JPH04337509A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH04337509A JPH04337509A JP3123125A JP12312591A JPH04337509A JP H04337509 A JPH04337509 A JP H04337509A JP 3123125 A JP3123125 A JP 3123125A JP 12312591 A JP12312591 A JP 12312591A JP H04337509 A JPH04337509 A JP H04337509A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/105—Mounting of head within housing or assembling of head and housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録に適した
ハ−ドディスク用磁気ヘッドに係わり、特にフェライト
ヘッドの性能向上を可能とする磁気ヘッド用集積コイル
に関する。
ハ−ドディスク用磁気ヘッドに係わり、特にフェライト
ヘッドの性能向上を可能とする磁気ヘッド用集積コイル
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のハ−ドディスク用フェライトヘッ
ドの外観形状を図２に示す。このフェライトヘッドはフ
ェライトスライダ３とフェライトコア４をギャップ材９
を介して接合一体化したものであり、巻線窓５にワイヤ
を巻回しコイル１１としたもので、これに信号電流を流
すことによって記録再生を行う構成となっている。ここ
で、ワイヤには通常銅線が用いられ、その直径は機械的
強度を得るため３０μｍ以上のものが用いられる。この
ようなフェライトヘッドは、使用する材料がフェライト
、ガラス等の安価な材料を用いており、かつ主に機械加
工により作製するため、コストは薄膜ヘッドに比べ著し
く低い。 しかも、 書込み／読出しの性能は、特に記
録密度の低い領域で薄膜ヘッドと同等以上である。この
ため、フェライトヘッドは小形ハ−ドディスク用ヘッド
として多用されている。 なお、近年フェライトヘッド
のギャップ部に磁性金属を挿入した、いわゆるＭＩＧ（
Ｍｅｔａｌ Ｉｎ Ｇａｐ）ヘッドが導入されているが
、このヘッドの外観形状はフェライトヘッドと同一であ
り、ここではフェライトヘッドの一種と考える。特公昭
６２−１６４４５号公報には、磁芯となるブロックのま
わりに導電層と絶縁層を交互に積層し、その上に両端が
前記ブロックと接触した磁気通路層を形成した磁気ヘッ
ドが示されている。また、特公昭６４−５３６６号公報
には、基板側に第１磁性層、絶縁層、コイル層および第
２磁性層の一部を形成し、保護板側に第２磁性層の残り
の部分を形成して両者を一体化した薄膜磁気ヘッドが示
されている。
ドの外観形状を図２に示す。このフェライトヘッドはフ
ェライトスライダ３とフェライトコア４をギャップ材９
を介して接合一体化したものであり、巻線窓５にワイヤ
を巻回しコイル１１としたもので、これに信号電流を流
すことによって記録再生を行う構成となっている。ここ
で、ワイヤには通常銅線が用いられ、その直径は機械的
強度を得るため３０μｍ以上のものが用いられる。この
ようなフェライトヘッドは、使用する材料がフェライト
、ガラス等の安価な材料を用いており、かつ主に機械加
工により作製するため、コストは薄膜ヘッドに比べ著し
く低い。 しかも、 書込み／読出しの性能は、特に記
録密度の低い領域で薄膜ヘッドと同等以上である。この
ため、フェライトヘッドは小形ハ−ドディスク用ヘッド
として多用されている。 なお、近年フェライトヘッド
のギャップ部に磁性金属を挿入した、いわゆるＭＩＧ（
Ｍｅｔａｌ Ｉｎ Ｇａｐ）ヘッドが導入されているが
、このヘッドの外観形状はフェライトヘッドと同一であ
り、ここではフェライトヘッドの一種と考える。特公昭
６２−１６４４５号公報には、磁芯となるブロックのま
わりに導電層と絶縁層を交互に積層し、その上に両端が
前記ブロックと接触した磁気通路層を形成した磁気ヘッ
ドが示されている。また、特公昭６４−５３６６号公報
には、基板側に第１磁性層、絶縁層、コイル層および第
２磁性層の一部を形成し、保護板側に第２磁性層の残り
の部分を形成して両者を一体化した薄膜磁気ヘッドが示
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のフェライトヘッ
ドは、高密度の磁気記録を行うには問題があった。すな
わち、従来のフェライトヘッドはフェライトのバルク材
料を用いて磁気回路を構成しているため、インダクタン
スが薄膜ヘッドの５倍前後の値となり、コイルの高周波
特性が薄膜ヘッドに比べて悪く、記録密度を増大させる
上での障害となっていた。本発明の目的はこの問題を解
決し、 フェライトヘッドによる高密度記録を実現させ
