JPH0580046B2 - - Google Patents
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- JPH0580046B2 JPH0580046B2 JP12859884A JP12859884A JPH0580046B2 JP H0580046 B2 JPH0580046 B2 JP H0580046B2 JP 12859884 A JP12859884 A JP 12859884A JP 12859884 A JP12859884 A JP 12859884A JP H0580046 B2 JPH0580046 B2 JP H0580046B2
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- insulating layer
- thin film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は磁気デイスク装置等に用いられる薄膜
磁気ヘツドの製造方法に係り、特に薄膜磁気ヘツ
ドの薄膜コイルを形成すべき樹脂絶縁層を効率良
く平坦化して、該樹脂絶縁層上に微細な薄膜コイ
ルを容易に形成することを可能にした製造方法に
関するものである。
磁気ヘツドの製造方法に係り、特に薄膜磁気ヘツ
ドの薄膜コイルを形成すべき樹脂絶縁層を効率良
く平坦化して、該樹脂絶縁層上に微細な薄膜コイ
ルを容易に形成することを可能にした製造方法に
関するものである。
従来、磁気デイスク装置等に用いられている磁
気ヘツドは、磁気デイスク記録媒体に関する高記
録密度化及び高速転送化が図られ、その形状も
益々小型化されると共に、高精度化され、記録に
寄与する磁極先端部でのヘツド磁界分布が急峻
で、高密度な記録を可能とす小型な種々のタイプ
の薄膜磁気ヘツドが既に提案され、実用化が進め
られている。
気ヘツドは、磁気デイスク記録媒体に関する高記
録密度化及び高速転送化が図られ、その形状も
益々小型化されると共に、高精度化され、記録に
寄与する磁極先端部でのヘツド磁界分布が急峻
で、高密度な記録を可能とす小型な種々のタイプ
の薄膜磁気ヘツドが既に提案され、実用化が進め
られている。
上記した薄膜磁気ヘツドは、一般に第６図ａの
平面図及び第６図ａに示すＢ−B′切断線に沿つ
た第６図ｂの要部断面図により示すように、例え
ばAl2O3からなる絶縁体層２が施されたAl2O3・
TiC等からなる非磁性基板１上に、Ni−Feパー
マロイからなる下部磁極層４が磁極下地層３を介
して設けられ、該下部磁極層４上を含む絶縁体層
２上の所定領域にSiO2からなるギヤツプ層５を
介してレジスト膜等からなる樹脂絶縁層６が配設
されている。
平面図及び第６図ａに示すＢ−B′切断線に沿つ
た第６図ｂの要部断面図により示すように、例え
ばAl2O3からなる絶縁体層２が施されたAl2O3・
TiC等からなる非磁性基板１上に、Ni−Feパー
マロイからなる下部磁極層４が磁極下地層３を介
して設けられ、該下部磁極層４上を含む絶縁体層
２上の所定領域にSiO2からなるギヤツプ層５を
介してレジスト膜等からなる樹脂絶縁層６が配設
されている。
又、該樹脂絶縁層６の上面には銅（Cu）等か
らなる薄膜コイル７が設けられ、この薄膜コイル
７を含む前記樹脂絶縁層６上に再びレジスト膜等
からなる樹脂絶縁層８が設けられており、その上
面に更に上部磁極層９が配設されて前記下部磁極
層４と上部磁極層９からなる磁極が前記薄膜コイ
ル７及びギヤツプ層５をＵ字形に挟む形状に構成
されている。
らなる薄膜コイル７が設けられ、この薄膜コイル
７を含む前記樹脂絶縁層６上に再びレジスト膜等
からなる樹脂絶縁層８が設けられており、その上
面に更に上部磁極層９が配設されて前記下部磁極
層４と上部磁極層９からなる磁極が前記薄膜コイ
ル７及びギヤツプ層５をＵ字形に挟む形状に構成
されている。
このような薄膜磁気ヘツドにおいては、薄膜コ
イル７を、下部磁極層４上を含む樹脂絶縁層６上
に高精度に形成するためには、該絶縁層６の平坦
化が極めて重要となる。しかし、下部磁極層４の
厚さによる段差によつて樹脂絶縁層６の平坦化は
容易で無く、特に薄膜磁気ヘツドの小型化に伴う
微細な薄膜コイルの形成を困難にしており、薄膜
コイルの形成領域面となる樹脂絶縁層を効率良く
平坦化する方法が要望されている。
イル７を、下部磁極層４上を含む樹脂絶縁層６上
に高精度に形成するためには、該絶縁層６の平坦
化が極めて重要となる。しかし、下部磁極層４の
