JPH05258238A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH05258238A JPH05258238A JP5126692A JP5126692A JPH05258238A JP H05258238 A JPH05258238 A JP H05258238A JP 5126692 A JP5126692 A JP 5126692A JP 5126692 A JP5126692 A JP 5126692A JP H05258238 A JPH05258238 A JP H05258238A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造が容易で量産に適した高性能の薄膜磁気
ヘッドを得る。 【構成】 基板１上に下部磁性コア２を被着形成し、下
部磁性コア２の上に絶縁層３ａを介して下部縞状導電膜
４を形成し，下部縞状導電膜４の上に絶縁層３ｂを介し
て上部磁性コア５を形成し、上部磁性コア５の上に絶縁
層６ａを介して上部縞状導電膜７を形成し、下部縞状導
電膜４及び上部縞状導電膜７の端部は連結されてヘリカ
ル状導体コイルが形成される薄膜磁気ヘッドであって、
下部縞状導電膜４と上部縞状導電膜７を電気的に連結す
る電気的接合部分の幅が上部及び下部の縞状導電膜７，
４の磁性コアに重なる部分の幅と同じかそれ以下であ
り、かつ電気的接合部分の長さが上部及び下部の縞状導
電膜７，４の磁性コアに重なる部分の最小幅の１.５倍
より長いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
ヘッドを得る。 【構成】 基板１上に下部磁性コア２を被着形成し、下
部磁性コア２の上に絶縁層３ａを介して下部縞状導電膜
４を形成し，下部縞状導電膜４の上に絶縁層３ｂを介し
て上部磁性コア５を形成し、上部磁性コア５の上に絶縁
層６ａを介して上部縞状導電膜７を形成し、下部縞状導
電膜４及び上部縞状導電膜７の端部は連結されてヘリカ
ル状導体コイルが形成される薄膜磁気ヘッドであって、
下部縞状導電膜４と上部縞状導電膜７を電気的に連結す
る電気的接合部分の幅が上部及び下部の縞状導電膜７，
４の磁性コアに重なる部分の幅と同じかそれ以下であ
り、かつ電気的接合部分の長さが上部及び下部の縞状導
電膜７，４の磁性コアに重なる部分の最小幅の１.５倍
より長いことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は構造が簡単で製造し易い
高性能な薄膜磁気ヘッドに関する。
高性能な薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドは、基板上に薄膜
堆積法、フォトリソグラフィ技術等を用いて磁性コア、
導体コイルを絶縁層を介して形成するものであり、従来
のバルク型のヘッドに比べて小型化、高性能化が容易で
ある。従来の薄膜磁気ヘッドは、図７に示すように、下
部磁性コア(4')上に絶縁層(3'a)を介してスパイラル状
導体コイル(12')が被着形成されており、該導体コイル
上に絶縁層(3'b)を介して上部磁性コア(6')が被着形成
されている。上述のようなスパイラル状導体コイル(1
2')を有する薄膜磁気ヘッドは、製造が容易であるが、
導体コイルの占める面積が大きくなり、ヘッドを組み立
てる際には、小型実装の面で不利である。また、スパイ
ラル状導体コイル(12')に流れる電流から発生する磁束
は、下部及び上部の磁性コア(4')(6')の高透磁率性を利
用することによりｙ方向の成分となりヘッドギャップ
(5')に導かれる。しかし、このときのコイルによる磁界
は、図７のＨxに示すように、反磁界の大きい磁性コア
の膜面に垂直なｘ方向であり、磁性コアを飽和まで到達
させるにはかなり大きな起磁力が必要である。さらに、
スパイラル状導体(12')と磁性コア(4')(6')の重なって
いる部分の面積比率がきわめて少なく、導体コイルと磁
性コアの結合状態という点から見れば、図７の従来のス
パイラル状導体コイルの構造は好ましい構造ではない。
