JP2747099B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に、高磁気記録
密度を達成するのに好適な薄膜磁気ヘツドに関するもの
である。
密度を達成するのに好適な薄膜磁気ヘツドに関するもの
である。
一般に、薄膜磁気ヘツドは、他の磁気ヘツドに比較し
て、磁気コア（上部磁性膜及び下部磁性膜）の体積が小
さく、低インダクタンスにできること、磁性膜の高周波
透磁率がバルクフエライトより大きいこと、及び、ホト
リソグラフイ技術を用いて製造することにより、狭トラ
ツク化が可能であること等の多くの利点を有しているこ
とから、磁気デイスク装置の分野、磁気テープ装置の分
野、及び、民生用磁気記録の分野において、面記録密度
の向上を図るために重要性を増してきている。
て、磁気コア（上部磁性膜及び下部磁性膜）の体積が小
さく、低インダクタンスにできること、磁性膜の高周波
透磁率がバルクフエライトより大きいこと、及び、ホト
リソグラフイ技術を用いて製造することにより、狭トラ
ツク化が可能であること等の多くの利点を有しているこ
とから、磁気デイスク装置の分野、磁気テープ装置の分
野、及び、民生用磁気記録の分野において、面記録密度
の向上を図るために重要性を増してきている。
薄膜磁気ヘツドは、例えば、米国特許第4219854号明
細書（1980年８月26日発行）に記載されているように、
平坦な基板上に、順次、下部磁性膜、絶縁膜、コイル、
及び、上部磁性膜等を積層して作られてきた。そして、
この明細書には、コイルを低抵抗にし、多巻化すること
が、記載されている。
細書（1980年８月26日発行）に記載されているように、
平坦な基板上に、順次、下部磁性膜、絶縁膜、コイル、
及び、上部磁性膜等を積層して作られてきた。そして、
この明細書には、コイルを低抵抗にし、多巻化すること
が、記載されている。
これに対して、高記録密度化に伴ない、薄膜磁気ヘツ
ドのトラツク幅精度の向上が必要となり、高段差下での
トラツク幅の決定ではなく、例えば、特開昭60−193114
号公報の第２図に一例を示したように、基板表面に凹部
を設けることにより、トラツク幅を決定する上部磁性膜
の段差を低くし、トラツク幅精度を高くする方法が開発
されてきている。
ドのトラツク幅精度の向上が必要となり、高段差下での
トラツク幅の決定ではなく、例えば、特開昭60−193114
号公報の第２図に一例を示したように、基板表面に凹部
を設けることにより、トラツク幅を決定する上部磁性膜
の段差を低くし、トラツク幅精度を高くする方法が開発
されてきている。
以上、二つの公知例を基礎にして、本発明者等は、ま
ず、コイルを二層にして、高磁気記録密度化を図つた薄
膜磁気ヘツドを提案したが、その一部を第９図（構造の
断面図）及び第10図（その製造時の断面図）に示す。第
９図及び第10図において、１は基板、２は絶縁膜、５は
層間絶縁膜、６は第１コイル、6b及び6cは、第１コイル
６の引出線部、７は第２コイル、９は絶縁膜、11は、製
造時にコイル及びその引出線部を作成するために用いる
ホトレジスト膜を示す。第９図及び第10図において、第
１コイル６の引出線部6bを、凹部の斜面を乗り越えて作
成しようとすると、凹部の斜面を乗り越えた平坦面上
に、第１コイル６の引出線部6bを形成することになる。
したがつて、第１コイル６の引出線部6bを形成するのに
用いられるホトレジスト膜11の厚さは、凹部の斜面を乗
り越えた平坦面上で、少なくとも、第１コイル６の引出
線部6bの高さと同等の例えば６μｍの厚さ、安定に形成
するためには、例えば８μｍの厚さに塗布する必要があ
り、この場合、凹部では、ホトレジスト膜11の厚さが、
15μｍ以上になることがわかつた。このときの塗布後の
断面形状を第10図に示す。また、第10図には、同図に、
ホトレジスト膜11の断面形状、めつきにより作成された
第１コイルの断面形状、及び、第１コイル６の引出線部
6bを重ね合わせて示す。
ず、コイルを二層にして、高磁気記録密度化を図つた薄
膜磁気ヘツドを提案したが、その一部を第９図（構造の
断面図）及び第10図（その製造時の断面図）に示す。第
９図及び第10図において、１は基板、２は絶縁膜、５は
層間絶縁膜、６は第１コイル、6b及び6cは、第１コイル
６の引出線部、７は第２コイル、９は絶縁膜、11は、製
造時にコイル及びその引出線部を作成するために用いる
ホトレジスト膜を示す。第９図及び第10図において、第
１コイル６の引出線部6bを、凹部の斜面を乗り越えて作
成しようとすると、凹部の斜面を乗り越えた平坦面上
に、第１コイル６の引出線部6bを形成することになる。
したがつて、第１コイル６の引出線部6bを形成するのに
用いられるホトレジスト膜11の厚さは、凹部の斜面を乗
