JP2000149220A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び、金属薄膜パターンの形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び、金属薄膜パターンの形成方法Info
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- JP2000149220A JP2000149220A JP10313018A JP31301898A JP2000149220A JP 2000149220 A JP2000149220 A JP 2000149220A JP 10313018 A JP10313018 A JP 10313018A JP 31301898 A JP31301898 A JP 31301898A JP 2000149220 A JP2000149220 A JP 2000149220A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドの磁極層やコイル層の成膜を
鍍金法により行う場合の鍍金不良の発生を低減する。 【解決手段】 鍍金下地膜２０上に真空薄膜形成技術に
より無機絶縁層２１を成膜し、該絶縁層２１上にフォト
レジストによるパターン形成を行う。そして、レジスト
層２３をマスクに無機絶縁層２１の露出部位を除去して
鍍金下地膜２０を露出させ、該露出部分上に、鍍金法に
よって金属薄膜パターンを成膜する。その後、レジスト
層２３及び絶縁層２１を除去する。
鍍金法により行う場合の鍍金不良の発生を低減する。 【解決手段】 鍍金下地膜２０上に真空薄膜形成技術に
より無機絶縁層２１を成膜し、該絶縁層２１上にフォト
レジストによるパターン形成を行う。そして、レジスト
層２３をマスクに無機絶縁層２１の露出部位を除去して
鍍金下地膜２０を露出させ、該露出部分上に、鍍金法に
よって金属薄膜パターンを成膜する。その後、レジスト
層２３及び絶縁層２１を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
製造方法に関する。また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを
構成する上下磁極層や、導体コイル層等を成膜するのに
有用な、電気鍍金法により金属薄膜パターンを形成する
方法に関する。
製造方法に関する。また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを
構成する上下磁極層や、導体コイル層等を成膜するのに
有用な、電気鍍金法により金属薄膜パターンを形成する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、特開平７−１１４７０８号公報
には、薄膜磁気ヘッドの上下磁極層の形成方法として、
基板上に、Ｔｉ膜並びにＮｉＦｅ膜からなる鍍金下地膜
を形成し、該下地膜の上にフォトレジストを塗布し、該
レジストをフォトリソグラフィー技術によって所定形状
にパターニングしてマスク（レジスト層１７）を形成
し、該マスクで被覆されずに露出された鍍金下地膜上に
電気鍍金法により磁極層を成膜する方法が開示されてい
る。かかる電気鍍金法による薄膜形成は、比較的厚い層
である上下磁極層若しくは導体コイル層の成膜を、簡単
な装置で、所望の成膜速度で行うことができる点で現在
も有用に用いられている。
には、薄膜磁気ヘッドの上下磁極層の形成方法として、
基板上に、Ｔｉ膜並びにＮｉＦｅ膜からなる鍍金下地膜
を形成し、該下地膜の上にフォトレジストを塗布し、該
レジストをフォトリソグラフィー技術によって所定形状
にパターニングしてマスク（レジスト層１７）を形成
し、該マスクで被覆されずに露出された鍍金下地膜上に
電気鍍金法により磁極層を成膜する方法が開示されてい
る。かかる電気鍍金法による薄膜形成は、比較的厚い層
である上下磁極層若しくは導体コイル層の成膜を、簡単
な装置で、所望の成膜速度で行うことができる点で現在
も有用に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術では、
鍍金下地膜上に、フォトレジストを直接塗布している
が、かかるフォトレジストは鍍金下地膜との密着性が悪
く、フォトレジスト下にもめっき膜が成長することがあ