厚さによる段差によつて樹脂絶縁層６の平坦化は
容易で無く、特に薄膜磁気ヘツドの小型化に伴う
微細な薄膜コイルの形成を困難にしており、薄膜
コイルの形成領域面となる樹脂絶縁層を効率良く
平坦化する方法が要望されている。
上記した薄膜磁気ヘツドの薄膜コイルを形成す
る従来の方法について第７図ａ，ｂ乃至第１２図
ａ，ｂにより説明する。尚各ａ図は平面図であ
り、ｂ図は各ａ図に示すＡ−A′切断線に沿つた
要部断面図である。
る従来の方法について第７図ａ，ｂ乃至第１２図
ａ，ｂにより説明する。尚各ａ図は平面図であ
り、ｂ図は各ａ図に示すＡ−A′切断線に沿つた
要部断面図である。
まず第７図ａ，ｂに示すように、例えばAl2
O3・TiC等からなる非磁性基板１上にAl2O3、又
はSiO2等からなる絶縁体層２及びNi−Feパーマ
ロイからなる導電性下地層３をスパツタリング法
により順に被着形成した後、該導電性下地層３上
にレジスト膜１１を塗着し、該レジスト膜１１を
フオトリングラフイ工程によつて形成すべき下部
磁極層の形状を規定するマスクパターンに形成す
る。
O3・TiC等からなる非磁性基板１上にAl2O3、又
はSiO2等からなる絶縁体層２及びNi−Feパーマ
ロイからなる導電性下地層３をスパツタリング法
により順に被着形成した後、該導電性下地層３上
にレジスト膜１１を塗着し、該レジスト膜１１を
フオトリングラフイ工程によつて形成すべき下部
磁極層の形状を規定するマスクパターンに形成す
る。
次に第８図ａ，ｂに示すように該レジスト膜１
１マスクパターンをマスクにして露出する前記導
電性下地層３上にNi−Feパーマロイからなる磁
性体層１２ａ，１２ｂをメツキ法により形成す
る。その後、前記レジスト膜１１マスクパターン
を一旦除去し、その除去領域及び下部磁極となる
前記磁性体層１２ａ部分上にのみ、第９図ａ，ｂ
に示すようにレジスト膜１３をフオトリングラフ
イ工程によつて形成する。
１マスクパターンをマスクにして露出する前記導
電性下地層３上にNi−Feパーマロイからなる磁
性体層１２ａ，１２ｂをメツキ法により形成す
る。その後、前記レジスト膜１１マスクパターン
を一旦除去し、その除去領域及び下部磁極となる
前記磁性体層１２ａ部分上にのみ、第９図ａ，ｂ
に示すようにレジスト膜１３をフオトリングラフ
イ工程によつて形成する。
次にレジスト膜１３によつて覆われた前記磁性
体層１２ａ部分以外の磁性体層１２ｂを除去した
後、レジスト膜１３も除去して第１０図ａ，ｂに
示すように下部磁極層４を形成する。
体層１２ａ部分以外の磁性体層１２ｂを除去した
後、レジスト膜１３も除去して第１０図ａ，ｂに
示すように下部磁極層４を形成する。
次に露出した導電性下地層３をイオンエツチン
グ等により選択的に除去した後、第１１図ａ，ｂ
に示すように下部磁極層４が形成された基板１上
に、SiO2等からなるギヤツプ層５をスパツタリ
ング法等により被着形成する。
グ等により選択的に除去した後、第１１図ａ，ｂ
に示すように下部磁極層４が形成された基板１上
に、SiO2等からなるギヤツプ層５をスパツタリ
ング法等により被着形成する。
更に前記下部磁極層４の磁極先端部となる部分
を除く該ギヤツプ層５上の所定領域に、平坦化し
易いレジスト膜等をスピンコート法及びフオトリ
ングラフイ工程により形成し、熱硬化処理を行つ
て樹脂絶縁層６を形成する。この時、該樹脂絶縁
層６及びギヤツプ層５の略中央部に、下部磁極層
４に達する上部磁極層との接続穴１０を設ける。
を除く該ギヤツプ層５上の所定領域に、平坦化し
易いレジスト膜等をスピンコート法及びフオトリ
ングラフイ工程により形成し、熱硬化処理を行つ
て樹脂絶縁層６を形成する。この時、該樹脂絶縁
層６及びギヤツプ層５の略中央部に、下部磁極層
４に達する上部磁極層との接続穴１０を設ける。
しかる後、第１２図ａ，ｂに示すように前記樹
脂絶縁層６上にフオトリングラフイ工程とメツキ
法を駆使して薄膜コイル７を形成している。
脂絶縁層６上にフオトリングラフイ工程とメツキ
法を駆使して薄膜コイル７を形成している。
しかし上記の如き従来の薄膜磁気ヘツドの薄膜
コイルを形成する方法にあつては、下部磁極層４
の暑さが3μm程度以上になると図示のように該樹
脂絶縁層６に段差が生じることが避けられず、平
坦化が難しくなり、精度良く薄膜コイル７を形成
できない不都合があつた。特に微細な薄膜コイル
を形成することが困難となる欠点があつた。
コイルを形成する方法にあつては、下部磁極層４
の暑さが3μm程度以上になると図示のように該樹