り越えた平坦面上で、少なくとも、第１コイル６の引出
線部6bの高さと同等の例えば６μｍの厚さ、安定に形成
するためには、例えば８μｍの厚さに塗布する必要があ
り、この場合、凹部では、ホトレジスト膜11の厚さが、
15μｍ以上になることがわかつた。このときの塗布後の
断面形状を第10図に示す。また、第10図には、同図に、
ホトレジスト膜11の断面形状、めつきにより作成された
第１コイルの断面形状、及び、第１コイル６の引出線部
6bを重ね合わせて示す。
第11図には、ホトレジスト膜11の膜厚が露光量に対し
て影響することの説明を加えるために、露光量に対する
ホトレジスト膜11の現像深さの関係を求めた結果の一例
を示す。この図から、厚さ８μｍのホトレジスト膜11を
露光・現像するには、露光量として0.7J/cm2以上必要で
あるのに対して、厚さ15μｍのホトレジスト膜11を露光
・現像するには、露光量として1.7J/cm2以上必要である
ことがわかる。したがつて、膜厚が、８μｍ〜15μｍに
わたつて分布している場合、段差の上下部を同時に露光
するため、最低1.7J/cm2の露光量が必要となり、最も薄
い厚さ８μｍの部分には、適正露光量の倍以上の露光量
が加わることになり、露光量過多によるパターン精度の
低下を生じるという問題がある。また、コイル部分を形
成するホトレジスト膜の厚さが15μｍのように厚いた
め、露光量が大であり、露光に要する時間も長くなり、
コイルの精度が低下するという問題がある。
て影響することの説明を加えるために、露光量に対する
ホトレジスト膜11の現像深さの関係を求めた結果の一例
を示す。この図から、厚さ８μｍのホトレジスト膜11を
露光・現像するには、露光量として0.7J/cm2以上必要で
あるのに対して、厚さ15μｍのホトレジスト膜11を露光
・現像するには、露光量として1.7J/cm2以上必要である
ことがわかる。したがつて、膜厚が、８μｍ〜15μｍに
わたつて分布している場合、段差の上下部を同時に露光
するため、最低1.7J/cm2の露光量が必要となり、最も薄
い厚さ８μｍの部分には、適正露光量の倍以上の露光量
が加わることになり、露光量過多によるパターン精度の
低下を生じるという問題がある。また、コイル部分を形
成するホトレジスト膜の厚さが15μｍのように厚いた
め、露光量が大であり、露光に要する時間も長くなり、
コイルの精度が低下するという問題がある。
前記従来技術による薄膜磁気ヘツドでは、その製造時
にマスクとして用いるホトレジスト膜に対する露光量が
大であり、露光に要する時間も長くなり、コイルの精度
が低下するという問題を有していた。
にマスクとして用いるホトレジスト膜に対する露光量が
大であり、露光に要する時間も長くなり、コイルの精度
が低下するという問題を有していた。
本発明は、露光に要する時間を短かくし、コイルの精
度を上げることにより、高密度・二層コイルを有する薄
膜磁気ヘツドを提供することを目的としたものである。
度を上げることにより、高密度・二層コイルを有する薄
膜磁気ヘツドを提供することを目的としたものである。
上記目的を達成するために、本発明では、第１コイル
を形成する凹部のホトレジスト膜の厚さを薄くすること
を考え、そのために、第１コイルの引出線部を凹部の斜
面を乗り越えた平坦面上に作成することをやめて、第１
コイルは凹部のみに作成し、第１コイルの一方の端部の
上部に第１コイルの引出線部の一方の端部を接続した構
造にしたものである。
を形成する凹部のホトレジスト膜の厚さを薄くすること
を考え、そのために、第１コイルの引出線部を凹部の斜
面を乗り越えた平坦面上に作成することをやめて、第１
コイルは凹部のみに作成し、第１コイルの一方の端部の
上部に第１コイルの引出線部の一方の端部を接続した構
造にしたものである。
また前記凹部に第１コイルと第２コイルを上下に設
け、第１コイル及び第２コイルとほぼ同一平面に、第１
コイルの引出線部を設けた構造にしたものである。
け、第１コイル及び第２コイルとほぼ同一平面に、第１
コイルの引出線部を設けた構造にしたものである。
上記構成に基づく作用を説明する。
基板あるいは基板上に形成した絶縁膜に凹部を設け、
凹部に第１コイルのみを作成し、第１コイルの一方の端
部の上部に第１コイルの引出線部の一方の端部を接続す
る。そして、１回目のホトレジスト膜で凹部内の第１コ
イルのみが作成され、〔従来技術〕で述べたように、凹
部内と乗り上げ部とを同時に作るようなことはしない。
従って、コイル形成に必要なホトレジスト膜の厚さを薄
くし、露光に要する時間を短かくし、コイルの精度を上
げることができる。それによつて、高密度・二層のコイ
ルを作り、高記録密度薄膜磁気ヘツドを提供することが
できる。なお、第１コイルの上部にある第１コイル引出
