JPS60136906A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60136906A JPS60136906A JP24387283A JP24387283A JPS60136906A JP S60136906 A JPS60136906 A JP S60136906A JP 24387283 A JP24387283 A JP 24387283A JP 24387283 A JP24387283 A JP 24387283A JP S60136906 A JPS60136906 A JP S60136906A
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- Japan
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- film
- conductor coil
- magnetic head
- electroplating
- forming
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特にその導
体コイルの形成工程を改良した薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
体コイルの形成工程を改良した薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
薄膜磁気ヘッドの導体コイル膜は、線幅５〜１０μ曹、
線間隔２〜６μｍの微細パターンが必要である。導体コ
イル膜の形成方法としては、金属膜を蒸着、スパッタリ
ング法で堆積しフォトエツチング技術でパターンニング
する方法と、蒸着、スパッタリング法で０．０５〜０．
３μ閣程度の薄い下地膜を形成した後、エレクトロフォ
ーミング法で形成する方法とが知られている。
線間隔２〜６μｍの微細パターンが必要である。導体コ
イル膜の形成方法としては、金属膜を蒸着、スパッタリ
ング法で堆積しフォトエツチング技術でパターンニング
する方法と、蒸着、スパッタリング法で０．０５〜０．
３μ閣程度の薄い下地膜を形成した後、エレクトロフォ
ーミング法で形成する方法とが知られている。
最近のヘッド出力特性の向上に対する要求に応えるため
には導体コイルパターンの巻数の増加が必要であり、そ
のために、上記導体コイル形成方法のうち、微細加工が
容易な後者のエレクトロフォーミング法が多く用いられ
るに至っている。また、導体コイル膜の材料としては、
電気抵抗の小さい金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはアル
ミニウム（Ａｌ）等が主に用いられている。
には導体コイルパターンの巻数の増加が必要であり、そ
のために、上記導体コイル形成方法のうち、微細加工が
容易な後者のエレクトロフォーミング法が多く用いられ
るに至っている。また、導体コイル膜の材料としては、
電気抵抗の小さい金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）あるいはアル
ミニウム（Ａｌ）等が主に用いられている。
以下、従来の導体コイルのエレクトロフォーミング法に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
まず、電気めっきを行うための通電用下地膜１を蒸着、
スパッタリング法で０．０５〜０．３μｌ程度堆積する
。次に、フォトレジスト膜を塗布、露光。
スパッタリング法で０．０５〜０．３μｌ程度堆積する
。次に、フォトレジスト膜を塗布、露光。
現像して第１図（Ａ）に示す如く、導体コイルパターン
部分のレジスト膜を除去し、電気めっき用のレジストマ
スク２を形成する。
部分のレジスト膜を除去し、電気めっき用のレジストマ
スク２を形成する。
この状態で導体コイル膜としてのＡｕまたはＣｕ３を電
気めっき（第１図（Ｂ）参照）した後、上記レジストマ
スク２およびその下にある不要な通電用下地膜１をスパ
ッタエツチングあるいはイオンミリング法で除去するこ
とにより、導体コイルパターンを形成する。
気めっき（第１図（Ｂ）参照）した後、上記レジストマ
スク２およびその下にある不要な通電用下地膜１をスパ
ッタエツチングあるいはイオンミリング法で除去するこ
とにより、導体コイルパターンを形成する。
上記通電用下地膜１としては、めっき液に対する耐薬品
性が優れ、レジスト膜の密着性が良く、かつ、除去の容
易な材料を用いることが必要であり、一般には、導体コ
イル膜と同じＡｕまたはＣｕ膜が用いられている。
性が優れ、レジスト膜の密着性が良く、かつ、除去の容
易な材料を用いることが必要であり、一般には、導体コ
イル膜と同じＡｕまたはＣｕ膜が用いられている。
