JPH0916908A - 薄膜磁気コアコイル組立体 - Google Patents
薄膜磁気コアコイル組立体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気記録ヘッドを製造する改良プロセス
で、ヘッドの収率及び性能を高めるプロセスを提供す
る。 【解決手段】 薄膜らせん状導体コイル組立体は、非導
電セラミック基板であって、実質的に平らな表面と、該
セラミック基板のある量と相互に境を接する第１及び第
２磁気エレメントを有するセラミック基板を含んでい
る。この薄膜導体コイル組立体はなお、第１磁気エレメ
ントを第２磁気エレメントに、磁気的に接続する薄膜磁
気コアを含んでいる。セラミック基板の実質的に平らな
面上に位置する薄膜磁気コアは、可撓性の電気めっきさ
れた磁気材料から成っている。薄膜導体コイル組立体は
さらに、電気めっきされた薄膜らせん状コイルで、薄膜
磁気コアの周囲を通り、かつ第１端子から第２端子に至
る導電通路を形成するらせん状コイルを含んでいる。
で、ヘッドの収率及び性能を高めるプロセスを提供す
る。 【解決手段】 薄膜らせん状導体コイル組立体は、非導
電セラミック基板であって、実質的に平らな表面と、該
セラミック基板のある量と相互に境を接する第１及び第
２磁気エレメントを有するセラミック基板を含んでい
る。この薄膜導体コイル組立体はなお、第１磁気エレメ
ントを第２磁気エレメントに、磁気的に接続する薄膜磁
気コアを含んでいる。セラミック基板の実質的に平らな
面上に位置する薄膜磁気コアは、可撓性の電気めっきさ
れた磁気材料から成っている。薄膜導体コイル組立体は
さらに、電気めっきされた薄膜らせん状コイルで、薄膜
磁気コアの周囲を通り、かつ第１端子から第２端子に至
る導電通路を形成するらせん状コイルを含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録ヘッドに関
し、特に薄膜磁気コアコイル装置と、製造方法に関する
ものである。
し、特に薄膜磁気コアコイル装置と、製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録装置及び媒体の小型化は一般的
に、計算装置及び電子回路の活発な小型化に伴って急速
に進歩してきた。磁気記録装置の小型化に関して発生し
た技術的問題は、磁気記録ヘッドの寸法縮小に係るもの
である。磁気記録ヘッドの寸法が縮小するに連れて、読
取り及び書込みの感度は減少する。さらに寸法の縮小は
記録ヘッドの製造を困難にした。磁気記録ヘッドは小さ
な磁気コアの周囲に巻かれた微小な磁気コイルを含んで
いる。一般的に、磁気コイルはコアの周囲に、手によっ
て非常に精密に巻かれ、したがって時間のかかる作業を
必要とする。
に、計算装置及び電子回路の活発な小型化に伴って急速
に進歩してきた。磁気記録装置の小型化に関して発生し
た技術的問題は、磁気記録ヘッドの寸法縮小に係るもの
である。磁気記録ヘッドの寸法が縮小するに連れて、読
取り及び書込みの感度は減少する。さらに寸法の縮小は
記録ヘッドの製造を困難にした。磁気記録ヘッドは小さ
な磁気コアの周囲に巻かれた微小な磁気コイルを含んで
いる。一般的に、磁気コイルはコアの周囲に、手によっ
て非常に精密に巻かれ、したがって時間のかかる作業を
必要とする。
【０００３】最近においては、小型磁気記録ヘッドに対
する磁気コイルを形成するために、薄膜半導体製造技術
が使用されている。たとえば１９９３年１１月９日に交
付されたＡ．Ｔａｋａｙａｍａ他の米国特許第５，２６
０，８４５号、“磁気ヘッドコアとは別に形成された薄
膜導体コイル組立体を有する磁気ヘッド”には、薄膜コ
アを製造するプロセスが記載されている。この製造プロ
セスは基板に装着された第１絶縁層、下方コイル層、第
２絶縁層、磁気コア層、第３絶縁層、上方コイル層及び
保護層からなる７個の層を形成する段階を含んでいる。
第２絶縁層は下方コイル層を、磁気コア層から絶縁す
る。第３絶縁層は上方コイル層を、磁気コア層から絶縁
する。基板はガラスの充填された溝を有するフェライト
ブロックから形成される。上方及び下方コイル層と、磁
気コイル層とを形成するためと、絶縁及び保護層内にパ
ターンを形成するために、乾式エッチングプロセスが使
用される。磁気コイル及び磁気コア層はアルゴンガス内
でスパッタリング蒸着され、該アルゴンガスは一般的に
は２ｍＴｏｒ〜２０ｍＴｏｒの圧力でスパッタリング室
に導入され、かつ光硬化性樹脂マスク及び電子ビームフ
ライス加工によってエッチングが行われる。磁気コイル
層は、ニッケル−鉄（８１％−１９％）パーマロイが、
４ミクロンの厚さに達するまで蒸着される。絶縁層は熱
硬化性ポリアミド樹脂によって形成される。
する磁気コイルを形成するために、薄膜半導体製造技術
が使用されている。たとえば１９９３年１１月９日に交
付されたＡ．Ｔａｋａｙａｍａ他の米国特許第５，２６
０，８４５号、“磁気ヘッドコアとは別に形成された薄
膜導体コイル組立体を有する磁気ヘッド”には、薄膜コ
アを製造するプロセスが記載されている。この製造プロ
セスは基板に装着された第１絶縁層、下方コイル層、第
２絶縁層、磁気コア層、第３絶縁層、上方コイル層及び
保護層からなる７個の層を形成する段階を含んでいる。
第２絶縁層は下方コイル層を、磁気コア層から絶縁す
る。第３絶縁層は上方コイル層を、磁気コア層から絶縁
する。基板はガラスの充填された溝を有するフェライト
ブロックから形成される。上方及び下方コイル層と、磁
気コイル層とを形成するためと、絶縁及び保護層内にパ
ターンを形成するために、乾式エッチングプロセスが使
用される。磁気コイル及び磁気コア層はアルゴンガス内
でスパッタリング蒸着され、該アルゴンガスは一般的に
は２ｍＴｏｒ〜２０ｍＴｏｒの圧力でスパッタリング室
に導入され、かつ光硬化性樹脂マスク及び電子ビームフ
ライス加工によってエッチングが行われる。磁気コイル
層は、ニッケル−鉄（８１％−１９％）パーマロイが、
４ミクロンの厚さに達するまで蒸着される。絶縁層は熱
硬化性ポリアミド樹脂によって形成される。
【０００４】薄膜技術によって形成された磁気コイルの
性能は、一般的に手によって形成されたヘッドの性能よ
り劣る。さらにフェライト基板は、現在の技術的研究に
おいては、５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ（２インチ×２
インチ）の方形ブロックに制限されるが、これは半導体
処理に対しては、標準的な形状でも材料でもない。２イ
ンチ×２インチの方形ブロックからは、ほぼ２５００個
のユニットを形成することができる。合成基板内のフェ
ライト及びガラス材料は共に、本質的に堅い、非可撓性
の材料である。したがってフェライト−ガラス基板が被
覆層と接触する表面は、完全に平らに研磨する必要があ
り、このようにしなければ、磁気材料の間に隙間が形成
され、磁路の電気抵抗を増加せしめ、かつ磁気記録ヘッ
ドの効率を低下させる。
性能は、一般的に手によって形成されたヘッドの性能よ
り劣る。さらにフェライト基板は、現在の技術的研究に
おいては、５０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ（２インチ×２
インチ）の方形ブロックに制限されるが、これは半導体
処理に対しては、標準的な形状でも材料でもない。２イ
ンチ×２インチの方形ブロックからは、ほぼ２５００個
のユニットを形成することができる。合成基板内のフェ
ライト及びガラス材料は共に、本質的に堅い、非可撓性
の材料である。したがってフェライト−ガラス基板が被
覆層と接触する表面は、完全に平らに研磨する必要があ
り、このようにしなければ、磁気材料の間に隙間が形成
され、磁路の電気抵抗を増加せしめ、かつ磁気記録ヘッ
ドの効率を低下させる。
【０００５】
【発明の効果】本発明は、ヘッドの収率及び性能を高め
る、改良薄膜磁気記録ヘッド製造プロセスを都合よく提
供する。
る、改良薄膜磁気記録ヘッド製造プロセスを都合よく提
供する。
【０００６】本発明は、薄膜磁気コイルを形成するため
の、半導体製造技術による改良プロセスで、このような
コイルの収率を、従来のコイル手巻き技術に比して、著
しく高め得るプロセスを効果的に提供する。
の、半導体製造技術による改良プロセスで、このような
コイルの収率を、従来のコイル手巻き技術に比して、著
しく高め得るプロセスを効果的に提供する。
【０００７】本発明は薄膜磁気記録ヘッドを製造するた
めの改良プロセスで、磁気コイルを製造するために電気
めっき及び湿式エッチングを使用するプロセスを効果的
に提供する。従来のスパッタ蒸着及び乾式エッチング技
術に比して、記録ヘッドの収率及び性能の実質的改良が
得られる。
めの改良プロセスで、磁気コイルを製造するために電気
めっき及び湿式エッチングを使用するプロセスを効果的
に提供する。従来のスパッタ蒸着及び乾式エッチング技
術に比して、記録ヘッドの収率及び性能の実質的改良が
得られる。
【０００８】本発明はなお、薄膜磁気記録ヘッドで、忠
実度の高い、出力信号を発生する改良磁気コア及びコイ
ルを有する磁気記録ヘッドを提供する。
実度の高い、出力信号を発生する改良磁気コア及びコイ
ルを有する磁気記録ヘッドを提供する。
【０００９】本発明はさらに、絶縁材料として光硬化性