線部は、第２コイルを作るとき、別の（同様に薄い）ホ
トレジスト膜によつて形成される。従って、１回１回の
コイル層及び引出線層の形成に必要なホトレジスト膜は
薄くてよい。
凹部に第１コイルのみを作成し、第１コイルの一方の端
部の上部に第１コイルの引出線部の一方の端部を接続す
る。そして、１回目のホトレジスト膜で凹部内の第１コ
イルのみが作成され、〔従来技術〕で述べたように、凹
部内と乗り上げ部とを同時に作るようなことはしない。
従って、コイル形成に必要なホトレジスト膜の厚さを薄
くし、露光に要する時間を短かくし、コイルの精度を上
げることができる。それによつて、高密度・二層のコイ
ルを作り、高記録密度薄膜磁気ヘツドを提供することが
できる。なお、第１コイルの上部にある第１コイル引出
線部は、第２コイルを作るとき、別の（同様に薄い）ホ
トレジスト膜によつて形成される。従って、１回１回の
コイル層及び引出線層の形成に必要なホトレジスト膜は
薄くてよい。
また、前記凹部を引出線部まで含む構成にすることに
より、ホトレジスト膜の厚さを薄くし、露光に要する時
間を短かくし、コイルの精度を上げることにより、高密
度・二層のコイルを作り、高記録密度薄膜磁気ヘツドを
提供することができる。
より、ホトレジスト膜の厚さを薄くし、露光に要する時
間を短かくし、コイルの精度を上げることにより、高密
度・二層のコイルを作り、高記録密度薄膜磁気ヘツドを
提供することができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
（実施例１） 第１図は、薄膜磁気ヘツドの実施例を示す平面図であ
り、第２図（ａ）及び（ｂ）は、第１図中Ａ−Ａ′部の
断面図であり、第３図は、第１図中Ｂ−Ｂ′部の断面図
である。
り、第２図（ａ）及び（ｂ）は、第１図中Ａ−Ａ′部の
断面図であり、第３図は、第１図中Ｂ−Ｂ′部の断面図
である。
スライダとして用いられる基板１上には、厚い絶縁膜
２が形成される。この絶縁膜２は、例えば、アルミナ膜
を用いることができ、アルミナ膜は、通常、スパツタリ
ング法で形成する。次に、この絶縁膜２上に、凹部を作
成する。この凹部は、磁気ギヤツプ膜４を下部磁性膜３
と上部磁性膜８で挟んで構成した磁気ギヤツプ部分及び
バツクギヤツプ部分13を残して、その間を凹形に削り、
第１コイルの巻線部分を埋め込むことのできる形状に作
成したものである。
２が形成される。この絶縁膜２は、例えば、アルミナ膜
を用いることができ、アルミナ膜は、通常、スパツタリ
ング法で形成する。次に、この絶縁膜２上に、凹部を作
成する。この凹部は、磁気ギヤツプ膜４を下部磁性膜３
と上部磁性膜８で挟んで構成した磁気ギヤツプ部分及び
バツクギヤツプ部分13を残して、その間を凹形に削り、
第１コイルの巻線部分を埋め込むことのできる形状に作
成したものである。
基板１上に積層した絶縁膜上に凹部を作成する方法と
しては、ホトレジスト膜あるいは金属膜のパターンをマ
スクにして、CF4あるいはCHF3等のフロン系ガス、また
は、フロン系ガスにAr等の不活性ガスを混合したガスを
用いた反応性イオンビームエツチング法を用いることが
できる。次に、下部磁性膜３を作成する。下部磁性膜３
の作成法としては、例えば、絶縁膜２の全面に、下部磁
性膜３をスパツタリング法で積層した後、ホトレジスト
パターンをマスクにして、イオンビームエツチング法を
用いて作成することができる。また、他の方法として、
ホトレジストパターンをマスクとして、その間隙にめつ
きするパターンめつき法を採用することも可能である。
しては、ホトレジスト膜あるいは金属膜のパターンをマ
スクにして、CF4あるいはCHF3等のフロン系ガス、また
は、フロン系ガスにAr等の不活性ガスを混合したガスを
用いた反応性イオンビームエツチング法を用いることが
できる。次に、下部磁性膜３を作成する。下部磁性膜３
の作成法としては、例えば、絶縁膜２の全面に、下部磁
性膜３をスパツタリング法で積層した後、ホトレジスト
パターンをマスクにして、イオンビームエツチング法を
用いて作成することができる。また、他の方法として、
ホトレジストパターンをマスクとして、その間隙にめつ
きするパターンめつき法を採用することも可能である。
次に、磁気ギヤツプ膜４を作成する。磁気ギヤツプ膜
４としては、アルミナ膜等の無機絶縁膜を採用すること
ができる。もちろん、バツクギヤツプ部分13のアルミナ
膜を除去しておくことは、言うまでもないことである。
４としては、アルミナ膜等の無機絶縁膜を採用すること
ができる。もちろん、バツクギヤツプ部分13のアルミナ
膜を除去しておくことは、言うまでもないことである。
次に、層間絶縁膜５、第１コイル６、及び、第２コイ
ル７を順次作成する。まず、第１コイル６と下部磁性膜
３とを絶縁し、第２コイル７と上部磁性膜８とを絶縁す