しかしながら、通電用下地膜Ｉとして上述の如く、Ａｕ
またはＣｕを用いることには次のような問題がある。す
なわち、通電用下地膜１としてＣｕ膜を用いることは、
めっき液に対する耐薬品性が劣るため、めっき液がレジ
スト膜２と通電用下地膜１との間に浸入し、第１図（Ｃ
）、ＣＤ）に示す如く、導体コイル３が剥離するという
問題がある。
またはＣｕを用いることには次のような問題がある。す
なわち、通電用下地膜１としてＣｕ膜を用いることは、
めっき液に対する耐薬品性が劣るため、めっき液がレジ
スト膜２と通電用下地膜１との間に浸入し、第１図（Ｃ
）、ＣＤ）に示す如く、導体コイル３が剥離するという
問題がある。
また、通電用下地膜１としてＡｕ膜を用いることは、明
らかに、下地膜が高価になるという問題がある。
らかに、下地膜が高価になるという問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、従来のエレクトロフォーミング法による
導体コイルの形成方法における上述の如き問題を解消し
、安価であるとともに、導体コイルの密着性に優れ、が
っ、微細パターンを形成可能とする薄膜磁気ヘッドの製
造、方法を提供することにある。
するところは、従来のエレクトロフォーミング法による
導体コイルの形成方法における上述の如き問題を解消し
、安価であるとともに、導体コイルの密着性に優れ、が
っ、微細パターンを形成可能とする薄膜磁気ヘッドの製
造、方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、基板上に下地膜、下部磁性膜、導
体コイル、層間絶縁膜、上部磁性膜等を順次形成する薄
膜磁気ヘッドの製造方法において、前記導体コイルを形
成する際に電気めフき用下地膜として、上記導体コイル
電気めっき液により侵蝕されない、ニッケル、鉄または
その合金から成る金属膜を用いることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法によって達成される。
体コイル、層間絶縁膜、上部磁性膜等を順次形成する薄
膜磁気ヘッドの製造方法において、前記導体コイルを形
成する際に電気めフき用下地膜として、上記導体コイル
電気めっき液により侵蝕されない、ニッケル、鉄または
その合金から成る金属膜を用いることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法によって達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第２図は、本発明の一実施例である製造方法によって形
成した薄膜磁気ヘッドの断面図であり、（Ａ）は素子部
の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横断面図である。図にお
いて、３は前述の導体コイル。
成した薄膜磁気ヘッドの断面図であり、（Ａ）は素子部
の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横断面図である。図にお
いて、３は前述の導体コイル。
５はセラミック基板、６は無機絶縁膜から成る下地膜、
７は下部磁性膜、８はギャップスペーサ。
７は下部磁性膜、８はギャップスペーサ。
９．１０は第１．第２の絶縁膜、１１は上部磁性膜、１
２は接合部を示している。また、１３は素子部からの電
極引出し用導体パターン、 １４は電極下地膜、１５は
保護膜、１６は電極膜を示している。
２は接合部を示している。また、１３は素子部からの電
極引出し用導体パターン、 １４は電極下地膜、１５は
保護膜、１６は電極膜を示している。
また、第３図（Ａ）〜（Ｄ）は上記薄膜磁気ヘッドの製
造プロセスの要部である。導体コイルのエレクトロフォ
ーミング法による形成過程を示すものである。
造プロセスの要部である。導体コイルのエレクトロフォ
ーミング法による形成過程を示すものである。
薄膜ヘッド素子の製造においては、まず、セラミック基
板５の全面に無機絶縁膜をスパッタリング法で堆積し平
担な下地膜６を形成する０次に。
板５の全面に無機絶縁膜をスパッタリング法で堆積し平
担な下地膜６を形成する０次に。
膜厚的２μ■のパーマロイをスパッタリング法または電
気めっき法で堆積し、フォトエツチング技術でパターン
を形成して下部磁性膜７とする。
気めっき法で堆積し、フォトエツチング技術でパターン
を形成して下部磁性膜７とする。
次に、膜厚約１μ鱈の無機絶縁膜をスパッタリング法で
堆積しフォトエツチング技術でパターンを形成してギャ
ップスペーサ８とする。この上に有機絶縁膜をパターン
形成し第１絶縁膜９とする。
堆積しフォトエツチング技術でパターンを形成してギャ
ップスペーサ８とする。この上に有機絶縁膜をパターン