ることにある。なお、フェライトヘッドにおいてインダ
クタンスが大きいのはフェライトによる磁気回路の磁路
長および断面積が、薄膜ヘッドの磁気回路（薄膜パ−マ
ロイ）に比べ大きいことによる。フェライトコアの形状
および巻線窓の大きさは銅線を巻付ける上でのスペ−ス
および機械的強度で決まっており、 所定の巻数を得つ
つその形状を縮小することは極めて困難である。従来の
フェライトヘッドの他の問題として、コイル巻きの問題
がある。すなわち、従来のフェライトヘッドでは一つ一
つのヘッドに巻線窓を通して銅線を巻き付ける作業が必
要である。その所要時間は自動、手動によらず長時間を
要しコスト低減の障害となっていた。 従来のフェラ
イトヘッドのさらにもう一つの問題として、コイルの大
きさ、荷重が問題となる。すなわち、記録密度の増大と
ともにスライダの大きさは小さくなりつつある。しかし
、コイルは所定の線径および巻数が必要であり、その大
きさを小さくすることは困難である。このため、両者の
バランスが悪くなり、浮上量が不安定になるとともに、
衝撃が加わったときのフェライトコア損傷の原因となる
。
ドは、高密度の磁気記録を行うには問題があった。すな
わち、従来のフェライトヘッドはフェライトのバルク材
料を用いて磁気回路を構成しているため、インダクタン
スが薄膜ヘッドの５倍前後の値となり、コイルの高周波
特性が薄膜ヘッドに比べて悪く、記録密度を増大させる
上での障害となっていた。本発明の目的はこの問題を解
決し、 フェライトヘッドによる高密度記録を実現させ
ることにある。なお、フェライトヘッドにおいてインダ
クタンスが大きいのはフェライトによる磁気回路の磁路
長および断面積が、薄膜ヘッドの磁気回路（薄膜パ−マ
ロイ）に比べ大きいことによる。フェライトコアの形状
および巻線窓の大きさは銅線を巻付ける上でのスペ−ス
および機械的強度で決まっており、 所定の巻数を得つ
つその形状を縮小することは極めて困難である。従来の
フェライトヘッドの他の問題として、コイル巻きの問題
がある。すなわち、従来のフェライトヘッドでは一つ一
つのヘッドに巻線窓を通して銅線を巻き付ける作業が必
要である。その所要時間は自動、手動によらず長時間を
要しコスト低減の障害となっていた。 従来のフェラ
イトヘッドのさらにもう一つの問題として、コイルの大
きさ、荷重が問題となる。すなわち、記録密度の増大と
ともにスライダの大きさは小さくなりつつある。しかし
、コイルは所定の線径および巻数が必要であり、その大
きさを小さくすることは困難である。このため、両者の
バランスが悪くなり、浮上量が不安定になるとともに、
衝撃が加わったときのフェライトコア損傷の原因となる
。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では上記問題点を
解決するためフェライトヘッド用コイルを薄膜微細加工
技術を用いて作製する。ここで薄膜微細加工技術は蒸着
、スパッタ、メッキ等の薄膜堆積技術およびホトリソグ
ラフィ技術およびボンディング技術を併用したものであ
る。本発明では、Ｓｉウェ−ハ等の基板を用い上記薄膜
微細加工技術により２種類のチップを形成する。図１に
示すごとく、これらのチップ１およびチップ２はフェラ
イトコア４を跨ぐ形で接合される。チップ１では銅の多
層配線１０およびその上のボンディングバンプ（図示せ
ず）が形成されている。チップ２では、銅の多層配線１
０とチップを貫通する導電路（図示せず）が形成されて
おり、さらにその先端すなわちチップ裏面にボンディン
グバンプ（図示せず）が形成されている。また、チップ
２では磁性材料、代表的にはフェライトで形成された磁
性体コア４を跨ぐための溝６がチップ裏面に形成される
。 これらのチップを用い、先ずチップ１を巻線窓の中に挿
入しコア４同様の磁性材料で形成されたスライダ３の側
面に固定する。次いでチップ２をその溝６がフェライト
コア４を跨ぐ形で配置し、両チップのボンディングバン
プを溶融することにより両者を接合する。その結果、両
チップ上の銅の多層配線とチップを貫通する導電路によ
りフェライトコアを周回するコイルが形成される。この
ような薄膜微細加工技術により作製されたコイルを以下
集積コイルと呼ぶ。
解決するためフェライトヘッド用コイルを薄膜微細加工
技術を用いて作製する。ここで薄膜微細加工技術は蒸着
、スパッタ、メッキ等の薄膜堆積技術およびホトリソグ
ラフィ技術およびボンディング技術を併用したものであ
る。本発明では、Ｓｉウェ−ハ等の基板を用い上記薄膜
微細加工技術により２種類のチップを形成する。図１に
示すごとく、これらのチップ１およびチップ２はフェラ
イトコア４を跨ぐ形で接合される。チップ１では銅の多
層配線１０およびその上のボンディングバンプ（図示せ
ず）が形成されている。チップ２では、銅の多層配線１
０とチップを貫通する導電路（図示せず）が形成されて
おり、さらにその先端すなわちチップ裏面にボンディン
グバンプ（図示せず）が形成されている。また、チップ
２では磁性材料、代表的にはフェライトで形成された磁
