JPH01217717A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッドに係り
、特に薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
、特に薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
（従来の技術〕
薄膜磁気ヘッドは１例えば特開昭５５−８４０２０に記
載されているように、非磁性基板上にパーマロイなどか
らなる上下磁極とその間に設けた信号入出力用コイルお
よびコイルに接続されたリード線からなる。このような
構造の薄膜磁気ヘッドは第２図に示すような工程により
形成され°ている。
載されているように、非磁性基板上にパーマロイなどか
らなる上下磁極とその間に設けた信号入出力用コイルお
よびコイルに接続されたリード線からなる。このような
構造の薄膜磁気ヘッドは第２図に示すような工程により
形成され°ている。
以下にその工程の一例を説明する。
まず、基板１上にＮｉ−Ｆｅ合金膜（膜厚１μｍ）をＥ
Ｂ蒸着法で堆積し、ホトレジストマスクを用いてイオン
ミリング法によりバターニングを行ない、下部磁極層３
を形成する（同図（ａ ））。
Ｂ蒸着法で堆積し、ホトレジストマスクを用いてイオン
ミリング法によりバターニングを行ない、下部磁極層３
を形成する（同図（ａ ））。
次に、外部からヘッドの渦巻状コイルに電流を流すため
のリード線２のＣｕ膜（膜厚１μｍ）をＥＢ蒸着法で堆
積し、イオンミリング法によりパターン形成する（同図
（ｂ））。
のリード線２のＣｕ膜（膜厚１μｍ）をＥＢ蒸着法で堆
積し、イオンミリング法によりパターン形成する（同図
（ｂ））。
さらに磁極先端を分離するためのギャップ層としてＳｉ
Ｏ２膜（膜厚０．３ μｍ）を高周波スパッタリング
法で堆積する。
Ｏ２膜（膜厚０．３ μｍ）を高周波スパッタリング
法で堆積する。
ついで絶［’ｆａとなるＰＩＱ膜（膜厚２μｍポリイミ
ド樹脂２日立化成製）を回転塗布により形成し、ウェッ
トエツチングを行なってコイルとリード線を接続するた
めのスルーホールａを形成する（同図（ｃ））。
ド樹脂２日立化成製）を回転塗布により形成し、ウェッ
トエツチングを行なってコイルとリード線を接続するた
めのスルーホールａを形成する（同図（ｃ））。
続いて下部磁極層３のまわりに渦巻状にまかれ、上下磁
極層を励磁するためのコイル６となるＣｕ膜（膜厚３μ
ｍ）をＥＢ蒸着法で堆積し、リフトオフ法によってコイ
ルパターンを形成する（同図（ｄ））。
極層を励磁するためのコイル６となるＣｕ膜（膜厚３μ
ｍ）をＥＢ蒸着法で堆積し、リフトオフ法によってコイ
ルパターンを形成する（同図（ｄ））。
その後、ＰＩＱ膜（膜厚６μｍ）を回転塗布し、コイル
と上下磁極間の絶縁と同時に、上部磁極層が形成される
コイル上層部分の凹凸を平坦化するための絶縁層ｂ８を
形成する０次に、上部と下部の磁極層を結合させるため
のスルーホールｂを形成する（同図（ｅ））。
と上下磁極間の絶縁と同時に、上部磁極層が形成される
コイル上層部分の凹凸を平坦化するための絶縁層ｂ８を
形成する０次に、上部と下部の磁極層を結合させるため
のスルーホールｂを形成する（同図（ｅ））。
最後に上部磁極としてＮ ｉ −Ｆ ｅ合金膜（膜厚１
．３ μｍ）をＥＢ蒸着法で堆積し、ホトレジストマス
クを用いたイオンミリング法により上部磁極層９を形成
する（同図（ｆ））。
．３ μｍ）をＥＢ蒸着法で堆積し、ホトレジストマス
クを用いたイオンミリング法により上部磁極層９を形成
する（同図（ｆ））。
上記従来技術は以下の点について配慮がされていなかっ
た。
た。
（１）下部磁極層とリード線は材料が異なるため形成工
程が異なり、薄膜磁気ヘッドの作製工程が複雑だった。
程が異なり、薄膜磁気ヘッドの作製工程が複雑だった。
（２）リード線の膜厚は、その段差部におけるコイルの
段切れや線細りなどの問題から１μｍ程度にしかできな
かった。そのため、リード線の断面積を大きくできず、
電気抵抗増加のＩＭ因となった。
段切れや線細りなどの問題から１μｍ程度にしかできな
かった。そのため、リード線の断面積を大きくできず、
電気抵抗増加のＩＭ因となった。
本発明の目的は薄膜磁気ヘッド作製プロセスの短縮を図
