JP3529678B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特にインダクタンスの低減を図り、高記録周波数化
に対応可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２７は、従来における薄膜磁気ヘッド
（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図
２８は、図２７に示す２８−２８線から切断された薄膜
磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。
【０００３】図２７及び図２８に示す符号１は、パーマ
ロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、こ
の下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。
【０００４】前記絶縁層９には、記録媒体との対向面
（以下、ＡＢＳ面と呼ぶ）からハイト方向（図示Ｙ方
向）にかけて、内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された
溝部９ａが形成されている。
【０００５】この溝部９ａ内には、下から順に、下部コ
ア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層４
６、及び上部コア層４８に磁気的に接続する上部磁極層
５がメッキ形成されている。
【０００６】また図２８に示すように、絶縁層９に形成
された溝部９ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）におけ
る前記絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成された
コイル層７が設けられている。
【０００７】そして前記コイル層７は、レジストなどの
コイル絶縁層４７により覆われており、前記コイル絶縁
層４７の上に、上部コア層４８が形成されている。前記
上部コア層４８は、その先端部４８ａにて上部磁極層５
と、また基端部４８ｂにて下部コア層１と磁気的に接続
された状態になっている。
【０００８】図２７および図２８に示すインダクティブ
ヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下
部コア層１及び上部コア層４８に記録磁界が誘導され、
下部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部
コア層４８と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩
れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信
号が記録される。
【０００９】図２７および図２８に示すインダクティブ
ヘッドでは、記録媒体との対向面付近に、局部的にトラ
ック幅Ｔｗで形成された下部磁極層３、ギャップ層４
６、および上部磁極層５を形成しており、このタイプの
インダクティブヘッドは、狭トラック化に対応可能とな
っている。
【００１０】図２７および図２８に示すインダクティブ
ヘッドの製造方法について説明すると、まず下部コア層
１上に絶縁層９を形成し、前記絶縁層９に、トラック幅
Ｔｗの溝部９ａを記録媒体との対向面からハイト方向に
所定の長さで形成する。
【００１１】次に前記溝部９ａ内に、下部磁極層３、ギ
ャップ層４６および上部磁極層５を連続メッキして形成
し、その後、絶縁層９に形成された溝部９ａよりも後方
（ハイト方向）の絶縁層９上に、コイル層７をパターン
形成する。
【００１２】さらに前記コイル層７上を、コイル絶縁層
４７によって覆い、上部磁極層５上から前記コイル絶縁
層４７上にかけて上部コア層４８を、フレームメッキ法
で形成すると、図２７および図２８に示すインダクティ
ブヘッドが完成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、今後の高記
録密度化・高記録周波数化に伴い、狭トラック化ととも
に、インダクティブヘッドのインダクタンスを低減させ
る必要性がある。
【００１４】インダクタンスの低減を図るためには、下
部コア層１から上部コア層４８を経て形成される磁路長
を短くしなければならず、そのために、上部コア層４８
の先端部４８ａから基端部４８ｂまでの間に形成される
コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくする必要性がある。コ
イル層７の幅寸法Ｔ１を小さくすれば、上部コア層４８
の長さを短くでき、短磁路化を実現できる。
【００１５】前記コイル層７のターン数を変えずに、前
記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくするには、前記コイ
ル層７を２層の積層構造にする方法が考えられる。
【００１６】しかしながら、図２７および図２８に示す
薄膜磁気ヘッドの構造では、コイル層７を単純に２層の
積層構造にしても、磁路長を今後の高記録周波数化に対
応できるほど、磁路長を短くできず、インダクタンスの
より適切な低減を図ることは難しい。
【００１７】その理由は、前記コイル層７が、膜厚の厚
い絶縁層９の上に形成されるからである。図２７に示す
ように、前記絶縁層９はその膜厚がＨ５で形成され、前
記膜厚Ｈ５は下部磁極層３、ギャップ層４６および上部
磁極層５の総合膜厚であるＨ６よりも大きいかほぼ同程
度である。このため図２８に示すように、前記絶縁層９
上に形成されるコイル層７は、上部磁極層５と上部コア
層４８との接合面を基準平面としたときに、この基準平
面よりも上部コア層４８側に形成されることになる。
【００１８】従って単純にコイル層７を２層の積層構造
にすると、前記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくできて
も、下部コア層１上からコイル層７を覆うコイル絶縁層
４７上までの高さは非常に大きくなってしまい、結局磁
路長をそれほど短くすることはできず、インダクタンス
の適切な低減を図ることはできない。
【００１９】また図２８に示す構造のインダクティブヘ
ッドにて、単純にコイル層７を２層の積層構造にしたの
では、前記コイル層７を覆うコイル絶縁層４７の厚さ寸
法Ｈ１は大きくなり、上部磁極層５の表面を基準平面と
した場合における前記コイル絶縁層４７の盛り上がりは
非常に大きくなってしまう。
【００２０】このため、前記上部磁極層５上からコイル
絶縁層４７上にかけて形成される上部コア層４８をフレ
ームメッキ法でパターン形成しづらくなり、前記上部コ
ア層４８の、特に先端部４８ａ付近の形状を所定形状に
形成できないといった問題が発生する。
【００２１】またコイル層７の各導体部の幅寸法Ｔ２を
小さくして、各導体部の高さ寸法Ｈ２を厚くすれば、コ
イル層の体積に変化がないことから、コイル抵抗値の増
大を招くことはなく、しかもこの場合、前記各導体部の
幅寸法Ｔ２を小さくできるから、コイル層７全体の幅寸
法Ｔ１を小さくでき、さらなる短磁路化によりインダク
タンスの低減を図ることが可能になる。
【００２２】しかしながら、各導体部の高さＨ２は高く
なるので、益々前記コイル層７を覆うコイル絶縁層４７
の盛り上がりは大きくなってしまい、上記したパターン
精度良く上部コア層４８を形成できないという問題が顕
著に表れる。
【００２３】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に狭トラック化と共に、磁路長を短くし
てインダクタンスの低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明における薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との
対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置する
磁極層およびギャップ層とを有する記録部とを有し、下
部コア層上であって前記記録部のトラック幅方向におけ
る両側からハイト方向の後方には、コイル絶縁層が形成
され、前記コイル絶縁層は、主コイル絶縁層とその上に
形成された副コイル絶縁層とで構成され、前記主コイル
絶縁層と副コイル絶縁層は共に無機絶縁層で形成され、
前記主コイル絶縁層のエッチングレートの大きさは副コ
イル絶縁層のエッチングレートに比べて大きく、前記主
コイル絶縁層には、前記対向面からハイト方向にかけて
トラック幅で形成された溝部が形成され、前記副コイル
絶縁層には前記溝部の上端から前記副コイル絶縁層の上
面にかけて、徐々にトラック幅方向に広がる傾斜面が形
成され、前記溝部には前記記録部が形成され、前記記録
部上から前記傾斜面上にかけて前記上部コア層が形成さ
れ、前記副コイル絶縁層及び主コイル絶縁層には連続し
てコイル形成溝が形成されており、前記コイル形成溝内
に、前記下部コア層および上部コア層ならびに前記記録
部に記録磁界を誘導するコイル層が埋められて形成され
ていることを特徴とするものである。
【００２５】本発明では、今後の高記録密度化・高記録
周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造すべく、特
にコイル層の形成位置を従来と異ならしめ、短磁路化を
実現できインダクタンスの低減を図ることを本発明の目
的としている。
【００２６】上記のように本発明では、下部コア層上で
あってハイト方向の後方側に、コイル絶縁層が形成さ
れ、前記コイル絶縁層にはコイル形成溝が形成されてお
り、前記コイル形成溝内にコイル層が埋められている。
【００２７】すなわち本発明では図２８に示す薄膜磁気
ヘッドに比べ、コイル層の形成位置を、より下部コア層
側に位置せしめ、よって本発明では、図２８の薄膜磁気
ヘッドに比べて、記録部上から盛り上がる前記コイル層
を覆う絶縁層上までの高さ寸法を小さくできるから、従
来に比べ上部コア層の長さを小さくでき、よって、より
適切に短磁路化を実現でき、インダクタンスの低減を図
ることが可能になっている。
【００２８】特に本発明では予め下部コア層上面に形成
された前記コイル絶縁層にコイル形成溝を形成し、この
コイル形成溝内にコイル層を埋め込んでいるのであり、
例えば特願平１１−２２３８２１号におけるコイル絶縁
層（下部コイル絶縁層）とは形成方法が異なっている。
【００２９】詳述すると、特願平１１−２２３８２１号
では、コイル層はフレームメッキ法により形成され、前
記コイル層の各導体部のピッチ間にコイル絶縁層が埋め
込まれる構成となっているが、このような構成の場合に
は、前記ピッチ間が完全に前記コイル絶縁層によって埋
められず、前記ピッチ間に空洞部が形成される危険性が
ある。
【００３０】このように空洞部が形成されやすい理由
は、非常に狭いコイルピッチ間に等方的にコイル絶縁層
がスパッタで形成されるからであり、前記空洞部が形成
されると、磁気ヘッドの駆動の際における発熱により、
前記空洞部に溜まったガスが膨張するなどして、薄膜磁
気ヘッド内部の膜形状に変形をもたらすなどの危険性が
ある。
【００３１】これに対し本発明では、前記コイル絶縁層
は、下部コア層上の全面に形成された後、例えば反応性
イオンエッチング法を用いてコイル形成溝を前記コイル
絶縁層に形成し、前記コイル形成溝内にコイル層を埋め
込む構成となっている。
【００３２】このように本発明ではコイル絶縁層を非常
に間隔の狭いコイル層のピッチ間に埋め込む構成ではな
いため、前記コイル絶縁層に空洞部が形成されるといっ
た不具合は元々発生しない。逆に本発明ではコイル層を
コイル形成溝内に埋め込む構成であるため、前記コイル
層に空洞部が形成される危険性があるが、例えば前記コ
イル層を電気メッキ法等で形成することにより上記問題
点を解決することが可能である。
【００３３】本発明では、前記主コイル絶縁層は、Ａｌ
Ｏ、ＳｉＯ 2 、Ｔａ 2 Ｏ 5 、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる単層構造
あるいは多層構造で形成され、前記副コイル絶縁層は、
Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成されることが好ま
しい。また本発明では、前記主コイル絶縁層は、ＳｉＯ
2 で形成され、前記副コイル絶縁層は、Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／
またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成されることがより好ましい。また
本発明では、前記副コイル絶縁層の上面と前記コイル層
の上面とが同一平面状に形成されていることが好まし
い。この場合、例えばＣＭＰ技術等を用いて、前記副コ
イル絶縁層の上面と前記コイル層の上面は、削られた面
となっていることが好ましい。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【００３７】また前記コイル層と下部コア層との間に
は、絶縁下地層が形成されていることが好ましい。この
絶縁下地層は、コイル層と下部コア層間の磁気的絶縁を
適切に図るために設けられるものであるが、本発明では
前記コイル絶縁層にコイル形成溝を形成する際に削りす
ぎを防止するためのストッパ層としての役割も担ってい
る。
【００３８】また本発明では、前記コイル層上には絶縁
層が形成され、前記絶縁層上に、前記コイル層と電気的
に接続されて前記下部コア層および上部コア層ならびに
前記記録部に記録磁界を誘導する第２のコイル層が形成
されていることが好ましい。これによりさらにコイル層