これに対して、図８に示されているようなヘリカル状導
体コイル(7")を有する薄膜磁気ヘッドでは、導体コイル
の占める面積が小さく、小型実装に適している。また、
ヘリカル状の導体コイル(7")に流れる電流から発生する
磁界は、図８のＨyに示すように、反磁界の小さい上部
磁性コア(6")の膜面内のｙ方向を向いており、小さい起
磁力で磁気記録に充分な磁界をヘッドギャップ(5")に発
生させることができる。さらに、ヘリカル状導体コイル
ではコイルと磁性コアの重なる部分の面積比率がきわめ
て大きく、両者の結合効率がきわめて高いという大きな
利点を持っている。しかし、１タ−ンの導体コイルを形
成するのに、導体層の形成、エッチングによる形状加
工、絶縁層の形成、スルーホール加工という複雑な工程
が必要であること、多数巻の導体コイルを作製する場
合、図８の電気的接合部分(9")に示すように面積の小さ
い接続箇所が多くなり、信頼性の面でも問題があること
が欠点とされてきた。
堆積法、フォトリソグラフィ技術等を用いて磁性コア、
導体コイルを絶縁層を介して形成するものであり、従来
のバルク型のヘッドに比べて小型化、高性能化が容易で
ある。従来の薄膜磁気ヘッドは、図７に示すように、下
部磁性コア(4')上に絶縁層(3'a)を介してスパイラル状
導体コイル(12')が被着形成されており、該導体コイル
上に絶縁層(3'b)を介して上部磁性コア(6')が被着形成
されている。上述のようなスパイラル状導体コイル(1
2')を有する薄膜磁気ヘッドは、製造が容易であるが、
導体コイルの占める面積が大きくなり、ヘッドを組み立
てる際には、小型実装の面で不利である。また、スパイ
ラル状導体コイル(12')に流れる電流から発生する磁束
は、下部及び上部の磁性コア(4')(6')の高透磁率性を利
用することによりｙ方向の成分となりヘッドギャップ
(5')に導かれる。しかし、このときのコイルによる磁界
は、図７のＨxに示すように、反磁界の大きい磁性コア
の膜面に垂直なｘ方向であり、磁性コアを飽和まで到達
させるにはかなり大きな起磁力が必要である。さらに、
スパイラル状導体(12')と磁性コア(4')(6')の重なって
いる部分の面積比率がきわめて少なく、導体コイルと磁
性コアの結合状態という点から見れば、図７の従来のス
パイラル状導体コイルの構造は好ましい構造ではない。
これに対して、図８に示されているようなヘリカル状導
体コイル(7")を有する薄膜磁気ヘッドでは、導体コイル
の占める面積が小さく、小型実装に適している。また、
ヘリカル状の導体コイル(7")に流れる電流から発生する
磁界は、図８のＨyに示すように、反磁界の小さい上部
磁性コア(6")の膜面内のｙ方向を向いており、小さい起
磁力で磁気記録に充分な磁界をヘッドギャップ(5")に発
生させることができる。さらに、ヘリカル状導体コイル
ではコイルと磁性コアの重なる部分の面積比率がきわめ
て大きく、両者の結合効率がきわめて高いという大きな
利点を持っている。しかし、１タ−ンの導体コイルを形
成するのに、導体層の形成、エッチングによる形状加
工、絶縁層の形成、スルーホール加工という複雑な工程
が必要であること、多数巻の導体コイルを作製する場
合、図８の電気的接合部分(9")に示すように面積の小さ
い接続箇所が多くなり、信頼性の面でも問題があること
が欠点とされてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑みなされたものであり、量産性に適し、しかも
信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
るものである。
欠点に鑑みなされたものであり、量産性に適し、しかも
信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とす
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に下部
磁性コアを被着形成し、前記下部磁性コアの上に絶縁層
を介して下部縞状導電膜を形成し、前記下部縞状導電膜
の上に絶縁層を介して上部磁性コアを形成し、前記上部
