JPS643334B2 - - Google Patents
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- JPS643334B2 JPS643334B2 JP17504980A JP17504980A JPS643334B2 JP S643334 B2 JPS643334 B2 JP S643334B2 JP 17504980 A JP17504980 A JP 17504980A JP 17504980 A JP17504980 A JP 17504980A JP S643334 B2 JPS643334 B2 JP S643334B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インダクタンス素子に関し、その目
的とするところは小形、軽量化が容易で且つ高信
頼性及び高量産性をインダクタンス素子の提供に
ある。
的とするところは小形、軽量化が容易で且つ高信
頼性及び高量産性をインダクタンス素子の提供に
ある。
近年、ラジオ受信機、テレビジヨン受像機ある
いはビデオテープレコーダ(VTR)等の民生用
電子機器の分野でチツプ部品と呼ばれるリード線
のない部品の小型化が進んでいる。しかしながら
インダクタンス素子に於いては、製法そのものが
従来と変らない為、小形、軽量化、量産性向上等
が困難であつた。なぜならば、インダクタンス素
子は少さな磁性コアに細線を巻回して構成すると
いうものであり、巻線作業が困難になるし、一段
と細い導線を用いる為取扱いが大変で断線等が発
生し易い。いずれにしても、従来法では小さな磁
性コアの製造面と、細い導線の太さと、作業性の
面とから限界があつた。
いはビデオテープレコーダ(VTR)等の民生用
電子機器の分野でチツプ部品と呼ばれるリード線
のない部品の小型化が進んでいる。しかしながら
インダクタンス素子に於いては、製法そのものが
従来と変らない為、小形、軽量化、量産性向上等
が困難であつた。なぜならば、インダクタンス素
子は少さな磁性コアに細線を巻回して構成すると
いうものであり、巻線作業が困難になるし、一段
と細い導線を用いる為取扱いが大変で断線等が発
生し易い。いずれにしても、従来法では小さな磁
性コアの製造面と、細い導線の太さと、作業性の
面とから限界があつた。
本発明は、上記欠点を改善しチツプ部品として
好適なインダクタンス素子を提供するものであ
る。
好適なインダクタンス素子を提供するものであ
る。
以下、図面を用いて本発明の実施例についてそ
の製法と共に説明しよう。
の製法と共に説明しよう。
第1図及び第2図は本発明のインダクタンス素
子の一実施例を示す平面図及びその断面図、第3
図はその製法例を示す。
子の一実施例を示す平面図及びその断面図、第3
図はその製法例を示す。
本発明においては、同図に示す如くフエライト
例えば抵抗率の高いNi−Zn系フエライトからな
る第1の磁性ブロツク1を設け、このブロツク1
の一主面1A上に、一端2aがブロツク主面1A
の一方の周縁に延在し、他端2がブロツク主面1
Aの中央に存するように所定の巻数のスパイラル
状溝2を形成する。このスパイラル状溝2の形成
は第3図A及びBに示すようにブロツク主面1A
上にスパイラル状溝2のパターンを除いてエツチ
ングレジスト3を形成し、フエライトの電解エツ
チングにて形成する。次で第3図Cに示す如くエ
ツチングレジスト3を有した状態で、例えば銅の
如き導体4を全面蒸着し、スパイラル状溝2内の
底部全域に亘つて導体4を被着形成して復、第3
図Dに示す如く溝2内を残してリフトオフ法によ
りブロツク主面1A上の導体4をエツチングレジ
スト3と共に除去する。しかる後、第3図Eに示
す如く蒸着された導体4を種として電気メツキ等
によつてスパイラル状溝2内に選択的に厚い導体
4′を形成する。この場合、導体4′の厚さd1はス
パイラル状溝2の深さd2の1/2〜2/3程度に選ぶ。
又、スパイラル状溝2の両端2a及び2bに対応
する部分には第2図に示すように選択的にクリー
ム半田又はAu−Snの電気メツキ等によりブロツ
ク主面1Aより突出するような接続導体5を形成
する。
例えば抵抗率の高いNi−Zn系フエライトからな
る第1の磁性ブロツク1を設け、このブロツク1
の一主面1A上に、一端2aがブロツク主面1A
の一方の周縁に延在し、他端2がブロツク主面1
Aの中央に存するように所定の巻数のスパイラル
状溝2を形成する。このスパイラル状溝2の形成
は第3図A及びBに示すようにブロツク主面1A
上にスパイラル状溝2のパターンを除いてエツチ
ングレジスト3を形成し、フエライトの電解エツ
チングにて形成する。次で第3図Cに示す如くエ
ツチングレジスト3を有した状態で、例えば銅の
如き導体4を全面蒸着し、スパイラル状溝2内の
底部全域に亘つて導体4を被着形成して復、第3
図Dに示す如く溝2内を残してリフトオフ法によ
りブロツク主面1A上の導体4をエツチングレジ
スト3と共に除去する。しかる後、第3図Eに示
す如く蒸着された導体4を種として電気メツキ等
によつてスパイラル状溝2内に選択的に厚い導体
4′を形成する。この場合、導体4′の厚さd1はス
