JP3522620B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特に、磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図
ることができると同時に、下部コア層とコイル層間の絶
縁性耐圧を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３６は、従来における薄膜磁気ヘッド
（インダクティブヘッド）の構造を示す部分縦断面図で
ある。

【０００３】符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形
成された下部コア層であり、この下部コア層１の上であ
って、記録媒体との対向面付近には、記録部１２が形成
されている。

【０００４】前記記録部１２は、例えば、ギャップ層３
と磁性材料で形成された上部磁極層４とで構成されてい
る。

【０００５】また前記記録部１２のハイト方向（図示Ｙ
方向）後方であって上部コア層１上には、コイル層５が
形成されている。

【０００６】また前記コイル層５の各導体部のピッチ間
は、絶縁層１１によって埋められており、さらに前記コ
イル層５及び絶縁層１１の上には、有機材料等で形成さ
れた絶縁層７が形成されている。

【０００７】図３６に示すように、前記記録部１２上か
ら前記絶縁層７上にかけて、パーマロイなどで形成され
た上部コア層８が形成されており、前記上部コア層８の
先端部８ａは上部磁極層４上に、基端部８ｂは下部コア
層１上に磁気的に接続された状態となっている。なお前
記上部コア層８の先端は、図３６に示すように、記録媒
体との対向面から後退した位置に形成されていてもよい
し、あるいは前記先端は、記録媒体との対向面から露出
していてもよい。

【０００８】この薄膜磁気ヘッドでは、記録部１２のハ
イト方向の後方にコイル層５を設ける構成であり、上部
コア層８から下部コア層１を経て形成される磁路長を短
く形成でき、インダクタンスの低減を図り、今後の高記
録密度化に対応可能な形態となっている。

【０００９】ところで図３６に示すように、コイル層５
と下部コア層１間には、絶縁下地層９が形成されている
が、これにより前記コイル層５と下部コア層１間の電気
的な絶縁を保っている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図３６に
示す構成の薄膜磁気ヘッドでは、以下のような問題が発
生する。

【００１１】すなわち、コイル層５を記録部１２のハイ
ト方向（図示Ｙ方向）後方に形成する必要性から、前記
コイル層５と下部コア層１間に形成される絶縁下地層９
を薄く形成しなければならず、このため前記コイル層５
と下部コア層１間の絶縁性耐圧を十分に保つことができ
ないということである。

【００１２】前記絶縁下地層９には、例えばＡｌ₂Ｏ₃等
の無機絶縁材料を用い、スパッタ法等により薄い膜厚で
形成される。

【００１３】しかしながら、スパッタ法による薄膜形成
の際に、スパッタ装置内における塵（不純物）の存在に
より、絶縁下地層９内に、前記不純物が混入し易く前記
絶縁下地層９の絶縁性耐圧を低下させる原因となる。

【００１４】また前記絶縁下地層９をスパッタにより薄
い膜厚で形成すると、前記絶縁下地層９にピンホール等
が発生し易く、これにより、さらに絶縁性耐圧は低下し
てしまう。

【００１５】逆に、前記絶縁下地層９の膜厚を、下部コ
ア層１とコイル層５間の絶縁性耐圧を十分に確保できる
程度に厚く形成し、しかも図３６と同様に、コイル層５
の上面を記録部１２の上面とほぼ同一面上で形成する
と、前記コイル層５の膜厚は薄くなってしまい、コイル
抵抗値の低減の観点から、前記コイル層５の幅寸法Ｔ１
を大きく形成しなければならなくなり、よって上部コア
層８から下部コア層１を経て形成される磁路長の長磁路
化により、インダクタンスは上昇し、高記録密度化に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを製造できなくなる。

【００１６】また、絶縁下地層９の膜厚を厚く形成して
も、上記したように、スパッタ中の塵の混入により前記
絶縁下地層９の絶縁性耐圧を効果的に向上させることは
できないと考えられる。

【００１７】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に磁路長を短くしてインダクタンスの低
減を図ると共に、コイル層と下部コア層間の絶縁性耐圧
を向上させることが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法を提供することを目的としている。

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】

【００４０】

【００４１】

【００４２】

【００４３】

【課題を解決するための手段】 また本発明における薄膜
磁気ヘッドの製造方法は、 （ａ）下部コア層上に、磁極層とギャップ層からなる記
録部を形成する工程と、 （ｂ）前記記録部のハイト方向後方であって下部コア層
上に有機絶縁下地層を形成する工程と、 （ｃ）前記記録部上から前記有機絶縁下地層上にかけ
て、無機絶縁下地層を形成し、前記無機絶縁下地層上に
コイル絶縁層を形成した後、前記コイル絶縁層にエッチ
ングによりコイル形成溝を形成し、前記コイル形成溝内
に導電性材料を埋めてコイル層を形成する工程と、 （ｄ）前記コイル層及びコイル絶縁層上に絶縁層を形成
した後、前記絶縁層上に上部コア層を形成する工程と、 を有することを特徴とするものである。

【００４４】上記のように本発明では、下部コア層上に
記録部を形成した後、前記記録部のハイト方向後方であ
って下部コア層上に有機絶縁下地層を形成することがで
きる。前記有機絶縁下地層は、無機絶縁下地層よりも絶
縁性耐圧が良い。

【００４５】そして本発明によれば、前記有機絶縁下地
層上にコイル層を形成しており、これにより下部コア層
とコイル層間の絶縁性耐圧を、従来のように無機絶縁下
地層の１層で形成していた場合に比べ、より適切に向上
させることができる。

【００４６】特に前記有機絶縁材料で形成された絶縁下
地層は、膜厚が薄く形成されてもピンホール等の発生が
少ないため、前記有機絶縁下地層を、薄い膜厚で形成し
易く、これにより前記有機絶縁下地層上に形成されるコ
イル層の膜厚を厚く形成できるから、磁路長の短磁路化
を実現でき、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッド
を製造することが可能になっている。また本発明では、
下部コア層とコイル層間に有機絶縁下地層のみならず、
無機絶縁下地層をも形成している。無機絶縁下地層と有
機絶縁下地層との２層構造にすることにより、従来、無
機絶縁下地層の１層構造で形成されていた場合に比べ
て、絶縁性耐圧を向上させることが可能になる。また本
発明では、前記（ｃ）工程において、有機絶縁下地層上
あるいは無機絶縁下地層上にコイル絶縁層を形成した
後、前記コイル絶縁層にエッチングによりコイル形成溝
を形成し、前記コイル形成溝内に導電性材料を埋めてコ
イル層を形成するものである。

【００４７】

【００４８】

【００４９】

【００５０】また本発明では、前記無機絶縁下地層を、
ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、
ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯの
うち少なくとも１種以上の無機絶縁材料で形成すること
が好ましい。

【００５１】また前記有機絶縁下地層を、レジストある
いはポリイミドで形成することが好ましい。

【００５２】

【００５３】

【００５４】

【００５５】

【００５６】

【００５７】

【００５８】なお本発明では、前記（ａ）工程におい
て、記録部を、下部磁極層とギャップ層で構成し、また
はギャップ層と上部磁極層とで構成し、あるいは下部磁
極層とギャップ層と上部磁極層とで構成することが好ま
しい。

【００５９】この場合、前記ギャップ層には、磁極層と
共にメッキ形成可能な非磁性金属材料を選択することが
好ましく、前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰ
ｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｃｒ、ＮｉＣｕのうち１種または２種以上を選択す
ることが好ましい。

【００６０】また本発明では、前記（ａ）工程におい
て、記録部をギャップ層と上部磁極層とで構成し、ある
いは前記記録部の形成後、前記記録部の両側面および下
部コア層表面を削ることにより、前記下部コア層上から
記録部方向に突出し、且つ前記記録部と連続する隆起部
を前記下部コア層と一体形成する構成であってもよい。

【００６１】この場合、前記ギャップ層を、無機絶縁材
料で形成することが好ましく、前記無機絶縁材料には、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、
ＡｌＳｉＯのうち１種または２種以上を選択することが
好ましい。

【００６２】また本発明では、前記（ｃ）工程におい
て、コイル層及びコイル絶縁層を形成した後、記録部の
上面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面
及びコイル層の上面が前記基準平面と同一面上になるよ
うに、コイル層上面及びコイル絶縁層上面を削ることが
好ましい。

【００６３】また本発明では、前記コイル絶縁層を無機
絶縁材料で形成することが好ましい。

【００６４】また本発明では、（ｄ）工程において、コ
イル層の上及びコイル絶縁層の上に絶縁層を形成した
後、前記絶縁層上に前記コイル層と電気的に接続される
第２のコイル層を形成し、その後に前記第２のコイル層
上に絶縁層を介して前記上部コア層を形成すことが好ま
しい。これにより、さらなる短磁路化の実現により、イ
ンダクタンスの低減を図ることができ、今後の高記録密
度化にさらに対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。

【００６５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図、図３は、他の実施形態を示す本発明の薄膜磁
気ヘッドの縦断面図、図４は、他の実施形態を示す本発
明の薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。

【００６６】図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のイ
ンダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダ
クティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用
ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。

【００６７】図１及び図２に示す符号２０は、例えばパ
ーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であ
る。なお、前記下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが
積層される場合、前記下部コア層２０とは別個に、磁気
抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けて
もよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下
部コア層２０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層と
して機能させてもよい。

【００６８】また図１に示すように、後述する下部磁極
層２１の基端から延びる下部コア層２０の上面２０ａは
トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形
成されていてもよく、あるいは、上部コア層２６から離
れる方向に傾斜する傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されて
いてもよい。前記下部コア層２０の上面に傾斜面２０
ｂ，２０ｂが形成されることで、ライトフリンジングを
適切に防止することができる。

【００６９】図１に示すように、下部コア層２０の上に
は、記録部２４が形成されている。この実施例において
前記記録部２４はトラック幅Ｔｗで形成された、いわば
トラック幅規制部である。前記トラック幅Ｔｗは、０．
７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましく
は０．６μｍ以下である。これにより狭トラック化に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【００７０】図１ないし図４に示す実施例では、前記記
録部２４は、下部磁極層２１、ギャップ層２２、および
上部磁極層２３の３層膜の積層構造で構成されている。
以下、前記磁極層２１、２３およびギャップ層２２につ
いて説明する。

【００７１】図１ないし図４に示すように、前記下部コ
ア層２０上には、記録部２４の最下層となる下部磁極層
２１がメッキ形成されている。前記下部磁極層２１は、
下部コア層２０と磁気的に接続されており、前記下部磁
極層２１は、前記下部コア層２０と同じ材質でも異なる
材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜で
も多層膜で形成されていてもどちらでもよい。

【００７２】また図１及び図２に示すように、前記下部
磁極層２１上には、非磁性のギャップ層２２が積層され
ている。

【００７３】本発明では、前記ギャップ層２２は、非磁
性金属材料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形
成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性
金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭ
ｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、
ＮｉＣｕのうち１種または２種以上を選択することが好
ましく、前記ギャップ層２２は、単層膜で形成されてい
ても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。

【００７４】次に前記ギャップ層２２上には、後述する
上部コア層２６と磁気的に接続する上部磁極層２３がメ
ッキ形成されている。なお前記上部磁極層２３は、上部
コア層２６と同じ材質で形成されていてもよいし、異な
る材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜
で形成されていてもどちらでもよい。

【００７５】上記したようにギャップ層２２が、非磁性
金属材料で形成されていれば、下部磁極層２１、ギャッ
プ層２２および上部磁極層２３を連続してメッキ形成す
ることが可能になる。