磁性コアの上に絶縁層を介して上部縞状導電膜を形成
し、前記下部縞状導電膜及び上部縞状導電膜の端部は連
結されてヘリカル状導体コイルが形成される薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記下部縞状導電膜と前記上部縞状導電
膜を電気的に連結する電気的接合部分の幅が前記上部及
び下部の縞状導体膜の磁性コアに重なる部分の幅と同じ
かそれ以下であり、かつ前記電気的接合部分の長さが前
記上部及び下部の縞状導体膜の磁性コアに重なる部分の
最小幅の１.５倍より長いことを特徴としている。
磁性コアを被着形成し、前記下部磁性コアの上に絶縁層
を介して下部縞状導電膜を形成し、前記下部縞状導電膜
の上に絶縁層を介して上部磁性コアを形成し、前記上部
磁性コアの上に絶縁層を介して上部縞状導電膜を形成
し、前記下部縞状導電膜及び上部縞状導電膜の端部は連
結されてヘリカル状導体コイルが形成される薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記下部縞状導電膜と前記上部縞状導電
膜を電気的に連結する電気的接合部分の幅が前記上部及
び下部の縞状導体膜の磁性コアに重なる部分の幅と同じ
かそれ以下であり、かつ前記電気的接合部分の長さが前
記上部及び下部の縞状導体膜の磁性コアに重なる部分の
最小幅の１.５倍より長いことを特徴としている。
【０００５】
【作用】上記構成によれば、図８の従来構造の電気的接
合部分(9")に比較して大きな面積で下部及び上部縞状導
電膜を電気的に接合できるので、量産性に適した信頼性
の高い薄膜磁気ヘッドを実現できる。
合部分(9")に比較して大きな面積で下部及び上部縞状導
電膜を電気的に接合できるので、量産性に適した信頼性
の高い薄膜磁気ヘッドを実現できる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を詳
細に説明する。図１(a)は本発明の一つの実施例を示す
薄膜磁気ヘッドの平面図、図１(b)は平面図(a)における
Ａ-Ａ’線に沿った断面図、図１(c)は平面図(a)におけ
るＢ-Ｂ’断面図である。図中、(1)はＭn-Ｚnフェライ
トやＮi-Ｚnフェライト等の強磁性酸化物材料、あるい
は結晶化ガラス等の非磁性セラミックスからなる基板で
あり、該基板(1)の上面にはパーマロイ、センダスト、
Ｃo系アモルファス磁性合金等の高透磁率磁性薄膜より
なる下部磁性コア(2)が被着形成されている。前記下部
磁性コアの上にはＳiＯ2等の絶縁材料よりなる絶縁層(3
a)を介してＣu、Ａl等の導電材料よりなる約２μm厚の
下部縞状導電膜(4)が形成されている。該下部縞状導電
膜(4)の上には約１μm厚の絶縁層(3b)が形成されてい
る。前記の絶縁膜(3b)の上には高透磁率磁性薄膜よりな
る上部磁性コア(5)が被着形成されている。前記上部磁
性コア(5)は図に示すように、効率のよいヘッドギャッ
プ(10)を形成するために、磁極の先端と磁性基板の間隔
が狭くなるように作製されている。下部磁性コア(2)と
上部磁性コア(5)の端面は基板(1)の端面と同一面に露出
し、ヘッドギャップ(5)の磁極となっている。前記下部
磁性コア(2)と上部磁性コア(5)の他方の端は、絶縁層
(3)(6)の取り除かれた磁気的接合部分(12)により磁気的
に接合されている。前記上部磁性コア(5)の上には約１
μmの絶縁層(6a)を介して上部縞状導電膜(7)が形成され
ている。前記下部及び上部縞状導電膜(4)(7)は、上部磁
性コア(5)を卷回するが、上部磁性コアの両側における
電気的接合部分(9)で連結されてヘリカル状導体コイル
となる。この点は従来技術とおなじであるが、図に示す
ように、電気的接合部分の幅Ｗと長さｌは、前記下部及
び上部縞状導電膜(4)(7)の磁性コアに重なる中心部分の
幅ｗに対して、Ｗ＝ｗ、ｌ＝６ｗの関係にある。このよ
うな構造を採用することにより、電気的接合部分(9)は
図４の従来構造のｌ＝ｗに比較して面積で６倍以上にと
ることができた。これにより、ヘリカル状導体コイルの
歩留り及び薄膜磁気ヘッドの信頼性が飛躍的に向上し