性体コア４を跨ぐための溝６がチップ裏面に形成される
。 これらのチップを用い、先ずチップ１を巻線窓の中に挿
入しコア４同様の磁性材料で形成されたスライダ３の側
面に固定する。次いでチップ２をその溝６がフェライト
コア４を跨ぐ形で配置し、両チップのボンディングバン
プを溶融することにより両者を接合する。その結果、両
チップ上の銅の多層配線とチップを貫通する導電路によ
りフェライトコアを周回するコイルが形成される。この
ような薄膜微細加工技術により作製されたコイルを以下
集積コイルと呼ぶ。
【０００５】
【実施例】（第１実施例）以下、本発明の一実施例を図
１、図３〜図６により説明する。図３はチップ１とチッ
プ２の斜視図である。チップ１では、Ｓｉ基板１２の上
に銅の多層配線１０とボンディングバンプ１３が形成さ
れている。チップ２では、銅の多層配線１０、基板を貫
通する導電路１４、ボンディングバンプ１３およびフェ
ライトコアを跨ぐための溝６が形成されている。ここで
ボンディングバンプは低融点ハンダで構成されており、
１５０℃前後の熱処理により溶融する。これらのチップ
は図１に示すように配置され、ボンディングバンプを溶
融することにより両チップは接合される。外部との電気
的接続はチップ１の端部に設けたボンディングパッド７
より行い、ワイヤボンディングされたワイヤ８を通じて
電流が流される。
１、図３〜図６により説明する。図３はチップ１とチッ
プ２の斜視図である。チップ１では、Ｓｉ基板１２の上
に銅の多層配線１０とボンディングバンプ１３が形成さ
れている。チップ２では、銅の多層配線１０、基板を貫
通する導電路１４、ボンディングバンプ１３およびフェ
ライトコアを跨ぐための溝６が形成されている。ここで
ボンディングバンプは低融点ハンダで構成されており、
１５０℃前後の熱処理により溶融する。これらのチップ
は図１に示すように配置され、ボンディングバンプを溶
融することにより両チップは接合される。外部との電気
的接続はチップ１の端部に設けたボンディングパッド７
より行い、ワイヤボンディングされたワイヤ８を通じて
電流が流される。
【０００６】図４はチップ１の作製プロセスを示すもの
である。Ｓｉ基板１２の上にメッキ法により銅の配線１
５を形成する（図（ａ））。次いで、スル−ホ−ル１６
を有する層間絶縁膜１７をホトレジストを用いて形成し
、さらに第２層の銅配線１５’をメッキ法により形成す
る（図（ｂ））。次にスル−ホ−ル１６’を有する層間
絶縁膜（ホトレジスト）１７’、第３層の銅配線１５”
を形成する（図（ｃ））。最後に、ＡＬ２Ｏ３よりなる
保護膜１８を形成し、それにスル−ホ−ル１６”を開口
した後、マスク蒸着により低融点ハンダを蒸着しボンデ
ィングバンプ１３を形成する（図（ｄ））。以上のプロ
セスにより銅の多層配線１０が形成される。ちなみに、
チップの寸法は概略０．３ｍｍ×１．５ｍｍであり、３
インチウェーハから約５０００個のチップが得られる。
である。Ｓｉ基板１２の上にメッキ法により銅の配線１
５を形成する（図（ａ））。次いで、スル−ホ−ル１６
を有する層間絶縁膜１７をホトレジストを用いて形成し
、さらに第２層の銅配線１５’をメッキ法により形成す
る（図（ｂ））。次にスル−ホ−ル１６’を有する層間
絶縁膜（ホトレジスト）１７’、第３層の銅配線１５”
を形成する（図（ｃ））。最後に、ＡＬ２Ｏ３よりなる
保護膜１８を形成し、それにスル−ホ−ル１６”を開口
した後、マスク蒸着により低融点ハンダを蒸着しボンデ
ィングバンプ１３を形成する（図（ｄ））。以上のプロ
セスにより銅の多層配線１０が形成される。ちなみに、
チップの寸法は概略０．３ｍｍ×１．５ｍｍであり、３
インチウェーハから約５０００個のチップが得られる。
【０００７】図５はチップ２の作製プロセスを示すもの
である。このチップではＳｉ基板を貫通する導電路を形
成する必要がある。このため、先ずＳｉ基板１２の一方
の面にメッキのベ−スとなる金属膜（Ｎｉ）２０および
樹脂絶縁膜２１を積層し、他の面にエッチングのマスク
となるマスク膜（Ｎｉ）２２を被着する。このマスク膜
２２に通常のホトエッチング（化学エッチング）により
貫通孔用の開口部を設けた後、反応性イオンエッチング
によりＳｉのエッチングを行う。 ここでエッチングに
用いたガスはＣＨＦ３であり、Ｎｉ膜はほとんど侵食さ
れることがない。このため、十分なプロセス裕度をもっ
て、基板を貫通する貫通孔２３を開けることができる（
図（ａ））。次に、金属膜２０をメッキベ−スとしてＮ
ｉメッキを行い、Ｓｉ基板を貫通する導電路１４を形成
する。さらにマスク蒸着により低融点ハンダを蒸着しボ
ンディングバンプ１３を形成する（図（ｂ））。次に、
図（ｃ）に示すようにボンディングバンプの反対側の
面に銅の多層配線１０を形成するが、その方法はチップ
１での作製方法と同様である。最後にボンディングバン
プ側の面に機械加工により溝６を形成する（図（ｄ））
。
である。このチップではＳｉ基板を貫通する導電路を形
成する必要がある。このため、先ずＳｉ基板１２の一方