【００７６】なお本発明では、前記記録部２４は、上記
３層膜の積層構造に限られない。例えば本発明では、前
記記録部２４は、下部コア層２０と直接接続される下部
磁極層２１と前記下部磁極層２１上に形成されるギャッ
プ層２２とで構成され、または下部コア層２０上にギャ
ップ層２２を介して前記上部コア層２６と直接接続され
る上部磁極層２３で構成される実施例を挙げることがで
きる。

【００７７】また上記したように、記録部２４を構成す
る下部磁極層２１および上部磁極層２３は、それぞれの
磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異な
る材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向
上させるためには、ギャップ層２２に対向する下部磁極
層２１および上部磁極層２３は、それぞれの磁極層が磁
気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和
磁束密度を有していることが好ましい。このように下部
磁極層２１および上部磁極層２３が高い飽和磁束密度を
有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中
させ、記録密度を向上させることが可能になる。

【００７８】また図１に示すように、前記記録部２４の
厚さ寸法はＨ４で形成されている。例えば一例として、
下部磁極層２１の膜厚は０．４μｍ程度、ギャップ層２
２の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層２３の膜厚は２
μｍ程度である。

【００７９】また前記記録部２４は、図２ないし図４に
示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成され
ている。

【００８０】前記長さ寸法Ｌ１は、ギャップデプスＧｄ
として規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄
膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることか
ら、予め所定の長さに設定される。

【００８１】図２ないし図４に示す実施例では、前記ギ
ャップデプスＧｄは、下部コア層２０上に形成されたＧ
ｄ決め絶縁層４５の形成位置で決定されており、前記Ｇ
ｄ決め絶縁層４５の前端面から記録媒体との対向面（Ａ
ＢＳ面）までの長さで前記ギャップデプスＧｄは調整さ
れる。

【００８２】図１に示す、下部コア層２０上であって記
録部２４の両側に形成された層２５はコイル絶縁層であ
る。

【００８３】前記コイル絶縁層２５は、図２ないし図４
に示すように、記録部２４のハイト方向（図示Ｙ方向）
後方であって下部コア層２０上全面に広がって形成され
ている。前記コイル絶縁層２５は、図２ないし図４に示
すように、コイル層２７を構成する各導体部のピッチ間
を埋めるために設けられたものである。

【００８４】前記記録部２４のハイト方向後方であって
下部コア層２０上に形成されたコイル層２７は、例えば
Ｃｕ等の電気抵抗値の低い導電性材料により形成されて
おり、巻き中心部２７ａを中心として螺旋状にパターン
形成されている。

【００８５】ところで、下部コア層２０上に形成される
コイル層２７及びコイル絶縁層２５の形成方法は、後で
後述するが、本発明では、下部コア層２０上にコイル層
２７を形成し、その後、前記コイル層２７を構成する各
導体部のピッチ間に、コイル絶縁層を埋めるか、あるい
は、下部コア層２０上にコイル絶縁層２５を形成した
後、前記コイル絶縁層２５にコイル形成溝を形成し、前
記コイル形成溝内にコイル層２７を埋め込み形成する方
法を選択することができる。

【００８６】また本発明では図２ないし図４に示すよう
に、コイル絶縁層２５の上面とコイル層２７の上面は同
一平面状で形成されていることが好ましい。これにより
前記コイル層２７の膜厚を前記コイル絶縁層２５の膜厚
内で最大限に大きくすることができ、前記コイル層２７
の各導体部の幅寸法を小さくしても、断面積に反比例す
るコイル抵抗値の増大を招くことはない。なお前記コイ
ル絶縁層２５の上面に対して、コイル層２７の上面が低
く形成されていてもかまわない。

【００８７】また前記コイル絶縁層２５の上面とコイル
層２７の上面とを同一平面状に形成するには、後述する
製造方法で説明するように、前記コイル絶縁層２５の上
面とコイル層２７の上面とを例えばＣＭＰ技術を用いて
削ることによって達成することができる。これにより前
記コイル絶縁層２５の上面とコイル層２７の上面は共に
削られた面となる。

【００８８】また本発明では図２ないし図４に示すよう
に、記録部２４と上部コア層２６との接合面を基準平面
Ａとしたときに、前記コイル絶縁層２５の上面とコイル
層２７の上面は前記基準平面Ａと同一面上に位置するこ
とが好ましい。これにより前記コイル層２７の膜厚を、
記録部２４と下部コア層２０間に形成される段差部内で
最大限に大きくすることができ、断面積に反比例するコ
イル抵抗値を増大させることなく、前記コイル層２７の
幅寸法をより適切に小さくすることが可能である。

【００８９】ただし本発明では図２ないし図４に示すよ
うに前記基準平面Ａとコイル絶縁層２５の上面及びコイ
ル層２７の上面が同一面上に形成されていなくてもよ
い。すなわち前記コイル絶縁層２５の上面及びコイル層
２７の上面が前記基準平面Ａより高く形成されても低く
形成されてもよい。

【００９０】また図１ないし図４に示す実施例の前記コ
イル絶縁層２５は、無機材料で形成された無機絶縁層で
あり、前記無機材料には、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、
ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯのうち少なくとも１種か
ら選択されることが好ましい。

【００９１】なお有機材料をコイル絶縁層２５として用
いることは、以下の理由により好ましくない。すなわち
後で詳述するように、コイル絶縁層２５の上面とコイル
層２７の上面とを例えばＣＭＰ技術を用いて削っていく
時に、前記コイル絶縁層２５が有機材料で形成されてい
ると、有機材料独特のねばりにより前記コイル絶縁層２
５の上面を適切に削ることができず、前記コイル絶縁層
２５の上面とコイル層２７の上面とを同一平面上で形成
しづらいからである。

【００９２】ただし上記したように、下部コア層２０上
に先にコイル層２７をパターン形成した後、前記コイル
層２７の各導体部のピッチ間にコイル絶縁層２５を埋め
込む製法の場合には、前記コイル絶縁層２５の埋め込み
工程の際に、前記コイル絶縁層２５に空洞部が形成され
易く好ましくない。前記コイル絶縁層２５に空洞部が形
成される理由は、前記コイル絶縁層２５を、スパッタ法
等で形成する際に、非常に狭い間隔のコイル層２７ピッ
チ間に、適切にコイル絶縁層２５の材質となる無機材料
が侵入しづらいからである。このため上記したように、
コイル層２７の各導体部のピッチ間にコイル絶縁層２５
を埋め込む製法の場合には、まず最初に有機材料をある
程度まで前記コイル層２７ピッチ間に埋め込み、その
後、前記有機材料層上に、無機材料のコイル絶縁層２５
を形成すれば、上記した空洞部形成の不具合は起こりに
くくなる。

【００９３】図２ないし図４に示すように、前記コイル
層２７及びコイル絶縁層２５上には、レジストやポリイ
ミドなどの有機材料で形成された絶縁層３２が形成され
ており、前記絶縁層３２上に第２のコイル層３３が螺旋
状にパターン形成されている。前記第２のコイル層３３
の巻き中心部３３ａは、記録部２４と上部コア層２６と
の接合面（基準平面Ａ）と同一面上に形成されたコイル
層２７の巻き中心部２７ａ上に直接電気的に接続された
状態になっている。

【００９４】図２ないし図４に示すように、前記第２の
コイル層３３は、レジストやポリイミドなどの有機材料
で形成された絶縁層３４によって覆われ、前記絶縁層３
４上には、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部
コア層２６がフレームメッキ法などにより形成されてい
る。

【００９５】図２ないし図４に示すように前記上部コア
層２６は、その先端部２６ａが、記録部２４上に接して
形成されており、また基端部２６ｂは、下部コア層２０
上に形成された磁性材料製の持上げ層（バックギャップ
層）３５上に磁気的に接続された状態となっている。な
お前記持上げ層３５は形成されていなくてもよく、この
場合、前記上部コア層２６の基端部２６ｂが、下部コア
層２０上にまで延びて、下部コア層２０上に直接磁気的
に接続された状態となる。また図１に示すように前記上
部コア層２６の先端部２６ａの幅寸法Ｔ３は、トラック
幅Ｔｗよりも大きく形成される。

【００９６】図２ないし図４に示す薄膜磁気ヘッドの構
造上の違いは、下部コア層２０とコイル層２７間に形成
される絶縁下地層の構造にある。

【００９７】図２に示すように下部コア層２０上にはメ
ッキ下地層３０が形成され、さらにその上に有機絶縁材
料で形成された有機絶縁下地層３１が形成されている。

【００９８】下部コア層２０とコイル層２７間は、適切
な絶縁性耐圧を持っていなければならない。絶縁性耐圧
を向上させるためには、無機絶縁材料よりも有機絶縁材
料を用いた方が好ましい。

【００９９】有機絶縁材料には、レジストやポリイミド
などが使用されるが、これらは下部コア層２０上に塗布
によって形成されるものであり、また有機材料独特のね
ばり等により、有機絶縁下地層３１には、ピンホール等
の欠陥が形成されにくいのである。

【０１００】一方、無機絶縁材料の場合には、一般的に
スパッタ法等を用いて絶縁下地層を形成することになる
が、この場合、スパッタ装置内の塵等の不純物の存在に
より、絶縁下地層に前記不純物が混入したり、また薄い
膜厚で形成された絶縁下地層にピンホール等の欠陥が形
成され易いなど、十分に絶縁性耐圧を向上させることは
困難な状況であった。

【０１０１】そこで本発明では、前記下部コア層２０と
コイル層２７間に、有機絶縁下地層３１を形成し、前記
絶縁下地層３１が薄い膜厚で形成された場合でも、前記
下部コア層２０とコイル層２７間の絶縁性耐圧を適切に
向上させることが可能になる。

【０１０２】また本発明では図３に示すように、下部コ
ア層２０上に無機絶縁材料で形成された無機絶縁下地層
３６を形成し、前記無機絶縁下地層３６上に、前記有機
絶縁下地層３１を形成してもよい。

【０１０３】あるいは本発明では図４に示すように、下
部コア層２０上に有機絶縁下地層３１を形成し、前記有
機絶縁下地層３１の上に、前記無機絶縁下地層３６を形
成してもよい。

【０１０４】すなわち図３及び図４に示す実施例の場合
では、下部コア層２０とコイル層２７間に２層の絶縁下
地層が形成されているのであり、従来のように無機絶縁
下地層の１層で形成されていた場合に比べて、絶縁性耐
圧を向上させることが可能になる。

【０１０５】また図３に示すように、下部コア層２０の
上に無機絶縁下地層３６を形成し、その上に、有機絶縁
下地層３１を形成した構成の場合では、前記無機絶縁下
地層３６に形成されたピンホール等の欠陥の問題は、前
記有機絶縁下地層３１形成することにより、前記ピンホ
ール内に前記有機絶縁下地層３１が埋まるなどして解決
され、より適切に絶縁性耐圧の向上を図ることが可能で
ある。

【０１０６】また本発明では、無機絶縁下地層３６及び
有機絶縁下地層３１が複数層、交互に積層された構成で
あってもよいが、この場合は特に、下部コア層２０とコ
イル層２７間の間隔を適性に制御しなければならない。

【０１０７】前記下部コア層２０とコイル層２７間の間
隔、換言すれば、図２に示す有機絶縁下地層３１の膜
厚、あるいは図３及び図４に示す有機絶縁下地層３１と
無機絶縁下地層３６の総合膜厚、さらには、複数の有機
絶縁下地層３１と複数の無機絶縁下地層３６の総合膜厚
は厚く形成されると、絶縁性耐圧を向上させる観点から
は好ましいが、逆に下部コア層２０から上部コア層２６
を経て形成される磁路長が長くなり、インダクタンスの
増大を招き好ましくない。

【０１０８】図２ないし図４に示す実施例では、コイル
層２７の上面は、記録部２４と上部コア層２６との接合
面（基準平面Ａ）と同一面上に形成されるので、前記コ
イル層２７と下部コア層２０間に形成される絶縁下地層
の膜厚が大きくなれば、それだけ前記コイル層２７の膜
厚は薄く形成されることになる。

【０１０９】前記コイル層２７の膜厚が薄く形成される
と、コイル抵抗値を低減させるためには、前記コイル層
２７の幅寸法Ｔ４を大きくする必要があり、そのため前
記下部コア層２０から上部コア層２６を経て形成される
磁路長は長くなり、インダクタンスの増大により、今後
の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製
造することができなくなる。

【０１１０】このため本発明では、下部コア層２０とコ
イル層２７間の間隔は絶縁性耐圧を十分に保つことがで
きる範囲内で、できる限り小さいことが好ましく、例え
ば間隔は、従来、下部コア層２０とコイル層２７間に一
層で形成されていた無機絶縁下地層の膜厚と同程度で形
成される。

【０１１１】具体的には、前記下部コア層２０とコイル
層２７間の間隔は、０．３５μｍ〜１．５μｍの範囲内
であることが好ましい。

【０１１２】上記範囲内であると、下部コア層２０とコ
イル層２７間の絶縁性耐圧を適切に保ちつつ、絶縁下地
層上に形成されるコイル層２７の膜厚を厚く形成するこ
とが可能である。

【０１１３】また、前記無機絶縁下地層３６の膜厚は、
０．１５μｍ〜０．５μｍの範囲内であることが好まし
い。

【０１１４】また前記有機絶縁下地層３１の膜厚は、
０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが好まし
い。

【０１１５】また本発明では前述したように有機絶縁下
地層３１として使用される有機絶縁材料には、レジスト
やポリイミドを使用することが好ましい。

【０１１６】また本発明では、前記無機絶縁下地層３６
は、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、
ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ｎｉ
Ｏ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉ
Ｏのうち少なくとも１種以上の無機絶縁材料で形成され
ていることが好ましい。

【０１１７】ところで図２ないし図４に示すように、有
機絶縁下地層３１は、下部コア層２０の記録部２４と持
上げ層３５の間に形成され、前記持上げ層３５よりもハ
イト方向（図示Ｙ方向）の後方側には形成されていな
い。

【０１１８】その理由は、図２ないし図４に示すよう
に、下部コア層２０は、持上げ層３５が形成されている
付近が基端部となっており、前記下部コア層２０のハイ
ト方向後方には、Ａｌ₂Ｏ₃等で形成された絶縁層３７が
形成されているからである。

【０１１９】前記下部コア層２０と絶縁層３７の表面
は、ＣＭＰ技術等を用いて互いに同一面に平坦化されて
おり、前記絶縁層３７の上には、コイル層２７の巻き中
心部２７ａ及び図示されていないが前記巻き中心部２７
ａからハイト方向後方に広がるコイル層２７の導体部が
形成されている。

【０１２０】すなわち上記したように下部コア層２０が
形成されていない部分では、前記コイル層２７の巻き中
心部２７ａ及びその導体部は、その下側に絶縁耐圧の高
い絶縁層３７が形成されているので、磁気的絶縁を確保
するための有機絶縁材料層３１を、わざわざ形成する必
要性はなく、よって前記有機絶縁下地層３１は、コイル
層２７と下部コア層２０間で磁気的な絶縁が必要となる
下部コア層２０上の記録部２４と持上げ層３５間に部分
的に形成されるのである。

【０１２１】ただ図３及び図４に示すように、無機絶縁
下地層３６を形成する場合には、前記無機絶縁下地層３
６は、前記絶縁層３７上にも形成される。上記したよう
に、絶縁層３７上に形成されるコイル層２７には、絶縁
性耐圧を上げるための絶縁下地層を敷いておく必要性は
ないのであるが、前記無機絶縁下地層３６を形成する工
程の際に、スパッタ法等で下部コア層２０上のみならず
絶縁層３７上にも前記無機絶縁下地層３６を形成する方
が簡便であるため、必然的に、絶縁層３７上にも無機絶
縁下地層３６が形成されているのである。よって絶縁性
耐圧向上の観点からすれば、前記絶縁層３７上に無機絶
縁下地層３６が形成されていても良いし、形成されてい
なくてもどちらでもよい。

【０１２２】図５は、本発明における他の実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図６は図５に示
す６−６線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から
見た部分断面図である。

【０１２３】図５及び図６示す符号２０は、Ｆｅ―Ｎｉ
系合金（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形
成された下部コア層である。

【０１２４】そして本発明では図５に示すように、前記
下部コア層２０上に絶縁材料で形成されたコイル絶縁層
４０が形成されている。前記絶縁材料は、無機材料で形
成されることが好ましく、例えばＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓ
ｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、
ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯのうち少なくとも１種か
らなり、前記コイル絶縁層４０は、単層であるいは多層
化されて形成されている。

【０１２５】また図５に示すように、前記コイル絶縁層
４０の厚さ寸法は最も膜厚が厚い部分はＨ９で形成さ
れ、具体的には、前記厚さ寸法Ｈ９は約１．０μｍから
４．０μｍ程度であることが好ましい。

【０１２６】本発明では、前記コイル絶縁層４０には、
前記コイル絶縁層４０の表面４０ｂから下部コア層２０
上にまで通じ、しかも記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）
からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて、所定の長さ寸
法Ｌ２で形成された溝部４０ａが形成されている。

【０１２７】さらに図５に示すように、前記溝部４０ａ
は、下部コア層２０上から一定の高さＨ１０までトラッ
ク幅Ｔｗで形成されたトラック幅領域Ｈと、前記トラッ
ク幅領域Ｈの上端４０ｄ，４０ｄからコイル絶縁層４０
の表面４０ｂにかけて、前記溝部４０ａの幅寸法が徐々
に広がるように傾斜面４０ｃ，４０ｃが形成された傾斜
領域Ｂとを有して構成されている。この溝部４０ａは、
例えば異方性エッチングを用いて形成される。

【０１２８】本発明では、前記溝部４０ａのトラック幅
領域Ｈの幅寸法（すなわちトラック幅Ｔｗ）は、０，７
μｍ以下で形成されており、好ましくは、０．６μｍ以
下で形成されている。

【０１２９】また図５に示す実施例では、前記トラック
幅領域Ｈの内部には、磁性層と非磁性のギャップ層から
なる記録部２４が積層形成されている。

【０１３０】前記記録部２４は、下から下部コア層２０
と直接接続される下部磁極層２１、非磁性のギャップ層
２２、及び上部コア層２６と直接接続される上部磁極層
２３とで構成されている。

【０１３１】なお前記ギャップ層２２は、非磁性金属材
料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形成される
ことが好ましい。本発明では、前記非磁性金属材料とし
て、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＣｕのうち
１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギ
ャップ層２２は、単層膜で形成されていても多層膜で形
成されていてもどちらであってもよい。

【０１３２】なお下部磁極層２１及び上部磁極層２３の
材質及び膜構成については図１に示す下部磁極層２１及
び上部磁極層２３と同じである。

【０１３３】また本発明では、前記記録部２４は、上記
３層膜の積層構造に限られない。例えば本発明では、前
記記録部２４は、下部コア層２０と直接接続される下部
磁極層２１と前記下部磁極層２１上に形成されるギャッ
プ層２２とで構成され、または下部コア層２０上にギャ
ップ層２２を介して前記上部コア層２６と直接接続され
る上部磁極層２３で構成される実施例を挙げることがで
きる。

【０１３４】そして本発明では、図５に示すように、上
部コア層２６は、溝部４０ａに形成された傾斜面４０
ｃ，４０ｃ上から、前記傾斜面４０ｃ，４０ｃとコイル
絶縁層４０の表面４０ｂとの境界部Ｃまで延び、さらに
前記境界部Ｃから下部コア層２０と離れる方向（図示上
方向）に延びて形成されている。

【０１３５】前記上部コア層２６は、図５に示すよう
に、その底面が、上部磁極層２３と磁気的に接続されて
いる。なお前記上部コア層２６は、パーマロイなどの磁
性材料で形成され、上部磁極層２３と同じ材質でも異な
った材質で形成されていてもどちらでもよい。

【０１３６】図５に示すように前記上部コア層２６のト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｔ５は、ト
ラック幅領域Ｈ内に形成された記録部２４の幅寸法（す
なわちトラック幅Ｔｗ）よりも大きく形成されている。
上部コア層２６の幅寸法Ｔ５が大きく形成されることで
磁気飽和を抑制することが可能になっている。

【０１３７】また図５に示す実施例では、前記コイル絶
縁層４０は、前記溝部４０ａの傾斜面４０ｃと前記コイ
ル絶縁層４０の表面４０ｂとの境界部Ｃ付近で膜厚がＨ
９で形成され、さらに前記境界部Ｃから、前記溝部４０
ａと離れる方向に向けて徐々に膜厚が薄くなるように形
成されている。図５に示すように前記コイル絶縁層４０
の表面４０ｂは、凹状に湾曲して形成されていることが
わかる。

【０１３８】このように図５では、前記コイル絶縁層４
０の表面４０ｂは、溝部４０ａから離れる方向に向けて
徐々に前記コイル絶縁層４０の膜厚が薄くなるように凹
状に湾曲した形状となっているが、前記コイル絶縁層４
０の膜厚はどの位置においても、ほぼ同じ膜厚で形成さ
れるようにしてもよいし、また前記コイル絶縁層４０の
表面４０ｂは、湾曲した形状でなく、テーパ面（傾斜
面）で形成されていてもかまわない。

【０１３９】図６に示すように、前記コイル絶縁層４０
は、下部コア層２０上であって記録部２４のハイト方向
（図示Ｙ方向）後方にかけて形成されている。

【０１４０】前記コイル絶縁層４０には、コイル形成溝
が形成され、前記コイル形成溝内にコイル層２７が埋め
込み形成されている。

【０１４１】この実施例においても図３に示す実施例と
同様に、下部コア層２０上であって、記録部２４と持上
げ層３５との間には、無機絶縁下地層３６が形成され、
前記無機絶縁下地層３６上に有機絶縁下地層３１が形成
されている。これにより前記下部コア層２０とコイル層
２７間の絶縁性耐圧を向上させることができる。

【０１４２】前記下部コア層２０とコイル層２７間の間
隔は、０．３５μｍ〜１．５μｍの範囲内であることが
好ましく、また前記無機絶縁下地層３６の膜厚は、０．
１５μｍ〜０．５μｍの範囲内、前記有機絶縁下地層３
１の膜厚は、０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内であるこ
とが好ましい。

【０１４３】上記範囲内であれば、前記絶縁下地層上に
形成されるコイル層２７の膜厚を大きく形成することが
でき、下部コア層２０から上部コア層２６を経て形成さ
れる磁路長の短磁路化を実現でき、今後の高記録密度化
に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０１４４】また本発明では図２に示すように、下部コ
ア層２０とコイル層２７との間に有機絶縁下地層３１の
みが形成されていてもよいし、また図４に示すように、
下部コア層２０上に有機絶縁下地層３１が形成され、そ
の上に無機絶縁下地層３６が形成された構造であっても
よい。

【０１４５】また図６に示すように、前記コイル絶縁層
４０の上面とコイル層２７の上面とは同一平面状で形成
されている方が、前記コイル絶縁層４０の膜厚内で前記
コイル層２７の膜厚を最大限に大きくすることが可能に
なっている。なお前記コイル絶縁層４０の上面とコイル
層２７の上面は削られた面であることが好ましい。これ
は後述する製造方法で説明するように、例えばＣＭＰ技
術などを用いることで、達成することができる。

【０１４６】また記録部２４と上部コア層２６との接合
面を基準平面Ａとしたときに、前記コイル絶縁層４０の
上面及びコイル層２７の上面が前記基準平面Ａと同一面
上に位置することが好ましい。これにより前記コイル層
２７の膜厚を、記録部２４と下部コア層２０間の段差部
内にて最大限に厚くすることができるから、コイル層２
７の幅寸法を小さくしても断面積に反比例するコイル抵
抗値は増大することはない。ただし図６では、前記基準
平面Ａよりもコイル絶縁層２５の上面及びコイル層２７
の上面が高い位置にまで形成されていることがわかる。

【０１４７】図６に示すように、前記コイル絶縁層４０
及びコイル層２７の上面には絶縁層３２が形成され、前
記絶縁層３２上には、第２のコイル層３３が螺旋状にパ
ターン形成されている。図６に示すように前記第２のコ
イル層３３の巻き中心部３３ａは、第１層目となるコイ
ル層２７の巻き中心部２７ａ上に直接形成され、前記コ
イル層２７と第２のコイル層３３とが電気的に接続され
た状態になっている。

【０１４８】前記第２のコイル層３３上には絶縁層３４
が形成され、さらに記録部２４上から前記絶縁層３４上
にかけて上部コア層２６が例えばフレームメッキ法等で
形成されている。図６に示すように前記上部コア層２６
の先端部２６ａは記録部２４上に直接接続されて形成さ
れ、基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁
性材料製の持上げ層（バックギャップ層）３５上に直接
接続されて形成され、これにより下部コア層２０から上
部コア層２６を経る磁路が形成される。

【０１４９】図２ないし図４に示す実施例と図６に示す
実施例では、後述するように製造方法に相違点がある。

【０１５０】図２ないし図４に示す実施例では、まず下
部コア層２０上に記録部２４を形成した後、前記下部コ
ア層２０上に、有機絶縁下地層３１、あるいは前記有機
絶縁下地層３１と無機絶縁下地層３６を形成し、その
後、前記絶縁下地層上にコイル層２７の形成及びコイル
絶縁層２５の形成を行う。

【０１５１】これに対し、図６に示す実施例では、まず
下部コア層２０上に、有機絶縁下地層３１、あるいは前
記無機絶縁下地層３６と有機絶縁下地層３１を形成した
後、コイル絶縁層４０の形成と記録部２４の形成を行
い、最終段階でコイル層２７の形成を行うのである。

【０１５２】図７は、本発明における他の実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図８は図７に示
す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から
見た部分断面図である。

【０１５３】図７に示す符号２０は、Ｆｅ―Ｎｉ系合金
（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成され
た下部コア層である。

【０１５４】そして本発明では図７に示すように、前記
下部コア層２０上には絶縁材料で形成された主コイル絶
縁層４１と前記主コイル絶縁層４１上に積層された副コ
イル絶縁層４２とが形成されている。

【０１５５】前記主コイル絶縁層４１及び副コイル絶縁
層４２は共に無機材料の無機絶縁層で形成されることが
好ましい。ただしこの実施例では、主コイル絶縁層４１
のエッチングレートの大きさは、副コイル絶縁層４２の
エッチングレートに比べ大きいことが好ましい。特に１
０倍以上のエッチングレート差があることがより好まし
い。

【０１５６】前記主コイル絶縁層４１には、例えばＡｌ
Ｏ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、Ｃ
ｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなり、前記主
コイル絶縁層４１は、単層であるいは多層化されて形成
されている。

【０１５７】例えば前記主コイル絶縁層４１がＳｉＯ₂
で形成される場合には、前記副コイル絶縁層４２は、Ａ
ｌ₂Ｏ₃及び／またはＳｉ₃Ｎ₄で形成されることが好まし
い。

【０１５８】前記主コイル絶縁層４１をＳｉＯ₂で形成
し、副コイル絶縁層４２をＡｌ₂Ｏ₃で形成し、反応性イ
オンエッチングの際に使用されるガスとしてＣ₃Ｆ₈＋
（Ａｒ）を使用した場合、反応性イオンエッチングに対
する前記主コイル絶縁層４１のエッチングレートを、副
コイル絶縁層４２のエッチングレートに比べて１５倍程
度大きくすることができる。

【０１５９】また前記主コイル絶縁層４１をＳｉＯ₂で
形成し、副コイル絶縁層４２をＳｉ₃Ｎ₄で形成し、反応
性イオンエッチングの際に使用されるガスとしてＣ₅Ｆ₈
＋（Ａｒ）を使用した場合、反応性イオンエッチングに
対する前記主コイル絶縁層４１のエッチングレートを、
副コイル絶縁層４２のエッチングレートに比べて１５倍
程度大きくすることができる。

【０１６０】図７に示すように、前記主コイル絶縁層４
１には、トラック幅Ｔｗで形成された溝部４１ａが形成
され、この溝部４１ａは、記録媒体との対向面からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）後方にかけて所定の長さで形成さ
れている。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下であ
ることが好ましく、より好ましくは０．６μｍ以下であ
る。

【０１６１】また図７に示すように主コイル絶縁層４１
は厚さ寸法がＨ６で形成され、前記厚さ寸法Ｈ６は約
１．０μｍから４．０μｍ程度であることが好ましい。
また前記主コイル絶縁層４１上に形成された副コイル絶
縁層４２は厚さ寸法がＨ７で形成され、前記厚さ寸法Ｈ
７は、主コイル絶縁層４１の厚さ寸法Ｈ６よりも小さく
形成されることが好ましい。なお前記副コイル絶縁層４
２は、単層膜で形成されていてもよいし、多層膜で形成
されていてもよい。

【０１６２】図７に示すように、前記主コイル絶縁層４
１に形成された溝部４１ａ内には、下から下部磁極層２
１、非磁性のギャップ層２２及び上部磁極層２３の３層
で構成される記録部２４が形成されている。

【０１６３】なお前記ギャップ層２２は、非磁性金属材
料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形成される
ことが好ましい。本発明では、前記非磁性金属材料とし
て、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＣｕのうち
１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギ
ャップ層２２は、単層膜で形成されていても多層膜で形
成されていてもどちらであってもよい。

【０１６４】なお下部磁極層２１及び上部磁極層２３の
材質及び膜構成については図１に示す下部磁極層２１及
び上部磁極層２３と同じである。

【０１６５】また本発明では、前記記録部２４は、上記
３層膜の積層構造に限られない。例えば本発明では、前
記記録部２４は、下部コア層２０と直接接続される下部
磁極層２１と前記下部磁極層２１上に形成されるギャッ
プ層２２とで構成され、または下部コア層２０上にギャ
ップ層２２を介して前記上部コア層２６と直接接続され
る上部磁極層２３で構成される実施例を挙げることがで
きる。

【０１６６】また図７に示すように前記主コイル絶縁層
４１上に形成された副コイル絶縁層４２には、前記主コ
イル絶縁層４１に形成された溝部４１ａの上端から前記
副コイル絶縁層４２にかけて、徐々にトラック幅方向
（図示Ｘ方向）に広がる傾斜面４２ａ，４２ａが形成さ
れている。

【０１６７】そして前記溝部４１ａ内に形成された上部
磁極層２３表面から前記傾斜面４２ａ上にかけて、上部
コア層２６がフレームメッキ法などで形成されている。
前記上部コア層２６は、傾斜面４２ａと副コイル絶縁層
４２の表面４２ｂとの境界部Ｃにまで延びて形成される
ことが好ましい。前記上部コア層２６が前記境界部Ｃま
で延びて形成されれば、前記上部コア層２６の幅寸法を
大きくすることができ、今後の高記録密度化においても
磁気飽和が起こりにくくなる。

【０１６８】図８に示すように前記主コイル絶縁層４１
及び副コイル絶縁層４２は、下部コア層２０上であっ
て、前記記録部２４のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に
かけて形成されている。

【０１６９】また図８に示すように前記副コイル絶縁層
４２及び主コイル絶縁層４１には連続してコイル形成溝
が形成され、前記コイル形成溝内に、コイル層２７が埋
め込み形成されている。

【０１７０】この実施例においても、前記コイル層２７
と下部コア層２０との間には、無機絶縁下地層３６と有
機絶縁下地層３１が介在している。無機絶縁下地層３６
のみならず前記無機絶縁下地層３６の上に、有機絶縁下
地層３１を形成することで、前記無機絶縁下地層３６に
形成されるピンホール等の欠陥が前記有機絶縁下地層３
１により適正に塞がれ、前記コイル層２７と下部コア層
２０間の絶縁性耐圧を向上させることが可能である。

【０１７１】また本発明では、絶縁下地層は上記の構成
以外であっても良く、図２に示すように、有機絶縁下地
層３１のみで形成されてもよいし、また図４に示すよう
に有機絶縁下地層３１の上に無機絶縁下地層３６が形成
されていてもよい。

【０１７２】なお本発明では、前記コイル層２７と下部
コア層２０間の間隔は、０．３５μｍ〜１．５μｍの範
囲内であることが好ましく、この場合、前記無機絶縁下
地層３６の膜厚は、０．１５μｍ〜０．５μｍの範囲内
であることが好ましく、また前記有機絶縁下地層３１の
膜厚は、０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが
好ましい。

【０１７３】また図８に示すように、前記副コイル絶縁
層４２の上面とコイル層２７の上面とは同一平面上で形
成されている方が、前記主コイル絶縁層４１及び副コイ
ル絶縁層４２の膜厚内で前記コイル層２７の膜厚を最大
限に大きくすることが可能になっている。なお前記副コ
イル絶縁層４２の上面とコイル層２７の上面は削られた
面であることが好ましい。これは後述する製造方法で説
明するように、例えばＣＭＰ技術などを用いることで、
達成することができる。

【０１７４】また、記録部２４と上部コア層２６との接
合面を基準平面Ａとしたときに、前記副コイル絶縁層４
２の上面及びコイル層２７の上面が前記基準平面Ａと同
一面上に位置することが好ましい。これにより前記コイ
ル層２７の膜厚を記録部２４と下部コア層２０間の段差
部内で最大限に厚くすることができるから、コイル層２
７の幅寸法を小さくしても断面積に反比例するコイル抵
抗値は増大することはない。ただし図８では、前記基準
平面Ａよりも副コイル絶縁層４２の上面及びコイル層２
７の上面は高い位置に形成されている。

【０１７５】図８に示すように、前記副コイル絶縁層４
２及びコイル層２７の上面には絶縁層３２が形成され、
前記絶縁層３２上には、第２のコイル層３３が螺旋状に
パターン形成されている。図８に示すように前記第２の
コイル層３３の巻き中心部３３ａは、第１層目となるコ
イル層２７の巻き中心部２７ａ上に直接形成され、前記
コイル層２７と第２のコイル層３３とが電気的に接続さ
れた状態になっている。

【０１７６】前記第２のコイル層３３上には絶縁層３４
が形成され、さらに記録部２４上から前記絶縁層３４上
にかけて上部コア層２６が例えばフレームメッキ法等で
形成されている。図８に示すように前記上部コア層２６
の先端部２６ａは記録部２４上に直接接続されて形成さ
れ、基端部２６ｂは、下部コア層２６上に形成された磁
性材料製の持上げ層（バックギャップ層）３５上に直接
接続されて形成され、これにより下部コア層２０から上
部コア層２６を経る磁路が形成される。

【０１７７】図９は、本発明における他の実施形態の薄
膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図１０は図９に
示す１０−１０線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方
向から見た部分断面図である。

【０１７８】図９に示す符号２０は、Ｆｅ―Ｎｉ系合金
（パーマロイ）などの高透磁率の軟磁性材料で形成され
た下部コア層である。

【０１７９】そして本発明では図９に示すように、前記
下部コア層２０上には非磁性のギャップ層４３と上部コ
ア層２６と直接接続される上部磁極層４６とで構成され
た記録部２４が形成され、前記記録部２４はトラック幅
Ｔｗで形成されている。

【０１８０】本発明では、前記ギャップ層は、無機絶縁
材料で形成されることが好ましく、この場合、前記無機
絶縁材料は、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯのうち１種または２種以上から
選択されることが好ましい。

【０１８１】また図９に示すように、前記ギャップ層４
３の基端から延びる下部コア層２０の上面２０ａはトラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形成さ
れていてもよく、あるいは、前記上部コア層２６から離
れる方向に傾斜する傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されて
いてもよい。前記下部コア層２０の上面に傾斜面２０
ｂ，２０ｂが形成されることで、よりいっそうライトフ
リンジングを適切に防止することができる。

【０１８２】また図９に示すように、前記下部コア層１
０は符号２０ｃの部分まで削られて、前記下部コア層２
０に上部コア層２６方向に突出する隆起部２０ｄが形成
され、この隆起部２０ｄ上に記録部２４が形成された構
成であれば、さらにライトフリンジングの発生を抑制可
能である。

【０１８３】前記隆起部２０ｄの幅寸法はトラック幅Ｔ
ｗで形成され、また高さ寸法はＨ１１で形成され、例え
ば、前記高さ寸法Ｈ１１は、０．２μｍから０．５μｍ
の範囲内である。

【０１８４】図９に示すように前記記録部２４のトラッ
ク幅方向（図示Ｘ方向）両側には、コイル絶縁層４４が
形成されている。そして前記記録部２４上から前記コイ
ル絶縁層４４上にかけてトラック幅Ｔｗよりも大きい幅
寸法を有する上部コア層２６が形成されている。なお前
記上部コア層２６の幅寸法は点線で図示されているよう
にトラック幅Ｔｗで形成されていてもよい。

【０１８５】図１０示すように、前記下部コア層２０上
であって記録部２４のハイト方向（図示Ｙ方向）後方に
はコイル絶縁層４４が形成されている。前記コイル絶縁
層４４は、コイル層２７の各導体部のピッチ間に埋めら
れている。

【０１８６】前記コイル絶縁層４４及びコイル層２７の
形成は、先に図２ないし図４で説明した通りであり、前
記コイル層２７の形成の後に、コイル絶縁層４４が形成
されるか、あるいは、前記コイル絶縁層４４を形成し、
前記コイル絶縁層４４にコイル形成溝を形成した後、前
記コイル形成溝内を導電性材料で埋めてコイル層２７を
形成するかの、どちらかの方法が採られる。

【０１８７】この実施例においては、図１０に示すよう
に、ギャップ層４３が下部コア層２０上のコイル層２７
が形成されるべき位置にも延びて形成されている。

【０１８８】このため前記コイル層２７と下部コア層２
０間には、前記ギャップ層４３が介在することになる
が、前記ギャップ層４３は膜厚が薄く形成されており、
この一層のみでは前記コイル層２７と下部コア層２０間
の絶縁性耐圧を適正に保つことは難しい。

【０１８９】また前記コイル層２７と下部コア層２０間
に前記ギャップ層４３のみならず、無機絶縁下地層３６
を形成した場合も、前記無機絶縁下地層３６に形成され
るピンホール等の欠陥の影響で、絶縁性耐圧を向上させ
ることはできない。このため本発明では図１０に示すよ
うに前記下部コア層２０とコイル層２７間にさらに有機
絶縁下地層３１を設けている。これにより前記無機絶縁
下地層３６に形成されたピンホールは、前記有機絶縁下
地層３１により適切に埋められ、絶縁性耐圧を向上させ
ることが可能になる。

【０１９０】ただし本発明では、前記ギャップ層４３上
に有機絶縁下地層３１のみが形成されていてもよいし、
あるいは前記ギャップ層４３上に有機絶縁下地層３１が
形成されて、その上に無機絶縁下地層３６が形成された
構成であっても、適切に下部コア層２０とコイル層２７
間の絶縁性耐圧を向上させることができる。

【０１９１】なお本発明では、下部コア層２０とコイル
層２７間の間隔は、０．３５μｍ〜１．５μｍの範囲内
であることが好ましく、この場合、前記無機絶縁下地層
３６の膜厚は、０．１５μｍ〜０．５μｍの範囲内であ
り、また前記有機絶縁下地層３１の膜厚は、０．２μｍ
〜１．０μｍの範囲内であることが好ましい。

【０１９２】なお、有機絶縁下地層３１及び無機絶縁下
地層３６の材質については、図２ないし図４で説明した
ものと同じである。

【０１９３】また図１０に示すように、前記ギャップ層
４３上にはＧｄ決め絶縁層４５が形成され、前記Ｇｄ決
め絶縁層４５の前端面から記録媒体との対向面までの長
さＬ３でギャップデプス（Ｇｄ）が決定される。

【０１９４】また前記コイル層２７は、巻き中心部２７
ａを中心として螺旋状にパターン形成されたものであ
り、例えばＣｕなどの電気抵抗の小さい非磁性導電材料
により形成されている。

【０１９５】本発明では図１０に示すように、コイル絶
縁層４４の上面とコイル層２７の上面は同一平面状で形
成されていることが好ましい。これにより前記コイル層
２７の膜厚を前記コイル絶縁層４４の膜厚内で最大限に
大きくすることができ、前記コイル層２７の各導体部の
幅寸法を小さくしても、断面積に反比例するコイル抵抗
値の増大を招くことはない。

【０１９６】また前記コイル絶縁層４４の上面とコイル
層２７の上面とを同一平面状に形成するには、前記コイ
ル絶縁層４４の上面とコイル層２７の上面とを例えばＣ
ＭＰ技術を用いて削ることによって達成することができ
る。これにより前記コイル絶縁層４４の上面とコイル層
２７の上面は削られた面となる。

【０１９７】また本発明では図１０に示すように、記録
部２４と上部コア層２６との接合面を基準平面Ａとした
ときに、前記コイル絶縁層４４の上面とコイル層２７の
上面は前記基準平面Ａと同一面上に位置することが好ま
しい。これにより前記コイル層２７の膜厚を、記録部２
４と下部コア層２０間の段差部内で最大限に大きくする
ことができ、断面積に反比例するコイル抵抗値を増大さ
せることなく、前記コイル層２７の幅寸法をより適切に
小さくすることが可能である。

【０１９８】また前記コイル絶縁層４４は、無機材料で
形成された無機絶縁層であり、前記無機材料には、Ａｌ
Ｏ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、Ｗ
Ｏ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯのう
ち少なくとも１種から選択されることが好ましい。

【０１９９】図１０に示すように、前記コイル層２７及
びコイル絶縁層４４上には、レジストやポリイミドなど
の有機材料で形成された絶縁層３２が形成されており、
前記絶縁層３２上に第２のコイル層３３が螺旋状にパタ
ーン形成されている。前記第２のコイル層３３の巻き中
心部３３ａは、記録部２４と上部コア層２６との接合面
（基準平面Ａ）と同一面上に形成されたコイル層２７の
巻き中心部２７ａ上に直接磁気的に接続された状態にな
っている。

【０２００】図１０に示すように、前記第２のコイル層
３３は、レジストやポリイミドなどの有機材料で形成さ
れた絶縁層３４によって覆われ、前記絶縁層３４上に
は、パーマロイなどの磁性材料で形成された上部コア層
２６がフレームメッキ法などにより形成されている。

【０２０１】図１０に示すように前記上部コア層２６
は、その先端部２６ａが、記録部２４上に接して形成さ
れており、また基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形
成された磁性材料製の持上げ層（バックギャップ層）３
５上に磁気的に接続された状態となっている。なお前記
持上げ層３５は形成されていなくてもよく、この場合、
前記上部コア層２６の基端部２６ｂが、下部コア層２０
上にまで延びて、下部コア層２０上に直接磁気的に接続
された状態となる。

【０２０２】以上詳述した図１ないし図１０に示すイン
ダクティブヘッドでは、コイル層２７および第２のコイ
ル層３３に記録電流が与えられると、下部コア層２０及
び上部コア層２６に記録磁界が誘導され、前記上部コア
層２６および下部コア層２０に直接接続される磁極層
間、あるいは片一方のコア層にしか磁極層が形成されて
いない場合には、前記磁極層と他方のコア層間からの洩
れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信
号が記録される。

【０２０３】本発明では図２、３、４、６、８及び１０
に示すように、下部コア層２０とコイル層２７との間に
は、有機絶縁下地層３１が形成され、あるいは前記有機
絶縁下地層３１と無機絶縁下地層３６の２層が積層され
て形成されている。

【０２０４】前記下部コア層２０とコイル層２７間に
は、従来において無機絶縁下地層３６のみが形成され、
この一層により前記下部コア層２０とコイル層２７間の
絶縁性耐圧を確保しようとしていたが、実際には、薄い
膜厚で形成される無機絶縁下地層３６にピンホール等の
欠陥が発生し易く、絶縁性耐圧を低下させる原因となっ
ていた。

【０２０５】本発明では上記のように、下部コア層２０
とコイル層２７間に、有機絶縁下地層３１を新たに設け
ることで、前記有機絶縁材料独特のねばり等により、ピ
ンホール等は生じにくくなり、また有機絶縁下地層３１
形成の際に、不純物が混入しにくく、前記下部コア層２
０とコイル層２７間の絶縁性耐圧を従来に比べて向上さ
せることが可能である。

【０２０６】ただし、有機絶縁下地層３１、あるいは有
機絶縁下地層３１と無機絶縁下地層３６の２層構造で形
成される絶縁下地層の膜厚は、あまり厚く形成されては
ならない。本発明では、前記下部コア層２０とコイル層
２７間の間隔、すなわち絶縁下地層の膜厚は、０．３５
μｍ〜１．５μｍの範囲内であることが好ましい。この
数値範囲は、従来において下部コア層２０とコイル層２
７間に一層のみで形成されていた無機絶縁下地層３６の
膜厚と同程度である。

【０２０７】このように絶縁下地層を薄い膜厚で形成す
れば、前記絶縁下地層上に形成されるコイル層２７の膜
厚を厚く形成することが可能である。

【０２０８】よって前記コイル層２７の幅寸法Ｔ４を小
さくすることができ、下部コア層２０から上部コア層２
７を経て形成される磁路長を短くすることができ、イン
ダクタンスの低下を図り、今後の高記録密度化に対応可
能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０２０９】また図２、３，４、６、８及び１０に示す
ように、コイルは２層構造で構成されている。

【０２１０】このようにコイルを２層構造にする理由
は、コイルのターン数を第１層目となるコイル層２７と
第２のコイル層３３に分配することで、コイル層２７の
幅寸法Ｔ４をさらに小さくし、下部コア層２０から上部
コア層２６を経て形成される磁路長を短くすることにあ
る。これによりさらなるインダクタンスの低減を図るこ
とができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。ただしコイルは、
前記コイル層２７の一層のみで構成されていてもかまわ
ない。

【０２１１】なお前記上部コア層２６の先端は、記録媒
体との対向面に露出形成されていてもよいし、また図
２、３、４、及び１０に示すように、前記記録媒体との
対向面から後退して形成されていてもよい。好ましくは
後退していた方が、上部コア層２６からの漏れ磁界が発
生しずらく、サイドフリンジングを適切に防止でき、ト
ラック幅Ｔｗ内の書込み特性に有利である。

【０２１２】図１１ないし図２０には、図４に示す薄膜
磁気ヘッドの製造工程が図示されている。

【０２１３】図１１に示すように、まず下部コア層２０
上にパーマロイなどの磁性材料からなるメッキ下地層３
０を形成し、ギャップデプスを決めるＧｄ決め絶縁層４
５を形成後、前記メッキ下地層３０上にレジスト層５１
を塗布形成している。前記レジスト層５１の厚さ寸法Ｈ
８は、少なくとも図１に示す完成した薄膜磁気ヘッドに
おける記録部２４の厚さ寸法Ｈ４よりも厚く形成されて
いなければならない。

【０２１４】次に前記レジスト層５１に露光現像によっ
て、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）
に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向（図示
Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝５１ａを形成
し、前記溝５１ａ内に、記録部２４を形成する。

【０２１５】図１１に示すように前記記録部２４は、下
から下部磁極層２１、ギャップ層２２、および上部磁極
層２３で構成され、これら各層は、連続してメッキ形成
されている。

【０２１６】なお前記溝５１ａ内に形成される記録部２
４の膜構成は、上記３層の構成に限られない。すなわ
ち、前記記録部２４は、下部磁極層２１と非磁性のギャ
ップ層２２から成り、あるいは非磁性のギャップ層２２
と上部磁極層２３とから成っていてもよい。また各磁極
層２１，２３およびギャップ層２２は単層で形成されて
いてもよいし、多層で形成されていてもよい。

【０２１７】また前記ギャップ層２２を、前記磁極層２
１，２３と共にメッキ形成することが好ましく、前記ギ
ャップ層２２を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金
属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＣｕのうち１
種または２種以上を選択することが好ましい。

【０２１８】図１２に示す工程では前記レジスト層５１
を除去した状態を示しており、前記下部コア層２０上に
は、ＡＢＳ面付近に記録部２４が形成され、また場合に
よっては、前記記録部２４形成後、前記記録部２４から
ハイト方向に離れた位置に持上げ層３５を形成する。

【０２１９】なお図１２に示す記録部２４の両側面（図
示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向（図示Ｘ方
向）からイオンミリングで削り、前記記録部２４の幅寸
法を小さくすることも可能である。このイオンミリング
によって削られた記録部２４の幅寸法がトラック幅Ｔｗ
として規定される。

【０２２０】なお前記イオンミリングによって、下部磁
極層２１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の下部コア層２０の上面も削れていき、図１に示す
ような傾斜面２０ｂ，２０ｂが前記下部コア層２０上面
に形成される。

【０２２１】次に図１３に示す工程では、前記下部コア
層２０上に、有機絶縁材料で形成された有機絶縁下地層
３１を形成する。前記有機絶縁下地層３１の膜厚は、
０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが好まし
く、また前記有機絶縁材料としては、レジストやポリイ
ミドを使用することが好ましい。

【０２２２】そして、記録部２４上から前記有機絶縁下
地層３１上、さらには持上げ層３５上にかけて、無機絶
縁材料で形成された無機絶縁下地層３６を形成する。前
記無機絶縁下地層３６の膜厚は、０．１５μｍ〜０．５
μｍの範囲内であることが好ましく、また無機絶縁材料
としては、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔ
ｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯ
Ｎ、ＡｌＳｉＯのうち少なくとも１種以上を選択するこ
とが好ましい。

【０２２３】前記無機絶縁下地層３６はスパッタ法等の
既存の方法で形成され、有機絶縁下地層３１上のみなら
ず、記録部２４上及び持上げ層３５上にも形成される。

【０２２４】なお前記無機絶縁層３６と有機絶縁下地層
３１との総合膜厚は、０．３５μｍ〜１．５μｍの範囲
内であることが好ましい。上記数値範囲よりも小さくな
ると、絶縁性耐圧を適切に向上させることができず、ま
た上記数値範囲よりも大きくなると無機絶縁下地層３６
上に形成されるコイル層２７の膜厚を小さく形成しなけ
ればならず、よってコイル層２７の幅寸法が長くなるこ
とにより、磁路長が長くなるという不具合が発生する。

【０２２５】図１３に示すように、有機絶縁下地層３１
は、下部コア層２０上に部分的に形成される。本発明に
おいて、有機絶縁下地層３１は、下部コア層２０と後述
するコイル層２７間の絶縁性耐圧を向上させるために用
いられるものであり、よって前記有機絶縁下地層３１の
形成は、下部コア層２０上のみで良く、また有機絶縁下
地層３１は、塗布形成のため、部分的に、ある所定範囲
内にのみ形成し易い。

【０２２６】また本発明では図１３工程の際、まず先に
無機絶縁下地層３６を形成した後、前記無機絶縁下地層
３６上に有機絶縁下地層３１を形成してもよいし、この
場合は図３に示す薄膜磁気ヘッドが形成される。あるい
は前記下部コア層２０上に有機絶縁下地層３１のみ形成
してもよい。この場合は図２に示す薄膜磁気ヘッドが形
成される。

【０２２７】次に図１４に示すように、前記有機絶縁下
地層３１上、さらには、記録部２４上及び持上げ層３５
上にコイル絶縁層２５を形成する。

【０２２８】ただし例えばレジスト等を用いて、記録部
２４と持上げ層３５間における下部コア層２０上に、部
分的にコイル絶縁層２５を形成してもよい。この場合に
は、次の図１５工程が必要なくなり、図１６工程に進
む。

【０２２９】次に前記記録部２４表面が露出するよう
に、前記コイル絶縁層２５を図１４に示すＤ−Ｄ線まで
例えばＣＭＰ技術を用いて削っていき、図１５に示すよ
うにコイル絶縁層２５の上面を記録部２４上面と同一面
上にする。

【０２３０】図１６に示す工程ではＣＭＰ技術を用いて
平坦化された前記コイル絶縁層２５表面にレジスト層５
２を塗布し、露光現像により前記レジスト層５２にコイ
ルパターン５２ａを形成する。

【０２３１】次に前記レジスト層５２に形成されたコイ
ルパターン５２ａ内から露出するコイル絶縁層２５表面
を、反応性イオンエッチング等により削り、前記レジス
ト層５２に形成されたコイルパターン５２ａとほぼ同形
状のコイル形成溝２５ａをコイル絶縁層２５に形成す
る。その後前記レジスト層５２を除去する。その状態を
示したのが図１７である。

【０２３２】なお上記工程において、エッチング時間等
を適正に調整して、無機絶縁下地層３６表面が露出する
のを限度として、前記レジスト層５２のコイルパターン
５２ａ内から露出するコイル絶縁層２５にコイル形成溝
２５ａを凹形成する必要性がある。

【０２３３】前記無機絶縁下地層３６は、下部コア層２
０とコイル層２７間の磁気的な絶縁を確保するために設
けられたものであるが、本発明においては、前記コイル
絶縁層２５をエッチングで削る際に、削りすぎを防止す
るためのストッパ層としての役割も担っている。

【０２３４】例えば絶縁層２５をＳｉＯ₂とし、無機絶
縁下地層３６をＡｌ₂Ｏ₃とした場合、ＲＩＥにおけるレ
ートは、ＣＦ₄ガスを用いた場合、２０：１の差があ
り、ストッパ層としての役割を充分に果す。

【０２３５】図１８に示す工程では、前記コイル絶縁層
２５に形成されたコイル形成溝２５ａ内にＣｕなどの導
電性材料を埋めて前記コイル形成溝２５ａ内にコイル層
２７を形成する。なお図１８に示す実施例では前記コイ
ル層２７は記録部２４上、コイル絶縁層２５上、さらに
は持上げ層３５にも形成される。すなわち前記コイル層
２７は、コイル形成溝２５ａ内に埋められた各導体部
が、すべてコイル絶縁層２５上にて繋がった状態にされ
ている。ただし、前記コイル形成溝２５ａ内にのみ部分
的にコイル層２７の形成を行うことも可能である。

【０２３６】前記コイル層２７をコイル絶縁層２５に形
成されたコイル形成溝２５ａ内に埋めるには、例えば電
気メッキ法、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法など既存の
方法を使用することができる。

【０２３７】次に図１８に示すように、コイル絶縁層２
５上から突出するコイル層２７を除去し、前記コイル層
２７の各導体部をコイル形成溝２５ａ内にのみ収めるた
めに、コイル層２７をＥ−Ｅ線まで例えばＣＭＰ技術等
を用いて削る。これによりコイル層２７はコイル絶縁層
２５に形成されたコイル形成溝２５ａ内にのみ収められ
る。なおこの工程により記録部２４の上面を基準平面と
したときに前記コイル絶縁層２５の上面及びコイル層２
７の上面が前記基準平面と同一面上となる。また図１８
に示すように、Ｅ−Ｅ線までコイル層２７を削っていく
と、コイル絶縁層２５表面もそれに伴い削られていく。
その状態を示したのが図１９である。

【０２３８】上記したように図１９では、コイル層２７
はコイル絶縁層２５に形成されたコイル形成溝２５ａ内
に埋められた状態となっており、前記記録部２４の上面
を基準平面としたときに、コイル絶縁層２５及びコイル
層２７の上面は、前記基準平面と同一面上になってい
る。

【０２３９】そして図２０に示すように、前記コイル絶
縁層２５上及びコイル層２７上に絶縁層３２を形成し、
さらに第２のコイル層３３を形成する場合には、前記絶
縁層３２上にフレームメッキ法を用いて前記第２のコイ
ル層３３をパターン形成し、前記第２のコイル層３３を
絶縁層３４で覆った後、前記記録部２４上から絶縁層３
４上にかけて上部コア層２６を形成する。前記上部コア
層２６を形成する際には図２０に示すように前記上部コ
ア層２６の先端部２６ａを記録部２４上に直接接続さ
せ、基端部２６ｂを持上げ層３５上に直接接続させる。

【０２４０】なお図２０に示す薄膜磁気ヘッドでは、記
録部２４と上部コア層２６との接合面を基準平面とした
ときに、この基準平面と同一面上にコイル層２７及びコ
イル絶縁層２５の上面が位置しているが、これは、図１
４及び図１８工程において、ＣＭＰ技術を用いて前記コ
イル層２７及びコイル絶縁層２５の表面を、基準平面に
合わせて削っているからである。

【０２４１】例えば図１４工程及び図１８工程におい
て、コイル絶縁層２５及びコイル層２７を、レジスト等
を用いて所定の位置にのみ適切に形成できれば、前記Ｃ
ＭＰ技術を用いて、前記コイル絶縁層２５及びコイル層
２７上面を削る必要がなく、この場合、前記コイル絶縁
層２５及びコイル層２７の表面を、前記基準平面と一致
させる必要性はない。

【０２４２】図２１から図２３は、図４に示す薄膜磁気
ヘッドの別の製造方法を示す工程図である。なお図２１
から図２３に示す工程図は、図１１から図２０に示す工
程の一部を代えたものであり、従って以下の説明では図
１１ないし図２０に示す一部の工程図をも参照すること
とする。