の幅寸法を小さくでき、さらなる短磁路化の実現により
インダクタンスの低減を図ることが可能になる。
【００３９】さらに本発明では、前記記録部は、下部コ
ア層と直接接続される下部磁極層と前記下部磁極層上に
形成されるギャップ層とで構成され、または下部コア層
上にギャップ層を介して前記上部コア層と直接接続され
る上部磁極層で構成され、あるいは下部コア層と直接接
続される下部磁極層と前記下部磁極層上にギャップ層を
介して積層され且つ上部コア層と直接接続される上部磁
極層とで構成されることが好ましい。これにより狭ギャ
ップ化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することがで
きる。
【００４０】また本発明では前記ギャップ層は、メッキ
形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ま
しく、この場合、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、Ｎｉ
Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたもの
であることが好ましい。
【００４１】
【００４２】
【００４３】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、 （ａ）下部コア層上に、無機絶縁材料で主コイル絶縁層
を形成し、前記主コイル絶縁層上に前記主コイル絶縁層
よりもエッチングレートの小さい無機絶縁材料からなる
副コイル絶縁層を形成する工程と、 （ｂ）前記副コイル絶縁層に記録媒体との対向面からハ
イト方向に、前記副コイル絶縁層の上面から下面にかけ
て徐々にトラック幅方向に狭くなる傾斜面を有する溝を
形成する工程と、 （ｃ）前記溝から露出する主コイル絶縁層にトラック幅
で形成された溝を形成する工程と、 （ｄ）前記主コイル絶縁層に形成された溝内に磁極層と
ギャップ層からなる記録部を形成する工程と、 （ｅ）前記副コイル絶縁層の上にレジスト層を形成し、
前記レジスト層にコイルパターンを露光現像により形成
する工程と、 （ｆ）前記レジスト層のコイルパターン内から露出する
副コイル絶縁層及び主コイル絶縁層を下部コア層表面に
到達しない程度まで削り、前記副コイル絶縁層及び主コ
イル絶縁層にコイル形成溝を形成する工程と、 （ｇ）前記レジスト層を除去する工程と、 （ｈ）前記（ｆ）工程で主コイル絶縁層及び副コイル絶
縁層に形成されたコイル形成溝内に導電性材料を埋めて
前記コイル形成溝内にコイル層を形成する工程と、 （ｉ）前記副コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が
同一面上になるように、コイル層及び副コイル絶縁層を
削る工程と、 （ｊ）前記コイル層及びコイル絶縁層上に絶縁層を形成
した後、前記記録部の上面から前記副コイル絶縁層に形
成された傾斜面上、さらには前記コイル層及びコイル絶
縁層上に形成された前記絶縁層上にかけて上部コア層を
形成する工程と、 を有することを特徴とするものである。
【００４４】
【００４５】本発明では、前記コイル絶縁層上にコイル
パターンの形成されたレジスト層を形成し、レジスト層
に形成されたコイルパターン内から露出するコイル絶縁
層を削り、これにより前記コイル絶縁層にレジスト層に
形成されたコイルパターンとほぼ同じ形状のコイル形成
溝を形成した後、前記コイル形成溝内にコイル層を埋め
るものである。
【００４６】本発明の製造方法によれば、コイル層を記
録部と下部コア層間に形成される段差部内に形成できる
から、前記記録部上から突出するコイル層を覆う絶縁層
の盛り上がりを小さくすることができ、短磁路化の実現
によりインダクタンスの低減を図ることが可能である。
【００４７】また本発明における製造方法では、まずコ
イル絶縁層を下部コア層上に形成した後、前記コイル絶
縁層にコイル形成溝を形成する構成であるので、前記コ
イル絶縁層に空洞部が形成される不具合が発生すること
はなく、磁気ヘッドの駆動の際における発熱により、薄
膜磁気ヘッド内部の膜形状に変形をもたらすなどの危険
性はない。
【００４８】また本発明では（ｉ）工程で、前記副コイ
ル絶縁層の上面及びコイル層の上面が同一面上になるよ
うに、コイル層及び副コイル絶縁層を削っているので、
本発明によれば、下部コア層と記録部間の段差部内にお
いて前記コイル層の膜厚を最大限に大きくして形成する
ことが可能である。このようにコイル層の膜厚を大きく
できれば、コイル層の各導体部の幅寸法を小さくして
も、コイル抵抗値の増大を招かないから、前記コイル層
の幅寸法を小さくしてさらなる短磁路化を図ることが可
能である。
【００４９】また本発明では、前記（ｂ）工程で、前記
副コイル絶縁層に前記傾斜面を有する溝をイオンミリン
グ法で形成し、前記（ｃ）工程で、主コイル絶縁層に、
トラック幅で形成された溝をＲＩＥ法で形成することが
好ましい。
【００５０】また本発明では、前記（ａ）工程で、前記
主コイル絶縁層を、ＡｌＯ、ＳｉＯ 2 、Ｔａ 2 Ｏ 5 、Ｔｉ
Ｏ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、Ｗ
Ｏ、ＷＯ 3 、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも
１種からなる単層構造あるいは多層構造で形成し、前記
副コイル絶縁層を、Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形
成することが好ましい。また本発明では、前記主コイル
絶縁層を、ＳｉＯ 2 で形成し、前記副コイル絶縁層を、
Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成することがより好
ましい。
【００５１】また本発明では、（ｄ）工程において、記
録部を、下部磁極層とギャップ層で構成し、またはギャ
ップ層と上部磁極層とで構成し、あるいは下部磁極層と
ギャップ層と上部磁極層とで構成することが好ましい。
【００５２】この場合、前記ギャップ層には、磁極層と
共にメッキ形成可能な非磁性金属材料を選択することが
好ましい。また前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、Ｎｉ
Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好
ましい。
【００５３】
【００５４】
【００５５】また本発明では、下部コア層上に主コイル
絶縁層を形成する際に、予め前記下部コア層上に絶縁下
地層を形成しておき、（ｆ）工程において、前記絶縁下
地層表面が現われるのを限度として、副コイル絶縁層及
び主コイル絶縁層にコイル形成溝を凹形成することが好
ましい。
【００５６】前記絶縁下地層は（ｆ）工程において、コ
イル絶縁層の削りすぎを防止するための、いわばストッ
パ層としての役割を担うものであり、前記絶縁下地層表
面が現われるのを限度として前記コイル絶縁層を削るよ
うにすれば、前記下部コア層とコイル層との間には少な
くとも前記絶縁下地層が存在し、これにより前記下部コ
ア層とコイル層間の磁気的な絶縁を適切に図ることが可
能になる。
【００５７】
【００５８】さらに本発明では、（ｊ）工程で、コイル
層の上及び副コイル絶縁層の上に絶縁層を形成した後、
前記絶縁層上に前記コイル層と電気的に接続される第２
のコイル層を形成し、その後に前記第２のコイル層上に
絶縁層を介して前記上部コア層を形成することが好まし
い。これによりさらにコイル層の幅寸法を小さくでき
て、さらなる短磁路化によりインダクタンスの低減を図
ることが可能である。
【００５９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図である。
【００６０】図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のイ
ンダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダ
クティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用
ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００６１】図１及び図２に示す符号１０は、例えばパ
ーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であ
る。なお、前記下部コア層１０の下側に再生用ヘッドが
積層される場合、前記下部コア層１０とは別個に、磁気
抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けて
もよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下
部コア層１０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層と
して機能させてもよい。
【００６２】また図１に示すように、後述する下部磁極
層１１の基端から延びる下部コア層１０の上面１０ａは
トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形
成されていてもよく、あるいは、前記上部コア層１６か
ら離れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成さ
れていてもよい。前記下部コア層１０の上面に傾斜面１
０ｂ，１０ｂが形成されることで、ライトフリンジング
を適切に防止することができる。
【００６３】図１に示すように、下部コア層１０の上に
は、記録部１４が形成されている。この実施例において
前記記録部１４はトラック幅Ｔｗで形成された、いわば
トラック幅規制部である。前記トラック幅Ｔｗは、０．
７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましく
は０．５μｍ以下である。これにより狭トラック化に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００６４】図１および図２に示す実施例では、前記記
録部１４は、下部磁極層１１、ギャップ層１２、および
上部磁極層１３の３層膜の積層構造で構成されている。
以下、前記磁極層１１、１３およびギャップ層１２につ
いて説明する。
【００６５】図１および図２に示すように、前記下部コ
ア層１０上には、記録部１４の最下層となる下部磁極層
１１がメッキ形成されている。前記下部磁極層１１は、
下部コア層１０と磁気的に接続されており、前記下部磁
極層１１は、前記下部コア層１０と同じ材質でも異なる
材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜で
も多層膜で形成されていてもどちらでもよい。
【００６６】また図１及び図２に示すように、前記下部
磁極層１１上には、非磁性のギャップ層１２が積層され
ている。
【００６７】本発明では、前記ギャップ層１２は、非磁
性金属材料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形
成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性
金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭ
ｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの
うち１種または２種以上を選択することが好ましく、前
記ギャップ層１２は、単層膜で形成されていても多層膜
で形成されていてもどちらであってもよい。
【００６８】次に前記ギャップ層１２上には、後述する
上部コア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１３がメ
ッキ形成されている。なお前記上部磁極層１３は、上部
コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、異な
る材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜
で形成されていてもどちらでもよい。
【００６９】上記したようにギャップ層１２が、非磁性
金属材料で形成されていれば、下部磁極層１１、ギャッ
プ層１２および上部磁極層１３を連続してメッキ形成す
ることが可能になる。
【００７０】なお本発明では、前記記録部１４は、上記
３層膜の積層構造に限られない。例えば本発明では、前
記記録部１４は、下部コア層１０と直接接続される下部
磁極層１１と前記下部磁極層１１上に形成されるギャッ
プ層１２とで構成され、または下部コア層１０上にギャ
ップ層１２を介して前記上部コア層１６と直接接続され
る上部磁極層１３で構成される実施例を挙げることがで
きる。
【００７１】また上記したように、記録部１４を構成す
る下部磁極層１１および上部磁極層１３は、それぞれの
磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異な
る材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向
上させるためには、ギャップ層１２に対向する下部磁極
層１１および上部磁極層１３は、それぞれの磁極層が磁
気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和
磁束密度を有していることが好ましい。このように下部
磁極層１１および上部磁極層１３が高い飽和磁束密度を
有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中
させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００７２】また図１に示すように、前記記録部１４の
厚さ寸法はＨ４で形成されている。例えば一例として、
下部磁極層１１の膜厚は０．４μｍ程度、ギャップ層１
２の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層１３の膜厚は２
μｍ程度である。
【００７３】また前記記録部１４は、図２に示すよう
に、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向
（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成されてい
る。
【００７４】前記長さ寸法Ｌ１は、ギャップデプスＧｄ
として規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄
膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることか
ら、予め所定の長さに設定される。
【００７５】図１に実施例では、前記ギャップデプスＧ
ｄは、下部コア層１０上に形成されたＧｄ決め絶縁層４
５の形成位置で決定されており、前記Ｇｄ決め絶縁層４
５の前端面から記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）までの
長さで前記ギャップデプスＧｄは調整される。
【００７６】ところで本発明では、図１に示すように下
部コア層１０上であって、記録部１４の両側には、コイ
ル絶縁層１５が記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）に露出
している。このコイル絶縁層１５は、記録部１４のハイ
ト方向後方（図示Ｙ方向）であって下部コア層１０上全
面に形成されるものである。
【００７７】本発明では、図２に示すように前記コイル
絶縁層１５には、コイル層１７が形成されるべき部分に
コイル形成溝１５ａが形成されており、前記コイル形成
溝１５ａ内にコイル層１７が埋められて形成された構成
となっている。
【００７８】図２に示すように、前記コイル層１７と下
部コア層１０との間には、下部コア層・コイル層間の絶
縁確保のための絶縁下地層１８が形成されていることが
好ましく、この絶縁下地層１８は、例えば、ＡｌＯ、Ａ
ｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ
3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から
なる絶縁材料で形成されていることが好ましい。また前
記絶縁下地層１８は、製造工程において、コイル絶縁層
１５にコイル形成溝１５ａを形成する際の削りすぎを防
止するためのいわばストッパ層としての役割も担うもの
となっている。
【００７９】前記コイル絶縁層１５に形成されたコイル
形成溝１５ａ内に埋められたコイル層１７は、巻き中心
部１７ａを中心として螺旋状にパターン形成されたもの
であり、例えばＣｕなどの電気抵抗の小さい非磁性導電
材料により形成されている。
【００８０】本発明では図２に示すように、コイル絶縁
層１５の上面とコイル層１７の上面は同一平面状で形成
されていることが好ましい。これにより前記コイル層１
７の膜厚を前記コイル絶縁層１５の膜厚内で最大限に大
きくすることができ、前記コイル層１７の各導体部の幅
寸法を小さくしても、断面積に反比例するコイル抵抗値
の増大を招くことはない。なお前記コイル絶縁層１５の
上面に対して、コイル層１７の上面が低く形成されてい
てもかまわない。
【００８１】また前記コイル絶縁層１５の上面とコイル
層１７の上面とを同一平面状に形成するには、後述する
製造方法で説明するように、前記コイル絶縁層１５の上
面とコイル層１７の上面とを例えばＣＭＰ技術を用いて
削ることによって達成することができる。これにより前
記コイル絶縁層１５の上面とコイル層１７の上面は共に
削られた面となる。
【００８２】また本発明では図２に示すように、記録部
１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたと
きに、前記コイル絶縁層１５の上面とコイル層１７の上
面は前記基準平面Ａと同一面上に位置することが好まし
い。これにより前記コイル層１７の膜厚を、記録部１４
と下部コア層１０間に形成される段差部内で最大限に大
きくすることができ、断面積に反比例するコイル抵抗値
を増大させることなく、前記コイル層１７の幅寸法をよ
り適切に小さくすることが可能である。
【００８３】ただし本発明では図２に示すように前記基
準平面Ａとコイル絶縁層１５の上面及びコイル層１７の
上面が同一面上に形成されていなくてもよい。すなわち
前記コイル絶縁層１５の上面及びコイル層１７の上面が
前記基準平面Ａより高く形成されても低く形成されても
よい。
【００８４】また図１および図２に示す実施例の前記コ
イル絶縁層１５は、無機材料で形成された無機絶縁層で
あり、前記無機材料には、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、
ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択される
ことが好ましい。
【００８５】なお有機材料をコイル絶縁層１５として用
いることは、以下の理由により好ましくない。すなわち
後で詳述するように、コイル絶縁層１５の上面とコイル
層１７の上面とを例えばＣＭＰ技術を用いて削っていく
時に、前記コイル絶縁層１５が有機材料で形成されてい
ると、有機材料独特のねばりにより前記コイル絶縁層１
５の上面を適切に削ることができず、前記コイル絶縁層
１５の上面とコイル層１７の上面とを同一平面上で形成
しづらいからである。
【００８６】図２に示すように、前記コイル層１７及び
コイル絶縁層１５上には、レジストやポリイミドなどの
有機材料で形成された絶縁層２２が形成されており、前
記絶縁層２２上に第２のコイル層２３が螺旋状にパター
ン形成されている。前記第２のコイル層２３の巻き中心
部２３ａは、記録部１４と上部コア層１６との接合面
（基準平面Ａ）と同一面上に形成されたコイル層１７の
巻き中心部１７ａ上に直接電気的に接続された状態にな
っている。
【００８７】図２に示すように、前記第２のコイル層２
３は、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成され
た絶縁層２４によって覆われ、前記絶縁層２４上には、
パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層１６
がフレームメッキ法などにより形成されている。
【００８８】図２に示すように前記上部コア層１６は、
その先端部１６ａが、記録部１４上に接して形成されて
おり、また基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成さ
れた磁性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２５
上に磁気的に接続された状態となっている。なお前記持
ち上げ層２５は形成されていなくてもよく、この場合、
前記上部コア層１６の基端部１６ｂが、下部コア層１０
上にまで延びて、下部コア層１０上に直接磁気的に接続
された状態となる。また図１に示すように前記上部コア
層１６の先端部１６ａの幅寸法Ｔ３は、トラック幅Ｔｗ
よりも大きく形成される。
【００８９】図３は、本発明における他の実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図４は図３に示
す４−４線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から
見た部分断面図である。
【００９０】図３及び図４示す符号１０は、Ｆｅ―Ｎｉ
系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形
成された下部コア層である。
【００９１】そして本発明では図３に示すように、前記
下部コア層１０上に絶縁材料で形成されたコイル絶縁層
３０が形成されている。前記絶縁材料は、無機材料で形
成されることが好ましく、例えばＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、
ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなり、前記
コイル絶縁層３０は、単層であるいは多層化されて形成
されている。
【００９２】また図３に示すように、前記コイル絶縁層
３０の厚さ寸法は最も膜厚が厚い部分はＨ９で形成さ
れ、具体的には、前記厚さ寸法Ｈ９は約１．０μｍから
４．０μｍ程度であることが好ましい。
【００９３】本発明では、前記コイル絶縁層３０には、
前記コイル絶縁層３０の表面３０ｂから下部コア層１０
上にまで通じ、しかも記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）
からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、所定の長さ寸
法Ｌ２で形成された溝部３０ａが形成されている。
【００９４】さらに図３に示すように、前記溝部３０ａ
は、下部コア層１０上から一定の高さＨ１０までトラッ
ク幅Ｔｗで形成されたトラック幅領域Ｈと、前記トラッ
ク幅領域Ｈの上端３０ｄ，３０ｄからコイル絶縁層３０
の表面３０ｂにかけて、前記溝部３０ａの幅寸法が徐々
に広がるように傾斜面３０ｃ，３０ｃが形成された傾斜
領域Ｂとを有して構成されている。この溝部３０ａは、
例えば異方性エッチングを用いて形成される。
【００９５】本発明では、前記溝部３０ａのトラック幅
領域Ｈの幅寸法（すなわちトラック幅Ｔｗ）は、０，７
μｍ以下で形成されており、好ましくは、０．５μｍ以
下で形成されている。
【００９６】また図３に示す実施例では、前記トラック
幅領域Ｈの内部には、磁性層と非磁性のギャップ層から
なる記録部１４が積層形成されている。
【００９７】前記記録部１４は、下から下部コア層１０
と直接接続される下部磁極層１１、非磁性のギャップ層
１２、及び上部コア層１６と直接接続される上部磁極層
１３とで構成されている。
【００９８】なお前記ギャップ層１２は、非磁性金属材
料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形成される
ことが好ましい。本発明では、前記非磁性金属材料とし
て、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または
２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層１
２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されてい
てもどちらであってもよい。
【００９９】なお下部磁極層１１及び上部磁極層１３の
材質及び膜構成については図１に示す下部磁極層１１及
び上部磁極層１３と同じである。
【０１００】また本発明では、前記記録部１４は、上記
３層膜の積層構造に限られない。例えば本発明では、前
記記録部１４は、下部コア層１０と直接接続される下部
磁極層１１と前記下部磁極層１１上に形成されるギャッ
プ層１２とで構成され、または下部コア層１０上にギャ
ップ層１２を介して前記上部コア層１６と直接接続され
る上部磁極層１３で構成される実施例を挙げることがで
きる。
【０１０１】そして本発明では、図３に示すように、上
部コア層１６は、溝部３０ａに形成された傾斜面３０
ｃ，３０ｃ上から、前記傾斜面３０ｃ，３０ｃとコイル
絶縁層３０の表面３０ｂとの境界部Ｃまで延び、さらに
前記境界部Ｃから下部コア層１０と離れる方向（図示上
方向）に延びて形成されている。
【０１０２】前記上部コア層１６は、図３に示すよう
に、その底面が、上部磁極層１３と磁気的に接続されて
いる。なお前記上部コア層１６は、パーマロイなどの磁
性材料で形成され、上部磁極層１３と同じ材質でも異な
った材質で形成されていてもどちらでもよい。
【０１０３】図３に示すように前記上部コア層１６のト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｔ５は、ト
ラック幅領域Ｈ内に形成された記録部１４の幅寸法（す
なわちトラック幅Ｔｗ）よりも大きく形成されている。
上部コア層１６の幅寸法Ｔ５が大きく形成されることで
磁気飽和を抑制することが可能になっている。
【０１０４】また図３に示す実施例では、前記コイル絶
縁層３０は、前記溝部３０ａの傾斜面３０ｃと前記コイ
ル絶縁層３０の表面３０ｂとの境界部Ｃ付近で膜厚がＨ
９で形成され、さらに前記境界部Ｃから、前記溝部３０
ａと離れる方向に向けて徐々に膜厚が薄くなるように形
成されている。図１に示すように前記コイル絶縁層３０
の表面３０ｂは、凹状に湾曲して形成されていることが
わかる。
【０１０５】このように図３では、前記コイル絶縁層３
０の表面３０ｂは、溝部３０ａから離れる方向に向けて
徐々に前記コイル絶縁層３０の膜厚が薄くなるように凹
状に湾曲した形状となっているが、前記コイル絶縁層３
０の膜厚はどの位置においても、ほぼ同じ膜厚で形成さ
れるようにしてもよいし、また前記絶縁層３０の表面３
０ｂは、湾曲した形状でなく、テーパ面（傾斜面）で形
成されていてもかまわない。
【０１０６】図４に示すように、前記コイル絶縁層３０
は、下部コア層１０上であって記録部１４のハイト方向
（図示Ｙ方向）後方にかけて形成されている。前記コイ
ル絶縁層３０には、コイル形成溝３０ｅが形成されてお
り、前記コイル形成溝３０ｅ内にコイル層１７が埋め込
まれて形成されている。
【０１０７】なおこの実施例では、前記コイル層１７と
下部コア層１０間には、図２に示すような絶縁下地層１
８が形成されておらず、コイル絶縁層３０が介在し、前
記コイル絶縁層３０の存在により前記コイル層１７と下
部コア層１０間の磁気的な絶縁が図られている。ただし
図２に示すように前記コイル層１７と下部コア層１０間
に絶縁下地層１８が形成されていてもかまわない。
【０１０８】また図４に示すように、前記コイル絶縁層
３０の上面とコイル層１７の上面とは同一平面状で形成
されている方が、前記コイル絶縁層３０の膜厚内で前記
コイル層１７の膜厚を最大限に大きくすることが可能に
なっている。なお前記コイル絶縁層３０の上面とコイル
層１７の上面は削られた面であることが好ましい。これ
は後述する製造方法で説明するように、例えばＣＭＰ技
術などを用いることで、達成することができる。
【０１０９】また記録部１４と上部コア層１６との接合
面を基準平面Ａとしたときに、前記コイル絶縁層３０の
上面及びコイル層１７の上面が前記基準平面Ａと同一面
上に位置することが好ましい。これにより前記コイル層
１７の膜厚を、記録部１４と下部コア層１０間の段差部
内にて最大限に厚くすることができるから、コイル層１
７の幅寸法を小さくしても断面積に反比例するコイル抵
抗値は増大することはない。ただし図４では、前記基準
平面Ａよりもコイル絶縁層１５の上面及びコイル層１７
の上面が高い位置にまで形成されていることがわかる。
【０１１０】図４に示すように、前記コイル絶縁層３０
及びコイル層１７の上面には絶縁層２２が形成され、前
記絶縁層２２上には、第２のコイル層２３が螺旋状にパ
ターン形成されている。図４に示すように前記第２のコ
イル層２３の巻き中心部２３ａは、第１層目となるコイ
ル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接形成され、前記コ
イル層１７と第２のコイル層２３とが電気的に接続され
た状態になっている。
【０１１１】前記第２のコイル層２３上には絶縁層２４
が形成され、さらに記録部１４上から前記絶縁層２４上
にかけて上部コア層１６が例えばフレームメッキ法等で
形成されている。図４に示すように前記上部コア層１６
の先端部１６ａは記録部１４上に直接接続されて形成さ
れ、基端部１６ｂは、下部コア層１６上に形成された磁
性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２５上に直
接接続されて形成され、これにより下部コア層１０から
上部コア層１６を経る磁路が形成される。
【０１１２】図２に示す実施例と図４に示す実施例で
は、後述するように製造方法に相違点がある。
【０１１３】図２に示す実施例ではまず最初に下部コア
層１０上に記録部１４を形成した後、前記下部コア層１
０上であって前記記録部１４のハイト方向後方にコイル
絶縁層１５を形成するのに対し、図４に示す実施例では
まず最初に下部コア層１０上にコイル絶縁層３０を形成
した後、前記コイル絶縁層３０に溝部３０ａ（図３参
照）を形成し、そして前記溝部３０ａ内に記録部１４を
形成するのである。
【０１１４】図５は、本発明における他の実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図６は図５に示
す６−６線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から
見た部分断面図である。
【０１１５】図５に示す符号１０は、Ｆｅ―Ｎｉ系合金
（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成され
た下部コア層である。
【０１１６】そして本発明では図５に示すように、前記
下部コア層１０上には絶縁材料で形成された主コイル絶
縁層３１と前記主コイル絶縁層３１上に積層された副コ
イル絶縁層３２とが形成されている。
【０１１７】前記主コイル絶縁層３１及び副コイル絶縁
層３２は共に無機材料の無機絶縁層で形成されることが
好ましい。ただしこの実施例では、主コイル絶縁層３１
のエッチングレートの大きさは、副コイル絶縁層３２の
エッチングレートに比べ大きいことが好ましい。特に１
０倍以上のエッチングレート差があることがより好まし
い。
【０１１８】前記主コイル絶縁層３１には、例えばＡｌ
Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなり、前記主
コイル絶縁層３０は、単層であるいは多層化されて形成
されている。
【０１１９】例えば前記主コイル絶縁層３１がＳｉＯ2
で形成される場合には、前記副コイル絶縁層３２は、Ａ
ｌ2Ｏ3及び／またはＳｉ3Ｎ4で形成されることが好まし
い。
【０１２０】前記主コイル絶縁層３１をＳｉＯ2で形成
し、副コイル絶縁層３２をＡｌ2Ｏ3で形成し、反応性イ
オンエッチングの際に使用されるガスとしてＣ3Ｆ8＋
（Ａｒ）を使用した場合、反応性イオンエッチングに対
する前記主コイル絶縁層３１のエッチングレートを、副
コイル絶縁層３２のエッチングレートに比べて１５倍程
度大きくすることができる。
【０１２１】また前記主コイル絶縁層３１をＳｉＯ2で
形成し、副コイル絶縁層３２をＳｉ3Ｎ4で形成し、反応
性イオンエッチングの際に使用されるガスとしてＣ5Ｆ8
＋（Ａｒ）を使用した場合、反応性イオンエッチングに
対する前記主コイル絶縁層３１のエッチングレートを、
副コイル絶縁層３２のエッチングレートに比べて１５倍
程度大きくすることができる。
【０１２２】図５に示すように、前記主コイル絶縁層３
１には、トラック幅Ｔｗで形成された溝部３１ａが形成
され、この溝部３１ａは、記録媒体との対向面からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）後方にかけて所定の長さで形成さ
れている。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下であ
ることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下であ
る。
【０１２３】また図５に示すように主コイル絶縁層３１
は厚さ寸法がＨ６で形成され、前記厚さ寸法Ｈ６は約
１．０μｍから４．０μｍ程度であることが好ましい。
また前記主コイル絶縁層３１上に形成された副コイル絶
縁層３２は厚さ寸法がＨ７で形成され、前記厚さ寸法Ｈ
７は、主コイル絶縁層３１の厚さ寸法Ｈ６よりも小さく
形成されることが好ましい。なお前記副コイル絶縁層３
２は、単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成
されていてもよい。
【０１２４】図５に示すように、前記主コイル絶縁層３
１に形成された溝部３１ａ内には、下から下部磁極層１
１、非磁性のギャップ層１２及び上部磁極層１３の３層
で構成される記録部１４が形成されている。
【０１２５】なお前記ギャップ層１２は、非磁性金属材
料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形成される
ことが好ましい。本発明では、前記非磁性金属材料とし
て、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または
２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層１
２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されてい
てもどちらであってもよい。
【０１２６】なお下部磁極層１１及び上部磁極層１３の
材質及び膜構成については図１に示す下部磁極層１１及
び上部磁極層１３と同じである。
【０１２７】また本発明では、前記記録部１４は、上記
３層膜の積層構造に限られない。例えば本発明では、前
記記録部１４は、下部コア層１０と直接接続される下部
磁極層１１と前記下部磁極層１１上に形成されるギャッ
プ層１２とで構成され、または下部コア層１０上にギャ
ップ層１２を介して前記上部コア層１６と直接接続され
る上部磁極層１３で構成される実施例を挙げることがで
きる。
【０１２８】また図５に示すように前記主コイル絶縁層
３１上に形成された副コイル絶縁層３２には、前記主コ
イル絶縁層３１に形成された溝部３１ａの上端から前記
副コイル絶縁層３２にかけて、徐々にトラック幅方向
（図示Ｘ方向）に広がる傾斜面３２ａ，３２ａが形成さ
れている。
【０１２９】そして前記溝部３１ａ内に形成された上部
磁極層１３表面から前記傾斜面３２ａ上にかけて、上部
コア層１６がフレームメッキ法などで形成されている。
前記上部コア層１６は、傾斜面３２ａと副コイル絶縁層
３２の表面３２ｂとの境界部Ｃにまで延びて形成される
ことが好ましい。前記上部コア層１６が前記境界部Ｃま
で延びて形成されれば、前記上部コア層１６の幅寸法を
大きくすることができ、今後の高記録密度化においても
磁気飽和が起こりにくくなる。
【０１３０】図６に示すように前記主コイル絶縁層３１
及び副コイル絶縁層３２は、下部コア層１０上であっ
て、前記記録部１４のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に
かけて形成されている。
【０１３１】また図６に示すように前記副コイル絶縁層
３２及び主コイル絶縁層３１には連続してコイル形成溝
３１ｃ，３２ｃが形成されている。そして前記コイル形
成溝３１ｃ，３２ｃ内にコイル層１７が埋め込まれてい
る。
【０１３２】なおこの実施例では、前記コイル層１７と
下部コア層１０間には、図２に示すような絶縁下地層１
８が形成されておらず、主コイル絶縁層３１が介在し、
前記主コイル絶縁層３１の存在により前記コイル層１７
と下部コア層１０間の磁気的な絶縁が図られている。た
だし図２に示すように前記コイル層１７と下部コア層１
０間に絶縁下地層１８が形成されていてもかまわない。
【０１３３】また図６に示すように、前記副コイル絶縁
層３２の上面とコイル層１７の上面とは同一平面上で形
成されている方が、前記主コイル絶縁層３１及び副コイ
ル絶縁層３２の膜厚内で前記コイル層１７の膜厚を最大
限に大きくすることが可能になっている。なお前記副コ
イル絶縁層３２の上面とコイル層１７の上面は削られた
面であることが好ましい。これは後述する製造方法で説
明するように、例えばＣＭＰ技術などを用いることで、
達成することができる。
【０１３４】また、記録部１４と上部コア層１６との接
合面を基準平面Ａとしたときに、前記副コイル絶縁層３
２の上面及びコイル層１７の上面が前記基準平面Ａと同
一面上に位置することが好ましい。これにより前記コイ
ル層１７の膜厚を記録部１４と下部コア層１０間の段差
部内で最大限に厚くすることができるから、コイル層１
７の幅寸法を小さくしても断面積に反比例するコイル抵
抗値は増大することはない。ただし図６では、前記基準
平面Ａよりもコイル絶縁層１５の上面及びコイル層１７
の上面は高い位置に形成されている。
【０１３５】図６に示すように、前記副コイル絶縁層３
２及びコイル層１７の上面には絶縁層２２が形成され、
前記絶縁層２２上には、第２のコイル層２３が螺旋状に
パターン形成されている。図６に示すように前記第２の
コイル層２３の巻き中心部２３ａは、第１層目となるコ
イル層１７の巻き中心部１７ａ上に直接形成され、前記
コイル層１７と第２のコイル層２３とが電気的に接続さ
れた状態になっている。
【０１３６】前記第２のコイル層２３上には絶縁層２４
が形成され、さらに記録部１４上から前記絶縁層２４上
にかけて上部コア層１６が例えばフレームメッキ法等で
形成されている。図６に示すように前記上部コア層１６
の先端部１６ａは記録部１４上に直接接続されて形成さ
れ、基端部１６ｂは、下部コア層１６上に形成された磁
性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２５上に直
接接続されて形成され、これにより下部コア層１０から
上部コア層１６を経る磁路が形成される。
【０１３７】この実施例では図３，４に示す実施例と同
様にまず下部コア層１０上に主コイル絶縁層３１及び副
コイル絶縁層３２が積層形成された後、前記副コイル絶
縁層３２に傾斜面３２ａ，３２ａが、主コイル絶縁層３
１に溝部３１ａが形成され、前記溝部３１ａ内に記録部
１４が形成される。
【０１３８】図７は、本発明における他の実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図８は図７に示
す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から
見た部分断面図である。
【０１３９】図７に示す符号１０は、Ｆｅ―Ｎｉ系合金
（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成され
た下部コア層である。
【０１４０】そして本発明では図７に示すように、前記
下部コア層１０上には非磁性のギャップ層３３と上部コ
ア層１６と直接接続される上部磁極層３６とで構成され
た記録部１４が形成され、前記記録部１４はトラック幅
Ｔｗで形成されている。
【０１４１】本発明では、前記ギャップ層は、無機絶縁
材料で形成されることが好ましく、この場合、前記無機
絶縁材料は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮのうち１種または２種以上から選択されるこ
とが好ましい。
【０１４２】また図７に示すように、前記ギャップ層３
３の基端から延びる下部コア層１０の上面１０ａはトラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形成さ
れていてもよく、あるいは、前記上部コア層１６から離
れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが形成されて
いてもよい。前記下部コア層１０の上面に傾斜面１０
ｂ，１０ｂが形成されることで、よりいっそうライトフ
リンジングを適切に防止することができる。
【０１４３】また図７に示すように、前記下部コア層１
０は符号１０ｃの部分まで削られて、前記下部コア層１
０に上部コア層１６方向に突出する隆起部１０ｄが形成
され、この隆起部１０ｄ上に記録部１４が形成された構
成であれば、さらにライトフリンジングの発生を抑制可
能である。
【０１４４】前記隆起部１０ｄの幅寸法はトラック幅Ｔ
ｗで形成され、また高さ寸法はＨ１１で形成され、例え
ば、前記高さ寸法Ｈ１１は、０．２μｍから０．５μｍ
の範囲内である。
【０１４５】図７に示すように前記記録部１４のトラッ
ク幅方向（図示Ｘ方向）両側には、コイル絶縁層３４が
形成されている。そして前記記録部１４上から前記コイ
ル絶縁層３４上にかけてトラック幅Ｔｗよりも大きい幅
寸法を有する上部コア層１６が形成されている。なお前
記上部コア層１６の幅寸法は点線で図示されているよう
にトラック幅Ｔｗで形成されていてもよい。
【０１４６】図８に示すように、前記下部コア層１０上
であって記録部１４のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に
はコイル絶縁層３４が形成されている。前記コイル絶縁
層３４には、コイル形成溝３４ａが形成されており、前
記コイル形成溝３４ａ内にコイル層１７が埋められて形
成されている。
【０１４７】図８に示す実施例では図２に示すように下
部コア層１０とコイル層１７との間に絶縁下地層１８が
形成されていないが、図２に示すように前記下部コア層
１０とコイル層１７との間に絶縁下地層１８が形成され
ていてもよい。
【０１４８】この実施例では、下部コア層１０とコイル
層１７間には、下部コア層１０上に形成されたギャップ
層３３が介在し、このギャップ層３３を、前記絶縁下地
層１８と同様のストッパ層として使用することもでき
る。
【０１４９】また図８に示すように、前記ギャップ層３
３上にはＧｄ決め絶縁層４５が形成され、前記Ｇｄ決め
絶縁層４５の前端面から記録媒体との対向面までの長さ
Ｌ３でギャップデプス（Ｇｄ）が決定される。
【０１５０】また前記コイル絶縁層３４に形成されたコ
イル形成溝３４ａ内に埋められたコイル層１７は、巻き
中心部１７ａを中心として螺旋状にパターン形成された
ものであり、例えばＣｕなどの電気抵抗の小さい非磁性
導電材料により形成されている。
【０１５１】本発明では図８に示すように、コイル絶縁
層３４の上面とコイル層１７の上面は同一平面状で形成
されていることが好ましい。これにより前記コイル層１
７の膜厚を前記コイル絶縁層３４の膜厚内で最大限に大
きくすることができ、前記コイル層１７の各導体部の幅
寸法を小さくしても、断面積に反比例するコイル抵抗値
の増大を招くことはない。
【０１５２】また前記コイル絶縁層３４の上面とコイル
層３４の上面とを同一平面状に形成するには、前記コイ
ル絶縁層３４の上面とコイル層１７の上面とを例えばＣ
ＭＰ技術を用いて削ることによって達成することができ
る。これにより前記コイル絶縁層３４の上面とコイル層
１７の上面は削られた面となる。
【０１５３】また本発明では図８に示すように、記録部
１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとしたと
きに、前記コイル絶縁層３４の上面とコイル層１７の上
面は前記基準平面Ａと同一面上に位置することが好まし
い。これにより前記コイル層１７の膜厚を、記録部１４
と下部コア層１０間の段差部内で最大限に大きくするこ
とができ、断面積に反比例するコイル抵抗値を増大させ
ることなく、前記コイル層１７の幅寸法をより適切に小
さくすることが可能である。
【０１５４】また前記コイル絶縁層３４は、無機材料で
形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Ａｌ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、Ｗ
Ｏ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも
１種から選択されることが好ましい。
【０１５５】図８に示すように、前記コイル層１７及び
コイル絶縁層３４上には、レジストやポリイミドなどの
有機材料で形成された絶縁層２２が形成されており、前
記絶縁層２２上に第２のコイル層２３が螺旋状にパター
ン形成されている。前記第２のコイル層２３の巻き中心
部２３ａは、記録部１４と上部コア層１６との接合面
（基準平面Ａ）と同一面上に形成されたコイル層１７の
巻き中心部１７ａ上に直接磁気的に接続された状態にな
っている。
【０１５６】図８に示すように、前記第２のコイル層２
３は、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成され
た絶縁層２４によって覆われ、前記絶縁層２４上には、
パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層１６
がフレームメッキ法などにより形成されている。
【０１５７】図８に示すように前記上部コア層１６は、
その先端部１６ａが、記録部１４上に接して形成されて
おり、また基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成さ
れた磁性材料製の持ち上げ層（バックギャップ層）２５
上に磁気的に接続された状態となっている。なお前記持
ち上げ層２５は形成されていなくてもよく、この場合、
前記上部コア層１６の基端部１６ｂが、下部コア層１０
上にまで延びて、下部コア層１０上に直接磁気的に接続
された状態となる。
【０１５８】この実施例では図１ないし６に示した薄膜
磁気ヘッドと異なり、記録部１４を構成するギャップ層
３３が下部コア層１０上に上部磁極層３６よりもさらに
ハイト方向後方にまで延びて形成されている。なお図８
に示す薄膜磁気ヘッドの記録部１４及びコイル絶縁層３
４の製造方法としては、まず下部コア層１０上にギャッ
プ層３３を形成した後、前記ギャップ層３３上に上部磁
極層３６を形成し、次に前記上部磁極層３６のハイト方
向後方であってギャップ層３３上にコイル絶縁層３４を
形成する。
【０１５９】以上詳述した図１ないし図８に示すインダ
クティブヘッドでは、コイル層１７および第２のコイル
層２３に記録電流が与えられると、下部コア層１０及び
上部コア層１６に記録磁界が誘導され、前記上部コア層
１６および下部コア層１０に直接接続される磁極層間、
あるいは片一方のコア層にしか磁極層が形成されていな
い場合には、前記磁極層と他方のコア層間からの洩れ磁
界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が
記録される。
【０１６０】ところで本発明では、図１ないし図８に示
すいずれの薄膜磁気ヘッドにおいても、下部コア層１０
上にコイル絶縁層が形成され、前記コイル絶縁層にはコ
イル形成溝が形成されており、前記コイル形成溝内に、
コイル層１７が埋められた構成となっている。
【０１６１】図２、４、６、及び８に示すように、下部
コア層１０上であって記録媒体との対向面付近に記録部
１４が形成され、前記記録部１４のハイト方向（図示Ｙ
方向）後方にコイル絶縁層が形成され、前記コイル絶縁
層に形成されたコイル形成溝内にコイル層が埋められて
形成されているので、前記記録部１４上面から盛り上が
る各層の高さを小さくすることができ、従ってコイル層
を２層構造とした場合であっても前記記録部１４上面か
ら盛り上がる第２のコイル層２３を覆う絶縁層２４の高
さは低く抑えられる。
【０１６２】このため前記記録部１４上面から絶縁層２
４上面にかけて上部コア層１６をフレームメッキ法で形
成する場合、露光現像の際に乱反射等が起こりにくく前
記上部コア層１６を所定の形状で高精度に形成すること
が可能になっている。
【０１６３】また本発明ではコイル層を２層構造で形成
する必要はなく、前記コイル層をコイル層１７のみの１
層構造で構成してもよい。この場合前記コイル層１７上
に絶縁層２２を形成し、前記記録部１４上面から絶縁層
２２上面にかけて上部コア層１６をフレームメッキ法な
どで形成する。
【０１６４】コイル層１７を１層構造で形成する場合
は、前記記録部１４上面から盛り上がる積層膜は絶縁層
２２の膜厚分だけとなるので、前記記録部１４上面から
絶縁層２２上面にかけて上部コア層１６をより所定形状
で高精度で形成することが可能になる。
【０１６５】また本発明では、コイル絶縁層１５は、予
め下部コア層１０上全面に形成された後、前記コイル絶
縁層にレジストを用いてコイル形成溝が形成され、前記
コイル形成溝内にコイル層１７が埋め込まれる構成であ
るため、製造された薄膜磁気ヘッドの前記コイル絶縁層
に、空洞部等などの欠陥部が形成される危険性はない。
【０１６６】すなわち例えば前記下部コア層１０上にま
ずコイル層１７をフレームメッキ法等で形成した後、前
記コイル層１７の各導体部のピッチ間をコイル絶縁層で
埋める構成の場合には、前記コイル絶縁層をスパッタ法
等で形成すると、前記コイル絶縁層に空洞部が形成され
やすく、このような空洞部が形成されていると、例えば
磁気ヘッド駆動時における発熱により、前記空洞部に溜
まったガスが膨張するなどして、薄膜磁気ヘッド内部の
膜形状に変形をもたらすなどの危険性がある。
【０１６７】これに対し本発明ではまずコイル絶縁層を
フレーム形成した後、前記コイル絶縁層に形成されたコ
イル形成溝内にコイル層１７を埋め込む構成であるた
め、前記コイル絶縁層に元々空洞部等の欠陥部が形成さ
れることはなく、よって磁気ヘッド駆動時における発熱
によっても、薄膜磁気ヘッド内部の膜形状に変形をもた
らすなどの不具合が発生することはなくなる。
【０１６８】ただし本発明においては、コイル層１７を
コイル形成溝内に埋め込む構成であるため前記コイル層
１７に空洞部等の欠陥が発生する虞があるが、前記コイ
ル層１７を金属メッキ法等で形成することで上記問題点
を解決することが可能である。
【０１６９】ところで図２、４、６及び８に示す実施例
の薄膜磁気ヘッドでは、コイル層が２層の積層構造とな
っているが、コイルを２層の積層構造とした理由は、コ
イル層１７の幅寸法Ｔ４を小さくして、上部コア層１６
の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの長さを短くする
ことで、下部コア層１０から上部コア層１６を経て形成
される磁路長を短くし、インダクタンスの低減を図り、
今後のさらなる高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘ
ッドを製造することにある。例えば第１層目となるコイ
ル層１７を５ターンで形成し、第２のコイル層２３を４
ターンで形成した場合、前記コイル層１７の幅寸法Ｔ４
を２０μｍ程度にまで小さくできることが確認されてい
る。
【０１７０】また上記したように第１層目となるコイル
層１７が、記録部１４のハイト側後方であって、前記記
録部１４と上部コア層１６との接合面を基準平面Ａとし
たときに、前記コイル層１７の上面を、前記基準平面Ａ
と同一面上に位置せしめているので、記録部１４の上面
から盛り上がる絶縁層２４の上面までの高さを、従来の
薄膜磁気ヘッド（図２８参照）のコイル層を２層の積層
構造にした場合に比べて小さくすることができる。
【０１７１】従って本発明では、コイル層の幅寸法を小
さくできると同時に、下部コア層１０上から図示Ｚ方向
における高さ寸法をも小さくできるから、前記上部コア
層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂまでの長さを適
切に小さくできて、さらなる短磁路化を実現でき、イン
ダクタンスは低減され、今後の高記録周波数化に対応可
能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１７２】しかも本発明における薄膜磁気ヘッドは、
狭トラック化に対応することもできる。本発明では、前
述したように前記記録部１４のトラック幅Ｔｗを０．７
μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下に形成することが
でき、この寸法は、レジストを露光現像した際の分解能
の限界値以下の数値である。
【０１７３】また本発明では、コイル層１７の上面及び
コイル絶縁層１５の上面が、記録部１４と上部コア層１
６との接合面を基準平面Ａとしたときに前記基準平面Ａ
と同一面上に位置しているので、前記基準平面Ａからハ
イト方向にかけては、平坦化面が広がっており、従って
前記平坦化面上に各層をうねりなく形成できる。
【０１７４】これにより前記コイル絶縁層１５及びコイ
ル層１７上で絶縁層２２を平坦化して形成でき、従って
前記絶縁層２２上に第２のコイル層２３をパターン精度
良く形成することが可能である。
【０１７５】図９ないし図１７には、図２に示す薄膜磁
気ヘッドの製造工程が図示されている。
【０１７６】図９に示すように、まず下部コア層１０上
にパーマロイなどの磁性材料からなるメッキ下地層４０
を形成し、ギャップデプスを決めるＧｄ決め絶縁層４５
を形成後、前記メッキ下地層４０上にレジスト層４１を
塗布形成している。前記レジスト層４１の厚さ寸法Ｈ８
は、少なくとも図１に示す完成した薄膜磁気ヘッドにお