るために、層間絶縁膜５を磁気ギヤツプ膜４の凹部に当
たる部分に作成する。この層間絶縁膜５については、例
えば、ノボラツク系ポジ型のホトレジスト膜を、概ね24
0℃以上で焼成した膜を用いることができる。もちろ
ん、他種のホトレジスト膜やポリイミド系樹脂等の有機
樹脂膜や、あるいは、無機絶縁膜を用いることも可能で
ある。
ル７を順次作成する。まず、第１コイル６と下部磁性膜
３とを絶縁し、第２コイル７と上部磁性膜８とを絶縁す
るために、層間絶縁膜５を磁気ギヤツプ膜４の凹部に当
たる部分に作成する。この層間絶縁膜５については、例
えば、ノボラツク系ポジ型のホトレジスト膜を、概ね24
0℃以上で焼成した膜を用いることができる。もちろ
ん、他種のホトレジスト膜やポリイミド系樹脂等の有機
樹脂膜や、あるいは、無機絶縁膜を用いることも可能で
ある。
次に、第１コイル６の製造工程に移る。この工程を第
４図及び第５図を用いて説明する。第４図は、第１図の
Ａ−Ａ′断面のうち、下部磁性膜３を含む部分を示し、
第５図は、第１図のＢ−Ｂ′断面の部分を示す。まず、
めつき下地膜10を形成する。この工程を第４図（ａ）及
び第５図（ａ）に示す。次いで、コイル用のマスクとし
て用いられるホトレジストパターンを作成するために、
めつき下地膜10の上に、ホトレジスト膜11を塗布する。
これを、第４図（ｂ）及び第５図（ｂ）に示す。このと
き、ホトレジスト膜11は、通常用いられている回転塗布
法で塗布すると、めつき下地膜10の段差にしたがつて、
場所による塗布膜厚の差を生じる。すなわち、ホトレジ
スト膜11は、めつき下地膜10の凹部には厚く、めつき下
地膜10の凸部、特に、段差の乗り上げ部には薄く形成さ
れる。めつき下地膜10の面内での塗布膜厚のばらつきが
あると、露光・現像時の条件（所要露光量）について、
膜厚の薄いところで、露光量が適当であつた場合、膜厚
の厚い部分では、露光量が少なくなり、また、膜厚の厚
い部分で、露光量が適当であつた場合、膜厚の薄い部分
では、露光量が過多となる。したがつて、全体で均一な
露光・現像条件で、適正なホトレジストパターンを得る
のは、むづかしい。
４図及び第５図を用いて説明する。第４図は、第１図の
Ａ−Ａ′断面のうち、下部磁性膜３を含む部分を示し、
第５図は、第１図のＢ−Ｂ′断面の部分を示す。まず、
めつき下地膜10を形成する。この工程を第４図（ａ）及
び第５図（ａ）に示す。次いで、コイル用のマスクとし
て用いられるホトレジストパターンを作成するために、
めつき下地膜10の上に、ホトレジスト膜11を塗布する。
これを、第４図（ｂ）及び第５図（ｂ）に示す。このと
き、ホトレジスト膜11は、通常用いられている回転塗布
法で塗布すると、めつき下地膜10の段差にしたがつて、
場所による塗布膜厚の差を生じる。すなわち、ホトレジ
スト膜11は、めつき下地膜10の凹部には厚く、めつき下
地膜10の凸部、特に、段差の乗り上げ部には薄く形成さ
れる。めつき下地膜10の面内での塗布膜厚のばらつきが
あると、露光・現像時の条件（所要露光量）について、
膜厚の薄いところで、露光量が適当であつた場合、膜厚
の厚い部分では、露光量が少なくなり、また、膜厚の厚
い部分で、露光量が適当であつた場合、膜厚の薄い部分
では、露光量が過多となる。したがつて、全体で均一な
露光・現像条件で、適正なホトレジストパターンを得る
のは、むづかしい。
次いで、ホトレジスト膜11のうち、第１コイル６を形
成する部分を露光・現像することによつて除去し、ホト
レジストパターンを作成する。これを第４図（ｃ）及び
第５図（ｃ）に示す。
成する部分を露光・現像することによつて除去し、ホト
レジストパターンを作成する。これを第４図（ｃ）及び
第５図（ｃ）に示す。
第１コイル６の高さを６μｍとした場合、コイル形成
部分のホトレジストパターンの高さは、約８μｍ必要で
ある。この高さは、第１コイル６を作成するめつき下地
膜10上のすべての部分にわたつて必要となる。
部分のホトレジストパターンの高さは、約８μｍ必要で
ある。この高さは、第１コイル６を作成するめつき下地
膜10上のすべての部分にわたつて必要となる。
本発明は、第４図及び第５図に示したように、第１コ
イル６の巻線部分を、すべて、めつき下地膜10の凹部の
上に形成することにしたので、塗布したホトレジスト膜
11の膜厚は、凹部分上に約８μｍを確保するだけでよ
く、その結果、凸部あるいは平坦部上のホトレジスト膜
11の厚さは、４μｍ以下になるが、これで十分である。
また、凹部内のコイル形成部分でのホトレジスト膜11の
厚さは、ほぼ均一に８μｍとなるため、場所による膜厚
差が少なく、一定の露光・現像条件で、ほぼ均一なホト
レジストパターンが形成できるという特徴がある。した
がつて、露光・現像条件を、ホトレジスト膜11の厚さの