形成し第１絶縁膜９とする。
更に、該第１絶縁膜上に、エレクトロフォーミング法を
用いて線幅５〜１０μ−１線間隔２〜６μ■の導体コイ
ル３を形成する。この工程の詳細については後述する。
用いて線幅５〜１０μ−１線間隔２〜６μ■の導体コイ
ル３を形成する。この工程の詳細については後述する。
次に、上記第１＃１＃膜９と同様にして第２絶縁膜１０
を形成する。その後、前記下部磁性膜７と同様にして、
パーマロイから成る上部磁性膜１１を形成する。この際
、導体コイル３との接合部１２を設け、ヘッド素子から
の電極引出し用導体１３のパターンをもパーマロイ膜で
同時に形成する。
を形成する。その後、前記下部磁性膜７と同様にして、
パーマロイから成る上部磁性膜１１を形成する。この際
、導体コイル３との接合部１２を設け、ヘッド素子から
の電極引出し用導体１３のパターンをもパーマロイ膜で
同時に形成する。
次に、電極部に電極下地膜１４を形成した後、前記下地
膜６と同様にして無機絶縁膜がら成る保護膜！５を形成
し、その表面を平担に機械加工した後電極膜１６を形成
して薄膜磁気ヘッド素子を得る。
膜６と同様にして無機絶縁膜がら成る保護膜！５を形成
し、その表面を平担に機械加工した後電極膜１６を形成
して薄膜磁気ヘッド素子を得る。
以下、前記導体コイル３の形成工程の詳細を説明する。
導体コイル３の形成に際しては、第３図（Ａ）に示す如
く、まず、電気めっきのための通電用下地膜１Ａとして
、パーマロイを蒸着法あるいはスパッタリング法により
０．０５〜０．３μ腸程度堆積する。
く、まず、電気めっきのための通電用下地膜１Ａとして
、パーマロイを蒸着法あるいはスパッタリング法により
０．０５〜０．３μ腸程度堆積する。
本実施例においてパーマロイを用いたのは、この材料が
前記めっき液に対する耐薬品性の優れたものであること
はもちろんであるが、その他に、パーマロイは他の膜形
成にも多数用いられており。
前記めっき液に対する耐薬品性の優れたものであること
はもちろんであるが、その他に、パーマロイは他の膜形
成にも多数用いられており。
使用材料の種類を増やすことがないという利点があるか
らでもある。
らでもある。
なお、この通電用下地膜１Ａとしては、従来、一般的に
は、非磁性体が用いられていたが、上記パーマロイの如
き磁性体を用いた場合でも、その膜厚を薄くすることに
より、後に形成される導体コイル３の渦電流効果によっ
て磁気遮蔽し、上下層への磁気漏れを防止することがで
きるので、悪影響はないものである。
は、非磁性体が用いられていたが、上記パーマロイの如
き磁性体を用いた場合でも、その膜厚を薄くすることに
より、後に形成される導体コイル３の渦電流効果によっ
て磁気遮蔽し、上下層への磁気漏れを防止することがで
きるので、悪影響はないものである。
上記通電用下地膜１Ａを用いる導体コイル形成の後の工
程は、従来の工程と全く同じであるので、七の詳細な説
明は省略する。上述の如き工程を経ることにより、通電
用下地膜が導体コイル形成時にめっき液により侵蝕され
るという問題が解消され、従来のように導体コイルが剥
離することがなく、微細パターンが形成可能になるとい
う効果があるものである。
程は、従来の工程と全く同じであるので、七の詳細な説
明は省略する。上述の如き工程を経ることにより、通電
用下地膜が導体コイル形成時にめっき液により侵蝕され
るという問題が解消され、従来のように導体コイルが剥
離することがなく、微細パターンが形成可能になるとい
う効果があるものである。
上記実施例においては、エレクトロフォーミングによる
導体コイル形成に使用する通電用下地膜の材料としてパ
ーマロイを用いる例を示したが、Ｎｉ、Ｆｅあるいはこ
れらの合金を用いても良ごとを付言しておく。
導体コイル形成に使用する通電用下地膜の材料としてパ
ーマロイを用いる例を示したが、Ｎｉ、Ｆｅあるいはこ
れらの合金を用いても良ごとを付言しておく。
以上述べた如く、本発明によれば、基板上に下地膜、下
部磁性膜、導体コイル、眉間絶縁膜、上部磁性膜等を順
次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記導
体コイルを形成する際に電気めっき用下地膜として、上
記導体コイル電気めっき液により侵蝕されない、ニッケ
ル、鉄またはその合金から成る金属膜を用いるようしこ
シたので、安価で、導体コイルの密着性に優れ、微細パ
ターンが形成可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現で
きるという顕著な効果を奏するものである。また、上記
下地膜として、パーマロイを用すする場合には、使用材
料の種類を増すことがなし１とし１う利点を有するもの
である。
部磁性膜、導体コイル、眉間絶縁膜、上部磁性膜等を順