の面にメッキのベ−スとなる金属膜（Ｎｉ）２０および
樹脂絶縁膜２１を積層し、他の面にエッチングのマスク
となるマスク膜（Ｎｉ）２２を被着する。このマスク膜
２２に通常のホトエッチング（化学エッチング）により
貫通孔用の開口部を設けた後、反応性イオンエッチング
によりＳｉのエッチングを行う。 ここでエッチングに
用いたガスはＣＨＦ３であり、Ｎｉ膜はほとんど侵食さ
れることがない。このため、十分なプロセス裕度をもっ
て、基板を貫通する貫通孔２３を開けることができる（
図（ａ））。次に、金属膜２０をメッキベ−スとしてＮ
ｉメッキを行い、Ｓｉ基板を貫通する導電路１４を形成
する。さらにマスク蒸着により低融点ハンダを蒸着しボ
ンディングバンプ１３を形成する（図（ｂ））。次に、
図（ｃ）に示すようにボンディングバンプの反対側の
面に銅の多層配線１０を形成するが、その方法はチップ
１での作製方法と同様である。最後にボンディングバン
プ側の面に機械加工により溝６を形成する（図（ｄ））
。
【０００８】図６にＳｉ基板を貫通する導電路を形成す
る他の方法を示す。ここで、Ｓｉ基板２４には（１１０
）面のものを用い、その表面に厚さ２００ｎｍのＳｉＯ
２膜２５を形成し、さらに通常のホトエッチングにより
貫通孔用の開口部２６を形成する（図（ａ））。次に、
ＳｉＯ２膜をマスクとして４０℃、４０％のＫＯＨ水溶
液によりＳｉ基板のエッチングを行う。この時、溝の側
面は（１１１）面になりサイドエッチングのない貫通孔
２３が形成される（図（ｂ））。 次に、熱酸化によりＳｉ表面の酸化を行い、厚さ１００
ｎｍのＳｉＯ２膜２７を形成する（図（ｃ））。しかる
後、Ｓｉ基板の下面に金属箔２８および絶縁膜２１を形
成する。金属箔２８をメッキベ−スとして銅メッキを行
い、Ｓｉ基板を貫通する導電路１４を形成する。さらに
マスク蒸着により低融点ハンダを蒸着しボンディングバ
ンプ１３を形成する（図（ｄ））。以下の工程は図５と
同様である。なお、メッキベ−スとしてここでは金属箔
を用いたが、他に蒸着、スパッタにより被着した金属膜
を用いることも可能である。
る他の方法を示す。ここで、Ｓｉ基板２４には（１１０
）面のものを用い、その表面に厚さ２００ｎｍのＳｉＯ
２膜２５を形成し、さらに通常のホトエッチングにより
貫通孔用の開口部２６を形成する（図（ａ））。次に、
ＳｉＯ２膜をマスクとして４０℃、４０％のＫＯＨ水溶
液によりＳｉ基板のエッチングを行う。この時、溝の側
面は（１１１）面になりサイドエッチングのない貫通孔
２３が形成される（図（ｂ））。 次に、熱酸化によりＳｉ表面の酸化を行い、厚さ１００
ｎｍのＳｉＯ２膜２７を形成する（図（ｃ））。しかる
後、Ｓｉ基板の下面に金属箔２８および絶縁膜２１を形
成する。金属箔２８をメッキベ−スとして銅メッキを行
い、Ｓｉ基板を貫通する導電路１４を形成する。さらに
マスク蒸着により低融点ハンダを蒸着しボンディングバ
ンプ１３を形成する（図（ｄ））。以下の工程は図５と
同様である。なお、メッキベ−スとしてここでは金属箔
を用いたが、他に蒸着、スパッタにより被着した金属膜
を用いることも可能である。
【０００９】上記実施例においてＳｉ基板の貫通孔をメ
ッキにより埋めたが、他に液体の毛細管現象を利用して
もこのことは可能である。すなわち、貫通孔を有するＳ
ｉ基板を溶融したハンダ液に浸漬することにより貫通孔
を埋めることができる。また、上記実施例においてチッ
プ１およびチップ２の基板としてＳｉ基板を用いたが、
基板表面の平坦性およびエッチングによる加工性を考慮
したもので、他にこれらの条件を満足するものとして樹
脂基板を用いてもよい。すなわち、図５に示したＳｉ基
板の代りに樹脂基板ここではエポキシ樹脂を用い、その
エッチングを酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング
により行う。エポキシ樹脂とマスク材として用いたＮｉ
膜とのエッチングの選択比は１００以上あり、樹脂基板
を貫通する孔を容易に加工することができる。
ッキにより埋めたが、他に液体の毛細管現象を利用して
もこのことは可能である。すなわち、貫通孔を有するＳ
ｉ基板を溶融したハンダ液に浸漬することにより貫通孔
を埋めることができる。また、上記実施例においてチッ
プ１およびチップ２の基板としてＳｉ基板を用いたが、
基板表面の平坦性およびエッチングによる加工性を考慮
したもので、他にこれらの条件を満足するものとして樹
脂基板を用いてもよい。すなわち、図５に示したＳｉ基
板の代りに樹脂基板ここではエポキシ樹脂を用い、その
エッチングを酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング
により行う。エポキシ樹脂とマスク材として用いたＮｉ
膜とのエッチングの選択比は１００以上あり、樹脂基板
を貫通する孔を容易に加工することができる。
【００１０】（第２実施例）本発明の他の実施例を図７
により説明する。同図においてフェライトコア４を跨ぐ
導電路は銅の多層配線を有するチップ２’により形成さ