ける記録部１４の厚さ寸法Ｈ４よりも厚く形成されてい
なければならない。
【０１７７】次に前記レジスト層４１に露光現像によっ
て、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）
に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向（図示
Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝４１ａを形成
し、前記溝４１ａ内に、記録部１４を形成する。
【０１７８】図９に示すように前記記録部１４は、下か
ら下部磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極層
１３で構成され、これら各層は、連続してメッキ形成さ
れている。
【０１７９】なお前記溝４１ａ内に形成される記録部１
４の膜構成は、上記３層の構成に限られない。すなわ
ち、前記記録部１４は、下部磁極層１１と非磁性のギャ
ップ層１２から成り、あるいは非磁性のギャップ層１２
と上部磁極層１３とから成っていてもよい。また各磁極
層１１，１３およびギャップ層１２は単層で形成されて
いてもよいし、多層で形成されていてもよい。
【０１８０】また前記ギャップ層１２を、前記磁極層１
１，１３と共にメッキ形成することが好ましく、前記ギ
ャップ層１２を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金
属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２
種以上を選択することが好ましい。
【０１８１】図１０に示す工程では前記レジスト層４１
を除去した状態を示しており、前記下部コア層１０上に
は、ＡＢＳ面付近に記録部１４が形成され、また場合に
よっては、前記記録部１４形成後、前記記録部１４から
ハイト方向に離れた位置に持ち上げ層２５を形成する。
【０１８２】なお図１０に示す記録部１４の両側面（図
示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向（図示Ｘ方
向）からイオンミリングで削り、前記記録部１４の幅寸
法を小さくすることも可能である。このイオンミリング
によって削られた記録部１４の幅寸法がトラック幅Ｔｗ
として規定される。
【０１８３】なお前記イオンミリングによって、下部磁
極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示す
ような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面
に形成される。
【０１８４】次に図１１に示す工程では、記録部１４上
から磁性下地層４０上、さらには持ち上げ層２５上から
ハイト方向にかけて、絶縁材料で形成された絶縁下地層
１８をスパッタ形成する。
【０１８５】そして図１１に示すように、前記下部コア
層１０上に磁性下地層４０及び絶縁下地層１８を介して
コイル絶縁層１５を形成する。前記コイル絶縁層１５は
下部コア層１０上のみに形成されてもよいが、この実施
例では前記記録部１４上及び持ち上げ層２５上にも前記
コイル絶縁層１５が形成される。
【０１８６】次に前記記録部１４表面が露出するよう
に、前記コイル絶縁層１５を図１１に示すＤ−Ｄ線まで
例えばＣＭＰ技術を用いて削っていき、図１２に示すよ
うにコイル絶縁層１５の上面を記録部１４上面と同一面
上にする。
【０１８７】図１３に示す工程ではＣＭＰ技術を用いて
平坦化された前記コイル絶縁層１５表面にレジスト層４
２を塗布し、露光現像により前記レジスト層４２にコイ
ルパターン４２ａを形成する。
【０１８８】次に前記レジスト層４２に形成されたコイ
ルパターン４２ａ内から露出するコイル絶縁層１５表面
を、反応性イオンエッチング等により削り、前記レジス
ト層４２に形成されたコイルパターン４２ａとほぼ同形
状のコイル形成溝１５ａをコイル絶縁層１５に形成す
る。その後前記レジスト層４２を除去する。その状態を
示したのが図１４である。
【０１８９】なお上記工程において、エッチング時間等
を適正に調整して、絶縁下地層１８表面が露出するのを
限度として、前記レジスト層４２のコイルパターン４２
ａ内から露出するコイル絶縁層１５にコイル形成溝１５
ａを凹形成する必要性がある。
【０１９０】前記絶縁下地層１８は、下部コア層１０と
後述するコイル層１７間の磁気的な絶縁を確保するため
に設けられたものであるが、本発明においては、前記コ
イル絶縁層１５をエッチングで削る際に、削りすぎを防
止するためのストッパ層としての役割も担っている。
【０１９１】なお前記絶縁下地層１８が形成されていな
い場合には、エッチング時間等を適正に調整して、下部
コア層１０が露出しない程度まで前記コイル絶縁層１５
を削る必要性がある。仮にコイル絶縁層１５を削りすぎ
て前記下部コア層１０が露出した場合には、前記下部コ
ア層１０とコイル層１７間の磁気的な絶縁を取ることが
できなくなるため、新たに前記下部コア層１０上に絶縁
層を設ける必要性があるなど、製造工程を煩雑化させる
結果となる。
【０１９２】図１５に示す工程では、前記コイル絶縁層
１５に形成されたコイル形成溝１５ａ内にＣｕなどの導
電性材料を埋めて前記コイル形成溝１５ａ内にコイル層
１７を形成する。なお図１５に示す実施例では前記コイ
ル層１７は記録部１４上、コイル絶縁層１５上、さらに
は持ち上げ層２５にも形成される。すなわち前記コイル
層１７は、コイル形成溝１５ａ内に埋められた各導体部
が、すべてコイル絶縁層１５上にて繋がった状態にされ
ている。
【０１９３】前記コイル層１７をコイル絶縁層１５に形
成されたコイル形成溝１５ａ内に埋めるには、例えば電
気メッキ法、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法など既存の
方法を使用することができる。
【０１９４】このうち電気メッキ法ではまず記録部１４
上、コイル絶縁層１５上、持ち上げ層２５上、さらには
コイル絶縁層１５に形成されたコイル形成溝１５ａ内
に、メッキ下地層を形成しておき、前記メッキ下地層上
からメッキ層を成長させることで図１５に示すコイル層
１７を形成することができる。
【０１９５】なお上記したようにスパッタ法を用いてコ
イル層１７を形成することは可能であるが、スパッタ法
を用いると、前記コイル形成溝１５ａ内に埋められるコ
イル層１７に空洞部が形成される危険性があるので、電
気メッキ法やＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【０１９６】次に図１５に示すように、コイル絶縁層１
５上から突出するコイル層１７を除去し、前記コイル層
１７の各導体部をコイル形成溝１５ａ内にのみ収めるた
めに、コイル層１７をＥ−Ｅ線まで例えばＣＭＰ技術等
を用いて削る。これによりコイル層１７はコイル絶縁層
１５に形成されたコイル形成溝１５ａ内にのみ収められ
る。なおこの工程により記録部１４の上面を基準平面と
したときに前記コイル絶縁層１５の上面及びコイル層１
７の上面が前記基準平面と同一面上となる。また図１５
に示すように、Ｅ−Ｅ線までコイル層１７を削っていく
と、コイル絶縁層１５表面もそれに伴い削られていく。
その状態を示したのが図１６である。
【０１９７】上記したように図１６では、コイル層１７
はコイル絶縁層１５に形成されたコイル形成溝１５ａ内
に埋められた状態となっており、前記記録部１４の上面
を基準平面としたときに、コイル絶縁層１５及びコイル
層１７の上面は、前記基準平面と同一面上になってい
る。
【０１９８】そして図１７に示すように、前記コイル絶
縁層１５上及びコイル層１７上に絶縁層２２を形成し、
さらに第２のコイル層２３を形成する場合には、前記絶
縁層２２上にフレームメッキ法を用いて前記第２のコイ
ル層２３をパターン形成し、前記第２のコイル層２３を
絶縁層２４で覆った後、前記記録部１４上から絶縁層２
４上にかけて上部コア層１６を形成する。前記上部コア
層１６を形成する際には図１７に示すように前記上部コ
ア層１６の先端部１６ａを記録部１４上に直接接続さ
せ、基端部１６ｂを持ち上げ層２５上に直接接続させ
る。
【０１９９】図１８から図２０は、図２に示す薄膜磁気
ヘッドの別の製造方法を示す工程図である。なお図１８
から図２０に示す工程図は、図９から図１７に示す工程
の一部を代えたものであり、従って以下の説明では図９
ないし図１７に示す一部の工程図をも参照することとす
る。
【０２００】まず図９，１０に示すように、下部コア層
１０上にレジスト層４１を利用して記録部１４を形成
し、さらに持ち上げ層２５を形成した後、図１１に示す
ように、記録部１４上から下部コア層１０上、さらには
持ち上げ層２５上にスパッタ法等を用いてコイル絶縁層
１５を形成する。
【０２０１】次に図１８に示すように、前記コイル絶縁
層１５上にレジスト層４３を塗布し、前記レジスト層４
３にコイルパターン４３ａを露光現像によって形成す
る。
【０２０２】次に前記レジスト層４３に形成されたコイ
ルパターン４３ａ内から露出するコイル絶縁層１５を、
反応性イオンエッチング法等を用いて削り、前記コイル
絶縁層１５に、前記レジスト層４３に形成されたコイル
パターン４３ａと同様の形状のコイル形成溝１５ａを形
成する。前記レジスト層４３を除去した状態が図１９に
示されている。
【０２０３】なお図１９に示すように、エッチング時間
等を適正に調整して、絶縁下地層１８が露出するのを限
度として、前記コイル絶縁層１５にコイル形成溝１５ａ
を形成する必要性がある。
【０２０４】前記絶縁下地層１８は、下部コア層１０と
コイル層１７間の磁気的な絶縁を確保するために設けら
れたものであるが、本発明においては、前記コイル絶縁
層１５をエッチングで削る際に、削りすぎを防止するた
めのストッパ層としての役割も担っている。
【０２０５】なお前記絶縁下地層１８が形成されていな
い場合には、エッチング時間等を適正に調整して、下部
コア層１０が露出しない程度まで前記コイル絶縁層１５
を削るようにすればよい。
【０２０６】図２０に示す工程では、前記コイル絶縁層
１５に形成されたコイル形成溝１５ａ内に導電性材料を
埋めてコイル層１７を形成する。なお図２０に示す実施
例では前記コイル層１７は記録部１４上、コイル絶縁層
１５上、さらには持ち上げ層２５にも形成される。
【０２０７】上記したように、前記コイル層１７は、電
気メッキ法、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法などにより
形成される。このうちスパッタ法でコイル層１７を形成
する場合には、コイル絶縁層１５に形成されたコイル形
成溝１５ａ内に前記コイル層１７を形成する際に前記コ
イル層１７に空洞部等の欠陥が形成されやすいので、電
気メッキ法やＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【０２０８】そして図２０に示すように前記コイル層１
７を例えばＣＭＰ技術等を用いてＦ−Ｆ線まで削る。前
記コイル層１７をＦ−Ｆ線まで削ることで、コイル層１
７の各導体部はコイル形成溝１５ａ内にのみ収められた
状態になり、また記録部１４の上面を基準平面としたと
きに、前記コイル絶縁層１５の上面及びコイル層１７の
上面は前記基準平面と同一面上になる。なおコイル層１
７をＦ−Ｆ線まで削っていく際に、コイル絶縁層１５表
面もそれに伴い削られていく。コイル層１７をＦ−Ｆ線
まで削った状態は図１６と同じであり、その後上記した
図１７工程と同様に、絶縁層２２の形成、第２のコイル
層２３の形成、絶縁層２４の形成、及び上部コア層１６
の形成が行われる。
【０２０９】図１８ないし図２０に示す工程を用いて、
図２に示す薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、ＣＭＰ
技術を用いて所定層を削る工程は図２０の一回だけで済
み、製造工程の簡略化を図ることができる。
【０２１０】一方、図９ないし図１７に示す工程を用い
て図２に示す薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、図１
１と図１５に示す工程でＣＭＰ技術を用いて所定層を削
る工程を必要としている。ただし図１２においてコイル
絶縁層１５を一旦平坦化面とすることで、前記コイル絶
縁層１５上にレジスト層４２の形成を容易におよび高精
度に行うことが可能である。
【０２１１】図２１ないし図２７には、図４に示す薄膜
磁気ヘッドの製造工程が図示されている。
【０２１２】まず図２１に示すように下部コア層１０上
に、メッキ下地層４０を形成した後、前記メッキ下地層
４０上にコイル絶縁層３０を形成する。
【０２１３】図２１に示すように、記録媒体との対向面
からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法
で形成された溝部３０ａを前記コイル絶縁層３０に形成
する。前記溝部３０ａは内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形
成されたトラック幅領域Ｈと前記トラック幅領域Ｈの両
側端部３０ｄ，３０ｄからコイル絶縁層３０の表面３０
ｂにかけて徐々に幅寸法が広がるように傾斜面３０ｃ，
３０ｃが形成された傾斜領域Ｂとで構成されている（図
３参照）。
【０２１４】次に図２１に示すように、前記コイル絶縁
層３０に形成された溝部３０ａ内に、記録部１４を形成
する。
【０２１５】図２１に示すように前記記録部１４は、下
から下部磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極
層１３で構成され、これら各層は、連続してメッキ形成
されている。
【０２１６】なお前記溝部３０ａ内に形成される記録部
１４の膜構成は、上記３層の構成に限られない。すなわ
ち、前記記録部１４は、下部磁極層１１と非磁性のギャ
ップ層１２から成り、あるいは非磁性のギャップ層１２
と上部磁極層１３とから成っていてもよい。また各磁極
層１１，１３およびギャップ層１２は単層で形成されて
いてもよいし、多層で形成されていてもよい。
【０２１７】また前記ギャップ層１２を、前記磁極層１
１，１３と共にメッキ形成することが好ましく、前記ギ
ャップ層１２を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金
属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２
種以上を選択することが好ましい。
【０２１８】次に前記コイル絶縁層３０に、記録部１４
よりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に穴部を形成し、
前記穴部内に持ち上げ層２５をメッキ形成するなどした
後、図２２に示すように前記記録部１４上からコイル絶
縁層３０上、さらには持ち上げ層２５上にレジスト層４
４を塗布し、前記レジスト層４４にコイルパターン４４
ａを形成する。
【０２１９】図２２に示すように、レジスト層４４に形
成されたコイルパターン４４ａからは、コイル絶縁層３
０の表面が露出し、次にコイルパターン４４ａから露出
するコイル絶縁層３０を反応性イオンエッチング法等を
用いて削っていく。
【０２２０】これにより前記レジスト層４４に形成され
たコイルパターン４４ａとほぼ同形状のコイル形成溝３
０ｅがコイル絶縁層３０に凹形成される。そして前記レ
ジスト層４４を除去した状態が図２３に示されている。
【０２２１】図２３に示すように前記コイル絶縁層３０
には、コイル形成溝３０ｅが形成されており、少なくと
も前記コイル形成溝３０ｅが形成された部分の底面に
は、コイル絶縁層３０が残された状態にされている。す
なわちコイル絶縁層３０を削り過ぎて、前記コイル形成
溝３０ｅの底面に下部コア層１０が露出してしまうと、
後に前記コイル形成溝３０ｅ内に埋められるコイル層１
７と下部コア層１０間の磁気的な絶縁を取ることができ
なくなるため、本発明では、下部コア層１０が露出しな
い程度まで前記コイル絶縁層３０を削ってコイル形成溝
３０ｅ下にコイル絶縁層３０を残す必要がある。
【０２２２】なお図１１に示す工程のように、予め下部
コア層１０上に形成されたメッキ下地層４０上に絶縁下
地層１８を形成しておき、前記絶縁下地層１８をコイル
絶縁層３０を削る際に、削りすぎを防止するストッパ層
として使用してもよい。
【０２２３】次に図２４に示すように、コイル絶縁層３
０に形成されたコイル形成溝３０ｅ内に導電性材料を埋
めてコイル層１７を形成する。図２４に示す実施例では
記録部１４上、コイル絶縁層３０上、及び持ち上げ層２
５上にもコイル層１７が形成される。このため前記コイ
ル層１７はコイル形成溝３０ｅ内に形成された各導体部
が、コイル絶縁層１５上において繋がれた状態になって
いる。
【０２２４】前記コイル層１７は、電気メッキ法、スパ
ッタ法、またはＣＶＤ法等の既存の方法を用いて形成す
ることができる。ただしスパッタ法を用いる場合は、前
記コイル絶縁層３０に形成されたコイル形成溝３０ｅ内
に前記コイル層１７を埋める際に前記コイル層１７に空
洞部が形成される危険性があるので、前記コイル層１７
の形成には、電気メッキ法あるいはＣＶＤ法を用いるこ
とが好ましい。
【０２２５】次に図２４に示すように、前記コイル層１
７をコイル形成溝３０ｅ内にのみ収めるために、前記コ
イル層１７を例えばＣＭＰ技術等を用いてＧ−Ｇ線まで
削り込む。前記コイル層１７をＧ−Ｇ線まで削ること
で、記録部１４の上面を基準平面としたときに前記コイ
ル絶縁層３０の上面及びコイル層１７の上面を前記基準
平面と同一面上にすることができる。
【０２２６】なお前記コイル層１７をＧ−Ｇ線まで削る
ことにより図２４に示すように、コイル絶縁層３０表面
もそれに伴い削られていく。前記コイル層１７をＧ−Ｇ
線まで削った状態は図２５に示されている。
【０２２７】図２５に示すように、記録部１４のハイト
方向後方にはコイル絶縁層３０が形成され、前記コイル
絶縁層３０にはコイル形成溝３０ｅが形成されている。
そして前記コイル形成溝３０ｅ内にコイル層１７が埋め
られて形成された状態になっている。また図２５に示す
ように、記録部１４上面を基準平面としたときにコイル
絶縁層３０の上面及びコイル層１７の上面は前記基準平
面と同一面上となっている。
【０２２８】最後に図２６に示すように、前記コイル絶
縁層３０及びコイル層１７上に絶縁層２２を形成し、前
記絶縁層２２上に第２のコイル層２３を形成する。さら
に前記第２のコイル層２３上に絶縁層２４を形成した
後、前記記録部１４上から絶縁層２４上にかけて上部コ
ア層１６をフレームメッキ法等で形成する。
【０２２９】図２６に示すように前記上部コア層１６の
先端部１６ａは記録部１４上に直接接続され、基端部１
６ｂは、持ち上げ層２５上に直接接続された状態とされ
る。
【０２３０】なお図６に示す薄膜磁気ヘッドを製造する
場合には、下部コア層１０上に主コイル絶縁層３１及び
副コイル絶縁層３２を形成した後、前記副コイル絶縁層
３２及び主コイル絶縁層３１の記録媒体との対向面付近
に溝部し、この溝部内に記録部１４を形成する。
【０２３１】図６に示す実施例では、主コイル絶縁層３
１の方が副コイル絶縁層３２よりもエッチングレートが
大きくなっている。
【０２３２】このエッチングレート差を利用し、まず副
コイル絶縁層３２に図５に示す傾斜面３２ａを有する溝
をイオンミリング等で形成した後、次に前記副コイル絶
縁層３２をマスクとして機能させ、ＲＩＥ法等を用い
て、前記副コイル絶縁層３２に形成された溝から露出す
る主コイル絶縁層３１に溝部３１ａをエッチング等で形
成するのである。この方法であると、前記溝部３１ａの
内幅寸法をレジストに対する露光現像の際の解像度以下
の寸法で形成することが可能になり、狭トラック化に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になって
いる。
【０２３３】上記のように主コイル絶縁層３１に溝部３
１ａを形成し、前記溝部３１ａ内に記録部１４を形成し
た後は、図２２ないし図２６に示す工程と同様に、副コ
イル絶縁層３２上にコイルパターンを有するレジスト層
を形成し、前記コイルパターンから露出する副コイル絶
縁層３２及び主コイル絶縁層３１を反応性イオンエッチ
ング法等を用いて削っていき、前記副コイル絶縁層３２
及び主コイル絶縁層３１にコイル形成溝３１ｃ，３２ｃ
を形成するのである。
【０２３４】その後、前記コイル形成溝３１ｃ，３２ｃ
内にコイル層１７を電気メッキ法等を用いて埋めた後、
ＣＭＰ技術等を用いて前記コイル層１７及び副コイル絶
縁層３２を平坦化し、次に絶縁層２２，２４、第２のコ
イル層２３、及び上部コア層１６の形成を行うことによ
り図６に示す薄膜磁気ヘッドを製造することが可能にな
っている。
【０２３５】図８に示す薄膜磁気ヘッドでは、図９ない
し図１７、あるいは図１８ないし図２０に示す製造方法
と類似した製造方法が使用される。
【０２３６】すなわち、まず下部コア層１０上にギャッ
プ層３３を形成した後、レジストを利用して、記録媒体
との対向面付近に上部磁極層３６を形成し、その後、コ
イル絶縁層３４を形成する。
【０２３７】この実施例では、前記ギャップ層３３を、
無機絶縁材料で形成することが好ましく、前記無機絶縁
材料には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、Ａ
ｌＳｉＮのうち１種または２種以上を選択することが好
ましい。
【０２３８】また上部磁極層３６の形成後、前記上部磁
極層３６およびギャップ層３３の両側面および下部コア
層１０表面を削り、前記下部コア層１０上から記録部１
４方向に突出し、且つ前記記録部１４と連続する隆起部
１０ｄを前記下部コア層１０と一体形成してもよい。こ
れにより、よりいっそうライトフリンジングの発生を抑
制することが可能になっている。
【０２３９】そして前記コイル絶縁層３４上に、コイル
パターンの形成されたレジスト層を形成し、反応性イオ
ンエッチングを用いて前記コイル絶縁層３４にコイル形
成溝３４ａを形成する。
【０２４０】次に前記コイル絶縁層３４に形成されたコ
イル形成溝３４ａ内に電気メッキ法等を用いて導電性材
料を埋めてコイル層１７を形成し、ＣＭＰ技術等を用い
て前記コイル層１７及びコイル絶縁層３４を平坦化し、
次に絶縁層２２，２４、第２のコイル層２３、及び上部
コア層１６の形成を行うことにより図８に示す薄膜磁気
ヘッドを製造することが可能になっている。
【０２４１】以上詳述した本発明における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、下部コア層１０上に記録部１４を形
成し、前記下部コア層１０上であって前記記録部１４の
ハイト方向後方にコイル絶縁層を形成した後、あるいは
下部コア層１０上にコイル絶縁層を形成し、前記コイル
絶縁層に溝部を形成して前記溝部内に記録部を形成した
後、前記コイル絶縁層上に、コイルパターンの形成され
たレジスト層を形成する。
【０２４２】次に前記レジスト層に形成されたコイルパ
ターン内から露出するコイル絶縁層を反応性イオンエッ
チング法等を用いて削り、これにより前記コイル絶縁層
にレジスト層に形成されたコイルパターンと同様のコイ
ル形成溝を凹形成することができる。
【０２４３】本発明では、コイル絶縁層を下部コア層１
０全面に形成した後、前記コイル絶縁層にエッチングに
よりコイル形成溝を形成する構成であるので、前記コイ
ル絶縁層に空洞部等の欠陥は形成されることはない。
【０２４４】そして前記コイル絶縁層に形成されたコイ
ル形成溝内に導電性材料を埋めてコイル層を形成し、Ｃ
ＭＰ技術等を用いて前記コイル層及びコイル絶縁層表面
を平坦化することで、前記コイル絶縁層に形成されたコ
イル形成溝内に適切にコイル層が埋められた状態にする
ことができる。
【０２４５】本発明では、特に記録部１４上面を基準平
面としたときに、前記コイル絶縁層及びコイル層１７の
上面を前記基準平面と同一平面上に位置せしめることが
可能であるので、コイル層を２層構造とした場合であっ
ても、前記記録部１４上から突出する絶縁層の盛り上が
りを低く抑えることができ、適切に短磁路化を図ること
ができると同時に、上部コア層を所定の形状で高精度に
パターン形成することが可能である。
【０２４６】なお本発明では、コイル層を１層構造で形
成してもよい。この場合、１層目に形成されるコイル層
のターン数を増やす必要性から前記コイル層の幅寸法は
大きくなり、短磁路化の観点からするとコイル層を２層
構造にした場合に比べ磁路長は長くなるが、記録部１４
上から盛り上がる層は絶縁層２２だけになるので、上部
コア層１６をより所定形状で高精度に形成することが可
能である。
【０２４７】なお本発明では図１０の工程で、下部コア
層１０上に形成された記録部１４のトラック幅方向の両
側端面を、イオンミリング法により削ることも可能であ
る。従って本発明では、前記記録部１４の幅寸法（＝ト
ラック幅Ｔｗ）を小さく形成して、狭トラック化に対応
可能な薄膜磁気ヘッドを製造することも可能である。本
発明によれば、前記記録部１４のトラック幅Ｔｗを、
０．７μｍ以下で形成することが好ましく、より好まし
くは０．５μｍ以下である。
【０２４８】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層上であって記録部よりもハイト方向後方にコイル絶縁
層を形成し、前記コイル絶縁層に形成されたコイル形成
溝内にコイル層を埋め込む構成であるので、前記記録部
上から盛り上がる各層の盛り上がりを小さくでき、よっ
て磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図ると同時
に、上部コア層をパターン精度良く形成することが可能
になる。
【０２４９】また本発明では記録部と上部コア層との接
合面を基準平面としたときに前記コイル絶縁層上面とコ
イル層上面が前記基準平面と同一面上となるように形成
することで、下部コア層と記録部間の段差部内において
前記コイル層の膜厚を最大限に膜厚を厚くすることが可
能であり、前記コイル層の幅寸法を小さくしても、コイ
ル抵抗値が上昇することなく、短磁路化を図ることが可
能である。
【０２５０】また本発明では、前記コイル層を２層の積
層構造とすることが好ましく、２層の積層構造とするこ
とで、さらにコイル層の幅寸法を小さくでき、より磁路
長を短くできてインダクタンスを低減させることができ
る。
【０２５１】また２層の積層構造にした場合であって
も、１層目のコイル層の上面は、前記のように前記トラ
ック幅規制部の表面を基準平面としたときに、前記基準
平面と同一面上に形成されるので、下部コア層上から第
２のコイル層を覆う第２コイル絶縁層上までの高さ寸法
を小さくでき、より磁路長を短くできると同時に、前記
基準平面からコイル層を覆う絶縁層の盛り上がりはそれ
ほど大きくはならず、上部コア層をパターン精度良く形
成することができる。
【０２５２】また本発明における製造方法では、下部コ
ア層上であって記録部のハイト方向後方にコイル絶縁層
を形成した後、前記コイル絶縁層にコイル形成溝を形成
し、前記コイル形成溝内にコイル層を埋め込む構成であ
るから、前記コイル絶縁層に空洞部等の欠陥が形成され
ることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、
【図３】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分正面図、