【０２４３】まず図１１，１２に示すように、下部コア
層２０上にレジスト層５１を利用して記録部２４を形成
し、さらに持上げ層３５を形成した後、図１３に示すよ
うに、下部コア層２０上に有機絶縁下地層３１を形成
し、さらに記録部１４上から前記有機絶縁下地層３１
上、さらには持上げ層２５上にスパッタ法等を用いて無
機絶縁下地層３６を形成する。

【０２４４】前記有機絶縁下地層３１の形成により、コ
イル層２７と下部コア層２０間の絶縁性耐圧を向上させ
ることが可能である。なお前記有機絶縁下地層３１及び
無機絶縁下地層３６の材質及び膜厚に関しては図１３で
説明したのと同じである。

【０２４５】次に図２１に示すように、前記コイル絶縁
層２５上にレジスト層５３を塗布し、前記レジスト層５
３にコイルパターン５３ａを露光現像によって形成す
る。

【０２４６】次に前記レジスト層５３に形成されたコイ
ルパターン５３ａ内から露出するコイル絶縁層２５を、
反応性イオンエッチング法等を用いて削り、前記コイル
絶縁層２５に、前記レジスト層５３に形成されたコイル
パターン５３ａと同様の形状のコイル形成溝２５ａを形
成する。前記レジスト層５３を除去した状態が図２２に
示されている。

【０２４７】なお図２２に示すように、エッチング時間
等を適正に調整して、無機絶縁下地層３６が露出するの
を限度として、前記コイル絶縁層２５にコイル形成溝２
５ａを形成する必要性がある。

【０２４８】前記無機絶縁下地層３６は、下部コア層２
０とコイル層２７間の磁気的な絶縁を確保し、特に絶縁
性耐圧を向上させるために設けられたものであるが、本
発明においては、前記コイル絶縁層２５をエッチングで
削る際に、削りすぎを防止するためのストッパ層として
の役割も担っている。

【０２４９】図２３に示す工程では、前記コイル絶縁層
２５に形成されたコイル形成溝２５ａ内に導電性材料を
埋めてコイル層２７を形成する。なお図２３に示す実施
例では前記コイル層２７は記録部２４上、コイル絶縁層
２５上、さらには持上げ層３５にも形成される。上記し
たように、前記コイル層２７は、電気メッキ法、スパッ
タ法、あるいはＣＶＤ法などにより形成される。

【０２５０】そして図２３に示すように前記コイル層２
７を例えばＣＭＰ技術等を用いてＦ−Ｆ線まで削る。前
記コイル層２７をＦ−Ｆ線まで削ることで、コイル層２
７の各導体部はコイル形成溝２５ａ内にのみ収められた
状態になり、また記録部２４の上面を基準平面としたと
きに、前記コイル絶縁層２５の上面及びコイル層２７の
上面は前記基準平面と同一面上になる。なおコイル層２
７をＦ−Ｆ線まで削っていく際に、コイル絶縁層２５表
面もそれに伴い削られていく。コイル層２７をＦ−Ｆ線
まで削った状態は図１９と同じであり、その後上記した
図２０工程と同様に、絶縁層３２の形成、第２のコイル
層３３の形成、絶縁層３４の形成、及び上部コア層２６
の形成が行われる。

【０２５１】図２１ないし図２３に示す工程を用いて、
図４に示す薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、ＣＭＰ
技術を用いて所定層を削る工程は図２３の一回だけで済
み、製造工程の簡略化を図ることができる。

【０２５２】図２４ないし図２７には、図３に示す薄膜
磁気ヘッドの別の製造工程が図示されている。

【０２５３】まず図２４は、図１３と全く同じ工程図で
あり、すなわち下部コア層２０上に記録部２４と持上げ
層３５を形成し、その後、無機絶縁下地層３６及び有機
絶縁下地層３１を形成する。また本発明においては、先
に有機絶縁下地層３１を形成した後に、無機絶縁下地層
３６を形成してもよいし、あるいは有機絶縁下地層３１
のみを形成してもよい。

【０２５４】次に図２５に示す工程では、前記有機絶縁
下地層３１上にコイル層２７をパターン形成する。前記
コイル層２７はその上面が、記録部２４上面とほぼ同じ
高さか、あるいはそれよりも高いことが好ましい。しか
しコイル厚みが少なくて良い場合は、記録部２４より低
くてもかまわない。必要なコイル厚みによってコイルピ
ッチが変わるため、少ないターン数時はコイル幅が広が
り、必ずしもコイル高さが必要無い場合もある。

【０２５５】次に前記コイル層２７の各導体部のピッチ
間を、コイル絶縁層２５によって埋める。前記ピッチ間
にコイル絶縁層２５を部分的に形成できれば、次のＣＭ
Ｐ技術による研磨工程が必要なくなるが、実際には、前
記ピッチ間にのみコイル絶縁層２５を形成することは困
難であることから、図２５に示すように、前記コイル絶
縁層２５は、コイル層２７上、記録部２４上、さらには
持上げ層３５上にも形成される。

【０２５６】また図示されていないが、まず有機絶縁材
料をコイル層２７の各導体部のピッチ間に埋めた後、前
記有機絶縁材料層上に、コイル絶縁層２５を形成しても
よい。ただしこの場合、前記有機絶縁材料層の高さ位置
は、Ｈ−Ｈ線よりも低いことが好ましい。前記Ｈ−Ｈ線
より前記有機絶縁材料層の高さが高い場合、次工程にお
いて、前記有機絶縁材料層はＣＭＰ技術により削られる
ことになるが、前記有機絶縁材料層は、有機材料独特の
ねばりにより削りにくく、従って、有機絶縁材料層は、
Ｈ−Ｈ線よりも低い位置で形成される。

【０２５７】そして前記コイル絶縁層２５をＨ−Ｈ線よ
り、ＣＭＰ技術を用いて研磨する。この際、前記コイル
層２７の上面も削られ、さらには記録部２４の上面も削
られる。

【０２５８】このように記録部２４、コイル層２７及び
コイル絶縁層２５が揃って削られることにより、前記記
録部２４の上面、コイル層２７の上面及びコイル絶縁層
２５の上面は同一平面となる。その状態を示すのが図２
７である。

【０２５９】図２７に示すように、コイル絶縁層２５
は、コイル層２７の各導体部のピッチ間に埋められた状
態にされる。

【０２６０】そして図２０に示す工程と同様に、前記コ
イル層２７及びコイル絶縁層２５上に、絶縁層３２を形
成し、さらに前記絶縁層３２上に第２のコイル層３３を
形成し、前記第２のコイル層３３を絶縁層３４で覆った
後、前記絶縁層３４の上に上部コア層２６を形成する。

【０２６１】図２８から図３５は、図６に示す薄膜磁気
ヘッドの製造方法を示す部分工程図である。

【０２６２】図２８では、下部コア層２０上にメッキ下
地層３０を形成し、前記メッキ下地層３０上に無機絶縁
下地層３６を形成する。前記無機絶縁下地層３６の膜厚
を、０．１５μｍ〜０．５μｍの範囲内で形成すること
が好ましい。また前記無機絶縁下地層３６としては、Ａ
ｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、
ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯの
うち少なくとも１種以上の無機絶縁材料を使用すること
が好ましい。

【０２６３】図２８に示すように前記無機絶縁下地層３
６上に有機絶縁下地層３１を形成する。前記有機絶縁下
地層３１の膜厚を、０．２μｍ〜１．０μｍの範囲内で
形成することが好ましい。また前記有機絶縁下地層３１
としては、レジストやポリイミドを使用することが好ま
しい。

【０２６４】図２８に示すように前記有機絶縁下地層３
１は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方
向）に所定の間隔Ｌ４を空けて形成される。前記間隔Ｌ
４は、後述する記録部２４が形成される位置であり、前
記間隔Ｌ４は、前記記録部２４の長さ寸法とほぼ同じ
か、あるいはそれよりも長く形成される。

【０２６５】製法としては、前記有機絶縁下地層３１
を、無機絶縁下地層３６上全面に形成した後、露光現像
によって、所定の位置にのみ前記有機絶縁下地層３１を
残す。

【０２６６】ただし、前記有機絶縁下地層３１は、無機
絶縁下地層３６上全面に形成されてもかまわない。

【０２６７】また有機絶縁下地層３１は、ハイト方向
（図示Ｙ方向）へ所定の長さ寸法で形成され、前記有機
絶縁下地層３１の基端部３１ａよりもハイト側には、持
上げ層３５が形成され、あるいは上部コア層２６と下部
コア層２０が磁気的に接続する部分となる。そして前記
有機絶縁下地層３１のハイト方向への長さ寸法は、コイ
ル層２７の、記録部２４と持上げ層３５間における長さ
寸法よりも、長く形成される。

【０２６８】図２９に示す工程では、有機絶縁下地層３
１上及び無機絶縁下地層３６上に、コイル絶縁層４０を
形成する。そして前記コイル絶縁層４０に、記録媒体と
の対向面からハイト方向へ所定の長さ寸法にて、溝部４
０ａを形成する。前記溝部４０ａ内では、メッキ下地層
３０上に形成された無機絶縁下地層３６も削られる。な
お前記溝部４０ａの幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成され
る。

【０２６９】そして前記溝部４０ａ内に、記録部２４を
形成する。図３０に示すように前記記録部２４は、下か
ら下部磁極層２１、ギャップ層２２、および上部磁極層
２３で構成され、これら各層は、連続してメッキ形成さ
れている。

【０２７０】なお前記溝部４０ａ内に形成される記録部
２４の膜構成は、上記３層の構成に限られない。すなわ
ち、前記記録部２４は、下部磁極層２１と非磁性のギャ
ップ層２２から成り、あるいは非磁性のギャップ層２２
と上部磁極層２３とから成っていてもよい。また各磁極
層２１，２３およびギャップ層２２は単層で形成されて
いてもよいし、多層で形成されていてもよい。

【０２７１】また前記ギャップ層２２を、前記磁極層２
１，２３と共にメッキ形成することが好ましく、前記ギ
ャップ層２２を形成するメッキ形成可能な前記非磁性金
属材料には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＣｕのうち１
種または２種以上を選択することが好ましい。

【０２７２】次に前記コイル絶縁層４０に、記録部２４
よりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方に穴部を形成し、
前記穴部内に持上げ層３５をメッキ形成するなどした
後、図３１に示すように前記記録部２４上からコイル絶
縁層４０上、さらには持上げ層３５上にレジスト層５４
を塗布し、前記レジスト層５４にコイルパターン５４ａ
を形成する。

【０２７３】図３１に示すように、レジスト層５４に形
成されたコイルパターン５４ａからは、コイル絶縁層３
０の表面が露出し、次にコイルパターン５４ａから露出
するコイル絶縁層４０を反応性イオンエッチング法等を
用いて削っていく。

【０２７４】これにより前記レジスト層５４に形成され
たコイルパターン５４ａとほぼ同形状のコイル形成溝４
０ｅがコイル絶縁層４０に凹形成される。そして前記レ
ジスト層５４を除去した状態が図３２に示されている。

【０２７５】図３２に示すように前記コイル絶縁層４０
には、コイル形成溝４０ｅが形成されており、前記コイ
ル形成溝４０ｅが形成された部分の底面には、有機絶縁
下地層３１が露出している。

【０２７６】前記有機絶縁下地層３１は、下部コア層２
０とコイル層２６間の絶縁性耐圧を向上させるために設
けられたものであるが、それに加え、製造方法の上で
は、前記コイル絶縁層４０の削りすぎを防止するための
ストッパ層としての役割も持っている。