り、めっき不良が生ずる原因となっていた。かかるめっ
き不良の発生は、近年のハードディスク装置の記録密度
の向上に伴う薄膜磁気ヘッドの特性向上、ひいては一層
の微細加工の必要性により、無視できないものとなって
いる。一方で、成膜する金属薄膜を所望の厚さとするた
めには、フォトレジストによるマスク形成が有利であ
り、マスクとして、ＳｉＯ2 などの無機絶縁物をスパッ
タリングにより成膜したもののみを用いると、その成膜
に時間を要し、歩留まりが悪い。
鍍金下地膜上に、フォトレジストを直接塗布している
が、かかるフォトレジストは鍍金下地膜との密着性が悪
く、フォトレジスト下にもめっき膜が成長することがあ
り、めっき不良が生ずる原因となっていた。かかるめっ
き不良の発生は、近年のハードディスク装置の記録密度
の向上に伴う薄膜磁気ヘッドの特性向上、ひいては一層
の微細加工の必要性により、無視できないものとなって
いる。一方で、成膜する金属薄膜を所望の厚さとするた
めには、フォトレジストによるマスク形成が有利であ
り、マスクとして、ＳｉＯ2 などの無機絶縁物をスパッ
タリングにより成膜したもののみを用いると、その成膜
に時間を要し、歩留まりが悪い。
【０００４】そこで、本発明は、フォトレジストでマス
クした部分にめっき膜が成長してしまうことを確実に防
止して、薄膜磁気ヘッドの特性を向上しうる電気めっき
法による金属薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
クした部分にめっき膜が成長してしまうことを確実に防
止して、薄膜磁気ヘッドの特性を向上しうる電気めっき
法による金属薄膜形成方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、次の技術的手段を講じた。即ち、本発明
は、基板上に、下部磁極層を成膜する工程と、磁気ギャ
ップ層を成膜する工程と、導体コイル層を成膜する工程
と、上部磁極層を成膜する工程とを含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、下部磁極層、導体コイル層及び上
部磁極層のいずれかの金属薄膜パターン、もしくは全て
の金属薄膜パターンを、以下の金属薄膜パターン形成方
法によって成膜することを特徴とするものである。
決するために、次の技術的手段を講じた。即ち、本発明
は、基板上に、下部磁極層を成膜する工程と、磁気ギャ
ップ層を成膜する工程と、導体コイル層を成膜する工程
と、上部磁極層を成膜する工程とを含む薄膜磁気ヘッド
の製造方法において、下部磁極層、導体コイル層及び上
部磁極層のいずれかの金属薄膜パターン、もしくは全て
の金属薄膜パターンを、以下の金属薄膜パターン形成方
法によって成膜することを特徴とするものである。
【０００６】かかる本発明の電気鍍金法による金属薄膜
パターンの形成方法は、基板上に鍍金下地膜を形成し、
該下地膜上に真空薄膜形成技術を用いて無機絶縁膜を成
膜し、該絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、該レジス
トをパターニングしてなるマスクで被覆されずに露出さ
れた無機絶縁膜の部位をエッチングにより選択的に除去
して鍍金下地膜の所定部位を露出させ、この鍍金下地膜
の露出部分上に、上部磁極層、下部磁極層又は導体コイ
ル層となる金属薄膜を電気鍍金法により成膜した後、前
記レジスト及び無機絶縁膜を除去することにより行われ
る。なお、無機絶縁膜を全て除去した後に、金属薄膜パ
ターンの間で露出する鍍金下地膜の部位を、ドライエッ
チングやウェットエッチング等の適宜の手段によって除
去することができる。
パターンの形成方法は、基板上に鍍金下地膜を形成し、
該下地膜上に真空薄膜形成技術を用いて無機絶縁膜を成
膜し、該絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、該レジス
トをパターニングしてなるマスクで被覆されずに露出さ
れた無機絶縁膜の部位をエッチングにより選択的に除去
して鍍金下地膜の所定部位を露出させ、この鍍金下地膜
の露出部分上に、上部磁極層、下部磁極層又は導体コイ
ル層となる金属薄膜を電気鍍金法により成膜した後、前
記レジスト及び無機絶縁膜を除去することにより行われ
る。なお、無機絶縁膜を全て除去した後に、金属薄膜パ
ターンの間で露出する鍍金下地膜の部位を、ドライエッ