ると共に、コイルおよびリード線の電気抵抗の低減を図
ることにある。
ると共に、コイルおよびリード線の電気抵抗の低減を図
ることにある。
上記目的は、以下の技術手段を用いることによって達成
される。
される。
（１）下部磁極とリード線を同一材料で構成し、同一工
程で形成する。
程で形成する。
（２）リード線の少なくとも一部分をコイルと同一材料
で被覆する。
で被覆する。
（３）絶縁層にスルーホールを設けて、磁極材料からな
るリード線を露出し、その上にコイル導体を積層する工
程において、露出したリード線の上層部を除去し、その
後、コイル導体層を積層する。
るリード線を露出し、その上にコイル導体を積層する工
程において、露出したリード線の上層部を除去し、その
後、コイル導体層を積層する。
上記（１）〜（３）の手段について、その作用をそれぞ
れ説明する。
れ説明する。
（１）下部磁極とリード線の一部とを同一材料で構成す
ることにより、同一工程でパターン形成ができるので、
薄膜磁気ヘッドの作製工程が短縮できる。
ることにより、同一工程でパターン形成ができるので、
薄膜磁気ヘッドの作製工程が短縮できる。
（２）磁極材料からなるリード線の一部をコイル導体層
で被覆することにより、リード線の断面積を大きくでき
る。このため電気抵抗を下げることができる。
で被覆することにより、リード線の断面積を大きくでき
る。このため電気抵抗を下げることができる。
（３）スルーホールにより露出した磁極材料からなるリ
ード線の表面層が除去されて、界面に生じた高抵抗の変
質層がなくなるので、リード線とコイルの接触抵抗が低
下し、電気抵抗を下げることができる。
ード線の表面層が除去されて、界面に生じた高抵抗の変
質層がなくなるので、リード線とコイルの接触抵抗が低
下し、電気抵抗を下げることができる。
以下１本発明の実施例を第１図（ａ）〜（ｅ）の工程順
に説明する。
に説明する。
実施例
（８）基板１上にＮｉ−Ｆｅ合金膜（膜厚１μｍ）をＥ
Ｂ蒸着法で堆積し、ホットシストマスクを用いてイオン
ミリング法によりバターニングを行ない、下部磁極層３
とリード線２を形成する。
Ｂ蒸着法で堆積し、ホットシストマスクを用いてイオン
ミリング法によりバターニングを行ない、下部磁極層３
とリード線２を形成する。
（ｂ）磁極先端を分離するためのギャップ層４として５
ｉＯｚ膜（膜厚０．３μｍ）を高周波スパッタリング法
で堆積する。ついで、絶縁層ａ５となるＰＩＱ膜（膜厚
２μｍ）を回転塗布により形成し、ウェットエツチング
を行なってコイルとリード線を接続するためのスルーホ
ールａを形成する。ＰＩＱのウェットエツチングはエチ
レンジアミンとヒドラジンの混合液を用いて行なった。
ｉＯｚ膜（膜厚０．３μｍ）を高周波スパッタリング法
で堆積する。ついで、絶縁層ａ５となるＰＩＱ膜（膜厚
２μｍ）を回転塗布により形成し、ウェットエツチング
を行なってコイルとリード線を接続するためのスルーホ
ールａを形成する。ＰＩＱのウェットエツチングはエチ
レンジアミンとヒドラジンの混合液を用いて行なった。
（ｃ）イオンミリングにより基板表面をドライエツチン
グし、スルーホールａを介して露出しているリード線の
表面層を除去する。
グし、スルーホールａを介して露出しているリード線の
表面層を除去する。
イオンミリングの条件はＡｒイオンで加速電圧５００Ｖ
、電流密度は５Ａ／ｍ”で時間は１分間である。下部磁
極層３のまわりに渦巻状にまかれ、上下磁極層を励磁す
るためのコイル６と、リード線２の断面積を大きくして
電気抵抗を下げるための被覆層７となるＣｕ膜（膜厚３
μｍ）をＥＢ蒸着法で堆積し、リフトオフ法によって形
成する。
、電流密度は５Ａ／ｍ”で時間は１分間である。下部磁
極層３のまわりに渦巻状にまかれ、上下磁極層を励磁す
るためのコイル６と、リード線２の断面積を大きくして
電気抵抗を下げるための被覆層７となるＣｕ膜（膜厚３
μｍ）をＥＢ蒸着法で堆積し、リフトオフ法によって形
成する。
（ｄ）ＰＩＱ膜（膜厚６μｍ）を回転塗布し、コイルと
上下磁極間の絶縁と同時に、コイル上層部分の凹凸を平
坦化するための絶縁層ｂ８を形成する０次に、上部と下
部磁極層を結合させるためのスルーホールｂを形する。
上下磁極間の絶縁と同時に、コイル上層部分の凹凸を平