樹脂の厚い層を使用し、かつ電子ビーム硬化プロセスを
使用して光硬化性樹脂を硬化することによって利点を提
供する。従来の光硬化性樹脂の薄層の使用、及び高温焙
焼法を使った従来光硬化性樹脂の硬化法に比して、収率
及び生産性が実質的に改良される。
樹脂の厚い層を使用し、かつ電子ビーム硬化プロセスを
使用して光硬化性樹脂を硬化することによって利点を提
供する。従来の光硬化性樹脂の薄層の使用、及び高温焙
焼法を使った従来光硬化性樹脂の硬化法に比して、収率
及び生産性が実質的に改良される。
【００１０】
【発明の実施の形態】前記のような利点及び他の利点
は、薄膜らせん状導体コイル組立体の第１実施例で、実
質的に平らな表面を有する非導電セラミック基板と、該
セラミック基板のある量と相互に境を接する、第１及び
第２磁気エレメントを含む実施例によって得られる。こ
の薄膜導体コイル組立体はなお、第１磁気エレメントを
第２磁気エレメントに磁気的に接続する薄膜磁気コアを
含んでいる。セラミック基板の実質的に平らな表面上に
位置する薄膜磁気コアは可撓的に電気めっきされた磁性
材料から形成される。薄膜導体コイル組立体さらに、薄
膜らせん状コイルを含み、このコイルは薄膜磁気コアの
周囲を横切り、第１端子から第２端子に至る導電通路を
形成する。
は、薄膜らせん状導体コイル組立体の第１実施例で、実
質的に平らな表面を有する非導電セラミック基板と、該
セラミック基板のある量と相互に境を接する、第１及び
第２磁気エレメントを含む実施例によって得られる。こ
の薄膜導体コイル組立体はなお、第１磁気エレメントを
第２磁気エレメントに磁気的に接続する薄膜磁気コアを
含んでいる。セラミック基板の実質的に平らな表面上に
位置する薄膜磁気コアは可撓的に電気めっきされた磁性
材料から形成される。薄膜導体コイル組立体さらに、薄
膜らせん状コイルを含み、このコイルは薄膜磁気コアの
周囲を横切り、第１端子から第２端子に至る導電通路を
形成する。
【００１１】この方法の第１実施例においては、薄膜導
体コイル組立体を製造する方法は、非導電セラミック基
板内に第１及び第２磁気エレメントを形成する段階と、
該セラミック基板の実質的に平らな表面上に第１薄膜コ
イル層を電気めっきし、かつ型取りする段階を含んでい
る。薄膜磁気コア層は第１薄膜コイル層上に形成され、
かつ第１及び第２磁気エレメントを接続する。第２薄膜
コイル層は薄膜磁気コア層上に電気めっきされ、かつ型
取りされ、かつ第１薄膜コイル層に接続する。
体コイル組立体を製造する方法は、非導電セラミック基
板内に第１及び第２磁気エレメントを形成する段階と、
該セラミック基板の実質的に平らな表面上に第１薄膜コ
イル層を電気めっきし、かつ型取りする段階を含んでい
る。薄膜磁気コア層は第１薄膜コイル層上に形成され、
かつ第１及び第２磁気エレメントを接続する。第２薄膜
コイル層は薄膜磁気コア層上に電気めっきされ、かつ型
取りされ、かつ第１薄膜コイル層に接続する。
【００１２】別の利点は薄膜導体コイル組立体製造方法
の第２実施例で、セラミック基板内に第１導電金属バイ
ヤ（ｖｉａ）及び第２導電金属バイヤを形成する段階
と、磁気コイル及び磁気コアを電気めっきし、かつエッ
チングする段階を含む実施例によって得られる。磁気コ
イルは電気めっきされ、セラミック基板の表面上にある
第１磁気コイル層と、第２磁気コイル層としてエッチン
グされる。各磁気コイル層は、第１及び第２金属バイヤ
の一つに接続されたリードラインと、相互に絶縁された
複数のコイルラインを有している。各層内の一つのコイ
ルラインはリードラインと、他の磁気コイル層のコイル
ラインとに接続される。各層内の他のコイルラインは、
他の磁気コイル層の二つのコイルラインに接続され、第
１及び第２コイル層が、第１金属バイヤから第２金属バ
イヤに至る連続通路を形成している。磁気コア層は、第
１及び第２磁気コイル層の間の第１及び第２磁気コイル
層のコイルラインに跨り、実質的にこれと直交する層と
して電気めっきされる。本方法はなお、第１磁気コイル
層及び磁気コア層の間と、磁気コア層及び第２磁気コイ
ル層の間に絶縁層を形成する段階を含む。
の第２実施例で、セラミック基板内に第１導電金属バイ
ヤ（ｖｉａ）及び第２導電金属バイヤを形成する段階
と、磁気コイル及び磁気コアを電気めっきし、かつエッ
チングする段階を含む実施例によって得られる。磁気コ
イルは電気めっきされ、セラミック基板の表面上にある
第１磁気コイル層と、第２磁気コイル層としてエッチン
グされる。各磁気コイル層は、第１及び第２金属バイヤ
の一つに接続されたリードラインと、相互に絶縁された
複数のコイルラインを有している。各層内の一つのコイ
ルラインはリードラインと、他の磁気コイル層のコイル
ラインとに接続される。各層内の他のコイルラインは、
他の磁気コイル層の二つのコイルラインに接続され、第
１及び第２コイル層が、第１金属バイヤから第２金属バ
イヤに至る連続通路を形成している。磁気コア層は、第
１及び第２磁気コイル層の間の第１及び第２磁気コイル
層のコイルラインに跨り、実質的にこれと直交する層と
して電気めっきされる。本方法はなお、第１磁気コイル
層及び磁気コア層の間と、磁気コア層及び第２磁気コイ
ル層の間に絶縁層を形成する段階を含む。
【００１３】
【実施例】図１を参照すると磁気ヘッド１００が示され
ており、磁気ヘッド１００は、非磁性材料によって形成
されたスライダ１０２を含み、かつ全体が六面体の細長
い浮動レール１０４、１０６を有し、該レールは、四辺
形スライダ１０２の両側に、平行に装着されている。浮
動レール１０６に近接して、四辺形スライダ１０２の側
部に装架用凹所１０８が形成され、かつスライダ１０２
には装架用凹所１０８に、磁気ヘッドコア１１２が接着
されている。磁気ヘッドコア１１２は第１コア区画１１
４と、Ｕ字形コアギャップを形成する第２コア区画１１
６を含み、これら区画は、ガラス接着剤によって相互に
装着されている。磁気記録ヘッド組立体１１０は、磁気
ヘッドコア１１２に装着される。
ており、磁気ヘッド１００は、非磁性材料によって形成
されたスライダ１０２を含み、かつ全体が六面体の細長
い浮動レール１０４、１０６を有し、該レールは、四辺
形スライダ１０２の両側に、平行に装着されている。浮
動レール１０６に近接して、四辺形スライダ１０２の側
部に装架用凹所１０８が形成され、かつスライダ１０２
には装架用凹所１０８に、磁気ヘッドコア１１２が接着
されている。磁気ヘッドコア１１２は第１コア区画１１
４と、Ｕ字形コアギャップを形成する第２コア区画１１
６を含み、これら区画は、ガラス接着剤によって相互に
装着されている。磁気記録ヘッド組立体１１０は、磁気
ヘッドコア１１２に装着される。
【００１４】図２を参照すると、磁気記録ヘッド組立体
１１０は磁気変換器２０２と、該磁気変換器２０２を保
持する基板２０４を有している。磁気変換器２０２は数
個の巻線すなわちコイル２１０を担持する磁気コア２５
６を含んでいる。磁気変換器２０２によって発生される
磁束密度は、コイル２１０に交流を通すことによって制
御される。コイル２１０は通常らせん状に形成される。
１１０は磁気変換器２０２と、該磁気変換器２０２を保
持する基板２０４を有している。磁気変換器２０２は数
個の巻線すなわちコイル２１０を担持する磁気コア２５
６を含んでいる。磁気変換器２０２によって発生される
磁束密度は、コイル２１０に交流を通すことによって制
御される。コイル２１０は通常らせん状に形成される。
【００１５】磁気記録ヘッド組立体１１０の構造及び製
造方法は図３から図１０に示されている。図３は図４の
Ｉ−Ｉ線に沿った断面図である。当該実施例ではセラミ
ックブロック基板２０４は、厚さがほぼ２５ｍｉｌ、及
び直径が１５０ｍｍなるアルミナ（酸化アルミニウム）
ウェーハ２０６から形成される。このような大きさを有
する基板ウェーハは半導体処理標準に適合し、したがっ
て標準半導体製造装置を使用する処理を容易にする。直
径が１５０ｍｍなるアルミナウェーハ２０６から２５０
００個の薄膜磁気記録ヘッド組立体を形成することがで
きる。
造方法は図３から図１０に示されている。図３は図４の
Ｉ−Ｉ線に沿った断面図である。当該実施例ではセラミ
ックブロック基板２０４は、厚さがほぼ２５ｍｉｌ、及
び直径が１５０ｍｍなるアルミナ（酸化アルミニウム）
ウェーハ２０６から形成される。このような大きさを有
する基板ウェーハは半導体処理標準に適合し、したがっ
て標準半導体製造装置を使用する処理を容易にする。直
径が１５０ｍｍなるアルミナウェーハ２０６から２５０
００個の薄膜磁気記録ヘッド組立体を形成することがで
きる。
【００１６】セラミックブロック基板２０４には、レー
ザ加工法によって、複数の深い垂直バイヤホール２６０
が形成される。
ザ加工法によって、複数の深い垂直バイヤホール２６０
が形成される。
【００１７】バイヤホール２６０には金属を充填して、
バイヤ２６２を形成し、該バイヤは、基板２０４を横断
する導電通路となる。金属接点材料がバイヤホール２６
０内に充填され、複数の導電金属バイヤ２６２を形成す
る。たとえば電気めっきを施した銅または燒結した薄膜
銅タングステンがバイヤホール２６０内に形成される。
しかしながら金のような他の金属が、金属バイヤを形成