高低によらず、一定に設定することにより、ほぼ均一に
制御できるという特徴がある。
イル６の巻線部分を、すべて、めつき下地膜10の凹部の
上に形成することにしたので、塗布したホトレジスト膜
11の膜厚は、凹部分上に約８μｍを確保するだけでよ
く、その結果、凸部あるいは平坦部上のホトレジスト膜
11の厚さは、４μｍ以下になるが、これで十分である。
また、凹部内のコイル形成部分でのホトレジスト膜11の
厚さは、ほぼ均一に８μｍとなるため、場所による膜厚
差が少なく、一定の露光・現像条件で、ほぼ均一なホト
レジストパターンが形成できるという特徴がある。した
がつて、露光・現像条件を、ホトレジスト膜11の厚さの
高低によらず、一定に設定することにより、ほぼ均一に
制御できるという特徴がある。
以上説明したようにして、第４図（ｃ）及び第５図
（ｃ）に示すように、めつき下地膜10の凹部上にのみコ
イルを作成するためのマスクとなるホトレジストパター
ンを作成した後、コイル部に電気めつきをして、コイル
を作成し、ホトレジスト膜11を除去した後、不要な部分
のめつき下地膜10を、例えば、イオンビームエツチング
法を採用することにより除去する。これにより、第１コ
イル６を完成する。
（ｃ）に示すように、めつき下地膜10の凹部上にのみコ
イルを作成するためのマスクとなるホトレジストパター
ンを作成した後、コイル部に電気めつきをして、コイル
を作成し、ホトレジスト膜11を除去した後、不要な部分
のめつき下地膜10を、例えば、イオンビームエツチング
法を採用することにより除去する。これにより、第１コ
イル６を完成する。
続いて、第１コイル６の上に層間絶縁膜５を形成す
る。これも、ホトレジスト膜を焼成した膜を層間絶縁膜
５として採用することができる。
る。これも、ホトレジスト膜を焼成した膜を層間絶縁膜
５として採用することができる。
次に、第２コイル７を作成する。工程は、第１コイル
６の作成工程とほぼ同じである。第１コイル６と第２コ
イル７との接続は、コイル中央のコンタクトホール部分
14（第２図を参照されたい。）で接続されている。ま
た、第３図に示されているように、第１コイルの引出線
部6aは、第１コイル６の一方の端部の上部に接続されて
いる。その結果、第２コイル７と第１コイルの引出線部
6aは、ほぼ同一平面上に形成することができる。なお、
第２コイル７の外側と第１コイルの引出線部6aの間が絶
縁されているのは、いうまでもない。したがつて、第１
コイル６の作成工程で示したように、ホトレジスト膜11
と同様なホトレジスト膜（図示せず）を、ほぼ均一に塗
布できることから、第２コイル用のホトレジストパター
ンは、第２コイル作成部全面において、均一な露光・現
像条件により、精度よく作成することができる。このと
き、第１コイルの引出線部6aは、第２コイル７の作成時
に、同時に作成すると、単独に第１コイルの引出線部6a
を作成するよりも、工程数も短かくなり、かつ、ホトレ
ジストパターンの精度も劣化させずに、第２コイル７を
作成できる。
６の作成工程とほぼ同じである。第１コイル６と第２コ
イル７との接続は、コイル中央のコンタクトホール部分
14（第２図を参照されたい。）で接続されている。ま
た、第３図に示されているように、第１コイルの引出線
部6aは、第１コイル６の一方の端部の上部に接続されて
いる。その結果、第２コイル７と第１コイルの引出線部
6aは、ほぼ同一平面上に形成することができる。なお、
第２コイル７の外側と第１コイルの引出線部6aの間が絶
縁されているのは、いうまでもない。したがつて、第１
コイル６の作成工程で示したように、ホトレジスト膜11
と同様なホトレジスト膜（図示せず）を、ほぼ均一に塗
布できることから、第２コイル用のホトレジストパター
ンは、第２コイル作成部全面において、均一な露光・現
像条件により、精度よく作成することができる。このと
き、第１コイルの引出線部6aは、第２コイル７の作成時
に、同時に作成すると、単独に第１コイルの引出線部6a
を作成するよりも、工程数も短かくなり、かつ、ホトレ
ジストパターンの精度も劣化させずに、第２コイル７を
作成できる。
以上のようにして、第２コイル７を作成した後、層間
絶縁膜５を形成し、しかる後に、上部磁性膜８を作成す
る。次いで、図中には示していないが、素子と電気信号
のやり取りをするために必要な端子部を作成し、保護膜
である絶縁膜９を作成して、基板の作成工程を終了す
る。次いで、機械加工により、薄膜磁気ヘツド素子を完
成する。なお、上部磁性膜８と下部磁性膜３で囲まれた
部分の第１コイル及び第２コイルの矩形断面は、アスペ
クト比（コイルの矩形断面において、縦の長さを横の長
さで割つたもの。）が大きくなるように構成されてい
る。
絶縁膜５を形成し、しかる後に、上部磁性膜８を作成す