れる。ただし、ここでチップ２’は基板を貫通する導電
路は有せず、チップ表面の多層配線のみを有する。チッ
プの配置は以下の手順により行う。先ずチップ１を用い
その裏面をスライダ側にし、先端の細い部分を巻線窓の
中に挿入する。しかる後、チップ裏面をスライダ側面に
接着する。次いで、チップ２’を用い、その表面をチッ
プ２’の表面と相対して配置し両者のボンディングバン
プのアライメントを行う。しかる後、１５０℃の熱処理
を行い両者のボンディングバンプを融合させる。その結
果、チップ１とチップ２’の多層配線は接合され磁気コ
アを周回するコイルが形成される。図８はチップ１とチ
ップ２’の形状を模式的に示したものである。両チップ
とも基板１９の上に絶縁膜１７と銅の配線１５を交互に
積層したもので先に示した図４と同様の方法により形成
したものである。また、チップ表面には低融点ハンダの
ボンディングバンプ１３およびボンディングパッド７を
形成する。磁気ギャップはフェライトコアの下方に設け
られる。
により説明する。同図においてフェライトコア４を跨ぐ
導電路は銅の多層配線を有するチップ２’により形成さ
れる。ただし、ここでチップ２’は基板を貫通する導電
路は有せず、チップ表面の多層配線のみを有する。チッ
プの配置は以下の手順により行う。先ずチップ１を用い
その裏面をスライダ側にし、先端の細い部分を巻線窓の
中に挿入する。しかる後、チップ裏面をスライダ側面に
接着する。次いで、チップ２’を用い、その表面をチッ
プ２’の表面と相対して配置し両者のボンディングバン
プのアライメントを行う。しかる後、１５０℃の熱処理
を行い両者のボンディングバンプを融合させる。その結
果、チップ１とチップ２’の多層配線は接合され磁気コ
アを周回するコイルが形成される。図８はチップ１とチ
ップ２’の形状を模式的に示したものである。両チップ
とも基板１９の上に絶縁膜１７と銅の配線１５を交互に
積層したもので先に示した図４と同様の方法により形成
したものである。また、チップ表面には低融点ハンダの
ボンディングバンプ１３およびボンディングパッド７を
形成する。磁気ギャップはフェライトコアの下方に設け
られる。
【００１１】（第３実施例）図９は本発明のさらに他の
実施例を示す。同図においてもフェライトコア４を跨ぐ
導電路は銅の多層配線を有するチップ２’により形成さ
れる。ただし、前の実施例に比べチップはスライダに対
して９０度回転した状態となっている。すなわち、チッ
プの多層配線を形成した面はスライダ側面に対して直交
した配置となっている。本実施例においては先ずチップ
１の細い部分が巻線窓に挿入され、チップの側面がスラ
イダの側面に接着される。次いで、チップ２’を用いそ
の表面がチップ１の表面と相対して配置し、両者の両者
のボンディングバンプのアライメントを行う。しかる後
、１５０℃の熱処理を行い両者のボンディングバンプを
融合させる。次いで、チップ２’の側面もスライダに接
着する。この接着によりチップとスライダの接合は強固
になる。この構造では、磁気ギャップをフェライトコア
の上方、下方のいずれにでも設けることができる。
実施例を示す。同図においてもフェライトコア４を跨ぐ
導電路は銅の多層配線を有するチップ２’により形成さ
れる。ただし、前の実施例に比べチップはスライダに対
して９０度回転した状態となっている。すなわち、チッ
プの多層配線を形成した面はスライダ側面に対して直交
した配置となっている。本実施例においては先ずチップ
１の細い部分が巻線窓に挿入され、チップの側面がスラ
イダの側面に接着される。次いで、チップ２’を用いそ
の表面がチップ１の表面と相対して配置し、両者の両者
のボンディングバンプのアライメントを行う。しかる後
、１５０℃の熱処理を行い両者のボンディングバンプを
融合させる。次いで、チップ２’の側面もスライダに接
着する。この接着によりチップとスライダの接合は強固
になる。この構造では、磁気ギャップをフェライトコア
の上方、下方のいずれにでも設けることができる。
【００１２】（第４実施例）本発明のさらに他の実施例
を図１０により説明する。同図においてフェライトコア
４を跨ぐチップはフレキシブル基板で作製されており、
基板上には銅の多層配線およびボンディングバンプが形
成されている。巻線窓の中には、先の実施例と同様Ｓｉ
基板の上に銅の多層配線が形成されたチップ１を挿入し
、スライダ側面に接着する。しかる後、上記フレキシブ
ル基板２９をチップ１およびフェライトコア４に相対す
る形で配置し、両者のボンディングバンプを接触溶融さ
せて接合する。
を図１０により説明する。同図においてフェライトコア
４を跨ぐチップはフレキシブル基板で作製されており、
基板上には銅の多層配線およびボンディングバンプが形
成されている。巻線窓の中には、先の実施例と同様Ｓｉ
基板の上に銅の多層配線が形成されたチップ１を挿入し
、スライダ側面に接着する。しかる後、上記フレキシブ
ル基板２９をチップ１およびフェライトコア４に相対す
る形で配置し、両者のボンディングバンプを接触溶融さ