チングやウェットエッチング等の適宜の手段によって除
去することができる。
【０００７】かかる本発明によれば、真空薄膜形成技術
によって形成される無機絶縁膜は、鍍金下地膜との密着
性に優れるため、かかる無機絶縁膜によりマスクされた
部分にはめっき膜が成長せず、めっき不良が生ずること
を防止し得る。また、レジスト膜からなるマスクによっ
て、所望のマスク高さを容易に確保し得るので、薄膜磁
気ヘッドの上下磁極層若しくは導体コイル層の成膜に極
めて有用である。さらに、上記無機絶縁膜のパターニン
グは、レジスト膜をマスクとするエッチング（好ましく
は、反応性イオンエッチングなど）による選択的除去に
より行うので、レジスト膜のパターンに影響を与えるこ
となく、無機絶縁膜のパターニングが行える。
によって形成される無機絶縁膜は、鍍金下地膜との密着
性に優れるため、かかる無機絶縁膜によりマスクされた
部分にはめっき膜が成長せず、めっき不良が生ずること
を防止し得る。また、レジスト膜からなるマスクによっ
て、所望のマスク高さを容易に確保し得るので、薄膜磁
気ヘッドの上下磁極層若しくは導体コイル層の成膜に極
めて有用である。さらに、上記無機絶縁膜のパターニン
グは、レジスト膜をマスクとするエッチング（好ましく
は、反応性イオンエッチングなど）による選択的除去に
より行うので、レジスト膜のパターンに影響を与えるこ
となく、無機絶縁膜のパターニングが行える。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【０００９】図１〜図１０は、図１１に示すＭＲ−イン
ダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド１の導体コイル層１２
の成膜工程の一実施例を示している。この薄膜磁気ヘッ
ド１は、図１１に示すように、アルミナなどの非磁性材
料からなるアンダーコート２を表面に積層形成したアル
チック基板（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板）３上に、再生用
の磁気抵抗効果ヘッド４（ＭＲヘッド）と、記録用の電
磁誘導型ヘッド５（インダクティブヘッド）とを順次積
層形成してなるものである。
ダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド１の導体コイル層１２
の成膜工程の一実施例を示している。この薄膜磁気ヘッ
ド１は、図１１に示すように、アルミナなどの非磁性材
料からなるアンダーコート２を表面に積層形成したアル
チック基板（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板）３上に、再生用
の磁気抵抗効果ヘッド４（ＭＲヘッド）と、記録用の電
磁誘導型ヘッド５（インダクティブヘッド）とを順次積
層形成してなるものである。
【００１０】上記ＭＲヘッド４は、基板（スライダ）３
上に、軟磁性体からなる下部磁気シールド層６、非磁性
材料からなる下部半ギャップ層７、外部磁界強度に応じ
て電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子膜８（ＭＲ素
子）、該膜８の両端に接続される導電性の電極層（図示
せず）、非磁性材料からなる上部半ギャップ層９、軟磁
性体からなる上部磁気シールド層１０を順次積層するこ
とにより構成されている。
上に、軟磁性体からなる下部磁気シールド層６、非磁性
材料からなる下部半ギャップ層７、外部磁界強度に応じ
て電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子膜８（ＭＲ素
子）、該膜８の両端に接続される導電性の電極層（図示
せず）、非磁性材料からなる上部半ギャップ層９、軟磁
性体からなる上部磁気シールド層１０を順次積層するこ
とにより構成されている。
【００１１】各層の構成材料としては、例えば、磁気シ
ールド層６，１０にはパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）、Ｆ
ｅＡｌ合金若しくはＣｏ系非晶質合金を、磁気ギャップ
７，９には酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）若しくは酸化窒素
アルミニウム（ＡｌＮＯ）を用いることができる。