る。次いで、図中には示していないが、素子と電気信号
のやり取りをするために必要な端子部を作成し、保護膜
である絶縁膜９を作成して、基板の作成工程を終了す
る。次いで、機械加工により、薄膜磁気ヘツド素子を完
成する。なお、上部磁性膜８と下部磁性膜３で囲まれた
部分の第１コイル及び第２コイルの矩形断面は、アスペ
クト比（コイルの矩形断面において、縦の長さを横の長
さで割つたもの。）が大きくなるように構成されてい
る。
本実施例によれば、第１コイル６及び第２コイル７
を、おのおのほぼ平面上に作成できるので、各コイルを
作成するときに用いるホトレジスト膜の厚みを一様にす
ることができるため、ホトレジスト膜の塗布・露光条件
の適正範囲の基板面内でのばらつきが小さくなり、した
がつて、相対的に、ホトレジストパターンを作成する露
光・現像条件の適正範囲が広がつて、二層コイルを作成
することができ、高記録密度に最適な薄膜磁気ヘツドを
提供できるという効果がある。
を、おのおのほぼ平面上に作成できるので、各コイルを
作成するときに用いるホトレジスト膜の厚みを一様にす
ることができるため、ホトレジスト膜の塗布・露光条件
の適正範囲の基板面内でのばらつきが小さくなり、した
がつて、相対的に、ホトレジストパターンを作成する露
光・現像条件の適正範囲が広がつて、二層コイルを作成
することができ、高記録密度に最適な薄膜磁気ヘツドを
提供できるという効果がある。
（実施例２） 第６図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の薄膜磁気ヘツド
の他の実施例を示す断面図である。前述の実施例１に示
した構成に比較して、絶縁膜２の凹部の深さを深くした
ものである。この場合においても、第１コイル６は、凹
部内のみに作成するため、実施例１と同様に高精度に作
成できる。また、第２コイル７については、実施例１に
示した場合に比較して、引出線部（図示せず）には、段
差を生じるが、従来例に比較して段差の高さを低くでき
るので、従来例よりも精度の高いコイルパターンを作成
できることは、明らかである。さらに、本実施例によれ
ば、上部磁性膜の段差の高さが低くできるので、上部磁
性膜のトラツク幅加工の精度を高くできるという効果が
ある。なお、第６図（ａ）に示されている第１コイル及
び第２コイルの矩形断面のアスペクト比は、実施例１と
同様に、大きくなるように構成されている。
の他の実施例を示す断面図である。前述の実施例１に示
した構成に比較して、絶縁膜２の凹部の深さを深くした
ものである。この場合においても、第１コイル６は、凹
部内のみに作成するため、実施例１と同様に高精度に作
成できる。また、第２コイル７については、実施例１に
示した場合に比較して、引出線部（図示せず）には、段
差を生じるが、従来例に比較して段差の高さを低くでき
るので、従来例よりも精度の高いコイルパターンを作成
できることは、明らかである。さらに、本実施例によれ
ば、上部磁性膜の段差の高さが低くできるので、上部磁
性膜のトラツク幅加工の精度を高くできるという効果が
ある。なお、第６図（ａ）に示されている第１コイル及
び第２コイルの矩形断面のアスペクト比は、実施例１と
同様に、大きくなるように構成されている。
（実施例３） 第７図は、本発明の薄膜磁気ヘツドの他の実施例を示
す平面図である。第１図と同様に、同一個所には、同一
符号を付してある。前述の実施例１又は実施例２に示し
た構成では、絶縁膜２の凹部は、第１コイルのほぼ巻線
部のみに限定していたため、第１コイルの引出線部6a
を、第２コイル７と同時に作成していたが、本実施例に
おいては、絶縁膜２の凹部12を、第１コイル及び第２コ
イルの巻線部のみに限らず、第１コイルの引出線部6b及
び6cまで広げたものである。実施例１の構成に本実施例
を適用した場合、第７図中のＡ−Ａ′断面については、
第２図に示した断面構造と、ほぼ同一になる。さらに、
第７図中のＢ−Ｂ′断面については、第８図に示す構成
となり、第１コイルの引出線部6b及び6cは、絶縁膜２の
凹部に半ば埋め込まれ、第１コイルの引出線部6bと6cと
が積層された構成となる。本実施例によれば、第１コイ
ル６と第１コイルの引出線部6bが、ほぼ同一平面上に形
成でき、第２コイル７と第１コイルの引出線部6cが、ほ
ぼ同一平面上に形成できるため、第１コイル６及び第２
コイル７の両方共、ホトレジストパターンの精度を高く
形成することができ、高精度の二層コイルを作成できる
という効果がある。
す平面図である。第１図と同様に、同一個所には、同一
符号を付してある。前述の実施例１又は実施例２に示し
た構成では、絶縁膜２の凹部は、第１コイルのほぼ巻線
部のみに限定していたため、第１コイルの引出線部6a
