JPS5864616A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS5864616A JPS5864616A JP16402381A JP16402381A JPS5864616A JP S5864616 A JPS5864616 A JP S5864616A JP 16402381 A JP16402381 A JP 16402381A JP 16402381 A JP16402381 A JP 16402381A JP S5864616 A JPS5864616 A JP S5864616A
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- JP
- Japan
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- layer
- coil
- plating
- organic material
- organic
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法、特にコイルおよび
前記コイルによる段差を解消する為の有懺物より成る段
差解消層の形成方法に関するものである＠ 従来、薄膜磁気ヘッドのコイルおよびこのコイルに対す
る段差解消層の形成は、次の様に行なわれてＶｈ九。つ
ｔｂ、第１図（−に示した如く基板ｌｌ上にスパッタリ
ング等によりて絶縁層１２が形成され、つ−でメッキ法
あるいはスパッタリングによ１ＮｉＦｅ合金などの軟磁
性体を成膜して下部磁性体性体１３に対する段差解消層
１５が形成され、さらにこの上に％嬉ｉ ｖ！Ｊ＠に示
し九如く、〒ｉ／Ｃｕなどのメッキ下地１６が蒸着ある
いはスパッタリングによって基板１１の全面にわ九って
成膜される。そＯ後コイルとなる部分以外を覆う様に７
オトレジストパタ一ン１丁を形脱する。
前記コイルによる段差を解消する為の有懺物より成る段
差解消層の形成方法に関するものである＠ 従来、薄膜磁気ヘッドのコイルおよびこのコイルに対す
る段差解消層の形成は、次の様に行なわれてＶｈ九。つ
ｔｂ、第１図（−に示した如く基板ｌｌ上にスパッタリ
ング等によりて絶縁層１２が形成され、つ−でメッキ法
あるいはスパッタリングによ１ＮｉＦｅ合金などの軟磁
性体を成膜して下部磁性体性体１３に対する段差解消層
１５が形成され、さらにこの上に％嬉ｉ ｖ！Ｊ＠に示
し九如く、〒ｉ／Ｃｕなどのメッキ下地１６が蒸着ある
いはスパッタリングによって基板１１の全面にわ九って
成膜される。そＯ後コイルとなる部分以外を覆う様に７
オトレジストパタ一ン１丁を形脱する。
その後、硫酸銅洛中にて電気鋼メッキを行なう。
この場合、フォトレジストパターン１７で覆われ九部分
ではメッキが進行せず、フォトレジストパターン１７の
ない部分にのみ鋼メッキが威されることとな゛る。
ではメッキが進行せず、フォトレジストパターン１７の
ない部分にのみ鋼メッキが威されることとな゛る。
第１図（ｃ）は、この段＠１でプロセスが完了し良状態
を示す図でありフォトレジストパターン１７の空白部に
銅メッキ膜１Ｂが形成されている。その後フォトレジス
トパターン１７をアセトンなどの溶剤で剥離する。
を示す図でありフォトレジストパターン１７の空白部に
銅メッキ膜１Ｂが形成されている。その後フォトレジス
トパターン１７をアセトンなどの溶剤で剥離する。
ついで、第１図（Φに示し先様にＡｒガス雰−気中で、
イオン、識リンダ、逆スパツタリングなどのドライエツ
チング技術を用いてメッキ下地１６を除去する。
イオン、識リンダ、逆スパツタリングなどのドライエツ
チング技術を用いてメッキ下地１６を除去する。
以上の様にしてメッキ下地１６を除去した状態を１１１
Ｅ（ｅ）Ｋ示す。ここで鋼メッキ膜１Ｂの下部に位置す
るメッキ下地１６以外は、前述の通夛エツチングされて
おシ、この段階で下部磁性体１３と以後のプロセスで形
成される上部磁性体の間に挿入されるコイルが形成され
たこととなる。
Ｅ（ｅ）Ｋ示す。ここで鋼メッキ膜１Ｂの下部に位置す
るメッキ下地１６以外は、前述の通夛エツチングされて
おシ、この段階で下部磁性体１３と以後のプロセスで形
成される上部磁性体の間に挿入されるコイルが形成され
たこととなる。
ついで、第１図（０に示し九如くコイルに対する段差解
消層１９が形成・されて、コイルによる段差が解消され
る。その後、この上にＮｉ ｒｅ金合金どの軟磁性体を
積層して上部磁性体２０が形成され、薄膜磁気ヘッドの
トランスデ具−サ一部が完成する。
消層１９が形成・されて、コイルによる段差が解消され