ールド層６，１０にはパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）、Ｆ
ｅＡｌ合金若しくはＣｏ系非晶質合金を、磁気ギャップ
７，９には酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）若しくは酸化窒素
アルミニウム（ＡｌＮＯ）を用いることができる。
【００１２】また、ＭＲ素子８としては、従来公知のＡ
ＭＲ素子や、スピンバルブ素子やグラニュラー素子など
のＧＭＲ素子を用いることができる。
ＭＲ素子や、スピンバルブ素子やグラニュラー素子など
のＧＭＲ素子を用いることができる。
【００１３】上記インダクティブヘッド５は、軟磁性体
からなる下部磁極層１０、非磁性材料からなる磁気ギャ
ップ層１１、導電性材料からなる誘導コイル層１２、該
コイル層１２を覆う非磁性材料からなる絶縁層１３、軟
磁性材料からなる上部磁極層１４を順次積層形成するこ
とにより構成されている。なお、該ヘッド５の下部磁極
層１０は、ＭＲヘッド４の上部磁気シールド層と共通の
軟磁性層により構成されており、かかる層１２の共通化
によりヘッド全体の膜厚の薄肉化を図っている。
からなる下部磁極層１０、非磁性材料からなる磁気ギャ
ップ層１１、導電性材料からなる誘導コイル層１２、該
コイル層１２を覆う非磁性材料からなる絶縁層１３、軟
磁性材料からなる上部磁極層１４を順次積層形成するこ
とにより構成されている。なお、該ヘッド５の下部磁極
層１０は、ＭＲヘッド４の上部磁気シールド層と共通の
軟磁性層により構成されており、かかる層１２の共通化
によりヘッド全体の膜厚の薄肉化を図っている。
【００１４】上記各層の構成材料としては、例えば、磁
極層１０，１４にはパーマロイ、ＦｅＡｌ合金、Ｃｏ系
非晶質合金を、磁気ギャップ層１１や絶縁層１３にはア
ルミナ、酸化ケイ素、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）又
はベリリウム−銅合金（ＢｅＣｕ）を、コイル層１２に
は銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）を用いることができる。
極層１０，１４にはパーマロイ、ＦｅＡｌ合金、Ｃｏ系
非晶質合金を、磁気ギャップ層１１や絶縁層１３にはア
ルミナ、酸化ケイ素、五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）又
はベリリウム−銅合金（ＢｅＣｕ）を、コイル層１２に
は銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）を用いることができる。
【００１５】上記薄膜磁気ヘッド３は、非磁性材料から
なる保護層１５で覆われており、ＭＲ素子８の両端、並
びに、誘導コイル１２の両端にそれぞれ電気的に接続さ
れる端子（図示せず）が保護層１５の表面に露呈されて
いる。
なる保護層１５で覆われており、ＭＲ素子８の両端、並
びに、誘導コイル１２の両端にそれぞれ電気的に接続さ
れる端子（図示せず）が保護層１５の表面に露呈されて
いる。
【００１６】本発明の金属薄膜パターンの形成方法は、
上下部シールド層６，１０、上下磁極層１０，１４若し
くはコイル層１２などの金属薄膜パターンの成膜に用い
ることができる。以下、本発明によるコイル層１２の成
膜工程の一実施例を、図１〜図１０に基づいて説明す
る。
上下部シールド層６，１０、上下磁極層１０，１４若し
くはコイル層１２などの金属薄膜パターンの成膜に用い
ることができる。以下、本発明によるコイル層１２の成
膜工程の一実施例を、図１〜図１０に基づいて説明す
る。
【００１７】まず、図１に示すようにギャップ層１１ま
で積層形成された基板３上に、適宜の手段により鍍金下
地膜２０を成膜する（図２参照）。該導体下地膜２０
は、Ｃｕ薄膜により構成される。ここで、該下地導体膜
２０とその下層との密着性向上のため、Ｃｕ薄膜の下に
Ｔｉ、Ｃｒ等を成膜した２層構造とすることも有効であ
る。また、成膜方法としては、スパッタリングを用いる
ことが望ましい。
で積層形成された基板３上に、適宜の手段により鍍金下
地膜２０を成膜する（図２参照）。該導体下地膜２０
は、Ｃｕ薄膜により構成される。ここで、該下地導体膜
２０とその下層との密着性向上のため、Ｃｕ薄膜の下に
Ｔｉ、Ｃｒ等を成膜した２層構造とすることも有効であ
る。また、成膜方法としては、スパッタリングを用いる
ことが望ましい。