するために使用されてもよい。導電通路を形成するに適
した任意の金属も使用することができる。金属バイヤ２
６２は、垂直またはほぼ垂直なバイヤホール２６０に、
金属を蒸着せしめ、固形金属プラグを構成することによ
って形成される。
バイヤ２６２を形成し、該バイヤは、基板２０４を横断
する導電通路となる。金属接点材料がバイヤホール２６
０内に充填され、複数の導電金属バイヤ２６２を形成す
る。たとえば電気めっきを施した銅または燒結した薄膜
銅タングステンがバイヤホール２６０内に形成される。
しかしながら金のような他の金属が、金属バイヤを形成
するために使用されてもよい。導電通路を形成するに適
した任意の金属も使用することができる。金属バイヤ２
６２は、垂直またはほぼ垂直なバイヤホール２６０に、
金属を蒸着せしめ、固形金属プラグを構成することによ
って形成される。
【００１８】コイル２２０の第１層は、電気めっき法に
よってセラミックブロック基板２０４の表面上に形成さ
れる。電気めっき法はシード層２２２のスパッタ蒸着段
階、シード層２２２の型取り段階、シード層２２２の電
気めっき及び化学的エッチング除去による第１コイル層
の形成段階を含んでいる。電気めっきは基板の前面に、
クロム銅フイルムのような、めっきベース用シード層２
２２の第１スパッタ蒸着を行うことによって行われる。
ベース用シード層は適当に薄く、しかし電気めっきに必
要な導電性が得られるように、十分な厚さを有する。シ
ード層２２２は、基板表面上に、クロムの層（図示せ
ず）を、たとえばほぼ３００Å〜５００Åの厚さにスパ
ッタ蒸着することによって形成される。シード層２２２
の第２層を形成する銅層２２４は、クロム蒸着部分上
に、ほぼ１０００Åの厚さでスパッタ蒸着を行う。シー
ド層２２２は普通の写真製版技術によって型取りされ
る。次に第１コイル層２２０が、シード層２２２上に位
置する表面２０８の領域において、基板前表面２０８に
金属を付着する電解により電気めっきされ、形成され
る。第１コイル層２２０が形成された後、シード層２２
２の露出部分が、化学的エッチングによって除去され、
第１コイル層２２０のエレメントが絶縁基板２０４の表
面２０８上に、電気絶縁的に分離された状態で触座する
ようになる。クロム銅コイルに対する、化学的エッチン
グは、水１リットル中に、８０ｇの過マンガン酸塩及び
２０ｇの水酸化カリウムを溶解したクロムエッチング溶
液と、水３リットル内に２６０ｇのペルオキソニ硫酸ア
ンモニウム及び１９０ミリリットルの３０％水酸化アン
モニウムを溶解した銅エッチング溶液を使用して行われ
る。
よってセラミックブロック基板２０４の表面上に形成さ
れる。電気めっき法はシード層２２２のスパッタ蒸着段
階、シード層２２２の型取り段階、シード層２２２の電
気めっき及び化学的エッチング除去による第１コイル層
の形成段階を含んでいる。電気めっきは基板の前面に、
クロム銅フイルムのような、めっきベース用シード層２
２２の第１スパッタ蒸着を行うことによって行われる。
ベース用シード層は適当に薄く、しかし電気めっきに必
要な導電性が得られるように、十分な厚さを有する。シ
ード層２２２は、基板表面上に、クロムの層（図示せ
ず）を、たとえばほぼ３００Å〜５００Åの厚さにスパ
ッタ蒸着することによって形成される。シード層２２２
の第２層を形成する銅層２２４は、クロム蒸着部分上
に、ほぼ１０００Åの厚さでスパッタ蒸着を行う。シー
ド層２２２は普通の写真製版技術によって型取りされ
る。次に第１コイル層２２０が、シード層２２２上に位
置する表面２０８の領域において、基板前表面２０８に
金属を付着する電解により電気めっきされ、形成され
る。第１コイル層２２０が形成された後、シード層２２
２の露出部分が、化学的エッチングによって除去され、
第１コイル層２２０のエレメントが絶縁基板２０４の表
面２０８上に、電気絶縁的に分離された状態で触座する
ようになる。クロム銅コイルに対する、化学的エッチン
グは、水１リットル中に、８０ｇの過マンガン酸塩及び
２０ｇの水酸化カリウムを溶解したクロムエッチング溶
液と、水３リットル内に２６０ｇのペルオキソニ硫酸ア
ンモニウム及び１９０ミリリットルの３０％水酸化アン
モニウムを溶解した銅エッチング溶液を使用して行われ
る。
【００１９】湿式エッチングプロセスは、多重電気めっ
き段階を含む代表的製造法の種々の蒸着段階と関連す
る。湿式エッチングプロセスには、エッチング剤とし
て、酸及び他の腐食性薬品のような液体が使用される。
エッチングは材料の表面における、化学反応によって行
われる。付加的な電気めっき製造プロセスは、乾式エッ
チングに関連するスパッタ蒸着作業に比して、処理段階
が実質的に少ない。したがって電気めっき及び湿式エッ
チングプロセスは共に、製造プロセスのサイクル時間を
短縮する。さらに電気めっき及び湿式エッチングプロセ
スを使用して製造される回路は、磁気記録ヘッドの、ス
パッタリング及び乾式エッチングプロセスを使用して製
造される装置に比して、性能の改良を示している。
き段階を含む代表的製造法の種々の蒸着段階と関連す
る。湿式エッチングプロセスには、エッチング剤とし
て、酸及び他の腐食性薬品のような液体が使用される。
エッチングは材料の表面における、化学反応によって行
われる。付加的な電気めっき製造プロセスは、乾式エッ
チングに関連するスパッタ蒸着作業に比して、処理段階
が実質的に少ない。したがって電気めっき及び湿式エッ
チングプロセスは共に、製造プロセスのサイクル時間を
短縮する。さらに電気めっき及び湿式エッチングプロセ
スを使用して製造される回路は、磁気記録ヘッドの、ス
パッタリング及び乾式エッチングプロセスを使用して製
造される装置に比して、性能の改良を示している。
【００２０】電気めっきプロセスは、アルゴンガス内に
おけるスパッタリングによる従来の蒸着、及び光硬化性
樹脂マスクを使用するイオンビームミリングによるエッ
チングに比して、厚い金属フイルム作成のサイクル時間
を実質的に改良する。
おけるスパッタリングによる従来の蒸着、及び光硬化性
樹脂マスクを使用するイオンビームミリングによるエッ
チングに比して、厚い金属フイルム作成のサイクル時間
を実質的に改良する。
【００２１】第１コイル層２２０はこのようにして、従
来の写真製版技術によって型取られ、めっきされ、かつ
化学的にエッチングされ、セラミックブロック基板２０
４の表面２０８上に、相互に平行なライン２２６を有す
る、微細なパターンを形成する。一つの実施例において
は、コイル２１０は４０本の平行ライン２２６から成
り、各ラインはほぼ２３０ミクロンなる長さと、ほぼ５
ミクロンなる幅を有し、各ラインは２ミクロンのギャッ
プによって分離されている。４０本の平行なコイルライ
ン２２６は“磁化容易軸線（ｅａｓｙ ａｘｉｓ）”と
称される軸線と平行である。“磁化容易軸線”なる術語
は図５〜図１０に示されるように、その後に形成される
磁気変換器２０２によって発生される磁界の方向性に関
するものである。磁化容易軸線２７０は、磁気変換器２
０２の磁束密度の方向と直交する。
来の写真製版技術によって型取られ、めっきされ、かつ
化学的にエッチングされ、セラミックブロック基板２０
４の表面２０８上に、相互に平行なライン２２６を有す
る、微細なパターンを形成する。一つの実施例において
は、コイル２１０は４０本の平行ライン２２６から成
り、各ラインはほぼ２３０ミクロンなる長さと、ほぼ５
ミクロンなる幅を有し、各ラインは２ミクロンのギャッ
プによって分離されている。４０本の平行なコイルライ
ン２２６は“磁化容易軸線（ｅａｓｙ ａｘｉｓ）”と
称される軸線と平行である。“磁化容易軸線”なる術語
は図５〜図１０に示されるように、その後に形成される
磁気変換器２０２によって発生される磁界の方向性に関
するものである。磁化容易軸線２７０は、磁気変換器２
０２の磁束密度の方向と直交する。
【００２２】第１コイルライン２３２は一端において、
平行コイルライン２２６と直交方向に延び、リードライ
ン２４０を形成する。接触バイヤ２６２の位置に応じ
て、リードライン２４０はコイルラインに対して、直交
以外の角度を有するように配置されてもよい。しかし
て、リードライン２４０は、磁化容易軸線２７０と直交
する、いわゆる“磁化困難軸線（ｈａｒｄ ａｘｉ
ｓ）”と称される第２軸線と平行に配置されるように図
示されている。
平行コイルライン２２６と直交方向に延び、リードライ
ン２４０を形成する。接触バイヤ２６２の位置に応じ
て、リードライン２４０はコイルラインに対して、直交
以外の角度を有するように配置されてもよい。しかし
て、リードライン２４０は、磁化容易軸線２７０と直交
する、いわゆる“磁化困難軸線（ｈａｒｄ ａｘｉ
ｓ）”と称される第２軸線と平行に配置されるように図
示されている。
【００２３】コイルライン２２６に加えて、電気めっき
プロセスはこの平行コイルライン２２６の各側部に、二
つの水準ブロック２６４を形成するために使用される。
この水準ブロック２６４は矩形を呈し、ほぼ２００ミク
ロンの長さと、ほぼ１００ミクロンの幅を有している。
水準ブロック２６４は、コイルラインおよび磁化容易軸
線２７０と平行に形成され、かつ各水準ブロックは最外
方コイルライン２３２、２３４の側縁より、ほぼ５ミク
ロン小さな中間縁を有している。
プロセスはこの平行コイルライン２２６の各側部に、二