を、第２コイル７と同時に作成していたが、本実施例に
おいては、絶縁膜２の凹部12を、第１コイル及び第２コ
イルの巻線部のみに限らず、第１コイルの引出線部6b及
び6cまで広げたものである。実施例１の構成に本実施例
を適用した場合、第７図中のＡ−Ａ′断面については、
第２図に示した断面構造と、ほぼ同一になる。さらに、
第７図中のＢ−Ｂ′断面については、第８図に示す構成
となり、第１コイルの引出線部6b及び6cは、絶縁膜２の
凹部に半ば埋め込まれ、第１コイルの引出線部6bと6cと
が積層された構成となる。本実施例によれば、第１コイ
ル６と第１コイルの引出線部6bが、ほぼ同一平面上に形
成でき、第２コイル７と第１コイルの引出線部6cが、ほ
ぼ同一平面上に形成できるため、第１コイル６及び第２
コイル７の両方共、ホトレジストパターンの精度を高く
形成することができ、高精度の二層コイルを作成できる
という効果がある。
なお、各実施例では、絶縁膜２に凹部を設けていた
が、絶縁膜２を除去し、基板１に凹部を設けてもよい。
また、各実施例では、コイルを二層に構成していたが、
二層よりも多い多層に構成してもよい。
が、絶縁膜２を除去し、基板１に凹部を設けてもよい。
また、各実施例では、コイルを二層に構成していたが、
二層よりも多い多層に構成してもよい。
本発明は、基板あるいは基板上に設けた絶縁膜に凹部
を設け、凹部に第１コイルのみを設け、又は凹部に第１
コイルと第２コイル並びに第１コイルの引出線部を設け
たので、これらコイル及び引出線部を形成するのに必要
なホトレジスト膜の厚さを薄くすることができる。その
結果、露光時間が短かくなり、コイルの精度を上げるこ
とができるという効果を奏する。
を設け、凹部に第１コイルのみを設け、又は凹部に第１
コイルと第２コイル並びに第１コイルの引出線部を設け
たので、これらコイル及び引出線部を形成するのに必要
なホトレジスト膜の厚さを薄くすることができる。その
結果、露光時間が短かくなり、コイルの精度を上げるこ
とができるという効果を奏する。
第１図は、本発明の薄膜磁気ヘツドの第１実施例の平面
図、第２図は、第１図のＡ−Ａ′断面図、第３図は、第
１図のＢ−Ｂ′断面図、第４図は、第１図のＡ−Ａ′断
面図のうち、磁気コア部分に作成される第１コイルの製
造工程を示す図、第５図は、第１図のＢ−Ｂ′断面に作
成される第１コイルの製造工程を示す図、第６図は、本
発明の薄膜磁気ヘツドの第２実施例の断面図、第７図
は、本発明の薄膜磁気ヘツドの第３実施例の平面図、第
８図は、本発明の薄膜磁気ヘツドの第３実施例のＢ−
Ｂ′断面図、第９図は、従来の薄膜磁気ヘツドのコイル
の引出線部及びその近傍のコイルを示す断面図、第10図
は、従来の薄膜磁気ヘツドの第１コイルの引出線部及び
その近傍の第１コイルを作成するための断面図、第11図
は、露光量に対するホトレジスト膜11の現像深さの関係
を求めた図である。 １……基板、２……絶縁膜、３……下部磁性膜、４……
磁気ギヤツプ膜、５……層間絶縁膜、６……第１コイ
ル、6a,6b,6c……第１コイルの引出線部、７……第２コ
イル、８……上部磁性膜、９……絶縁膜、10……めつき
下地膜、11……ホトレジスト膜、12……凹部、13……バ
ツクギヤツプ部分、14……コンタクトホール部分。
図、第２図は、第１図のＡ−Ａ′断面図、第３図は、第
１図のＢ−Ｂ′断面図、第４図は、第１図のＡ−Ａ′断
面図のうち、磁気コア部分に作成される第１コイルの製
造工程を示す図、第５図は、第１図のＢ−Ｂ′断面に作
成される第１コイルの製造工程を示す図、第６図は、本
発明の薄膜磁気ヘツドの第２実施例の断面図、第７図
は、本発明の薄膜磁気ヘツドの第３実施例の平面図、第
８図は、本発明の薄膜磁気ヘツドの第３実施例のＢ−
Ｂ′断面図、第９図は、従来の薄膜磁気ヘツドのコイル
の引出線部及びその近傍のコイルを示す断面図、第10図
は、従来の薄膜磁気ヘツドの第１コイルの引出線部及び
その近傍の第１コイルを作成するための断面図、第11図
は、露光量に対するホトレジスト膜11の現像深さの関係
を求めた図である。 １……基板、２……絶縁膜、３……下部磁性膜、４……
磁気ギヤツプ膜、５……層間絶縁膜、６……第１コイ
ル、6a,6b,6c……第１コイルの引出線部、７……第２コ
イル、８……上部磁性膜、９……絶縁膜、10……めつき
下地膜、11……ホトレジスト膜、12……凹部、13……バ