【００１８】次に、下地膜２０上に、無機絶縁層である
ＳｉＯ2 膜２１を成膜する（図３参照）。かかる成膜
は、スパッタリング、イオンビームデポジション、ＣＶ
Ｄ等の真空薄膜形成技術を用いて行うことにより、下地
膜２０との密着性に優れたものとすることができる。
ＳｉＯ2 膜２１を成膜する（図３参照）。かかる成膜
は、スパッタリング、イオンビームデポジション、ＣＶ
Ｄ等の真空薄膜形成技術を用いて行うことにより、下地
膜２０との密着性に優れたものとすることができる。
【００１９】次に、ＳｉＯ2 膜２１上に、スピンコート
法等の適宜の手段によってフォトレジスト２２を塗布し
（図４参照）、熱硬化処理を行って、フォトリソグラフ
ィー技術によって所定形状にパターニングし、所定パタ
ーンのマスク層２３（レジスト層）を形成する（図５参
照）。
法等の適宜の手段によってフォトレジスト２２を塗布し
（図４参照）、熱硬化処理を行って、フォトリソグラフ
ィー技術によって所定形状にパターニングし、所定パタ
ーンのマスク層２３（レジスト層）を形成する（図５参
照）。
【００２０】次に、上記マスク層２３をマスクとして、
反応性イオンエッチング等のドライエッチングにより、
マスク２３により被覆されずに露出されたＳｉＯ2 膜２
１の部位をマスク層２３及び鍍金下地膜２０に対して選
択的に除去し、鍍金下地膜２０の所定部位を露出させる
（図６）。
反応性イオンエッチング等のドライエッチングにより、
マスク２３により被覆されずに露出されたＳｉＯ2 膜２
１の部位をマスク層２３及び鍍金下地膜２０に対して選
択的に除去し、鍍金下地膜２０の所定部位を露出させる
（図６）。
【００２１】次に、めっき浴中で、鍍金下地膜２０の露
出部位上にＣｕ薄膜からなるコイル層１２を電気鍍金法
により形成する（図７参照）。その後、全てのフォトレ
ジスト２２を溶解除去するとともに（図８参照）、フォ
トレジスト下に存在していたＳｉＯ2 膜２１を反応性イ
オンエッチングにより選択的に除去する（図９参照）。
出部位上にＣｕ薄膜からなるコイル層１２を電気鍍金法
により形成する（図７参照）。その後、全てのフォトレ
ジスト２２を溶解除去するとともに（図８参照）、フォ
トレジスト下に存在していたＳｉＯ2 膜２１を反応性イ
オンエッチングにより選択的に除去する（図９参照）。
【００２２】さらに、コイル層１２パターンの間に露呈
する鍍金下地膜２０の部位を、ドライエッチングやウェ
ットエッチング等の適宜の手段によって除去することに
より、コイル層１２の成膜工程が終了する（図１０参
照）。なお、ドライエッチングとしては、イオンミリン
グによりエッチングを行うことができる。一方、ウェッ
トエッチングは、例えばＣｕ膜の場合は、過硫酸アンモ
ニウムとアンモニア水の混合液により行うことができ
る。
する鍍金下地膜２０の部位を、ドライエッチングやウェ
ットエッチング等の適宜の手段によって除去することに
より、コイル層１２の成膜工程が終了する（図１０参
照）。なお、ドライエッチングとしては、イオンミリン
グによりエッチングを行うことができる。一方、ウェッ
トエッチングは、例えばＣｕ膜の場合は、過硫酸アンモ
ニウムとアンモニア水の混合液により行うことができ
る。
【００２３】なお、上記無機絶縁膜２１としては、フォ
トレジスト２２及び鍍金下地膜２０に対して選択的にエ
ッチング可能な材料であって、かつ電気的絶縁体であれ
ば、ＳｉＯ2 に限定されずに他の材料を用いることは勿
論可能である。
トレジスト２２及び鍍金下地膜２０に対して選択的にエ
ッチング可能な材料であって、かつ電気的絶縁体であれ
ば、ＳｉＯ2 に限定されずに他の材料を用いることは勿
論可能である。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタリングやイオ
ンプレーティングなどの真空薄膜形成技術を用いて成膜
された無機絶縁膜と、該絶縁膜上に塗布されたレジスト
膜の２層マスクを用いて電気鍍金するものであるから、
マスク下にめっき膜が成長してめっき不良が生ずること
を確実に防止しつつも、所望のマスク高さを確保するこ
とができ、薄膜磁気ヘッドの上下磁極層や導体コイル層
の成膜の精密性を向上してヘッド特性の向上を図りつつ
も、歩留まりの悪化を防止できる。
ンプレーティングなどの真空薄膜形成技術を用いて成膜
された無機絶縁膜と、該絶縁膜上に塗布されたレジスト
膜の２層マスクを用いて電気鍍金するものであるから、