る。その後、この上にＮｉ ｒｅ金合金どの軟磁性体を
積層して上部磁性体２０が形成され、薄膜磁気ヘッドの
トランスデ具−サ一部が完成する。
（第１図（ｇ））
とζろで、以上の如きプロセスＫｋいては、コイルに対
する段差解消層１９は、コイルの厚み、つまりメッキ下
地１６と鋼メッキ膜１８の膜厚Ｏ和（通常２〜３ｍｍ）
を−気に平ポ化する為、有機物層を２回に別けて塗布す
るか、あるいは１０１０００ｒｐ度の低速回転で、スピ
ンコーティングしなければならず、プロセス的に煩雑で
あった。しかも、低速回転スピンコーティングでは塗布
表面に’ｌれシが生じた夛、塗布膜厚にバラツキが発生
しやすくなるなど、プロセスの再現性に欠けるという欠
点を有していた。
する段差解消層１９は、コイルの厚み、つまりメッキ下
地１６と鋼メッキ膜１８の膜厚Ｏ和（通常２〜３ｍｍ）
を−気に平ポ化する為、有機物層を２回に別けて塗布す
るか、あるいは１０１０００ｒｐ度の低速回転で、スピ
ンコーティングしなければならず、プロセス的に煩雑で
あった。しかも、低速回転スピンコーティングでは塗布
表面に’ｌれシが生じた夛、塗布膜厚にバラツキが発生
しやすくなるなど、プロセスの再現性に欠けるという欠
点を有していた。
更に、電気鋼メッキを採用している為、鋼メ。
キ完了後、メッキ下地１６を前述イオンエツチング等で
除去しなければならないが、この時、空間的に狭いコイ
ルとコイルの間では、エツチングされた物質の再付着が
起りやすいという欠点があり、しかも、このコイル間の
メッキ下地１６を完全に除去する必要がある為、実際に
は、かなりオーバーエツチングすることが必要であるな
どの欠点があった。又、下部磁性体１３に対する段差解
消層１５はムｒイオンによる衡撃およびこれによる熱の
影響で損傷を受けるという欠点もあった。
除去しなければならないが、この時、空間的に狭いコイ
ルとコイルの間では、エツチングされた物質の再付着が
起りやすいという欠点があり、しかも、このコイル間の
メッキ下地１６を完全に除去する必要がある為、実際に
は、かなりオーバーエツチングすることが必要であるな
どの欠点があった。又、下部磁性体１３に対する段差解
消層１５はムｒイオンによる衡撃およびこれによる熱の
影響で損傷を受けるという欠点もあった。
しかも、繭メッキ膜１８は、當ＫＡｒイオンにさらされ
ている為、その膜厚がメッキ下地１６のエツチング中に
減少すると−う欠点もあった。
ている為、その膜厚がメッキ下地１６のエツチング中に
減少すると−う欠点もあった。
父、７オトレジストペターン１７は銅メツキ後、アセト
ンがどの有ｍ溶剤で容易に剥離可能であることが必須条
件である為、パターン形成後、十分ベーキングを行′＆
い、下地との密着を保証することが、むずＩ５．Ｌ、＜
、時として鋼メッキの前処理段階で、この７オトレジス
トパターン１７が部分的に剥離し、歩留りの低下を招く
という欠点もあった。
ンがどの有ｍ溶剤で容易に剥離可能であることが必須条
件である為、パターン形成後、十分ベーキングを行′＆
い、下地との密着を保証することが、むずＩ５．Ｌ、＜
、時として鋼メッキの前処理段階で、この７オトレジス
トパターン１７が部分的に剥離し、歩留りの低下を招く
という欠点もあった。
本発明は以上の点Ｋｌｉみ、前述の諸欠点を解決した薄
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としてい
る・ 本発明によれば、コイルによる段差を解消する段差解消
層の一部を兼ねる第１の有機物層および前記第１の有機
物１層上に、この第１の有機物層をパターン化する為の
マスク材となる感光性を有する第２の有ｌ物層を積層し
、この両者の積層体によってコイル形成用メッキフレー
ムパターンｔ−Ｓ成する工程、メッキ下地を基板全面に
成膜する工程、第２の有機物層を剥離する工程、無電解
メッキ法により導体層をメッキする工程、メッキ完了後
、第３および感光性を有する第４の有機物層の積）一体
を形成し、第４の有機物層をマスク材として、第３の有
機物層がコイル部を覆う様にパターン化する工程、エツ
チングによって不要なメッキ導体層およびメッキ下地管
除去する工程、および麟定温度の加熱処理を行ないコイ
ルに対する段差解消層を形成する工程とを経ることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としてい
る・ 本発明によれば、コイルによる段差を解消する段差解消
層の一部を兼ねる第１の有機物層および前記第１の有機
物１層上に、この第１の有機物層をパターン化する為の
マスク材となる感光性を有する第２の有ｌ物層を積層し
、この両者の積層体によってコイル形成用メッキフレー
ムパターンｔ−Ｓ成する工程、メッキ下地を基板全面に
成膜する工程、第２の有機物層を剥離する工程、無電解
メッキ法により導体層をメッキする工程、メッキ完了後
、第３および感光性を有する第４の有機物層の積）一体
を形成し、第４の有機物層をマスク材として、第３の有
機物層がコイル部を覆う様にパターン化する工程、エツ
チングによって不要なメッキ導体層およびメッキ下地管
除去する工程、および麟定温度の加熱処理を行ないコイ
ルに対する段差解消層を形成する工程とを経ることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
以下、本発明の実施例について菖２図を参照しながら説
明する。１１２図（ａ）の如く下部磁性体ｎ。
明する。１１２図（ａ）の如く下部磁性体ｎ。
ギャップとなる絶縁層２４および下部磁性体２３に対す
る段差解消！１２５が形成された基板２１上に第１の有
機物層あをスピンコーティング法により、所望のコイル
厚みと同程度の厚みとなる様に塗布し、ついで、その上
に感光性を有する第２の有機物層２７を同様にして塗布
する。ついで、露光現像を行な一前記第２の有機物層２
７をパターン化し、これをマスクとしてｔａｌの有機物
層２６をエツチングにてパターン１ヒし、コイル形成用
メッキ７レー、ムを形成する。この状態を第２図（ｂ３
に示す。
る段差解消！１２５が形成された基板２１上に第１の有
機物層あをスピンコーティング法により、所望のコイル
厚みと同程度の厚みとなる様に塗布し、ついで、その上
に感光性を有する第２の有機物層２７を同様にして塗布
する。ついで、露光現像を行な一前記第２の有機物層２
７をパターン化し、これをマスクとしてｔａｌの有機物
層２６をエツチングにてパターン１ヒし、コイル形成用
メッキ７レー、ムを形成する。この状態を第２図（ｂ３
に示す。
その後、＠２図（Ｃ）ＩＩＣ示し九如く、メッキ下地２
１１を蒸着法により基板２１の全面に成膜する。
１１を蒸着法により基板２１の全面に成膜する。
このメッキ下地は、例えばＴしでｕ、Ｃｒ／ｃｕなどで
揚廖である。
揚廖である。
ついで、第２の有機物層２７を剥離する。この剥離と同
時にメッキ下地２Ｂのうち第２の有機物層２７上に堆積
した部分が除去される。この状態を８１２図（命に示す
。
時にメッキ下地２Ｂのうち第２の有機物層２７上に堆積
した部分が除去される。この状態を８１２図（命に示す
。
その後、無電解メッキ法を用いて導体膜２９をメッキす
る・このメッキ過程により第１の有機物２６によりて形
成されたメッキ７レームが、導体膜２９で兜填されるこ
ととなる。６１２図（ｅ）はこの状態を示している・ ついで、第３の有機物層３０を塗布し、その上に感光性
を有するｔＮ４の有機物層３１を塗布し、この ′−
第４の有−物層に対して露光現像を行″＆−１これをマ
スクとして第３の有機物層３Ｇが、コイル部を覆う様に
パターン化する。
る・このメッキ過程により第１の有機物２６によりて形
成されたメッキ７レームが、導体膜２９で兜填されるこ
ととなる。６１２図（ｅ）はこの状態を示している・ ついで、第３の有機物層３０を塗布し、その上に感光性
を有するｔＮ４の有機物層３１を塗布し、この ′−
第４の有−物層に対して露光現像を行″＆−１これをマ
スクとして第３の有機物層３Ｇが、コイル部を覆う様に
パターン化する。
この状態をｔＭ２図（Ｄに示す。ついで、第２図（ｇ）
に示した様に不要なメッキ導体膜器およびメッキ下地２
Ｂをエツチングにて除去する。その後、１１４の有機物
！１３１を剥離した後、所定１！Ａ度で加熱１１１瑠を
ｈｌこし、第２図（ｈ）に示した如く、コイルに対する
段差解消層が形成される。その後、第２図中には図示さ
れていないが、軟磁性体より成る上部磁性体が形成され
、薄膜磁気ヘッドのトランスデ轟−サーが完成される。
に示した様に不要なメッキ導体膜器およびメッキ下地２
Ｂをエツチングにて除去する。その後、１１４の有機物
！１３１を剥離した後、所定１！Ａ度で加熱１１１瑠を
ｈｌこし、第２図（ｈ）に示した如く、コイルに対する
段差解消層が形成される。その後、第２図中には図示さ
れていないが、軟磁性体より成る上部磁性体が形成され
、薄膜磁気ヘッドのトランスデ轟−サーが完成される。
以上に述べてきた様な製造方法を採用するととＫよ抄、
次の様な利点が実現されることとなる。
次の様な利点が実現されることとなる。
すなわち、本発明によれば、コイル形成用の７オトレジ
ストパターンと段差解消層が兼用できる為一旦、形成し
たフォトレジストパターンを剥離しコイル形成兼、新も