パイラル状溝2の深さd2の1/2〜2/3程度に選ぶ。
又、スパイラル状溝2の両端2a及び2bに対応
する部分には第2図に示すように選択的にクリー
ム半田又はAu−Snの電気メツキ等によりブロツ
ク主面1Aより突出するような接続導体5を形成
する。
一方、同様のNi−Zn系フエライトからなる第
2の磁性ブロツク6を設け、このブロツク6の一
主面6Aに、一端7aがブロツク主面1aの他方
の周縁に延在し、他端7bが前記スパイラル状溝
2の他端2bに対応する如きブロツク主面6Aの
中央に位置する溝7を形成する。そして、この溝
7内に主面6Aより突出するような接続導体8を
形成する。この溝7及び接続導体8の形成はブロ
ツク1に対する場合と同様の製法を用い得る。し
かる後に、両ブロツク1及び6をその両主面1A
及び6Aが対向するように、即ち中央の接続導体
5及び8が対接するように配し、両主面1A及び
6A間に例えばエポキシ接着剤又は低融点ガラス
を介して加圧、加熱で接合する。このときブロツ
ク6側の接続導体8はブロツク1側のスパイラル
状溝2を横切るも、その溝内の導体4′とは接触
されない。そして、接合されたブロツク体の両側
面に、その側面に臨む夫々の接続導体5及び8に
接続する如く導電ペースト(高温焼成)等による
外部電極9及び10を夫々形成し、第1図及び第
2図に示すようにコイル導体4′の形成されたイ
ンダクタンス素子11を得る。
2の磁性ブロツク6を設け、このブロツク6の一
主面6Aに、一端7aがブロツク主面1aの他方
の周縁に延在し、他端7bが前記スパイラル状溝
2の他端2bに対応する如きブロツク主面6Aの
中央に位置する溝7を形成する。そして、この溝
7内に主面6Aより突出するような接続導体8を
形成する。この溝7及び接続導体8の形成はブロ
ツク1に対する場合と同様の製法を用い得る。し
かる後に、両ブロツク1及び6をその両主面1A
及び6Aが対向するように、即ち中央の接続導体
5及び8が対接するように配し、両主面1A及び
6A間に例えばエポキシ接着剤又は低融点ガラス
を介して加圧、加熱で接合する。このときブロツ
ク6側の接続導体8はブロツク1側のスパイラル
状溝2を横切るも、その溝内の導体4′とは接触
されない。そして、接合されたブロツク体の両側
面に、その側面に臨む夫々の接続導体5及び8に
接続する如く導電ペースト(高温焼成)等による
外部電極9及び10を夫々形成し、第1図及び第
2図に示すようにコイル導体4′の形成されたイ
ンダクタンス素子11を得る。
第4図及び第5図は本発明の他の実施例で、特
に第1及び第2の磁性材料ブロツクの夫々にスパ
イラル状溝を形成してコイル導体の巻数の増大を
図つた場合である。即ち、本例は同図示の如く、
例えば高抵抗率のNi−Zn系フエライトからなる
第1の磁性材料ブロツク1の一主面1A上に、一
端2aがブロツク主面1Aの一方の周縁に延在
し、他端2bがブロツク主面1Aの中央に存する
スパイラル状溝2を形成し、このスパイラル状溝
2内に第3図の製法をもつてコイル導体4′を形
成し、且つ両端2a及び2bにおいて主面1A上
に突出する如き接続導体5を形成する。一方、同
様に第2の磁性材料ブロツク6の一主面6Aに、
その一端12aが主面6Aの一方の周縁に延在
し、他端12bが主面6Aの中央に存するよう
に、上記溝2と同方向のスパイラルをなすスパイ
ラル状溝12を形成し、このスパイラル状溝12
内に第3図の製法をもつてコイイル導体4′を形
成し、且つ両端12a及び12bにおいて主面6
Aに突出する如く接続導体8を形成する。次で、
両ブロツク1及び6を互の中央の接続導体5及び
8が互に接続されるように対向し、エポキシ接着
剤又は低融点ガラス等を介して合体する。しかる
後、接合されたブロツク体の両側面に接続導体5
及び8を接続する如く例えば導電ペーストによる
外部電極9及び10を形成し目的のインダクタン
ス素子13を構成する。
に第1及び第2の磁性材料ブロツクの夫々にスパ
イラル状溝を形成してコイル導体の巻数の増大を
図つた場合である。即ち、本例は同図示の如く、
例えば高抵抗率のNi−Zn系フエライトからなる
第1の磁性材料ブロツク1の一主面1A上に、一
端2aがブロツク主面1Aの一方の周縁に延在
し、他端2bがブロツク主面1Aの中央に存する
スパイラル状溝2を形成し、このスパイラル状溝
2内に第3図の製法をもつてコイル導体4′を形
成し、且つ両端2a及び2bにおいて主面1A上
に突出する如き接続導体5を形成する。一方、同
様に第2の磁性材料ブロツク6の一主面6Aに、
その一端12aが主面6Aの一方の周縁に延在
し、他端12bが主面6Aの中央に存するよう
に、上記溝2と同方向のスパイラルをなすスパイ
ラル状溝12を形成し、このスパイラル状溝12
内に第3図の製法をもつてコイイル導体4′を形
成し、且つ両端12a及び12bにおいて主面6
Aに突出する如く接続導体8を形成する。次で、
両ブロツク1及び6を互の中央の接続導体5及び
8が互に接続されるように対向し、エポキシ接着
剤又は低融点ガラス等を介して合体する。しかる
後、接合されたブロツク体の両側面に接続導体5
及び8を接続する如く例えば導電ペーストによる
外部電極9及び10を形成し目的のインダクタン
ス素子13を構成する。