脂絶縁層６に段差が生じることが避けられず、平
坦化が難しくなり、精度良く薄膜コイル７を形成
できない不都合があつた。特に微細な薄膜コイル
を形成することが困難となる欠点があつた。
本発明は上記問題点を解消した薄膜磁気ヘツド
の薄膜コイルを形成すべき平坦な樹脂絶縁層の形
成方法を提供するもので、その手段は、導電性下
地膜が施された基板上に、形成すべき磁極層の形
状を規定し、かつ絶縁層を兼ねるレジスト膜マス
クパターンを形成する工程と、該レジスト膜マス
クパターンにより露出した導電性下地膜上に磁性
体層を被着した後、該磁極層形成領域以外の磁性
体層、導電性下地膜及び磁極先端部となる部分周
辺のレジストのみを除去して磁極層を形成する工
程と、磁極層が形成された基板上にギヤツプ層を
被着した後、磁極先端部上を除く磁極層及びレジ
スト膜マスクパターンからなる絶縁層と対応する
ギヤツプ層上の領域に、更に樹脂絶縁層を被着形
成する工程を行つて、該樹脂絶縁層上を平坦な薄
膜コイル形成面に形成する薄膜磁気ヘツドの製造
方法によつて解決される。
の薄膜コイルを形成すべき平坦な樹脂絶縁層の形
成方法を提供するもので、その手段は、導電性下
地膜が施された基板上に、形成すべき磁極層の形
状を規定し、かつ絶縁層を兼ねるレジスト膜マス
クパターンを形成する工程と、該レジスト膜マス
クパターンにより露出した導電性下地膜上に磁性
体層を被着した後、該磁極層形成領域以外の磁性
体層、導電性下地膜及び磁極先端部となる部分周
辺のレジストのみを除去して磁極層を形成する工
程と、磁極層が形成された基板上にギヤツプ層を
被着した後、磁極先端部上を除く磁極層及びレジ
スト膜マスクパターンからなる絶縁層と対応する
ギヤツプ層上の領域に、更に樹脂絶縁層を被着形
成する工程を行つて、該樹脂絶縁層上を平坦な薄
膜コイル形成面に形成する薄膜磁気ヘツドの製造
方法によつて解決される。
即ち、平坦な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶
縁層の形成方法としては、下部磁極層をメツキ法
により形成するために該下部磁極層の形状を規定
するレジスト膜マスクパターンを段差解消用の樹
脂絶縁層として利用し、該下部磁極層及び前記段
差解消用の樹脂絶縁層上に薄膜コイルを形成すべ
き樹脂絶縁層を形成することによつて該樹脂絶縁
層上の薄膜コイル形成面を平坦化し、もつて該薄
膜コイル形成面に微細な薄膜コイルを精度よく形
成し得るようにしたことである。
縁層の形成方法としては、下部磁極層をメツキ法
により形成するために該下部磁極層の形状を規定
するレジスト膜マスクパターンを段差解消用の樹
脂絶縁層として利用し、該下部磁極層及び前記段
差解消用の樹脂絶縁層上に薄膜コイルを形成すべ
き樹脂絶縁層を形成することによつて該樹脂絶縁
層上の薄膜コイル形成面を平坦化し、もつて該薄
膜コイル形成面に微細な薄膜コイルを精度よく形
成し得るようにしたことである。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第１図ａ，ｂ乃至第５図ａ，ｂは本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を工程順に
示す図であり、各図ａは平面図、また各図ｂは各
図ａに示すＡ−A′切断線に沿つた要部断面図で
ある。
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を工程順に
示す図であり、各図ａは平面図、また各図ｂは各
図ａに示すＡ−A′切断線に沿つた要部断面図で
ある。
まず第１図ａ，ｂに示すように、例えばAl2
O3・TiC等からなる非磁極性基板１上にAl2O3、
又はSiO2等からなる絶縁体層２及びNi−Feパー
マロイからなる導電性下地層３をスパツタリング
法等により順に被着形成した後、該導電性下地層
３上にレジスト膜２１を塗着し、該レジスト膜２
１をフオトリングラフイ工程によつて図示のよう
に所定面積に画定すると共に、形成すべき下部磁
極層の形状を規定するマスクパターンに形成す
る。
O3・TiC等からなる非磁極性基板１上にAl2O3、
又はSiO2等からなる絶縁体層２及びNi−Feパー
マロイからなる導電性下地層３をスパツタリング
法等により順に被着形成した後、該導電性下地層
３上にレジスト膜２１を塗着し、該レジスト膜２
１をフオトリングラフイ工程によつて図示のよう
に所定面積に画定すると共に、形成すべき下部磁
極層の形状を規定するマスクパターンに形成す
る。