せて接合する。
【００１３】（第５実施例）図１１は本発明の他の実施
例を示す。ここでコイルはフレキシブル基板２９のみで
形成される。すなわち、実施例２に述べたフレキシブル
基板を巻線窓５に挿入し、さらにフェライトコア４の周
りに周回させる。そしてフレキシブル基板の両端のボン
ディングバンプ１３を接触溶融させることにより、コイ
ルを形成する。 （第６実施例）図１２は本発明のさらに他の実施例を示
す。同図においてフェライトコア４を跨ぐ導電路はワイ
ヤボンディングにより形成される。すなわち、先に述べ
た銅の多層配線を有するＳｉチップ１を巻線窓５の中に
挿入し、スライダ３の側面に接着する。しかる後、基板
両端のボンディングバンプ１３を接続するようにワイヤ
８をボンディングする。以上の実施例において、集積コ
イルを適用する磁気ヘッドとしてスライダ自身がフェラ
イトで構成される、いわゆるモノリシック型について述
べた。他に、ハ−ドディスク用ヘッドとして磁性体コア
を非磁性体のスライダに埋めこむコンポジット型ヘッド
がある。このヘッドにおいても、巻線窓および磁性体コ
アはモノリシック型と類似の形状を有しており、本発明
を適用できることは言うまでもない。
例を示す。ここでコイルはフレキシブル基板２９のみで
形成される。すなわち、実施例２に述べたフレキシブル
基板を巻線窓５に挿入し、さらにフェライトコア４の周
りに周回させる。そしてフレキシブル基板の両端のボン
ディングバンプ１３を接触溶融させることにより、コイ
ルを形成する。 （第６実施例）図１２は本発明のさらに他の実施例を示
す。同図においてフェライトコア４を跨ぐ導電路はワイ
ヤボンディングにより形成される。すなわち、先に述べ
た銅の多層配線を有するＳｉチップ１を巻線窓５の中に
挿入し、スライダ３の側面に接着する。しかる後、基板
両端のボンディングバンプ１３を接続するようにワイヤ
８をボンディングする。以上の実施例において、集積コ
イルを適用する磁気ヘッドとしてスライダ自身がフェラ
イトで構成される、いわゆるモノリシック型について述
べた。他に、ハ−ドディスク用ヘッドとして磁性体コア
を非磁性体のスライダに埋めこむコンポジット型ヘッド
がある。このヘッドにおいても、巻線窓および磁性体コ
アはモノリシック型と類似の形状を有しており、本発明
を適用できることは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上のようにして作製される集積コイル
は従来の銅線を巻いたコイルに比べ寸法を著しく小さく
することができる。このためフェライトコアおよび巻線
窓の寸法を従来よりも相当小さく、たとえば従来の半分
以下とすることができ、高周波特性およびヘッド効率が
改善される。また、集積コイルは直接スライダに接着さ
れ、かつその荷重が小さいためフェライトコアに負荷が
かからず、外部からの衝撃に強い構造となる。さらに、
集積コイルでは２つのチップを接合するだけでコイルと
することが出来るためコイル巻きのコストが大幅に低減
する。
は従来の銅線を巻いたコイルに比べ寸法を著しく小さく
することができる。このためフェライトコアおよび巻線
窓の寸法を従来よりも相当小さく、たとえば従来の半分
以下とすることができ、高周波特性およびヘッド効率が
改善される。また、集積コイルは直接スライダに接着さ
れ、かつその荷重が小さいためフェライトコアに負荷が
かからず、外部からの衝撃に強い構造となる。さらに、
集積コイルでは２つのチップを接合するだけでコイルと
することが出来るためコイル巻きのコストが大幅に低減
する。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】従来のフェライトヘッドおよびコイルの斜視図
である。
である。
【図３】本発明の集積コイル部材の斜視図である。
【図４】本発明の集積コイルのチップ１を作製するため
の工程図である。
の工程図である。
【図５】本発明の集積コイルのチップ２を作製するため
の工程図である。
の工程図である。
【図６】本発明の集積コイルに用いる貫通孔を作製する
ための工程図である。
ための工程図である。
【図７】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図８】本発明の集積コイル部材の斜視図である。
【図９】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図１０】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図１１】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図１２】本発明の他の実施例の斜視図である。
１ チップ１
２ チップ２
２’ チップ２’
３ スライダ
４ フェライトコア
５ 巻線窓
６ 溝
７ ボンディングパッド
８ ボンディングワイヤ
９ ギャップ
１０ 銅多層配線、
１１ コイル
１２ Ｓｉ基板
１３ ボンディングバンプ