尚、上例では磁性材料ブロツクとして抵抗率の
高いNi−Zn系フエライトを用いたが、その他例
えばMn−Zn系フエライトなども用いることがで
きる。このMn−Zn系フエライトを用いるときは
第3図のスパイラル状溝2(及び溝7,12も同
様)をエツチングで形成して後、全面にSiO又は
SiO2等の絶縁膜を蒸着、スパツタ等にて形成し
てから、全面に導体4の蒸着を行うようになす。
その後の工程は同じである。
高いNi−Zn系フエライトを用いたが、その他例
えばMn−Zn系フエライトなども用いることがで
きる。このMn−Zn系フエライトを用いるときは
第3図のスパイラル状溝2(及び溝7,12も同
様)をエツチングで形成して後、全面にSiO又は
SiO2等の絶縁膜を蒸着、スパツタ等にて形成し
てから、全面に導体4の蒸着を行うようになす。
その後の工程は同じである。
又、製造に際しては、夫々1枚のフエライト基
板において多数個のブロツク1及び6が多量連続
処理で形成され、エツチングした溝内に導体を形
成して後、両基板を接合合体し、所定のスクライ
プ線に沿つて切断することにより、多数個のイン
ダクタンスチツプが同時に得られる。ここで、両
基板の位置合せを容易にするために、両基板の大
きさ(面積)を変えて各基板パターンが見えるよ
うにして行う。又、スクライブの時も同様にその
パターンのスクライブ線に沿つて切断する。
板において多数個のブロツク1及び6が多量連続
処理で形成され、エツチングした溝内に導体を形
成して後、両基板を接合合体し、所定のスクライ
プ線に沿つて切断することにより、多数個のイン
ダクタンスチツプが同時に得られる。ここで、両
基板の位置合せを容易にするために、両基板の大
きさ(面積)を変えて各基板パターンが見えるよ
うにして行う。又、スクライブの時も同様にその
パターンのスクライブ線に沿つて切断する。
両磁性材料ブロツク1及び6としては、夫々材
質を任意に変えることが可能である。例えば一方
のブロツクにはNi−Zn系フエライトを用い、他
方のブロツクにはMn−Zn系フエライトを用いる
ことができ、之によつて温度によるインダクタン
スの変化が抑制できる。
質を任意に変えることが可能である。例えば一方
のブロツクにはNi−Zn系フエライトを用い、他
方のブロツクにはMn−Zn系フエライトを用いる
ことができ、之によつて温度によるインダクタン
スの変化が抑制できる。
エツチングによるスパイラル状溝2,12のパ
ターンは、ピツチ50μm、溝巾30μm、溝深さ30
〜50μmが得られ、微細で多巻化が容易である。
チツプサイズは、巾3.0mm、長さ5.0mm、厚さ1.5mm
の中に34ターンのコイル導体が形成され得る。
ターンは、ピツチ50μm、溝巾30μm、溝深さ30
〜50μmが得られ、微細で多巻化が容易である。
チツプサイズは、巾3.0mm、長さ5.0mm、厚さ1.5mm
の中に34ターンのコイル導体が形成され得る。
又、第4図のインダクタンス素子の製造に際し
ては、第6図に示すように1枚のフエライト基板
14上に多数の同一のスパイラル状溝2を形成
し、このスパイラル状溝2内に上述した如き方法
で導体を形成して後、スクライブ線15に沿つて
切断し、そのうちの2個を互に重ね合せる如く接
合することによつても容易に得られる。
ては、第6図に示すように1枚のフエライト基板
14上に多数の同一のスパイラル状溝2を形成
し、このスパイラル状溝2内に上述した如き方法
で導体を形成して後、スクライブ線15に沿つて
切断し、そのうちの2個を互に重ね合せる如く接
合することによつても容易に得られる。
上述せる本発明構成によれば、磁性材料チツプ
内に微小パターンのコイル導体が形成できるの
で、小形、軽量のインダクタンス素子が得られ、
所謂インダクタンス素子のチツプ部品として好適
ならしめるものである。しかも、準閉磁路構造で
あるため磁束漏れも少なく外部に与える影響が少
なく、又コイル導体4′が露出されないので信頼
性が高い。又コイル導体4′が前述のように形成
されるので特性のバラツキが少なく、又コイル導
体4′が帯状なので高周波損失の少ない構造とな
る。
内に微小パターンのコイル導体が形成できるの
で、小形、軽量のインダクタンス素子が得られ、
所謂インダクタンス素子のチツプ部品として好適
ならしめるものである。しかも、準閉磁路構造で
あるため磁束漏れも少なく外部に与える影響が少
なく、又コイル導体4′が露出されないので信頼
性が高い。又コイル導体4′が前述のように形成
されるので特性のバラツキが少なく、又コイル導
体4′が帯状なので高周波損失の少ない構造とな
る。
さらに、両ブロツク1及び6を互に異なる材質
で構成できるので温度特性のよい複合型のインダ
クタンス素子が容易に得られる。又、スパイラル
状溝がエツチング加工で形成されるので、加工歪
が生ぜず、透磁率μの劣化がない。さらに又、多
数連続処理により1枚の磁性基板よりインダクタ
ンス素子が多数個同時に作れるので、コストが低
くなり且つ量産性が向上する。
で構成できるので温度特性のよい複合型のインダ
クタンス素子が容易に得られる。又、スパイラル
状溝がエツチング加工で形成されるので、加工歪
が生ぜず、透磁率μの劣化がない。さらに又、多