坦化するための絶縁層ｂ８を形成する０次に、上部と下
部磁極層を結合させるためのスルーホールｂを形する。
ここでＰＩＱはウェットエツチング法、ＳｉＯｚｍはイ
オンミリング法によって形成した。
オンミリング法によって形成した。
（ａ）Ｎｉ−Ｆｅ合金膜（膜厚１．３ｐｍ）をＥＢ蒸着
法で堆積し、ホトレジストマスクを用いたイオンミリン
グ法により上部磁極層９を形成する。
法で堆積し、ホトレジストマスクを用いたイオンミリン
グ法により上部磁極層９を形成する。
上記実施例において、コイルパターンのピッチは約７μ
ｍで、コイルのターン数は１８ターンとした。したがっ
てコイルの下層に磁極材料を用いて形成すべきリード線
の長さは１３０μｍ以上となる。ついで、ＮｉＦｅの比
抵抗は７．２×１０″″！μΩｍでＣｕの比抵抗は１．
７Ｘ１０−”μΩｍである。したがって、リード線＋コ
イルの抵抗をできるだけ低くするためには、磁極材料で
形成するリード線を短くし、この部分の断面積を大きく
する必要がある６本実施例では、リード線の厚さを１μ
ｍとし１幅は８０μｍとした。
ｍで、コイルのターン数は１８ターンとした。したがっ
てコイルの下層に磁極材料を用いて形成すべきリード線
の長さは１３０μｍ以上となる。ついで、ＮｉＦｅの比
抵抗は７．２×１０″″！μΩｍでＣｕの比抵抗は１．
７Ｘ１０−”μΩｍである。したがって、リード線＋コ
イルの抵抗をできるだけ低くするためには、磁極材料で
形成するリード線を短くし、この部分の断面積を大きく
する必要がある６本実施例では、リード線の厚さを１μ
ｍとし１幅は８０μｍとした。
本実施例によれば以下の効果がある。
（１）下部磁極層３とリード線２を同一材料とし、同時
に形成したので、薄膜磁気ヘッドの作製工程を短縮でき
る。
に形成したので、薄膜磁気ヘッドの作製工程を短縮でき
る。
（２）上記（１）と同様に、コイル６と被覆層７を同一
材料とし、同時に形成することにより、新らたにボンデ
ィング用のパッドを形成する必要がなく工程が増えずに
済む。
材料とし、同時に形成することにより、新らたにボンデ
ィング用のパッドを形成する必要がなく工程が増えずに
済む。
（３）膜厚１μｍのリード線２上に膜厚３μｍの被覆層
を形成したことによって膜厚が４μｍとなり、断面積が
増加し、電気抵抗を低減できる。
を形成したことによって膜厚が４μｍとなり、断面積が
増加し、電気抵抗を低減できる。
（４）コイル６と被覆層７となるＣｕ１ｌの蒸着直前に
イオンミリングを用いて表面層を除去するライトエツチ
ングを行ったことにより、被覆層７とリード線２を介し
て測定したコイル６の電気抵抗が低減できる。
イオンミリングを用いて表面層を除去するライトエツチ
ングを行ったことにより、被覆層７とリード線２を介し
て測定したコイル６の電気抵抗が低減できる。
下部磁極層３と上部磁極層９とリード線２．およびコイ
ル６と被覆層７の材料は、Ｎｉ−ＦｅとＣｕ以外に以下
に示すものを用いてもよい。
ル６と被覆層７の材料は、Ｎｉ−ＦｅとＣｕ以外に以下
に示すものを用いてもよい。
たとえば下部磁極層３．上部相基９．リード線２として
はＧｏ系非晶質合金、Ｆｅ系結晶質合金などを用いるこ
とができる。
はＧｏ系非晶質合金、Ｆｅ系結晶質合金などを用いるこ
とができる。
さらにコイル６、被覆層７としてはＡＱ、Ｃｕ系合金、
ＡＱ系合金を用いることもできる。なおＧｏ系非晶質合
金の比抵抗は５０Ｘ１０−”μΩｍと大きいため、リー
ド線の幅をできるだけ大きくし、また、リード線の長さ
を短かくする必要がある。
ＡＱ系合金を用いることもできる。なおＧｏ系非晶質合
金の比抵抗は５０Ｘ１０−”μΩｍと大きいため、リー
ド線の幅をできるだけ大きくし、また、リード線の長さ
を短かくする必要がある。
本発明によれば、（１）下部磁極層とリード線を同一工
程で形成できるので薄膜磁気ヘッドの作製工程を短縮で
きる。（２）コイルとなる膜を形成する直前に基板直前
をライトエツチングし、スルーホールを介して露出して
いるリード線の表面層を除去することにより、薄膜磁気
ヘッドの電気抵抗を低減できる。（３）リード線上に被
覆層を形成することにより断面積が増加し−Ｗｔ股磁気
ヘッドの電気抵抗を低減できるなどの効果がある。
程で形成できるので薄膜磁気ヘッドの作製工程を短縮で
きる。（２）コイルとなる膜を形成する直前に基板直前