マスク下にめっき膜が成長してめっき不良が生ずること
を確実に防止しつつも、所望のマスク高さを確保するこ
とができ、薄膜磁気ヘッドの上下磁極層や導体コイル層
の成膜の精密性を向上してヘッド特性の向上を図りつつ
も、歩留まりの悪化を防止できる。
【図１】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターンの
形成工程図である。
形成工程図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る金属薄膜パターン
の形成工程図である。
の形成工程図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
全体概略縦断面図である。
全体概略縦断面図である。
１ 薄膜磁気ヘッド ３ 基板 １２ コイル層（金属薄膜パターン） ２０ 鍍金下地膜 ２１ 無機絶縁層 ２２ フォトレジスト ２３ レジスト層（マスク）
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、下部磁極層を成膜する工程
と、磁気ギャップ層を成膜する工程と、導体コイル層を
成膜する工程と、上部磁極層を成膜する工程とを含む薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、 下部磁極層、導体コイル層及び上部磁極層のうち少なく
とも一つの金属薄膜パターンの成膜は、鍍金下地膜を形
成し、該下地膜上に真空薄膜形成技術を用いて無機絶縁
膜を形成し、該絶縁膜上にフォトレジストを塗布してフ
ォトリソグラフィー技術によりパターニングし、このパ
ターニングされたレジスト層で被覆されずに露出された
無機絶縁膜の部位をエッチングにより選択的に除去して
鍍金下地膜の所定部位を露出させ、この鍍金下地膜の露
出部分上に、成膜対象である金属薄膜パターンを電気鍍
金法により形成した後、前記レジスト及び無機絶縁膜を
除去することにより行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に鍍金下地膜を形成し、該下地膜
上に真空薄膜形成技術を用いて無機絶縁膜を成膜し、該
絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、該レジストをパタ
ーニングしてなるマスクで被覆されずに露出された無機
絶縁膜の部位をエッチングにより選択的に除去して鍍金
下地膜の所定部位を露出させ、この鍍金下地膜の露出部
分上に金属薄膜を電気鍍金法により成膜した後、前記レ
ジスト及び無機絶縁膜を除去することを特徴とする金属
薄膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313018A JP2000149220A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び、金属薄膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10313018A JP2000149220A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び、金属薄膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149220A true JP2000149220A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18036243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10313018A Withdrawn JP2000149220A (ja) | 1998-11-04 | 1998-11-04 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び、金属薄膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149220A (ja) |
-
1998
- 1998-11-04 JP JP10313018A patent/JP2000149220A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |