JPH0520641A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
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- JPH0520641A JPH0520641A JP19746291A JP19746291A JPH0520641A JP H0520641 A JPH0520641 A JP H0520641A JP 19746291 A JP19746291 A JP 19746291A JP 19746291 A JP19746291 A JP 19746291A JP H0520641 A JPH0520641 A JP H0520641A
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- plating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッド製造時のコイル巻線部メッキ
時の微小面積の変化によるメッキ膜厚の時間的制御の変
動とコイル巻線引出し線部の酸化を防止する。 【構成】 コイル巻線部５ａの両端からの引出し線１
ａ，１ｂを、基板７上面に形成されている絶縁膜６上
に、下部磁性膜２と同一材質で同時に形成する。さら
に、コイル巻線部５ａのメッキ時に第一層目絶縁膜３お
よび最終絶縁膜４を重ね合わせたときの上面投影面積以
外の部分に、該メッキによりダミーパターン５ｂを付着
させる。そして、基板上に最終的に積層される最終絶縁
膜４の形成後に、ケミカルエッチングにてダミーパター
ン５ｂを除去する。
時の微小面積の変化によるメッキ膜厚の時間的制御の変
動とコイル巻線引出し線部の酸化を防止する。 【構成】 コイル巻線部５ａの両端からの引出し線１
ａ，１ｂを、基板７上面に形成されている絶縁膜６上
に、下部磁性膜２と同一材質で同時に形成する。さら
に、コイル巻線部５ａのメッキ時に第一層目絶縁膜３お
よび最終絶縁膜４を重ね合わせたときの上面投影面積以
外の部分に、該メッキによりダミーパターン５ｂを付着
させる。そして、基板上に最終的に積層される最終絶縁
膜４の形成後に、ケミカルエッチングにてダミーパター
ン５ｂを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置など
に用いて好適な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関
する。
に用いて好適な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の薄膜磁気ヘッドは、概略図
３に示すような構成とされていた。これを簡単に説明す
ると、図中１ａはコイル巻線外周側引出し線、１ｂはコ
イル巻線中心部引出し線、２は下部磁性膜、３は第一層
目絶縁膜、４は第二層目絶縁膜、５ａはコイル巻線部
で、これらは図４から明らかなように、上面にＡｌ2Ｏ3
絶縁膜６が形成されているＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板７上に
順次積層して形成される。なお、８はＡｌ2Ｏ3ギャップ
膜で、また９は上部磁性膜接合穴、１０はコイル巻線接
合穴、さらに１１は上部磁性膜である。
３に示すような構成とされていた。これを簡単に説明す
ると、図中１ａはコイル巻線外周側引出し線、１ｂはコ
イル巻線中心部引出し線、２は下部磁性膜、３は第一層
目絶縁膜、４は第二層目絶縁膜、５ａはコイル巻線部
で、これらは図４から明らかなように、上面にＡｌ2Ｏ3
絶縁膜６が形成されているＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板７上に
順次積層して形成される。なお、８はＡｌ2Ｏ3ギャップ
膜で、また９は上部磁性膜接合穴、１０はコイル巻線接
合穴、さらに１１は上部磁性膜である。
【０００３】このような構成による薄膜磁気ヘッドは、
図４において(a)〜(f)に示すような製造工程順に製造さ
れていた。すなわち、まず、同図(a) に示すように、上
面にＡｌ2Ｏ3絶縁膜６を形成したＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板
７上に、フォトリソグラフィ技術、電気メッキ法によっ
て下部磁性膜２を形成する。次に、同図(b) 、(c) に示
すように、Ａｌ2Ｏ3ギャップ膜８、第一層目絶縁膜３を
順次積層した後、同図(d) で示すように、コイル巻線部
５ａを形成する。そして、このコイル巻線部５ａの形成
時に、コイル巻線外周側引出し線１ａが同時に一体に形
成されている。さらに、同図(e) で示すように、第二層
目絶縁膜４およびコイル巻線接合穴１０を形成した後、
同図(f)で示したように、上部磁性膜１１およびコイル
巻線中心部引出し線１ｂを、同時に形成しているもので
あった。
図４において(a)〜(f)に示すような製造工程順に製造さ
れていた。すなわち、まず、同図(a) に示すように、上
面にＡｌ2Ｏ3絶縁膜６を形成したＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板
７上に、フォトリソグラフィ技術、電気メッキ法によっ
て下部磁性膜２を形成する。次に、同図(b) 、(c) に示