をライトエツチングし、スルーホールを介して露出して
いるリード線の表面層を除去することにより、薄膜磁気
ヘッドの電気抵抗を低減できる。（３）リード線上に被
覆層を形成することにより断面積が増加し−Ｗｔ股磁気
ヘッドの電気抵抗を低減できるなどの効果がある。
第１図は本発明の一実施例の作製工程を表わす断面図、
第２図は従来方法の一例の作製工程を表わす断面図であ
る。 ２・・・リード線、３・・・下部磁極層、６・・・コイ
ル、７第 １ 図
第２図は従来方法の一例の作製工程を表わす断面図であ
る。 ２・・・リード線、３・・・下部磁極層、６・・・コイ
ル、７第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、誘導型薄膜磁気ヘッドにおいて、コイルに接続され
るリード線の一部が、磁極を構成する材料と同じ材料か
ら構成されたことを特徴とする磁気ヘッド。 ２、磁極と同一材料で構成されたリード線の少なくとも
一部が絶縁層を介してコイルの下層に配置されたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド
。 ３、リード線のすくなくとも一部がコイルを構成する材
料で被覆されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の薄膜磁気ヘッド。 ４、磁極と磁極と同一材料からなるリード線の一部分を
同時に形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 ５、コイルと、コイルと同一材料で構成されたリード線
の一部を同時に形成することを特徴とする特許請求の範
囲第４項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ６、絶縁層にスルーホールを設けて、磁極材料からなる
リード線を露出し、その上にコイル導体層を積層する工
程において、露出したリード線の一部を除去し、続いて
コイル導体層を積層することを特徴とする特許請求の範
囲第４項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198488A JPH01217717A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198488A JPH01217717A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217717A true JPH01217717A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12623464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198488A Pending JPH01217717A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217717A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134711A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-08 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0520641A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4198488A patent/JPH01217717A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134711A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-08 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0520641A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
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