ツクギヤツプ部分、14……コンタクトホール部分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 三郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 鍬塚 俊一郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 川辺 隆 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 芦田 栄次 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (72)発明者 府山 盛明 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 平１−282714（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−158611（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】基板または基板上に設けた絶縁膜の基準面
に凹部を形成し、前記凹部に第１コイルのみを作成し、
前記第１コイルの上方に層間絶縁膜を介して第２コイル
を作成し、前記第１コイルの一方の端部の上部に前記第
１コイルの引出線部の一方の端部を接続し且つ前記第１
コイルの引出線部を前記基準面に作成することを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、 前記第１コイルの引出線部と第２コイルとが、ほぼ同一
平面上になるように構成することを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項３】基板または基板上に設けた絶縁膜の基準面
に凹部を形成し、前記凹部に第１コイルと第２コイルを
層間絶縁膜を介して上下に作成するとともに、前記第１
コイルの引出線部を前記凹部内に設けることにより、前
記第１コイルとほぼ同一平面上に、第１コイルの引出線
部を設けることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】基板または基板上に設けた絶縁膜の基準面
に凹部を形成し、前記凹部に第１コイルと第２コイルを
層間絶縁膜を介して上下に作成するとともに、前記第１
コイルの引出線部を前記凹部内に設けることにより、前
記第１コイルとほぼ同一平面上に、第１コイルの引出線
部6bを設け、且つ前記第１コイルの引出線部6b上にさら
に引出線部を積層して前記第２コイルとほぼ同一平面上
に第１コイルの引出線部6cを設けることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】請求項１ないし４のいずれか１つの請求項
に記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記第１コイルと第
２コイルの２層コイルに代えて、コイルを多層コイルに
することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21818690A JP2747099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21818690A JP2747099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102211A JPH04102211A (ja) | 1992-04-03 |
| JP2747099B2 true JP2747099B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16715964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21818690A Expired - Fee Related JP2747099B2 (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747099B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6238582B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-05-29 | Veeco Instruments, Inc. | Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method |
| JP6235353B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP21818690A patent/JP2747099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04102211A (ja) | 1992-04-03 |
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