た。この歩留り向上の効果はｌ≧１.５ｗのときに顕著
に現れるが、ｌは長いほど効果は大きい。次に、上記実
施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。先
ず、基板(1)の上面に下部磁性コア(2)が蒸着、スパッタ
リング及びフォトリソグラフィ等の技術により被着形成
される。次に、前記下部磁性コア(2)を備えた基板(1)の
上面に絶縁層(3a)を平坦に形成する。次に、図２に示す
ように、下部縞状導電膜(4)、下部電気的接合部分(9')
が、蒸着、スパッタリング及びフォトリソグラフィ等の
技術により被着形成される。この際、前記下部縞状導電
膜(4)は、後工程で作製される上部縞状導電膜(7)と重な
り、ヘリカル状導体コイルとなるように配されている。
次に、前記下部縞状導電膜(4)、下部電気的接合部分
(9')の上全域に絶縁層(3b)を平坦に形成する。次に、図
３に示すように、エッチング加工によりスルーホール(1
1a)を作製し、前記磁気的接合部分(12)となる下部磁性
コア(2)の表面を露出させる。また、効率のよいヘッド
ギャップを作製するための加工も行われる。次に、前記
下部磁性コア(2)とほぼ同じ形状をした上部磁性コア(5)
が蒸着、スパッタリング及びフォトリソグラフィ等の技
術により被着形成される。下部及び上部磁性コアはこの
プロセスよび磁気的接合部分(12)で接合される。次に、
前記上部磁性コア(5)を含む上面全域に絶縁層(6a)を平
坦に形成する。次に、図４に示すように、エッチング加
工によりスルーホール(11b)(11c)を作製し、前記下部電
気的接合部分(9')を露出させる。次に、図５に示すよう
に、上部縞状導電膜(7)、上部電気的接合部分(9)、端子
(8a)(8b)が、蒸着、スパッタリング及びフォトリソグラ
フィ等の技術により被着形成されるる。これにより、前
記下部電気的接合部分(9')と前記上部電気的接合部分
(9)は電気的に接合され、前記下部縞状導電膜(4)と前記
上部縞上導電膜(7)は電気的につながり、ヘリカル状導
体コイルとなる。次に、図１(b)(c)に示すように、保護
のために全域表面に絶縁層(6b)を形成する。以上の工程
により、本発明の一つの実施例が完成する。図６(a)は
本発明のもう一つの実施例を示す薄膜磁気ヘッドの平面
図、図６(b)は平面図(a)におけるＡ-Ａ’線に沿った断
面図、図６(c)は平面図(a)におけるＢ-Ｂ’断面図であ
る。図中、(1)は結晶化ガラス等の非磁性セラミックス
からなる基板であり、該基板(1)の上面にはＣu、Ａl等
の導電材料よりなる約２μm厚の下部縞状導電膜(4)が形
成されている。前記下部縞状導電膜(4)の上には、ＳiＯ
2等の絶縁材料よりなる絶縁層(3a)を介して、パーマロ
イ、センダスト、Ｃo系アモルファス磁性合金等の高透
磁率磁性薄膜よりなる下部磁性コア(2)が被着形成され
ている。前記下部磁性コアの上には約１μm厚の絶縁層
(3b)が形成されている。前記絶縁膜(3b)の上には上部縞
状導電膜(7)が形成されている。前記上部縞状導電膜(7)
の上には絶縁層(6a)を介して高透磁率磁性薄膜よりなる
上部磁性コア(5)が被着形成されている。前記上部磁性
コア(5)は図に示すように、効率のよいヘッドギャップ
(10)を形成するために、磁極の先端と磁性基板の間隔が
狭くなるように作製されている。下部磁性コア(2)と上
部磁性コア(5)の端面は基板(1)の端面と同一面に露出
し、ヘッドギャップ(10)の磁極となっている。前記下部
磁性コア(2)と上部磁性コア(5)の他方の端は、磁気的接
合部分(12)により磁気的に接合されている。図６の本実
施例が図１の前実施例と異なる点は、前記下部及び上部
縞状導電膜(4)(7)が下部磁性コア(2)を卷回し、下部磁
性コアの両側における電気的接合部分(9)で連結されて
ヘリカル状導体コイルとなることである。図に示すよう
に、電気的接合部分の幅Ｗと長さｌは、下部及び上部縞
状導電膜(4)(7)の磁性コアに重なる中心部分の幅ｗに対
して、前実施例と同じ関係になるようにした。このよう
な構造を採用することにより、ヘリカル状導体コイルの
歩留り及び薄膜磁気ヘッドの信頼性が飛躍的に向上し
た。この実施例は、本発明の請求の範囲の基礎的事項で
ある、電気的接合部分の幅が縞状導電膜の磁性コアに重
なる部分の幅が同じかそれ以下であり、かつ電気的接合
部分の長さが縞状導電膜の磁性コアに重なる部分の幅の
１.５倍以上あるという事項を含んでいることから、本
分野の専門家であれば上記実施例が本発明の範囲に含ま
れることは容易に理解できるであろう。
細に説明する。図１(a)は本発明の一つの実施例を示す
薄膜磁気ヘッドの平面図、図１(b)は平面図(a)における
Ａ-Ａ’線に沿った断面図、図１(c)は平面図(a)におけ
るＢ-Ｂ’断面図である。図中、(1)はＭn-Ｚnフェライ
トやＮi-Ｚnフェライト等の強磁性酸化物材料、あるい
は結晶化ガラス等の非磁性セラミックスからなる基板で
あり、該基板(1)の上面にはパーマロイ、センダスト、
Ｃo系アモルファス磁性合金等の高透磁率磁性薄膜より
なる下部磁性コア(2)が被着形成されている。前記下部
磁性コアの上にはＳiＯ2等の絶縁材料よりなる絶縁層(3
a)を介してＣu、Ａl等の導電材料よりなる約２μm厚の
下部縞状導電膜(4)が形成されている。該下部縞状導電
膜(4)の上には約１μm厚の絶縁層(3b)が形成されてい
る。前記の絶縁膜(3b)の上には高透磁率磁性薄膜よりな
る上部磁性コア(5)が被着形成されている。前記上部磁
性コア(5)は図に示すように、効率のよいヘッドギャッ
プ(10)を形成するために、磁極の先端と磁性基板の間隔
が狭くなるように作製されている。下部磁性コア(2)と
上部磁性コア(5)の端面は基板(1)の端面と同一面に露出
し、ヘッドギャップ(5)の磁極となっている。前記下部
磁性コア(2)と上部磁性コア(5)の他方の端は、絶縁層
(3)(6)の取り除かれた磁気的接合部分(12)により磁気的
に接合されている。前記上部磁性コア(5)の上には約１
μmの絶縁層(6a)を介して上部縞状導電膜(7)が形成され
ている。前記下部及び上部縞状導電膜(4)(7)は、上部磁
性コア(5)を卷回するが、上部磁性コアの両側における
電気的接合部分(9)で連結されてヘリカル状導体コイル
となる。この点は従来技術とおなじであるが、図に示す
ように、電気的接合部分の幅Ｗと長さｌは、前記下部及
び上部縞状導電膜(4)(7)の磁性コアに重なる中心部分の
幅ｗに対して、Ｗ＝ｗ、ｌ＝６ｗの関係にある。このよ
うな構造を採用することにより、電気的接合部分(9)は
図４の従来構造のｌ＝ｗに比較して面積で６倍以上にと
ることができた。これにより、ヘリカル状導体コイルの
歩留り及び薄膜磁気ヘッドの信頼性が飛躍的に向上し
た。この歩留り向上の効果はｌ≧１.５ｗのときに顕著
に現れるが、ｌは長いほど効果は大きい。次に、上記実
施例の薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。先
ず、基板(1)の上面に下部磁性コア(2)が蒸着、スパッタ
リング及びフォトリソグラフィ等の技術により被着形成
される。次に、前記下部磁性コア(2)を備えた基板(1)の
上面に絶縁層(3a)を平坦に形成する。次に、図２に示す
ように、下部縞状導電膜(4)、下部電気的接合部分(9')
が、蒸着、スパッタリング及びフォトリソグラフィ等の
技術により被着形成される。この際、前記下部縞状導電
膜(4)は、後工程で作製される上部縞状導電膜(7)と重な
り、ヘリカル状導体コイルとなるように配されている。
次に、前記下部縞状導電膜(4)、下部電気的接合部分
(9')の上全域に絶縁層(3b)を平坦に形成する。次に、図
３に示すように、エッチング加工によりスルーホール(1
1a)を作製し、前記磁気的接合部分(12)となる下部磁性
コア(2)の表面を露出させる。また、効率のよいヘッド
ギャップを作製するための加工も行われる。次に、前記
下部磁性コア(2)とほぼ同じ形状をした上部磁性コア(5)
が蒸着、スパッタリング及びフォトリソグラフィ等の技
術により被着形成される。下部及び上部磁性コアはこの
プロセスよび磁気的接合部分(12)で接合される。次に、