つの水準ブロック２６４を形成するために使用される。
この水準ブロック２６４は矩形を呈し、ほぼ２００ミク
ロンの長さと、ほぼ１００ミクロンの幅を有している。
水準ブロック２６４は、コイルラインおよび磁化容易軸
線２７０と平行に形成され、かつ各水準ブロックは最外
方コイルライン２３２、２３４の側縁より、ほぼ５ミク
ロン小さな中間縁を有している。
【００２４】水準ブロック２６４は、第１コイル層２２
０上にその後形成される構造体を支持するために使用さ
れる。この水準ブロック２６４はなお、基板表面２０８
を水準化する機能も果す。支持用としての水準ブロック
２６４の使用はサイドポールの使用を避ける。この特定
の電気めっき構造においては、かさばるサイドポールの
使用は望ましくない。水準ブロック２６４は第１コイル
層２２０の部分として形成され、追加的なプロセス段階
を行うことなく構造の水準化を達成する。
０上にその後形成される構造体を支持するために使用さ
れる。この水準ブロック２６４はなお、基板表面２０８
を水準化する機能も果す。支持用としての水準ブロック
２６４の使用はサイドポールの使用を避ける。この特定
の電気めっき構造においては、かさばるサイドポールの
使用は望ましくない。水準ブロック２６４は第１コイル
層２２０の部分として形成され、追加的なプロセス段階
を行うことなく構造の水準化を達成する。
【００２５】図５は図６のII−II線に沿った断面図であ
る。第１絶縁層２８０が第１コイル層２２０上に形成さ
れ、次いでこの第１コイル層２２０上に形成される磁気
コア２５６から第１コイル層２２０を電気的に絶縁す
る。第１絶縁層２８０は光硬化性樹脂材料のような適当
な絶縁材料、または二酸化ケイ素あるいは一酸化ケイ素
のような酸化ケイ素から形成される。たとえばＡＺ４６
２０光硬化性樹脂のような電子ビーム硬化光硬化性樹脂
を、第１絶縁層２８０に対して使用することができる。
ＡＺ４６２０光硬化性樹脂は、比較的厚い光硬化性樹脂
材料であり、厚い層として蒸着され基板表面の微細構成
を好適に被覆する光硬化性樹脂層は約１５分間電子ビー
ムによって硬化され、普通に使用される高温焙焼硬化法
に比して、硬化時間が著しく短縮される。さらに電子ビ
ーム硬化法は、光硬化性樹脂の表面プロフイルをランニ
ングまたはフローイングからほとんど変化させないの
で、光硬化性樹脂層が硬化された後、好適な平らな表面
が得られる。電子ビーム硬化プロセスの間、光硬化性樹
脂層の断面プロフイルは、光硬化性樹脂のランニングま
たはフローイングによって、知覚されうるほど変化しな
い。
る。第１絶縁層２８０が第１コイル層２２０上に形成さ
れ、次いでこの第１コイル層２２０上に形成される磁気
コア２５６から第１コイル層２２０を電気的に絶縁す
る。第１絶縁層２８０は光硬化性樹脂材料のような適当
な絶縁材料、または二酸化ケイ素あるいは一酸化ケイ素
のような酸化ケイ素から形成される。たとえばＡＺ４６
２０光硬化性樹脂のような電子ビーム硬化光硬化性樹脂
を、第１絶縁層２８０に対して使用することができる。
ＡＺ４６２０光硬化性樹脂は、比較的厚い光硬化性樹脂
材料であり、厚い層として蒸着され基板表面の微細構成
を好適に被覆する光硬化性樹脂層は約１５分間電子ビー
ムによって硬化され、普通に使用される高温焙焼硬化法
に比して、硬化時間が著しく短縮される。さらに電子ビ
ーム硬化法は、光硬化性樹脂の表面プロフイルをランニ
ングまたはフローイングからほとんど変化させないの
で、光硬化性樹脂層が硬化された後、好適な平らな表面
が得られる。電子ビーム硬化プロセスの間、光硬化性樹
脂層の断面プロフイルは、光硬化性樹脂のランニングま
たはフローイングによって、知覚されうるほど変化しな
い。
【００２６】第１絶縁層２８０は、単一の層蒸着硬化段
階によって形成される層構造である。第１絶縁層２８０
は、平行コイルライン２２６を含む第１コイル層２２０
上に位置し、かつ対応する水準ブロック２６４の中間縁
２６６間で磁化困難軸線２７２の方向に延びる、正方形
または長方形区域が被覆されるように形ち取られる。水
準ブロック２６４は第１絶縁層２８０によって被覆され
ない。第１絶縁層２８０は、各平行コイルライン２２６
の第１端部２３６及び第２端部２３７が、絶縁層２８０
によって被覆されないで残るように型取りされる。光硬
化性樹脂は最初、感光性マスクを通る露光により、適当
な形に型取りされる。コイルライン２２６の端部２３
６、２３７において、約５ミクロンの方形部分が露光さ
れ、それによってこのコイルライン２２６の端部２３
６、２３７に複数のコイル接点２３８が形成される。
階によって形成される層構造である。第１絶縁層２８０
は、平行コイルライン２２６を含む第１コイル層２２０
上に位置し、かつ対応する水準ブロック２６４の中間縁
２６６間で磁化困難軸線２７２の方向に延びる、正方形
または長方形区域が被覆されるように形ち取られる。水
準ブロック２６４は第１絶縁層２８０によって被覆され
ない。第１絶縁層２８０は、各平行コイルライン２２６
の第１端部２３６及び第２端部２３７が、絶縁層２８０
によって被覆されないで残るように型取りされる。光硬
化性樹脂は最初、感光性マスクを通る露光により、適当
な形に型取りされる。コイルライン２２６の端部２３
６、２３７において、約５ミクロンの方形部分が露光さ
れ、それによってこのコイルライン２２６の端部２３
６、２３７に複数のコイル接点２３８が形成される。
【００２７】磁気コア２５６は第１絶縁層２８０上に位
置し、ほぼ長方形表面２７４を被覆するように形成され
る。磁気コア２５６は磁化困難軸線２７２の方向に延
び、平行コイルライン２２６を含む第１コイル層２２０
と第１絶縁層２８０を被覆するに適当な長さを有し、水
準ブロック２６４の側縁を越えて延びている。磁気コア
２５６の幅は磁化容易軸線２７０の方に向かって、第１
絶縁層２８０の縁付近まで延び、第１コイルライン層２
２０内のコイルライン２２６の端部が残され露光される
ようにされている。磁気コア２５６はニッケル−鉄（Ｎ
ｉＦｅ）パーマロイ蒸着物であり、この蒸着物は、第１
コイル層２２０を蒸着する時と同じ態様で電気めっきさ
れる。たとえば、クロム銅のシード層２８２が蒸着され
る。次にＮｉＦｅ層２８４が型取りされ、かつシード層
２８２上にめっきが行われる。このシード層は次いでエ
ッチングによって除去される。ＮｉＦｅは適当に平らな
表面を有する、柔らかな、可撓性を有する磁気材料電気
めっき層を形成する。
置し、ほぼ長方形表面２７４を被覆するように形成され
る。磁気コア２５６は磁化困難軸線２７２の方向に延
び、平行コイルライン２２６を含む第１コイル層２２０
と第１絶縁層２８０を被覆するに適当な長さを有し、水
準ブロック２６４の側縁を越えて延びている。磁気コア
２５６の幅は磁化容易軸線２７０の方に向かって、第１
絶縁層２８０の縁付近まで延び、第１コイルライン層２
２０内のコイルライン２２６の端部が残され露光される
ようにされている。磁気コア２５６はニッケル−鉄（Ｎ
ｉＦｅ）パーマロイ蒸着物であり、この蒸着物は、第１
コイル層２２０を蒸着する時と同じ態様で電気めっきさ
れる。たとえば、クロム銅のシード層２８２が蒸着され
る。次にＮｉＦｅ層２８４が型取りされ、かつシード層
２８２上にめっきが行われる。このシード層は次いでエ
ッチングによって除去される。ＮｉＦｅは適当に平らな
表面を有する、柔らかな、可撓性を有する磁気材料電気
めっき層を形成する。
【００２８】ＮｉＦｅ磁気コア材料の可撓性は磁路の磁
気抵抗を減少せしめ、したがって磁気記録ヘッド組立体
１１０の効率を増加させる。ＮｉＦｅパーマロイは、約
８０％のニッケル及び２０％の鉄から成る組成を有し、
コア２５６に、磁化困難軸線と平行な方向に、磁気異方
性を与えることによって、磁気的異方性磁気コア構造が
形成される。完全に平らな表面からの偏差は、おおむね
第１絶縁層２８０の有限厚さに起因するものである。磁
気性能にとって磁気コイル２５６の完全に平らな表面は
理論的には理想であり、このような表面形状は第１コイ
ル層２２０に、追加の選択的なめっきを施すことによっ
て得られるが、性能のこのような改良度合いは、追加プ
ロセスを正当化するに充分とは考えられない。他の薄膜
磁気コア２５６の実施例においては、前記のような追加
プロセスは、磁気性能の増加によって正当化されるかも
しれない。
気抵抗を減少せしめ、したがって磁気記録ヘッド組立体
１１０の効率を増加させる。ＮｉＦｅパーマロイは、約
８０％のニッケル及び２０％の鉄から成る組成を有し、
コア２５６に、磁化困難軸線と平行な方向に、磁気異方
性を与えることによって、磁気的異方性磁気コア構造が
形成される。完全に平らな表面からの偏差は、おおむね
第１絶縁層２８０の有限厚さに起因するものである。磁
気性能にとって磁気コイル２５６の完全に平らな表面は
理論的には理想であり、このような表面形状は第１コイ
ル層２２０に、追加の選択的なめっきを施すことによっ
て得られるが、性能のこのような改良度合いは、追加プ
ロセスを正当化するに充分とは考えられない。他の薄膜
磁気コア２５６の実施例においては、前記のような追加
プロセスは、磁気性能の増加によって正当化されるかも
しれない。
【００２９】図７は図８の III−III 線に沿った断面図
である。第２絶縁層２９０が磁気コア２５６上に形成さ
れ、該磁気コア２５６を、次にこの磁気コア２５６上に
形成される第２コイル層２１２から、電気的に絶縁して
いる。第２絶縁層２９０は適当な絶縁材料から形成さ
れ、かつ図示の実施例においては、第１絶縁層２８０を
形成する時に使用されたと同様な電子ビーム硬化ＡＺ４
６２０光硬化性樹脂から形成される。第２絶縁層２９０
は、第１絶縁層２８０上に位置する区域を含む磁気コア
２５６の、中央部分上に位置する長方形または正方形表
面２９２となるように型取りされる。第２絶縁層２９０
は、平行コイルライン２２６の端部における、約５ミク
ロンの区域が残され露光されるように型取りされ、それ
によってコイル接点２３８を各コイルライン２２６の端
部２３６、２３７において垂直に延ばす。
である。第２絶縁層２９０が磁気コア２５６上に形成さ
れ、該磁気コア２５６を、次にこの磁気コア２５６上に
形成される第２コイル層２１２から、電気的に絶縁して
いる。第２絶縁層２９０は適当な絶縁材料から形成さ
れ、かつ図示の実施例においては、第１絶縁層２８０を
形成する時に使用されたと同様な電子ビーム硬化ＡＺ４
６２０光硬化性樹脂から形成される。第２絶縁層２９０
は、第１絶縁層２８０上に位置する区域を含む磁気コア
２５６の、中央部分上に位置する長方形または正方形表
面２９２となるように型取りされる。第２絶縁層２９０
は、平行コイルライン２２６の端部における、約５ミク
ロンの区域が残され露光されるように型取りされ、それ
によってコイル接点２３８を各コイルライン２２６の端
部２３６、２３７において垂直に延ばす。
【００３０】次に第２コイル層２１２が、第２絶縁層２
９０の表面上に形成される。この第２コイル層２１２
は、第１コイル層２２０を形成する手順と同じ態様で形
成される。しかしながら、第１コイル層２２０は、コイ
ル全体が実質的に平らな面上に形成されるから、単一の
マスクだけを使用して、効率的に形成される。これに対
して、第２コイル層２１２は平らな表面上には形成され
ず、図示の製法実施例においては、この第２コイル層２
１２を形成するための、電気めっきを行う前の写真製版
手順には複数のマスクが使用される。適当な露光量は、
コイル表面区域の異なる領域にしたがって変化する。す
なわち露光時間はこれら異なる領域において変化する。
これら露光時間を変えるためには、一連のマスクが使用
される。図示の製法実施例においては、第２コイル層２
１２を形成するために、３個のマスク（図示せず）が使
用される。
９０の表面上に形成される。この第２コイル層２１２
は、第１コイル層２２０を形成する手順と同じ態様で形
成される。しかしながら、第１コイル層２２０は、コイ
ル全体が実質的に平らな面上に形成されるから、単一の
マスクだけを使用して、効率的に形成される。これに対
して、第２コイル層２１２は平らな表面上には形成され
ず、図示の製法実施例においては、この第２コイル層２
１２を形成するための、電気めっきを行う前の写真製版
手順には複数のマスクが使用される。適当な露光量は、
コイル表面区域の異なる領域にしたがって変化する。す
なわち露光時間はこれら異なる領域において変化する。
これら露光時間を変えるためには、一連のマスクが使用
される。図示の製法実施例においては、第２コイル層２
１２を形成するために、３個のマスク（図示せず）が使
用される。
【００３１】第２コイル層２１２を形成するための電気
めっきプロセスは、クロム銅めっきをベースとするシー
ド層２１４の形成段階を含む。クロム層、次いで銅層２
１６は、第２絶縁層２９０の上に蒸着される。第２コイ
ル層２１２は、複数のマスクの第１マスク（図示せず）
を使用して型取りされる。この第１マスクは、おおむね
コイルセグメントを型取る主マスクである。第２コイル
層２１２は４０個の平行ライン２１８に形成され、全て
のコイルラインは、磁化容易軸線２７０に対して小さな
角度をなすように、第１端部２４６から第２端部２４８
に延びるようにされる。平行な第２コイル層のコイルラ
イン２１８は、第１コイル層のコイルライン２２６とは
平行せず、この第１コイル層のコイルライン２２６から
ずれている。したがって第２コイル層の第１コイルライ
ン２４２の第１端部２４６は、第１コイル層の第１コイ
ルライン２３２の第１端部２３６上に直接位置するよう
になる。しかしながら、第２コイル層の第１コイルライ
ン２４２の第２端部２４８は、第１コイル層の第１コイ
ルライン２３２に隣近する第１コイル層の第２コイルラ
イン２３３の第２端部２３７上に直接位置するようにな
る。第２コイル層２１２は、第１コイル層のコイルライ
ン２２６の端部２３６、２３７上に蒸着される。このよ
うにして、それぞれウエーハ表面上の平らな層に閉込め
られたコイル層２２０、２１２は、連合して全体がらせ
ん状の構造を形成する。
めっきプロセスは、クロム銅めっきをベースとするシー
ド層２１４の形成段階を含む。クロム層、次いで銅層２
１６は、第２絶縁層２９０の上に蒸着される。第２コイ
ル層２１２は、複数のマスクの第１マスク（図示せず）
を使用して型取りされる。この第１マスクは、おおむね
コイルセグメントを型取る主マスクである。第２コイル
層２１２は４０個の平行ライン２１８に形成され、全て
のコイルラインは、磁化容易軸線２７０に対して小さな
角度をなすように、第１端部２４６から第２端部２４８
に延びるようにされる。平行な第２コイル層のコイルラ
イン２１８は、第１コイル層のコイルライン２２６とは
平行せず、この第１コイル層のコイルライン２２６から
ずれている。したがって第２コイル層の第１コイルライ
ン２４２の第１端部２４６は、第１コイル層の第１コイ
ルライン２３２の第１端部２３６上に直接位置するよう
になる。しかしながら、第２コイル層の第１コイルライ
ン２４２の第２端部２４８は、第１コイル層の第１コイ
ルライン２３２に隣近する第１コイル層の第２コイルラ
イン２３３の第２端部２３７上に直接位置するようにな
る。第２コイル層２１２は、第１コイル層のコイルライ
ン２２６の端部２３６、２３７上に蒸着される。このよ
うにして、それぞれウエーハ表面上の平らな層に閉込め
られたコイル層２２０、２１２は、連合して全体がらせ
ん状の構造を形成する。
【００３２】第２コイル層２１２のシード層２１４が型
取りされた後、第２コイル層２１２が第１コイル層２２
０と接触する、第１コイル層のコイルラインの端部上に
位置する“足領域（ｆｏｏｔ ｒｅｇｉｏｎ）”を清掃
するために、第２マスクが使用される。第２マスクを使
用する前に、これら足領域がおおむね障害がないことに
注意すべきである。その理由は、介在する絶縁層２８
０、２９０が、コイルラインの端部に向かって横方向に
延びることのない長方形であり、むしろ第１コイル層２
２０のコイルラインの端部を露呈するからである。第２
コイル層２１２は電気めっきによって形成され、かつ第
２絶縁層２９０の表面を横切って横方向に延びる複数の
コイルライン含むばかりでなく、第２コイル層のコイル
ラインの端部から、第１コイル層のコイルライン２２６
の端部に延びる垂直セグメントをも含んでいる。したが
って横方向に延びる第１コイル層のコイルライン２２
６、及び横方向に延びる第２コイル層のコイルライン２
１８は、第２コイル層のコイルライン２２６の垂直セグ
メントによって連結され、磁気コア２５６の周囲を横切
るコイル構造を完成する。
取りされた後、第２コイル層２１２が第１コイル層２２
０と接触する、第１コイル層のコイルラインの端部上に
位置する“足領域（ｆｏｏｔ ｒｅｇｉｏｎ）”を清掃
するために、第２マスクが使用される。第２マスクを使
用する前に、これら足領域がおおむね障害がないことに
注意すべきである。その理由は、介在する絶縁層２８
０、２９０が、コイルラインの端部に向かって横方向に
延びることのない長方形であり、むしろ第１コイル層２
２０のコイルラインの端部を露呈するからである。第２
コイル層２１２は電気めっきによって形成され、かつ第
２絶縁層２９０の表面を横切って横方向に延びる複数の
コイルライン含むばかりでなく、第２コイル層のコイル
ラインの端部から、第１コイル層のコイルライン２２６
の端部に延びる垂直セグメントをも含んでいる。したが
って横方向に延びる第１コイル層のコイルライン２２
６、及び横方向に延びる第２コイル層のコイルライン２
１８は、第２コイル層のコイルライン２２６の垂直セグ
メントによって連結され、磁気コア２５６の周囲を横切
るコイル構造を完成する。
【００３３】絶縁層の縁までのコイル領域の全区域を被
覆する第３マスクが使用される。第２コイル層２１２を
形成するために３個のマスクを使用することにより、光
エッチングの露光時間を調節して、コイル構造の形及び
厚さを好適に制御する。
覆する第３マスクが使用される。第２コイル層２１２を
形成するために３個のマスクを使用することにより、光
エッチングの露光時間を調節して、コイル構造の形及び
厚さを好適に制御する。
【００３４】図９は図１０のIV−IV線に沿った断面図で
ある。第３絶縁層２９６が、第２コイル層２２０、第２
絶縁層２９０及び磁気コア２５６を含む表面２０８上に
蒸着される。
ある。第３絶縁層２９６が、第２コイル層２２０、第２
絶縁層２９０及び磁気コア２５６を含む表面２０８上に
蒸着される。
【００３５】コア層支持構造２５８が、磁気コア２５６