【０２７７】次に図３３に示すように、コイル絶縁層４
０に形成されたコイル形成溝４０ｅ内に導電性材料を埋
めてコイル層２７を形成する。図３３に示す実施例では
記録部２４上、コイル絶縁層４０上、及び持上げ層３５
上にもコイル層２７が形成される。このため前記コイル
層２７はコイル形成溝４０ｅ内に形成された各導体部
が、コイル絶縁層４０上において繋がれた状態になって
いる。なお前記コイル層２７は、電気メッキ法、スパッ
タ法、またはＣＶＤ法等の既存の方法を用いて形成する
ことができる。

【０２７８】次に図３３に示すように、前記コイル層２
７をコイル形成溝４０ｅ内にのみ収めるために、前記コ
イル層２７を例えばＣＭＰ技術等を用いてＧ−Ｇ線まで
削り込む。前記コイル層２７をＧ−Ｇ線まで削ること
で、記録部２４の上面を基準平面としたときに前記コイ
ル絶縁層４０の上面及びコイル層２７の上面を前記基準
平面と同一面上にすることができる。

【０２７９】なお前記コイル層２７をＧ−Ｇ線まで削る
ことにより図３３に示すように、コイル絶縁層４０表面
もそれに伴い削られていく。前記コイル層２７をＧ−Ｇ
線まで削った状態は図３４に示されている。

【０２８０】図３４に示すように、記録部２４のハイト
方向後方にはコイル絶縁層４０が形成され、前記コイル
絶縁層４０にはコイル形成溝４０ｅが形成されている。
そして前記コイル形成溝４０ｅ内にコイル層２７が埋め
られて形成された状態になっている。また図３４に示す
ように、記録部２４上面を基準平面としたときにコイル
絶縁層４０の上面及びコイル層２７の上面は前記基準平
面と同一面上となっている。

【０２８１】最後に図３５に示すように、前記コイル絶
縁層４０及びコイル層２７上に絶縁層３２を形成し、前
記絶縁層３２上に第２のコイル層３３を形成する。さら
に前記第２のコイル層３３上に絶縁層３４を形成した
後、前記記録部２４上から絶縁層３４上にかけて上部コ
ア層２６をフレームメッキ法等で形成する。

【０２８２】図３５に示すように前記上部コア層２６の
先端部２６ａは記録部２４上に直接接続され、基端部２
６ｂは、持上げ層３５上に直接接続された状態とされ
る。

【０２８３】なお図８に示す薄膜磁気ヘッドを製造する
場合には、図２８ないし図３５に示す製造方法と同様の
方法が使用される。

【０２８４】違いは図４０工程にて、主コイル絶縁層４
１と副コイル絶縁層４２の２層を積層する点である。

【０２８５】また図８に示す実施例では、主コイル絶縁
層４１の方が副コイル絶縁層４２よりもエッチングレー
トが大きくなっている。

【０２８６】このエッチングレート差を利用し、まず副
コイル絶縁層４２に図７に示す傾斜面４２ａを有する溝
をイオンミリング等で形成した後、次に前記副コイル絶
縁層４２をマスクとして機能させ、ＲＩＥ法等を用い
て、前記副コイル絶縁層４２に形成された溝から露出す
る主コイル絶縁層４１に溝部４１ａをエッチング等で形
成するのである。この方法であると、前記溝部４１ａの
内幅寸法をレジストに対する露光現像の際の解像度以下
の寸法で形成することが可能になり、狭トラック化に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になって
いる。

【０２８７】図１０に示す薄膜磁気ヘッドでは、図１１
ないし図２０、あるいは図２１ないし図２３、または図
２４ないし図２７に示す製造方法と類似した製造方法が
使用される。

【０２８８】相違点は、下部コア層２０上の全面にギャ
ップ層４３を形成した後、レジストを利用して、記録媒
体との対向面付近に上部磁極層４６を形成する点であ
る。

【０２８９】なおこの実施例では、前記ギャップ層４３
を、無機絶縁材料で形成することが好ましく、前記無機
絶縁材料には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯのうち１種または２種以上
を選択することが好ましい。

【０２９０】また上部磁極層４６の形成後、前記上部磁
極層４６およびギャップ層４３の両側面および下部コア
層２０表面を削り、前記下部コア層２０上から記録部２
４方向に突出し、且つ前記記録部２４と連続する隆起部
２０ｄを前記下部コア層２０と一体形成してもよい。こ
れにより、よりいっそうライトフリンジングの発生を抑
制することが可能になっている。

【０２９１】以上詳述した本発明における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、下部コア層２０とコイル層２７との
間に、有機絶縁下地層３１、あるいは前記有機絶縁下地
層３１及び無機絶縁下地層３６を形成でき、前記下部コ
ア層２０とコイル層２７間の絶縁性耐圧の高い薄膜磁気
ヘッドを製造することができる。

【０２９２】なお本発明では、コイル層を１層構造で形
成してもよい。この場合、１層目に形成されるコイル層
のターン数を増やす必要性から前記コイル層の幅寸法は
大きくなり、短磁路化の観点からするとコイル層を２層
構造にした場合に比べ磁路長は長くなるが、記録部２４
上から盛り上がる層は絶縁層３２だけになるので、上部
コア層２６をより所定形状で高精度に形成することが可
能である。

【０２９３】また上部コア層の先端を記録媒体との対向
面から後退させることにより、上部コア層からの漏れ磁
界を防止でき、サイドフリンジングを発生させない薄膜
磁気ヘッドの製造が可能である。

【０２９４】なお本発明では図１２の工程で、下部コア
層２０上に形成された記録部２４のトラック幅方向の両
側端面を、イオンミリング法により削ることも可能であ
る。従って本発明では、前記記録部２４の幅寸法（＝ト
ラック幅Ｔｗ）を小さく形成して、狭トラック化に対応
可能な薄膜磁気ヘッドを製造することも可能である。本
発明によれば、前記記録部２４のトラック幅Ｔｗを、
０．７μｍ以下で形成することが好ましく、より好まし
くは０．６μｍ以下である。

【０２９５】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層の記録媒体との対向面からハイト方向に、ギャップ層
と磁極層とからなる記録部が形成され、前記記録部のハ
イト方向後方であって下部コア層上にコイル層が形成さ
れてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部コア層とコ
イル層間に、少なくとも有機絶縁下地層を設けることに
より、前記下部コア層とコイル層間の絶縁性耐圧を向上
させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可
能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０２９６】本発明では、前記下部コア層とコイル層間
に形成される絶縁下地層を、有機絶縁下地層の一層で構
成してもよいし、あるいは有機絶縁下地層と無機絶縁下
地層の２層構造で構成してもよい。

【０２９７】また無機絶縁下地層上に有機絶縁下地層を
形成した場合には、前記無機絶縁下地層に形成されたピ
ンホールは前記有機絶縁下地層によって埋められ、下部
コア層とコイル層間の絶縁性耐圧を適切に向上させるこ
とが可能になっている。

【０２９８】なお本発明による製造方法によれば、下部
コア層上に形成された記録部のハイト方向後方にコイル
層を形成することができ、従って下部コア層から上部コ
ア層を経て形成される磁路長の短磁路化を実現でき、イ
ンダクタンスの低減を図ることができると同時に、前記
下部コア層とコイル層間の絶縁性耐圧を適切に向上させ
ることが可能になり、今後の高記録密度化に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、

【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図３】他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分断面図、

【図４】他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分断面図、

【図５】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分正面図、

【図６】図５に示す６−６線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図７】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分正面図、

【図８】図７に示す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図９】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分正面図、

【図１０】図９に示す１０−１０線から切断した薄膜磁
気ヘッドの部分断面図、

【図１１】図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
一工程図、

【図１２】図１１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２０】図１９に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２１】図３に示す薄膜磁気ヘッドの他の製造方法を
示すに示す一工程図、

【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２３】図２２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２４】図３に示す薄膜磁気ヘッドの他の製造方法を
示すに示す一工程図、

【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２６】図２５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２７】図２６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２８】図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
一工程図、

【図２９】図２８に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３０】図２９に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３１】図３０に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３２】図３１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３３】図３２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３４】図３３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３５】図３４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３６】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分断面図、

【符号の説明】

２０ 下部コア層 ２４ 記録部 ２５、４０、４４ コイル絶縁層 ２６ 上部コア層 ２７ コイル層 ３１ 有機絶縁下地層 ３３ 第２のコイル層 ３６ 無機絶縁下地層 ４１ 主コイル絶縁層 ４２ 副コイル絶縁層 ５１、５２、５３、５４ レジスト層 Ａ 基準平面（記録部２４と上部コア層２６との接合
面）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）下部コア層上に、磁極層とギャッ
   プ層からなる記録部を形成する工程と、 （ｂ）前記記録部のハイト方向後方であって下部コア層
   上に有機絶縁下地層を形成する工程と、 （ｃ）前記記録部上から前記有機絶縁下地層上にかけ
   て、無機絶縁下地層を形成し、前記無機絶縁下地層上に
   コイル絶縁層を形成した後、前記コイル絶縁層にエッチ
   ングによりコイル形成溝を形成し、前記コイル形成溝内
   に導電性材料を埋めてコイル層を形成する工程と、 （ｄ）前記コイル層及びコイル絶縁層上に絶縁層を形成
   した後、前記絶縁層上に上部コア層を形成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】 前記無機絶縁下地層を、ＡｌＯ、Ａｌ₂
   Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
   Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
   Ｏ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯのうち少な
   くとも１種以上の無機絶縁材料で形成する請求項１記載
   の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】 前記有機絶縁下地層を、レジストあるい
   はポリイミドで形成する請求項１または２記載の薄膜磁
   気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 前記（ａ）工程において、記録部を、下
   部磁極層とギャップ層で構成し、またはギャップ層と上
   部磁極層とで構成し、あるいは下部磁極層とギャップ層
   と上部磁極層とで構成する請求項１ないし３のいずれか
   に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 前記ギャップ層には、磁極層と共にメッ
   キ形成可能な非磁性金属材料を選択する請求項４記載の
   薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. 【請求項６】 前記非磁性金属材料には、ＮｉＰ、Ｎｉ
   Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
   ｕ、Ｃｒ、ＮｉＣｕのうち１種または２種以上を選択す
   る請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
7. 【請求項７】 前記（ａ）工程において、記録部をギャ
   ップ層と上部磁極層とで構成し、あるいは前記記録部の
   形成後、前記記録部の両側面および下部コア層表面を削
   ることにより、前記下部コア層上から記録部方向に突出
   し、且つ前記記録部と連続する隆起部を前記下部コア層
   と一体形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の薄
   膜磁気ヘッドの製造方法。
8. 【請求項８】 前記ギャップ層を、無機絶縁材料で形成
   する請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 【請求項９】 前記無機絶縁材料には、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
   Ｏ₂、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＳｉＯのう
   ち１種または２種以上を選択する請求項８記載の薄膜磁
   気ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記（ｃ）工程において、コイル層及
    びコイル絶縁層を形成した後、記録部の上面を基準平面
    としたときに、前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の
    上面が前記基準平面と同一面上になるように、コイル層
    上面及びコイル絶縁層上面を削る請求項１ないし９のい
    ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 【請求項１１】 前記コイル絶縁層を無機絶縁材料で形
    成する請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
12. 【請求項１２】 （ｄ）工程において、コイル層の上及
    びコイル絶縁層の上に絶縁層を形成した後、前記絶縁層
    上に前記コイル層と電気的に接続される第２のコイル層
    を形成し、その後に前記第２のコイル層上に絶縁層を介
    して前記上部コア層を形成する請求項１ないし１１のい
    ずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。