前記上部磁性コア(5)を含む上面全域に絶縁層(6a)を平
坦に形成する。次に、図４に示すように、エッチング加
工によりスルーホール(11b)(11c)を作製し、前記下部電
気的接合部分(9')を露出させる。次に、図５に示すよう
に、上部縞状導電膜(7)、上部電気的接合部分(9)、端子
(8a)(8b)が、蒸着、スパッタリング及びフォトリソグラ
フィ等の技術により被着形成されるる。これにより、前
記下部電気的接合部分(9')と前記上部電気的接合部分
(9)は電気的に接合され、前記下部縞状導電膜(4)と前記
上部縞上導電膜(7)は電気的につながり、ヘリカル状導
体コイルとなる。次に、図１(b)(c)に示すように、保護
のために全域表面に絶縁層(6b)を形成する。以上の工程
により、本発明の一つの実施例が完成する。図６(a)は
本発明のもう一つの実施例を示す薄膜磁気ヘッドの平面
図、図６(b)は平面図(a)におけるＡ-Ａ’線に沿った断
面図、図６(c)は平面図(a)におけるＢ-Ｂ’断面図であ
る。図中、(1)は結晶化ガラス等の非磁性セラミックス
からなる基板であり、該基板(1)の上面にはＣu、Ａl等
の導電材料よりなる約２μm厚の下部縞状導電膜(4)が形
成されている。前記下部縞状導電膜(4)の上には、ＳiＯ
2等の絶縁材料よりなる絶縁層(3a)を介して、パーマロ
イ、センダスト、Ｃo系アモルファス磁性合金等の高透
磁率磁性薄膜よりなる下部磁性コア(2)が被着形成され
ている。前記下部磁性コアの上には約１μm厚の絶縁層
(3b)が形成されている。前記絶縁膜(3b)の上には上部縞
状導電膜(7)が形成されている。前記上部縞状導電膜(7)
の上には絶縁層(6a)を介して高透磁率磁性薄膜よりなる
上部磁性コア(5)が被着形成されている。前記上部磁性
コア(5)は図に示すように、効率のよいヘッドギャップ
(10)を形成するために、磁極の先端と磁性基板の間隔が
狭くなるように作製されている。下部磁性コア(2)と上
部磁性コア(5)の端面は基板(1)の端面と同一面に露出
し、ヘッドギャップ(10)の磁極となっている。前記下部
磁性コア(2)と上部磁性コア(5)の他方の端は、磁気的接
合部分(12)により磁気的に接合されている。図６の本実
施例が図１の前実施例と異なる点は、前記下部及び上部
縞状導電膜(4)(7)が下部磁性コア(2)を卷回し、下部磁
性コアの両側における電気的接合部分(9)で連結されて
ヘリカル状導体コイルとなることである。図に示すよう
に、電気的接合部分の幅Ｗと長さｌは、下部及び上部縞
状導電膜(4)(7)の磁性コアに重なる中心部分の幅ｗに対
して、前実施例と同じ関係になるようにした。このよう
な構造を採用することにより、ヘリカル状導体コイルの
歩留り及び薄膜磁気ヘッドの信頼性が飛躍的に向上し
た。この実施例は、本発明の請求の範囲の基礎的事項で
ある、電気的接合部分の幅が縞状導電膜の磁性コアに重
なる部分の幅が同じかそれ以下であり、かつ電気的接合
部分の長さが縞状導電膜の磁性コアに重なる部分の幅の
１.５倍以上あるという事項を含んでいることから、本
分野の専門家であれば上記実施例が本発明の範囲に含ま
れることは容易に理解できるであろう。
【０００７】
【発明の効果】本発明によれば、従来構造に比較し、製
造が容易で量産性に適した高信頼性の薄膜磁気ヘッドを
提供し得る。
造が容易で量産性に適した高信頼性の薄膜磁気ヘッドを
提供し得る。
【図１】薄膜磁気ヘッドの平面図及び断面図
【図２】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す平面図
【図３】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す平面図
【図４】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す平面図
【図５】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す平面図
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す要
