ヘッドや記録媒体が損傷することがある。

本発明の製造方法を用いると下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を大きくすることができる。従って、下部コイル層３８ａの直流抵抗値を小さくしてコイル層３８全体の直流抵抗値及び発熱量を小さくすることができる。

コイル層３８の直流抵抗値を低減することにより、コイル層３８から発生するジュール熱を低減し、磁極部３３周辺の突出を抑制できる。従って、磁気ヘッドや記録媒体の損傷を抑制することができる。

図３に示されるように、下部コイル層３８ａはギャップ層３５のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に形成されている。下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を大きくするということは、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２をなるべく磁気ヘッドの上方（図示Ｚ方向）に位置させかつ、下部コイル層３８ａの下面３８ａ３を下方向（図示Ｚ方向に反対方向）に位置させることである。ギャップ層３５のハイト方向後方に下部コイル層３８ａを形成すると、下部コイル層３８ａの下面３８ａ３がギャップ層３５より下方に位置することになり、下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１が大きくなる。

図４は本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された他の磁気ヘッドの部分断面図であり、図５は図４に示された磁気ヘッドの磁極部３３及び下部コイル層３８ａ周辺の拡大部分断面図である。

図４及び図５に示された磁気ヘッドは、図１ないし図３に示された磁気ヘッドと磁極部３３の形状が異なっている点で相違している。再生用磁気ヘッドＨｒ及びインダクティブヘッドＷの磁極部３３の形状以外の構成は図１ないし図３に示された磁気ヘッドと同じである。

図４及び図５に示されるように、磁極部３３の上面３３ａには段差３３ａ３が存在している。段差３３ａ３よりも記録媒体との対向面Ｆ側（図示Ｙ方向と反対方向）に第１上面３３ａ１が形成され、段差３３ａ３よりもハイト方向後方側（図示Ｙ方向）に第２上面３３ａ２が形成されている。第１上面３３ａ１は第２上面３３ａ２よりも低くなっている。すなわち、第１上面３３ａ１の下部コア層３０の上面からの高さ寸法ｔ１５は、第２上面３３ａ２の下部コア層３０の上面からの高さ寸法ｔ１４よりも低くなっている。つまり、第１上面３３ａ１が第２上面３３ａ２より、図示Ｚ方向と反対方向（スライダＳのトレーリング側端面に近づく方向）に位置している。

さらに、磁極部３３の第２上面３３ａ２が下部コイル層３８ａの上面３８ａ２より低くなっている。

これは、下部コイル層３８ａの上の絶縁層３９をマスクし、磁極部３３の上の絶縁層３９を削り、さらに磁極部３３の第１上面３３ａ１を削る工程を有する磁気ヘッドの製造方法に由来している。なお、磁極部３３の第２上面３３ａ２は成膜時の状態で維持されている。すなわち、第２上面３３ａ２の下部コア層３０の上面からの高さ寸法ｔ１４は、磁極部３３の成膜時の成膜膜厚に相当する。

磁極部３３の上に絶縁層３９の溝３９ａが形成されこの溝内に上部コア層４１の先端部４１ａが入り込む形になっている。また、図５に示されるように、下部コイル層３８ａはギャップ層３５のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に形成されている。

図６は本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された他の磁気ヘッドの部分断面図であり、図７は図６に示された磁気ヘッドの磁極部３３及び下部コイル層３８ａ周辺の拡大部分断面図である。

図６及び図７に示された磁気ヘッドは、図１ないし図３並びに図４及び図５に示された磁気ヘッドと磁極部３３の形状が異なっている点で相違している。再生用磁気ヘッドＨｒ及びインダクティブヘッドＷの磁極部３３の形状以外の構成は図１ないし図３並びに図４及び図５に示された磁気ヘッドと同じである。

図６及び図７に示されるように、磁極部３３の上面３３ａには、第１上面３３ａ４と第２上面３３ａ５が存在している。第１上面３３ａ４は下部コア層３０の上面３０ａと平行方向に延びている。第２上面３３ａ５は、徐々に図示上方向に向かう傾斜面または曲面である。