次に第２図ａ，ｂに示すように該レジスト膜２
１マスクパターンをマスクにして露出する前記導
電性下地層３上に、Ni−Feパーマロイからなる
磁性体層１２ａ，１２ｂをメツキ法により所定の
厚さに形成する。
１マスクパターンをマスクにして露出する前記導
電性下地層３上に、Ni−Feパーマロイからなる
磁性体層１２ａ，１２ｂをメツキ法により所定の
厚さに形成する。
次に第３図ａ，ｂに示すように前記磁性体層１
２ａにおける磁極先端部となる部分周辺のレジス
ト膜２１をフオトリングラフイ工程によつて部分
的に除去し、該レジスト膜２１マスクパターンを
更に数百度で一時間程度、熱硬化処理を行つて段
差解消用の樹脂絶縁層２１Ａとする。
２ａにおける磁極先端部となる部分周辺のレジス
ト膜２１をフオトリングラフイ工程によつて部分
的に除去し、該レジスト膜２１マスクパターンを
更に数百度で一時間程度、熱硬化処理を行つて段
差解消用の樹脂絶縁層２１Ａとする。
その後、前記磁性体層１２ａ部分以外の磁性体
層１２ｂをフオトリングラフイ工程によつて除去
し、引き続いて露呈した導電性下地膜３部分をイ
オンエツチング法により除去して磁性体層１２ａ
部分を下部磁極層４とすると共に、前記段差解消
用の樹脂絶縁層２１Ａ及び下部磁極層４が形成さ
れた基板１上に、SiO2等からなるギヤツプ層５
をスパツタリング法等により被着形成する。
層１２ｂをフオトリングラフイ工程によつて除去
し、引き続いて露呈した導電性下地膜３部分をイ
オンエツチング法により除去して磁性体層１２ａ
部分を下部磁極層４とすると共に、前記段差解消
用の樹脂絶縁層２１Ａ及び下部磁極層４が形成さ
れた基板１上に、SiO2等からなるギヤツプ層５
をスパツタリング法等により被着形成する。
次に第４図ａ，ｂに示すように下部磁極層４の
磁極先端部となる部分を除く前記段差解消用の樹
脂絶縁層２１Ａ及び下部磁極層４との対応する該
ギヤツプ層５上の領域に、平坦面が得られ易いレ
ジスト膜等をスピンコート法及びフオトリングラ
フイ工程により形成し、熱硬化処理を行うことに
より平坦な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層
６を容易に形成することができる。
磁極先端部となる部分を除く前記段差解消用の樹
脂絶縁層２１Ａ及び下部磁極層４との対応する該
ギヤツプ層５上の領域に、平坦面が得られ易いレ
ジスト膜等をスピンコート法及びフオトリングラ
フイ工程により形成し、熱硬化処理を行うことに
より平坦な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層
６を容易に形成することができる。
その後、引き続き該樹脂絶縁層６及びギヤツプ
層５の略中央部に、下部磁極層４に達する上部磁
極層との接続穴１０を設けておく。
層５の略中央部に、下部磁極層４に達する上部磁
極層との接続穴１０を設けておく。
しかる後、第５図ａ，ｂに示すように上記平坦
な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層６上に、
フオトリングラフイ工程とメツキ法を駆使した、
所謂マスクメツキ法によつて銅（Cu）導電膜か
らなる薄膜コイル７を形成するようにすれば、微
細な薄膜コイル７を精度よく形成することが可能
となる。
な薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層６上に、
フオトリングラフイ工程とメツキ法を駆使した、
所謂マスクメツキ法によつて銅（Cu）導電膜か
らなる薄膜コイル７を形成するようにすれば、微
細な薄膜コイル７を精度よく形成することが可能
となる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば下部磁極層を
形成するレジスト膜マスクパターンを段差解消用
の樹脂絶縁層として利用することにより、薄膜コ
イル形成面となる樹脂絶縁層を合理的に平坦化す
ることができる優れた利点を有している。
薄膜磁気ヘツドの製造方法によれば下部磁極層を
形成するレジスト膜マスクパターンを段差解消用
の樹脂絶縁層として利用することにより、薄膜コ
イル形成面となる樹脂絶縁層を合理的に平坦化す
ることができる優れた利点を有している。
従つてその後、該樹脂絶縁層上に形成する薄膜
コイルの微細化、高精度化が可能となる等、この
種の薄膜磁気ヘツドの製造に適用して極めて有利
である。
コイルの微細化、高精度化が可能となる等、この
種の薄膜磁気ヘツドの製造に適用して極めて有利