【図４】図３に示す４−４線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、
【図５】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分正面図、
【図６】図５に示す６−６線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、
【図７】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分正面図、
【図８】図７に示す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、
【図９】図２に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一
工程図、
【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１１】図１０に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１２】図１１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図１８】図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の製造方法を
示すに示す一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２０】図１９に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２１】図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
一工程図、
【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２３】図２２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２４】図２３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２６】図２５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、
【図２７】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、
【図２８】図２７に示す２８−２８線から切断した薄膜
磁気ヘッドの部分断面図、
【符号の説明】
１０ 下部コア層 １１ 下部磁極層 １２ ギャップ層 １３、３６ 上部磁極層 １４ 記録部 １５、３０、３４ コイル絶縁層 １５ａ、３０ｅ、３１ｃ、３２ｃ、３４ａ コイル形成
溝 １６ 上部コア層 １７ コイル層 １８ 絶縁下地層 ２３ 第２のコイル層 ３１ 主コイル絶縁層 ３２ 副コイル絶縁層 ４１、４２、４３、４４ レジスト層 Ａ 基準平面（記録部１４と上部コア層１６との接合
面）

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下部コア層と、上部コア層と、記録媒体
    との対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置
    する磁極層およびギャップ層とを有する記録部とが設け
    られ、 下部コア層上であって前記記録部のトラック幅方向にお
    ける両側からハイト方向の後方には、コイル絶縁層が形
    成され、前記コイル絶縁層は、主コイル絶縁層とその上に形成さ
    れた副コイル絶縁層とで構成され、前記主コイル絶縁層
    と副コイル絶縁層は共に無機絶縁層で形成され、前記主
    コイル絶縁層のエッチングレートの大きさは副コイル絶
    縁層のエッチングレートに比べて大きく、 前記主コイル絶縁層には、前記対向面からハイト方向に
    かけてトラック幅で形成された溝部が形成され、前記副
    コイル絶縁層には前記溝部の上端から前記副コイル絶縁
    層の上面にかけて、徐々にトラック幅方向に広がる傾斜
    面が形成され、 前記溝部には前記記録部が形成され、前記記録部上から
    前記傾斜面上にかけて前記上部コア層が形成され、 前記副コイル絶縁層及び主コイル絶縁層には連続してコ
    イル形成溝が形成されており、前記コイル形成溝内に、
    前記下部コア層および上部コア層ならびに前記記録部に
    記録磁界を誘導するコイル層が埋められて形成されてい
    ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記主コイル絶縁層は、ＡｌＯ、ＳｉＯ
    2 、Ｔａ 2 Ｏ 5 、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、
    ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ 3 、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯ
    Ｎのうち少なくとも１種からなる単層構造あるいは多層
    構造で形成され、前記副コイル絶縁層は、Ａｌ 2 Ｏ 3 及び
    ／またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成される請求項１記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記主コイル絶縁層は、ＳｉＯ 2 で形成
    され、前記副コイル絶縁層は、Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／またはＳ
    ｉ 3 Ｎ 4 で形成される請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記副コイル絶縁層の上面と前記コイル
    層の上面とが同一平面状に形成されている請求項１ない
    し３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記副コイル絶縁層の上面と前記コイル
    層の上面は、削られた面である請求項４記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記コイル層と下部コア層との間には、
    絶縁下地層が形成されている請求項１ないし５のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記コイル層の上には絶縁層が形成さ
    れ、前記絶縁層上に、前記コイル層と電気的に接続され
    て前記下部コア層および上部コア層ならびに前記記録部
    に記録磁界を誘導する第２のコイル層が形成されている
    請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記記録部は、下部コア層と直接接続さ
    れる下部磁極層と前記下部磁極層上に形成されるギャッ
    プ層とで構成され、または下部コア層上にギャップ層を
    介して前記上部コア層と直接接続される上部磁極層で構
    成され、あるいは下部コア層と直接接続される下部磁極
    層と前記下部磁極層上にギャップ層を介して積層され且
    つ上部コア層と直接接続される上部磁極層とで構成され
    る請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  9. 【請求項９】 前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非
    磁性金属材料で形成されている請求項８記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、Ｎｉ
    Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
    ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたもの
    である請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 （ａ）下部コア層上に、無機絶縁材料
    で主コイル絶縁層を形成し、前記主コイル絶縁層上に前
    記主コイル絶縁層よりもエッチングレートの小さい無機
    絶縁材料からなる副コイル絶縁層を形成する工程と、 （ｂ）前記副コイル絶縁層に記録媒体との対向面からハ
    イト方向に、前記副コイル絶縁層の上面から下面にかけ
    て徐々にトラック幅方向に狭くなる傾斜面を有する溝を
    形成する工程と、 （ｃ）前記溝から露出する主コイル絶縁層にトラック幅
    で形成された溝を形成する工程 と、 （ｄ）前記主コイル絶縁層に形成された溝内に磁極層と
    ギャップ層からなる記録部を形成する工程と、 （ｅ）前記副コイル絶縁層の上にレジスト層を形成し、
    前記レジスト層にコイルパターンを露光現像により形成
    する工程と、 （ｆ）前記レジスト層のコイルパターン内から露出する
    副コイル絶縁層及び主コイル絶縁層を下部コア層表面に
    到達しない程度まで削り、前記副コイル絶縁層及び主コ
    イル絶縁層にコイル形成溝を形成する工程と、 （ｇ）前記レジスト層を除去する工程と、 （ｈ）前記（ｆ）工程で主コイル絶縁層及び副コイル絶
    縁層に形成されたコイル形成溝内に導電性材料を埋めて
    前記コイル形成溝内にコイル層を形成する工程と、 （ｉ）前記副コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が
    同一面上になるように、コイル層及び副コイル絶縁層を
    削る工程と、 （ｊ）前記コイル層及びコイル絶縁層上に絶縁層を形成
    した後、前記記録部の上面から前記副コイル絶縁層に形
    成された傾斜面上、さらには前記コイル層及びコイル絶
    縁層上に形成された前記絶縁層上にかけて上部コア層を
    形成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記（ｂ）工程で、前記副コイル絶縁
    層に前記傾斜面を有する溝をイオンミリング法で形成
    し、前記（ｃ）工程で、主コイル絶縁層に、トラック幅
    で形成された溝をＲＩＥ法で形成する請求項１１記載の
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記（ａ）工程で、前記主コイル絶縁
    層を、ＡｌＯ、ＳｉＯ 2 、Ｔａ 2 Ｏ 5 、ＴｉＯ、ＡｌＮ、
    ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ 3 、
    ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる
    単層構造あるいは多層構造で形成し、前記副コイル絶縁
    層を、Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／またはＳｉ 3 Ｎ 4 で形成する請求項
    １１または１２に記載の薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 前記主コイル絶縁層を、ＳｉＯ 2 で形
    成し、前記副コイル絶縁層を、Ａｌ 2 Ｏ 3 及び／またはＳ
    ｉ 3 Ｎ 4 で形成する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】 （ｄ）工程において、記録部を、下部
    磁極層とギャップ層で構成し、またはギャップ層と上部
    磁極層とで構成し、あるいは下部磁極層とギャップ層と
    上部磁極層とで構成する請求項１１ないし１４のいずれ
    かに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記ギャップ層には、磁極層と共にメ
    ッキ形成可能な非磁性金属材料を選択する請求項１５記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、Ｎ
    ｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、
    Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択する請求項
    １６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 下部コア層上に主コイル絶縁層を形成
    する際に、予め前記下部コア層上に絶縁下地層を形成し
    ておき、（ｆ）工程において、前記絶縁下地層表面が現
    われるのを限度として、副コイル絶縁層及び主コイル絶
    縁層にコイル形成溝を凹形成する請求項１１ないし１７
    のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 （ｊ）工程で、コイル層の上及び副コ
    イル絶縁層の上に絶縁層を形成した後、前記絶縁層上に
    前記コイル層と電気的に接続される第２のコイル層を形
    成し、その後に前記第２のコイル層上に絶縁層を介して
    前記上部コア層を形成する請求項１１ないし１８のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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