図７に示されるように、磁極部３３の第１上面３３ａ４及び第２上面３３ａ５が下部コイル層３８ａの上面３８ａ２より低くなっている。

これは、下部コイル層３８ａの上の絶縁層３９をマスクし、磁極部３３の上の絶縁層３９を削り、さらに磁極部３３を削って、第１上面３３ａ４及び第２上面３３ａ５を削る工程を有する磁気ヘッドの製造方法に由来している。なお、磁極部３３の第２上面３３ａ５の上端部５０の下部コア層３０の上面からの高さ寸法ｔ１６は、磁極部３３の成膜時の成膜膜厚に相当する。

なお、磁極部３３の上に絶縁層３９の溝３９ａが形成されこの溝内に上部コア層４１の先端部４１ａが入り込む形になっている。また、図７に示されるように、下部コイル層３８ａはギャップ層３５のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に形成されている。

図１ないし図７に示された磁気ヘッドの製造方法、すなわち本発明の磁気ヘッドの製造方法の実施の形態を説明する。

図８ないし図１７に示す製造工程図は製造途中の磁気ヘッドの縦断面図（すなわち図示Ｙ−Ｚ平面と平行な平面から切断した断面図）である。

図８に示す工程では、ＮｉＦｅ系合金等からなる下部コア層３０をメッキ形成し、下部コア層３０のハイト側後端面よりもハイト方向（図示Ｙ方向）や前記下部コア層３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側をＡｌ₂Ｏ₃などの絶縁材料層４３によって埋める。絶縁材料層４３の形成後、ＣＭＰ技術等を用いて下部コア層３０表面及び絶縁材料層４３の表面を研磨加工し平らな面としてもよい。

下部コア層３０が本発明の第１の磁性部に相当し、トラック幅寸法Ｔｗよりも広いトラック幅方向（図示Ｘ方向）寸法で形成される。

次に、下部コア層３０上の所定位置に、Ｇｄ決め層３１を形成する。Ｇｄ決め層３１の材料にはレジストなどの有機絶縁性材料、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機絶縁性材料、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、Ｃｕなどの非磁性金属材料を用いる。なお、Ｇｄ決め層３１は単層で形成されても、多層膜で形成されてもよい。Ｇｄ決め層３１は０．２μｍ〜３．０μｍの厚さで形成される。

次に、磁極部３３の形状の溝部が形成されたレジスト層Ｒ１をフレームとして、下部磁極層３４、ギャップ層３５、上部磁極層３６からなる磁極部３３を連続メッキ成膜する。磁極部３３は下部コア層３０より狭いトラック幅方向寸法で形成される。

下部磁極層３４及び上部磁極層３６には、ＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などの磁性材料を使用でき、これら磁性材料は組成比を調整することで高飽和磁束密度Ｂｓを得ることができる。この実施形態において高飽和磁束密度Ｂｓとは１．８Ｔ以上の飽和磁束密度を意味する。下部磁極層３４及び上部磁極層３６は単層構造であってもよいし多層の積層構造であってもよい。

ギャップ層３５は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましい。具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上を選択できる。また、ギャップ層３５は単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。

下部コア層３０の上面３０ａから磁極部３３の上面３３ａまでの高さ寸法を磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１とする。

磁極部３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）寸法によって、具体的にはギャップ層３５と上部磁極層３６の接合面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）寸法によって、磁気ヘッドのトラック幅寸法が規定される。トラック幅寸法が０．１μｍ〜０．５μｍのインダクティブヘッドＷを形成するためには、磁極部３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）寸法を０．１μｍ〜０．５μｍの寸法で形成することになる。

従って、磁極部３３を形成するためのレジストフレームＲ１の溝Ｒ１ａは０．１μｍ〜０．５μｍの極小幅で形成される必要がある。レジストフォトリソグラフィーによって、レジスト層Ｒ１に溝Ｒ１ａを形成するときに、フォトリソグラフィーの解像度を上げて極小幅の溝Ｒ１ａを形成するためには、レジスト層Ｒの膜厚ｔ２０をできる限り小さくすることが要求される。

また、磁性材料は応力が大きいので、磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１を大きくすると磁極部３３に歪みが生じやすくなるという問題も発生する。したがって、磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１を任意に大きくすることはできず、磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１は１μｍ〜６μｍになる。

磁極部３３をメッキ形成したのち、磁極部３３からハイト方向（記録媒体との対向面Ｆから離れる方向；図示Ｙ方向）に所定距離離れた下部コア層３０上にＮｉＦｅなどの磁性材料からなる持上げ層４２をメッキ形成する。持上げ層４２の下部コア層３０の上面３０ａからの高さ寸法ｔ２２は磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１より大きくする。

次に、図１０に示される工程では、Ｇｄ決め層３１のハイト方向後方にＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機材料によって絶縁層３７を形成した後、コイル層３８の下部コイル層３８ａを巻き中心３８ａ１を中心とする螺旋状にメッキ形成する。下部コイル層３８ａが本発明の磁気ヘッドの製造方法におけるコイル層に相当する。

図１０に示される工程では、下部コイル層３８ａのメッキ成膜時の膜厚ｔ１１を磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１より大きくしている。具体的には、下部コイル層３８ａのメッキ成膜時の膜厚ｔ１１を１μｍ〜５５μｍにしている。この結果、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２は磁極部３３の上面３３ａよりも高くなる。なお、下部コイル層３８ａのメッキ成膜時の膜厚ｔ１１は、磁気ヘッド完成時の下部コイル層３８ａの膜厚に等しい。

また、ギャップ層３５のハイト方向後方に下部コイル層３８ａを形成することにより、下部コイル層３８ａの下面３８ａ３をギャップ層３５より下方に位置させ、下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を大きくできる。

次に、図１１に示される工程では、磁極部３３、下部コイル層３８ａ、及び持上げ層４２を覆う絶縁層３９を成膜し、例えば研削研磨加工（ＣＭＰ）技術を用いて絶縁層３９の上面３９ｂ、持上げ層４２の上面４２ａとを同一平面に平坦化する。この平坦化工程では、磁極部３３の上面３３ａ及び下部コイル層３８ａの上面３８ａ２を絶縁層３９の内部に位置した状態を維持する。すなわち、磁極部３３の上面３３ａ及び下部コイル層３８ａの上面３８ａ２を、絶縁層３９の上面３９ｂ、持上げ層４２の上面４２ａと同一平面に露出させないことが重要である。

次に、図１２に示される工程では、下部コイル層３８ａの上の絶縁層３９をマスク層５１によってマスクする。磁極部３３の上の絶縁層３９はマスクされず、次の工程でエッチングされる。マスク層５１の材料にはレジストなどの有機絶縁性材料、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機絶縁性材料を用いる。

次に、図１３に示されるように、マスクされていない磁極部３３の上の絶縁層３９を削って、磁極部３３の上面３３ａを露出させる。通常、磁極部３３の上面３３ａは削り込まれるので、磁極部３３の膜厚は成膜膜厚ｔ２１より小さい完成時の膜厚ｔ１２になる。絶縁層３９には溝３９ａが形成される。

イオンミリングの入射角度は、平坦化された絶縁層３９の上面３９ｂに対する法線方向を０°方向としたときに、２０°から６０°の範囲である。図１３では、磁極部３３の上面３３ａ全体が削られて、上面３３ａは連続面となる。なお、磁極部３３は上部磁極層３６のみが削られるようにすることが必要である。図１３では、上部磁極層３６の磁性層３６ｂの途中でエッチングを止めている。

イオンミリング終了後、磁極部３３の上面３３ａは、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２より低くなる。すなわち、磁極部３３の上面３３ａが下部コイル層３８ａの上面３８ａ２より、図示Ｚ方向と反対方向（スライダＳのトレーリング側端面に近づく方向）に位置する。

磁極部３３の上面を露出させた後、マスク層５１を除去する。このマスク層５１を除去せずに、上部コイル層３８ｂの絶縁層として用いることもできる。しかし、マスク層５１の上面はイオンミリングによって荒れた状態になっているので、マスク層５１を除去するほうが好ましい。