である。
第１図ａ，ｂ乃至第５図ａ，ｂは本発明に係る
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を工程順に
示す図であり、各図ａは平面図、各図ｂは各図ａ
に示すＡ−A′切断線に沿つた要部断面図、第６
図ａは薄膜磁気ヘツドの構造を説明するための平
面図、第６図ｂは第６図ａに示すＢ−B′切断線
に沿つた要部断面図、第７図ａ，ｂ乃至第１２図
ａ，ｂは従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法を工程
順に説明するための図であり、各図ａは平面図、
各図ｂは各図ａに示すＡ−A′切断線に沿つた要
部断面図である。 図中、１は非磁性基板、２は絶縁体層、３は導
電性下地層、４は下部磁極層、５はギヤツプ層、
６は薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層、７は
薄膜コイル、１２ａ，１２ｂは磁性体層、２１は
レジスト膜、２１ａは段差解消用樹脂絶縁層をそ
れぞれ示す。
薄膜磁気ヘツドの製造方法の一実施例を工程順に
示す図であり、各図ａは平面図、各図ｂは各図ａ
に示すＡ−A′切断線に沿つた要部断面図、第６
図ａは薄膜磁気ヘツドの構造を説明するための平
面図、第６図ｂは第６図ａに示すＢ−B′切断線
に沿つた要部断面図、第７図ａ，ｂ乃至第１２図
ａ，ｂは従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法を工程
順に説明するための図であり、各図ａは平面図、
各図ｂは各図ａに示すＡ−A′切断線に沿つた要
部断面図である。 図中、１は非磁性基板、２は絶縁体層、３は導
電性下地層、４は下部磁極層、５はギヤツプ層、
６は薄膜コイル形成面を有する樹脂絶縁層、７は
薄膜コイル、１２ａ，１２ｂは磁性体層、２１は
レジスト膜、２１ａは段差解消用樹脂絶縁層をそ
れぞれ示す。
Claims (1)
- １ 導電性下地膜が施された基板上に、形成すべ
き磁極層の形状を規定し、かつ絶縁層を兼ねるレ
ジスト膜マスクパターンを形成する工程と、該レ
ジスト膜マスクパターンにより露出した導電性下
地膜上に磁性体層を被着した後、該磁極層形成領
域以外の磁性体層、導電性下地膜及び磁極先端部
となる部分周辺のレジスト膜のみを除去して磁極
層を形成する工程と、磁極層が形成された基板上
にギヤツプ層を被着した後、磁極先端部上を除く
磁極層及びレジスト膜マスクパターンからなる絶
縁層と対応するギヤツプ層上の領域に、更に樹脂
絶縁層を被着形成する工程を行つて、該樹脂絶縁
層上を平坦な薄膜コイル形成面に形成することを
特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12859884A JPS618712A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12859884A JPS618712A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618712A JPS618712A (ja) | 1986-01-16 |
| JPH0580046B2 true JPH0580046B2 (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14988729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12859884A Granted JPS618712A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618712A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06274823A (ja) * | 1993-10-20 | 1994-09-30 | Yamaha Corp | 磁化記録媒体用薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP12859884A patent/JPS618712A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS618712A (ja) | 1986-01-16 |
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