数連続処理により1枚の磁性基板よりインダクタ
ンス素子が多数個同時に作れるので、コストが低
くなり且つ量産性が向上する。
第1図は本発明によるインダクタンス素子の一
実施例を示す平面図、第2図はそのA−A線上の
断面図、第3図はその製法例を示す工程順の断面
図、第4図は本発明の他の実施例を示す平面図、
第5図はそのB−B線上の断面図、第6図は本発
明の他の製法例の説明に供する平面図である。 1は第1の磁性材料ブロツク、2はスパイラル
状溝、4′はコイル導体、6は第2の磁性材料ブ
ロツク、7は溝、8は導体である。
実施例を示す平面図、第2図はそのA−A線上の
断面図、第3図はその製法例を示す工程順の断面
図、第4図は本発明の他の実施例を示す平面図、
第5図はそのB−B線上の断面図、第6図は本発
明の他の製法例の説明に供する平面図である。 1は第1の磁性材料ブロツク、2はスパイラル
状溝、4′はコイル導体、6は第2の磁性材料ブ
ロツク、7は溝、8は導体である。
Claims (1)
- 1 2つの磁性材料ブロツクからなり、第1の磁
性材料ブロツクの主面に該主面の周縁に延在する
スパイラル状溝が形成され、該スパイラル状溝内
に第1の導体が設けられてなり、第2の磁性材料
ブロツクの主面には前記スパイラル状溝の終点に
対応する位置から主面の周縁に到る溝が形成さ
れ、該溝内に第2の導体が設けられてなり、前記
両主面が対向合体して前記第1及び第2の導体が
コイルを構成する様になされたインダクタンス素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17504980A JPS5797608A (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | Inductance element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17504980A JPS5797608A (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | Inductance element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5797608A JPS5797608A (en) | 1982-06-17 |
JPS643334B2 true JPS643334B2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=15989329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17504980A Granted JPS5797608A (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | Inductance element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5797608A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS583009U (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | 株式会社村田製作所 | 積層インダクタ |
JPS5832616U (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-03 | 株式会社村田製作所 | 自立型インダクタ |
JP2997729B2 (ja) * | 1990-06-29 | 2000-01-11 | 日本電信電話株式会社 | インダクタンス素子形成法 |
JP2006196812A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コモンモードフィルタ |
TW201001457A (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-01 | Delta Electronics Inc | Magnetic component |
JP6447368B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-01-09 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
JP7063668B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-05-09 | ホシデン株式会社 | コイル、無接点給電ユニット、及びコイルの製造方法 |
-
1980
- 1980-12-11 JP JP17504980A patent/JPS5797608A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5797608A (en) | 1982-06-17 |
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