次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記導
体コイルを形成する際に電気めっき用下地膜として、上
記導体コイル電気めっき液により侵蝕されない、ニッケ
ル、鉄またはその合金から成る金属膜を用いるようしこ
シたので、安価で、導体コイルの密着性に優れ、微細パ
ターンが形成可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現で
きるという顕著な効果を奏するものである。また、上記
下地膜として、パーマロイを用すする場合には、使用材
料の種類を増すことがなし１とし１う利点を有するもの
である。
第１図は従来の導体コイル形成工程を示す断面図、第２
図は薄膜磁気ヘッド素子の断面図、第３図は本発明の一
実施例である方法に係る導体コイル形成工程を示す断面
図である。 １Ａ：通電用下地膜、２：フォトレジスト、３：導体コ
イル、５：セラミック基板、６：下地膜、７：下部磁性
膜、８：ギャップスペーサ、９．ｔｏ：絶縁膜、ｌｌ：
上部磁性膜、１３：電極引出し用導体パターン、１４：
電極下地膜、１５：保護膜、１６：電極膜。 代理人 弁理士高橋明夫 第 １ 図 第２図 １５ 第３図
図は薄膜磁気ヘッド素子の断面図、第３図は本発明の一
実施例である方法に係る導体コイル形成工程を示す断面
図である。 １Ａ：通電用下地膜、２：フォトレジスト、３：導体コ
イル、５：セラミック基板、６：下地膜、７：下部磁性
膜、８：ギャップスペーサ、９．ｔｏ：絶縁膜、ｌｌ：
上部磁性膜、１３：電極引出し用導体パターン、１４：
電極下地膜、１５：保護膜、１６：電極膜。 代理人 弁理士高橋明夫 第 １ 図 第２図 １５ 第３図
Claims (1)
- （１）基板上に下地膜、下部磁性膜、導体コイル。 層間絶縁膜、上部磁性膜等を順次形成する薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記導体コイルを形成する際番
；電気めフき用下地膜として、ニッケル、鉄またはその
合金から成る金属膜を用いることを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24387283A JPS60136906A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24387283A JPS60136906A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136906A true JPS60136906A (ja) | 1985-07-20 |
Family
ID=17110230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24387283A Pending JPS60136906A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136906A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2606197A1 (fr) * | 1986-10-31 | 1988-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique permettant de simplifier la realisation des connexions electriques |
| US10214347B2 (en) | 2011-02-28 | 2019-02-26 | Sangenic International Limited | Waste storage device |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24387283A patent/JPS60136906A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2606197A1 (fr) * | 1986-10-31 | 1988-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete magnetique permettant de simplifier la realisation des connexions electriques |
| US10214347B2 (en) | 2011-02-28 | 2019-02-26 | Sangenic International Limited | Waste storage device |
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