すように、Ａｌ2Ｏ3ギャップ膜８、第一層目絶縁膜３を
順次積層した後、同図(d) で示すように、コイル巻線部
５ａを形成する。そして、このコイル巻線部５ａの形成
時に、コイル巻線外周側引出し線１ａが同時に一体に形
成されている。さらに、同図(e) で示すように、第二層
目絶縁膜４およびコイル巻線接合穴１０を形成した後、
同図(f)で示したように、上部磁性膜１１およびコイル
巻線中心部引出し線１ｂを、同時に形成しているもので
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイル巻線部５ａを電
気メッキにて形成する際、メッキ膜を付着させるべき面
積がコイル巻線（５ａ）およびその引出し線部分（１
ａ，１ｂ）に限定されるため、メッキ付着面積の微小な
変化によって、メッキ時のメッキ膜厚の時間的な制御が
困難であった。また、コイル巻線外周側の引出し線がコ
イル巻線と一体形成されているため、第二層目絶縁膜４
を熱処理することによってハードベークする際、引出し
線１ａ，１ｂの表面に酸化膜が形成されるという問題点
があった。
うな従来の薄膜磁気ヘッドでは、コイル巻線部５ａを電
気メッキにて形成する際、メッキ膜を付着させるべき面
積がコイル巻線（５ａ）およびその引出し線部分（１
ａ，１ｂ）に限定されるため、メッキ付着面積の微小な
変化によって、メッキ時のメッキ膜厚の時間的な制御が
困難であった。また、コイル巻線外周側の引出し線がコ
イル巻線と一体形成されているため、第二層目絶縁膜４
を熱処理することによってハードベークする際、引出し
線１ａ，１ｂの表面に酸化膜が形成されるという問題点
があった。
【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、コイル巻線部メッキ時の微小面積の変化に
よるメッキ膜厚の時間的制御の変動と、コイル巻線引出
し線部の酸化とを防止し得る薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法を得ることを目的としている。
ものであり、コイル巻線部メッキ時の微小面積の変化に
よるメッキ膜厚の時間的制御の変動と、コイル巻線引出
し線部の酸化とを防止し得る薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような要請に応える
ために本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
は、コイル巻線部両端の引出し線部分を、基板上に下部
磁性膜と同一材質で同時に形成し、またコイル巻線部の
メッキによる形成時に第一層目から最終的に積層される
コイル巻線絶縁膜の占有部以外に、ダミーパターンを同
時にメッキにて形成し、さらにこのダミーパターンを、
基板上への最終コイル絶縁膜形成後にケミカルエッチン
グによって除去するようにしたものである。
ために本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
は、コイル巻線部両端の引出し線部分を、基板上に下部
磁性膜と同一材質で同時に形成し、またコイル巻線部の
メッキによる形成時に第一層目から最終的に積層される
コイル巻線絶縁膜の占有部以外に、ダミーパターンを同
時にメッキにて形成し、さらにこのダミーパターンを、
基板上への最終コイル絶縁膜形成後にケミカルエッチン
グによって除去するようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、基板上面に形成される絶縁膜
上に、コイル巻線部両端からの引出し線を、下部磁性膜
と同一材質で同時に形成し、さらにコイル巻線部のメッ
キ形成時に、第１層目絶縁膜および最終絶縁膜を重ね合
わせたときの上面投影面積以外の部分に、ダミーパター
ンをメッキにて同時に付着させて形成し、また基板上へ
の最終絶縁膜の形成後に、ケミカルエッチングを施すこ
とによりダミーパターンを除去することによって、コイ
ル巻線部メッキ時の微小面積の変化によるメッキ膜厚の
時間的制御の変動と、コイル巻線引出し線部の酸化とを
防止し得るものである。
上に、コイル巻線部両端からの引出し線を、下部磁性膜
と同一材質で同時に形成し、さらにコイル巻線部のメッ
キ形成時に、第１層目絶縁膜および最終絶縁膜を重ね合
わせたときの上面投影面積以外の部分に、ダミーパター
ンをメッキにて同時に付着させて形成し、また基板上へ
の最終絶縁膜の形成後に、ケミカルエッチングを施すこ
とによりダミーパターンを除去することによって、コイ
ル巻線部メッキ時の微小面積の変化によるメッキ膜厚の
時間的制御の変動と、コイル巻線引出し線部の酸化とを
防止し得るものである。
【０００８】
【実施例】図１および図２は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドおよびその製造方法の一実施例を示すものであり、こ
れらの図において、前述した図３および図４と同一また
は相当する部分には同一番号を付して説明は省略する。
まず、図２により本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工
程を以下に説明する。すなわち、同図(a) に示す工程で