の側縁２５９上に、この磁気コア２５６の延長として形
成される。このコア層支持構造２５８は、第２コイル層
２２０、第２絶縁層２９０及び第３絶縁層２９６によっ
て被覆されない。したがってコア層支持構造２５８は、
各水準ブロック２６４上に形成される。このコア層支持
構造２５８は、磁気コア３５６と同様に、ニッケル−鉄
（ＮｉＦｅ）パーマロイ蒸着物であり、この蒸着物は第
１コイル層２２０、及び第２コイル層２１２を蒸着させ
ると同じ態様で電気めっきされる。コア層支持構造２５
８は、たとえば長方形ブロック、立方体、細長い立方体
または円柱のような種々の形で、平行な第１コイル層の
コイルライン２２６及び第２コイル層のコイルライン２
１８の群の横方向において、磁気コア２５６の側部に形
成される。このコア層支持構造２５８は、薄膜コイル上
に位置する構造を支持するために使用される。
の側縁２５９上に、この磁気コア２５６の延長として形
成される。このコア層支持構造２５８は、第２コイル層
２２０、第２絶縁層２９０及び第３絶縁層２９６によっ
て被覆されない。したがってコア層支持構造２５８は、
各水準ブロック２６４上に形成される。このコア層支持
構造２５８は、磁気コア３５６と同様に、ニッケル−鉄
（ＮｉＦｅ）パーマロイ蒸着物であり、この蒸着物は第
１コイル層２２０、及び第２コイル層２１２を蒸着させ
ると同じ態様で電気めっきされる。コア層支持構造２５
８は、たとえば長方形ブロック、立方体、細長い立方体
または円柱のような種々の形で、平行な第１コイル層の
コイルライン２２６及び第２コイル層のコイルライン２
１８の群の横方向において、磁気コア２５６の側部に形
成される。このコア層支持構造２５８は、薄膜コイル上
に位置する構造を支持するために使用される。
【００３６】セラミックブロック基板２０４及び金属バ
イヤ２６２から成る構造は、その後側がほぼ０．２５ｍ
ｍ〜０．３８ｍｍ除去されるように研削され、セラミッ
クブロック基板２０４の、残された厚さがほぼ０．１３
ｍｍ〜０．２５ｍｍとなり、その絶縁層及び金属層がほ
ぼ２０ミクロンの深さを有するようにされる。セラミッ
クブロック基板２０４は次に、個々の薄膜コイルチップ
に切断される。
イヤ２６２から成る構造は、その後側がほぼ０．２５ｍ
ｍ〜０．３８ｍｍ除去されるように研削され、セラミッ
クブロック基板２０４の、残された厚さがほぼ０．１３
ｍｍ〜０．２５ｍｍとなり、その絶縁層及び金属層がほ
ぼ２０ミクロンの深さを有するようにされる。セラミッ
クブロック基板２０４は次に、個々の薄膜コイルチップ
に切断される。
【００３７】以上本発明を種々の実施例によって説明し
たが、これら実施例は代表的なものであって、本発明の
範囲を制限するものではない。この実施例を種々に変形
し、改良することは可能である。
たが、これら実施例は代表的なものであって、本発明の
範囲を制限するものではない。この実施例を種々に変形
し、改良することは可能である。
【００３８】たとえばコイルの巻回数は図示の目的で特
定されている。コイルの巻回数は本発明の範囲内におい
て任意の数となすことができる。さらにコイル層は平行
ライン以外の、種々の形のものとなすことができる。
定されている。コイルの巻回数は本発明の範囲内におい
て任意の数となすことができる。さらにコイル層は平行
ライン以外の、種々の形のものとなすことができる。
【００３９】さらに、金属層を形成するために種々の電
気めっき方法を使用することができる。さらに、銅、ク
ロム銅、金のような、種々の適当な導電金属をコイル層
として使用することができる。金属バイヤはモリブデ
ン、めっきされた銅、燒結した厚膜銅タングステンまた
は厚膜金から形成することができる。磁気コア層用磁気
材料はニッケル−鉄−コバルト（ＮｉＦｅＣｏ）及びＮ
ｉＦｅから形成することができる。さらにバイヤホール
を形成し、かつ表面層を型取るために種々の湿式エッチ
ングを使用することができる。種々の層の表示した厚さ
は例証のためのもので、制限的意味を有するものではな
い。半導体製造技術において周知の、適当な層厚さはす
べて、本発明の範囲内にある。これら、及び他の変形、
修正、追加および改良は本発明の特許請求の範囲内にあ
るものと解すべきである。
気めっき方法を使用することができる。さらに、銅、ク
ロム銅、金のような、種々の適当な導電金属をコイル層
として使用することができる。金属バイヤはモリブデ
ン、めっきされた銅、燒結した厚膜銅タングステンまた
は厚膜金から形成することができる。磁気コア層用磁気
材料はニッケル−鉄−コバルト（ＮｉＦｅＣｏ）及びＮ
ｉＦｅから形成することができる。さらにバイヤホール
を形成し、かつ表面層を型取るために種々の湿式エッチ
ングを使用することができる。種々の層の表示した厚さ
は例証のためのもので、制限的意味を有するものではな
い。半導体製造技術において周知の、適当な層厚さはす
べて、本発明の範囲内にある。これら、及び他の変形、
修正、追加および改良は本発明の特許請求の範囲内にあ
るものと解すべきである。
【図１】薄膜磁気記録ヘッドの斜視図；
【図２】図１に示された記録ヘッドの薄膜磁気変換器の
斜視図；
斜視図；
【図３】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す断面図；
セスの、一段階を示す断面図；
【図４】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す平面図；
セスの、一段階を示す平面図；
【図５】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す断面図；
セスの、一段階を示す断面図；
【図６】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す平面図；
セスの、一段階を示す平面図；
【図７】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す断面図；
セスの、一段階を示す断面図；
【図８】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す平面図；
セスの、一段階を示す平面図；
【図９】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプロ
セスの、一段階を示す断面図；
セスの、一段階を示す断面図；
【図１０】図２に示された薄膜磁気変換器を製造するプ
ロセスの、一段階を示す平面図。
ロセスの、一段階を示す平面図。
１００ 磁気ヘッド １０２ スライダ １０４、１０６ 浮動レール １０８ 装架用凹所 １１０ 磁気記録ヘッド １１２ 磁気ヘッドコア １１４ 第１コア区画 １１６ 第２コア区画 ２０２ 磁気変換器 ２０４ セラミック基板 ２０６ アルミナウエーハ ２０８ 基体前表面 ２１０ コイル ２１２ 第２コイル層 ２１４ シード層 ２１６ 銅層 ２２０ 第１コイル層 ２２２ シード層 ２２４ 銅層 ２３２ 第１コイル層の第１コイルライン ２３３ 第１コイル層の第２コイルライン ２３４ 最外方コイルライン ２３６ 第１端部 ２３８ 第２端部 ２４０ リードライン ２４２ 第２コイル層第１コイルライン ２４６ 第１端部 ２４８ 第２端部 ２５６ 磁気コア ２５８ コア層支持構造 ２６０ 垂直バイヤホール ２６２ 金属バイヤ ２６４ 水準ブロック ２７０ 磁化容易軸線 ２７２ 磁化困難軸線 ２８０ 第１絶縁層 ２８２ シード層 ２９０ 第２絶縁層 ２９６ 第３絶縁層
Claims (40)
- 【請求項１】 薄膜導体コイル組立体において、 実質的に平らな表面を有する非導電性セラミック基板
と、 相互にセラミック基板のある量と境を接する分離した第
１及び第２磁気エレメントと、 前記第１磁気エレメントを前記第２磁気エレメントに磁
気的に結合し、かつ前記セラミック基板の実質的に平ら
な表面上に位置する薄膜磁気コアで、可撓性の電気めっ
き磁性材料から形成されている磁気コアと、 前記薄膜磁気コアの周囲を通り、かつ第１端子から第２
端子に導電通路を形成する、電気めっきされた薄膜コイ
ルとを有する薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項２】 前記セラミック基板がアルミナウェーハ
である請求項１記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項３】 前記セラミック基板が５ｍｉｌから１０
０ｍｉｌなる厚さと、５０ｍｍから５００ｍｍなる直径
を有する請求項２記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項４】 前記セラミック基板がほぼ２５ｍｉｌな
る厚さと、ほぼ１５０ｍｍなる直径を有する請求項２記
載のコイル薄膜導体組立体。 - 【請求項５】 前記第１及び第２磁気エレメントは前記
セラミック基板内に形成された金属バイヤである請求項
１記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項６】 前記第１及び第２磁気エレメントは前記
セラミック基板内に形成された固形金属プラグである請