さらに、絶縁層３９の上に上部コイル層３８ｂを形成する。上部コイル層３８ｂは下部コイル層と同じくＣｕなどの導電性材料をメッキすることによって形成される。このとき、下部コイル層３８ａの巻き中心３８ａ１と上部コイル層３８ｂの巻き中心３８ｂ１を導電性の接続層４４によって接続する。なお、下部コイル層３８ａと上部コイル層３８ｂの巻き方向は互いに逆方向である。

次に、上部コイル層３８ｂを有機絶縁材料製のコイル絶縁層４０によって覆い、磁極部３３上からコイル絶縁層４０上にかけて上部コア層４１を例えばフレームメッキ法によりパターン形成する。磁極部３３の上に絶縁層３９の溝３９ａが形成されており、この溝３９ａ内に上部コア層４１の先端部４１ａが入り込む形になる。なお、上部コア層４１の基端部４１ｂは、下部コア層３０上に形成された磁性材料製の持上げ層（バックギャップ層）４２上に接続される。

これらの工程を経て形成された磁気ヘッドが、図１ないし図３に示された磁気ヘッドである。

図１に示すように、上部コア層４１の先端部４１ａは、記録媒体との対向面Ｆでのトラック幅方向における幅寸法がＷ１で形成され、かかる幅寸法Ｗ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。

本発明では、図１２に示される工程において、下部コイル層３８ａの上の絶縁層３９をマスクした状態で、磁極部３３の上の絶縁層３９を削って磁極部３３の上面３３ａを露出させている。

このため、下部コイル層３８ａは成膜時の膜厚ｔ１１を完成時まで維持できる。すなわち、従来のように、磁極部を研削研磨するときに下部コイル層３８ａが同時に研削研磨されることがないので、下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１以上の任意の膜厚に設定することが可能である。

本発明によって形成された磁気ヘッドは、記録媒体が回転するときに発生する空気流によって浮上した状態で、記録媒体に磁気信号を記録する。このとき、コイル層から発生するジュール熱によって磁気ヘッドの磁極部周辺が熱膨張・突出すると記録媒体と接触することがある。磁気ヘッドと記録媒体が不用意に接触すると、磁気ヘッドや記録媒体が損傷することがある。

下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を任意に大きくすることによって、コイル層３８の直流抵抗値を下げることができ、コイル層３８から発生するジュール熱を低減して、磁極部周辺の突出を抑制できる。

なお、下部コイル層３８ａのハイト方向幅寸法（図示Ｙ方向寸法）を大きくしても、コイル層３８の直流抵抗値を低減することはできる。しかし、下部コイル層３８ａのハイト方向幅寸法を大きくすると、上部コア層４１、磁極部３３、下部コア層３０、持上げ層４２からなる磁気回路のハイト方向長さＬ（図１参照）が大きくなり、磁気ヘッドが大型化してインダクタンスが大きくなるという不具合が発生する。

絶縁層３９の上に形成されるマスク層５１の前端面５１ａの位置と傾斜角度によって、磁極部３３の上面３３ａの形状は変化する。

例えば、マスク層５１の前端面５１ａの位置と傾斜角度を調整して、図１４及び図１５に示されるように、磁極部３３の上面３３ａの一部を露出させるようにしてもよい。

磁極部３３の上面３３ａの記録媒体との対向面Ｆ側（図示Ｙ方向と反対方向）が削り込まれて第１上面３３ａ１となり、段差３３ａ３が形成される。段差３３ａ３よりもハイト方向後方側（図示Ｙ方向）の削られない上面が第２上面３３ａ２となる。なお、絶縁層３９には溝３９ａが形成され、第１上面３３ａ１はこの溝３９ａ内で露出することになる。

イオンミリングの入射角度は、平坦化された絶縁層３９の上面に対する法線方向を０°方向としたときに、２０°から６０°の範囲である。なお、磁極部３３は上部磁極層３６のみが削られるようにする。図１５では、上部磁極層３６の磁性層３６ｂの途中でエッチングを止めている。