は、上面にＡｌ2Ｏ3絶縁膜６が形成されたＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉＣ基板７上に、電気メッキ導通用金属下地膜をスパッ
タリングによって成膜し、フォトリソグラフィ技術、電
気メッキ法により、下部磁性膜２を形成する。そして、
本発明によれば、このときに、後工程で形成されるコイ
ル巻線と接続するためのコイル巻線外周側引出し線１
ａ、コイル巻線中心部引出し線１ｂも、該基板１上に同
一材質で同時に形成するようにしている。
ドおよびその製造方法の一実施例を示すものであり、こ
れらの図において、前述した図３および図４と同一また
は相当する部分には同一番号を付して説明は省略する。
まず、図２により本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工
程を以下に説明する。すなわち、同図(a) に示す工程で
は、上面にＡｌ2Ｏ3絶縁膜６が形成されたＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉＣ基板７上に、電気メッキ導通用金属下地膜をスパッ
タリングによって成膜し、フォトリソグラフィ技術、電
気メッキ法により、下部磁性膜２を形成する。そして、
本発明によれば、このときに、後工程で形成されるコイ
ル巻線と接続するためのコイル巻線外周側引出し線１
ａ、コイル巻線中心部引出し線１ｂも、該基板１上に同
一材質で同時に形成するようにしている。
【０００９】また、同図(b) に示す工程では、不要なメ
ッキ膜および金属下地膜をウェットエッチング、イオン
ミリング等によって除去し、Ａｌ2Ｏ3ギャップ膜８をス
パッタリングによって形成した後、上部磁性膜接合穴９
およびコイル巻線接合穴１０を穿ける。さらに、同図
(c) に示す工程において段差解消用の第一層目絶縁膜３
を形成した後、同図(d) に示す工程でメッキ導通用金属
下地膜をスパッタリングにて成膜し、フォトリソグラフ
ィ技術、電気メッキ法にてコイル巻線部５ａおよび第一
層目絶縁膜３と後に形成される第二層目絶縁膜４とを重
ね合わせたときの占有部を除くＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板７
上部全面に、ダミーパターン５ｂを同様にメッキにて形
成する。ここで、このようにして形成されるメッキ付着
面積は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板７上面の約８０％以上に
も及ぶため、メッキ層の析出速度はコイル巻線部の微小
な面積変化の影響をほとんど受けることがなくなり、こ
れにより安定した析出速度でメッキを行なうことが可能
である。
ッキ膜および金属下地膜をウェットエッチング、イオン
ミリング等によって除去し、Ａｌ2Ｏ3ギャップ膜８をス
パッタリングによって形成した後、上部磁性膜接合穴９
およびコイル巻線接合穴１０を穿ける。さらに、同図
(c) に示す工程において段差解消用の第一層目絶縁膜３
を形成した後、同図(d) に示す工程でメッキ導通用金属
下地膜をスパッタリングにて成膜し、フォトリソグラフ
ィ技術、電気メッキ法にてコイル巻線部５ａおよび第一
層目絶縁膜３と後に形成される第二層目絶縁膜４とを重
ね合わせたときの占有部を除くＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板７
上部全面に、ダミーパターン５ｂを同様にメッキにて形
成する。ここで、このようにして形成されるメッキ付着
面積は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板７上面の約８０％以上に
も及ぶため、メッキ層の析出速度はコイル巻線部の微小
な面積変化の影響をほとんど受けることがなくなり、こ
れにより安定した析出速度でメッキを行なうことが可能
である。
【００１０】また、同図(e) に示す工程では、コイル巻
線間の金属下地膜をケミカルエッチング、イオンミリン
グ等で除去した後、第二層目絶縁膜４を形成する。この
とき、第二層目絶縁膜４は、コイル巻線部５ｂおよびコ
イル引出し線１ａ，１ｂとの接合部を完全に覆う形状に
なるため、第二層目絶縁膜４を熱処理によってハードキ
ュアする際に必要とするメッキパターンは、一切表面に
露出しないので、導通不良の原因となる酸化膜は後工程
で除去されるダミーパターン５ｂ上にのみ形成されるこ
とになる。
線間の金属下地膜をケミカルエッチング、イオンミリン
グ等で除去した後、第二層目絶縁膜４を形成する。この
とき、第二層目絶縁膜４は、コイル巻線部５ｂおよびコ
イル引出し線１ａ，１ｂとの接合部を完全に覆う形状に
なるため、第二層目絶縁膜４を熱処理によってハードキ
ュアする際に必要とするメッキパターンは、一切表面に
露出しないので、導通不良の原因となる酸化膜は後工程
で除去されるダミーパターン５ｂ上にのみ形成されるこ
とになる。
【００１１】そして、同図(f) に示す工程で、不要なダ
ミーパターン５ｂをケミカルエッチング等で除去する。
ここで、コイル巻線部５ａおよびダミーパターン５ｂを
銅メッキにより、下部磁性膜２およびコイル引出し線１
ａ，１ｂをＮｉＦｅメッキによって形成した場合、エッ
チング液組成を２〜１０％濃度の過硫酸アンモニウム溶
液、または２０〜４０％過硫酸水素水、２０〜４０％酢
酸、０〜２０％水の混合溶液を使用することにより、Ｃ
ｕ膜のみが選択的にエッチングされ、ＮｉＦｅ膜は腐食
を受けない。また、イオンミリング等を一切使用しない
ので、下部磁性膜側面へのリスパッタ層が形成されない
ため、信頼性が向上する。
ミーパターン５ｂをケミカルエッチング等で除去する。
ここで、コイル巻線部５ａおよびダミーパターン５ｂを
銅メッキにより、下部磁性膜２およびコイル引出し線１
ａ，１ｂをＮｉＦｅメッキによって形成した場合、エッ
チング液組成を２〜１０％濃度の過硫酸アンモニウム溶
液、または２０〜４０％過硫酸水素水、２０〜４０％酢
酸、０〜２０％水の混合溶液を使用することにより、Ｃ
ｕ膜のみが選択的にエッチングされ、ＮｉＦｅ膜は腐食
を受けない。また、イオンミリング等を一切使用しない
ので、下部磁性膜側面へのリスパッタ層が形成されない
ため、信頼性が向上する。
【００１２】すなわち、本発明によれば、前述したよう
な薄膜磁気ヘッドを、コイル巻線部５ａの両端からの引
出し線１ａ，１ｂを、基板７上で下部磁性膜２と同時に
形成し、さらにコイル巻線部５ａをメッキにて形成する
際に、ダミーパターン５ｂをもメッキにて形成するよう
にし、これによりメッキの析出速度を安定させ得るとと
もに、熱処理時に必要とするメッキ膜表面への酸化膜形
成の防止、ダミーパターン除去時にコイル巻線部からの
引出し線のマスキング工程を不要とし得るものである。
また、ダミーパターン５ｂの除去も、ケミカルエッチン
グにて行うため、ミリング等を使用して金属膜を除去す
る際に発生する下部磁性膜側面へのリスパッタ層が形成
されることがなく、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを供給
できるものである。したがって、コイル巻線部５ａ形成
時のメッキ膜厚の時間的制御が容易になり、最終絶縁膜
４の熱処理時のコイル巻線引出し線１ａ，１ｂ部分での
酸化を防止でき、さらにダミーパターン５ｂの除去時に
マスキング無しにダミーパターン５ｂのみを除去するこ
とも可能である。
な薄膜磁気ヘッドを、コイル巻線部５ａの両端からの引
出し線１ａ，１ｂを、基板７上で下部磁性膜２と同時に
形成し、さらにコイル巻線部５ａをメッキにて形成する
際に、ダミーパターン５ｂをもメッキにて形成するよう
にし、これによりメッキの析出速度を安定させ得るとと
もに、熱処理時に必要とするメッキ膜表面への酸化膜形
成の防止、ダミーパターン除去時にコイル巻線部からの
引出し線のマスキング工程を不要とし得るものである。
また、ダミーパターン５ｂの除去も、ケミカルエッチン
グにて行うため、ミリング等を使用して金属膜を除去す
る際に発生する下部磁性膜側面へのリスパッタ層が形成
されることがなく、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを供給
できるものである。したがって、コイル巻線部５ａ形成
時のメッキ膜厚の時間的制御が容易になり、最終絶縁膜
４の熱処理時のコイル巻線引出し線１ａ，１ｂ部分での
酸化を防止でき、さらにダミーパターン５ｂの除去時に
マスキング無しにダミーパターン５ｂのみを除去するこ
とも可能である。
【００１３】なお、本発明は上述した実施例構造には限
定されず、薄膜磁気ヘッド各部の形状、構造等を適宜変
形、変更し得ることは勿論であり、種々の変形例が考え
られよう。
定されず、薄膜磁気ヘッド各部の形状、構造等を適宜変
形、変更し得ることは勿論であり、種々の変形例が考え
られよう。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る薄膜磁
気ヘッドおよびその製造方法によれば、コイル巻線部の
両端からの引出し線を、基板上で下部磁性膜と同時に形
成し、さらにコイル巻線部をメッキにて形成する際に、
ダミーパターンをもメッキにて形成するようにしたの
で、簡単な構成および方法にもかかわらず、メッキの析
出速度を安定させ得るとともに、熱処理時に必要とする
メッキ膜表面への酸化膜形成の防止、ダミーパターン除
去時にコイル巻線部からの引出し線のマスキング工程が
不要となり、またダミーパターンの除去はケミカルエッ
チングにて行うため、ミリング等を使用して金属膜を除
去する際に発生する下部磁性膜側面へのリスパッタ層が
形成されることがなく、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
供給できるものである。したがって、本発明によれば、
コイル巻線部形成時のメッキ膜厚の時間的制御が容易に
なり、最終絶縁膜の熱処理時のコイル巻線引出し線部の
酸化を防止でき、さらにダミーパターン除去時にマスキ
ング無しにダミーパターンのみを除去することが可能と
なる等といった種々優れた効果がある。
気ヘッドおよびその製造方法によれば、コイル巻線部の
両端からの引出し線を、基板上で下部磁性膜と同時に形
成し、さらにコイル巻線部をメッキにて形成する際に、
ダミーパターンをもメッキにて形成するようにしたの
で、簡単な構成および方法にもかかわらず、メッキの析
出速度を安定させ得るとともに、熱処理時に必要とする
メッキ膜表面への酸化膜形成の防止、ダミーパターン除
去時にコイル巻線部からの引出し線のマスキング工程が
不要となり、またダミーパターンの除去はケミカルエッ
チングにて行うため、ミリング等を使用して金属膜を除