求項１記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項７】 前記第１及び第２磁気エレメントは、電
気めっきされた銅、燒結された厚膜銅タングステン及び
金の群から選択された金属から形成されている請求項６
記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項８】 前記薄膜磁気コアがニッケル−鉄（Ｎｉ
Ｆｅ）パーマロイから形成されている請求項１記載の薄
膜導体コイル組立体。 - 【請求項９】 前記薄膜磁気コアが前記セラミック基板
の実質的に平らな表面上に位置する電気めっき層である
請求項１記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項１０】 前記薄膜磁気コアがクロムニッケルバ
ナジウムシード層と、このクロムニッケルバナジウムシ
ード層上に位置する電気めっきされた可撓性ニッケル−
鉄層を含んでいる請求項１記載の薄膜導体コイル組立
体。 - 【請求項１１】 前記ニッケル−鉄層がほぼ８０％のニ
ッケルと、ほぼ２０％の鉄を含んでいる請求項１０記載
の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項１２】 前記薄膜コイルが電気めっきされた薄
膜金属から形成される請求項１記載の薄膜導体コイル組
立体。 - 【請求項１３】 前記薄膜コイルが電気めっきされた銅
層から形成される請求項１記載の薄膜導体コイル組立
体。 - 【請求項１４】 前記薄膜コイルが、 前記セラミック基板の表面上に位置し、かつ前記薄膜磁
気コアの下に位置する第１金属コイル層で、第１端部及
び第２端部を有する複数の平行な導体コイルラインと、
該複数の平行な導体コイルの、第１の導体コイルライン
の第２端部を第１端子に接続するリードラインを含む第
１金属コイル層と、 前記薄膜磁気コア上に位置し、かつ前記第１金属コイル
層の前記導体コイルラインの数に対応する数の複数の平
行な導体コイルラインを有する第２金属コイル層で、該
第２金属コイル層のコイルラインは前記第１金属コイル
層の対応するコイルラインの第１端部に接続された第１
端部を有し、第１から終わりから二番目までの第２金属
コイル層のコイルラインが前記第１金属コイル層の対応
するコイルラインの第２端部に接続された第２端部を有
し、第２金属コイル層最後のコイルラインが第２端子に
接続された第２端部を有する第２金属コイル層とを有し
ている、請求項１記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項１５】 前記第１及び第２金属コイル層がそれ
ぞれ１０〜１００個の、実質的に平行なコイルラインを
有している請求項１４記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項１６】 前記第１及び第２金属コイル層がそれ
ぞれほぼ４０個の、実質的に平行なコイルラインを有し
ている請求項１５記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項１７】 前記コイルラインは５０ミクロン〜３
００ミクロンなる長さと、４ミクロン〜２０ミクロンな
る幅を有している請求項１５記載の薄膜導体コイル組立
体。 - 【請求項１８】 前記コイルラインはほぼ２３０ミクロ
ンなる長さと、ほぼ５ミクロンなる幅を有し、これらコ
イルラインがほぼ２ミクロンの間隙によって分離されて
いる請求項１５記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項１９】 前記薄膜磁気コア及び前記薄膜コイル
の間に接続された複数の絶縁層をさらに有している請求
項１記載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項２０】 前記複数の絶縁層が電子ビームによっ
て硬化された光硬化性樹脂から形成される請求項１９記
載の薄膜導体コイル組立体。 - 【請求項２１】 磁気ヘッドにおいて、 スライダと、 前記スライダに装着され、側方磁気区画及び中央非磁気
区画を有する磁気ヘッドコアと、 薄膜導体コイル組立体にして、 実質的に平らな表面を有する非導電セラミック基板と、 相互にセラミック基板のある量と境を接する分離した第
１及び第２磁気エレメントと、 前記第１磁気エレメントを前記第２磁気エレメントに磁
気的に接続し、かつ前記セラミック基板の実質的に平ら
な表面上に位置する薄膜磁気コアで、可撓性の電気めっ
き磁性材料から形成された薄膜磁気コアと、 電気めっきされた薄膜コイルで、前記薄膜磁気コアの周
囲を通り、第１端子から第２端子に至る導電通路を形成
する薄膜コイルとを有する薄膜導体コイル組立体を含む
磁気ヘッド。 - 【請求項２２】 薄膜導体コイル組立体の製造方法であ
って、 非導電セラミック基板内に、第１及び第２磁気エレメン
トを形成する段階と、 前記セラミック基板の実質的に平らな表面上に第１薄膜
コイル層を電気めっきし、かつ型取りする段階と、 前記第１薄膜コイル層上に位置し、かつ前記第１及び第
２磁気エレメントを接続する薄膜磁気コア層を形成する
段階と、 前記薄膜磁気コア層上に位置し、前記第１薄膜コイル層
に接続される第２薄膜コイル層を電気めっきし、かつ型
取りする段階から成る薄膜導体コイル組立体製造方法。 - 【請求項２３】 前記第１及び第２磁気エレメントの形
成段階が、 前記セラミック基板内に、深い垂直バイヤホールをレー
ザ加工する段階と、 該深いバイヤホール内に固形金属プラグを形成する段階
を含む請求項２２記載の薄膜導体コイル組立体製造方
法。 - 【請求項２４】 前記固形金属プラグが、電気めっきさ
れた銅、燒結された厚膜銅タングステン及び金の群から
選択された金属から形成される請求項２３記載の薄膜導
体コイル組立体製造方法。 - 【請求項２５】 前記薄膜導体コイルの前記第１及び第
２薄膜コイル層が電気めっきされた銅から形成される、
請求項２２記載の薄膜導体コイル組立体製造方法。 - 【請求項２６】 前記第１及び第２薄膜コイル層の電気
めっき及び型取り段階が、 前記セラミック基板の、実質的に平らな表面上に、シー
ド層をスパッタ蒸着する段階と、 化学的エッチングプロセスによって前記シード層を型取
りする段階と、 電解によって前記第１薄膜コイル層を電気めっきする段
階と、 化学的エッチングプロセスによって前記シード層を除去
する段階を含む請求項２２記載の薄膜導体コイル組立体
製造方法。 - 【請求項２７】 前記シード層をスパッタ蒸着する段階
が、 前記セラミック基板表面上に、深さが約３００Å〜５０
０Åまでのクロムをスパッタ蒸着する段階と、 前記クロム層上に、深さが約１０００Åまでの銅層をス
パッタ蒸着する段階を含む請求項２６記載の薄膜導体コ
イル組立体製造方法。 - 【請求項２８】 前記シード層スパッタ蒸着段階及び前
記シード層除去段階の前記化学的エッチングプロセス
が、１リットルの水に８０ｇのマンガン酸カリウム及び
２０ｇの水酸化カリウムを溶解したクロムエッチング溶
液と、３リットルの水に２６０ｇのペルオキソ二酸化ア
ンモニウム及び１９０ミリリットルの３０％水酸化アン
モニウムを溶解した銅エッチング溶液を適用する段階を
含んでいる請求項２７記載の薄膜導体コイル組立体製造
方法。 - 【請求項２９】 前記第２薄膜コイル層の電気めっき及
び型取り段階が、 前記薄膜磁気コア層の上にある表面上にシード層をスパ
ッタ蒸着する段階と、 複数のコイルセグメントを型取りするための第１マスク
と化学的エッチングプロセスを使って前記シード層を型
取りする段階と、 前記薄膜磁気コア層上の表面に第２マスクを使用し、前
記複数のコイルラインセグメントの端部上の領域にアク
セスしする段階と、 電解によって、前記第２薄膜コイル層を電気めっきする
段階と、 化学的エッチングプロセスによって、前記シード層を除
去する段階と、 前記薄膜磁気コア層上の表面及び実質的にコイル領域の
全区域上をカバーする第２薄膜コイル層に第３マスクを
適用する段階を含む請求項２２記載の薄膜導体コイル組
立体製造方法。 - 【請求項３０】 前記シード層をスパッタ蒸着する段階
が、 前記セラミック基板上に、深さが約３００Å〜５００Å
までのクロム層をスパッタ蒸着する段階と、 前記クロム層上に、深さが約１０００Åなる銅層をスパ
ッタ蒸着する段階を含む請求項２９記載の薄膜導体コイ
ル組立体製造方法。 - 【請求項３１】 前記シード層型取り段階及び前記シー
ド層除去段階の化学的エッチングプロセスが、１リット
ルの水に８０ｇのマンガン酸カリウム及び２０ｇの水酸
化カリウムを溶解したクロムエッチング溶液と、３リッ
トルの水に２６０ｇのペルオキソ二酸化アンモニウム及
び１９０ミリリットルの３０％水酸化アンモニウムを溶
解した銅エッチング溶液を適用する段階を含む請求項３
０記載の薄膜導体コイル組立体製造方法。 - 【請求項３２】 前記第１薄膜コイル層の電気めっき及
び型取り段階が、 前記セラミック基板の表面上の第１金属コイル層を、第
１及び第２端部を有する複数の平行な第１導体コイルラ
インと、該複数の平行な第１導体コイルラインの最初の
導体コイルラインの第２端部を第１端子に接続するリー
ドラインとに型取りする段階を含む請求項２２記載の薄
膜導体コイル組立体製造方法。 - 【請求項３３】 前記第２薄膜コイル層の電気めっき及