イオンミリング終了後、磁極部３３の第１上面３３ａ１の下部コア層３０の上面からの高さ寸法（膜厚）ｔ１５は、０．５μｍ〜６μｍになる。また、磁極部３３の第２上面３３ａ２は成膜時の状態で維持される。すなわち、第２上面３３ａ２の下部コア層３０の上面からの高さ寸法ｔ１４は、磁極部３３の成膜時の成膜膜厚ｔ２１に相当する。

図１４及び図１５に示されるように磁極部３３の上面３３ａを削り、上部コイル層３８ｂ、コイル絶縁層４０、上部コア層４１を形成すると、図４及び図５に示された磁気ヘッドを形成することができる。

あるいは、マスク層５１の前端面５１ａの位置と傾斜角度を調整して、図１６及び図１７に示されるように、磁極部３３の上面３３ａを露出させてもよい。

磁極部３３の上面３３ａには、第１上面３３ａ４と第２上面３３ａ５が形成される。第１上面３３ａ４は下部コア層３０の上面３０ａと平行方向に延びており、第２上面３３ａ５は、徐々に図示上方向に向かう傾斜面または曲面である。

イオンミリングの入射角度は、平坦化された絶縁層３９の上面に対する法線方向を０°方向としたときに、２０°から６０°の範囲である。なお、磁極部３３は上部磁極層３６のみが削られるようにする。図１７では、上部磁極層３６の磁性層３６ｂの途中でエッチングを止めている。

イオンミリング終了後、磁極部３３の第１上面３３ａ４の下部コア層３０の上面からの高さ寸法（膜厚）ｔ１７は、０．５μｍ〜６μｍになる。また、磁極部３３の第２上面３３ａ５は成膜時の状態で維持される。すなわち、第２上面３３ａ５の上端部５０の下部コア層３０の上面からの高さ寸法ｔ１６は、磁極部３３の成膜時の成膜膜厚ｔ２１に相当する。

図１６及び図１７に示されるように磁極部３３の上面３３ａを削り、上部コイル層３８ｂ、コイル絶縁層４０、上部コア層４１を形成すると、図６及び図７に示された磁気ヘッドを形成することができる。

図１８は本発明の製造方法の他の実施の形態によって形成された磁気ヘッドの縦断面図である。

図１８に示される磁気ヘッドは、磁極部３３及び上部コア層４１の構造が図１ないし図３に示される磁気ヘッドと同じものである。図１８に示される磁気ヘッドと図１ないし図３に示された磁気ヘッドが異なる点は、図１８では下部コイル層３８ａの上面３８ａ２が絶縁層３９の上面３９ｂと同一面上に露出していることである。

下部コイル層３８ａはレジストなどの有機絶縁性材料によって形成されたコイル絶縁層４５によって覆われ、コイル絶縁層４５の上に上部コイル層３８ｂが積層されている。

図１８に示される磁気ヘッドは図１ないし図３に示された磁気ヘッドよりも下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を大きくすることができるので、下部コイル層３８ａの直流抵抗値を小さくしてコイル層３８全体の直流抵抗値及び発熱量をより小さくすることができる。

図１８に示される磁気ヘッドの製造方法を説明する。
まず、図８及び図９に示される工程によって下部コア層３０、磁極部３３、Ｇｄ決め層３１、持上げ層４２を形成する。

次に図１９に示される工程によって、Ｇｄ決め層３１のハイト方向後方にＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機材料によって絶縁層３７を形成した後、コイル層３８の下部コイル層３８ａを巻き中心３８ａ１を中心とする螺旋状にメッキ形成する。下部コイル層３８ａが本発明の磁気ヘッドの製造方法におけるコイル層に相当する。

図１９に示される工程では、下部コイル層３８ａのメッキ成膜時の膜厚ｔ１３を磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１より大きくしている。具体的には、下部コイル層３８ａのメッキ成膜時の膜厚ｔ１３を１μｍ〜５５μｍにしている。この結果、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２は磁極部３３の上面３３ａよりも高くなる。なお、下部コイル層３８ａのメッキ成膜時の膜厚ｔ１３は、磁気ヘッド完成時の下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１より大きい。

また、ギャップ層３５のハイト方向後方に下部コイル層３８ａを形成することにより、下部コイル層３８ａの下面３８ａ３をギャップ層３５より下方に位置させ、完成後の下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を大きくできる。