去する際に発生する下部磁性膜側面へのリスパッタ層が
形成されることがなく、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
供給できるものである。したがって、本発明によれば、
コイル巻線部形成時のメッキ膜厚の時間的制御が容易に
なり、最終絶縁膜の熱処理時のコイル巻線引出し線部の
酸化を防止でき、さらにダミーパターン除去時にマスキ
ング無しにダミーパターンのみを除去することが可能と
なる等といった種々優れた効果がある。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線で断面した部分での製造
工程を(a)〜(f)により説明するための概略断面図であ
る。
工程を(a)〜(f)により説明するための概略断面図であ
る。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドの概略平面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ線で断面した部分での製造
工程を(a)〜(f)により説明するための概略断面図であ
る。
工程を(a)〜(f)により説明するための概略断面図であ
る。
１ａ コイル巻線外周側引出し線
１ｂ コイル巻線中心部引出し線
２ 下部磁性膜
３ 第一層目絶縁膜
４ 第二層目絶縁膜
５ａ コイル巻線部
５ｂ ダミーパターン
６ Ａｌ2Ｏ3絶縁膜
７ Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板
８ Ａｌ2Ｏ3ギャップ膜
９ 上部磁性膜接合穴
１０ コイル巻線接合穴
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に絶縁膜、下部磁性膜、ギャップ
膜、コイル、上部磁性膜を順次積層することにより形成
される薄膜磁気ヘッドにおいて、前記コイルの巻線部両
端の引出し線を、前記下部磁性膜と同一材質で、前記基
板上に同時に形成するように構成したことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、コイル巻線部のメッキによる形成時に、第一層目か
ら最終的に積層されるコイル巻線絶縁膜を除くウエハ内
領域の少なくとも一部分にも、メッキを施すことにより
ダミーパターンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、基板上に最終的に積層されるコイル巻線絶
縁膜を形成した後に、ダミーパターンをケミカルエッチ
ングにて除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19746291A JPH0520641A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19746291A JPH0520641A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520641A true JPH0520641A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16374905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19746291A Pending JPH0520641A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140096659A1 (en) * | 2011-10-07 | 2014-04-10 | Moon Sik Choi | Wrap case |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4859815A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-22 | ||
| JPS5864616A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-04-18 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH01217717A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH0279208A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP19746291A patent/JPH0520641A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| JPH01217717A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH0279208A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US20140096659A1 (en) * | 2011-10-07 | 2014-04-10 | Moon Sik Choi | Wrap case |
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