１４ 導電路
１５，１５’，１５’’ 銅配線
１６，１６’，１６’’ スル−ホ−ル１７，１７’
層間絶縁膜 １８ 保護膜 １９ 基板、 ２０ 金属膜（Ｎｉ） ２１ 絶縁膜 ２２ マスク膜（Ｎｉ） ２３ 貫通孔 ２４ （１１０）Ｓｉ基板 ２５ ＳｉＯ２ ２６ 開口部 ２７ 熱酸化膜 ２８ 金属箔 ２９ フレキシブル基板
層間絶縁膜 １８ 保護膜 １９ 基板、 ２０ 金属膜（Ｎｉ） ２１ 絶縁膜 ２２ マスク膜（Ｎｉ） ２３ 貫通孔 ２４ （１１０）Ｓｉ基板 ２５ ＳｉＯ２ ２６ 開口部 ２７ 熱酸化膜 ２８ 金属箔 ２９ フレキシブル基板
Claims (11)
- 【請求項１】 磁性体コアとスライダとよりなる磁気
ヘッドにおいて、配線およびボンディングバンプを有す
る巻線窓の内側に配置された第１のチップと、配線およ
びその先端に形成されたボンディングバンプ並びに磁性
体コアを跨ぐ溝を有する第２のチップとを備え、両チッ
プのボンディングバンプが接合されて巻線コイルを形成
していることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 磁性体コアとスライダとよりなる磁気
ヘッドにおいて、配線およびボンディングバンプを有す
る第１のチップを巻線窓の内側に挿入しかつスライダ側
面に接着する工程と、配線およびその先端に形成された
ボンディングバンプ並びに磁性体コアを跨ぐ溝を有する
第２のチップを上記第１のチップに相対して設置する工
程と、両チップのボンディングバンプを接合する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 上記磁気ヘッドにおいて、第２のチッ
プの基板として単結晶珪素を用い、反応性イオンエッチ
ングにより貫通孔を形成する工程と、メッキにより該貫
通孔を導電材で充填する工程とを有することを特徴とす
る請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 上記磁気ヘッドにおいて、第２のチッ
プの基板として樹脂を用い、酸素ガスの反応性イオンエ
ッチングにより貫通孔を形成する工程とメッキにより該
貫通孔を導電材で充填する工程とを有することを特徴と
する請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 上記磁気ヘッドにおいて、第２のチッ
プの基板として（１１０）面単結晶珪素を用い、ＫＯＨ
水溶液あるいはエチレンジアミン水溶液あるいはヒドラ
ジン水溶液あるいはこれらの混合液によるエッチングに
より貫通孔を形成する工程と、珪素表面に熱酸化により
酸化珪素膜を形成する工程と、メッキにより該貫通孔を
導電材で充填する工程とを有することを特徴とする請求
項２記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 磁性体コアとスライダとよりなる磁気
ヘッドにおいて、配線およびボンディングバンプを有す
る磁性体コアの窓を通して配置された第１のチップと、
配線およびボンディングバンプを有する磁性体コアの窓
の外側に配置された第２のチップとを備え、両チップの
ボンディングバンプが接合されて巻線コイルを形成して
いることを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項７】 磁性体コアとスライダとよりなる磁気
ヘッドにおいて、配線およびボンディングバンプを有す
る磁性体コアの窓を通して配置されたチップと、配線お
よびボンディングバンプを有する磁性体コアの窓の外側
に配置されたフレキシブル基板とを備え、両者のボンデ
ィングバンプが接合されて巻線コイルを形成しているこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項８】 磁性体コアとスライダとよりなる磁気
ヘッドにおいて、配線およびボンディングバンプを有す
るフレキシブル基板が巻線窓に挿入されかつ磁性体コア
の周りに周回し、基板両端のボンディングバンプが接合
された構造を有することを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項９】 磁性体コアとスライダとよりなる磁気
ヘッドにおいて、配線およびボンディングバンプを有す
るチップが巻線窓の内側にあり、その両端のボンディン
グバンプをワイヤボンディングのワイヤにより磁性体コ
ア跨いで接続した構造を有することを特徴とする磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１０】 上記磁性体コアはギャンプ材を介し
て上記スライダに接合されている請求項１、６、７、８
または９記載の磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 上記配線は、上記チップの内部に形
成された薄膜配線である請求項１、６、７、８、９また