次に、図２０に示される工程では、磁極部３３、下部コイル層３８ａ及び持上げ層４２を覆う絶縁層３９を成膜し、例えば研削研磨加工（ＣＭＰ）技術を用いて絶縁層３９の上面３９ｂ、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２、持上げ層４２の上面４２ａとを同一平面に平坦化する。この平坦化工程では、磁極部３３の上面３３ａを絶縁層３９の内部に位置した状態を維持する。すなわち、磁極部３３の上面３３ａを絶縁層３９の上面３９ｂ、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２、持上げ層４２の上面４２ａと同一平面に露出させないことが重要である。

次に、図２１に示される工程では、下部コイル層３８ａの上をマスク層５１によってマスクする。磁極部３３の上の絶縁層３９はマスクされず、次の工程でエッチングされる。マスク層５１の材料にはレジストなどの有機絶縁性材料、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機絶縁性材料を用いる。

次に、図２２に示されるように、マスクされていない磁極部３３の上の絶縁層３９を削って、磁極部３３の上面３３ａを露出させる。通常、磁極部３３の上面３３ａは削り込まれるので、磁極部３３の膜厚は成膜膜厚ｔ２１より小さい完成時の膜厚ｔ１２になる。絶縁層３９には溝３９ａが形成される。

イオンミリングの入射角度は、平坦化された絶縁層３９の上面３９ｂに対する法線方向を０°方向としたときに、２０°から６０°の範囲である。

図２２では、磁極部３３の上面３３ａ全体が削られて、上面３３ａは連続面となる。なお、磁極部３３は上部磁極層３６のみが削られるようにすることが必要である。図２２では、上部磁極層３６の磁性層３６ｂの途中でエッチングを止めている。

さらに、下部コイル層３８ａの上にコイル絶縁層４５及び上部コイル層３８ｂを形成する。コイル絶縁層４５は有機絶縁性材料又はＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの無機絶縁性材料を用いて形成する。上部コイル層３８ｂは下部コイル層と同じくＣｕなどの導電性材料をメッキすることによって形成される。このとき、下部コイル層３８ａの巻き中心３８ａ１と上部コイル層３８ｂの巻き中心３８ｂ１を導電性の接続層４４によって接続する。なお、下部コイル層３８ａと上部コイル層３８ｂの巻き方向は互いに逆方向である。

次に、上部コイル層３８ｂを有機絶縁材料製のコイル絶縁層４０によって覆い、磁極部３３上からコイル絶縁層４０上にかけて上部コア層４１を例えばフレームメッキ法によりパターン形成する。磁極部３３の上に絶縁層３９の溝３９ａが形成されており、この溝３９ａ内に上部コア層４１の先端部４１ａが入り込む形になる。なお、上部コア層４１の基端部４１ｂは、下部コア層３０上に形成された磁性材料製の持上げ層（バックギャップ層）４２上に接続される。
これらの工程を経て形成された磁気ヘッドが、図１８に示された磁気ヘッドである。

なお、図２１および図２２に示される工程の代わりに、図１４及び図１５に示される工程と同様にして磁極部３３の上面３３ａを削ると、磁極部３３の形状を図５に示される磁気ヘッドと同様の形状にできる。また、図２１および図２２に示される工程の代わりに、図１６及び図１７に示される工程と同様にして磁極部３３の上面３３ａを削ると、磁極部３３の形状を図７に示される磁気ヘッドと同様の形状にできる。

このように、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いると、磁極部３３の上面３３ａの露出を、研削研磨加工ではなく、エッチングによって行うことができるので、磁極部３３の上面３３ａの下部コア層３０の上面３０ａからの高さ寸法（膜厚）を細かく制御でき、磁気ヘッドのオーバライト特性などの書き込み特性の向上を図ることができる。また、磁極部３３の上面３３ａの形状を様々な形に加工することも可能になる。

これまで説明した実施の形態では、下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１以上にしていた。しかし、本発明では、下部コイル層３８ａの膜厚ｔ１１を磁極部３３の成膜膜厚ｔ２１以下にすることもできる。このときには、下部コイル層３８ａの上面３８ａ２と絶縁層３９の上面３９ｂの距離を離すことができ、下部コイル層３８ａの絶縁性向上という効果を奏することができる。

なお、記録媒体との対向面Ｆ上に、膜厚１５Å〜７０ÅのＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）製の保護膜が形成されていてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、第１の磁性部または第２の磁性部の周囲をトロイダル状に巻き回するコイル層を有する磁気ヘッドの製造方法としても用いることができる。このときは、トロイダル状に巻き回するコイル層の、磁極部のハイト方向後方に位置する部分の膜厚を大きくすることができる。

また、コイル層３８は上部コイル層３８ｂが形成されず、下部コイル層３８ａのみの一層構造でもよい。

本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された磁気ヘッドの部分正面図、図１に示された磁気ヘッドの部分縦断面図、図２に示された磁気ヘッドの磁極部周辺の部分拡大断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された他の磁気ヘッドの部分縦断面図、図４に示された磁気ヘッドの磁極部周辺の部分拡大断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された他の磁気ヘッドの部分縦断面図、図６に示された磁気ヘッドの磁極部周辺の部分拡大断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の他の実施の形態の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の他の実施の形態の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の他の実施の形態の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法の他の実施の形態の一工程を示す部分縦断面図、本発明の磁気ヘッドの製造方法を用いて形成された他の磁気ヘッドの部分縦断面図、図１８に示された磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、図１８に示された磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、図１８に示された磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、図１８に示された磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、従来の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、従来の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、従来の磁気ヘッドの製造方法の一工程を示す部分縦断面図、図２３ないし図２５に示された磁気ヘッドの製造方法によって形成された磁気ヘッドの部分縦断面図、

符号の説明

３０下部コア層
３１Ｇｄ決め層
３３磁極層
３３ａ上面
３４下部磁極層
３５ギャップ層
３６上部磁極層
３８コイル層
３８ａ下部コイル層
３８ｂ上部コイル層
３９絶縁層
４０絶縁層
４１上部コア層

Claims

第１の磁性部をトラック幅よりも広い幅寸法で形成する工程と、
前記第１の磁性部の上に、前記第１の磁性部よりも狭い０．１〜１．０μｍのトラック幅寸法で形成された磁極部を形成し、このとき、前記磁極部を前記第１の磁性部の上に下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に連続メッキ形成し、前記ギャップ層を、ＮｉＰ、ＮｉＲｅＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＰｔ、ＮｉＲｈ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉのうち１種または２種以上の非磁性金属材料を選択して形成する工程と、
前記磁極部からハイト方向に離れた前記第１の磁性部上に磁性材料から成る持上げ層を、前記磁極部の上面よりも高く形成する工程と、
前記ギャップ層のハイト方向後方に、コイル層を形成し、このとき、前記コイル層の下面を前記ギャップ層よりも下方に位置させるとともに、前記コイル層の上面を前記磁極部の上面よりも高く形成する工程と、
前記磁極部、前記コイル層及び前記持上げ層を絶縁層で覆う工程と、
前記絶縁層をＣＭＰ技術により研磨加工し、前記コイル層の上面、及び前記持上げ層の上面を前記絶縁層の上面から露出させて、前記絶縁層の上面、前記コイル層の上面及び前記持上げ層の上面を同一平面で形成し、一方、前記磁極部は前記絶縁層の上面から露出させずに前記絶縁層内に埋設された状態とする工程と、
前記磁極部上の前記絶縁層上を除いて、前記コイル層の上面及び前記持上げ層の上面が露出する平坦面上をマスクで覆う工程と、
前記マスクで覆われていない前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させる工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記コイル層の上面を覆うコイル絶縁層を形成する工程と、
前記磁極部の上に第２の磁性部をトラック幅よりも広い幅寸法で形成する工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させる工程では、前記上部磁極層の上面全体を削り、前記上部磁極層の途中で研削工程を終了する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
前記絶縁層を削って前記磁極部の上面を露出させる工程では、前記磁極部の上面の一部を削り、前記上部磁極層の途中で研削工程を終了する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。