部平面図
部平面図
【図７】従来の薄膜ヘッドの平面図と断面図である。
【図８】従来の薄膜ヘッドの平面図と断面図である。
１ 基板 ２ 下部磁性コア ３ 絶縁層 ４ 下部縞状導電膜 ５ 上部磁性コア ６ 絶縁層 ７ 上部縞状導電膜 ７" ヘリカル状導体コイル ８ 端子 ９ 電気的接合部分 １０ ヘッドギャップ １１ リード線 １２ 磁気的接合部分 １２' スパイラル状導体コイル １３ 基板端面 １４ スルーホール
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に下部磁性コアを被着形成し、前
記下部磁性コアの上に絶縁層を介して下部縞状導電膜を
形成し、前記下部縞状導電膜の上に絶縁層を介して上部
磁性コアを形成し、前記上部磁性コアの上に絶縁層を介
して上部縞状導電膜を形成し、前記下部縞状導電膜及び
上部縞状導電膜の端部は連結されてヘリカル状導体コイ
ルが形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部縞状
導電膜と前記上部縞状導電膜を電気的に連結する電気的
接合部分の幅が前記上部及び下部の縞状導電膜の磁性コ
アに重なる部分の幅と同じかそれ以下であり、かつ前記
電気的接合部分の長さが前記上部及び下部の縞状導電膜
の磁性コアに重なる部分の最小幅の１.５倍より長いこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に下部縞状導電膜を被着形成し、
前記下部縞状導電膜の上に絶縁層を介して下部磁性コア
を形成し、前記下部磁性コアの上に絶縁層を介して上部
縞状導電膜を形成し、前記上部縞状導電膜の上に絶縁層
を介して上部磁性コアを形成し、前記下部縞状導電膜及
び上部縞状導電膜の端部は連結されてヘリカル状導体コ
イルが形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部縞
状導電膜と前記上部縞状導電膜を電気的に連結する電気
的接合部分の幅が前記上部及び下部の縞状導電膜の磁性
コアに重なる部分の幅と同じかそれ以下であり、かつ前
記電気的接合部分の長さが前記上部及び下部の縞状導電
膜の磁性コアに重なる部分の最小幅の１.５倍より長い
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5126692A JPH05258238A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5126692A JPH05258238A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258238A true JPH05258238A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12882147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5126692A Pending JPH05258238A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100785009B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2007-12-11 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5126692A patent/JPH05258238A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100785009B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2007-12-11 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
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