九に段差解消層を形成する手間が省け、作業性が改善す
ることと表る。
ストパターンと段差解消層が兼用できる為一旦、形成し
たフォトレジストパターンを剥離しコイル形成兼、新も
九に段差解消層を形成する手間が省け、作業性が改善す
ることと表る。
又、第１の有機物ｗ４２６によって、形成されるコイル
形成用メッキフレームで殆どコイルの段葺が解消される
為、−メッキ膜の膜厚を一気に平褌化する必要が１く、
有機物層を低速回転でスピンコーティングする必然がな
く、従うて、前述した様な塗布表面のうねり、あるいは
ａＳのバラツキの発生が抑制されるという利点がある。
形成用メッキフレームで殆どコイルの段葺が解消される
為、−メッキ膜の膜厚を一気に平褌化する必要が１く、
有機物層を低速回転でスピンコーティングする必然がな
く、従うて、前述した様な塗布表面のうねり、あるいは
ａＳのバラツキの発生が抑制されるという利点がある。
更に、本発明によれば、無電解メッキによシコイルを形
成する為、コイル形成用の７オトレジストパターンの下
にメッキ下地を形成しておく必要がなく、イオンエツチ
ングが不必要となり、下部磁性体に対する段差解消層、
および鋼メッキ膜がＡｒイオン衝撃にさらされることも
なくなるという利、ａ”−＃ ７！ｂる。しかも、前述
の通夛、コイル形成用の７オトレジス）パターンが段差
解消層を兼ねているので剥離する必要がなく、パターン
形成後、十分ベーキングを行なえるので、下地との密着
が保証され銅メッキの１１処理段階での剥離の発生が抑
制でき歩留りが向上するという利点があや。
成する為、コイル形成用の７オトレジストパターンの下
にメッキ下地を形成しておく必要がなく、イオンエツチ
ングが不必要となり、下部磁性体に対する段差解消層、
および鋼メッキ膜がＡｒイオン衝撃にさらされることも
なくなるという利、ａ”−＃ ７！ｂる。しかも、前述
の通夛、コイル形成用の７オトレジス）パターンが段差
解消層を兼ねているので剥離する必要がなく、パターン
形成後、十分ベーキングを行なえるので、下地との密着
が保証され銅メッキの１１処理段階での剥離の発生が抑
制でき歩留りが向上するという利点があや。
尚、以上の説明において、感光性を有する第２あるいは
第４の有機物層とは、フォトレジスト、例えけ、シプレ
ー社の人２シリーズ、あるーは東京応化製のＯＭＲシリ
ーズ等の７オトレジストであり、父、第１あるいは第３
の有機物層と社、ポリイミド樹脂、例えば、デ、ボン社
のバイラリン等である。
第４の有機物層とは、フォトレジスト、例えけ、シプレ
ー社の人２シリーズ、あるーは東京応化製のＯＭＲシリ
ーズ等の７オトレジストであり、父、第１あるいは第３
の有機物層と社、ポリイミド樹脂、例えば、デ、ボン社
のバイラリン等である。
叉、ポリイミド樹脂のエツチングは、周知の通り抱水ヒ
ドラジンとエチレンジアミンの混合液をエラチャンＦと
して使用するが、前述のバイラリンはＡＺシリーズフォ
トレジストのｉｔ液でもエツチングすることが可能であ
る為、ｉｔ、ｍｓの？機物層としてバイラリンを使用す
る場合は、鯖２、第４の有機物層としては、人２シリー
ズフォトレジストを使用するのが望ましい。
ドラジンとエチレンジアミンの混合液をエラチャンＦと
して使用するが、前述のバイラリンはＡＺシリーズフォ
トレジストのｉｔ液でもエツチングすることが可能であ
る為、ｉｔ、ｍｓの？機物層としてバイラリンを使用す
る場合は、鯖２、第４の有機物層としては、人２シリー
ズフォトレジストを使用するのが望ましい。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドのプロセス工程を示す概
略図、第２図は本発ＩＮＫよ企プロセス工程を示す概略
図である。 図において、１１，２１−・・・・・・・基板、１２．
１４．２２．２４−・・・−・・・・・・絶縁体、１３
．２３−・・−・・・下部磁性体、１５．１９．２５・
−・・・・・・段差解消層、１へ２８−−−一・メッキ
下地、１７・・・・・・７オＦレジストパターン、五８
・・・・・・−１メツキ膜、２゜・・・・・・・・・上
部磁性体、２６．２７．３０．３１−・・・・・・・−
有機物層、２９・−・・・・・・導体膜 第１図 第１図 第２図 第２図
略図、第２図は本発ＩＮＫよ企プロセス工程を示す概略
図である。 図において、１１，２１−・・・・・・・基板、１２．
１４．２２．２４−・・・−・・・・・・絶縁体、１３
．２３−・・−・・・下部磁性体、１５．１９．２５・
−・・・・・・段差解消層、１へ２８−−−一・メッキ
下地、１７・・・・・・７オＦレジストパターン、五８
・・・・・・−１メツキ膜、２゜・・・・・・・・・上
部磁性体、２６．２７．３０．３１−・・・・・・・−
有機物層、２９・−・・・・・・導体膜 第１図 第１図 第２図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （：）薄膜磁気ヘッドの製造工程において、コイルによ
る段差を解消する段差解消層の一部を兼ねる第１の有機
物層および前記第１の有機物層上に、この第１の有機物
層をパターン化する為のマスタ材となる感光性を有する
８２の有機物層を積層しこの両者の積層体によってコイ
ル形成用メッキフレームパターンを形成する工場、メツ
午下地を基板全面に成膜する工程、第２の有機物層を剥
離する工場、無電解メッキ法により導体層をメッキする
工場とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 （１） 無電解メッキ法によ）導体層をメッキ後、第
３および感光性を有する第４の有機物層の積層体を形成
し、１ＩＮ４の有機物層をマスタ材としてＨ３の有機物
層がコイル部を覆う様にパターン化する工場、エツチン
グによって不要なメッキ導体層およびメツ午下地を除去
する工場および所定温度の加熱処理を行ない、コイルに
対する段差解消層を形成する工程とを含むことを特徴と
する特許請求の範囲第一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16402381A JPS5864616A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16402381A JPS5864616A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864616A true JPS5864616A (ja) | 1983-04-18 |
Family
ID=15785318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16402381A Pending JPS5864616A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864616A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255517A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPH0489892U (ja) * | 1990-07-27 | 1992-08-05 | ||
| JPH0520641A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| US7111387B2 (en) * | 2000-01-24 | 2006-09-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film magnetic head comprising an insulating layer provided between a core and coil |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP16402381A patent/JPS5864616A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61255517A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-13 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPH0489892U (ja) * | 1990-07-27 | 1992-08-05 | ||
| JPH0520641A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| US7111387B2 (en) * | 2000-01-24 | 2006-09-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film magnetic head comprising an insulating layer provided between a core and coil |
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