び型取り段階が、 前記薄膜磁気コア上に位置する第２金属コイル層を型取
りし、前記第１導体コイルラインの数に対応する数の複
数の平行な第２導体コイルラインであって、該第２導体
コイルラインが、対応する前記第１導体コイルラインの
第１端部に接続された第１端部を有し、前記第２導体コ
イルラインの最初から終わりから２番目までのコイルラ
インが、対応する前記第１導体コイルラインの各第２端
部にそれぞれ接続された第２端部を有し、前記第２導体
コイルラインの最後のコイルラインが第２端子に接続さ
れた第２端部を有する第２導体コイルラインにする段階
を含む請求項３２記載の薄膜導体コイル組立体製造方
法。 - 【請求項３４】 前記薄膜磁気コア層はニッケル−鉄
（ＮｉＦｅ）パーマロイから形成される請求項２２記載
の薄膜導体コイル組立体製造方法。 - 【請求項３５】 前記ニッケル−鉄層は約８０％のニッ
ケル及び約２０％の鉄を含んでいる請求項３４記載の薄
膜導体コイル組立体製造方法。 - 【請求項３６】 前記薄膜磁気コア層の形成段階が、 前記第１金属コイル層及び前記セラミック基板上にクロ
ム銅のシード層をスパッタ蒸着する段階と、 前記シード層上にニッケル−鉄（ＮｉＦｅ）パーマロイ
層を電気めっきする段階を含む請求項２２記載の薄膜導
体コイル組立体製造方法。 - 【請求項３７】 前記第１薄膜コイル層上と、前記セラ
ミック基板の実質的に平らな表面上に第１絶縁層を形成
する段階と、 前記薄膜磁気コア層上に第２絶縁層を形成する段階とを
さらに含む請求項２２記載の薄膜導体コイル組立体製造
方法。 - 【請求項３８】 前記第１及び第２絶縁層を形成する段
階が、 光硬化性樹脂層を蒸着する段階と、 電子ビーム硬化法によって前記光硬化性樹脂を硬化する
段階を含む請求項３７記載の薄膜導体コイル組立体製造
方法。 - 【請求項３９】 薄膜導体コイル組立体を製造する方法
であって、 非導電セラミック基板内に第１導電バイヤと第２導電バ
イヤを形成する段階と、 前記セラミック基板の表面上にある第１磁気コイル層
と、第２磁気コイル層とを有する磁気コイルであって、
前記磁気コイル層の各々が前記第１導電バイヤ及び第２
導電バイヤの一つに接続されたリードラインと、相互に
絶縁された複数のコイルラインとを有しており、一つの
コイルラインは前記リードラインと他の磁気コイル層の
一つのコイルラインに接続されており、他のコイルライ
ンは他の磁気コイル層の二つのコイルラインに接続され
ていて、前記第１及び第２コイル層は前記第１導電バイ
ヤから第２導電バイヤへの連続路を形成している磁気コ
イルを電気めっき及び湿式エッチングする段階と、 前記第１及び第２磁気コイル層の間に、前記第１及び第
２磁気コイル層のコイルラインに広がり、これらとほぼ
直交する磁気コイル層を電気めっき及び湿式エッチング
する段階と、 前記第１磁気コイル層と前記磁気コア層との間及び前記
磁気コア層と前記第２磁気コイル層との間に絶縁層を形
成する段階とを有している薄膜導体コイル組立体製造方
法。 - 【請求項４０】 薄膜導体コイル組立体を製造する方法
であって、 非導電セラミック基板内に第１導電金属バイヤ及び第２
導電金属バイヤを形成する段階と、 前記セラミック基板の実質的に平らな表面上に第１磁気
コイル層を電気めっきする段階と、 前記第１磁気コイル層に湿式エッチングを施し、複数
の、実質的に平行なコイルラインと、複数のコイルライ
ンの一つを前記第１導電金属バイヤに接続するリードラ
インとを形成する段階と、 前記平行なコイルラインの端部を露出させつつ前記第１
磁気コイル層上に第１絶縁層を形成する段階と、 前記第１絶縁層上に磁気コア層を電気めっきする段階
と、 前記磁気コア層に湿式エッチングを施し、前記平行なコ
イルラインに広がり、かつこれと実質的に直交する磁気
コアを形成する段階と、 前記磁気コア上に第２絶縁層を形成し、かつ前記平行な
コイルラインの端部を露出する段階と、 前記第２絶縁層上に第２磁気コイル層を電気めっきする
段階と、 前記第２磁気コイル層に湿式エッチングを施し、複数の
実質的に平行なコイルラインと、該複数のコイルライン
の一つを前記第２導電金属バイヤに接続するリードライ
ンとを形成し、前記第２磁気コイル層のコイルライン
が、対応する第１磁気コイル層のコイルラインの第１端
部上に位置し、かつこれに接続され、前記第２磁気コイ
ル層のコイルラインが第１磁気コイル層のコイルライン
からわずかにずれて位置し、前記第２磁気コイル層のコ
イルラインが、対応する第１磁気コイル層のコイルライ
ンに隣接するコイルラインの第２端部上に位置し、かつ
これに接続されるようにする段階とを有する薄膜導体コ
イル組立体製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US390470 | 1995-02-17 | ||
| US08/390,470 US5621594A (en) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | Electroplated thin film conductor coil assembly |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0916908A true JPH0916908A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=23542588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8030822A Pending JPH0916908A (ja) | 1995-02-17 | 1996-02-19 | 薄膜磁気コアコイル組立体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5621594A (ja) |
| EP (1) | EP0727771B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0916908A (ja) |
| DE (1) | DE69627562T2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5754377A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-19 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an elevated gap structure |
| US6275354B1 (en) * | 1998-01-21 | 2001-08-14 | Read-Rite Corporation | Magnetic head with a toroidal coil encompassing only one yoke layer |
| US8524277B2 (en) | 1998-03-06 | 2013-09-03 | Alza Corporation | Extended release dosage form |
| US6245357B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-06-12 | Alza Corporation | Extended release dosage form |
| US6298544B1 (en) * | 1999-03-24 | 2001-10-09 | Inpaq Technology Co., Ltd. | Method of fabricating a high frequency thin film coil element |
| FR2793943B1 (fr) | 1999-05-18 | 2001-07-13 | Memscap | Micro-composants du type micro-inductance ou micro- transformateur, et procede de fabrication de tels micro- composants |
| JP3822009B2 (ja) * | 1999-11-17 | 2006-09-13 | 株式会社東芝 | 自動設計方法、露光用マスクセット、半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、および自動設計プログラムを記録した記録媒体 |
| US6819527B1 (en) * | 2000-03-23 | 2004-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies, Inc. | Magnetic head with lower coil traces connected to integrally formed vertical interconnects and upper coil traces through plural insulating layer arrangement |
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