は１０記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123125A JPH0833978B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| CA002061118A CA2061118A1 (en) | 1991-04-26 | 1992-02-12 | Magnetic head and manufacturing method thereof |
| CN92102089A CN1066143A (zh) | 1991-04-26 | 1992-03-26 | 磁头及其制造方法 |
| MYPI92000523A MY108189A (en) | 1991-04-26 | 1992-03-26 | Magnetic head and manufacturing method thereof. |
| KR1019920004888A KR920020403A (ko) | 1991-04-26 | 1992-03-26 | 자기 헤드 및 그 제조 방법 |
| BR929201350A BR9201350A (pt) | 1991-04-26 | 1992-04-13 | Cabeca magnetica e processo de sua producao |
| EP19920303656 EP0510970A3 (en) | 1991-04-26 | 1992-04-23 | Magnetic head and manufacturing method thereof |
| US08/709,144 US5757592A (en) | 1991-04-26 | 1996-09-06 | Laminated coil for a magnetic head of a disk drive and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3123125A JPH0833978B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337509A true JPH04337509A (ja) | 1992-11-25 |
| JPH0833978B2 JPH0833978B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14852807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3123125A Expired - Lifetime JPH0833978B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5757592A (ja) |
| EP (1) | EP0510970A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0833978B2 (ja) |
| KR (1) | KR920020403A (ja) |
| CN (1) | CN1066143A (ja) |
| BR (1) | BR9201350A (ja) |
| CA (1) | CA2061118A1 (ja) |
| MY (1) | MY108189A (ja) |
Cited By (1)
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-
1991
- 1991-04-26 JP JP3123125A patent/JPH0833978B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-12 CA CA002061118A patent/CA2061118A1/en not_active Abandoned
- 1992-03-26 CN CN92102089A patent/CN1066143A/zh active Pending
- 1992-03-26 KR KR1019920004888A patent/KR920020403A/ko not_active Application Discontinuation
- 1992-03-26 MY MYPI92000523A patent/MY108189A/en unknown
- 1992-04-13 BR BR929201350A patent/BR9201350A/pt not_active Application Discontinuation
- 1992-04-23 EP EP19920303656 patent/EP0510970A3/en not_active Ceased
-
1996
- 1996-09-06 US US08/709,144 patent/US5757592A/en not_active Expired - Lifetime
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